CN102244071B - 发光装置及阵列单元、打印头、成像设备及发光控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了发光装置及阵列单元、打印头、成像设备及发光控制方法。所述发光装置包括：多个发光阵列单元，每个发光阵列单元都包括多个发光元件，并且每个发光元件的点亮或不点亮都是利用用于选择点亮或不点亮的控制对象的选择信号、和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合进行控制；选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述选择信号的多个选择信号；以及点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述点亮信号的多个点亮信号。

Description

发光装置及阵列单元、打印头、成像设备及发光控制方法

技术领域

本发明涉及发光装置、发光阵列单元、打印头、图像形成设备及光发射控制方法。

背景技术

在诸如打印机、复印机或传真机之类的电子照相图像形成设备中，以如下方式在记录纸张上形成图像。首先，通过使光记录单元发光以将图像信息转印到感光体上来在均匀带电的感光体上形成静电潜像。然后，利用调色剂对静电潜像进行显影使其可视。最后，将调色剂图像转印并定影到记录纸张上。除了利用激光束沿第一扫描方向进行激光扫描来执行曝光的光扫描记录单元以外，近年来响应于对设备小型化的要求，还采用了利用下面的LED打印头(LPH)的记录装置作为这种光记录单元。该LPH包括大量沿第一扫描方向排列的发光二极管(LED)，这些发光二极管用作发光元件。

日本专利申请特许公开第2001-219596号描述了一种自扫描发光装置阵列，其中，每个发光元件芯片都设有用于在各发光元件芯片接收到点亮信号时控制其是否发光的端子。此外，在该自扫描发光装置阵列中，通过单条数据线分别对多个数据流进行多路传输，从而通过使用通用移位寄存器IC来使多个芯片发光。

在配置有使用多个自扫描发光装置阵列(SLED)芯片的LPH的记录装置中，要求用于向SLED芯片发送点亮信号的配线具有低阻抗，这是因为该配线是用于提供点亮电流的配线。因此，为多个SLED芯片中的每一个都提供用于进行点亮的配线会造成在安装有多个SLED芯片的电路板上设置大量的用于发送点亮信号的宽且低电阻的配线。这使得电路板的宽度更宽，从而妨碍了小型化。此外，如果将这些配线构造为具有多层，以使电路板的宽度更窄，则该构造会妨碍成本降低。

本发明的一个目的在于提供能够减少配线数量的发光装置等。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种发光装置，其包括：多个发光阵列单元，每个发光阵列单元都包括多个发光元件，并且每个发光元件的点亮或不点亮都是利用用于选择点亮或不点亮的控制对象的选择信号、和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合进行控制；选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述选择信号的多个选择信号；以及点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述点亮信号的多个点亮信号。

根据本发明的第二方面，在第一方面的发光装置中，针对通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个级来逐一分别发送所述多个选择信号。

根据本发明的第三方面，在第二方面的发光装置中，所述多个选择信号中的每一个都按时间顺序发送给所述多个级中对应的一个级中所包含的发光阵列单元。

根据本发明的第四方面，在第一至第三方面的发光装置中，对于通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个组，逐一分别提供所述多个发光信号。

根据本发明的第五方面，在第一至第三方面的发光装置中，该发光装置还包括：传递信号产生单元，其发送传递信号，该传递信号将所述多个发光阵列单元中每一个发光阵列单元中包含的所述多个发光元件顺序设置为进行点亮或不点亮的控制对象。

根据本发明的第六方面，提供了一种发光阵列单元，其包括：多个发光元件；多个传递元件，其分别用于所述多个发光元件，以及将构成所述多个发光元件的发光元件顺序设置为点亮或不点亮的控制对象；控制端子，通过该控制端子来接收选择信号以控制是否点亮被设置为控制对象的发光元件；以及点亮信号端子，通过该点亮信号端子接收点亮信号，以向被设置为控制对象的发光元件提供点亮电源。

根据本发明的第七方面，在第六方面的发光阵列单元中，该发光阵列单元还包括多个AND电路，每个AND电路都设置在所述多个发光元件之一和对应于所述多个发光元件之一而提供的所述多个传递元件之一之间，每个AND电路都对发送给控制端子的选择信号的输入和来自所述多个传递元件之一的信号进行接收，并向所述多个发光元件之一输出信号。

根据本发明的第八方面，在第七方面的发光阵列单元中，发光阵列单元中的多个传递元件是多个传递晶闸管，每个传递晶闸管都具有第一栅极端子、第一阳极端子和第一阴极端子，以及所述多个发光元件是多个发光晶闸管，每个发光晶闸管都具有第二栅极端子、第二阳极端子和第二阴极端子。发光阵列单元还包括多个第一电气部件，每个第一电气部件都将所述多个传递晶闸管的第一栅极端子中的两个相互连接。

根据本发明的第九方面，在第八方面的发光阵列单元中，发光阵列单元中的所述多个AND电路中的每一个都包括：第二电气部件，其一端连接至相应的一个传递晶闸管的第一栅极端子，其另一端连接至相应的一个发光晶闸管的第二栅极端子；以及第三电气部件，其设置在控制端子和相应的一个发光晶闸管的第二栅极端子之间。

根据本发明的第十方面，提供了一种打印头，其包括：曝光单元，其对图像载体进行曝光以形成静电潜像；以及光学单元，其将由所述曝光单元发射的光聚焦到图像载体上。曝光单元包括：多个发光阵列单元，每个发光阵列单元都包括多个发光元件，并且每个发光元件的点亮或不点亮都是利用用于选择点亮或不点亮的控制对象的选择信号、和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合进行控制；选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述选择信号的多个选择信号；以及点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述点亮信号的多个点亮信号。

根据本发明的第十一方面，提供了一种图像形成设备，其包括：充电单元，其对图像载体进行充电；曝光单元，其对图像载体进行曝光以形成静电潜像；光学单元，其将由所述曝光单元发射的光聚焦到图像载体上；显影单元，其对形成在图像载体上的静电潜像进行显影；以及转印单元，其将在图像载体上显影的图像转印至转印体。曝光单元包括：多个发光阵列单元，每个发光阵列单元都包括多个发光元件，并且每个发光元件的点亮或不点亮都是利用用于选择点亮或不点亮的控制对象的选择信号、和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合进行控制；选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述选择信号的多个选择信号；以及点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送包括所述点亮信号的多个点亮信号。

根据本发明的第十二方面，提供了一种用于多个发光阵列单元的光发射控制方法，其中的每个发光阵列单元都包括多个发光元件，这些发光元件的点亮或不点亮都是利用用于选择点亮或不点亮的控制对象的选择信号、和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合进行控制。该光发射控制方法包括：向通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个级逐一分别发送包括所述选择信号的多个选择信号；以及向通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个组逐一分别发送包括所述点亮信号的多个点亮信号。

根据本发明的第一方面，相比于未采用该构造的情况，可以减少配线数量。

根据本发明的第二方面，相比于未采用该构造的情况，可以分别控制多个发光阵列单元的点亮周期。

根据本发明的第三方面，相比于未采用该构造的情况，可以容易地控制多个发光阵列单元的点亮。

根据本发明的第四方面，相比于未采用该构造的情况，可以分别控制多个发光阵列单元。

根据本发明的第五方面，相比于未采用该构造的情况，可以进一步减少配线数量。

根据本发明的第六方面，相比于未采用该构造的情况，可以提供配线数量减少了的发光阵列单元。

根据本发明的第七方面，相比于未采用该构造的情况，发光阵列单元的构造变得更简单。

根据本发明的第八方面，相比于未采用该构造的情况，可以容易地形成发光阵列单元。

根据本发明的第九方面，相比于未采用该构造的情况，发光元件工作稳定。

根据本发明的第十方面，相比于未采用该构造的情况，可以实现尺寸更小的打印头。

根据本发明的第十一方面，相比于未采用该构造的情况，可以实现尺寸更小的图像形成设备。

根据本发明的第十二方面，相比于未采用该构造的情况，可以减少配线数量。

附图说明

下面将参照附图描述本发明的示例性实施例，附图中：

图1是示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备的整体构造的实例的示意图；

图2是示出打印头的结构的截面示意图；

图3是第一示例性实施例中的发光装置的俯视图；

图4A至图4C是示出第一示例性实施例中的发光阵列单元的构造、发光装置的信号产生电路的构造以及电路板上的配线构造的示意图；

图5是示出第一示例性实施例中在发光装置的电路板上被布置为矩阵元素的发光阵列单元的示意图；

图6是用于说明第一示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图7是用于说明第一示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图8A和图8B分别是第一示例性实施例中的发光阵列单元的平面布局图和截面示意图；

图9是用于说明第一示例性实施例中的发光装置和发光阵列单元的操作的时序图；

图10A和图10B是示出第二示例性实施例中的发光阵列单元的构造、发光装置的信号产生电路的构造以及电路板上的配线构造的示意图；

图11是用于示出第二示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图12是用于说明第二示例性实施例中的发光装置和发光阵列单元的操作的时序图；

图13是示出在第三示例性实施例中的发光装置的电路板上被布置为矩阵元素的发光阵列单元的示意图；

图14是用于说明第三示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图15是用于说明第三示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图16是用于说明第三示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图17是用于说明第三示例性实施例中的发光装置和发光阵列单元的操作的时序图；

图18A到图18C是示出第四示例性实施例中的发光阵列单元的构造、发光装置的信号产生电路的构造以及电路板上的配线构造的示意图；

图19是示出在第四示例性实施例中的发光装置的电路板上被布置为矩阵元素的发光阵列单元的示意图；

图20是用于说明第四示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图21是用于说明第四示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；

图22A和图22B是示出第五示例性实施例中的发光阵列单元的构造、发光装置的信号产生电路的构造以及电路板上的配线构造的示意图；

图23是用于说明第五示例性实施例中的发光阵列单元的电路构造的等效电路图；以及

图24是用于说明第五示例性实施例中的发光装置和发光阵列单元的操作的时序图。

具体实施方式

下文中，将参照附图详细给出本发明示例性实施例的描述。

<第一示例性实施例>

图1是示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备1的整体构造的实例的示意图。图1所示的图像形成设备1通常称作串联式(tandem)图像形成设备。图像形成设备1包括图像形成处理单元10、图像输出控制器30、和图像处理器40。图像形成处理单元10根据不同颜色的图像数据形成图像。图像输出控制器30控制图像形成处理单元10。连接至诸如个人计算机(PC)2之类的装置以及图像读取设备3的图像处理器40对从上述装置接收到的图像数据执行预定的图像处理。

图像形成处理单元10包括图像形成单元11，该图像形成单元由以预先设定的间隔平行排列的多个引擎形成。图像形成单元11由四个图像形成单元11Y、11M、11C和11K形成。图像形成单元11Y、11M、11C和11K中的每一个都包括感光鼓12、充电装置13、打印头14和显影装置15。在感光鼓12(其为图像载体的一个实例)上，形成静电潜像，且感光鼓12保持调色剂图像。充电装置13(作为充电单元的一个实例)以预定电位对感光鼓12的表面进行充电。打印头14对由充电装置13进行了充电的感光鼓12进行曝光。显影装置15(作为显影单元的一个实例)对由打印头14形成的静电潜像进行显影。此处，除了放置在显影装置15中的调色剂颜色不同以外，图像形成单元11Y、11M、11C和11K具有近似相同的构造。图像形成单元11Y、11M、11C和11K分别形成黄色(Y)、品红色(M)、青色(C)和黑色(K)调色剂图像。

此外，图像形成处理单元10还包括纸张传输带21、驱动辊22、转印辊23和定影装置24。纸张传输带21传输作为转印体的记录纸张，以通过多层转印将分别形成在图像形成单元11Y、11M、11C和11K的感光鼓12上的不同颜色的调色剂图像转印到记录纸张上。驱动辊22是驱动纸张传输带21的辊。每个转印辊23(作为转印单元的一个实例)将形成在相应感光鼓12上的调色剂图像转印到记录纸张上。定影装置24将调色剂图像定影到记录纸张上。

在该图像形成设备1中，图像形成处理单元10基于由图像输出控制器30提供的各种控制信号来执行图像形成操作。在图像输出控制器30的控制下，由图像处理器40对从个人计算机(PC)2或图像读取设备3接收的图像数据进行图像处理，然后将得到的数据提供给相应的图像形成单元11。然后，例如在黑色(K)图像形成单元11K中，在感光鼓12沿箭头A的方向转动的同时，由充电装置13以预定电位对感光鼓12进行充电，然后由基于由图像处理器40提供的图像数据而发光的打印头14对感光鼓12进行曝光。通过该操作，在感光鼓12上形成了黑色(K)图像的静电潜像。之后，由显影装置15对形成在感光鼓12上的静电潜像进行显影，从而在感光鼓12上形成了黑色(K)的调色剂图像。类似地，分别在图像形成单元11Y、11M和11C中形成黄色(Y)、品红色(M)和青色(C)的调色剂图像。

在各图像形成单元11中形成的感光鼓12上的各种颜色的调色剂图像按照次序被静电转印到随着通过施加至转印辊23的转印电场所引起的纸张传输带21的运动而提供的记录纸张上。此处，纸张传输带21沿箭头B的方向运动。通过该操作，在记录纸张上形成了合成调色剂图像(其为叠加各种颜色的调色剂图像)。

此后，其上静电转印有合成调色剂图像的记录纸张被传输至定影装置24。传输至定影装置24的记录纸张上的合成调色剂图像由定影装置24通过进行利用加热和加压的定影处理而定影在记录纸张上，然后从图像形成设备1输出。

图2是示出打印头14的结构的截面示意图。打印头14包括外壳61、发光装置65、和棒状透镜阵列64。发光装置65(作为曝光单元的一个实例)包括由多个发光元件(在第一示例性实施例中为发光晶闸管)组成的对感光鼓12进行曝光的发光部分63。棒状透镜阵列64(作为光学单元的一个实例)将由发光部分63发出的光聚焦到感光鼓12的表面上。

发光装置65还包括电路板62，其上安装有发光部分63、驱动发光部分63的信号产生电路100(见后面描述的图3)等。

外壳61例如由金属制成并且支撑电路板62和棒状透镜阵列64。外壳61被设置为使得发光部分63中的各发光元件的发光点位于棒状透镜阵列64的焦平面上。此外，棒状透镜阵列64沿感光鼓12的轴向(第一扫描方向)布置。

图3是第一示例性实施例中的发光装置65的俯视图。

如图3所示，在根据第一示例性实施例的发光装置65中，发光部分63配置有二十个发光阵列单元S-A1至S-A20(发光阵列单元组#a)以及二十个发光阵列单元S-B1至S-B20(发光阵列单元组#b)，这些发光阵列单元在电路板62上以交错方式沿第一扫描方向布置成两行。换言之，在第一示例性实施例中，有两个发光阵列单元组(发光阵列单元组#a和发光阵列单元组#b)。此处，有时将每个发光阵列单元组都简称为一组。应该注意，稍后将详细描述发光阵列单元组#a和发光阵列单元组#b如何彼此面对。

此外，如前所述，发光装置65具有驱动发光部分63的信号产生电路110。

发光阵列单元S-A1至S-A20和发光阵列单元S-B1至S-B20具有如稍后描述的不同构造。从而，当彼此不进行区分时，将发光阵列单元S-A1至S-A20称为发光阵列单元S-A。同样，当彼此不进行区分时，将发光阵列单元S-B1至S-B20称为发光阵列单元S-B。

应该注意，发光阵列单元S-A和S-B中的每一个发光阵列单元都可以是通过在衬底80上形成发光元件等而构造的发光芯片。下文中，将发光阵列单元S-A和S-B描述为发光芯片。尽管所述发光阵列单元S-A的数量和所述发光阵列单元S-B的数量均为二十，但是阵列的数量不限于此。

图4A至图4C是示出第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A和S-B的构造、发光装置65的信号产生电路110的构造、和电路板62上的配线构造的示意图。图4A示出了发光阵列单元S-A的构造，而图4B示出了发光阵列单元S-B的构造。图4C示出了发光装置65的信号产生电路110的构造和电路板62上的配线构造。在第一示例性实施例中，发光阵列单元S-A1至S-A20属于发光阵列单元组#a，而发光阵列单元S-B1至S-B20属于发光阵列单元组#b。

首先，给出图4A所示的发光阵列单元S-A的构造以及图4B所示的发光阵列单元S-B的构造的描述。

发光阵列单元S-A和S-B中的每一个发光阵列单元都包括矩形衬底80上的发光元件阵列102。发光元件阵列102包括沿衬底80的长边且靠近该长边排成一行的多个发光元件(第一示例性实施例中为发光晶闸管)。此外，发光阵列单元S-A和S-B中的每一个发光阵列单元都包括在衬底80的两个端部上沿长边方向的多个输入端子(Vga端子、端子、端子、端子和端子)。这些输入端子是用于读取各种控制信号等的焊盘。这些输入按以下方式设置：从衬底80的一端开始按照Vga端子、端子、和端子的顺序设置，并且从衬底80的另一端开始按照端子、和端子的顺序设置。发光元件阵列102设置在端子和端子之间。

如图4A和图4B所示，发光阵列单元S-A和发光阵列单元S-B具有相同的外形和输入端子构造，然而，如稍后描述的图6和图7所示，发光阵列单元S-A和S-B是彼此之间具有不同电路构造的自扫描发光装置阵列(SLED)。

接下来，利用图4C来描述发光装置65的信号产生电路110的构造和电路板62上的配线构造。

如前所述，发光装置65的电路板62具有信号产生电路110、发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)。配线被提供用来将信号产生电路110连接至发光阵列单元S-A1至S-A20和发光阵列单元S-B1至S-B20。

首先，描述信号产生电路110的构造。

尽管未示出，但是进行了图像处理后的图像数据和各种控制信号被从图像输出控制器30和图像处理器40(见图1)输入至信号产生电路110。基于该图像数据和各种控制信号，信号产生电路110对图像数据进行重排列、光量校正等。

信号产生电路110包括传递信号产生部件120，其基于各种控制信号将第一传递信号和第二传递信号发送给发光阵列单元组#a(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元组#b(发光阵列单元S-B1至S-B20)。

此外，信号产生电路110包括点亮信号产生部件140a和点亮信号产生部件140b。基于各种控制信号，点亮信号产生部件140a向发光阵列单元组#a(发光阵列单元S-A1至S-A20)发送点亮信号以及点亮信号产生部件140b向发光阵列单元组#b(发光阵列单元S-B1至S-B20)发送点亮信号

此外，信号产生电路110包括选择信号产生部件150，其基于各种控制信号向各发光阵列单元级发送选择信号至其中每个发光阵列单元级都包括属于发光阵列单元组#a的一个发光阵列单元S-A和属于发光阵列单元组#b的一个发光阵列单元S-B。此处，所述发光阵列单元级有时简称为一对。

例如，选择信号产生部件150向发光阵列单元级#1发送选择信号该发光阵列单元级#1由属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1和属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1组成。选择信号产生部件150向发光阵列单元级#2发送选择信号该发光阵列单元级#2由属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A2和属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B2组成。对于其余对，以相同的方式，选择信号产生部件150向发光阵列单元级#20发送选择信号该发光阵列单元级#20由属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A20和属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B20组成。

尽管图4C中分开示出了点亮信号产生部件140a和点亮信号产生部件140b，但是可将它们统称为点亮信号产生部件140。当对点亮信号和点亮信号彼此之间不进行区分时，将它们统称为点亮信号当对选择信号至彼此之间不进行区分时，将它们统称为选择信号

接下来，给出发光阵列单元S-A1至S-A20和发光阵列单元S-B1至S-B20的布置的描述。

属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20沿其长边方向以预订间隔排列成一行。同样，属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20沿其长边方向以预订间隔排列成一行。属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20和属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20彼此面对，并交错排列，从而发光元件可以沿第一扫描方向以预订间隔布置。

下面给出将信号产生电路110连接至发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)的配线的描述。

电路板62设有电源线200a，其连接至设置在与具有发光阵列单元S-A和S-B的一侧相反的另一侧上的Vsub端子(见稍后描述的图6至图8A)，并且通过该电源线200a提供基准电位Vsub。此外，电路板62提供有电源线200b，其连接至提供给发光阵列单元S-A和S-B中的每个发光阵列单元的Vga端子，通过该电源线200b提供电源的电源电位Vga。

此外，电路板62设有第一传递信号线201和第二传递信号线202。自信号产生电路110的传递信号产生部件120，通过第一传递信号线201将第一传递信号发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20中每个发光阵列单元的端子，以及通过第二传递信号线202将第二传递信号发送至发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20中每个发光阵列单元的端子。第一传递信号和第二传递信号被共同(并行)发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20。

此外，电路板62设有点亮信号线204a，通过其将来自信号产生电路110的点亮信号产生部件140a的点亮信号发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20中的每个发光阵列单元的端子。该点亮信号通过为各发光阵列单元S-A1至S-A20设置的限流电阻器RI被共同(并行)发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20。

同样，电路板62设有点亮信号线204b，通过其将点亮信号从信号产生电路110的点亮信号产生部件140b发送至发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20中的每一个的端子。点亮信号通过为各发光阵列单元S-B1至S-B20设置的限流电阻器RI被共同(并行)发送至发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20。

此外，电路板62设有选择信号线205至224，通过其将选择信号至人信号产生电路110的选择信号产生部件150发送至各发光阵列单元级，其中每个发光阵列单元级均包括属于发光阵列单元组#a的一个发光阵列单元S-A和属于发光阵列单元组#b的一个发光阵列单元S-B。

例如，选择信号线205连接至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1的端子(其为控制端子的一个实例)和发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1的端子(其为控制端子的一个实例)。通过选择信号线205，将选择信号发送至包括发光阵列单元S-A1和发光阵列单元S-B1的发光阵列单元级#1。选择信号线206连接至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A2的端子和发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B2的端子，以将选择信号发送至包括发光阵列单元S-A2和发光阵列单元S-B2的发光阵列单元级#2。对于其余各对均采用同一方式，选择信号线224连接至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A20的端子和发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B20的端子，以将选择信号发送至包括发光阵列单元S-A20和发光阵列单元S-B20的发光阵列单元级#20。

如上所述，电路板62上的所有发光阵列单元S-A和S-B都被共同提供有基准电位Vsub和电源电位Vga。同样，电路板62上的所有发光阵列单元S-A和S-B都被共同提供有第一传递信号和第二传递信号

点亮信号被共同发送至发光阵列单元组#a的所有发光阵列单元S-A。点亮信号被共同发送至发光阵列单元组#b的所有发光阵列单元S-B。

选择信号至被共同发送至各发光阵列单元级#1至#20，这些发光阵列单元级均包括属于发光阵列单元组#a的一个发光阵列单元S-A和属于发光阵列单元组#b的一个发光阵列单元S-B。

图5是示出第一示例性实施例中的在发光装置65的电路板62上布置为矩阵元素的发光阵列单元S-A和S-B的示意图。

图5中，发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)被布置为2×20矩阵中的元素。图5仅示出了用于将上述信号产生电路110连接至发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)的信号(点亮信号和以及选择信号至)的线路。电源线200a和200b、第一传递信号线201、以及第二传递信号线202为所有的发光阵列单元S-A和S-B所共用，因此此处未被示出。

可以容易理解的是，如前所述，点亮信号被共同发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A，而点亮信号被共同发送至发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B。

此外，可以容易理解的是，选择信号至被共同发送至各发光阵列单元级#1至#20，这些发光阵列单元级均包括属于发光阵列单元组#a的一个发光阵列单元S-A和属于发光阵列单元组#b的一个发光阵列单元S-B。

换句话说，根据点亮信号或以及选择信号至中的一个的组合来选择第一示例性实施例中的发光装置65的发光阵列单元S-A和S-B中的每一个。

此处，描述配线的数量。

假设未采用第一示例性实施例以及也未将发光装置65的发光阵列单元S-A和S-B分成多个发光阵列单元组以及发光阵列单元对。于是，点亮信号被发送至发光阵列单元S-A和S-B(此处其总数为四十)中的每一个；因此，需要四十条点亮信号线204(对应于图5中的点亮信号线204a和204b)。此外，还需要第一传递信号线201、第二传递信号线202、以及电源线200a和200b。相应地，为发光装置65提供的配线数量为四十四条。

此外，由于用于点亮发光元件的电流是通过点亮信号线204发送的，因此需要点亮信号线204具有小的电阻。因此，点亮信号线204需要宽的配线。为此，如果未采用第一示例性实施例，就会在发光装置65的电路板62上提供许多宽的配线，这就会增加电路板62的面积。

另一方面，如图4A和图5所示，在第一示例性实施例中，有两组发光阵列单元。因此，有两条点亮信号线204a和204b。此外，除了第一传递信号线201、第二传递信号线202、以及电源线200a和200b以外，还需要用于选择信号至的选择信号线205至224。因此，在第一示例性实施例中，配线数量是二十六条。

第一示例性实施例中的配线数量是未采用第一示例性实施例情形中配线数量的2/3或更少。

此外，在第一示例性实施例中，用于发送点亮发光元件的电流的宽的配线的数量减少至两条，即，点亮信号线204a和204b。应该注意，大电流不流经选择信号线205至224。因此，选择信号线205至224无需是宽的配线。为此，第一示例性实施例不需要在电路板62上提供许多的宽的配线，这防止了电路板62面积的增大。

图6是用于说明第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-A是自扫描发光装置阵列(SLED)。应该注意，在图6中，除了输入端子(Vga端子、端子、端子、端子、和端子)之外，基于将在后面图8A和图8B中描述的发光阵列单元S-A上的布局来布置下面描述的各元件。

此处，以发光阵列单元S-A1为实例对发光阵列单元S-A进行描述。因此图6中将发光阵列单元S-A称为发光阵列单元S-A1(S-A)。其他的发光阵列单元S-A2至S-A20与发光阵列单元S-A1具有相同的构造。

为了便于说明，在图6中，在不同于图4A中所示的输入端子(Vga端子、端子、端子、端子、和端子)的位置示出这些输入端子，即在图6的左侧。

如前所述，发光阵列单元S-A1(S-A)具有传递晶闸管阵列，该传递晶闸管阵列包括在衬底80上布置成一行的多个传递晶闸管T1，T2，T3，…(见稍后描述的图8A和图8B)。此外，发光阵列单元S-A1(S-A)具有用于各传递晶闸管T1，T2，T3，…的电源线电阻器Rgx1，Rgx2，Rgx3，…。当彼此不进行区分时，传递晶闸管T1，T2，T3，…和电源线电阻器Rgx1，Rgx2，Rgx3，…分别被称为传递晶闸管T和电源线电阻器Rgx。

此外，发光阵列单元S-A1(S-A)具有发光晶闸管阵列(发光元件阵列102(见图4A和图4B))，该发光晶闸管阵列包括布置成一行的多个奇数编号的发光晶闸管L1，L3，L5，…。发光晶闸管是发光元件的一个实例。一个发光晶闸管用于一对传递晶闸管T。当彼此不进行区分时，发光晶闸管L1，L3，L5，…被称为发光晶闸管L。应该注意，发光阵列单元S-A1(S-A)不具有偶数编号的发光晶闸管L2，L4，L6，…。

此外，发光阵列单元S-A1(S-A)具有耦合二极管Dx1，Dx2，Dx3，…，这些耦合二极管分别设置在传递晶闸管T1，T2，T3，…中按编号顺序成对的相邻两个传递晶闸管之间。

发光阵列单元S-A1(S-A)还在奇数编号的传递晶闸管T1，T3，T5，…和发光晶闸管L1，L3，L5，…之间分别具有连接电阻器Ra1，Ra3，Ra5，…和肖特基写入二极管SDw1，SDw3，SDw5，…。每个连接电阻器都是第二电气部件的一个实例，每个肖特基写入二极管都是第三电气部件的一个实例。此处，与发光晶闸管L等相同，当彼此不进行区分时，耦合二极管Dx1，Dx2，Dx3，…、连接电阻器Ra1，Ra3，Ra5，…、以及肖特基写入二极管SDw1，SDw3，SDw5，…分别称为耦合二极管Dx、连接电阻器Ra、和肖特基写入二极管SDw。

应该注意，上述晶闸管(发光晶闸管L和传递晶闸管T)为各自具有三个端子的半导体器件，三个端子为：阳极端子、阴极端子、和栅极端子。

此处，传递晶闸管T的阳极端子、阴极端子、和栅极端子有时分别称作第一阳极端子、第一阴极端子、和第一栅极端子。同样，发光晶闸管L的阳极端子、阴极端子、和栅极端子有时分别称作第二阳极端子、第二阴极端子、和第二栅极端子。

此外，发光阵列单元S-A1(S-A)具有一个启动二极管Dx0。此外，发光阵列单元S-A1(S-A)具有限流电阻器R1和限流电阻器R2，用于防止过电流流入分别用于发送第一传递信号和第二传递信号的第一传递信号线72和第二传递信号线73(稍后将进行描述)。

应该注意，传递晶闸管阵列的传递晶闸管T1，T2，T3，…、电源线电阻器Rgx1，Rgx2，Rgx3，…、和耦合二极管Dx1，Dx2，Dx3，…从图6的左侧开始按编号顺序排列。同样，发光晶闸管阵列的发光晶闸管L1，L3，L5，…、连接电阻器Ra1，Ra3，Ra5，…和肖特基写入二极管SDw1，SDw3，SDw5，…从图6的左侧开始按编号顺序排列。

传递晶闸管阵列和发光晶闸管阵列按此顺序从图6顶部开始排列。

接下来，给出发光阵列单元S-A1(S-A)的元件之间的电气连接的描述。

传递晶闸管T的阳极端子和发光晶闸管L的阳极端子连接至发光阵列单元S-A1(S-A)的衬底80(即，共阳极)。

于是，这些阳极端子通过Vsub端子连接至电源线200a(见图4C)，该Vsub端子是设置在衬底80背面上的背面电极85(稍后将在图8B中描述)。电源线200a提供有基准电位Vsub。

根据传递晶闸管T的排列为奇数编号的传递晶闸管T1，T3，T5，…的阴极端子连接至第一传递信号线72。第一传递信号线72通过限流电阻器R1连接至作为第一传递信号的输入端子的端子。第一传递信号线201(见图4C)连接至该端子，并且第一传递信号发送至该端子。

另一方面，根据传递晶闸管T的排列为偶数编号的传递晶闸管T2，T4，T6，…的阴极端子连接至第二传递信号线73。第二传递信号线73通过限流电阻器R2连接至作为第二传递信号的输入端子的端子。第二传递信号线202(见图4C)连接至该端子，并且第二传递信号发送至该端子。

耦合二极管Dx1，Dx2，Dx3，…分别连接在传递晶闸管T1，T2，T3，…的栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…中按编号顺序成对的相邻的两个栅极端子之间。换言之，耦合二极管Dx1，Dx2，Dx3，…串联连接，同时它们中的每一个都顺序地夹置在相邻的一对栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…之间。耦合二极管Dx1连接为使得电流可以从栅极端子Gt1向栅极端子Gt2流动。对于其他的耦合二极管Dx2，Dx3，Dx4，…也是这样。当彼此不进行区分时，栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…被称作栅极端子Gt。

传递晶闸管T的栅极端子Gt分别通过用于传递晶闸管T的电源线电阻器Rgx连接至电源线71。电源线71连接至Vga端子。Vga端子连接至电源线200b(见图4C)，并被供给电源点位Vga。

传递晶闸管T的奇数编号的栅极端子Gt1，Gt3，Gt5，…分别通过连接电阻器Ra1，Ra3，Ra5，…逐一连接至也为奇数编号的发光晶闸管L1，L3，L5，…的栅极端子Gl1，Gl3，Gl5，…。当彼此不进行区分时，栅极端子Gl1，Gl3，Gl5，…被称作栅极端子Gl。

肖特基写入二极管SDw的阴极端子连接至选择信号线74。选择信号线74连接至端子，其中选择信号至之一被发送至该端子。选择信号线205(见图4C)连接至发光阵列单元S-A1的端子，且选择信号发送至该端子。

肖特基写入二极管SDw的阳极端子连接至发光晶闸管L的各栅极端子Gl。

发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75。点亮信号线75连接至作为点亮信号的输入端子的端子。点亮信号线204a(见图4C)连接至发光阵列单元S-A1的端子，且点亮信号发送至该端子。

应该注意，尽管图6中未示出，但是实际上如图4C所示在点亮信号产生部件140和端子之间设置有限流电阻器RI。

处于传递晶闸管阵列的一端的传递晶闸管T1的栅极端子Gt1连接至启动二极管Dx0的阴极端子。启动二极管Dx0的阳极端子连接至第二传递信号线73。

图7是用于说明第一示例性实施例中的发光阵列单元S-B的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-B是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元S-B1作为实例来描述发光阵列单元S-B。因此，在图7中将发光阵列单元S-B称作发光阵列单元S-B1(S-B)。其他的发光阵列单元S-B2至S-B20与发光阵列单元S-B1具有相同的构造。

在图6所示的发光阵列单元S-A中，分别给第(2n-1)个(即，奇数编号的)传递晶闸管T提供发光晶闸管L。相反，在发光阵列单元S-B中，分别给第2n个(即，偶数编号的)传递晶闸管T提供发光晶闸管L。

对于发光阵列单元S-B，描述与发光阵列单元S-A的不同之处，并以相同的参考标号表示相同的构造，并不再进行详细描述。

发光阵列单元S-B1(S-B)具有发光晶闸管阵列(发光元件阵列102(见图4A和图4B))，该发光晶闸管阵列包括布置成一行的偶数编号的发光晶闸管L2，L4，L6，…。发光晶闸管是发光元件的一个实例。为每两个传递晶闸管T提供一个发光晶闸管。发光阵列单元S-B1(S-B)具有分别位于偶数编号的传递晶闸管T2，T4，T6，…和偶数编号的发光晶闸管L2，L4，L6，…之间的连接电阻器Ra2，Ra4，Ra6，…和肖特基写入二级管SDw2，SDw4，SDw6，…。每个连接电阻器是第二电气部件的一个实例，以及每个肖特基写入二极管是第三电气部件的一个实例。应该注意，发光阵列单元S-B1(S-B)没有偶数编号的发光晶闸管L。

当不在发光阵列单元S-A的奇数编号的发光晶闸管L1，L3，L5，…和发光阵列单元S-B的偶数编号的发光晶闸管L2，L4，L6，…之间进行区分时，将这些发光晶闸管称作发光晶闸管L。当不在发光阵列单元S-A的奇数编号的连接电阻器Ra1，Ra3，Ra5，…和发光阵列单元S-B的偶数编号的连接电阻器Ra2，Ra4，Ra6，…之间进行区分时，将它们称作连接电阻器Ra。当不在发光阵列单元S-A的奇数编号的肖特基写入二极管SDw1，SDw3，SDw5，…和发光阵列单元S-B的偶数编号的肖特基写入二极管SDw2，SDw4，SDw6，…之间进行区分时，将它们称作肖特基写入二极管SDw。

与发光阵列单元S-A类似，有时分别将发光阵列单元S-B的每个发光晶闸管L的阳极端子、阴极端子和栅极端子称作第二阳极端子、第二阴极端子、和第二栅极端子。

肖特基写入二极管SDw的阴极端子连接至选择信号线74。选择信号线74连接至端子，选择信号至之一被发送至该端子。选择信号线205(见图4C)连接至发光阵列单元S-B1的端子，并选择信号被发送至该端子。

肖特基写入二极管SDw的阳极端子连接至发光晶闸管L的各栅极端子G1。

发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75。点亮信号线75连接至作为点亮信号的输入端子的端子。点亮信号线204b(见图4C)连接至发光阵列单元S-B1的端子，并点亮信号被发送至该端子。

应该注意，尽管图7中未示出，但是实际上如图4C所示在点亮信号产生部件140和端子之间设置有限流电阻器RI。

如上所述，发光阵列单元S-A具有奇数编号的发光晶闸管L、连接电阻器Ra、和肖特基写入二极管SDw，而发光阵列单元S-B具有偶数编号的发光晶闸管L、连接电阻器Ra、和肖特基写入二极管SDw。

发光阵列单元S-A和S-B可以在发光晶闸管阵列中具有任意预定数量的发光晶闸管L。例如，如果第一示例性实施例中发光晶闸管L的数量是128，则连接电阻器Ra的数量和肖特基写入二极管SDw的数量也各为128。

在发光阵列单元S-A中，分别给第(2n-1)个传递晶闸管T(n为1或更大的整数)提供发光晶闸管L。因此，传递晶闸管T的数量至少是125，且电源线电阻器Rgx的数量也至少是255。耦合二极管Dx的数量是254，比传递晶闸管T的数量少1。

另一方面，在发光阵列单元S-B中，分别给第2n个传递晶闸管T提供发光晶闸管L。传递晶闸管T的数量至少是256，且电源线电阻器Rgx的数量也至少是256。耦合二极管Dx的数量是255，比传递晶闸管T的数量少1。

应该注意，在发光阵列单元S-A和S-B中，传递晶闸管T的数量可以多于发光晶闸管L的数量的两倍。

图8A和图8B分别是第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A的平面布局图和截面示意图。此处，以发光阵列单元S-A1作为实例描述发光阵列单元S-A。因此，在图8A和图8B中将发光阵列单元S-A称作发光阵列单元S-A1(S-A)。其他的发光阵列单元S-A2至S-A20与发光阵列单元S-A1具有相同的构造。

图8A是示出发光阵列单元S-A1(S-A)的平面布局示意图，其示出了具有发光晶闸管L1，L3，和L5以及传递晶闸管T1，T2，T3，和T4的部分。图8B是沿图8A所示的VIIIB-VIIIB线截取的截面视图。图8B中的截面视图从图8B的底部开始示出了发光晶闸管L1、肖特基写入二极管SDw1、电源线电阻器Rgx1、耦合二极管Dx1、和传递晶闸管T1的截面。在图8A和图8B中，以其名称来表示主要元件和端子。

应该注意，图8A以实线示出了连接各元件的配线。图8B未示出连接各元件的配线。

如图8B所示，发光阵列单元S-A1(S-A)包括多个岛(第一岛141、第二岛142、第三岛143、第四岛144、第五岛145、和第六岛146)。这些岛如下形成。例如，利用GaAs、GaAlAs等复合半导体，按照如下顺序在P型衬底80上层压P型第一半导体层81、n型第二半导体层82、P型第三半导体层83、和n型第四半导体层84。在***连续对P型第一半导体层81、n型第二半导体层82、P型第三半导体层83、和n型第四半导体层84进行蚀刻。从而形成了相互分离的各岛。

如图8A所示，平面视图中的第一岛141为具有突出部分的矩形形状，并且具有发光晶闸管L1、肖特基写入二极管SDw1、和连接电阻器Ra1。平面视图中的第二岛142为在两端部具有较宽部分的形状，并具有电源线电阻器Rgx1。平面视图中的第三岛143具有矩形形状，并具有传递晶闸管T1和耦合二极管Dx1。平面视图中的第四岛144具有矩形形状并具有启动二极管Dx0。平面视图中的第五岛和第六岛中的每一个都具有在两端部具有较宽部分的形状。第五岛145具有限流电阻器R1，而第六岛146具有限流电阻器R2。

此外，在发光阵列单元S-A1(S-A)中，并列形成类似于第二岛142的岛以及类似于第三岛143的岛。和第二岛142以及第三岛143一样，这些岛具有电源线电阻器Rgx2，Rgx3，Rgx4，…、传递晶闸管T2，T3，T4，…等。此外，在发光阵列单元S-A1(S-A)中，并列形成类似于第一岛141的岛。和第一岛141一样，这些岛都具有发光晶闸管L3，L5，…。此处省略了对这些岛的描述。

此外，作为Vsub端子的背面电极85设置在衬底80的背面上。

基于图8A和图8B，对第一岛141、第二岛142、第三岛143、第四岛144、第五岛145、和第六岛146进行详细描述。

在设置在第一岛141中的发光晶闸管L1中，阳极端子是衬底80，阴极端子是形成在n型第四半导体层84的区111中的n型欧姆电极121，以及栅极端子Gl1是通过蚀刻并移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83。应该注意，栅极端子Gl1未形成为电极，从而未示出。光从n型第四半导体层84的区111的表面上除了形成n型欧姆电极121的部分以外的部分发出。

在设置在第一岛141中的肖特基写入二极管SDw1中，阳极端子是p型第三半导体层83，阴极端子是形成在通过蚀刻并移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的肖特基电极151。

发光晶闸管L1的栅极端子Gl1和肖特基写入二极管SDw1的阳极端子是第一岛141的公共p型第三半导体层83。

设置在第一岛141中的平面形状的突出部分处的p型第三半导体层83是连接电阻器Ra1，p型欧姆电极132形成在该突出部分的端部处。换言之，肖特基电极151和p型欧姆电极132之间的p型第三半导体层83用作连接电阻器Ra1的电阻。

设置在第二岛142中的电源线电阻器Rgx1形成在形成于p型第三半导体层83上的两个p型欧姆电极133和134之间。这两个p型欧姆电极133和134之间的p型第三半导体层83用作电源线电阻器Rgx1的电阻。

在设置在第三岛143中的传递晶闸管T1中，阳极端子是衬底80，阴极端子是形成在n型第四半导体层84的区115中的n型欧姆电极124，以及栅极端子Gt1是形成在通过蚀刻并移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极135。

在设置在同一第三岛143中的耦合二极管Dx1中，阴极端子是设置在n型第四半导体层84的区113中的n型欧姆电极123，而阳极端子是p型第三半导体层83。用作阳极端子的p型第三半导体层83连接至传递晶闸管T1的栅极端子Gt1。

在设置在第四岛144中的启动二极管Dx0中，阴极端子是设置在n型第四半导体层84的区(无参考标号)上的n型欧姆电极(无参考标号)，阳极端子是形成在通过蚀刻并移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极(无参考标号)。

与设置在第二岛142中的电源线电阻器Rgx1一样，分别设置在第五岛145和第六岛146中的限流电阻器R1和R2均使用形成在通过蚀刻并移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的成对的p型欧姆电极(无参考标号)之间的p型第三半导体层83作为其电阻。

基于图8A描述如何连接这些元件。

在第一岛141中，用作发光晶闸管L1的栅极端子Gl1的p型第三半导体层83用于肖特基写入二极管SDw1的阳极端子和连接电阻器Ra1的一个端子这二者。

作为连接电阻器Ra1的另一个端子的p型欧姆电极132连接至作为第三岛143中的传递晶闸管T1的栅极端子Gt1的p型欧姆电极135。

作为发光晶闸管L1的阴极端子的n型欧姆电极121连接至点亮信号线75。点亮信号线75连接至端子。

作为肖特基写入二极管SDw1的阴极端子的肖特基电极151连接至选择信号线74。选择信号线74连接至端子。

作为设置在第二岛142中的电源线电阻器Rgx1的一个端子的p型欧姆电极133连接至作为设置在第一岛141中的连接电阻器Ra1的另一个端子的p型欧姆电极132。作为电源线电阻器Rgx1的另一个端子的p型欧姆电极134连接至电源线71。电源线71连接至Vga端子。

作为设置在第三岛143中的传递晶闸管T1的阴极端子的n型欧姆电极124连接至第一传递信号线72。第一传递信号线72通过设置在第五岛145中的限流电阻器R1连接至端子。

作为设置在第三岛143中的耦合二极管Dx1的阴极端子的n型欧姆电极123连接至作为相邻设置的传递晶闸管T2的栅极端子Gt2的p型欧姆电极(无参考标号)。

另一方面，作为设置在第三岛143中的传递晶闸管T1的栅极端子Gt1的p型欧姆电极135连接至作为设置在第四岛144中的启动二极管Dx0的阴极端子、且形成在n型第四半导体层84上的n型欧姆电极(无参考标号)。

作为设置在第四岛144中的启动二极管Dx0的阳极端子、并形成在p型第三半导体层83上的p型欧姆电极(无参考标号)连接至n型欧姆电极(无参考标号)，该n型欧姆电极是各偶数编号的传递晶闸管T2，T4，T6，…的阴极端子、且形成在n型第四半导体层84上，且该p型欧姆电极还通过设置在第六岛146中的限流电阻器R2连接至端子。

尽管此处未描述，但是对于其他的发光晶闸管L、传递晶闸管T、耦合二极管Dx、肖特基写入二极管SDw、连接电阻器Ra、和电源线电阻器Rgx来说，也是这样。

图6所示的发光阵列单元S-A1(S-A)的电路构造如上所述。

应该注意，发光阵列单元S-B被构造为使得设置在第一岛141(其具有发光阵列单元S-A中的发光晶闸管L1)中的p型欧姆电极132连接至传递晶闸管T2的栅极端子Gt2。换言之，发光阵列单元S-B的平面布局是可通过使发光晶闸管L的位置向图8A的右侧移动一定距离来得到，其中该距离为图8A所示的发光阵列单元S-A的平面构造中的发光晶闸管L1和发光晶闸管L3之间的距离的1/2。因此，此处不详细描述发光阵列单元S-B的平面布局和截面。

接下来，描述发光装置65的操作。

发光装置65包括属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20和属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20(见图3至图5)。

如图4C所示，基准电位Vsub和电源电位Vga被共同提供至电路板62上的所有的发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)。

此外，第一传递信号和第二传递信号被共同发送至电路板62上的所有的发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)。

点亮信号被共同发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20。从而，发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20被并行驱动。点亮信号被共同发送至发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20。从而，发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20被并行驱动。

同时，选择信号至被共同发送至各发光阵列单元级#1至#20，每个发光阵列单元级都包括发光阵列单元组#a的一个发光阵列单元S-A和发光阵列单元组#b的一个发光阵列单元S-B。例如，选择信号被共同发送至发光阵列单元级#1，其中发光阵列单元级#1包括发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1和发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1。在同一时刻并行发送这二十个选择信号至从而，并行驱动发光阵列单元级#1至#20。

应该注意，可以在不同时刻发送选择信号至

由于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A2至S-A20与发光阵列单元S-A1并行驱动，因此此处只需要描述发光阵列单元S-A1的操作。此外，由于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B2至S-B20与发光阵列单元S-B1并行驱动，因此此处只需要描述发光阵列单元S-B1的操作。同样，由于发光阵列单元级#2至#20与发光阵列单元级#1并行驱动，因此此处只需描述具有发光阵列单元S-A1和S-B1的发光阵列单元级#1的操作。

图9是用于说明第一示例性实施例中的发光装置65和发光阵列单元S-A和S-B的操作的时序图。

尽管如上所述只需描述发光阵列单元S-A和S-B的操作，但是图9示出了不仅说明发光阵列单元级#1(发光阵列单元S-A1和S-B1)的操作，而且还说明发光阵列单元级#2(发光阵列单元S-A2和S-B2)和发光阵列单元级#3(发光阵列单元S-A3和S-B3)的操作的时序图。图9所示的时序图示出了用于控制点亮或不点亮发光阵列单元S-A中每一个的发光晶闸管L1，L3，L5，和L7、以及发光阵列单元S-B中每一个的发光晶闸管L2，L4，L6，和L8的部分。应该注意，以下将对发光晶闸管L的点亮或不点亮的控制称作点亮控制。

此处，在发光阵列单元级#1中，发光阵列单元S-A1中的发光晶闸管L1，L3，L5，和L7、以及发光阵列单元S-B1中的发光晶闸管L2，L4，L6，和L8将被点亮。在发光阵列单元级#2中，发光阵列单元S-A2中的发光晶闸管L3，L5，和L7、以及发光阵列单元S-B2中的发光晶闸管L2，L6，和L8将被点亮，且发光阵列单元S-A2中的发光晶闸管L1和发光阵列单元S-B2中的发光晶闸管L4将不被点亮(未被点亮)。在发光阵列单元级#3中，发光阵列单元S-A3中的发光晶闸管L1，L3，L5，和L7、以及发光阵列单元S-B3中的发光晶闸管L2，L4，L6，和L8将被点亮，且在不同于选择信号的时刻发送选择信号

下面主要描述发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1和S-B1的操作。

假设在图9中时间按字母顺序从时间点a推移到时间点u。

在发光阵列单元组#a中，在从时间点c到时间点n的周期Ta(1)中对发光阵列单元S-A1，S-A2，和S-A3中每一个的发光晶闸管L1进行点亮控制。在从时间点n到时间点q的周期Ta(2)中对发光阵列单元S-A1，S-A2，和S-A3中每一个的发光晶闸管L3进行点亮控制。在从时间点q到时间点s的周期Ta(3)中对发光阵列单元S-A1，S-A2，和S-A3中每一个的发光晶闸管L5进行点亮控制。在从时间点s到时间点u的周期Ta(4)中对发光阵列单元S-A1，S-A2，和S-A3中每一个的发光晶闸管L7进行点亮控制。以相同的方式，对发光晶闸管L9和其余的发光晶闸管L进行点亮控制。

在发光阵列单元组#b中，在从时间点h到时间点p的周期Tb(1)中对发光阵列单元S-B1，S-B2，和S-B3中每一个的发光晶闸管L2进行点亮控制。在从时间点p到时间点r的周期Tb(2)中对发光阵列单元S-B1，S-B2，和S-B3中每一个的发光晶闸管L4进行点亮控制。在从时间点r到时间点t的周期Tb(3)中对发光阵列单元S-B1，S-B2，和S-B3中每一个的发光晶闸管L6进行点亮控制。在从时间点t开始的周期Tb(4)中对发光阵列单元S-B1，S-B2，和S-B3中每一个的发光晶闸管L8进行点亮控制。以相同的方式，对发光晶闸管L10和其余的发光晶闸管L进行点亮控制。

在第一示例性实施例中，周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…和周期Tb(1)，Tb(2)，Tb(3)，…具有相同的长度，并且当彼此不进行区分时将它们称为周期T。

对发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20进行控制的周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…与对发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20进行控制的周期Tb(1)，Tb(2)，Tb(3)，…错开周期T的半个长度(在相位上为180度)。换言之，在周期Ta(1)启动后经过周期T的半个周期长度之后，启动周期Tb(1)。

因此，下面将给出关于对发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1进行控制的周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…的描述。

应该注意，只要保持下述各信号间的关系，周期T的长度就可变。

除了根据图像数据改变的选择信号(至)的波形外，周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…中的信号波形是相同波形的重复。

因此，下面描述从时间点c到时间点n的周期Ta(1)。应该注意，从时间点a到时间点c的周期是发光阵列单元S-A1和S-B1开始操作的周期。下面在操作说明中描述该周期期间的各信号。

首先，给出第一传递信号和第二传递信号在周期Ta(1)中的信号波形的描述。

第一传递信号在时间点c为低电平电位(以下称为“L”)，在时间点g从“L”变换为高电平电位(以下称为“H”)，在时间点k从“H”变换为“L”，以及在时间点n保持为“L”。

第二传递信号在时间点c为“H”，在时间点f从“H”变换为“L”，在时间点l从“L”变换为“H”，以及在时间点n保持为“H”。

在周期Ta(2)，Ta(3)，…中重复第一传递信号和第二传递信号在周期Ta(1)中的信号波形。第一传递信号和第二传递信号具有以周期T重复的波形。

在第一传递信号和第二传递信号之间进行比较，第二传递信号的信号波形为将第一传递信号在周期Ta(1)中的信号波形在时间轴上移动周期T的半个长度(相位上为180度)而到达一个延迟点。

第一传递信号和第二传递信号的信号波形交替重复“H”和“L”，其间有两者皆为“L”的周期(诸如从时间点f到时间点g)。除了从时间点a到时间点b的周期以外，第一传递信号和第二传递信号不具有二者同时为“H”的周期。

成对的传递信号，即第一传递信号和第二传递信号使图6和图7所示的传递晶闸管T如稍后所述那样顺序进入ON状态，从而将(要进行点亮控制的)发光晶闸管L设置为点亮或不点亮的控制对象。

接下来，给出点亮信号和在周期Ta(1)中的信号波形的描述。

点亮信号和为发光晶闸管L提供点亮(发光)所需的电流，如稍后所述。

点亮信号在周期Ta(1)开始处的时间点c从“H”变换为“L”，在时间点m从“L”变换为“H”，以及在周期Ta(1)结束处的时间点n从“H”变换为“L”。在周期Ta(2)，Ta(3)，…中重复点亮信号在周期Ta(1)中的波形。

点亮信号在时间点c为“H”，在时间点h(周期Tb(1)开始处)从“H”变换为“L”，并在时间点n保持为“L”。然后，点亮信号在周期Ta(2)中的时间点o从“L”变换为“H”，并在时间点p(周期Tb(1)结束处)从“H”变换为“L”。因此，聚焦于周期Tb(1)，点亮信号在周期Tb(1)中的波形与点亮信号在周期Ta(1)中的波形相同。点亮信号的波形为将点亮信号在时间轴上移动周期T的半个长度(相位上为180度)而到达一个延迟点。在周期Tb(2)，Tb(3)，…中重复点亮信号在周期Tb(1)中的波形。

接下来，描述选择信号(至)。

发送至发光阵列单元S-A1和S-B1的选择信号在时间点c为“L”，在时间点d从“L”变换为“H”，并在时间点e从“H”变换为“L”。此外，选择信号在时间点i从“L”变换为“H”，并在时间点j从“H”变换为“L”。换言之，选择信号在周期Ta(1)中具有两个“L”周期。

第一传递信号第二传递信号和选择信号间的关系如下。选择信号在从时间点d到时间点e的周期期间为“H”，该周期包括在其中第一传递信号和第二传递信号中只有第一传递信号为“L”的从时间点c到时间点f的周期中。此外，选择信号在从时间点i到时间点j的周期期间为“H”，该周期包括在其中第一传递信号和第二传递信号中只有第二传递信号为“L”的从时间点g到时间点k的周期中。

换言之，在周期Ta(1)中，发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1在其中选择信号首先变为“H”的周期(从时间点d到时间点e)中变换为点亮状态，而发光阵列单元S-B1的发光晶闸管L2在其中选择信号后来变为“H”的周期(从时间点i到时间点j)中变换为点亮状态。因此，在周期Tb(1)中，选择信号在其中选择信号后来变为“H”的周期(从时间点i到时间点j)中为“H”。

点亮信号和以及选择信号间的关系如下。在周期Ta(1)中，选择信号为“H”的周期(从时间点d到时间点e)在其中点亮信号为“L”的周期(从时间点c到时间点m)的周期中。类似地，在周期Tb(1)中，选择信号为“H”的周期(从时间点i到时间点j)在其中点亮信号为“L”的周期(从时间点h到时间点o)的周期中。

如稍后描述，发光晶闸管L在选择信号(至)为“H”以及点亮信号(和)为“L”时变换为点亮状态。

具体地，假设选择信号(至)的“H”和“L”分别为“1”和“0”以及点亮信号(和)的“L”和“H”分别为“1”和“0”，则发光晶闸管L在选择信号(至)与点亮信号(和)的逻辑乘积为“1”时变换为点亮状态。

如图9所示，共同发送至发光阵列单元S-A1和S-B1的选择信号在时间轴上(时序上)具有彼此错开的“H”周期，各“H”周期都使发光阵列单元S-A1和S-B1中相应的一个发光阵列单元的发光晶闸管L进入点亮状态。

在描述发光装置65和发光阵列单元S-A和S-B的操作之前，先给出晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)的基本操作。这些晶闸管均为具有三个端子的半导体器件，这三个端子是：阳极端子、阴极端子和栅极端子。

下面作为实例，提供给作为图6至图8A中所示的晶闸管的阳极端子的Vsub端子的基准电位Vsub被设置为0V(“H”)，以及提供给Vga端子的电源电位Vga被设置为-3.3V(“L”)。此外，如图8A和图8B所示，这些晶闸管通过层压由GaAs，GaAlAs等形成的p型半导体层和n型半导体层而形成。pn结的扩散电位Vd(正向电位)设置为1.5V，肖特基结(势垒)的正向电位Vs设置为0.5V。下面的描述使用了这些数字值。

当将低于阈值电压V的电位(负的大电位)施加至晶闸管的阴极端子时，没有电流在其阳极端子和阴极端子之间流过的该晶闸管变换为ON状态(即，导通)。导通时，该晶闸管处于其中电流在其阳极端子和阴极端子之间流过的状态(ON状态)。此处，该晶闸管的阈值电压为通过从栅极端子的电位中减去扩散电位而得到的值。从而，当晶闸管的栅极端子的电位为-1.5V时，阈值电压为-3.0V。因此，当将低于-3.0V的电压施加至晶闸管的阴极端子时，该晶闸管导通。

在处于ON状态的晶闸管中，其栅极端子的电位变为接近于其阳极端子的电位。由于此处将阳极端子设置为0V(“H”)，因此在假设栅极端子的电位变为0V(“H”)的情况下给出下述描述。此外，处于ON状态的晶闸管的阴极端子变为等于pn结的扩散电位Vd。因此，此处阴极端子的电位变为-1.5V。

一旦晶闸管导通，该晶闸管就保持其ON状态直到阴极端子的电位达到高于使其保持ON状态所需的电位(保持电位)的电位(即，达到负的小电位)。由于处于ON状态的晶闸管的阴极端子的电位为-1.5V，因此当将高于-1.5V的电位施加至阴极端子时，晶闸管变换为OFF状态(即，关断)。例如，当阴极端子变为“H”(0V)时，阴极端子和阳极端子具有相同的电位，从而该晶闸管关断。

另一方面，当将低于-1.5V的电位持续施加至晶闸管的阴极并且提供使该晶闸管保持处于ON状态的电流时，该晶闸管保持其ON状态。

如上所述，处于ON状态的晶闸管根据栅极端子的电位保持有电流流过的状态，并且不变换为ON状态。换言之，该晶闸管具有保持(记忆或维持)其ON状态的功能。

如所述，持续施加至阴极端子以使晶闸管保持其ON状态的保持电位可以高于(绝对值小于)施加至阴极端子的电位，以使该晶闸管导通。

应该注意，发光晶闸管L导通时点亮(发光)，而在关断时熄灭(不点亮)。晶闸管L的发光输出(亮度)取决于阴极端子和阳极端子间流过的电流。

此外，在描述发光装置65和发光阵列单元S-A和S-B的操作之前，先给出对肖特基写入二极管SDw的操作的描述。

每个肖特基写入二极管SDw和连接电阻器Ra对都形成两输入AND电路AND1。

利用图6所示的发光阵列单元S-A1中的点滑线所包围的肖特基写入二极管SDw1和连接电阻器Ra1来描述该两输入AND电路AND1。

该两输入AND电路AND1被构造为将肖特基写入二极管SDw1的阳极端子连接至作为连接电阻器Ra1的一个端子的O端子。然后，作为连接电阻器Ra1的另一个端子的X端子连接至传递晶闸管T1的栅极端子Gt1。作为肖特基写入二极管SDw1的阴极端子的Y端子连接至选择信号线74。如前所述，选择信号线74连接至端子，选择信号被发送至该端子。

连接电阻器Ra1的O端子连接至发光晶闸管L1的栅极端子Gl1。

X端子和Y端子用作输入端子，而O端子用作输出端子。

对于连接电阻器Ra1的X端子的电位(称作Gt(X))为“H”(0V)，-1.5V，以及小于-2.8V(Gt(X)＜-2.8V)这三种情况中的每一种情况，表1示出了端子(两输入AND电路AND1的Y端子)的电位和作为发光晶闸管L1的栅极端子Gl1的O端子的电位之间的关系。下文中，端子的电位称作O端子的电位称作Gl(O)。

假设传递晶闸管T1的栅极端子Gt1(Gt(X))为“H”(0V)。如果发送至端子的选择信号为“L”(-3.3V)则在正向上给肖特基写入二极管SDw1施加了一个电压(即，肖特基写入二极管SDw1正偏)。于是O端子(Gl(O))变为-2.8V，该电压可以由从“L”(-3.3V)减去为0.5V的肖特基结(势垒)的正向电位Vs得到。于是，发光晶闸管L1的阈值电压变为-4.3V，从而即使点亮信号为“L”(-3.3V)，发光晶闸管L1也不点亮(发光)。

另一方面，假设发送至端子的选择信号为“H”(0V)于是，由于此处的栅极端子Gt1(Gt(X))为“H”(0V)，因此Gl(O)也变为“H”(0V)。于是，发光晶闸管L1的阈值电压变为-1.5V，从而如果为“L”(-3.3V)，则发光晶闸管L1点亮(发光)。

接下来，假设传递晶闸管T1的栅极端子Gt1(Gt(X))为-1.5V。如果发送至端子的选择信号为“L”(-3.3V)则肖特基写入二极管SDw1正偏。于是O端子的电位Gl(O)变为-2.8V，该电压可以由从“L”(-3.3V)减去为0.5V的肖特基写入二极管SDw1的正向电位得到。

另一方面，如果发送至端子的选择信号为“H”(0V)则在反向上给肖特基写入二极管SDw1施加了一个电压(即，肖特基写入二极管SDw1反偏)。因此，O端子的电位(Gl(O))变为-1.5V，该电压是X端子的电位(Gt(X))。于是，发光晶闸管L1的阈值电压变为-3V。

现在假设传递晶闸管T1的栅极端子Gt1(Gt(X))小于-2.8V(Gt(X)＜-2.8V)，其中-2.8V可以由从“L”(-3.3V)减去为0.5V的肖特基结(势垒)的正向电位Vs得到。如果发送至端子的选择信号为“L”(-3.3V)则肖特基写入二极管SDw1不正偏，从而O端子的电位(Gl(O))变为等于X端子的电位(Gt(X))。

此外，当发送至端子的选择信号为“H”(0V)时，肖特基写入二极管SDw1反偏，从而O端子的电位(Gl(O))变为等于X端子的电位(Gt(X))。

于是，当Gt(X)＜-2.8V时，发光晶闸管L1的阈值电压小于-4.3V。

因此，当Gt(X)和的电位(信号)为“H”(0V)时，(Gl(O))的电位(信号)变为“H”(0V)，从而发光晶闸管L点亮(发光)。因此，该两输入AND电路AND1用作两输入AND。

表1

尽管此处已经利用肖特基写入二极管SDw1和连接电阻器Ra1描述了两输入AND电路AND1，但是对于其他的肖特基写入二极管SDw和连接电阻器Ra而言，也是这样。

现在，参照图4A至图7，根据图9所示的时序图来描述发光装置65的操作。

(1)时间点a

下面给出对开始为发光装置65提供基准电位Vsub和电源电位Vga的时间点a处的状态(初始状态)的描述。

在图9所示的时序图中的时间点a，将电源线200a设置成为“H”(0V)的基准电位Vsub，并且将电源线200b设置成为“L”(-3.3V)的电源电位Vga(见图4C)。因此，发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)以及发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)中的每一个发光阵列单元的Vsub端子和Vga端子分别设置成“H”和“L”(见图6和图7)。

此外，信号产生电路110的传递信号产生部件120将第一传递信号和第二传递信号设置成“H”。于是，第一传递信号线201和第二传递信号线202变成“H”(见图4C)。从而，发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)以及发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)中的每一个发光阵列单元的端子和端子都被设置成“H”。通过限流电阻器R1连接至端子的第一传递信号线72的电位、以及通过限流电阻器R2连接至端子的第二传递信号线73的电位也变为“H”(见图6和图7)。

此外，信号产生电路110的点亮信号产生部件140将点亮信号和设置为“H”。因此，点亮信号线204a和204b变为“H”(见图4C)。从而，发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)以及发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)中的每一个发光阵列单元的端子都变为“H”。连接至端子的点亮信号线75也变为“H”(见图6和图7)。

信号产生电路110的选择信号产生部件150将选择信号至设置为“L”(-3.3V)。于是，选择信号线205至224变为“L”(-3.3V)(见图4C)。从而，发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)以及发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)中的每一个发光阵列单元的端子都变为“L”(-3.3V)。连接至端子的选择信号线74也变为“L”(-3.3V)(见图6和图7)。

接下来，参照图6和图7，关注于属于发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1和发光阵列单元S-B1来根据图9所示的时序图描述发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)以及发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)的操作。

应该注意，尽管在图9和下文的描述中，每个端子的电位以步进方式改变，但是实际上每个端子的电位是逐渐改变的。从而，即使在电位正在改变期间，如果满足如下所述的条件，晶闸管的状态(诸如导通和关断)也可改变。

发光阵列单元S-A1和S-B1的传递晶闸管T和发光晶闸管L的阳极端子连接至Vsub端子，因此被设置为“H”。

另一方面，奇数编号的传递晶闸管T1，T3，T5，…的阴极端子连接至第一传递信号线72，从而被设置为“H”。偶数编号的晶闸管T2，T4，T6，…的阴极端子连接至第二传递信号线73，从而被设置为“H”。由于传递晶闸管T的阳极端子和阴极端子都为“H”，因此传递晶闸管T为OFF状态。

传递晶闸管T的栅极端子Gt通过各自的电源线电阻器Rgx连接至电源线71。由于电源线71被设置为为“L”(-3.3V)的电源电位Vga，因此除了稍后描述的栅极端子Gt1和Gt2以外的栅极端子Gt的电位都为“L”。

如前所述，图6(图7)中的传递晶闸管阵列一端处的栅极端子Gt1连接至启动二极管Dx0的阴极端子。启动二极管Dx0的阳极端子连接至第二传递信号线73。第二传递信号线73被设置为“H”。启动二极管Dx0的阴极端子为“L”，其阳极端子为“H”，因此其正偏。从而，启动二极管Dx0的阴极端子(栅极端子Gt1)变为-1.5V，该-1.5V是通过从启动二极管Dx0的阳极端子的“H”(0V)减去启动二极管Dx0的扩散电位Vd(1.5V)得到的值。因此，传递晶闸管T1的阈值电压变为-3V，该-3V是通过从栅极端子Gt1的电位(-1.5V)减去扩散电位Vd(1.5V)得到的值。

邻近传递晶闸管T1的传递晶闸管T2的栅极端子Gt2通过耦合二极管Dx1连接至栅极端子Gt1。传递晶闸管T2的栅极端子Gt2的电位变为-3V，该-3V是通过从栅极端子Gt1的电位(-1.5V)减去耦合二极管Dx1的扩散电位Vd(1.5V)得到的值。因此，传递晶闸管T2的阈值电压为-4.5V。

发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75，并且设置为“H”。因此，发光晶闸管L的阴极端子和阳极端子都变为“H”，从而，发光晶闸管L处于OFF状态。

<发光阵列单元S-A1>

发光晶闸管L的栅极端子Gl通过连接电阻器Ra连接至传递晶闸管T的栅极端子Gt。因此，除了连接至栅极端子Gt1的发光晶闸管L1以外，根据表1，连接至具有-3.3V电位的栅极端子Gt3，Gt5，…的发光晶闸管L3，L5，…的栅极端子Gl3，Gl5，…中的每一个的电位都变为栅极端子Gt3，Gt5，…的电位“L”(-3.3V)。从而，发光晶闸管L3，L5，…的阈值电压为-4.8V。

另一方面，由于栅极端子Gt1的电位为-1.5V，且端子的电位为“L”(-3.3V)，因此根据表1，栅极端子Gl1的电位为-2.8V。从而，发光晶闸管L1的阈值电压为-4.3V。

应该注意，第三以及更高编号的传递晶闸管T的阈值电压如前所述为-4.8V。

应该注意，如图6所示，未给传递晶闸管T2提供发光晶闸管L。

<发光阵列单元S-B1>

发光阵列单元S-B1与发光阵列单元S-A1处于相似的状态。

然而，如图7所示，在发光阵列单元S-B1中，尽管未提供与发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1相对应的发光晶闸管L，但是提供了发光晶闸管L2。

如上利用发光阵列单元S-A1所述，传递晶闸管T2的栅极端子Gt为-3V。由于栅极端子Gt2的电位为-3V，以及端子的电位为“L”(-3.3V)，因此根据表1，栅极端子Gl2的电位变为等于栅极端子Gt2的电位(-3V)。从而，发光晶闸管L2的阈值电压为-4.5V。

(2)时间点b

在图9所示的时间点b，第一传递信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。从而，发光装置65进入操作状态。

发光阵列单元S-A1和S-B1中的每个发光阵列单元中的具有-3V阈值电压的传递晶闸管T1导通。然而，由于具有-4.8V的阈值电压，奇数编号的传递晶闸管T(包括传递晶闸管T3和更高编号的传递晶闸管)不导通。另一方面，由于第二传递信号为“H”(0V)，因此具有-4.5V阈值电压的传递晶闸管T2不导通。

当传递晶闸管T1导通时，栅极端子Gt1的电位变为阳极端子的电位“H”(0V)。于是，传递晶闸管T1的阴极端子(图6中的第一传递信号线72)的电位变为-1.5V，该-1.5V是通过从为“H”(0V)的传递晶闸管T1的阳极端子的电位减去扩散电位Vd(1.5V)得到的。于是，正偏的耦合二极管Dx1的阴极端子的电位(栅极端子Gt2的电位)变为-1.5V，该-1.5V是通过从为“H”(0V)的其阳极端子(栅极端子Gt1)的电位减去扩散电位Vd(1.5V)得到的。从而，传递晶闸管T2的阈值电压为-3V。

通过耦合二极管Dx2连接至传递晶闸管T2的栅极端子Gt2的栅极端子Gt3的电位变为-3V。从而，传递晶闸管T3的阈值电压变为-4.5V。第四或更高编号的传递晶闸管T保持具有-4.8V的阈值电压，这是因为栅极端子Gt的电位是为“L”的电源电位Vga。

<发光阵列单元S-A1>

由于选择信号为“L”(-3.3V)，因此即使在栅极端子Gt1的电位变为“H”(0V)以后，栅极端子Gl1的电位仍保持在-2.8V，如表1所示。从而，发光晶闸管L1的阈值电压为-4.3V。另一方面，如表1所示，当栅极端子Gt3的电位变为-3V时，栅极端子Gl3的电位变为栅极端子Gt3的电位-3V。从而，发光晶闸管L3的阈值电压为-4.5V。其他的发光晶闸管L将其阈值电压保持在-4.8V。

然而，由于点亮信号线75为“H”，因此没有发光晶闸管L变换为ON状态。

在发光阵列单元S-A1中，只有传递晶闸管T1在时间点b导通。于是，恰在时间点b之后(晶闸管等在时间点b由于信号电位的改变而改变后的稳定状态)，传递晶闸管T1处于ON状态。其他的传递晶闸管T和所有的发光晶闸管L都处于OFF状态。

应该注意，在下述中，只描述处于ON状态的晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)，而不描述处于OFF状态的晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)。

如上所述，传递晶闸管T的栅极端子Gt通过耦合二极管Dx相互连接。因此，如果某一栅极端子Gt的电位改变，则通过正偏的耦合二极管Dx连接至电位改变的该栅极端子Gt的栅极端子Gt的电位改变。于是，具有被如此改变的栅极端子Gt的传递晶闸管T的阈值电压改变。如果阈值电压超过“L”，则晶闸管处于其可以被导通的状态。

下面给出更详细的描述。通过一个正偏的耦合二极管Dx连接至电位已经改变为“H”(0V)的栅极端子Gt的栅极端子Gt的电位变为-1.5V，从而具有该栅极端子Gt的传递晶闸管T的阈值电压变为-3V。由于该阈值电压高于(绝对值小于)“L”(-3.3V)，因此传递晶闸管T在其阴极端子变为“L”(-3.3V)时导通。

另一方面，通过正偏的、串联连接的两个耦合二极管Dx连接至具有“H”(0V)电位的栅极端子Gt的栅极端子Gt的电位变为-3V，并且具有该栅极端子Gt的传递晶闸管T的阈值电压变为-4.5V。由于该阈值电压低于“L”(-3.3V)，因此该传递晶闸管不导通，并保持其OFF状态。

<发光阵列单元S-B1>

使发光阵列单元S-B1进入与发光阵列单元S-A1类似的状态。具体地，传递晶闸管T1导通，并且栅极端子Gt1的电位变为“H”(0V)。于是，栅极端子Gt2的电位变为-1.5V。

于是，根据表1，发光晶闸管L2的栅极端子Gl2的电位变为-2.8V，这是因为栅极端子Gt2的电位为-1.5V，并且选择信号为“L”(-3.3V)。从而，发光晶闸管L2的阈值电压变为-4.3V。

(3)时间点c

在时间点c，被共同发送至发光阵列单元组#a的点亮信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

<发光阵列单元S-A1>

当点亮信号线75变为“L”(-3.3V)时，没有发光晶闸管L导通，这是因为发光晶闸管L1的阈值电压为-4.3V，发光晶闸管L3的阈值电压为-4.5V，以及第五及更高编号的发光晶闸管L的阈值电压为-4.8V。

因此，恰在时间点c之后，只有传递晶闸管T1处于ON状态。

<发光阵列单元S-B1>

由于发光阵列单元组#b中没有信号改变，因此发光阵列单元S-B1保持时间点b的状态。

(4)时间点d

在时间点d，被共同发送至发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1和S-B1的选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。

<发光阵列单元S-A1>

传递晶闸管T1处于ON状态，并且栅极端子Gt1为“H”(0V)。根据表1，当选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)时，栅极端子Gl1的电位变为“H”(0V)。于是，发光晶闸管L1的阈值电压从-4.3V增加到-1.5V。由于点亮信号在时间点c变为“L”(-3.3V)，因此发光晶闸管L1导通并点亮(发光)。从而，点亮信号线75的电位由于发光晶闸管L1处于ON状态而变为-1.5V。

应该注意，由于栅极端子Gt的电位为-3V，因此根据表1，栅极端子Gl3的电位变为栅极端子Gt3的电位-3V。因此，由于-4.5V的阈值电压，发光晶闸管L3不导通。

恰在时间点d之后，传递晶闸管T1处于ON状态，并且发光晶闸管L1处于ON状态并点亮(发光)。

<发光阵列单元S-B1>

传递晶闸管T1处于ON状态，并且栅极端子Gt1和栅极端子Gt2分别为“H”(0V)和-1.5V。根据表1，当选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)时，栅极端子Gl2的电位变为-1.5V。于是，发光晶闸管L2的阈值电压从-4.3V增大至-3V。然而，由于点亮信号保持在“H”(0V)，因此发光晶闸管L2不导通。

恰在时间点d后，传递晶闸管T1处于ON状态。

(5)时间点e

在时间点e，被共同发送至发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1和S-B1的选择信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

<发光阵列单元S-A1>

尽管栅极端子Gt1为“H”(0V)，但是由于选择信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)，因此根据表1栅极端子Gl1的电位返回至-2.8V，并且发光晶闸管L1的阈值电压变为-4.3V。然而，由于点亮信号保持在“L”(-3.3V)，因此发光晶闸管L1保持其ON状态并点亮(发光)。

因此，恰在时间点e之后，传递晶闸管T1处于ON状态，并且发光晶闸管L1处于ON状态并点亮(发光)。

<发光阵列单元S-B1>

尽管栅极端子Gt2为-1.5V，但是由于选择信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)，因此如表1所示，栅极端子Gl2的电位从-1.5V返回至-2.8V，并且发光晶闸管L2的阈值电压变为-4.3V。

因此，恰在时间点e之后，传递晶闸管T1处于ON状态。

(6)时间点f

在时间点f，第二传递信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

在发光阵列单元S-A1和S-B1中，阈值电压为-3V的传递晶闸管T2导通。于是，栅极端子Gt2的电位变为“H”(0V)，栅极端子Gt3的电位变为-1.5V，以及栅极端子Gt4的电位变为-3V。

<发光阵列单元S-A1>

在时间点f，由于选择信号为“L”(-3.3V)，因此根据表1，栅极端子Gl3的电位为-2.8V，并且发光晶闸管L3的阈值电压为-4.3V。

应该注意，恰在时间点f之后，传递晶闸管T1和T2都处于ON状态，从而发光晶闸管L1处于ON状态并点亮(发光)。

<发光阵列单元S-B1>

栅极端子Gt2的电位变为“H”(0V)，栅极端子Gt3的电位变为-1.5V，以及栅极端子Gt4的电位变为-3V。

在时间点f，由于选择信号为“L”(-3.3V)，因此根据表1，栅极端子Gl2的电位为-2.8V，并且发光晶闸管L2的阈值电压为-4.3V。

应该注意，恰在时间点f之后，传递晶闸管T1和T2都处于ON状态。

(7)时间点g

在时间点g，第一传递信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。

发光阵列单元S-A1和S-B1中每一个发光阵列单元的传递晶闸管T1的阴极端子的电位变为其阳极端子的电位“H”(0V)，因此传递晶闸管T1关断。于是，栅极端子Gt1的电位向“L”(-3.3V)改变。于是耦合二极管Dx1反偏，并且为“H”(0V)的栅极端子Gt2的电位不再影响栅极端子Gt1。

<发光阵列单元S-A1>

由于选择信号在时间点f为“L”(-3.3V)，因此当栅极端子Gt1的电位变为“L”(-3.3V)时，栅极端子Gl1的电位也变为栅极端子Gt1的电位“L”(-3.3V)。然而，由于点亮信号保持在“L”(-3.3V)，因此发光晶闸管L1保持其ON状态并点亮(发光)。

恰在时间点g之后，传递晶闸管T2处于ON状态，并且发光晶闸管L1处于ON状态并点亮(发光)。

<发光阵列单元S-B1>

恰在时间点g之后，传递晶闸管T2处于ON状态。

(8)时间点h

在时间点h，被共同发送至发光阵列单元组#b的点亮信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

<发光阵列单元S-A1>

由于在发光阵列单元组#a中没有信号改变，因此发光阵列单元S-A1保持在时间点g的状态。

<发光阵列单元S-B1>

即使在点亮信号线75变为“L”(-3.3V)时，也没有发光晶闸管L导通，这是因为发光晶闸管L2的阈值电压为-4.3V，发光晶闸管L4的阈值电压为-4.5V，第六及更高编号的发光晶闸管L的阈值电压为-4.8V。

从而，恰在时间点h后，只有传递晶闸管T2处于ON状态。

(9)时间点i

在时间点i，被共同发送至发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1和S-B1的选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。

发光阵列单元S-A1和S-B1中的每个发光阵列单元的传递晶闸管T2都处于ON状态，并且栅极端子Gt2的电位和栅极端子Gt3的电位分别为“H”(0V)和-1.5V。

<发光阵列单元S-A1>

根据表1，当选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)时，栅极端子Gl3的电位变为-1.5V。于是，发光晶闸管L3的阈值电压从-4.3V增大到-3V。

尽管点亮信号与从时间点c就已经为“L”(-3.3V)，但是由于晶闸管L1点亮(发光)，因此点亮信号线75的电位为-1.5V，该-1.5V的电位是通过从阳极端子的电位“H”(0V)减去扩散电位Vd(-1.5V)得到的。因此，发光晶闸管L3未导通。

恰在时间点i之后，传递晶闸管T2处于ON状态，并且发光晶闸管L1处于ON状态并点亮(发光)。

<发光阵列单元S-B1>

根据表1，当选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)时，栅极端子Gl2的电位变为“H”(0V)。于是，发光晶闸管L2的阈值电压增大至-1.5V。

由于点亮信号自从时间点h就已经为“L”(-3.3V)，因此发光晶闸管L2导通并点亮(发光)。于是，点亮信号线75的电位变为-1.5V，该-1.5V电位通过从阳极端子的电位“H”(0V)减去扩散电位Vd(-1.5V)得到的。

该状态与其中发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1在时间点d导通并点亮(发光)的状态相同。

恰在时间点i之后，传递晶闸管T2处于ON状态，并且发光晶闸管L2处于ON状态并点亮(发光)。

换言之，在时间点i，构成发光阵列单元级#1的各发光阵列单元S-A1和S-B1的发光晶闸管L1并行点亮。

(10)时间点j

在时间点j，被共同发送至发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1和S-B1的选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。该状态类似于时间点d的状态。

具体地，发光阵列单元S-A1和S-B1中的传递晶闸管T和发光晶闸管L不改变状态。在发光阵列单元S-A1中，传递晶闸管T2处于ON状态，并且发光晶闸管L1处于ON状态并点亮(发光)。另一方面，在发光阵列单元S-B1中，传递晶闸管T2处于ON状态，并且发光晶闸管L2处于ON状态并点亮(发光)。

(11)时间点k

在时间点k，第一传递信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。该状态类似于时间点f的状态。

具体地，发光阵列单元S-A1和S-B1中的每个发光阵列单元中的阈值电压为-3V的传递晶闸管T3导通。于是，栅极端子Gt3的电位变为“H”(0V)，栅极端子Gt4的电位变为-1.5V，以及栅极端子Gt5的电位变为-3V。

然而，在发光阵列单元S-A1中，根据表1，栅极端子Gl3的电位不从-2.8V改变，且发光晶闸管L3的阈值电压保持在-4.3V。应该注意，点亮信号线75的电位由于发光晶闸管L1处于ON状态而保持在-1.5V。

另一方面，在发光阵列单元S-B1中，根据表1，栅极端子Gl4的电位变为-2.8V，且发光晶闸管L3的阈值电压变为-4.3V。应该注意，点亮信号线75的电位由于发光晶闸管L2处于ON状态而保持在-1.5V。

(12)时间点l

在时间点l，第二传递信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。该状态类似于时间点g的状态。

具体地，在发光阵列单元S-A1和S-B1中，传递晶闸管T2的阳极端子和阴极端子二者都变为“H”(0V)，且传递晶闸管T2关断。从而，传递晶闸管T2的栅极端子Gt2的电位从“H”(0V)向“L”(-3.3V)改变。

从而，为“H”(0V)的栅极端子Gt3的电位不再影响栅极端子Gt2。

还是在时间点l，发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1由于点亮信号为“L”(-3.3V)而保持其ON状态并点亮(发光)。

类似地，发光阵列单元S-B1的发光晶闸管L2由于点亮信号为“L”(-3.3V)而保持其ON状态并点亮(发光)。

(13)时间点m

在时间点m，被发送至发光阵列单元组#a的点亮信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。

<发光阵列单元S-A1>

发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1由于其阳极端子和阴极端子二者皆变为“H”(0V)而关断从而不点亮。

换言之，发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1的点亮周期介于选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)的时间点d和点亮信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)的时间点m之间。恰在时间点m后，传递晶闸管T3处于ON状态。

<发光阵列单元S-B1>

在发光阵列单元组#b中，没有信号变化，从而保持时间点l的状态。

(14)时间点n

在时间点n，被发送至发光阵列单元组#a的点亮信号再次从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

<发光阵列单元S-A1>

对发光阵列单元组#a的发光晶闸管L1进行点亮控制的周期Ta(1)结束，且对发光晶闸管L3进行点亮控制的周期Ta(2)开始。周期Ta(2)是周期Ta(1)的重复，从而此处不对其进行详细描述。

<发光阵列单元S-B1>

在发光阵列单元组#b中，没有信号变化，从而保持时间点l的状态。

(15)时间点o

在时间点o，被发送至发光阵列单元组#b的点亮信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。

<发光阵列单元S-A1>

在发光阵列单元组#a中，没有信号变化，从而保持之前的状态。

<发光阵列单元S-B1>

发光阵列单元S-B1的发光晶闸管L2由于其阳极端子和阴极端子二者的电位皆为“H”(0V)而关断从而不点亮。

换言之，发光阵列单元S-B1的发光晶闸管L2的点亮周期介于选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)的时间点i和点亮信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)的时间点o之间。

恰在时间点o后，传递晶闸管T3处于ON状态。

(16)时间点p

在时间点p，被发送至发光阵列单元组#b的点亮信号再次从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

<发光阵列单元S-A1>

在发光阵列单元组#a中，没有信号变化，从而保持之前的状态。

<发光阵列单元S-B1>

对发光阵列单元组#b的发光晶闸管L2进行点亮控制的周期Tb(1)结束，且对发光晶闸管L4进行点亮控制的周期Tb(2)开始。周期Tb(2)是周期Tb(1)的重复，从而此处不对其进行详细描述。

应该注意，如果选择信号不从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)，而是在发光阵列单元S-A和S-B中保持在“L”(-3.3V)，则发光晶闸管L可以保持不点亮(保持不被点亮)。例如，在发光阵列单元S-A2中，选择信号在周期Ta(1)中的时间点d保持在“L”(-3.3V)。从而，即使在发光阵列单元S-A2的栅极端子Gt1为“H”(0V)时，发光晶闸管L1的栅极端子Gl1的电位也保持在-2.8V，并且阈值电压变为-4.3V。因此，即使在发送至发光阵列单元S-A2的点亮信号自从时间点c就已经变为“L”(-3.3V)，发光晶闸管L1也不导通，并且保持其不点亮(不被点亮)状态。

如前所述，发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)的各晶闸管的点亮周期介于发送至端子的选择信号(至)从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)的时间点和点亮信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)的时间点之间。

因此，可以在考虑发光晶闸管L的发光强度的情况下设置将感光鼓12暴露于光的点亮周期。具体地，可以基于针对每个发光晶闸管L的校正值设置点亮开始时间点，其中该校正值由发光晶闸管L的发光强度计算并在为图像输出控制器30或信号产生电路110提供的非易失性存储器中累积得到。以此方式，可以校正每个发光晶闸管L的光量(可以执行光量校正)，从而形成的图像可以减小感光鼓12间曝光量中由发光晶闸管L造成的差异。

在第一示例性实施例中，利用点亮信号(和)和选择信号(至)的组合允许通过不重复地选择发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)、以及设置每个发光晶闸管L的点亮开始时间点来设置每个发光晶闸管L的点亮周期。

例如，在图9中，发光阵列单元级#3的发光阵列单元S-A3的发光晶闸管L1的点亮开始时间点被设置为与发光阵列单元级#1的发光阵列单元S-A1的发光晶闸管L1的点亮开始时间点d具有一个延迟。

如至此所描述的，在第一示例性实施例中，通过顺序地使传递晶闸管T进入ON状态来将两输入AND电路AND1的电位Gt(X)设置为“H”(0V)。于是，可以构造为使得当变为“H”(0V)时，栅极端子Gl变为“H”(0V)，并且发光晶闸管L的阈值电压变为-1.5V。

通过在一个传递晶闸管T处于ON状态时使选择信号为“H”(0V)，由处于ON状态的传递晶闸管T设置的发光晶闸管L导通并点亮(发光)。

在发光阵列单元S-A中未设有发光晶闸管L的某些编号的传递晶闸管T在发光阵列单元S-B中设有发光晶闸管L。此外，在发光阵列单元S-B中未设有发光晶闸管L的某些编号的传递晶闸管T在发光阵列单元S-A中设有发光晶闸管L。换言之，发光阵列单元S-A和发光阵列单元S-B互补。从而，发光阵列单元S-A的发光晶闸管L和发光阵列单元S-B的发光晶闸管L并行点亮(发光)。

此外，在第一示例性实施例中，选择信号在点亮信号从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)后从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)。可替换地，点亮信号可以在选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)后从“H”(0V)变换为“L”(-3.3V)。

于是，第一传递信号被共同发送至发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)，而第二传递信号被共同发送至发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)，以并行对它们进行驱动。此外，点亮信号(和)被共同发送至发光阵列单元组#a和#b中的每一个。

在第一示例性实施例中，减少了提供给电路板62的配线的数量，这是因为点亮信号(和)和选择信号(至)的组合被用来在发光阵列单元S-A(发光阵列单元S-A1至S-A20)和发光阵列单元S-B(发光阵列单元S-B1至S-B20)中进行选择。

(第二示例性实施例)

在第二示例性实施例中，第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A和S-B构成一个发光阵列单元S。具体地，第二示例性实施例中的发光阵列单元S包括两个自扫描发光装置阵列(SLED)。在第一示例性实施例中，使用了两种类型的阵列(发光阵列单元S-A和S-B)。然而，在第二示例性实施例中，使用了一种类型阵列，发光阵列单元S。发光阵列单元S可以是发光芯片。下面将发光阵列单元S作为发光芯片进行描述。

图10A和图10B是示出第二示例性实施例中的发光阵列单元S的构造、发光装置65的信号产生电路110的构造、以及电路板62上的配线构造的示意图。图10A示出了发光阵列单元S的构造，而图10B示出了发光装置65的信号产生电路110的构造和电路板62上的配线构造。在第二示例性实施例中，使用了四十个发光阵列单元S，并布置了二十个发光阵列单元Sa1至Sa20以及二十个发光阵列单元Sb1至Sb20。当彼此不进行区分时，发光阵列单元Sa1至Sa20被称作发光阵列单元Sa。同样，当彼此不进行区分时，发光阵列单元Sb1至Sb20被称作发光阵列单元Sb。此外，当彼此不进行区分时，发光阵列单元Sa和发光阵列单元Sb被称作发光阵列单元S。

首先，描述图10A所示的发光阵列单元S的构造。下面描述与第一示例性实施例中描述的发光阵列单元S-A和S-B的区别，以及相同的构造以相同的参考标号表示，并不再进行详细描述。

发光阵列单元S在衬底80两端部上沿长边方向包括多个输入端子(Vga端子、端子、端子、端子、端子、和端子)。这些输入端子是用于读取各种控制信号等的焊盘。第一示例性实施例中所述的发光阵列单元S-A和S-B中的每一个发光阵列单元的端子都分成端子和端子(见稍后描述的图11)。这些端子如下布置。具体地，从衬底80的一个端部开始布置Vga端子、端子、端子和端子，从衬底80的另一个端部开始布置端子和端子。然后，将发光元件阵列102设置在端子和端子之间。

接下来，利用图10B描述发光装置65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的配线构造。

如前所述，发光装置65的电路板62具有信号产生电路110、发光阵列单元Sa1至Sa20、和发光阵列单元Sb1至Sb20。提供多条配线将信号产生电路110连接至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20。

首先，描述信号产生电路110的构造。下面描述与第一示例性实施例中描述的发光阵列单元S-A和S-B的区别，以及相同的构造以相同的参考标号表示，并不再进行详细描述。

信号产生电路110包括传递信号产生部件120，其基于各种控制信号将第一传递信号和第二传递信号发送至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20。

此外，信号产生电路110包括点亮信号产生部件140l和点亮信号产生部件140r。基于各种控制信号，点亮信号产生部件140l向发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20发送点亮信号以及点亮信号产生部件140r向发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20发送点亮信号

此外，信号产生电路110包括选择信号产生部件150a和选择信号产生部件150b。基于各种控制信号，选择信号产生部件150a向各发光阵列单元Sa1至Sa20发送选择信号至选择信号产生部件150b向各发光阵列单元Sb1至Sb20发送选择信号至

换言之，在第二示例性实施例中，包括在发光阵列单元S中的两个自扫描发光装置阵列(SLED)(见稍后描述的图11中的SLED-l和SLED-r)形成了一对。

尽管在图10B中分别示出，点亮信号产生部件140l和点亮信号产生部件140r统称为点亮信号产生部件140。此外，当彼此不进行区分时，点亮信号和统称为点亮信号此外，尽管在图10B分别示出，选择信号产生部件150a和选择信号产生部件150b统称为选择信号产生部件150。此外，当彼此不进行区分时，选择信号至统称为以及当彼此不进行区分时，选择信号至统称为选择信号和选择信号统称为选择信号

发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20的排列与第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A1至S-A20和发光阵列单元S-AB1至S-B20的排列相同。

下面给出将信号产生电路110连接至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20的配线的说明。

电路板62设有点亮信号线204a，其用于将点亮信号从信号产生电路110的点亮信号产生部件140l发送至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20的端子。点亮信号通过给各发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20分别提供的限流电阻器RI被共同(并行)发送至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20。

同样，电路板62设有点亮信号线204b，其用于将点亮信号从信号产生电路110的点亮信号产生部件140r发送至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20的端子。点亮信号通过给各发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20分别提供的限流电阻器RI被共同(并行)发送至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20。

此外，电路板62设有选择信号线205a至224a，通过这些选择信号线将选择信号至从信号产生电路110的选择信号产生部件150a发送至各发光阵列单元Sa1至Sa20。此外，电路板62设有选择信号线205b至224b，通过这些选择信号线将选择信号至从信号产生电路110的选择信号产生部件150b发送至各发光阵列单元Sb1至Sb20。

如前所述，电路板62上的所有发光阵列单元Sa和Sb都被共同供给基准电位Vsub和电源电位Vga。同样，电路板62上的所有发光阵列单元Sa和Sb都被共同供给第一传递信号和第二传递信号

点亮信号和被共同发送至所有的发光阵列单元Sa和Sb。

选择信号至被发送至各发光阵列单元Sa1至Sa20，而选择信号至被发送至各发光阵列单元Sb1至Sb20。

此处，描述配线的数量。

如果未采用第二示例性实施例，则有两个点亮信号被发送至发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20中的每一个发光阵列单元；因此，需要八十条点亮信号线204(对应于图10B中的点亮信号线204a和204b)。此外，还需要第一传递信号线201、第二传递信号线202、和电源线200a和200b。因此，提供给发光装置65的配线的数量为八十四条。

此外，由于点亮发光元件的电流通过点亮信号线204进行发送，因此需要点亮信号线204具有小的电阻。从而，点亮信号线204需要宽的配线。为此，如果未采用第二示例性实施例，就要在发光装置65的电路板62上提供许多条宽的配线，这将增大电路板62的面积。

如图10B所示，在第二示例性实施例中，除了第一传递信号线201、第二传递信号线202、和电源线200a和200b以外，还需要对应于选择信号至的选择信号线205a至224a和对应于选择信号至的选择信号线205b至224b。从而，在第二示例性实施例中，配线的数量为四十六条。

第二示例性实施例中配线的数量约为未采用第二示例性实施例情况中的1/2。

此外，在第二示例性实施例中，用于发送点亮发光元件的电流的宽配线的数量减少为两条，即，点亮信号线204a和204b。由于没有大电流流经选择信号线205a至224a和205b至224b，因此选择信号线205a至224a和205b至224b不需要宽的配线。为此，第二示例性实施例不需要在电路板62上设置许多的宽配线，这防止了电路板62的面积的增大。

图11是用于说明第二示例性实施例中的发光阵列单元S的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S是自扫描发光装置阵列(SLED)。发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20中的每一个发光阵列单元都具有与发光阵列单元S相同的构造。

通过在单个衬底80上布置第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A和S-B来构造发光阵列单元S。在图11中，左侧的SLED-l是对应于发光阵列单元S-A的部件，右侧的SLED-r是对应于发光阵列单元S-B的部件。

与图6所示的发光阵列单元S-A相同，发光阵列单元S具有从图11左侧开始按照编号顺序布置的传递晶闸管Tl1，Tl2，Tl3，…和发光晶闸管Ll1，Ll3，…。尽管此处未给出详细的描述，但是还以类似于图6所示的发光阵列单元S-A的方式来布置其他的元件。这些元件构成SLED-l。

类似地，与图7所示的发光阵列单元S-B相同，从图11的右侧开始按照编号顺序布置传递晶闸管Tr1，Tr2，Tr3，…和发光晶闸管Lr2，Lr4，…。尽管此处未给出详细的描述，但是还以类似于图7所示的发光阵列单元S-B的方式来布置其他的元件。这些元件构成SLED-r。

下文中，当彼此不进行区分时，传递晶闸管Tl1，Tl2，Tl3，…和传递晶闸管Tr1，Tr2，Tr3，…被称作传递晶闸管T。同样，当彼此不进行区分时，发光晶闸管Ll1，Ll3，…和发光晶闸管Lr2，Lr4，…被称为发光晶闸管L。

应该注意，SLED-l和SLED-r的每一个中的发光晶闸管L的数量可以是任何预定的数量，诸如128。

SLED-l中的奇数编号的传递晶闸管Tl1，Tl3，Tl5，…的阴极端子连接至第一传递信号线721，并通过限流电阻器Rl1连接至图11右边缘所示的端子。SLED-l中的偶数编号的传递晶闸管Tl2，Tl4，Tl6，…的阴极端子连接至第二传递信号线731，并通过限流电阻器Rl2连接至图11左边缘所示的端子。

SLED-l的启动二极管Dxl0的阳极端子连接至第二传递信号线731，其阴极端子连接至传递晶闸管Tl1的栅极端子(无参考标号)。

另一方面，SLED-r中的奇数编号的传递晶闸管Tr1，Tr3，Tr5，…的阴极端子连接至第一传递信号线72r，并通过限流电阻器Rr1连接至图11右边缘所示的端子。SLED-r中的偶数编号的传递晶闸管Tr2，Tr4，Tr6，…的阴极端子连接至第一传递信号线73r，并通过限流电阻器Rr2连接至图11左边缘所示的端子。

SLED-r的启动二极管Dxr0的阳极端子连接至第二传递信号线73r，其阴极端子连接至传递晶闸管Tr1的栅极端子(无参考标号)。

第一传递信号被发送至端子，第二传递信号被发送至端子。换言之，第一传递信号和第二传递信号被共同发送至SLED-l和SLED-r。

SLED-l的肖特基写入二极管SDwl1，SDwl3，…的阴极端子和SLED-r的肖特基写入二极管SDwl2，SDwl4，…的阴极端子连接至选择信号线74。选择信号线74连接至图11左边缘所示的端子(其为控制端子的一个实例)。

选择信号至或至中的任何一个都被发送至端子。

SLED-l的发光晶闸管Ll1，Ll3，…的阴极端子连接至点亮信号线75l。点亮信号线75l连接至图11左边缘所示的端子。SLED-r的发光晶闸管Lr2，Lr4，…的阴极端子连接至点亮信号线75r。点亮信号线75r连接至图11右边缘所示的端子。点亮信号被发送至端子，点亮信号被发送至端子。

图12是用于说明第二示例性实施例中的发光装置65和发光阵列单元S的操作的时序图。图12示出了说明发光阵列单元Sa1的SLED-l和SLED-r的操作、以及发光阵列单元Sb1的SLED-l和SLED-r的操作的时序图。

此处，在发光阵列单元Sa1中，SLED-l中的发光晶闸管Ll1，Ll3，Ll5，和Ll7将被点亮，SLED-r中的发光晶闸管Lr2，Lr4，Lr6，和Lr8将被点亮。

在发光阵列单元Sb1中，SLED-l中的发光晶闸管Ll3，Ll5和Ll7将被点亮，SLED-r中的发光晶闸管Lr2，Lr6和Lr8将被点亮。

在第二示例性实施例中，发光阵列单元S以第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A和S-B分别作为SLED-l和SLED-r而形成在单个衬底80上。此外，在第二示例性实施例中，每个发光阵列单元S的SLED-l和SLED-r形成第一示例性实施例中的发光阵列单元级。从而，在第二示例性实施例中，有四十个发光阵列单元对。

第二示例性实施例的每个发光阵列单元S的SLED-l对应于第一示例性实施例的发光阵列单元组#a，第二示例性实施例的每个发光阵列单元S的SLED-r对应于第一示例性实施例的发光阵列单元组#b。

为此，在图12中，分别以点亮信号和代替图9中的点亮信号和以及分别以SLED-l和SLED-r代替图9中的发光阵列单元S-A和S-B。从而，从对第一示例性实施例给出的说明就可以理解第二示例性实施例的发光装置65和发光阵列单元S的操作。因此此处未给出详细描述。

(第三示例性实施例)

在第三示例性实施例中，提供了三个发光阵列单元组(#a，#b，和#c)。

图13是示出第三示例性实施例中的发光装置65的电路板62上被布置为矩阵元素的发光阵列单元S-A1至S-A20、S-B1至S-B20、和S-C1至S-C20的示意图。此处，当彼此不进行区分时，发光阵列单元S-A1至S-A20、发光阵列单元S-B1至S-B20、和发光阵列单元S-C1至S-C20分别称为发光阵列单元S-A、S-B和S-C。

有二十个发光阵列单元S-A、二十个发光阵列单元S-B、和二十个发光阵列单元S-C。发光阵列单元组#a包括发光阵列单元S-A1至S-A20，发光阵列单元组#b包括发光阵列单元S-B1至S-B20，发光阵列单元组#c包括发光阵列单元S-C1至S-C20。

从而，在第一示例性实施例的信号产生电路110中另外还设置了用于将点亮信号发送至发光阵列单元组#c的点亮信号产生部件140c。其他的构造与第一实施例中的其他构造相同，从而此处不进行描述。

发光阵列单元级#1由发光阵列单元S-A1、S-B1和S-C1构成。发光阵列单元级#2由发光阵列单元S-A2、S-B2和S-C2构成。对于其他发光阵列单元对采用同样的方式，发光阵列单元级#20由发光阵列单元S-A20、S-B20和S-C20构成。换言之，有二十对发光阵列单元对。

此处描述配线数量。

假设未采用第三示例性实施例，并且未将发光装置65的发光阵列单元S-A、S-B和S-C分成多个发光阵列单元组。于是，如果发光阵列单元S-A、S-B和S-C的总数为六十，则需要六十条点亮信号线204(对应于图4C中的点亮信号线204a和204b)，这是因为点亮信号被发送至发光阵列单元S-A、S-B和S-C中的每一个。此外，还需要第一传递信号线201、第二传递信号线202、电源线200a和200b。因此，提供给发光装置65的配线的数量为六十四条。

此外，由于用于点亮发光元件的电流通过点亮信号线204进行发送，因此需要点亮信号线204具有小的电阻。从而，点亮信号线204需要宽的配线。为此，如果未采用第三示例性实施例，就要在发光装置65的电路板62上提供许多条宽的配线，这将增大电路板62的面积。

在第三示例性实施例中，如图13所示，有三个发光阵列单元组。因而，需要三条点亮信号线，即，除了图4C所示的点亮信号线以外还需要点亮信号线204c。此外，与第一示例性实施例相同，需要第一传递信号线201、第二传递信号线202、电源线200a和200b、和选择信号线205至224。因此，在第三示例性实施例中，配线的数量为二十七条。

应该注意，如果与第一示例性实施例一样，发光阵列单元组的数量为两个，则需要三十条选择信号线(对应于图13中的205至224)。因此，如果发光阵列单元组的数量为两个，则需要三十六条配线。

在第三示例性实施例中，配线数量约为未采用第三示例性实施例情况中的1/2。此外，在具有三个发光阵列单元组情况中的配线数量为具有两个发光阵列单元组情况中的配线数量的3/4。

此外，在第三示例性实施例中，用于发送点亮发光元件的电流的宽配线的数量减少至三条，即点亮信号线204a、204b和204c。由于没有大电流流经选择信号线205至224，因此选择信号线205至224不需要宽的配线。为此，第三示例性实施例不要求在电路板62上提供许多宽的配线，这将防止电路板62面积的增大。

第一示例性实施例使用具有不同构造的发光阵列单元S-A和S-B。第三示例性实施例使用具有不同构造的三种类型的发光阵列单元，即发光阵列单元S-A、S-B、和S-C。

图14是用于说明第三示例性实施例中的发光阵列单元S-A的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-A是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元S-A1为例来描述发光阵列单元S-A。从而，在图14中，将发光阵列单元S-A称为发光阵列单元S-A1(S-A)。

如图6所示，在第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A中，为各第(2n-1)个传递晶闸管T(n为1或更大的整数)提供发光晶闸管L。换言之，为各奇数编号的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。相反，如图14所示，在第三示例性实施例中的发光阵列单元S-A中，将发光晶闸管L提供给各第(3n-2)个传递晶闸管T(n为1或更大的整数)。换言之，每三个传递晶闸管T设置一个发光晶闸管L。与图6和图7相同的构造以相同的参考标号来表示，并不进行详细描述。

应该注意，在发光阵列单元S-A1中，选择信号被发送至作为控制端子的一个实例的端子，而点亮信号被发送至端子。

图15是用于说明第三示例性实施例中的发光阵列单元S-B的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-B是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元S-B1为例来描述发光阵列单元S-B。从而，在图15中将发光阵列单元S-B称作发光阵列单元S-B1(S-B)。

如图7所示，在第一示例性实施例中的发光阵列单元S-B中，将发光晶闸管L提供给各第(2n)个传递晶闸管T(n是1或更大的整数)。换言之，为各偶数编号的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。相反，如图15所示，在第三示例性实施例中的发光阵列单元S-B中，将发光晶闸管L提供各第(3n-1)个传递晶闸管T(n是1或更大的整数)。换言之，每三个传递晶闸管T设置一个发光晶闸管L。与图6和图7中相同的构造以相同的参考标号表示，并不进行详细描述。

应该注意，在发光阵列单元S-B1中，选择信号被发送至作为控制端子的一个实例的端子，而点亮信号被发送至端子。

图16是用于说明第三示例性实施例中的发光阵列单元S-C的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-C是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元S-C1为例来描述发光阵列单元S-C。从而，在图16中将发光阵列单元S-C称作发光阵列单元S-C1(S-C)。

如图16所示，在第三示例性实施例中的发光阵列单元S-C中，将发光晶闸管L提供给各第(3n)个传递晶闸管T(n是1或更大的整数)。换言之，每三个传递晶闸管T设置一个发光晶闸管L。与图6和图7中相同的构造以相同的参考标号表示，并不进行详细描述。

应该注意，在发光阵列单元S-C1中，选择信号被发送至作为控制端子的一个实例的端子，而点亮信号被发送至端子。

图17是用于说明第三示例性实施例中的发光装置65和发光阵列单元S-A、S-B、和S-C的操作的时序图。时间点a至u与图9中的时间点a至u相同。此外，在时间点n和时间点o之间设置时间点α。

点亮信号和发光阵列单元S-C1和S-C2被增加到图9所示的第一示例性实施例的时序图中。

周期Ta(1)从时间点c到时间点p，从而其长于图9所示的第一示例性实施例的周期Ta(1)。对于其他的周期也是这样。这是因为在第三示例性实施例中，三个传递晶闸管T在一个周期T中顺序导通。

各点亮信号和的信号波形在时间轴上相互错开1/3个周期T。

在其中传递晶闸管T中只有传递晶闸管T3处于导通状态的时间点α，当选择信号从“L”(-3.3V)变换为“H”(0V)时，发光阵列单元S-C1的发光晶闸管L3导通并点亮(发光)。

从针对第一示例性实施例给出的描述中可以理解第三示例性实施例的发光装置65和发光阵列单元S的操作。从而，此处未给出详细的描述。

应该注意，尽管在第三示例性实施例中提供了三个发光阵列单元组，但是还可以提供给更多的发光阵列单元组。

(第四示例性实施例)

在第一示例性实施例中，点亮信号被发送至发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A1至S-A20，而点亮信号被发送至发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-B1至S-B20。在第四示例性实施例中，发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20均包括端子和端子，点亮信号和分别发送至该端子和该端子。

图18A至图18C是示出第四示例性实施例中的发光阵列单元S-A和S-B的构造、发光装置65的信号产生电路110的构造、和电路板62上的配线构造的示意图。具体地，图18A示出了发光阵列单元S-A的构造，而图18B示出了发光阵列单元S-B的构造。图18C示出了发光装置65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的配线构造。在第四示例性实施例中，发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20布置在电路板62上。

下面给出图18A所示的发光阵列单元S-A的构造以及图18B所示的发光阵列单元S-B的构造的描述。应该注意，与图4A和图4B中相同的构造以相同的参考标号表示，并不进行详细描述。

发光阵列单元S-A和S-B各自在衬底80的两端部沿长边方向包括多个输入端子(Vga端子、端子、端子、端子、端子、和端子)。这些输入端子是用于读取各种控制信号等的焊盘。这些输入端子按以下方式布置：从衬底80的一个端部开始Vga端子、端子、端子和端子以此顺序排列，并且从衬底80的另一端部开始端子、和端子以此顺序排列。发光元件阵列102设置在端子和端子之间。

如图18A和图18B所示，发光阵列单元S-A和发光阵列单元S-B具有相同的外形和输入端子构造，然而，如图20和图21稍后所示，发光阵列单元S-A和S-B具有不同的电路构造。

接下来，利用图18C来描述发光装置65的信号产生电路110的构造和电路板62上的配线构造。

信号产生电路110的构造与第一示例性实施例中的构造相同，因此不再详细描述。

在电路板62上，用于发送来自点亮信号产生部件140a的点亮信号的点亮信号线204a连接至发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20的端子。因此，点亮信号被共同发送至发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20中的所有发光阵列单元。

同样，用于发送来自点亮信号产生部件140b的点亮信号的点亮信号线204b连接至发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20中的每个发光阵列单元的端子。因此，点亮信号被共同发送至发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20中的所有发光阵列单元。

图19是示出在第四示例性实施例中的发光装置65的电路板62上被布置为矩阵元素的发光阵列单元S-A1至S-A20以及发光阵列单元S-B1至S-B20的示意图。在图5所示的第一示例性实施例中，点亮信号被发送至发光阵列单元S-A1至S-A20，而点亮信号被发送至发光阵列单元S-B1至S-B20。然而，在第四示例性实施例中，点亮信号和点亮信号被共同发送至发光阵列单元S-A1至S-A20和发光阵列单元S-B1全S-B20。

第四示例性实施例中配线的数量与第一示例性实施例中相同。

图20是用于说明第四示例性实施例中的发光阵列单元S-A的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-A是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元S-A1为例来描述发光阵列单元S-A。从而，在图20中将发光阵列单元S-A称作发光阵列单元S-A1(S-A)。

如图6所示，在第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A中，将发光晶闸管L提供给各第(2n-1)个传递晶闸管T(n是1或更大的整数)。换言之，给各奇数编号的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。相反，如图20所示，在第四示例性实施例的发光阵列单元S-A中，将发光晶闸管L提供给其编号为除以4后余数为0或1的传递晶闸管。具体地，给传递晶闸管T1提供发光晶闸管L1，以及给传递晶闸管T4提供发光晶闸管L4。而且，给传递晶闸管T5提供发光晶闸管L5，而给传递晶闸管T8提供发光晶闸管L8。换言之，在四个相邻的传递晶闸管T中，给最左侧的传递晶闸管T和最右侧的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。尽管下面未给出详细的描述，但是第九个和更高编号的晶闸管也是这样。

在四个相邻的传递晶闸管T中，为最左侧传递晶闸管T提供的发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75a，而为最右侧传递晶闸管T提供的发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75b。点亮信号线75a连接至点亮信号发送至的端子。点亮信号线75b连接至点亮信号发送至的端子。

其他构造与第一示例性实施例中的构造相同。因此，与图6和图7中相同的构造以相同的参考标号表示，并不进行详细描述。

图21是用于说明第四示例性实施例中的发光阵列单元S-B的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S-B是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元S-B1为例来描述发光阵列单元S-B。从而，在图21中将发光阵列单元S-B称作发光阵列单元S-B1(S-B)。

如图7所示，在第一示例性实施例中的发光阵列单元S-B中，将发光晶闸管L提供各第2n个传递晶闸管T(n是1或更大的整数)。换言之，给各偶数编号的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。相反，如图21所示，在第四示例性实施例的发光阵列单元S-B中，将发光晶闸管L提供给其编号为除以4后余数为2或3的传递晶闸管。具体地，将发光晶闸管L2提供给传递晶闸管T2，以及将发光晶闸管L3提供给传递晶闸管T3。此外，将发光晶闸管L6提供给传递晶闸管T6，而将发光晶闸管L7提供给传递晶闸管T7。换言之，在四个相邻的传递晶闸管T中，发光晶闸管L提供给中间的两个传递晶闸管T，即，从左数第二和第三传递晶闸管T。尽管下面未给出详细的描述，但是第九个和更高编号的晶闸管也是这样。

在四个相邻的传递晶闸管T中，为左数第二个传递晶闸管T提供的发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75b，而为左数第三个传递晶闸管T提供的发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75a。

其他构造与第一示例性实施例中的构造相同。因此，与图6和图7中相同的构造以相同的参考标号表示，并不进行详细描述。

在第四示例性实施例中，发光阵列单元S-A中阴极端子连接至点亮信号的发光晶闸管L1，L5，…、以及发光阵列单元S-B中阴极端子连接至点亮信号的发光晶闸管L3，L7，…属于发光阵列单元组#a。发光阵列单元S-A中阴极端子连接至点亮信号的发光晶闸管L4，L8，…、以及发光阵列单元S-B中阴极端子连接至点亮信号的发光晶闸管L2，L6，…属于发光阵列单元组#b。于是，发光阵列单元级#1由属于发光阵列单元组#a的发光阵列单元S-A中的发光晶闸管L1，L5，…、和发光阵列单元S-B中的发光晶闸管L3，L7，…、以及属于发光阵列单元组#b的发光阵列单元S-A中的发光晶闸管L4，L8，…、和发光阵列单元S-B中的发光晶闸管L2，L6，…构成。

其他的发光阵列单元级#2至#20也是这样。

第四示例性实施例中的发光装置65和发光阵列单元S-A和S-B根据图9所示的第一示例性实施例的时序图进行操作。因此，未给出其详细描述。

应该在注意，和第二示例性实施例一样，第四示例性实施例的发光阵列单元S-A和S-B可以形成在单个衬底80上，从而发光阵列单元包括两个自扫描发光装置阵列(SLED)。

(第五示例性实施例)

第四示例性实施例使用了具有不同电路构造的发光阵列单元S-A和S-B这两种类型的发光阵列单元。第五示例性实施例使用一种类型的发光阵列，即发光阵列单元S。

图22A和图22B是示出第五示例性实施例中的发光阵列单元S的构造、发光装置65的信号产生电路110的构造、和电路板62上的配线构造的示意图。具体地，图22A示出了发光阵列单元S的构造，而图22B示出了发光装置65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的配线构造。

图22A所示的发光阵列单元S的构造为分别以端子和端子代替图10A所示的第二示例性实施例中的发光阵列单元S的端子和端子。

和第二示例性实施例相同，在如图22B所示的电路板62上布置二十个发光阵列单元Sa1至Sa20，和二十个发光阵列单元Sb1至Sb20。

信号产生电路110的构造为分别以点亮信号产生部件140a、点亮信号点亮信号产生部件140b、点亮信号代替图10B所示的第二示例性实施例的信号产生电路110中的信号产生部件140l、点亮信号点亮信号产生部件140r、和点亮信号电路板62上的配线构造与图10B所示的第二示例性实施例的配线构造相同。

第四示例性实施例使用了两种类型的发光阵列单元S-A和S-B。第五示例性实施例只使用一种类型的发光阵列，即发光阵列单元S。

因此，第五示例性实施例中的配线数量和第一和第四示例性实施例中的配线数量相同。

图23是用于说明第五示例性实施例中的发光阵列单元S的电路构造的等效电路图。发光阵列单元S是自扫描发光装置阵列(SLED)。此处，以发光阵列单元Sa1为例来描述发光阵列单元S。从而，在图23中将发光阵列单元S称为发光阵列单元Sa1(S)。

如图6所示，在第一示例性实施例中的发光阵列单元S-A中，将发光晶闸管L提供给各第(2n-1)个传递晶闸管T(n为1或更大的整数)。换言之，给各奇数编号的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。相反，如图23所示，在第五示例性实施例的发光阵列单元Sa1(S)中，给所有的传递晶闸管T提供发光晶闸管L。

为奇数编号的传递晶闸管T提供的发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75a，而为偶数编号的传递晶闸管T提供的发光晶闸管L的阴极端子连接至点亮信号线75b。点亮信号线75a连接至点亮信号发送至的端子。点亮信号线75b连接至点亮信号发送至的端子。

与图6和图7中相同的构造以相同的参考标号来表示，并不进行详细描述。

在第五示例性实施例中，发光阵列单元组#a和发光阵列单元组#b分别由发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20的奇数编号的发光晶闸管L和偶数编号的发光晶闸管L构成。

此外，每个发光阵列单元S中的奇数编号的发光晶闸管L和偶数编号的发光晶闸管L构成第一示例性实施例中所述的级。换言之，发光阵列单元级#1由发光阵列单元Sa1的发光晶闸管L1，L3，L5，…和发光阵列单元Sa1的发光晶闸管L2，L4，L6，…构成。因此，可以以下述方式来考虑，即，包括构成发光阵列单元级#1的发光晶闸管L1，L3，L5，…的发光阵列单元和包括构成发光阵列单元级#2的发光晶闸管L2，L4，L6，…的发光阵列单元重叠在一起。

对于其他各对也是这样。第一示例性实施例中有二十级。在第五示例性实施例中，由于一个发光阵列单元S构成一对，因此有四十级。

图24是用于说明第五示例性实施例中的发光装置65和发光阵列单元S的操作的时序图。时间点a至u与图9中的时间点a至u相同。

应该注意，图24示出了用于对发光阵列单元Sa1和Sb1的发光晶闸管L1至L8进行点亮控制的部分。因此，在发光阵列单元Sa1中，所有的发光晶闸管L1至L8都将被点亮。另一方面，在发光阵列单元Sb1中，发光晶闸管L2、L3、L5、L6、L7、和L8将被点亮，而发光晶闸管L1和L4将保持不被点亮。

发光装置65以及发光阵列单元Sa1至Sa20和发光阵列单元Sb1至Sb20的操作与第一示例性实施例中的操作相同，因此不对其进行详细描述。

在第一至第五示例性实施例中，传递晶闸管T以两相信号来驱动，该两相信号为：第一传递信号和第二传递信号可替换地，传递晶闸管T可以通过为每三个传递晶闸管T发送三相信号来驱动。类似地，传递晶闸管T可以通过发送四相(或更多相)信号来驱动。

此外，在第一至第五示例性实施例中，耦合二极管Dx用作第一电气部件。可替换地，每个第一电气部件都可以是引起其一个端子的电位变化以改变其另一端子的电位的不同元件，诸如电阻器。

此外，每个连接电阻器Ra都用作第二电气部件。可替换地，第二电气部件可以是引起电位降的不同元件，诸如二极管。

类似地，尽管每个肖特基写入二极管SDw都用作第三电气部件，但是第三电气部件可以是引起其一个端子的电位变化以改变其另一端子的电位的不同元件，诸如二极管或电阻器。

此外，尽管将发光阵列单元描述为具有128个发光晶闸管L，但是其可以具有任意数量的发光晶闸管L。

此外，构成发光阵列单元组的发光阵列单元的数量和构成另一发光阵列单元组的发光阵列单元的数量在第一至第五示例性实施例中是相同的，但是也可以是不同的。此外，构成发光阵列单元级的发光阵列单元属于不同的发光阵列单元组，但是发光阵列单元级可以包括属于同一发光阵列单元组的发光阵列单元。在这样情况下，并行地对属于同一发光阵列单元组的发光阵列单元进行点亮控制。

此外，在第一至第五示例性实施例中，将各晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)描述为具有公共阳极，其中它们的阳极端子连接至衬底80。可替换地，通过改变电路的极性，这些晶闸管(传递晶闸管T和发光晶闸管L)可以具有公共阴极，其中，它们的阴极端子连接至衬底80。

为了说明和描述的目的已经提供了本发明的各示例性实施例的前述描述。但并不旨在穷尽或将本发明限制于所公开的精确形式。显然，对于本领域技术人员来说，多种改进和变化是显而易见的。为了最好地说明本发明的原理及其实际应用而选择和描述了这些示例性实施例，从而使得本领域技术人员能够针对各种实施例以及利用适于所构想的特定用途的各种改进来理解本发明。旨在通过权利要求书及其等同物来限定本发明的范围。

Claims (7)

1.一种发光装置，包括：

多个发光阵列单元；

传递信号产生单元，其发送传递信号，所述传递信号将所述多个发光阵列单元中的每一个发光阵列单元中所包含的多个传递元件顺序设置为ON状态；

选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送多个选择信号，所述选择信号用于将发光阵列单元选择为点亮或不点亮的控制对象；以及

点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送用于提供点亮电源的多个点亮信号，其中

对所述多个发光阵列单元进行划分，使得所述多个发光阵列单元中的每一个发光阵列单元属于多组中的任意一组且属于被设置为与所述多个组交叉的多个级中的任意一个级，其中，

所述多个发光阵列单元中的每一个均包括：

构成一行的多个传递元件；和

多个发光元件，其排他地连接至所述多个传递元件中的各传递元件，使得所述多个传递元件中的相对于所述级中的所述多个发光阵列单元中的行具有相同编号的一个传递元件连接至所述多个发光元件中的一个，

其中，所述多个传递元件中的每一个传递元件利用处于ON状态来将连接至该传递元件的发光元件设置为点亮或不点亮的控制对象，

所述多个点亮信号的每个点亮信号被提供给所述多个组中的每一组，

所述多个选择信号中的每个选择信号被提供给所述多个级中的每一级，以及

通过所述选择信号和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合来控制点亮或不点亮。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，针对通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个级来逐一分别发送所述多个选择信号。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述多个选择信号中的每一个都按时间顺序发送至所述多个级中相应的一个级所包含的发光阵列单元。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其中，针对通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个组，逐一分别提供多个发光信号。

5.一种打印头，包括：

曝光单元，其对图像载体进行曝光以形成静电潜像；以及

光学单元，其将由所述曝光单元发出的光聚焦到图像载体上，

所述曝光单元包括：

多个发光阵列单元；

传递信号产生单元，其发送传递信号，所述传递信号将所述多个发光阵列单元中的每一个发光阵列单元中所包含的多个传递元件顺序设置为ON状态；

选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送多个选择信号，所述选择信号用于将发光阵列单元选择为点亮或不点亮的控制对象；以及

点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送用于提供点亮电源的多个点亮信号，其中

对所述多个发光阵列单元进行划分，使得所述多个发光阵列单元中的每一个发光阵列单元属于多组中的任意一组且属于被设置为与所述多个组交叉的多个级中的任意一个级，其中，

所述多个发光阵列单元中的每一个均包括：

构成一行的多个传递元件；和

多个发光元件，其排他地连接至所述多个传递元件中的各传递元件，使得所述多个传递元件中的相对于所述级中的所述多个发光阵列单元中的行具有相同编号的一个传递元件连接至所述多个发光元件中的一个，

其中，所述多个传递元件中的每一个传递元件利用处于ON状态来将连接至该传递元件的发光元件设置为点亮或不点亮的控制对象，

所述多个点亮信号的每个点亮信号被提供给所述多个组中的每一组，

所述多个选择信号中的每个选择信号被提供给所述多个级中的每一级，以及

通过所述选择信号和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合来控制点亮或不点亮。

6.一种图像形成设备，包括：

充电单元，其对图像载体进行充电；

曝光单元，其对所述图像载体进行曝光以形成静电潜像；

光学单元，其将由所述曝光单元发出的光聚焦到所述图像载体上；

显影单元，其对形成在图像载体上的所述静电潜像进行显影；以及

转印单元，其将在所述图像载体上显影的图像转印至转印体，

所述曝光单元包括：

多个发光阵列单元；

传递信号产生单元，其发送传递信号，所述传递信号将所述多个发光阵列单元中的每一个发光阵列单元中所包含的多个传递元件顺序设置为ON状态；

选择信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送多个选择信号，所述选择信号用于将发光阵列单元选择为点亮或不点亮的控制对象；以及

点亮信号产生单元，其向所述多个发光阵列单元发送用于提供点亮电源的多个点亮信号，其中

对所述多个发光阵列单元进行划分，使得所述多个发光阵列单元中的每一个发光阵列单元属于多组中的任意一组且属于被设置为与所述多个组交叉的多个级中的任意一个级，其中，

所述多个发光阵列单元中的每一个均包括：

构成一行的多个传递元件；和

多个发光元件，其排他地连接至所述多个传递元件中的各传递元件，使得所述多个传递元件中的相对于所述级中的所述多个发光阵列单元中的行具有相同编号的一个传递元件连接至所述多个发光元件中的一个，

其中，所述多个传递元件中的每一个传递元件利用处于ON状态来将连接至该传递元件的发光元件设置为点亮或不点亮的控制对象，

所述多个点亮信号的每个点亮信号被提供给所述多个组中的每一组，

所述多个选择信号中的每个选择信号被提供给所述多个级中的每一级，以及

通过所述选择信号和用于向构成所述多个发光元件的每个发光元件提供点亮电源的点亮信号的组合来控制点亮或不点亮。

7.一种用于多个发光阵列单元的光发射控制方法，其中，每个发光阵列单元包括：

构成一行的多个传递元件；

多个发光元件，其排他地连接至所述多个传递元件中的各传递元件，使得所述多个传递元件中的相对于一个级中的多个发光阵列单元中的行具有相同编号的一个传递元件连接至所述多个发光元件中的一个；

控制端子，通过所述控制端子来接收选择信号以控制是否点亮被设置为点亮或不点亮的控制对象的发光元件；以及

点亮信号端子，通过所述点亮信号端子来接收点亮信号，以向被设置为控制对象的发光元件提供点亮电源，

其中，所述多个传递元件中的每一个传递元件利用处于ON状态来将连接至该传递元件的发光元件设置为点亮或不点亮的控制对象，

该光发射控制方法包括：

向通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个级逐一分别发送包括上述选择信号的多个选择信号；以及

向通过对所述多个发光阵列单元进行划分而形成的多个组逐一分别发送包括所述点亮信号的多个点亮信号。