JP2005243940A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リンス処理直後に、ウエハWの下面中央部とノズル29の先端部(ノズル開口部30bおよび遮断部材30の上面30aの全面)との間に液溜りPを形成することで、ウエハWの下面中央部およびノズル29の先端部に残留付着している液滴Lを液溜りPに取り込んでいる。さらに、該液溜りPを吸引除去ことによって液溜りPとともにウエハWの下面中央部およびノズル先端部から残留液滴Lを除去している。ここで、ノズル開口部30bの開口寸法はノズル先端に向かうにしたがって大きくなっているので、安定して液溜りPが形成されるとともに吸引除去される。
【選択図】 図5
Description
を備えている。
図1は本発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。この基板処理装置は、本発明の「基板」の一種である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)Wの上面および下面に対してウエハ洗浄液を供給してウエハ洗浄処理を行い、またウエハ洗浄処理後に純水やDIWなどのリンス液によるリンス処理を施した後にスピン乾燥する装置である。この基板処理装置では、中空の回転軸1が、モータ3の回転軸に連結されており、このモータ3の駆動により鉛直軸周りに回転可能となっている。この回転軸1の上端部には、円板状のスピンベース5が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。また、スピンベース5の周縁部付近には、ウエハWの外周端部に当接しつつウエハWを支持する支持ピン7が複数本設けられている。そして、複数本の支持ピン7によってウエハWの下面と対向するスピンベース5から所定の間隔離した状態でウエハWが水平に支持されている。このように、この実施形態ではスピンベース5と複数本の支持ピン7とでウエハ(基板)Wを支持する基板支持手段が構成されている。
DIWの流量:1000cm3/min以下
ウエハ回転数:200rpm以下
また、
DIWの流量:400cm3/min以下
ウエハ回転数:0〜50rpm
に設定するのがより好ましい。
図6は本発明にかかる基板処理装置の第2実施形態の動作を示す図である。この実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、液溜りPを吸引する速度、つまり吸引速度を2段階に切り換えている点であり、その他の構成および動作は第1実施形態のそれらと同一である。したがって、以下においては相違点を中心に説明する。
ところで、上記実施形態では、ノズル29の吐出口30cを利用して液溜りPを吸引除去するように構成しているが、図7および図8に示すように吐出口30cとは別個に吸引口をノズル先端部に設けるとともに、供給部と吸引部とを個別に分離して設けるようにしてもよい。
上記実施形態では、ノズル先端部においてウエハWの下面と対向する対向面(遮断部材30の上面30a)を有するノズル、いわゆる傘型ノズルからウエハWの下面中央部にウエハ洗浄液、リンス液やノズル洗浄液などを吐出する基板処理装置に対して本発明を適用している。しかしながら、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、任意のノズル形態、例えば、対向面を有しないノズルを備えた基板処理装置に対して本発明を適用できる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第1〜第3実施形態においては、ノズル開口部30bを取り囲むように、ウエハWの下面に平行して対向する対向面(遮断部材30の上面30a)が設けられているが、図12に示すように、ノズル開口部30bを、その内底面に設けられた吐出口30cから遮断部材30の外縁にまで開口が広がるように設けるようにしてもよい。このように構成しても、上記第1〜第3実施形態と同様な作用効果が得られる。
29b…ノズル開口
30…遮断部材
30a…上面(対向面)
30b…ノズル開口部
30c…吐出口
30d…吸引口
33、33C…供給・吸引機構(供給手段、吸引手段)
33A…供給機構(供給手段)
33B…吸引機構(吸引手段)
L…(残留)液滴
P…液溜り
V1、V2…吸引速度
W…ウエハ(基板)
Claims (14)
- 基板を回転させながら前記基板の下面中央部に向けて第1処理液を吐出することで、前記基板の下面全体に前記第1処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置において、
その先端部に前記基板の下面に向けて開口された開口部が設けられるとともに、前記先端部を前記基板と離間させながら配置されたノズルと、
第2処理液を前記ノズルに供給することで前記処理を受けた基板の下面に向けて前記ノズル開口部より前記第2処理液を吐出させて前記基板の下面中央部と、前記ノズル先端部との間に液溜りを形成する供給手段と、
前記液溜りを前記ノズル開口部より吸引して前記基板の下面中央部と前記ノズル先端部との間から前記液溜りを除去する吸引手段と
を備え、
前記ノズル開口部の開口寸法が前記ノズルの先端に向かうにしたがって大きくなるように前記ノズル開口部が前記ノズル先端部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記ノズル先端部には、前記ノズル開口部に連通し、しかも前記基板の下面中央部を臨むように吐出口が設けられ、
前記供給手段は前記ノズルに前記第2処理液を供給して前記吐出口から前記基板の下面中央部に向けて前記第2処理液を吐出させる請求項1記載の基板処理装置。 - 前記吸引手段は前記吐出口より前記液溜りを吸引除去する請求項2記載の基板処理装置。
- 前記ノズルは、前記ノズル先端部において前記ノズル開口部を取り囲むように設けられるとともに、前記基板の下面と対向する対向面を有しており、
前記吐出口からの第2処理液の吐出によって前記液溜りが前記ノズル開口部および前記ノズルの対向面の全面と、前記基板の下面中央部との間に形成される請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記ノズル先端部には、前記ノズル開口部に連通するように吸引口が設けられ、
前記吸引手段は前記吸引口より前記液溜りを吸引除去する請求項2記載の基板処理装置。 - 前記ノズルは、前記ノズル先端部において前記ノズル開口部を取り囲むように設けられるとともに、前記基板の下面と対向する対向面を有しており、
前記吐出口からの第2処理液の吐出によって前記液溜りが前記ノズル開口部および前記ノズルの対向面の全面と、前記基板の下面中央部との間に形成される請求項5記載の基板処理装置。 - 前記吸引口は、前記ノズル開口部の内底面に設けられている請求項5または6記載の基板処理装置。
- 前記供給手段は、前記第1処理液と同一成分の液体を前記第2処理液として前記ノズルに供給する請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記供給手段は、前記ノズルを洗浄するノズル洗浄液を前記第2処理液として前記ノズルに供給する請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板を回転させながら請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置の前記ノズル先端部に設けられた前記ノズル開口部より前記基板の下面に向けて第1処理液を吐出することで、前記基板の下面全体に前記第1処理液を供給する第1工程と、
前記ノズル開口部より前記基板の下面に向けて第2処理液を吐出して前記基板の下面中央部と、前記ノズル先端部との間に液溜りを形成する第2工程と、
前記液溜りを前記ノズル開口部より吸引して前記基板の下面中央部と前記ノズル先端部との間から前記液溜りを除去する第3工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第2工程では、前記基板を回転させながら前記液溜りを形成する請求項10記載の基板処理方法。
- 前記第3工程では、前記液溜りの吸引速度を多段階に加速させながら前記液溜りを除去する請求項10または11記載の基板処理方法。
- 前記第3工程では、前記基板を回転させながら前記液溜りを吸引する請求項10ないし12のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板を回転させながら前記基板の下面中央部に向けて処理液を吐出することで、前記基板の下面全体に前記処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置において、
その先端部に前記基板の下面中央部を臨むように開口が設けられるとともに、前記先端部を前記基板と離間させながら配置されたノズルと、
前記処理液を前記ノズルに供給することで前記ノズル開口より前記処理液を吐出させて前記基板の下面全体に前記処理液を供給する供給手段と、
前記ノズルに残留する前記処理液を前記ノズル開口より吸引する吸引手段と
を備え、
前記ノズル開口の開口寸法が前記ノズルの先端に向かうにしたがって大きくなるように前記ノズル開口が前記ノズル先端部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004052069A JP4342343B2 (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004052069A JP4342343B2 (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005243940A true JP2005243940A (ja) | 2005-09-08 |
JP4342343B2 JP4342343B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=35025347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004052069A Expired - Fee Related JP4342343B2 (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4342343B2 (ja) |
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JP7420515B2 (ja) | 2019-09-19 | 2024-01-23 | 株式会社ディスコ | 保護膜の除去方法、及び、保護膜の除去装置 |
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Publication number | Publication date |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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