TWI427432B - Charge particle beam rendering method and charged particle beam drawing device - Google Patents

Description

荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪裝置

本發明係關於荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪裝置。

本申請案之優先權主張之基礎的於2009年2月18日所申請之日本特許申請2009-35275之所有揭示，即說明書、申請專利範圍、圖面及解決手段均原狀納入本申請案中。

近年，隨著半導體裝置之積體度之增加，各種元件之尺寸微小化已勢不可擋，構成各元件之配線或閘極等之寬度亦逐漸微細化。

支持該微細化之光微影技術包含以下之步驟：在接受加工或處理之基板之表面，塗布抗蝕組成物形成抗蝕膜；照射光或電子束，曝光特定之抗蝕圖案，藉而形成抗蝕圖案潛像；根據需要進行加熱處理；其次將其顯影，形成期望之微細圖案；及將該微細圖案作為掩膜，對於基板進行蝕刻等之加工。

在光微影技術中，曝光用光之波長與可解像之配線圖案等之寬度係成比例關係。因此，作為謀求圖案之微細化之手段之一，在形成上述之抗蝕圖案潛像時所使用之曝光用光之短波長化正日益演進。又，作為較高解像度之曝光技術，電子束微影技術之開發亦逐漸進步。電子束微影技術由於利用之電子束為荷電粒子束，故本質上具有優良之解像度。又，由於可大幅確保焦點深度，故具有即使在高階 差之情形下亦可抑制尺寸變動之優點，可適用於以DRAM為代表之最尖端裝置之開發以外，亦可用於部分ASIC之生產。再者，在成為於晶圓上轉印LSI圖案時之原版的光罩或標線片之製造現場，通常廣泛使用電子束微影技術。

在日本特開平9-293670號公報中，揭示有使用於電子束微影技術之可變成形型電子束描繪裝置。如此之裝置之描繪資料，係對使用CAD系統而設計之半導體積體電路等之設計資料(CAD資料)，施與修正或圖形圖案之分割等之處理而製成。例如圖形圖案之分割處理係以由電子束之尺寸所規定之最大照射區尺寸單位進行，且一併設定所分割之各照射區之座標位置、尺寸及照射時間。且，製作描繪資料，以根據描繪之圖形圖案之形狀或大小形成照射區。描繪資料係以短柵狀之圖框(主偏向區域)單位區分，進而將其中間分割成副偏向區域。即晶片整體之描繪資料係形成為包含根據主偏向區域之尺寸之複數個帶狀之圖框資料，與在圖框內小於主偏向區域之複數個副偏向區域單位的資料階層構造。

副偏向區域為藉由副偏向器，較主偏向區域高速地掃描電子束而描繪之區域，通常為最小描繪單位。將副偏向區域描繪時，根據圖案圖形所準備之尺寸與形狀之照射區係藉由成形偏向器形成。具體而言，從電子槍所出射之電子束係由第1孔徑成形為矩形狀後，以成形偏向器投影於第2孔徑上，使其束形狀與尺寸變化。其後，如上所述，藉由副偏向器與主偏向器偏向，照射至載置於載物台上之光 罩。

然而，若將電子束照射至光罩，則會產生反射電子。產生之反射電子衝撞至電子束描繪裝置內之光學系統或檢測器等而使其被充電，因此而產生新的電場。於是，朝著光罩偏向之電子束之軌道變化，並發生描繪位置從期望之位置偏離之束漂移。束漂移之原因並非僅由此所致，無論何種情況，均有必要以在描繪中途檢測載物台上之基準標誌位置而測定束漂移量，並使描繪位置成為期望之位置般之進行校正。

在先前之方法中，上述之校正係每隔特定之時間進行。因此，縮短漂移修正之時間間隔對減少漂移所造成之電子束之偏離量有效。但，此情況存在導致產能降低之問題。因此，可考慮在漂移之變化量大之描繪開始時與描繪結束時，縮短修正間隔，但因載物台之移動速度並非一定等之理由，存在不易預測描繪結束時之問題。

相對於此，在日本特開平9-260247號公報中揭示有一方法，其係根據電子束之位置偏離之誤差範圍，將圖案分割成複數個區域，並求得漂移所造成之電子束之位置偏離量之最大變化率，根據每個分割之區域之最大變化率與位置偏離之誤差範圍，決定進行漂移修正的時間間隔。

在專利文獻2中，測定漂移量後，預測在至下一個測定為止之間產生之漂移量與方向，從而修正電子束之照射位 置。此處，所描繪之預定之圖案的面積密度為一定之情況時，上述預測較為容易。但，圖案之面積密度變化之情況時，預測則較難。在專利文獻2中，僅揭示就每個分割之區域決定進行漂移修正之時間間隔，在提高電子束之描繪精度方面仍存在問題。

本發明係鑑於上述之問題而完成者，其目的在於提供一種可在抑制產能之降低的同時，提高漂移修正之精度，且以高精度進行描繪之電子束描繪方法及電子束描繪裝置。

本發明之第1態樣係關於荷電粒子束描繪方法，其特徵在於包含以下之步驟：以至少一個之圖框單位，區分由荷電粒子束所描繪之特定區域，並評價描繪於各區分之區域之預定圖案之面積密度；求得各區分之區域中毗連之區域之間的面積密度之變化量，且將特定區域分組成變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份；就所分組之每個部份，決定修正荷電電子束之漂移之時間分佈；及根據時間分佈，一面修正所分組之每個部份之荷電粒子束之漂移，一面描繪特定區域內之圖案。

本發明之第2態樣係關於荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於其係將由荷電粒子束所描繪之特定區域分組成複數個部份，並根據修正就每個部份所決定之荷電粒子束之漂移之時間分佈，一面修正荷電粒子束之漂移，一面描繪特定 區域內之圖案者；且具有；分組機構，以至少一個之圖框單位區分出特定區域，並獲取評價描繪於各區分之區域之預定圖案的面積密度之資料，求得各區分之區域中毗連之區域之間的面積密度之變化量，且將特定區域分組成變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份。

根據本發明之第1態樣，提供一種荷電粒子束描繪方法，其係以至少一個之圖框單位區分由荷電粒子束描繪之特定區域，並評價描繪於各區分之區域之預定之圖案的面積密度。且求得各區分之區域中毗連之區域間之面積密度的變化量，將特定區域分組成變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份，決定所分組之每個部份之修正電子束之漂移之時間分佈，故可在抑制產能之降低的同時，一面提高漂移修正之精度，以高精度進行描繪。

根據本發明之第2態樣，提供一種荷電粒子束描繪裝置，其由於藉由分組機構將由荷電粒子束描繪之特定區域分組成複數個部份，根據修正就每部份所決定之荷電粒子束之漂移之時間分佈，一面修正荷電粒子束之漂移，一面描繪特定區域內之圖案，故可在抑制產能之降低的同時，一面提高漂移修正之精度。

在本實施形態之電子束描繪方法中，首先，以至少一個之圖框單位區分由電子束描繪之特定區域，並評價描繪於 各區分區域之預定之圖案之面積密度。其次，求得各區分之區域中毗連之區域間之面積密度的變化量，將特定區域分組成變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份。且，決定所分組之每個部份之修正電子束漂移之時間分佈。再者，在本說明書中，將面積密度從大變成小之情況設其變化量為負，將面積密度從小變成大之情況設其變化量為正。

圖1係光罩之平面模式圖。在圖1中，光罩2上之第1區域200A與第2區域200B為以電子束描繪之預定之區域，且為第1區域200A之描繪結束後，繼續進行第2區域200B之描繪者。第1區域200A及第2區域200B分別以用虛線圍繞之小區域單位(201~215)區分。再者，在該例中，各小區域包含有5個圖框，但構成各小區域之圖框數可以1以上之整數適當設定。在本實施形態中，以小區域單位評價描繪預定之圖案之面積密度。評價係可以算出面積密度而進行，但亦可不算出具體之數值，而以視覺上判斷圖案之疏密進行。在圖1之例中，小區域201~204、與小區域207~209分別具有相同之面積密度，小區域205~206雖亦分別具有相同之面積密度，但其係具有與小區域201~204、207~209不同之面積密度。又，同樣地，小區域210、211、214、215分別具有相同之面積密度，小區域212、213亦分別具有相同之面積密度，但其係具有與小區域210、211、214、215不同之面積密度。再者，在圖1中，省略描繪預定之圖案。

其次，在毗連之小區域之間，求得面積密度之變化量。例如，小區域201與小區域202之間之變化量為零，但小區域204與小區域205之間之變化量並非為零。此情況下，若小區域204之面積密度小於小區域205之面積密度，則變化量採正值。且，小區域206與小區域207之間之變化量採負值。再者，若將小區域209設為在第1區域200A中最後所描繪之預定之區域，將小區域210設為在第2區域200B中最初所描繪之預定之區域，則由於毗連之小區域之間亦包含小區域209與小區域210之間，故亦求得其等之間之面積密度之變化量。

其次，予以區分成求得之變化量為零之部份，與變化量之絕對值大於零之部份，藉此分別分組成第1區域200A與第2區域200B。在圖1中，分別以220~224、230~234表示經分組之第1區域200A之各部份、與第2區域200B之各部份。

所描繪之預定之圖案之面積密度為一定之情況，測定漂移量後，預測在至下次測定為止之間所產生之漂移量與方向，修正電子束之照射位置。另一方面，若所描繪之預定圖案之面積密度產生變化，則將難以進行相關之預測。因此，後者之情況時，使修正漂移之時間間隔較前者之情況短。

例如，在第1區域200A中，小區域201與202之圖案之面積密度相同。同樣地，小區域202與203、小區域203與小區域204之圖案之面積密度亦相同。但，在小區域204與 205中，圖案之面積密度發現有變化。在小區域205與206中圖案之面積密度相同，但在小區域206與207中，面積密度發現有變化，在小區域207與208、小區域208與209中，面積密度分別為相同。綜上所述，因面積密度之變化，致使不易預測漂移量與方向者為經分組之部份221與223。

又，在第2區域200B中，小區域210與211圖案之面積密度相同，但在小區域211與212中圖案之面積密度發現有變化。在小區域212與213中圖案之面積密度相同，但在小區域213與214中面積密度發現有變化，在小區域214與215中面積密度為相同。綜上所述，因面積密度之變化致使不易預測漂移量與方向者為經分組之部份231與233。

如上所述，對面積密度變化之部份，決定時間分佈，以使修正漂移之時間間隔較面積密度相同之部份為短。例如，在圖1中，在經分組之部份220、222、224中，將時間間隔設為20分鐘，在部份221、223中將時間間隔設為5分鐘。同樣地，在經分組之部份230、232、234中將時間間隔設為20分鐘，在部份231、233中將時間間隔設為5分鐘。再者，在該例中，將小區域209與210之面積密度設為相同，但其等之面積密度亦可為不同。在小區域209與210中面積密度產生變化之情況時，使經分組之部份230之時間間隔較部份224之時間間隔為短。

藉此，由於以短時間間隔，對不易預測漂移量與方向之部份(221、223或231、233)進行漂移修正，故相較於以長時間間隔進行漂移修正之情況，可提高描繪精度。另一方 面，由於使對能夠預測漂移量與方向之部份(220、222、224或230、232、234)進行漂移修正之時間間隔變長，故可抑制產能之降低。

再者，在上述例中，將小區域201~204、小區域207~209、小區域205~206、小區域210、211、214、215、及小區域202、203分別設為具有相同面積密度者，並求得毗連之小區域之間之面積密度的變化量，且分成變化量為零之部份，與變化量之絕對值大於零之部份。但，在本實施形態中，小區域201~204之各面積密度亦可為不同(其他之小區域亦同)。此情況時，分成毗連之小區域之間求得之面積密度的變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份，且與上述同樣般之決定經分組之每個部份進行修正漂移之時間間隔。實際上，變化量為零之情況極少，例如，可考慮使接近零之特定值作為基準而進行分組。

在本實施形態中，亦可進一步細化決定所分組之各部份進行漂移修正之時間間隔。即，在上述例中，決定經分組之部份修正電子束之漂移之時間間隔，並將各部份內之時間間隔設為一定。在本實施形態中，亦可將各部份更詳細地區分，決定所獲得之每個區域時間間隔。此情況下，就所分組之每個部份所決定之時間間隔並非一定，例如，成為根據各區域之圖案之面積密度而變化之時間。本實施形態之時間分佈包含該等兩者之情況。

圖2係本實施形態之電子束描繪裝置之構成圖。

如圖2所示，電子束描繪裝置包含以電子束描繪於試料之描繪部、與控制描繪之控制部。於試料室1內，設置有設置作為試料之光罩2之載物台3。光罩2係例如於石英等之透明玻璃基板上，形成鉻膜作為遮光膜，進而於其上形成抗蝕膜者。在本實施形態中，相對於抗蝕膜以電子束描繪。載物台3係藉由載物台驅動電路4於X方向(紙面之左右方向)與Y方向(紙面之垂直方向)驅動。載物台3之移動位置係藉由使用雷射測長計等之位置電路5測定。

於試料室1之上方，設置有電子束光學系10。該光學系10包含有電子槍6、各種透鏡7、8、9、11、12、匿影用偏向器13、成形偏向器14、束掃描用之主偏向器15、束掃描用之副偏向器16、及2個束成形用孔徑17、18。

圖3係電子束之描繪方法之說明圖。如該圖所示，描繪於光罩2上之圖案51分割成短柵狀之圖框52。電子束54之描繪係一面使載物台3於一方向(例如X方向)連續移動，一面就每個圖框52進行。圖框52進而被分割成副偏向區域53，電子束54僅描繪副偏向區域53內必要之部份。再者，圖框52係以主偏向器15之偏向寬度決定之短柵狀之描繪區域，且副偏向區域53係以副偏向器16之偏向寬度決定之單位描繪區域。

副偏向區域之基準位置之定位係以主偏向器15進行，在副偏向區域53內之描繪係由副偏向器16控制。即藉由副偏向器15將電子束54定位於特定之副偏向區域53，藉由副偏向器16決定在副偏向區域53內之描繪位置。此外，藉由成 形偏向器14與束成形用孔徑17、18，決定電子束54之形狀與尺寸。且，一面使載物台3於一方向連續移動，一面將副偏向區域53進行描繪，若1個副偏向區域53之描繪結束，則對下一個副偏向區域53進行描繪。若圖框52內之全部之副偏向區域53之描繪已結束，則在與連續移動載物台3之方向正交之方向(例如Y方向)進行步進移動。其後，重複同樣之處理，依序描繪圖框52。

在圖2中，符號20為輸入部，且為經由記錄媒體之磁碟，在電子束描繪裝置輸入光罩2之描繪資料之部份。從輸入部20讀出之描繪資料係就每個圖框52暫時保存於圖案記憶體21。保存於圖案記憶體21之每圖框52之圖案資料，即以描繪位置或描繪圖形資料等所構成之圖框資訊，在以描繪資料修正部31修正後，傳送至資料解析部之圖案資料解碼器22與描繪資料解碼器23。

在描繪資料修正部31中，相對於原始之設計值之資料進行漂移修正。具體而言，如圖4所示，在修正值演算部101中，基於以漂移量測定部102測定之漂移量，演算漂移修正用之修正值。且，在加法器103中，加算合成設計值之資料與修正值之資料。此處，漂移修正係以根據來自漂移修正時間間隔決定部32之指示之時間間隔進行。

在本實施形態中，基於在輸入部20所輸入之描繪資料之資訊，在控制計算機19中，以至少一個之圖框單位區分由電子束描繪之特定區域，並評價描繪於所區分之區域之預定之圖案的面積密度。但，亦可在外部進行該評價，將評 價結果輸入輸入部20。其次，在漂移修正時間間隔決定部32中，求得在各區分之區域中毗連之區域之間的面積密度之變化量，將特定區域分組成變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份。其次，決定所分組之每個部份修正電子束之漂移之時間分佈。

在描繪資料修正部31中，相對於經漂移修正之設計值之資料，進而進行在載物台3上之位置修正。即以位置電路5測定之載物台3之位置資料係傳送至描繪資料修正部31，如圖4所示，在加法器104中，加算於經漂移修正之設計值之資料。所合成之資料係傳送至圖案資料解碼器22與描繪資料解碼器23。

來自圖案資料解碼器22之資訊係傳送至匿影電路24與束成型器驅動器25。具體而言，以圖案資料解碼器22製作基於上述資料之匿影資料，並傳送至束成型器驅動器25。且，從束成型器驅動器25對電子光學系10之成形偏向器14施加特定之偏向信號，而控制電子束54之尺寸。

圖2之偏向控制部30係連接於調定時間決定部29，調定時間決定部29係連接於副偏向區域偏向量算出部28，副偏向區域偏向量算出部28係連接於圖案資料解碼器22。又，偏向控制部30係連接於匿影電路24、束成型器驅動器25、主偏向器驅動器26、副偏向器驅動器27。

描繪資料解碼器23之輸出係傳送至主偏向器驅動器26與副偏向器驅動器27。且，從主偏向器驅動器26對電子光學系10之主偏向部15施加特定之偏向信號，從而使電子束54 對特定之主偏向位置進行偏向掃描。又，從副偏向器驅動器27對副偏向器16施加特定之副偏向信號，進行副偏向區域53內之描繪。

其次，就電子束描繪裝置之描繪方法進行說明。

首先，在試料室1內之載物台3上載置光罩2。其次藉由位置電路，進行載物台3之位置檢測，並基於來自控制計算機19之信號，藉由載物台驅動電路4，使載物台3移動至可描繪之位置。

其次，從電子槍6出射電子束54。所出射之電子束54係藉由照明透鏡7聚光。且，藉由匿影用之偏向器13，進行是否將電子束54照射至光罩2之操作。

入射至第1孔徑17之電子束54通過第1孔徑17之開口部後，根據由束成型器驅動器25所控制之成形偏向器14而偏向。且，藉由通過設置於第1孔徑18之開口部，成為具有期望之形狀與尺寸之束形狀。該束形狀為照射至光罩2之電子束54之描繪單位。

電子束54在成形成束形狀後，藉由縮小透鏡11縮小。且，光罩2上之電子束54之照射位置係藉由由主偏向器驅動器26控制之主偏向器15、與由副偏向器驅動器27控制之副偏向器16而控制。主偏向器15係定位電子束54於光罩2上之副偏向區域53。又，副偏向器16係在副偏向區域53內定位描繪位置。

對光罩2之電子束54之描繪係藉由一面使載物台3於一方向移動，一面掃描電子束54而進行。具體而言，一面使載 物台3於一方向移動，一面進行各副偏向區域53內之圖案之描繪。且，結束位於1個圖框52內之所有之副偏向區域53之描繪後，將載物台3移動至新的圖框52，同樣地進行描繪。

如上所述，結束光罩2之所有之圖框52之描繪後，更換成新的光罩，並重複與上述同樣之方法之描繪。

其次，就控制計算機19之描繪控制進行說明。

控制計算機19係讀出以輸入部20記錄於磁碟之光罩之描繪資料。所讀出之描繪資料就每個圖框52係暫時保存於圖案記憶體21。

保存於圖案記憶體21之每個圖框52之描繪資料，即以描繪位置或描繪圖形資料等構成之圖框資訊係以描繪資料修正部31經如上所述之修正後，經由資料解析部之圖案資料解碼器22與描繪資料解碼器23，傳送至副偏向區域偏向量算出部28、匿影電路24、束成型器驅動器25、主偏向器驅動器26、及副偏向器驅動器27。

在圖案資料解碼器22中，基於描繪資料製作匿影資料，並傳送至匿影電路24。又，基於描繪資料製作期望之束形狀資料，並傳送至副偏向區域偏向量算出部28、與束成型器驅動器25。

副偏向區域偏向量算出部28係根據由圖案資料解碼器22所製作之束形狀資料，算出副偏向區域53之每1照射之電子束之偏向量(移動距離)。所算出之資訊傳送至調定時間決定部29，決定對應於副偏向造成之移動距離之調定時 間。

以調定時間決定部29所決定之調定時間朝偏向控制部30傳送後，一面估量圖案之描繪之時序，一面從偏向控制部30，適當傳送至匿影電路24、束成型器驅動器25、主偏向器驅動器26、副偏向器驅動器27中任一者。

在束成型器驅動器25中，對光學系10之成形偏向器14施加特定之偏向信號，而控制電子束54之形狀與尺寸。

在描繪資料解碼器23中，基於描繪資料，製作副偏向區域53之定位資料，該資料傳送至主偏向器驅動器26。其次，從主偏向器驅動器26對主偏向器15施加特定之偏向信號，電子束54對副偏向區域53之特定位置進行偏向掃描。

在描繪資料解碼器23中，基於描繪資料，生成用於副偏向器16之掃描之控制信號。控制信號傳送至副偏向器驅動器27後，從副偏向器驅動器27對副偏向器16施加特定之副偏向信號。在副偏向區域53內之描繪，係在經過所設定之調定時間後，藉由反復照射電子束54而進行。

再者，本發明並非僅限於上述實施形態，可在不脫離本發明之主旨之範圍內，進行各種變形而實施。

例如，在上述之實施形態中，在漂移修正時間間隔決定部32中，決定進行電子束之漂移修正之時間分佈。但，在本發明中，亦可在電子束描繪裝置之外部，決定時間分佈。此情況下，關於所獲得之時間分佈之資訊係輸入至輸入部20。且，經由控制計算機19，可根據該時間分佈，以描繪資料修正部31進行漂移修正。

又，在上述實施形態中係使用電子束，但本發明並非僅限於此，亦可適用於使用離子束等之其他之荷電粒子束之情況。

本發明之特徵與優點如下歸納。

根據本發明之第1態樣，以至少一個之圖框單位區分由荷電粒子束描繪之特定之區域，並評價描繪於各區分區域之預定圖案之面積密度。且，由於求得各區分之區域中毗連之區域之間的面積密度之變化量，並將特定區域分組成變化量為特定值以下之部份，與變化量大於特定值之部份，決定所分組之每個部份之修正荷電粒子束之漂移之時間分佈，故可提供一種可在抑制產能之降低的同時，一面又可提高漂移修正之精度，從而以高精度進行描繪的荷電粒子束描繪方法。

根據本發明之第2態樣，由於藉由分組機構將由荷電粒子束描繪之特定區域分組成複數個部份，並根據修正就每部份所決定之荷電粒子束之漂移之時間分佈，一面修正荷電粒子束之漂移，一面描繪特定區域內之圖案，故可提供一種可一面抑制產能之降低，一面提高漂移修正之精度，從而可以高精度描繪之荷電粒子束描繪裝置。

本發明之不諭自明之修正及變更均應落於上述技術之範圍內。因此，以明確記載以外之方法所實施之發明亦包含於後附之申請專利之範圍內。

1‧‧‧試料室

2‧‧‧光罩

3‧‧‧載物台

4‧‧‧載物台驅動電路

5‧‧‧位置電路

6‧‧‧電子槍

7~9‧‧‧透鏡

10‧‧‧電子束光學系

11~12‧‧‧透鏡

13‧‧‧匿影用偏向器

14‧‧‧成形偏向器

15‧‧‧束掃描用主偏向器

16‧‧‧束掃描用副偏向器

17、18‧‧‧孔徑

19‧‧‧控制計算機

20‧‧‧輸入部

21‧‧‧圖案記憶體

22‧‧‧圖案資料解碼器

23‧‧‧描繪資料解碼器

24‧‧‧匿影電路

25‧‧‧束成型器驅動器

26‧‧‧主偏向器驅動器

27‧‧‧副偏向器驅動器

28‧‧‧副偏向區域偏向量算出部

29‧‧‧調定時間決定部

30‧‧‧偏向控制部

31‧‧‧描繪資料修正部

32‧‧‧漂移修正時間間隔決定部

51‧‧‧圖案

52‧‧‧圖框

53‧‧‧副偏向區域

54‧‧‧電子束

101‧‧‧修正值演算部

102‧‧‧漂移量測定部

103、104‧‧‧加法器

200A‧‧‧第1區域

200B‧‧‧第2區域

201~215‧‧‧小區域單位

220~224‧‧‧第1區域之各部份

230~234‧‧‧第2區域之各部份

圖1係本實施形態之面積密度圖之部份放大圖之一例； 圖2係顯示本實施形態之電子束描繪裝置之構成之概念圖；圖3係本實施形態之電子束描繪方法之一例；及圖4係顯示本實施形態之描繪資料修正部之構成之概念圖。

1‧‧‧試料室

2‧‧‧光罩

3‧‧‧載物台

4‧‧‧載物台驅動電路

5‧‧‧位置電路

6‧‧‧電子槍

7~9‧‧‧透鏡

10‧‧‧電子束光學系

11~12‧‧‧透鏡

13‧‧‧匿影用偏向器

14‧‧‧成形偏向器

15‧‧‧束掃描用主偏向器

16‧‧‧束掃描用副偏向器

17、18‧‧‧孔徑

19‧‧‧控制計算機

20‧‧‧輸入部

21‧‧‧圖案記憶體

22‧‧‧圖案資料解碼器

23‧‧‧描繪資料解碼器

24‧‧‧匿影電路

25‧‧‧束成型器驅動器

26‧‧‧主偏向器驅動器

27‧‧‧副偏向器驅動器

28‧‧‧副偏向區域偏向量算出部

29‧‧‧調定時間決定部

30‧‧‧偏向控制部

31‧‧‧描繪資料修正部

32‧‧‧漂移修正時間間隔決定部

54‧‧‧電子束

Claims (6)

1. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵在於包含以下之步驟：以至少一個圖框單位區分由荷電粒子束所描繪之特定區域，並評價描繪於各區分之區域之預定圖案之面積密度；求得上述各區分之區域中毗連之區域之間的面積密度之變化量，並將上述特定區域分組成上述變化量為特定值以下之部份、與上述變化量大於特定值之部份；就上述所分組之每個部份，決定修正上述荷電電子束之漂移之時間分佈；及根據上述時間分佈，一面修正上述所分組之每個部份之荷電粒子束之漂移，一面描繪上述特定區域內之圖案。
2. 如請求項1之荷電粒子束描繪方法，其中上述特定區域包含第1特定區域、與接續上述第1特定區域所描繪之預定之第2特定區域，且上述毗連之區域之間包含在上述第1特定區域最後描繪之預定之上述所區分之區域，與在上述第2特定區域最初描繪之預定之上述所區分之區域之間的區域。
3. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於：其係將由荷電粒子束描繪之特定區域分組成複數個部份，並根據修正就上述每個部份所決定之上述荷電粒子束之漂移之時間分佈，一面修正上述荷電粒子束之漂 移，一面描繪上述特定區域內之圖案者；且具有：分組機構，以至少一個圖框單位區分出上述特定區域，並獲取評價描繪於各區分之區域之預定圖案的面積密度之資料，求得上述各區分之區域中毗連之區域之間的面積密度之變化量，且將上述特定區域分組成上述變化量為特定值以下之部份，與上述變化量大於特定值之部份。
4. 如請求項3之荷電粒子束描繪裝置，其進而具有面積密度評價機構，其係以至少一個圖框單位區分上述特定區域，並評價描繪於各區分之區域的預定圖案之面積密度。
5. 如請求項3之荷電粒子束描繪裝置，其中上述特定區域包含第1特定區域、與接續上述第1特定區域所描繪之預定之第2特定區域，且以上述分組機構所求得之上述面積密度之變化量，包含在上述第1特定區域最後描繪之預定之上述所區分之區域，與在上述第2特定區域最初描繪之預定之上述所區分之區域之間的上述面積密度之變化量。
6. 如請求項5之荷電粒子束描繪裝置，其進而具有面積密度評價機構，其係以至少一個圖框單位區分上述特定區域，並評價描繪於各區分之區域的預定圖案之面積密度。