TWI437255B - Anti-reflection film, polarizing plate, display device and anti-reflection film - Google Patents

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TWI437255B
TWI437255B TW097123738A TW97123738A TWI437255B TW I437255 B TWI437255 B TW I437255B TW 097123738 A TW097123738 A TW 097123738A TW 97123738 A TW97123738 A TW 97123738A TW I437255 B TWI437255 B TW I437255B
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Description

防反射薄膜，偏光板，顯示裝置及防反射薄膜的製造方法
本發明係關於一種防反射薄膜，更詳而言係關於一種耐擦傷性優、反射率低、使用於顯示裝置時辨認性優之防反射薄膜。
於液晶等之圖像顯示裝置的最表面所使用之防反射薄膜中，係提出設有光學干涉方式之防反射層而形成低反射率之技術。
就降低反射率之技術而言有降低最表面層之折射率的方法，因此，已提出於最表面層使用低折射率材料或增加空隙而降低折射率之方式。但膜強度、耐刮傷性成為缺點。
使用內部成為多孔質或空洞之中空二氧化矽粒子，就謀求直接維持膜強度以空隙所產生之折射率降低而言，進一步已被提出併用矽酮之技術(例如參照專利文獻1)。
但，固形分中含有中空二氧化矽粒子20質量%以上之低折射率層中係矽酮貢獻之抗污性會降低，因此追加添加矽酮，調整膜強度與抗污性之關係。
又，具有抗污性高之反應性基的二氧化矽中係膜強度劣化以外，有時亦易產生凝集。
另外，防反射薄膜係可使用於多用途，尋求膜強度、抗污性之進一步改善。
就膜強度之改善方法而言已知有以金屬氧化物之膜藉溶膠凝膠法以形成低折射率層之方法(參照專利文獻2)。又，已揭示使用氟系樹脂作為黏結劑成分，以矽烷偶合劑處理中空粒子之技術(例如參照專利文獻3)。
但，即使組合此等之方法，亦無法謀求低折射率化且同時並滿足膜強度與抗污性。
專利文獻1：特開2002－79616號公報專利文獻2：特開2000－910號公報專利文獻3：特開2006－117924號公報
 發明之揭示
本發明之目的係提供一種耐擦傷性優、抗污性優、反射率低、使用於顯示裝置時辨認性優之防反射薄膜。
為達成上述目的之本發明的態樣之1係一種防反射薄膜，其係於透明支撐體上至少具有防反射層，其特徵在於：於最表面具有至少含有中空二氧化矽粒子及矽酮之折射率為1.20~1.49的低折射率層，該中空二氧化矽粒子固形分中含有30~80質量%，從最表面至5nm之深度範圍藉X線光電子分光分析裝置所測定，且以下述式(A)所示之Si－C鍵譜峰強度比率之平均值Ros為0.40以上，且最表面至深10~25nm中之該Si－C鍵譜峰強度比率的平均值Rot為0.0005~0.10。
式(A)(Si－C鍵譜峰強度比率)＝(Si－C鍵譜峰強度)/{(Si－C鍵譜峰強度)＋(Si－O鍵譜峰強度)}
用以實施發明之形態
本發明之上述課題係以下述之構成來達成。
(1)一種防反射薄膜，其係於透明支撐體上至少具有防反射層，其特徵在於：於最表面具有至少含有中空二氧化矽粒子及矽酮之折射率為1.20~1.49的低折射率層，該中空二氧化矽粒子固形分中含有30~80質量%，從最表面至5nm之深度範圍藉X線光電子分光分析裝置所測定，且以下述式(A)所示之Si－C鍵譜峰強度比率之平均值Ros為0.40以上，且最表面至深10~25nm中之該Si－C鍵譜峰強度比率的平均值Rot為0.0005~0.10。
式(A)(Si－C鍵譜峰強度比率)＝(Si－C鍵譜峰強度)/{(Si－C鍵譜峰強度)＋(Si－O鍵譜峰強度)}
(2)如前述(1)項之防反射薄膜，其中前述防反射薄膜於前述透明支撐體上與前述防反射層之間具有硬塗層。
(3)如前述(1)或(2)項之防反射薄膜，其中前述低折射率層為含有以下述通式(1)所示之有機矽烷的縮合物；通式(1)Si(X1)4 ，X1表示烷氧基。
(4)一種防反射薄膜之製造方法，其係具有：於透明支撐體上形成高折射率層之步驟、與於該高折射率層上形成低折射率層之步驟的前述(3)項之防反射薄膜之製造方法，其特徵在於：該低折射率層為經過塗佈如下之步驟所得到的塗佈液乾燥而形成；使以下述通式(1)所示之有機矽烷進行水解而製作重量平均分子量為500~1000之低縮合物之步驟；於此低縮合物中混合中空二氧化矽而進一步繼續水解及縮合之步驟。
(5)如前述(4)項之防反射薄膜之製造方法，其中前述低縮合物中混合中空二氧化矽而進一步繼續水解之步驟中，混合以通式(2)所示之有機矽烷；通式(2)(R)m Si(X2)4－m R表示未被水解之有機基，X2表示烷氧基，m表示1~4之整數。
(6)如前述(4)或(5)項之防反射薄膜之製造方法，其中於形成前述高折射率層之步驟前具有形成硬塗層之步驟。
(7)如前述(6)項之防反射薄膜之製造方法，其中於前述透明支撐體或前述硬塗層的表面形成凹凸形狀而賦予防眩性。
(8)如前述(4)~(7)項中任一項之防反射薄膜之製造方法，其中於形成前述低折射率層之步驟之後，具有如下步驟：呈輥狀卷取前述防反射薄膜之步驟；與以輥狀 卷取之狀態以50~160℃進行加熱處理之步驟。
(9)一種偏光板，其特徵在於使用如前述(1)~(3)項中任一項之防反射薄膜。
(10)如前述(9)項之偏光板，其中前述防反射薄膜具有防眩性。
(11)一種顯示裝置，其特徵在於：使用如前述(1)~(3)項中任一項之防反射薄膜。
(12)如前述(11)項之顯示裝置，其中前述防反射薄膜具有防眩性。
本發明係提供一種防反射薄膜，更詳而言係關於一種耐擦傷性優、反射率低、使用於顯示裝置時辨認性優之防反射薄膜。
以下詳細地說明有關用以實施本發明之最佳形態，但本發明係不限定於此等。
以往，為了降低反射率，有於低折射率層中使用中空二氧化矽粒子之技術，但，在此技術中為進一步考量降低反射率必須增加中空二氧化矽粒子之含量。
一般於顯示裝置之最表面係防止污染的附著，使用矽酮等之抗污劑，但若增量中空二氧化矽或膠體二氧化矽等粒子，產生所謂此抗污性劣化之現象。
本發明人等係研究有關中空二氧化矽粒子之增量與抗污性之關係的結果，若增量粒子，擔任抗污性任務之最表面的矽酮量會減少，結果發現造成抗污性之劣化者。推測恐怕是矽酮吸附於中空二氧化矽粒子之表面，配向於低折 射率層之最表面而造成。
本發明係發現若為經過於有機矽烷之低縮合物的存在下放置中空二氧化矽粒子之步驟所製造之防反射薄膜，可增加防反射薄膜最表面之矽酮的量。
認為此係因吸附於中空二氧化矽粒子表面的矽酮量減少所致者。
本發明係其特徵在於：有機矽烷並非具有所謂使用來作為矽烷偶合劑之官能基者。
進一步，進行水解某種程度，在形成有機矽烷之低縮合物之時點，宜與中空二氧化矽粒子進行混合。
此有機矽烷係形成原來低折射率層之黏結劑主成分而可期待成為折射率低之材料的作用效果，但在本發明中發現於中空二氧化矽粒子之作用。
一般以矽烷偶合劑處理粒子表面係早為人所知，但在本發明之用途中從初期以矽烷偶合劑處理者係效果不充分，無法期待於作為矽烷偶合劑作用之有機矽烷的低縮合物所形成之時點共存，可發揮對粒子之效果。
以往，有機矽烷之水解完全終了後，進行此有機矽烷之縮合物與中空二氧化矽粒子之混合。
以下，詳細說明本發明。
本發明之防反射薄膜係就基本之構成而言，由具有防反射功能之高、中、低折射率層、其下之硬塗層及支撐此等之層的透明支撐體所構成。
<低折射率層>
本發明之低折射率層的折射率係宜為低於支撐體之透明支撐體的折射率、23℃、波長550nm、1.30~1.45的範圍。
低折射率層之膜厚係宜為5nm~0.5 μm，更宜為10nm~0.3 μm，最宜為30nm~0.2 μm。
本發明所使用之低折射率層係具有中空二氧化矽粒子、矽酮及黏結劑作為基本構成。
再者，宜為含有中空二氧化矽粒子且含有至少2種類之二氧化矽粒子，其他之一種類的二氧化矽微粒子為膠體二氧化矽，該膠體二氧化矽之平均粒徑為不足中空二氧化矽粒子的平均粒徑之1.1~20倍。
(最表面之Si－C鍵譜峰強度比率)
在本發明中所謂最表面意指防反射層之最表面且為低折射率層之最表面。本發明之防反射薄膜係於最表面至少含有中空二氧化矽粒子及矽酮。矽酮係於分子內具有Si－C鍵及Si－O鍵，另外，二氧化矽粒子係於分子內具有Si－O鍵。因此，使用X線光電子分光分析裝置(以下，略為XPS)而測定，Si－C鍵譜峰強度對Si－C鍵譜峰強度與Si－O鍵譜峰強度的和之比率係表示在防反射薄膜的最表面中之矽酮的存在比率之指標。
在本發明中，係從最表面至5nm之深度範圍，以下述式(A)所示的Si－C鍵譜峰強度比率之平均值Ros為 0.40以上。又，從最表面至深度10~25nm之前述Si－C鍵譜峰強度比率之平均值Rot為0.0005~0.10。
此事表示係於最表面至5nm之深度局部存在矽酮，至10~25nm之深度僅存在某些量以下。
Si－C鍵譜峰強度比率係X線光電子分光分析裝置(XPS)採用於產生C60離子之濺鍍用離子槍，測定在以下述之蝕刻條件的Si－C鍵結能量(Si－C鍵譜峰強度)與Si－O鍵結能量(Si－O鍵譜峰強度)來求出。在以Ar束進行之蝕刻中係矽酮的有機構造(Si－C鍵)易被破壞，故無法測定正確的有機矽酮比率。在以C60離子所進行的蝕刻中有機構造很難被破壞，可更正確的測定。
式(A)(Si－C鍵譜峰強度比率)＝(Si－C鍵譜峰強度)/{(Si－C鍵譜峰強度)＋(Si－O鍵譜峰強度)}
又，Si－C鍵譜峰值係102eV±0.5 eV，Si－O鍵譜峰值係103 eV±0.5 eV。
(蝕刻條件)
裝置：ULVAC公司製06－C60加速電壓：10kV離子束電流：15mA離子入射角度：45°蝕刻速度：1.5nm/分(在SiO中) 蝕刻區域：2.5mm2
(XPS測定條件)
裝置：ULVAC公司製Quantera SXM X線：A1(Monochro)25W15kV束徑：100 μm
所謂Ros係於最表面至5nm之深度範圍的Si－C鍵譜峰強度比率之平均值，亦即，謂以上述條件之蝕刻時間0秒的分子比率。XPS係依最表面的測定可得到至5nm深度之資訊。
離上述最表面之深度10nm係相當於以上述條件之蝕刻時間400秒的深度，離最表面之深度25nm係相當於以蝕刻時間1000秒的深度。
〈中空二氧化矽粒子〉
說明有關前述內部為多孔質或空洞之中空二氧化矽粒子(以下，亦僅稱為中空粒子)。
中空粒子係(I)由多孔質粒子與設於該多孔質粒子表面之被覆層所構成的複合粒子，或(II)於內部具有空洞，且內容物被溶劑、氣體或多孔質物質所填充之空洞粒子。
又，空洞粒子係於內部具有空洞之粒子，空洞被粒子壁包圍。於空洞內係以調整時所使用之溶劑、氣體或多孔質物質等之內容物所填充。
如此之中空粒子的平均粒徑為5~200nm，更宜為10~70nm。中空粒子之粒徑宜變動係數為1~40%的單分散。
平均粒徑係可從以掃描電子顯微鏡(SEM)等之電子顯微鏡照片進行計測。亦可依利用動態光散射法或靜態光散射法等之粒度分布計等而進行計測。
中空粒子為複合粒子時，複合粒子之被覆層的厚度或空洞粒子的粒子壁的厚度為1~20nm，宜為2~15nm。
複合粒子之情形，被覆層之厚度不足1nm時，有時無法完全被覆粒子，塗佈液成分容易地進入於複合粒子之內部而內部之多孔性減少，有時無法充分得到低折射率化的效果。
又，若被覆層之厚度超過20nm，則無前述塗佈液成分進入內部，但有時複合粒子之多孔性(細孔容積)降低而無法充分得到低折射率化的效果。
又，空洞粒子之情形，粒子壁的厚度不足1nm時，係有時無法維持粒子形狀，即使厚度超過20nm，有時無法充分顯現低折射率化的效果。
複合粒子之被覆層或空洞粒子的粒子壁係宜以二氧化矽作為主成分。又，亦可含有二氧化矽以外之成分，具體上係可舉例如Al2 O3 、B2 O3 、TiO2 、ZrO2 、SnO2 、CeO2 、P2 O3 、Sb2 O3 、MoO3 、ZnO2 、WO3 等。
構成複合粒子之多孔質粒子係可舉例如由二氧化矽所構成者，二氧化矽與二氧化矽以外之無機化合物所構成者 ，CaF2 、NaF、NaAlF6 、MgF等所構成者。
其中，尤其適宜為二氧化矽與二氧化矽以外之無機化合物的複合氧化物所構成的多孔質粒子。二氧化矽以外的無機化合物，可舉例如Al2 O3 、B2 O3 、TiO2 、ZrO2 、SnO2 、CeO2 、P2 O3 、Sb2 O3 、MoO3 、ZnO2 、WO3 等之一種或2種以上。
如此之多孔質粒子係以SiO2 表示二氧化矽，以氧化物換算(MOx )表示二氧化矽以外的無機化合物時之莫耳比MOx /SiO2 為0.0001~1.0，宜為0.001~0.3的範圍。
多孔質粒子之莫耳比MOx /SiO2 不足0.0001者係很難得到，即使可得到，細孔容積亦小，無法得到折射率低的粒子。
又，多孔質粒子之莫耳比MOx /SiO2 超過1.0，二氧化矽之比率少，故細孔容積變大，有時很難得到折射率更低者。
如此之多孔質粒子的細孔容積為0.1~1.5ml/g，宜為0.2~1.5ml/g之範圍。細孔容積不足0.1ml/g時，無法充分得到折射率降低之粒子，而若超過1.5 ml/g，有時微粒子之強度降低，所得到之被膜的強度降低。
又，如此之多孔質粒子的細孔容積係可藉水銀壓入法而求出。又，空洞粒子之內容物可舉例如粒子調製時所使用之溶劑、氣體、多孔質物質等。
於溶劑中係亦可含有空洞粒子調製時所使用之粒子前驅體的未反應物、所使用之觸媒等。又，多孔質物質係可 舉例如由前述多孔質粒子所例示之化合物所構成者。
此等之內容物係可為由單一成分所構成者，但亦可為複數成分之混合物。
如此之中空粒子的製造方法係可適宜採用例如特開平7－133105號公報的段落編號[0010]~[0033]所揭示之複合氧化物膠體粒子的調製方法，進而，更宜實施特開2001－233611號公報的段落編號[0024]~[0025]所揭示之加熱處理者。
本發明之中空粒子的低折射率層中之固形分中的含量係宜為30~80質量%。所謂固形分謂使用於塗佈之溶劑進行乾燥而全部除去後所殘留者。
在本發明中係可使用市售之上述中空粒子。市售之粒子的具體例可舉例如觸媒化成工業公司製ELECOM．V－8209等。
〈膠體二氧化矽〉
本發明較宜使用之膠體二氧化矽係使二氧化矽呈膠體狀分散於水或有機溶劑者，為球狀、針狀或數珠狀。
膠體二氧化矽之平均粒徑係不足前述中空粒子的平均粒徑之1.1~20倍，宜為1.5~5.0倍。因此，膠體二氧化矽之平均粒徑係宜使用50~300nm的範圍。
膠體二氧化矽之粒徑係宜變動係數為1~40%的單分散。平均粒徑係可從以掃描電子顯微鏡(SEM)等之電子顯微鏡照片進行計測。
具體上係攝影含有該粒子或試料的顯微鏡照片(1000倍透過模式)，此照片所攝影之粒子的直徑以圖像處理裝置LUZEX－III(Nireco公司製)測定1000個，算出其平均值而作為平均粒徑。
亦可依利用動態光散射法或靜態光散射法等之粒度分布計等而進行計測。但，求出膠體二氧化矽之平均粒徑與中空粒子之平均粒徑的比時係必須依據相同的計測方法。
本發明所使用之如此的膠體二氧化矽係市售，可舉例如日產化學工業公司之Snowtech系列、觸媒化成工業公司之Cataloid－S系列、Bayer公司之Levasil系列等。
又，亦宜使用以氧化鋁溶膠或氫氧化鋁以陽離子改性之膠體二氧化矽或二氧化矽的一次粒子以2價以上的金屬離子結合粒子間，連結成數珠狀之數珠狀膠體二氧化矽。
數珠狀膠體二氧化矽係日產化學工業公司之Snowtech－AK系列、Snowtech－PS系列、Snowtech－UP系列等。
膠體二氧化矽之低折射率層中的含量係相對於低折射率層之固形分宜為30~60質量%。
得到低折射率化之效果外，宜為30質量%以上，若超過40質量%，黏結劑成分變少，膜強度變不充分。
低折射率層中之中空粒子與膠體二氧化矽之含量比係可從反射率降低效果與表面硬度之觀點選擇，但宜為1：0.1~10，更宜為1：0.8~5。
〈矽酮〉
在本發明中所使用之矽酮係有機基結合於矽氧烷鍵之有機聚矽氧烷。
在本發明中所使用之矽酮係結合於矽原子之有機基的種類，可大致區分成直鏈矽酮油與改性矽酮油。
直鏈矽酮油謂以甲基、苯基、氫原子作為取代基而結合者。改性矽酮油謂具有從直鏈矽酮油二次性衍生之構成部分者。另外，亦可從矽酮油之反應性分類。若歸納此等，如以下般。
矽酮油
1.直鏈矽酮油
1－1.非反應性矽酮油：二甲基、甲基苯基取代等
1－2.反應性矽酮油：甲基氫取代等
2.改性矽酮油
於二甲基矽酮油導入各種有機基所產生者，改性矽酮油
2－1.非反應性矽酮油：烷基、烷基/芳烷基、烷基/聚醚、聚醚、高級脂肪酸酯取代等、烷基/芳烷基改性矽酮油係使二甲基矽酮油的甲基之一部分取代成長鏈烷基或苯基烷基之矽酮油、聚醚改性矽酮油係將親水性之聚氧烷撐基導入於疏水性的二甲基矽酮的矽酮系高分子界面活性劑、高級脂肪酸改性矽酮油係使二甲基矽酮油的甲基之一 部分取代成高級脂肪酸酯之矽酮油、胺基改性矽酮油係具有使矽酮油的甲基之一部分取代成胺基烷基之構造的矽酮油、環氧改性矽酮油係具有使矽酮油的甲基之一部分取代成含有環氧基之烷基的構造之矽酮油、羧基改性或醇變性矽酮油係具有使矽酮油的甲基之一部分取代成含羧基或氫氧基之烷基的構造之矽酮油。
2－2.反應性矽酮油：可舉例如胺基、環氧基、羧基、醇取代等。
本發明之矽酮之中宜添加反應性矽酮油。
本發明之矽酮的數目平均分子量例如500~50,000，宜為1,000~20,000。
具體之商品係有：日本Unicar之L－45、L－9300、FZ－3704、FZ－3703、FZ－3720、FZ－3786、FZ－3501、FZ－3504、FZ－3508、FZ－3705、FZ－3707、FZ－3710、FZ－3750、FZ－3760、FZ－3785、FZ－3785、Y－7499、信越化學公司的KF96L、KF96、KF96H、KF99、KF54、KF965、KF968、KF56、KF995、KF351、KF352、KF353、KF354、KF355、KF615、KF618、KF945、KF6004、FL100等。
又，可舉例如日本Unicar(股)製、矽酮界面活性劑SILWET L－77、L－720、L－7001、L－7002、L－7604、Y－7006、FZ－2101、FZ－2104、FZ－2105、FZ－2110、FZ－2118、FZ－2120、FZ－2122、FZ－2123、FZ－2130、FZ－2154、FZ－2161、FZ－2162、FZ－2163、FZ－2614、FZ－2166、FZ－2191等。
進一步可舉例如Supersilwet SS－2801、SS－2802、SS－2803、SS－2804、SS－2805等。
又，此等由疏水基為二甲基聚矽氧烷、親水基為聚氧烷撐基所構成之非離子系的矽酮較佳構造，係宜二甲基聚矽氧烷構造部分與聚氧烷撐基鏈交互地反覆結合之直鏈狀嵌段共聚物。
此等之具體例可舉例如日本Unicar(股)製、矽酮界面活性劑ABN SILWET FZ－2203、FZ－2207、FZ－2208、FZ－2222等。此等之矽酮中宜為具有聚醚基者。
又，宜使用BYK Chemie Japan公司製之BYK系列、BYK－300/302、BYK－306、BYK－307、BYK－310、BYK－315、BYK－320、BYK－322、BYK－323、BYK－325、BYK－330、BYK－331、BYK－333、BYK－337、BYK－340、BYK－344、BYK－370、BYK－375、BYK－377、BYK－352、BYK－354、BYK－355/356、BYK－358N/361N、BYK－357、BYK－390、BYK－392、BYK－UV 3500、BYK－UV 3510、BYK－UV 3570、BYK－Silclean 3700、GE東芝Silicone公司製之二甲基矽酮系列、XC96－723、YF3800、XF3905、YF3057、YF3807、YF3802、YF3897。
本發明之矽酮係宜相對於黏結劑使用0.5~40質量%，更宜使用1~25質量%。
〈黏結劑〉
低折射率層宜就低折射率層全體含有5~80質量%之 黏結劑。黏結劑係結合中空粒子、膠體二氧化矽及矽酮，具有可形成含空隙之低折射率層構造之功能。
黏結劑之使用量係調整成不填充空隙且可維持低折射率層之強度。黏結劑係其本身為低折射率之化合物，以下述通式(1)所示之有機矽烷或其水解物或其縮合物。
通式(1)Si(X1)4
式中，X1為烷氧基，宜為碳數1~4之烷氧基。具體之化合物係宜使用四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷等。
又，於低折射率層係亦可含有以下述通式(2)所示之有機矽烷或其縮合物作為黏結劑。
通式(2)(R)m Si(X2)4－m
R表示不被水解之有機基。X2表示烷氧基。m表示1~4之整數。
以通式(2)所示之有機矽烷係可舉例如甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基乙氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三乙醯氧基矽烷、γ－氯丙基三甲氧基矽烷、γ－氯丙基 三乙氧基矽烷、γ－氯丙基三乙醯氧基矽烷、3,3,3－三氟丙基三甲氧基矽烷、γ－縮水甘油基氧丙基三甲氧基矽烷、γ－縮水甘油基氧丙基三乙氧基矽烷、γ－(β－縮水甘油基氧乙氧基)丙基三甲氧基矽烷、β－(3,4－環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、β－(3,4－環氧基環己基)乙基三乙氧基矽烷、γ－丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ－甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ－胺基丙基三甲氧基矽烷、γ－胺基丙基三乙氧基矽烷、γ－氫硫基丙基三甲氧基矽烷、γ－氫硫基丙基三乙氧基矽烷、N－β－(胺乙基)－γ－胺基丙基三甲氧基矽烷及β－氰基乙基三乙氧基矽烷。
又，可舉例如二甲基二甲氧基矽烷、苯基甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、苯基甲基二乙氧基矽烷、γ－縮水甘油基氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ－縮水甘油基氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－縮水甘油基氧丙基苯基二乙氧基矽烷、γ－氯丙基甲基二乙氧基矽烷、二甲基二乙醯基矽烷、γ－丙烯醯基氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－丙烯醯基氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ－甲基丙烯醯基氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－甲基丙烯醯基氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ－氫硫基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－氫硫基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ－胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷及甲基乙烯基二乙氧基矽烷。
此等之中，宜為於分子內具有雙鍵之乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙 烯基三甲氧基乙氧基矽烷、γ－丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷及γ－甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ－丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ－甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷及γ－甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷及甲基乙烯基二乙氧基矽烷。
尤宜為γ－丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷及γ－甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ－丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ－丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ－甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷及γ－甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷。
亦可併用2種類以上。除了上述所示之有機矽烷外，尚亦可使用其他之有機矽烷。其他之有機矽烷中可舉例如原矽酸之烷基酯(例如原矽酸甲酯、原矽酸乙酯、原矽酸正丙酯、原矽酸異丙酯、原矽酸正丁酯、原矽酸第二丁酯、原矽酸第三丁酯)及其水解物。
低折射率層之其他的黏結劑係可舉例如聚乙烯醇、聚氧乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸酯、二乙醯基纖維素、三乙醯基纖維素、硝基纖維素、聚酯、醇酸樹脂。
在本發明中，通式(2)之有機矽烷係相對於通式(1)之有機矽烷宜在1~50質量%之範圍使用，尤宜在5~40質量%之範圍使用。
〈其他之添加劑〉
(氟系界面活性劑)
於低折射率層中宜含有氟系界面活性劑。於降低塗佈不均，或提昇膜表面之抗污性上有效。
氟系界面活性劑係可舉例如以含有全氟烷基之單體、寡聚物、以聚合物作為母核者，聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基烯丙基醚、聚氧乙烯等之衍生物等。
氟系界面活性劑係亦可使用市售品，可舉例如Sarflon「S－381」、「S－382」、「SC－101」、「SC－102」、「SC－103」、「SC－104」、(任一者均為旭硝子(股)製)、Fluorad「FC－430」、「FC－431」、「FC－173」(任一者均為Fluo Chemical住友3M製)、EFTOP「EF352」、「EF301」、「EF303」(任一者均為新秋田化成(股)製)、Schwegolfer「8035」、「8036」(任一者均為Schwegman公司製)、「BM1000」、「BM1100」(任一者均為BM．HyMl公司製)、Megafack「F－171」、「F－470」、(任一者均為大日本油墨化學工業(股)製)等。
在本發明中之氟系界面活性劑的含氟比率係0.05~2質量%，宜為0.1~1質量%。上述之氟系界面活性劑係可併用1種或2種以上，又，可與其他之界面活性劑併用。
〈低折射率層之形成〉
本發明之低折射率層的形成基本上係可直接使用一般 公知的方法，進行塗佈乾燥含有有機矽烷之水解液的塗佈液。
具體上係以於有機矽烷中易混合水、又有機金屬化合物與水般，使甲醇、乙醇、乙腈之親水性的有機溶劑共存溶解，然後，例如添加酸等水解觸媒，而使有機矽烷水解、縮合。
藉GPC測定，進行一定的水解時，藉由混合中空粒子，形成低折射率層塗佈液後，進一步藉繼續水解之步驟進行縮合，俾測定GPC，而觀察分子量之增加或交聯的情形後，再塗佈於基材上，進行乾燥，可形成低折射率層。
在本發明中其特徵在於具有如下之步驟，其係使四乙氧基矽烷等以通式(1)所示之有機矽烷水解及繼續其而縮合，製作特定之分子量的低縮合物，使中空粒子混合於此塗佈液中而進一步繼續水解及縮合。
所謂特定之分子量係以下述條件所測定之GPC得到之苯乙烯換算的重量平均分子量為500~1000。在進一步繼續水解及縮合之步驟中，重量平均分子量係調整成超過1000而為10000以下。
〈GPC測定條件〉
以GPC測得之重量平均分子量測定方法係以試料固形分濃度成為0.8質量%之方式使用THF而稀釋，在管柱溫度25℃下以如下之條件進行測定。
管柱：Tosoh公司TSKgelG5000HXL－TSKgel G2000HXL溶離液：THF泵浦：L6000(日立製作所(股)製)流量：1.0ml/分檢測：RI Model 504(GL Science公司製)試料濃度：0.8%
標準試料．校正曲線：使用標準聚苯乙烯STK Standand聚苯乙烯(Tosoh(股)製)Mw＝1000000~500之13試樣的校正曲線。
使中空粒子從水解開始後混合於塗佈液中，或有機矽氧烷為以通式(2)所示之反應性者之情形，係幾乎無法看到如抑制於本發明之中空粒子表面吸附矽酮之作用。
另外，以通式(2)所示之有機矽烷係與以通式(1)所示之有機矽烷之重量平均分子量為500~1000之低縮合物進行混合，俾助於作為黏結劑之膜強度。
〈防反射薄膜之層構成〉
在本發明之防反射薄膜中，具有防反射功能之防反射層係必須為本發明之低折射率層，但其他藉由設置中折射率層、高折射率層俾提昇防反射功能。
中折射率層、高折射率層係可分別使用公知之層。構成例係有：從透明支撐體側為高折射率層/低折射率層之2層者，或使折射率相異之3層依序層合中折射率層(折射率高於基材或硬塗層、折射率低於高折射率層之層)/高 折射率層/低折射率層者等，進一步層合許多的防反射層者亦已被提出。
其中，從耐久性、光學特性或生產性等而言，宜為於具有硬塗層之基材上依序層合中折射率層/高折射率層/低折射率層者、層合中折射率層/低折射率層者。
若為可藉光學干涉降低反射率者，不特別只限定於此等之層構成。又，抗靜電層係宜為含有導電性聚合物粒子或金屬氧化物微粒子(例如SnO2 、ITO等)之層，可藉塗佈或大氣壓電漿處理等而設置。
〈硬塗層〉
於本發明之防反射薄膜中係宜於透明支撐體、與高折射率層或低折射率層等之防反射層之間設有硬塗層。硬塗層係宜為活性能量線硬化樹脂層。
活性能量線硬化樹脂層係藉紫外線或電子束之活性線照射經過交聯反應等而進行硬化之樹脂作為主成分之層。活性能量線硬化樹脂係宜使用含有具有乙烯性不飽和雙鍵之單體的成分，藉照射紫外線或電子束之活性線而進行硬化而形成活性能量線硬化樹脂層。
活性能量線硬化樹脂可舉例如紫外線硬化性樹脂或電子束硬化性樹脂等作為代表者，但宜藉紫外線照射而進行硬化之樹脂。
紫外線硬化性樹脂係宜使用例如紫外線硬化型胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、紫外線硬化型聚酯丙烯酸酯系樹脂 、紫外線硬化型環氧基丙烯酸酯系樹脂、紫外線硬化型多元醇丙烯酸酯系樹脂、或紫外線硬化型環氧樹脂等。其中，宜為紫外線硬化型丙烯酸系樹脂。
紫外線硬化型丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂一般於聚酯多元醇使異氰酸酯單體、或預聚物反應所得到的生成物進一步包含2－羥基乙基丙烯酸酯、2－羥乙基甲基丙烯酸酯(以下於丙烯酸酯係僅表示丙烯酸酯作為包含甲基丙烯酸酯者)、2－羥基丙基丙烯酸酯等之羥基的丙烯酸酯系單體反應而可容易地得到。例如，可使用特開昭59－151110號記載者。
例如，宜使用Unidic 17－806(大日本油墨化學工業(股)製)100份與Coronate L(日本Polyurethane(股)製)1份之混合物等。
紫外線硬化型聚酯丙烯酸酯系樹脂一般於聚酯多元醇使2－羥基乙基丙烯酸酯、2－羥基丙烯酸酯系單體反應，可容易地得到者。可使用特開昭59－151112號記載者。
紫外線硬化型環氧丙烯酸酯系樹脂之具體例係可舉例如使環氧基丙烯酸酯作為寡聚物，再添加反應性稀釋劑、光聚合起始劑，反應而生成者，可使用特開平1－105738號記載者。
紫外線硬化型多元醇丙烯酸酯系樹脂之具體例可舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五丙烯酸酯等。
此等紫外線硬化型樹脂之光聚合起始劑，具體上係可舉例如苯偶因及其衍生物、乙醯苯、二苯甲酮、羥基二苯甲酮、米希勒酮、α－阿米羅基(amyloxim)酯、硫雜蔥酮等及此等之衍生物。亦可與光增感劑一起使用。
上述光聚合起始劑亦可使用來作為光增感劑。又，環氧基丙烯酸酯系之光聚合起始劑的使用時，可使用正丁基胺、三乙基胺、三正丁基磷等之增感劑。於紫外線硬化樹脂組成物所使用之光聚合起始劑又光增感劑相對於該組成物100質量份為0.1~15質量份，宜為1~10質量份。
樹脂單體例如就不飽和雙鍵為一個的單體而言，可舉例如甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、丁基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯等之一般單體。
就不飽和雙鍵為二個以上的單體而言，可舉例如乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、二乙烯基苯、1,4－環己烷二丙烯酸酯、1,4－環己基二甲基二丙烯酸酯、前出之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯等。
在本發明中可使用之紫外線硬化樹脂的市售品，可適宜選擇而利用Adeka optomer KR．BY系列：KR－400、KR－410、KR－550、KR－566、KR－567、BY－320B(旭電化(股)製)；KOEIHARD A－101－KK、A－101－WS、C－302、C－401－N、C－501、M－101、M－102、T－102、D－102、NS－101、FT－102Q8、MAG－1－P20、AG－106、M－101－C(廣榮化學(股)製)；Seikabeam PHC 2210(S)、PHC X－9( K－3)、PHC 2213、DP－10、DP－20、DP－30、P1000、P1100、P1200、P1300、P1400、P1500、P1600、SCR900(大日精化工業(股)製)；KRM7033、KRM7039、KRM7130、KRM7131、UVECRYL 29201、UVECRYL 29202(Daicel UCB(股)製)；RC－5015、RC－5016、RC－5020、RC－5031、RC－5100、RC－5102、RC－5120、RC－5122、RC－5152、RC－5171、RC－5180、RC－5181(大日本油墨化學工業(股)製)；Olex No.340 Clear(中國塗料(股)製)；Sanrad H－601、RC－750、RC－700、RC－600、RC－500、RC－611、RC－612(三洋化成工業(股)製)；SP－1509、SP－1507(昭和高分子(股)製)；RCC－15C(Grace Japan(股)製)、Aronix M－6100、M－8030、M－8060(東亞合成(股)製)；NK Hard B－420、B－500(新中村化學工業(股)製)等。
又，具體之化合物係可舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五丙烯酸酯等。
於如此所得到之硬化樹脂層係為調整耐刮傷性、滑性或折射率，又，對所製作之防反射薄膜賦予抗眩性，亦可含有無機化合物或有機化合物之微粒子。
於硬塗層所使用之無機微粒子可舉例如氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化錫、氧化銦、ITO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鉀、滑石、泥土、燒成高嶺土、燒 成矽酸鈣、水和矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、及磷酸鈣。尤其，較宜使用氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂等。
又，有機粒子係可加入於聚甲基丙烯酸甲基丙烯酸酯樹脂粉末、丙烯酸苯乙烯系樹脂粉末、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂粉末、矽酮系樹脂粉末、聚苯乙烯系樹脂粉末、聚碳酸酯樹脂粉末、苯並胍胺系樹脂粉末、三聚氰胺系樹脂粉末、聚烯烴系樹脂粉末、聚酯系樹脂粉末、聚醯胺系樹脂粉末、聚醯亞胺系樹脂粉末、或聚氟化乙烯系樹脂粉末等紫外線硬化性樹脂組成物。尤佳係可舉例如交聯聚苯乙烯粒子(例如，綜研化學製SX－130H、SX－200H、SX－350H)、聚甲基丙烯酸甲酯系粒子(例如，綜研化學製MX150、MX300)。
此等之微粒子粉末的平均粒徑係宜為0.01~5 μm，最宜為0.1~5.0 μm，尤宜為0.1~4.0 μm。又，宜含有粒徑相異之2種以上的微粒子。紫外線硬化樹脂組成物與微粒子之比率係相對於樹脂組成物100質量份，宜調配成0.1~30質量份。
此等之硬塗層係可以凹版塗佈機、浸漬塗機、逆輥式塗佈機、鋼絲刮條塗佈機、模縫式塗佈機、噴墨法等公知之方法進行塗設。塗佈後，進行加熱乾燥，進行UV硬化處理。
使紫外線硬化性樹脂藉光硬化反應硬化，用以形成硬化皮膜層之光源係只要為產生紫外線之光源即可，無限制 而可使用。例如可使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、碳弧燈、金屬鹵素燈、氙燈等。
照射條件係依各別之燈而異，但活性線之照射量一般為5~500mJ/cm2 、宜為5~150mJ/cm2 ，但尤宜為20~100 mJ/cm2 。
又，照射活性線時係宜朝薄膜的搬運方向一邊賦予張力一邊進行，更宜亦朝寬方向一邊賦予張力一邊進行，所賦予之張力宜為30~300N/m。
賦予張力之方法係無特別限定，亦可於背輥上朝搬送方向賦予張力，以拉張器朝寬方向或雙軸方向賦予張力。可藉此而進一步得到平面性優之薄膜。
硬塗層塗佈液中亦可含有溶劑，依需要而適宜含有，且被稀釋者。於塗佈液所含有之有機溶劑係可適宜選擇自例如烴類(甲苯、二甲苯)、醇類(甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、環己醇)、酮類(丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮)、酯類(醋酸甲酯、醋酸乙酯、乳酸甲酯)、甘醇醚類、其他之有機溶劑中，或混合此等而利用。
宜使用含有丙二醇單烷基醚(烷基之碳原子數為1~4)或丙二醇單烷基醚醋酸酯(烷基之碳原子數為1~4)等5質量%以上，更宜含有5~80質量%以上之上述有機溶劑。
(抗眩性)
本發明之防反射薄膜宜為抗眩性。抗眩性係藉由使反 射於表面之像的輪廓模糊而降低反射像之辨識性，於液晶顯示器、有機EL顯示器，電漿顯示器之圖像顯示裝置等使用時未發覺反射像之映入。藉由於表面設有適當的凹凸，俾可具有如此之性質。
形成如此之凹凸的方法係可選擇對透明支撐體之加工、於硬塗層之加工、塗佈防反射層後之防反射薄膜的加工等，但防反射薄膜之加工係凹凸形狀之凸部突破防反射層，或改變防反射層而損及防反射效果，故在本發明中係宜為於透明支撐體之加工、硬塗層之加工。
在本發明所謂之凹凸形狀係可舉例如選自直圓錐、斜圓錐、角錐、斜角錐、楔型、凸多角體、半球狀等之構造、以及具有其等之部分形狀的構造。
又，半球狀係其表面形狀未必為真球形狀，亦可為橢圓體形狀、或更變形之凸曲面形狀。
又，亦可舉例如凹凸形狀之稜線呈線狀延伸之稜鏡形狀、柱狀透鏡形狀、菲涅爾透鏡(fresnel lens)形狀。從其稜線至谷線之斜面亦可為平面狀、曲面狀、或兩者之複合形狀。
硬塗層係宜為以JIS B 0601：2001所規定之算術平面粗度(Ra)為60~700nm，宜為80~400nm之抗眩性硬塗層。Ra不足60nm時，抗眩性的效果弱，若超過700nm，受到以目視太粗之印象。
算術平均粗度(Ra)係宜以光干涉式之表面粗度測定器進行測定，可使用例如光學干涉式表面粗度計 RST/PLUS(WYKO公司製)而測定。
於硬塗層及後述之透明支撐體的表面形成凹凸形狀之方法，可舉例如下述的方法等。
(1)於輥或原盤形成作為目的之形狀的負模，以壓印賦予形狀之方法。
(2)於輥或原盤形成作為目的之形狀的負模，使熱硬化性樹脂填充於負模，加熱硬化後從負模剝離之方法。
(3)於輥或原盤形成作為目的之形狀的負模，塗佈紫外線或電子束硬化樹脂，填充於凹部後，介由樹脂液而於凹版上直接被覆透明支撐體，照射紫外線或電子束，從負模剝離已硬化之樹脂與其黏著之透明支撐體的方法。
(4)使目的之形狀的負模形成於垂流輸送帶上，澆鑄時賦予作為目的之形狀的溶劑澆鑄法。
(5)使藉光或加熱進行硬化之樹脂凸版印刷於透明基板上，藉光或加熱進行硬化而形成凹凸之方法。
(6)於透明支撐體表面進行光或加熱而硬化之樹脂藉噴墨法進行印刷，藉光或加熱進行硬化而使透明支撐體表面形成凹凸形狀之方法。
(7)使表面以工作機械等進行切削加工之方法。
(8)使球、多角體等各種形狀的粒子壓入至半埋沒於透明支撐體表面的程度而一體化，而使透明支撐體表面形成凹凸形狀之方法。
(9)使球、多角體等各種形狀的粒子分散於少量之黏結劑者塗佈於透明支撐體表面，而使透明支撐體表面形 成凹凸形狀之方法。
(10)於透明支撐體表面塗佈黏結劑，於其上散佈球、多角體等各種形狀的粒子，使透明支撐體表面形成凹凸形狀之方法。
在本發明中，抗眩性微粒子例如於前述無機微粒子或有機微粒子以外宜為含有氟之丙烯酸樹脂微粒子。
含有氟之丙烯酸樹脂微粒子係例如由含氟之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的單體或聚合物所形成之微粒子。
含氟之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的具體例可舉例如1H,1H,3H－四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、1H,1H,5H－八氟戊基(甲基)丙烯酸酯、1H,1H,7H－十二氟庚基(甲基)丙烯酸酯、1H,1H,9H－十六氟壬基(甲基)丙烯酸酯、2,2,2－三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,3,3,3－五氟丙基(甲基)丙烯酸酯、2－(全氟丁基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2－(全氟己基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2－(全氟辛基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2－全氟癸基乙基(甲基)丙烯酸酯、3－全氟丁基－2－羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3－全氟己基－2－羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3－全氟辛基－2－羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2－(全氟－3－甲基丁基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2－(全氟－5－甲基己基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2－(全氟－7－甲基辛基)乙基(甲基)丙烯酸酯、3－全氟－3－甲基丁基－2－羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3－(全氟－5－甲基己基)－2－羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3－(全氟－7－甲基辛基)－2－羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、1H－ 1－(三氟甲基)三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、1H,1H,3H－六氟丁基(甲基)丙烯酸酯、三氟乙基甲基丙烯酸酯、四氟丙基甲基丙烯酸酯、全氟辛基乙基丙烯酸酯、2－(全氟丁基)乙基－α－氟丙烯酸酯。
又，含氟之丙烯酸樹脂微粒子中，宜為使由2－(全氟丁基)乙基－α－氟丙烯酸酯所構成之微粒子、含氟之聚甲基丙烯酸甲酯微粒子、含氟之甲基丙烯酸在交聯劑的存在下與乙烯基單體共聚合的微粒子，更佳係含氟之聚甲基丙烯酸甲酯微粒子。
可與含氟之(甲基)丙烯酸共聚合之乙烯基單體係只要為具有乙烯基者即可，具體上可舉例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯等之甲基丙烯酸烷酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯等之丙烯酸烷酯、及苯乙烯、α－甲基苯乙烯等之苯乙烯類等，此等係可單獨或混合而使用。
聚合反應時所使用之交聯劑並無特別限定，但宜使用具有2個以上之不飽和基者，可舉例如乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯等之2官能性二甲基丙烯酸酯、或三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯等。
又，在本發明中，用以製造含氟之聚甲基丙烯酸甲酯微粒子之聚合反應係亦可為隨機共聚合及嵌段共聚合之任一者。
具體上可舉例如特開2000－169658號公報記載之方法等，市售品可舉例如日本Paint製：FS－701、根上工業製：MF－0043等之市售品。
又，此等之含氟的丙烯酸樹脂微粒子係可單獨使用，但亦可組合2種以上而使用。又，此等之含氟的丙烯酸樹脂微粒子之狀態亦可以粉體或乳液等任一狀態施加。
含氟的丙烯酸樹脂微粒子粉末的平均粒徑宜為0.01~5 μm，更宜為0.1~5.0 μm，尤宜為0.1~4.0 μm。
又，宜含有粒徑相異之2種以上的微粒子。
紫外線硬化樹脂組成物與微粒子之比率係宜相對於樹脂組成物100質量份調配成0.1~30質量份。
<背塗層>
本發明之防反射薄膜中係宜於與在透明支撐體設有硬塗層之側相反側的面上設有背塗層。背塗層係為矯正因設有活性能量線硬化樹脂層或其他之層所產生之捲曲而設置。
亦即，使設有背塗層之面作為內側而具有欲捲曲的性質，俾可使捲曲的情形平衡。又，背塗層宜兼具有防壓黏層而塗設，其時，於背塗層塗佈組成物中係為具有防壓黏功能，宜添加微粒子。
本發明之背塗層係可使用公知者。
塗設背塗層之順序係於塗設硬塗層之前或後均無妨，但背塗層兼具防壓黏層時宜先進行塗設。或，亦可分成2次以上而塗佈背塗層。
在前述低折射率層所說明之BYK Japan公司製的界面活性劑BYK系列、GE東芝Silicone公司製之二甲基矽酮 系列係亦較宜使用低折射率層以外的防反射層。
<透明支撐體>
其次，說明有關於本發明可使用之透明支撐體。
本發明所使用之透明支撐體係可舉例如容易製造，與活性線硬化型樹脂層之黏著性良好，光學上為等方性，光學上為透明等較佳的要件。
在本發明所謂的透明係指可見光之透過率為60%以上，較佳係80%以上，尤佳係90%以上。
若具有上述之性質，無特別限定，可舉例如纖維素酯系薄膜、聚酯系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚芳酸酯系薄膜、聚碸(亦含有聚醚碸)系薄膜、聚對酞酸乙二酯、聚萘酸乙二酯等之聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、賽璐吩、纖維素二乙酸酯薄膜、纖維素三乙酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯薄膜、纖維素乙酸酯丁酸酯薄膜、聚偏氯乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、乙烯基乙烯醇薄膜、間規聚苯乙烯系薄膜、聚碳酸酯薄膜、環烯烴聚合物薄膜(Arton(JSR公司製)、Zeonex、Zeonor(以上，日本Zeon公司製))、聚甲基戊烯薄膜、聚醚酮薄膜、聚醚酮醯亞胺薄膜、聚醯胺薄膜、氟樹脂薄膜、尼龍薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、丙烯酸薄膜或玻璃板等。
其中，宜含纖維素三乙酸酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚碸(亦含有聚醚碸)，在本發明中係纖維素酯薄膜(例如，Konica Minolta tack、製品名KC8UX2MW、 KC4UX2MW、KC8UY、KC4UY、KC5UN、KC12UR、KC8UCR－3、KC8UCR－4、KC8UCR－5(Konica Minolta Opto(股)製))，從製造上、成本面、透明性、等方性、黏著性等之觀點，較宜使用。
此等之薄膜係可為以熔融垂流製膜所製造之薄膜，亦可為溶液垂流製膜所製造之薄膜。
〈纖維素酯〉
在本發明中宜使用纖維素酯薄膜作為透明支撐體。纖維素酯宜為纖維素乙酸酯、纖維素乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯，其中宜使用纖維素乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯酞酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯。
特別宜使用以乙醯基之取代度作為X，丙醯基或丁醯基之取代度作為Y時，具有X與Y在於下述範圍之纖維素的混合脂肪酸酯之透明支撐體上設有活性線硬化型樹脂層與防反射層之低反射層合體。
宜為2.3≦X＋Y≦3.0 0.1≦Y≦1.2
就本發明所使用之透明支撐體係使用纖維素酯時，纖維素酯之原料的纖維素並無特別限定，但可舉例如棉絨、木材紙漿(源自針葉樹、源自濶葉樹)、槿麻(kenaf)等。
又，從此等所得到之纖維素酯係可分別以任意之比率 混合使用。
醯基之取代度的測定方法係可依ASTM－D817－96的規定而測定。
纖維素酯之數目平均分子量係70000~250000，成型時之機械強度強，且成為適度的摻雜黏度，佳，更宜為80000~150000。
此等纖維素酯薄膜係宜使一般所稱為溶液垂流製膜法之纖維素酯溶解液(摻雜)，例如於循環移送之無端金屬輸送帶或旋轉之金屬鼓的垂流用支撐體上從加壓模縫式垂流摻雜(澆鑄)進行製膜之方法來製造。
製膜係宜垂流後進行延伸，從機械物性提昇之觀點更宜為延伸1.2倍以上。
薄膜寬係從生產性之觀點，宜為1m以上，但更宜為1.5m以上，最宜為1.8m以上。
〈可塑劑〉
於本發明之防反射薄膜使用纖維素酯薄膜時，宜含有如下述之可塑劑。
可塑劑係可較宜使用例如磷酸酯系可塑劑、酞酸酯系可塑劑、偏苯三甲酸酸酯系可塑劑、均苯四甲酸酸酯系可塑劑、甘醇酸系可塑劑、檸檬酸酯系可塑劑、聚酯系可塑劑、芳香族系聚酯可塑劑、糖酯系可塑劑等。
此等之可塑劑的使用量就薄膜性能、加工性等之點，相對於纖維素酯宜為1~20質量%，尤宜為3~13質量%。
〈紫外線吸收劑〉
本發明之低折射率層體用的長薄膜係宜使用紫外線吸收劑。
紫外線吸收劑係從波長370nm以下之紫外線的吸收能優、且良好的液晶顯示性之觀點，宜使用波長400nm以上之可見光的吸收少者。
本發明較宜使用之紫外線吸收劑的具體例可舉例如氧二苯甲酮系化合物、苯並***系化合物、水楊酸酯系化合物、二苯甲酮系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物、鎳錯鹽系化合物等，但不限定於此等。
本發明較宜使用之紫外線吸收劑係宜透明性高、防止偏光板或液晶劣化之效果優的苯並***系紫外線吸收劑或二苯甲酮系紫外線吸收劑，尤宜使用不須著色更少之苯並***系紫外線吸收劑。
又，於特開2001－187825號記載之分配係數為9.2以上之紫外線吸收劑，係提昇長薄膜之面品質，塗佈性亦優。尤宜使用分配係數為10.1以上之紫外線吸收劑。
又，亦宜使用特開平6－148430號記載之通式(1)或通式(2)、特願2000－156039號之通式(2)、(6)、(7)記載之高分子紫外線吸收劑(或紫外線吸收性聚合物)。高分子紫外線吸收劑係市售為PUVA－30M(大塚化學(股)製)等。
〈微粒子〉
又，本發明所使用之纖維素酯薄膜係為賦予滑性，可使用微粒子。
微粒子係就無機化合物之例而言可舉例如二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鉀、滑石、泥土、燒成高嶺土、燒成矽酸鈣、水和矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、及磷酸鈣。微粒子係含有矽者就濁度變低之點佳，尤宜為二氧化矽。
微粒子之一次粒子的平均徑宜為5~50nm，更宜為7~20nm。此等係主要宜含有粒徑0.05~0.3 μm的2次凝集體。
纖維素酯薄膜中的此等之微粒子的含量宜為0.05~1質量%，尤宜為0.1~0.5質量%。以共垂流法所形成之多層構成的纖維素酯薄膜時，宜表面含有此添加量的微粒子。
二氧化矽的微粒子係以例如Aerosil R972、R972V、R974、R812、200、200V、300、R202、OX50、TT600(以上日本Aerosil(股)製)的商品名被市售，且可使用。
氧化鋯之微粒子係以例如Aerosil R976及R811(以上日本Aerosil(股)製)的商品名被市售，且可使用。
聚合物之例可舉例如矽酮樹脂、氟樹脂及丙烯酸樹脂。宜為矽酮樹脂，尤宜具有三次元的網狀構造者，例如，以Tospearl 103、Tospearl 105、Tospearl 108、Tospearl 120、Tospearl 145、Tospearl 3120及Tospearl 240(以上，東芝Silicone(股)製)之商品名被市售，且可使用。
在本發明所使用之纖維素酯薄膜中係宜活性能量線硬化樹脂層的背面側之動摩擦係數為1.0以下。
〈纖維素酯薄膜之製造方法〉
然後，說明有關纖維素酯薄膜之製造方法。在本發明之纖維素酯薄膜係宜使用公知之溶液垂流方法、熔融垂流方法、薄膜延伸方法之任一者。
〈鹼處理法〉
在本發明之防反射薄膜的製造中，於層合防反射層之前宜進行鹼處理。
鹼處理法係只要為使塗設硬塗層之薄膜浸漬於鹼水溶液之方法即可，無特別限定。
鹼水溶液可使用氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、氨水溶液等，其中宜為氫氧化鈉水溶液。
鹼水溶液之鹼濃度例如氫氧化鈉濃度宜為0.1~25質量%，更宜為0.5~15質量%。
鹼處理溫度一般為10~80℃，宜為20~60℃。
鹼處理時間為5秒~5分鐘，宜為30秒~3分鐘。鹼處理後之薄膜係以酸性水進行中和之後，宜進行充分水洗。
〈大氣壓電漿法〉
在本發明中係在大氣壓或其附近之壓力下於對向之電極之間施加頻率為50kHz~150MHz的高頻電壓而形成放電，以該放電所形成之激發氣體，接觸於透明支撐體或透明支撐體上具有硬塗層之薄膜表面後，藉塗佈形成防反射層。
前述頻率宜為50kHz~27MHz。
前述對向之電極係宜以第1電極與第2電極構成，對任一者的電極施加之高頻電壓的頻率為50kHz~150MHz。又，對前述第1電極施加之高頻電壓的頻率為1kHz~200MHz，且對前述第2電極施加之高頻電壓的頻率為800kHz~150MHz。
在大氣壓或其附近之壓力下進行的電漿放電處理係以下亦僅稱為大氣壓電漿法。
亦即，本發明係使於透明支撐體或透明支撐體上具有硬塗層之薄膜，在大氣壓或其附近之壓力下以第1電極與第2電極構成之對向電極間，對第1電極施加第1頻率ω1 的電壓成分的高頻電壓，對第2電極施加第2頻率ω2 的電壓成分的高頻電壓而形成放電，使該透明支撐體之表面接觸於以該放電所形成之激發氣體後，於其上形成防反射層。
於本發明可適用之大氣壓電漿法係可參考於特開平11－133205號公報、特開2000－185362號公報、特開平11－61406號公報、特開2000－147209號公報、特開2000－121804號公報等所揭示之技術。
<防反射薄膜之製造方法>
本發明之防反射層之層合係可以公知的方法製造例如於透明支撐體上使用浸漬塗佈法、氣刀塗佈法、簾式塗佈法、輥塗法、鋼絲刮條塗佈法、凹版塗佈法、微凹版塗佈法或擠出塗佈法，藉塗佈進行形成。
塗佈時係宜透明支撐體從寬為1.4~4m呈輥狀捲取之狀態捲出，進行上述塗佈，乾燥、硬化處理後，呈輥狀捲取。
進一步，本發明之防反射薄膜係宜藉由於透明支撐體上層合防反射層等之後，以輥狀捲取的狀態以50~160℃進行加熱處理之製造方法來製造。
加熱處理之期間係只要依所設定之溫度而適當決定即可，例如若為50℃，宜為3日間以上不足30日之期間，若為160℃，宜為10分鐘以上1日以下之範圍。一般，以卷外部、卷中央部、卷芯部之加熱處理效果不偏離之方式，宜設定於比較低溫，宜在50~60℃附近進行7日左右。
為使加熱處理安定而進行，宜在溫濕度可調整之處進行，宜在無塵的無塵室等之加熱處理室進行。
使防反射薄膜捲取成輥狀時之捲芯，為圓筒上之芯，無特別限定，但較佳係中空塑膠芯，塑膠材料宜為可承受加熱處理溫度之耐熱性塑膠芯，可舉例如酚樹脂、二甲苯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂等之樹脂。又 ，宜為藉玻璃纖維等之填充材進行強化之熱硬化性樹脂。
於此等之捲芯的卷數宜為100卷以上，更宜為500卷以上，卷厚宜為5cm以上。
如此做法而使長卷之防反射薄膜以卷取的狀態進行前述加熱處理，使該輥旋轉，旋轉係宜於1分鐘1次旋轉以下之速度，可為連續，亦可為間歇性旋轉。又，於加熱期間中進行該輥的捲換1次以上。
使卷取於芯之長卷的防反射薄膜於加熱處理中旋轉，故宜於加熱處理室設有專用之旋轉台。
旋轉係斷續的情形宜停止之時間為10小時以內，停止位置宜為於圓周方向成為均一，停止時間更宜為10分鐘以內，最宜為連續旋轉。
在連續旋轉之旋轉速度係1旋轉所需要之時間、宜為10小時以下，若快，裝置上成為負擔，故實質上宜為15分鐘至2小時的範圍。
又，具有旋轉功能之專用的台車時，宜於移動或保管中使光學薄膜輥旋轉，此時，保管期間長時所產生的黑帶對策而旋轉為有效功能。
<偏光板>
敘述有關使用本發明之防反射薄膜的偏光板。
偏光板係以一般公知方法進行製作。使本發明之防反射薄膜的背面側進行鹼化處理，使所處理之防反射薄膜於碘溶液中進行浸漬延伸所製作之偏光器的至少一者之面， 使用完全鹼化型聚乙烯醇水溶液而貼合。
於再一者的面亦可使用該防反射薄膜，亦可使用另一偏光板保護薄膜。對於本發明之防反射薄膜，於另一者的面所使用之偏光板保護薄膜係宜為面內方向的延遲性R0 為590nm、20~70nm、膜厚方向之延遲性Rt為具有100~400nm之相位差的光學補償薄膜(相位差薄膜)。
此等係可以例如特開2002－71957號、特願2002－155395號記載的方法製作。或，進一步宜使用兼具光學補償薄膜之偏光板保護薄膜，該光學補償薄膜係具有使碟狀液晶等之液晶化合物配向所形成之光學異方層。
例如，可以特開2003－98348號記載的方法形成光學異方性層。藉由與本發明之防反射薄膜組合而使用，俾可得到具有平面性優且安定之視角擴大效果之偏光板。
使用於背面側之偏光板保護薄膜係就市售之纖維素酯薄膜而言較佳係使用KC8UX2MW、KC4UX、KC5UX、KC4UY、KC8UY、KC12UR、KC8UCR－3、KC8UCR－4、KC8UCR－5(Konica Minolta Opto(股)製))。
偏光板主要之構成要素的偏光器係只通過一定方向的偏波面之光的元件，目前所知之代表性偏光器，係聚乙烯醇系偏光薄膜，此係具有於聚乙烯醇系薄膜染色碘者、與染色雙色性染料者，但不僅限定於此。
偏光器係可使用製膜聚乙烯醇水溶液，再單軸延伸而染色，或染色後單軸延伸後，較佳係以硼化合物進行耐久性處理者。偏光器之膜厚為5~30 μm，較佳係8~15 μm 之偏光器。
於偏光器之面上係貼合本發明之防反射薄膜的單面而形成偏光板。較佳係藉由以完全鹼化聚乙烯醇等作為主成分之水系黏著劑而貼合。
<圖像顯示裝置>
藉由將使用本發明之防反射薄膜的偏光板之防反射薄膜面組入於圖像顯示裝置之鑑賞面側，而可製作各種辨識性優之圖像顯示裝置。
本發明之防反射薄膜係較宜使用反射型、透過型、半透過型LCD或TN型、STN型、OCB型、HAN型、VA型(PVA型、MVA型)、IPS型等之各種驅動方式的LCD。
又，本發明之防反射薄膜係防反射層之反射光的色不均明顯少，又，反射率低，平面性優，亦宜使用於電漿顯示器、場發射顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙等之各種顯示裝置。
尤其畫面為30型以上之大畫面的圖像顯示裝置中係色不均或波浪紋少，即使長時間之鑑賞亦具有眼睛不會疲勞之效果。
 實施例 實施例1
如以下般做法而於基材之纖維素酯薄膜上設有硬塗層、防反射層。
(硬塗用塗佈組成物1)
<硬塗薄膜H－1的形成>
於基材上進行模縫式塗佈硬塗用塗佈組成物1，以80 ℃乾燥後，高壓水銀燈照射0.30J/cm2 的紫外線，以硬化後之膜厚成為12 μm之方式塗設硬塗層1。
進而與塗設硬塗用塗佈組成物1之面相反側的面，以濕式膜厚成為14 μm之方式模縫式塗佈下述之背塗層用塗佈組成物，而設有背塗層，製作於纖維素酯薄膜上設有硬塗層及背塗層之硬塗薄膜(HC薄膜)H－1。
(背塗層用塗佈組成物)
<抗眩性硬塗膜H－2的製作>
在H－1之製成中，將硬塗用塗佈組成物1變更成下述抗眩性硬塗用塗佈組成物2。
(抗眩性硬塗用塗佈組成物2)
<抗眩性硬塗膜H－3之製作>
在H－2之製作中，將含氟之聚甲基丙烯酸甲酯微粒子變更成5質量份。
<抗眩性硬塗膜H－4之製作>
在H－3之製作中，將含氟之聚甲基丙烯酸甲酯微粒子變更成10質量份。
<抗眩性硬塗膜H－5之製作>
在H－2之製作中，將含氟之聚甲基丙烯酸甲酯微粒子變更成15質量份。
(中間體薄膜M－1之製作)
〈大氣壓電漿處理〉
使用特願2005－351829號之圖7記載的大氣壓電漿處理裝置，於上述所製作之H－1的表面，進行下述之大氣壓電漿處理。
使電極間隙為0.5mm，以下所示之放電氣體供給至放電空間，使用神鋼電機社製高頻電源，而為頻率13.5MHz、施加電壓Vp＝9.5kV及輸出密度1.5W/cm2 以形成放電而進行表面處理。
(放電氣體)
於進行上述大氣壓電漿處理之H－1表面上模縫式塗佈下述高折射率層塗佈液1，以50℃乾燥後，以高壓水銀燈照射120mJ/cm2 的紫外線，以硬化後之膜厚成為130nm的方式設有高折射率層，得到具有至高折射率層之中間體薄膜M－1。高折射率層之折射率為1.56。
(高折射率層塗佈液1)
(中間體薄膜M－2~M－5之製作)
在M－1之製作中，將硬塗膜薄膜變更成H－2~H－5，製作中間體薄膜M－2~M－5。
(M－6之製作)
在M－1之製作中，將高折射率層塗佈液1之粒子分散液A的調製所使用之銻酸鋅溶膠變更成摻雜磷之氧化錫(SnO2 (P2 O5 )x)溶膠而製作中間體薄膜M－6。
《塗設低折射率層之防反射薄膜之製作》
(防反射薄膜101之製作)
又，在上述所製作之中間體薄膜M－1上，模縫式塗 佈下述低折射率層塗佈液1，以50℃乾燥後，以高壓水銀燈照射120mJ/cm2 的紫外線，進一步以120℃進行熱處理而以膜厚成為92nm的方式設有低折射率層，製作防反射薄膜101(比較1)。
又以通式(2)所示之有機矽烷為γ－甲基丙烯醯基丙基三甲氧基矽烷，反應性矽酮為α－丁基－ω－[3－(2,2－雙(羥甲基)丁氧基)丙基]聚二甲基矽氧烷。
(低折射率層塗佈液1)
〈水解物A之調製〉
於四乙氧基矽烷147g(商品名：KBE04、信越化學工業公司製)中添加乙醇與醋酸水溶液而形成500g，以室溫(25℃)攪拌25小時而調製水解物A。矽烷之縮合物的重量平均分子量Mw為2000，矽烷係全被水解，未殘留。
(防反射薄膜102之製作)
在防反射薄膜101之製作中，將低折射率層塗佈液1變更成下述低折射率層塗佈液2，其他係同樣地製作。
(低折射率層塗佈液2)
〈水解物B之調製〉
於四乙氧基矽烷147g(商品名：KBE04、信越化學工業公司製)中添加乙醇與醋酸水溶液而形成500g，以室溫(25℃)攪拌15小時而調製水解物。矽烷之縮合物的重量平均分子量Mw為800。
在此時點，混合ELCOM V－8209(觸媒化學工業(股)製之異丙醇分散中空二氧化矽粒子，固形分20%)588g，進一步攪拌2小時，最後，餾去溶劑，調整濃度，調製水解物B。
(防反射薄膜103之製作)
在防反射薄膜102之製作中，水解物B之矽烷重量平均分子量Mw為500之時點，混合中空二氧化矽粒子，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜104之製作)
在防反射薄膜102之製作中，水解物B之矽烷重量平均分子量Mw為1000之時點，混合中空二氧化矽粒子於 系中，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜105之製作)
在防反射薄膜102之製作中，水解物B之矽烷重量平均分子量Mw為450之時點，混合中空二氧化矽粒子於系中，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜106之製作)
在防反射薄膜102之製作中，水解物B之矽烷重量平均分子量Mw為1100之時點，混合中空二氧化矽粒子於系中，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜107之製作)
在防反射薄膜102之製作中，與混合水解物B之中空二氧化矽粒子，同時並亦混合α－丁基－ω－[3－(2,2－雙(羥甲基)丁氧基)丙基]聚二甲基矽氧烷(FM－DA21 Chisso股份公司製)1.05質量份，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜108之製作)
在防反射薄膜102之製作中，與混合水解物B之中空二氧化矽粒子，同時並亦混合α－丁基－ω－[3－(2,2－雙(羥甲基)丁氧基)丙基]聚二甲基矽氧烷(FM－DA21 Chisso股份公司製)及γ－甲基丙烯醯基丙基三甲氧基矽 烷(KBM503，信越化學工業公司製)，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜109之製作)
在防反射薄膜102之製作中，與混合水解物B之中空二氧化矽粒子，同時並混合γ－甲基丙烯醯基丙基三甲氧基矽烷(KBM503，信越化學工業公司製)，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜110之製作)
在防反射薄膜102之製作中，於水解物B之低折射率層塗佈液2的添加量為1.5倍以外，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜111之製作)
在防反射薄膜101之製作中，於水解物A之低折射率層塗佈液1的添加量為一半以外，其他係同樣做法而製作。
(防反射薄膜112之製作)
調製於特開2006－117924號說明書[0164]記載的中空二氧化矽粒子，其他係與防反射薄膜101的製作同樣做法而製作。
有關以上之防反射薄膜而評估的結果表示於表1中。
<評估方法>
《折射率》
使用Konica Minolta(股)製、分光測色計CM－2500d，以測定徑8mm，觀察視野2°進行測定，求出SCI(積分反射)。在透明薄膜中宜為0.7%以下，在抗眩薄膜中宜為1.0%以下。
《抗污性》
抗污性係具有純水之接觸角而判斷。接觸角大者為抗污性優。在23℃、55% RH的環境下，使用協和界面化學股份公司製的接觸角計CA－X型而使純水之接觸角以液滴徑1.5mm進行測定。
《耐擦性》
對試料在23℃、55% RH的環境下、#0000的鋼絲絨(SW)施加500g/cm2 的荷重、測定往返10次時之每1cm寬的刮傷條數。又，刮傷之條數係在施加荷重之部份中最刮傷條數很多之處進行測定。
A：刮傷之條數為0條
B：刮傷之條數不足1~5條
C：刮傷之條數為5條以上~不足10條
D：刮傷之條數為10條以上
《鉛筆硬度》
依據JIS K 5600，使試料已知之硬度的鉛筆以鉛筆硬度試驗器(HA－301、Clemence型刮劃硬度試驗器、Tester產業(股))、1kg之荷重刮劃，以目視評估有無刮傷發生。5次的刮劃有刮傷者若為1次以下，為合格。(例：以5H之鉛筆有刮傷2次以上，以4H之鉛筆有刮傷時為1次以下時為4H。)
實施例2
如以下般，變更高折射率層及硬塗層，進行抗眩性的評估。
(防反射薄膜200之製作)
在防反射薄膜102之製作中，除將M－1變更為M－6外，其餘係同樣做法而製作。
(防反射薄膜201之製作)
在防反射薄膜102之製作中，除將H－1變更為H－2外，其餘係同樣做法而製作。
(防反射薄膜202之製作)
在防反射薄膜102之製作中，除將H－1變更為H－3外，其餘係同樣做法而製作。
(防反射薄膜203之製作)
在防反射薄膜102之製作中，除將H－1變更為H－4外，其餘係同樣做法而製作。
(防反射薄膜204之製作)
在防反射薄膜102之製作中，除將H－1變更為H－5外，其餘係同樣做法而製作。
評估結果表示於表2中。
<評估方法>
《寫入》
於黑圖像貼上試料，在螢光燈點亮之室內以下述基準目視評估寫入。
A：螢光燈之輪廓模糊而完全未注意到寫入。
B：螢光燈之輪廓稍可看出但不太注意到。
C：螢光燈之輪廓可看出但可容許之程度。
D：螢光燈之輪廓稍明顯可看出，注意到寫入。
《透過寫像性》
使用Suga試驗機(股)製，寫像性測定器ICM－IDP，測定節寬0.25mm中之透過寫像性。透過寫像性係與鮮銳性相關之參數。透過寫像性宜為20%以上(節寬0.25mm)。
產業上之利用可能性
依本發明，可提供一種耐擦傷性優、反射率低、使用於顯示裝置時辨認性優之防反射薄膜。

Claims (12)

  1. 一種防反射薄膜，其係於透明支撐體上至少具有防反射層，其特徵在於：於最表面具有至少含有中空二氧化矽粒子及矽酮之折射率為1.20~1.49的低折射率層，該中空二氧化矽粒子固形分中含有30~80質量%，從最表面至5nm之深度範圍藉X線光電子分光分析裝置所測定，且以下述式(A)所示之Si-C鍵譜峰強度比率之平均值Ros為0.40以上，且最表面至深10~25nm中之該Si-C鍵譜峰強度比率的平均值Rot為0.0005~0.10；式(A) (Si-C鍵譜峰強度比率)=(Si-C鍵譜峰強度)/{(Si-C鍵譜峰強度)+(Si-O鍵譜峰強度)}。
  2. 如申請專利範圍第1項之防反射薄膜，其中前述防反射薄膜於前述透明支撐體上與前述防反射層之間具有硬塗層。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之防反射薄膜，其中前述低折射率層為含有以下述通式(1)所示之有機矽烷的縮合物；通式(1) Si(X1)4 ，X1表示烷氧基。
  4. 一種防反射薄膜之製造方法，其係具有：於透明支撐體上形成高折射率層之步驟、與於該高折射率層上形成低折射率層之步驟的申請專利範圍第3項之防反射薄膜之製造方法，其特徵在於：該低折射率層為經過塗佈如下之步驟所得到的塗佈液乾燥而形成；使以下述通式(1)所示之有機矽烷進行水解而製作重量平均分子量為 500~1000之低縮合物之步驟；於此低縮合物中混合中空二氧化矽而進一步繼續水解及縮合之步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之防反射薄膜之製造方法，其中前述低縮合物中混合中空二氧化矽粒子而進一步繼續水解之步驟中，混合以通式(2)所示之有機矽烷；通式(2) (R)m Si(X2)4-m R表示未被水解之有機基，X2表示烷氧基，m表示1~4之整數。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之防反射薄膜之製造方法，其中於形成前述高折射率層之步驟前具有形成硬塗層之步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之防反射薄膜之製造方法，其中於前述透明支撐體或前述硬塗層的表面形成凹凸形狀而賦予防眩性。
  8. 如申請專利範圍第4或5項之防反射薄膜之製造方法，其中於形成前述低折射率層之步驟之後，具有如下步驟：呈輥狀卷取前述防反射薄膜之步驟；與以輥狀卷取之狀態以50~160℃進行加熱處理之步驟。
  9. 一種偏光板，其特徵在於使用如申請專利範圍第1~3項中任一項之防反射薄膜。
  10. 如申請專利範圍第9項之偏光板，其中前述防反射薄膜具有防眩性。
  11. 一種顯示裝置，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1~3項中任一項之防反射薄膜。
  12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中前述防反射薄膜具有防眩性。
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