JP4335729B2 - フォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの反射率調整方法 - Google Patents
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Description
また、遮光膜にはCr(例えば特許文献2参照)やCrC(例えば特許文献5参照)等を用いることが知られている。
(実施例1)
6インチの角形石英基板上に、CrをターゲットとしてスパッタリングガスとしてArを用い、成膜圧力0.3Pa、投入電力250W、成膜前加熱温度120℃でDCスパッタリング法にて、膜厚70nmのCr遮光膜を形成した。次に、このCr遮光膜上にCrをターゲットにして、スパッタリングガスとしてAr、反応性ガスとしてCO2、N2を用い、成膜圧力0.3Pa、投入電力250WでDCスパッタリング法にて、膜厚10nmのCrONCからなる反射率調整層を形成した。さらにこの反射率調整層の上に、CrをターゲットとしてスパッタリングガスとしてAr、反応性ガスとしてCO2、N2を用い、成膜圧力0.3Pa、投入電力250WでDCスパッタリング法にて、膜厚20nmのCrONCから成る反射防止膜を形成し、フォトマスクブランクを得た。
このように、本発明の実施例のフォトマスクブランクは、露光波長及び検査波長の両方で所望の反射率範囲内であることが判る。
6インチの角形石英基板上に、実施例1と同様の条件で膜厚70nmのCr遮光膜を形成した。次に、反射率調整層を形成することなく、このCr遮光膜上に実施例1と同様の条件で膜厚20nmのCrONから成る反射防止膜を形成し、フォトマスクブランクを得た。
10…フォトマスクブランク。
Claims (7)
- フォトマスクブランクであって、少なくとも基板上に、遮光膜と、反射防止膜と、遮光膜と反射防止膜の間に反射率調整層を含み、
前記遮光膜、反射率調整層、反射防止膜は同じ金属元素を含み、
前記反射率調整層は、露光波長及び検査波長における消衰係数の値が、前記反射防止膜の消衰係数と前記遮光膜の消衰係数の間の値であるものであり、
前記反射防止膜は、前記反射率調整層と前記反射防止膜との界面で反射する光を多重反射して、露光波長及び検査波長における前記フォトマスクブランクの反射率を所定の範囲内に調整するものであることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜がクロムを含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記露光波長において反射率が20%以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記露光波長が248nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記露光波長が193nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記検査波長において反射率が10〜20%であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 少なくとも基板上に、遮光膜と、反射防止膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜と前記反射防止膜との間に反射率調整層を設け、前記遮光膜、反射率調整層、反射防止膜が同じ金属元素を含むように構成し、前記反射率調整層として、露光波長及び検査波長における消衰係数の値が、前記反射防止膜の消衰係数と前記遮光膜の消衰係数の間の値であるものを使用し、前記反射防止膜と前記反射率調整層との界面で反射する光を多重反射して露光波長及び検査波長におけるフォトマスクブランクの反射率を所定の範囲内に調整することを特徴とするフォトマスクブランクの反射率調整方法。
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