TWI358395B - - Google Patents
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Description
1358395 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明,係關於主要係為了分割玻璃、燒結材料之陶 瓷、單晶矽、藍寶石、半導體晶圓、以及陶瓷基板等脆性 材料基板、而於基板形成裂痕之裂痕形成方法及裂痕形成 裝置,更詳言之,係關於將雷射光束照射於基板以形成裂 痕之裂痕形成方法及裂痕形成裝置。 【先前技術】 玻璃基板等脆性材料基板之分割所利用的方法,係使 用刀輪等機械加工方式在基板表面形成劃線後,彎曲基板 使裂痕從該劃線行進,藉此來裂斷基板。 代替上述機械式分割手法’近年來,係有一種使用雷 射光束將垂直裂痕形成於基板以分割基板的方法已實用化 (例如參考專利文獻1)。 ’ 圖8係用以說明習知裂痕形成裝置之動作的圖。使用 雷射光束之裂痕形成方法,如圖8所示,係一邊由雷射照 射位置102將點狀光束照射於玻璃基板1〇1以形成橢圓狀 雷射光束照射區域B,一邊從冷媒噴嘴丨〇3噴射冷媒來形 成冷卻點(冷媒喷射區域)C。 接著,使玻璃基板101沿裁切之方向(圖中箭頭之方向) 移動,並使射東點B以相對玻璃基板1〇1移動之方式來進 行掃拖。此時,係使射束點B之長軸方向與玻璃基板j 】 的移動方向一致。又,冷媒所喷射出之冷卻點c,係位於 5 1358395 射束點B之長轴方向的延長線上、且位於射束點b的後方 位置。 藉由使橢圓狀射束點B沿其長轴方向移動,射束點b 所通過之區域,係在射束點B通過期間以基板熔融溫度以 下之溫度被連續加熱’而於被加熱之區域及其周圍附近產 生壓縮壓力。 被射束點B加熱之區域,在其後很快地有冷卻點c通 過。其結果,即於產生壓縮應力之加熱區域附近產生冷卻 區域,而在冷卻區域產生拉伸應力。χ,根據壓縮壓力與 拉伸應力之應力差,而可沿射束點3及冷卻點c通過之線 得到從基板表面垂直形成的垂直裂痕。 【專利文獻1】特開2001 — 130921號公報 【發明内容】 如上所述,射束點 狀,係一能定義射
使用雷射光束之裂痕形成方法中, 之形狀係橢圓形狀等延伸於一方向之形 束點之長軸方向的形狀。 圖9係用以說明習知裂痕形成裝置之射束點與冷卻點 的位置關係。又,如圖9所示,在基板上移動射束點Β時, 係使射束,點Β之長轴方向與射束點Β之移動方向(將射束 點Β之長軸中心移動的方向稱為射束點β的移動方向)一 致,而可增長射束點Β所通過各點之總照射時間,藉此提 高加熱效率’即使係在儘可能加快光束移動速度之曰情形 下’亦可以炫融溫度以下之溫度充分地加熱。 6 1358395 如^ ’使射束點B之移動方向與射束點b之長轴方向 延長線將冷卻點C配置於射束點B之往長軸方向後方之 射束fiB’^ & ’因應力差而產生之裂痕,即會形成於與 B之長軸方向相同的軸線下。 2 ’在以使欲形成裂痕之基板上的方向對齊於射束 :·Μ由的方式正確地設置基板後,藉由掃描射束點B, 即可於所欲方向形成裂痕。
此外,當以具有長軸方向之射束點Β來加熱時射束 内(加熱區域)之溫度分布中,其最高溫度到達點之位置 在射束點停止之狀態下與射束點移動之狀態下係不同。 圖i〇係用以說明靜止中之射束點(圖1〇(a))與移動中 之射束點(圖1 〇⑻)之最高溫度到達點的位置。例如,如圖 10⑷所示,使用射束點B之中心位置溫度為最高之溫度分 布(高斯分布)的雷射光束。此時,當使射束點B沿長轴方 向和動時,受熱緩和之時間延遲(time lag)的影響,而如圖 10(b)所示,移動中之射束點B在基板的最高溫度到達點p, 係從射束點中心偏移至後方。 該最高溫度到達點P從射束點中心之偏移量,係由雷 射光束之模式(分布形態)來決定。 例如’當使用模式為高斯分布之雷射光束時,最高溫 度到達點P,即會從熱源令心(射束點中心)偏移。偏移量 程度,在雷射劃線方法中所利用之通常射束點移動速度區 域(100mm/S以上),係可考量為大致一定。 將基板設置成射束點B之長軸方向與射束點之移動方 7 1358395 p的最南溫 因此不須特 :為同一方向時,隨該射束點之移動而使基板 又到達點偏移之狀況,並不會特別構成問題, 別在意》 下以 ’作為欲裁切單位基板時之素板的母基板(以 ^為μ基板」或僅稱為「基板」)尺寸有趨於大型化的 二’而希望能對大尺寸玻璃基板等、沿所欲方向形成具 優異直線性且分割後之截面品質佳的劃線。
然而’玻璃基板越大型,將Μ基板裝載於劃線台上時 之定位操作即越因難。即使在Μ基板-端側僅產生微幅的 位置偏差’在大型Μ基板之另一端側誤差即會擴大因此 奴將玻璃基板之位置或方向以良好精度設置於劃線台上係 相當困難的’往往會造成Μ基板之設置精度不良。又亦 難以使射束點之長軸方向與劃線方向一致。因此欲如習 知般使射束點Β之長軸方向與射束點之移動方向一致來形 成裂痕這點’係日漸困難。 欲確保大型Μ基板之基板設置的定位精度,須有具備 更高精度之定位機構的昂貴基板載台。 又’欲將暫時裝載於劃線台之Μ基才反重新|載至正確 位置時,亦不易以良好精度設置Μ基板之位置或方向因 此不僅造成時間之浪費,亦會在Μ基板產生多餘應力或損 傷Μ基板。 因此,本發明之第丨目的,係提供裂痕形成方法及裂 痕形成裝置’其即使在因Μ基板較大型而難以確保定位精 度時,亦能以高精度將可保證良好截面品質之垂直裂痕形 8 1358395 成於所欲方向。 又,即使使用可調整射束點 维_機構Μ載台),根據以板之設即二 位誤差來予以修正,亦無法使射束點的疋 方向盥射炭點長轴中心的移動 一、射束點B的長軸方向(基準軸方向)一致。 “射束點B之長φ、、名交+人t 準勒…… 與射束點B之長轴(基 卓轴方向)方向相異的方向時,會因 的影響,使射庚駄Re 土丄 瓦子< ¥間延遲 長軸中心的移動轨跡(稱為光走杆 進路線)與射束點在基板最 同的路線。 ▲板之取“度到達點的軌跡’通過不 使用圖式來說明此情形。圖u,係說明以刻印於Μ :板之對準標記來進行位置偏移量之測定與直線内插的 Α板:圖U所不’考量將定位用對準標記P、Q形成於Μ 之相互分隔的兩個位置’沿連結兩個對準標記p、Q 之直線來形成裂痕並加以分割的情形。射束點 向«為基準轴方向),係正確地設定於裝置的乂轴方長向轴方 ^以往,係調整(旋轉)M基板之方向,直到兩個對準標 Q均排列於X軸上為止。然而’隨著M基板之大型 化二Μ基板位置之微調整逐漸變得困難,而難以進行正確 之定位’因此即作了下述嘗試,亦即使射束點β不僅可移 動於基準軸方向(X軸方向)、而亦能移動於與其垂直之γ 軸方向,亦即’使射束點Β能在χγ面内(亦包含傾斜於基 準軸(X軸)之方向)移動,在Υ軸方向施以直線内插,使射 束點δ以傾斜於基準軸(X軸)之方式來進行移動,藉此將 9 50 裂痕形成為傾斜方向β 例如,在以刀輪Η忠 板之所欲劃線方向4==切割器方面,在μ基 裝载Μ基板之載台:=準有線偏種, 移動方向(劃線方向)…板之所 公平6— 2597)。L、M基板之所欲劃線方向-致(日本特 =於此,在以雷射光束來進行劃線( 軸之射束點)之切割儀器中,$ /、百長 離於坡* ^ 11中曰“基板之所欲劃線方向偏 、、t基準線時’此情形下,由於難以使射束 軸方向與M基板 ‘,·長 移動至所w 因此單是將射東點 人1,..開始位置,並無法在所欲方向形成裂痕。 動^。12 ’係用以說明具有長軸之射束點之直線内插的移 方二此時,如圖12所示,橢圓形射束點B係沿傾斜 ^向平行移動,射束點B整體,係通過平行四邊形的區域 °相對於光束行進路、線L(即射束點B之長轴中心移動軌 '、和動中之射束點B的最高溫度到達點,因受到熱緩 和之時間延遲的影響’而從射束點B之長軸中心偏移至後 方:使實際最高溫度到達點之軌跡、M,平行移動至相對光 束行進路線L之後方。 另方面,沿射束點B之長軸方向(基準軸方向)位於 向後方延長之位置的冷卻點c,係通過與光束行進路線[ 平行的軌跡N。. 其結果,最高溫度到達點之執跡Μ,係通過異於光束 仃進路線L、且異於冷卻點之軌跡Ν的第3路線。 1358395 此最高溫度到達點之軌跡Μ,係一受到最強烈之加熱、 具有最大熱變形的痕跡,為一藉由之後的冷卻而最容易產 生裂痕的線(嚴格說來,裂痕形成位置會隨冷卻點之配置而 有些許改變)。據此,由於只要能適切地進行其後之冷卻點 的冷卻’即可於該線上或線附近形成裂痕,因此將最高溫 度到達點之軌跡]V[(或最高溫度到達點附近之點的軌跡)當 作裂痕形成預定線Μ。 又,光束行進路線L與裂痕形成預定線Μ的距離(以 下稱為偏置量〇),係依據射束點之長軸方向與光束行進路 線間所夾角度之傾斜角6>、及射束點與冷卻點間的距離來 決定。 圖13所示,係將基準軸之方向(χ軸方向、射束點的 長軸方向)朝往橫方向時,光束行進路線L、裂痕形成預定 線M、以及冷卻點之軌跡N的位置關係說明圖。如圖所示, 裂:形成預定線M之位置,除了與光束行進路線l偏離偏 置I 〇以外,亦偏離於冷卻點之軌跡N◊其結果,加熱之 壓縮壓力產生的位置與冷卻之拉伸應力產生的位置即分 離’根據應力差而產生的裂纟,由於不一定會依照預定般 產生在裂痕形成預定線“上,因此不能於所欲方向形成垂 直裂痕。 因此,本發明之第2目的,係提供裂痕形成方 點 、置其係以使光束行進路線L之方向傾斜於射束 •’ 輛方向(基準軸方向)的方式、使基板進行相對 來形成裂谪 "日對移動 裂痕%,可於所欲位置、方向(與光束 距偏置量之位置)形成裂痕β 相異再Γ即裂/之形成狀況,纟Μ基板之中央部與端部係 但在基板之d'中央部位’熱係以等向方式傳播, 部),熱則為入部)或終點(脫離 且冷卻…W 於射…具有長轴, 7丨占C沿射束點Β之長鮎方闩 板中央部與基板端部 生:因此在基 不相同。 …、冷部所產生之熱的進出量並
°圖.8或圖9所示,當射束點6之長軸方向與點 $之移動方向(光束行進料W 一致時,在以板中央 :與Μ基板端部之熱傳播的差異性並不大會造成問題,但 田光束仃進路,線L之方向相對射束點Β之長轴(基準抽)呈 傾斜使裂痕形成預定線Μ從光束行進路線l偏離時,因 在Μ基板中央部與M基板端部之熱傳播等的相異,而會 產生稱為「偏折」之曲線狀裂痕、或產生稱為「先行裂痕」 之類的不良狀況。 」
圖16,係說明於基板形成裂痕時產生之「偏折」的圖。 所謂「偏折」所指之現象,例如圖16所示,係指從沿水 平方向形成於玻璃基板G之劃線往垂直方向伸展之裂痕 K’在玻璃基板g之背面附近的7位置從垂直方向伸展至 傾斜方向’而到達玻璃基板G的背面《由於「偏折」會使 玻璃基板G之分割面的平坦度或直角度受損,因此會降低 分割面的品質。 圖1 7係用以說明在基板形成裂痕時所產生之「先行聲 12 1358395 痕」的圖。所謂「先行裂痕」,例如圖17(a)所示,在玻璃 基板G端部之劃線開始點附近,從受到雷射點ls之加熱 的劃線前端開始,往雷射點LS前方之無法控制的方向形 成水平裂痕CR,或如圖17(b)所示,在玻璃基板g端部之 s’J線终止點附近’從基板端面往雷射點ls之方向、亦即 往與雷射點LS之移動方向反向之無法控制的方向形成水 :裂痕CR。由於該種「先行裂痕」之產生,會在偏離於 刀割預定線之玻璃基板G上的位置形成劃線,因此會使劃 線之直線性明顯受損。 例如,在起點(進入部位)之光束行進路線L上的基板 知,形成作為裂痕之產生位置的起始點(trigger),並隨時 從起始點使裂痕成長時’當射束點3與冷卻點c係以圖Η 所不之位置關係來移動的情況下,即會因熱傳導、熱之進 出罝之相異,而如圖14所示般在基板端部產生稱為「偏 折」之曲線裂痕u,V。
因此,本發明之第3目的,係提供裂痕形成方法及裂 1形成裝置,其在使射束點相對M基板移動以形成裂痕 蚪,即使光束行進路線L之方向傾斜於射束點B之長軸(基 準軸)’亦不會產生偏折或先行裂痕之類的不良狀況。 —為解決上述課題,本發日月之裂痕形成方法,係將形 貫質上具有長轴之射束點的雷射光束照射於脆性材料 板,且形成噴射冷媒之冷卻點’藉由雷射光束照射之加丨 V邠點之冷部,而在局部產生熱變形以在該基板形」 —直裂痕#肖徵在於:以力束行進路線方向相對定為】 13 1358395 射束點之長軸方向一致的基準軸方向呈斜向之方式使射 束點相對該基板移動,藉此使冷卻點沿與光束行進路線相 . 偏置里之位置(裂痕形成預定線)相對移動;該光束行進 . /方向係射束點之長軸中心移動的軌跡。 此外,上述記載中,雖係使冷卻點「沿裂痕形成預定 線」相對移動,但冷卻點之相對移動,並不限定於裂痕形 成預定線上,本發明亦包含與裂痕形成預定線平行進行、移 動之形態。例如,冷卻點之中心位置,只要係在距離裂^ 形成預定線數mm以内之範圍的話,亦可彼此分離。 根據本發明之裂痕形成方法,係將形成實質上具有長 轴之射束點的雷射光束照射於脆性材料基板。作為實質具 有長軸之射束點,雖橢圓形狀之射束點較為合適,但例2 ::圓形射束點以空出微小間隙之方式來排列成直列、或隔 著裂痕形成預定線在其兩側並排複數個射束點等,只要係 具有相較其他方向可實質定義長軸方向之射束點即可。射 •,點之長軸例如為10〜30mm左右。將射束點之長軸方向 疋為射束點之移動方向後,為方便說明,亦定義為基準轴 方向。 本發明之裂痕之形成,係指以雷射照射形成射束點(雷 射加熱)後形成冷卻點(急冷),利用藉此產生之應力差來形 成裂痕(裂痕產生後經一段時間即不能再由目視轉認,因此 稱為「盲裂痕」),使所形成的裂痕進展於基板的厚度方向, 射束點及冷部點在基板上相對基板移冑,藉此將往基杈 厚度方向進展之裂痕誘導至水平方向,以形成劃線(包含完 14 5 全分割(整體切割,full body cut)之情形)。 •於/It ί點之長轴中心之移動軌跡(光束行進路線)傾斜 動二〃移動射束點。亦即’一邊使射束點相對基板移 .:於X軸方向(基準軸方向),一邊亦移動於γ軸方向。藉 成緩和之時間延遲的影響,因射束點之移動而 取…皿度到達點的軌跡’會通過異於光束 之線上。亦即,射束點之最高溫度到達點,會通過盘光束良 •仃進路線相距有限距離(偏置量)之位置。偏置量例如為數 左右。 口邪荷數 直裂:該1高溫度到達點之軌跡(裂痕形成預定線)產生垂 時,因加熱而產裂痕形成預定線上相對移動 力的位置即會_致。葬: 置與因冷卻而產生拉伸應 生於最高溫度到達二’能藉由應力差’使垂直裂痕產 雷射光束移動時測量Α板表:痕形成預定線)h亦可於 溫度計以非接觸方式;面之溫度分布(例如藉由紅外線 資料,一邊改變冷卻㈣=#集最南溫度到達點的位置 連續測量所進行之邊鈿以雷射劃線。以該種 丁之冷卻點的Y立署i允在I丨 m 於昂貴等原因而難以採 :,备因溫度測定器過 測定資料之方4。 亦可利用前述劃線時之溫度 根據上述之裂痕形成方法 亦即,即使係因美柘赫士 , 違成上述第1目的。 為與射束點之長=方向’而無法將基板正確定位於定 束行進路線成^目對基準財向時,,藉由使光 向呈傾斜之方向(與裂痕形成 15 預疋線相同方向),即可將垂直 * 之所铲古A… 置髮痕形成於基準轴方向以外 斤欲方向(與光束行進路線相同方向 又,根據照上述裂痕形成方法,即 的。亦即,即使光束行進路線 述第目 方向準^方向傾斜於射束點之長軸 (基羊軸方向)%,亦可藉由 線违扞如料你I 彳史令部點沿裂痕形成預定 裂痕。 m痕形成㊣定線來形成垂直 上述裂痕形成方法中,裂痕 * ». π _ 取疋線’最好係以射 束點形成之最咼溫度到遠點的 私丄土 運點的移動軌跡。此時,由於受雷 射光束之加熱使熱變形為最 田 a ., ^ , 巧取大的線成為裂痕形成預定線, 痕。 裂痕形成預定線來形成垂直裂 又’上述裂痕形成方法中, ^ ni , 亦可在使射束點相對基板 移動% ’求出基準軸與光虔 ,、元東仃進路線間之傾斜角,至少將 該傾斜角作為參數之一來決 主/將 广^ 爪决疋偏置量,藉此預先推定出裂 痕形成預疋線之位置,並將冷 — ”,之位置§又疋成使冷卻點 在所推疋之裂痕形成預定線 &上及衮痕形成預定線附近(例如 數mm以内)進行相對移動。 偏置量係取決於基準轴與光 兴尤束仃進路線間之傾斜角。 據此,例如在設置基板時, ,_ ^ 無法使基準軸方向與光束行進 路線方向一致的情況下, _ 藉由求出此時之基板的傾斜 角,根據傾斜角來求出偏置詈, 罝糟此即能推定出裂痕形成 預定線。 據此,使冷卻點沿所推宕 推疋之裂痕形成預定線或其附近 1358395 移動’藉此即能在裂痕形成預定線上或其附近(例如數麵 以内)精確地形成垂直裂痕。 又上述裂痕形成方法中,亦可除了該傾斜角以外, 亦將射束點與冷卻點間之距離作為參數。射束點與冷卻點 門之距離(基板上之冷卻點移動於線上之距離),雖亦取決 於射f點之長軸長度’但例如亦可為0〜50mm左右。由於 f里不僅取決於傾斜角,亦取決於射束點與冷卻點間之 *離(特别是在改變射束點與冷卻點間之距離以形成裂痕 時)’因此若根據傾斜角與上述參數來推定裂痕形成預定線 的話,即能更正確地推定出裂痕形成預定線。 上述射束點與冷卻點間之距離,在使用具備又軸及丫 軸移動機構之劃線台時’係以基板裝載面纟χ軸方向之距 離及在Υ軸方向之距離來表示。 又,上述裂痕形成方法中,在設定冷卻點之位置時, 要使冷卻點在與光束行進路線呈垂直之方向變化位置, 即可將所求出之偏置量直接利用為使位置變化的距離。 士又上述裂痕形成方法中,亦可在基板端開始形成裂 ^係預先在裂痕形成預定線上之基板端形成作為裂痕 起點之起始點後,再使射束點相對基板移動。 ^藉此,亦可達成上述第3目的。亦即,藉由將起始點 形成於裂痕形成預定線端,使裂痕之產生位置與裂痕形成 預疋線之開始點大致完全一致,因此能避免產生偏折或先 行Μ痕之類的不良狀況。 又’上述裂痕形成方法令,亦可使用在包含基準轴方 17 置;:面:裝载基板的基板裝載部,將形成有作為基板位 ==標記的基板裝載於基板裝载部,檢測出該基 ΐ=:Γ相對和該基準軸方向相關連之基準裝載位 的相對位置,根據檢測出之對準 ==離量(直線内插值),根據所算出= 二=:束行進路線的方向,並算出所決定之光束行進 / 伸之傾斜角,至少將該傾斜角作為參數之一 以決定偏置量,Ιέ此箱在4备A , t 旦 里#此預先推定出與光束行進路線相距偏置 ^之裂痕形成預定線的位置,以將冷卻點之位置設定成使 在所推定之裂痕形成預定線上或所推定之裂痕形成 預疋線附近進行相對移動。 藉此,利用形成於基板之對準標記,算出已設置基板 之位置偏離量、亦即算出直線内插值,且進一步算出傾斜 :’來,定光束行進路線方向。又,由算出之傾斜角來決 疋偏置里,it而在與所決定之光束行進路線相距偏置量的 位置推定出裂痕形成預定線。進一步地,將冷卻點的位置 設定成使冷卻點沿所推定之裂痕形成預定線移動。 士此,即使在基板無法正確定位時,亦能從形成於基 板=對準標記來判斷基板的位置偏離量,並根據該位置偏 離量來決定光束行進路線或偏置量,藉此能正確地沿所推 定的裂痕形成預定線來形成垂直裂痕。 又,從其他觀點視之,為解決上述課題,本發明之裂 痕形成裝置,具備:雷射光束照射部,係照射用以形成實 貝上具有長軸之射束點的雷射光束;冷卻部,係形成冷卻 18 1358395 點;射束點驅動部,係使射束點相對裝載於基板裝載台之 基板進行移動;冷卻點驅動部,係使冷卻點相對該基:移 動;以及控制部,係控制上述各部;藉由使射束點及冷卻 點相對基板移動,來於基板形成裂痕,其特徵在於:控制 部,係以射束點I®動部來控制射束點的移冑,使射束^之 長軸中心的移動軌跡、即光束行進路線的方向,相對定為 與射束點之長軸方向-致的基準軸方向呈傾斜方向(與裂痕 形成駭線相同方向),此時,控制冷卻點驅動部之^卻點 的移動,俾使冷卻點沿和光束行進路線相距偏置量:位置 (裂痕形成預定線)相對移動。 #根據此裂痕形成裝置,係藉由雷射光束照射部,將實 質具有長軸方向之射束點照射於脆性材料基板。: 點,係在控制部之控制下,藉由射束點驅動部而可^ 上相對移動。X,藉由冷卻部在脆性材料基板上形成二 點’來進行局部冷卻。該冷卻點,係在控制部之控制; 藉由冷卻點驅動部而能在基板上沿裂痕形成預定線移動。’ 控制部’控制射束點驅動部來移動射束點 =之長軸中心移動的軌跡、即光束行進路線方向,傾斜 ^ 疋為與射束點之長軸方向一致的基準軸方向。藉此,因埶 緩和之時間延遲,傕銘翻士 + 6丄土 ”,、 使移動中之射束點的最高溫度到達點偽 離於光束行進路線,而在盥光束 埂點偏 置’形成因加熱產生之最高溫度到達點的軌: 艮〆、預疋線)。控制部.,藉由控制冷卻點驅動部,使乂 點沿裂痕形成財線移動。藉此,即能使冷卻之拉伸= 19 1358395 沿已產生壓縮壓力之裂痕形成預定線產生,利用應力差來 形成垂直裂痕。 又’上述裂痕形成裝置中’亦可進一步具備偏置量記 憶部’係儲存該基準轴與光束行進路線間之傾斜角與偏置 量的關係;控制部,係將射束點移動時之傾斜角當作至少 一個參數,參照偏置量記憶部以決定偏置量,根據所決定 之偏置量推定出裂痕形成預定線,並控制冷卻點驅動部之 冷部點的移動’俾使冷卻點在所推定之裂痕形成預定線上 或所推定之裂痕形成線附近’相對基板進行移動。
根據此發明,偏置量由於係取決於基準軸方向與光束 行進路線之傾斜角,因此預先求出基準軸方向與光束行進 路線方向間之傾斜角與偏置量的關係,並儲存於偏置量記 隐。卩。在设置基板時,基準軸方向與光束行進路線方向不 致之情況下,即根據基扳之傾斜角,參照偏置量記憶部 來決疋偏置量。藉由偏置量之決定,可於和光束行進路線 相隔偏置量之位置推定出裂痕形成預定線。 據此,藉由射束點驅動部,使冷卻點沿所推定之裂痕 形成預定線或其附近移動,藉此可精確地將垂直裂痕形成 於裂痕形成預定線上或其附近。 5 ,述裂痕形成裝置中,偏置量記憶部,除了該< ^ ^卜’亦㈣束點與冷卻點間之距離作為參數來^ :偏置里之關係。將偏置量(由於不僅取決於傾斜角,亦; =射束點與冷卻點間之距離,因此係在以控制部控制身 .,驅動部及冷卻點驅動部時,改變此等來形成裂痕)與伯 20 1358395 二之關钻’併同射束點與冷卻點間之距離的參數關係先 广存於偏置量記憶部’藉此,只要根據此等參數來推定裂 7成預以的話’即能更正確地推以裂痕形成預定 綠0 、雖裂痕形成預定線(最高溫度到達點之軌跡)可藉由上 述方法來推定,但亦可藉由收隼雷射點夕县 的仿罢次_U 叹果笛射點之最兩溫度到達點 44貝料來以實測方式進行。最高溫度到達點之位置資 料,例如,可茲 κ^ 藉由在缉射光束行進時測量基板表面之π声 为布來加以收隼。其姑志 恤又 m 基板表面之溫度分布,例如可藉由紅外 線,孤度叶以非接觸方式來測量。 上述裂痕形成裝置中,亦可為,私由机 冷卻點驅動邱細…"方了為#束點驅動部與 且進一牛::束點與冷卻點連動之方式-體構成, ^具備冷卻點位置調整部,係調整冷卻點 點之位置,控制部’係根據參 ’、束 偏詈吾…曰处 尿…,、偏置量s己憶部後所決定之 量(或根據最高溫度到達點之位置資料),藉 位置5周整部來調整冷卻點相對射束點之位置。v點 ,藉由冷卻點位置調整部來調整冷卻 之位置後,藉由使-體構成之射束點驅動部及>,、束 動部進㈣作,即能容易地形成直線形狀的裂痕/部點驅 進路=置調整部,只要使冷卻點在與光束行 退路線王垂直之方向變化位置,即可 不订 冷卻點位置調整部之位置變化量。。 里接利用為 又’上述裂痕形成裝置中’其亦 點形成部,係形成作為裂痕形 :”備.起始 驭之起點的起始點;以及起 21 1358395 始點位置調整部’係調整起始點形成部之位置;控制部, =基板端p絲形成裂痕時’係預先在所推定之裂痕形成預 定線上的基板端’設定起始點形成部之位置。 藉此由於可在基板端部,於所推定之裂痕形成預定 線上形成起始點,因此能確實地將裂痕形成於裂痕形成預 (裝置構成) 以下,使用圖式說明本發 成裝置。 赞月之裂痕形成方法及裂痕形 圖1係本發明一實施形離 .ρ, #⑴ 、之裂痕形成裝置10的概略構 成圖。該裂痕形成裝置,例如 再 美姑、八企I 〇> Τ作為用以將母玻璃基板(Μ 基板)为割成用於FPD(平彳g 置。 .肩不态)之複數個玻璃基板的裝 本裝置’在具有水平之XV 1 γ軸方Θ $ 平面的架台11上,具有沿 釉方向彺復移動之滑動台12。 軌14,15(於年二 匕,月動台12,係被一對導 ⑺木σ 11上面沿γ 水平狀態沿各導軌14,15滑動=向=配置)支樓成能以 滚珠螺桿u係設置成與各導軌^導軌14, 15之中間部, 示馬達违件始絲 ’ 15平行、且藉由未圖 硬進仃%轉。滾珠螺桿丨3 螺帽I 6 #以碑人# · * 可進行正轉及逆轉’滾珠 g係以螺合於此滾珠螺 滾珠螺帽丨6,係以不 Π態加以安裝。 12 ’藉由滚珠螺桿13之正轉及2之狀態一體安裝於滑動台 逆轉沿滾珠螺桿1 3滑動於 22 ^58395 ^兩個方向。藉此,與滚珠螺帽16_體安裝之滑動台12, .=導軌…動於γ轴方向。承上所述,#由上述各 來構成Y軸驅動機構。 . 台座19係以水平狀態配置於、及f M L △广1Λ ^ 滑動台12上。台座19, 丁、破平行配置於滑動台12上之拟.* 勤〇1 、 之—對導軌21(除了圖示之導 2 1以外’於紙面内側仍有 .〗仍有冋形狀之導軌)支撐成可滑動。 谷導執21 ’係沿與滑動台1 γ 士人 2 α動方向(即Υ方向)正交之 • 八万向所配置。又,於各導鈾 勅 睪軌21之中間部,配置有與各導 m 21平行之滚珠螺桿22,滾祛 ^ T ,哀珠螺桿22係藉由馬達23來 進仃正轉及逆轉。 滾珠螺帽24係以螺合於滾珠螺捍22之肤能Λ以—租 滾珠螺帽24係以不旋 "女、 滾珠螺桿22之正轉及㈣:體女裝於台座19’藉由 兩個方6之正轉及逆轉’來沿滚珠螺桿22移動於正逆 兩個方向。藉此,台座19即能 逆 廿守軌21滑動於X軸方 内⑺動。承上所述,藉由上述各 於△— 分丨來構成X軸驅動機構。 鲁、〇座19上,以水平狀態 零分宝J對备、令用以女裝Μ基板G(為 刀」對象)的载台26。Μ基柘Γ y , 固定於栽台26上。 列如係藉由吸附夾頭而 '栽台26設定與X軸方向相關連之基準穿載位著 圖不),正確裝載於基準裝載位置之 K置(未 述滑動機槿OC妯古4 基板G’能藉由上 饵構(X軸方向驅動機構、γ 確地沿X鈿方 車方向驅動機構)而正 入軸方向或Υ軸方向移動。 於載台26上方,與載台26表面 劃線頭31。割線頭Ή私七 適备間距配置有 -I線頭3 1 ’係在水平壯能τ、 〜、下以能藉由升降機 23 1358395 構(未圖示)進行升降之方式,被以垂直狀態配置之光學保 持具33下端部支撐。光學保持具η之上端部,安裝於設 .在架° U上之*裝台32的下面。於安裝台32上,設有 .用以七射田射光束之雷射振i器例如⑶2雷射、半導 體雷射(YAG雷射等)),從雷射振盈器^發射之雷射光束, 透過支樓在光學保持具33内之透鏡光學线^照射於基 板G。 於透鏡光學系絲1 仓,, 、 例如使用柱面透鏡,以將具有長軸 籲方向之擴圓狀雷射點照射於Μ基板G上。 此日可t成之雷射點的長轴方向,係與χ轴方向一致, 亦即與台座19藉由滚珠螺桿22'馬達23、以及滾珠螺帽 2 4而移動之方向一致。 因^ ’正確地裝載於載台26之基準裝載位置的μ基 板μ 土板G之分割方向(裂痕之形成方向)係設定成朝 向雷射點的長軸方向(基準轴)。 於劃線頭31 一端安裝有冷卻部40。冷卻部4〇,且備. 嗔嘴42,係用以喷射從冷媒源41供應之冷媒(氦氣〔N、 C〇2=)以形成冷卻點C’·喷嘴X轴調整機構43二 用以將贺嘴42之位置移動於χ f 係 赞機構…係用以將喷嘴位置移動於Υ|:^Υ_ …調整機構43與喷嘴γ_整機=即= 希内調整冷卻點相對射束點之位置。
軸方向固定但可調整於γ軸方向者。 ’、可採用在X 又,在劃線頭31 側 、即與冷卻部40之安裝側相反 24 Γ358395 之側,安裝有用以在基板端形成起始點之起始 45(例如刀輪)與用以移動起始點形 形成部
今3之位署ώΑ A 調整機構46。該起4點調整機構46,·起始點 整於X軸方向與γ軸方向,但至少 取好疋能調 乂要能調整於γ軸 此外,雖省略喷嘴X軸調整機構43、 向。 機構44、以及扭私赴带敕她姐" 輪調整 #用市隹之詳細構的說明,只I 市售之具備步進馬達的簡單驅動機構即可。 藉由上述構成,由滑動台12、滾珠螺桿& 滾珠螺桿13之气遠23以去 用以%轉 之馬運23a(未圖不)、以及滾珠螺帽 2二==機構,以及,由台座19、滚珠螺桿&馬: 揮射走’ϋ 24構成的X軸方向驅動機構,係能發 p 驅動部之功能,可將從劃線頭照射至M基板 之射束點在χ、γ面内移動於任意方向。 土 :’由滑動台12、滾珠螺桿13、用以旋轉滾珠螺捍η 動=23a(未圖示)、以及滾珠螺帽16構成的Υ軸方向驅 Π :以及’由台座19、滾珠螺桿L馬達23、以及 驅^目24構成的χ軸方向驅動機構係能發揮冷卻點 。卩+之功能,可將從安裝於劃線頭31之噴嘴“對Μ基 噴射冷媒而形成的冷卻點,在χ、γ面内移動於任^ 動擴Α 束點驅動#、冷卻點驅動部之功能的驅 •構,由於係以同_驅動機構構成,因此藉由使該驅動 動作#可使射束點與冷卻點以連動方式來移動。 再者,设於劃線頭3丨之喷嘴χ軸調整機構43及喷嘴 25 1358395
Y轴調整機構44,松ι_古 '人,、L 有卩點位置調整部之功能,以調 正々部點相對射去κ 7 盥喷嘴γ “ 喷嘴Χ軸調整機構43 : 軸調整機構44之共同動作,喷嘴42即可在χγ 面内驅動於任音方Α 媸* ^ —、 饪思'方向。據此,只要將噴嘴42驅動於 行進路線之垂直方, .^ ^ 、 ^ ^ m P ]將後述偏置I直接利用為喷嘴 42之位置調整距離。 貝再 於光學保持具33旁if,μ女+ , 罘邊叹有由攝影機38, 39構 位置讀取機構,藉由對拍攝刻印於μ基板G之對準 己兹亦即所謂影像辨識方法,即可辨識出對準標記之位 置。藉由該位置讀取部,可求出裝載於載台^之 G的位置偏離量。 土板 此外,& CCD攝影機38,39拍攝之影像,透過登幕判 ,即使以目視亦能確認位置偏離量。 , (控制系統) 制JUT心進行裂痕形成裝置1〇之動作控制的控 制系統。控制系,统50及偏置量記憶部62係咖及纪憶體, 其構成控制用電腦系統之一部 I刀 °茨軍細系統,藉由报忒 裂痕用之應用軟體及所輸人 Λ 體之各種動作。 又疋參數,來控制本裝置整 圖2係:功能方塊圖,係依功能區分來詳細說明控制 ° 及偏置虽s己憶部62之控制動作。 控制部50,係由雷射照射控 別乜市j °丨51、冷媒喷射控制部 基板位置讀取控㈣53、射束點/冷卻點驅動控制部 54、冷卻點位置調整控制部55、偏置量決定部57、冷卻 26 1358395 點位置調整量決定部(裂痕形成預定線推定部)58、起始點 位置調整控制部5 9、以及劃線頭升降控制部6 〇構成。 雷射照射控制部51 ’在加熱Μ基板g時,係驅動雷 射振盪器34來形成射束點Β,進行用以照射Μ基板G 2 動作控制。 令琛噴射控制部52,在冷卻Μ基板G時,係從冷媒
源41噴射冷媒,進行用以於M基板G上形成冷卻點=之 動作控制。 旦基板位置讀取控制部53,係藉由位置讀取機構,使用 影像辨識方法來讀取刻印於M基板G之對準標記,進行 用以檢測出Μ基板G之位置偏離。 订 射束點/冷卻點驅動控制部54,係驅動
螺桿1 3夕民4 π,土面-、 々疋W H 3之馬達23a(未圖不)、以及用以旋轉滾珠螺桿。之 馬達.23’進行使射束點B或冷卻點c能在m^g 射束點B之長軸(基準軸)方向 '即父軸 移動於任意方向。 相對 冷卻點位置調整控制部55,係㈣ 43及噴嘴Υ軸調整機構44,進行 拽構 束點之位置的控制。 了…動冷卻點相對射 此時,藉由喷嘴X軸調整機構43與 構44的共同動作,調整喷嘴42之位 軸調整機 對光束行itm垂直之方向“卻點在相 置量決定部所決定之偏置量直接使用為置冷=將後述偏 量。 部點的位置調整 27
J 偏置量決定部57,在吟署I ^ 6y 叹置基板G後’即根據γ軸方 。、位置偏離量,並參考偏晉旦 可偏置里此憶部62來決定偏置量。 亦即,基板位置讀取控制部 奸诚± 53檢測出其位置偏離量,並 根據此㈣留之位置偏離量決定偏置量。 中如時於偏置里決定部57所參照之偏置量記憶部62 柄=所示’傾斜角(光束行進路線與射束點之長轴(基 旱軸、X軸)所夾角度)和 .^ . 釘果•,-έ與冷部點間之距離的兩個 參數與偏置量的關係’係儲存成資料庫。 3之參數與偏置量之關係、的例,係顯示在使用 :欠料之射束點來於基板G形成劃線時所適用的 二該基板G ’係以厚度。7_、長·寬尺寸36 — 之無鹼玻璃為材料的貼合基板。 據此,在異於上述條件之情形下,所適用之資料 呉0 該資料,係預先以實驗方式改變各參數來求出。又, 根據從位置偏離量以三角函數之簡單運算來算出之傾斜 角與預先及定之射束點/冷卻點之間距,參照㈣^ 記憶部之資料來決定偏置量。 此外,在不改變射束點與冷卻點間之間距時,只要僅 將傾斜角之值作為參數來記憶即可。相反地,視其必要性, 而欲進一步追加射束點與冷卻點間之距離以外的參數時, 亦可將該參數預先記憶。 冷卻點位置調整量決定部(裂痕形成預定線推定 部)58,係相對光束行進路線,將移至位移偏置量距離(以 28 1358395 偏置量決定部57所法4 疋)之位置的線,推定為冷卻點所# 動之裂痕形成預定線。 7丨點所移 起始點位置調整控制部59, 46 . b ^ m η ^ λ. u 巧始點調整機構 進订用以使起始點形成部45在位 褐 上的移動動作控制。 衮展形成預定線 劃線頭升降控制部6G,係升降㈣頭& 點形成部45升降之押制。f p 進仃使起始 ^ ± 制亦即’在降下劃線頭31之肤能 ’使起始點形成部45接近M基板G之 〜、 形成起始點,直後,立g # ;基板端
Μ P"“ 點形成部45 i升,成A 離開Μ基板G之狀態,因而 成為 (動作例) 在基板W形成起始點。 其次’說明將該裂痕形成裝置適用 的動作例。 且深内插動作時 圖係說明分割刻印有對準標記之基板時、 之控制動作一實施例的流程圖。圖5係說明在各狀離 (Α)〜(D))之動作狀態的圖。 首先,圖5之狀態(a),係以位置續 rT ♦祖、住X* 夏B貝取機構來讀取基板 G之對準軚記(s 101)。接著,讀取γ U之直線内插值)。 軸方向之位置偏離量(圖 根據所讀取之位置偏離量(直線内插值),將連結對準 ^己Q之直線方向決定為光束行進路線L的方向,求 出此時之光束行進路線L與射束點 之長軸(基準軸、X軸) 所夾角度(傾斜角0 )(sl02)。 將求出之傾斜角Θ作為參數(或者,連同射束點/冷卻 29 44二著整,以喷嘴X轴調整機構43與喷嘴Y轴調整機構 40的位置’俾使冷卻點c 痕形成預定線M移動 斤推疋裂 成垂直之方…與光束行進路線 m 46 > μ ^ 地藉由起始點調整機
孬6 6周整成起始點形成部45 ~ 預定结1U ^ 1 矿木幻所推定之裂痕形成 預疋線M上的位置(S105)。 _接著,狀態(B),藉劃線頭升降控制部 頭31使起始點形成部45接觸於基板〇 成起始點〇1〇6)。 圖6 ’係、顯示狀態(B)時射束點B、冷卻 始點形成部45於Μ其刼r从, 及起 中心… 置關係。與射束點B長轴
置量CH】/ ),參照偏置量記憶部62來決定偏 胃4 8 3)。又,將從光束行進路線l位 位置推^成裂痕形成狀線聯阶 偏置里〇之 60來降下劃線 於基板端部形 匕之軌跡(光束行進路線L)相距偏置量之位置 係有所推定之裂㈣成職線M,起始點 Η 到裂痕形成預定線Μ所通過之基板端的位置心5步:來 使冷賴C來到裂痕形成預定線μ之延長線上。… 接者,狀態(C),係於基板端形成起始點 頭升降部60來使劃線頭31上升,在該狀態 二線 旋轉滾珠螺桿I 3之$遠? 3 動用以 22之^ (未圖示)與用以旋轉滾珠螺4 '3 ’使射束點Β沿光束行進路線L横越μ美干 G,並使冷卻點c沿推 土板 1Λ„ 衮痕形成預疋線Μ橫越Μ 板G(Sl〇7)。藉此,在冷卻點。所移動之裂痕形成預^ 30 1^^8395 Μ下形成垂直裂痕。 θ 7’_係顯示在狀態(C)M基板G中央部分之射束點Β 及冷郃點C移動時,其位置關係之圖。 ’、圖6同樣地’冷卻點c,配置於與光束行進路線[ 相距偏置量〇之位置(裂痕形成預定線Μ上之位置),而亦 脫離於射束點之長軸(χ軸)的延長線上。X,冷卻點c, 係石裂痕形成預定線Μ而橫越基板。
著狀態(D)中,使射束點與冷卻點完全通過基板〇, 而結束一連串之動作。 —藉由以上的動作,將裂痕的起始點(起點)Τ,形成於所 =疋之裂痕形成預^線Μ上,然後使冷卻點c沿該線移動, 糟此,能跨Μ基板整體而形成筆直之垂直裂痕。 上述動作例中,射束點Β在Μ基板g中央部分移動 時,雖係將冷卻點C配置於裂痕形成預定線Μ上,但由於 射束點Β在Μ基板G端部移動時時,係由射束點β之長 轴中 '位置來支配裂痕之形成位置,因此不見得須將冷卻 點c位置配置於裂痕形成預定線M上之位置。 (變形動作例) 上述動作例令,雖將裂痕在對準標記間形成為直線, 但亦可藉由在射束點B之移動中,逐漸改變光束行進路線 L相對射束點之長軸(基準軸)的角度(傾斜角θ),來沿曲線 形狀形成裂痕。此時,由於傾斜角會變動,因此係配合傾 2角β逐—求出偏置量0,再推定出裂痕形成預定線。接 著,使冷卻點C沿裂痕形成預定線移動,藉此,能沿著所 31 1358395 名欠曲線形狀來形成垂直裂痕。 上述實施形態中,雖設有使裝載M基板G之載台% 驅動於X軸及Y軸二方向的驅動機構,但亦可設置使°安裝 於安裝台32之劃線頭31驅動於X軸方向、使裝载基板: 之載台26驅動於Y軸方向的驅動機構。
圖丨5,係顯示本發明之裂痕形成裝置之另一實施形 態。圖15中’裂痕形成裝置70,具備:橋部66,係= 固定在架台(未圖示)之導軌61往圖中Y軸方向移動;以2 劃線頭64,係可沿橋部66之本體部63而往圖中χ軸方向 移動。於劃線頭64下方,配置有能使玻璃基板G移動= 圖中Υ軸方向之載台65。 裂痕形成裝置70,與前述裂痕形成裝置1〇同樣具備 控制部50及偏置量記憶部62。 當載台65將玻璃基板G移動於圖中γ軸方向時,係 一邊控制橋部66沿導軌61移動於圖中Ύ軸方向的速度' 以及劃線頭64沿橋部66之本體部63移動於圖中χ ^方 向的速度,一邊將玻璃基板G分割成既定長度。 此時,裂痕形成裝置70,係藉由控制部5〇使劃線頭料 進行與前述裂痕形成裝置10相同的直線内插動作。亦即, 一邊使冷卻點沿裂痕形成預定線進行相對移動’一邊以使 光束行進路線相對射束點之長軸(基準軸)呈傾斜的方式, 使射束點與基板G進行相對移動來形成裂痕。藉此,可將 玻璃基板G例如分割成四角呈直角、且四邊為直線之矩形。 又’藉由將起始點形成於裂痕形成預定線上,由於可使裂 32 1358395 痕產生位置與裂痕形成預定線一致,因此可防止在劃線之 開始點及終點附近、即玻璃基板G的端部,產生偏折或先 行裂痕之類的不良狀況。 本發明可用於製造對跪性材料基板以良好精度形成裂 痕之裂痕形成裝置。其具體之用途可舉例為,用在液晶面 板、電聚顯示面板、有機EL顯示面板等平板顯示面板、 或陶瓷電谷、半導體晶片等脆性材料基板之加工。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明一實施形態之裂痕形成裝置的構成圖。 圖2係依功能說明本發明一實施形態之裂痕形成裝置 之控制部的功能方塊圖。 θ係'說明用於本發明另-實施形態之裂痕形成裝置 置嚴s己憶部所儲存内容的圖。 、七圓4係說明本發明一實施形態之裂痕形成裝置之動作 々IL程的圖。 置之.()(Μ係說明本發明一實施形態之裂痕形成裝 圖T裂痕形成動作中各步驟(狀態(A)〜(D)]之動作狀態 圖 6 / 係、說明本發明-實施形態之裂痕%成裝置於狀態 時起始點、鉍 对了果點、以及冷卻點於基板之位置關係 圖 7 # # ν ,、说月本發明—實施形態之裂痕形成裝置於狀態 v y叶,起妒 圖。 士束點、以及冷卻點相對基板之位置關係 33 1358395 圖8係說明習知裂痕形成裝置之動作的圖。 圖9係說明習知裂痕形成裝置之射束點與冷卻點的位 置關係圖。 圖10係說明靜止中之射束點與移動中之射束點之加熱 峰值位置的圖。 圖11係說明以刻印於基板之對準標記來測定之位置偏 移量與直線内插的圖。 圖12係說明具有長軸之射束點之直線内插移動狀態的 圖0 圖13係說明在具有長軸之射束點的情形時,光束行進 路線與裂痕形成預定線之關係、以及和長軸方向(基準軸 向)的關係。 圖14係說明使用習知裂痕形成裝置以在基板形成裂痕 之狀態圖。 又 圖15係說明本發明之再一實施形態之裂痕形成 搆成圖。 足叼 圖16係說明於基板形成裂痕時產生之「偏折」的圖。 圖。圖17係說明於基板形成裂痕時產生之「先行裂痕」的 【主要元件符號說明】 11 12 13, 22 架台 滑動台 滾珠螺桿 34 1358395
14, 15, 21 導軌 16, 24 滚珠螺帽 19 台座 23 馬達 26 載台 31 劃線頭 33 光學保持具 34 雷射振盪器 35 透鏡光學系統 38, 39 CCD攝影機 40 冷卻部 42 喷嘴 43 喷嘴X軸方向驅動機構 44 噴嘴Y軸方向驅動機構 45 起始點形成部(刀輪) 46 起始點調整機構 50 控制部 51 雷射照射控制部 52 冷媒喷射控制部 53 基板位置讀取控制部 54 射束點/冷卻點驅動控制部 55 冷卻點位置調整控制部 57 偏置量決定部 58 裂痕形成預定線推定部 35 1358395 59 起始點位置調整控制部 60 劃線頭升降控制部 62 偏置量記憶部
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Claims (1)
1358395 十、申請專利範圍: 1· 一種裂痕#成方:¾•,係將形成實質上具有長轴之射 束點的雷射光束照射於脆性材料基板,JL形成嗔射冷媒之 、令部點#由雷射光束照射之加熱與冷媒喷射之冷卻,而 在局部產生熱變形,以在該基板形成垂直裂痕,其特徵在 以光束行進路線方向相對定為與射束點之長轴方向— 致的基準軸方向呈斜向之方式,使射束點相對該基板移 動,藉此使冷卻點沿與光束行進路線相距偏置量之位置(裂 痕形成預定線)相對移動;該光束行進路線方向,係射束點 之長軸中心移動的軌跡。 ” 其中,係 2·如申請專利範圍帛1項之裂痕形成方法 /口裂痕形成預定線來形成垂直裂痕。 其中,裂 3.如申請專利範圍帛1項之裂痕形成方&… 痕形成預疋線,係射束點所形成 ^ 々珉之被同溫度到達點的執 跡0 (如申請專利範圍第3項之裂痕形成方法,1 Γ射束行進時,^由紅外線溫度計以非接財式測量 基板表面之溫度分布’ 一邊收集最高溫度到達點的位置資 料、一邊進行雷射劃線。 π位罝貢 法,其中,在 光束行進路線 '來決定偏置 ’並將冷卻點 5·如申請專利範圍帛1項之裂痕形成方 使射束點相對基板移動時,求出該基準軸與 間之傾斜角,至少將該傾斜角作為參數之' 量,藉此預先推定出裂痕形成預定線之位置 37 之 位置执 A 痕形成使冷卻點在所推定之裂痕形成預定線上或裂 預疋線附近進行相對移動。 了二如申請專利範圍帛5項之裂痕形成方法,其中 了遠傾斜角以冰+ T除 數以決定偏置量射束點與冷卻點間之距離來作為參 -定7::申請專利範圍帛5項之裂痕形成方法,其中,在 2 ::點之位置時,係使冷卻點在與光束行 直之方向變化位置。 [ 其:如申請專利範圍帛1項之裂痕形成方法,其中,在 :^!始形成裂痕時,係預先在裂痕形成預定線上之基 移動。 趣始點後,再使射束點相對基板 9.如申請專利範圍第5項之裂痕形成方法,其 含該基準轴之平面内裝載基板的基板裝載部,將 &基板位置指標之對準標記的基板裝載於基板裝 貝i出該對準標5己相對和該基準轴方向相關連之基 :立置的相對位置,根據檢測出之對準標記位置,首 直軸之偏離量的直線内插值,根據所算出二 插值來決定光束行進路線的方肖,並算出所決定之 ▲订進路線與該基準軸之傾斜角,至少將該傾斜角作為 ::::::決Ϊ偏置量’藉此預先推定出與光束行進路線 2偏置置之裂痕形成預定線的位置,以將冷卻點之位置 认疋成使冷卻點在所推定之裂痕形成預定線上或所推定之 裂痕形成預定線附近進行相對移動。 38 2·一種裂痕形成裝置,具備: 雷射光束照射部 點的雷射光束; 上具有長勒之射束 冷卻部,係形成冷卻點; 射束點驅動部,係 脆性材料基板移動,, 對裝載於基板裳載台之 冷卻點親動部,係使冷卻 及 7 °亥基板進行移動,·以 控制部,係控制上述各部,· 藉由使射束點及冷卻點相斜I 4 與冷卻所造成之 # ,土板移動,以產生由加熱 I < <匈0p熱變形,获 痕,其特徵在於: 9 性材料基板形成裂 控制部’係以射束點驅動部 射束點之長軸中心的移 -#束點的移動,使 傾斜於;tΜ㈤ 軌跡、即光束行進路線的方向, ㈣於疋為與射束點之實質長轴方 此時,控制冷卻點驅動部 彡的基準軸方向, 斑光束行進路… 的移動,俾使冷卻點沿 畀尤來仃進路線相距偏置 相對移動。 置(裂痕形成預定線)進行 11. 如申請專利範圍第10 步具備红外線γ 1之裂痕形成裝置,其進一 =旦美板It 雷射光束行進時以非接觸方式 此里基板表面的溫度分布, 咧量之其虹矣品 Λ 工制口ρ,係從以紅外線溫度計 測里之基板表面溫度分布 枓,爯您吁你婆吹_Μ β 取问,皿度到達點的位置資 料再從该位置貢料算出該偏置量。 12. 如申請專利範圍第1〇 項之裂痕形成裝置,其進一 39 丄ο:)幻95 ^ 〃備偏置量記憶部,係儲存該基準軸與光束行進路線間 之傾斜角與偏置量的關係; 控制部,係將射束點移動時之傾斜角當作至少一個表 .=’ ^照偏置量記憶部以決定偏置量,根據所決^之偏置 里推定出裂痕形成預定線,並控制冷卻點驅動部之冷卻點 2移動’俾使冷卻點在所推定之裂痕形成預㈣上或所推 疋之裂痕形成預定線附近進行相對移動。 • I3·如申請專利範圍第12項之裂痕形成裝置,发中, =置量記憶部,除了該傾斜角以外,亦騎束點與冷卻點 S之距離作為參數來儲存與偏置量之關係。 Μ.如申請專利範圍第12項之裂痕形成裝置,其中, 射束=驅動部與冷卻點驅動部係以射束點與冷卻點連動之 方式-體構成’並進一步具備用以調整冷卻 之位置的冷卻點位置調整部,控制部係根據參昭偏置ί: , 、 偏置里,藉由冷卻點位置調整部來調整冷 部點相對射束點之位置。 15.如申請專利範圍第14項之裂痕形成裝置,其中, 冷卻點位置調整部,係使冷卻點在與光束行進路線呈垂直 之方向變化位置。 以如申請專利範圍第12項之裂痕形成裝置1進一 f具備:起始點形㈣,係形成作為裂痕形成之起點 置;&起始點位置調整部’係調整起始點形成部之位 控制部,在基板端開始形成裂痕時,係預先在所推定 1358395 之裂痕形成預定線上的基板端,設定起始點形成部之位 置。 十一、圖式: 如次頁
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004309958 | 2004-10-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200621661A TW200621661A (en) | 2006-07-01 |
TWI358395B true TWI358395B (zh) | 2012-02-21 |
Family
ID=36227765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094137226A TW200621661A (en) | 2004-10-25 | 2005-10-25 | Method and device for forming crack |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7726532B2 (zh) |
EP (1) | EP1806202B1 (zh) |
JP (1) | JP4722054B2 (zh) |
KR (1) | KR100821937B1 (zh) |
CN (1) | CN100475419C (zh) |
AT (1) | ATE520495T1 (zh) |
MX (1) | MX2007005018A (zh) |
TW (1) | TW200621661A (zh) |
WO (1) | WO2006046525A1 (zh) |
Families Citing this family (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007018674A1 (de) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Lzh Laserzentrum Hannover E.V. | Verfahren zum Bilden von Durchgangslöchern in Bauteilen aus Glas |
EP2151149A1 (de) * | 2007-04-25 | 2010-02-10 | CeramTec AG | Chip-resistor-substrat |
WO2008133800A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-11-06 | Corning Incorporated | Apparatus, system, and method for scoring a moving glass ribbon |
JP5011048B2 (ja) | 2007-09-27 | 2012-08-29 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の加工方法 |
KR100949152B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2010-03-25 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 유리 기판 레이저 절단 장치 |
CN101468875A (zh) | 2007-12-24 | 2009-07-01 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 脆性非金属基材及其切割方法 |
KR101139306B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2012-04-26 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성 재료 기판의 크랙 형성 방법 |
CN101497150B (zh) * | 2008-02-01 | 2012-10-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 激光切割装置 |
KR100848854B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2008-07-30 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 취성기판의 스크라이빙 장치 및 그 방법 |
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KR101041137B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 |
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- 2005-10-25 CN CNB2005800365599A patent/CN100475419C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-25 WO PCT/JP2005/019533 patent/WO2006046525A1/ja active Application Filing
- 2005-10-25 AT AT05805249T patent/ATE520495T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-25 EP EP20050805249 patent/EP1806202B1/en not_active Not-in-force
- 2005-10-25 JP JP2006543142A patent/JP4722054B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-25 MX MX2007005018A patent/MX2007005018A/es active IP Right Grant
- 2005-10-25 US US11/575,589 patent/US7726532B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-25 TW TW094137226A patent/TW200621661A/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-10-25 KR KR1020077008844A patent/KR100821937B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1806202A4 (en) | 2009-05-06 |
CN100475419C (zh) | 2009-04-08 |
US20070228100A1 (en) | 2007-10-04 |
ATE520495T1 (de) | 2011-09-15 |
JP4722054B2 (ja) | 2011-07-13 |
US7726532B2 (en) | 2010-06-01 |
MX2007005018A (es) | 2008-02-19 |
EP1806202A1 (en) | 2007-07-11 |
KR100821937B1 (ko) | 2008-04-15 |
JPWO2006046525A1 (ja) | 2008-05-22 |
EP1806202B1 (en) | 2011-08-17 |
TW200621661A (en) | 2006-07-01 |
KR20070051945A (ko) | 2007-05-18 |
WO2006046525A1 (ja) | 2006-05-04 |
CN101048255A (zh) | 2007-10-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |