TWI398906B - 用於半導體裝置之資料產生方法、及電子束曝光系統 - Google Patents

Description

用於半導體裝置之資料產生方法、及電子束曝光系統 與相關申請案之交互參考

本申請案基於且主張申請於2008年1月18日的先前的日本專利申請案第2008-8709號案的優先權利益，其全部內容在此以參照方式被併入此文。

發明領域

在此討論的實施例是關於用於電子束圖案化的資料產生技術。

發明背景

在微影製程中，生產大量半導體裝置的大規模生產程序一般使用微影曝光技術。然而，在最近幾年，半導體裝置小型化及高功能的特徵使得設在單一半導體裝置上的元件之數量增加，且因此，製造對製造半導體裝置而言所必需的光罩變得越來越困難。在製造光罩上成本及時間的增加是半導體裝置行業中大的障礙。之後，當高產量的微影曝光技術使用在大規模生產上而不需要昂貴的光罩的電子束曝光技術使用於小批量生產(諸如工程樣品(ES))的時候，製造光罩的工作負擔就可以避免了。

然而，當使用不同的曝光技術的時候，所產生的光阻圖案之形狀由於物理現象的不同而相互不一致。這需要在微影製程之後的製程之中改變條件及/或參數，此外，還有一個問題，就是半導體裝置具有不同的特性，或者類似者。出於這個原因，即使是小批量的產品，需要一已製造之光罩的微影曝光技術也常常用於製造半導體裝置。

為解決上述問題，可以設想，用於電子束曝光的一設計資料舘是預先準備的，在這個資料舘裏藉由電子束曝光處理的形狀與藉由微影曝光處理的形狀一致，相應於輸入設計資料的一件電子束資料從用於電子束曝光的該設計資料舘中被選擇及用相應的電子束資料取代該輸入設計資料，藉此產生電子束曝光資料。然而，如果使用這樣一程序，用於電子束曝光的設計資料之圖案形狀變得複雜，且因此，產生曝光資料的工作量可能增加。本發明的一個目的是提供一種用於產生電子束曝光資料的技術，透過這種技術，產生曝光資料之工作負擔的增加會被抑制且藉由電子束曝光處理的形狀以較少的計算負擔近似於藉由微影曝光處理的形狀。

發明概要

因此，本發明之一層面的一目的是，提供一種用於一半導體裝置之資料產生方法。依據該等實施例的一層面，一種用於半導體裝置的資料產生方法被提供。該資料產生方法包括：自該半導體裝置之設計資料產生用於電子束曝光之電子束曝光資料的一電子束曝光資料產生步驟；擷取指示基於該電子束曝光資料透過電子束曝光形成於一基體上的一電子束曝光圖案的形狀與基於該半導體裝置之該設計資料透過微影曝光形成於該基體上的一微影曝光圖案的形狀之間的一差異之差分資訊的一差分擷取步驟；判定該電子束曝光圖案之形狀與該微影曝光圖案之形狀之間的該差異的大小是否落入一預定的參考值之內的一判定步驟；透過依據該差分資訊改變該電子束曝光資料之該圖案的形狀以更新該電子束曝光資料來獲得形狀已改變的曝光資料的一更新步驟；及當該差異的大小落在該預定參考值之外的時候重複該差分擷取步驟、該判定步驟及該更新步驟的一控制步驟。

該目標及該等實施例的實現可以藉由在專利申請範圍中特別指出的該等元件及其組合而實現及達到。

需理解的是，前面一般性的說明及接下來詳細的描述都是示範性及解釋性的，並不是像申請專利範圍那樣是對該等實施例的限制。

圖式簡單說明

第1圖是一視圖，該視圖示意性地說明用於產生電子束曝光資料的一第一方法。

第2圖是一視圖，該視圖說明一曝光系統的系統組態。

第3圖是一視圖，該視圖依據第一實施例說明電子束曝光資料產生流程。

第4A圖是透過設計資料、光強度模擬器及電子束曝光模擬器獲得的圖案之範例。

第4B圖是藉由SUB操作獲得的一形狀的一範例，透過該SUB操作經由微影曝光形成的該圖案被從經由電子束曝光形成的該圖案中減去。

第4C圖是藉由SUB操作獲得的一形狀的一範例，透過該SUB操作經由電子束曝光形成的該圖案被從經由微影曝光形成的圖案中減去。

第5圖是一差分圖案的例子。

第6圖是一視圖，該視圖說明儲存一差分圖案的一差分圖案儲存表的資料結構。

第7圖是一流程圖，該流程圖說明一電子束曝光資料校正程序的細節。

第8A-8D圖是說明因電子束曝光資料校正程序而產生的圖案的變化之視圖。

第9圖是一差分校正表的一資料範例。

第10A圖是一視圖，該視圖說明執行在負移動邊上的程序之概念。

第10B圖是一視圖，該視圖說明執行在正移動邊上的程序之概念。

第10C圖是一視圖，該視圖說明第一次移動該等邊的結果。

第10D圖是一視圖，該視圖說明第二次移動該等邊的結果。

第11圖是一視圖，該視圖說明電子束曝光資料以一限定的校正目標被校正的程序流程。

第12圖是校正目標資訊的一範例。

第13圖是一校正目標指定表的一資料範例。

第14圖是一視圖，該視圖依據第二實施例說明電子束曝光資料產生程序的流程。

較佳實施例之詳細說明

在下文中，依據本發明之一較佳實施例(在下文中，稱之為實施例)的一資料產生裝置將參考附圖進行描述。以下實施例的組態是說明性的，本發明的該等層面並不限定於該等實施例的組態。

程序概要

該資料產生裝置產生當一半導體裝置的基體上的一圖案遭處理的時候所使用的電子束曝光資料。然而，該資料產生裝置產生電子束曝光資料，藉此，經由電子束曝光處理的圖案的形狀近似於經由微影曝光處理的圖案的形狀。

第一方法

第1圖示意性地顯示用於產生這種電子束曝光資料的第一方法。這裏，該設計資料遭處理以便於經由電子束曝光處理的圖案的形狀近似於經由微影曝光處理的圖案的形狀。所以，該資料產生裝置首先複製該半導體裝置的設計資料以產生用於電子束曝光之一設計資料舘檔案(S1)。該設計資料包含胞元舘資料、用於佈線層的佈線資料及通孔資料。

該胞元舘資料是例如構成元件(諸如，電晶體)的一組多邊形圖案。該佈線資料也主要是以多邊形的圖案來定義。此外，該通孔資料是例如定義為矩形的圖案。這些胞元舘資料、佈線資料及通孔資料各自被分配識別資訊(稱為階層名稱)或佈線資訊。該識別資訊也稱為胞元名稱。

在構成該設計資料的一資料檔案中，階層名稱或佈線資料被唯一地定義。因此，透過參考該階層名稱或佈線資訊安排一圖案是可能的。此外，新的元件可透過參考該階層名稱或佈線資訊來定義。該半導體裝置的佈局圖案可透過這些元件之組合來組配。

本實施例中，當複製的時候，前置碼“E”被加入到這些階層名稱上，以允許所獲得的資料與原始資料有所區別且對應於原始資料。

下一步，該資料產生裝置以該設計資料在一曝光目標層上執行兩種類型的曝光資料產生程序。一個程序是輸入該設計資料來產生微影曝光資料(S2)。這個程序，例如，與用於製造光罩的該曝光資料產生程序是一樣的。透過以上的程序，該微影曝光資料被儲存在該資料產生裝置的一微影曝光資料儲存單元1中。

另一個程序是用電子束曝光設計資料取代該設計資料的部分來產生電子束曝光資料(S3)。透過以上的程序，該電子束曝光資料被儲存在該資料產生裝置的一電子束曝光資料儲存單元2中。

在該等程序S2及S3中，該資料產生裝置在需要虛擬圖案產生之一曝光層上執行用於平坦化之一虛擬圖案產生。此外，在S2中該微影曝光資料產生程序中，該資料產生裝置執行為製造光罩而產生曝光資料所必要的資料處理，諸如光學鄰近校正、局部反射光斑校正，或者考慮到蝕刻影響的微負載效應校正。

此外，在S3中該產生電子束曝光資料的程序中，該資料產生裝置執行鄰近校正、拼接校正、考慮到蝕刻影響的微負載效應校正，或者類似者。

下一步，該資料產生裝置在該等各自的已產生之曝光資料上以微影曝光及電子束曝光使用曝光強度模擬，然後將半導體基體上之各自的形狀輸出為圖案資料(S4及S5)。

作為在S4中該程序的結果，經由微影曝光處理的晶圓形狀資料1A被產生。該經由微影曝光資料處理的該晶圓形狀資料1A是模擬透過微影曝光形成的該形狀的資料。在該微影曝光中，一光罩自該微影曝光資料而產生，且當該光罩上的該圖案使用光轉移到該半導體基體上的時候，一圖案在施加於該半導體基體上的一光阻中形成。依據本發明的該等層面，儲存經由微影曝光處理的該晶圓形狀資料1A的一儲存單元相應於一微影曝光圖案儲存單元。該儲存單元，例如，形成在一硬碟上。

此外，作為在S5中該程序的結果，經由電子束曝光處理的晶圓形狀資料2A被產生。依據本發明之該等層面，儲存經由電子束曝光處理的該晶圓形狀資料2A的一儲存單元相應於一電子束曝光圖案儲存單元。經由電子束曝光處理的該晶圓形狀資料2A是模擬透過電子束曝光形成的該形狀的資料。在電子束曝光之中，當電子束依據該電子束曝光資料照射到該半導體基體上的時候，一圖案在施加於該半導體基體上的一光阻中形成。該儲存單元例如也形成在一硬碟上。

這襄，一光強度模擬器用於微影曝光資料。該資料產生裝置基於關於光瞳面上的焦距及複振幅透射率分佈的部分同調影像形成理論，求取一光學影像的計算模型公式(Yeung之模型)的傅利葉積分值，然後對該已求取的值進行平方，藉此獲得在該半導體基體上的光學圖案。此外，該資料產生裝置從考慮到一光阻膜及一基座基體上之反射的一光阻中強度分佈(Mack之模型)計算該半導體基體上的光強度分佈。然後，該資料產生裝置計算一光阻形狀，該光阻形狀透過繪製該光強分佈的輪廓來曝光及顯影。該光強度模擬器的該處理是眾所周知的，因此，其中的細節都省略。

此外，該資料產生裝置透過使用針對電子束曝光資料的該電子束曝光模擬器之模擬計算吸收能量分佈。然後，該資料產生裝置輸出該半導體基體上之該形狀資料，該吸收能量強度的輪廓針對此形狀資料而圖案化。這襄，該資料產生裝置透過蒙特卡羅方法(Monte Carlo method)計算在一樣本中入射電子的軌跡，透過遮蔽的拉塞福散射公式(Screened Rutherford scattering formula)計算電子的散射角度，及透過貝特之阻止本領公式(Bethe’s stopping power formula)計算能量損失。此外，資料產生裝置以一位置函數獲得光阻中每單位面積的吸收能量分佈。然後，該資料產生裝置把該吸收能量分佈轉換成與顯影溶液相關的溶解速率分佈來最終計算該被曝光及顯影的光阻形狀。該電子束曝光模擬器是眾所周知的，因此，其中的細節都省略。

然後，該資料產生裝置相互比較各自的形狀資料來藉此擷取一差分圖案(S6)。一比較方法可在經由微影曝光處理的形狀資料及經由電子束曝光處理的形狀資料之間執行圖形操作中之減(SUB)操作。

注意到，在以上的描述中，與為製造光罩的該曝光資料產生程序一樣的程序以S2中的程序來執行。然而，S2中的該程序並不限定於為製造光罩的該曝光資料產生程序。僅需要的是把該設計資料轉換成呈一介面格式之資料的程序，這可歸因於該微影曝光模擬器。此外，產生電子束曝光資料的該程序以S3中的程序來執行。然而，S3中的該程序並不限定於該電子束曝光資料產生程序。僅需要的是把該設計資料轉換成呈一介面格式之資料的程序，這可歸因於該電子束曝光模擬器。

下一步，該資料產生裝置判定該差分是否超出一可允許值(S7)。也就是說，該資料產生裝置保持關於是否被判定為差異之該可允許值(邊界值)，且如果該差分超出了該可允許值，則判定為有一差異。代表該光阻圖案的一形狀差落在可允許的製程變化之內之範圍的一個值及代表不影響特性差異之範圍的一個值被外部指定為該可允許值。透過該實際的半導體製程獲得的一經驗值或一實驗值都可能足以被設定為該可允許值。

作為該比較的結果，如果沒有差異被辨識(S7為是)，該資料產生裝置在用於電子束曝光的該設計資料舘中登記用於電子束曝光的一設計資料舘檔案，且產生一電子束曝光階層名稱/佈線資訊管理表格，其中，該階層名稱從用於電子束曝光的該設計資料之內擷取(S9)。在這種情況下，該差分資料將不被使用。該電子束曝光階層名稱/佈線資訊管理表格具有經由階層名稱/佈線資訊、一位址，及一資料大小指定的三個元素。該階層名稱/佈線資訊是該設計資料內用於識別一階層或佈線資訊的唯一名稱。該位址是一檔案中之儲存該設計資料的一位址。該資料大小是定義一層或佈線之圖案的圖案資料的資料大小。因此，當階層名稱被給定的時候，該資料產生裝置存取該電子束曝光階層名稱/佈線資訊管理表格以藉此使獲取定義與該階層名稱相關聯之該圖案的該圖案資料的一首位址與資料大小及讀取該相應的圖案成為可能。

如上所述，用於電子束曝光的該設計資料舘被以相同的方式管理，條件是該設計資料舘例如藉由技術節點或藉由該等裝置的性能特徵校正及管理。也就是說，僅需要的是，用於電子束曝光的該設計資料舘單獨地為每個技術節點或該裝置的每個性能特徵準備。

如果該差分被辨識(S7為否)，該資料產生裝置依據該差分資料校正用於電子束曝光之該設計資料(S8)。

此外，該資料產生裝置使用該已校正的設計資料更新用於電子束曝光之該設計資料，及使用該已更新的設計資料再一次產生該電子束曝光資料。然後，該資料產生裝置重複S3及S5到S8中的該等程序直至該差異消除。

第二方法

在該第一方法中，用於電子束曝光的該設計資料使用經由微影曝光處理的晶圓形狀資料1A及經由電子束曝光處理的晶圓形狀資料2A之間的該差分資料來更新。也就是說，該設計資料將使用該差分資料更新。因此，電子束曝光資料產生程序(S3中的程序)將再次遭執行。

然而，使用該差分資料更新的該設計資料之圖案形狀比原始的設計資料更加複雜。因此，由該已更新的設計資料產生之電子束曝光設計資料2將傾向於具有很大的資料大小。此外，落在執行該電子束曝光資料產生程序(S3中的程序)的電腦上之負擔可能會很沉重。

然後，在第二方法中，該電子束曝光資料2被直接使用經由微影曝光處理的晶圓形狀資料1A及經由電子束曝光處理的晶圓形狀資料2A之間的該差分資料來校正。在這種情況下，僅僅該電子束曝光資料2之相鄰於該差分資料的部分才會是校正目標。

此外，因為該電子束曝光資料是被直接校正的，所以不必再次執行針對電子束曝光之各種類型的校正，即，例如，在晶圓上電子束曝光所需的各種校正程序，包括一劑量校正程序。也就是說，因為各種類型的校正程序在該圖案被校正成一複雜形狀之前遭執行，所以，與上面的第一方法相比這些校正程序的負擔將降低。

然而，依據第二方法，因為用於該電子束曝光資料的劑量校正程序未再次遭執行，所以校正之前和之後在該劑量分佈上的變化需要盡可能地降低。隨著劑量上分佈的變化，向後散射的影響也變化，在向後散射中，進入光阻的電子束在該基體上遭反射且擴散到半徑為數十微米的範圍之內。因此，該周邊圖案的由此產生的尺寸改變。這也需要關於周邊圖案之校正，且增加了資料處理時間。然後，在資料產生裝置中，在劑量校正程序中設定的該已校正的劑量被固定且僅有該形狀被改變。在電子束曝光及微影曝光之間，一目標形狀起初是相同的，以便於即使當該電子束曝光圖案的形狀被改變以符合藉由微影曝光形成的所產生之形狀時，該圖案的面積也不會波動很大。然而，透過改變該形狀以盡可能地減小該面積的波動，來降低周邊圖案上的副作用是可能的。

也就是說，該第二方法降低了劑量分佈上的影響且部分校正了該電子束曝光資料以便於在電子束曝光之後該圖案的形狀最大近似於微影曝光之後圖案的形狀而不必再次對電子束曝光資料執行劑量校正程序。透過這樣做，在該電子束曝光資料的第一校正結果被有效地維持且電子束曝光以近似於微影曝光之圖案形狀的該圖案形狀來實施的同時，落在電腦上的負擔被降低。

第一實施例

在下文，第二方法的一實施例將參考附圖進行描述。

硬體組態

第2圖是一視圖，該視圖說明該曝光系統的系統組態。如第2圖所示，該曝光系統包括一資料產生裝置11及一電子束曝光設備12。該資料產生裝置11自一電子裝置的資料產生電子束曝光資料，該電子裝置的資料產生於一LSI-CAD 10。該電子束曝光設備12依據該產生的電子束曝光資料執行電子束曝光。

該資料產生裝置以這樣一種方式實施：一資料產生程式在一典型的電腦上(諸如個人電腦或者伺服器)遭執行。每個這種類型的該等電腦具有一CPU、一記憶體、一輸入/輸出介面、一顯示裝置、一硬碟、一與網路的通訊介面、用於一可分離的可攜式儲存媒體的一驅動機等等。這些電腦的元件及操作是眾所周知的，因此，對其等的描述都省略了。

經由該資料產生裝置處理的該半導體裝置的設計資料可被管理及儲存在與該資料產生裝置所在的同一電腦上。此外，該資料產生裝置可透過鏈接另一電腦來組配一電腦系統。例如，可以有另一電腦產生及管理該半導體裝置的設計資料。僅需要的是，該資料產生裝置能例如透過一網路存取經由這樣的另一電腦管理的該半導體裝置的設計資料。此外，該資料產生裝置可被安裝到該電子束曝光設備上。例如，該資料產生設備可以是與控制該電子束曝光設備的一控制電腦整合在一起的一電腦。

各種校正程序

該資料產生裝置透過微影曝光模擬及電子束曝光模擬獲得該等光阻圖案的形狀。在這種情況下，目前普遍執行的各種類型的校正關於微影曝光模擬中使用的一光罩圖案遭執行。特別地，這些校正關於用於製造光罩的電子束曝光資料遭執行。這些校正包括用於平坦化的一虛擬圖案產生、一光學鄰近校正、一局部反射光斑校正、考慮到蝕刻影響的一微負載效應校正。注意到，當該微影曝光圖案不是透過模擬而是從一SEM影像被計算的時候，以上的校正將同樣地關於供微影曝光使用的用於製造光罩的微影曝光資料遭執行。

此外，目前普遍執行的各種類型的校正在用於電子束曝光模擬中的電子束曝光資料上遭執行。這些校正包括用於平坦化的該虛擬圖案產生、一鄰近校正、一拼接校正、針對蝕刻的該微負載效應校正等等。注意到，當該電子束曝光圖案不是透過模擬而是從該SEM影像被計算的時候，以上的該等校正將同樣地關於供電子束曝光使用的該電子束曝光資料遭執行。

在下文中，將描述這些校正的綱要。注意到，這些校正依據符合一技術的設計規則來執行，那就是，依據針對每一技術所指定的最低線寬、最小圖案間隔及圖案密度。因此，該已校正的設計資料可藉由技術進行管理。

(1)用於平坦化的虛擬圖案產生

用於平坦化的該虛擬圖案產生是為一閘極層及一金屬層(也稱為一佈線層或一金屬佈線層)等化一圖案面積之密度的一程序。也就是說，與該半導體基體表面相對應的一資料區域被劃分成許多小區域，每個小區域具有一預定的大小，該輸入圖案之每個小區域中的一圖案面積遭獲得，然後每個小區域的面積密度遭計算。之後，具有預定組態的一虛擬圖案被加入到該等小區域中沒有達到一參考面密度的一部分小區域中，以達到該參考面密度，就該元件的操作而言不受虛擬圖案的影響。

(2)光學鄰近校正(OPC)

該光學鄰近校正(OPC)是一個這樣的程序：透過基於曝光及顯影的物理模型的模擬預測光學鄰近效應(OPE)，然後在該預測值的基礎上計算一遮罩圖案校正量，及移動關於該資料之該圖案的多個邊，以製造一光罩或者改變該圖案形狀。以上關於該資料的校正降低了這樣一種現象的發生：在半導體基體上形成的圖案形狀偏離了該設計形狀。這個現象發生例如歸因於具有約等於或者小於曝光所使用的光之波長的一尺寸的圖案之形成。

在光學鄰近校正中，一基於規則的OPC以及一基於模型的OPC取決於一目標層遭選擇性地使用，其中在該基於規則的OPC中，設計圖案基於預先獲得的校正規則(OPC規則)來校正，且在該基於模型的OPC中，該設計圖案透過模型化該微影製程中之現象的模擬來校正。

作為基於規則的OPC的一種方式，首先，藉由結合各種類型的圖形程序而建立的校正規則被實驗性地產生，或諸如此類。特定地，這個校正規則是關於變化的一規則，透過這個規則，一線寬基於該線寬或者一對線圖案的相鄰空間尺寸而變窄或者變寬。該線校正基於該上述規則來執行。一矩形圖案被加入到該線圖案的一尖端之錘頭校正遭執行以防止該線圖案的該尖端被轉移(被圖案化)至一狹窄的狀態。此外，一矩形被加入到該正方形圖案的凸起角部分之襯線校正遭執行以防止該正方形圖案的角部分被圖案化至一凹陷的狀態。此外，還有一***校正，其中一L形圖案的一凹陷角被切除，以防止該凹陷角被圖案化至一膨脹的狀態。

該基於模型的OPC透過基於原始設計資料的模擬來計算該遮罩圖案與形成於半導體基體上的該經轉移圖案之間的差，然後移動該圖案資料之多個邊以獲得如該設計資料所指定的形狀。

(3)局部反射光斑校正

在局部反射光斑校正中，該被設計圖案的孔徑比針對拍攝的每一恆定區域來計算。然後，與經轉移圖案相對應的該遮罩圖案之反射光斑量使用一點擴散函數來估計，該點擴散函數針對對每一單一拍攝區域使用雙高斯函數。然後，用於獲得具有有預定尺寸的一圖案的一遮罩之尺寸基於將被轉移到半導體基體上的拍攝之佈局來計算，然後該圖案資料的該等邊被移動以獲得該尺寸。

(4)微負載效應校正

在微負載效應校正中，蝕刻速率及蝕刻形狀將依據該圖案的尺寸而改變的這種現象被預先實驗性地得到。然後，一線寬波動(X)被設定在一表格中，該表格包含一圖案之尺寸及相鄰圖案之間的距離的組合。該等相鄰圖案之間的距離針對輸入到該資料產生裝置的該圖案之每一邊而獲得，且該線寬波動(X)自預先實驗性地設定之該表格獲得。然後，在微負載效應校正中，一邊的位置在該圖案之關於該線寬波動(X)的向外(鄰近圖案邊)方向上移動-X/2。這襄，“-”(負號)的意思代表移動是在與微負載效應校正所造成的該線寬波動(X)相反之方向上進行的。

(5)鄰近校正

鄰近效應是這樣一種現象：由於半導體基體上散射的電子束，曝光強度分佈依據圖案密度、圖案尺寸及圖案間隔而波動。該鄰近校正逐個圖案地設定電子束劑量且校正由於以上現象而導致的光阻的吸收能量的波動。也就是說，用於每一曝光圖案的劑量基於預先實驗性地獲得之曝光強度分佈(EID)函數來計算。然後，為了使每一曝光圖案最終獲得相同的吸收能量，在改變用於每一曝光圖案之劑量的同時，一自我對齊計算遭執行，且最終獲得用於每一圖案的劑量。

(6)拼接校正

對於由在移動該曝光設備的鏡臺前後遭拼接的拍攝所形成之一圖案來說，該拼接校正擴展了該拼接部分的一圖案邊緣或者在該拼接部分被覆蓋的位置以接近減半的劑量產生一額外的圖案。使用該以上的校正，即使當鏡臺在連續的拍攝之間移動，該拼接部分也被平滑化。

程序流程

本實施例的處理程序將參考第3圖所示的電子束曝光資料產生流程來例示。

該資料產生裝置輸入一半導體裝置之一曝光目標層的設計資料，然後執行兩種類型的曝光資料產生程序。一個程序是用以產生微影曝光資料的程序，即用於製造光罩的一曝光資料產生程序(S2，相應於一微影曝光資料產生步驟)，而另一個程序是用以產生電子束曝光資料的程序(S3，相應於一電子束曝光資料產生步驟)。對需要用於平坦化的一虛擬圖案產生之一曝光層來說，該虛擬圖案產生關於該設計資料遭執行。除此之外，在用於製造光罩的該曝光資料產生程序中，產生用於製造光罩之曝光資料所必需的資料處理遭執行，諸如考慮到蝕刻影響的微負載效應校正、光學鄰近校正，或者局部反射光斑校正。在電子束曝光資料產生程序中，晶圓曝光所需的資料處理遭執行，諸如考慮到蝕刻影響的微負載效應校正、鄰近校正(包括劑量校正)，或者拼接校正。本實施例的該資料產生裝置執行這些曝光資料產生程序一次。

曝光模擬分別關於各自的已產生的曝光資料遭執行，且光阻圖案形狀以圖案資料的形式輸出(S4，相應於微影曝光模擬步驟)(S5，相應於電子束曝光模擬步驟)。一光強度模擬器用於微影曝光資料，而一電子束曝光模擬器被用於電子束曝光資料。包含透過模擬獲得的曝光強度分佈的該等已圖案化輪廓之晶圓形狀資料被輸出。

第4A圖顯示透過該設計資料、該光強度模擬器，及該電子束曝光模擬器獲得的圖案之例子。在第4A圖中，由虛線表示的一圖案100顯示了具有與用於比較的該設計資料相同的尺寸及相同的形狀之一圖案。此外，由實線表示的圖案101顯示了該半導體基體上之透過該光強度模擬器計算的一光阻形狀。此外，被用斜線劃剖面線的圖案102顯示了該半導體基體上之透過該電子束曝光模擬器計算的一光阻形狀。

下一步，該等各自的形狀資料彼此相互比較以藉此獲得一差分(S6，相應於差分擷取步驟)。該正(+)差分圖案產生自由微影曝光處理的該形狀資料中以一圖形操作減去由電子束曝光處理的該形狀資料，該負(-)差分圖案產生自由電子束曝光處理的該形狀資料中減去由微影曝光處理的該形狀資料。該資料產生裝置如下所述把已獲得的差分資料分為以下的正(+)差分圖案及負(-)差分圖案。特定地，藉由微影曝光處理且位於藉由電子束曝光處理的該形狀圖案之外的的形狀圖案被稱為該正(+)差分圖案。該正(+)差分圖案可用這樣一種方式透過SUB操作獲得：以圖形操作將藉由電子束曝光處理的該形狀資料從藉由微影曝光處理的形狀資料中減去。

第4C圖中的圖案104顯示了藉由執行SUB操作獲得的一形狀，在該SUB操作中，經由電子束曝光處理的圖案102從經由微影曝光處理的圖案101中被減去。第4C圖顯示了該正(+)差分圖案的一例子。對於該正(+)差分圖案，該資料產生裝置設定一旗標來區分該圖案輪廓中鄰接著經由電子束曝光處理的圖案102的一相鄰邊，進而儲存該差分資料。

那就是，當執行SUB操作的時候(在SUB操作中，經由電子束曝光處理的圖案102從經由微影曝光處理的圖案101中被減去)，該資料產生裝置在該剩餘圖案之相鄰於經由電子束曝光處理的該圖案102的該相鄰邊上設定一旗標。這襄，相鄰於經由電子束曝光處理的圖案102之該相鄰邊是相鄰於該設計資料100的一邊，如第4C圖中所示。

因此，該旗標被設定以便於該正(+)差分圖案相鄰於該形狀改變目標資料(也就是，還未經校正的用於電子束曝光之該設計資料)之圖案的該邊可被識別。該旗標被稱為一相鄰旗標。

此外，經由電子束曝光處理且位於經由微影曝光處理的形狀圖案之外的該形狀圖案被稱為該負(-)差分圖案。該負(-)差分圖案可用這樣一種方式透過SUB操作獲得：以圖形操作將經由微影曝光處理的該形狀資料從經由電子束曝光處理的該形狀資料中減去。

在第4B圖中該圖案103顯示了透過SUB操作獲得的圖案，在該SUB操作中，經由微影曝光處理的該圖案101被從經由電子束曝光處理的圖案102中減去。第4B圖顯示了該負(-)差分圖案的一個例子。對於該負(-)差分圖案，資料產生裝置區分該圖案輪廓中相鄰於經由微影曝光處理的該形狀圖案之一邊，在該不相鄰邊上設定一旗標，進而儲存該差分資料。

也就是說，當執行SUB操作的時候(在SUB操作中，經由微影曝光的處理的圖案101被從經由電子束曝光處理的圖案102中減去)，該資料產生裝置在該剩餘圖案之除了相鄰於經由微影曝光處理的圖案101的該邊以外該等邊上設定一旗標作為非相鄰邊。

這襄，在該負(-)差分圖案之輪廓之內的不相鄰於經由微影曝光處理的該形狀圖案的該邊是相鄰於該設計資料100的一邊，如在第4B圖中所見。因此，該旗標被設定以便於該負(-)差分圖案相鄰於該形狀改變目標資料(也就是，還未經校正的電子束曝光資料)之圖案的該邊可被識別。該旗標被被稱為相鄰旗標。

第5圖顯示了以此方式產生的差分圖案的例子。該差分圖案透過經由頂點定義的多邊形資料而呈現。

第6圖顯示了用以儲存該差分圖案的一差分圖案儲存表格的資料結構。該差分圖案儲存表格包括差分圖案管理資訊及一表格本體。該差分圖案管理資訊包括一差分旗標及一頂點計數。該差分旗標是指示該差分圖案是哪種圖案(該正(+)差分圖案或該負(-)差分圖案)的資訊。該頂點計數是形成該差分圖案的一多邊形的頂點數目。此外，該表格本體包括具有頂點座標及一相鄰旗標之組合的元素資訊(X,Y,A)。

該資料產生裝置設定關於該差分圖案是否被判定為差異之一可允許值(比較邊界值)，且僅判定超出該邊界之該等部分為差異。在S6中使用該邊界的程序相應於一抑制步驟。代表該光阻圖案的形狀差異落在可允許製程變化之內的一範圍的一個值及代表不影響特徵差異之範圍的一個值，在外部被指定為該比較邊界值。作為比較的結果，如果沒有差異被辨識，已被輸入用於該電子束曝光模擬的該電子束曝光資料被作為最終的電子束曝光資料輸出。

如果該差異被辨識，該資料產生裝置依據該差分資料校正該電子束曝光資料(S10)。該資料產生裝置使用該經校正的電子束曝光資料更新該電子束曝光資料，然後設定該資料作為輸入用以電子束曝光模擬的輸入資料(見第3圖中的“覆寫”，相應於一更新步驟)。這些程序重複直到該差異被消除。先前的控制(在第6圖中，從S7經由S8到S3的判定之該等程序)相應於一控制步驟。

校正該電子束曝光資料的一種方法將參考第7圖到第11圖而描述。第7圖是一流程圖，說明了一電子束曝光資料校正程序的細節(第3圖中的S10)。圖8A-8D是一些視圖，該等視圖說明了圖案自電子束曝光資料校正程序而產生的變化。

在以上的程序中，該資料產生裝置獲得該差分資料及該差分校正表格，且藉由差分量將這些差分圖案分類(S101)。第8A圖顯示了差分資料的一例子。由EB表示的曲線是經由電子束曝光處理的圖案之一例子。此外，由PHOTO表示的曲線是一經由微影曝光處理的圖案之一例子。該等劃剖面線的部分是在經由電子束曝光處理的圖案與經由微影曝光資料處理的圖案之間的該等差分資料部分。此等多件差分資料被保持於第6圖所示的該差分圖案儲存表中。

第9圖顯示了該差分校正表的一資料例子。如第9圖所示，該差分校正表的每一列儲存一對差分量d(k)(k=1,2,...,n)與邊移動量s(k)(k=1,2,...,n)。該差分量，對該正(+)差分圖案來說是圖案的寬度，對該負(-)差分圖案來說是透過移除該圖案寬度的符號而獲得的一個值。該差分校正表的第k列保持關於落入之範圍內的一差分量d之一邊移動量s(k)。這裡表示，當d(n+1)等於一無限距離時，該差分量d落入(k=1,...,n)之範圍內。對每個k來說，差分量落在d(k+1)之範圍內的該差分資料的部分被擷取，且該等差分圖案被分類。第8B圖顯示了一個例子，在這個例子中該差分資料依據第9圖來分類。這襄已分類的差分資料部分使用不同的剖面線類型來區分。

注意到，可單獨對每個差分圖案(在第5圖及第6圖中被說明的多邊形)決定差分量。此外，可以實施的還有，第5圖中顯示的該多邊形進一步被分割成小圖案然後對每一已分割部分決定差分量。透過把多邊形分割成小圖案，在該圖案上執行進一步詳細的校正是可能的。

下一步，對於具有各自差分量的該等已分類的差分圖案，該資料產生裝置擷取一曝光圖案之與經設定該相鄰旗標之該邊相鄰的一邊(之一部分)(S102)。第8C圖顯示了該等已擷取邊的一例子，該等已擷取邊相鄰於依據該等差分量來分類的該等差分圖案。這襄，分類該等已擷取邊的該結果使用線條樣式說明。

此外，該資料產生裝置依據該差分校正表中相應的邊移動量決定移動量(對應於決定步驟)，且該等邊被移動(S103)。第8D圖顯示了該等邊移動之後的圖案的例子。在這種情況下，在該差分校正表中對應於一差分量的一邊移動量期望被設定到該差分量的一半或者一半以下。一個邊的每個移動量被減少且該形狀從原始形狀一點一點地被改變，藉此，以自該原始形狀(或區域)之一最小變形來將該光阻圖案形狀在電子束曝光及微影曝光之間的差異設定低於一可允許值是可能的。

第10A圖到第10D圖是說明執行在電子束圖案化資料的圖案之移動邊上的程序之概念的視圖。第10A圖是示意性地說明執行在負移動邊上的程序之一視圖。在第10A圖中，矩形112是，例如，組成該電子束曝光資料的一個矩形的一個例子。

該資料產生裝置從在電子束曝光資料中包含在矩形112中的該等邊中搜尋在負(-)差分圖案之內最接近由相鄰旗標所指定邊的一邊，然後設定該最接近邊到一校正目標移動邊。在第10A圖中的例子中，該矩形112的上邊被搜尋為該移動邊。此外，該矩形的上邊被分為三部分，那就是E01、E02及E03。這個分類依據該差分校正表。E11到E13透過依據校正分類表以移動量A1、A2及A3移動該邊的三部分E01、E02及E03而獲得。對一負移動邊來說，該圖案在一個方向上被移動以減少該區域。

第10B圖是示意性地說明執行在正移動邊上的程序之一視圖。在這種情況下，該資料產生裝置從在電子束曝光資料中包含在矩形112中的該等邊中搜尋在正(+)差分圖案之內最接近由相鄰旗標所指定邊的一邊，然後設定該最接近邊到一校正目標移動邊。在第10B圖的例子中，矩形112的右邊被搜尋為該移動邊。此外，在矩形112的右邊內，一移動量A4被指定給一部分E04。然後，該矩形112的右邊之部分E04在一個方向上被移動，在該方向上該圖案的該區域以該移動量A4增加，然後新的邊E14形成了。注意到，依據該正移動邊的移動，與該移動邊兩端的軌跡相對應之新邊E24及E34被添加。

第10C圖是說明第一次移動該等邊的結果之一視圖。第10A圖及第10B圖所顯示的矩形112依據該等邊的移動改變成一個具有複雜形狀的的圖案。然而，在本實施例的資料產生裝置中，一個邊的移動量被設定成該差分圖案一半尺寸(相應於一目標形狀變化)或者一半以下的距離。因此，很可能難以透過移動該等邊一次而使得透過電子束曝光處理的圖案足夠地近似於透過微影曝光處理的圖案。也就是說，很可能在下次循環中於S7的判定中判定，透過校正該電子束曝光資料(在第11圖中的S10程序)一次，該差分未被消除。然後該資料產生裝置重複S5到S10程序多次。

第10D圖是說明第二次移動該等邊的結果之一視圖。在第10D圖中，實線代表第二次移動該等邊的結果。此外，虛線代表第一次移動該等邊的結果且具有與第10C圖中的形狀相同的形狀。

以這種方式，當在下次循環中於S7的判定中判定無差分的時候，對電子束曝光資料的校正完成。由此得來的校正圖案被再次分割成多個矩形，且該等各自的矩形被分配指定一劑量的參數，因此形成該電子束曝光資料之該等已改變的部分。

如以上所描述，依據本實施例的資料產生裝置，藉由微影曝光模擬器產生的形狀預測資料及藉由電子束曝光模擬器產生的形狀預測資料被獲得，然後，兩件形狀預測資料之間的差分資料被產生。然後，依據第9圖所示的差分校正表，該差分資料的尺寸(差分的量)被分類且一個邊的移動量透過分類獲得。這時，一個邊的該移動量被設定到約該差分資料尺寸的一半或者一半以下。因此，很可能難以透過移動該等邊一次而使得經由電子束曝光處理的圖案足夠地近似於經由微影曝光處理的圖案。然而，該移動量被抑制到正常所需的估計移動量的一半，然後，第3圖所示的對該電子束微影曝光資料的校正(S10)遭重複執行，藉此，以微小步階使得經由電子束處理的該圖案近似於經由微影曝光處理的圖案是可能的。因此，依據電子束曝光資料的圖案之邊的移動，抑制圖案面積的波動是可能的。所以，無需從一開始依據該圖案的邊的移動產生新電子束曝光資料，只需要關於該等邊之該等已移動部分校正該圖案，然後在電子束曝光資料中反映這些校正。在這種情況下，因為圖案面積的波動被抑制，所以無需為電子束曝光資料的圖案重置該劑量(或者識別該劑量的參數)。也就是說，透過僅移動該圖案的該等邊來校正該電子束曝光資料是可能的。

第一可選擇範例

在以上的第一實施例中，對設計資料的所有部分，經由微影曝光處理的該晶圓形狀資料1A及經由電子束曝光處理的該形狀資料2A遭比較，該差分資料遭擷取，且，如果有一差異，該電子束曝光資料被校正。然而，取代以上的程序，該電子束曝光資料可僅在據推測很可能影響該半導體裝置特性的部分被校正。

例如，可以實施的是，包括在由使用者外部指定的一部分之中的一圖案的該形狀被改變，然後產生已校正的電子束曝光資料。由使用者外部選擇性地指定之一校正目標圖案是，例如，影響半導體特性的部分，諸如，形成一電晶體的一閘極圖案。

也就是說，該資料產生裝置接受對影響半導體裝置特性的部分之指定，諸如，形成一電晶體的一閘極圖案。然後，該資料產生裝置擷取包含在與其他部分分離的指定部分中之該圖案。然後，該資料產生裝置產生資料，該資料之該圖案形狀以如上所述之相同的方式針對已擷取的部分圖案被校正。然後，該資料產生裝置使用已校正的圖案取代相應於該指定部分的該圖案之部分。然後，該資料產生裝置在不改變此圖案部分的校正劑量的情況下執行替代，進而產生最終的電子束曝光資料。以這種方式，該資料產生裝置部分地校正透過執行各種類型的校正程序(包括電子束曝光到晶圓所需的劑量校正程序)所產生的電子束曝光資料。

第11圖是說明該電子束曝光資料以一限定的校正目標遭校正的程序流程之一視圖。在第11圖中，與第3圖中所示的該流程相比較，該校正目標指定表5於該程序S4及該程序S5中遭參考。該校正目標指定表5保持校正目標資訊。應執行該等程序S4到S10的曝光資料部分在該校正目標資訊中被指定。

第12圖是該校正目標資訊的一個例子。在這個例子中，該校正目標資訊是定義矩形區域的資訊。一矩形區域是例如藉由該矩形的左下角點及右上角點所定義的，如(x1,y1)(x2,y2)。多個矩形區域可被指定。一個矩形區域可包含多個由一封閉環定義的圖形，或者可包含由一封閉環定義的一圖形的部分。在該同一矩形區域內的一組圖形被認為是一個圖案，第3圖中所示的該等程序S4到S10在其上執行。

第13圖是該校正目標指定表5之資料的一個例子。該校正目標指定表使用一左下角X座標、一左下角Y座標、一右上角X座標及一右上角Y座標對每一區域指定一矩形區域。這些座標可例如使用具有與該晶片相同之原點的座標系來指定。

該資料產生裝置基於由使用者設定的該校正目標資訊擷取該等校正目標部分的電子束曝光資料。以上的程序可例如透過在以上描述的矩形區域及該電子束曝光資料之間執行“及(AND)”操作來執行。然後，僅需要的是，基於該校正目標資訊，該等程序S4到S10關於從該電子束曝光資料中擷取的限定的部分來執行。所以，將差分資料及基於該差分資料的目標校正圖案的產生限制於一指定部分是可能的。這裏，該校正目標資訊遭組配以定義一矩形區域；取而代之的是，它可遭組配以定義一多邊形區域。

如日本早期公開專利公開案第2003-151885號案中所描述，曝光資料一般透過模擬來校正。然而，為了在劑量校正程序之後僅校正該圖案的該部分，未在現行方法中提供的限制被施加。也就是說，必需盡可能地降低在校正之前及之後在劑量分佈上的變化。隨著劑量分佈的變化，向後散射的影響改變，在向後散射中，進入光阻的一電子束在該基體上遭反射且擴散到半徑為數十微米的範圍之內。因此，該等周邊圖案的由此產生的尺寸改變。這也需要關於該等周邊圖案之一校正，且增加了資料處理時間。

然後，在資料產生裝置中，在劑量校正程序中設定的校正劑量實質上是被固定的且只有該形狀被改變。在電子束曝光及微影曝光之間，一目標形狀起初是相同的，以便於即使當電子束曝光圖案的形狀遭改變以符合經由微影曝光處理的所產生之形狀時，該圖案的面積也不大幅地波動。然而，透過改變該形狀以盡可能地減小該面積的波動，來降低對該等周邊圖案的副作用是可能的。

第二可選擇範例

在以上的實施例中，曝光模擬被用來獲得一光阻圖案的形狀；取而代之的是，該電子束曝光資料可基於一實際已形成的圖案來校正。例如，差分資料可透過從該半導體基體上的一圖案之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像擷取該等輪廓而獲得。

第二實施例

在該第一個實施例中，在產生電子束曝光資料之該程序(第11圖中的S3)之後的一系列程序中，該電子束曝光資料遭校正。取代以上該等程序，與電子束曝光資料之產生分開，對一圖案的校正可關於一校正目標部分來執行。然後，最終的電子束曝光資料以這樣的一種方式來產生：依據正規程序未經圖案校正而產生的該電子束曝光資料之部分之圖案以校正之後的該已獲得的電子束曝光圖案之部分來取代。也就是說，以不同於電子束曝光資料之產生的一時序(可以說，以一離線狀態)，使用與僅對於一校正部分之第一實施例相同方式來校正的該圖案可被產生且該取代程序可遭執行。

第14圖是依據該第二實施例說明電子束曝光資料產生程序的流程之一視圖。這襄，該資料產生裝置從該半導體裝置的一曝光目標層之設計資料中擷取由該使用者外部指定的一校正目標指定部分的該圖案(S201)。這襄，指定一校正目標圖案的一方法可遭組配以指定在該第一實施例中所顯示的包含該校正目標圖案的一矩形區域。在那種情況下，僅需要的是，在該矩形區域與該設計資料之間執行AND操作。此外，除了指定該矩形區域，包含一校正目標圖案的一階層可從該設計資料中的階層之間被指定。在那種情況下，僅僅該設計資料的該階層(例如，指定閘極的一階層)可被選擇，及該圖案資料可被擷取。

然後，該資料產生裝置產生電子束曝光校正資料，該圖案以該電子束曝光校正資料來校正，以便當藉由電子束執行曝光時的該光阻圖案的所產生的形狀近似於藉由微影曝光的該形狀(S202)。為產生該電子束曝光校正資料，僅需要的是，執行與該第一實施例中所顯示的第11圖中的程序流程相同的程序。用這種方式，已校正的電子束曝光資料僅僅關於該校正目標部分來產生一次。注意到，在電子束曝光資料上，用於平坦化的虛擬圖案產生關於需要虛擬圖案產生的一曝光層中之設計資料遭執行，此外，晶圓曝光所需的資料處理(諸如考慮到蝕刻影響的微負載效應校正、鄰近校正(包括劑量校正)，或者拼接校正)遭執行。

另一方面，在第14圖的程序中，該資料產生裝置藉由輸入該設計資料透過一正規程序產生電子束曝光資料(S301)。在電子束曝光資料的產生中，與第3圖或者第11圖中的程序流程之中所執行的電子束曝光資料的產生相同的程序(S3)遭執行。此外，用於平坦化的虛擬圖案產生關於需要虛擬圖案產生的一曝光層中之設計資料遭執行，此外，晶圓曝光所需的資料處理(諸如考慮到蝕刻影響的微負載效應校正、鄰近校正(包括劑量校正)，或者拼接校正)遭執行。

最後，該電子束曝光資料的該校正目標圖案被與該電子束曝光校正資料相對應的圖案所取代(S302)。在該等圖案之間校正劑量方面沒有不同，藉此，在該等周邊圖案上發生副作用的可能極小。

電腦可讀記錄媒體

在一電腦、其他機器、裝置(在下文中，指的是電腦及類似物)上實施上述功能之任一個功能的程式可以被記錄在可透過電腦及類似物讀取的一記錄媒體上。然後，該電腦及類似物讀取該記錄媒體上的該程式來執行該程式，從而使得提供該程式的功能成為可能。

這襄，可透過電腦及類似物讀取的該記錄媒體是能夠透過電、磁、光、機械或者化學作用儲存資訊(諸如資料或者程式)的一記錄媒體，這些資訊可透過電腦及類似物讀取。在這些記錄媒體中，例如，軟碟、磁光碟、CD-ROM、CD-R/W、DVD、DAT、8mm磁帶、記憶卡，及類似物可從電腦及類似物上移除。

此外，硬碟、ROM(唯讀記憶體)，及類似物是固定在電腦及類似物內部的記錄媒體。

在本文中引用的所有的例子或者有條件的語言是想為幫助讀者理解本發明及用以推動該技藝發展的由發明者貢獻的概念之目的，且要被理解為不局限於這些特別引用的例子及條件，也不限於說明書中之關於本發明優勢及劣勢的這些例子的組織形式。儘管本發明的實施例已詳細地描述，但應該理解的是，在不脫離本發明的精神及範圍內可對其做各種變化、替換及修改。

1．．．微影曝光資料儲存單元

1A．．．經由微影曝光處理的晶圓形狀資料

2．．．電子束曝光資料儲存單元

2A．．．經由電子束曝光處理的晶圓形狀資料

5．．．校正目標指定表

10．．．LSI-CAD

11．．．資料產生裝置

12．．．電子束曝光設備

100、101．．．圖案

102、103、104．．．圖案

112．．．矩形

S1~S10．．．步驟

S101~S103．．．步驟

S201~S202．．．步驟

S301~S302．．．步驟

第1圖是一視圖，該視圖示意性地說明用於產生電子束曝光資料的一第一方法。

第2圖是一視圖，該視圖說明一曝光系統的系統組態。

第3圖是一視圖，該視圖依據第一實施例說明電子束曝光資料產生流程。

第4A圖是透過設計資料、光強度模擬器及電子束曝光模擬器獲得的圖案之範例。

第4B圖是藉由SUB操作獲得的一形狀的一範例，透過該SUB操作經由微影曝光形成的該圖案被從經由電子束曝光形成的該圖案中減去。

第4C圖是藉由SUB操作獲得的一形狀的一範例，透過該SUB操作經由電子束曝光形成的該圖案被從經由微影曝光形成的圖案中減去。

第5圖是一差分圖案的例子。

第6圖是一視圖，該視圖說明儲存一差分圖案的一差分圖案儲存表的資料結構。

第7圖是一流程圖，該流程圖說明一電子束曝光資料校正程序的細節。

第8A-8D圖是說明因電子束曝光資料校正程序而產生的圖案的變化之視圖。

第9圖是一差分校正表的一資料範例。

第10A圖是一視圖，該視圖說明執行在負移動邊上的程序之概念。

第10B圖是一視圖，該視圖說明執行在正移動邊上的程序之概念。

第10C圖是一視圖，該視圖說明第一次移動該等邊的結果。

第10D圖是一視圖，該視圖說明第二次移動該等邊的結果。

第11圖是一視圖，該視圖說明電子束曝光資料以一限定的校正目標被校正的程序流程。

第12圖是校正目標資訊的一範例。

第13圖是一校正目標指定表的一資料範例。

第14圖是一視圖，該視圖依據第二實施例說明電子束曝光資料產生程序的流程。

1．．．微影曝光資料儲存單元

1A．．．經由微影曝光處理的晶圓形狀資料

2．．．電子束曝光資料儲存單元

2A．．．經由電子束曝光處理的晶圓形狀資料

S1~S10．．．步驟

Claims (8)

1. 一種用於一半導體裝置之資料產生方法，其包含以下步驟：自該半導體裝置的設計資料產生用於電子束曝光之電子束曝光資料之一電子束曝光資料產生步驟；擷取指示基於該電子束曝光資料透過電子束曝光形成於一基體上的一電子束曝光圖案之形狀與基於該半導體裝置的該設計資料透過微影曝光形成於該基體上的一微影曝光圖案之形狀之間的一差分部分之差分資訊的一差分擷取步驟；判定該電子束曝光圖案的形狀與該微影曝光圖案的形狀之間的該差分部分的大小是否落入一預定參考值之內的一判定步驟；透過依據該差分資訊改變該電子束曝光資料之該圖案的形狀以更新該電子束曝光資料來獲得形狀已改變的曝光資料的一更新步驟；及當該差分部分的大小落在該預定參考值之外時重複該差分擷取步驟、該判定步驟及該更新步驟的一控制步驟。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於半導體裝置之資料產生方法，其中該更新步驟進一步包括：把該等形狀之間的該差異的大小分類到多個級別中的一步驟；及判定一形狀變化的步驟，在該等級別的每一級別中，該電子束曝光資料的該圖案之形狀以與該差異相對應之該形狀變化來改變。
3. 如申請專利範圍第2項所述之用於半導體裝置之資料產生方法，其中該形狀變化遭指定為一個值，該值小於透過執行一次該更新步驟來消除該差異所需的一目標形狀變化。
4. 如申請專利範圍第1項所述之用於半導體裝置之資料產生方法，其進一步包含：自該設計資料產生用於模擬微影曝光之微影曝光資料的一微影曝光資料產生步驟；及自該微影曝光資料產生模擬該微影曝光圖案的一形狀的一微影曝光模擬步驟。
5. 如申請專利範圍第1項所述之用於半導體裝置之資料產生方法，其進一步包含：自該電子束曝光資料產生模擬該電子束曝光圖案的一形狀的一電子束曝光模擬步驟。
6. 如申請專利範圍第1項所述之用於半導體裝置之資料產生方法，其中該差分擷取步驟包括當該差分部分的大小小於一預定可允許值的時候抑制對該差分資訊的擷取的一抑制步驟。
7. 如申請專利範圍第1項所述之用於半導體裝置之資料產生方法，其進一步包含：自該設計資料產生用於產生供微影曝光的模擬使用之一遮罩或者供微影曝光使用之一遮罩的微影曝光資料的一微影曝光資料產生步驟，其中該微影曝光資料產生步驟執行一校正程序，該校正程序包括下列中的至少一個：用於平坦化的一虛擬圖案產生、一光學鄰近校正、一局部反射光斑校正，或針對蝕刻的一微負載效應校正，及其中該電子束曝光資料產生步驟執行一校正程序，該校正程序包括下列中的至少一個：用於平坦化的一虛擬圖案產生、一鄰近校正、一拼接校正，或針對蝕刻一微負載效應校正。
8. 一種電子束曝光系統，其包含：一資料產生裝置，其包括：自一半導體裝置的設計資料產生用於電子束曝光之電子束曝光資料的一電子束曝光資料產生單元；儲存基於該半導體裝置的該設計資料透過微影曝光形成於一基體上的一微影曝光圖案之形狀的一微影曝光圖案儲存單元；儲存基於該電子束曝光資料透過電子束曝光形成於該基體上的一電子束曝光圖案之形狀的一電子束曝光圖案儲存單元；擷取指示該微影曝光圖案之形狀與該電子束曝光圖案之形狀之間的一差異之差分資訊的一差分擷取單元；判定該電子束曝光圖案之形狀與該微影曝光圖案之形狀之間的該差異之大小是否落入一預定參考值之內的一判定單元；透過依據該差分資訊改變該電子束曝光資料的該圖案之形狀以更新該電子束曝光資料來獲得形狀已改變的曝光資料的一更新單元；及當該差分的大小在該預定參考值之外的時候重複啟動該差分擷取單元、該判定單元及該更新單元的一控制單元；及一曝光設備，該曝光設備依據由該資料產生裝置產生的該電子束曝光資料在一半導體基體上產生一圖案。