TWI355022B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI355022B TWI355022B TW096139510A TW96139510A TWI355022B TW I355022 B TWI355022 B TW I355022B TW 096139510 A TW096139510 A TW 096139510A TW 96139510 A TW96139510 A TW 96139510A TW I355022 B TWI355022 B TW I355022B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- treatment
- cleaning
- supply
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 573
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 170
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 70
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 58
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 50
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 23
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 17
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 77
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 6
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008451 emotion Effects 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
1355022 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關例如對半導體晶圓等之基板進行洗淨處 理之洗淨裝置,洗淨方法以及電腦可讀取之記憶媒體。 【先前技術】 在半導體裝置的製造過程或平面面板顯示器(FPD ) 的製造過程中,多採用對被處理基板之半導體晶圓與玻璃 基板供應處理液以進行液體處理之工程(Process )。此 種工程之例有例如爲去除附著於基板之顆粒或污染等之洗 淨處理。 習知的此種液體處理裝置係將半導體晶圓等基板保持 可旋轉,並在基板被旋轉的狀態下,對晶圓表面或背面或 表、背面供應處理液俾在晶圓表面或表、背面形成液膜以 進行處理之葉片式裝置。 在基板的背面或表背面形成液膜以進行處理之習知裝 置有在基板的背面側設置可旋轉的旋轉板,並在設置於該 旋轉板中央的孔部設置具有基板支撐功能並具有液體噴出 口之非旋轉式液體噴出板,再將該液體噴出板設成可以升 降,並在該液體噴出板突出上方之狀態下,在該_承接基 板,然後使液體噴出板下降並以設置於旋轉板之保持構件 保持基板於水平,並由連續設置於液體噴出口下方的液體 噴出噴嘴對基板與旋轉板之間供應洗淨液或刷洗液,且在 形成液膜的狀態下清洗基板的背面(例如特開平9_298 1 8 1 1355022 號公報)。 可是,設置於上述液體噴出口周圍之液體噴出板在處 理途中有時藥液飛散而被污染。另外,有時候處理前被污 染的基板會接觸液體噴出板而受到污染。如上述,液體噴 出口周圍一被污染,在卸下基板時以液體噴出板支撐基板 等,洗淨後之基板背面有接觸到被污染的部分而受到污染 之虞。因此,雖然處理基板時也被要求清洗液體噴出板, 惟因液體噴出口通常爲非旋轉式,因此液體噴出口周圍的 液體噴出板也是非旋轉式,在洗淨處理或刷洗處理時,無 法充分形成液膜以致有時清洗不充分。 【發明內容】 本發明之目的在提供一種在洗淨基板背面時,可以充 分清洗位於基板背面側中心部分之液體噴出口之周圍部分 的洗淨裝置以及洗淨方法。另外,本發明之目的在提供一 種記憶執行該項洗淨方法之控制程式之電腦可讀取之媒體 0 本發明之第1形態提供一種洗淨裝置,其具備:基板 保持部,具有:配置成可在水平旋轉的旋轉板,以及在該 旋轉板上方離開適當距離而在水平狀態將基板與上述旋轉 板保持成一體的保持構件; 旋轉機構,使上述旋轉板與基板一起旋轉; 液體噴出口,位於上述旋轉板的旋轉中心附近,以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體; 1355022 背面側液體供應噴嘴,連接於上述液體噴出口,並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液; 杯部,圍繞保持於上述基板保持部的基板;以及 控制機構,用於控制上述基板的旋轉與液體的供應; 上述控制機構用於控制:使上述旋轉板與上述保持構 件所保持之基板一起旋轉,並在該狀態下,經由上述噴出 口使洗淨液由上述背面側液體供應噴嘴噴出口洗淨液俾在 基板背面形成洗淨液的液膜之洗淨處理;然後,在接連旋 轉基板的狀態下,經由上述液體噴出口使刷洗液由上述背 面側液體供應噴嘴噴出俾在基板背面形成刷洗液的液膜之 刷洗處理;然後以特定的旋轉數使基板旋轉以進行甩乾處 理; 在此,上述控制機構在上述洗淨處理與刷洗處理中, 用於控制:經由上述液體噴出口使上述洗淨液或與上述刷 洗液相對應之處理液由上述背面側液體供應噴嘴噴出俾在 基板背面形成液膜,接著暫時停止來自上述背面側液體供 應噴嘴的上述處理液之供應,然後使再噴出上述處理液俾 在上述液體噴出口的周圍部分也形成液膜以處理基板與液 體噴出口之周圍部分。 本發明的第2形態提供一種洗淨方法,其具備:基板 保持部,具有:配置成可在水平旋轉的旋轉板,以及在該 旋轉板上方離開適當距離而在水平狀態將基板與上述旋轉 板保持成一體的保持構件; -6- 1355022 旋轉機構,使上述旋轉板與基板一起旋轉; 液體噴出口,位於上述旋轉板的旋轉中心附近,以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體; 背面側液體供應噴嘴,連接於上述液體噴出口,並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液;以及 杯部,圍繞保持於上述基板保持部的基板;其特徵爲 具備: 將基板保持於上述基板保持部之工程; 使上述旋轉板與基板一起旋轉之工程: 具有在基板被旋轉之狀態下,進行經由上述噴出口將 洗淨液由上述液體供應噴嘴噴出俾在基板背面形成洗淨液 之液膜的洗淨處理之工程; 具有隨後在基板被旋轉之狀態下,直接連續進行經由 上述液體噴出口由上述背面側液體供應噴嘴噴出刷洗液俾 在基板背面形成刷洗液之液膜的刷洗處理之工程;以及 隨後以特定之旋轉數旋轉基板以進行甩乾處理之工程 » 在此,上述洗淨處理或刷洗處理具備: 經由上述液體噴出口使上述洗淨液或與上述刷洗液相 對應處理液由上述背面側液體供應噴嘴噴出俾在基板背面 形成液膜之工程; 隨後暫時停止來自上述背面側液體供應噴嘴之上述處 理液之供應之工程;以及 1355022 隨後再使上述處理液噴出俾在上述液體噴出口之周圍 部分也形成液膜以處理基板與液體噴出口的周圍部分之工 程。 本發明之第3形態提供一種電腦可讀取之記憶媒體, 係記憶有用於控制洗淨裝置而可在電腦上操作之控制程式 ;該洗淨裝置具備:基板保持部,具有:配置成可在水平 旋轉的旋轉板以及在該旋轉板上方離開適當距離而在水平 狀態將基板與上述旋轉板保持成一體的保持構件; 旋轉機構,使上述旋轉板與基板一起旋轉; 液體噴出口,位於上述旋轉板的旋轉中心附近,以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體; 背面側液體供應噴嘴,連接於上述液體噴出口,並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液; 杯部,圍繞保持於上述基板保持部的基板:其特徵爲 具備: 上述控制程式在執行時,控制洗淨裝置進行洗淨方法 ,上述洗淨方法具備: 將基板保持於上述基板保持部之工程; 使上述旋轉板與基板一起旋轉之工程; 具有在基板被旋轉之狀態下,進行經由上述噴出口將 洗淨液由上述液體供應噴嘴噴出俾在基板背面形成洗淨液 之液膜的洗淨處理之工程; 具有隨後在基板被旋轉之狀態下,直接繼續經由上述 1355022 液體噴出口由上述背面側液體供應噴嘴噴出刷洗液俾在基 板背面形成刷洗液之液膜的刷洗處理之工程;以及 隨後以特定之旋轉數旋轉基板以進行甩乾處理之工程 > 在此,上述洗淨處理與刷洗處理具備: 經由上述液體噴出口使上述洗淨液與上述刷洗液之相 對應處理液由上述背面側液體供應噴嘴噴出俾在基板背面 形成液膜之工程; 隨後暫時停止來自上述背面側液體供應噴嘴之上述處 理液之供應之工程;以及 隨後再使上述處理液噴出俾在上述液體噴出口之周圍 部分也形成液膜以處理基板與液體噴出口的周圍部分之工 程。 在上述第1至第3形態中,在暫時停止上述處理液之 供應後再噴出上述處理液時,可以使上述處理液之噴出量 比停止前的噴出量爲減少。更可以具有上述處理液之處理 後,將上述背面側液供應噴嘴內之上述處理液噴出之工程 。上述處理液爲上述刷洗液;在基板背面爲疏水性時,上 述刷洗處理具備:在上述再度噴出上述處理液後,停止上 述處理液之供應之工程;然後,可以噴出上述背面側液體 供應噴嘴內之上述處理液。上述處理液爲上述刷洗液;在 基板背面爲親水性時,上述刷洗處理可以具備在暫時停止 上述處理液之供應後再度噴出上述處理液時,使上述處理 液之噴出量比停止前之噴出量減少,然後,使上述處理液 -9- 1355022 之噴出量增加之工程。也可以具備上述甩乾處理之前,藉 由上述乾燥氣體供應機構對基板背面的中央部分供應乾燥 氣體之工程。 在上述第1至第3形態中,上述處理液爲上述刷洗液 ,上述刷洗處理具備:在暫時停止上述處理液之供應後再 度噴出上述處理液時,使上述處理液之噴出量噴出比停止 前之噴出量爲少量俾在上述液體噴出口之周圍部分也形成 液膜’然後增加上述處理液之供應量俾處理基板與液體噴 出口之周圍部分;然後減少上述處理液之供應量,然後使 上述處理液之供應停止之工程;上述控制部或方法可以具 備:在上述甩乾處理之前,由上述甩乾氣體供應機構對基 板背面之中央部分供應乾燥氣體之工程。 在上述第1至第3形態中,上述旋轉板在其中心部分 具有孔,上述洗淨裝置可另具備配置於上述的孔而具有上 述液體噴出口的非旋轉的液體噴出板。上述液體噴出板被 插穿於該孔成可升降,在對上述基板保持部交接基板時, 可以保持基板升降。上述液體噴出板至少其表面可以疏水 性材料來構成。洗淨處理與刷洗處理時之基板旋轉數可以 設定爲200至700rpm,而上述乾燥處理時之基板旋轉數 可以設定爲500至1 OOOrpm。 【實施方式】 以下,參照附圖詳細說明本發明之實施形態。在此, 針對適用本發明於進行半導體晶圓(以下簡稱晶圓)之表 -10- 1355022 背面洗淨之液體處理裝置之情形加以說明。 圖1爲表示本發明之一實施形態的洗淨裝置的槪略構 造之剖面圖’圖2爲其平面圖’圖3爲表不圖1之洗淨裝 置之洗淨液供應機構以及刷洗液供應機構:圖4爲表示將 配置圖1之洗淨裝置之液體噴出板之部分擴大之剖面圖, 圖5爲表示將圖1之洗淨裝置之排氣、排液部擴大之剖面 圖。 該洗淨裝置100係組裝多部於未圖示之液體處理系統 中’而具備:底板(base plate ) 1,用於將被處理基板之 晶圓W保持成可旋轉之晶圓保持部2;使該晶圓保持部2 旋轉的旋轉馬達3;旋轉杯4,設成圍繞保持於晶圓保持 部2之晶圓W,而且與晶圓保持部2 —起旋轉;用於對晶 圓W之表面供應處理液之表面側液體供應噴嘴5;對晶圓 W背面供應處理液之背面側液體供應噴嘴6 ;以及設置於 旋轉杯4之周緣部之排氣排液部7。另外,設有外殻8在 排氣排液部7之周圍與晶圓W之上方。在外殻8上部設 有氣流導入部9,係透過設置於側部之導入口 9a導入來 自液體處理系統之扇濾器(FFU )的氣流,可對保持於晶 圓保持部2之晶圓W供應清淨空氣的降流( Down flow ) ο 晶圓保持部2具備:形成設置於水平之圓盤狀的旋轉 板〗1,以及連接於其背面的中心部分而垂直延伸至下方 的圓筒狀旋轉軸12。旋轉板11之中心部分形成有連通旋 轉軸1 2內的孔1 2a的孔1 1 a。而且在中心部分垂直形成 -11 - 1355022 有背面側液體供應噴嘴6的升降構件1 3被設成可以在孔 12a與孔lla內升降。旋轉板η設有用於保持晶圓w之 外緣之保持構件1 4 ’如圖2所示,該3者係以等間隔配 置。該保持構件14係以晶圓W稍爲由旋轉板11浮出之 狀態將晶圓W保持於水平。該保持構件1 4具備··可以保 持晶圓W之端面的保持部14a;由保持部14a延伸至旋轉 板背面側中心方向之連接部14b ;以及使保持部14a在垂 直面內轉動的旋轉軸14c,藉由未圖示之汽筒(cylinder )機構將連接部14b之前端部往上推,保持部14a即轉動 至外側以解除晶圓W之保持。保持構件1 4係藉由未圖示 之彈簧機構施壓於保持部14a保持晶圓W之方向,且不 使汽筒機構運轉時,成爲藉由保持構件14保持晶圓W的 狀態。 旋轉軸12係藉由具有兩個軸承15a之軸承構件15支 撐於基板1成可旋轉。在旋轉軸12下端部嵌入有滑輪( Pulley) 16,在滑輪16被繞掛皮帶17。皮帶17也被繞掛 在安裝於馬達3之軸之滑輪18上。而且藉由旋轉馬達3 ,經由滑輪18,皮帶17以及滑輪16旋轉旋轉軸12。 表面側液供應噴嘴5係以被保持在噴嘴保持構件22 之狀態裝設於噴嘴臂22a之前端,而由後面所述之液體供 應機構85通過設置於噴嘴臂22a內之流路供應處理液等 液體,並且透過設置於其內部之噴嘴孔5a噴出液體。 也如圖2所示,噴嘴臂2 2 a係利用驅動機構8 1以軸 23爲中心設成可以轉動,藉使噴嘴臂22a轉動,表面側 -12- 1355022 液體供應噴嘴5可以取得晶圓W中心上面與外周上面之 晶圓洗淨位置,以及晶圓W之外方的閃避位置。另外, 噴嘴臂22a可以利用汽筒機構等之升降機構82上下移動
如圖3所示,在噴嘴臂22a內設有流路83,而表面 側液體供應噴嘴5之噴嘴孔5a與流路83之一端相連。此 外,流路83之另一端連接有配管84a。配管84a連接到 液體供應機構85,並透過配管84a,流路83由液體供應 機構85將特定的液體供應到表面液體供應噴嘴5。 背面側液體供應噴嘴6係設置於升降構件1 3之中心 ,而在其內部形成沿著長度方向延伸的噴嘴孔6a。在噴 嘴孔6a下端連接有配管84b。而配管84b被連接到液體 供應機構85,並透過配管84b由液體供應機構85將特定 之液體供應到背面液體供應噴嘴6。 液體供應機構85具有供應做爲洗淨處理之藥液,例 如酸性藥液之稀氟酸(DHF)之DHF供應源86 ;供應鹼 性藥液之氨化水(SCI )之SCI供應源87 ;以及供應做爲 刷洗液之例如純水(DIW )之DIW供應源88。由DHF供 應源86,SCI供應源87,DIW供應源88延伸有配管89a ,90a,91a,該等配管89a,90a,91a透過開閉閥92a, 93a,94a連接到配管84a。因此,藉由操作開閉92a,93a ,94a,即可選擇性地將氨化水(SCI),稀氟酸(DHF) ,純水(DIW )供應至表面側液體供應噴嘴5。 另外,由DHF供應源86,SCI供應源87,DIW供應 -13- 1355022 源88也有配管89b,90b,91b延伸,該等配管89b,90b ,91b藉由開閉閥92b,93b,94 b連接至配管84b。因此 藉由操作開閉閥92b,93b,94b即可選擇性地對背面側液 體供應噴嘴6供應氨化水(SCI ),稀氟酸(DHF )與純 水(DIW )。此外,在配管84b的開閉閥92b下游側設有 開閉閥95,該開閉閥95連接有噴出管96。該噴出管96 由於液體本身之重量或吸氣器(Aspirator )等的吸引, 可以噴出噴嘴孔6a內之液體。 此外,由DIW供應源88延伸之配管91a,91b被連 接到配管84a,84b之最上游側。 如圖4之擴大圖所示,升降構件13之上端部具備中 央連接到背面側液體供應噴嘴6之噴嘴孔6a,並具有用 於噴出液體之液體噴出口 24a之液體噴出板24。在液體 噴出板24上面具有三支用於支撐晶圓W之晶圓支撐銷25 (圖中僅示二支)。液體噴出板24上部呈寬大的圓錐梯 形,在處理中係如圖示,被收容於孔la內,而其表面高 度約略與旋轉板11之表面高度相一致。孔11a呈現與液 體噴出板24相對應的圓錐梯形。在旋轉板11與液體噴出 板24之間形成間隙24b,而由旋轉軸12下方通過旋轉軸 1 2與升降構件1 3之間的間隙所供應之氮(N2 )氣可由間 隙24b吹出晶圓W的背面側。藉此可防止液體入侵旋轉 軸12內部。 在升降構件13下端藉由連接構件26連接有汽筒機構 27,利用該汽筒機構27使升降構件13升降俾晶圓W升 -14- 1355022 降以進ί了晶圓W的裝載(loading)與卸載(Unloading) ο 旋轉杯4具備:由旋轉杯1 1端部上方延伸至內側斜 上方之圓環狀保護部31,以及由保護部31外端部延伸至 垂直下方之筒狀外側壁部32。而且如圖5之擴大圖所示 ,在外側壁部32與旋轉板1 1之間形成有圓環狀的間隙 33,晶圓W隨著旋轉板11與旋轉杯 4旋轉而飛散的洗 淨液與刷洗液由該間隙3 3被引導之下方。 在保護部31與旋轉板11之間與晶圓W大致同高的 位置裝設有板狀的引導構件35。底部31與引導構件35 之間,以及引導構件3 5與旋轉板1 1之間分別形成用於通 過洗淨液與刷洗液之開口 36,37。該開口 36,37係由在 保護部31與引導構件35之間以及引導構件35與旋轉板 1 1之間沿著圓周方向介設的多個間隔構件(未圖示)所 構成。而且保護部31,引導構件35,旋轉板11與該等之 間的間隔構件是以螺絲40所固定(參照圖5 )。 引導構件35之表背面被設成大致上與晶圓W的表背 面相連接。而在利用馬達3使晶圓保持部2與旋轉杯4與 晶圓W —起旋轉俾由表面側液體供應噴嘴5對晶圓W表 面中心供應處理液時,處理液由於離心力而擴展至晶圓W 表面,而由晶圓W之周緣甩開。由該晶圓W表面甩開之 處理液被引導至引導構件35之表面而由開口 36噴出外部 ,而由外側壁部32引導至下方。另外,相同地使保持部 2與旋轉杯4與晶圓W —起旋轉而由背面側液體供應噴嘴 -15- 1355022 6將處理液供應到晶圓W背面之中心時,處理液由於離心 力而擴展至晶圓W背面,而被由晶圓W周緣甩開。由該 晶圓W背面甩開之處理液,被引導至大致連續設置之引 導構件35背面而由開口 37噴出外部,並被外側壁部32 引導至下方。此時,到達外側壁部3 2之處理液受到離心 力的作用,而成爲霧氣而被阻止返回內側。
此外,引導構件3 5如上所述,係用於引導由晶圓W 表面與背面甩開之處理液,因此,由晶圓W之周緣脫離 之處理液不容易成爲亂流,而可以不霧化處理液而引導至 旋轉杯4。另外,如圖2所示,引導構件3 5上,與晶圓 保持構件1 4相對應的位置設有缺口部4 1以避開晶圓保持 構件H 排氣、排液部7主要用於回收由旋轉板11與旋轉杯 4所圍繞的空間所噴出氣體與液體者;而也如圖5之擴大 圖所示,具備:用於承受由旋轉杯4所噴出之洗淨液或刷 洗液之呈現環狀之排液杯5 1,以及與排液杯5 1形成同心 狀之環狀以收容排液杯5 1之排氣杯52。 如圖1與圖5所示,排液杯51在旋轉杯4之外側具 備:接近於外側壁部32而垂直設立且呈筒狀之外周壁53 ,以及由外周壁53下端部朝向內側延伸的內側壁54。在 內側壁54之內周垂直形成內周壁54a。由該等外周壁53 與內側壁5 4所限定之環狀空間形成液體收容部5 6以收容 由旋轉杯4所噴出之洗淨液與刷洗液。另外,在外周壁 53上端爲防止來自排液杯51之處理液的飛濺而設置突出 -16- 1355022 至旋轉杯4之上方部分之突出部53a。在與液體收容部56 之保持構件1 4之外側相對應之位置具有由內側壁54延 伸至旋轉板11之下面附近,並沿著排液杯51的周圍方向 設置成環狀的區隔壁55。而且液體收容部56被該區隔壁 55分離成用於承接由間隙33噴出之液體的主杯部56a, 以及用於承接由保持構件14的保持部14a附近部分滴下 之液體的副杯部56b。液體收容部56之底面57被區隔壁 55分隔爲與主杯部56a相對應之第1部分57a與與副杯 部5 6b相對應之第2部分57b,兩者皆由外側朝內側(旋 轉中心側)傾斜上升。而第2部分5 7b之內側端到達與比 保持構件1 4之保持部1 4a更內側(旋轉中心側)相對應 的位置。區隔壁55具有,在旋轉11旋轉時,阻止由突出 於保持構件14之旋轉板11下方的部分所形成的氣流伴隨 霧氣到達晶圓W側的功能。在區隔壁5 5形成有用於由副 杯部 56b將處理液引導至主杯部56a的孔58 (參照圖1 )° 在排液杯51的內側壁54之最外側部分設有由液體收 容部56排液的一處排液口 60,在排液口 60連接有排液 管61(參照圖1)。排液管61設有排液切換部(未圖示 )’可以根據處理液之種類區別回收或廢棄。另外,排液 口 60也可以設置多個。 排氣杯52具備:在排液杯51之外周壁53的外側部 分垂直設置之外側壁64 ;在保持構件1 4的內側部分垂直 設置且其上端接近旋轉杯11之內側壁65;設置於底板1 -17-
1355022 上面之底壁66 ;以及上側壁67,設成由外側壁64 曲,而覆蓋旋轉杯4上方β而且,排氣杯52由該 67與旋轉杯4的保護部31之間形成環狀之導入匚 集旋轉杯4與其周圍之主要爲氣體成分而噴出。另 排氣杯52下部,如圖1與圖5所示,設有排氣口 排氣口 70連接有排氣管71。排氣管71下游側設 示之吸引機構,可以排除旋轉杯4周圍的氣體。 70設有多個,可以根據處理液的種類切換使用。 在排液杯51外側壁之外周壁53與排氣杯52 壁64之間形成環狀的外側環狀空間99a,另外在 51之底部與排氣杯52之底部之間的排氣口 70的 分沿著周圍方向設有形成有許多通氣孔98之環狀 整構件97 »而且外側環狀空間99a與氣流調整構供 收容於排氣杯52中,而具有調節到達排氣口 70之 均勻排氣之功能。亦即,如上述藉由通過環狀空間 環狀空間99a將氣流整周均句地引導至下方,並設 有許多通氣孔98的氣流調節構件97俾賦予壓力損 氣流阻力並分散氣流,即可不拘與排氣口 7〇之距 比較均勻的排氣。 另外,在排氣杯51之內周壁54a與排氣杯52 壁6 5之間形成有呈環狀的內側環狀空間99b,此 排液杯5 1之內周側形成有與排氣杯52之間的間f 而由導入口 68導入之氣體成分不僅流入外側環 99a,也流入一些到排液怀51之液體收容部56, 向上彎 上側壁 丨68收 外,在 70,而 有未圖 排氣口 之外側 排液杯 外側部 氣流調 :97被 氣流而 的外側 置形成 失,即 離進行 之內側 外,在 i 77 · 狀空間 該氣流 -18- 1355022 由液體收容部56通過內側環狀空間99b而在整周被均勻 向下引導,通過間隙77而由排氣口 70比較均勻地進行排 氣。
如上述,來自排液杯5 1之排液與來自排氣杯5 2之排 氣係獨立進行,因此,可以將排液與排氣以分離狀態引導 。另外,縱使由排液杯51漏出霧氣,由於排氣杯52環繞 於其周圍,可以迅速地藉由排氣口 70噴出,而確實防止 霧氣漏出外部。 基板處理裝置1〇〇具有由微處理機(Microprocessor ,電腦)所構成的工程控制器(Process controller) 121 ,基板處理裝置100之各構造部被連接到該工程控制器 121而成爲被控制之構造。另外,在工程控制器121連接 有使用者介面122,係由工程管理人爲管理基板處理裝置 1〇〇之各構造部進行命令之輸入操作等之鍵盤或,將基板 處理裝置100之各構造部之運轉狀態顯示成可以目視之顯 示器等所構成。另外,工程控制器121連接有記憶部123 ,係用於儲存利用工程控制器1 2 1之控制實現基板處理裝 置1 〇〇所執行之各程處理之控制程式,與根據處理條件使 液體處理裝置1〇〇之各構造部執行特定之處理的控制程式 之處理程式(recipe)。處理程式係記憶於記憶部123中 的記憶媒體。記憶媒體也可以爲硬碟或半導體記億體,也 可以爲CDROM,DVD,快閃記憶體等之可携帶性者。另 外,也可以設成可以由另一裝置例如以專用線路適當傳送 處理程式。 -19- 1355022 而且,必要時,可以藉由來自使用者介面122之指示 等,由記憶部123叫出任意的處理程式以供過程控制器 1 2 1執行,在工程控制器1 2 1的控制下,執行在基板處理 裝置100的企望之處理。 接著說明利用如上構成的基板處理裝置100所實施之 洗淨方法。 首先,要根據圖6之流程圖以及圖7 A-Η之模式圖說 明洗淨方法之第1實施形態。在本實施形態中,係利用洗 淨液進行晶圓W之表背面之清洗,而在後續之刷洗處理 時,進行液體噴出板24之清洗。本實施形態的以下之洗 淨處理操作係根據儲存於記憶部123之處理程式(recipe )由工程控制器121所控制。另外,在圖6,圖7A-H以 及以下的說明係針對晶圓W的背面之清洗與液體噴出板 24之清洗加以說明,相對於晶圓W背面之洗淨液之洗淨 處理以及純水的刷洗處理,也進行晶圓W表面之洗淨液 之洗淨處理以及純水的刷洗處理。 首先,在將升降構件13上升的狀態下,由未圖示之 搬送臂將晶圓W交接於液體噴出板24的支撐銷25上( 工程1 -1 ;圖7 A )。 然後,將升降構件13下降至液體噴出板24到達旋轉 板11的孔11a內之特定位置爲止,並在旋轉板Π與液體 噴出板24與晶圓W之間形成液膜形成用之間隙之狀態下 ,利用保持構件14夾持(Chucking)晶圓W,使晶圓W 與保持構件2以及旋轉杯4 一起旋轉(工程1 -2 ;圖7B ) -20- 1355022 。此時,晶圓W的旋轉數宜爲200至700rpm左右爲理想
接著,在使晶圓W旋轉之狀態下,直接由背面側液 體供應噴嘴6將特定洗淨液噴出至晶圓W背面(工程1-3 :圖7C)。此時,在晶圓W背面會形成洗淨液之液膜, 惟背面側液體供應噴嘴6最初並未充滿液體,因此在洗淨 液被噴出的時間點在液體噴出板24上並未形成液膜。此 外,在本工程中之晶圓W之旋轉數以200至700rpm爲理 想,洗淨液噴出量以0.5至2.0/分鐘爲宜。 利用洗淨液之清洗結束後,接著,將處理液切換成刷 洗液之純水而噴出(工程1 -4 ;圖7D )。此時之晶圓W 的旋轉數以200至lOOOrpm爲理想,純水噴出量以1.0至 2.0L/分鐘爲理想。在本工程中,在晶圓W雖然形成液膜 ,惟在液體噴出板24表面仍然未形成液膜。因此,暫時 停止刷洗液之純水之噴出,使背面側液體供應噴嘴6內成 爲充滿處理液之狀態(工程1-5 ;圖7E)。 在此狀態下,藉由再度噴出刷洗液之純水,即可以在 液體噴出板24表面也形成液膜,不但晶圓W背面會被刷 洗處理,同時液體噴出板24表面被純水清洗(工程1-5 ;圖 7F )。 結束上述之刷洗處理後,開放閥95並利用液體本身 之重量,或利用吸氣器(Aspirator)等之吸引,噴出噴嘴 孔6a內之純水(工程1-7 ;圖7G)。本工程係爲極力不 使液體殘留於旋轉板11表面,以及爲防止在液體噴嘴孔 -21 - 1355022 6a內的液體混合而進行。 當液體噴出板24之至少表面爲疏水性之 鐵芙龍(註冊商標))等之氟素系樹脂)所構 7G所示之刷洗處理結束時,液體噴出板24表 附著於晶圓W之純水被一起甩開而不留水滴 噴出板24不旋轉,所以如果殘留水滴,則在 處理中將不易處理,惟如上述,藉將液體噴出 設成疏水性即可在結束刷洗工程之階段不留水 殘留之水滴附著於晶圓W而使其污染。 在上述之刷洗工程後,在停止供應刷洗液 態下,進行晶圓W的甩乾作業(工程1 -8 ; I 時之晶圓W之旋轉數以500至lOOOrpm爲理范 以上的第1實施形態可以以刷洗液之純水 體噴出板24,對於不願長時間暴露於洗淨液 效。 利用以上之第1實施形態,雖然可以清洗 24,惟隨著晶圓W之背面爲疏水性或親水性 乾燥性不同,因此宜視背面爲疏水性之情形或 形變更工程。以下針對此種更理想的實施形態 首先,參照圖8說明爲進行此種更理想之 裝置構造。如圖8所示’表面側液體供應噴嘴 液體供應噴嘴6以及其附屬構造與圖3相同。 液體供應機構85’以取代第1實施形態中使用 機構85之點爲與圖3之構造的主要不同點。 材料(例如 成時,在圖 面之純水與 。因爲液體 後續的乾燥 板24表面 滴,而防止 之純水的狀 3 7H)。此 I 〇 充分清洗液 之情形很有 液體噴出板 而洗淨性與 親水性之情 加以說明。 實施形態之 5與背面側 在此,利用 之液體供應 -22- 1355022
如圖8所示,該液體供應機構85’具有供應例如酸藥 液之稀氟酸(DHF)做爲洗淨處理之藥液之DHF供應源 101,以及供應鹼性藥液之氨化水(SCI) 做爲洗淨處理 之藥液之SCI供應源102,以及供應例如純水(DIW ) 做爲刷洗液之DIW供應源103。由DHF供應源101,SCI 供應源102,以及DIW供應源103分別延伸配管104 ’ 105,106,該等配管104,105,106透過開閉閥107, 108,109連接到配管84。而配管84被連接到與噴嘴臂 22a之流路83相連的配管84a,以及與噴嘴孔6a下端相 連的配管8 4b。因此,藉由操作開閉閥1〇7 ’108 ’109, 可以將氨化水(SCI ),稀氟酸(DHF ) ’與純水(DIW )選擇性地供應至表面側液體供應噴嘴5與背面側液體供 應噴嘴6。在連接到DIW供應源103的配管106設有縮小 純水流量之流量切換閥11〇。另外,在配管84之開閉閥 107下游側設有開閉閥111’在該開閉閥〗11連接有噴出 配管112。該噴出配管112可以利用液體本身之重量(自 重排水)噴出噴嚨孔6a內的液體。此外,若利用自重排 水噴出液體過速時,在噴出配管112中會殘留液滴’因此 ,在噴出配管112設有固定孔口 113’藉由該固定孔口 1 1 3可以控制噴出速度》 由配管84b至配管84之連接點之下游側介設有關斷 閥(Shut-off valve) 1 14以關斷透過配管84對背面側液 體供應噴嘴6供應液體。在配管84b的關斷閥114之下游 側設有開閉閥1 1 5 ’開閉閥1 1 5連接有配管1 1 ό ’該配管 -23- 1355022 1 1 6連接有小流量用DIW供應源1 1 7。有比由該小流量用 DIW供應源117透過配管116,與由DIW供應源103透 過配管1 06所供應的純水流量更小的純水被供應至配管 84b。亦即,想對背面側液體供應噴嘴6注入小流量的純 水時,即關閉關斷閥114,而開啓開閉閥並透過配管116 由小流量用D I W供應源1 1 7將小流量的純水供應到配管 84b。但是,若關閉關斷閥1 1 4時,供應到表面側液體供 應噴嘴5的純水之流量倍增,因此,與關斷閥114之關閉 動作連動操作上述流量切換閥1 1 〇以縮小供應到表面側液 體供應噴嘴5之純水的流量。 在上述液體供應機構85’之外,在配管84b之開閉閥 115之下游側透過開閉閥118連接有乾燥氣體供應配管 119。在開閉閥118開啓之狀態下,可以由乾燥氣體配管 119經由配管84b對噴嘴孔6a供應乾燥氣體例如氮氣( N2),並由液體噴出口 24a對晶圓W之背面中央部勁吹 乾燥氣體。 其次,首先根據圖9之流程圖與圖10 A-Ι之模式圖說 明第2實施形態做爲以上述圖8之裝置構造上所實施之理 想的實施形態。第2實施形態適用於晶圓W之背面爲疏 水性的情形者。 在第2實施形態中,進行與第1實施形態之工程1-1 至工程1-5完全相同之由晶圓交接到暫時停止純水噴出之 工程(工程2-1至工程2-5;圖10A至E)。 然後,與第1實施形態之工程1 -6相對應再次噴出刷 -24- 1355022 洗液之純水(工程2-6;圖10F)。但是,此時之噴出量 應比開始之純水噴出(工程2-4)之噴出量爲少。這是因 爲噴出量過多時,不易在液體噴出板24形成液膜。具體 的純水噴出量以0.1至0.3L/分鐘爲宜。另外,此時的晶 圓W之旋轉數以100至3 OOrpm爲理想。又較少量的噴出 量的純水供應係由上述之小流量用DIW供應源1 1 7以配 管1 1 6進行。 然後,停止純水之噴出(工程2-7;圖10G)。這是 因爲若由噴出純水之狀態立刻噴出噴嘴孔6a內之純水時 ,則在液體排除板24外周有時會留下液體而成爲乾燥不 良。如上述,藉由在噴出前停止純水之噴出,液體噴出板 24與晶圓背面之間所形成之水柱變細,而可以防止液體 噴出板24之外周殘留液體。此時之晶圓W之旋轉數宜爲 100-300rpm ° 然後,開啓閥95而藉由液體之本身重量,或藉由吸 氣器等之吸引噴出噴嘴孔6a內的純水(工程2-8,圖10H )。該工程因爲與第1實施形態之工程1-7相同,是盡量 不在旋轉板11表面不留液體,以及爲防止在噴嘴孔6a內 的液體混合而進行。 如上述噴出純水而結束刷洗工程後,在停止刷洗液之 純水之供應之狀態下,進行晶圓w之甩乾(工程2-9 ;圖 101)。此時之晶圓W之旋轉數宜設定於1〇〇〇至2000rpm 〇 其次,要根據圖11之流程圖與圖12A_J之模式圖說 -25- 1355022 明第3實旋形態。第3實施形態適用於晶圓W之背面爲 親水性的情形者。 在第3實施形態中,與第2實施形態之工程2-1至工 程2-6完全相同,進行由晶圓之交接到再度噴出純水之工 程(工程3-1至工程3-6;圖12A-F)。 然後,增加純水之噴出量(工程3·7 ;圖12G ) »這 是在晶圓背面爲親水性時,因爲由噴嘴孔6a所噴出之純 水被吸入晶圓背面,而不易在液體噴出板24上面擴展所 致;藉由增加純水的噴出量,純水就可以容易擴展至液體 噴出板24之整面。此時之純水噴出量以0.5至1.5L/分鐘 爲宜。另外,此時之晶圓W之旋轉數宜爲100至3 OOrpm 〇 然後,開啓閥95而藉由液體之本身重量,或藉由吸 氣器等的吸引噴出噴嘴孔6a內的純水(工程3-8;圖12H )»該工程與第1實施形態之工程1-7相同,是因爲盡量 不在旋轉板11表面留下液體,以及防止液體在噴嘴孔6a 內混合而進行。 然後,由乾燥氣體供應配管111經由配管84b對噴嘴 6a供應做爲乾燥氣體之例如氮氣,並由液體噴出口 24a 朝晶圓背面之中央部分勁吹(工程3-9;圖121)。由於 晶圓背面之中央部分沒有離心力之作用,也沒有氣氛之取 代,所以在晶圓背面爲親水性時,背面中央部分容易發生 乾燥不良。因此,如上述,藉由對背面中央部分勁吹以輔 助乾燥。此時之條件以1至50NL/分鐘爲理想。 -26-
1355022 然後,停止氮氣,並進行晶圓w之甩乾( ;圖12J )。此時之晶圓W之旋轉數以1 〇〇(M 爲理想。 其次,根據圖13之流程圖與圖14A-L的模 第4實施形態。上述之第2實施形態以及第3養 用於已知晶圓W之背面爲疏水性或親水性之惰 在實際的處理中,有時不知道晶圓W之背面爲 親水性。因此,第4實施形態表示不管晶圓W 或親水性皆可進行良好之處理之方法》 在第4實旋形態中,與第3實施形態之工程 程3-6完全相同地進行由晶圓交接至再度噴出斜 工程(工程4-1至工程4-6;圖14A至F),絮 慮及晶圓W背面爲親水性之情形,如同第3養 工程3-7 —樣,增加純水噴出量(工程4-7 ;圖 可是,背面爲疏水性之晶圓時,如在增加制 之狀態下直接噴出噴嘴孔6a內之液體時,在祀 24外周會殘留液體而成乾燥不良,因此使純水 低(工程4- 8 ;圖14 )。此時的純水噴出量宜 0.3L/分鐘。另外,此時之晶圓旋轉數宜爲100 如此將純水噴出量降低後’與第2實旋形 2-7相同停止純水之噴出(工程4_9 ;圖141 )。 背面爲疏水性晶圓時,若只減少純水噴出量’斧 嘴孔6a內的純水時,在液體噴出板24外周有π 工程3-10 ? 2000rpm 【式圖說明 〔施形態適 ί形,但是 丨疏水性或 爲锍水性 i 3·1至工 i水爲止之 《後,與考 f施形態之 1 4G )。 i水噴出量 ί體噴出板 :噴出量降 爲〇. 1至 至 300rpm i態之工程 這是因爲 ^後噴出噴 J能留下液 -27- 1355022 體而成乾燥不良,因此,藉由在噴出前停止純水的噴出, 即可以防止與上述第2實施形態的工程2-7—樣,在液體 噴出板24之外周殘留液體。此時之晶圓w的旋轉數以 100至300rpm爲理想。
然後,開啓閥95並藉由液體本身之重量,或吸氣器 等之吸引,噴出噴嘴6a內的純水(工程4·1〇 ;圖14J ) 。該工程與第1實施形態之工程1-7相同爲盡量不在旋轉 板11表面留下液體,以及防止液體在噴嘴孔6a內混合 而進行。 然後,顧及背面爲親水性之晶圓之情形而由噴嘴孔 6a朝晶圓背面之中心部分勁吹做爲乾燥氣體之例如氮氣 (工程4-11;圖14K)。這是與第3實施形態的工程3-9 相同,對晶圓背面爲親水性時容易發生乾燥不良的背面中 央部分勁吹乾燥氣體以輔助乾燥。此時的條件宜設定爲1 至50NL/分鐘爲理想。 然後,停止氮氣並進行晶圓W的甩乾(工程4-12; 圖14L)。此時之晶圓W之旋轉數以1 000至200rpm爲 理想。 以上的第1至第4實施形態係針對液體噴出板24係 以刷洗液之純水清洗的情形加以說明,但是有時也希望利 用洗淨液充分清洗液體噴出板24的時候’此時的洗淨方 法係如以下第5實施形態所示。 圖15爲表示本發明之第5實施形態的洗淨方法之動 作的流程的流程圖,圖1 6 A - Η爲用於說明該操作之模式 -28- 1355022 圖。該實施形態中利用圖3之構造做爲液體供應機構等之 裝置構造。 圖15的工程5-1至5-3如圖16A-C所示,與第1實 施形態之圖7A至C所示之工程1-1至1-3完全同樣地進 行。工程5-3之圖16C之狀態中,雖在晶圓W背面雖然 形成有清淨液之液膜,惟背面側液體供應噴嘴6最初爲未 充滿液體的狀態,因此,在洗淨液被噴出的時間點液體噴 出板24並未形成液膜。因此,暫時停止洗淨液之噴出, 以使背面側液體供應噴嘴6內成爲充滿洗淨液之狀態(工 程 5 - 4 ;圖 1 6 D )。 在此狀態下,藉由再度噴出洗淨液,也在液體噴出板 24表面形成液膜,並進行晶圓W背面與液體噴出板24表 面的清洗(工程5-5 ;圖16E)。 利用洗淨液清洗後,連續地將處理液切換成刷洗液之 純水以進行刷洗處理(工程5-6 ;圖16F ) »此時,由背 面側液體供應噴嘴6噴出刷洗液之純水俾在晶圓W背面 形成純水的液膜。另外,此時也在液體噴出板24表面形 成純水的液膜,也在液體噴出板24實施刷洗處理。 結束上述之刷洗處理後,開啓閥95並利用液體本身 的重量,或吸氣器等之吸引,噴出噴嘴孔6a內之純水( 工程5-7 ;圖16G )。該工程係以與第1實施形態之圖 所示之工程1-7完全相同的方法進行。 在該實施形態的情形中,在液體噴出板24之至少表 面係以疏水性材料構成時,於圖〗6G所示之刷洗處理結 -29- 1355022 束之時間點,液體噴出杯24表面之純水與附著於晶圓W 之純水一起被甩開而不殘留水滴,可以防止水滴附著於晶 圓W上而污染。 此種刷洗工程後*如圖1 6H所示,在停止供應刷洗 液之純水的狀態下,進行晶圓W之甩乾(工程5-8 )。該 工程係以與圖7H之工程1-8完全相同的方法進行。 此外,如上所述,針對晶圓W背面進行洗淨液的洗 淨處理與純水的刷洗處理之間,也對晶圓表面進行洗淨處 理與刷洗處理,惟該等處理係由表面側液體供應噴嘴5供 應洗淨液或刷洗液之純水來進行。 如上所述,將洗淨方法設成暫時停止洗淨液或刷洗液 之純水並再度噴出,所以可以在液體噴出板24表面形成 處理液之液膜而可以清洗。因此,在晶圓W接觸到液體 噴出板24時,可以有效防止對晶圓W之污染。 另外,在利用上述構造的洗淨裝置100實施上述第1 與第2洗淨方法時,設成圍繞晶圓W外側的杯部(cup) 係與晶圓W —起旋轉的旋轉杯4,所以由晶圓W甩開的 處理液碰到旋轉杯4時,因離心力作用於處理液,而不易 發生像固定杯的情形之飛散(霧化)。而且到達旋轉杯4 之處理液被引導至下方,而由間隙3 3噴出到排液杯5 1之 主杯部56a。另一方面,在旋轉杯11之保持構件14之安 裝位置設有***保持部14a的孔,因此,由該部分對排液 杯5〗之副杯部5 6b滴下處理液。而且如此被排液杯5 1承 接的處理液,邊在其中回旋,邊由排液口 60透過排液管 -30- 1355022 61噴出。 此外,在排氣杯52由其上側壁67與旋轉杯4之保護 部31之間形成環狀的導入口 68吸入旋轉杯4內與其周圍 的主要氣體成分,而由排氣口 7〇透過排氣管71排氣。 再者,由於有旋轉杯4之存在,排液杯51只需要可 排液之極小者即可,另外,排液杯5 1與排氣杯52分別獨 立設立,且將排液與排氣分別取入並由排液口 60與排氣 口 7〇分別噴出,所以不必設置分開排氣與排液的特別機 構。此外,排液杯5 1係以被收容於排氣杯5 2之狀態設置 ,所以雖然爲分別取入排氣與排液之構造,但是可以縮小 空間,結果可將裝置的腳印(foot print )縮小。另外, 由於排液杯5 1係收容於排氣杯5 2之狀態,所以即使處理 液之霧氣由排液杯51漏出也可以排氣杯52捕捉,以致可 以防止處理液之霧氣飛散至裝置外而帶來不良的影響》 利用上述實施形態,在由背面側液體供應噴嘴噴出洗 淨液或刷流液而在基板背面形成洗淨液或刷洗液之液膜後 ,藉由暫時停止洗淨液或刷洗液之供應而再度噴出處理液 ,即可在液體噴出口之周圍部分也形成洗淨液或刷洗液之 液膜,因此,在清洗基板背面時,也可以洗淨處理液體噴 出口的周圍部分,以防止污染所支撐的基板。 再者,本發明並不侷限於上述實施形態而可以有各種 變形。例如,在上述實施形態中,係以進行晶圓的表背面 之清洗之洗淨處理裝置爲例加以說明,但是本發明並不限 定於此,也可以爲僅進行背面之洗淨處理之洗淨處理裝置 -31 - 1355022 °此外,上述實施形態係以半導體晶圓做爲被處理基板之 情形加以說明,惟也可適用於以液晶顯示裝置(LCD ) 用之玻璃基板所代表之平面面板顯示器(FPD)用之基板 等其他基板自不待言。 【圖式簡單說明】 圖1爲表示本發明之一實施形態之洗淨裝置之槪略構 造的剖面圖。 圖2爲表示將本發明之一實施態之洗淨裝置切去一部 分的槪略平面圖。 圖3爲表示圖1之洗淨裝置之液體供應機構之槪略圖 圖4爲擴大表示配置圖1之洗淨裝匱之液體噴出板之 部分的剖面圖。 圖5爲擴大表示圖1之洗淨裝置之排氣/排液部之剖 面圖。 圖6爲表示本發明之第1實施形態之洗淨方法之操作 的流程圖。 圖7A-H爲用於說明本發明的第1實施形態的洗淨處 理之操作的模式圖》 圖8爲表示用於實行比本發明更理想之實施形態之裝 置構造的槪略圖》 圖9爲表示比本發明更理想之實施形態之一的第2實 施形態之洗淨方法之操作流程的流程圖。 -32- 1355022 圖10A-I爲用於說明本發明之第2實施形態的洗淨處 理之操作的模式圖。 圖Η爲表示比本發明更理想的實施形態之一的第3 實施形態之洗淨方法之操作流程的流程圖。 圖12A-】爲用於說明本發明之第3實施形態的洗淨處 理之操作的模式圖》 圖13爲表示比本發明更理想的實施形態之一的第4 實施形態之洗淨方法之操作流程之流程圖。 圖14A-L爲用於說明本發明的第4實施形態之洗淨處 理之操作的模式圖。 圖15爲表示本發明的第5實施形態之洗淨方法之操 作流程的流程圖。 圖16A-H爲用於說明本發明之第5實施形態的洗淨 處理之操作的模式圖。 【主要元件符號說明】 1 :底板 2 :晶圓保持部 3 :旋轉馬達 4 :旋轉杯 5 :表面側液體供應噴嘴 6 :背面側液體供應噴嘴 7 :排氣排液部 8 :外殼 -33- 1355022 9a :導入口 11 :旋轉板 12 :旋轉軸 12a :孔
1 3 :升降構件 1 1 a :孔 1 4 :保持構件 1 4 a :保持部 14b :連接部 1 4c :旋轉軸 1 5 a :軸承 1 6 :滑輪 17 :皮帶 18 :滑輪
22 :噴嘴臂 22a :噴嘴臂 85 :液體供應機構 5a :噴嘴孔 81 :驅動機構 23 :軸 82 :升降機構 83 :流路 84a :配管 84b :配管 1355022 86 : DHF供應源 87 : SCI供應源 88 : DIW供應源 89a :配管
90a :配管 9 1 a :配管 9 2 a :開閉閥 9 3 a :開閉閥 94a :開閉閥 95 :開閉閥 96 :噴出管 6a :噴嘴孔 24 :液體噴出板 24a :液體噴出口
25 :晶圓支撐銷 92b :開閉閥 24b :間隙 2 6 :連接構件 27 :汽筒機構 31 :保護部 32 :外側壁部 3 3 :間隙 35 :引導構件 36 :開口 -35 1355022 37 :開口 4 0 :螺絲 41 :缺口部 5 1 :排液杯 52 :外側壁部 53 :外周壁
54 :內壁部 54a :內周壁 56 :液體收容部 53a :突出部 56a :主杯部 14a :保持部 55 :區隔壁 5 6b :副杯部 60 :排液口
61 :排液管 64 :外側壁 65 :內側壁 66 :底部 6 7 :上側壁 68 :導入口 70 :排氣口 7 1 :排氣管 99a :外側環狀空間 -36 1355022 98 :通氣孔 97 :氣流調整構件 99b :內側環狀空間 7 7 :間隙 100 :洗淨裝置
1 2 1 :工程控制器 122 :使用者介面 1 2 3 :記憶部 101 : DHF供應源 102 : SCI供應源 103 : DIW供應源 1 04 :配管 105 :配管 106 :配管 107 :開閉閥
108 :開閉閥 1 0 9 :開閉閥 84 :配管 57b :第2部分 84a :配管 6a :噴嘴孔 1 1 〇 :流量切換閥 1 1 1 :開閉閥 1 12 :噴出配管 1355022
113 114 84b 115 1 16 117 85 5 119 57 : 57a 57b 58 : :固定孔口 :關斷閥 :配管 :開閉閥 :配管 :小流量DIW供應源 :液體供應機構 :開閉閥 :乾燥氣體配管 底面 :第1部分 :第2部分 孔
-38
Claims (1)
1355022 換頁丨 知一二- —-_· -.-. 零 第096139510號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年5月10日修正 十、申請專利範圍 1. 一種洗淨裝置,其特徵爲具備:基板保持部,具有 :配置成可在水平旋轉的旋轉板以及在該旋轉板上方離開 適當距離而在水平狀態將基板與上述旋轉板保持成一體的 保持構件;
旋轉機構,使上述旋轉板與基板一起旋轉; 液體噴出口,位於上述旋轉板的旋轉中心附近,以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體; 背面側液體供應噴嘴,連接於上述液體噴出口,並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液;
杯部,圍繞保持於上述基板保持部的基板;以及 控制機構’用於控制‘上述基板的旋轉與液體的供應; 上述控制機構用於控制:進行具備使上述旋轉板與上 述保持構件所保持之基板一起旋轉,並在該狀態下,從上 述背面側液體供應噴嘴經由上述噴出口噴出洗淨液俾在基 板背面形成洗淨液的液膜之洗淨處理;然後,進行具備在 接連旋轉基板的狀態下,從上述背面側液體供應噴嘴經由 上述液體噴出口噴出刷洗液俾在基板背面形成刷洗液的液 膜之刷洗處理;然後以特定的旋轉數使基板旋轉以進行甩 乾處理: 在此,上述控制機構在上述洗淨處理或刷洗處理中, 1355022 用於控制:使上述洗淨液或上述刷洗液之對應處理液從上 述背面側液體供應噴嘴經由上述液體噴出口噴出俾在基板 背面形成液膜,接著暫時停止來自上述背面側液體供應噴 嘴的上述處理液之供應,然後使再噴出上述處理液俾在上 述液體噴出口的周圍部分也形成液膜以處理基板與液體噴 出口之周圍部分: 上述控制機構在暫時停止上述處理液之供應後再噴出 上述處理液時,將上述處理液之噴出量控制成低於停止前 之噴出量,之後,增加上述處理液之噴出量。 2.如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中上述控制 機構控制在結束上述處埋液的處理後,噴出上述背面側液 體供應噴嘴內之上述處理液。 3 .如申請專利範圍第2項之洗淨裝置,其中上述處理 液爲上述刷洗液,在基板背面爲疏水性時,上述控制機構 於上述刷洗處理中控制:在上述再噴出上述處理液後,停 止上述處理液之供應,然後,使上述背面側液體供應噴嘴 內之上述處理液噴出》 4. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中上述處理 液爲上述刷洗液,在基板背面爲親水性時,上述控制機構 在上述刷洗處理中,控制暫時停止上述處理液之供給後, 再噴出上述處理液時,使上述處理液之噴出量低於停止前 之噴出量,然後,使上述處理液之噴出量增加。 5. 如申請專利範圍第4項之洗淨裝置,其中具備對藉 由上述保持構件保持於上述旋轉板之基板之背面中央部分 -2- 1355022 供應乾燥氣體之乾燥氣體供應機構,上述控制機構在上述 甩乾處理之前藉由上述乾燥氣體供應機構對基板背面之中 央部分供應乾燥氣體》
6.如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中上述處理 液爲上述刷洗液,上述控制機構在上述刷洗處理中,控制 :在暫時停止上述處理液之供給後再度噴出上述處理液時 ,使上述處理液之噴出量低於停止前之噴出量地噴出俾在 上述液體噴出口之周圍部分也形成液膜,接著使上述處理 液之供應量增加以處理基板與液體噴出口之周圍部分,接 著使上述處理液的供應量減少,然後停止上述處理液之供 應; 另外,上述裝置具有對藉由上述保持構件保持於上述 旋轉板之基板背面中央部分供應乾燥氣體之乾燥氣體供應 機構,上述控制機構控制:在上述甩乾處理之前由上述乾 燥氣體供應機構對基板背面之中央部分供應乾燥氣體。 7 ·如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中上述旋轉 板在其中心部分具有孔,上述洗淨裝置另具備配置於上述 之孔,且具有上述液體噴出口之非旋轉的液體噴出板。 8. 如申請專利範圍第7項之洗淨裝置,其中上述液體 噴出板係可以升降插穿於該孔,在對上述基板保持部交接 基板時用於保持基板升降。 9. 如申請專利範圍第7項之洗淨裝置,其中上述液體 噴出板至少其表面係以疏水性材料所構成。 10. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中上述控 -3 - 1355022
制機構將洗淨處理與刷洗處理時之基板旋轉數控制在200 至700rpm,而將上述乾燥處理時之基板旋轉數控制在500 至 1 OOOrpm 〇 11. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中上述杯 部(cup)圍繞著保持於上述基板保持部之基板,並與上 述旋轉板及基板一起旋轉,並具備:旋轉基板時用於承接 由基板甩掉之處理液之旋轉杯,以及承接由該旋轉杯噴出 之處理液予以排除之非旋轉的排液杯。 12. —種洗淨方法,係利用洗淨裝置進行,該裝置具 備:基板保持部,具有:配置成可在水平旋轉的旋轉板, 以及在該旋轉板上方離開適當距離而在水平狀態將基板與 上述旋轉板保持成一體的保持構件; 旋轉機構,使上述旋轉板與基板一起旋轉; 液體噴出口,位於上述旋轉板的旋轉中心附近,以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體; 背面側液體供應噴嘴,連接於上述液體噴出口,並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液;以及 杯部,圍繞保持於上述基板保持部的基板;其特徵爲 具備: 將基板保持於上述基板保持部之工程; 使上述旋轉板與基板一起旋轉之工程; 具有在基板被旋轉之狀態下,進行將洗淨液從上述液 體供應噴嘴經由上述噴出口噴出俾在基板背面形成洗淨液 -4- 1355022
之液膜的洗淨處理之工程 具有隨後在基板被旋轉之狀態下,直接連續進行從上 述背面側液體供應噴嘴經由上述液體噴出口噴出刷洗液俾 在基板背面形成刷洗液之液膜的刷洗處理之工程;以及 隨後以特定之旋轉數旋轉基板以進行甩乾處理之工程 在此,上述洗淨處理或刷洗處理具備:
使上述洗淨液或上述刷洗液之相對應處理液從上述背 面側液體供應噴嘴經由上述液體噴出口噴出俾在基板背面 形成液膜之工程; 隨後暫時停止來自上述背面側液體供應噴嘴之上述處 理液之供應之工程;以及 隨後再使上述處理液噴出俾在上述液體噴出口之周圍 部分也形成液膜以處理基板與液體噴出口的周圍部分之工 程; 在暫時停止上述處理液之供給後再噴出上述處理液時 ,控制成爲使上述處理液之噴出量低於停止前之噴出量, 之後,增加上述處理液之噴出量。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之洗淨方法,其中具備在 利用上述處理液之處理結束後,噴出上述背面側供應噴嘴 內之上述處理液之工程。 14.如申請專範圍第13項之洗淨方法,其中上述處理 液爲上述刷洗液,在基板背面爲疏水性時,上述刷洗處理 具備在上述再噴出上述處理液後,停止上述處理液之供應 -5- 1355022
之工程;然後,噴出上述背面側液體供應噴嘴內的上述處 理液。 15·如申請專利範圍第12項之洗淨方法,其中上述處 理液爲上述刷洗液,在基板背面爲親水性時,上述刷洗處 理具備:暫時停止上述處理液之供應後再噴出上述處理液 時,使上述處理液之噴出量低於停止前之噴出量,然後, 使上述處理液之噴出量增加之工程。 16. 如申請專利範圍第15項之洗淨方法,其中具備: 在上述甩乾處理之前,藉由上述乾燥氣體供應機構對基板 背面之中央部分供應乾燥氣體之工程。 17. 如申請專利範圍第12項g洗淨方法,其中上述處 理液爲上述刷洗液,上述刷洗處理具備:在暫時停止上述 處理液之供應後再噴出上述處理液時,使上述處理液之噴 出量低於停止前之噴出量地噴出俾在上述液體噴出口的周 圍部分也形成液膜;接著增加上述處理液之供應量以處理 基板與液體噴出口之周圍部分;然後減少上述處理液的供 應量,然後停止上述處理液的供應之工程; 上述方法具備:在上述甩乾處理之前,由上述乾燥氣 體供應機構對基板背面中央部分供應乾燥氣體之工程。 18. 如申請專利範圍第12項之洗淨方法,其中上述旋 轉板在中心部分具有孔,上述洗淨裝置另具備配置於上述 之孔且具有上述液體噴出口的非旋轉的液體噴出板。 19. 如申請專利範圍第18項之洗淨方法,其中上述液 體噴出板可以升降插穿於上述之孔,係在對上述基板保持 -6- I3S5022 月日修正替換頁 部交接基板時用於保持基板升降。 4〇〇· 5。1 6- 20. 如申請專利範圍第18項之洗淨方法,其中上述液 體噴出板至少其表面係以疏水性材料所構成。 21. 如申請專利範圍第12項之洗淨方法,其中將洗淨 處理與刷洗處理時之基板旋轉數設定爲200至700rpm, 而將上述乾燥處理時之基板旋轉數設定爲500至lOOOrpm
22 . —種電腦可讀取之記憶媒體,係記億有用於控制 洗淨裝置而可在電腦上操作之控制程式;該洗淨裝置具備 :基板保持部,具有:配置成可在水平旋轉的旋轉板以及 在該旋轉板上方離開適當距離而在水平狀態將基板與上述 旋轉板保持成一體的保持構件; 旋轉機構,使上述旋轉板與基板一起旋轉; 液體噴出口,位於上述旋轉板的旋轉中心附近,以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體; 背面側液體供應噴嘴,連接於上述液體噴出口,並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液; 杯部,圍繞保持於上述基板保持部的基板;其特徵爲 具備: 上述控制程式在執行時,控制洗淨裝置進行洗淨方法 ,上述洗淨方法具備: 將基板保持於上述基板保持部之工程; 使上述旋轉板與基板一起旋轉之工程; 1355022 具有在基板被旋轉之狀態下,進行將洗淨液從上述液 體供應噴嘴經由上述噴出口噴出俾在基板背面形成洗淨液 之液膜的洗淨處理之工程; 具有隨後在基板被旋轉之狀態下,直接進行從上述背 面側液體供應噴嘴經由上述液體噴出口噴出刷洗液俾在基 板背面形成刷洗液之液膜的刷洗處理之工程;以及 隨後以特定之旋轉數旋轉基板以進行甩乾處理之工程 在此,上述洗淨處理或刷洗處理具備: 使上述洗淨液或上述刷洗液之相對應處理液從上述背 面側液體洪應噴嘴經由上述液體噴出口噴出俾在基板背面 形成液膜之工程; 隨後暫時停止來自上述背面側液體供應噴嘴之上述處 理液之供應之工程;以及 隨後再使上述處理液噴出俾在上述液體噴出口之周圍 部分也形成液膜以處理基板與液體噴出口的周圍部分之工 程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006287758 | 2006-10-23 | ||
JP2007224237A JP4940066B2 (ja) | 2006-10-23 | 2007-08-30 | 洗浄装置、洗浄方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200836251A TW200836251A (en) | 2008-09-01 |
TWI355022B true TWI355022B (zh) | 2011-12-21 |
Family
ID=39244595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096139510A TW200836251A (en) | 2006-10-23 | 2007-10-22 | Cleaning apparatus, cleaning method and computer readable medium |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8043440B2 (zh) |
JP (1) | JP4940066B2 (zh) |
KR (1) | KR101238123B1 (zh) |
DE (1) | DE102007050594A1 (zh) |
TW (1) | TW200836251A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI760960B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-04-11 | 日商Sumco股份有限公司 | 工件的洗淨裝置以及洗淨方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7927429B2 (en) * | 2003-11-18 | 2011-04-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium |
KR100979979B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2010-09-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
JP2012064800A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Sumco Corp | ウェーハ洗浄装置 |
JP5788349B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2015-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
CN105210181B (zh) * | 2013-05-09 | 2017-12-01 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 电镀和/或电抛光硅片的装置及方法 |
JP6134673B2 (ja) | 2014-03-13 | 2017-05-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6258132B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6392035B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6320945B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6391524B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-09-19 | 株式会社Screenホールディングス | 脱酸素装置および基板処理装置 |
JP6618032B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-12-11 | Toto株式会社 | トイレ装置 |
JP6903441B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2021-07-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
JP6431128B2 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-28 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | ウェハのメッキおよび/または研磨のための装置および方法 |
JP6887912B2 (ja) * | 2017-08-07 | 2021-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
TW202214358A (zh) * | 2020-04-10 | 2022-04-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
JP2022150097A (ja) | 2021-03-26 | 2022-10-07 | 株式会社東京精密 | ウエハ裏面洗浄装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3249765B2 (ja) * | 1997-05-07 | 2002-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPH09298181A (ja) | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の裏面洗浄装置 |
JP3779483B2 (ja) | 1998-03-23 | 2006-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2000138163A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP3739220B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2006-01-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法及びその装置 |
US20020096196A1 (en) * | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Takayuki Toshima | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP4342324B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2005119748A1 (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4446917B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-04-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7767026B2 (en) * | 2005-03-29 | 2010-08-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2007
- 2007-08-30 JP JP2007224237A patent/JP4940066B2/ja active Active
- 2007-10-22 TW TW096139510A patent/TW200836251A/zh unknown
- 2007-10-22 US US11/976,188 patent/US8043440B2/en active Active
- 2007-10-23 KR KR1020070106922A patent/KR101238123B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-23 DE DE102007050594A patent/DE102007050594A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI760960B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-04-11 | 日商Sumco股份有限公司 | 工件的洗淨裝置以及洗淨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102007050594A1 (de) | 2008-04-30 |
KR101238123B1 (ko) | 2013-02-27 |
US20080173333A1 (en) | 2008-07-24 |
US8043440B2 (en) | 2011-10-25 |
TW200836251A (en) | 2008-09-01 |
JP2008135703A (ja) | 2008-06-12 |
KR20080036542A (ko) | 2008-04-28 |
JP4940066B2 (ja) | 2012-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI355022B (zh) | ||
TWI381435B (zh) | Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media | |
TWI354344B (zh) | ||
KR101187104B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
KR101464387B1 (ko) | 세정 장치, 세정 방법 및 기억 매체 | |
TWI374485B (zh) | ||
KR101061937B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
WO2005101468A1 (ja) | リンス処理方法および現像処理方法 | |
TWI728346B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
KR20090023278A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JPH10270358A (ja) | 半導体製造用フォトレジストコーティング装置 | |
JP7058550B2 (ja) | 現像処理装置および現像処理方法 | |
TW201940256A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TW202113950A (zh) | 蝕刻裝置及蝕刻方法 | |
US7749333B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP6782185B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009267145A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5297056B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005243940A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005203599A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2008060260A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004014869A (ja) | 現像装置 | |
JP3090126B2 (ja) | ガラス基板用スピン処理装置およびガラス基板のスピン処理方法 | |
JP2008251840A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2004228205A (ja) | 基板のスピン処理方法及び処理装置 |