JP5566234B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
予測される描画予測時間よりも長い計画描画時間を算出する計画描画時間算出部と、
描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速いかどうかを判定する判定部と、
前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速い場合に、描画処理を一時停止し、前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速くなくなった場合に、描画処理を再開するようにすることによって、計画描画時間に沿って描画動作を制御する描画制御部と、
描画制御部により計画描画時間に沿って描画動作を行うように制御されながら、描画後の放置時間に応じてパターン寸法を変化させるレジストが塗布された試料に荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
描画予測時間を用いて実施間隔が不定期な荷電粒子ビームのドリフト補正時期を算出するドリフト補正時期算出部と、
をさらに備え、
計画描画時間算出部は、計画描画時間に、描画対象の試料に対する描画処理を一時中断して算出されたドリフト補正時期に荷電粒子ビームのドリフト補正を行うドリフト補正時間を含めると好適である。
予測される描画予測時間よりも長い計画描画時間を算出する工程と、
描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速いかどうかを判定する工程と、
前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速い場合に、描画処理を一時停止し、前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速くなくなった場合に、描画処理を再開するようにすることによって、計画描画時間に沿って描画動作が行われるように制御しながら、描画後の放置時間に応じてパターン寸法を変化させるレジストが塗布された試料に荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
Tp=(Ts×Em/100)・(Fs/100)
D(t)=D0−δD・exp{(t−Tp)/Tλ}
実施の形態2では、さらに、電子ビームのドリフト補正を行う場合についても計画描画時間に含める。
51,61,71 メモリ
52 計画描画時間算出部
54 描画グループ終了時刻算出部
56 ドリフト補正時期算出部
60 ショットデータ生成部
62 判定部
64 コマンド指示部
70 描画管理部
72 描画処理制御部
74 判定部
76 照射量算出部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,112,114 制御計算機
111 I/F回路
116 ステージ駆動制御回路
119 ドリフト補正部
120 偏向制御回路
130 DACアンプユニット
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 予測される描画予測時間よりも長い計画描画時間を算出する計画描画時間算出部と、
描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速いかどうかを判定する判定部と、
前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速い場合に、描画処理を一時停止し、前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速くなくなった場合に、描画処理を再開するようにすることによって、前記計画描画時間に沿って描画動作を制御する描画制御部と、
前記描画制御部により前記計画描画時間に沿って描画動作を行うように制御されながら、描画後の放置時間に応じてパターン寸法を変化させるレジストが塗布された試料に荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画制御部は、前記計画描画時間を算出する際に予定されていない動作の要求があった場合に、前記動作を行わないで前記計画描画時間に沿って描画動作を継続するように制御し続けることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記計画描画時間算出部は、前記計画描画時間に、描画対象の試料に対する描画処理を一時中断して次に描画する試料を搬送する搬送時間を含めることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記描画予測時間を算出する描画時間予測部と、
前記描画予測時間を用いて実施間隔が不定期な荷電粒子ビームのドリフト補正時期を算出するドリフト補正時期算出部と、
をさらに備え、
前記計画描画時間算出部は、前記計画描画時間に、描画対象の試料に対する描画処理を一時中断して算出されたドリフト補正時期に荷電粒子ビームのドリフト補正を行うドリフト補正時間を含めることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 予測される描画予測時間よりも長い計画描画時間を算出する工程と、
描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速いかどうかを判定する工程と、
前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速い場合に、描画処理を一時停止し、前記描画処理速度が前記計画描画時間による計画よりも速くなくなった場合に、描画処理を再開するようにすることによって、前記計画描画時間に沿って描画動作が行われるように制御しながら、描画後の放置時間に応じてパターン寸法を変化させるレジストが塗布された試料に荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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