200836251 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關例如對半導體晶圓等之基板進行洗淨處 理之洗淨裝置，洗淨方法以及電腦可讀取之記憶媒體。 【先前技術】 在半導體裝置的製造過程或平面面板顯示器（FPD) 的製造過程中，多採用對被處理基板之半導體晶圓與玻璃 基板供應處理液以進行液體處理之工程（p r 〇 c e s s )。此 種工程之例有例如爲去除附著於基板之顆粒或污染等之洗 淨處理。 習知的此種液體處理裝置係將半導體晶圓等基板保持 可旋轉，並在基板被旋轉的狀態下，對晶圓表面或背面或 表、背面供應處理液俾在晶圓表面或表、背面形成液膜以 進行處理之葉片式裝置。 在基板的背面或表背面形成液膜以進行處理之習知裝 置有在基板的背面側設置可旋轉的旋轉板，並在設置於該 旋轉板中央的孔部設置具有基板支撐功能並具有液體噴出 口之非旋轉式液體噴出板，再將該液體噴出板設成可以升 降，並在該液體噴出板突出上方之狀態下，在該處承接基 板，然後使液體噴出板下降並以設置於旋轉板之保持構件 保持基板於水平，並由連續設置於液體噴出口下方的液體 噴出噴嘴對基板與旋轉板之間供應洗淨液或刷洗液，且在 形成液膜的狀態下清洗基板的背面（例如特開平9-298 1 8 1 200836251 號公報）。 可是，設置於上述液體噴出口周圍之液體噴出板在處 理途中有時藥液飛散而被污染。另外，有時候處理前被污 染的基板會接觸液體噴出板而受到污染。如上述，液體噴 出口周圍一被污染，在卸下基板時以液體噴出板支撐基板 等，洗淨後之基板背面有接觸到被污染的部分而受到污染 之虞。因此，雖然處理基板時也被要求清洗液體噴出板， 惟因液體噴出口通常爲非旋轉式，因此液體噴出口周圍的 液體噴出板也是非旋轉式，在洗淨處理或刷洗處理時，無 法充分形成液膜以致有時清洗不充分。 【發明內容】 本發明之目的在提供一種在洗淨基板背面時，可以充 分清洗位於基板背面側中心部分之液體噴出口之周圍部分 的洗淨裝置以及洗淨方法。另外，本發明之目的在提供一 種記憶執行該項洗淨方法之控制程式之電腦可讀取之媒體 〇 本發明之第1形態提供一種洗淨裝置，其具備：基板 保持部，具有：配置成可在水平旋轉的旋轉板，以及在該 旋轉板上方離開適當距離而在水平狀態將基板與上述旋轉 板保持成一體的保持構件； 旋轉機構，使上述旋轉板與基板一起旋轉； 液體噴出口，位於上述旋轉板的旋轉中心附近，以對 保ί寸於上述保持部之基板中心部分噴出液體， -5- 200836251 背面側液體供應噴嘴，連接於上述液體噴出口，並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液； 杯部，圍繞保持於上述基板保持部的基板；以及 控制機構，用於控制上述基板的旋轉與液體的供應； 上述控制機構用於控制：使上述旋轉板與上述保持構 件所保持之基板一起旋轉，並在該狀態下，經由上述噴出 口使洗淨液由上述背面側液體供應噴嘴噴出口洗淨液俾在 基板背面形成洗淨液的液膜之洗淨處理；然後，在接連旋 轉基板的狀態下，經由上述液體噴出口使刷洗液由上述背 面側液體供應噴嘴噴出俾在基板背面形成刷洗液的液膜之 刷洗處理；然後以特定的旋轉數使基板旋轉以進行甩乾處 理； 在此，上述控制機構在上述洗淨處理與刷洗處理中， 用於控制：經由上述液體噴出口使上述洗淨液或與上述刷 洗液相對應之處理液由上述背面側液體供應噴嘴噴出俾在 基板背面形成液膜，接著暫時停止來自上述背面側液體供 應噴嘴的上述處理液之供應，然後使再噴出上述處理液俾 在上述液體噴出口的周圍部分也形成液膜以處理基板與液 體噴出口之周圍部分。 本發明的第2形態提供一種洗淨方法，其具備：基板 保持部，具有：配置成可在水平旋轉的旋轉板，以及在該 旋轉板上方離開適當距離而在水平狀態將基板與上述旋轉 板保持成一體的保持構件； -6- 200836251 旋轉機構，使上述旋轉板與基板一起旋轉； 液體噴出口，位於上述旋轉板的旋轉中心附近，以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體； 背面側液體供應噴嘴，連接於上述液體噴出口，並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液；以及 杯部，圍繞保持於上述基板保持部的基板；其特徵爲 具備： 將基板保持於上述基板保持部之工程； 使上述旋轉板與基板一起旋轉之工程； 具有在基板被旋轉之狀態下，進行經由上述噴出口將 洗淨液由上述液體供應噴嘴噴出俾在基板背面形成洗淨液 之液膜的洗淨處理之工程； 具有隨後在基板被旋轉之狀態下，直接連續進行經由 上述液體噴出口由上述背面側液體供應噴嘴噴出刷洗液俾 在基板背面形成刷洗液之液膜的刷洗處理之工程；以及 隨後以特定之旋轉數旋轉基板以進行甩乾處理之工程 9 在此，上述洗淨處理或刷洗處理具備： 經由上述液體噴出口使上述洗淨液或與上述刷洗液相 對應處理液由上述背面側液體供應噴嘴噴出俾在基板背面 形成液膜之工程； 隨後暫時停止來自上述背面側液體供應噴嘴之上述處 理液之供應之工程；以及 200836251 隨後再使上述處理液噴出俾在上述液體噴出口之周圍 部分也形成液膜以處理基板與液體噴出口的周圍部分之工 程。 本發明之第3形態提供一種電腦可讀取之記憶媒體， 係記憶有用於控制洗淨裝置而可在電腦上操作之控制程式 ;該洗淨裝置具備：基板保持部，具有：配置成可在水平 旋轉的旋轉板以及在該旋轉板上方離開適當距離而在水平 狀態將基板與上述旋轉板保持成一體的保持構件； 旋轉機構，使上述旋轉板與基板一起旋轉； 液體噴出口，位於上述旋轉板的旋轉中心附近，以對 保持於上述保持部之基板中心部分噴出液體； 背面側液體供應噴嘴，連接於上述液體噴出口，並透 過上述液體噴出口供應洗淨液與刷洗液俾對基板之背面側 噴出洗淨液與刷洗液； 杯部，圍繞保持於上述基板保持部的基板；其特徵爲 具備： 上述控制程式在執行時，控制洗淨裝置進行洗淨方法 ，上述洗淨方法具備： 將基板保持於上述基板保持部之工程； 使上述旋轉板與基板一起旋轉之工程； 具有在基板被旋轉之狀態下，進行經由上述噴出口將 洗淨液由上述液體供應噴嘴噴出俾在基板背面形成洗淨液 之液膜的洗淨處理之工程； 具有隨後在基板被旋轉之狀態下’直接繼續經由上述 -8 - 200836251 液體噴出口由上述背面側液體供應噴嘴噴出刷洗液俾在基 板背面形成刷洗液之液膜的刷洗處理之工程；以及 隨後以特定之旋轉數旋轉基板以進行甩乾處理之工程 9 在此，上述洗淨處理與刷洗處理具備： 經由上述液體噴出口使上述洗淨液與上述刷洗液之相 對應處理液由上述背面側液體供應噴嘴噴出俾在基板背面 形成液膜之工程； 隨後暫時停止來自上述背面側液體供應噴嘴之上述處 理液之供應之工程；以及 隨後再使上述處理液噴出俾在上述液體噴出口之周圍 部分也形成液膜以處理基板與液體噴出口的周圍部分之工 程。 在上述第1至第3形態中，在暫時停止上述處理液之 供應後再噴出上述處理液時，可以使上述處理液之噴出量 比停止前的噴出量爲減少。更可以具有上述處理液之處理 後，將上述背面側液供應噴嘴內之上述處理液噴出之工程 。上述處理液爲上述刷洗液；在基板背面爲疏水性時，上 述刷洗處理具備：在上述再度噴出上述處理液後，停止上 述處理液之供應之工程；然後，可以噴出上述背面側液體 供應噴嘴內之上述處理液。上述處理液爲上述刷洗液；在 基板背面爲親水性時，上述刷洗處理可以具備在暫時停止 上述處理液之供應後再度噴出上述處理液時，使上述處理 液之噴出量比停止前之噴出量減少，然後，使上述處理液 -9- 200836251 之噴出量增加之工程。也可以具備上述甩乾處理之前，藉 由上述乾燥氣體供應機構對基板背面的中央部分供應乾燥 氣體之工程。 在上述第1至第3形態中，上述處理液爲上述刷洗液 ，上述刷洗處理具備：在暫時停止上述處理液之供應後再 度噴出上述處理液時，使上述處理液之噴出量噴出比停止 前之噴出量爲少量俾在上述液體噴出口之周圍部分也形成 液膜，然後增加上述處理液之供應量俾處理基板與液體噴 出口之周圍部分；然後減少上述處理液之供應量，然後使 上述處理液之供應停止之工程；上述控制部或方法可以具 備：在上述甩乾處理之前，由上述甩乾氣體供應機構對基 板背面之中央部分供應乾燥氣體之工程。 在上述第1至第3形態中，上述旋轉板在其中心部分 具有孔，上述洗淨裝置可另具備配置於上述的孔而具有上 述液體噴出口的非旋轉的液體噴出板。上述液體噴出板被 插穿於該孔成可升降，在對上述基板保持部交接基板時， 可以保持基板升降。上述液體噴出板至少其表面可以疏水 性材料來構成。洗淨處理與刷洗處理時之基板旋轉數可以 設定爲200至700 rpm，而上述乾燥處理時之基板旋轉數 可以設定爲5 00至lOOOrpm。 【實施方式】 以下，參照附圖詳細說明本發明之實施形態。在此， 針對適用本發明於進行半導體晶圓（以下簡稱晶圓）之表 -10- 200836251 背面洗淨之液體處理裝置之情形加以說明。 圖1爲表示本發明之一實施形態的洗淨裝置的槪略構 造之剖面圖，圖2爲其平面圖，圖3爲表示圖1之洗淨裝 置之洗淨液供應機構以及刷洗液供應機構；圖4爲表示將 配置圖1之洗淨裝置之液體噴出板之部分擴大之剖面圖， 圖5爲表示將圖1之洗淨裝置之排氣、排液部擴大之剖面 圖。 該洗淨裝置100係組裝多部於未圖示之液體處理系統 中，而具備：底板（base plate) 1，用於將被處理基板之 晶圓W保持成可旋轉之晶圓保持部2 ;使該晶圓保持部2 旋轉的旋轉馬達3 ;旋轉杯4，設成圍繞保持於晶圓保持 部2之晶圓W，而且與晶圓保持部2 —起旋轉；用於對晶 圓W之表面供應處理液之表面側液體供應噴嘴5 ;對晶圓 W背面供應處理液之背面側液體供應噴嘴6 ;以及設置於 旋轉杯4之周緣部之排氣排液部7。另外，設有外殼8在 排氣排液部7之周圍與晶圓W之上方。在外殼8上部設 有氣流導入部9，係透過設置於側部之導入口 9a導入來 自液體處理系統之扇濾器（FFU )的氣流，可對保持於晶 圓保持部2之晶圓W供應清淨空氣的降流（Down flow) ο 晶圓保持部2具備：形成設置於水平之圓盤狀的旋轉 板1 1，以及連接於其背面的中心部分而垂直延伸至下方 的圓筒狀旋轉軸12。旋轉板U之中心部分形成有連通旋 轉軸1 2內的孔1 2 a的孔1 1 a。而且在中心部分垂直形成 -11 - 200836251 有背面側液體供應噴嘴6的升降構件1 3被設成可以在孔 1 2a與孔1 1 a內升降。旋轉板1 1設有用於保持晶圓W之 外緣之保持構件1 4 ’如圖2所示，該3者係以等間隔配 置。該保持構件1 4係以晶圓W稍爲由旋轉板1 1浮出之 狀態將晶圓W保持於水平。該保持構件1 4具備：可以保 持晶圓W之端面的保持部14a ;由保持部14a延伸至旋轉 板背面側中心方向之連接部1 4b ;以及使保持部1 4a在垂 直面內轉動的旋轉軸14c，藉由未圖示之汽筒（cylinder )機構將連接部14b之前端部往上推，保持部14a即轉動 至外側以解除晶圓W之保持。保持構件1 4係藉由未圖示 之彈簧機構施壓於保持部1 4a保持晶圓W之方向，且不 使汽筒機構運轉時’成爲藉由保持構件1 4保持晶圓W的 狀態。 旋轉軸12係藉由具有兩個軸承15a之軸承構件15支 撐於基板1成可旋轉。在旋轉軸1 2下端部嵌入有滑輪（ Pulley ) 16，在滑輪16被繞掛皮帶17。皮帶17也被繞掛 在安裝於馬達3之軸之滑輪18上。而且藉由旋轉馬達3 ，經由滑輪1 8，皮帶1 7以及滑輪1 6旋轉旋轉軸1 2。 表面側液供應噴嘴5係以被保持在噴嘴保持構件22 之狀態裝設於噴嘴臂22a之前端，而由後面所述之液體供 應機構85通過設置於噴嘴臂22a內之流路供應處理液等 液體，並且透過設置於其內部之噴嘴孔5a噴出液體。 也如圖2所示，噴嘴臂22a係利用驅動機構81以軸 23爲中心設成可以轉動，藉使噴嘴臂22a轉動，表面側 -12- 200836251 液體供應噴嘴5可以取得晶圓W中心上面與外周上面之 晶圓洗淨位置，以及晶圓W之外方的閃避位置。另外， 噴嘴臂22a可以利用汽筒機構等之升降機構82上下移動 〇 如圖3所示，在噴嘴臂22a內設有流路83，而表面 側液體供應噴嘴5之噴嘴孔5 a與流路8 3之一端相連。此 外，流路83之另一端連接有配管84a。配管84a連接到 液體供應機構85，並透過配管84a，流路83由液體供應 機構8 5將特定的液體供應到表面液體供應噴嘴5。 背面側液體供應噴嘴6係設置於升降構件1 3之中心 ，而在其內部形成沿著長度方向延伸的噴嘴孔6a。在噴 嘴孔6a下端連接有配管84b。而配管84b被連接到液體 供應機構85,並透過配管84b由液體供應機構85將特定 之液體供應到背面液體供應噴嘴6。 液體供應機構85具有供應做爲洗淨處理之藥液，例 如酸性藥液之稀氟酸（DHF )之DHF供應源86 ;供應鹼 性藥液之氨化水（SCI )之SCI供應源87 ;以及供應做爲 刷洗液之例如純水（DIW)之DIW供應源88。由DHF供 應源86，SCI供應源87，DIW供應源88延伸有配管89a ，90a，91a，該等配管89a，90a，91a透過開閉閥92a， 93a，94a連接到配管84a。因此，藉由操作開閉92a ’ 93a ，94a，即可選擇性地將氨化水（SCI )，稀氟酸（DHF ) ’純水（DIW )供應至表面側液體供應噴嘴5。 另外，由DHF供應源86，SCI供應源87，DIW供應 -13- 200836251 源88也有配管89b，90b，91b延伸，該等配管89b，90b ，9 1b藉由開閉閥92b，93b，94b連接至配管84b。因此 藉由操作開閉閥92b，93b，94b即可選擇性地對背面側液 體供應噴嘴6供應氨化水（SCI )，稀氟酸（DHF )與純 水（DIW)。此外，在配管84b的開閉閥92b下游側設有 開閉閥95，該開閉閥95連接有噴出管96。該噴出管96 由於液體本身之重量或吸氣器（Aspirator)等的吸引， 可以噴出噴嘴孔6a內之液體。 此外，由DIW供應源88延伸之配管91a，91b被連 接到配管84a，84b之最上游側。 如圖4之擴大圖所示，升降構件1 3之上端部具備中 央連接到背面側液體供應噴嘴6之噴嘴孔6a，並具有用 於噴出液體之液體噴出口 24a之液體噴出板24。在液體 噴出板24上面具有三支用於支撐晶圓W之晶圓支撐銷25 (圖中僅示二支）。液體噴出板24上部呈寬大的圓錐梯 形，在處理中係如圖示，被收容於孔la內，而其表面高 度約略與旋轉板1 1之表面高度相一致。孔1 1 a呈現與液 體噴出板24相對應的圓錐梯形。在旋轉板n與液體噴出 板24之間形成間隙24b，而由旋轉軸12下方通過旋轉軸 1 2與升降構件1 3之間的間隙所供應之氮（N2 )氣可由間 隙24b吹出晶圓W的背面側。藉此可防止液體入侵旋轉 軸1 2內部。 在升降構件1 3下端藉由連接構件26連接有汽筒機構 2 7，利用該汽筒機構2 7使升降構件1 3升降俾晶圓W升 -14- 200836251 降以進行晶圓w的裝載（loading)與卸載（Unloading) ο 旋轉杯4具備：由旋轉杯1 1端部上方延伸至內側斜 上方之圓環狀保護部3 1，以及由保護部3 1外端部延伸至 垂直下方之筒狀外側壁部3 2。而且如圖5之擴大圖所示 ，在外側壁部3 2與旋轉板1 1之間形成有圓環狀的間隙 3 3，晶圓W隨著旋轉板1 1與旋轉杯 4旋轉而飛散的洗 淨液與刷洗液由該間隙3 3被引導之下方。 在保護部3 1與旋轉板1 1之間與晶圓W大致同高的 位置裝設有板狀的引導構件35。底部31與引導構件35 之間，以及引導構件3 5與旋轉板1 1之間分別形成用於通 過洗淨液與刷洗液之開口 3 6，3 7。該開口 3 6，3 7係由在 保護部3 1與引導構件3 5之間以及引導構件3 5與旋轉板 1 1之間沿著圓周方向介設的多個間隔構件（未圖示）所 構成。而且保護部3 1，引導構件3 5，旋轉板1 1與該等之 間的間隔構件是以螺絲4 0所固定（參照圖5 )。 引導構件3 5之表背面被設成大致上與晶圓W的表背 面相連接。而在利用馬達3使晶圓保持部2與旋轉杯4與 晶圓W —起旋轉俾由表面側液體供應噴嘴5對晶圓W表 面中心供應處理液時，處理液由於離心力而擴展至晶圓W 表面，而由晶圓W之周緣甩開。由該晶圓W表面甩開之 處理液被引導至引導構件3 5之表面而由開口 3 6噴出外部 ，而由外側壁部3 2引導至下方。另外，相同地使保持部 2與旋轉杯4與晶圓W —起旋轉而由背面側液體供應噴嘴 -15- 200836251 6將處理液供應到晶圓W背面之中心時，處理液由於離心 力而擴展至晶圓W背面，而被由晶圓W周緣甩開。由該 晶圓W背面甩開之處理液，被引導至大致連續設置之引 導構件35背面而由開口 37噴出外部，並被外側壁部32 引導至下方。此時，到達外側壁部3 2之處理液受到離心 力的作用，而成爲霧氣而被阻止返回內側。 此外，引導構件3 5如上所述，係用於引導由晶圓W 表面與背面甩開之處理液，因此，由晶圓W之周緣脫離 之處理液不容易成爲亂流，而可以不霧化處理液而引導至 旋轉杯4。另外，如圖2所示，引導構件3 5上，與晶圓 保持構件1 4相對應的位置設有缺口部4 1以避開晶圓保持 構件1 4。 排氣、排液部7主要用於回收由旋轉板1 1與旋轉杯 4所圍繞的空間所噴出氣體與液體者；而也如圖5之擴大 圖所示，具備：用於承受由旋轉杯4所噴出之洗淨液或刷 洗液之呈現環狀之排液杯5 1，以及與排液杯5 1形成同心 狀之環狀以收容排液杯5 1之排氣杯52。 如圖1與圖5所示，排液杯5 1在旋轉杯4之外側具 備：接近於外側壁部3 2而垂直設立且呈筒狀之外周壁5 3 ，以及由外周壁5 3下端部朝向內側延伸的內側壁5 4。在 內側壁54之內周垂直形成內周壁54a。由該等外周壁53 與內側壁54所限定之環狀空間形成液體收容部56以收容 由旋轉杯4所噴出之洗淨液與刷洗液。另外，在外周壁 53上端爲防止來自排液杯5 1之處理液的飛濺而設置突出 -16- 200836251 至旋轉杯4之上方部分之突出部5 3 a。在與液體收容部5 6 之保持構件1 4之外側相對應之位置具有由內側壁5 4延 伸至旋轉板1 1之下面附近，並沿著排液杯5 1的周圍方向 設置成環狀的區隔壁5 5。而且液體收容部5 6被該區隔壁 55分離成用於承接由間隙33噴出之液體的主杯部56a， 以及用於承接由保持構件14的保持部14a附近部分滴下 之液體的副杯部5 6b。液體收容部5 6之底面5 7被區隔壁 55分隔爲與主杯部56a相對應之第1部分57a與與副杯 部5 6b相對應之第2部分5 7b，兩者皆由外側朝內側（旋 轉中心側）傾斜上升。而第2部分57b之內側端到達與比 保持構件1 4之保持部1 4a更內側（旋轉中心側）相對應 的位置。區隔壁5 5具有，在旋轉1 1旋轉時，阻止由突出 於保持構件1 4之旋轉板Π下方的部分所形成的氣流伴隨 霧氣到達晶圓W側的功能。在區隔壁5 5形成有用於由副 杯部 56b將處理液引導至主杯部56a的孔58 (參照圖1 )° 在排液杯5 1的內側壁5 4之最外側部分設有由液體收 容部5 6排液的一處排液口 6 0，在排液口 6 0連接有排液 管61 (參照圖1 )。排液管61設有排液切換部（未圖示 )，可以根據處理液之種類區別回收或廢棄。另外，排液 口 60也可以設置多個。 排氣杯52具備：在排液杯5 1之外周壁53的外側部 分垂直設置之外側壁64 ;在保持構件1 4的內側部分垂直 設置且其上端接近旋轉杯1 1之內側壁6 5 ;設置於底板1 -17- 200836251 上面之底壁66 ;以及上側壁67，設成由外側壁64 曲，而覆蓋旋轉杯4上方。而且，排氣杯5 2由該 67與旋轉杯4的保護部3 1之間形成環狀之導入匚 集旋轉杯4與其周圍之主要爲氣體成分而噴出。另 排氣杯52下部，如圖1與圖5所示，設有排氣口 排氣口 70連接有排氣管7 1。排氣管71下游側設 示之吸引機構，可以排除旋轉杯4周圍的氣體。 7〇設有多個，可以根據處理液的種類切換使用。 在排液杯51外側壁之外周壁53與排氣杯52 壁64之間形成環狀的外側環狀空間99a，另外在 51之底部與排氣杯52之底部之間的排氣口 70的 分沿著周圔方向設有形成有許多通氣孔98之環狀 整構件97。而且外側環狀空間99a與氣流調整構伯 收容於排氣杯52中，而具有調節到達排氣口 70之 均勻排氣之功能。亦即，如上述藉由通過環狀空間 環狀空間99a將氣流整周均勻地引導至下方，並設 有許多通氣孔9 8的氣流調節構件9 7俾賦予壓力損 氣流阻力並分散氣流，即可不拘與排氣口 70之距 比較均勻的排氣。 另外，在排氣杯51之內周壁54a與排氣杯52 壁65之間形成有呈環狀的內側環狀空間99b，此 排液杯5 1之內周側形成有與排氣杯52之間的間f 而由導入口 6 8導入之氣體成分不僅流入外側環 99a，也流入一些到排液怀51之液體收容部56， 向上彎 上側壁 68收 外，在 70，而 有未圖 排氣口 之外側 排液杯 外側部 氣流調 :97被 氣流而 的外側 置形成 失，即 離進行 之內側 外，在 巢77 ° 狀空間 該氣流 -18- 200836251 由液體收容部56通過內側環狀空間99b而在整周被均句 向下引導，通過間隙77而由排氣口 70比較均勻地進行排 氣。 如上述，來自排液杯5 1之排液與來自排氣杯5 2之排 氣係獨立進行，因此，可以將排液與排氣以分離狀態引導 。另外，縱使由排液杯5 1漏出霧氣，由於排氣杯5 2環繞 於其周圍，可以迅速地藉由排氣口 70噴出，而確實防止 霧氣漏出外部。 基板處理裝置100具有由微處理機（Microprocessor ，電腦）所構成的工程控制器（Process controller) 121 ，基板處理裝置1 00之各構造部被連接到該工程控制器 1 2 1而成爲被控制之構造。另外，在工程控制器1 2 1連接 有使用者介面122，係由工程管理人爲管理基板處理裝置 1 〇〇之各構造部進行命令之輸入操作等之鍵盤或，將基板 處理裝置1 00之各構造部之運轉狀態顯示成可以目視之顯 示器等所構成。另外，工程控制器121連接有記憶部123 ，係用於儲存利用工程控制器1 2 1之控制實現基板處理裝 置1 〇〇所執行之各程處理之控制程式，與根據處理條件使 液體處理裝置1 〇〇之各構造部執行特定之處理的控制程式 之處理程式（recipe)。處理程式係記憶於記憶部123中 的記憶媒體。記憶媒體也可以爲硬碟或半導體記憶體，也 可以爲CDROM，DVD，快閃記憶體等之可携帶性者。另 外，也可以設成可以由另一裝置例如以專用線路適當傳送 處理程式。 -19- 200836251 而且，必要時，可以藉由來自使用者介面122之指示 等’由記憶部1 23叫出任意的處理程式以供過程控制器 1 2 1執行，在工程控制器1 2 1的控制下，執行在基板處理 裝置100的企望之處理。 接著說明利用如上構成的基板處理裝置1 00所實施之 洗淨方法。 首先，要根據圖6之流程圖以及圖7A-H之模式圖說 明洗淨方法之第1實施形態。在本實施形態中，係利用洗 淨液進行晶圓W之表背面之清洗，而在後續之刷洗處理 時，進行液體噴出板24之清洗。本實施形態的以下之洗 淨處理操作係根據儲存於記憶部123之處理程式（recipe )由工程控制器121所控制。另外，在圖6，圖7A-H以 及以下的說明係針對晶圓W的背面之清洗與液體噴出板 24之清洗加以說明，相對於晶圓W背面之洗淨液之洗淨 處理以及純水的刷洗處理，也進行晶圓 W表面之洗淨液 之洗淨處理以及純水的刷洗處理。 首先，在將升降構件1 3上升的狀態下，由未圖示之 搬送臂將晶圓W交接於液體噴出板24的支撐銷25上（ 工程1 -1 ;圖7 A )。 然後，將升降構件1 3下降至液體噴出板24到達旋轉 板1 1的孔1 1 a內之特定位置爲止，並在旋轉板1 1與液體 噴出板24與晶圓W之間形成液膜形成用之間隙之狀態下 ，利用保持構件14夾持（Chucking)晶圓W，使晶圓W 與保持構件2以及旋轉杯4 一起旋轉（工程1-2 ;圖7B ) -20- 200836251 。此時，晶圓W的旋轉數宜爲200至700rpm左右爲理想 〇 接著，在使晶圓W旋轉之狀態下，直接由背面側液 體供應噴嘴6將特定洗淨液噴出至晶圓W背面（工程1 -3 ;圖7C )。此時，在晶圓W背面會形成洗淨液之液膜， 惟背面側液體供應噴嘴6最初並未充滿液體，因此在洗淨 液被噴出的時間點在液體噴出板24上並未形成液膜。此 外，在本工程中之晶圓W之旋轉數以200至700rpm爲理 想，洗淨液噴出量以0.5至2.0/分鐘爲宜。 利用洗淨液之清洗結束後，接著，將處理液切換成刷 洗液之純水而噴出（工程1-4 ;圖7D )。此時之晶圓W 的旋轉數以200至lOOOrpm爲理想，純水噴出量以1.0至 2.0L/分鐘爲理想。在本工程中，在晶圓W雖然形成液膜 ，惟在液體噴出板24表面仍然未形成液膜。因此，暫時 停止刷洗液之純水之噴出，使背面側液體供應噴嘴6內成 爲充滿處理液之狀態（工程1-5 ;圖7E)。 在此狀態下，藉由再度噴出刷洗液之純水，即可以在 液體噴出板24表面也形成液膜，不但晶圓W背面會被刷 洗處理，同時液體噴出板24表面被純水清洗（工程1_5 ;圖 7 F )。 結束上述之刷洗處理後，開放閥95並利用液體本身 之重量，或利用吸氣器（Aspirator)等之吸引，噴出噴嘴 孔6 a內之純水（工程1 · 7 ;圖7 G )。本工程係爲極力不 使液體殘留於旋轉板Π表面，以及爲防止在液體噴嘴孔 -21 - 200836251 6a內的液體混合而進行。 當液體噴出板2 4之至少表面爲疏水性之材料（例如 鐵芙龍（註冊商標））等之氟素系樹脂）所構成時，在圖 7 G所示之刷洗處理結束時，液體噴出板24表面之純水與 附著於晶圓W之純水被一起甩開而不留水滴。因爲液體 噴出板24不旋轉，所以如果殘留水滴，則在後續的乾燥 處理中將不易處理，惟如上述，藉將液體噴出板24表面 設成疏水性即可在結束刷洗工程之階段不留水滴，而防止 殘留之水滴附著於晶圓W而使其污染。 在上述之刷洗工程後，在停止供應刷洗液之純水的狀 態下，進行晶圓W的甩乾作業（工程1 -8 ;圖7H )。此 時之晶圓W之旋轉數以5 00至lOOOrpm爲理想。 以上的第1實施形態可以以刷洗液之純水充分清洗液 體噴出板24 ’對於不願長時間暴露於洗淨液之情形很有 效。 利用以上之第1實施形態，雖然可以清洗液體噴出板 24 ’惟隨著晶圓W之背面爲疏水性或親水性而洗淨性與 乾燥性不同’因此宜視背面爲疏水性之情形或親水性之情 形變更工程。以下針對此種更理想的實施形態加以說明。 首先，參照圖8說明爲進行此種更理想之實施形態之 裝置構造。如圖8所示，表面側液體供應噴嘴5與背面側 液體供應噴嘴ό以及其附屬構造與圖3相同。在此，利用 液體供應機構8 5 ’以取代第1實施形態中使用之液體供應 機構8 5之點爲與圖3之構造的主要不同點。 -22- 200836251 如圖8所示，該液體供應機構85’具有供應例如酸藥 液之稀氟酸（DHF )做爲洗淨處理之藥液之DHF供應源 1 〇 1，以及供應鹼性藥液之氨化水（S C 1 ) 做爲洗淨處理 之藥液之SCI供應源102，以及供應例如純水（DIW ) 做爲刷洗液之DIW供應源103。由DHF供應源101，SCI 供應源1Q2，以及DIW供應源103分別延伸配管104， 105，106，該等配管 104，105，106透過開閉閥 107， 108，109連接到配管84。而配管84被連接到與噴嘴臂 22a之流路83相連的配管84a，以及與噴嘴孔6a下端相 連的配管84b。因此，藉由操作開閉閥107，108，109， 可以將氨化水（SCI )，稀氟酸（DHF )，與純水（DIW )選擇性地供應至表面側液體供應噴嘴5與背面側液體供 應噴嘴6。在連接到DIW供應源103的配管106設有縮小 純水流量之流量切換閥1 1 〇。另外，在配管84之開閉閥 1 07下游側設有開閉閥1 1 1 ’在該開閉閥1 Π連接有噴出 配管112。該噴出配管112可以利用液體本身之重量（自 重排水）噴出噴嚨孔6 a內的液體。此外’若利用自重排 水噴出液體過速時，在噴出配管112中會殘留液滴’因此 ，在噴出配管112設有固定孔口 113’藉由該固定孔口 1 1 3可以控制噴出速度。 由配管84b至配管84之連接點之下游側介設有關斷 閥（Shut-off valve ) 1 1 4以關斷透過配管84對背面側液 體供應噴嘴6供應液體。在配管8 4b的關斷閥1 1 4之下游 側設有開閉閥1 1 5，開閉閥1 1 5連接有配管1 1 6，該配管 -23- 200836251 1 1 6連接有小流量用DIW供應源1 1 7。有比由該小流量用 DIW供應源1 17透過配管1 16，與由DIW供應源103透 過配管1 06所供應的純水流量更小的純水被供應至配管 84b。亦即，想對背面側液體供應噴嘴6注入小流量的純 水時，即關閉關斷閥1 1 4，而開啓開閉閥並透過配管1 1 6 由小流量用DIW供應源1 1 7將小流量的純水供應到配管 84b。但是，若關閉關斷閥1 1 4時，供應到表面側液體供 應噴嘴5的純水之流量倍增，因此，與關斷閥1 1 4之關閉 動作連動操作上述流量切換閥1 1 0以縮小供應到表面側液 體供應噴嘴5之純水的流量。 在上述液體供應機構85’之外，在配管84b之開閉閥 1 1 5之下游側透過開閉閥1 1 8連接有乾燥氣體供應配管 1 1 9。在開閉閥1 1 8開啓之狀態下，可以由乾燥氣體配管 1 19經由配管84b對噴嘴孔6a供應乾燥氣體例如氮氣（ N2)，並由液體噴出口 24a對晶圓W之背面中央部勁吹 乾燥氣體。 其次，首先根據圖9之流程圖與圖10A-I之模式圖說 明第2實施形態做爲以上述圖8之裝置構造上所實施之理 想的實施形態。第2實施形態適用於晶圓W之背面爲疏 水性的情形者。 在第2實施形態中，進行與第1實施形態之工程1 -1 至工程1-5完全相同之由晶圓交接到暫時停止純水噴出之 工程（工程2-1至工程2-5 ;圖10A至E )。 然後，與第1實施形態之工程1 -6相對應再次噴出刷 -24- 200836251 洗液之純水（工程2 · 6 ;圖1 0 F )。但是，此時之噴出量 應比開始之純水噴出（工程2-4 )之噴出量爲少。這是因 爲噴出量過多時，不易在液體噴出板24形成液膜。具體 的純水噴出量以0.1至0.3 L/分鐘爲宜。另外，此時的晶 圓W之旋轉數以100至3 OOrpm爲理想。又較少量的噴出 量的純水供應係由上述之小流量用DIW供應源117以配 管1 1 6進行。 然後，停止純水之噴出（工程2-7;圖10G)。這是 因爲若由噴出純水之狀態立刻噴出噴嘴孔6a內之純水時 ，則在液體排除板24外周有時會留下液體而成爲乾燥不 良。如上述，藉由在噴出前停止純水之噴出，液體噴出板 24與晶圓背面之間所形成之水柱變細，而可以防止液體 噴出板24之外周殘留液體。此時之晶圓W之旋轉數宜爲 1 00-3 OOrpm 〇 然後，開啓閥95而藉由液體之本身重量，或藉由吸 氣器等之吸引噴出噴嘴孔6a內的純水（工程2-8，圖10H )。該工程因爲與第1實施形態之工程1 -7相同，是盡量 不在旋轉板1 1表面不留液體，以及爲防止在噴嘴孔6a內 的液體混合而進行。 如上述噴出純水而結束刷洗工程後，在停止刷洗液之 純水之供應之狀態下，進行晶圓W之甩乾（工程2-9 ;圖 101)。此時之晶圓W之旋轉數宜設定於1000至2000rpm 〇 其次，要根據圖1 1之流程圖與圖12A-J之模式圖說 -25- 200836251 明第3實旋形態。第3實施形態適用於晶圓W之背面爲 親水性的情形者。 在第3實施形態中，與第2實施形態之工程2-1至工 程2-6完全相同，進行由晶圓之交接到再度噴出純水之工 程（工程3-1至工程3-6 ;圖12A-F )。 然後，增加純水之噴出量（工程3-7 ;圖12G)。這 是在晶圓背面爲親水性時，因爲由噴嘴孔6a所噴出之純 水被吸入晶圓背面，而不易在液體噴出板24上面擴展所 致；藉由增加純水的噴出量，純水就可以容易擴展至液體 噴出板24之整面。此時之純水噴出量以0.5至1.5L/分鐘 爲宜。另外，此時之晶圓W之旋轉數宜爲100至3 OOrpm 〇 然後，開啓閥95而藉由液體之本身重量，或藉由吸 氣器等的吸引噴出噴嘴孔6a內的純水（工程3-8 ;圖1 2H )。該工程與第1實施形態之工程1 -7相同，是因爲盡量 不在旋轉板1 1表面留下液體，以及防止液體在噴嘴孔6a 內混合而進行。 然後，由乾燥氣體供應配管1 1 1經由配管84b對噴嘴 6a供應做爲乾燥氣體之例如氮氣’並由液體噴出口 24a 朝晶圓背面之中央部分勁吹（工程3-9 ;圖121)。由於 晶圓背面之中央部分沒有離心力之作用，也沒有氣氛之取 代，所以在晶圓背面爲親水性時，背面中央部分容易發生 乾燥不良。因此，如上述，藉由對背面中央部分勁吹以輔 助乾燥。此時之條件以1至50NL/分鐘爲理想。 -26- 200836251 然後，停止氮氣，並進行晶圓w之甩乾（工程3 -1 〇 ;圖12J)。此時之晶圓W之旋轉數以1 000至2000rpm 爲理想。 其次，根據圖13之流程圖與圖14A-L的模式圖說明 第4實施形態。上述之第2實施形態以及第3實施形態適 用於已知晶圓W之背面爲疏水性或親水性之情形，但是 在實際的處理中，有時不知道晶圓W之背面爲疏水性或 親水性。因此，第4實施形態表示不管晶圓W爲巯水性 或親水性皆可進行良好之處理之方法。 在第4實旋形態中，與第3實施形態之工程3 -1至工 程3 -6完全相同地進行由晶圓交接至再度噴出純水爲止之 工程（工程4-1至工程4-6;圖14A至F)，然後，與考 慮及晶圓W背面爲親水性之情形，如同第3實施形態之 工程3-7 —樣，增加純水噴出量（工程4-7 ;圖14G)。 可是，背面爲疏水性之晶圓時’如在增加純水噴出量 之狀態下直接噴出噴嘴孔6a內之液體時’在液體噴出板 24外周會殘留液體而成乾燥不良’因此使純水噴出量降 低（工程4-8 ;圖14 )。此時的純水噴出量宜爲0.1至 0.3L/分鐘。另外，此時之晶圓旋轉數宜爲100至300rpm 〇 如此將純水噴出量降低後’與第2實旋形態之工程 2-7相同停止純水之噴出（工程4-9 ;圖141)。這是因爲 背面爲疏水性晶圓時’若只減少純水噴出量’然後噴出噴 嘴孔6 a內的純水時’在液體噴出板2 4外周有可能留下液 -27- 200836251 體而成乾燥不良，因此，藉由在噴出前停止純水的噴出， 即可以防止與上述第2實施形態的工程2-7 —樣，在液體 噴出板24之外周殘留液體。此時之晶圓W的旋轉數以 100至3 00rpm爲理想。 然後，開啓閥9 5並藉由液體本身之重量，或吸氣器 等之吸引，噴出噴嘴6a內的純水（工程4-10 ;圖14J) 。該工程與第1實施形態之工程1 -7相同爲盡量不在旋轉 板1 1表面留下液體，以及防止液體在噴嘴孔6a內混合 而進行。 然後，顧及背面爲親水性之晶圓之情形而由噴嘴孔 6a朝晶圓背面之中心部分勁吹做爲乾燥氣體之例如氮氣 (工程4-11 ;圖14K)。這是與第3實施形態的工程3-9 相同，對晶圓背面爲親水性時容易發生乾燥不良的背面中 央部分勁吹乾燥氣體以輔助乾燥。此時的條件宜設定爲1 至50NL/分鐘爲理想。 然後，停止氮氣並進行晶圓W的甩乾（工程4-12 ; 圖14L)。此時之晶圓W之旋轉數以1 000至200rpm爲 理想。 以上的第1至第4實施形態係針對液體噴出板24係 以刷洗液之純水清洗的情形加以說明，但是有時也希望利 用洗淨液充分清洗液體噴出板24的時候，此時的洗淨方 法係如以下第5實施形態所示。 圖1 5爲表示本發明之第5實施形態的洗淨方法之動 作的流程的流程圖，圖1 6A-Η爲用於說明該操作之模式 -28- 200836251 圖。該實施形態中利用圖3之構造做爲液體供應機構等之 裝置構造。 圖15的工程5-1至5-3如圖16A-C所示，與第1實 施形態之圖7A至C所示之工程Id至1-3完全同樣地進 行。工程5-3之圖16C之狀態中，雖在晶圓W背面雖然 形成有清淨液之液膜，惟背面側液體供應噴嘴6最初爲未 充滿液體的狀態，因此，在洗淨液被噴出的時間點液體噴 出板24並未形成液膜。因此，暫時停止洗淨液之噴出， 以使背面側液體供應噴嘴6內成爲充滿洗淨液之狀態（工 程 5 - 4 ;圖 1 6 D )。 在此狀態下，藉由再度噴出洗淨液，也在液體噴出板 24表面形成液膜，並進行晶圓W背面與液體噴出板24表 面的清洗（工程5-5 ;圖16E)。 利用洗淨液清洗後，連續地將處理液切換成刷洗液之 純水以進行刷洗處理（工程5-6 ;圖16F )。此時，由背 面側液體供應噴嘴6噴出刷洗液之純水俾在晶圓W背面 形成純水的液膜。另外，此時也在液體噴出板24表面形 成純水的液膜，也在液體噴出板24實施刷洗處理。 結束上述之刷洗處理後，開啓閥95並利用液體本身 的重量，或吸氣器等之吸引，噴出噴嘴孔6a內之純水（ 工程5-7 ;圖16G )。該工程係以與第1實施形態之圖7G 所示之工程1 - 7完全相同的方法進行。 在該實施形態的情形中，在液體噴出板24之至少表 面係以疏水性材料構成時，於圖1 6G所示之刷洗處理結 -29- 200836251 束之時間點，液體噴出杯24表面之純水與附著於晶圓W 之純水一起被甩開而不殘留水滴，可以防止水滴附著於晶 圓W上而污染。 此種刷洗工程後，如圖1 6H所示，在停止供應刷洗 液之純水的狀態下，進行晶圓W之甩乾（工程5 - 8 )。該 工程係以與圖7H之工程1-8完全相同的方法進行。 此外，如上所述，針對晶圓W背面進行洗淨液的洗 淨處理與純水的刷洗處理之間，也對晶圓表面進行洗淨處 理與刷洗處理，惟該等處理係由表面側液體供應噴嘴5供 應洗淨液或刷洗液之純水來進行。 如上所述，將洗淨方法設成暫時停止洗淨液或刷洗液 之純水並再度噴出，所以可以在液體噴出板24表面形成 處理液之液膜而可以清洗。因此，在晶圓W接觸到液體 噴出板24時，可以有效防止對晶圓W之污染。 另外，在利用上述構造的洗淨裝置1 00實施上述第1 與第2洗淨方法時，設成圍繞晶圓W外側的杯部（cup ) 係與晶圓W —起旋轉的旋轉杯4，所以由晶圓W甩開的 處理液碰到旋轉杯4時，因離心力作用於處理液，而不易 發生像固定杯的情形之飛散（霧化）。而且到達旋轉杯4 之處理液被引導至下方，而由間隙3 3噴出到排液杯5 1之 主杯部5 6 a。另一方面，在旋轉杯1 1之保持構件1 4之安 裝位置設有***保持部1 4a的孔，因此，由該部分對排液 杯5 1之副杯部5 6b滴下處理液。而且如此被排液杯5 1承 接的處理液，邊在其中回旋，邊由排液口 60透過排液管 -30- 200836251 61噴出。 此外，在排氣杯52由其上側壁67與旋轉杯4之保護 部3 1之間形成環狀的導入口 68吸入旋轉杯4內與其周圍 的主要氣體成分，而由排氣口 70透過排氣管71排氣。 再者，由於有旋轉杯4之存在，排液杯51只需要可 排液之極小者即可，另外，排液杯5 1與排氣杯5 2分別獨 立設立，且將排液與排氣分別取入並由排液口 60與排氣 口 70分別噴出，所以不必設置分開排氣與排液的特別機 構。此外，排液杯5 1係以被收容於排氣杯5 2之狀態設置 ，所以雖然爲分別取入排氣與排液之構造，但是可以縮小 空間，結果可將裝置的腳印（foot print )縮小。另外， 由於排液杯5 1係收容於排氣杯52之狀態，所以即使處理 液之霧氣由排液杯5 1漏出也可以排氣杯5 2捕捉，以致可 以防止處理液之霧氣飛散至裝置外而帶來不良的影響。 利用上述實施形態，在由背面側液體供應噴嘴噴出洗 淨液或刷流液而在基板背面形成洗淨液或刷洗液之液膜後 ’藉由暫時停止洗淨液或刷洗液之供應而再度噴出處理液 ，即可在液體噴出口之周圍部分也形成洗淨液或刷洗液之 液膜，因此，在清洗基板背面時，也可以洗淨處理液體噴 出口的周圍部分，以防止污染所支撐的基板。 再者，本發明並不侷限於上述實施形態而可以有各種 變形。例如，在上述實施形態中，係以進行晶圓的表背面 之清洗之洗淨處理裝置爲例加以說明，但是本發明並不限 定於此，也可以爲僅進行背面之洗淨處理之洗淨處理裝置 -31 - 200836251 。此外’上述實施形態係以半導體晶圓做爲被處理基板之 情形加以說明，惟也可適用於以液晶顯示裝置（LCD ) 用之玻璃基板所代表之平面面板顯示器（FPD)用之基板 等其他基板自不待言。 【圖式簡單說明】 圖1爲表示本發明之一實施形態之洗淨裝置之槪略構 造的剖面圖。 圖2爲表示將本發明之一實施態之洗淨裝置切去一部 分的槪略平面圖。 圖3爲表示圖1之洗淨裝置之液體供應機構之槪略圖 圖4爲擴大表示配置圖1之洗淨裝置之液體噴出板之 部分的剖面圖。 圖5爲擴大表示圖1之洗淨裝置之排氣/排液部之剖 面圖。 圖6爲表示本發明之第1實施形態之洗淨方法之操作 的流程圖。 圖7A-H爲用於說明本發明的第1實施形態的洗淨處 理之操作的模式圖。 圖8爲表示用於實行比本發明更理想之實施形態之裝 置構造的槪略圖。 圖9爲表示比本發明更理想之實施形態之一的第2實 施形態之洗淨方法之操作流程的流程圖。 -32- 200836251 圖10A-I爲用於說明本發明之第2實施形態的洗淨處 理之操作的模式圖。 圖1 1爲表示比本發明更理想的實施形態之一的第3 實施形態之洗淨方法之操作流程的流程圖。 圖12A-J爲用於說明本發明之第3實施形態的洗淨處 理之操作的模式圖。 圖1 3爲表示比本發明更理想的實施形態之一的第4 實施形態之洗淨方法之操作流程之流程圖。 圖HA-L爲用於說明本發明的第4實施形態之洗淨處 理之操作的模式圖。 圖1 5爲表示本發明的第5實施形態之洗淨方法之操 作流程的流程圖。 圖16A-H爲用於說明本發明之第5實施形態的洗淨 處理之操作的模式圖。 【主要元件符號說明】 1 :底板 2 :晶圓保持部 3 :旋轉馬達 4 :旋轉杯 5 :表面側液體供應噴嘴 6 :背面側液體供應噴嘴 7 :排氣排液部 8 :外殼 -33· 200836251 9 a :導入口 1 1 :旋轉板 1 2 :旋轉軸 12a :孔 1 3 :升降構件 1 1 a :孔 1 4 :保持構件 14a :保持部 14b :連接部 14c :旋轉軸 1 5 a :軸承 1 6 :滑輪 17 :皮帶 1 8 :滑輪 22 :噴嘴臂 22a :噴嘴臂 85 :液體供應機構 5 a :噴嘴孔 8 1 :驅動機構 23 :軸 82 :升降機構 8 3 :流路 84a :配管 84b :配管 200836251 86 : DHF供應源 87 : SCI供應源 88 : DIW供應源 89a :配管 90a :配管 9 1 a :配管 92a :開閉閥 93a :開閉閥 94a :開閉閥 95 :開閉閥 96 :噴出管 6a :噴嘴孔 24 :液體噴出板 24a :液體噴出口 25 :晶圓支撐銷 92b :開閉閥 24b :間隙 26 :連接構件 2 7 :汽筒機構 31 :保護部 32 :外側壁部 3 3 :間隙 35 :引導構件 3 6 ··開口 -35 200836251 3 7 :開口 4 0 :螺絲 41 :缺口部 5 1 :排液杯 5 2 :外側壁部 53 :外周壁 54 :內壁部 54a :內周壁 56 :液體收容部 53a :突出部 5 6 a :主杯部 1 4 a ·保持部 5 5 :區隔壁 56b :副杯部 60 :排液口 61 :排液管 64 :外側壁 65 :內側壁 66 :底部 67 :上側壁 68 :導入口 70 :排氣口 71 :排氣管 99a :外側環狀空間 - 36 200836251 98 :通氣孔 97 :氣流調整構件 99b :內側環狀空間 77 :間隙 100 :洗淨裝置 1 2 1 :工程控制器 122 :使用者介面 123 :記憶部 101 : DHF供應源 102 : SCI供應源 103 : DIW供應源 104 :配管 105 :配管 106 :配管 107 :開閉閥 108 :開閉閥 1 09 :開閉閥 84 :配管 57b :第2部分 84a :配管 6a :噴嘴孔 1 1 0 :流量切換閥 1 1 1 :開閉閥 112 :噴出配管 -37 200836251 113: 114： 84b ： 115： 116: 117： 85,： 118 ： 119: 57 : 57a ： 57b ： 58 : 固定孔口 關斷閥 配管 開閉閥 配管 小流量DIW供應源 液體供應機構 開閉閥 乾燥氣體配管 底面 第1部分 第2部分 孔 -38-