TWI399603B - 液晶顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關液晶顯示裝置及電子機器，其串擾少、顯示品質良好、且視角廣。
液晶顯示裝置係具有：於表面形成電極等的一對透明基板、以及被挾持於該一對基板間的液晶層，其多使用藉由於兩基板上之電極施加電壓使液晶重新排列而顯示種種資訊的縱向電場方式。如上所述之縱向電場方式之液晶顯示裝置一般為TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式者，但由於存有視角窄的問題，故開發了VA(Vertical Alignment，垂直配向)模式、MVA(Multidomain Vertical Alignment，多象限垂直配向)模式等種種改良後的縱向電場方式液晶顯示裝置。
另一方向，與前述縱向電場方式液晶顯示裝置不同的，也有僅於一方基板具有由像素電極及共通電極構成的一對電極之IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)模式和FFS(Fringe Field Switching，邊緣電場效應)模式的液晶顯示裝置。
之中，IPS模式之液晶顯示裝置，係將一對電極配置於同一層，而將施加於液晶的電場方向作為幾乎平行於基板的方向而使液晶分子於平行於基板的方向重新排列。因此，該IPS模式之液晶顯示裝置又被稱為橫向電場方式液
晶顯示裝置，與前述縱向電場方式之液晶顯示裝置相比具有非常廣視角的優點。然而，由於IPS模式之液晶顯示裝置係將一對電極設於同一層，故位於像素電極上側的液晶分子無法被充分驅動，而存有導致透過率等降低的問題點。
為了解決如上所述之IPS模式液晶顯示裝置的問題點，開發了亦被稱為所謂斜電場方式的FFS模式液晶顯示裝置(參照下述專利文獻1及2)。該FFS模式之液晶顯示裝置係將用以於液晶層施加電場的像素電極與共通電極分別隔介絕緣膜而配置於相異層者。
該FFS模式之液晶顯示裝置，為比IPS模式之液晶顯示裝置更廣視角且高對比者，且同時具有可以低電壓驅動並且高透過率而可進行明亮顯示的特徵。再加上，由於FFS模式之液晶顯示裝置比起IPS模式液晶顯示裝置在平面視點上看來像素電極與共通電極間之重複面積較大，故會附加地產生較大的保持電容，因此也有不需要另外設置輔助電容線的優點。
另一方面，於FFS模式之液晶顯示裝置中，由於在交換元件和像素電極之表面形成有高低差，因此採用於上述VA方式和MVA方式之液晶顯示裝置中所使用的平坦化膜，即可於該平坦化膜上配置像素電極和共通電極(參照下述專利文獻3)。
[專利文獻1]日本國特開2001-235763號公報
[專利文獻2]日本國特開2002-182230號公報
[專利文獻3]日本國特開2007-226199號公報
依據前述專利文獻3，於平坦化膜上形成像素電極和共通電極時，可將絕緣膜上側之電極(以下稱為「上電極」)及下側電極(以下稱為「下電極」)之任一者作為像素電極及共通電極使用。而，在將下電極作為像素電極使用時，可使下電極延伸至為交換元件的薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)附近及訊號線及掃描線之附近，因此有開口部變大而可獲得顯示明亮之液晶顯示面板的優點。而，上電極於像素區域雖有形成複數個隙縫的需要，但由於可將上電極形成片狀，故可使作為共通電極的上電極的電阻變小，而獲得共通電極之電位安定化且顯示品質良好的FFS模式液晶顯示裝置。
另一方面，將上電極使用為共通電極時，為了於上電極形成縫隙而存有高低差，同時也發現起因該高低差的殘影(Image Sticking)現象。就抑制該殘影現象而言，縮小上電極之高低差是很有效果的。因此，可考慮將上電極的厚度削薄至下電極厚度之一半左右(具體而言，50nm左右)。然而，由於上電極係以ITO、IZO等導電性材料所形成，故若削薄上電極之厚度將導致上電極之電阻值變高。且由於上電極係於每個像素區域形成有複數個縫隙，故上電極之電阻值係比將上電極形成片狀時更高。若上電極的電阻值
上升，則所施加的訊號會電性劣化，而產生起因於無法適當地對於液晶層給予預定之驅動電位的串擾。這種串擾(cross talk)的產生尤其在被稱為寬尺寸的橫長液晶顯示裝置中更會顯著的顯現。
本發明係為了解決上述課題之至少一部分而研發者，可作為以下的型態或實施力而實現。
(適用例1)本適用例之液晶顯示裝置，具備挾持了液晶層的一對透明基板，於前述一對透明基板之中一方的透明基板的前述液晶層側具有：複數條掃描線及複數條訊號線，配置於顯示區域成矩陣狀；第1電極，形成於由前述掃描線及前述訊號線所區畫出的每一個像素區域；第2電極，於前述第1電極上隔著絕緣膜而形成，且至少橫跨整個前述顯示區域而形成；及共通線路，形成於比前述顯示區域更外側；前述第2電極，係經由沿著前述顯示區域之至少一邊部分形成的低電阻線路而與前述共通線路電性連接。
依據該構成，第2電極(例如，上電極)係於像素區域之每行或每複數行即經由與第2電極之電阻相比十分小的低電阻化線路而與共通線路電性連接。因止，由於第2電極之電阻在外觀上會變小，因此可獲得經由共通線路施加的第2電極電位安定而串擾少的液晶顯示裝置。
又，可使用ITO或IZO等導電性材料作為第1電極及第2
電極。此時，第1電極與第2電極可為同組成亦可為不同組成。另外，就將該等電極連接的交換元件而言，可使用p-Si(多晶矽)型之薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)元件、a-Si(非晶矽)型TFT元件、低溫多晶矽(LTPS：Low Teperature Poly Silicon)型TFT元件等三端子型元件，或薄膜二極體(TFD：Thim Film Diode)等代表性的二端子型非線性元件等。
(適用例2)於前述適用例之液晶顯示裝置中，前述低電阻化線路係於俯視看來為形成於前述顯示區域與前述共通線路之間較好。
依據此構成，即使不將第2電極的面積形成為必要以上寬廣(例如，廣至共通線路之外側)也可使第2電極與低電阻化線路連接。另外，當顯示區域與共通線路之間有空間時，可利用該空間之一部分形成低電阻化線路。因此，沒有為了形成低電阻化線路而減少顯示區域之面積的需要，而可有效利用空間。
如上所述，低電阻化線路只需沿著顯示區域之至少一邊部分形成即可。亦即，液晶顯示裝置係於顯示區域中存有共通線路的邊中於顯示區域和共通線路之間設置低電阻化線路，且於不存有共通線路的邊於顯示區域的外側設置低電阻化線路，由於係使第2電極電性連接於低電阻化線路，故作為共通電極運作的第2電極之電位會變得安定，而可獲得顯示畫質良好的液晶顯示裝置。
(適用例3)於前述適用例之液晶顯示裝置中，前述低電
阻化線路係於俯視上看來為與延伸出至比前述顯示區域更外側的第2電極重疊而形成較好。
依據此構成，與將於比第2電極更外側的區域設置低電阻化線路時相比，可縮小液晶顯示裝置的大小。
(適用例4)於前述適用例之液晶顯示裝置中，前述低電阻化線路係使前述低電阻化線路之兩端部與前述共通線路電性連接較好。
依據該構成，由於比起於低電阻化線路之一側與共通線路電性連接，於兩端部連接的方式可使第2電極之電阻在外觀上變得更小，故可達到良好的效果。
(適用例5)於前述適用例之液晶顯示裝置中，前述共通線路係於遠離前述顯示區域的位置平行配置；前述低電阻化線路與前述共通線路係經由連接線路而電性連接較好。
依據該構成，第2電極不僅可藉由(例如於列方向延伸的)低電阻化線路，也可藉由形成於共通線路與低電阻化線路之間(例如行方向)的連接線路而成為與共通線路連接的狀態。從而，由於可使第2電極外觀上的電阻變得更小，而使達到的效果更好。又，連接線路可於形成在顯示區域的像素區域之每行，亦可於每複數行形成，但以採用於形成在顯示區域的像素區域之每行形成的方式對於減小第2電極之外觀電阻而言較好。
(適用例6)於前述適用例之液晶顯示裝置中，前述低電阻化線路及前述連接線路係以與前述掃描線或前述訊號線相同的材料形成較好。
依據該構成，可於形成掃描線及訊號線的同時形成低電阻化線路及連接線路，而可不變更製造工程的輕易形成低電阻化線路及連接線路。
(適用例7)於前述適用例之液晶顯示裝置中，前述顯示區域為大致長方形，前述低電阻化線路沿著前述顯示區域之長邊方向而形成較好。
依據此構成，低電阻化線路係沿著顯示區域之長邊方向形成，由於係經由該低電阻化線路而使共通線路與第2電極電性連接，故與於顯示區域之短邊方向形成低電阻化線路的情形相比，可抑制於第2電極之一邊的兩端部電阻從平面上看來增大。亦即，於長邊方向設置低電阻化線路而與共通線路連接的方式可使第2電極之電阻變得更小。
並且，低電阻化線路雖亦可於為長邊方向的顯示區域之外側的行(column)方向上下之至少一方形成，但形成於兩側的方式就使第2電極之電阻比外觀上更小而言可達到更好的效果。
(適用例8)本適用例之電子機器係具有於前述任一項所記載的液晶顯示裝置。
依據該構成，可獲得使用了串擾少、顯示品質良好、且視角廣的液晶顯示裝置的電子機器。
以下，參照圖示而藉由實施例說明本發明的最佳實施形態。但是，於以下所示的實施例係例示用以具體化本發
明技術思想的液晶顯示裝置者。而不意味將本發明特定於此液晶顯示裝置。從而，可均等適用於包含在專利申請範圍的其他實施形態。另外，於本說明書中用於說明的各圖式中，為了使各層和各構件為在圖式中可辨識程度之大小，故各層和各構件係分別以不同縮小比例顯示。亦即，並非以實際尺寸之比例而進行顯示者。
第1圖為實施例之液晶顯示裝置陣列基板的2像素份之示意平面圖。第2圖為實施例之液晶顯示裝置的陣列基板的概略平面圖。第3圖為沿著第1圖之III-III線的示意剖面圖。第4圖為沿著第1圖之IV-IV線的示意剖面圖。另外，第5圖為第2圖之V部分的擴大平面圖，第6圖為第5圖之X部分的擴大平面圖。第7圖為第2圖之VI部分的擴大平面圖。第8圖為第5圖之沿著VII-VII線的示意剖面圖。第9圖為對應於實施例之變形例的第8圖的示意剖面圖。第10圖(A)為顯示搭載有液晶顯示面板的個人電腦的圖，第10圖(B)為顯示有搭載了液晶顯示面板的行動電話機。
該實施例之FFS模式的液晶顯示裝置10，係於一對對向基板間挾持有液晶層(未圖示)而構成者。而一對基板之中，使一方的基板作為陣列基板AR(參照第3圖)，另一方的基板作為形成有彩色濾光器(color filter)等的彩色濾光器基板(未圖示)。
陣列基板AR首先係橫跨玻璃基板等透明基板11(參照
第3圖)之表面全體而形成鋁或鋁合金等導電性層。之後，藉由習知的光微影(photo lithography)法及蝕刻法而於顯示區域DA以彼此平行的方式形成複數條掃描線12。另外，於顯示區域DA的周圍(以下，稱為「額緣區域」)形成共通線路161
及閘極線路(未圖示)。該閘極線路係比共通線路161
設置於更接近顯示區域DA側。再且，如於第2圖所示的圖案，第1低電阻化線路162
、第2低電阻化線路163
、及第3低電阻化線路164
。
該顯示區域DA係依據從液晶顯示裝置10的外部輸入的影像用之訊號而控制液晶層之液晶分子的區域。而，顯示區域DA係與矩形狀透明的基板11之形狀相同的為橫長的顯示區域DA。
具體而言，共通線路161
係除了於配置有驅動IC和各種端子的額緣區域之一部分TA以外，以將顯示區域DA包圍的方式形成的比其他線路更粗。亦即，該共通線路161
例如係如第2圖所示沿著矩形狀透明基板11的兩個短邊和一個長邊而形成於比顯示區域DA更外側。且於未形成有共通線路161
的透明基板11之一個長邊配置有驅動IC和各種端子。
且，第1至第3低電阻化線路162
、163
、164
之中，第1及第2低電阻化線路162
及163
係分別形成「列(row，橫向)方向的低電阻化線路」，於顯示區域DA之外側的行(column，縱向)方向上下沿著列方向而形成。
亦即，第1低電阻化線路162
係沿著透明基板11之長邊
形成且與共通線路161
平行地形成。另外，係在比顯示區域DA更外側的區域沿著顯示區域DA之長邊方向形成。又，第1的低電阻化線路162
係設於顯示區域DA外側的區域，且儘可能接近顯示區域DA較好。從而，較好為與顯示區域DA中位置於最外側的作為第1電極的下電極19(參照第5圖)鄰接的方式形成第1低電阻化線路162
。
且，第2低電阻化線路163
係於比顯示區域DA更外側的區域沿著透明基板11的未形成有共通線路161
的顯示區域DA之長邊方向而形成。又，行方向係指與訊號線15平行的方向，列方向係指與掃描線12平行的方向。
如此，該第1及第2低電阻化線路162
及163
係皆於列方向之兩端部一體連接於共通線路161
。亦即，沿著顯示區域DA之長邊方向延伸的第1及第2低電阻化線路162
及163
之兩端部係分別連接於形成在透明基板11之兩個短邊的共通線路161
。藉此，比起僅於單側和共通線路161
電性連接，於兩端部連接的方式可使作為第2電極的上電極22之電阻比外觀上更小，而可發揮良好效果。
再且，如第2圖所示，形成於顯示區域DA外側之上側(第2圖之上側)的第1低電阻化線路162
係藉由形成於像素區域之行方向的第3低電阻化線路164
而電性連接於共通線路161
。該第3低電阻化線路164
係形成「行方向之低電阻化線路」者。另外，第3低電阻化線路164
係於顯示區域DA之外側，由於行方向下側未形成有共通線路161
而僅形成於行方向之上側。
亦即，第1低電阻化線路162
與平行於該第1低電阻化線路162
而平行延伸的形成於透明基板11之長邊的共通線路161
係藉由連接兩線路的連接線路而電性連接。且，從第1低電阻化線路162
例如垂直延伸的連接線路係成為行方向之低電阻化線路的第3低電阻化線路164
。
該第3低電阻化線路164
雖亦可於形成在顯示區域DA的像素區域之每行形成或每複數行而形成，但已於形成在顯示區域DA的像素區域之每行形成的方式由於使後述的作為第2電極之上電極22之外觀電阻變小而較好。
另外，如第5圖所示，於第1低電阻化線路162
與共通線路161
間的空間係設有靜電保護電路30。具體而言，靜電保護電路30係一方與訊號線15之端部連接，另一方與共通線路161
連接。另外，靜電保護電路30係設於像素區域的每行。因此，第3低電阻化線路164
係於形成在訊號線15之端部的靜電保護電路30之旁(以避開靜電保護電路30的方式)分別設置。
在此對於靜電保護電路30之構成和機能簡單地說明。靜電保護電路30係於訊號線15之端部與共通線路161
間具有兩個TFT(TFT1、TFT2)。如第6圖(A)所示，於各製程中當共通線路161
側成為高電壓時使電荷從訊號線15側釋放，相反的當訊號線15側成為高電壓時，如第6圖(B)所示，電荷係從共通線路161
側釋放。亦即，藉由該靜電保護電路30，可防止於液晶顯示裝置10之製程中產生的靜電所致的形成於顯示區域DA的交換元件之破壞等。
如上所述，訊號線15之端部和未圖示的掃描線12之端部，一般係一方連接於用以輸入訊號的驅動IC，另一方則經由靜電保護電路30而連接於共通線路161
。從而，顯示區域DA與共通線路161
之間因為存在有靜電保護電路30必須要有一定的距離。從而，於隔著該靜電保護電路30而存在的共通線路161
與第1低電阻化線路162
之間設置連接線路(第3低電阻化線路164
)的方式較可減小上電極22之電阻。
另外，為了形成後述的與上電極22間的連接部，從共通線路161
形成有朝內側(顯示區域DA側)突出的連接部165
。另外，於第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
係分別部分地形成有寬度較廣的連接部166
及167
(參照第5圖及第7圖)。在此，於該等第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
所形成的連接部166
及167
係於形成在顯示區域DA的像素區域之每行形成。
接著，於該表面全體被覆由氮化矽層或氧化矽層所構成的閘極絕緣膜13。之後，藉由CVD法而於閘極絕緣膜13之橫跨表面全體覆蓋例如非晶矽(Amorphous Silicon，以下稱「a-Si」)層後，同樣地藉由光微影法及蝕刻法而於TFT形成區域形成由a-Si層構成的半導體層14。於形成有該半導體層14的位置之掃描線12的區域形成TFT之閘極電極G(參照第3圖)。
接著，以由鋁或鋁合金等所構成的導電性層覆蓋形成有半導體層14的透明基板11之表面全體。再且，該導電性層係藉由光微影法及蝕刻法而於顯示區域DA以垂直掃描
線12的方式形程包含源極電極S的訊號線15，且於TFT形成區域形成汲極電極D。另外，於額緣區域形成與訊號線15連接的源極線路(未圖示)。另外，訊號線15之源極電極S部分及汲極電極D係皆部分重疊於半導體層14的表面。
之後，於由上述工程所得的透明基板11之表面全體覆蓋鈍化膜17。就該鈍化膜17而言，可使用由氮化矽層或氧化矽層所構成者，但從絕緣性之觀點來看氮化矽層較好。更且，於鈍化膜17之表面全體積層例如由壓克力樹脂或聚醯亞胺(polyimide)樹脂構成的平坦化膜(又稱層間膜)18。接著，同時形成(1)貫通平坦化膜18及鈍化膜(passivation film)17而到達汲極電極D之表面的第1接觸孔21a；(2)貫通平坦化膜18、鈍化膜17、及閘極絕緣膜13而到達共通線路161
之連接部165
表面的第2接觸孔21b、到達第1低電阻化線路162
之連接部166
表面的第3接觸孔21c、及第2低電阻化線路163
之連接部167
表面的第4接觸孔21d。該第1至4接觸孔21a至21d的形成係可採用乾蝕刻法之一種的電漿蝕刻法。
接著，積層由ITO或IZO所構成的下側透明導電性層。此時，下側的透明導電性層係與汲極電極D、共通線路161
之連接部165
、第1低電阻化線路162
之連接部166
、及第2低電阻化線路163
之連接部167
電性連接。之後，藉由對於透明導電性層的光微影法及蝕刻法，而於顯示區域DA之像素區域個別形成下電極19。另外，於共通線路161
之連接部165
、第1低電阻化線路162
之連接部166
、及第2低電阻化線路163
之連接部167
形成如第8圖所示的預定圖案之下側透
明導電性層19a。又，在此，於共通線路161
之連接部165
、第1低電阻化線路162
之連接部166
及第2低電阻化線路163
之連接部167
形成的構成係形成為即使接觸孔之形狀和大小相異也實質上為同一的構成。且，於實施例之液晶顯示裝置10中，該下電極19係對應於像素電極。
更且，橫誇於形成有下電極19的透明基板11之表面全體而形成預定厚度的以氮化矽層或氧化矽層構成的絕緣膜20。該絕緣膜20係為了不使平坦化膜18和下電極19之表面被損傷，故以比閘極絕緣膜13或鈍化膜17之形成條件穩和的條件，亦即所謂低溫成膜條件進行形成。
接著，從該絕緣膜20之表面將形成於第2接觸孔21b、第3接觸孔21c、及第4接觸孔21d內的絕緣膜蝕刻而去除。且，使該等第2至4接觸孔21b至21d內的下側透明導電性層19a露出。之後，橫跨透明基板11之表面全體而形成由ITO或IZO所構成的透明導電性層。此時，藉由透明導電性層而經由第2至4接觸孔21b至21d而使共通線路161
、第1低電阻化線路162
、及第2低電阻化線路163
成為彼此電性連接的狀態。
之後，藉由光微影法及蝕刻法而蝕刻該透明導電性層，藉此以透明導電性層被覆顯示區域之全體。且，於每個像素區域以該透明導電性層形成具有用以產生邊緣電場效果的複數個開縫24的上電極22。此時，上電極22係如第8圖所示地成為經由下側透明導電性層19a而與共通電極161
之連接部165
、第1低電阻化線路162
之連接部166
、及第
2低電阻化線路163
之連接部167
的表面彼此電性連接的狀態。於實施例之液晶顯示裝置10中，該上電極22係對應於共通電極。
又，若欲縮小上電極22之電阻，將構成上電極22的透明導電性層延伸至沿著透明基板11之長邊而形成的共通線路161
上，而於該位置使上電極22與共通線路161
電性連接也是可考慮的。但是，如上所述，於顯示區域DA與共通線路161
之間存在有靜電保護電路30。從而，顯示區域DA與共通線路161
之間需要一定的距離。此時，上電極22儘可能接近顯示區域DA附近且與由金屬構成的線路之共通線路161
電性連接較好，因此經由第1低電阻線路162
而與上電極22和共通線路161
電性連接的方式較好。另外，將上電極22於俯視中延伸形成至形成有第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
之位置。藉此，比起將第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
設於比上電極22更外側之區域時相比，可將液晶顯示裝置10之大小縮小。
另外，於共通線路161
之上，一般係設有用以將一對基板貼合用的密封(seal)材(未圖示)。由於已知構成上電極22的透明導電性層與密封材間的密著性不佳，故儘可能使上電極22遠離密封材較佳。就該點而言前述內容也非常優良。
如上所述，上電極22係經由第2至4接觸孔21b至21d而成為與第1低電阻化線路162
及第2低電阻化163
互相電性連接的狀態。之後，藉由於上電極22側之表面全體設置配向
膜(未圖示)即可完成實施例之液晶顯示裝置10的陣列基板AR。
在與前述陣列基板AR相對向的彩色濾光器基板，雖省略圖示，但亦可使用與以往之FFS模式之液晶顯示面板用的彩色濾光器基板實質相同者。亦即，該彩色濾光器基板係與以作為像素電極之各者而發揮功能的下電極19相對向的位置形成各色彩色濾光器層，且於彩色濾光器層之表面設有配向膜。且，於彩色濾光器層與透明基板之間的相對向於掃描線12及訊號線15的位置、相對向於TFT的位置分別設有黑矩陣。接著，可獲得使前述陣列基板AR及彩色濾光器基板分別對向而於內部封入液晶以獲得實施例之液晶顯示裝置10。
依據如上所述而製造的實施例之液晶顯示裝置10，上電極22係經由第2至4接觸孔21b至21d而成為與共通線路161
、第1低電阻化線路162
、及第2低電阻化線路163
互相電性連接的狀態。從而，在使第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
與共通線路161
直接電性連接的同時，第1低電阻化線路162
係經由第3低電阻化線路164
而成為與共通線路161
電性連接的狀態。因此，由於上電極22係成為經由多數個接觸孔而與共通線路161
電性連接的狀態，故即使為了防止殘影而使上電極22較薄，上電極22之電阻在外觀上也會變得非常小。從而，依據實施例之液晶顯示面板，由於不使施加於作為共通電極運作的上電極22的訊號劣化，故即使為橫長行的液晶顯示裝置其橫方向的串擾也
少，而成為顯示品質良好的液晶顯示裝置。尤其，若為小型的液晶顯示裝置，則雖上電極22之電阻值的影響可能較少，但例如6英吋或7英吋左右的中型，或在其之上的大型液晶顯示裝置，其上電極22之電阻值的影響會變得更大。從而，對於中型、大型的液晶顯示裝置更為有效。
又，於前述實施例中，在形成上側透明導電性層前，存有將形成於第2接觸孔21b、第3接觸孔21c、第4接觸孔21d內的絕緣膜以蝕刻去除的步驟。然而，該步驟也為於液晶顯示區域10之額緣區域之一部分TA同時形成驅動IC搭載用端子、檢查端子、外部連接用端子等(皆未圖示)之際亦需要的步驟，故並非追加新步驟。
另外，共通線路161
、第1低電阻化線路162
、第2低電阻化線路163
、及第3低電阻化線路164
亦可皆以與掃描線12相同之材料形成，亦可以與訊號線15相同的材料形成。藉此，亦可於掃描線12和訊號線15之形成時同時地進行形成，故可不變更製造步驟的輕易進行形成。對應於此時之第8圖的示意剖面圖係如第9圖所示，共通線路161
、第1低電阻化線路162
、第2低電阻化線路163
、及第3低電阻化線路164
係形成於閘極絕緣膜13之表面。另外，共通線路161
、第1低電阻化線路162
、第2低電阻化線路163
、及第3低電阻化線路164
可全部皆以與訊號線15相同之材料形成，亦可僅有一部份以與訊號線15相同之材料形成。
以上，用FFS模式之液晶顯示裝置為例作為實施力而進行說明。如上所述之液晶顯示裝置可使用於個人電腦、
行動電話機、行動資訊終端等電子機器。其中，於第10圖(A)示有將顯示部(液晶顯示面板)71使用於個人電腦70的例子，於第10圖(B)示有相同地將顯示部(液晶顯示面板)76使用於行動電話機75的例子。但，前述個人電腦70及行動電話機75之基本構成係為該業者所習知者，故省略其詳細說明。
又，實施形態並不被上述所限定，亦可以如下所述之形態進行實施。
如上所述，並不限定以將顯示區域DA包圍的方式(沿著顯示區域DA的兩個短邊和一個長邊)形成共通線路161
，例如，亦可僅形成於一個長邊，或僅形成於兩個長邊。此時，於顯示區域DA的形成有共通線路161
的邊若設有第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
，則亦可將該等第1低電阻化線路162
、第2低電阻化線路163
、及共通線路161
以第3低電阻化線路164
(連接線路)予以連接。
如上所述，第1低電阻化線路162
與第2低電阻化線路163
並不限定於以沿著顯示區域DA之長邊的方式形成，例如，亦可以連續於顯示區域DA之周圍(全周或三邊)的方式形成低電阻化線路。此時，亦可使低電阻化線路的數個部位與共通線路161
電性連接，亦可使用連接線路(第3低電阻
化線路164
)而將低電阻化線路與共通線路電性連接。
如上所述，當顯示區域DA為橫長時，雖於列方向設有第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
，但亦可於顯示區域DA的長邊方向設置低電阻化線路，例如，當顯示區域DA為縱長時係於行方向設低電阻化線路。藉此，比起於顯示區域DA之短邊方向形成第1低電阻化線路162
及第2低電阻化線路163
時，於上電極22之一邊的兩端部之電阻從平面上看來變大的情況會受到抑制。
如上述，第1低電阻化線路162
、第2低電阻化線路163
、第3低電阻化線路164
之構成並不限定使用於FFS模式之透過型液晶顯示裝置10，例如亦可應用於反射半透過型之液晶顯示裝置、或IPS模式、VA模式之液晶顯示裝置。另外，若為透過型之液晶顯示裝置，亦可將液晶顯示裝置構成為下電極19為配置於上側的電極、上電極22為配置於下側的電極。
10‧‧‧液晶顯示裝置
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧掃描線
13‧‧‧閘極絕緣膜
14‧‧‧半導體層
15‧‧‧訊號線
161
‧‧‧共通線路
162
至164
‧‧‧第1至3低電阻化線路
165
至167
‧‧‧連接部
17‧‧‧鈍化膜
18‧‧‧平坦化膜
19‧‧‧作為第1電極的下電極
19a‧‧‧下側透明導電性層
20‧‧‧絕緣膜
21a至21d‧‧‧第1至4接觸孔
22‧‧‧作為第2電極的上電極
24‧‧‧開縫
30‧‧‧靜電保護電路
70‧‧‧作為電子機器的個人電腦
71、76‧‧‧顯示部(液晶顯示面板)
75‧‧‧作為電子機器的行動電話機
DA‧‧‧顯示區域
TFT(TFT1、TFT2)‧‧‧電晶體
第1圖為實施例之液晶顯示裝置的陣列基板的2像素份之示意性的平面圖。
第2圖為實施例之液晶顯示裝置的陣列基板的概略平
面圖。
第3圖為沿著第1圖之III-III線的示意性的剖面圖。
第4圖為沿著第1圖之IV-IV線的示意性的剖面圖。
第5圖為沿著第2圖之V部分的擴大平面圖。
第6圖(A)及(B)為沿著第5圖之X部分的擴大平面圖。
第7圖為沿著第2圖之VI部分的擴大平面圖。
第8圖為沿著第5圖之VII-VII線的示意性的剖面圖。
第9圖為對應於實施例之變形例的第8圖的示意性之剖面圖。
第10圖(A)為示有搭載了液晶顯示面板的個人電腦的圖；(B)為示有搭載了液晶顯示面板的行動電話機的圖。
10‧‧‧液晶顯示裝置
15‧‧‧訊號線
161
‧‧‧共通線路
162
‧‧‧第1低電阻化線路
164
‧‧‧第3低電阻化線路
165
、166
‧‧‧連接部
19‧‧‧作為第1電極的下電極
21a‧‧‧第1接觸孔
21c‧‧‧第3接觸孔
22‧‧‧作為第2電極的上電極
24‧‧‧開縫
30‧‧‧靜電保護電路
DA‧‧‧顯示區域
TFT1、TFT2‧‧‧電晶體
Claims (7)
- 一種液晶顯示裝置，具備挾持了液晶層的一對透明基板，於前述一對透明基板之中一方的透明基板的前述液晶層側具有：複數條掃描線及複數條訊號線，配置於顯示區域成矩陣狀；第1電極，形成於由前述掃描線及前述訊號線所區畫出的每一個像素區域；第2電極，於前述第1電極上隔著絕緣膜而形成，且至少橫跨整個前述顯示區域而形成；及共通線路，形成於比前述顯示區域更外側；前述第2電極，係透過沿著前述顯示區域之至少一邊形成的低電阻化線路，而與前述共通線路電性連接；前述低電阻化線路，係與第二電極之電阻相比電阻十分小的線路。
- 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，前述低電阻化線路係於俯視看來為形成於前述顯示區域與前述共通線路之間。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之液晶顯示裝置，其中，前述低電阻化線路係於俯視看來為與延伸出至比前述顯示區域更外側的第2電極重疊而形成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之液晶顯示裝置，其中，前述低電阻化線路係使前述低電阻化線路之兩端部與前述共通線路電性連接。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之液晶顯示裝置，其中，前述共通線路係於遠離前述顯示區域的位置平行配置；前述低電阻化線路與前述共通線路係經由連接線路而電性連接。
- 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，前述低電阻化線路及前述連接線路，係以與前述掃描線或前述訊號線相同的材料形成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之液晶顯示裝置，其中，前述顯示區域為大致長方形；而前述低電阻化線路係沿著前述顯示區域之長邊方向形成。
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