TWI421172B - 發光裝置，發光陣列單元，列印頭，影像形成裝置及發光控制方法 - Google Patents

Description

發光裝置，發光陣列單元，列印頭，影像形成裝置及發光控制方法

本發明係關於一種發光裝置、發光陣列單元、列印頭、影像形成裝置及發光控制方法。

在諸如列印機、影印機或傳真機的電子照像影像形成裝置中，如下地將影像形成於記錄紙上。首先，在均勻帶電之光導體上藉由使光學記錄單元發射光以將影像資訊傳送至該光導體來形成靜電潛像。接著，藉由用碳粉顯影而使靜電潛像可見。最後，將碳粉影像轉印並固定至記錄紙上。回應於對裝置小型化的需求，除了藉由使用雷射束在第一掃描方向上進行雷射掃描來執行曝光的光學掃描記錄單元之外，近年來亦將使用以下發光二極體(LED，light-emitting diode)列印頭(LPH)之記錄裝置來用作此類光學記錄單元。此LPH包括大量發光二極體(LEDs)，其充當發光元件，在第一掃描方向上排成陣列。

日本專利申請早期公開案第2001-219596號描述一種自掃描發光裝置陣列，其中每一發光元件晶片具備用於在接收到發光信號時控制發光元件晶片是否發射光的端子。另外，在自掃描發光裝置陣列中，藉由使用通用移位暫存器積體電路(IC，integrated circuit)分別經由單個資料線而多重傳輸資料串流以使多個晶片發射光。

在使用多個自掃描發光裝置陣列(SLED，self-scanning light-emitting device array)晶片之LPH組態的記錄裝置中，要求用以將點亮信號發送至SLED晶片之佈線具有低電阻，因為其為供應用於點亮之電流的佈線。因此，針對該多個SLED晶片中之每一者供應用於點亮之佈線導致在上面安裝著多個SLED晶片之電路板上供應大量寬度大且低電阻的佈線以發送點亮信號。此情況使電路板之寬度較寬，此會妨礙到小型化。另外，若該等佈線經組態以具有多個層以便使電路板之寬度較窄，則此組態妨礙到成本降低。

本發明之目的係提供能夠減少佈線數目之發光裝置及其類似者。

根據本發明之第一態樣，提供一種發光裝置，其包括：複數個發光陣列單元，其各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件；一選擇信號產生單元，其將包括該選擇信號之複數個選擇信號發送至該複數個發光陣列單元；及一點亮信號產生單元，其將包括該點亮信號之複數個點亮信號發送至該複數個發光陣列單元。

根據本發明之第二態樣，在該發光裝置之第一態樣中，該複數個選擇信號係分別針對藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個類別而一對一地發送。

根據本發明之第三態樣，在該發光裝置之第二態樣中，將該複數個選擇信號中之每一者按時間順序發送至該複數個類別中之一對應類別中所包括的該等發光陣列單元。

根據本發明之第四態樣，在該發光裝置之第一態樣至第三態樣中，該複數個點亮信號係分別針對藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個群組而一對一地提供。

根據本發明之第五態樣，在該發光裝置之第一態樣至第三態樣中，該發光裝置進一步包括一轉印信號產生單元，該轉印信號產生單元發送一用於將該複數個發光陣列單元中之每一者中所包括的該複數個發光元件順序地設定為點亮或不點亮之一控制目標的轉印信號。

根據本發明之第六態樣，提供一種發光陣列單元，其包括：複數個發光元件；複數個轉印元件，其係分別針對該複數個發光元件來提供，且將形成該複數個發光元件之一發光元件順序地設定為點亮或不點亮之一控制目標；一控制端子，經由該控制端子接收一選擇信號以控制是否點亮被設定為該控制目標之該發光元件；及一點亮信號端子，經由該點亮信號端子接收一點亮信號以將用於點亮之電力供應至被設定為該控制目標之該發光元件。

根據本發明之第七態樣，在該發光陣列單元之第六態樣中，該發光陣列單元進一步包括複數個AND電路，該複數個AND電路各自設置於該複數個發光元件中之一者與該複數個轉印元件中之一者之間，該複數個轉印元件中之該一者係對應於該等發光元件中之該一者而設置，該等AND電路中之每一者接收發送至該控制端子之該選擇信號及一來自該複數個轉印元件中之該一者的信號的輸入且將一信號輸出至該複數個發光元件中之該一者。

根據本發明之第八態樣，在該發光陣列單元之第七態樣中，該發光陣列單元中之該複數個轉印元件為各自具有一第一閘極端子、一第一陽極端子及一第一陰極端子的複數個轉印閘流體，且該複數個發光元件為各自具有一第二閘極端子、一第二陽極端子及一第二陰極端子的複數個發光閘流體。該發光陣列單元進一步包括各自將該複數個轉印閘流體之該等第一閘極端子中的兩者彼此連接的複數個第一電部分。

根據本發明之第九態樣，在該發光陣列單元之第八態樣中，該發光陣列單元中之該複數個AND電路中的每一者包括：一第二電部分，其在一個末端處連接至該等轉印閘流體中之一對應者的該第一閘極端子且在一相反末端處連接至該等發光閘流體中之一對應者的該第二閘極端子；及一第三電部分，其設置於該控制端子與該等發光閘流體中之該對應者的該第二閘極端子之間。

根據本發明之第十態樣，提供一種列印頭，其包括：一曝光單元，其使一影像載體曝光以形成一靜電潛像；及一光學單元，其將由該曝光單元所發射之光聚焦在該影像載體上。該曝光單元包括：複數個發光陣列單元，其各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件；一選擇信號產生單元，其將包括該選擇信號之複數個選擇信號發送至該複數個發光陣列單元；及一點亮信號產生單元，其將包括該點亮信號之複數個點亮信號發送至該複數個發光陣列單元。

根據本發明之第十一態樣，提供一種影像形成裝置，其包括：一充電單元，其對一影像載體充電；一曝光單元，其使該影像載體曝光以形成一靜電潛像；一光學單元，其將由該曝光單元所發射之光聚焦在該影像載體上；一顯影單元，其使該形成於該影像載體上之靜電潛像顯影；及一轉印單元，其將在該影像載體上所顯影之一影像轉印至一受轉印體上。該曝光單元包括：複數個發光陣列單元，其各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件；一選擇信號產生單元，其將包括該選擇信號之複數個選擇信號發送至該複數個發光陣列單元；及一點亮信號產生單元，其將包括該點亮信號之複數個點亮信號發送至該複數個發光陣列單元。

根據本發明之第十二態樣，提供一種針對複數個發光陣列單元之發光控制方法，該複數個發光陣列單元各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件。該發光控制方法包括：分別將包括該選擇信號之複數個選擇信號一對一地發送至藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個類別；及分別將包括該點亮信號之複數個點亮信號一對一地發送至藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個群組。

根據本發明之第一態樣，與不使用本組態的情況相比，可減少佈線之數目。

根據本發明之第二態樣，與不使用本組態的情況相比，可針對多個發光陣列單元個別地控制點亮時段。

根據本發明之第三態樣，與不使用本組態的情況相比，可容易地控制多個發光陣列單元之點亮。

根據本發明之第四態樣，與不使用本組態的情況相比，可個別地控制多個發光陣列單元。

根據本發明之第五態樣，與不使用本組態的情況相比，可進一步減少佈線之數目。

根據本發明之第六態樣，與不使用本組態的情況相比，可提供一種其中的佈線之數目減少的發光陣列單元。

根據本發明之第七態樣，與不使用本組態的情況相比，該發光陣列單元之組態變得較簡單。

根據本發明之第八態樣，與不使用本組態的情況相比，可容易地形成一發光陣列單元。

根據本發明之第九態樣，與不使用本組態的情況相比，發光元件穩定地操作。

根據本發明之第十態樣，與不使用本組態的情況相比，可實現尺寸較小之列印頭。

根據本發明之第十一態樣，與不使用本組態的情況相比，可實現尺寸較小之影像形成裝置。

根據本發明之第十二態樣，與不使用本組態的情況相比，可減少佈線之數目。

下文中，將參看附圖來詳細地給予對本發明之例示性具體例的描述。

(第一例示性具體例)

圖1為展示應用第一例示性具體例的影像形成裝置1之總體組態的實施例的圖。圖1中所展示之影像形成裝置1為一般被稱作縱列式影像形成裝置者。該影像形成裝置1包括影像形成處理單元10、影像輸出控制器30及影像處理器40。影像形成處理單元10根據不同色彩影像資料來形成影像。影像輸出控制器30控制影像形成處理單元10。影像處理器40(其連接至諸如個人電腦(PC，personal computer)2及影像讀取裝置3的裝置)對自上述裝置接收到之影像資料執行預先定義的影像處理。

影像形成處理單元10包括由按預先設定之間隔平行地配置之複數個引擎所形成的影像形成單元11。影像形成單元11由四個影像形成單元11Y、11M、11C及11K形成。影像形成單元11Y、11M、11C及11K中之每一者包括光導鼓12、充電裝置13、列印頭14及顯影裝置15。在光導鼓12(其為影像載體之實施例)上，形成靜電潛像，且光導鼓12保持碳粉影像。充電裝置13(作為充電單元之實施例)以預定電位對光導鼓12之表面充電。列印頭14使藉由充電裝置13所充電之光導鼓12曝光。顯影裝置15(作為顯影單元之實施例)顯影藉由列印頭14所形成之靜電潛像。此處，除了放在顯影裝置15中之碳粉的色彩之外，影像形成單元11Y、11M、11C及11K具有大致相同之組態。影像形成單元11Y、11M、11C及11K分別形成黃色(Y)、紫紅色(M)、青藍色(C)及黑色(K)之碳粉影像。

另外，影像形成處理單元10進一步包括一紙輸送帶21、一驅動滾輪22、多個轉印滾輪23及一定影裝置24。紙輸送帶21將記錄紙當作受轉印體來輸送，使得分別形成於影像形成單元11Y、11M、11C及11K之光導鼓12上的不同色彩之碳粉影像藉由多層轉印而轉印於記錄紙上。驅動滾輪22為驅動紙輸送帶21之滾輪。每一轉印滾輪23(作為轉印單元之實施例)將形成於對應之光導鼓12上的碳粉影像轉印至記錄紙上。定影裝置24將碳粉影像固定於記錄紙上。

在此影像形成裝置1中，影像形成處理單元10基於自影像輸出控制器30所供應之各種控制信號而執行影像形成操作。在影像輸出控制器30之控制下，自個人電腦(PC)2或影像讀取裝置3接收到之影像資料經歷由影像處理器40進行之影像處理，且接著將所得資料供應至對應之影像形成單元11。接著，舉例而言，在黑色(K)色彩影像形成單元11K中，光導鼓12在箭頭A方向上旋轉的同時由充電裝置13以預定電位來充電，且接著由基於自影像處理器40供應之影像資料而發射光之列印頭14來曝光。藉由此操作，用於黑色(K)色彩影像之靜電潛像形成於光導鼓12上。其後，藉由顯影裝置15來顯影形成於光導鼓12上之靜電潛像，且因此將黑色(K)色彩碳粉影像形成於光導鼓12上。類似地，分別在影像形成單元11Y、11M及11C中形成黃色(Y)、紫紅色(M)及青藍色(C)色彩之碳粉影像。

按順序藉由施加至轉印滾輪23之轉印電場而將光導鼓12上之各別色彩之碳粉影像(其形成於各別影像形成單元11中)以靜電方式轉印至隨著紙輸送帶21之移動而供應的記錄紙。此處，紙輸送帶21在箭頭B方向上移動。藉由此操作，將合成碳粉影像(其為疊置之彩色碳粉影像)形成於記錄紙上。

其後，將以靜電方式轉印有合成碳粉影像的記錄紙輸送至定影裝置24。經由定影裝置24使用熱及壓力進行之定影處理來將輸送至定影裝置24之記錄紙上的合成碳粉影像定影於記錄紙上，且接著自影像形成裝置1輸出。

圖2為展示列印頭14之結構的橫剖面圖。列印頭14包括外殼61、發光裝置65及棒狀透鏡陣列64。發光裝置65(作為曝光單元之實施例)包括由複數個發光元件(第一例示性具體例中之發光閘流體)形成的使光導鼓12曝光的發光部63。棒狀透鏡陣列64(作為光學單元之實施例)將發光部63所發射之光聚焦至光導鼓12之表面上。

發光裝置65亦包括電路板62，發光部63、驅動發光部63之信號產生電路110(見稍後將描述之圖3)及其類似者安裝於電路板62上。

外殼61由(例如)金屬製成，且支撐電路板62及棒狀透鏡陣列64。對外殼61進行設定，使得發光部63中之發光元件的發光點位於棒狀透鏡陣列64之焦平面上。另外，棒狀透鏡陣列64沿光導鼓12之軸向(第一掃描方向)配置。

圖3為第一例示性具體例中之發光裝置65的俯視圖。

如圖3所展示，在根據第一例示性具體例之發光裝置65中，發光部63被組態有二十個發光陣列單元S-A1至S-A20(發光陣列單元群組#a)以及二十個發光陣列單元S-B1至S-B20(發光陣列單元群組#b)，所述發光陣列單元在電路板62上以交錯方式在第一掃描方向上配置成兩行。換言之，在第一例示性具體例中，存在兩個發光陣列單元群組(發光陣列單元群組#a及發光陣列單元群組#b)。本文中，每一發光陣列單元群組有時簡稱作群組。請注意，稍後將詳細描述發光陣列單元群組#a與發光陣列單元群組#b如何彼此面對。

另外，如早先所描述，發光裝置65具有驅動發光部63之信號產生電路110。

如稍後將描述，發光陣列單元S-A1至S-A20與發光陣列單元S-B1至S-B20具有不同之組態。因此，當彼此間不作區分時，發光陣列單元S-A1至S-A20被稱作發光陣列單元S-A。同樣，當彼此間不作區分時，發光陣列單元S-B1至S-B20被稱作發光陣列單元S-B。

請注意，發光陣列單元S-A及S-B中之每一者可為藉由在基板80上形成發光元件及其類似者而組態的發光晶片。在下文中，將發光陣列單元S-A及S-B描述為發光晶片。儘管發光陣列單元S-A之數目及發光陣列單元S-B之數目此處各自為二十，但陣列之數目並不限於此。

圖4A至4C為展示第一例示性具體例中的發光陣列單元S-A及S-B之組態、發光裝置65之信號產生電路110的組態及電路板62上之佈線組態的圖。圖4A展示發光陣列單元S-A之組態，且圖4B展示發光陣列單元S-B之組態。圖4C展示發光裝置65之信號產生電路110之組態及電路板62上之佈線組態。在第一例示性具體例中，發光陣列單元S-A1至S-A20屬於發光陣列單元群組#a，且發光陣列單元S-B1至S-B20屬於發光陣列單元群組#b。

首先，給予對圖4A中所展示之發光陣列單元S-A的組態及圖4B中所展示之發光陣列單元S-B的組態的描述。

發光陣列單元S-A及S-B中之每一者包括在矩形基板80上之發光元件陣列102。發光元件陣列102具有沿基板80之長邊配置成一行的多個發光元件(第一例示性具體例中之發光閘流體)。另外，發光陣列單元S-A及S-B中之每一者包括在基板80之兩個末端部分處在長邊方向上的多個輸入端子(Vga端子、φ2端子、φW端子、φ1端子及φI端子)。此等輸入端子為用於讀取各種控制信號及其類似者之結合墊。此等輸入端子以某方式配置，使得Vga端子、φ2端子及φW端子自基板80之一末端部按此次序配置，且φI端子及φ1端子自基板80之另一末端按此次序配置。發光元件陣列102設置於φW端子與φ1端子之間。

如圖4A及圖4B所展示，發光陣列單元S-A及發光陣列單元S-B具有外形及組態相同之輸入端子。然而，如稍後將描述之圖6及圖7所展示，發光陣列單元S-A及S-B為電路組態彼此不同之自掃描發光裝置陣列(SLED)。

接下來，使用圖4C，描述發光裝置65之信號產生電路110之組態及電路板62上之佈線組態。

如早先所描述，發光裝置65之電路板62具有信號產生電路110、發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)。提供佈線以將信號產生電路110連接至發光陣列單元S-A1至S-A20且連接至發光陣列單元S-B1至S-B20。

首先，描述信號產生電路110之組態。

儘管未圖示，但在影像處理之後的影像資料及各種控制信號從影像輸出控制器30及影像處理器40(見圖1)被輸入至信號產生電路110。基於該影像資料及各種控制信號，信號產生電路110對影像資料執行重排、光量校正及其類似者。

信號產生電路110包括轉印信號產生部120，該轉印信號產生部120基於各種控制信號而將第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2發送至發光陣列單元群組#a(發光陣列單元S-A1至S-A20)且發送至發光陣列單元群組#b(發光陣列單元S-B1至S-B20)。

另外，信號產生電路110包括點亮信號產生部140a及點亮信號產生部140b。基於各種控制信號，點亮信號產生部140a將點亮信號φIa發送至發光陣列單元群組#a(發光陣列單元S-A1至S-A20)，且點亮信號產生部140b將點亮信號φIb發送至發光陣列單元群組#b(發光陣列單元S-B1至S-B20)。

此外，信號產生電路110包括選擇信號產生部150，該選擇信號產生部150基於各種控制信號而將選擇信號φW1至φW20發送至各別發光陣列單元類別，該等發光陣列單元類別各自包括屬於發光陣列單元群組#a之一個發光陣列單元S-A及屬於發光陣列單元群組#b之一個發光陣列單元S-B。本文中，發光陣列類別有時被簡稱作「對」。

舉例而言，選擇信號產生部150將選擇信號φW1發送至由屬於發光陣列單元群組#a之發光陣列單元S-A1及屬於發光陣列單元群組#b之發光陣列單元S-B1形成的發光陣列單元類別#1。選擇信號產生部150將選擇信號φW2發送至由屬於發光陣列單元群組#a之發光陣列單元S-A2及屬於發光陣列單元群組#b之發光陣列單元S-B2形成的發光陣列單元類別#2。針對剩餘之對以相同方式，選擇信號產生部150將選擇信號φW20發送至由屬於發光陣列單元群組#a之發光陣列單元S-A20及屬於發光陣列單元群組#b之發光陣列單元S-B20形成的發光陣列單元類別#20。

儘管在圖4C中分開展示，但點亮信號產生部140a及點亮信號產生部140b統稱作點亮信號產生部140。當彼此間不作區分時，點亮信號φIa及點亮信號φIb被稱作點亮信號φI。當彼此間不作區分時，選擇信號φW1至φW20被稱作選擇信號φW。

接下來，給予對發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20之配置的描述。

屬於發光陣列單元群組#a之發光陣列單元S-A1至S-A20係在其長邊之方向上以預定間隔配置成一行。同樣，屬於發光陣列單元群組#b之發光陣列單元S-B1至S-B20係在其長邊之方向上以預定間隔配置成一行。屬於發光陣列單元群組#a之發光陣列單元S-A1至S-A20及屬於發光陣列單元群組#b之發光陣列單元S-B1至S-B20彼此面對且以交錯方式配置，以使得發光元件可在第一掃描方向上以預定間隔配置。

給予對將信號產生電路110連接至發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)且連接至發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)之佈線的描述。

電路板62具備連接至Vsub端子(見稍後將描述之圖6至8A)的電力供應線200a，該Vsub端子設置於與具有發光陣列單元S-A及S-B之側相反的側上，且經由該電力供應線200a供應參考電位Vsub。另外，電路板62具備連接至Vga端子的電力供應線200b，該Vga端子被提供給發光陣列單元S-A及S-B中之每一者，且經由該電力供應線200b供應用於電力供應之電力供應電位Vga。

此外，電路板62具備第一轉印信號線201及第二轉印信號線202。自信號產生電路110之轉印信號產生部120，經由第一轉印信號線201將第一轉印信號φ1發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20中之每一者的φ1端子，且經由第二轉印信號線202將第二轉印信號φ2發送至發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20中之每一者的φ2端子。將第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2共同地(並行地)發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20。

另外，電路板62具備點亮信號線204a，經由該點亮信號線204a將點亮信號φIa自信號產生電路110之點亮信號產生部140a發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20中之每一者的φI端子。經由針對各別發光陣列單元S-A1至S-A20提供之限流電阻器RI來將點亮信號φIa共同地(並行地)發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20。

同樣，電路板62具備點亮信號線204b，經由該點亮信號線204b將點亮信號φIb自信號產生電路110之點亮信號產生部140b發送至發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20中之每一者的φI端子。經由針對各別發光陣列單元S-B1至S-B20提供之限流電阻器RI來將點亮信號φIb共同地(並行地)發送至發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20。

此外，電路板62具備選擇信號線205至224，經由該等選擇信號線205至224將選擇信號φW1至φW20自信號產生電路110之選擇信號產生部150發送至各別發光陣列單元類別，該等發光陣列單元類別各自包括屬於發光陣列單元群組#a之一個發光陣列單元S-A及屬於發光陣列單元群組#b之一個發光陣列單元S-B。

舉例而言，選擇信號線205連接至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1的φW端子(其為控制端子之實施例)及發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1的φW端子(其為控制端子之實施例)。經由選擇信號線205，將選擇信號φW1發送至包括發光陣列單元S-A1及發光陣列單元S-B1之發光陣列單元類別#1。選擇信號線206連接至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A2的φW端子及發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B2的φW端子以將選擇信號φW2發送至包括發光陣列單元S-A2及發光陣列單元S-B2之發光陣列單元類別#2。針對剩餘之對以相同方式，選擇信號線224連接至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A20的φW端子及發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B20的φW端子以將選擇信號φW20發送至包括發光陣列單元S-A20及發光陣列單元S-B20之發光陣列單元類別#20。

如上文所描述，電路板62上之所有發光陣列單元S-A及S-B共同地供應有參考電位Vsub及電力供應電位Vga。同樣，電路板62上之所有發光陣列單元S-A及S-B共同地供應有第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2。

將點亮信號φIa共同地發送至發光陣列單元群組#a中之所有發光陣列單元S-A。將點亮信號φIb共同地發送至發光陣列單元群組#b中之所有發光陣列單元S-B。

將選擇信號φW1至φW20共同地發送至各別發光陣列單元類別#1至#20，該等發光陣列單元類別各自包括屬於發光陣列單元群組#a之一個發光陣列單元S-A及屬於發光陣列單元群組#b之一個發光陣列單元S-B。

圖5為展示配置成矩陣元素的在第一例示性具體例中之發光裝置65的電路板62上之發光陣列單元S-A及S-B的圖。

在圖5中，發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)配置成2×20之矩陣中的元素。圖5僅展示用於信號(點亮信號φIa及φIb以及選擇信號φW1至φW20)之線，該等信號線將上述信號產生電路110連接至發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)且連接至發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)。電力供應線200a及200b、第一轉印信號線201及第二轉印信號線202為所有發光陣列單元S-A及S-B所共有，且因此此處未展示。

可容易理解，如早先所描述，將點亮信號φIa共同地發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A，且將點亮信號φIb共同地發送至發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B。

此外，可容易理解，將選擇信號φW1至φW20共同地發送至各別發光陣列單元類別#1至#20，該等發光陣列單元類別各自包括屬於發光陣列單元群組#a之一個發光陣列單元S-A及屬於發光陣列單元群組#b之一個發光陣列單元S-B。

換言之，根據點亮信號φIa或φIb與選擇信號φW1至φW20中之一者的組合來選擇第一例示性具體例中的發光裝置65之發光陣列單元S-A及S-B中之每一者。

此處，描述佈線之數目。

假設不使用第一例示性具體例且發光裝置65之發光陣列單元S-A及S-B並不分成發光陣列單元群組及發光陣列單元對。接著，將點亮信號φI發送至此處總共四十個的發光陣列單元S-A及S-B中之每一者；因此，需要四十個點亮信號線204(對應於圖5中之點亮信號線204a及204b)。另外，需要第一轉印信號線201、第二轉印信號線202及電力供應線200a及200b。因此，提供給發光裝置65之佈線的數目為四十四。

此外，由於經由點亮信號線204發送用於點亮發光元件之電流，因此點亮信號線204需要具有小電阻。因此，點亮信號線204需要寬佈線。為此，若不使用第一例示性具體例，則在發光裝置65之電路板62上設置許多寬佈線，此增加了電路板62之面積。

另一方面，在第一例示性具體例中，存在兩群組之發光陣列單元，如圖4A至5中所展示。因此，存在兩個點亮信號線204a及204b。另外，除了第一轉印信號線201、第二轉印信號線202及電力供應線200a及200b之外，亦需要用於選擇信號φW1至φW20之選擇信號線205至224。因此，在第一例示性具體例中，佈線之數目為二十六。

第一例示性具體例中之佈線的數目為不使用第一例示性具體例之情況下的佈線數目之2/3或更少。

此外，在第一例示性具體例中，用於發送用於點亮發光元件之電流的寬佈線之數目減少至2，即，點亮信號線204a及204b。請注意，大電流並不流經選擇信號線205至224。因此，選擇信號線205至224不需要寬佈線。為此，第一例示性具體例不需要在電路板62上設置許多寬佈線，此防止電路板62之面積的增加。

圖6為用於說明第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-A為自掃描發光裝置陣列(SLED)。請注意，在圖6中，除了輸入端子(Vga端子、φ2端子、φW端子、φ1端子及φI端子)外，基於發光陣列單元S-A上之佈局(稍後將在圖8A及8B中描述)來配置下述元件。

此處，採用發光陣列單元S-A1以作為實施例來描述發光陣列單元S-A。在圖6中，發光陣列單元S-A因此被稱作發光陣列單元S-A1(S-A)。其他發光陣列單元S-A2至S-A20具有與發光陣列單元S-A1相同之組態。

為便於說明，在圖6中，輸入端子(Vga端子、φ2端子、φW端子、φ1端子及φI端子)被展示在與圖4A中所展示之位置不同的位置處，即，在圖6之左邊緣處。

如早先所描述，發光陣列單元S-A1(S-A)具有一轉印閘流體陣列，該轉印閘流體陣列包括在基板80上配置成一行之轉印閘流體T1、T2、T3、……(見稍後將描述之圖8A及8B)。另外，發光陣列單元S-A1(S-A)具有用於各別轉印閘流體T1、T2、T3、……之電力供應線電阻器Rgx1、Rgx2、Rgx3、……。當彼此間不作區分時，轉印閘流體T1、T2、T3、……及電力供應線電阻器Rgx1、Rgx2、Rgx3、……分別被稱作轉印閘流體T及電力供應線電阻器Rgx。

另外，發光陣列單元S-A1(S-A)具有一發光閘流體陣列(發光元件陣列102(見圖4A及4B))，該發光閘流體陣列包括配置成一行的奇數編號之發光閘流體L1、L3、L5、……。發光閘流體為發光元件之實施例。為每一對轉印閘流體T提供一個發光閘流體。當彼此間不作區分時，發光閘流體L1、L3、L5、……被稱作發光閘流體L。請注意，發光陣列單元S-A1(S-A)不具有偶數編號之發光閘流體L2、L4、L6、……。

另外，發光陣列單元S-A1(S-A)具有設置於轉印閘流體T1、T2、T3、……中之按數字次序配對之各別相鄰兩者之間的耦接二極體Dx1、Dx2、Dx3、……。耦接二極體為第一電部之實施例。

發光陣列單元S-A1(S-A)亦具有分別在奇數編號之轉印閘流體T1、T3、T3、……與發光閘流體L1、L3、L5，……之間的連接電阻器Ra1、Ra3、Ra5、……及肖特基寫入二極體SDw1、SDw3、SDw5、……。每一連接電阻器為第二電部之實施例，且每一肖特基寫入二極體為第三電部之實施例。此處，如同發光閘流體L及其他者，當彼此間不作區分時，耦接二極體Dx1、Dx2、Dx3、……、連接電阻器Ra1、Ra3、Ra5，……及肖特基寫入二極體SDw1、SDw3、SDw5、……分別被稱作耦接二極體Dx、連接電阻器Ra及肖特基寫入二極體SDw。

請注意，上述閘流體(發光閘流體L及轉印閘流體T)各自為具有三個端子之半導體裝置：陽極端子、陰極端子及閘極端子。

本文中，轉印閘流體T之陽極端子、陰極端子及閘極端子有時分別被稱作第一陽極端子、第一陰極端子及第一閘極端子。同樣，發光閘流體L之陽極端子、陰極端子及閘極端子有時分別被稱作第二陽極端子、第二陰極端子及第二閘極端子。

此外，發光陣列單元S-A1(S-A)具有一個開始二極體Dx0。另外，發光陣列單元S-A1(S-A)具有限流電阻器R1及限流電阻器R2以防止過多電流流入至分別用於發送第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2之第一轉印信號線72及第二轉印信號線73(稍後將描述)中。

請注意，轉印閘流體陣列之轉印閘流體T1、T2、T3、……、電力供應線電阻器Rgx1、Rgx2、Rgx3、……及耦接二極體Dx1、Dx2、Dx3、……自圖6之左邊按數字次序來配置。同樣，發光閘流體陣列之發光閘流體L1、L2、L3、……、連接電阻器Ra1、Ra3、Ra5、……及肖特基寫入二極體SDw1、SDw3、SDw5、……自圖6之左邊按數字次序來配置。

轉印閘流體陣列及發光閘流體陣列自圖6之頂部按此次序來配置。

接下來，給予對發光陣列單元S-A1(S-A)之元件間的電連接之描述。

轉印閘流體T之陽極端子及發光閘流體L之陽極端子連接至發光陣列單元S-A1(S-A)之基板80(亦即，共同陽極)。

接著，此等陽極端子經由Vsub端子而連接至電力供應線200a(見圖4C)，該Vsub端子為設置於基板80之背面上的背面電極85(稍後將在圖8B中描述)。給電力供應線200a供應有參考電位Vsub。

根據轉印閘流體T之配置為奇數編號之轉印閘流體T1、T3、T5、……之陰極端子連接至第一轉印信號線72。第一轉印信號線72經由限流電阻器R1而連接至φ1端子，該φ1端子為第一轉印信號φ1之輸入端子。第一轉印信號線201(見圖4C)連接至此φ1端子，且將第一轉印信號φ1發送至此φ1端子。

另一方面，根據轉印閘流體T之配置為偶數編號之轉印閘流體T2、T4、T6、……之陰極端子連接至第二轉印信號線73。第二轉印信號線73經由限流電阻器R2而連接至φ2端子，該φ2端子為第二轉印信號φ2之輸入端子。第二轉印信號線202(見圖4C)連接至此φ2端子，且將第二轉印信號φ2發送至此φ2端子。

耦接二極體Dx1、Dx2、Dx3、……連接於轉印閘流體T1、T2、T3、……之閘極端子Gt1、Gt2、Gt3、……中之按數字次序配對的各別相鄰兩者之間。換言之，耦接二極體Dx1、Dx2、Dx3、……串聯連接，而其每一者順序地夾於閘極端子Gt1、Gt2、Gt3、……之相鄰對之間。耦接二極體Dx1經連接，以使得電流可自閘極端子Gt1流向閘極端子Gt2。對於其他耦接二極體Dx2、Dx3、Dx4、……，相同情況成立。當彼此間不作區分時，閘極端子Gt1、Gt2、Gt3、……被稱作閘極端子Gt。

轉印閘流體T之閘極端子Gt分別經由為轉印閘流體T所提供之電力供應線電阻器Rgx而連接至電力供應線71。電力供應線71連接至Vga端子。Vga端子連接至電力供應線200b(見圖4C)且供應有電力供應電位Vga。

轉印閘流體T的奇數編號之閘極端子Gt1、Gt3、Gt5、……分別經由連接電阻器Ra1、Ra3、Ra5、……逐一連接至亦為奇數編號之發光閘流體L1、L3、L5、……之閘極端子G11、G13、G15、……。當彼此間不作區分時，閘極端子G11、G13、G15、……被稱作閘極端子G1。

肖特基寫入二極體SDw之陰極端子連接至選擇信號線74。選擇信號線74連接至選擇信號φW1至φW20中之一者所發送至的φW端子。選擇信號線205(見圖4C)連接至發光陣列單元S-A1之φW端子，且將選擇信號φW1發送至發光陣列單元S-A1之φW端子。

肖特基寫入二極體SDw之陽極端子連接至發光閘流體L之各別閘極端子G1。

發光閘流體L之陰極端子連接至點亮信號線75。點亮信號線75連接至為點亮信號φI之輸入端子的φI端子。點亮信號線204a(見圖4C)連接至發光陣列單元S-A1之φI端子，且將點亮信號φIa發送至發光陣列單元S-A1之φI端子。

請注意，儘管圖6中未展示，但限流電阻器RI實際上設置於點亮信號產生部140與φI端子之間，如圖4C中所展示。

在轉印閘流體陣列之一末端處的轉印閘流體T1之閘極端子Gt1連接至開始二極體Dx0之陰極端子。開始二極體Dx0之陽極端子連接至第二轉印信號線73。

圖7為用於說明第一例示性具體例中之發光陣列單元S-B之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-B為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元S-B1以作為實施例來描述發光陣列單元S-B。在圖7中，發光陣列單元S-B因此被稱作發光陣列單元S-B1(S-B)。其他發光陣列單元S-B2至S-B20具有與發光陣列單元S-B1相同之組態。

在圖6中所展示之發光陣列單元S-A中，針對各別第(2n-1)個(亦即，奇數編號之)轉印閘流體T提供發光閘流體L。相對比地，在發光陣列單元S-B中，針對各別第2n個(亦即，偶數編號之)轉印閘流體T提供發光閘流體L。

對於發光陣列單元S-B，描述與發光陣列單元S-A不同之處，且相同組態由相同元件符號表示且不作詳細描述。

發光陣列單元S-B1(S-B)具有包括配置成一行之偶數編號的發光閘流體L2、L4、L6、……的發光閘流體陣列(發光元件陣列102(見圖4A及4B))。發光閘流體為發光元件之實施例。針對每兩個轉印閘流體T提供一個發光閘流體。發光陣列單元S-B1(S-B)具有分別在偶數編號之轉印閘流體T2、T4、T6、……與偶數編號之發光閘流體L2、L4、L6、……之間的連接電阻器Ra2、Ra4、Ra6、……及肖特基寫入二極體SDw2、SDw4、SDw6、……。每一連接電阻器為第二電部之實施例，且每一肖特基寫入二極體為第三電部之實施例。請注意，發光陣列單元S-B1(S-B)不具有奇數編號之發光閘流體L。

當不區分發光陣列單元S-A的奇數編號之發光閘流體L1、L3、L5、……與發光陣列單元S-B的偶數編號之發光閘流體L2、L4、L6、……時，發光閘流體被稱作發光閘流體L。當不區分發光陣列單元S-A的奇數編號之連接電阻器Ra1、Ra3、Ra5、……與發光陣列單元S-B的偶數編號之連接電阻器Ra2、Ra4、Ra6、……時，連接電阻器被稱作連接電阻器Ra。當不區分發光陣列單元S-A的奇數編號之肖特基寫入二極體SDw1、SDw3、SDw5、……與發光陣列單元S-B的偶數編號之肖特基寫入二極體SDw2、SDw4、SDw6、……時，肖特基寫入二極體被稱作肖特基寫入二極體SDw。

如同發光陣列單元S-A，發光陣列單元S-B之每一發光閘流體L的陽極端子、陰極端子及閘極端子有時分別被稱作第二陽極端子、第二陰極端子及第二閘極端子。

肖特基寫入二極體SDw之陰極端子連接至選擇信號線74。選擇信號線74連接至選擇信號φW1至φW20中之一者所發送至的φW端子。選擇信號線205(見圖4C)連接至發光陣列單元S-B1之φW端子，且將選擇信號φW1發送至發光陣列單元S-B1之φW端子。

肖特基寫入二極體SDw之陽極端子連接至發光閘流體L之各別閘極端子G1。

發光閘流體L之陰極端子連接至點亮信號線75。點亮信號線75連接至為點亮信號φI之輸入端子的φI端子。點亮信號線204b(見圖4C)連接至發光陣列單元S-B1之φI端子，且將點亮信號φIb發送至發光陣列單元S-B1之φI端子。

請注意，儘管圖7中未展示，但限流電阻器RI實際上設置於點亮信號產生部140與φI端子之間，如圖4C中所展示。

如上文所描述，發光陣列單元S-A具有奇數編號之發光閘流體L、連接電阻器Ra及肖特基寫入二極體SDw，而發光陣列單元S-B具有偶數編號之發光閘流體L、連接電阻器Ra及肖特基寫入二極體SDw。

在發光閘流體陣列中，發光陣列單元S-A及S-B可具有任何預定數目個發光閘流體L。舉例而言，若在第一例示性具體例中發光閘流體L之數目為128，則連接電阻器Ra之數目及肖特基寫入二極體SDw之數目亦各自為128。

在發光陣列單元S-A中，針對各別第(2n-1)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。因此，轉印閘流體T之數目為至少255，且電力供應線電阻器Rgx之數目亦為至少255。耦接二極體Dx之數目為254，比轉印閘流體T之數目少1。

另一方面，在發光陣列單元S-B中，針對各別第2n個轉印閘流體T提供發光閘流體L。轉印閘流體T之數目為至少256，且電力供應線電阻器Rgx之數目亦為至少256。耦接二極體Dx之數目為255，比轉印閘流體T之數目少1。

請注意，在發光陣列單元S-A及S-B中，轉印閘流體T之數目可為發光閘流體L之數目的兩倍以上。

圖8A及8B分別為第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A的平面佈局圖及橫剖面圖。此處，將採用光陣列單元S-A1以作為實施例來描述發光陣列單元S-A。在圖8A及8B中，發光陣列單元S-A因此被稱作發光陣列單元S-A1(S-A)。其他發光陣列單元S-A2至S-A20具有與發光陣列單元S-A1相同之組態。

圖8A為發光陣列單元S-A1(S-A)之平面佈局圖，展示具有發光閘流體L1、L3及L5以及轉印閘流體T1、T2、T3及T4的部分。圖8B為沿圖8A中所展示之VIIIB-VIIIB線所截取的橫剖面圖。圖8B中之橫剖面圖自圖8B之底部展示發光閘流體L1、肖特基寫入二極體SDw1、電力供應線電阻器Rgx1、耦接二極體Dx1及轉印閘流體T1之橫剖面。在圖8A及8B中，主要元件及端子由其名稱指示。

請注意，圖8A用實線展示連接元件之佈線。圖8B不展示連接元件之佈線。

如圖8B所展示，發光陣列單元S-A1(S-A)包括多個島狀物(第一島狀物141、第二島狀物142、第三島狀物143、第四島狀物144、第五島狀物145及第六島狀物146)。此等島狀物係形成如下。舉例而言，就GaAs、GaAlAs或其類似者之複合半導體而言，p型第一半導體層81、n型第二半導體層82、p型第三半導體層83及n型第四半導體層84按此次序層疊於p型基板80上。在周邊處相繼蝕刻p型第一半導體層81、n型第二半導體層82、p型第三半導體層83及n型第四半導體層84。藉此，形成彼此分離之島狀物。

如圖8A所展示，在平面圖中，第一島狀物141具有帶有突出部之矩形形狀，且具有發光閘流體L1、肖特基寫入二極體SDw1及連接電阻器Ra1。在平面圖中，第二島狀物142具有在兩端處具有寬部之形狀，且具有電力供應線電阻器Rgx1。在平面圖中，第三島狀物143具有矩形形狀，且具有轉印閘流體T1及耦接二極體Dx1。在平面圖中，第四島狀物144具有矩形形狀，且具有開始二極體Dx0。在平面圖中，第五島狀物145及第六島狀物146中之每一者具有在兩端處具有寬部的形狀。第五島狀物145具有限流電阻器R1，且第六島狀物146具有限流電阻器R2。

此外，在發光陣列單元S-A1(S-A)中，並行地形成與第二島狀物142類似之島狀物及與第三島狀物143類似之島狀物。如同第二島狀物142及第三島狀物143，此等島狀物具有電力供應線電阻器Rgx2、Rgx3、Rgx4、……、轉印閘流體T2、T3、T4、……及其類似者。另外，在發光陣列單元S-A1(S-A)中，並行地形成與第一島狀物141類似之島狀物。如同第一島狀物141，此等島狀物具有發光閘流體L3、L5、……。此處省略對彼等島狀物之描述。

另外，為Vsub端子之背面電極85被設置於基板80之背面上。

基於圖8A及8B，更詳細地描述第一島狀物141、第二島狀物142、第三島狀物143、第四島狀物144、第五島狀物145及第六島狀物146。

在設置於第一島狀物141中之發光閘流體L1中，陽極端子為基板80，陰極端子為形成於n型第四半導體層84之區111中的n型歐姆電極121，且閘極端子G11為藉由蝕刻並移除n型第四半導體層84而曝露的p型第三半導體層83。請注意，閘極端子G11並不形成為電極且因此不加以展示。除了形成n型歐姆電極121之部分外，自n型第四半導體層84之區111之表面發射光。

在設置於第一島狀物141中之肖特基寫入二極體SDw1中，陽極端子為p型第三半導體層83，且陰極端子為形成於藉由蝕刻並移除n型第四半導體層84而曝露的p型第三半導體層83上的肖特基電極151。

發光閘流體L1之閘極端子G11及肖特基寫入二極體SDw1之陽極端子為第一島狀物141之共同p型第三半導體層83。

設置於第一島狀物141中在平面形狀中之突出部處的p型第三半導體層83為連接電阻器Ra1，且p型歐姆電極132形成於該突出部之末端處。換言之，肖特基電極151與p型歐姆電極132之間的p型第三半導體層83被用作連接電阻器Ra1之電阻。

設置於第二島狀物142中之電力供應線電阻器Rgx1形成於p型第三半導體層83上所形成之兩個p型歐姆電極133與134之間。該兩個p型歐姆電極133與134之間的p型第三半導體層83被用作電力供應線電阻器Rgx1之電阻。

在設置於第三島狀物143中之轉印閘流體T1中，陽極端子為基板80，陰極端子為形成於n型第四半導體層84之區115中的n型歐姆電極124，且閘極端子Gt1為形成於藉由蝕刻並移除n型第四半導體層84而曝露的p型第三半導體層83上之p型歐姆電極135。

在設置於同一第三島狀物143中之耦接二極體Dx1中，陰極端子為設置於n型第四半導體層84之區113中的n型歐姆電極123，且陽極端子為p型第三半導體層83。充當陽極端子之p型第三半導體層83連接至轉印閘流體T1之閘極端子Gt1。

在設置於第四島狀物144中之開始二極體Dx0中，陰極端子為設置於n型第四半導體層84之區(沒有元件符號)上的n型歐姆電極(沒有元件符號)，且陽極端子為形成於藉由蝕刻並移除n型第四半導體層84而曝露的p型第三半導體層83上的p型歐姆電極(沒有元件符號)。

如同設置於第二島狀物142中之電力供應線電阻器Rgx1，分別設置於第五島狀物145及第六島狀物146中之限流電阻器R1及R2各自使用形成於藉由蝕刻並移除n型第四半導體層84而曝露的p型第三半導體層83上的配對的p型歐姆電極(沒有元件符號)之間的p型第三半導體層83作為其電阻。

基於圖8A，描述如何連接該等元件。

在第一島狀物141中，充當發光閘流體L1之閘極端子G11的p型第三半導體層83用於以下兩者：肖特基寫入二極體SDw1之陽極端子，及連接電阻器Ra1之端子中之一者。

為連接電阻器Ra1之端子中之另一者的p型歐姆電極132連接至p型歐姆電極135，p型歐姆電極135為第三島狀物143中之轉印閘流體T1的閘極端子Gt1。

為發光閘流體L1之陰極端子的n型歐姆電極121連接至點亮信號線75。點亮信號線75連接至φI端子。

為肖特基寫入二極體SDw1之陰極端子的肖特基電極151連接至選擇信號線74。選擇信號線74連接至φW端子。

為設置於第二島狀物142中之電力供應線電阻器Rgx1的端子中之一者的p型歐姆電極133連接至p型歐姆電極132，p型歐姆電極132為設置於第一島狀物141中之連接電阻器Ra1的端子中之另一者。為電力供應線電阻器Rgx1之端子中之另一者的p型歐姆電極134連接至電力供應線71。電力供應線71連接至Vga端子。

為設置於第三島狀物143中之轉印閘流體T1之陰極端子的n型歐姆電極124連接至第一轉印信號線72。第一轉印信號線72經由設置於第五島狀物145中之限流電阻器R1而連接至φ1端子。

為設置於第三島狀物143中之耦接二極體Dx1之陰極端子的n型歐姆電極123連接至p型歐姆電極(沒有元件符號)，該p型歐姆電極為相鄰設置之轉印閘流體T2的閘極端子Gt2。

另一方面，為設置於第三島狀物143中之轉印閘流體T1之閘極端子Gt1的p型歐姆電極135連接至n型歐姆電極(沒有元件符號)，該n型歐姆電極為設置於第四島狀物144中之開始二極體Dx0之陰極端子且形成於n型第四半導體層84上。

為設置於第四島狀物144中之開始二極體Dx0之陽極端子且形成於p型第三半導體層83上的p型歐姆電極(沒有元件符號)連接至n型歐姆電極(沒有元件符號)且亦經由設置於第六島狀物146中之限流電阻器R2而連接至φ2端子，其中該等n型歐姆電極為各別偶數編號之轉印閘流體T2、T4、T6、……之陰極端子且形成於n型第四半導體層84上。

儘管此處未描述，但對於其他發光閘流體L、轉印閘流體T、耦接二極體Dx、肖特基寫入二極體SDw、連接電阻器Ra及電力供應線電阻器Rgx，相同情況成立。

圖6中展示之發光陣列單元S-A1(S-A)的電路組態係如上文所描述。

請注意，發光陣列單元S-B經組態以使得設置於第一島狀物141中之p型歐姆電極132連接至轉印閘流體T2之閘極端子Gt2，其中在發光陣列單元S-A中第一島狀物141具有發光閘流體L1。換言之，可藉由在圖8A中所展示之發光陣列單元S-A之平面組態中將發光閘流體L之位置向圖8A之右邊移位發光閘流體L1與發光閘流體L3之間的距離的1/2來獲得發光陣列單元S-B之平面佈局。因此，此處不對發光陣列單元S-B之平面佈局及橫剖面作詳細描述。

接下來，描述發光裝置65之操作。

發光裝置65包括屬於發光陣列單元群組#a之發光陣列單元S-A1至S-A20及屬於發光陣列單元群組#b之發光陣列單元S-B1至S-B20(見圖3至圖5)。

如圖4C所展示，將參考電位Vsub及電力供應電位Vga共同地供應至電路板62上之所有發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)。

此外，將第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2共同地發送至電路板62上之所有發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)。

將點亮信號φIa共同地發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20。因此，並行地驅動發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20。將點亮信號φIb共同地發送至發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20。因此，並行地驅動發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20。

同時，將選擇信號φW1至φW20(φW)共同地發送至各別發光陣列單元類別#1至#20，該等發光陣列單元類別各自包括發光陣列單元群組#a中之一個發光陣列單元S-A及發光陣列單元群組#b中之一個發光陣列單元S-B。舉例而言，將選擇信號φW1共同地發送至包括發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1及發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1的發光陣列單元類別#1。按相同時序並行地發送二十個選擇信號φW1至φW20。因此，並行地驅動發光陣列單元類別#1至#20。

請注意，可按不同時序來發送選擇信號φW1至φW20。

由於發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A2至S-A20被與發光陣列單元S-A1並行地驅動，因此此處僅有必要描述發光陣列單元S-A1之操作。此外，由於發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B2至S-B20被與發光陣列單元S-B1並行地驅動，因此此處僅有必要描述發光陣列單元S-B1之操作。同樣，由於發光陣列單元類別#2至#20被與發光陣列單元類別#1並行地驅動，因此此處僅有必要描述具有發光陣列單元S-A1及S-B1之發光陣列單元類別#1的操作。

圖9為用於說明第一例示性具體例中之發光裝置65及發光陣列單元S-A及S-B之操作的時序圖。

儘管如上文所提及僅有必要描述發光陣列單元S-A1及S-B1之操作，但圖9展示了不僅說明發光陣列單元類別#1(發光陣列單元S-A1及S-B1)之操作且亦說明發光陣列單元類別#2(發光陣列單元S-A2及S-B2)及發光陣列單元類別#3(發光陣列單元S-A3及S-B3)之操作的時序圖。圖9中所展示之時序圖展示了用於控制發光陣列單元S-A中之每一者的發光閘流體L1、L3、L5及L7以及發光陣列單元S-B中之每一者的發光閘流體L2、L4、L6及L8的點亮及不點亮的部分。請注意，控制發光閘流體L之點亮及不點亮在下文被稱作光控制。

此處，在發光陣列單元類別#1中，發光陣列單元S-A1中之發光閘流體L1、L3、L5及L7以及發光陣列單元S-B1中之發光閘流體L2、L4、L6及L8將被點亮。在發光陣列單元類別#2中，發光陣列單元S-A2中之發光閘流體L3、L5及L7以及發光陣列單元S-B2中之發光閘流體L2、L6及L8將被點亮，且發光陣列單元S-A2中之發光閘流體L1及發光陣列單元S-B2中之發光閘流體L4將不被點亮(將不發光)。在發光陣列單元類別#3中，發光陣列單元S-A3中之發光閘流體L1、L3、L5及L7以及發光陣列單元S-B3中之發光閘流體L2、L4、L6及L8將被點亮，且按與選擇信號φW1之時序不同的時序來發送選擇信號φW3。

下文主要描述發光陣列單元類別#1中之發光陣列單元S-A1及S-B1的操作。

假設在圖9中時間按字母次序自時間點a經過至時間點u。

在發光陣列單元群組#a中，在自時間點c至時間點n之時段Ta(1)中對發光陣列單元S-A1、S-A2及S-A3中之每一者的發光閘流體L1進行光控制。在自時間點n至時間點q之時段Ta(2)中對發光陣列單元S-A1、S-A2及S-A3中之每一者的發光閘流體L3進行光控制。在自時間點q至時間點s之時段Ta(3)中對發光陣列單元S-A1、S-A2及S-A3中之每一者的發光閘流體L5進行光控制。在自時間點s至時間點u之時段Ta(4)中對發光陣列單元S-A1、S-A2及S-A3中之每一者的發光閘流體L7進行光控制。以相同方式，對發光閘流體L9及剩餘之發光閘流體L進行光控制。

在發光陣列單元群組#b中，在自時間點h至時間點p之時段Tb(1)中對發光陣列單元S-B1、S-B2及S-B3中之每一者的發光閘流體L2進行光控制。在自時間點p至時間點r之時段Tb(2)中對發光陣列單元S-B1、S-B2及S-B3中之每一者的發光閘流體L4進行光控制。在自時間點r至時間點t之時段Tb(3)中對發光陣列單元S-B1、S-B2及S-B3中之每一者的發光閘流體L6進行光控制。在自時間點t開始之時段Tb(4)中對發光陣列單元S-B1、S-B2及S-B3中之每一者的發光閘流體L8進行光控制。以相同方式，對發光閘流體L10及剩餘之發光閘流體L進行光控制。

在第一例示性具體例中，時段Ta(1)、Ta(2)、Ta(3)、……與時段Tb(1)、Tb(2)、Tb(3)、……具有相同長度，且當彼此間不作區分時被稱作時段T。

在其中對發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20進行控制的時段Ta(1)、Ta(2)、Ta(3)、……自在其中對發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20進行控制的時段Tb(1)、Tb(2)、Tb(3)、……移位了時段T之一半長度(在相位方面為180度)。換言之，時段Tb(1)在時段Ta(1)開始之後經過了時段T之一半的時段之後開始。

因此，下文給予關於在其中對發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1進行控制的時段Ta(1)、Ta(2)、Ta(3)、……的描述。

請注意，時段T之長度可為可變的，只要維持下述信號間之關係便可。

除了選擇信號φW(φW1至φW20)之波形視影像資料而變之外，時段Ta(1)、Ta(2)、Ta(3)、……中之信號波形為同一波形之重複。

因此，在下文描述自時間點c至時間點n之時段Ta(1)。請注意，自時間點a至時間點c之時段為在其中發光陣列單元S-A1及S-B1開始操作之時段。將在對操作之描述中描述在此時段期間之信號。

首先，給予對在時段Ta(1)中的第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2之信號波形的描述。

第一轉印信號φ1在時間點c處為低位準電位(下文被稱作「L」)，在時間點g處自「L」轉變至高位準電位(下文被稱作「H」)，在時間點k處自「H」轉變至「L」，且在時間點n處維持於「L」。

第二轉印信號φ2在時間點c處為「H」，在時間點f處自「H」轉變至「L」，在時間點1處自「L」轉變為「H」，且在時間點n處維持於「H」。

在時段Ta(1)中的第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2之信號波形在時段Ta(2)、Ta(3)、……中重複。第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2具有基於時段T而重複之波形。

在第一轉印信號φ1與第二轉印信號φ2之間進行比較，第二轉印信號φ2之信號波形為第一轉印信號φ1在時段Ta(1)中之信號波形在時間軸上向延遲點移位了時段T之一半長度(在相位方面為180度)。

第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2之信號波形交替地重複「H」及「L」，其間有該兩個信號均為「L」的時段(諸如，自時間點f至時間點g)。除了自時間點a至時間點b之時段之外，第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2不具有該兩者同時為「H」的時段。

如稍後將描述，配對之轉印信號(即，第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2)使圖6及7中所展示之轉印閘流體T順序地進入ON狀態，且因此將發光閘流體L(將對其進行光控制)設為點亮或不點亮之控制目標。

接下來，給予對在時段Ta(1)中的點亮信號φIa及φIb之信號波形的描述。

如稍後將描述，點亮信號φIa及φIb供應發光閘流體L有用於點亮(發射光)所需之電流。

點亮信號φIa在時段Ta(1)開始之時間點c處自「H」轉變至「L」、在時間點m處自「L」轉變至「H」，且在時段Ta(1)結束之時間點n處自「H」轉變至「L」。在時段Ta(1)中的點亮信號φIa之波形在時段Ta(2)、Ta(3)、……中重複。

點亮信號φIb在時間點c處為「H」，在時間點h(在其處，時段Tb(1)開始)處自「H」轉變至「L」，且在時間點n處維持於「L」。接著，點亮信號φIb在時段Ta(2)中之時間點o處自「L」轉變至「H」，且在時間點p(在其處，時段Tb(1)結束)處自「H」轉變至「L」。因此，集中於時段Tb(1)，點亮信號φIb在時段Tb(1)中之波形與點亮信號φIa在時段Ta(1)中之波形相同。點亮信號φIb之波形為點亮信號φIa之波形在時間軸上向延遲點移位了時段T之一半長度(在相位方面為180度)。在時段Tb(1)中的點亮信號φIb之波形在時段Tb(2)、Tb(3)、……中重複。

接下來，描述選擇信號φW(φW1至φW20)。

發送至發光陣列單元S-A1及S-B1之選擇信號φW1在時間點c處為「L」，在時間點d處自「L」轉變至「H」，且在時間點e處自「H」轉變至「L」。另外，選擇信號φW1在時間點i處自「L」轉變至「H」且在時間點j處自「H」轉變至「L」。換言之，選擇信號φW1在時段Ta(1)中具有兩個「L」時段。

第一轉印信號φ1、第二轉印信號φ2及選擇信號φW1間之關係為如下。選擇φW1在自時間點d至時間點e之時段期間為「H」，該時段包括於自時間點c至時間點f之時段中，在該自時間點c至時間點f之時段中第一轉印信號φ1與第二轉印信號φ2之中僅第一轉印信號φ1為「L」。此外，選擇信號φW1在自時間點i至時間點j之時段期間為「H」，該時段包括於自時間點g至時間點k之時段中，在該自時間點g至時間點k之時段中第一轉印信號φ1與第二轉印信號φ2之中僅第二轉印信號φ2為「L」。

換言之，在時段Ta(1)中，發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1在選擇信號φW1最初變成「H」之時段(自時間點d至時間點e)處轉變至點亮狀態，且發光陣列單元S-B1之發光閘流體L2在選擇信號φW1稍後變成「H」之時段(自時間點i至時間點j)中轉變至點亮狀態。因此，在時段Tb(1)中，選擇信號φW1在選擇信號φW1稍後變成「H」之時段(自時間點i至時間點j)中為「H」。

點亮信號φIa及φIb以及選擇信號φW1間之關係為如下。在時段Ta(1)中，選擇信號φW1為「H」之時段(時間點d至時間點e)處於點亮信號φIa為「L」之時段(時間點c至時間點m)中。類似地，在時段Tb(1)中，選擇信號φW1為「H」之時段(自時間點i至時間點j)處於點亮信號φIb為「L」之時段(自時間點h至時間點o)中。

如稍後將描述，當選擇信號φW(φW1至φW20)為「H」且點亮信號φI(φIa及φIb)為「L」時，發光閘流體L轉變至點亮狀態。

具體而言，假定選擇信號φW(φW1至φW20)之「H」及「L」分別為「1」及「0」，且點亮信號φI(φIa及φIb)之「L」及「H」分別為「1」及「0」，則當選擇信號φW(φW1至φW20)與點亮信號φI(φIa及φIb)之邏輯積(「及」(AND))為「1」時，發光閘流體L轉變至點亮狀態。

如圖9中所展示，共同地發送至發光陣列單元S-A1及S-B1之選擇信號φW1具有在時間軸上(時間上)自彼此移位之「H」時段，該等「H」時段各自使發光陣列單元S-A1及S-B1中之對應者的發光閘流體L進入點亮狀態。

在描述發光裝置65及發光陣列單元S-A及S-B之操作之前，給予對閘流體(轉印閘流體T及發光閘流體L)之基本操作的描述。該等閘流體各自為具有三個端子之半導體裝置：陽極端子、陰極端子及閘極端子。

在下文中，作為一實施例，將供應至Vsub端子(如圖6至8A中所展示，其為閘流體之陽極端子)之參考電位Vsub設定為0V(「H」)，且將供應至Vga端子之電力供應電位Vga設定為-3.3 V(「L」)。另外，如圖8A及8B中所展示，該等閘流體係藉由層疊由GaAs、GaAlAs或其類似者形成之p型半導體層及n型半導體層來形成。將pn接面之擴散電位Vd(正向電位)設定為1.5 V，且將肖特基接面(障壁)之正向電位Vs設定為0.5 V。以下描述使用此等數值。

當將低於臨界電壓V之電位(負值大電位)施加至無電流在其陽極端子與陰極端子之間流動的閘流體的陰極端子時，該閘流體轉變至ON狀態(亦即，導通)。當導通時，該閘流體處於電流正在其陽極端子與陰極端子之間流動的狀態(ON狀態)下。此處，閘流體之臨界電壓為藉由自閘極端子之電位減去擴散電位Vd而獲得的值。因此，當閘流體之閘極端子的電位為-1.5 V時，臨界電壓為-3.0 V。因此，當將低於-3.0 V之電壓施加於閘流體之陰極端子時，該閘流體導通。

在處於ON狀態下之閘流體中，其閘極端子之電位變成接近於其陽極端子之電位。由於此處將陽極端子設定為0 V(「H」)，因此在假定閘極端子之電位變成0 V(「H」)之情況下給予以下描述。另外，在ON狀態下之閘流體的陰極端子變成等於pn接面之擴散電位Vd。因此，陰極端子之電位在此處變成-1.5 V。

一旦閘流體導通，閘流體便維持其ON狀態，直至陰極端子之電位達到高於維持ON狀態所需之電位(維持電位)之電位(亦即，達到負值小電位)為止。由於處於ON狀態下之閘流體的陰極端子之電位為-1.5 V，因此當將高於-1.5 V之電位施加至陰極端子時，閘流體轉變至OFF狀態(亦即，斷開)。舉例而言，當陰極端子變成「H」(0 V)時，陰極端子及陽極端子具有相同電位，使得閘流體斷開。

另一方面，當不斷地將低於-1.5 V之電位施加至閘流體之陰極且供應使閘流體保持於ON狀態下的電流時，閘流體維持其ON狀態。

如上文所描述，處於ON狀態下之閘流體維持電流流經閘流體的狀態，且不視閘極端子之電位而轉變至OFF狀態。換言之，閘流體具有維持(記住或保持)其ON狀態之功能。

如所描述，不斷地施加至陰極端子以使閘流體維持其ON狀態的維持電位可高於(在絕對值方面小於)施加至陰極端子以導通閘流體之電位。

請注意，發光閘流體L在導通時點亮(發射光)且在斷開時不發光(不點亮)。閘流體L之發光輸出(亮度)視在陰極端子與陽極端子之間流動的電流而定。

另外，在描述發光裝置65及發光陣列單元S-A及S-B之操作之前，給予對肖特基寫入二極體SDw之操作的描述。

肖特基寫入二極體SDw與連接電阻器Ra的每一對形成雙輸入AND電路AND1。

描述雙輸入AND電路AND1，其使用在圖6中所展示之發光陣列單元S-A1中由點劃線圍起之肖特基寫入二極體SDw1及連接電阻器Ra1。

藉由將肖特基寫入二極體SDw1之陽極端子連接至為連接電阻器Ra1之端子中之一者的O端子來組態雙輸入AND電路AND1。接著，將為連接電阻器Ra1之另一端子的X端子連接至轉印閘流體T1之閘極端子Gt1。為肖特基寫入二極體SDw1之陰極端子的Y端子連接至選擇信號線74。如早先所描述，選擇信號線74連接至選擇信號φW1所發送至之φW端子。

連接電阻器Ra1之O端子連接至發光閘流體L1之閘極端子Gl1。

X端子及Y端子充當輸入端子，且O端子充當輸出端子。

表1說明對於連接電阻器Ra1之X端子之電位(此處被稱作Gt(x))為「H」(0v)、-1.5 V及小於-2.8 V(Gt(x)<-2.8 V)的三種情況中之每一情況，在φW端子(雙輸入AND電路AND1之Y端子)之電位與O端子之電位之間的關係，O端子為發光閘流體L1之閘極端子Gl1。在下文中，φW端子之電位被稱作φW(Y)，且O端子之電位被稱作Gl(O)。

假設轉印閘流體T1之閘極端子Gt1(Gt(X))為「H」(0 V)。若發送至φW端子之選擇信號φW1為「L」(-3.3 V)(φW(Y))，則在正向方向上將電壓施加至肖特基寫入二極體SDw1(即，肖特基寫入二極體SDw1被正向偏壓)。O端子(G1(O))接著變成-2.8 V，其係藉由自「L」(-3.3 V)減去0.5 V而獲得，0.5 V為肖特基接面(障壁)之正向電位Vs。接著，發光閘流體L1之臨界電壓變成-4.3 V，使得即使點亮信號φIa為「L」(-3.3 V)，發光閘流體L1仍不點亮(發射光)。

另一方面，假設發送至φW端子之選擇信號φW1為「H」(0 V)(φW(Y))。接著，由於閘極端子Gt1(Gt(X))在此處為「H」(0 V)，因此Gl(O)亦變成「H」(0V)。接著，發光閘流體L1之臨界電壓變成-1.5 V，使得在點亮信號φIa為「L」(-3.3 V)的情況下，發光閘流體L1點亮(發射光)。

接下來，假設轉印閘流體T1之閘極端子Gt1(Gt(X))為1.5 V。若發送至φW端子之選擇信號φW1為「L」(-3.3 V)(φW(Y))，則肖特基寫入二極體SDw1被正向偏壓。O端子(Gl(O))接著變成-2.8 V，其係藉由自「L」(-3.3 V)減去0.5 V而獲得，0.5 V為肖特基寫入二極體SDw1之正向電位。

另一方面，若發送至φW端子之選擇信號φW1為「H」(0 V)(φW(Y))，則在逆向方向上將電壓施加至肖特基寫入二極體SDw1(即，肖特基寫入二極體SDw1被逆向偏壓)。因此，O端子之電位(G1(O))變成-1.5 V，其為X端子之電位(Gt(X))。接著，發光閘流體L1之臨界電壓變成-3 V。

現在假設轉印閘流體T1之閘極端子Gt1(Gt(X))小於-2.8 V(Gt(X)<-2.8 V)，-2.8 V係藉由自「L」(-3.3 V)減去0.5 V而獲得，0.5 V為肖特基接面(障壁)之正向電位。若發送至φW端子之選擇信號φW1為「L」(-3.3V)(φW(Y))，則肖特基寫入二極體SDw1未經正向偏壓，使得O端子之電位(Gl(O))變成等於X端子之電位(Gt(X))。

另外，當發送至φW端子之選擇信號φW1為「H」(0V)(φW(Y))時，肖特基寫入二極體SDw1被逆向偏壓，使得O端子之電位(Gl(O))變成等於X端子之電位(Gt(X))。

接著，當Gt(X)<-2.8 V時，發光閘流體L1之臨界電壓小於-4.3 V。

因此，當Gt(X)及φW(Y)之電位(信號)為「H」(0 V)時，Gl(O)之電位(信號)變成「H」(0 V)，且發光閘流體L點亮(發射光)。因此，雙輸入AND電路AND1充當雙輸入AND。

儘管此處已使用肖特基寫入二極體SDw1及連接電阻器Ra1描述了雙輸入AND電路AND1，但對於其他肖特基寫入二極體SDw及連接電阻器Ra，相同情況成立。

現在，參看圖4A至7，根據圖9中所展示之時序圖描述發光裝置65之操作。

(1)時間點a

給予對時間點a處之狀態(初始狀態)的描述，在時間點a處開始供應發光裝置65有參考電位Vsub及電力供應電位Vga。

在圖9中所展示之時序圖中的時間點a處，將電力供應線200a設定為參考電位Vsub，其為「H」(0 V)，且將電力供應線200b設定為電力供應電位Vga，其為「L」(-3.3 V)(見圖4C)。因此，將發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)中之每一者的Vsub端子及Vga端子分別設定為「H」及「L」(見圖6及7)。

此外，信號產生電路110之轉印信號產生部120將第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2設定為「H」。接著，第一轉印信號線201及第二轉印信號線202變成「H」(見圖4C)。藉此，將發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)中之每一者的φ1端子及φ2端子設定為「H」。經由限流電阻器R1連接至φ1端子之第一轉印信號線72的電位及經由限流電阻器R2連接至φ2端子之第二轉印信號線73的電位亦變成「H」(見圖6及7)。

另外，信號產生電路110之點亮信號產生部140將點亮信號φIa及φIb設定為「H」。因此，點亮信號線204a及204b變成「H」(見圖4C)。藉此，發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)中之每一者的φI端子變成「H」。連接至φI端子之點亮信號線75亦變成「H」(見圖6及7)。

信號產生電路110之選擇信號產生部150將選擇信號φW1至φW20設定為「L」(-3.3V)。接著，選擇信號線205至224變成「L」(-3.3V)(見圖4C)。藉此，發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)中之每一者的φW端子變成「L」(-3.3V)。連接至φW端子之選擇信號線74亦變成「L」(-3.3V)(圖6及7)。

接下來，參看圖6及7，根據圖9中所展示之時序圖，集中於屬於發光陣列單元類別#1之發光陣列單元S_- A1及S-B1，來描述發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)之操作。

請注意，儘管在圖9及下文之描述中每一端子之電位以逐步方式改變，但每一端子之電位實際上係逐漸改變的。因此，甚至在電位改變期間，若滿足下述條件，閘流體之狀態仍可改變，諸如導通及斷開。

發光陣列單元S-A1及S-B1之轉印閘流體T及發光閘流體L之陽極端子連接至Vsub端子，且因此被設定為「H」。

另一方面，奇數編號之轉印閘流體T1、T3、T5、……之陰極端子連接至第一轉印信號線72，且因此被設定為「H」。偶數編號之轉印閘流體T2、T4、T6、……之陰極端子連接至第二轉印信號線73，且因此被設定為「H」。由於轉印閘流體T之陽極端子及陰極端子均為「H」，因此轉印閘流體T處於OFF狀態下。

轉印閘流體T之閘極端子Gt經由各別電力供應線電阻器Rgx而連接至電力供應線71。由於電力供應線71被設定為電力供應電位Vga(其為「L」(-3.3 V))，因此除了稍後將描述之閘極端子Gt1及Gt2之外，閘極端子Gt之電位為「L」。

如早先所描述，在圖6(圖7)中之轉印閘流體陣列之一個末端處的閘極端子Gt1連接至開始二極體Dx0之陰極端子。開始二極體Dx0之陽極端子連接至第二轉印信號線73。將第二轉印信號線73設定為「H」。開始二極體Dx0之陰極端子處於「L」且陽極端子處於「H」，因此被正向偏壓。藉此，開始二極體Dx0之陰極端子(閘極端子Gt1)變成-1.5 V，其為藉由自開始二極體Dx0之陽極端子的「H」(0 V)減去開始二極體Dx0之擴散電位Vd(1.5 V)而獲得的值。因此，轉印閘流體T1之臨界電壓變成-3 V，其為藉由自閘極端子Gt1之電位(-1.5 V)減去擴散電位Vd(1.5 V)而獲得的值。

與轉印閘流體T1相鄰之轉印閘流體T2之閘極端子Gt2經由耦接二極體Dx1而連接至閘極端子Gt1。轉印閘流體T2之閘極端子Gt2的電位變成-3 V，其為藉由自閘極端子Gt1之電位(-1.5 V)減去耦接二極體Dx1之擴散電位Vd(1.5 V)而獲得的值。因此，轉印閘流體T2之臨界電壓為-4.5 V。

發光閘流體L之陰極端子連接至點亮信號線75，且被設定為「H」。因此，發光閘流體L之陽極端子及陰極端子均變成「H」，且發光閘流體因此處於OFF狀態下。

<發光陣列單元S-A1>

發光閘流體L之閘極端子Gl經由連接電阻器Ra而連接至轉印閘流體T之閘極端子Gt。因此，根據表1，除了連接至閘極端子Gt1之發光閘流體L1之外，連接至具有-3.3 V的電位之閘極端子Gt3、Gt5、……的發光閘流體L3、L5、……之閘極端子Gl3、Gl5、……中之每一者的電位變成「L」(-3.3 V)，其為閘極端子Gt3、Gt5、……之電位。因此，發光閘流體L3、L5、……之臨界電壓為-4.8 V。

另一方面，根據表1，由於閘極端子Gt1之電位為-1.5 V，且φW端子之電位為「L」(-3.3 V)，因此閘極端子Gl1之電位為-2.8 V。因此，發光閘流體L1之臨界電壓為-4.3 V。

請注意，如早先所描述，第三及第三以上之轉印閘流體T之臨界電壓為-4.8 V。

請注意，如圖6中所展示，不針對轉印閘流體T2提供發光閘流體L。

<發光陣列單元S-B1>

發光陣列單元S-B1處於與發光陣列單元S-A1類似之狀態下。

然而，如圖7中所展示，在發光陣列單元S-B1中，儘管未設置對應於發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1的發光閘流體L，但設置了發光閘流體L2。

如上文關於發光陣列單元S-A1所描述，轉印閘流體T2之閘極端子Gt為-3 V。根據表1，由於閘極端子Gt2之電位為-3 V，且φW端子之電位為「L」(-3.3 V)，因此閘極端子G12之電位變成等於閘極端子Gt2之電位(-3 V)。因此，發光閘流體L2之臨界電壓為-4.5 V。

(2)時間點b

在圖9中所展示之時間點b處，第一轉印信號φ1自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。藉此，使發光裝置65進入操作狀態。

在發光陣列單元S-A1及S-B1中之每一者中，具有-3 V的臨界電壓之轉印閘流體T1導通。然而，具有-4.8 V的臨界電壓、包括轉印閘流體T3及其以上的轉印閘流體的奇數編號之轉印閘流體T不導通。另一方面，由於第二轉印信號φ2為「H」(0 V)，因此具有-4.5 V的臨界電壓之轉印閘流體T2不導通。

當轉印閘流體T1導通時，閘極端子Gt1之電位變成「H」(0 V)，其為陽極端子之電位。接著，轉印閘流體T1之陰極端子(圖6中之第一轉印信號線72)的電位變成-1.5 V，其係藉由自「H」(0 V)減去擴散電位Vd(1.5 V)而獲得，「H」(0 V)為轉印閘流體T1之陽極端子的電位。接著，被正向偏壓之耦接二極體Dx1之陰極端子的電位(閘極端子Gt2之電位)變成-1.5V，其係藉由自「H」(0 V)減去擴散電位Vd(1.5 V)而獲得，「H」(0 V)為其陽極端子(閘極端子Gt1)之電位。藉此，轉印閘流體T2之臨界電壓為-3 V。

經由耦接二極體Dx2而連接至轉印閘流體T2之閘極端子Gt2的閘極端子Gt3之電位變成-3 V。藉此，轉印閘流體T3之臨界電壓變成-4.5 V。由於閘極端子Gt之電位為電力供應電位Vga(其為「L」)，因此第四或第四以上轉印閘流體T保持具有臨界電壓-4.8 V。

<發光陣列單元S-A1>

由於選擇信號φW1為「L」(-3.3 V)，因此甚至在閘極端子Gt1之電位變成「H」(0 V)之後，閘極端子Gl1之電位仍維持在-2.8 V，如表1中所展示。因此，發光閘流體L1之臨界電壓為-4.3 V。另一方面，如表1中所展示，當閘極端子Gt3之電位變成-3 V時，閘極端子Gl3之電位變成-3 V，其為閘極端子Gt3之電位。因此，發光閘流體L3之臨界電壓為-4.5 V。其他發光閘流體L保持其臨界電壓為-4.8 V。

然而，由於點亮信號線75為「H」，因此發光閘流體L皆不轉變至ON狀態。

在發光陣列單元S-A1中，在時間點b處僅導通轉印閘流體T1。接著，緊跟在時間點b之後(在閘流體及其類似者由於在時間點b處信號之電位改變而改變之後的穩定狀態)，轉印閘流體T1處於ON狀態下。其他轉印閘流體T及所有發光閘流體L處於OFF狀態下。

請注意，在下文中，僅描述處於ON狀態下之閘流體(轉印閘流體T及發光閘流體L)，且不描述處於OFF狀態下之閘流體(轉印閘流體T及發光閘流體L)。

如上文所描述，轉印閘流體T之閘極端子Gt經由耦接二極體Dx連接至彼此。因此，若閘極端子Gt中之特定者的電位改變，則經由被正向偏壓之耦接二極體Dx而連接至電位改變之特定閘極端子Gt的閘極端子Gt之電位改變。接著，具有如此改變之閘極端子Gt的轉印閘流體T之臨界電壓改變。若臨界電壓超過「L」，則閘流體處於其可導通之狀態下。

給予更具體之描述。經由一個經正向偏壓之耦接二極體Dx而連接至電位已改變至「H」(0 V)之閘極端子Gt的閘極端子Gt之電位變成-1.5 V，且具有彼閘極端子Gt之轉印閘流體T的臨界電壓變成-3 V。由於該臨界電壓高於(在絕對值方面小於)「L」(-3.3 V)，因此當轉印閘流體T之陰極端子變成「L」(-3.3 V)時，轉印閘流體T被導通。

另一方面，經由經正向偏壓、串聯連接之兩個耦接二極體Dx而連接至具有「H」(0 V)之電位之閘極端子Gt的閘極端子Gt之電位變成-3 V，且具有彼閘極端子Gt之轉印閘流體T的臨界電壓變成-4.5 V。由於此臨界電壓低於「L」(-3.3 V)，因此轉印閘流體不被導通，且維持其OFF狀態。

<發光陣列單元S-B1>

使發光陣列單元S-B1進入與發光陣列單元S-A1類似之狀態。具體而言，轉印閘流體T1被導通，且閘極端子Gt1之電位變成「H」(0 V)。接著，閘極端子Gt2之電位變成-1.5 V。

接著，根據表1，由於閘極端子Gt2之電位為-1.5 V，且選擇信號φW1為「L」(-3.3 V)，因此發光閘流體L2之閘極端子G12的電位變成-2.8 V。因此，發光閘流體L2之臨界電壓變成-4.3 V。

(3)時間點c

在時間點c處，共同地發送至發光陣列單元群組#a之點亮信號φIa自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

<發光陣列單元S-A1>

當點亮信號線75變成「L」(-3.3 V)時，由於發光閘流體L1之臨界電壓為-4.3 V，發光閘流體L3之臨界電壓為-4.5 V，且第五及第五以上發光閘流體L之臨界電壓為-4.8 V，因此發光閘流體L皆不被導通。

因此，緊跟在時間點c之後，僅轉印閘流體T1處於ON狀態下。

<發光陣列單元S-B1>

由於發光陣列單元群組#b中不存在信號改變，因此發光陣列單元S-B1維持時間點b處之狀態。

(4)時間點d

在時間點d處，共同地發送至發光陣列單元類別#1中之發光陣列單元S-A1及S-B1的選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。

<發光陣列單元S-A1>

轉印閘流體T1處於ON狀態下，且閘極端子Gt1為「H」(0 V)。根據表1，當選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)時，閘極端子Gl1之電位變成「H」(0 V)。接著，發光閘流體L1之臨界電壓自-4.3 V增加至-1.5 V。由於點亮信號φIa在時間點c處變成「L」(-3.3 V)，因此發光閘流體L1被導通且點亮(發射光)。藉此，由於發光閘流體L1處於ON狀態下，因此點亮信號線75之電位變成-1.5 V。

請注意，根據表1，由於閘極端子Gt之電位為-3 V，因此閘極端子Gl3之電位變成-3 V，其為閘極端子Gt3之電位。因此，由於具有-4.5 V的臨界電壓，發光閘流體L3不被導通。

緊跟在時間點d之後，轉印閘流體T1處於ON狀態下，且發光閘流體L1處於ON狀態下且點亮(發射光)。

<發光陣列單元S-B1>

轉印閘流體T1處於ON狀態下，且閘極端子Gt1及閘極端子Gt2分別為「H」(0 V)及-1.5 V。根據表1，當選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)時，閘極端子G12之電位變成-1.5 V。接著，發光閘流體L2之臨界電壓自-4.3 V增加至-3 V。然而，由於點亮信號φIb被維持於「H」(0 V)，因此發光閘流體L2不被導通。

緊跟在時間點d之後，轉印閘流體T1處於ON狀態下。

(5)時間點e

在時間點e處，共同地發送至發光陣列單元類別#1中之發光陣列單元S-A1及S-B1的選擇信號φW1自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

<發光陣列單元S-A1>

儘管閘極端子Gt1為「H」(0 V)，但根據表1，由於選擇信號φW1自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)，因此閘極端子G11之電位返回至-2.8 V，且發光閘流體L1之臨界電壓變成-4.3 V。然而，由於點亮信號φIa被維持於「L」(-3.3 V)，因此發光閘流體L1維持其ON狀態，且點亮(發射光)。

因此，緊跟在時間點e之後，轉印閘流體T1處於ON狀態下，且發光閘流體L1處於ON狀態下且點亮(發射光)。

<發光陣列單元S-B1>

儘管閘極端子Gt2為-1.5 V，但如表1中所展示，由於選擇信號φW1自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)，因此閘極端子G12之電位自-1.5 V返回至-2.8 V，且發光閘流體L1之臨界電壓變成-4.3 V。

因此，緊跟在時間點e之後，轉印閘流體T1處於ON狀態下。

(6)時間點f

在時間點f處，第二轉印信號φ2自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

在發光陣列單元S-A1及S-B1中，具有-3 V的臨界電壓之轉印閘流體T2被導通。接著，閘極端子Gt2之電位變成「H」(0 V)，閘極端子Gt3之電位變成-1.5 V，且閘極端子Gt4之電位變成-3 V。

<發光陣列單元S-A1>

在時間點f處，根據表1，由於選擇信號φW1(φW)為「L」(-3.3 V)，因此閘極端子Gl3之電位為-2.8 V，且發光閘流體L3之臨界電壓為-4.3 V。

請注意，緊跟在時間點f之後，轉印閘流體T1及T2處於ON狀態下，且發光閘流體L1處於ON狀態下且點亮(發射光)。

<發光陣列單元S-B1>

閘極端子Gt2之電位變成「H」(0 V)，閘極端子Gt3之電位變成-1.5 V，且閘極端子Gt4之電位變成-3 V。

在時間點f處，根據表1，由於選擇信號φW1(φW)為「L」(-3.3 V)，因此閘極端子Gl2之電位為-2.8 V，且發光閘流體L3之臨界電壓為-4.3 V。

請注意，緊跟在時間點f之後，轉印閘流體T1及T2處於ON狀態下。

(7)時間點g

在時間點g處，第一轉印信號φ1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。

發光陣列單元S-A1及S-B1中之每一者的轉印閘流體T1之陰極端子的電位變成「H」(0 V)(為其陽極端子之電位)，且因此轉印閘流體T1被斷開。接著，閘極端子Gt1之電位朝「L」(-3.3 V)改變。耦接二極體Dx1接著經反向偏壓，且閘極端子Gt2之電位為「H」(0 V)不再影響閘極端子Gt1。

<發光陣列單元S-A1>

由於選擇信號φW1(φW)在時間點f處為「L」(-3.3 V)，因此當閘極端子Gt1之電位變成「L」(-3.3 V)時，閘極端子G11之電位亦變成「L」(-3.3 V)，其為閘極端子Gt1之電位。然而，由於點亮信號φIa被維持於「L」(-3.3 V)，因此發光閘流體L1維持其ON狀態且點亮(發射光)。

緊跟在時間點g之後，轉印閘流體T2處於ON狀態下，且發光閘流體L1處於ON狀態下且點亮(發射光)。

<發光陣列單元S-B1>

緊跟在時間點g之後，轉印閘流體T2處於ON狀態下。

(8)時間點h

在時間點h處，共同地發送至發光陣列單元群組#b之點亮信號φIb自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

<發光陣列單元S-A1>

由於發光陣列單元群組#a中不存在信號改變，因此發光陣列單元S-A1維持時間點g處之狀態。

<發光陣列單元S-B1>

甚至當點亮信號線75變成「L」(-3.3 V)時，由於發光閘流體L2之臨界電壓為-4.3 V，發光閘流體L4之臨界電壓為-4.5 V，且第六及第六以上發光閘流體L之臨界電壓為-4.8 V，因此發光閘流體L皆不被導通。

因此，緊跟在時間點h之後，僅轉印閘流體T2處於ON狀態下。

(9)時間點i

在時間點i處，共同地發送至發光陣列單元類別#1中之發光陣列單元S-A1及S-B1的選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。

發光陣列單元S-A1及S-B1中之每一者的轉印閘流體T2處於ON狀態下，且閘極端子Gt2之電位及閘極端子Gt3之電位分別為「H」(0 V)及-1.5 V。

<發光陣列單元S-A1>

根據表1，當選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0V)時，閘極端子Gl3之電位變成-1.5V。接著，發光閘流體L3之臨界電壓自-4.3 V增加至-3 V。

儘管點亮信號φIa自時間點c以來已為「L」(-3.3 V)，但由於閘流體L1點亮(發射光)，因此點亮信號線75之電位為-1.5 V，其係藉由自「H」(0 V)減去擴散電位Vd(-1.5 V)而獲得，「H」(0 V)為陽極端子之電位。因此，發光閘流體L3不被導通。

緊跟在時間點i之後，轉印閘流體T2處於ON狀態下，且發光閘流體L1處於ON狀態下且點亮(發射光)。

<發光陣列單元S-B1>

根據表1，當選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)時，閘極端子G12之電位變成「H」(0 V)。接著，發光閘流體L2之臨界電壓增加至-1.5 V。

由於點亮信號φIb自時間點h以來已為「L」(-3.3 V)，因此發光閘流體L2被導通且點亮(發射光)。接著，點亮信號線75之電位變成-1.5 V，其係藉由自「H」(0 V)減去擴散電位Vd(-1.5 V)而獲得，「H」(0 V)為陽極端子之電位。

此狀態與時間點d處之狀態相同，在該狀態下發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1被導通且點亮(發射光)。

緊跟在時間點i之後，轉印閘流體T2處於ON狀態下，且發光閘流體L2處於ON狀態下且點亮(發射光)。

換言之，在時間點i處，形成發光陣列單元類別#1之各別發光陣列單元S-A1及S-B1的發光閘流體L1並行地點亮。

(10)時間點j

在時間點j處，共同地發送至發光陣列單元類別#1中之發光陣列單元S-A1及S-B1的選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。此狀態與時間點d處之狀態類似。

具體而言，在發光陣列單元S-A1及S-B1中，轉印閘流體T及發光閘流體L之狀態不改變。在發光陣列單元S-A1中，轉印閘流體T2處於ON狀態下，且發光閘流體L1處於ON狀態下且點亮(發射光)。另一方面，在發光陣列單元S-B1中，轉印閘流體T2處於ON狀態下，且發光閘流體L2處於ON狀態下且點亮(發射光)。

(11)時間點k

在時間點k處，第一轉印信號φ1自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。此狀態與時間點f處之狀態類似。

具體而言，在發光陣列單元S-A1及S-B1中之每一者中，具有-3 V的臨界電壓之轉印閘流體T3被導通。接著，閘極端子Gt3之電位變成「H」(0 V)，閘極端子Gt4之電位變成-1.5 V，且閘極端子Gt5之電位變成-3 V。

然而，在發光陣列單元S-A1中，根據表1，閘極端子G13之電位不自-2.8 V改變，且發光閘流體L3之臨界電壓被維持於-4.3 V。請注意，由於發光閘流體L1處於ON狀態下，因此點亮信號線75之電位被維持於-1.5 V。

另一方面，在發光陣列單元S-B1中，根據表1，閘極端子Gl4之電位變成-2.8 V，且發光閘流體L3之臨界電壓變成-4.3V。請注意，由於發光閘流體L2處於ON狀態下，因此點亮信號線75之電位被維持於-1.5 V。

(12)時間點1

在時間點1處，第二轉印信號φ2自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。此狀態與時間點g處之狀態類似。

具體而言，在發光陣列單元S-A1及S-B1中，轉印閘流體T2之陽極端子及陰極端子均變成「H」(0V)，且轉印閘流體T2被斷開。藉此，轉印閘流體T2之閘極端子Gt2的電位自「H」(0V)朝著「L」(-3.3V)改變。

因此，閘極端子Gt3之電位為「H」(0V)不再影響閘極端子Gt2。

亦在時間點1處，由於點亮信號φIa為「L」(-3.3V)，因此發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1維持其ON狀態且點亮(發射光)。

類似地，由於點亮信號φIb為「L」(-3.3 V)，因此發光陣列單元S-B1之發光閘流體L2維持其ON狀態且點亮(發射光)。

(13)時間點m

在時間點m處，發送至發光陣列單元群組#a之點亮信號φIa自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。

<發光陣列單元S-A1>

由於發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1的陽極端子及陰極端子之電位均變成「H」(0 V)，因此該發光閘流體L1被斷開且不發光。

換言之，發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1的點亮時段介於選擇信號φW1(φW)自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)的時間點d與點亮信號φIa自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)的時間點m之間。

緊跟在時間點m之後，轉印閘流體T3處於ON狀態下。

<發光陣列單元S-B1>

在發光陣列單元群組#b中，無信號改變，且因此維持時間點1處之狀態。

(14)時間點n

在時間點n處，發送至發光陣列單元群組#a之點亮信號φIa再次自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

<發光陣列單元S-A1>

在其中對發光陣列單元群組#a之發光閘流體L1進行光控制的時段Ta(1)結束，且在其中對發光閘流體L3進行光控制的時段Ta(2)開始。時段Ta(2)為時段Ta(1)之重複，且因此此處不作詳細描述。

<發光陣列單元S-B1>

在發光陣列單元群組#b中，無信號改變，且因此維持時間點1處之狀態。

(15)時間點o

在時間點o處，發送至發光陣列單元群組#b之點亮信號φIb自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。

<發光陣列單元S-A1>

在發光陣列單元群組#a中，無信號改變，且因此維持先前狀態。

<發光陣列單元S-B1>

由於發光陣列單元S-B1之發光閘流體L2的陽極端子及陰極端子之電位均變成「H」(0 V)，因此該發光閘流體L2被斷開且不發光。

換言之，發光陣列單元S-B1之發光閘流體L2的點亮時段介於選擇信號φW1(φW)自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)的時間點i與點亮信號φIb自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)的時間點o之間。

緊跟在時間點o之後，轉印閘流體T3處於ON狀態下。

(16)時間點p

在時間點p處，發送至發光陣列單元群組#b之點亮信號φIb再次自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

<發光陣列單元S-A1>

在發光陣列單元群組#a中，無信號改變，且因此維持先前狀態。

<發光陣列單元S-B1>

在其中對發光陣列單元群組#b之發光閘流體L2進行光控制的時段Tb(1)結束，且在其中對發光閘流體L4進行光控制的時段Tb(2)開始。時段Tb(2)為時段Tb(1)之重複，且因此此處不作詳細描述。

請注意，若在發光陣列單元S-A或S-B中選擇信號φW1不自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)而是維持於「L」(-3.3 V)，則發光閘流體L可維持為不點亮(維持不發光)。舉例而言，在發光陣列單元S-A2中，選擇信號φW2在時段Ta(1)中之時間點d處維持於「L」(-3.3 V)。藉此，甚至當發光陣列單元S-A2之閘極端子Gt1為「H」(0 V)時，發光閘流體L1之閘極端子Gl1的電位仍維持於-2.8 V，且臨界電壓變成-4.3 V。因此，甚至當發送至發光陣列單元S-A2之點亮信號φIa自時間點c以來已為「L」(-3.3 V)時，發光閘流體L1仍不被導通且維持其不點亮(不發光)狀態。

如早先所描述，發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)之閘流體L之點亮時段介於發送至φW端子之選擇信號φW(φW1至φW20)自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)的時間點與點亮信號φI(φIa、φIb)自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)的時間點之間。

因此，可考慮發光閘流體L之發光強度來設定用於使光導鼓12曝露於光下的點亮時段。具體而言，可基於發光閘流體L中之每一者的校正值來設定點亮開始時間點，該校正值係根據發光閘流體L之發光強度而計算出且在(例如)提供給影像輸出控制器30或信號產生電路110之非揮發性記憶體中累積。以此方式，可針對發光閘流體L中之每一者來校正光量(可執行光量校正)，且因此可形成光導鼓12間之曝光量的差異(由於發光閘流體L)所減少之影像。

在第一例示性具體例中，使用點亮信號φI(φIa及φIb)與選擇信號φW(φW1至φW20)之組合允許藉由不重複地選擇發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)且針對發光閘流體L中之每一者設定點亮開始時間點來針對發光閘流體L中之每一者設定點亮時段。

舉例而言，在圖9中，發光陣列單元類別#3中之發光陣列單元S-A3之發光閘流體L1的點亮開始時間點被設定成具有自發光陣列單元類別#1中之發光陣列單元S-A1之發光閘流體L1的點亮開始時間點d的延遲。

如迄今所描述，在第一例示性具體例中，藉由使轉印閘流體T順序地進入ON狀態來將雙輸入AND電路AND1之電位Gt(X)設定至「H」(0 V)。接著，其經組態以使得當φW(Y)變成「H」(0 V)時，閘極端子Gl變成「H」(0 V)，且發光閘流體L之臨界電壓變成-1.5 V。

藉由當一個轉印閘流體T處於ON狀態下時使選擇信號φW為「H」(0 V)，由該處於ON狀態下之轉印閘流體T所設定之發光閘流體L被導通且點亮(發射光)。

不具備發光陣列單元S-A中的發光閘流體L的某些數目之轉印閘流體T具備發光陣列單元S-B中的發光閘流體L。另外，不具備發光陣列單元S-B中的發光閘流體L的某些數目之轉印閘流體T具備發光陣列單元S-A中的發光閘流體L。換言之，發光陣列單元S-A與發光陣列單元S-B彼此互補。因此，發光陣列單元S-A之發光閘流體L與發光陣列單元S-B之發光閘流體L並行地點亮(發射光)。

另外，在第一例示性具體例中，在點亮信號φIa自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)之後，選擇信號φW1(φW)自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)。或者，在選擇信號φW1(φW)自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)之後，點亮信號φIa可自「H」(0 V)轉變至「L」(-3.3 V)。

接著，將第一轉印信號φ1共同地發送至發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)，且將第二轉印信號φ2共同地發送至發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)，以並行地驅動該等發光陣列單元。另外，將點亮信號φI(φIa及φIb)共同地發送至發光陣列單元群組#a及#b中之每一者。

在第一例示性具體例中，因為使用點亮信號φI(φIa及φIb)與選擇信號φW(φW1至φW20)之組合用來在發光陣列單元S-A(發光陣列單元S-A1至S-A20)及發光陣列單元S-B(發光陣列單元S-B1至S-B20)間進行選擇，所以減少提供給電路板62之佈線的數目。

(第二例示性具體例)

在第二例示性具體例中，第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A及S-B形成一個發光陣列單元S。具體而言，第二例示性具體例中之發光陣列單元S包括兩個自掃描發光裝置陣列(SLED)。在第一例示性具體例中，使用兩種類型之陣列(發光陣列單元S-A及S-B)。然而，在第二例示性具體例中，使用一種類型之陣列，即，發光陣列單元S。發光陣列單元S可為發光晶片。下文將發光陣列單元S描述為發光晶片。

圖10A及10B為展示第二例示性具體例中的發光陣列單元S之組態、發光裝置65之信號產生電路110的組態及電路板62上之佈線組態的圖。圖10A展示發光陣列單元S之組態，且圖10B展示發光裝置65之信號產生電路110的組態及電路板62上之佈線組態。在第二例示性具體例中，使用四十個發光陣列單元S，且配置二十個發光陣列單元Sa1至Sa20及二十個發光陣列單元Sb1至Sb20。當彼此間不作區分時，發光陣列單元Sa1至Sa20被稱作發光陣列單元Sa。同樣，當彼此間不作區分時，發光陣列單元Sb1至Sb20被稱作發光陣列單元Sb。另外，當彼此間不作區分時，發光陣列單元Sa及發光陣列單元Sb被稱作發光陣列單元S。

首先，描述圖10A中所展示之發光陣列單元S的組態。在下文中，描述與第一例示性具體例中所描述之發光陣列單元S-A及S-B的差異，且相同組態由相同元件符號表示且不作詳細描述。

發光陣列單元S在基板80之兩個末端部分處在長邊方向上包括輸入端子(Vga端子、φ2端子、φW端子、φIl端子、φ1端子及φIr端子)。此等輸入端子為用於讀取各種控制信號及其類似者之結合墊。第一例示性具體例中所描述之發光陣列單元S-A及S-B中之每一者的φI端子被分成φIl端子及φIr端子(見稍後將描述之圖11)。此等輸入端子被配置如下。具體而言，Vga端子、φ2端子、φW端子及φIl端子自基板80之一個末端部分按此次序配置，且φIr端子及φ1端子自基板80之另一末端按此次序配置。接著，將發光元件陣列102設置於φIl端子與φ1端子之間。

接下來，使用圖10B，描述發光裝置65之信號產生電路110之組態及電路板62上之佈線組態。

如早先所描述，發光裝置65之電路板62具有信號產生電路110、發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20。提供佈線以將信號產生電路110連接至發光陣列單元Sa1至Sa20且連接至發光陣列單元Sb1至Sb20。

首先，描述信號產生電路110之組態。在下文中，描述與第一例示性具體例中所描述之發光陣列單元S-A及S-B的差異，且相同組態由相同元件符號表示且不作詳細描述。

信號產生電路110包括轉印信號產生部120，轉印信號產生部120基於各種控制信號將第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2發送至發光陣列單元Sa1至Sa20且發送至發光陣列單元Sb1至Sb20。

另外，信號產生電路110包括點亮信號產生部1401及點亮信號產生部140r。基於各種控制信號，點亮信號產生部1401將點亮信號φI1發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20，且點亮信號產生部140r將點亮信號φIr發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20。

此外，信號產生電路110包括選擇信號產生部150a及選擇信號產生部150b。基於各種控制信號，選擇信號產生部150a將選擇信號φWa1至φWa20發送至各別發光陣列單元Sa1至Sa20，且選擇信號產生部150b將選擇信號φWb1至φWb20發送至各別發光陣列單元Sb1至Sb20。

換言之，在第二例示性具體例中，發光陣列單元S中所包括之兩個自掃描發光裝置陣列(SLED)(見稍後將描述之圖11中的SLED-1及SLED-r)形成一對。

儘管在圖10B中分開展示，但點亮信號產生部1401及點亮信號產生部140r統稱作點亮信號產生部140。此外，當彼此間不作區分時，點亮信號φI1及點亮信號φIr被稱作點亮信號φI。另外，儘管在圖10B中分開展示，但選擇信號產生部150a及選擇信號產生部150b統稱作選擇信號產生部150。此外，當彼此間不作區分時，選擇信號φWa1至φWa20被稱作選擇信號φWa，且當彼此間不作區分時，選擇信號φWb1至φWb20被稱作選擇信號φWb。選擇信號φWa及選擇信號φWb統稱作選擇信號φW。

發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20之配置與第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20之配置相同。

給予對將信號產生電路110連接至發光陣列單元Sa1至Sa20且連接至發光陣列單元Sb1至Sb20之佈線的描述。

電路板62具備點亮信號線204a，以用於將點亮信號φI1自信號產生電路110之點亮信號產生部1401發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20之φI1端子。經由針對各別發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20提供之限流電阻器RI而將點亮信號φI1共同地(並行地)發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20。

同樣，電路板62具備點亮信號線204b，以用於將點亮信號φIr自信號產生電路110之點亮信號產生部140r發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20之φI端子。經由針對各別發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20所提供之限流電阻器RI而將點亮信號φIr共同地(並行地)發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20。

此外，電路板62具備選擇信號線205a至224a，經由該等選擇信號線205a至224a將選擇信號φWa1至φWa20自信號產生電路110之選擇信號產生部150a發送至各別發光陣列單元Sa1至Sa20。另外，電路板62具備選擇信號線205b至224b，經由該等選擇信號線205b至224b將選擇信號φWb1至φWb20自信號產生電路110之選擇信號產生部150b發送至各別發光陣列單元Sb1至Sb20。

如早先所描述，電路板62上之所有發光陣列單元Sa及Sb共同地供應有參考電位Vsub及電力供應電位Vga。同樣，電路板62上之所有發光陣列單元Sa及Sb共同地供應有第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2。

將點亮信號φI1及φIr共同地發送至所有發光陣列單元Sa及Sb。

將選擇信號φWa1至φWa20發送至各別發光陣列單元Sa1至Sa20，且將選擇信號φWb1至φWb20發送至各別發光陣列單元Sb1至Sb20。

此處，描述佈線之數目。

若不使用第二例示性具體例，則將兩個點亮信號φI發送至發光陣列單元Sa1至Sa20及Sb1至Sb20中之每一者；因此，需要八十個點亮信號線204(對應於圖10B中之點亮信號線204a及204b)。另外，需要第一轉印信號線201、第二轉印信號線202及電力供應線200a及200b。因此，提供給發光裝置65之佈線的數目為八十四。

此外，由於經由點亮信號線204發送用於點亮發光元件之電流，因此點亮信號線204需要具有小電阻。因此，點亮信號線204需要寬佈線。為此，若不使用第二例示性具體例，則在發光裝置65之電路板62上設置許多寬佈線，此增加了電路板62之面積。

在第二例示性具體例中，如圖10B所展示，除了第一轉印信號線201、第二轉印信號線202及電力供應線200a及200b之外，亦需要對應於選擇信號φWa1至φWa20之選擇信號線205a至224a及對應於選擇信號φWb1至φWb20之選擇信號線205b至224b。因此，在第二例示性具體例中，佈線之數目為四十六。

第二例示性具體例中之佈線的數目為不使用第二例示性具體例之情況下的佈線數目之約1/2。

此外，在第二例示性具體例中，用於發送用於點亮發光元件之電流的寬佈線之數目減少至2，即，點亮信號線204a及204b。由於大電流不流經選擇信號線205a至224a及205b至224b，因此選擇信號線205a至224a及205b至224b不需要寬佈線。為此，第二例示性具體例不需要在電路板62上設置許多寬佈線，此防止電路板62之面積的增加。

圖11為用於說明第二例示性具體例中之發光陣列單元S之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S為自掃描發光裝置陣列(SLED)。發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20中之每一者具有與發光陣列單元S相同之組態。

藉由將第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A及S-B配置在單個基板80上而組態發光陣列單元S。在圖11中，左邊之SLED-l為對應於發光陣列單元S-A之部分，且右邊之SLED-r為對應於發光陣列單元S-B之部分。

如同圖6中所展示之發光陣列單元S-A，發光陣列單元S具有自圖11之左邊按數字次序配置的轉印閘流體Tl1、Tl2、Tl3、……及發光閘流體Ll1、Ll3、……。儘管此處未給予詳細描述，但按與圖6中所展示之發光陣列單元S-A類似的方式來配置其他元件。此等元件形成SLED-l。

類似地，如同圖7中所展示之發光陣列單元S-B，轉印閘流體Tr1、Tr2、Tr3、……及發光閘流體Lr2、Lr4、……自圖11之右邊按數字次序配置。儘管此處未給予詳細描述，但按與圖7中所展示之發光陣列單元S-B類似的方式來配置其他元件。此等元件形成SLED-r。

下文中，當彼此間不作區分時，轉印閘流體Tl1、Tl2、Tl3、……及轉印閘流體Tr1、Tr2、Tr3、……被稱作轉印閘流體T。同樣，當彼此間不作區分時，發光閘流體Ll1、Ll3、……及發光閘流體Ll2、Ll4、……被稱作發光閘流體L。

請注意，SLED-l及SLED-r中之每一者中的發光閘流體L之數目可為任何預定數目，諸如128。

SLED-l中的奇數編號之轉印閘流體Tl1、Tl3、Tl5、……之陰極端子連接至第一轉印信號線721，且經由限流電阻器Rl1連接至圖11之右邊緣上展示之φ1端子。SLED-l中的偶數編號之轉印閘流體Tl2、Tl4、Tl6、……之陰極端子連接至第二轉印信號線731，且經由限流電阻器Rl2連接至圖11之左邊緣上展示之φ2端子。

SLED-l之開始二極體Dxl0之陽極端子連接至第二轉印信號線731，且其陰極端子連接至轉印閘流體Tl1之閘極端子(不具有元件符號)。

另一方面，SLED-r中的奇數編號之轉印閘流體Tr1、Tr3、Tr5、……之陰極端子連接至第一轉印信號線72r，且經由限流電阻器Rr1連接至圖11之右邊緣上展示之φ1端子。

SLED-r中的偶數編號之轉印閘流體Tr2、Tr4、Tr6、……之陰極端子連接至第二轉印信號線73r，且經由限流電阻器Rr2連接至圖11之左邊緣上展示之φ2端子。

SLED-r之開始二極體Dxr0之陽極端子連接至第二轉印信號線73r，且其陰極端子連接至轉印閘流體Tr1之閘極端子(不具有元件符號)。

將第一轉印信號φ1發送至φ1端子，且將第二轉印信號φ2發送至φ2端子。換言之，將第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2共同地發送至SLED-l且發送至SLED-r。

SLED-l之肖特基寫入二極體SDwl1、SDwl3……之陰極端子及SLED-r之肖特基寫入二極體SDwr2、SDwr4、……之陰極端子連接至選擇信號線74。選擇信號線74連接至圖11之左邊緣上展示之φW端子，其為控制端子之實施例。

將選擇信號φWa1至φWa20或φWb1至φWb20中之任一者發送至φW端子。

SLED-l之發光閘流體Ll1、Ll3、……之陰極端子連接至點亮信號線75l。點亮信號線75l連接至圖11之左邊緣上展示之φIl端子。SLED-r之發光閘流體Lr2、Lr4、……之陰極端子連接至點亮信號線75r。點亮信號線75r連接至圖11之右邊緣上展示之φIr端子。將點亮信號φIl發送至φIl端子，且將點亮信號φIr發送至φIr端子。

圖12為用於說明第二例示性具體例中之發光裝置65及發光陣列單元S之操作的時序圖。圖12展示說明發光陣列單元Sa1之SLED-l及SLED-r的操作及發光陣列單元Sb1之SLED-l及SLED-r的操作的時序圖。

此處，在發光陣列單元Sa1中，在SLED-l中發光閘流體Ll1、Ll3、Ll5及Ll7將被點亮，且在SLED-r中發光閘流體Lr2、Lr4、Lr6及Lr8將被點亮。

在發光陣列單元Sb1中，在SLED-l中發光閘流體Ll3、Ll5及Ll7將被點亮，且在SLED-r中發光閘流體Lr2、Lr6及Lr8將被點亮。

在第二例示性具體例中，發光陣列單元S被形成於單個基板80上，其中第一例示性具體例之發光陣列單元S-A及S-B分別作為SLED-l及SLED-r。此外，在第二例示性具體例中，每一發光陣列單元S之SLED-l及SLED-r形成第一例示性具體例中之發光陣列單元類別。因此，在第二例示性具體例中，存在四十個發光陣列單元對。

第二例示性具體例之每一發光陣列單元S的SLED-l對應於第一例示性具體例之發光陣列單元群組#a，且第二例示性具體例之每一發光陣列單元S的SLED-r對應於第一例示性具體例之發光陣列單元群組#b。

為此，在圖12中，圖9中之點亮信號φIa及φIb分別用點亮信號φIl及φIr來替換，且圖9中之發光陣列單元S-A及S-B分別用SLED-l及SLED-r來替換。因此，自針對第一例示性具體例而給予之描述可理解第二例示性具體例之發光裝置65及發光陣列單元S的操作。因此此處不給予詳細描述。

(第三例示性具體例)

在第三例示性具體例中，設置三個發光陣列單元群組(#a、#b及#c)。

圖13為展示配置成矩陣元素的在第三例示性具體例中之發光裝置65的電路板62上之發光陣列單元S-A1至S-A20、S-B1至S-B20及S-C1至S-C20的圖。此處，當彼此間不作區分時，發光陣列單元S-A1至S-A20、發光陣列單元S-B1至S-B20及發光陣列單元S-C1至S-C20分別被稱作發光陣列單元S-A、S-B及S-C。

存在二十個發光陣列單元S-A、二十個發光陣列單元S-B及二十個發光陣列單元S-C。發光陣列單元群組#a包括發光陣列單元S-A1至S-A20，發光陣列單元群組#b包括發光陣列單元S-B1至S-B20，且發光陣列單元群組#c包括發光陣列單元S-C1至S-C20。

因此，將用於將點亮信號φIc發送至發光陣列單元群組#c之點亮信號產生部140c另外設置於第一例示性具體例之信號產生電路110中。其他組態與第一例示性具體例之組態相同，且因此此處不作描述。

發光陣列單元類別#1由發光陣列單元S-A1、S-B1及S-C1形成。發光陣列單元類別#2由發光陣列單元S-A2、S-B2及S-C2形成。針對剩餘之對以相同方式，發光陣列單元類別#20由發光陣列單元S-A20、S-B20及S-C20形成。換言之，存在二十個發光陣列單元對。

此處，描述佈線之數目。

假設不使用第三例示性具體例且發光裝置65之發光陣列單元S-A、S-B及S-C並不分成發光陣列單元群組。接著，若發光陣列單元S-A、S-B及S-C之總數為六十，則因為將點亮信號φI發送至發光陣列單元S-A、S-B及S-C中之每一者，因此需要六十個點亮信號線204(對應於圖4C中之點亮信號線204a及204b)。另外，需要第一轉印信號線201、第二轉印信號線202及電力供應線200a及200b。因此，提供給發光裝置65之佈線的數目為六十四。

此外，由於經由點亮信號線204發送用於點亮發光元件之電流，因此點亮信號線204需要具有小電阻。因此，點亮信號線204需要寬佈線。為此，若不使用第三例示性具體例，則在發光裝置65之電路板62上設置許多寬佈線，此增加了電路板62之面積。

在第三例示性具體例中，如圖13中所展示，存在三個發光陣列單元群組。因此，需要三個點亮信號線，即，除了圖4C中所展示之點亮信號線204a及204b外，亦存在點亮信號線204c。另外，如同第一例示性具體例，需要第一轉印信號線201、第二轉印信號線202、電力供應線200a及200b，及選擇信號線205至224。因此，在第三例示性具體例中，佈線之數目為二十七。

請注意，若如同第一例示性具體例，發光陣列單元群組之數目為二，則需要三十個選擇信號線(對應於圖13中之205至224)。因此，若發光陣列單元群組之數目為二，則需要三十六個佈線。

在第三例示性具體例中，佈線之數目為不使用第三例示性具體例之情況下的佈線數目之約1/2。另外，具有三個發光陣列單元群組之情況下的佈線之數目為具有兩個發光陣列單元群組之情況下的佈線數目的3/4。

此外，在第三例示性具體例中，用於發送用於點亮發光元件之電流的寬佈線之數目減少至三個點亮信號線204a、204b及204c。由於大電流並不流經選擇信號線205至224。因此選擇信號線205至224不需要寬佈線。為此，第三例示性具體例不需要在電路板62上設置許多寬佈線，此防止電路板62之面積的增加。

第一例示性具體例使用具有不同組態之發光陣列單元S-A及S-B。第三例示性具體例使用具有不同組態的三種類型之發光陣列單元，即，發光陣列單元S-A、S-B及S-C。

圖14為用於說明第三例示性具體例中之發光陣列單元S-A之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-A為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元S-A1以作為實施例來描述發光陣列單元S-A。在圖14中，發光陣列單元S-A因此被稱作發光陣列單元S-A1(S-A)。

如圖6中所展示，在第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A中，針對各別第(2n-1)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對各別奇數編號之轉印閘流體T提供發光閘流體L。相對比地，如圖14中所展示，在第三例示性具體例中之發光陣列單元S-A中，針對各別第(3n-2)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對每三個轉印閘流體T提供發光閘流體L。與圖6及7中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

請注意，在發光陣列單元S-A1中，將選擇信號φW1發送至φW端子(其為控制端子之實施例)，且將點亮信號φIa發送至φI端子。

圖15為用於說明第三例示性具體例中之發光陣列單元S-B之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-B為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元S-B1以作為實施例來描述發光陣列單元S-B。在圖15中，發光陣列單元S-B因此被稱作發光陣列單元S-B1(S-B)。

如圖7中所展示，在第一例示性具體例中之發光陣列單元S-B中，針對各別第(2n)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對各別偶數編號之轉印閘流體T提供發光閘流體L。相對比地，如圖15中所展示，在第三例示性具體例中之發光陣列單元S-B中，針對各別第(3n-1)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對每三個轉印閘流體T提供發光閘流體L。與圖6及7中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

請注意，在發光陣列單元S-B1中，將選擇信號φW1發送至φW端子(其為控制端子之實施例)，且將點亮信號φIb發送至φI端子。

圖16為用於說明第三例示性具體例中之發光陣列單元S-C之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-C為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元S-C1以作為實施例來描述發光陣列單元S-C。在圖16中，發光陣列單元S-C因此被稱作發光陣列單元S-C1(S-C)。

如圖16中所展示，在第三例示性具體例中之發光陣列單元S-C中，針對各別第(3n)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對每三個轉印閘流體T提供發光閘流體L。與圖6及7中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

請注意，在發光陣列單元S-C1中，將選擇信號φW1發送至φW端子(其為控制端子之實施例)，且將點亮信號φIc發送至φI端子。

圖17為用於說明第三例示性具體例中之發光裝置65及發光陣列單元S-A、S-B及S-C之操作的時序圖。時間點a至u與圖9中之時間點a至u相同。另外，時間點α設置於時間點n與時間點o之間。

將點亮信號φIc及發光陣列單元S-C1及S-C2加入至圖9中所展示之第一例示性具體例的時序圖中。

時段Ta(1)係自時間點c至時間點p，且因此長於圖9中所展示之第一例示性具體例的時段Ta(1)。對於其他時段，相同情況成立。此係因為在第三例示性具體例中在一個時段T中三個轉印閘流體T被順序地導通。

各別點亮信號φIa、φIb及φIc之信號波形在時間軸上自彼此移位了時段T之1/3。

在轉印閘流體T間僅轉印閘流體T3處於ON狀態下的時間點α處，當選擇信號φW1自「L」(-3.3 V)轉變至「H」(0 V)時，發光陣列單元S-C1之發光閘流體L3被導通且點亮(發射光)。

自針對第一例示性具體例而給予之描述可理解第三例示性具體例之發光裝置65及發光陣列單元S的操作。因此此處不給予詳細描述。

請注意，儘管在第三例示性具體例中設置了三個發光陣列單元群組，但亦可設置更多之發光陣列單元群組。

(第四例示性具體例)

在第一例示性具體例中，將點亮信號φIa發送至發光陣列單元群組#a中之發光陣列單元S-A1至S-A20，且將點亮信號φIb發送至發光陣列單元群組#b中之發光陣列單元S-B1至S-B20。在第四例示性具體例中，發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20各自包括點亮信號φIa及φIb分別所發送至之φI1端子及φI2端子。

圖18A至18C為展示第四例示性具體例中的發光陣列單元S-A及S-B之組態、發光裝置65之信號產生電路110的組態及電路板62上之佈線組態的圖。具體而言，圖18A展示發光陣列單元S-A之組態，且圖18B展示發光陣列單元S-B之組態。圖18C展示發光裝置65之信號產生電路110之組態及電路板62上之佈線組態。在第四例示性具體例中，發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20配置在電路板62上。

給予對圖18A中所展示之發光陣列單元S-A的組態及圖18B中所展示之發光陣列單元S-B的組態的描述。請注意，與圖4A及4B中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

發光陣列單元S-A及S-B各自在基板80之兩個末端部分處在長邊方向上包括多個輸入端子(Vga端子、φ2端子、φW端子、φI1端子、φ1端子及φI2端子)。此等輸入端子為用於讀取各種控制信號及其類似者之結合墊。此等輸入端子以某方式配置，以使得Vga端子、φ2端子、φW端子及φI1端子自基板80之一個末端部分按此次序配置，且φI2端子及φ1端子自基板80之另一末端按此次序配置。發光元件陣列102設置於φI1端子與φ1端子之間。

如圖18A及18B所展示，發光陣列單元S-A及發光陣列單元S-B具有外形及組態相同之輸入端子。然而，如圖20及21稍後將展示，發光陣列單元S-A及S-B具有不同之電路組態。

接下來，使用圖18C，描述發光裝置65之信號產生電路110之組態及電路板62上之佈線組態。

信號產生電路110之組態與第一例示性具體例的信號產生電路110之組態相同，且因此不作詳細描述。

在電路板62上，用於發送來自點亮信號產生部140a之點亮信號φIa的點亮信號線204a連接至發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20的φI1端子。因此，將點亮信號φIa共同地發送至所有發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20。

同樣，用於發送來自點亮信號產生部140b之點亮信號φIb的點亮信號線204b連接至發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20中之每一者的φI2端子。因此，將點亮信號φIb共同地發送至所有發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20。

圖19為展示配置成矩陣元素的在第四例示性具體例中之發光裝置65的電路板62上之發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20的圖。在圖5中所展示之第一例示性具體例中，將點亮信號φIa發送至發光陣列單元S-A1至S-A20，且將點亮信號φIb發送至發光陣列單元S-B1至S-B20。然而，在第四例示性具體例中，將點亮信號φIa及φIb共同地發送至發光陣列單元S-A1至S-A20及發光陣列單元S-B1至S-B20。

第四例示性具體例中的佈線之數目與第一例示性具體例中的佈線數目相同。

圖20為用於說明第四例示性具體例中之發光陣列單元S-A之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-A為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元S-A1以作為實施例來描述發光陣列單元S-A。在圖20中，發光陣列單元S-A因此被稱作發光陣列單元S-A1(S-A)。

如圖6中所展示，在第一例示性具體例中之發光陣列單元S-A中，針對各別第(2n-1)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對各別奇數編號之轉印閘流體T提供發光閘流體L。相對比地，如圖20中所展示，在第四例示性具體例之發光陣列單元S-A中，針對其編號與4相除餘0或1的轉印閘流體T提供發光閘流體L。具體而言，針對轉印閘流體T1提供發光閘流體L1，且針對轉印閘流體T4提供發光閘流體L4。此外，針對轉印閘流體T5提供發光閘流體L5，且針對轉印閘流體T8提供發光閘流體L8。換言之，在四個相鄰之轉印閘流體T間，針對最左之轉印閘流體T及針對最右之轉印閘流體T提供發光閘流體L。儘管下文未給予詳細描述，但對於第九個及第九以上之閘流體，相同情況成立。

在四個相鄰之轉印閘流體T間，最左之轉印閘流體T的陰極端子連接至點亮信號線75a，且最右之轉印閘流體T的陰極端子連接至點亮信號線75b。點亮信號線75a連接至點亮信號φIa所發送至之端子φI1。點亮信號線75b連接至點亮信號φIb所發送至之端子φI2。

其他組態與第一例示性具體例中之組態相同。因此，與圖6及7中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

圖21為用於說明第四例示性具體例中之發光陣列單元S-B之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S-B為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元S-B1以作為實施例來描述發光陣列單元S-B。在圖21中，發光陣列單元S-B因此被稱作發光陣列單元S-B1(S-B)。

如圖7中所展示，在第一例示性具體例中之發光陣列單元S-B中，針對各別第2n個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對各別偶數編號之轉印閘流體T提供發光閘流體L。相對比地，如圖21中所展示，在第四例示性具體例之發光陣列單元S-B中，針對其編號與4相除餘2或3的轉印閘流體T提供發光閘流體L。具體而言，針對轉印閘流體T2提供發光閘流體L2，且針對轉印閘流體T3提供發光閘流體L3。此外，針對轉印閘流體T6提供發光閘流體L6，且針對轉印閘流體T7提供發光閘流體L7。換言之，在四個相鄰之轉印閘流體T間，針對中間之兩個轉印閘流體T(即，自左邊起第二個及第三個轉印閘流體T)提供發光閘流體L。儘管下文未給予詳細描述，但對於第九個及第九以上之閘流體，相同情況成立。

在四個相鄰之轉印閘流體T間，自左邊起第二個轉印閘流體T的陰極端子連接至點亮信號線75b，且自左邊起第三個轉印閘流體T的陰極端子連接至點亮信號線75a。

其他組態與第一例示性具體例中之組態相同。因此，與圖6及7中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

在第四例示性具體例中，發光陣列單元S-A中的陰極端子連接至點亮信號φI1的發光閘流體L1、L5、……及發光陣列單元S-B中的陰極端子連接至點亮信號φI1的發光閘流體L3、L7、……屬於發光陣列單元群組#a。發光陣列單元S-A中的陰極端子連接至點亮信號φI2的發光閘流體L4、L8、……及發光陣列單元S-B中的陰極端子連接至點亮信號φI2的發光閘流體L2、L6、……屬於發光陣列單元群組#b。接著，發光陣列單元類別#1由屬於發光陣列單元群組#a的在發光陣列單元S-A中之發光閘流體L1、L5、……及在發光陣列單元S-B中之發光閘流體L3、L7、……以及屬於發光陣列單元群組#b的在發光陣列單元S-A中之發光閘流體L4、L8、……及在發光陣列單元S-B中之發光閘流體L2、L6、……形成。

對於其他發光陣列單元類別#2至#20，相同情況成立。

第四例示性具體例中之發光裝置65及發光陣列單元S-A及S-B根據圖9中所展示的第一例示性具體例之時序圖來操作。因此，不給予詳細描述。

請注意，如同第二例示性具體例，第四例示性具體例之發光陣列單元S-A及S-B可形成於單個基板80上，以使得發光陣列單元包括兩個自掃描發光裝置陣列(SLED)。

(第五例示性具體例)

第四例示性具體例使用具有不同電路組態的兩種類型之發光陣列單元，即，發光陣列單元S-A及S-B。第五例示性具體例使用一種類型之發光陣列，即，發光陣列單元S。

圖22A及圖22B為展示第五例示性具體例中的發光陣列單元S之組態、發光裝置65之信號產生電路110的組態及電路板62上之佈線組態的圖。圖22A展示發光陣列單元S之組態，且圖22B展示發光裝置65之信號產生電路110的組態及電路板62上之佈線組態。

圖22A中所展示之發光陣列單元S的組態為圖10A中所展示的第二例示性具體例中之發光陣列單元S的φIl端子及φIr端子分別由φI1端子及φI2端子替換的組態。

如同第二例示性具體例，二十個發光陣列單元Sa1至Sa20及二十個發光陣列單元Sb1至Sb20配置於圖22B中所展示之電路板62上。

信號產生電路110之組態為圖10B中所展示之第二例示性具體例的信號產生電路110中之點亮信號產生部1401、點亮信號φIl、點亮信號產生部140r及點亮信號φIr分別由點亮信號產生部140a、點亮信號φIa、點亮信號產生部140b及點亮信號φIb替換的組態。電路板62上之佈線組態與圖10B中所展示之第二例示性具體例的佈線組態相同。

第四例示性具體例使用兩種類型之發光陣列單元S-A及S-B。第五例示性具體例僅使用一種類型之發光陣列，即，發光陣列單元S。

因此，第五例示性具體例中的佈線之數目與第一及第四例示性具體例中的佈線數目相同。

圖23為用於說明第五例示性具體例中之發光陣列單元S之電路組態的等效電路圖。發光陣列單元S為自掃描發光裝置陣列(SLED)。此處，採用發光陣列單元Sa1以作為實施例來描述發光陣列單元S。在圖23中，發光陣列單元S因此被稱作發光陣列單元Sa1(S)。

如圖6中所展示，在第一例示性具體例之發光陣列單元S-A中，針對各別第(2n-1)個轉印閘流體T(n為1或更大之整數)提供發光閘流體L。換言之，針對各別奇數編號之轉印閘流體T提供發光閘流體L。相對比地，如圖23中所展示，在第五例示性具體例之發光陣列單元Sa1(S)中，針對所有轉印閘流體T設置發光閘流體L。

奇數編號之轉印閘流體T的陰極端子連接至點亮信號線75a，且偶數編號之轉印閘流體T的陰極端子連接至點亮信號線75b。點亮信號線75a連接至點亮信號φIa所發送至之端子φI1。點亮信號線75b連接至點亮信號φIb所發送至之端子φI2。

與圖6及7中之組態相同的組態由相同元件符號表示，且不作詳細描述。

在第五例示性具體例中，發光陣列單元群組#a及發光陣列單元群組#b分別由發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20的奇數編號之發光閘流體L及偶數編號之發光閘流體L形成。

此外，每一發光陣列單元S中的奇數編號之發光閘流體L及偶數編號之發光閘流體L形成第一例示性具體例中所描述之類別。換言之，發光陣列單元類別#1由發光陣列單元Sa1之發光閘流體L1、L3、L5、……及發光陣列單元Sa1之發光閘流體L2、L4、L6、……形成。因此，可考慮用某方式使得包括形成發光陣列單元類別#1之發光閘流體L1、L3、L5、……的發光陣列單元與包括形成發光陣列單元類別#2之發光閘流體L2、L4、L6、……的發光陣列單元疊置。

對於其他對，相同情況成立。在第一例示性具體例中，存在二十個類別。在第五例示性具體例中，由於一個發光陣列單元S形成一對，因此存在四十個類別。

圖24為用於說明第五例示性具體例中之發光裝置65及發光陣列單元S之操作的時序圖。時間點a至u與圖9中之時間點a至u相同。

請注意，圖24展示用於對發光陣列單元Sa1及Sb1之發光閘流體L1至L8進行光控制的部分。因此，在發光陣列單元Sa1中，所有發光閘流體L1至L8將被點亮。另一方面，在發光陣列單元Sb1中，發光閘流體L2、L3、L5、L6、L7及L8將被點亮，且發光閘流體L1及L4將保持不發光。

發光裝置65以及發光陣列單元Sa1至Sa20及發光陣列單元Sb1至Sb20的操作與第一例示性具體例中之操作相同，且因此不作詳細描述。

在第一至第五例示性具體例中，轉印閘流體T由兩相信號驅動：第一轉印信號φ1及第二轉印信號φ2。或者，可藉由針對每三個轉印閘流體T發送三相信號來驅動轉印閘流體T。類似地，可藉由發送四相(或更多相)信號來驅動轉印閘流體T。

另外，在第一至第五例示性具體例中，將耦接二極體Dx用作第一電部。或者，第一電部中之每一者可為不同之元件，諸如電阻器，此引起其端子中之一者的電位改變以改變端子中之另一者的電位。

此外，將連接電阻器Ra中之每一者用作第二電部。或者，第二電部可為不同之元件，諸如二極體，其引起電位降。

類似地，儘管將肖特基寫入二極體SDw中之每一者用作第三電部，但第三電部可為不同之元件，諸如二極體或電阻器，此引起其端子中之一者的電位改變以改變端子中之另一者的電位。

此外，儘管描述為具有128個發光閘流體L，但發光陣列單元可具有任何數目個發光閘流體L。

另外，形成一發光陣列單元群組之發光陣列單元的數目與形成另一發光陣列單元群組之發光陣列單元的數目在第一至第五例示性具體例中為相同的，但可為不同的。另外，形成發光陣列單元類別之發光陣列單元屬於不同之發光陣列單元群組，但該發光陣列單元類別可包括屬於同一發光陣列單元群組的發光陣列單元。在此種情況下，並行地對屬於同一發光陣列單元群組之發光陣列單元進行光控制。

此外，在第一至第五例示性具體例中，將閘流體(轉印閘流體T及發光閘流體L)描述為具有共同陽極，其中其陽極端子連接至基板80。或者，藉由改變電路之極性，閘流體(轉印閘流體T及發光閘流體L)可具有共同陰極，其中其陰極端子連接至基板80。

已為達成說明及描述之目的而提供本發明之例示性具體例的前述描述。其不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之精確形式。明顯地，熟習此項技術者將顯見許多修改及變化。選擇並描述例示性具體例以便最好地解釋本發明之原理及其實際應用，藉此使其他熟習此項技術者能夠理解本發明之各種具體例，且涵蓋適於實際使用之各種修改。本發明之範疇意欲由以下申請專利範圍及其等效物界定。

1．．．影像形成裝置

2．．．個人電腦

3．．．影像讀取裝置

10．．．影像形成處理單元

11．．．影像形成單元

11C．．．影像形成單元

11K．．．影像形成單元

11M．．．影像形成單元

11Y．．．影像形成單元

12．．．光導鼓

13．．．充電裝置

14．．．列印頭

15．．．顯影裝置

21．．．紙輸送帶

22．．．驅動滾輪

23．．．轉印滾輪

24．．．定影裝置

30．．．影像輸出控制器

40．．．影像處理器

61．．．外殼

62．．．電路板

63．．．發光部

64．．．棒狀透鏡陣列

65．．．發光裝置

71．．．電力供應線

72．．．第一轉印信號線

72l．．．第一轉印信號線

72r．．．第一轉印信號線

73．．．第二轉印信號線

73l．．．第二轉印信號線

73r．．．第二轉印信號線

74．．．選擇信號線

75．．．點亮信號線

75a．．．點亮信號線

75b．．．點亮信號線

75l．．．點亮信號線

75r．．．點亮信號線

80．．．基板

81．．．p型第一半導體層

82．．．n型第二半導體層

83．．．p型第三半導體層

84．．．n型第四半導體層

85．．．背面電極

102．．．發光元件陣列

110．．．信號產生電路

111．．．n型第四半導體層之區

113．．．n型第四半導體層之區

115．．．n型第四半導體層之區

120．．．轉印信號產生部

121．．．n型歐姆電極

123．．．n型歐姆電極

124．．．n型歐姆電極

132．．．p型歐姆電極

133．．．p型歐姆電極

134．．．p型歐姆電極

135．．．p型歐姆電極

140．．．點亮信號產生部

140a．．．點亮信號產生部

140b．．．點亮信號產生部

140c．．．點亮信號產生部

140l．．．點亮信號產生部

140r．．．點亮信號產生部

141．．．第一島狀物

142．．．第二島狀物

143．．．第三島狀物

144．．．第四島狀物

145．．．第五島狀物

146．．．第六島狀物

150．．．選擇信號產生部

150a．．．選擇信號產生部

150b．．．選擇信號產生部

151．．．肖特基電極

200a．．．電力供應線

200b．．．電力供應線

201．．．第一轉印信號線

202．．．第二轉印信號線

204a．．．點亮信號線

204b．．．點亮信號線

204c．．．點亮信號線

205-224．．．選擇信號線

205a-224a．．．選擇信號線

205b-224b．．．選擇信號線

AND1．．．雙輸入AND電路

a-u．．．時間點

Dx0．．．開始二極體

Dx1-Dx8．．．耦接二極體

Dxl0．．．開始二極體

Dxr0．．．開始二極體

Gl1-Gl8．．．閘極端子

Gt1-Gt8．．．閘極端子

L1-L8．．．發光閘流體

Ll1．．．發光閘流體

Ll3．．．發光閘流體

Ll5．．．發光閘流體

Ll7．．．發光閘流體

Lr2．．．發光閘流體

Lr4．．．發光閘流體

Lr6．．．發光閘流體

Lr8．．．發光閘流體

O．．．端子

R1．．．限流電阻器

R2．．．限流電阻器

Ra1-Ra8．．．連接電阻器

Rgx1-Rgx8．．．電力供應線電阻器

RI．．．限流電阻器

Rl1．．．限流電阻器

Rl2．．．限流電阻器

Rr1．．．限流電阻器

Rr2．．．限流電阻器

S．．．發光陣列單元

S-A．．．發光陣列單元

S-A1-S-A20．．．發光陣列單元

Sa1-Sa20．．．發光陣列單元

S-A1(S-A)．．．發光陣列單元

S-B．．．發光陣列單元

S-B1-S-B20．．．發光陣列單元

Sb1-Sb20．．．發光陣列單元

S-B1(S-B)．．．發光陣列單元

S-C1-S-C20．．．發光陣列單元

S-C1(S-C)．．．發光陣列單元

SDw1-SDw8．．．肖特基寫入二極體

SDwl1．．．肖特基寫入二極體

SDwl3．．．肖特基寫入二極體

SDwr2．．．肖特基寫入二極體

SDwr4．．．肖特基寫入二極體

SLED-l．．．自掃描發光裝置陣列

SLED-r．．．自掃描發光裝置陣列

T1-T8．．．轉印閘流體

Ta(1)-Ta(4)．．．時段

Tb(1)-Tb(4)．．．時段

Tl1-Tl6．．．轉印閘流體

Tr1-Tr5．．．轉印閘流體

Vga．．．端子/電力供應電位

Vsub．．．端子/參考電位

X．．．端子

Y．．．端子

#1-#20．．．發光陣列單元類別

#a．．．發光陣列單元群組

#b．．．發光陣列單元群組

#c．．．發光陣列單元群組

φ1．．．端子/第一轉印信號

φ2．．．第二轉印信號

φI．．．端子/點亮信號

φIa．．．點亮信號

φIb．．．點亮信號

φIc．．．點亮信號

φIr．．．端子/點亮信號

φIl．．．端子/點亮信號

φI2．．．端子/點亮信號

φW．．．端子/選擇信號

φW1-φW20．．．選擇信號

φWa1-φWa20．．．選擇信號

φWb1-φWb20．．．選擇信號

將基於以下諸圖來詳細描述本發明之例示性具體例，其中：

圖1為展示應用第一例示性具體例的影像形成裝置之總體組態的實施例的圖；

圖2為展示列印頭之結構的橫剖面圖；

圖3為第一例示性具體例中之發光裝置的俯視圖；

圖4A至4C為展示第一例示性具體例中的發光陣列單元之組態、發光裝置之信號產生電路的組態及電路板上之佈線組態的圖；

圖5為展示配置成矩陣元素的在第一例示性具體例中之發光裝置的電路板上之發光陣列單元的圖；

圖6為用於說明第一例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖7為用於說明第一例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖8A及8B分別為第一例示性具體例中之發光陣列單元的平面佈局圖及橫剖面圖；

圖9為用於說明第一例示性具體例中之發光裝置及發光陣列單元之操作的時序圖；

圖10A及10B為展示第二例示性具體例中的發光陣列單元之組態、發光裝置之信號產生電路的組態及電路板上之佈線組態的圖；

圖11為用於說明第二例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖12為用於說明第二例示性具體例中之發光裝置及發光陣列單元之操作的時序圖；

圖13為展示配置成矩陣元素的在第三例示性具體例中之發光裝置的電路板上之發光陣列單元的圖；

圖14為用於說明第三例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖15為用於說明第三例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖16為用於說明第三例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖17為用於說明第三例示性具體例中之發光裝置及發光陣列單元之操作的時序圖；

圖18A至18C為展示第四例示性具體例中的發光陣列單元之組態、發光裝置之信號產生電路的組態及電路板上之佈線組態的圖；

圖19為展示配置成矩陣元素的在第四例示性具體例中之發光裝置的電路板上之發光陣列單元的圖；

圖20為用於說明第四例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖21為用於說明第四例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；

圖22A及22B為展示第五例示性具體例中的發光陣列單元之組態、發光裝置之信號產生電路的組態及電路板上之佈線組態的圖；

圖23為用於說明第五例示性具體例中之發光陣列單元之電路組態的等效電路圖；及

圖24為用於說明第五例示性具體例中之發光裝置及發光陣列單元之操作的時序圖。

62．．．電路板

63．．．發光部

65．．．發光裝置

80．．．基板

102．．．發光元件陣列

110．．．信號產生電路

120．．．轉印信號產生部

140a．．．點亮信號產生部

140b．．．點亮信號產生部

150．．．選擇信號產生部

200a．．．電力供應線

200b．．．電力供應線

201．．．第一轉印信號線

202．．．第二轉印信號線

204a．．．點亮信號線

204b．．．點亮信號線

205-224．．．選擇信號線

S-A．．．發光陣列單元

S-A1-S-A5．．．發光陣列單元

S-B．．．發光陣列單元

S-B1-S-B5．．．發光陣列單元

Vga．．．端子/電力供應電位

Vsub．．．端子/參考電位

#a．．．發光陣列單元群組

#b．．．發光陣列單元群組

φ1．．．端子/第一轉印信號

φ2．．．第二轉印信號

φI．．．端子/點亮信號

φIa．．．點亮信號

φIb．．．點亮信號

φW．．．端子/選擇信號

φW1-φW20．．．選擇信號

Claims (10)

1. 一種發光裝置，其包含：複數個發光陣列單元，其各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一轉印信號，一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該轉印信號用於順序地將該複數個發光元件設定為點亮或不點亮之一控制目標，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件；一選擇信號產生單元，其將包括該選擇信號之複數個選擇信號發送至該複數個發光陣列單元；一點亮信號產生單元，其將包括該點亮信號之複數個點亮信號發送至該複數個發光陣列單元；及一轉印信號產生單元，其發送該轉印信號至該複數個發光陣列單元。
2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該複數個選擇信號係分別針對藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個類別而一對一地發送。
3. 如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，該複數個選擇信號中之每一者係按一時間順序發送至該複數個類別中之一對應類別中所包括的該等發光陣列單元。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝置，其 中，該複數個點亮信號係分別針對藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個群組而一對一地提供。
5. 一種發光陣列單元，其包含：複數個發光元件；複數個轉印元件，其係分別針對該複數個發光元件而提供，且順序地將形成該複數個發光元件之一發光元件設定為點亮或不點亮之一控制目標；一控制端子，經由該控制端子接收一選擇信號以控制是否點亮被設定為該控制目標之該發光元件；一點亮信號端子，經由該點亮信號端子接收一點亮信號以將用於點亮之電力供應至被設定為該控制目標之該發光元件；及複數個AND電路，該複數個AND電路各自設置於該複數個發光元件中之一者與該複數個轉印元件中之一者之間，該複數個轉印元件中之該一者係對應於該等發光元件中之該一者而設置，該等AND電路中之每一者接收發送至該控制端子之該選擇信號及一來自該複數個轉印元件中之該一者的信號的輸入且將一信號輸出至該複數個發光元件中之該一者。
6. 如申請專利範圍第5項之發光陣列單元，其中，該發光陣列單元中之該複數個轉印元件為各自具有一第一閘極端子、一第一陽極端子及一第一陰極端子的複數個轉 印閘流體，且該複數個發光元件為各自具有一第二閘極端子、一第二陽極端子及一第二陰極端子的複數個發光閘流體，該發光陣列單元進一步包含各自將該複數個轉印閘流體之該等第一閘極端子中的兩者彼此連接的複數個第一電部。
7. 如申請專利範圍第6項之發光陣列單元，其中，該發光陣列單元中之該複數個AND電路中之每一者包括：一第二電部，其在一個末端處連接至該等轉印閘流體中之一對應者的該第一閘極端子且在一相反末端處連接至該等發光閘流體中之一對應者的該第二閘極端子；及一第三電部，其設置於該控制端子與該等發光閘流體中之該對應者的該第二閘極端子之間。
8. 一種列印頭，其包含：一曝光單元，其使一影像載體曝光以形成一靜電潛像；及一光學單元，其將由該曝光單元發射之光聚焦在該影像載體上，該曝光單元包括：複數個發光陣列單元，其各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件； 一選擇信號產生單元，其將包括該選擇信號之複數個選擇信號發送至該複數個發光陣列單元；及一點亮信號產生單元，其將包括該點亮信號之複數個點亮信號發送至該複數個發光陣列單元。
9. 一種影像形成裝置，其包含：一充電單元，其對一影像載體充電；一曝光單元，其使該影像載體曝光以形成一靜電潛像；一光學單元，其將由該曝光單元發射之光聚焦在該影像載體上；一顯影單元，其使形成於該影像載體上之該靜電潛像顯影；及一轉印單元，其將在該影像載體上顯影之一影像轉印至一受轉印體；該曝光單元包括：複數個發光陣列單元，其各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件；一選擇信號產生單元，其將包括該選擇信號之複數個選擇信號發送至該複數個發光陣列單元；及一點亮信號產生單元，其將包括該點亮信號之複數個點亮 信號發送至該複數個發光陣列單元。
10. 一種發光控制方法，其針對複數個發光陣列單元，該複數個發光陣列單元各自包括複數個發光元件，且該複數個發光元件之點亮及不點亮係藉由使用一轉印信號，一選擇信號與一點亮信號之一組合來控制，該轉印信號用於順序地將該複數個發光元件設定為點亮或不點亮之一控制目標，該選擇信號用於選擇點亮或不點亮之一控制目標，該點亮信號用於將用於點亮之電力供應至形成該複數個發光元件之每一發光元件，該發光控制方法包含：分別將包括該點亮信號之複數個點亮信號一對一地發送至藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個群組；及在該複數個發光元件中之一個發光元件被點亮的時候，分別將包括該選擇信號之複數個選擇信號一對一地發送至藉由劃分該複數個發光陣列單元而形成之複數個類別，該複數個發光元件中之該發光元件藉由該轉印信號與點亮信號而被設定為準備好要點亮。