JP5862201B2 - 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。

上記液晶装置およびその製造方法として、プロジェクターやプロジェクションテレビなどに用いられている反射型液晶表示素子およびその製造方法が知られている（特許文献１）。
この反射型液晶表示素子は、光反射性を有する画素電極が形成された半導体基板と、反射防止膜が形成された透明基板との間に液晶層が挟持されたものである。液晶層を挟んで画素電極に対向する反射防止膜は、第１の屈折率を有する第１の透明膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の透明膜と、第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する第３の透明膜とが順に積層されたものである。そして、第２の透明膜を絶縁膜である酸化シリコン膜で形成し、第１および第３の透明膜をＩＴＯ膜で形成する例が示されており、液晶層を挟んで実質的に画素電極と対向する第３の透明膜を透明電極としている。これにより、透明基板と液晶層との界面で生ずる反射光を低減して、透明基板に入射する入射光と上記反射光とが干渉することによって生ずる干渉縞を低減できるとしている。

上記反射防止膜を利用した他の例として、画素領域内に反射表示領域と透過表示領域とを有し、液晶層を挟持する一対の基板のうち光の射出側に配置される一方の基板の液晶層と反対側の表面に異なる屈折率を有する複数の膜が積層してなる透明積層膜（上記反射防止膜に相当）を備えた液晶表示装置が開示されている（特許文献２）。
上記透明積層膜は、第１透明導電膜と透明膜と第２透明導電膜とからなり、第１透明導電膜と第２透明導電膜とを電気的に導通させている。これにより、静電防止機能を備えつつ、短波長領域における光の反射を防ぎ、良好な表示が得られる液晶表示装置を提供できるとしている。

特開２００７−１７８７７４号公報 特開２００９−２１７２１３号公報

上記特許文献１の反射型液晶表示素子や上記特許文献２の液晶表示装置では、液晶層に対して光が入射する側の基板に上記反射防止膜を適用しているが、画素電極自体に上記反射防止膜の構造を適用して画素電極側の不要な光の反射を防止することが考えられる。その場合には、２つの透明導電膜のうちの一方を画素電極としてスイッチング素子に電気的に接続すればよい。
しかしながら、スイッチング素子に電気的に接続された一方の透明導電膜と他方の透明導電膜との間に寄生容量が生じて、適正な駆動電位を液晶層に印加できないおそれがある。それゆえに、２つの透明導電膜を電気的に接続させて寄生容量の発生を防止する必要がある。上記特許文献２では、間に挟まれる透明膜よりも広い範囲で第１および第２透明導電膜を形成し、外周部分で第１透明導電膜と第２透明導電膜とを直接重ねることで電気的に接続させている。このような接続方法を適用すると、画素電極における外周部分とその内側とで光の透過率に差が生じてしまうので好ましくない。つまり、画素電極に上記反射防止膜の構造を適用する場合に、透明導電膜同士を電気的に接続させる適正且つ簡便な方法を確立する必要があるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた画素電極層と、前記第１基板と前記画素電極層との間に設けられ、前記画素電極層に対応したトランジスターと、前記トランジスターと前記画素電極層との間に設けられ、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、を備え、前記画素電極層は、前記層間絶縁膜側から順に形成された、導電性の第１透光性層と、前記第１透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性層と、前記第２透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第３透光性層とを含み、前記コンタクトホール内において前記第１透光性層と前記第３透光性層とが電気的に接続されていることを特徴とする。

この構成によれば、画素電極層に光反射防止構造が導入されると共に、トランジスターとの電気的な接続に用いるコンタクトホール内で互いに導電性を有する第１透光性層と第３透光性層とを電気的に接続させる。したがって、第１透光性層と第３透光性層とを電気的に接続させる専用のコンタクト部（例えばコンタクトホール）などを新たに設ける必要がなく、入射光に対して高い透過率を有する画素電極層を備えた液晶装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の液晶装置において、前記コンタクトホール内には、前記第２透光性層が形成されていないことを特徴とする。
この構成によれば、コンタクトホール内に第２透光性層が形成されていないので、第１透光性層と第３透光性層とをそれぞれコンタクトホールを被覆するように形成すれば、確実に第１透光性層と第３透光性層とを電気的に接続させることができる。

［適用例３］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第２基板と前記液晶層との間に形成された導電性の第４透光性層と、前記第４透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第４透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第５透光性層と、前記第５透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第５透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第６透光性層と、からなる共通電極層を有するとしてもよい。
この構成によれば、画素電極層だけでなく、画素電極層に対向する第２基板にも光反射防止構造が取り入れられた共通電極層を有するので、画素の透過率が高くより明るい表示が可能な液晶装置を実現できる。

［適用例４］上記適用例に記載の液晶装置において、前記コンタクトホールは前記画素電極層の隅部に形成され、前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方に前記コンタクトホールと平面視で重なる遮光部を有することが好ましい。
この構成によれば、コンタクトホール部分に生じた凹凸に起因する液晶分子の配向ムラが遮光部によって隠されるので、見栄えのよい表示の液晶装置を実現できる。

［適用例５］本適用例の液晶装置の製造方法は、第１基板と第２基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第１基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第１透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、気相成長法を用い、前記コンタクトホールが形成された前記基板の法線方向に対して斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記コンタクトホールの側面の一部を除く領域に前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい第２透光性膜を前記第１透光性膜上に形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜を前記第２透光性膜上に形成する工程と、少なくとも前記第１透光性膜と前記第３透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、第２透光性膜を形成する工程では、基板の法線方向に開口するコンタクトホールに対して斜め方向から無機絶縁材料を気相成長法により成膜するので、該斜め方向に対して影となるコンタクトホールの側面の一部に第２透光性膜が形成されない部分が生ずる。絶縁性の第２透光性層が形成されない部分に、導電性の第３透光性層を形成すれば、第１透光性層と第３透光性層とをコンタクトホール内で電気的に接続させることができる。すなわち、光反射防止構造が形成され入射光に対して高い透過率を有する画素電極層をトランジスターによってスイッチング制御可能な液晶装置を製造することができる。

［適用例６］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法は、前記コンタクトホールは、前記画素電極層の隅部に形成され、前記第２透光性膜の形成工程は、前記コンタクトホールを基準として前記画素電極層の外周までの長さが長い方から前記隅部に向かって斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記第２透光性膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、コンタクトホールを基準として画素電極層の外周までの長さが長い方のコンタクトホールの側面の一部が無機絶縁材料を成膜する際に影となるので、後に導電性の第３透光性膜を成膜した際に、先に成膜された第２透光性膜の影響を受けずに、第１透光性膜と第３透光性膜とを確実に接触させ電気的に接続させることができる。

［適用例７］本適用例の他の液晶装置の製造方法は、第１基板と第２基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第１基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第１透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜を前記第１透光性膜上に形成する工程と、前記第２透光性膜の前記コンタクトホールを被覆した部分を除去する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜を前記第２透光性膜上に形成する工程と、少なくとも前記第１透光性膜と前記第３透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、コンタクトホール内に形成された絶縁性の第２透光性膜が除去されるので、より確実に第１透光性膜と第３透光性膜とをコンタクトホールにおいて電気的に接続させることができる。

［適用例８］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第２基板の前記液晶層に面する側に、導電性の第４透光性層を形成する工程と、前記第４透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第５透光性層を前記第４透光性層上に形成する工程と、前記第５透光性層よりも屈折率が大きい導電性の第６透光性層を前記第５透光性層上に形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする。
この方法によれば、画素電極層だけでなく、画素電極層に対向する第２基板にも光反射防止構造が取り入れられるので、画素の透過率が高くより明るい表示が可能な液晶装置を製造することができる。

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、画素の高い透過率が実現され、明るい表示が可能な見栄えのよい電子機器を提供することができる。

（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置における画素の詳細構造を示す断面図。 （ａ）〜（ｅ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）および（ｂ）は画素電極層におけるコンタクトホールの配置を示す概略平面図。 （ａ）〜（ｄ）は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は液晶装置における画素の詳細構造を示す断面図である。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。

素子基板１０は、例えば透明な石英基板やガラス基板などを用いることができ、対向基板２０よりも一回り大きく、切れ目なく額縁状に配置されたシール材４０を介して対向基板２０と接合されている。シール材４０によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。
本実施形態における一対の基板間への液晶の封入（充填）は、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材４０を配置し、配置されたシール材４０を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下する。そして、減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）方式が採用されている。
シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材４０の内側には、画素領域Ｅを取り囲むように配置された見切り部２１が設けられている。
画素領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。画素領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた画素電極層１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、複数の画素電極層１５を覆う配向膜１８とが形成されている。画素電極層１５は、可視光波長範囲に亘って高い透過率（言い換えれば、低い反射率）で光が素子基板１０を透過できるように、屈折率が異なる透光性層が積層された光反射防止構造が採用されており、詳しくは後述する。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。

対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられており、液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、見切り部２１を覆うように形成された平坦化層２２と、少なくとも画素領域Ｅに亘って平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極層２３と、共通電極層２３を覆う配向膜２４とが設けられている。

見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは当該金属の酸化物や窒化物などからなり、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層２２は、例えば、透光性の無機絶縁材料である酸化シリコンをプラズマＣＶＤ法などを用いて形成することができる。対向基板２０上に見切り部２１が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な例えばおよそ５００ｎｍの膜厚で成膜される。

共通電極層２３は、可視光波長範囲に亘って高い透過率（言い換えれば、低い反射率）で光が対向基板２０を透過できるように、屈折率が異なる透光性層が積層された光反射防止構造が採用されており、詳しくは後述する。
共通電極層２３は、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

素子基板１０側の配向膜１８および対向基板２０側の配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法（斜め蒸着法や斜めスパッタ法）を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対して所定の方向にプレチルトを有して略垂直配向する無機配向膜が採用されている。

対向基板２０は、シール材４０と平面的に重なる部分が一定の深さで陥没するように形成された凹部２０ａを有している。凹部２０ａは対向基板２０の見切り部２１の外側から基板外周に至って形成されている。平坦化層２２、共通電極層２３、配向膜２４は、それぞれ凹部２０ａにも形成されている。素子基板１０と対向基板２０とを液晶層５０を挟んで対向配置したときの液晶層５０の厚みをｄとすると、シール材４０には、凹部２０ａの深さを考慮して、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサー（ギャップ材）が含まれている。このような対向基板２０の断面構造によれば、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材４０を用いて素子基板１０と対向基板２０とを対向配置して接着することができるので、液晶層５０の厚みばらつきを抑えることができる。

図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂとを有する。なお、容量線３ｂの配置はこれに限定されず、データ線６ａに対して平行するように配置してもよい。

走査線３ａとデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極層１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極層１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極層１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極層１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極層１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極層２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極層１５と共通電極層２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とに偏光素子が配置されて用いられる。

図３に示すように、素子基板１０上には、走査線３ａと、走査線３ａを覆う第１層間絶縁膜１１と、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０を覆う第２層間絶縁膜１２と、画素電極層１５と、画素電極層１５を覆う配向膜１８とが順に形成されている。
走査線３ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができる。

ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、例えばポリシリコンにリンなどの不純物が導入されて形成されたＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を有しており、第１層間絶縁膜１１上に形成されている。半導体層３０ａを覆うゲート絶縁膜（図示省略）を挟んだチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成されている。ゲート電極３０ｇと走査線３ａとは第１層間絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール（図示省略）を介して電気的に接続されている。

半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域とデータ線６ａとが第２層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ１内に形成された導電層がソース電極３１として機能している。
半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域と画素電極層１５とが第２層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続されている。

画素電極層１５は、導電性の第１透光性層１５ａと、第１透光性層１５ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性層１５ｂと、第２透光性層１５ｂよりも屈折率が大きい導電性の第３透光性層１５ｃとが順に積層されたものである。第１透光性層１５ａおよび第３透光性層１５ｃは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成することができる。第２透光性層１５ｂは例えば透光性を有する酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができ、隣り合う画素Ｐの第１透光性層１５ａを覆って形成されている。つまり、第２透光性層１５ｂは、画素電極層１５の間の領域にも延設され、第１透光性層１５ａ上と隣接する画素の第１透光性層１５ａ上とに連続的に形成されている。このように屈折率が異なる透光性層を積層することにより光反射防止構造が構成されている。

配向膜１８は、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜１８の厚みはおよそ７５０ｎｍである。

素子基板１０に対向配置された対向基板２０の液晶層５０側には、平坦化層２２と、導電性の第４透光性層２３ａと、第４透光性層２３ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第５透光性層２３ｂと、第５透光性層２３ｂよりも屈折率が大きい導電性の第６透光性層２３ｃと、配向膜２４とが順に形成されている。積層形成された第４透光性層２３ａと第５透光性層２３ｂと第６透光性層２３ｃとによって、画素電極層１５と同様に光反射防止構造が採用された共通電極層２３が構成されている。

第４透光性層２３ａおよび第６透光性層２３ｃは、例えばＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形成することができる。第５透光性層２３ｂは、例えば酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができる。
最も液晶層５０に近い第６透光性層２３ｃが所謂共通電極として機能し、前述した上下導通部１０６に電気的に接続されている。なお、画素領域Ｅよりも外側において、絶縁性の第５透光性層２３ｂに例えばコンタクトホールを設けて導電性の第４透光性層２３ａと第６透光性層２３ｃとを電気的に接続させ、共通電極として電気抵抗をさらに低下させてもよい。

配向膜２４は、素子基板１０側の配向膜１８と同様に気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜２４の厚みはおよそ７５０ｎｍである。

このような透過型の液晶装置１００において、例えば対向基板２０側から入射した光Ｌは、共通電極層２３、液晶層５０、画素電極層１５を透過して素子基板１０側から射出される。光Ｌは屈折率が異なる透光性の材料層の界面においてその一部が反射する。対向基板２０側では、例えば平坦化層２２と第４透光性層２３ａとの界面や第５透光性層２３ｂと第６透光性層２３ｃとの界面で反射して反射光Ｌ１となる。同様に、素子基板１０側では、例えば第１透光性層１５ａと第２透光性層１５ｂとの界面や第３透光性層１５ｃと配向膜１８との界面で反射して反射光Ｌ２となる。これらの反射光Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ異なった光路を経て反射していることから、それぞれの光路長に応じた光の位相を有している。

素子基板１０から射出される光Ｌの強度は、反射光Ｌ１，Ｌ２の強度に依存する。画素電極層１５および共通電極層２３にそれぞれ光反射防止構造を取り入れて上記光路長に応じた光の位相が互いに打消し合う状態として、反射光Ｌ１，Ｌ２の強度をそれぞれ小さくしている。これにより、液晶装置１００を透過する光Ｌにおいて、可視光波長領域に亘る高い透過率を実現している。

画素電極層１５や共通電極層２３に導入された光反射防止構造は、異なる屈折率を有する透光性層の界面で反射した反射光の位相が互いに打ち消し合うように光路長を設定することにより実現できる。光路長は、透光性層の屈折率と膜厚の積で与えられる。したがって、以下の数式（１）および（２）を満たすように各透光性層の屈折率と膜厚とを設定することで、反射光Ｌ１，Ｌ２の強度を最も小さくできる。

ｎ１×ｄ１＋ｎ２×ｄ２＝λ／４・・・・（１）
ｎ２×ｄ２＋ｎ３×ｄ３＝λ／４・・・・（２）
画素電極層１５では、ｎ１は第１透光性層１５ａの屈折率、ｄ１は第１透光性層１５ａの膜厚、ｎ２は第２透光性層１５ｂの屈折率、ｄ２は第２透光性層１５ｂの膜厚、ｎ３は第３透光性層１５ｃの屈折率、ｄ３は第３透光性層１５ｃの膜厚である。
共通電極層２３では、ｎ１は第４透光性層２３ａの屈折率、ｄ１は第４透光性層２３ａの膜厚、ｎ２は第５透光性層２３ｂの屈折率、ｄ２は第５透光性層２３ｂの膜厚、ｎ３は第６透光性層２３ｃの屈折率、ｄ３は第６透光性層２３ｃの膜厚である。
λは光の波長である。各透光性層の屈折率ｎ１，ｎ２，ｎ３は、光の波長λに依存する。

例えば、光の波長λを５５０ｎｍとすると、ＩＴＯを用いて第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃを形成すれば、屈折率ｎ１および屈折率ｎ３はおよそ２．０となる。同様に、酸化シリコンを用いて第２透光性層１５ｂを形成すれば、屈折率ｎ２はおよそ１．４６となる。ゆえに、上記数式（１）および（２）を満たすには、例えば第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃの膜厚をおよそ３０ｎｍとすると、第２透光性層１５ｂの膜厚はおよそ５０ｎｍとなる。なお、可視光波長領域（光の波長が４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において万遍なく高い透過率を確保するには、短波長域での光の干渉による透過率の低下を考慮して、導電性の第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃの膜厚を３０ｎｍよりも薄くすることが望ましい。このような屈折率ｎ１，ｎ２，ｎ３と膜厚の設定は、もちろん共通電極層２３側にも適用できる。つまり、導電性の第４透光性層２３ａと第６透光性層２３ｃをＩＴＯを用いて形成し、膜厚を３０ｎｍ未満とする。第５透光性層２３ｂを酸化シリコンを用いて形成し、膜厚をおよそ５０ｎｍとする。このような画素電極層１５と共通電極層２３を備えた液晶装置１００は、可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）に亘って９６％以上の光の透過率が確保される。

液晶装置１００を適正に駆動する観点では、光反射防止構造を取り入れた共通電極層２３は、液晶層５０に最も近い側の第６透光性層２３ｃが共通電極として機能している。これに対して、光反射防止構造を取り入れた画素電極層１５では、ＴＦＴ３０に近い側、言い換えれば液晶層５０から遠い側の第１透光性層１５ａを画素電極としてＴＦＴ３０のドレイン電極３２に接続すると、導電性を有する第３透光性層１５ｃが電気的にフローティング状態となる。絶縁性の第２透光性層１５ｂを介して対向する第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとの間で寄生容量が生ずると、液晶層５０に適正な駆動電位が与えられなくなる。そこで、本実施形態では、コンタクトホールＣＮＴ２において第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを電気的に接続させている。詳しい接続方法については、以下の液晶装置の製造方法において説明する。

＜液晶装置の製造方法＞
本実施形態の液晶装置の製造方法について、図４および図５を参照して説明する。図４（ａ）〜（ｅ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図、図５（ａ）および（ｂ）は画素電極層におけるコンタクトホールの配置を示す概略平面図である。
液晶装置１００における素子基板１０側のＴＦＴ３０やこれに接続される信号配線などの形成方法は、前述したように公知の方法を用いることができる。また、対向基板２０側における見切り部２１や平坦化層２２などの形成方法も前述したように公知の方法を用いることができる。以下、本実施形態の液晶装置の製造方法として、本発明の特徴部分である素子基板１０におけるＴＦＴ３０と画素電極層１５との電気的な接続方法について説明する。なお、図４（ａ）〜（ｅ）では、素子基板１０におけるＴＦＴ３０を含む配線構造の表示を省略している。

図４（ａ）に示すように、素子基板１０上においてドレイン電極３２（ＴＦＴ３０）を覆って本発明の層間絶縁膜としての第２層間絶縁膜１２を形成する（層間絶縁膜形成工程）。第２層間絶縁膜１２の形成方法としては、例えばＴＥＢ（Triethyl Borate）ガスなどを用いた常圧または減圧ＣＶＤ法などにより、ＢＳＧ（Boron Silicate Grass）を３０００ｎｍ〜５０００ｎｍの膜厚で形成する。次にＣＭＰにより平坦化処理を施し、膜厚が７００ｎｍ〜１０００ｎｍとなるように研磨し、平坦な表面の第２層間絶縁膜１２を形成する。なお、第２層間絶縁膜１２は単一な材料層で形成されることに限定されず、例えばＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）を用いて常圧または減圧ＣＶＤ法で形成されたＮＳＧ（None-doped Silicate Glass）と組み合わせた複層構造としてもよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、ドレイン電極３２と平面的に重なる位置において第２層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ２を形成する（コンタクトホール形成工程）。コンタクトホールＣＮＴ２の形成方法としては、例えば、ＣＦ₄やＣ₂Ｆ₆などのフッ素系の処理ガスを用いてドレイン電極３２の表面が露出するように第２層間絶縁膜１２をドライエッチングする方法などを挙げることができる。後に導電性の透光性層によりコンタクトホールＣＮＴ２の底面や内壁を被覆することを考慮して、開口部の断面がテーパー状となるようにコンタクトホールＣＮＴ２を形成することが望ましい。また、第２層間絶縁膜１２を貫通する開口部の深さ（概ね第２層間絶縁膜１２の膜厚に相当）と開口径とのアスペクト比（深さ／開口径）が概ね０．８以上〜１．２以下（１．０±０．２）となるようにコンタクトホールＣＮＴ２を形成することが望ましい。開口径に対して深さが大きすぎる（深すぎる）と、開口部の底面まで第１透光性層１５ａが行き渡り難くなり、開口径に対して深さが小さすぎる（浅すぎる）と、後述する第２透光性層１５ｂの形成方法では、第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとをコンタクトホールＣＮＴ２内で電気的に接続させることが難しくなる。

次に、図４（ｃ）に示すように、コンタクトホールＣＮＴ２を被覆するように第２層間絶縁膜１２の表面を覆って例えば真空蒸着法やスパッタ法によりＩＴＯ膜（第１透光性膜）を成膜する。膜厚がおよそ２０ｎｍ〜３０ｎｍとなるようにＩＴＯ膜を成膜する。成膜されたＩＴＯ膜をパターニングして第１透光性層１５ａを形成する（第１透光性層形成工程）。

次に、図４（ｄ）に示すように、第１透光性層１５ａが形成された素子基板１０の法線方向に対して例えば酸化シリコンを斜め蒸着あるいは斜めスパッタして第２透光性層１５ｂを形成する（第２透光性層形成工程）。膜厚がおよそ５０ｎｍとなるように第２透光性層１５ｂを形成する。上記法線方向に対して斜め方向から酸化シリコンを成膜することにより、上記法線方向に開口したコンタクトホールＣＮＴ２内では斜め蒸着あるいは斜めスパッタに対して影となる部分（コンタクトホールＣＮＴ２の側面の一部）には、第２透光性層（第２透光性膜）１５ｂは形成されない。また、絶縁性の第２透光性層１５ｂは、隣り合う第１透光層１５ａの間を埋めるようにして、複数の画素Ｐに跨って形成される。このように形成すれば、第２透光性層１５ｂを画素Ｐごとにパターニング形成する場合に比べて画素Ｐ間における段差が小さくなる。よって、画素Ｐ間の段差に起因する液晶分子の配向むらを低減できる。

次に、図４（ｅ）に示すように、再びコンタクトホールＣＮＴ２を被覆するように第２透光性層１５ｂの表面を覆って例えば真空蒸着法やスパッタ法によりＩＴＯ膜（第３透光性膜）を成膜する。膜厚がおよそ２０ｎｍ〜３０ｎｍとなるようにＩＴＯ膜を成膜する。成膜されたＩＴＯ膜をパターニングして第３透光性層１５ｃを形成する（第３透光性層形成工程）。すると、コンタクトホールＣＮＴ２内において絶縁性の第２透光性層１５ｂが形成されていない部分（コンタクトホールＣＮＴ２の側面の一部）において、導電性の第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとが接触し電気的に接続されると共に、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続される。
なお、図４（ａ）〜（ｅ）に示されたドレイン電極３２は、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおける第２ソース・ドレイン領域に接続された中継電極を示すものであるが、第２ソース・ドレイン領域そのものでもよい。

また、図５（ａ）に示すように、コンタクトホールＣＮＴ２は、画素電極層１５の隅部としての例えば角部に形成され、コンタクトホールＣＮＴ２と平面視で重なるように配置される遮光部としての走査線３ａによって遮光される。前述した第２透光性層形成工程では、図５（ａ）に示すように、コンタクトホールＣＮＴ２を基準として第１透光性層１５ａ（画素電極層１５）の外周までの長さが長い方（図中の→で示した方向）から角部に向かって斜め蒸着または斜めスパッタして酸化シリコンを成膜する。このようにすれば、コンタクトホールＣＮＴ２において斜め蒸着または斜めスパッタにおける影の部分すなわち第２透光性層１５ｂが形成されない部分が→で示した位置になる。したがって、第１透光性層１５ａや第３透光性層１５ｃのパターニングにおいてその外形位置がＸ方向またはＹ方向に多少ずれたとしても、コンタクトホールＣＮＴ２において第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを確実に接触させ電気的に接続させることができる。

また、コンタクトホールＣＮＴ２が形成される隅部は図５（ａ）に示した角部に限定されず、例えば図５（ｂ）に示すように、遮光部としての走査線３ａが延在するＸ方向に沿った画素電極層１５の辺部のほぼ中央近傍としてもよい。この場合もコンタクトホールＣＮＴ２を基準として第１透光性層１５ａの外周までの長さが長い方（図中の→で示した方向）から上記辺部に向かって斜め蒸着または斜めスパッタして第２透光性層１５ｂを形成することが好ましい。

上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００において、光反射防止構造が取り入れられた画素電極層１５の導電性を有する第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃは、画素電極層１５のスイッチング素子であるＴＦＴ３０のコンタクトホールＣＮＴ２内において電気的に接続されている。したがって、第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを電気的に接続させるために例えばコンタクトホールを別途専用に形成しなくてもよい。ゆえに、画素Ｐにおいて高い光の透過率を実現できる画素電極層１５がＴＦＴ３０によってスイッチング制御される液晶装置１００を提供することができる。言い換えれば、明るい表示が可能な液晶装置１００を簡素な構成で提供できる。
（２）液晶装置１００およびその製造方法において、光反射防止構造を構成する絶縁性の第２透光性層１５ｂは、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を斜め蒸着または斜めスパッタすることによって形成される。したがって、斜め蒸着時または斜めスパッタ時に影となる部分がコンタクトホールＣＮＴ２の開口部における側面の一部に生じ、該影となった部分には第２透光性層１５ｂが形成されないので、コンタクトホールＣＮＴ２内において第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを確実に接触させ、電気的に接続させることができる。言い換えれば、第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを電気的に接続させるために例えばコンタクトホールを別途専用に形成しなくてもよいので、生産性を低下させずに、明るい表示が可能な液晶装置１００を製造することができる。
（３）透過型の液晶装置１００およびその製造方法において、素子基板１０側の画素電極層１５に加えて、対向基板２０側にも光反射防止構造が取り入れられた共通電極層２３が形成されている。したがって、より明るい表示が可能な液晶装置１００を提供または製造することができる。
（４）光反射防止構造における導電性の第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとが電気的に接続されたコンタクトホールＣＮＴ２は、平面視で遮光部としての走査線３ａと重なる位置に形成されている。したがって、コンタクトホールＣＮＴ２を覆う配向膜１８の部分に凹凸が生じて液晶分子の配向が乱れたとしても、配向の乱れに起因する表示ムラが遮光されて目立ち難くなる。
また、例えばコンタクトホールＣＮＴ２以外に第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを電気的に接続させるコンタクトホールを別途形成した場合には、当該コンタクトホールと平面的に重なるように遮光部を配置する必要があり、画素Ｐにおける遮光部の面積が大きくなって開口率が低下するという課題が生ずる。本実施形態によればこのような課題を解決できる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置の製造方法について、図６を参照して説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。第２実施形態は、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法に対して、第２透光性層１５ｂの形成方法を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明を省略するものとする。

第２実施形態の液晶装置の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、コンタクトホールＣＮＴ２を被覆するように第２層間絶縁膜１２の表面を覆ってＩＴＯ膜からなる第１透光性層１５ａを形成する。第１透光性層１５ａの形成方法は、前述した第１実施形態と同じである。
次に図６（ｂ）に示すように、第１透光性層１５ａを覆うように例えば真空蒸着法やスパッタ法で酸化シリコンにて第２透光性層１５ｂを成膜する。このとき、素子基板１０の法線方向から成膜するので、コンタクトホールＣＮＴ２の内部まで絶縁性の第２透光性層１５ｂが形成される。
次に、図６（ｃ）に示すように、第２透光性層１５ｂを覆って感光性レジスト６０を形成し、コンタクトホールＣＮＴ２に相当する部分が開口するように露光・現像を行って開口部６０ａを形成する。続いて、アルカリ性溶液あるいはＨＦ（フッ酸）を含む溶液を用いてウェットエッチングする、あるいはフッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ２内の第２透光性層１５ｂを除去する（第２透光性膜除去工程）。そして、感光性レジスト６０を剥離する。
次に、図６（ｄ）に示すように、再びコンタクトホールＣＮＴ２を被覆するように第２透光性層１５ｂの表面を覆ってＩＴＯ膜からなる第３透光性層１５ｃを形成する。第３透光性層１５ｃの形成方法は、第１実施形態と同じである。

上記第２実施形態の液晶装置の製造方法によれば、コンタクトホールＣＮＴ２内に形成された絶縁性の第２透光性層１５ｂを除去してからコンタクトホールＣＮＴ２を被覆するように第３透光性層１５ｃを形成するので、コンタクトホールＣＮＴ２内で第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを確実に接触させて、電気的に接続させることができる。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、画素Ｐの開口領域において、赤、緑、青の色光に対してそれぞれ高い透過率が得られる液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、偏光照明装置１１００から発する光を有効に利用して明るい表示品位が実現されている。

また、画素Ｐの開口領域において高い透過率が得られるということは、開口領域を透過する光の反射率が低下することを意味している。そうすると、反射した光が再び液晶層５０を透過する確率が減るので、液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いたときの耐光性寿命（例えば液晶層５０や配向膜１８，２４の光劣化）が改善される。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および該液晶装置の製造方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記実施形態の液晶装置１００は、素子基板１０側の画素電極層１５と対向基板２０側の共通電極層２３とに光反射防止構造を取り入れたが、画素電極層１５だけに光反射防止構造を取り入れた構造としてもよい。より簡素な構成で明るい表示が可能な透過型の液晶装置を提供できる。

（変形例２）光反射防止構造が取り入れられた画素電極層１５を有する構成は、透過型の液晶装置１００に限定されない。図８は変形例の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。なお、上記実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略するものとする。
図８に示すように、変形例２の液晶装置１５０は、素子基板１０において光反射防止構造が取り入れられた画素電極層１５と素子基板１０との間に、反射層１３を有している。反射層１３は、光反射性を有する例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）あるいはこれらの金属の合金からなり、第２層間絶縁膜１２中において第１透光性層１５ａと絶縁された状態で形成されている。なお、導電性の第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとはＴＦＴ３０のコンタクトホールＣＮＴ２内において電気的に接続されている。
対向基板２０側から入射した光Ｌ３は、光反射防止構造が取り入れられた共通電極層２３、液晶層５０、同じく光反射防止構造が取り入れられた画素電極層１５を透過し、反射層１３で反射する。そして、入射経路を反対に透過して対向基板２０側から射出される。異なる屈折率を有する透光性層の界面で反射した反射光Ｌ４，Ｌ５はそれぞれその強度が小さくなるように各透光性層の屈折率と膜厚とが設定されている。なお、この場合の液晶層５０の厚みｄは、入射光が液晶層５０を少なくとも２度透過することになるため、上記実施形態の液晶装置１００における液晶層５０の厚みよりも小さく設定されている。
このような液晶装置１５０によれば、反射光Ｌ４，Ｌ５の強度が小さく、入射する光Ｌ３との間での干渉も低減され、明るい表示が可能な反射型の液晶装置１５０を提供することができる。

（変形例３）画素電極層１５における第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ２の平面形状は円形に限定されない。例えば楕円形状であってもよい、その場合のコンタクトホールＣＮＴ２のアスペクト比は、開口部の深さ／開口部の最小径として定義することができる。絶縁性の第２透光性層１５ｂはコンタクトホールＣＮＴ２の上記最小径に沿った方向から無機絶縁材料を斜め蒸着または斜めスパッタして形成することが好ましい。

（変形例４）上記実施形態の液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…第１基板としての素子基板、１２…層間絶縁膜としての第２層間絶縁膜、１５…画素電極層、１５ａ…第１透光性層、１５ｂ…第２透光性層、１５ｃ…第３透光性層、２０…第２基板としての対向基板、２３…共通電極層、２３ａ…第４透光性層、２３ｂ…第５透光性層、２３ｃ…第６透光性層、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、５０…液晶層、１００，１５０…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、ＣＮＴ２…コンタクトホール、Ｅ…画素領域、Ｐ…画素。

Claims (9)

1. 画素電極層を備えた第１基板と、
   前記第１基板に対向するように配置され、前記画素電極層に対向する共通電極層を備えた第２基板と、
   前記画素電極層と前記共通電極層との間に挟持された液晶層と、
   前記第１基板と前記画素電極層との間に設けられ、前記画素電極層に対応し、前記画素電極層への画像信号の書き込みを制御するトランジスターと、
   前記トランジスターと前記画素電極層との間に設けられ、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、を備え、
   前記画素電極層は、前記層間絶縁膜側から順に形成された、導電性の第１透光性層と、
   前記第１透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性層と、前記第２透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第３透光性層とを含み、
   前記コンタクトホール内において前記第１透光性層と前記第３透光性層とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記コンタクトホール内には、前記第２透光性層が形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記共通電極層は、導電性の第４透光性層と、前記第４透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第４透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第５透光性層と、前記第５透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第５透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第６透光性層と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記コンタクトホールは前記画素電極層の隅部に形成され、
   前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方に前記コンタクトホールと平面視で重なる遮光部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 第１基板と第２基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、
   前記第１基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第１透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、
   気相成長法を用い、前記コンタクトホールが形成された前記基板の法線方向に対して斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記コンタクトホールの側面の一部を除く領域に前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい第２透光性膜を前記第１透光性膜上に形成する工程と、
   前記コンタクトホールを被覆して前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜を前記第２透光性膜上に形成する工程と、
   少なくとも前記第１透光性膜と前記第３透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 前記コンタクトホールは、前記画素電極層の隅部に形成され、
   前記第２透光性膜の形成工程は、前記コンタクトホールを基準として前記画素電極層の外周までの長さが長い方から前記隅部に向かって斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、
   前記第２透光性膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
7. 第１基板の画素電極層と第２基板の共通電極層との間に挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、
   前記第１基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第１透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成し、前記第１透光性膜をパターニングする工程と、
   前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜を前記第１透光性膜上に形成する工程と、
   前記コンタクトホール内の前記第１透光性膜を電気的に接続するように被覆して前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜を前記第２透光性膜上に形成する工程と、
   前記第３透光性膜を前記第１透光性膜に対応してパターニングして、前記第１透光性膜、前記第２透光性膜、および、前記第３透光性膜を含む画素電極層を形成する工程と、
   を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
8. 前記第２基板の前記液晶層に面する側に、導電性の第４透光性層を形成する工程と、
   前記第４透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第５透光性層を前記第４透光性層上に形成する工程と、
   前記第５透光性層よりも屈折率が大きい導電性の第６透光性層を前記第５透光性層上に形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
9. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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