TWI412850B - 液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之製造方法
本發明係有關液晶顯示裝置及其製造方法，尤其有關將形成於橫向電場方式的液晶顯示裝置的基板上之成膜構造簡略化並且確保通道(channel)部的絕緣性及耐濕性的液晶顯示裝置及其製造方法。
在一般使用的液晶顯示裝置之中，有不少是縱向電場方式的液晶顯示裝置，縱向電場方式的液晶顯示裝置係具有於表面形成有電極等的一對透明基板及夾於該一對基板間的液晶層，藉由在兩基板上的電極施加電壓使液晶再排列而顯示各種的資訊。此種縱向電場方式的液晶顯示裝置一般而言為TN(Twisted Nematic；扭轉向列)模式，但由於存在有視角狹小的問題，因而開發有VA(Vertical Alignment；垂直配向)模式與MVA(Multidomain Vertical Alignment；多域垂直配向)模式等各種經改良的縱向電場方式的液晶顯示裝置。
另一方面，亦已知有不同於上述的縱向電場方式的液晶顯示裝置，僅於一方的基板具備由像素電極及共用電極所構成的一對電極之IPS(In-Plane Switching；平面電場切換)模式或FFS(Fringe Field Switching；邊緣電場切換)模式的液晶顯示裝置。
其中IPS模式的液晶顯示裝置係為於同一層配置一對電極，使施加至液晶的電場的方向成為大致平行於基板的 方向而將液晶分子朝平行於基板的方式再排列者。因此，該IPS模式的液晶顯示裝置亦被稱為橫向電場方式的液晶顯示裝置，與前述的縱向電場方向的液晶顯示裝置相比，具有視角非常廣的優點。然而，在IPS模式的液晶顯示裝置中，由於用以施加電場於液晶的一對電極係設置於同一層，因此存在有無法充分驅動位於像素電極上側的液晶分子，而導致穿透率等的降低之問題。
為了解決此種的IPS模式的液晶顯示裝置的問題，已開發有應該稱為所謂的斜向電場方式的FFS模式的液晶顯示裝置(參照下列專利文獻1及2)。在該FFS模式的液晶顯示裝置係將用以施加電場於液晶層的像素電極與共用電極各自隔著絕緣膜(以下，稱之為電極間絕緣膜)而分別配置於不同層。
該FFS模式的液晶顯示裝置係具備如下的特徵，即具有比IPS模式的液晶顯示裝置更廣的視角及更高的對比(contrast)，且能夠以低電壓驅動並具有更高的穿透率，因此能夠進行明亮顯示。除此之外，以平面觀之時，FFS模式的液晶顯示裝置由於像素電極與共用電極的重複面積比IPS模式的液晶顯示裝置更大，因而附帶形成有更大的輔助電容，不需要另外設置輔助電容線，因此能夠獲得比IPS更高的開口率。
然而，在下列專利文獻1及2所揭示的FFS模式的液晶顯示裝置係因信號線與像素電極的電位差造成配向異常，信號線附近因而成為無效顯示的區域，而有開口率降低之 問題。除此之外，因信號線與像素電極產生耦合電容，而亦有招致串擾(cross talk)等顯示品質下降之問題。並且，由於形成於基板上的層係成為多層構造，因此在像素電極及基板表面產生凹凸亦即段差，而存在有晶胞間隙(cell gap)成為不均一之問題。針對此類問題，為了減少信號線的電位的影響及為了消除基板表面的段差，亦有使用上述VA方式或MVA方式的液晶顯示裝置所使用的層間膜，而將像素電極與共用電極配置在該層間膜上之手法(參照下列專利文獻3及4)。
專利文獻1：日本特開2001-235763號公報
專利文獻2：日本特開2002-182230號公報
專利文獻3：日本特開2001-83540號公報
專利文獻4：日本特開2007-226175號公報
在如上述專利文獻3及4所揭示的液晶顯示裝置所示藉由形成層間膜而使開口率提高時，該層間膜係與設置於上述專利文獻1及2所示的縱向電場方向的液晶顯示裝置中的1d同樣地形成。亦即，該層間膜係覆蓋在覆蓋含有切換元件的通道區域之顯示區域整體的方式成膜的鈍化(passivation)膜的表面，該鈍化膜係例如由丙烯酸等樹脂形成。
然而，在上述專利文獻3及4所揭示的液晶顯示裝置，雖然開口率確實提升上，但必須在一方的透明基板形成較 多的的成膜構造，因此製造步驟多，亦存在有造成高成本之問題。
且該種液晶顯示裝置所使用的切換元件係具有若曝露於自外部來的水分與氧等中其性質會發生變化之特性。因此，鑒於此點，在如上述專利文獻1及2所揭示的縱向電場方式的液晶顯示裝置，在構造方面，形成有用以確保切換元件的通道區域等的絕緣性及耐濕性之鈍化膜，並在其表面形成有由感光性樹脂等所構成的層間膜。
此外，與上述專利文獻1及2的液晶顯示裝置同樣地，在如上述專利文獻3及4所揭示的橫向電場方式的液晶顯示裝置中亦成膜有鈍化膜與層間膜兩者。然而，在如上述專利文獻3及4所揭示的橫向電場方式的液晶顯示裝置的構造中，切換元件的通道區域等除了與縱向電場方式的情形同樣地被鈍化層及層間膜之2層的絕緣膜所覆蓋之外，尚被設置於像素電極與共用電極之間的電極間絕緣膜所覆蓋。因此，上述專利文獻3及4所示的橫向電場方式的液晶顯示裝置的切換元件的各通道區域等係由鈍化膜、層間膜及電極間絕緣膜之3的絕緣性膜所覆蓋。
從而，上述專利文獻3及4所示的橫向電場方式的液晶顯示裝置係存在有製造工序比習知的縱向電場方式的液晶顯示裝置的製造工序更為增加之問題。
因此，本發明的發明人們針對上述專利文獻3及4所示的橫向電場方式的液晶顯示裝置的構成反覆進行各種研究後，發現到由於通常電極間絕緣膜與鈍化膜係以相同的氮 化矽等材料來形成，因此能夠藉由電極間絕緣膜來達成形成鈍化膜的目的亦即通道部的絕緣性及耐濕性的確保，而完成本發明。
亦即，本發明的目的在於提供一種能夠將形成於橫向電場方式的液晶顯示裝置的基板上之成膜構造簡略化，亦能夠確保通道部的絕緣性及耐濕性，且能夠廉價地製造的液晶顯示裝置及其製造方法。
為了達成上述目的，本發明的液晶顯示裝置係於一對透明基板間夾著液晶層，且於前述一對透明基板之中的一方的前述液晶層側具備有：複數條掃描線及信號線，隔著第一絕緣膜以矩陣狀配置；切換元件，由設置於複數條前述掃描線及信號線的交叉部附近的薄膜電晶體(TFT；Thin Film Transistor)；層間膜，覆蓋整個顯示區域；及第2絕緣膜，形成於由透明導電性材料所構成的第一電極與由透明導電性材料所構成的第2電極之間，前述第一電極係形成於前述層間膜的表面而在前述複數條掃描線及信號線所區劃的每一區域內並且經由形成於前述層間膜的接觸孔(contact hole)而連接於前述切換元件的電極；該液晶顯示裝置的特徵為，前述層間膜係直接覆蓋前述切換元件的電極，且前述第2絕緣膜係經由形成於前述層間膜的開口部而直接覆蓋前述切換元件的通道部，而前述第2電極係連接於配設在前述顯示區域外周圍的共用配線。
在本發明的液晶顯示裝置中，於顯示區域係具備：隔 著第一絕緣膜以矩陣狀配置的複數條掃描線及信號線、與形成於層間膜上且在前述掃描線及信號線所圍起的區域的每一區域內隔著第2絕緣膜而相對向配置之各自由透明導電性材料所構成的下側的第一電極與具有複數個開縫的上側的第2電極。藉由上述構成，能夠使本發明的液晶顯示裝置作為FFS模式的液晶顯示裝置而動作。另外，就透明導電性材料而言，可使用ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide；氧化銦鋅)。
並且，在本發明液晶顯示裝置中，由於隔著第2絕緣膜而相對向之分別由透明導電性材料所構成的第一電極與具有複數個開縫的第2電極係形成於層間膜上，因此源極線與像素電極的電容能夠藉由層間膜而形成為較小，因此能夠將像素電極擴大至源極線上而形成高開口率。另外，在本發明的液晶顯示裝置中，第一電極係連接於切換元件而成為像素電極，第2電極係電性連接於共用配線而成為共用電極。
並且，在發明的液晶顯示裝置中，層間膜係直接覆蓋切換元件的電極的表面，並未形成習知技術所使用的鈍化膜。除此之外，切換元件的通道部係隔著形成於層間膜的開口部而由第2絕緣膜覆蓋。藉由此種構成，便能夠以第2絕緣膜達成習知技術所使用的鈍化膜的形成目的亦即切換元件的絕緣性及耐濕性的確保，而能夠不用形成鈍化膜即能防止通道部因外在原因而造成的性質變化。因此，依據本發明的液晶顯示裝置，由於不存在鈍化膜，因而成為簡 略之構成且能夠廉價地製造的液晶顯示裝置。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，前述第2絕緣膜係由無機絕緣材料所構成。
當使用無機絕緣材料作為第2絕緣膜的材料時，尤其是使用氮化矽(SiNx )或氧化矽(SiO2 )時，由於形成TFT所構成的切換元件的通道部的半導體層係由矽系材料例如非晶矽(a-Si)或LTPS(Low Temperature Poly Silicon；低溫多晶矽)所構成，因此該半導體層與第2絕緣膜的接著性會變高。因此，通道部更不易發生因外在原因造成的性質變化，而具有穩定的性質。另外，該非晶矽與LTPS及氮化矽與氧化矽作為半導體層及絕緣膜係一般用法。此外，就第2絕緣膜而言，從絕緣性及耐濕性的觀點來看，較佳為使用由氮化矽所構成者。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，前述第2絕緣膜的厚度為2000Å至6000Å。
若該第2絕緣膜的厚度未滿2000Å，則要對切換元件的通道區域與電極確保必要的絕緣性及耐濕性將會變得困難，因此並不是理想的厚度。若第2絕緣膜的厚度超過6000Å，則第一電極及第2電極間產生的電容會變小，閃爍將會變得顯著，且驅動液晶分子所需要的電壓會變高，因此並不是理想的厚度。
本發明的液晶顯示裝置之製造方法，其特徵為具有以下步驟：(1)準備第一透明基板之步驟；該透明基板具備：複數條掃描線及信號線，隔著第一絕緣膜以矩陣狀形成於 顯示區域；切換元件，由設置於複數條前述掃描線及信號線的交叉部附近的薄膜電晶體所構成；及共用配線，沿著前述顯示區域的周緣部而形成；(2)形成層間膜之步驟；於前述步驟(1)所得的透明基板的整個表面形成由感光性樹脂材料所構成的膜後，進行曝光、顯像及烘烤處理，藉此，形成披覆整個顯示區域並形成有使前述切換元件的電極及通道部露出的接觸孔及開口部；(3)於前述層間膜的表面依前述複數條掃描線及信號線所區劃的每一區域形成由透明導電性材料所構成的第一電極，並且經由前述接觸孔將前述第一電極與前述切換元件的電極予以電性連接之步驟；(4)於包含前述第一電極上及前述通道部上的層間膜表面整體成膜第2絕緣膜之步驟；(5)於前述第2絕緣膜上，依每一與前述複數條掃描線及信號線所區劃的區域相對應之位置，形成由設有複數個開縫之透明導電性材料所構成的第2電極之步驟；及(6)液晶封入步驟；於前述步驟(5)所得的第一透明基板的表面形成配向膜，並將第2透明基板隔著預定距離相對向配置而貼合，而將液晶封入於前述第一及第2透明基板之間。
依據本發明的液晶顯示裝置之製造方法，層間膜係直接覆蓋切換元件的電極。第2絕緣膜係直接覆蓋切換元件的通道部。因此，不需要如習知技術般成膜鈍化膜的製程，且亦不需要如習知技術般為了使切換元件的電極與第一電極電性連接而對設置在切換元件的電極上的鈍化膜進行蝕刻的製程。因此，依據本發明的液晶顯示裝置之製造方 法，能夠大幅地削減製造步驟數。並且，切換元件的通道部係被例如由與習知技術的鈍化膜相同的材料所構成的第2絕緣膜所直接覆蓋，因此能夠充分地確保絕緣性及耐濕性。
以下，參照圖式說明本發明的較佳實施形態。但以下所示的實施形態係例示用來具體化本發明技術思想的液晶顯示裝置及液晶顯示裝置製造方式而舉FFS模式的液晶顯示裝置為例進行說明，並無將本發明特定為該FFS模式的液晶顯示裝置之用意，並且專利申請範圍所包含的其他實施形態亦可同等適用。
第1圖係本發明的實施例的FFS型的液晶顯示裝置的平面圖。第2圖係透視第1圖的液晶顯示裝置的濾色器(color filter)基板而顯示的三像素份的放大平面圖。第3圖係在第2圖的III-III線切斷的剖面圖。第4圖及第5圖係顯示陣列(array)基板的製造步驟的主要部分之剖面圖。
在此說明的陣列基板及濾色器基板的「表面」係指形成有各種配線之面及與液晶相對向側之面。此外，在本說明書中用於說明的各圖面中係將各層與各構件的大小設定為能夠辨視的程度，因此係以不同比例尺顯示各層與各構件，並非以與實際的尺寸成比例的方式顯示。
[實施例1]
如第1圖所示，本實施例的液晶顯示裝置1係所謂的COG(Chip On Glass；玻璃覆晶)型液晶顯示裝置，係由陣 列基板AR及濾色器基板CF；使兩基板AR、CF黏合的密封材2；封入於由陣列基板AR、濾色器基板CF及密封材2圍繞的區域之液晶30(參照第3圖)所構成。在該液晶顯示裝置1中，由密封材2圍繞的區域係形成顯示區域DA，該顯示區域DA的外側係形成為周緣區域。此外，於密封材2的一部分係形成有用以注入液晶30的注入口2a。另外，在第1圖中，於相當於顯示區域DA的區域描繪有格子狀的影線。
關於陣列基板AR，係於由玻璃等所構成的透明基板11上設置有各種配線。該陣列基板AR的長邊方向的長度係比濾色器基板CF的長邊方向的長度長，而在使兩基板AR、CF黏合之際形成延伸至外部的延伸部11a，並於該延伸部11a設有輸出驅動信號的由IC晶片或LSI等所構成的驅動器(driver)Dr。並且，於該陣列基板AR的周緣區域係為了將來自驅動器Dr的各種信號傳送至後述的掃描線12及信號線16(參照第2圖)而形成有各種佈局線(省略圖示)，尚亦形成有連接至後述的共用電極21的共用配線Com。
接著，參照第2圖及第3圖針對各基板的構成進行說明。首先，如第2圖及第3圖所示，關於陣列基板AR，係於透明基板11的表面以彼此成平行的方式形成由例如Mo/Al之2層配線所構成的複數條掃描線12。此外，於形成有該掃描線12的透明基板11的表面整體覆蓋由氮化矽或氧化矽等無機透明絕緣材料所構成的閘極絕緣膜(第一絕緣膜)。並且，於形成該閘極絕緣膜13的表面的切換元件(例如TFT)之 區域係形成有由例如非晶矽(a-Si)層所構成的半導體層15。形成該半導體層15之位置的掃描線12的區域則形成TFT的閘極電極G。
此外，於閘極絕緣膜13的表面係形成有由例如Mo/Al/Mo之3層構造的導電性層所構成之含有源極電極S的信號線16及汲極電極D。該信號線16的源極電極S部分及汲極電極D任一者皆局部重疊於半導體層15的表面。並且，於該陣列基板AR的表面整體覆蓋有由感光性材料所構成的層間膜14，除此之外，於該層間膜14的相對應汲極電極D之位置係形成有接觸孔CH，且於相對應於通道部CR之位置係形成有開口部OP。
並且，於掃描線12及信號線16所圍繞的區域的層間膜14上形成有由透明導電性材料例如ITO或IZO所構成的下電極(第一電極)17，以形成第2圖所示的圖案(pattern)。該下電極17係經由接觸孔CH而與汲極電極D電性連接。因此，該下電極17係作為像素電極而作用。並且，於該下電極17上形成有電極間絕緣膜(第2絕緣膜)18。於該電極間絕緣膜18係使用例如氮化矽等絕緣性良好的無機透明絕緣材料。並且，於該電極間絕緣膜18上之由掃描線12及信號線16圍繞的區域形成有具有複數個開縫(slit)20的由透明導電性材料例如ITO或IZO所構成的上電極(第2電極)。另外，該上電極21係形成於各像素區域，並且各者係在連結部21B彼此連接，並與配線至液晶顯示裝置1的周緣區域的例如第1圖的X部分之共用配線Com電性連接，而共用配線Com之另 一端部則連接於驅動器Dr。並且，於該基板的表面整體形成有預定的配向膜(未圖示)。
具有開縫20的上電極21，其開縫20的信號線16側的一端的寬度係形成為大的開放端20a，而另一端則形成為閉鎖端20b，而呈於每一掃描線12及信號線16圍起的區域以平面觀之形成為例如梳齒狀。藉此，開放端20a側的開口度提升，而能夠進行更明亮的顯示。
此外，關於濾色器基板CF，如第3圖所示，係於由玻璃基板等所構成的透明基板25的表面，以覆蓋對應於陣列基板AR的掃描線12、信號線16及TFT的位置之方式形成有遮光構件26。並且，於遮光構件26所圍繞的透明基板25的表面係形成有由複數色例如R(紅)、G(綠)、B(藍)的3色所構成的濾色器層27，並且以覆遮光構件26及濾色器層27的表面之方式形成有由透明樹脂等所構成的保護膜28。並且，於該基板的表面整體形成有預定的配向膜(未圖示)。另外，於具有上述構成的陣列基板AR及濾色器基板CF的外表面係設有偏光板31。
接著，主要參照第4圖及第5圖，針對陣列基板AR的製造步驟進行說明。首先，使用公知的微影(photolithograph)法等，形成複數條掃描線12圖案(patterning)於透明基板11(參照第4圖A)。接著，使用公知的電漿CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)或濺鍍法等，於含有掃描線12的透明基板11上形成閘極絕緣膜13(參照第4圖B)。接著，使用公知的微影法等，以覆 蓋掃描線12的一部分之方式將半導體層15圖案成形(參照第4圖C)。接著，同樣地使用公知的微影法等，以交叉於數條掃描線12的方式形成複數條信號線16圖案，並且形成將一端部重疊於半導體層15的源極電極S及汲極電極圖案(參照第4圖)。至此為止的步驟係對應於本發明的液晶顯示裝置之製造方法中的上述(1)之步驟。
藉由此步驟，以平面觀之重疊於半導體層15的掃描線12的部分係構成閘極電極G，形成作為切換元件的逆交錯型(inversely staggered)TFT。另外，在本實施例中係使用使源極電極S及汲極電極D直接重疊於半導體層15而圖案形成而形成TFT的所謂通道蝕刻(channel etch)法來形成TFT。並且，源極電極S的重疊於半導體層15之端部與，汲極電極D的重疊於半導體層15之端部之間係形成通道部CR。
在習知的液晶顯示裝置中，係使用公知的電漿CVD法或濺鍍法等，以覆蓋形成有上述TFT的透明基板11的表面整體之方式形成由氮化矽或氧化矽所構成鈍化膜。然而，在本發明中並非於形成有TFT的透明基板11的表面形成鈍化膜，而是直接形成層間膜14。亦即，於形成有TFT的透明基板11的表面形成由光阻劑等感光材料所構成膜(參照第4圖E)，在進行預烘烤後使公知的曝光裝置進行曝光並進行顯像處理，在將層間膜14形成於顯示區域後，進行光反應處理及烘烤處理。從而，以直接覆蓋TFT的通道部CR、源極電極S及汲極電極D的表面之方式形成層間膜14。
光反應處理係以使感光性樹脂膜的透明性提升為目的 而照射UV(紫外線)光而使感光性官能基發生光反應之處理。此外，烘烤處理係為藉由進行加熱處理煅燒所圖案形成的感光性樹脂，而藉由樹脂內的化學反應(主要為交聯反應)而成為具有穩定的物理及化學特性的絕緣膜而形成於基板上之處理。另外，在此所形成的層間膜14的厚度較佳為例如1.5μm至3.0μm。若層間膜14的厚度未滿1.5μm，則會在TFT等的存在部位產生段差，從而使在接下來的步驟中形成的下電極17與上電極12亦產生段差，晶胞間隙(cell gap)會變得不均一，因此並不理想。此外，若層間膜14的厚度超過3.0μm，則層間膜14的光吸收率會變大，顯示區域DA的明亮度會降低，因此並不理想。
此外，在上述層間膜14的形成時，同時於汲極電極D上的層間膜14與通道部cr上的層間絕緣膜14形成接觸孔CH、開口部OP(參照第5圖A)。該接觸孔CH、開口部OP係在無形成鈍化膜而形成的層間膜14的曝光及顯像處理時直接形成。如此形成的接觸孔CH、開口部OP之中尤其是接觸孔CH，習知技術中若不將成膜在接觸孔CH底面的鈍化膜加以蝕刻去除的話便無法使汲極電極D露出於外部，但在本實施例中則不用進行該蝕刻步驟便能夠使汲極電極D露出於外部。此外，藉由形成開口部OP而使通道部CR成為露出於外部之狀態。這些步驟係對應於本發明的液晶顯示裝置之製造方法中的上述(2)之步驟。
接著，於掃描線12及信號線16所區劃的像素區域的各者形成下電極17(參照第5圖B)。此時，下電極17的一部分 係成膜在接觸孔CH內，下電極17與汲極電極D即電性連接。因此，下電極17便作為像素電極而動作。另外，該下電極17在開口部OP內未成膜。此步驟係對應於本發明的液晶顯示裝置之製造方法中的上述(3)之步驟。
接著，以覆蓋形成有該下電極17的基板整體之方式成膜電極間絕緣膜18(參照第5圖C)。另外，該電極間絕緣膜18若使用例如絕緣性良好的氮化矽，則由於能夠縮減膜厚，因此接觸孔CH的開口徑不會變大。此外，該電極間絕緣膜18較佳為使用能夠以較低溫進行成膜的材料，因為能夠在成膜時不會對其他的層造成不良影響。除此之外，該電極間絕緣膜18亦成膜在開口部OP18內而直接覆通道部CR，因此為了確保TFT的通道部CR、源極電極S及汲極電極D的耐濕性及絕緣性，該電極間絕緣膜18的厚度設定為2000Å以上即可。另外，若該電極間絕緣膜18的厚度超過6000Å，則下電極17及上電極21間產生的電容會變小，閃爍將會變得顯著，而驅動液晶分子所必要的電壓會變高，因此並不理想。此步驟係對應於本發明的液晶顯示裝置之製造方法中的上述(4)之步驟。
接著，在如上述形成電極間絕緣膜18後，以覆該電極間絕緣膜18的表面整體之方式覆蓋由ITO或IZO所構成的透明導電性材料，利用公知的微影法及蝕刻法，將形成有複數個開縫20的上電極21依每一與像素區域相對應之位置形成(參照第5圖D)。另外，如第2圖及第3圖所示，該上電極21係設計為未形成於與TFT相對應的位置，並且以在像素 區域間各者係經由連接部21B而彼此連結之方式形成，並且電性連接於配線在液晶顯示裝置1的周緣區域的共用配線Com。因此，該上電極21係作為共用電極而動作。接著，以覆蓋形成有該上電極21的透明基板11的表面整體之方式形成配向膜，藉此便完成陣列基板AR。此步驟係對應於本發明的液晶顯示裝置之製造方法中的上述(5)之步驟。
最後，準備與習知的FFS模式的液晶顯示裝置用的濾色器基板實質上同樣的濾色器基板，使將上述陣列基板及濾色器基板分別相對向而貼合，再將液晶封入至內部，藉此便獲得實施例1的液晶顯示裝置1。此步驟係對應於本發明的液晶顯示裝置之製造方法中的上述(6)之步驟。
如上所述，在本發明的液晶顯示裝置1中係形成層間膜14但沒有形成鈍化膜，且TFT的通道部CR係直接由電極間絕緣膜18覆蓋。因此，通道部CR係被由與習知所使用的鈍化膜相同的無機透明絕緣材料所構成的電極間絕緣膜18覆蓋，因此，在絕緣性及耐濕性方面能夠充分得到確保。此外，依據本發明的液晶顯示裝置1之製造方法，相較於習知的陣列基板之製造方法，不需要進行鈍化膜的成膜製程及用以將汲極電極D露出於外部的鈍化膜的一部分的蝕刻製程。因此，依據本發明的液晶裝置1之製造方法，能夠將製造步驟簡略化，而能夠廉價地製造液晶顯示裝置。
另外，在上述實施例中，就形成於上電極21的開縫而言，雖然是顯示設計開縫20的信號線16側的一端的寬度形成為大的開放端20a、另一端形成為閉鎖端20b而形成以平 面觀之為梳齒狀之例，但亦可設計為兩端皆形成為閉鎖端。此外，雖然是顯示設計為上電極21不存在於TFT上之例，但並非一定要採用此種構成。
以上，就本發明的一實施形態，說明了FFS型的液晶顯示裝置1。此種的本發明的液晶顯示裝置係能夠使用於個人電腦、行動電話、個人數位助理、導航裝置、攜帶式音樂播放器、攜帶式電視等各種電子機器。
此外，在上述一實施形態的液晶顯示裝置1中係針對下電極(第一電極)17藉由經由接觸孔CH分別連接至汲極電極D而成為像素電極，具有複數個開縫20的上電極(第2電極)21藉由連接至共用配線而成為共用電極之構成進行說明。但亦能夠將該下電極17作為共用電極，將上21作為像素電極而分別發揮功能。
就採用如上述構成時的液晶顯示裝置具體地說明之，首先，到層間膜14的成膜製程為止係以與上述實施例相同的步驟進行陣列基板AR的製造。接著，於除了形成有形成在層間膜14的接觸孔CH及開口部OP的區域之外的顯示區域DA整體形成下電極17，並且使之電性連接於配設在周緣區域的共用配線Com。接著，於除了形成有接觸孔CH的部分之外的基板表面整體形成電極間絕緣膜(第2絕緣膜)18。藉此如此形成電極間絕緣膜18，電極間ip18亦進入至形成在通道部CR上的開口部OP內而將該通道部CR直接覆蓋。並且，於掃描線12及信號線16所區劃的像素區域的各者成膜具有複數個開縫20的上電極21。另外，該電極21係經 由接觸孔CH而電性連接於汲極電極D，且並未形於形成有開口部OP的部分。之後係與上述一實施形態的液晶顯示裝置1同樣地，經過配向膜的成膜及與濾色器基板CF的黏合等而獲得液晶顯示裝置。
在如上述將下電極17作為共用電極、將上電極21作為像素電極而分別使之發揮功能的液晶顯示裝置中，亦能夠獲得與上述一實施形態的液晶顯示裝置1同樣的優異效果。
1‧‧‧液晶顯示裝置
2‧‧‧密封材
2a‧‧‧注入口
11、25‧‧‧透明基板
11a‧‧‧延伸部
12‧‧‧掃描線
13‧‧‧閘極絕緣膜(第一絕緣膜)
14‧‧‧層間膜
15‧‧‧半導體層
16‧‧‧信號線
17‧‧‧下電極(第一電極)
18‧‧‧電極間絕緣膜(第2絕緣膜)
20‧‧‧開縫
20a‧‧‧開放端
20b‧‧‧閉鎖端
21‧‧‧上電極(第2電極)
21B‧‧‧連結部
26‧‧‧遮光構件
27‧‧‧濾色器層
28‧‧‧保護膜
30‧‧‧液晶
31‧‧‧偏光板
AR‧‧‧陣列基板
CF‧‧‧濾色器基板
CH‧‧‧接觸孔
Com‧‧‧共用配線
CR‧‧‧通道部
D‧‧‧汲極
DA‧‧‧顯示區域
Dr‧‧‧驅動器
G‧‧‧閘極
S‧‧‧源極
OP‧‧‧開口部
X‧‧‧上電極與共用配線電性連接之部分
第1圖係本發明的實施例的FFS型的液晶顯示裝置的平面圖。
第2圖係透視第1圖的液晶顯示裝置的濾色器基板而顯示的三像素份的放大平面圖。
第3圖係在第2圖的III-III線切斷的剖面圖。
第4圖A至第4圖E係顯示陣列基板的製造步驟的主要部剖面圖。
第5圖A至第5圖D係顯示陣列基板的製造步驟的主要部剖面圖。
1‧‧‧液晶顯示裝置
11、25‧‧‧透明基板
12‧‧‧掃描線
13‧‧‧閘極絕緣膜(第一絕緣膜)
14‧‧‧層間膜
15‧‧‧半導體層
17‧‧‧下電極(第一電極)
18‧‧‧電極間絕緣膜(第二絕緣膜)
20‧‧‧開縫
21‧‧‧上電極(第二電極)
21B‧‧‧連結部
26‧‧‧遮光構件
27‧‧‧濾色器層
28‧‧‧保護膜
30‧‧‧液晶
31‧‧‧偏光板
AR‧‧‧陣列基板
CF‧‧‧濾色器基板
CH‧‧‧接觸孔
CR‧‧‧通道部
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
S‧‧‧源極
OP‧‧‧開口部

Claims (4)

  1. 一種液晶顯示裝置，係於一對透明基板間夾著液晶層，在前述一對透明基板之中的一方的前述液晶層側，具備：之間隔著第一絕緣膜配置為矩陣狀的複數掃描線及信號線；切換元件，由設置於複數條前述掃描線及信號線的交叉部附近的薄膜電晶體所構成；層間膜，覆蓋整個顯示區域；及第二絕緣膜，形成於由透明導電性材料所構成的第一電極與由透明導電性材料所構成的第二電極之間，前述第一電極係形成於前述層間膜的表面而在前述複數條掃描線及信號線所區劃的每一區域內並且經由形成於前述層間膜的接觸孔而連接於前述切換元件的電極；液晶顯示裝置，其特徵為：前述層間膜係直接覆蓋前述切換元件的電極，且前述第二絕緣膜係經由形成於前述層間膜的開口部而直接覆蓋前述切換元件的通道部，而前述第二電極係連接於配設在前述顯示區域外周圍的共用配線。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，前述第二絕緣膜係由無機絕緣材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，前述第二絕緣膜的厚度為2000Å至6000Å。
  4. 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵為具有以下 步驟：(1)準備第一透明基板之步驟；該透明基板具備：複數條掃描線及信號線，隔著第一絕緣膜以矩陣狀形成於顯示區域；切換元件，由設置於複數條前述掃描線及信號線的交叉部附近的薄膜電晶體所構成；及共用配線，沿著前述顯示區域的周緣部而形成；(2)形成層間膜之步驟；於前述步驟(1)所得的透明基板的整個表面形成由感光性樹脂材料所構成的膜後，進行曝光、顯像及烘烤處理，藉此，形成披覆整個顯示區域並形成有使前述切換元件的電極及通道部露出的接觸孔及開口部；(3)於前述層間膜的表面依前述複數條掃描線及信號線所區劃的每一區域形成由透明導電性材料所構成的第一電極，並且經由前述接觸孔將前述第一電極與前述切換元件的電極予以電性連接之步驟；(4)於包含前述第一電極上及前述通道部上的層間膜表面整體成膜第二絕緣膜之步驟；(5)於前述第二絕緣膜上，依每一與前述複數條掃描線及信號線所區劃的區域相對應之位置，形成由設有複數個開縫之透明導電性材料所構成的第二電極之步驟；及(6)液晶封入步驟；於前述步驟(5)所得的第一透明基板的表面形成配向膜，並將第二透明基板隔著預定距離相對向配置而貼合，而將液晶封入於前述第一及第二透明基板之間。
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