TWI382074B - 切割用黏著片 - Google Patents

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Description

切割用黏著片
本發明是有關於一種切割用黏著片、使用該黏著片的被切斷體的加工方法、及通過該加工方法得到的被切斷體小片。
以往，以矽、鎵、砷等為材料的半導體晶圓被以大直徑的狀態製造出後，被切斷分離(dicing)成元件小片，並被轉移到固定工程。此時，半導體晶圓以黏貼並保持於切割用黏著片(以下稱“黏著片”)的狀態，被施加切割工程、清洗工程、擴張工程、拾取工程、固定工程這樣的各工程。作為上述黏著片，將丙烯酸系黏著劑等塗敷於由塑膠薄膜組成的基體材料上，通常使用形成1~200μm左右厚的黏著劑層而成的黏著劑。
在上述切割工程中，由邊旋轉邊移動的圓刀切斷半導體晶圓後，形成半導體晶片。在該工程中，被稱為進行切入到保持著半導體晶圓的黏著片的基體材料內部的、全切割的切斷方式正成為主流。
在上述擴張工程中，將確保充分的晶片間隔並易於進行隨後進行的拾取半導體晶片為目的來進行黏著片的擴張。但是，在全切割的切斷方法中，為了進行切入直到黏著片的內部、並較大地擴張黏著片，有時黏著片從該切入部分斷裂。其結果，存在在拾取工程中，無法拾取半導體晶片、而使操作性及成品率顯著降低的問題。
為了避免上述問題，在以往的黏著片中，使用由聚氯乙烯構成的基體材料薄膜。但是，那樣的黏著片以黏貼於半導體晶圓的狀態被長時間保管時，聚氯乙烯中包含的可塑劑等添加劑移動到黏著劑層後，引起黏著性的降低。其結果，有時會產生切割時的晶片飛出和拾取時的剝離不良。
為了解決黏著片上的黏著特性隨時間變化，例如，下述日本特開平5-156214號公報中公開有基體材料薄膜使用乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物薄膜的晶圓黏著用黏著片。另外，在下述日本特開平11-43656號公報中公開有基體材料使用具有不拉伸聚丙烯層的薄膜的晶圓黏著用黏著片。但是，這些在先技術沒有對擴張工程中的作業性作任何考慮。而且，在使用公開於這些在先技術的各晶圓黏著用黏著片而進行半導體晶圓的加工時，的確在擴張工程中發生了晶圓黏著用黏著片的斷裂。
另外，在下述日本特開2000-124169號公報公開有：包括基體材料片和設置於其一側表面上的黏著劑層的切割帶，該切割帶具有由與黏著劑層接觸的上部層、設置於該上部層之下的中間層和設置於該中間層之下的下部層構成的基體材料片。另外，在該切割帶中，對於由彈性模量與層厚之積表示的抗拉伸性(拉伸彈性模量(young modulus)與厚度之積)，該日本特開2000-124169號公報的意思是：上部層的抗拉伸性(A)、中間層的抗拉伸性(B)和下部層的抗拉伸性(C)滿足B<AC的關係。根據該日本特開2000-124169號公報，其記載有：在切割中的擴張工程中， 能夠不受黏著劑的彈性模量的影響而均勻且充分地擴大切割線的間隔，同時不易產生切割線處的斷裂。但是，即使是上述結構的切割帶，在構成基體材料的各層的斷裂伸長率不充分、或斷裂強度與拉伸彈性模量相比不足夠大時，在擴張工程中有時也產生切割帶斷裂。即，即使是上述結構的切割帶，也沒有充分地防止擴張工程時的斷裂。
本發明是鑒於上述問題點而提出的，其目的在於，提供可以完全防止擴張工程中的斷裂的切割用黏著片、使用該切割用黏著片的被切斷體的加工方法及通過該方法得到的被切斷體小片。
本發明人為了解決上述以往問題，對切割用黏著片、使用該切割用黏著片的被切斷體的加工方法及通過該方法得到的被切斷體小片進行了研究。其結果，發現了通過將基體材料的拉伸物理性質值控製在規定的範圍內，從而能夠完全防止在以往的切割用黏著片中成為問題的擴張工程時的斷裂，並完成了本發明。
即，為解決上述課題，本發明中的切割用黏著片是採用在基體材料的至少一面具有黏著劑層的結構的、在加工被切斷體時使用的切割用黏著片。其特徵在於，上述基體材料的拉伸彈性模量是50~250MPa，斷裂伸長率大於等於200%，下列式中表示的耐切入度大於等於2.5。
(公式1) 耐切入度=(上述基體材料的斷裂強度)/(上述基體材料的拉伸伸長率為30%時的拉伸強度)
在上述結構中，上述基體材料的屈服點伸長率最好是大於等於30%。在此，基體材料的屈服點伸長率是從屈服點讀取的，該屈服點是在通過在規定條件下以JIS K 7162為標準的拉伸試驗而得到的S-S曲線中的屈服點。
另外，在上述結構中，上述基體材料最好含有選自由聚丙烯系熱塑性彈性體、聚丙烯酸樹脂及酯系熱塑性彈性體構成的群中的至少1種。
另外，在上述結構中，上述黏著劑層的厚度最好是1μm~上述基體材料厚度的1/3。
另外，在上述結構中，上述黏著劑層最好包括放射線固化型黏著劑。
另外，為了解決上述課題，本發明中的被切斷體的加工方法的特徵在於具有下面工程：將切割用黏著片黏貼於被切斷體的工程，其中的切割用黏著片是採用在基體材料的至少一面具有黏著劑層的結構的、在加工被切斷體時使用的切割用黏著片，上述基體材料的拉伸彈性模量是50~250MPa，斷裂伸長率大於等於200%，下面公式中表示的耐切入度大於等於2.5；切斷上述被切斷體而形成被切斷體小片的工程，在該工程中從該被切斷體側到上述切割用黏著片的基體材料進行該切斷；使上述切割用黏著片擴張，擴大黏接固定於該切割用黏著片的各被切斷體小片的間隔的工程；將帶有上述黏著劑層的被切斷體小片從上述基體材料剝離的工程。
(公式2) 耐切入度=(上述基體材料的斷裂強度)/(上 述基體材料的拉伸伸長率為30%時的拉伸強度)。
在上述方法中，上述基體材料的屈服點伸長率最好大於等於30%。
另外，在上述方法中，上述基體材料最好含有選自由聚丙烯系熱塑性彈性體、聚丙烯酸樹脂及酯系熱塑性彈性體構成的族群中的至少1種。
另外，在上述方法中，最好是上述黏著劑層的厚度是1μm~上述基體材料厚度的1/3。
另外，在上述方法中，上述黏著劑層最好包括放射線固化型黏著劑。
另外，在上述方法中，作為被切斷體可以使用半導體元件。
另外，為了解決前述課題，本發明中的被切斷體小片的特徵在於，該被切斷體小片通過上述的被切斷體的加工方法製作而成。
根據本發明，通過使基體材料的拉伸彈性率是50~250MPa、使斷裂伸長率大於等於200%、並使耐切入度為大於等於2.5，從而防止例如在切口進入切割用黏著片及進行擴張時，該切割用黏著片斷裂。其結果，能夠較好地進行拾取被切斷體小片，並能謀求操作性及成品率的提高。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
下面，參照附圖對本發明進行說明。如圖1所示，本發明的切割用黏著片11是在基體材料薄膜(基體材料)1的至少一面具有黏著劑層2的結構。本申請的發明人對基體材料薄膜的物理性能、切割作為被切斷體的半導體晶圓(半導體元件)時的切割條件以及擴張切割用黏著片時的擴張條件進行了研究，並闡明了引起切割用黏著片11的斷裂的機理。首先，用拉伸試驗機對基體材料薄膜1進行拉伸試驗，並對拉伸伸長率及拉伸強度進行了測定。其結果，得到了如圖2所示的Strain-Strength曲線(以下稱“S-S曲線”)。圖2是表示拉伸伸長率和拉伸強度關係的曲線圖。基體材料1在通過施加拉伸載荷而被擴張時，在用圖2的S-S曲線中的斷裂強度及斷裂伸長率表示的點處斷裂。擴張時發生的切割後的切割用黏著片11的斷裂也是由上述基體材料薄膜1的斷裂而產生的。
切割用黏著片11的擴張按例如圖3(a)及圖3(b)所示那樣進行。圖3(a)是表示黏貼於半導體晶圓的切割用黏著片11的擴張的樣子的說明圖，圖3(b)是表示多個半導體晶片(被切斷體小片)及切割環被黏接固定於切割用黏著片11的樣子的俯視圖。通過切割半導體晶圓而形成的多個半導體晶片12被黏接固定於切割用黏著片11上。另外，在形成各半導體晶片12的區域的外側，其切割環13通過規定的區域自黏接固定有多個半導體晶片12的區域被黏接固定於切割用黏著片11。擴張根據需要對切割用黏著片11照射放射線後，使用以往習知的擴張裝置來進行。擴張裝置具有環狀 的外環14，其能夠通過切割環13將切割用黏著片11壓下到下方；內環15，其直徑比該外環14的直徑小、並支承切割用黏著片11。
擴張按下面的方式進行。首先，外環14以可***切割用黏著片11的程度隔開充分距離地位於內環15的上方。然後，使半導體晶片12及黏接固定有切割環13的切割用黏著片11***到外環14與內環15之間。此時，黏接固定有半導體晶片12的區域設置成位於內環15的中央部。然後，外環14沿內環15向下方移動，同時壓下切割環13。由於切割環13被壓下，切割用黏著片11通過切割環與內環的高度差被拉伸而進行擴張。擴張的目的在於防止在拾取時半導體晶片12彼此接觸而受到損壞。
由切割而形成的各半導體晶片12的縫隙(以下，稱為切割縫隙)16根據切割刀具(刀)的厚度不同而不同，通常是15~60μm(參照圖4(a))。黏接固定有這樣的半導體晶片12的切割用黏著片11擴張時，切割縫隙16的寬度被擴張到100~500μm左右(參照圖4(b))。擴張時的、外環14的相對於內環15的拉下量由切割環內徑、半導體晶圓的尺寸、半導體晶片12的尺寸及切割縫隙的數值等來進行適當的調整。例如，使用以往的擴張裝置，加工作為半導體晶圓的半導體晶圓時，拉下量通常在2~15mm之間，更好是設定為5~10mm左右。拉下量可以根據半導體晶片尺寸或切割縫隙數值、生產率等進行適度的設置。
在進行擴張時，在切割用黏著片11中擴張的區域被限 定於切割縫隙16、切割環13與半導體晶片12間的區域等的未黏貼半導體晶片12的區域。黏接固定有各半導體晶片12的區域不擴張。
在切割半導體晶圓時，切割被進行到例如對於切割用黏著片11的基體材料薄膜1，切割到其厚度的1/4~1/2左右的深度。在擴張時，首先，最初切割縫隙16的部分開始展開擴張成V字形，但是，難以僅在切割縫隙16的部分擴張中，使各半導體晶片12的間隙有充分的間隔。在此，直到上述的間隔充分擴張前，還能繼續擴張切割用黏著片11。 因此，在不具有僅能夠適應切割縫隙16擴張引起的充分擴張的斷裂伸長率時，切割用黏著片11在該切割縫隙16的部分斷裂。
另外，即使使基體材料薄膜1的斷裂伸長率增大並使其充分適應上述的擴張，在進行擴張時，對晶片尺寸、切割縫隙數值等的不同數值的多種半導體晶圓進行處理的情況，根據情況，有時在切割縫隙16成為規定的寬度後也會進行擴張。即使在進行該擴張時，僅要適應切割縫隙16的部分時，還需要數倍~數十倍的斷裂伸長率。因而，如果是由通常的塑膠薄膜構成的基體材料薄膜，則難以與其相適應。
因此，本發明者著眼於圖2例示的S-S曲線，在切割縫隙16達到斷裂之前，通過採取使切割用黏著片11的半導體晶圓的外周部處的區域進行擴張那樣的強度平衡，發現了能夠完全防止切割用黏著片11斷裂的方法。即，在本發 明中，首先，使基體材料薄膜1的斷裂伸長率大於等於200%，最好大於等於400%。並且，使基體材料薄膜1的耐切入度大於等於2.5、最好大於等於3。由此，在切割縫隙16達到斷裂前可以實現切割用黏著片11的半導體晶圓外周部上的區域進行擴張那樣的強度平衡。通過控製例如製膜時產生的分子取向，可能使斷裂深度的值在上述範圍內增大或減少。另外，斷裂伸長率最好分別在MD方向及TD方向進入上述數值範圍內。
基體材料1的耐切入度是表示相對於切口深度的、基體材料薄膜1的抗擴張性的指標，可以通過下面公式求得。例如，耐切入度是指耐切深度倒數程度的切割殘餘。假設，耐切入度是3，那麼表示即使將基體材料薄膜1切割到剩餘其1/3的厚度、即對基體材料薄膜1切入其厚度的2/3，仍能經得住充分地擴張。
(公式3) 耐切入度=(基體材料薄膜1的斷裂強度)/(基體材料薄膜1的拉伸伸長率為30%時的拉伸伸長率)。
在本發明中，使基體材料薄膜1的耐切入度大於等於2.5是根據下面的理由。即，基體材料薄膜1達到斷裂時的拉伸強度如果大於為了以30%的拉伸伸長率來擴張在切割用黏著片11中的半導體晶圓外周部的區域所需要的拉伸強度，就可以防止基體材料薄膜1的斷裂。在這點上，對於例如即使在切割進行到基體材料薄膜1的1/4~1/2左右厚度的深度的切割縫隙16的部分處也是一樣。換句話說，未被 切割的狀態下的斷裂強度的3/4~1/2的值有必要超過以拉伸伸長率的30%擴張了時的拉伸強度。因此，也考慮切割深度的誤差等，只要斷裂強度大於等於以30%的拉伸伸長率擴張了時的拉伸強度的2.5倍、最好是大於等於3倍即可。即，在本發明中，使基體材料薄膜1的耐切入度大於等於2.5，最好是大於等於3。並且，耐切入度最好分別在MD方向及TD方向中，處於上述數值範圍內。
另外，在本發明中，使基體材料薄膜1的拉伸彈性模量是50~250MPa，最好是80~150MPa。通過使拉伸彈性模量處在50~250MPa之間的範圍內，從而能夠將良好地進行拾取。而且，最好使用拉伸彈性模量處在上述數值範圍內，並且基體材料薄膜1的屈服點伸長率大於等於30%且在拉伸伸長率為大於等於0且小於30%期間的擴張中沒有屈服點的基體材料薄膜。由此，在擴張時隨著切割縫隙16的擴張，也能使半導體晶圓外周部緩慢擴張。而且，例如通過調整構成基體材料薄膜1的樹脂的分子結構(硬組合模、軟組合模比等)，從而可以使拉伸彈性模量的值在所述範圍內增大或減少。另外，拉伸彈性模量最好分別在MD方向及TD方向上進入上述數值範圍內。基體材料薄膜1的屈服點伸長率從在規定條件下以JIS K 7162為標準的拉伸試驗而得到的S-S曲線中的屈服點來讀取。與例如拉伸彈性模量相同，通過調整構成基體材料薄膜1的樹脂的分子結構，從而可以使屈服點伸長率的值在所述範圍內增大或減少。另外，屈服點伸長率只要在MD方向或TD方向的任意一方 向上大於等於30%即可。
作為上述基體材料薄膜1，最好含有選自由聚丙烯系熱塑性彈性體、丙烯酸樹脂及聚酯系熱塑性彈性體組成的群中的至少1種的聚合物。作為上述聚合物的含有量，在僅含有1個種類時，占整個基體材料薄膜1的比例最好是大於等於30wt%。另外，在使用多種上述聚合物時這些含有量的總計占整個基體材料薄膜1的比例最好是大於等於30wt%。
作為聚丙烯系熱塑性彈性體，能夠例舉出例如丙烯-SEBS共聚物、丙烯-SEPS共聚物、丙烯-EPR共聚物等。作為上述丙烯酸樹脂，能夠例舉出例如甲基丙烯酸樹脂、各種丙烯酸酯的共聚物等。作為上述聚酯系熱塑性彈性體，能夠例舉出例如由PBT(聚對苯二甲酸丁二酯)-PE(聚醚)-PBT構成的TPEE(熱塑性聚酯彈性體)等。
基體材料薄膜1可以是單層或多層中的任意一種層疊結構。在為多層結構時最好是由奇數層組成。並且，在奇數層時，以其中央層為中心，由相同的物理性能值、構成材料等組成的層較好是對稱地層疊於兩側的對稱結構。另外，在黏著劑層2是放射線固化型時，最好使用至少使X射線、紫外線、電子射線等放射線的一部分透過的黏著劑。
基體材料薄膜1中可以根據需要來調配礦物油等軟化劑、碳酸鈣、二氧化矽、滑石粉、雲母、黏土等填充劑、抗氧化劑、光穩定劑、防靜電劑、潤滑劑、分散劑、中和劑、著色劑等各種添加劑。另外，也可以根據需要塗覆防 靜電劑或著色劑等。
基體材料薄膜1的厚度未受特別限製、可以恰當地確定，通常是10~30μm，最好是50~200μm左右。
另外，基體材料薄膜1可以不拉伸地使用，也可以根據需要對其進行單軸或雙軸拉伸處理。在這樣製造而成的基體材料薄膜1的表面能夠根據需要實施消光處理、電暈放電處理、塗底塗料處理、交聯處理等慣用的物理或化學處理。
作為基體材料薄膜1的製膜方法，可以採用以往習知的方法。具體地可以恰當地使用例如壓延機製膜、鑄造製膜、擴張擠出、T拉模擠出等。另外，在基體材料薄膜1由多層膜組成時，作為該基體材料薄膜1的製膜方法，可以使用例如共同擠出法、幹式複合法等慣用的薄膜層疊法。
黏著劑層2可以使用習知或慣用的黏著劑。這種黏著劑並沒有什麼限製，能後使用例如橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚酯系、聚醋酸乙酯系等各種黏著劑。
作為上述黏著劑最好是丙烯酸系黏著劑。作為丙烯酸系黏著劑的基礎聚合物的丙烯酸系聚合物一般使用烷基(甲基)丙烯酸酯的聚合物或其與共聚合性單體的共聚物。作為丙烯酸系聚合物的主要單體，優選其均聚物的玻璃轉移溫度小於等於20℃的烷基(甲基)丙烯酸酯。
作為烷基(甲基)丙烯酸酯的烷基，能夠例舉例如甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、異壬基等。另外，作為上述共聚合性單體，能夠例舉(甲基)丙烯酸的羥烷基 酯(例如羥乙基酯、羥丁基酯、羥己基酯等)、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、氨基烷基烷基(甲基)丙烯酸酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、醋酸乙酯、苯乙烯、丙烯腈、丙烯醯嗎啉等。
另外，作為黏著劑，也可以使用由紫外線、電子射線等進行固化的放射線固化型黏著劑或加熱發泡型黏著劑。由此，在將半導體晶片12從切割用黏著片11剝離時，通過對黏著劑層2照射紫外線或進行規定加熱，能夠使黏著劑層2的黏接力下降。其結果能夠容易進行半導體晶片的剝離。還可以是切割與晶片焊接可以兼用的黏著劑。在本發明中，使用放射線固化型、最好是使用紫外線固化型。並且，在作為黏著劑而使用放射線固化型黏著劑時，為了能夠在切割工程之前或之後對黏著劑照射紫外線，上述基體材料薄膜1最好是具有充分的放射線透過性。
放射線固化型黏著劑含有例如上述基礎聚合物(丙烯酸系聚合物)和放射線固化組分而成。放射線固化組分能夠不受特別限製地使用在分子中具有碳-碳雙鍵、能夠通過自由基聚合固化的單體、低聚物或聚合物。作為放射線固化組分，能夠例舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸和多元醇的酯 化物：酯丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基氰尿酸酯、2-羥乙基雙(2-丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯等異氰脲酸酯或異氰尿酸酯化合物、或聚氨酯丙烯酸酯等。
另外，放射線固化型黏著劑作為基礎聚合物(丙烯酸系聚合物)，也可以使用在聚合物支鏈上具有碳-碳雙鍵的放射線固化型聚合物，在該情況下不需要加入上述放射線固化組分。
在用紫外線固化放射線固化型黏著劑時需要光重合引發劑。作為光重合引發劑，能夠例舉，例如安息香甲基醚、安息香丙基醚、安息香異丁基醚等安息香烷基醚類：苯偶醯基、安息香、苯酮、α-羥基環己基苯酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯苯甲酮；氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮等噻噸酮類。
在上述黏著劑中還可以根據需要含有交聯劑、增黏劑、填充劑、抗老化劑、著色劑等慣用的添加劑。作為交聯劑能夠例舉，例如聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、氮丙啶化合物、環氧樹脂、酐、聚胺含羧基聚合物等。
上述黏著劑層2的厚度可以考慮黏著劑的種類及切割時的切割深度等來適當地設定。具體地，最好是黏著劑層2的厚度大於等於1μm，且小於等於上述基體材料厚度的1/3。通過使黏著劑層2的厚度大於等於1μm，從而能夠維 持作為切割用黏著片11的黏接力。並且，通過使黏著劑層2的厚度小於等於基體材料薄膜1的厚度的1/3，從而能夠抑製黏著劑層2的拉伸彈性模量及斷裂強度等過度降低，並充分發揮具有基體材料薄膜1的特性。
本發明的切割用黏著片11為了貼簽加工或使黏著劑層2平滑，也可以將隔板3層疊到黏著劑層2上。作為隔板3的構成材料能夠例舉紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂膜。為了提高從黏著劑層2的剝離性，可以根據需要在隔板3的表面實施矽處理、長鏈丙烯酸處理、氟處理等剝離處理。另外，對應於提高剛性等目的，也可以進行單軸或雙軸拉伸處理或用另一塑膠薄膜等進行層疊。隔板3的厚度不受特別限定，但較好是例如10~200μm，更好是25~100μm。
圖1中，在基體材料薄膜1的一面具有黏著劑層2，黏著劑層2也可以形成於基體材料薄膜1的兩面。並且，切割用黏著片11也可以纏繞片而成卷狀。
本發明的切割用黏著片11例如可以在基體材料薄膜的表面塗覆黏著劑並使其乾燥(根據需要使其加熱交聯)而形成黏著劑層2，通過根據需要而將隔板貼合到該黏著劑層2的表面來製造。另外，可以採用在另一隔板上形成了黏著劑層2之後將它們貼合到基體材料薄膜1上的方法等。
並且，將切割用黏著片11黏貼到半導體晶圓的工程將通過雙面黏著片而固定於支承晶圓(支承板)的半導體晶圓貼合到切割用黏著片11上，並將其固定於切割環13。該工 程將半導體晶圓和切割用黏著片11重疊以使得黏著劑層2側成為貼合面，並通過擠壓輥等擠壓部件進行擠壓。另外，也可以在可加壓的容器(例如高壓鍋等)中，如上述那樣地重疊半導體晶圓和切割用黏著片11，並通過使容器內加壓從而進行黏貼。此時，也可以一邊通過擠壓部件擠壓，一邊進行黏貼。另外，也可以在真空容器內與上述同樣地進行黏貼。黏貼時的黏貼溫度不受什麼限定，但最好是在20~80℃之間。
切斷(切割)半導體晶圓並形成半導體晶片12的工程可以按常規方法從半導體晶圓的回路面側進行。另外，切割可以使用刀具切割、鐳射切割、等離子切割、或軋裂等習知的方法。並且，在該工程中，作為切割裝置能夠不受特別限定地使用以往習知的方法。
在將帶有黏著劑層2的各半導體晶片12從基體材料薄膜1上剝離的工程中，進行例如通過用針將每個半導體晶片12從切割用黏著片11側往上頂，並由拾取裝置拾取被頂上來的半導體晶片12的方法等。
在上面的說明中，作為被切斷體，以使用半導體晶圓的情況為例進行了說明。但本發明不限定於此，對例如半導體封裝件、玻璃、陶瓷等被切斷體也可以適用。
下面，舉例詳細說明本發明的較佳實施例。但本實施例中的材料或混合量等只要沒有特別限定的記載，並不是將本發明的範圍僅限於此的意思，不過是簡單的說明例子。
(基體材料薄膜的物理性能評價)
通過下面的方法評價了用上述方法製造的基體材料薄膜。將結果在表1中表示。
(1)拉伸彈性模量。
試驗方法是以JIS K 7162為基準進行的。作為測定條件，將作為樣品的基體材料薄膜設為初始長度120mm，寬度10mm的長方形狀，以與卡盤間距離50mm、拉伸速度300mm/min的在MD方向或TD方向進行拉伸試驗，並測定了各方向上的樣品的伸長的變化量(mm)。其結果，在得到的S-S曲線(參照圖2)的初始的立起的部分引出切線，並用基體材料薄膜的截面積分割其切線相當於100%伸長時的拉伸強度來作為拉伸彈性模量。將結果在下面的表1中表示。
(2)屈服點伸長率、斷裂伸長率、耐切入度。
以與上述(1)所示的方法相同地進行拉伸試驗，得到S-S曲線。並且，分別求得了拉伸伸長率在30%時的MD方向或TD方向上的拉伸強度、斷裂強度、及斷裂伸長率。耐切入度由下面公式求得。並且，S-S曲線如圖5所示，在顯現不隨擴張增加拉伸強度而一旦引起拉伸強度的下降並再次上升的屈服點時，將其屈服點處的拉伸伸長率作為屈服點伸長率來求得耐切入度。
(公式4) 耐切入度=(基體材料薄膜的斷裂強度)/(基體材料薄膜的拉伸伸長率為30%時的拉伸強度)。
實施例1
(基體材料薄膜的製造)
將三菱化學(公司)製造的“商品名：”供给到 公司製造的T拉膜成形機(設定温度為230℃)進行製膜，製造出了厚100μm、寛35cm的基體材料薄膜。三菱化學(公司)製造的“商品名：”是含有丙稀組分及乙烯丙烯橡膠組分的丙稀系熱塑性彈性體。
(基體材料薄膜的物理性能評價)
對於得到的基體材料薄膜評價了彈性拉伸模量、屈服點伸長率、斷裂伸長率、耐切入度的各個物理性能。
(切割用黏著片的製造)
由常規方法使90重量份丙烯酸丁酯及10重量份丙烯酸在甲苯溶液中共聚合，得到了重量平均分子量50萬的丙稀系進行共聚合。在含有該丙稀系共聚物的溶液中添加二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名“ DPHA”日本化藥(公司)製造)80重量份、光重合引發劑(商品名“ 184”、公司製造)5重量份、聚異氰酸酯化合物(商品名“ L”、日本 (公司)製造)5重量份，調製出了丙稀系紫外線固化型黏着劑溶液。
將用上述方法調製而成的黏著劑溶液塗覆在用上述方法得到的基體材料薄膜的電暈處理面上，並在80℃加熱交聯10分鐘，從而形成10μm厚的紫外線固化型黏著劑層。然後，將隔板貼合於該黏著劑層面而製造出紫外線固化型切割用黏著片。
實施例2
(基體材料薄膜的製造)
將(公司)製造的“商品名： SA-F”(甲基丙烯酸酯樹脂)壓延成形而膜化(設定溫度170℃)，製造出厚100μm、寬35cm的基體材料薄膜。
(基體材料薄膜的物理性能評價)
與實施例1同樣地對得到的基體材料薄膜的物理性能進行評價。將結果表示在下面的表1中。
(切割用黏著片的製造)
將用實施例1調製出的黏著劑溶液塗覆到用上述方法得到的基體材料薄膜的電暈處理面上，並在80℃加熱交聯10分鐘，從而形成10μm厚的紫外線固化型黏著劑層。然後，將隔板貼合於該黏著劑層面而製造出紫外線固化型切割用黏著片。
實施例3
(基體材料薄膜的製造)
將帝人化成(公司)製造的“商品名：”(聚酯彈性體樹脂)供给到公司製造的T拉膜成形機(設定温度為230℃)進行製膜，製造出厚100μm、寛35cm的基體材料薄膜。
(基體材料薄膜的物理性能評價)
與實施方式1同樣地對得到的基體材料薄膜的物理性能進行評價。將結果表示在下面的表1中。
(切割用黏著片的製造)
將用實施例1調製出的黏著劑溶液塗覆到用上述方法 得到的基體材料薄膜的電暈處理面上，並在80℃交聯固化10分鐘，從而形成10μm厚的紫外線固化型黏著劑層。然後，將隔板貼合於該黏著劑層面而製造出紫外線固化型切割用黏著片。
比較例1
在本比較例中，作為基體材料薄膜，使用低密度聚乙烯(商品名：、MFR=1.5、三井住友 (公司)製造)，通過T拉模壓出法製造薄膜(厚100μm)、除使用對該薄膜單面實施電暈處理的基體材料薄膜外，與實施方式1同樣地製造出紫外線固化型切割用黏着片。
比較例2
在本比較例中，作為基體材料薄膜，使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物(商品名：、MFR=2.0、三井 (公司)製造)，通過T拉模壓出法製造薄膜(厚100μm)、除使用對該薄膜單面實施電暈處理的基體材料薄膜外，與實施方式1同樣地製造出紫外線固化型切割用黏着片。
(評價)
通過下面的方法評價了用實施例及比較例得到的各切割用黏著片。將這些結果表示在下面的表1中。
(1)擴張性評價
將350μm厚的8英寸晶圓固定到切割用黏著片上，在下面的條件下進行切割。
分劃片機：DISCO公司製造、DFD-651(商品名)
刀具：DISCO公司製造、NBC-ZH2050 27HEDD(商品名)
刀具轉速：45,000rpm
切割速度：100mm/sec
切割深度：相對於基體材料薄膜為40μm
切割尺寸：8mm×8mm
用模具連接器(裝置名：“CPS-100”、“NEC (公司)製造”)將切割後的構件，通過使相對於內環的外環的拉下量變化為5mm、10mm、15mm而分別進行擴張，確認各切割用黏着片有無斷裂。
(2)結果
如從表1所得知的那樣，得知了在實施例中的切割用黏著片的情況，不產生斷裂且擴張性優良。另一方面，已經確認了：在比較例中的切割用黏著片的情況，雖然拉下量為5mm時未產生斷裂，但在10mm或15mm的拉下量時產生斷裂。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧基材薄膜(基材)
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧隔離膜
11‧‧‧切割用黏著片
12‧‧‧半導體晶片
13‧‧‧切割環
14‧‧‧外環
15‧‧‧內環
16‧‧‧切割路徑
圖1是表示本發明實施方式中的切割用黏著片概況的截面圖。
圖2是表示上述切割用黏著片中的基體材料薄膜的拉伸伸長率與拉伸強度的關係的曲線圖。
圖3(a)是表示黏貼於半導體晶圓的上述切割用黏著片的擴張的樣子的說明圖；(b)是表示半導體晶片及切割環被黏接固定於切割用黏著片的樣子的上視圖。
圖4(a)是表示切割後半導體晶片及切割用黏著片的截面圖；(b)是表示擴張了的半導體晶片及切割用黏著片的截面圖。
圖5是表示實施方式中的切割用黏著片的基體材料薄膜中的拉伸伸長率與拉伸強度的關係的曲線圖。
1‧‧‧基材薄膜(基材)
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧隔離膜
11‧‧‧切割用黏著片

Claims (12)

  1. 一種切割用黏著片，其採用在基體材料的至少一面具有黏著劑層的結構，在加工被切斷體時使用，其特徵在於，上述黏著劑層中使用選自由橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚酯系以及聚醋酸乙酯系所組成的族群中的至少一種黏著劑，上述基體材料的拉伸彈性模量是50~250MPa，斷裂伸長率大於等於200%，由下面公式表示的耐切入度大於等於2.5，(公式1) 耐切入度=(上述基體材料的斷裂強度)/(上述基體材料的拉伸伸長率為30%時的拉伸強度)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割用黏著片，其特徵在於，上述基體材料的屈服點伸長率大於等於30%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之切割用黏著片，其特徵在於，上述基體材料含有選自由聚丙烯系熱塑性彈性體、丙烯酸樹脂及聚酯系熱塑性彈性體組成的群中的至少1種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割用黏著片，其特徵在於，上述黏著劑層的厚度是1μm~上述基體材料厚度的1/3。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之切割用黏著片，其特徵在於，上述黏著劑層含有放射線固化型黏著劑。
  6. 一種被切斷體的加工方法，其特徵在於，包括下面工程，將切割用黏著片黏貼於被切斷體的工程，該切割用黏著片是採用在基體材料的至少一面具有黏著劑層的結構 的、在加工被切斷體時使用的切割用黏著片，上述基體材料的拉伸彈性模量是50~250MPa，斷裂伸長率大於等於200%，由下面公式中表示的耐切入度大於等於2.5，(公式2) 耐切入度=(上述基體材料的斷裂強度)/(上述基體材料的拉伸伸長率為30%時的拉伸強度)；切斷上述被切斷體而形成被切斷體小片的工程，其從該被切斷體側到上述切割用黏著片的基體材料進行該切斷；使上述切割用黏著片擴張，擴大黏接固定於該切割用黏著片的各被切斷體小片的間隔的工程；以及將帶有上述黏著劑層的被切斷體小片從上述基體材料剝離的工程。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之被切斷體的加工方法，其特徵在於，上述基體材料的屈服點伸長率大於等於30%。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之被切斷體的加工方法，其特徵在於，上述基體材料含有選自由聚丙烯系熱塑性彈性體、丙烯酸樹脂及聚酯系熱塑性彈性體組成的群中的至少1種。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之被切斷體的加工方法，其特徵在於，上述黏著劑層的厚度是1μm~上述基體材料厚度的1/3。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之被切斷體的加工方法，其特徵在於，上述黏著劑層含有放射線固化型黏著劑。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之被切斷體的加工方法，其特徵在於，上述被切斷體是半導體元件。
  12. 一種被切斷體小片，其特徵在於，通過如申請專利範圍第6項所述之被切斷體的加工方法製造而成。
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