JP3979395B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電子機器 - Google Patents
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Description
具体的には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されたガラス基板等の透明基板上に、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、酸化スズ(SnO2)等の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体(以下、PEDOTと略記する)のドーピング体からなる正孔注入層と、ポリフルオレン等の発光物質からなる発光層と、Ca等の低仕事関数を有する金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層したものがある。
(1) ウエットエッチングやレジスト剥離等のウエットプロセスを施して画素電極302や第1隔壁303のパターニングを行うことにより、層間絶縁膜301の有機材料が膨潤してしまい、平面的に繋がっている画素電極302や第1隔壁303に応力が生じてしまい、特に表示特性に重要な画素領域部(画素電極302)にダメージが生じる。また、層間絶縁膜301と第1隔壁303の接合面における剥離が生じる。
(2) 有機材料からなる層間絶縁膜301上に、プラズマCVD等を用いて第1隔壁303を形成すると、有機材料表面にダメージを与えながら第1隔壁303が成膜されるので、第1隔壁303と層間絶縁膜301の密着性が低くなり、第1隔壁303と層間絶縁膜301が剥離し易くなる。ここで、当該膜が剥離するとパーティクルが飛散し、真空容器内を汚染してしまう。また、該パーティクルが真空容器あるいは基体上に存在することにより、有機エレクトロルミネッセンス装置の歩留まりが低下する虞がある。
(3) 第1隔壁303は、無機材料からなる画素電極302と有機材料からなる層間絶縁膜301の表面を被覆するように形成されているので、有機材料のエッチング速度が無機材料よりも大きいために、第1隔壁303をエッチングする場合のエッチング制御性が困難になる。
本発明の有機EL装置の製造方法は、画素毎に設けられた第1電極と、前記第1電極に直接接して設けられ、1層からなる第1隔壁と、前記第1隔壁に直接接して設けられ、1層からなる第2隔壁と、前記第1及び第2隔壁に囲まれた発光機能層と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、有機材料からなる層間絶縁膜上に、第1電極材料と第1隔壁材料を順に成膜する工程と、前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を同一形状のマスクで画素毎にパターニングして、所定形状の前記第1電極を形成するとともに、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングする工程と、前記層間絶縁膜上及び前記第1隔壁上に前記第2隔壁を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
また、本発明は、上記の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする。
また、第1隔壁が第1電極上のみに形成されることにより、有機材料と接する第1電極及び第1隔壁の合計面積が従来技術に比べて少なくなる。従って、製造プロセス中もしくは完成体の状態にて層間絶縁膜に応力(ウエット工程での膨潤や機械的応力)が発生した場合に、応力が低減するので、破損や剥離等の発生を抑制できる。
また、第2隔壁の材料として有機材料を採用することにより、層間絶縁膜と第2隔壁を共に有機材料によって構成されるので、当該層間絶縁膜と第2隔壁の密着性の向上を実現できる。そして、当該構造においては、同程度の硬度の有機材料が接触して構成されているので、有機EL装置の強度向上も実現できる。
また、従来技術においては、第1隔壁材料が層間絶縁膜及び第1電極材料からなる複数の層膜上に形成されていたため、当該第1隔壁材料のエッチング制御性が困難であったが、本発明では第1隔壁は第1電極材料上のみに形成されるため、良好なエッチング制御性が得られ、面内での第1隔壁のエッチングレート不均一化を抑制できる。
ここでは、第1隔壁の一部分を除去するためのマスクを形成した後に、当該マスクに応じて第1電極を露出している。
このようにすれば、液滴吐出法を用いて発光機能層の液体材料を第1電極に向けて吐出することにより、当該第1電極の露出面に液体材料を着弾させて、発光機能層を形成することができる。
ここでは、第2隔壁材料を湿式成膜法によって全面に形成した後に、開口部のパターンに応じたマスクを配置し、当該マスクパターンに応じて開口部を形成している。
このようにすれば、第2隔壁材料に開口部を設けることによって、第1電極に対応する部分に液滴受容部を形成することができる。
このようにすれば、第1電極が露出した状態で、第2隔壁材料の全面塗布、及び開口部の形成が施される。これによって開口部の形成後に第1電極を確実に露出させることができる。
このようにすれば、第2隔壁をマスクとして第1隔壁がパターニングされて、第1電極が露出するので、第1電極を露出するためだけのマスクが不要となり、マスクを減らすことができる。従って、製造工程の簡素化を達成できる。
このようにすれば、第2隔壁によって被覆されていた第1隔壁の表面が露出し、当該第1隔壁の露出面積が大きくなる。従って、後の工程の液滴吐出法を用いて液滴受容部に発光機能層の液体材料を塗布形成した場合に、液体材料と第1隔壁の接触面積が大きくなる。即ち、親液性を有する第1隔壁に液体材料が好適に濡れ広がり、液体材料と第1電極との接触を確実に施すことができる。
このようにすれば、マスク形状に応じた第1隔壁を形成することができ、第1隔壁の平面形状に応じた第1電極を形成することができる。これによって、第1隔壁と第1電極を同一形状のマスクで形成することができる。
このようにすれば、同一のマスク形状に応じた第1隔壁及び第1電極を形成することができる。更に、一括パターニングによって第1隔壁及び第1電極を形成するので、工程数の簡略化を達成できる。また、この方法では、第1隔壁をマスクにしないので、第1電極材料をパターニングする際のウエットエッチング液やエッチングガスは、第1隔壁上面と接触することがない。従って、第1隔壁上面に対するウエットエッチング液やエッチングガスの影響を防止できる。
このようにドライエッチング法を用いるので、ウエット工程に起因する層間絶縁膜(有機材料)が膨潤しないので、層間絶縁膜の応力の発生を防止できる。
なお、従来技術ではプラズマCVD法で第1隔壁材料を形成した場合に、第1隔壁と層間絶縁膜が剥離し易くなり真空容器内の汚染を招くという問題を有していたが、本発明は成膜工程ではなくパターニング工程においてドライエッチング(プラズマ処理)を行っているので、膜の剥離に起因する真空容器内の汚染を招くことがない。
このようにすれば、密着性付与膜が層間絶縁膜と第1電極を確実に密着させるので、有機EL装置の強度向上を実現できる。
また、前記第1隔壁材料を成膜する際に、前記層間絶縁膜は前記第1電極材料により保護されていることを特徴としている。
ここで、第1電極と第1隔壁は、層間絶縁膜上に第1電極材料と第1隔壁材料を順に成膜した後に、同一形状のマスクで第1電極材料及び第1隔壁材料をパターニングすることにより形成される。このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られる。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記の有機エレクトロルミネッセンス装置であり、前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする。
ここで、第1電極と第1隔壁は、層間絶縁膜上に第1電極材料と第1隔壁材料を順に成膜した後に、同一形状のマスクで第1電極材料及び第1隔壁材料をパターニングすることにより形成される。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られる。
また、更にこのような有機エレクトロルミネッセンス装置用基板に対して第2隔壁を形成し、第1隔壁及び第2隔壁に囲まれた発光機能層を第1電極上に形成することで、先に記載の有機EL装置と同様の効果が得られる。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置用基板は、上記の有機エレクトロルミネッセンス装置用基板であり、前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置等を例示することができる。また、大型の表示画面を有するテレビや、大型モニタ等を例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の有機EL装置を採用することによって、表示特性が良好な電子機器を提供することが可能となる。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
図1を参照して、有機EL装置の製造方法の第1実施形態について説明する。
ここで、図1(a)〜(e)及び図2は有機EL装置の製造方法を説明するための工程図、図3は図1(c)を詳細に説明するための図である。
基板10は、ガラス基板である。なお、材料としてガラスを限定するものではなく、例えば、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等の材料を採用してもよい。このような透明性或いは半透明性の材料を採用することにより、基板10側から発光光を取り出す所謂ボトムエミッション型の有機EL装置を製造することが可能となる。また、後述するように、封止基板側から発光光を取り出す所謂ボトムエミッション型においては、基板10の材料として金属基板等の非透明性材料を採用してもよい。
ここで、下地絶縁膜21は、基板10の表面に形成される絶縁膜であり、基板10と半導体層22とを非接触に保つための層膜である。
また、半導体層22は、ソース領域22S、チャネル領域22C、及びドレイン領域22Dからなり、ゲート電極24の電界の作用によってソース領域22Sとドレイン領域22D間のスイッチングを行う層膜である。
また、ゲート絶縁膜23は、ゲート電極24と半導体層22との間に設けられた層膜であり、半導体層22とゲート電極24の電気的絶縁性を得るためのものである。
また、ゲート電極24は、ゲート絶縁膜23を介してチャネル領域22Cに対向して配置された層膜である。当該ゲート電極24に流れる電流量によって薄膜トランジスタ20のスイッチング特性が所望に得られるようになっている。
ソース電極25S及びドレイン電極25Dは、上絶縁膜26に形成されたコンタクトホールを介してソース領域22S及びドレイン領域22Dに各々接続された電極である。
このような薄膜トランジスタ20を構成する層膜及び電極は、公知の製造方法によって製造される。例えば、各種成膜法、フォトリソグラフィ法、及びエッチング法等が用いられる。また、半導体層22におけるソース領域22S、チャネル領域22C、及びドレイン領域22Dを形成するには、イオンドーピング法等が採用される。
また、このような有機物を成膜する場合には、湿式成膜法が好適に採用される。湿式成膜法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等が作用される。このような湿式成膜法の中でもスピンコート法が好適であり、均一な膜厚で成膜することが可能となる。また、成膜後には、熱処理等を施して樹脂の硬化を行う必要がある。
無機物を成膜する場合には、真空成膜法又は湿式成膜法が好適に採用される。真空成膜法としてはCVD法、スパッタ法、蒸着法等が採用される。また、湿式成膜法としては上記同様のスピンコート法を採用し、無機材料としてペルヒドロポリシラザンを採用することが好ましい。ペルヒドロポリシラザンとは、−(SiH2NH)−を基本ユニットとする化合物の物質名である。また、当該ペルヒドロポリシラザンは、有機溶剤に可溶な無機ポリマーであるので、有機溶剤と混合させることで液体材料として取り扱うことが可能となる。また、ペルヒドロポリシラザンは、不活性雰囲気中で高温焼成されることにより、脱水素反応に伴う熱硬化収縮が生じ、シリコン窒化物のセラミクスへ転化する性質を有している。また、大気中又は水蒸気含有雰囲気で焼成されることにより、水や酸素と反応し、シリコン酸化物へ転化する性質を有している。
ここで、コンタクトホール31の形成方法は、層間絶縁膜30が非感光性樹脂や無機材料からなる場合と、感光性樹脂からなる場合とで処理が異なる。
まず、層間絶縁膜30が非感光性樹脂や無機材料からなる場合について説明する。
この場合においては、フォトレジスト膜を用いたエッチング処理によってパターニングが施される。具体的には、フォトレジスト膜を層間絶縁膜30上に塗布形成した後に、熱処理、露光処理、現像処理を施して開口部を形成し、そしてエッチング処理を施して当該開口部に対応する非感光性樹脂や無機材料を除去することにより、コンタクトホール31が形成される。
これに対して、層間絶縁膜30が感光性樹脂からなる場合には、フォトレジスト膜が不要となり、層間絶縁膜30自体に対し、熱処理、露光処理、及び現像処理を順次施すことにより、コンタクトホール31が形成される。
ここで、画素電極材料41と第1隔壁材料42を形成する際は、画素電極材料41のパターニングを行わずに、画素電極材料41と第1隔壁材料42を連続して成膜する。
画素電極材料41は、ITO等の透明性金属が採用される。また、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide :IZO/アイ・ゼット・オー)(登録商標))(出光興産社製)等を用いることができる。なお、本実施形態ではITOを用いるものとする。また、トップエミッション型である場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、例えばITOの下層側にAl等を設けて反射層として用いることもできる。
また、第1隔壁材料42の材料としては、親液性を有する材料が採用され、本実施形態では、シリコン酸化物を採用している。なお、ここでいう親液性とは、後に塗布される液体材料に対して第2隔壁の材料(後述する)よりも相対的に親液性を有することを意味している。
このような画素電極材料41及び第1隔壁材料42を成膜する方法としては、真空成膜法が好適に採用される。
ここで、図3を参照し、画素電極材料41と第1隔壁材料42のパターニングについて詳述する。図3は、図1(c)における層間絶縁膜30、画素電極材料41、及び第1隔壁材料42の要部を示す図であって、エッチングによって画素電極41a及び第1隔壁42aを形成するまでの工程図である。なお、図3においては、コンタクトホール31が不図示となっているが、コンタクトホール31は不図示部分において形成されており、当該コンタクトホール31を介して画素電極材料41とドレイン電極25Dが接続されているものとする。
ここで、エッチング処理としては、ウエットエッチング法やドライエッチング法が用いられる。ウエットエッチング法においては、第1隔壁材料42のシリコン酸化物を除去するエッチング液として弗酸(HF)を主体とするものが好適に採用される。また、画素電極材料41のITOを除去するエッチング液として王水が好適に採用される。
このようなウエットエッチング法においては、HFのエッチング液に浸漬して第1隔壁材料42をパターニングした後に、層間絶縁膜30上及び画素電極材料41上を洗浄し、その後、王水に浸漬して画素電極41aをパターニングしている。
また、画素電極材料41のITOを除去するドライエッチング法においては、HBr、HI等のハロゲン化物のガスが用いられる。
このようなドライエッチング法においては、同一チャンバ内において、エッチングガスを変えながら処理できるので、第1隔壁42a及び画素電極41aを一括して形成することが可能となる。また、図3(b)に示す第1隔壁42a及び画素電極41aの側部の形状は、えぐれEが生じた形状となっているが、ドライエッチング法の中でも異方性エッチング法(RIE)を用いることで、側部の形状を好適に制御することが可能となっている。
なお、図3(b)においては、マスクPRを残留させることが重要であるので、マスクPRを除去してしまうようなガス、例えば酸素ガスのプラズマを用いずにドライエッチング法を行うことが好ましい。
図1(d)に示すように、第1隔壁42aの一部を除去して画素電極41aを露出し、電極露出部41bを形成する(第1隔壁の一部を除去して第1電極を露出する工程)。
ここでは、不図示のマスクを第1隔壁42a上に形成し、当該マスクのパターンに応じて第1隔壁42aをエッチングすることで電極露出部41bを形成している。第1隔壁42aのエッチング方法としては、上記のようにウエットエッチング、ドライエッチングが好適に採用される。また、このようなエッチング方法によって、第1隔壁42aには隔壁側部42bが形成される。当該隔壁側部42bは、電極露出部41bの表面よりも所定角度で傾斜していることが好ましい。
このような第2隔壁45の材料としては、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機物が好適であり、また、非感光性樹脂や感光性樹脂が採用される。また、このような有機物を成膜する場合には、湿式成膜法が好適に採用される。湿式成膜法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等が作用される。このような湿式成膜法の中でもスピンコート法が好適であり、均一な膜厚で成膜することが可能となる。また、成膜後には、熱処理等を施して樹脂の硬化を行う。
更に、第2隔壁45の材料と層間絶縁膜30の材料を同一にすることが好ましい。もしくは、同じ有機材料で形成することが好ましい。このようにすれば、材料間の密着力が向上するとともに、熱膨張係数も略同一となるので、熱応力や機械的応力に対して安定な構造となる。
まず、非感光性樹脂の場合においては、フォトレジスト膜を用いたエッチング処理によってパターニングが施される。具体的には、フォトレジスト膜を層間絶縁膜30上に塗布形成した後に、熱処理、露光処理、現像処理を施してマスク開口部を形成し、そしてエッチング処理を施して当該マスク開口部に対応する非感光性樹脂を除去することにより、開口部45aが形成される。
これに対して、第2隔壁45が感光性樹脂からなる場合には、フォトレジスト膜が不要となり、第2隔壁45自体に対し、熱処理、露光処理、及び現像処理を順次施すことにより、開口部45aが形成される。
発光機能層47は、画素電極41a側から陰極53に向けて、正孔注入層50と、発光層51と、電子注入層52が積層された構成とっている。
なお、正孔注入層50の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
発光層51の形成材料として具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
また、赤色の発光層51の形成材料としては例えばMEHPPV(ポリ(3−メトキシ6−(3−エチルヘキシル)パラフェニレンビニレン)を、緑色の発光層51の形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンとF8BT(ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体)の混合溶液を、青色の発光層51の形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンを用いる場合がある。また、このような発光層51については、特にその厚さについては制限がなく、各色毎に好ましい膜厚が調整されている。
トップエミッション型の有機EL装置の場合には、基板10の対向側である封止基板30側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、第1隔壁42aが画素電極41a上のみに形成されることにより、有機材料と接する画素電極41a及び第1隔壁42aの合計面積が従来技術に比べて少なくなる。従って、製造プロセス中もしくは完成体の状態にて層間絶縁膜30に応力が発生した場合に、応力が低減するので、破損や剥離等の発生を抑制できる。
また、第2隔壁45の材料として有機材料を採用することにより、層間絶縁膜30と第2隔壁45を共に有機材料によって構成されるので、当該層間絶縁膜30と第2隔壁45の密着性の向上を実現できる。そして、当該構造においては、同程度の硬度の有機材料が接触して構成されているので、有機EL装置1の強度向上も実現できる。
また、従来技術においては、第1隔壁材料42が層間絶縁膜30及び画素電極材料41からなる複数の層膜上に形成されていたため、当該第1隔壁材料42のエッチング制御性が困難であったが、本実施形態では第1隔壁42aは画素電極材料41上のみに形成されるため、良好なエッチング制御性が得られ、面内での第1隔壁42aのエッチングレート不均一化を抑制できる。
このようにドライエッチング法を用いるので、ウエット工程に起因する層間絶縁膜30が膨潤しないので、層間絶縁膜30の応力の発生を防止できる。
なお、従来技術ではプラズマCVD法で第1隔壁材料42を形成した場合に、第1隔壁42aと層間絶縁膜30が剥離し易くなり真空容器内の汚染を招くという問題を有していたが、本実施形態は成膜工程ではなくパターニング工程においてドライエッチング(プラズマ処理)を行っているので、上記の膜剥離に起因する真空容器内の汚染を招くことがない。
次に、図4及び図5を参照して、有機EL装置の製造方法の第2実施形態について説明する。
ここで、図4(a)〜(d)は有機EL装置の製造方法を説明するための工程図、図5は図4(a)を詳細に説明するための図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の第1実施形態と異なる部分について説明する。従って同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
ここで、図5を参照し、画素電極材料41と第1隔壁材料42のパターニングについて詳述する。図5は、図4(a)における層間絶縁膜30、画素電極材料41、及び第1隔壁材料42の要部を示す図であって、エッチングによって画素電極41a及び第1隔壁42aを形成するまでの工程図である。なお、図5においては、コンタクトホール31が不図示となっているが、コンタクトホール31は不図示部分において形成されており、当該コンタクトホール31を介して画素電極材料41とドレイン電極25Dが接続されているものとする。
次に、図5(b)に示すように、マスクRRの形状に応じて第1隔壁材料42をエッチングし、第1隔壁42aを形成する。
次に、図5(c)に示すように、マスクRRを除去し、画素電極材料41上に第1隔壁42aのみを残留させた状態にする。
次に、図5(d)に示すように、第1隔壁42aをマスク(同一形状のマスク)として、第1隔壁42aの形状に応じて画素電極材料41をエッチングし、画素電極41aを形成する。
このようにすることで、第1実施形態と同様に画素電極41a及び第1隔壁42aを形成することができる。
図4(b)に示すように、層間絶縁膜30及び第1隔壁材料42上を被覆するように第2隔壁45を形成する(層間絶縁膜上及び第1隔壁材料上に第2隔壁を形成する工程)。なお、当該第2隔壁45は、画素電極41aが非露出状態で形成される。
ここでは、第2隔壁45の開口部45aがマスクとして機能し、当該マスクのパターンに応じて第1隔壁材料42をエッチングし、電極露出部41bを形成している(第2隔壁を形成した後に第1電極を露出する工程)。
このような工程によって、電極露出部41bが形成されるだけでなく、隔壁側部42bが露出する。従って、液滴受容部46が形成される。
ここで、第2隔壁を後退させるには、公知のエッチング処理が行われる。例えば、エッチング液への浸漬や、酸素プラズマ処理が好適である。
このように第2隔壁45を後退させると、第1隔壁上部42cが露出するので、液滴受容層46内に吐出する液滴を好適に濡れ広がらせることが可能となる。
次に、上記実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図10(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図10(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図10(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図10(b)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理本体、符号602は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図10(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図10(c)において、符号700は時計本体を示し、符号701は有機EL装置を備えたEL表示部を示している。
図10(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
2…有機EL装置用基板(有機エレクトロルミネッセンス装置用基板)
10…基板
30…層間絶縁膜
41…画素電極材料(第1電極材料)
41a…画素電極(第1電極)
42…第1隔壁材料(第1隔壁材料)
42a…第1隔壁(同一形状のマスク)
45…第2隔壁
45a…開口部
45b…開口面積
47…発光機能層
50…正孔注入層(発光機能層)
51…発光層(発光機能層)
52…電子注入層(発光機能層)
PR…マスク(同一形状のマスク)
Claims (17)
- 画素毎に設けられた第1電極と、
前記第1電極に直接接して設けられ、1層からなる第1隔壁と、
前記第1隔壁に直接接して設けられ、1層からなる第2隔壁と、
前記第1及び第2隔壁に囲まれた発光機能層と、
を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
有機材料からなる層間絶縁膜上に、第1電極材料と第1隔壁材料を順に成膜する工程と、
前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を同一形状のマスクで画素毎にパターニングして、所定形状の前記第1電極を形成するとともに、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングする工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記第1隔壁上に前記第2隔壁を形成する工程と、
を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記第1隔壁の一部を除去して前記第1電極を露出する工程を更に具備することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第2隔壁を形成する工程は、基板上に第2隔壁材料を全面に形成した後に、前記第1電極に対応する部分に開口部を形成することにより行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第1電極を露出した後に、前記第2隔壁を形成することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第2隔壁を形成した後に、前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第1電極を露出することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1隔壁材料の一部を除去して前記第1電極を露出した後に、第2隔壁の開口面積を広げることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1隔壁材料上に形成されたマスクに応じて前記第1隔壁材料をパターニングして、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングし、当該第1隔壁材料をマスクとして前記第1電極材料をパターニングして第1電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1隔壁材料上に形成されたマスクの形状に応じて前記第1電極材料及び前記第1隔壁材料を一括にパターニングして、所定形状の前記第1電極を形成するとともに、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングすることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- ドライエッチング法を用いて、前記第1電極材料と前記第1隔壁材料のパターニングを行い、所定形状の前記第1電極を形成するとともに、前記第1隔壁材料を画素毎にパターニングすることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜と前記第1電極の密着性を付与する密着性付与膜を形成することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1隔壁材料を成膜する際に、前記層間絶縁膜は前記第1電極材料により保護されていることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 有機材料からなる層間絶縁膜上に、画素毎に設けられた第1電極と、
前記第1電極に直接接して設けられ、1層からなる第1隔壁と、
前記第1隔壁に直接接して設けられ、1層からなる第2隔壁と、
前記第1及び第2隔壁に囲まれた発光機能層とを有し、
前記第1隔壁は、前記第1電極上のみに設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項13の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 有機材料からなる層間絶縁膜上に、画素毎に設けられた第1電極と、
前記第1電極に直接接して設けられ、1層からなる第1隔壁と、
前記第1隔壁に直接接して設けられ、1層からなる第2隔壁と、
を有し、
前記第1隔壁は、前記第1電極上のみに設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置用基板。 - 前記第1隔壁材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項15の有機エレクトロルミネッセンス装置用基板。
- 請求項13又は14に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
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