TWI421283B - 表面修飾劑及其用途 - Google Patents

表面修飾劑及其用途 Download PDF

Info

Publication number
TWI421283B
TWI421283B TW095111458A TW95111458A TWI421283B TW I421283 B TWI421283 B TW I421283B TW 095111458 A TW095111458 A TW 095111458A TW 95111458 A TW95111458 A TW 95111458A TW I421283 B TWI421283 B TW I421283B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
integer
formula
group
modifying agent
linear
Prior art date
Application number
TW095111458A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200640999A (en
Inventor
Yasuo Itami
Tetsuya Masutani
Peter C Hupfield
Don Lee Kleyer
Original Assignee
Daikin Ind Ltd
Dow Corning
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daikin Ind Ltd, Dow Corning filed Critical Daikin Ind Ltd
Publication of TW200640999A publication Critical patent/TW200640999A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI421283B publication Critical patent/TWI421283B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/46—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/02—Polysilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
    • C09D183/12—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Materials Applied To Surfaces To Minimize Adherence Of Mist Or Water (AREA)
  • Polyethers (AREA)

Description

表面修飾劑及其用途
本發明係針對一種用於多種基材表面上形成低表面張力層或防污層之表面修飾劑，以及一種使用該表面修飾劑來形成經處理層之方法。此外，本發明係關於其中使用該表面修飾劑之光學元件(例如抗反射膜、濾光片、光學透鏡、眼鏡鏡片、分光束器、稜鏡、鏡面等)；施用至顯示器(例如液晶顯示器、陰極射線管(CRT)顯示器、投影電視、電漿顯示器、電致發光(EL)顯示器等)之螢幕表面之抗反射光學元件；光學功能構件；其中此種光學功能構件係貼附於顯示器之螢幕表面之顯示器裝置；經處理之玻璃；經處理之陶瓷器；等。
抗反射塗層、濾光片、光學透鏡、眼鏡鏡片、分束器、稜鏡、鏡面和其它光學元件及衛生器皿於使用時容易受到指紋、皮脂、汗液、化妝品等的污染。一旦污漬黏附上時，此種污漬不容易被去除，特別黏附於具有抗反射塗層的光學構件上的污漬容易被注意到而造成問題。此外，汽車和飛機的窗戶也要求有耐久撥水性(durable water repellency：簡稱DWR)。
為了解決此等有關污漬和撥水性的問題，至目前為止已經提出使用多種防污漬劑之技術。
例如，日本專利申請公開案第1997－61605號提示一種經由使用含全氟烷基之化合物表面處理基材所得防污漬之抗反射濾光片。日本專利公告案第1994－29332號提示一種包含含全氟烷基之甲矽烷和乙矽烷化合物與鹵矽烷、烷基矽烷或烷氧基矽烷化合物之抗反射塗層塗覆於其表面上之防污漬低反射性塑膠。日本專利公開案第1995－16940號提示一種經由於主要由二氧化矽所組成之光學薄膜上形成(甲基)丙烯酸全氟烷酯與含烷氧基矽烷之單體之共聚物所得之光學構件。
但經由目前已知方法所形成之耐污漬塗層都有耐污漬性不足的缺點，特別諸如指紋、皮脂、汗液和化妝品等污漬難以從其上去除。此外，當長期使用此等耐污漬層時其將使耐污漬性大減。因此，期望發展出具有絕佳耐污漬性和絕佳耐用性之耐污漬塗層。
本發明欲解決前述先前技術之問題，提供一種表面修飾劑，其可形成高度耐用的優異的低表面張力處理層，該層可防止水分或諸如指紋、皮脂、汗液、化妝品等污漬黏附於各種基材表面上，特別為黏附於抗反射膜等光學構件及眼鏡之表面上，且允許污漬和水分一旦黏附時容易被擦拭去除。
本發明之另一目的係提供一種可形成優異低表面張力層的表面修飾劑之製造方法。
本發明之又一目的係提供一種優異低表面張力層之方便形成方法。
本發明之又一目的係提供裝設有優異低表面張力層之光學構件和多種基材。
本發明之又一目的係提供裝設有優異低表面張力層之抗反射光學構件。
本發明之又一目的係提供一種裝設有抗反射構件之光學功能構件。
本發明之又一目的係提供具有一種裝設有光學功能構件之顯示器螢幕表面之顯示器裝置。
本發明之又一目的係提供本發明化合物應用至微製造例如奈米轉印領域，微製造領域近年來已有重大技術進展，因而允許精確地離型(mold releasing)。
本發明之又一目的係提供本發明化合物應用至裝置的製造，來提供一種材料和一種加工邊法，由於本發明化合物具有高度耐用性質因而使具有狹窄寬度之線容易加工。
本發明之又一目的係提供本發明化合物應用於處理諸如混凝土、石灰石、花崗石或大理石等石器。
本發明提供一種防污劑，包含通式(A)所表示之有機矽氧化合物(organosilicone compound)及/或通式(B)之部分水解產物。
F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX"Si(X')3 － a (R1 )a (A)
通式(A)中，q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基(bivalent organic spacer group)；X”為二價有機聚矽氧間隔基(bivalent organosilicone spacer group)；R1 為C1 － 2 2 直鏈型或分支鏈型烴基(branched hydrocarbon group)；a為0至2之整數；及X’為可水解基團。
F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2 － a (R1 )a SiO(F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )1 － a (R1 )a SiO)z F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2 － a (R1 )a Si(B)
通式(B)中，q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基；X”為二價有機聚矽氧間隔基；X’為可水解基團；及當a為0或1時，z為0至10之整數。
此外，本發明提供一種前述表面修飾劑之製造方法。
本發明提供一種使用該表面修飾劑形成低表面張力之方法。
本發明提供一種經由該表面修飾劑所得低表面張力之表面。
本發明提供一種裝設有經處理之含有該表面修飾劑之層之光學構件。
本發明提供一種裝設有經處理之含有該表面修飾劑之層之抗反射光學構件。
本發明提供一種含有該抗反射光學構件之光學功能構件。
本發明提供一種裝設有該光學功能構件之顯示器裝置。
本發明提供一種有一表面裝設有經處理之含有該表面修飾劑之層之無機基材，諸如玻璃。
本發明提供一種具有前述表面之無機基材之汽車用和航太用玻璃和衛生器皿。
本發明提供表面修飾劑應用於奈米轉印之精確離型。
本發明提供一種使用該表面修飾劑容易製造具有微結構之裝置之方法。
因本發明之表面修飾劑含有特殊有機矽氧化合物，故當使用該表面修飾劑，於基材例如各種光學構件(抗反射膜、濾光片、光學透鏡、眼鏡鏡片、分束器、稜鏡、鏡面等)上形成處理層時，可防止諸如指紋、皮脂、汗液、化妝品等污漬或水分黏著，而不會有損光學構件的光學性質；且污漬和水分一旦黏著時容易被擦拭去除，藉此獲得處理層之高度耐用性。
本發明之防污劑含有通式(A)及/或通式(B)所表示之有機矽氧化合物。
F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" Si(X' )3 － a (R1 )a (A)
F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2 － a (R1 )a SiO(F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )1 － a (R1 )a SiO)z F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2 － a (R1 )a Si(B)
通式(A)中，q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基；X”為二價有機聚矽氧間隔基；R1 為C1 － 2 2 直鏈型或分支鏈型烴基；a為0至2之整數；及X’為可水解基團。
通式(B)中，q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X及X”為間隔基；X’為可水解基團，及z為0至10之整數，但a為0或1。
於通式(A)及(B)中，X較佳為氧原子或二價有機基，諸如C1 － 2 2 線性或分支伸烷基；R1 為C1 － 2 2 烷基，更佳為Cl － 1 2 烷基；X”為具有至少一個矽氧烷基和至少一個亞甲基之基團；以及X’為氯、烷氧基(－OR)或－O－N＝CH2 其中R為C1 － 2 2 線性或分支鏈型烴基，特別為線性或分支烷基。
通式(A)或(B)之可水解基團X’係以下式基團舉例說明：烷氧基或經烷氧基取代之烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基及甲氧基乙氧基；醯氧基例如乙醯氧基、丙醯氧基及苯甲醯氧基；烯氧基諸如異丙烯氧基和異丁烯氧基；亞胺氧基諸如二甲基酮肟、甲基乙基酮肟、二乙基酮肟、環己酮肟基；經取代之胺基諸如甲基胺基、乙基胺基、二甲基胺基及二乙基胺基；醯胺基如N－甲基乙醯胺基及N－乙基醯胺基；經取代之胺基氧基諸如二甲基胺基氧基及二乙基胺基氧基；鹵素諸如氯等。此等可水解基團中，以－OCH3 、－OC2 H5 、及－O－N＝(CH3 )2 為特佳。各式各樣的X’基團可視需要藉平衡來交換，例如＝Si(OMe)＋甲基乙基酮肟→＝Si(酮肟)＋MeOH；或藉反應來交換例如＝Si(OMe)＋AcCl→＝SiCl＋AcOMe。此等可水解基團可單獨或呈二者或更多者之組合而含於本發明之防污劑之有機矽氧化合物中。
通式(A)或(B)之間隔基X及X”需要藉矽氫化反應(簡稱：矽氫化(hydrosilation))而促進可水解矽官能基Si(X’)3-a (R1 )a 的貼附至全氟聚醚。X係以下式基團舉例說明：氧、二價有機基團諸如醯胺、N-甲基醯胺、N-乙基醯胺、酯、醚、X”之組合，其中X”各自分別為二價有機聚矽氧基團諸如-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -，此處R2 各自分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之烷基、C6-20 未經取代之芳基或經取代之芳基；R3 分別為二價有機基諸如C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數。
於通式(A)和(B)中，m、n及o之和較佳為5或5以上，及特佳為10或10以上。X較佳為氧或醯胺，此處X”較佳為-CH2 CH2 CH2 Si(Me2 )2 OSi(Me2 )2 O-或-CH2 CH2 CH2 Si(Me2 )2 OSi(Me2 )2 C2 H4 -。於通式(A)中，a較佳為0。
於通式(A)所表示之化合物中，特佳化合物係以通式(A)所表示，其中X為氧，X”為-CH2 CH2 CH2 Si(Me2 )2 OSi(Me2 )2 C2 H4 -，a為0，及X’為-OCH3 ，可經由於過渡金屬存在下，使HSi(Me2 )2 OSi(Me2 )2 C2 H4 Si(Me)3 與如下通式(C)所表示之化合物間之進行矽氫化反應而合成。
可用於矽氫化反應之觸媒VIII族過渡金屬較佳為鉑或銠。較佳係呈氯鉑酸或呈鉑與1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之錯合物來供應鉑，或呈參(三苯基膦基)RhI Cl來供應銠。
F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XX"' (C)通式(C)中，q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機基及X”’為具有末端乙烯性不飽和(terminal ethylenic unsaturation)之單價有機基，諸如－CH2 CH＝CH2 、－(CH2 )9 CH＝CH2 、－CH2 CMe＝CH2 等。當加矽氫化反應時，X”’為X”的一種成分。
具體者，可根據如下反應圖來製造特佳化合物。
F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XCH2 CH＝CH2 ＋HMe2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3 → F－(CF2 )q －(OC3 F6 )m －(OC2 F4 )n －(OCF2 )o (CH2 )p XCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
如上反應圖中，q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為1或2；X為氧或二價有機基及結構式CH2 CH＝CH2 之X”’轉換成結構式－CH2 CH2 CH2 －之X”成分。
其它較佳化合物可經由以HMe2 Si(OSiMe2 )3 OSi(Me)3 或更大型寡聚物取代如上反應中的HMeSiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3 來製備。
矽氫化反應可經由以過量氫化矽於一段適當時間與適當的溫度下反應來進行以驅使反應至完成。多種儀器方法諸如核磁共振光譜術或紅外光譜術可用來監控反應的進行。例如，較佳條件為以每莫耳使用0.01至10毫莫耳以鉑與1,3－二乙烯基－1,1,3,3－四甲基二矽氧烷錯合之觸媒亦即VIII族過鍍金屬觸媒來供應鉑之氟化合物中含1.05至3莫耳HSi，於30至90℃反應1至10小時。任何過量氫化矽若具有足夠揮發性，則可藉真空蒸餾而從反應產物中去除。溶劑也可用於矽氫化反應中來促進成分的相容性。
由上式通式(C)所表示之氟化合物中，特佳為通式(C)所表示之化合物，其中q為3，m為10至200，n為1，o為0，p為1，X為氧或二價有機基諸如醯胺、N－經取代之醯胺或酯及X”’為－CH2 CH＝CH2 。
其它通式(A)所表示之化合物也可根據前述反應圖以類似方式來合成。
通式(B)所表示之化合物可經由通式(A)表示之化合物之部分水解與縮合反應而合成。
通式(A)及/或(B)所表示之有機矽氧化合物可單獨使用或呈兩種或更多種之組合來使用以形成本發明之表面修飾劑。
若有所需可使用視需要之觸媒來促進通式(A)及/或(B)所表示之有機矽氧化合物之表面修飾作用(surface modification)。該等觸媒其可單獨使用或呈二者或更多者之組合來使用以形成本發明之表面修飾劑。適當觸媒化合物之實例包括有機酸之金屬鹽例如二辛酸二丁基錫、硬脂酸鐵、辛酸鉛等；鈦酸酯類諸如鈦酸四異丙酯、鈦酸四丁酯；螯合物化合物諸如乙醯基丙酮酸鈦、鋁或鋯等。較佳以100份重量以通式(A)及/或(B)所表示之有機矽氧化合物為基準，視需要之觸媒用量係於0至5重量份，且更佳為0.01至2重量份之範圍。
通式(A)及/或(B)之有機矽氧化合物為表面修飾劑之活性成分。表面修飾劑可由通式(A)及/或(B)之有機矽氧化合物組成。表面修飾劑包含通式(A)及/或(B)之有機矽氧化合物和液體介質例如有機溶劑。有機矽氧化合物於表面修飾劑之濃度以表面修飾劑為基準計較佳為0.01至80%重量份。
有機溶劑可為多種其偏好溶解有機矽氧化合物之溶劑，但有機溶劑不會與本發明組成物中所含的成分(特別為有機矽氧化合物)起反應。有機溶劑之實例包括含氟溶劑例如含氟烷、含氟氯烷、含氟芳香族化合物、和含氟醚(例如氫氟醚(HFE))。
欲使用本發明之表面修飾劑處理來形成表面處理層之基材並無特殊限制。基材之實例包括光學構件包含：無機基材諸如玻璃板、包含無機層之玻璃板、陶瓷等；及有機基材諸如透明塑膠基材和包含無機層之透明塑膠基材板；等。
無機基材之實例包含玻璃板。形成包含無機層之玻璃板用之無機化合物實例包括金屬氧化物[矽氧化物(二氧化矽、一氧化矽等)、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氧化錫、氧化鋯、氧化鈉、氧化銻、氧化銦、氧化鉍、氧化釔、氧化鈰、氧化鋅、ITO(氧化銦錫)等]；及金屬鹵化物(氟化鎂、氟化鈣、氟化鈉、氟化鑭、氟化鈰、氟化鋰、氟化釷等)。
包含此種無機化合物之無機層或無機基材可為單層或多層。無機層係作為抗反射層，無機層可經由已知方法諸如濕塗覆、PVD(物理氣相沉積)、CVD(化學氣相沉積)等方法製成。濕塗覆法之實例包括浸塗、旋塗、流塗、噴塗、輥塗、凹版塗覆等方法。PVD方法之實例包括真空蒸鍍、反應性沉積、離子束輔助沉積、濺鍍、離子批覆(ion plating)等方法。
有用之有機基材中，透明塑膠基材之實例包括包含多種有機聚合物之基材。由透明度、折射率、分散性等光學性質，以及由諸如防震性、耐熱性及耐用性等多種其它性質之觀點，用作為光學構件之基材通常包含聚烯烴類(聚乙烯、聚丙烯等)、聚酯類(聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘甲酸酯等)、聚醯胺類(尼龍6、尼龍66等)、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚醯亞胺類、聚乙烯醇、乙烯乙烯醇共聚物(ethylene vinyl alcohol)、丙烯酸系聚合物、纖維素類(三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、賽珞芳(cellophane)等)、或此等有機聚合物之共聚物。值得一提是，此等基材可作為本發明中待受處理之透明塑膠基材之實例。
有用之材料之實例包括經由將諸如抗靜電劑、紫外光吸收劑、增塑劑、潤滑劑、著色劑、抗氧化劑、阻燃劑等已知添加劑添加至此等有機基材之有機聚合物所製備之材料。
也可使用經由於有機基材上形成無機層所製備之基材來作為本發明之基材。於此種情況下，無機層作為抗反射層，且可經由如前述方法而形成於有機基材上。
欲處理之無機基材或有機基材並無特殊限制。用作為光學構件之透明塑膠基材通常係呈薄膜或薄片形式。呈薄膜或薄片形式之基材也可用作為本發明之基材。呈薄膜或薄片形式之基材可為單層或多種有機聚合物所形成之層合物。厚度並無特殊限制，但較佳為0.01毫米至5毫米。
硬質塗層可形成於透明塑膠基材與無機層間。硬質塗層可改良基材表面之硬度，同時平坦化且光滑化基材表面，如此改良透明塑膠基材與無機層間之黏著性。因此，可防止因鉛筆等負荷所造成的刮痕。此外，硬質塗層可抑制因透明塑膠基材之彎曲而造成無機層的裂開，如此改良光學構件之機械強度。
硬質塗層之材料並無特殊限制，只要具有透明度、適當硬度、和機械強度即可。例如熱固性樹脂和藉游離輻射或紫外光輻射固化之樹脂係為有用者。紫外光固化丙烯酸系樹脂、有機矽樹脂、和熱固性聚矽氧樹脂為特佳者。此種樹脂之折射率較佳係等於或接近於透明塑膠基材之折射率。
形成此種硬質塗層之塗覆方法並無特殊限制。可使用任一種可達成均勻塗覆之方法。當硬質塗層具有3微米或以上之厚度時，可提供足夠強度。但就透明度、塗覆準確度、與容易加工等觀點，以5微米至7微米之範圍為佳。
此外，經由將具有平均粒徑為0.01微米至3微米之無機粒子或有機粒子混合且分散於硬質塗層，可實施通稱為「防炫光」之光學漫射處理。雖然任一種透明粒子皆可用 作為此種粒子，但以低折射率材料為佳。就安定性、耐熱性等方面而言，以矽氧化物和氟化鎂為特佳。經由於硬質塗層設置凹面，也可達成光學漫射處理。
如前述之基材可用作為本發明之抗反射光學構件之透明基材。特別，包含抗反射層於表面上之此種基材可為包含抗反射層之透明基材。本發明之抗反射光學構件可經由於此種基材表面形成防污層而獲得。
除了此種光學構件外，本發明之表面修飾劑還可施用於汽車或飛機之窗構件，如此提供先進功能。為了進一步改良表面硬度，也可經由使用本發明之表面修飾劑與TEOS(四乙氧基矽烷)的組合，藉由所謂之溶膠-凝膠方法執行表面修飾作用。
於奈米轉印加工中，經由使用本發明之表面修飾劑作為離型劑，容易達成精確的離型。當表面係使用本發明之表面修飾劑來處理時，修飾劑幾乎擴散成單層之狀態，故結果所形成之層只具有數奈米厚度。儘管只有此種厚度，仍然可形成，如後文實例中所示之具有水接觸角為110度或以上及水滴落角為5度或以下之表面。
本發明之表面修飾劑具有絕佳液體撥除性，如此可應用於微影術和裝置的形成。
此外，經由處理陶瓷材料表面，可製造容易維護的衛生器皿和外牆。
經處理層之形成方法並無特殊限制。例如可使用濕塗覆法和乾塗覆法。
濕塗覆法之實例包括浸塗、旋塗、流塗、噴塗、輥塗、凹版塗覆等方法。
乾塗覆法之實例包括真空蒸鍍、濺鍍、CVD等方法。真空蒸鍍法之特例包括電阻加熱、電子束、高頻加熱、離子束等方法。CVD方法之實例包括電漿－CVD、光學－CVD、加熱CVD等方法。
此外，也可藉常壓電漿法塗覆。
當使用濕塗覆法時，有用的稀釋劑溶劑並無特殊限制。鑑於組成物之安定性和揮發性，以下列化合物為佳：含5至12個碳原子之全氟脂肪族烴類，諸如全氟己烷、全氟甲基環己烷、全氟－1,3－二甲基環己烷；全氟化芳香族烴類諸如貳(三氟甲基)苯；全氟化脂肪族烴類、全氟丁基甲基醚等HFE類等。此等溶劑可單獨使用或呈兩種或兩種以上之溶劑之混合物來使用。
濕塗覆法較佳係用於有複雜形狀及/或大面積的基材。
另一方面，考慮於形成防污層時之工作環境，以無需稀釋劑溶劑的乾塗覆法為佳。以真空蒸鍍法為特佳。
於藉濕塗覆法或乾塗覆法而於基材上形成防污層之後，若有所需，可施行加熱、濕化、照光、電子束照射等。
經由使用本發明之防污劑所形成之防污層之厚度並無特殊限制。就防污性、耐刮性、和光學構件之光學性能而言，以1奈米至10奈米之範圍為佳。
[實例]
下列實例意圖用來舉例說明本發明之細節，但非限制本發明之範圍。
合成例1：於裝配有磁攪棒、回流冷凝器、溫度控制器和乾氮頂上空間滌氣器之250毫升3頸燒瓶內，加入61.17克(F3 CCF2 CF2 (OCF2 CF2 CF2 )1 1 OCF2 CF2 CH2 OCH2 CH2 ＝CH2 )，48.88克1,3－貳(三氟甲基)苯及7.46克HMe2 SiOMe2 SiCH2 CH2 Si(OMe)3 及HMeSiOMe2 SiCHMeSi(OMe)3 之2：1混合物。將內容物加熱至80℃，隨後於5小時時間內逐滴加入溶解於3克1.3貳(三氟甲基)苯中的0.016克以1,3－二乙烯基－1,1,3,3－四甲基二矽氧烷錯合之鉑金屬。該內容物又於80℃維持12小時來製造F3 CCF2 CF2 (OCF2 CF2 CF2 )1 1 OCF2 CF2 CH2 OCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3 之2：1混合物。殘餘矽烷和溶劑從反應混合物藉真空汽提去除，隨後加入1克活性碳。產物係於0.5微米膜上通過西來特(Celite)過濾助劑床過濾。藉紅外光譜術和核磁共振光譜術分析，顯示CH2 ＝CHCH2 O和HSi官能基完全消失。
合成例2－7：經由合成例1所述之相同方法，合成下列化合物。
合成化合物2；F3 CCF2 CF2 (OCF2 CF2 CF2 )1 1 OCF2 CF2 CH2 OCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
合成化合物3；F3 CCF2 CF2 (OCF2 CF2 CF2 )1 1 OCF2 CF2 CONHCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
合成化合物4；F3 CCF2 CF2 O[CF(CF3 )CF2 O]3 CF(CF3 )CH2 OCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
合成化合物5；F3 CCF2 CF2 O[CF(CF3 )CF2 O]3 CF(CF3 )CONHCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
合成化合物6；F3 CCF2 CF2 O[CF(CF3 )CF2 O]4 CF(CF3 )CH2 OCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
合成化合物7；F3 CCF2 CF2 O[CF(CF3 )CF2 O]5 CF(CF3 )CH2 OCH2 CH2 CH2 Me2 SiOMe2 SiC2 H4 Si(OMe)3
比較化合物a購買歐普圖(Optool)DSX(大金工業公司(Daikin Industries,Ltd.)製造)，稱作為比較化合物a。
實例1
矽晶圓基材之前處理：矽晶圓(2厘米×4厘米×0.7毫米)於丙酮中25℃下以超音波處理10分鐘，於硫酸/30重量%過氧化氫溶液＝70/30(V/V)中於100℃下洗滌1小時。然後將晶圓以甲醇和乙醇依此種順序來洗滌，並於室溫下於減壓下乾燥。進一步，於70巴下進行紫外光/臭氧處理，藉此確認該晶圓之水接觸角為0度。
使用表面修飾劑之濕塗覆：合成化合物和比較化合物各自以HFE－7200(3M公司製造)稀釋成濃度分別為0.05重量%、0.10重量%和0.50重量%。將如上前處理之矽晶圓浸泡於25℃之稀釋化合物中30分鐘，及於25℃乾燥24小時。然後晶圓於HFE－7200中於25℃下超音波清潔10分鐘，及於25℃於減壓下乾燥1小時。
接觸角和傾斜角(sliding angle)之測定：經處理試樣之水接觸角和水傾斜角係使用型號CA－X(昭和界面科學公司(Showa Interface Science Co.，Ltd.))測定。測定係於20℃和65%相對濕度條件下，使用20微升蒸餾水數滴來進行。
指紋黏附性：將手指按壓於經處理的試樣表面上來讓指紋黏附，指紋的黏附性和顯著性係根據下述標準目測評估。
A：指紋只略為黏附，即使黏附也不容易發現。
B：指紋的黏附顯著。
藉擦拭去除指紋之容易程度：黏附於試樣表面之指紋使用不織布纖維素織物(編卡(Bencot)M－3，旭化成公司(Asahi Chemical Co.，Ltd.)製造)擦拭，來根據下述標準目測評估指紋的去除性。
A：指紋可完全被擦拭去除。
B：擦拭後留下微量指紋。
C：指紋無法被擦拭去除。
耐磨性(Abrasion resistance)：試樣表面使用不織布纖維素織物(編卡M－3，旭化成公司製造)在500 gf之負載下摩擦100次，並接受如上測試。
表1中，括弧內之數值為耐磨性試驗之數值。
表1顯示使用本發明之表面修飾劑所形成之經處理層具有類似於比較例之經處理之層之水接觸角，但具有遠較小的水傾斜角，如此其難以水來濕潤，因而容易擦拭去除指紋。該表也顯示此等絕佳性質為持久者。
實例2
以實例1之相同方式，測量合成化合物2－7之各項性質。其結果顯示於表2－4。
表2、表3和表4顯示如同表1所述的相同結果。
[發明之效果]
使用本發明之表面修飾劑於基材表面上所形成的處理層具有比使用目前已知處理劑所形成之處理層遠更小的傾斜角，如此更佳可對抗諸如指紋、皮脂、汗液和化妝品等污漬。進一步，即使此等污漬黏附於本發明之表面修飾劑之處理層，也容易被擦拭去除。此外，其穩定具有此等性質。
此外，經由黏合本發明之光學元件或抗反射光學構件至光學功能構件如偏轉板(deflection plate)所得之光學功能構件具有有前述絕佳功能和高度耐用性的處理層形成於其表面上，因此當黏合至例如各種顯示器(液晶顯示器、CRT顯示器、投影顯示器、電漿顯示器、EL顯示器等)之顯示螢幕的前面板上時，可提供具有高度影像辨識性質本發明之顯示裝置。
此外，使用本發明之表面修飾劑於基材表面上所形成之經處理層為極薄，如此具有高度精確可加工處理能力和絕佳微切削性質。

Claims (50)

  1. 一種表面修飾劑，包含通式(A)所表示之有機矽氧化合物：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" Si(X' )3-a (R1 )a (A) 其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基；R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基；a為0至2之整數；及X’為可水解基團；以及及/或通式(B)所表示之有機矽氧化合物F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2-a (R1 )a SiO(F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )1-a (R1 )a SiO)z F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2-a (R1 )a Si(B) 其中a為0至2之整數；q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基； R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基；X’為可水解基團；及當a為0或1時，z為0至10之整數，限制條件為m、n、及o之和為5以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為1，X為O，及a為0或1。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為1，X為氧，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b R3 -，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  4. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為1，X為氧，X’為烷氧基，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b R3 -，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  5. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為氧，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b O-，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支 鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為氧，X’為烷氧基，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b O-，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  7. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為醯胺，及a為0或1。
  8. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為醯胺，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b R3 -，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  9. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為醯胺，X’為烷氧基，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b R3 -，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  10. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A) 及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為醯胺，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b O-，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  11. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為醯胺，X’為烷氧基，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b O-，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  12. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為酯，及a為0或1。
  13. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為酯，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b R3 -，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  14. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為酯，X’為烷氧基，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b R3 -，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 分別 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  15. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為酯，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b O-，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  16. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，其中於通式(A)及/或通式(B)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，X為酯，X’為烷氧基，X”為-R3 Si(R2 )2 (O(R2 )2 Si)b O-，此處R2 分別為C1 至C22 烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，b為1至100，及a為0或1。
  17. 如申請專利範圍第1項之表面修飾劑，添加觸媒來促進表面修飾作用。
  18. 一種包含如下通式(A)所表示之有機矽氧化合物之申請專利範圍第1項所引述之表面修飾劑之製造方法：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" Si(X' )3-a (R1 )a (A) 其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基； R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基；X’為可水解基團；及a為0，該方法係於過渡金屬存在下，利用HMe2 Si(OMe2 Si)b R3 Si(X’)3-a (R1 )a ，其中R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基，R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，a為0或1，b為1至100之整數，與如下通式(C)所表示之化合物間之矽氫化反應者：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX"' (C)其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機基，該二價有機基為醯胺、酯、或醚；及X”’為具有末端乙烯性不飽和之單價有機基，限制條件為m、n、及o之和為5以上。
  19. 一種包含如下通式(A)所表示之有機矽氧化合物之申請專利範圍第1項所引述之表面修飾劑之製造方法：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" Si(X' )3-a (R1 )a (A) 其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基；R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分 支鏈型烴基；X’為可水解基團；及a為0，該方法係於過渡金屬存在下，利用HMe2 Si(OMe2 Si)b OSi(X’)3-a (R1 )a ，其中R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基，a為0或1，b為1至100之整數，與如下通式(C)所表示之化合物間之矽氫化反應者：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX"' (C)其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機基，該二價有機基為醯胺、酯、或醚；及X”’為具有末端乙烯性不飽和之單價有機基，限制條件為m、n、及o之和為5以上。
  20. 一種包含如下通式(A)所表示之有機矽氧化合物之申請專利範圍第1項所引述之表面修飾劑之製造方法：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" Si(X' )3-a (R1 )a (A) 其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基；R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基；X’為烷氧基，及a為0，該方法係於過渡金屬存在下，利用HMe2 Si(OMe2 Si)b R3 Si(X’)3-a (R1 )a ，其中R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴 基、R3 為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基，a為0或1，b為1至100之整數，與如下通式(C)所表示之化合物間之矽氫化反應者：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX"' (C)其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；及X為氧或二價有機基，該二價有機基為醯胺、酯、或醚；及X”’為具有末端乙烯性不飽和之單價有機基，限制條件為m、n、及o之和為5以上。
  21. 一種包含如下通式(A)所表示之有機矽氧化合物之申請專利範圍第1項所引述之表面修飾劑之製造方法：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" Si(X' )3-a (R1 )a (A) 其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基；R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基；X’為烷氧基；及a為0，該方法係於過渡金屬存在下，利用HMe2 Si(OMe2 Si)b OSi(X’)3-a (R1 )a ，其中R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基，a為0或1，b為1至100之整數，與如下通式(C)所表示之化合物間之矽氫化反應者： F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX"' (C)其中q為1至3之整數；m、n及o分別為0至200之整數；p為0、1或2；及X為氧或二價間隔有機基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；及X”’為具有末端乙烯性不飽和之單價有機基，限制條件為m、n、及o之和為5以上。
  22. 如申請專利範圍第18項之表面修飾劑之製造方法，其中該過渡金屬為鉑或銠。
  23. 如申請專利範圍第18項之表面修飾劑之製造方法，其中於通式(C)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為1，及X為O。
  24. 如申請專利範圍第18項之表面修飾劑之製造方法，其中於通式(C)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，及X為醯胺。
  25. 如申請專利範圍第18項之表面修飾劑之製造方法，其中於通式(C)中，q為3，m為10至200之整數，n為1，o為0，p為0，及X為酯。
  26. 一種包含如下通式(B)所表示之有機矽氧化合物之申請專利範圍第1項之表面修飾劑之製造方法：F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2-a (R1 )a SiO(F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )1-a (R1 )a SiO)z F-(CF2 )q -(OC3 F6 )m -(OC2 F4 )n -(OCF2 )o (CH2 )p XX" (X' )2-a (R1 )a Si(B) 其中a為0至2之整數；q為1至3之整數；m、n及o 分別為0至200之整數；p為0、1或2；X為氧或二價有機間隔基，該二價有機間隔基為醯胺、酯、或醚；X”為-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b O-或-R3 Si(R2 )2 (OSi(R2 )2 )b R3 -所示之二價有機矽氧間隔基，其中，R2 分別為C1-22 烴基；R3 分別為C1-22 直鏈型或分支鏈型之視須要經取代之伸烷基；及b為1至100之整數；R1 為C1-22 直鏈型或分支鏈型烴基；X’為可水解基團；及當a為0或1時，z為0至10之整數，限制條件為m、n、及o之和為5以上，該方法係使根據如申請專利範圍第18至25項中任一項之方法而獲得之通式(A)所表示之化合物進行部分水解與縮合反應者。
  27. 一種經由使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑所得之經處理之表面，該經處理之表面具有水接觸角至少為110度，和水傾斜角不超過5度。
  28. 一種經由使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑所得之經處理之表面，該經處理之表面包含呈單分子薄膜形式之全氟聚醚。
  29. 一種申請專利範圍第27項之表面之製造方法，包含根據濕塗覆法，於基材上形成如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑之薄膜之步驟。
  30. 一種申請專利範圍第28項之表面之製造方法，包含根據濕塗覆法，於根據乾塗覆法之基材上形成如申請專利範圍第1至17項中任一項所引述之表面修飾劑之薄膜之步驟。
  31. 一種表面之形成方法，包含下列步驟：以如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑浸漬多孔物件，以及經由於真空加熱該表面修飾劑已經浸漬於其中的多孔物件，來蒸發該表面修飾劑，而於基材上形成經處理層。
  32. 如申請專利範圍第31項之表面之形成方法，其中該多孔物件包含選自於由SiO2 、TiO2 、ZrO2 、MgO、Al2 O3 、CaSO4 、Cu、Fe、Al、不鏽鋼及碳所組成之組群中之至少一者。
  33. 如申請專利範圍第31或32項之表面之形成方法，其中該浸漬於多孔物件之表面修飾劑係根據選自於電阻加熱、電子束加熱、離子束加熱、高頻加熱、及光加熱中之至少一種加熱方法而被蒸發。
  34. 一種申請專利範圍第27項之表面之形成方法，包含於電漿存在下，經由噴嘴-噴霧如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑，而於基材上形成薄膜之步驟。
  35. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該電漿為氬氣或氦氣之常壓電漿。
  36. 一種抗反射光學構件，包含透明基材、形成於該透明基 材的至少一側上之抗反射薄膜、以及形成於最外表面之經處理層，該經處理層包含如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑。
  37. 如申請專利範圍第36項之抗反射光學構件，其中該透明基材為有機基材例如透明塑膠基材，或無機基材例如玻璃基材。
  38. 一種光學功能構件，包含如申請專利範圍第36或37項之抗反射光學構件以及貼附於該抗反射光學構件之功能光學構件。
  39. 如申請專利範圍第38項之光學功能構件，其中該功能構件為偏光板。
  40. 一種顯示器裝置，包含以黏著劑黏附於顯示器螢幕表面之前面板之前側的塗覆構件，該塗覆構件為如申請專利範圍第38或39項之光學功能構件。
  41. 如申請專利範圍第40項之顯示器裝置，其中該顯示器為液晶顯示器、陰極射線管(CRT)顯示器、投影顯示器、電漿顯示器、或電致發光(EL)顯示器。
  42. 一種玻璃，具有使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑而獲得之表面。
  43. 如申請專利範圍第42項之玻璃，其係供汽車使用或航太使用。
  44. 一種眼鏡鏡片或光學鏡片，具有使用如申請專利範圍第 1至17項中任一項之表面修飾劑而獲得之表面。
  45. 一種衛生器皿，具有使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑而獲得之表面。
  46. 一種離型方法，係使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑作為離型劑。
  47. 一種離型方法，係使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑用於奈米轉印。
  48. 一種使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑來生產微結構之方法。
  49. 一種申請專利範圍第47項之微結構之用途，係用於微影術或裝置製造。
  50. 一種石器，具有使用如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面修飾劑而獲得之表面。
TW095111458A 2005-04-01 2006-03-31 表面修飾劑及其用途 TWI421283B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US66735505P 2005-04-01 2005-04-01
US74102605P 2005-11-30 2005-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200640999A TW200640999A (en) 2006-12-01
TWI421283B true TWI421283B (zh) 2014-01-01

Family

ID=36608577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095111458A TWI421283B (zh) 2005-04-01 2006-03-31 表面修飾劑及其用途

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8664421B2 (zh)
EP (1) EP1869103B1 (zh)
JP (1) JP5074927B2 (zh)
KR (1) KR101109831B1 (zh)
CN (1) CN101189278B (zh)
TW (1) TWI421283B (zh)
WO (1) WO2006107082A2 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7259220B1 (en) 2006-07-13 2007-08-21 General Electric Company Selective hydrosilylation method
US7399350B2 (en) * 2006-10-17 2008-07-15 Momentive Performance Materials Inc. Fluorine-free disiloxane surfactant compositions for use in coatings and printing ink compositions
WO2008053712A1 (fr) 2006-10-31 2008-05-08 Nikon-Essilor Co., Ltd. Verre de lunettes et procédé de production de celui-ci
US7891636B2 (en) * 2007-08-27 2011-02-22 3M Innovative Properties Company Silicone mold and use thereof
JP5422855B2 (ja) * 2008-05-28 2014-02-19 小川 一文 転写ロールとその製造方法およびそれを用いて製造したフィルムまたはシート
CN102171299B (zh) * 2008-10-01 2013-10-16 株式会社T&K 涂布用组合物、防污处理方法及防污性基体材料
US8129435B2 (en) 2009-06-18 2012-03-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Perfluoropolyether-modified polysiloxane, a method for preparing the same and a defoaming agent comprising the same
JP5570841B2 (ja) * 2010-02-24 2014-08-13 花王株式会社 フッ素変性シリコーンを含有する化粧料
JP5080660B2 (ja) * 2011-01-05 2012-11-21 エイエスディ株式会社 指紋読取りセンサ
EP2500009A1 (en) 2011-03-17 2012-09-19 3M Innovative Properties Company Dental ceramic article, process of production and use thereof
CN107777894B (zh) 2011-11-30 2021-05-11 康宁股份有限公司 光学涂覆方法、设备和产品
US9957609B2 (en) 2011-11-30 2018-05-01 Corning Incorporated Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings
US10077207B2 (en) 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
JP5621864B2 (ja) * 2012-03-30 2014-11-12 ダイキン工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有シリコーン化合物
WO2014050798A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Hoya株式会社 電子機器用カバーガラス及びその製造方法
EP2915833B1 (en) 2012-11-05 2018-06-06 Daikin Industries, Ltd. Silane compound containing perfluoro(poly)ether group
JP6052140B2 (ja) * 2013-11-08 2016-12-27 信越化学工業株式会社 ビスシリルアミノ基を有するオルガノキシシラン化合物及びその製造方法
JP6451279B2 (ja) 2014-03-31 2019-01-16 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、表面処理剤及び物品
JP5883531B1 (ja) * 2014-08-07 2016-03-15 ダイキン工業株式会社 防汚処理組成物、処理装置、処理方法および処理物品
JP6398500B2 (ja) 2014-09-10 2018-10-03 信越化学工業株式会社 含フッ素コーティング剤及び該コーティング剤で処理された物品
EP3085749B1 (en) 2015-04-20 2017-06-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluoropolyether-containing polymer-modified silane, surface treating agent, and treated article
JP6260579B2 (ja) 2015-05-01 2018-01-17 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、表面処理剤及び物品
JP6390521B2 (ja) 2015-06-03 2018-09-19 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン
WO2017077834A1 (ja) 2015-11-06 2017-05-11 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性有機ケイ素化合物、表面処理剤及び物品
KR102656448B1 (ko) 2015-11-06 2024-04-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 표면처리된 수지 제품
CN108368253B (zh) 2015-12-14 2021-11-02 信越化学工业株式会社 含有氟聚醚基的聚合物改性硅烷、表面处理剂和物品
US11001670B2 (en) 2016-06-10 2021-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluoropolyether-group-containing polymer, surface treatment agent, and article
US11135761B2 (en) 2016-06-14 2021-10-05 Daikin Industries, Ltd. Process for producing receiving object having transferred pattern
KR102490725B1 (ko) * 2016-12-12 2023-01-25 미쯔비시 케미컬 주식회사 유기 전계 발광 소자 형성용 조성물, 유기 전계 발광 소자 및 유기막의 제조 방법
CN106832294B (zh) * 2017-01-21 2019-10-29 苏州逸微光电科技有限公司 一种新型氟硅聚合物以及表面处理剂
JP6501016B1 (ja) 2017-03-17 2019-04-17 ダイキン工業株式会社 パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物
US20210189174A1 (en) 2017-05-23 2021-06-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluorine-containing coating agent composition, surface treatment agent containing said composition, and article
JP6984656B2 (ja) 2017-05-25 2021-12-22 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー変性有機ケイ素化合物、表面処理剤及び物品
CN110997752B (zh) * 2017-08-18 2022-05-27 Ａｇｃ株式会社 组合物及物品
US10544260B2 (en) 2017-08-30 2020-01-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Fluoropolymers, methods of preparing fluoropolymers, and coating compositions containing fluoropolymers
CN111148804B (zh) 2017-09-27 2022-05-17 信越化学工业株式会社 含氟涂布剂组合物、表面处理剂和物品
JP6393384B1 (ja) * 2017-10-06 2018-09-19 日本ペイント・オートモーティブコーティングス株式会社 防眩ハードコート層の形成方法
JP6888685B2 (ja) 2017-10-20 2021-06-16 信越化学工業株式会社 含フッ素コーティング剤組成物、表面処理剤及び物品
CN111263765B (zh) 2017-10-26 2023-08-22 信越化学工业株式会社 含有亲油性基团的有机硅烷化合物、表面处理剂和物品
CN111356717B (zh) 2017-11-21 2023-06-23 信越化学工业株式会社 含氟聚醚基聚合物、表面处理剂及物品
WO2019142516A1 (ja) 2018-01-22 2019-07-25 信越化学工業株式会社 コーティング剤組成物、該組成物を含む表面処理剤、及び該表面処理剤で表面処理された物品
CN111712504A (zh) 2018-02-13 2020-09-25 信越化学工业株式会社 有机硅氧烷化合物和表面处理剂
US11987723B2 (en) 2018-03-14 2024-05-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluorinated coating agent composition, surface treatment agent, and article
US20210214495A1 (en) 2018-05-16 2021-07-15 Guangzhou Ur Materials Technology Co., Ltd. Silane compound containing perfluoropolyether group, preparation method therefor, surface treatment agent and product thereof
JP7081670B2 (ja) 2018-07-31 2022-06-07 信越化学工業株式会社 親油性基含有オルガノシラン化合物、表面処理剤及び物品
KR20220045162A (ko) 2019-08-09 2022-04-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 플루오로폴리에테르기 함유 폴리머, 표면처리제 및 물품
JP7318735B2 (ja) 2019-12-03 2023-08-01 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー、表面処理剤及び物品
JP7456499B2 (ja) 2020-04-14 2024-03-27 信越化学工業株式会社 フルオロポリエーテル基含有ポリマー及び／又はその部分（加水分解）縮合物を含む表面処理剤及び物品
WO2021229624A1 (ja) 2020-05-11 2021-11-18 信越化学工業株式会社 コーティング剤組成物、該組成物を含む表面処理剤、及び該表面処理剤で表面処理された物品
WO2022102455A1 (ja) 2020-11-13 2022-05-19 信越化学工業株式会社 コーティング剤組成物、該組成物を含む表面処理剤、及び該表面処理剤で表面処理された物品
JPWO2022131107A1 (zh) 2020-12-17 2022-06-23
JPWO2022230642A1 (zh) 2021-04-28 2022-11-03
KR20240051964A (ko) 2021-08-17 2024-04-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 표면처리된 물품, 및 발수성을 갖는 물품의 내uvc성을 향상시키는 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000169481A (ja) * 1998-12-10 2000-06-20 Toray Ind Inc 含フッ素化合物及び防汚性物品
JP2000191668A (ja) * 1998-12-10 2000-07-11 Toray Ind Inc 含フッ素化合物、防汚性組成物及び防汚性物品

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0629332B2 (ja) 1985-04-26 1994-04-20 旭硝子株式会社 防汚性・低反射性プラスチツク
JPS62178592A (ja) * 1986-01-31 1987-08-05 Shin Etsu Chem Co Ltd メタクリル酸エステル
JPH01247743A (ja) 1988-03-29 1989-10-03 Nissan Motor Co Ltd シリンダブロック
JPH03290437A (ja) 1990-01-24 1991-12-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性皮膜形成剤
EP1224983A3 (en) * 1991-01-23 2002-12-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transparent substrate and method for preparing same
KR100196752B1 (ko) * 1991-09-27 1999-06-15 미리암 디. 메코너헤이 교차-웹 방향으로 색의 구배를 갖는 다양한 두께의 복합 피복체
JP3407815B2 (ja) 1993-12-24 2003-05-19 信越化学工業株式会社 室温硬化型オルガノポリシロキサン組成物
JP3178980B2 (ja) 1994-12-16 2001-06-25 信越化学工業株式会社 含フッ素シロキサン水中油滴型乳化組成物
JP3494195B2 (ja) 1995-06-15 2004-02-03 住友化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP4420476B2 (ja) 1996-10-18 2010-02-24 ソニー株式会社 表面改質膜用組成物，表面改質膜，表示装置用フィルター，表示装置及び表示装置用フィルターの製造方法
JPH10338734A (ja) 1997-06-06 1998-12-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリウレタン樹脂組成物
JPH11181413A (ja) 1997-12-20 1999-07-06 Nonogawa Shoji Kk 撥水撥油性粉体および該粉体を含有する化粧料
TW591097B (en) 1998-12-10 2004-06-11 Toray Industries Optical articles and the preparation of optical articles
JP3601580B2 (ja) * 1999-05-20 2004-12-15 信越化学工業株式会社 パーフルオロポリエーテル変性アミノシラン及び表面処理剤並びに該アミノシランの被膜が形成された物品
DE19928917A1 (de) 1999-06-24 2000-12-28 Bosch Gmbh Robert Drucksensorvorrichtung
JP2001188102A (ja) * 1999-12-27 2001-07-10 Toppan Printing Co Ltd 反射防止フィルム
WO2002034687A1 (en) 2000-10-23 2002-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-transmitting substrate, process for producing the same, and building and vehicle
JP4041659B2 (ja) * 2001-05-25 2008-01-30 信越化学工業株式会社 パーフルオロポリエーテル変性シラン及びそれを利用する表面処理剤
US20080186229A1 (en) 2001-06-06 2008-08-07 Van Diggelen Frank Method and Apparatus for Monitoring Satellite-Constellation Configuration To Maintain Integrity of Long-Term-Orbit Information In A Remote Receiver
JP2003025510A (ja) 2001-07-16 2003-01-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止性及び耐擦傷性を有する多層積層体
DE60229340D1 (de) 2001-10-05 2008-11-27 Shinetsu Chemical Co Perfluoropolyethermodifizierte Silane, Oberflächenbehandlungsmittel und Antireflexfilter
EP1450300A1 (fr) 2003-02-24 2004-08-25 European Community Dispositif de scellé à transpondeur multiple
US7695781B2 (en) * 2004-02-16 2010-04-13 Fujifilm Corporation Antireflective film, polarizing plate including the same, image display unit including the same and method for producing antireflective film
JP2006022223A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性フルオロポリエーテル組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000169481A (ja) * 1998-12-10 2000-06-20 Toray Ind Inc 含フッ素化合物及び防汚性物品
JP2000191668A (ja) * 1998-12-10 2000-07-11 Toray Ind Inc 含フッ素化合物、防汚性組成物及び防汚性物品

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
James A. S. Smith et al., "Synthesis of model organosiloxanes containing perfluoroether side-chains", J. Mater. Chem., 2000, 10, pages 1765-1769. *

Also Published As

Publication number Publication date
TW200640999A (en) 2006-12-01
US20090216035A1 (en) 2009-08-27
EP1869103B1 (en) 2017-05-03
WO2006107082A3 (en) 2007-01-25
US8664421B2 (en) 2014-03-04
CN101189278B (zh) 2012-03-21
WO2006107082A2 (en) 2006-10-12
KR20070119067A (ko) 2007-12-18
JP2008537557A (ja) 2008-09-18
KR101109831B1 (ko) 2012-02-17
EP1869103A2 (en) 2007-12-26
CN101189278A (zh) 2008-05-28
JP5074927B2 (ja) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI421283B (zh) 表面修飾劑及其用途
TWI481648B (zh) 表面修飾劑
TWI549987B (zh) 含有全氟（聚）醚基之矽烷化合物
KR100557257B1 (ko) 반사 방지 표면용 얼룩 방지 코팅 및 이것의 제조 방법
JP2013510931A (ja) 表面処理組成物、その製造方法および表面処理された物品
TW201829718A (zh) 撥水膜形成用組合物、撥水膜、附撥水膜之基體及物品
CN101151269A (zh) 表面改性剂
US11905368B2 (en) Water-repellent member and method for manufacturing water-repellent member
WO2023074410A1 (ja) 表面処理剤
TWI791965B (zh) 含有氟聚醚基的化合物
JP2022507316A (ja) 洗浄が容易なコーティング
JP6488890B2 (ja) フルオロオキシアルキレン基含有ポリマー変性ホスホン酸誘導体、該誘導体を含む表面処理剤、該表面処理剤で処理された物品及び光学物品
TW202222906A (zh) 表面處理劑
WO2022225055A1 (ja) 表面処理剤
TW202239814A (zh) 包含具有氟聚醚基之矽烷化合物的組成物