TWI333404B - - Google Patents
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Description
1333404 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關搭載半導體元件的半導體搭裁用的多$ 印刷電路板。 【先前技術】 般而言’印刷電路板的最外層係為了保護導體迴 路,而施加焊料阻抗(solder resist)層。在形成焊料= (bump)之際,為了與導體迴路的連接,形成使焊料阻抗層 開口露出的焊料墊(pad)。在成為焊料墊的 二 M, ^ m 1刀在苑加鎳 曰、·層之後’將焊料膏(paste)印刷’藉由實施回户 广⑽),形成焊料塊’在外部基板的連接部係形成焊: 層而配置外部連接端子。作為這些習知技術,曰 10-154876號等係被提出。 【發明内容】 (發明所欲解决的課題) 然而,焊料塾的開口直徑變小 口直徑在200㈣以下),藉由印刷伸技(例如,烊料塾的開 上的話,由於墊片上焊#^ 料膏形成在焊料墊 上坪科的充填不足, 而不能保料料塊的形Μ外部料 4充填等的不良 能達成作為焊料塊及样料層的機能。因^用的谭料層,不 信賴性下降的情形。 ’有電連接性及 又,隨著焊料墊的開口直徑變小 例如,由於焊料墊
2160-7098-PF 5 1333404 和焊料壤的連接面積係變小,密著性亦有下降的情形。即 使在外部連接侧也會引發同樣的事情密著性有下降的情 ^ ’其結果作為半導體元件及印刷電路板也會有電連接性 及信賴性下降的情形。 又’在焊料膏及焊料層内氣泡係被形成,此一氣泡係 丨起焊料的破裂等,且由於氣泡直接在焊料層内殘留,作 為進订電連接性的焊料的機能也有下降的情形亦成為早 期使信賴性下降的主要因素。 I 又’較習知的焊料墊構造(鎳金)緩衝熱應力係被要 求畢竟熱應力發生之際,在焊料塊或是焊料層也會有熱 應力發生的情形。隨著焊料墊的開口直徑變小,而熱應力 未被緩衝時’焊料塊或是焊料層的破損及龜裂等的不良會 此一結果’有作為印刷電路板的電連接性及信賴性 下降的情形。 因此有需要改善在焊料塾和焊料層内的金屬間,焊 料塊和焊料層間的強度、耐蝕性。 • 特別疋’在熱循環(heat eycle)條件下及高溫高濕條 件下等的彳5賴性試驗中,確保作為長期間的印刷電路板的 信賴性係有困難的。 又,在焊料塊使用少鉛的焊料之時,由於除了韌性較 錯焊料低,且在内部不能吸收應力,此一不良的傾向係變 得顯著。 (用以解決課題的手段) 本發明係用以解決上述的課題而提案的發明,其目的
2160-7098-PF 6 1333404 系藉由作為在強度、密著性優的焊料墊構造,而密著性、 電連接性、信賴性優的的印刷電路板及其製造方法。 (第—發明··實施例1、實施例2) β發明者銳意研究的結果,焊料阻抗層的一部份被開口 的焊料墊係被形成’自此焊料墊露出的導體迴路的表層施 複。層’在複合層上形成外部連接用的焊料塊或是焊料 層的印刷電路板。 上述複合層的技術特徵係由Ni層(鎳層卜“層(鈀層) 所構成。 又,焊料阻抗層的-部份被開口的坪料塾係被形成, 此烊料墊露出的導體迴路的表層施加複合層,在複合層 上為形成外部連接㈣焊料塊或是焊料層的印刷電路板。 上述複合層的技術特徵係由Νι層(錄層),層所構 上述焊料塊或是焊料層係由未含有錯的焊料所構成。
層’層所構成的複合層層積,在其上使二:塊上 層形成。谭料塊的話’進行與半導體元連^详 ::::連:過外部連接端子—”,二: 降。
提高 2160-7098-PF 7 1333404 其理由係藉由鍍層所形成的鈀係難以形成未析出等的 不良鈀層的表層的氧化皮膜的形成比率係與^層(金層) 相比為小》因此,即使安裝垾料,可減少發生將焊料無法 調σ等的不良。又’在焊料塾内,可將需要的大小的焊料 塊或是焊料層形成。因此,由於焊料塊或是焊料層變成需 要的大小,結果焊料塊或是焊料層與導體迴路的密著性係 變成不易下降。又,作為印刷電路板的機能等亦變成不易 下降。 又,藉由使用鈀層,因為容易使熱應力變得容易被緩 衝,其結果係可使至焊料塊或是焊料層的不良減低,所以 可使電連接性及信賴性提高。 其理由’鈀層係與金相較剛性優。因&,熱應力係在 Pd層内被吸收,被緩衝。因此,藉由熱應力,可使傳達至 焊料塊或是焊料層的應力減低。因此,變成難以引起焊料 塊或是焊料層的損傷等。因&,在起因於焊料塊或是焊料 層的電性的連接方面不易發生不良,即使進行信賴性試 驗’在長期間的信賴性係被確保。 藉由作為此種複合層的構成,與習知的焊料墊構造(鎳 層-金層)相比’可使電連接性及信賴性提高。 又,在焊料塊或是焊料層使用未含鉛(無鉛)的焊料之 時,其效果係更顯著。無錯的焊料係與含錯的焊料相比, 對於緩衝熱應力較差。畢竟含鉛焊料(例如, 係對於發生的熱應力,在焊料内的應力被緩衝。因為被含 有的錯吸收應力。然而,無錯焊料係與含錯焊料相較,緩 2160-7098-PF 8 1333404 衝應力的力疲乏。因此,藉由在焊料墊設置由Ni層、Μ 層所構成的複合層,在焊料墊構造全體使應力緩衝。因此, 與習知的焊料墊構造(Ni層-Au層)相比,焊料本身的密著 性更優’且變得更易緩衝對於熱應力的應力,而可抑制被 . 形成的焊料塊或是焊料層的破損及龜裂等的不良。因此, v 較在習知的焊料墊構造安裝無鉛焊料相比,可確保電連接 性及信賴性。 又,由Ni層、Pd層所構成的複合係被設置在焊料墊 籲上的導體迴路上,在此複合層上,經過回流等,焊料塊或 是焊料層係被形成。此時,在焊料墊的導體迴路上,成為 所謂的Ni層-Ni合金層或是Ni_Sn合金層_焊料層或是焊 料塊的構造。在此,Ni合金層或是Ni_Sn合金層係可與焊 料層的密著性提高。亦即,由於Ni合金層或是Ni_Sn合金 層的剛性提向,對於拉扯的耐性被提高。此一結果可使剝 落(peel)強度提高。 此Ni合金層或是Ni-Sn合金層係不論其大小,對於拉 •扯的耐性係被提高。亦即,在此時,不論焊料墊的大小, Ni合金層或疋Ni-Sn合金層係不易使剝落強度下降。 在此’ Ni合金層或是Ni-Sn合金層係可使與焊料層的 密著性提高。亦即,由於Ni合金層或是Ni_Sn合金層提高 剛性,對於拉扯耐性被提高。此一結果不易使剝落強度下 降。 此Ni合金層或是Ni-sn合金層係不論其大小,對於拉 扯的对性被提咼。亦即’在此時,不論焊料墊的大小,Ni 2160-7098-PF 9 1333404 "層或疋Ni-Sn合金層係不易使剝落 層係:有^^一^等的合金心主要係㈣ 5例问’即使為二成分系或是三成分以上的其他成分系亦 可。 乍為Ni Sn合金層係必定含有Ni和%的合金層其 .日人面即使含有CU、Bi、In等亦可。主要係將Ni、Sn :5的比例高,即使為二成分系或是三成分以上的其他成 为系:可,如含有LCu、Ni—Sn,等的合金層等。 :由、類的Ni合金層或是Ni_Sn合金層係不易使剛性 下降。 藉由調整Ni合金層或是Νϋ合金層的厚度,不易使 錄層和焊料墊的接合強度下降,且可不易使拉扯強度下降。 心合金層或是Ni_Sn$金層的平均厚度虹㈠·_ 為較佳。藉由作為在這個範圍内,Ni合金層或是 金層的剛性變得更不易下降,此'结果1更不會使拉扯 強度下降。又’不論Ni、Sn以外的金屬的組合可不易使 拉扯強度下降。 在此’將平均厚度作為未滿。或是,平均厚度 超過2.5"的話,作為Ni合金層或是Ni,合金層剛性 係被確保,可在-般使m與位於上述的Ni Sn合金 層的厚度的範圍内的物件相較的話,由於剛性差,有拉扯 強度也差的情形。 又’由於將Ni合金層或是合金層的平均厚度作 為1.0〜2.5“,由實驗可了解藉由調整複合層的Ni層的 2160-7098-PF 10 ^33404 厚度、P含有量等及Pd層的厚度、p含有量等以進行。亦 即’焊料塊形成之際,複合層為Ni層、Pd層或是Ni層、 Pd層、貴金屬層的話,Pd層或是Pd層、貴金屬層係擴散, 合金層或是Ni-Sn合金層係被形成,然而在此時,藉由 Ni層的厚度、p含有量等及在pd層厚度、p含有量等, 合金層或是Ni-Sn合金層的厚度係被調整。因此,將pd層 的厚度調整,然而將Ni -Sn合金層的厚度改變,此—結果, Ni~Sn合金層的剛性係不易下降,且拉扯強度亦不易下降。
Ni合金層或是Ni-Sn合金層係藉由粒子的形狀由板狀 體、柱狀體、粒狀體中被選擇的任一種所構成的。藉由這 些單獨構成亦可(例如,只有板狀體被重複堆積的層積 體),藉由各自被複合的構成亦可(例如,板狀體和柱狀體 混合的層積體)。在這類中係主要以板狀體被構成的合金層 為較佳。板狀體係很難在各自的板狀體間形成空隙,容易 層積》因A ’主要以板狀體構成的合金層的剛性係容易被 確保。即使對於和焊料的拉扯強度,強度容易被確保。只 以板狀體被構成的合金層係特別佳。 又,Ni-Sn合金層係由三成分系(例如,Ni' sn、a) 構成的合金層為佳。由這類的一 — 田i類的二成分系所構成的合金層係 容易均一地混合,形狀容易均— .^ . a ^ J 因此,在合金層内不易 引起剝離等,容易確保剛性 保剛性又,此合金層的粒子形狀係 容易變成板狀體,剛性被提高。 又,由三成分系Sn:Cu:Ni=30~90:l〇〜50:1〜30 構成的合金層係在 的範圍内的話,剛性不易下
2160-7098-PF 11 033^°4 降。特別是,在焊粗场 曰 y塊或疋谭料層使用未含有錯(無錯)的 分料之時,藉由叙廡 ^ β …‘"發生的應力係容易被緩衝。因此, 變仔不易引起在盔奶押 ^ ^ ^ ,·,、釔烊枓内的損傷及龜裂,電連接性及信 賴丨生係被k而。特別县 .〇 、 疋,在Sn為40〜70wt%的Ni-Cu-Sn合 金層中’谷易提高剛性。 :::厚度作為〇 〇51〇 ◦㈣的話容易將^合金 廣或疋Nl-Sn合金層的平均厚度作為U〜2.5㈣。 二此,因為在⑻層的厚度未滿〇〇5“,無法充分的 進行N i擴散,所以交思技n丨.人 .厅以今易將Nl合金層的厚度變薄,結果係 容易將Ni層的厚度作為夫.甚] ’、 仔厌作马未滿l.〇/in),有時會有發生…入 金層的缺陷等的情形’結果使得焊料塾的剛性下降。。 相反的,Ni層的厚度超過1"㈣的話,因為可充八 的進行Ni擴散,助長Nl合金層的形成及Νι合金中的^ 含有量增加(例如,Sn,-Cu的三元素系合金中的 1 耋係增加W斤以容易將Ni合金層的厚度增厚。此 舍金層或I Ni-Sn合金層的平均厚度係變得容易超: 此-結果,Ni合金層或是㈣合金層的 τ 降的情形。 下 又,Ni層在0.05]. 〇“為更佳。在此範圍的 合金層或是Ni-Sn合金層的厚度係不會在i 〇 1 曰 .二5 “ m夕 外,且Ni合金層或是Ni-Sn合金層也有連續性,不易a 亦即,不易使焊料墊的剛性下降》 人缺。 又,Ni層在0.05〜0.3/zm為最佳。. 在此鞄圍的話, 論被使用在焊料的組成’可使Ni合金屉式导Μ· 〇 ^ « ^疋Wi-Sn合金岸 2160-7098-PF 12 1333404 '刀、即,因為Ni人么a上、 有量係不易變高,所以^杲二3是Ni~Sn合金層内的Ni含 歸納在希望的範圍内,因糸Nl D金層或是Nl-Sn合金層 將Pd層的厚度作為"二易使在焊料塾的剛性下降。 合金層的平均厚度作 ·㈣的話’容易將Ni-Sn 。丄· υ J. 5 /z m。
在此,Pd層係具#_ N 是Ni-Sn合金層的形成 、且阻礙心合金層或 或是Ni-Sn合金屬的厚度增;、“易將Nl合金層 均厚度係變得容易超過2 5 ,,Nl_sn合金層的平 夂仔谷易超過2.5em,因此,Ni合金層或是 &金層的剛性係不易提高。 n 相反的,Pd層的犀庶妒# , η 被抑制,由於⑻合金声戍/Ν 的話’ ^Nl擴散 。金層或疋Nl-Sn合金層的形成係被阻 礙’所以W合金層或是Ni-Sn合金層的厚度係容易變薄。 此時,W合金層或是Ni_Sr^金層的平均厚度係容易未滿 0.01//ΙΠ,因此,Ni合金層或是Ni—Sn合金層的剛性係不 易被提高。 特別是Pd層的厚度在0. 03〜0. 2/zm為較佳。藉由作為 在此範圍内,即使局部的厚度不均發生,Pd層的厚度係成 為在〇.〇卜1.0/zm的範圍内。因此’容易將被形成的Ni合 金層或是Ni-Sn合金層作為在上述的希望範圍内,因此, 不易使作為Ni合金層或是Ni-Sn合金層的剛性下降。 藉由Pd層内的燐(P)的含有量,也可控制Ni合金層的 厚度,可提高Pd層的剛性。 2160-7098-PF 13 1333404 將Pd層内的P的含有量作為2〜7wt%為較佳。藉此, 被形成的Pd層係不易變成多孔性,且皮膜容易均一,不易 形成表層的氧化皮膜。又,被形成的Pd層的剛性係變得容 易被確保。又’被形成的N i合金層或是ni -Sn合金層係容 易被形成’所以容易確保Ni合金層或是Ni-Sn合金層的剛 性。 在此’ Pd層的P的含有量係未滿2%或是Pd層的p的 含有量係超過7%的話’無法將Pd層均一地包覆在Ni層, 鲁多孔性係殘留在Pd層。氧化皮膜係容易被形成在Pd層的 表層,即使形成焊料,密著性係容易下降。又,有將pd層 本身的剛性作為下降的情形,變得不易將熱應力緩衝。因 此,有應力係集中至焊料棟或是焊料層的情形,有引起至 焊料的破損及龜裂等的不良的情形。又,進行信賴性試驗 的話,變得不易確保長期間的信賴性。一般的信賴性被確 保。 又,在使焊料回流之後,被形成的Ni合金層或是Ni_Sn •合金層係變得容易增厚,其結果被形成的Ni合金層或是
Ni-Sn合金層係可達成其機能,然而變成不易使剛性提高。 作為此例子,有Ni合金層或是Ni_Sn合金層的平均厚度3係 超過2.5/zm的情形。 又Pd層的P的含有量係作為4~6wt%為特佳^藉由將 P含有1作為在範圍内,即使發生局部的不均,p的含有量 不會掉到超過2〜7wt%之外太多。在被形成的pd層的表層里 乳化皮膜係變得不易被形成,在形成焊料之時無法調合等
2160-7098-PF 14 1333404 的不良係變得不易發生,密著性係被麵q,Pd層本身 的剛性也被確保,“緩衝對於熱應力的應力。因此,在
Pd層上被形成的焊料的破損及龜裂等的不良係不易被弓丨 起不會使=連接性及信賴性下降。即使進行有關於熱循 環條件下及高溫高濕條件下等的熱的信賴性試驗,機能的 劣化係慢慢的發生,經過長期間,變得容易確保信賴性。 又經過焊料的回流,被形成的Ni合金層或是1^_%合 金層的厚度係歸納在希望的範圍。此一結果,可更易使Μ 合金層或是Ni-Sn合金層的剛性提高。亦即,將剛性變成 不易下降。
Pd膜的厚度、Pd膜的燐含有量係藉由調整鍍層時間、 鍍層溫度、鍍層液組成、鐘層液巾白々PH #的條件,可將膜 的厚度、燐含有量調整。藉由鐘層液的槽的大小,液體流 動,不均係發生,然而必須檢討根據開始條件的厚度相關1 在此,參照第30圖說明有關在Pd層含有適量的p的 話’可形成無多孔性的Pd膜的理由。 第30(A)圖係表示含有適量的p的情形。在此,在μ 膜的形成係藉由無電解鍍層處理被進行。在此鍍層液作為 還原劑使用次亞鱗酸系的藥液作為還原劑。作為此例係使 用次亞燐酸鈉(NaH2P〇2)。首先,次亞燐酸離子(H2P〇2_)63 係被吸著在鎳層上(第30(A)圖中(1)),其次,Ni係變成觸 媒,在次亞燐酸離子使脫氫分解(H2P(V+2H_ pd + 2H + )產 生。藉由此脫氫分解發生的氫原子65係在Ni表面被吸著 而被活性化(第30(A)圖中(2))。鍍層洛中的Pd離子(pd2+) 2160-7098-PF 15 1333404 係由Ni表面的氩得到電子而被還原(pd2 + + 2H_^pd + 2H+)在 Pd金屬C第30(A)圖中(3))。析出的Pd金屬係變成觸媒, 在Ni表面藉由相同的步伐Pd係析出來(第3〇(A)圖中 (4))°在此,Pd-P的P為還原劑的次亞燐酸共析出的物質。 由於次亞燐酸具有將Ni觸媒活性的活動力,可在Ni表層 上無選擇性的形成鍍層’亦即緻密的Pd層。又,此時,藉 由調整次亞燐酸的濃度,在Pd層的皮膜内,可調整p的含 有量。 第30(B)圖係表示未含有p的純Pd的情形。在此,在 形成Pd膜方面,藉由無電解鍍層處理被進行,在此鍍層液 使用未含P的蟻酸(HCOOH)作為還原劑。首先,在Ni表面, 發生在Ni鍍層反應中的氫原子65係被吸著(第3〇(b)圖中 (1))。其次,鍍層浴中的Pd離子係和Ni表面的氫接觸的 話,Pd離子係被還原為金屬(第30(B)圖中(2))。藉由pd 析出反應的影響,蟻酸係被分解I和c〇2(第3〇(B)圖中 (3)) ° Pd離子係藉由壤酸的分解產生的氤罄古愈工二址请
性的鐘層皮膜,亦即,變 形成。 °然而’在初期析出時,由於作為還 若動’所以Ni表層的氫係成為還原劑。 因為並非存在很多的氫,成為具有選擇 f ’變成將成為多孔性的形狀的Pc}鍍層
卜又上述的各金屬的定量係藉由能源分散法(EDS)進 行在此種彳法,藉由將SEM(婦描式電子顯微鏡),或 2160-7098-PF 16 1333404 TEM(透過電子顯微鏡)的激起源的電子線照射在資料的表 面’使種種的信號發生。在其中,主要以Si(Li^導體檢 出器檢出特性X線,將在此能源比例的數的電子·正孔對 製作在半導體中’使電性信號發生、增幅、類比(_⑽)、 數位(digltal)變換後,藉由使用多頻道分析器(fflultl channel analyer)識別,得到χ線光譜,自此峰高(ped) 能源由此峰高量將元素的識別作為定量分析。在此測定' 定量’使用能源分散形X線分析裝置(日本電子(股份 式JED-ZiW)。使形成的金屬層直接照射進行,進行金屬 的定量測定。 層的厚度係形成在0.01].Mm的範圍為佳。特別 是形成在0.03〜0.7㈣的範圍為更佳。Pd層的厚度未滿 0.01/zm的狀態下,不會助長形成Ni合金層或是Μ—%八 金層。因此,在局部有未形成Ni合金層或是ν卜心: 的地方’因此,變得不易使Ni合金層或是Η,合金層二 剛性提高’此-結果,Ni-Sn合金層的剝落強度也變得不 易提高。相反的,Pd層的厚唐孫护讷, 增幻厣度知超過的話,藉由其 厚度’ Ni合金層或是Ni—Sn合金層的形成的助長係被阻 礙。因此’即使在局部有未形成Ni合金層或是㈣合金 層的地方’因此,Ni合金層岑县k 層^疋Nl Sn合金層的剛性有下 降的情形’其結果’ Ni合金層或是Ni,合金層的剝落強 度也變得不易提高(希望的剝落強度被確保)。 構成在本發明中的複合層的Ni層係、以含有Ni^、 Ni-P、Ni-Cu-P等的合金金屬形成為佳。 2160-7098-PF 17 1J33404 以純粹的Ni使Ni層形成膜的話,鍍層膜不合祜 在所右士 β饥臂積 万向’因此,有發生微細的孔(缺陷)的情形。人 金屬的 σ金 ’ 話’由於掩埋孔(缺陷)係被進行,膜係被均一的π 1Nl層(中間)〜Pd層、Ni層(中間)—Pd層-耐蝕層係使用 ,理的形成、化學的形成中的任—方皆可,或是其雙方皆 可。又’即使層積為單層或是雙層皆可。 g特別是,以Ni_P、Ni_Cu_P的合金金屬形成為佳。亦 即,換句話說,在Ni層不含P(燐)為較佳。其理由係在導 『迴路表面即使凹凸被形成,此凹凸相抵,可形成表層平 坦的皮膜。又,以鍍層被形成的情形中,在被形成的…胃層, 不易引起根據未析出、反應停止等的金屬層的未形成,形 成異常。又,可使在Ni層上被形成的Pd層的形成助長7 不易引起Pd層的未形成及形成異常。因此,形成的p:層 係成為希望的物件,即使作為複合層可使剛性確保。曰 人^層中的P(燐)的含有量係在0.5〜15wt%為特佳。?的 含有量未滿0.5wt%或是超過15wt%的話,變得容易阻礙… 層的形成。又’有Ni層上的Pd層的形成變得不易被助長1 的情形,此一結果引起被形成的Pd層的未形成及形成異^ 等的不良等’且有Pd層的剛性不被破保的情形。因此’,、有 所謂電連接性及信賴性不被確保的情形。作為印刷電路 板’在-般使用部分上沒有問題,“,也有可能出現需 要長期間信賴性的印刷電路板的優勢。 而 鎳膜的厚度、鎳膜的燐的含有量係藉由調整鍍層時 間、鍍層溫度、鍍層液組成、鍍層液中的pH等的條件,而 2160-7098-PF 18 丄 :將膜的厚度、燐的含有量調整。藉由鍍層液的槽 、、文體流動,不均係發生然 ’,、、 厚度的相關。 冑以相據開始條件的 在Ni層及Pd層的雙方’含有p(燐)為較佳。藉由在 又::有鱗,容易將以合金層或是Ni—Sn合金層形成此 ::果1易使在焊料塾的焊料塊或是在焊料層被形成的 此α金層的剛性等下降。
較佳的Νι層中的ρ(燐)含有量係比pd層中的ρ(鱗) 的含有量為低。藉此,pd層係成為使Ni層包覆,變成不 易引起在Pd層和Ni層的界面的剝離。作為此一結果,變 成不易使起因為在此焊料墊的界面的不良的電連接性及信 賴性下降。 ° 較it的Ni層中的ρ(燐)含有量係比pd層中的ρ(燐) 的含有量為高。藉此,進行在Pd層和Ni層和焊料的熱處 理,在使此合金層形成之際,容易變成板狀體,此一結果, 變得容易進行使在此焊料墊中所希望的或是在其上的剛性 •確保。 作為使用於本發明的焊料係可使用二成分系焊料、三 成分系焊料或是四成分以上多成分系焊料。作為含有於這 些組成的金屬係可使用Sn、Ag、Cu、Pb、Sb、Bi、Zn、In 等。 作為二成分系焊料係為Sn/Pb、Sn/Sb、Sn/Ag、Sn/Cu、 Sn/Zn等。又’作為三成分系焊料係為Sn/Ag/Cu、
Sn/Ag/Sb 、 Sn/Cu/Pb 、 Sn/Sb/Cu 、 Sn/Ag/In 、 Sn/Sb/In 、 2160-7098-PF 19
Sn/Ag/Bi 、 Sn/Sb/Bi 等。 為:此八, 寺即使作為這類三成分系焊料係作 …、一成刀在i 〇 w t %以上即可,gp你士 # l α , Λ, Μ吏主要的兩個成分佔95wt% M人^ ,傅风的知科亦可。(例如,Sn、Ag 的合計為97.5wt%,剩下為由c 所構成的二成分系焊料) 為未含錯(無錯)的谭料有Sn/Ag系焊料、^ =,、^系焊料、_㈣料等。這類焊料與_ #於熱應力的焊料内的應力緩衝係較差。因此, 在烊料内應力容易殘留。 又’在此之外即使使用由成 分系焊料亦可。作為多成分季痒上所構成的多成 ς /A ^ 夕成刀’丁、谇科有,例如,Sn/Ag/Cu/—Sb、
Sn/Ag/Cu/Bi等。即使使用調整“線量的焊料亦可。 在焊料的成分和N i屏!^ ϋ ^ β 層或…合金二=…得到形成Nl合金 層的話,即可使用。藉由此Ni合金層或 疋N卜Sn合金層’剛性係被提高,此一結果, 料的剝落強度下降。 穷把% 在此其中由Ni -Sn-Cu所構成的Ν.卜如合金層為較佳。 種合金,剛性係被提高。又,在該合金層除了 Ni、 如、'三種類以外即使含有^、讥、。、211等亦 β 3有k二並不會使h-Sn-Cu合金層本身的剛性劣化。只 疋’較Sn、Nl、Cu之任一金屬含有量增加的話剛性有 化的情形。 劣 又作為每類的焊料的熔點係,在15〇〜35(rc之 較佳。即使焊料的熔點未滿15(rc之時,相反的 焊 料的炫點超過咖之時,有不易形成⑽合金層』
2160-7098—PF 20 :亦即’即使溫度低’ Ni_Sn合金層不易被形成。因為 -度高時’ Ni會分離’所以不易形成㈣合金層。因此, 上边溫度的物件的話,Ni_Sn合金層係容易被形成。 在本發明的印刷電路板中,亦可在施加導體迴路的印 刷電路板的表層的導體迴路形成粗化層。其平均粗度(Ra) 係在U2〜7/zm為較佳。藉由此粗化層,使導體迴路和焊 抗層的密著性提向。特別是,較佳的範圍的平均粗度 係卜5^。^此範圍的話,不論焊料阻抗層的組成、厚度 等’可得到所希望的密著性。 作為粗化層的形成方法,包括:由Cu — Ni -p形成 的合金層等的無電解鍍層形成的方法,藉由第二銅合物和 有機夂规以蝕刻(etchlng)形成的方法、以及藉由氧化還原 形成的方法。配合情況即使藉由Sn、Zn等將粗化層包覆亦 可。 最外層的導體迴路係藉由焊料阻抗層被包覆保護。 士作為焊料阻抗層係可使用各種的樹脂,即使為熱硬化 ί·生樹:曰、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂,在熱硬化性樹脂 的邛伤(甲基)丙烯化的樹脂,使用這類樹脂兩種以上的 樹脂複合體亦可。作為樹脂係有環氧樹脂、祕樹脂、聚 醒亞胺樹脂、苯氧基樹脂、(鏈)烯⑷樹脂等。 在形成焊料阻抗層方面,預先調整粘度,將作為在漆 上的物件塗布。或是貼上作為半硬化狀態(Β步驟)的薄膜 狀的物件或疋’在塗布之後,即使藉由貼上薄模等的方 、、被進行亦可。又,错由不同的兩種類的樹脂,即使在複
2160-7098-PF 21 1333404 數層形成亦可。 又,在焊料阻抗層方面,將其一部份開口設置焊料墊。 此時,開口方法方面係可使用將描畫出開口墊片的罩(mask) 放置在焊料阻抗層上,經過曝光•顯像被形成的方法(光阻 法),藉由碳酸氣體激光、準分子(excimer)激光、yag激 光等的激光開口的方法的任一種。又,即使藉由直接描繪 法形成焊料墊的開口的方法亦可。 ^ 經過曝光·顯像形成的焊料阻抗層上係,例如可使用 由胺系硬化劑及咪唑硬化劑等,例如,雙酚A型環氧樹 又盼A型環氧樹脂的丙烯酸酯、漆用紛搭型環氧樹脂、 漆用酚醛型環氧樹脂的丙烯酸酯硬化的樹脂。 特別是在焊料阻抗層設置開口以形成焊料墊之時,由 漆用齡链型環氧樹月旨或是漆用齡盤型環氧樹脂的丙婦酸醋 構成,包含作為硬化劑的咪唾硬化劑的物件為較佳。 其次,在此導體迴路上形成焊料阻抗層。在本發明中 的浮料阻抗層的厚度係為5〜4〇"為較佳。過薄的話,沒 有作為焊料堰(dam)機能,過厚的話,除了不易作為開口, 且造成與焊料體接觸而成為在焊料體發生裂痕(㈣ 原因。 此種構成的焊料阻;s 抗層係具有鉛的遷移(鉛離子擴散 谭料阻抗層内的現象)少的俱 丄,. 的優點。且,此焊料阻抗層係為藉 味0坐硬化劑將漆用齡趁型 主衣乳树月日的丙烯酸酯硬化的樹 脂層,在耐熱性、耐鹼性 ▲ 即使在焊料溶化的溫度(2〇(Tc 别後)也不會劣化,鉾鏔M ^ ”、絶鍍層、金鍍層般的強鹽基性
2160-7098-PF 22 的鍍層液中也不會分解。 t、 ’丨而此種焊料阻抗層係因為藉由具有剛直骨格的樹 曰被構成’所以容易發生剝離。粗化層係、有效地用以防止 此種剝離。 +作為上述漆用酚醛型環氧樹脂的丙烯酸酯係可使用使 盼搭漆用紛酸及曱紛漆用紛酸的縮水甘油謎與丙稀酸及甲 基丙烯酸等反應的環氧樹脂等。 上述咪唑硬化劑係較佳為251、液體狀。由於液體狀 的話可均一的混合。 作為此種液狀咪唑硬化劑係可使用卜苯曱基_2—甲基 咪唑(品名:1B2MZ),卜氰乙基-2-乙基-4-曱基咪唑(品 名.2E4MZ-CN),4-甲基-2-乙基咪唑(品名:2E4MZ)。 此種咪唑硬化劑的添加量係對於上述焊料阻抗層組成 物的總固形分作為卜1〇重量%為較佳。其理由係添加量在 此範圍内的話,容易均一地混合。 上述焊料阻抗層的硬化前組成物係使用乙二醇酯系的 溶劑作為融媒為較佳。 使用此種組成物的焊料阻抗層係不會發生游離氧氣, 不會使銅墊片表面氧化。又,對於人體的有害性也少。 作為此種乙二醇酯系溶劑為下述構造方程式的物件, 特別是較佳為使用由甘醇二甲醚(DMDG)及三甘醇二甲醚 (DMTG)被選出中的至少任一種。這些溶劑係由於藉由 30〜50°C程度的加溫而可使反應開始劑的二苯甲酮及米蚩 鲖完全地溶解。 2160-7098-PF 23 丄叫404
‘n=i J 以3〇-(CH2CH2〇)n-CH3 …… 此乙二醇醋系的溶劑係較佳為對於焊料 的全部重量在1(M〇wt%。 成物 在以上說明般的焊料阻抗層組成物,其他方面, 加各種消泡劑及平坦劑,為了耐熱性及耐鹽基性的改善及 :予可撓性的熱硬化樹脂’為了解像度改善的感光性單體
例如,作為平 體為佳。又,作為 製的衣魯卡其瓦(γ 曰本化藥製的DETX
坦劑係由比丙烯酸酯的重合體構成的物 開始劑係為知霸卡依例(千八力、< 半—) Α力牛a 7) 1 907,作為光增感劑係為 -S為較佳。 ’即使添加色素及顏料 此種色素係使用酞菁綠 又’在焊料阻抗層組成物方面 亦可。因為可遮蔽配線圖案。作為 為車3C佳。 ^ 7為添加成A的上述熱硬化性樹脂係可使用㈣型環 鲁㈣脂為較佳。在此雙酚型環氧樹脂方面係有雙酚A型環 :樹月曰和雙酚F型環氧樹脂,重視耐鹽基性之時前者較 佳’需要健度化之時(重視塗布性之時)則為後者較佳。 作為添加成分的上述感光性單體係可使用多價丙烯系 早體。因為多價丙稀系單體係可以使解像度提高。例如, 曰本化藥製的DPE-6A或是共榮社化學製的卜_般的多價 丙缔系單體為較佳。 〇 又,这類的焊料阻抗層組成物係為25°C 、 〇Pa s,更佳為i〜10Pa. s。由於是容易以滾筒塗料 2l6〇-7〇98-pp 13334°4 器塗布的粘度。焊料阻抗層形成後,形成開口部。此開口 係藉由曝光·顯像處理形成。又,亦可使用市售的焊 抗層。 D ,且 焊料阻抗層形成後’在焊料阻抗層的開口部使由Ni層 -Pd層構成的複合層形成。 . 作為其一例係在自焊料墊露出的導體迴路上,使在無 電解鍍層含有Ni的金屬層形成。作為鍍層液的組成的例子 有硫酸鎳4.5g/l、次亞燐酸鈉25g/l、枸櫞酸鈉4〇g/1、 •硼酸12g/l、硫脲〇.lg/UPH=11)。藉由脫脂液,將焊料阻 抗層開口部、表面洗淨,將鈀等的觸媒賦予在露出於開口 部的導體部分,使其活性化之後,浸潰於鍍層液,使鎳鍍 層形成。 ' 錄鍍層形成後,使Pd層形成在Ni層上。 配合需要,在Pd層上藉由從Au、Ag ' Pt、如之中被 選出的金屬使耐蝕層形成。特別是以金使其形成為較佳。 配合需要藉由同一金屬經過置換鍍層、無電解鍍層,以兩 •層形成亦可。厚度為〇.〇1〜2/zm為較佳。 在開口部實施耐蝕層作為焊料墊之後,在開口部内藉 由印刷充填二成份系焊料、三成分系焊料或是多成分系^ 料的焊料膏。其後,通過溫度作為25()~35代的氮氣回流, 在與半導體70件連接的烊料墊側,作為焊料塊使其固定在 開口部内的焊料墊。即使使用未含鉛(無鉛)的焊料亦可。 又,在外部連接端子側焊料墊方面,作為焊料層形成, 使外部連接端子(BGA、PGA等)在焊料層上載置。又,即使 2160-7098-PF 25 在焊料層安裝電容器等的元件亦可。 (第二發明:實施例3、實施例4) 發明者銳意研究的結果,焊料阻抗層的一部份被開口 的焊料墊係被形成,自此焊料墊露出的導體迴路的表層設 置複合層, 本發明中的複合層之一為Ni層、Ni合金層(配合需 要,上述的Nl-Sn合金層),另外—種係表示^層、中間 層、責金屬層。在焊料墊使這些複合層配置,設置焊料塊 及谭料層,藉由進行與半導體元件和外部基板的連接的外 部連接端子(BGA、PGA等)以進行電性連接。 作為複合層,作為使Ni I、以合金層形成的情形, 例如,作為其一例,有Ni層、藉由^與其他的金屬被形 成的合金層 '含有Ni詹和Ni_Sn@Ni_Sn合金層、含有 心層與Cu-Ni-Sn的合金層等。除了這些之外,即使含有 In、Bi、p等亦可。 這類的複合層係被設置在焊料塾上的導體迴路上,在 此複合層上,經過回片望 口机等的加熱處理,焊料塊被形成,若
料料層的話,使其他的電子元件及外部連接端子配置。 ::,在:料塾上’成為所謂的複合層⑻層,合金層或 金層):焊料層或是焊料塊的構造。在此,以合 一曰7可為Νΐ’合金層)係可使與焊料的密著性提 m由於Νι合金層提高剛性,所以可提高對於拉扯 =高,與習知的焊料墊的構造相較,可使剝落 2160-7098-PF 26 ⑴3404 此Ni合金層係無論其大小’對於拉扯的耐性被提高。 =即,在此時,無論焊料墊的大小,Ni合金層係與習知的 焊料墊構造相較,可使剝落強度提高。 、又,作為複合層,作為使Ni層、中間層、金屬層形成 的情形,例如,作為其一例,有鎳層(Ni層卜鈀層(1^層)_ 金層(AU層)、鎳層(Ni層)—鈀層(Pd層)-銀層(Ag層)等。 ^置些複合層’在此複合層上’回流以設置焊料層 焊料塊的話,中間層及貴金屬層係擴散於焊料側。因此, 在鎳層與焊料塊的界面,由Ni ,
Ni人今屏在、, 坪针,.且成金屬所構成的 ^思金層係被形成。(在Ni合金層方面有,例如Nl和盆
Ni-S Γ二成分或是三成分以上的合金層、含有㈣的 11。金層、含有Cu-Ni-Sn的合金層等) —在:’ Νί合金層係可使與焊料層或是焊料塊的密著性 促阿。亦即,由於使Ni合金層形成 励丨姓 i u取j杈问作為焊料墊的 ,所以變成可提高對於拉扯的耐 知的悝袓勒α 1王此結果係與習 的烊枓墊相較,可不易使剝落強度下降。 下降此合金層倍、無論其大小’對於拉扯的耐性係不易 習:的Π,在Γ,無論焊料墊的大小,合金層係與 以社果了二县構造相較’因為可不易使剝落強度下降,所 、’·σ果可谷易使剝落強度提高。 厅 作為N i合金層係有,例 . a _ ,Ν1與其他金屬的二成> 或疋二成分以上的合金層、含 成刀
Cu-Ni-Sn的合金層等。藉由之 1 η °金層、含有 料墊内的焊料3 二的Nl合金層,可使在焊 ^門的焊枓層及焊料塊的剛性提高。
2160-7098-PF 27 1333404 藉由調整Νι合金層的厚度,鎳層與此合金層(Ni合金 層或是Ni-sn合金層)與焊料層或是焊料塊的焊料墊部係 與習知的焊料墊構造相較,接合強度被更加提高,而可不 易使拉扯強度下降。 Νι。金層或是Ni-Sn合金層的平均厚度為1〇〜2
jJL 了 * ^ fJL |M .·,、佳,藉由作為在此範圍内,使Ni合金層或是Ni_Sn入 金層的剛性變得不易下降,此一結果係由於使拉扯強度; 得不易下降。又,無關於Ni、Sn以外的金屬的組合,: 籲扯強度變得不易下降。 在此,將平均厚度作為未滿1.0# in,或是將平均厚声 作為超過2.5"m的話,作為Ni合金層或是Ni-Sn合金: 的剛性係被確保,雖然可在一般使用,但是與在上述二 Ni-Sn合金層的厚度的範圍内的物件相較,由於剛性差 所以有拉扯強度也差的情形。 ’ 為了將Ni s金層或是Ni-Sn合金層的平均厚度作 為1.0〜2.5//ID,從實驗中可得知藉由調整複合層的w 的厚度P含有篁等及Pd層的厚度、p含有量等進行。: 即’焊料塊形成之際,複合層為Νι層、pd層或是W層亦 Pd層、貴金屬層的話,Pd層或是pd層、貴金屬層係擴 Ni合金層或是1%合金層係被形成,然而在此時、
Ni層的厚度P含有量等及在以層的厚度p含有量; N,合金層或是Ni〜Sn合金層的厚度係被調整因此炒 調整Pd層的厚度,但改變心合金層的厚度…果一 Ni-Sn合金層㈣Μ不易下降,拉扯強度亦 ^果’
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Ni合金層或是Ni-Sn合金層係藉由其粒子的形狀由板 2體、柱狀體、粒狀體中被選擇的任—種所構成的。藉由 乂些單獨構成亦可(例如,只有板狀體被重複堆積的層積 體),藉由各自被複合的構成亦可(例如,板狀體和柱狀體 混合的層積體)。在這類中係主要以板狀體被構成的合金層 為較佳。板狀體係很難在各自的板狀體間形成空隙容易 層積°因&,主要以板狀體構成的合金層的剛性係容易被 確保。即使對於和焊料的拉扯強度,強度被容易確保。只 以板狀體被構成的合金層係特別佳。 Νι層中的P(燐)的含有量係在〇5〜15〇wt%為特佳。p 的含有量未滿〇.5wt%或是超過15wt%的話,變得容易阻礙 Nl層的形成。又’有Νι層上的Pd層的形成變得不易被助 :的情形’此一結果引起被形成㈣I的未形成及形成異 常等的不!等,且有Pd層的剛性不被確保的情形。因此, 有所謂電連接性及信賴性不被確保的情形。作為印刷電路
板,在一般使用部分上沒有問題,然而,也可能會具有在 必須長時間信類性的印刷電路板的優勢。 制的厚度、銻膜的燐的含有量係藉由調整鑛層時 間、鍍層溫度、鍍層液組成、鍍層液中的pH等的條件,而 可將膜的厚度、燐的含有量調整。藉由鍍層液的槽的大小、 液體流動,不均係發生,然而有必要檢討 、 歷疮沾如關 你1干的 在Ni層及中間層(例如 為較佳。藉由在雙方含有燐 P d層)的雙方,含有p (填) 容易將Ni合金層或是Ni-Sn 2160-7098-PF 29 叫 3404 合金層形成,此一壯果,尤总他 β ,.Ό果不易使在焊料墊的焊料塊或是在 焊料層被形成的此合金層的剛性等下降。 又,較佳_層中的Ρ(燐)含有量係比pd層中的ρ(鱗) 的含有量為低。藉此’ Pd層係、成為使N1層包覆,變成不 易引起在Pd層和Ni層的界面的_。作為此—結果,變 成不易使起因為在此焊料墊的界面的不良的電連接性及信 賴性下降。 較佳的Nl層中的P(燐)含有量係比Pd層中的P(燐) #此’進層與…層與焊料的熱處 理,在使此合金層形成之際,容易變成板狀體,此一結果, =传容易進行使在此焊料墊中所希望的,或是在其上的剛 性確保。 例如在中間層使用Pd層的情形中,以層(把層)係可 =焊料發生無法調合現象等的不良下降。因此,其結果和 古料的选、者性係與習知的焊料墊構造相較的話,可使其提 南 〇 其理由’藉由鍍層被形成的鈀係不易形成未析出等的 鈀層的表層的氧化皮膜的形成的比例與層(金層) '為J目此’即使女裝焊料,很少發生焊料無法調合 的不良。又’在焊料塾内’可形成所希望的大小的焊料 或是焊料層。因此’由於焊料塊及焊料層成為所希望的 小’結果焊料塊或是焊料層和導體迴路的密著性係不易 F降β 又,藉由使用把詹,變得容易使熱應力处 4 ✓ \ 、**〇 3〇 216〇^7〇98-Pf 叫34〇4 果係可使至焊料塊或是焊料層的不良減低,所以可不易使 電連接性及信賴性下降。
其理由,鈀層係與金相較剛性優。因此,熱應力係在 ^層内被吸收,被緩衝。因此,藉由熱應力,可使傳達至 痒料塊或是谭料層的應力減低。因此,變成不易引起痒料 塊或是焊料層的損傷#。因Λ,在起因於焊料塊或是焊料 層的電性的連接方面不易發生不良,即使進行信賴性試 驗在長期間的信賴性係被確保。 又,在焊料塊或是焊料層使用未含鉛(無鉛)的焊料之 時,此效果係更顯著。無鉛的焊料係與含鉛的焊料相比, 對於緩衝熱應力較差。畢竟含鉛焊料(例如,如 係對於發生的熱應力,在焊料内的應力被緩衝。因為被含 有的錯吸收應力。然而’無錯焊料係與含錯焊料相較。緩 衝應力的力疲乏。因此’藉由在焊料塾設置由^層、Μ 層所構成的複合層’在焊料塾構造全體使應力緩衝。因此, "駕知的焊料墊構造(Ni層_Au層)相比,焊料本身的密著 性更優’且變得更易緩衝對於熱應力的應力,而可抑制被 形成的焊料塊或是焊料層的破損及龜裂等的不良。因此, 較在習知的焊料墊構造安裝無鉛焊料相比,可確保電連接 又藉由中間層内的燐(p)的含有量,也可控制Ni合 金層等的合金層的厚度,將中間層内的P的含有量作I 2〜7wt%為較佳。藉此,被形成的中間層係不易變成多孔性’ 且皮膜容易變得均…因此被形成的Ni合金層等的合金層
216〇-7098*PF 31 1333404 係容易被形成,所以容易確保Ni合金層的剛性。 在中間層使帛Pd層的情形中,將p的含有量作為 2〜7wt%為較佳。藉由將Pd&p含有量在此範圍β,在被形 成的Pd層,不易變成多孔性,且皮膜容易變得均―。因此, 因為被形成的Ni合金層係容易被形成,且容易作為在上述 所希望的厚度範圍内,所以更容易確保[合金層的剛性。 在此’ Pd層的p的含有量係未滿2%或是pd層的p的 含有量係超過7%的話,無法將Pd層均―地包覆在…声, 多孔性係殘留纟P“。以合金層的厚度容易變厚,其結 T被形成的Ni合金層係可達成其機能,然而更不易使剛性 提鬲。作為此例,Ni合金層的平均厚度係有超過2 5 " m 的情形。 又,有Pd層本身的剛性下降的情形,變得不易將熱應 力緩衝。因此,有應力係集中至焊料塊或是焊料層的情形, 有易引起至焊料的破損及龜裂等的不良的情形。又,進行 信賴性試驗的話,變得不易確保長期間的信賴性。 在複合層的中間層上,可設置耐蝕層,藉由設置耐蝕 層’可以使在中間層±述的Ni層上助長Ni合金層的形成 的工作進行。 作為複合層的中間層,使用Pd層之時,在pd層上設 置耐蝕層為較佳。藉由設置耐蝕層,可使在Ni層上助長 Ni合金層的形成的工作進行。
在此,耐蝕層係藉由從Au、Ag、Pt等的貴金屬,或是 中至乂 種類以上被形成為佳。使用這些的金屬的 2160-7098-PF 32 1333404 話’因為Ni合金層的形成係被助長。 又’藉由同一金屬經過置換鍍層、無 換鍍層、無電解鍍層,經過兩階段以形成耐""層或疋置 此,可形成不受下層的Ni層的影響的金屬層亦可藉 提高’而可抑制焊料塊的形狀、機能 笼耐蝕性係被 ^ B啤等的影響。 ί钱層係為特別以AU被形成的物件, 的焊料墊係不同,即使藉由此也可得知使曰禪=被形成 性、密著性及洋料塊的形狀,機能提高。,的耐蝕 ❹層的厚度似U卜⑹的範圍形成為較佳 別疋以0.03〜l/zra的範圍形成為較佳。耐蝕 · 0· 01 " m的話’ Ni合金層被形成,然邱"度未滿 的形成未被助長的情形,因此,在局部處有金層 形成的地方’因此Nl合金層的剛性係變 ::曰未被 果,N i合金層的剝落強度亦變上 /、、、Ό -般使用的印刷電路板,在機能更二=然而,作為 別有問題。相反的,铜:;度::广性等並未特 〜序度巷過的話,葬 厚度合金層的形成的助長被阻礙的情形^ = 使在局部Ni合金層等的合金層有未被形成 二即
Nl合金詹的剛性係、變得不易提高,其結果,Η因此’ 落強度亦變得不易提高。 剝 又’在Ni層、中間声、 層耐蝕層的三層構成中,為了枯
Nl合金層形成’ Nl層中間層的主要因素係具有影響力
隨於此’也可得知有耐钱層的影響。耐钱層形 成此合金層方面影響小。 …、保在I 2160-7098-PF 33 ⑴3404 構成本發明中的複合層的Ni層係以含有^―以、 ' Ni-Cu-P等的合金金屬形成為佳。 使Ni層以純粹的Ni膜形成的話,鍍層膜係沒有被層 積在所有的方向。因此有微細的孔(缺陷)發生的情形,| 金金屬的話,埋孔(缺陷)係被進行,由於膜係均一的被= 成。Ni層(中間層)-Pd層、Ni層(中間)_pd層-耐蝕層係由 物理的形成 '化學的形成中的任一種皆可,亦可使用此雙 方。又,層積一層或兩層以上皆可。 特別是’以Ni—P、Ni-Cu-P的合金金屬形成為佳。亦 即,換句話說,在Ni層含有p(燐)為佳。此理由係在導體 迴路表面即使形成凹凸,可將此凹凸相抵,而將表層形成 為平坦的皮膜。又,藉由以鍍層被形成的情形巾,因為在 被形成的Mi層,不易引起由於未析出、反應停止等的金屬 層的未形成,形成異常。
最外層的導體迴路係藉由焊料阻抗層被包覆保護。 在焊料阻抗層形成後,在開口部使Ni_Ni合金層或是 由Ni層—中間層_耐蝕層構成的複合層形成。 作為〃例在自焊料墊露出的導體迴路上,在無 解鍍層上使含有Ni的全麗爲游# . ^ J生屬層形成。作為鍍層液的組成的· 子有硫酸鎳4. 5g/1 '次亞德舱細〇 人ώ燐酸鈉25g/l、枸櫞酸鈉4〇g/l 硼酸12g/l、硫脲〇. le/1 、姑丄 (ΡΗ=11)。藉由脫脂液,將焊; 阻抗層開口部,表面洗淫 4~ ^ U ββ 无净,在路出於開口部的導體部分j 與鈀等的觸媒,使其活性饴,4
石注之後,改潰在鍍層液,使鎳鍍J 形成。
2160-7098-PF 34 切3404 鎳層形成後,使中間層(例如,pd層)形成在Ni層。 其人藉由自Au Ag、p*t、sn之中被選出的金屬使耐姓層 形成。特別係藉由金使其形成為佳。視情況亦可藉由同一 金屬經過置換鍍層,無電解鍍層,以兩層形成。厚度係 0.01 〜2;czni 為佳。 在開口部實施耐蝕層作為焊料墊之後,在開口部内藉 由印刷充填二成分系焊料、三成分系焊料或是多成分系焊 料的焊料膏。其後,經過溫度作為25〇〜35〇〇c的氮氣回流, Φ使焊料塊固定在開口部内的焊料塾。 又’在外部連接端子側焊料墊係作為焊料層形成,且 在焊料層上使外部連接端子(BGA、PGA等)載置。 在本發明係可適用在組合印刷電路板、減去 (sub tractive)多層基板,然而適用在單面電路基板、兩面 電路基板、軟性基板、使用捲帶式(reel t〇 reel)方式的 軟性基板、陶瓷基板、AIN基板等的各式基板亦可得到相 同的效果。 【實施方式】 (實施例1) 有關本發明的實施例1的多層印刷電路板1 〇的構成, 參照第1圖的剖面圖以說明。在多層印刷電路板1 〇中,在 核心基板30的表面導體迴路34被形成。核心基板30的表 面和裡面是經由穿孔36被連接。在核心基板30的兩面設 置形成接觸孔6〇及導體迴路58的層間樹脂絕緣層50、以 35
2160-7098-PF 1333404 及形成接觸孔160及導體迴路158的層間樹脂絕緣層15〇。 知料阻抗層70被形成在此接觸孔及導體迴路Mg的上 曰、’呈由此坏料阻抗層70的開口部71,焊料墊77U、77D 被设置在導體迴路158,在此焊料墊77U、77D,塊、 76D被形成。 其次’參考第8圖(Β)說明有關焊料墊76U,第8(B) 圖係擴大表示以第1圖中的多層印刷電路板1〇的圓A圍起 來的部分。在導體迴路158上設置鎳鍍層72,經由鎳鍍層 72上的Ni-Sn合金層75,焊料層(塊)46係被連接。在實 知例1中,藉由調整Ni-Sn合金層75的平均厚度,在鎖鍍 層72和焊料層46的界面中’破斷不易發生。藉此,可提 南焊料層46的強度、密著性。 繼續’參照第2〜8圖說明有關上述多層印刷電路板1 〇 的製造方法。 A.層間樹脂絕緣層的樹脂薄膜的製作 一邊將雙酚A型環氧樹脂(環氧當量469、油化SHELL 環氧公司製%乳樹脂1〇〇1)3〇重量部、甲驗链型環氧樹脂 (環氧當量215 '大曰本INK化學工業公司製耶匹枯龍(工 (£夕口 > ) n-673)40重量部、三嗪構造含有苯酚醛樹脂(苯 酚性氫氧基當量120、大曰本INK化學工業公司製 KA-7052) 30重量部一邊攪拌在乙基二甘醇醋酯20重量部、 >谷劑油2 0重量部,一邊使其加熱溶解,這時添加末端環氧 化聚丁二烯(Nagase化成工業公司製帶那雷克斯(歹十b 7 夕又)’ R-45EPT)15重量部和2-苯基-4,5-雙(經乙基)咪 2160-7098-ΡΓ 36
唾粉碎品1 5奮曰A 泡劑0.5重^ 微粉碎二氧切2重量部、石夕系消 重里部㈣製環氧樹脂組成物。 传到的環氧樹脂組成物使 π M W薄骐上塗肖,袞同塗料器在厚度_ 藉由以8〇〜咖Γη _的厚度的方式之後, 用樹脂薄膜。 刀鐘使其乾燥,製作層間樹脂絕緣層
Β·樹脂充填材的調製 雙齡F型環氧單體(油化SHEU 量:310YL983U)l〇〇 會暑邱,+ 主一 。户在表面有機石夕炫偶合劑被塗命 塗料平均粒徑為]β ,, Μ上 J ^ ^ ^ 虹為1·6#πι,最大例子的直徑為15“m以下纪
Sl。2球狀粒子(職公司製,SU0卜⑻170重量部以 及平坦劑(SANNOPCO公司製,普楞醇S4)15重量部裝入在 谷态,藉由攪拌混合,調製粘度為23± rc、44〜49pa. $的 樹脂充填材。又,作為硬化劑,使用咪唑硬化劑(四國化成 公司製2E4MZ-CN)6. 5重量部。 C.多層印刷電路板的構造 U)在由厚度0· 8mm的氣體環氧樹脂或是BT(雙馬來酸 酐縮亞胺三嗪)樹脂所構成的絕緣性基板3〇的兩面將18以 m的銅箔32被層積的披覆銅積層板30A做為起始材料(第2 圖(A))。首先將此批覆銅積層板30A鑽孔器削孔,施加無 電解鍍層處理’藉由餘刻作為圖案(pattern)狀,在基板的 兩面形成下層導體迴路34和穿孔36(第2圖(B)) (2)將形成穿孔及下層導體迴路的基板水洗、乾燥之 後,進行將包含 NaOH(10g/l)、NaCl〇2(40g/l)、Na3P〇4(6g/l )
2160-7098-PF 37 1333404 的水溶液作為黑化浴(氧化浴)的黑化處理,以及將包含 NaOHClOg/i)、Na3BH4(6g/l)的水溶液作為還原浴的還原處 理,在包含此穿孔36的下層導體迴路34的全表面形成粗 化面 36 α、34 α (第 2 圖(C))。 (3) 將記載於上述Β的樹脂充填材調製之後,藉由下述 的方法在調製後的24小時内,在穿孔36内、以及基板的 單面的下層導體迴路非形成部和下層導體迴路的外緣部將 樹脂充填材40的層形成。亦即,將具有相當於穿孔36以 鲁及下層導體迴路34的非形成部的部分開口的版的樹脂充 填用罩放置在基板上,使用刮墨刀,在穿孔内,成為凹部 的下層導體迴路非形成部、以及下層導體迴路的外緣部充 填樹脂充填材40,以lOOt:/20分的條件下使其乾燥(第2 圖⑻)。 (4) 藉由將結束上述(3)的處理的基板的單面使用 的皮帶研磨紙(三共理化學製)的皮帶打磨器研磨,在下層 導體迴路34的外緣部和穿孔36的平面(丨⑽心的外緣部^ 不會殘留樹脂充填材40的方式研磨,其次,為了除去藉由 上述皮帶打磨器研磨的痕跡,在下層導體迴路的全表面(包 含穿孔的平面表面)進行拋光研磨。在基板的其他面也同樣 進行此種一連貫的研磨。其次,以1〇〇«»c/1小時、15〇。〇八 小時進行加熱處理,將樹脂充填材4〇硬化。(第3圖(A” 如此方式,將被形成在穿孔36以及下層導體迴路非形 成部的樹脂充填材40的表層部及下層導體迴路34的表面 作為平坦化,樹脂充填材和下層導體迴路的側面係經由粗 2160-7098-PF 38 丄划3404 化面強固地密著,又,穿孔36的内壁面以及樹脂充填材 40係經由粗化面而得到強固地密著的基板。亦即,藉由此 製程,樹脂充填材的表面和下層導體迴路的表面係成為大 約同一平面。 (5 )將上述基板水洗,酸性脫脂之後,作為軟餘刻,其 人以喷霧器將餘刻液噴至基板的兩面,藉由將下層導體 迴路34的表面和穿孔36的平面表面和内壁作為蝕刻,在 下層導體迴路34的全表面形成粗化面36/5(第3圖(b))。 作為蝕刻液係使用由咪唑銅(11)錯體1〇重量部、乙二醇酸 7重量部、氯化鉀5重量部所形成的蝕刻液(MTC公司製、 媒枯耶晴棒多(〆v夕工7千水 > 卜,))。 (6)在基板的兩面,载置較藉由a製作的基板大—些的 層間樹脂絕緣層用樹脂薄膜在基板上,在壓力〇 . 4MPa、溫 度80 C、加壓時間1 〇秒的條件下暫時加壓裁斷之後又, 藉由以下方法使用真空層壓機裝置黏貼以形成層間樹脂絕 緣層50(第3圖(〇)。亦即,將層間樹脂絕緣層用樹脂薄 膜藉由真空度67Pa、壓力〇. 4MPa、溫度8(TC、加壓時間 60秒的條件下正式加壓在基板上,其後,以170°C、30分 鐘使其熱硬化。 (Ό其-人’在層間樹脂絕緣層上,經由形成1. 2min的貫 接觸孔的罩,藉由使用波長10.4从m的C〇2氣體激光在光 束直禮4. 0mm、最熱模式(top hot mode)、脈衝幅度8. 〇 以专y罩的貝接觸孔的直徑1.0 mm、一射擊(shot)的條件 下,在層間樹脂絕緣層50形成直徑8〇 “ m的接觸孔用開口 2160-7098-PF 39 1333404 50a(第 3 圖(D))。 (8) 將形成接觸孔用開口 5〇a的基板浸潰在含有6〇g/i 的過《的8〇t溶液10分鐘,藉由將存在於層間樹脂絕 緣層50纟面的環氧樹脂粒子溶解除去,將包含接觸孔用開 口 50a的内壁的層間樹脂絕緣層5〇的表面作為粗化(第3 圖(E))。 (9) 其次,將結束上述處理的基板浸潰於中和溶液 (SHIPLEY公司製)後水洗。又,在粗面化處理(粗化深度3 em)的此基板的表面,藉由給與鈀觸媒,使觸媒核附著在 層間樹脂絕緣層50的表面及接觸孔用開口 5〇a的内壁面 (未圖示)。亦即,將上述基板浸潰於含有氯化鈀(PbCl2)和 氯化亞錫(SnCIO的觸媒液中,#由使纪金屬析出給 媒。 ’、 (10)其次,在以下的組成的無電解銅鍍層水溶液中, 將給予觸媒的基板浸漬,在粗面全體形成厚 υ · U ^ jjj 的無電解銅鍍層膜,在包含接觸孔用開口 50a的内壁的層 間樹脂絕緣層50的表面得到形成無電解銅鍍層膜52的美 板(第4圖(A))。 [無電解鑛層水溶液] NiS〇4 〇.003 mol/1 酒石酸 0.200mol/l 硫酸銅 0. 030mol/l HCH0 0.050mol/1 NaOH 0.100mol/l
2160-7098-PF 1333404 α,ά-聯d比喷 ,g — 醇(pEG〕 [無電解鍍層條件] 34°C的條件4〇分鐘 (11)在形成無電解銅鍍層膜52的基板黏貼市售的感 光性乾薄膜’裁置罩,以100mJ/cm2曝光,藉由在0.8%碳 酸納水溶液做顯像處理,設置厚度20 " m的鍍層阻抗54 (第 4 圖(B)) 〇 (12)接著’以50。(:的水將基板洗淨脫脂之後,以25°C 的水水洗後’又再以硫酸洗淨之後,藉由以下的條件實施 電解鍍層。 [電解鍍層液] 2. 24mol/l 硫酸銅 (K26inol/l 添加劑 19. 5 ml/1 (ADTEC JAPAN公司製,卡巴拉希多(力〆今シ卜·)Gl)
1 OOrag/1 0.10 g/1 [電解鍍層條件] 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分
溫度 22 + 2〇C 在鍍層阻抗54的非形成部,形成厚度20〆m的電解銅 鍍層膜56(第4圖(〇)。 (13)又,以剝離除去鍍層阻抗54之後,將此鐘 層阻抗54下的無電解銅鍍層膜52以硫酸和過氧化氫的混
2160-7098-PF 1333404 合液做㈣處理以溶解除去,作為獨立的上層導體迴路 58(包含接觸孔6〇)(第4圖(D))。
(14)接著’進行和上述⑸同樣的處理,在接觸孔6〇, 上層導體迴路58的表面形成粗化面6〇α、58“第 (A))。 U (15)藉由重複上述(6)〜(14)的製程,又,形成且有上 層的導體迴路158、接觸孔16。的層間絕緣層15〇:得到 多層電路板(第5圖(B))。
(16)其次,成為60重量%的濃度的方式溶解在二甘醇 甲醚(_G)而作為丙烯化甲酚漆用酚酴型環氧樹脂(日本 化藥社製)的%氧基50%的感光性賦與的低聚物(分子 量:4000)46.67重量部,使其溶解在甲基乙基甲輞的㈣重 量%的雙酚A型環氧樹脂(油化SHEU社製,商品名·埃皮 科特1001)15.0重量部,咪唑硬化劑(四國化成社製商品 名:2E4MZ-CN)1.6重量部’感㈣單體的2官能丙稀單體
(日本化藥社製,商品名:R6〇4)45重量部相同的多價丙 烯單體(共榮化學社製,商品名:DPE6A)15重量部,分散 系消泡劑(SANNOPCO社製,S-65)0_71重量部放入容器,攪 拌、混合以調製混合組成物,藉由增加對於此混合組成物 作為光重合開始劑的二苯曱酮(關東化學社製)2. 〇重量 部,及作為光增感劑的米蚩銅(關東化學社製)〇2重量部, 得到以25〇C調整粘度為2.0Pa.s的焊料阻抗組成物。^, 粘度測定係以B型粘度計(東京計器社製,DVL b型)' SOmirT1的情形係藉由滾筒N0.4,而6min-i的情形係藉由滾 2160-7098-PF 42 1333404 筒 No. 3 〇 (17)其次》在多;, ^電路基板的兩面,將上述焊料阻 組成物70以30㈣的厚度塗布(第5圖⑹) 、: 分鐘m分鐘的條件下進行乾燥處理之 : 焊料阻抗開口部的圖案的屋 细暫 /、的厚度5mm的光罩密著在焊料阻 層,以800mJ/cm2的势冰妗·卜 . ^ 、卜線曝先,在DMTG溶液作顯像處理 以形成150" m直徑的開口部71(第6圖(幻)。 而且,又,在100t、;!小時,15(rc、3小時的條件 下,各自進行加熱處哩,使焊料阻抗層硬化,而形成具有 開口’其厚度為2G㈣的焊料阻抗層7卜作為上述焊料阻 抗組成物亦可使用市售的焊料阻抗組成物。 (18) 其次,在形成焊料阻抗層7〇的基板的焊料墊上使 錄模形成。 錄鍍層液係使用以下的物件 氯化錄 2. 3x10-^01/1 次亞鱗酸納 1. 8-4. OxlO^mol/l 构# 酸納 1. GxlO^mol/l
ph=4. 5 溫度 40~60°C 在此無電解銻鑛層液浸潰5〜40分鐘,在開口部71形 成鎳鍍層72(第6圖(B))。在實施例1,將鎳鍍層72的厚 度設定為0.03〜lOym’使鎳膜内的p含有〇 4~i7wt%的方 式。此時’考慮鍍層槽的容積、液循環等以設定鍍層膜的 厚度、燐含有量。 (19) 其次,在藉由(18)製程形成鎳膜的基板的焊料墊
2160-7098-PF 1333404 上使鈀膜形成。 把鑛層液係使用以下物件。 1. 0xl0'2mol/l 8. Oxl〇-2mol/l 4. 0~6. 0xl0'2mol/l 30mg/l 氣化纪 次亞鱗酸鈉 乙撐二胺 噻乙二醇酸 ph=8
溫度50〜6(TC 在此無電解鈀鍍層液浸潰3〜1〇分鐘,在鎳鍍層72上 形成厚度0. 08y m的鈀層73(第7圖(A))。在實施例1中, 將鈀層73的厚度設定作為〇. 〇〇8~2. 〇//m的方式,使卩含 有1〜8wt%。此時,考慮鍍層槽的容積、液循環等以設定鍍 層膜的厚度、爝含有量。 (20) 且’在焊料阻抗層7〇的開口部71中的焊料塾 77U、77D,印刷焊料膏76α (第7圖(B))。在第8圖(A)中, 將以第7圖(Β)中的圓Α圍住的焊料墊77U擴大表示。烊料 墊77U係在導體迴路158上依序由被形成的鎳鍍層72鈀 層73的兩層的複合層形成。 (21) 其次,藉由在氮氣中以25(rc回流,將焊料塊 76U、76D形成(第i圖)。在第8圖(B)係將以第j圖的圓b 圍住的焊料塾77U擴大表示。在此回流之際,把層μ係在 焊料塊76U、76D側大半被擴散,如第!圖及第8圖(B)m 不般在鎳鍍層72和焊料塊76U、76D的界面,完成Ni層合 金層的Cu-Ni-Sn合金層75。 2160-7098-PF 44 ^33404 在此’鎖鍍層72的戶 P含有較鈀層的p X設定為〇_ 05〜7# in的方式,使 定為0.01〜1.0“ /度低或高的0.4〜17wt%,將鈀層73設 合金層75的平均厚I方式,使P含有2〜7wt%,將Cu_Ni_Sn f實施例卜卜曰度主要成為在1.0〜2.5//m的範圍内。 C^:〇.5wt%5 ,,作為構成焊料塊的焊料係使用, 件為Ni層厚度·5.㈣,如:95·合金。1,設定鑛層條 合金層的組成含有* 。藉此,將Ni_Sn 實施例的:Γ =42:37:21,厚度為U”。 鏡昭片二 = Nl,合金層,谭料的電子顯微 鏡:片:! 5,圖。第15圖中的左側的電子顯微 圖:片(X2〇K)為實施例1-H。在第16圖中的左側、第17 左㈣電子顯微鏡照片中更將倍率(X刪)擴大。在 的· 15圖第16圖、第17圖中的右側係為不含有後述
*ι的Pd層的比較例的電子顯微鏡照片。在此,下 ^則為錄層’上側為焊料,介在錄層和焊料層的界面的是 u — Ni-Sn合金層。從第15圖的左側的電子顯微鏡照片, 在實施例H-1中’得知Cu-Ni-Sn合金層係連續的亦即 起伏小的被形成在Ni層的表面。又,從提高倍率的第w 圖、第17圖的左側的電子顯微鏡照片得知在Cu__Ni_Sn人 金層的表面經由Sn的皮層Ag粒子係均一的並列。笛 J 弟18圖 左侧係為實施例1-1-1的透過型的電子顯微鏡照片。由此 電子顯微鏡照片’ Cu-Ni -Sn合金層係為板狀,亦即,α著 鎳層平行的被形成。 2160'7098-PF 45 1333404 [貫施例 在實施例1-1-2中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu’0’5wt%’ Ag:3.5wt%’ Sn:95wt%合金。且’設定 Ni 層厚 度5//m’P含有量12wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇〇1 P 3有量2wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為
SiKCu:Ni=42:37:21,厚度為 1.8/zm。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1 -1 _ 3 ] 在貫施例1-卜3中’作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,Sn: 95wt%合金。且,設定 Ni 層厚 度5# m’ P含有量i. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇〇l β m,P含有量7wtp藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:CU:Ni=42:37:21,厚度為 1.8#m。Ni-Sri 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例卜1-4] 在實施例卜1-4中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0’5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。且,設定 Ni 屛厚 度5/zm’ P含有量1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度1 〇 #m,P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:37:21 ’ 厚度成為 i 5"m。Ni-Sn 合金層係主 要為板狀的形狀。 [實施例1-1-5] 在實施例1-1-5中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%,Sn:95wt%合金。且,設定 Ni 層厚 2160-7098-PF 46 1333404 度ΙΟμιη’Ρ含有量〇.5wt%。另一方面,設定pd層厚度ι.〇 // m,P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni = 42:37 : 2卜厚度為1.5vtNi-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-6] 在實施例1-1_6中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0_ 5wt%,Ag:3. 5wt%,Sn:95wt%合金。且,設定 Ni 層厚 度10// m,P含有量5wt°/〇。另一方面,設定pd層厚度〇.〇1 鲁p含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 511:(:1111 = 42:37:2卜厚度為1.7//111。1^_如合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-7] 在實施例1 -1 -7中,作為構成焊料塊的焊料係使用, Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 0.05/zm’ P含有量0.5wt%。另一方面,設定pd層厚度1 βιη’ P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1 -1 - 8 ] 在貫施例卜1-«甲,作為構成焊料塊的焊料係使;
Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層』 0.05ym,P含有量5WU。另一方面,設定pd層厚度〇 "m,P含有量藉此,將Ni_Sn合金層的組成^ Sn:Cu:Ni=42:37:2卜厚度為 l8wm。NiSn 合金層係 j 2160-7098-PF 47 1333404 為板狀的形狀。 [貫施例1_ 1 _ 9 ] 在實施例1 -1 - 9中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu: 0· 5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。且,設定 Ni 層厚 度0.3em’P含有量0 5wt%。另一方面,設定pd層厚度 〇.〇l#m,P含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作 為 Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 l_7;am。Ni-Sn 合金層係 主要為板狀的形狀。 •[實施例卜卜10] 在實施例1 -1 -1 0中’作為構成焊料塊的焊料係使用, (^:0.5¥1%’八层:3.5评1:%,811:95\¥1:%合金。設定1^層厚度 〇.3//m,P含有量0. 5wt°/。。另一方面,設定pd層厚度1" m ’ P含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37:21 ’ 厚度為 1.6;czm。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-11] ® 在實施例1_ 1-11中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu: 0· 5wt%,Ag: 3. 5wt%,Sn: 95wt%合金。設定 Ni 層厚度 〇.3yin,P含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚度on β m,P含有量7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn : Cu :Ni=42:37:21’ 厚度為 1.7# m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-12] 在實施例1-1-12中’作為構成焊料塊的焊料係使用, 2160-7098-PF 48 1333404
Cu:0· 5wt%,Ag:3. 5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 〇'3/Zm’P含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚度lem, p含有量7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn.Cu.Ni-42:37:21,厚度為 Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1 -1 -13 ] 在實施例1-1-13中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
CikO· 5wt% ’ Ag:3. 5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 1 • ym’P含有量〇5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇1“ m,P含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn.Cu:Ni=42:37:21 ’ 厚度為 i.7/zm。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-14] 在實施例1-1-14中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0· 5wt%,Ag:3_ 5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 i μ m ’ P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度lym’p _含有量7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37: 21,厚度為 1. 7 " m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [貫施例1_ 1_ 15 ] 在實施例1 -1 -15中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0. 5wt%,Ag:3· 5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚声 0.3/zm,P含有量8wt%。另一方面’設定pd層厚度〇 〇1 # ra,P含有量5wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 2160-7098-PF 49 1333404
Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為Ni_Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [貫施例1 -1 -1 6 ] 在實施例卜1-16中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0’5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚戶 〇.3#m,P含有量8wt%。另一方面,設定Pd層厚度 P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni=42:37:21,厚度為 L7//me Ni_Sn 合金層係主要 φ 為板狀的形狀。 [貫施例1 -1 -17 ] 在實施例1-1-17中,作為構成焊料塊的焊料係使甩,
Cu:0’5wt%,Ag;3’5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 〇.〇5//m’ P含有量l〇wt%。另一方面,設定Pci層厚度〇〇1 β ra,P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni = 42:37:2卜厚度為L8;czme Ni—Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 鲁[實施例1 + 18] 在實施例1-1-18中’作為構成烊料塊的焊料係使用,
Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 i /z m,P含有量l〇wt%。另一方面,設定pd層厚度p 含有量5wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni=42:37:21,厚度為Ni_Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-19] 2160-7098-PF 50 1333404 在實施例1-1-1 9中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 〇.〇5/zm,p含有量15wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇ι "m,P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni=42:37:21,厚度為 2·0/ζ me Ni_Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-20] 在實施例1-1-20中,作為構成焊料塊的焊料係使用, ® Cu.0.5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 1 # m,P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度1//m,p 含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 1.9/zra。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-1-21] 在實施例1-1-21中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
CikO. 5wt%,Ag:3. 5wt%,Sn:95wt%合金。設定 Ni 層厚度 8 _ β m,P含有量15.wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇. 01以m, P含有量7wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為 $11:(:11:1^=42:37:2卜厚度為2.0//111。1^-811合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1 -1 2 2 ] 在實施例1-1-22中,作為構成焊料塊的焊料係使用, 〇1!:0.5«^%,人8:3.5^^%,811:951^1:%合金。設定1^層厚度 10 // m,P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度^jjj, 2160-7098-PF 51 1333404 P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 311:(^:1^=42:37:2卜厚度為21//111。1^_如合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例1-2-1] 在實施例卜1-1〜實施例卜卜“中,使用無錯的 Cu/Ag/Sn焊料作為構成焊料塊的焊料。對此,在實施例 卜2-1中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料作為構成焊料 塊的焊料。且,設定Ni層厚度5/zm,P含有量1. 2wt%。 另方面’設疋Pd層厚度Ο.δβιη,Ρ含有量5wt%°|&此 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為]ζ Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1-2-2] 在實施例卜2-2中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5“^, 广 ! 1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇1//m,p含有旦 2wt/。。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為= 厚度為l_8vm。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例卜2-3] 在實施例1-2-3中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛烊 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5 料 量1 2wtY 3L 含有 ZWt/°。另一方面,設定Pd層厚度O.Olym,p含有旦 二《。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:NU67.33里 厚度為1.8/ζπμ Ni_Sn合金層係主要為板狀的形狀。’, [實施例1-2-4] ° 2160-7098-PF 52 在實施例卜2-4中,使用Sn:pb = 63:37(wu)的 β為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5^, 直1.2wt%。另一方面,設定pd層厚度1〇#m p含2 wt/。。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:N“ 里 厚声良1 c .33, 為1.5//me "―如合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1-2-5 ] 在實施例1-2-5中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的金L 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度· m,p ^料 0j5wt%。另一方面,設定pd層厚度i〇"m,p含有量U 错此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚户0 Ijvm。”-%合金層係主要為板狀的形狀。 又為 [實施例1-2-6] 在實施例1-2-6中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度1Mm^ =。,另-方面,設定Pd層厚度㈣…含有量;量 9 將Nl-Sn合金層的組成作為Sn:Ni =67:33,厚声: Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 又為 [實施例1 - 2 - 7 ] 在實施例1-2-7中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛垾才' =為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度,p含: 量〇.5Wt%。另一方面,設定pd層厚度Ι/ζπρΡ含有量7wt%。 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33, 1 7 4T . 巧"度為 .10。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1 - 2 - 8 ] 2160-7098-pF 53 4 ^貫施例卜2-8中’使用Sn:pb=63:37(wt%)的錯焊料 料構成焊料塊的焊料。設定Νι層厚度q ()5^,p含有 里5wt%。另一方面,設定Pd層厚度O.OUm’P含有量 勝藉此,將N1_sn合金層的組成作為sn:N1=67.33, 厚度為1.8㈣。Ni—Sd金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1-2-9] 在實施例卜2-9中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的絡焊料 作為構成焊料塊的焊料。妓Ni層厚度Q·3^,ρ含有量 另一方面’設定以層厚度〇 〇ι^,ρ含有量2㈣。 猎此’將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 又, [實施例1-2-10] 在實施例卜2-10中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的鉍焊 :作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇 3",p含有 量〇.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1em,p含有量2紂%。 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度: l 6/Z m。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1-2-11] 在實施例卜2-11中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛烊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇.3以^^ T有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇 〇1/zm,?含^ 里7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni:=67n 厚度為1.7/zm。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1-2-12] 2160—7098—PF 54 i 幻 3404 _;在貫施例1-2-12中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇 3vm,p 含有。量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度Um,p含有量 7wt/e。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為1.6//m。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [貫施例1 - 2 -13 ] 平在實施例卜2-13中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料:為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度丄㈣,?含 〇.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇〇1^m,p含有 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為§n:Ni = 67.33, 厚^度為丨.7“"1。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1_2-14] ^實施例卜2_14中,使用Sn:pb=63:37(wt%)的錯焊 右,”、構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度1“„1,?含 益量5WU。另一方面,設定Pd層厚度Um,P含有量7wt%。 i Nl-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 —^111° Ni~Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例 料作為^成焊㈣2 15巾使用^ Pb_63.37(Wt%)的錯焊 曰#成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇.3/Zm,p 甘有! 8wt%〇另一方面,設定pd層厚度〇〇1#m, 董 5wl:y。1; 3 ^ 。g此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Mi = 6>7.qq 厚度為1 7 Ό1 ·όό ^ .以^Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1、2_16] 2160-7098-pp 55 在實施例2 ~ 1 r山 料作為構成焊料塊^,使用Sn:Pb=63:37(Wt%)的錯焊 含有量另—料。且,設定Ni層厚度0.3“,p 藉此,^方面,設定Pd層厚度w,p含有量 度 n合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 7…Ni~sn合金㈣主要為板狀的形狀。 L貫施例1 - 2 -17 ] 在實施例1 ~ \ ί 7 i 料作為構成焊料d / ’㈣Sn:Pb=63:37(Wt%)的叙焊 θ ,塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇. 〇5 “ m, 1〇Wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm’p含 有里2Wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn:Ni = 67 · . p * A • 子x為1.8"m。Ni-Sn合金層係主要為板狀 的形狀。 [實施例1 - 2 -18 ] 在貫施例1-2-18中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度1#ιη,ρ含 有ϊ 10wt%。另一方面,設定pd層厚度iym,p含有量 5wt%°藉此’將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為1.8 yin。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例1-2-19] 在實施例卜2-19中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇.〇5/zm, P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01 yin,P含 有量 2wt%。藉此,將 Ni-Sn 合金層的組成作為 Sn:Ni = 67:33,厚度為1. 9# m。Ni-Sn合金層係主要為板狀 2160-7098-pp 56 的形狀 [實施例lUo;] 料作A實轭例卜2 20中,使用Sn:Pb = 63.37C t。/、 ::為構成烊料塊的焊料…設63.:7(,的㈣ 有$ 15wt%。另— 3厚度lAm,p含 2wt%。藉此 方面’設定Pd層厚度Um,P含有曰 厚度為tt:將⑽合金層的組成作為一 3, [實施例Μ、;/卜Μ金層係主要為板狀的形狀。 在實施例1-2-2〗由.. 料作為構成垾料塊的 帛& . Pb = 63 : 37(wt%)的鉛辑 有量d :焊料。且,設定Νι層厚度 量―此,將—:V:Pd層厚度。_心"含有 厚度為2.〇dNis~s^金層的組成作為sn:Nl=67:33: [實施例H22] 11 °金層係主要為板狀的形狀。 在貫施例1 __ 2 - ? 9 i /4r 料作㈣n:Pb = 63:37(Wt%)的㈣ 含有量叫另—的方焊:。… 藉此1 面人,設定Pd層厚度含有量 厚度為2.2.C的組成作為―33’ [實施例卜3]] %金層係主要為板狀的形狀。 在實施例]_ q __ Ί a > & 1中’和貫施例1-1-1相同使用 Cu : 0. 5wt% > Αρ · ^ ς , η/ • ·5ν^,8η:95Ώτί%合金作為構成焊料塊的 焊料。和實施例1 ] 1 1相同設定Ni層厚度5/zm,P含有量 1. 2wt%。另一方; _ 面’ s又定Pd層厚度〇.〇〇9em,P含有量
2160-7098-PF 57 ⑴ 3404 8wt% 。藉此,將Ni〜Sn合金層的組成作為
Sn.Cu.Ni-42:45:13 ’ 厚度為 2. 5# m。在實施例 中, 和後述的參考例卜卜1相同,Cu-Ni-Sn合金層係如第18 圖右側的電子顯微鏡照片所示般為柱狀,亦即,垂直地沿 著鎳層,主要為柱狀合金結晶的形狀。 [實施例1-3-2] 在實施例 1-3-2 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5“ m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇. 〇〇8从爪, P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:45:1 3,厚度為 2. m。Ni_Sn 合金層係主要 為柱狀的形狀。 [實施例1-3-3] 在貫知例 1-3-3 中,使用 Cu: 0. 5wt% ’ Ag: 3, 5wt%,
Sn:9 5wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5以 m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇. 009以m, P含有量lwt%。藉此,將Ni-sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:45:13,厚度為 2· 5 A m。Ni-Sn 合金層係主要 為柱狀的形狀。 [實施例1-3-4] 在貫施例 1-3-4 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5& m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.0#m, P含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 2160-7098-PF 58 1333404
Sn:Cu:Ni=66:29:5 ’厚度為丨.3/z m。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體而被形成在鎳層的界面β [實施例卜3-5] 在實施例卜3-5中,使用Cu:0. 5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度1〇 仁m’ P含有量〇. 5wt%。另一方面,設定pd層厚度2.〇^m, P含有量5wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni=66:29:5,厚度為Ugm。Ni_Sn合金層係主要 _成為粒狀體(粒狀的結晶)而被形成在鎳層的界面。 [實施例卜3-6] 在實施例 1-3-6 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度u # m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2 〇^m, P含有量9wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn.Cu.Ni-66:29:5,厚度為i5ym。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體而被形成在錄層的界面。 _ [實施例卜3-7] 在實施例卜3-7中’使用cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇 〇3 "m,Ρ含有里〇.4wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 〇3以 m,P含有量3wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni=66:29:5,厚度為Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體而被形成在錦層的界面。 [實施例1H] 2160-7098-PF 59 1333404 在實施例卜3-8中,使用Cu:0.5wt%,Ag:3 5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇 Mm’ Ρ含有量〇.5wt%。另—方面,設定pd層厚度〇2^^, P含有量。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni = 66:29:5,厚度為N卜Sn合金層係主要 成為粒狀體而被形成在鎳層的界面。 [實施例1-3-9] 在實施例卜3-9中’使用cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, • Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇·〇3 # m,Ρ含有量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇2^m, P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni = 66:29:5,厚度為uym。Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體而被形成在錄層的界面。 [實施例1-3-10] 在實施例 1-3-10 中,使用 Cu:〇5wt%,Ag:35wt%, Sn : 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定層厚度1 〇 籲μ m ’ Ρ含有量0_ 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.2以阳, P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CU:Ni = 66:29:5,厚度為14"m。Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體而被形成在鎳層的界面。 [實施例1-3-11] 在實施例卜3-11中,使用Cu:〇 5wt%,Ag:3 ,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度 /im,P含有量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度 2160-7098-PF 60 1333404 含有量 7wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為 1.5/zm。Ni -Sn 合金層係主要 成為粒狀體而被形成在鎳層的界面。 [實施例1 - 3 _ 12 ] 在實施例 1-3-12 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度12 //m,P含有量0.4wt%e另一方面,設定Pd層厚度0.01# m,P含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 | Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為 2.4//m。Ni-Sn 合金層係主要 成為粒狀體而被形成在鎳層的界面。 [實施例1-3-13] 在實施例 1-3-13 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度12 μ m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度l"m,P 含有量 2wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=66:29:5,厚度為 2.5#111。Ni-Sn 合金層係主要 φ成為粒狀體而被形成在鎳層的界面。 [實施例1-3-U] 在實施例 1-3-14 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度12 P含有量17wt%。另一方面,設定Pd層厚度l//m,P 含有量 7wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為 2.4//m。Ni-Sn 合金層係主要 成為粒狀體而被形成在鎳層的界面。 2160-7098-PF 61 [實施例1-4-1] 在實施例1-4-1令,和管 q D —施例1-2-1相同,传用
Sn:Pb=63 : 37(wt%)的鉛垾料作 A , :料作為構成焊料塊的焊料。設定 層;度5#m,P含有量12 七 又 is— [/〇 另一方面,設定PH® 谷度〇· 009 " m,p含有量8 u。 曰 ..^ . 错此’將Ni-Sn合金層的 、、且成作為Sn:Ni=67:33,厚产 + Λ 又兩5 A m。Ni-Sn合金屉仫 主要成為柱狀^ 居係 [實施例卜4-2] 在實施例H-2中,使用如柄3:37(糊錯焊料 乍為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5^,p I · 2wt%。另一方面,設定pd 有里 又疋Pd層厚度〇.〇08"m,P含右| 7wt%。藉此,將Ni_s合 θ 0隹層的組成作為Sn:Ni=67.33 , 厚度為2.5"。Ni_Sn合金層係主要成為柱狀。.
[實施例1-4-3] 在實施例H-3中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5^,p旦 1.㈣。另-方面,設定Pd層厚度p含有: l:t%。藉此’將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:N“67:33, 厚度為2.5em。Ni_Sn合金層係主要成為柱狀。·, [實施例1 - 4 - 4 ] 在實施例1-4-4中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度Wm,p含有量 ^;2^%。另一方面,設定Pd層厚度2.0Am,P含有量2对= 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67j3,厚度^ 62
2160-7098-PF .Un^Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體而被形成在鎳層 的界面。 [實施例1_4一5] 在實施例1-4-5中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度lOym,p含有量 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.0//m’P含有量5wt%。 曰 ’將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 13 ^ • Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體而被形成在錄層 的界面。 [貫施例卜4 _ 6 ] 在實施例1 作為構成焊料塊 5wt%。另一方面 藉此’將Ni-Sn 1· 5 // m 〇 Ni-sn 的界面。 -4-6中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 的焊料。設定Ni層厚度l〇em,p含有量 ’ β又疋Pd層厚度2.0#m’P含有量9wt%。 合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 σ金層係主要成為粒狀體而被形成在錄層
[實施例1 - 4 - 7 ] 在實施例1-4-7中 作為構成焊料塊的焊料 ϊ 〇. 4wt%。另一方面, 3wt%。藉此,將 Ni_Sn 厚度為 1.1/zm。Ni-Sn 在鎳層的界面。 ,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 。設定Ni層厚度〇 〇3//m,p含有 认疋Pd層厚度〇.〇3"m,P含有量 合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, α金層係主要成為粒狀體而被形成 [實施例1-4-8] 2160-7〇98^PF 63 1333404 在貫施例1-4-8中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇.〇3em,p含有 量〇· 5wt%。另一方面,設定pd層厚度0.2/ζιη,Ρ含有量 7wt%。藉此’將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33, 厚度為l_3"m°Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體而被形成 在錄層的界面。 [實施例1 - 4 - 9 ] 在實施例1-4-9中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 _作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇〇3#m,p含有 量16wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 2//m,p含有量 7wt/Q。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為合金層係主要成為粒狀體而被形成 在鎳層的界面。 [實施例1〜4 -1 〇 ] 任貫施例1 - 4 -1 〇中 旦作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度i(^m,p含有 量:.4二%。另一方面,設定pd層厚度〇 2^,p含有量 wt/。。错此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67.33,
=““。㈣合金層係主要成為粒狀體 在鎳層的界面。 A
[實施例1 _ 4 -11 ] 在貫施例1-4-11中,择用ςπ.ρκ n 料作 Sn*Pb = 63:37(wt%)^!,^ 為構成焊料塊的焊料。設定Ni層 旦1。 w序度10ym,p合右 里Wt%。另一方面,設定Pd層厚度^ & i // m’ p 含有量?wt%。 216〇-7〇98-pp 64 丄幻3404 错 將Ni Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 1·5νιη。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體而被形成在鎳層 的界面。
[實施例1-4-12J 在實施例卜4一 12中,使用Sn:pb=63:37(wt%)的鉛焊 =作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚纟l2p,p含有 量〇β·4=%。另—方面,設定Pd層厚度0.01em,p含有量 。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67 , 厚度為2.4# m。Ni—Sn合金層係主要成為粒狀體而被形 在錦層的界面。 [實施例1 - 4 ~ 1 3 j 在實施例1-4-13中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 =作為構成焊料塊的焊料mi層厚度12/zm,P含有 5 5Wt%e另一方面,設定pd層厚度…吖含有量 日此將Nl-Sn合金層的組成作為Sn:Ni =67:33,厚度為 NlSn合金層係主要成為粒狀體而被形成在鎳層 [實施例l-4~u] 料作 二厂用 Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊 θ 垾枓塊的焊料。设定Ni層厚度I2"m,Ρ含有 s 17wt%。s ^ # 一方面,設定Pd層厚度l"m,P含有量7wt%。 2曰 合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚产為 的:二’,合金層係主要成為粒狀體而被形成在:層 2160-7098-Pf 65 1333404 [實施例1-5-1] 在實施例1-5-1中,使用511:?5 = 63:37(«^%)的錯焊科 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5以(η, p人 r含有 里1.2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇3ym,p含有曰 〇wt%(此Pd層的顯微鏡照片表示在第1 9圖》從照片申得 知,Pd係部分析出,可看到多孔的,底下的Ni層)。在此, 將焊料回流之際,使用加銅的助熔劑。藉此,將Ni〜Sn人 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1 c;,, 上· J # m 。 鲁 Ni-Sn合金層係成為粒狀體。 [實施例1-5-2] 在實施例1-5-2中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5 # m,p含有 量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度007“^,p含有量 5wt%(此Pd層的顯微鏡照片表示在第2〇圖。從照片中得 知,Pd係可均一地形成)。在此,將焊料回流之際,使用 加銅的助溶劑。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 鲁Sn:CU:Ni=42:37:2卜厚度為1.5vm。Ni-Sn合金層係和參 照第18圖左側的電子顯微鏡照片的實施例i — u相同,主 要成為板狀。 [參考例1-1-1] 在參考例1-1-1〜參考例1-卜12、參考例丨_2_卜參考 例卜2 —,參照第…第8圖形成和上述實施例“目 同的組合多層電路板,形成焊料塊。 又,使用 CU:0.2wt%,Ag:lwt%,Sn:97wt%合金作為構 2160-7098-PF 66
但是Pci塊層的缚料。設定Ni層厚度5;Zm,P含有量 0¾) 為厚度0.5仁m,被形成為未含p(p含有量=幾乎 〜CuD:Nr=3;^,將Ni_sn合金層的組成作為 參考你 ,20.42,厚度為。第15〜18圖係表示 鏡照二二1的錄層、CU-Ni-Sn合金層、焊料的電子顯微 考 1 5圖中的右側的電子顯微鏡照片(X20K)係為參 =卜卜卜第16圖中的右側、第17圖中的右側的電 顯微鏡照片係更擴大奸率( 顆大借+ U100K)。在此,下側為鎳層,上 :為:料’介在鎳層和焊料層的界面係為Cu-Ni-Sn合金 曰—。從第15圖的右側的電子顯微鏡照片得知在參考例 Η中’ Cu-Ni-Sn合金層係非連續的,亦即,起伏大的,
破形成在Ni層的表面。又,從提高倍率的第㈣、第U 圖的右側的電子顯微鏡照片可得知在Cu_Ni_Sn合金層的 表面’透過Sn的皮層’ Ag粒子係不均一地散佈。在參考 例1-H中,Cu-Nl-Sn合金層係如表示在第㈣右側的 電子顯微鏡照片所示般為柱狀’亦即,垂直地沿著鎳層, 被形成為柱狀合金結晶。 ' [參考例1-1-2] 在參考例1-1-2中,使用Cu:〇.2wt%,, Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且, %心JV1層厚度 5 // m,P含有量4wt%。另一方面,設定pd層厚度1 p含有量〇.叫藉此1 Ni_Sn合金層:組成::
Sn:Cu:Ni = 40:25:35’ 厚度為 〇 9#ιη。 [參考例1-1_3] 2160-7098-PF 67 1333404 在參考例卜1 -3中,使用Cu:〇 2wt% , Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚户 5ym,P含有量4wt%。另一方面,設定pd層厚度1〇以/ P含有量9wt%。藉此,將N卜Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni = 39:26:49 ’ 厚度為 2. 7" m。 [參考例1-1-4] 在參考例卜卜4中,使用Cu:〇2wt%,Ag:lwt%, Sn : 97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定η層厚声 鲁5#m,P含有量4wt%。另一方面,設定pd層厚度15#二 P含有量9wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=39:26:49’ 厚度為 2.9以 m。 [參考例1-1-5] 在參考例1-卜5中,使用Cu:〇. 2wt%,Ag: lwt%, Sn: 97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚声 0. 03以m,P含有量0. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇. 5 ym,P含有量Owt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 _ Sn:Cu:Ni = 38:20:42’ 厚度為 〇 8“。 [參考例1-1-6] 在參考例 1-1-6 中,使用 Cu:〇 2wt%,Ag:lwt%, 511:97«^%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定“層厚度 0.03απι,P含有量0.4wt%。另—方面,設定Pd層厚度1 "m,P含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成^為
Sn:Cu:Ni=40:25:35,厚度為 〇 9“ m。 [參考例1-1-7] 2160-7098-PF 68 1333404 在參考例 1-1-7 中’使用 Cu: 〇. 2wt% ’ Ag: lwt%, Sn :97 wt%合金作為構成焊料塊的焊料。直,設定Ni層厚度 0.03em,P含有量17wt%。另—方面,設定Pd層厚度1仁 m,P含有量9wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=40:25:35 ’ 厚度為 〇 m。 [參考例1 -1 - 8 ] 在參考例 1-1-8 中’使用 cu : 〇. 2wt%,Ag: lwt%, Sn: 9 7wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 _ 0.03//m’P含有量17wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.5 A m,P含有量9wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=40:25:35’ 厚度為 〇 9#m。 [參考例1-1-9] 在參考例 1-1-9 中’使用 cu: 0. 2wt%,Ag: lwt%, Sn:97wt%合金作為構成烊料塊的焊料。設定Ni層厚度12 // m,P含有量0. 4wt%。另一方面,設定pd層厚度〇.5#m, P含有量〇wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 籲 Sn:Cu:Ni = 39:26:49’ 厚度為 2.5/zin。 [參考例1-1-10] 在參考例 1-1-10 中,使用 Cu: 〇· 2wt%,Ag: lwt%, Sn: 97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度 // m,P含有量0_ 4wt% »另一方面,設定pd層厚度lem, P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni = 39:26:49 * 厚度為 2. 6〆 m。 [參考例1_1_11] 2160-7098-PF 69 i3334〇4 在參考例1 -1 -11中 使用 Cu:〇.2wt%,Ag:lwt%, n,97wt%合金作為構成焊粗认 19 料境的焊料。且,設定Ni層厚声 12以m,p含有量I6wt%。另 ^ P人士 力—方面,設定Pd層厚度l/zm, P含有量9wt%。藉此,蔣 <> 、Ni~Sn合金層的組成作a sn:Cu:Nh39:26:49 ’ 厚度為 馬 L參考例1-1-12] 在參考例1 -1 -1 2中,技 , 0 T 使用 Cu:〇. 2wt% ’ Ag:lwt%, n:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且mi層厚度 以m P含有s i6wt%。另—方面,設定pd層厚度 m’ P含有量9wt%。藉此1 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:C—6:49,厚度為2 9心 [參考例1-2-1] 在參考例1 一卜卜參考例1-1-12中係使用無鉛的 Ag/Sn焊料作為構成焊料塊的焊料。對於此在參考例 1 2卜參考例^2-12中係使用Sn:pb=63:37(wt%)的妒焊 料:為構成焊料塊的焊料。且,設定Νι層厚度^…含 有里1.2wt%。另一方面,Pd層係形成為厚度〇5“m,未 3 P的方式(P含有量=幾乎〇%)。藉此,將…如合金層的 組成作為Sn:Ni=67:33,厚度成為〇.9/zm。 [參考例卜2-2] 在參考例1-2-2中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5以田,{}含有 量4wt%。另一方面,設定pd層為厚度 〇.8wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni^7 μ里 2160-7098-PF 70 厚度成為〇.9"m。 [參考例1-2-3 ] 作^參考例卜2'3巾係使用Sn:Pb = 63:37⑽)的錯焊料 马構成焊料塊的焊料。 量4”%。另… 層厚度5㈣,p含有 9wt%。盐 定以層為厚度含有量 。曰此’將Nl_Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 又成為2. 7 /z m 〇 [參考例1 — 2-4] 作為中係使"sn:Pb=63:37⑽)的錯悍料 量二另一塊:广 叫藉:,二設定p“為厚度i.5""含有量 將Nl'sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 与度成為2.8ym。 [參考例1 - 2 - 5 ] 作為構成焊料塊::係:用:?:63:37(以%)的_斗
瓜刃斗枓。且’設定Νι層慮唐D 含有量 〇.4Wt%。$ 0-03/zm^ P 含有 另—方面,設定Pd層為厚度0.5/zm,p s W。。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn:Nl = 67:33,厚度成為"^。 成作為 [參考例1 - 2 - 6 J 在參考彳列1 q 作為構成焊料塊=係使用ΓΓΝ=63:37(,錯焊料
含有量〇·4”%β另 增厗度〇.〇3“’ P 右旦9 ^ 另一方面,設定Pd層為厚度l/zm,P含 有量 2wt%。雜 t K m r ^ 9 將Nl-Sn合金層的組成作為
2160-7098-PF 71 丄
Sn:Ni=67:33,厚度成為 9/zm。 [參考例1-2-7] >考例1 2-7中係使用Sn:Pb = 63: 37(wt%)的鉛焊料 :為:成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇〇3”,p :有置17wt%。另—方面,設定^層為厚度um,p含有 。藉此’將N1—Sn合金層的組成作為sn:Ni=67 33, 厚度成為0. 9/i m。 [參考例1-2-8] 考^丨1 2 8中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 人為T成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度。·。3 #瓜,p 3 17wt% °另一方面,設定Pd層為厚度1.5#m,p含 ^量9wt%。藉此,將Ni_sn合金層的組成作 Sn:Ni = 67:33,厚声士、* 序又成為〇.9//m。
[參考例卜2-9 J 在參考作I 1 __ 9 n 从A 中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 :構成焊料塊的烊料。且,設定以層厚度 含 有量〇.4wt%。另—十 3 乃―方面,設定Pd層為厚度〇.5#m,p各 有量〇wt%。μ仏 ^ c x 稽此’將Ni-Sn合金層的組成作盔
Sn:Ni = 67:33,厚许 士、 乍為 Γ . 又成為2.5“m。 [參考例l-2-i〇j 在參考例^ ? 料作為構成中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的起焊 合 4壤的烊料。且,設定Ni層厚度12/zm,p
含有量 0.4wt%。$ m P ^ θ 0 乃〜方面,設定Pd層為厚度Um,1>人 有ϊ 2wt%。鋅★ r含 g此’將 Ni-Sn合金層的組成作為
2160-7098-PF 72 m ;n:Ni = 67:33,厚度成為 2·6β [參考例l — 2-ΐι] 料作為*1考】1 2 U中係使用Sn:Pb=63:37(Wt%)的紐焊 f構成焊料塊的焊料…設定Ni層厚度 θ篁16Wt%。另—方面,設定Pd層為厚度1;^m,p含 =9Wt%。赭此,將Ni'Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度成為2.7/zm。 ’ [參考例1-2-12] 粗从在參考例^2~12中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊 人t構成焊料塊的焊料…設定Ni層厚度12“,p :^ 16Wt%。另—方面,設定pd層為厚度^^,^含 置9wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組 L㈣3,厚度成為2 9”。 乍為 [實施例2 ] 參照第1圖〜第7圖,在上述的實施例(中係將組 f電路板作為對象,“在實施例2中係將層積式的多層 印刷電路板作為對象。 s 第9圖係表示實施例2的印刷電路板3G的剖面圖 層印刷電路板30係為搭載Ic晶“Q的半導體搭載用的印 刷電路板。多層印刷f路板30制積複數的基板Μ,在 各基板31 ’設置穿孔36、接觸孔38以及導體迴路 ^層印刷電路板30的上面側係設置導體迴路34u,在 側設置導體迴路34D。/· 34D在上面側的導體迴路34u 設置焊料阻抗層7(),藉由焊科阻抗層?Q的開口?1導體=
2160-7098-PF 73 1333404 路34ϋ的一部份被露出,構成接合墊42。另一方面,在下 面側的導體迴路34D的表面側設置焊料阻抗層7〇,藉由垾 料阻抗層70的開口 71導體迴路34D的—部份被露出,構 成焊料墊44。至外部的印刷電路板的連接用的焊料層μ 純形成在焊料墊44。在多層印刷f路板的上面,透過接 者劑84, 1(:晶片80被配置。IC晶片8〇的端子86和多層 印刷電路板側的接合墊42係藉由電線82被搭接。 其次,參照第14圖說明有關焊料墊。第14圖(8)係將 藉由第9圖中的多層印刷電路板3〇的圓8圍起來的部分擴 大表示。在導體迴路34D上設置鎳鍍層72,透過鎳鍍層Η 上的Ni-Sn合金層75,焊料層46被連接。在實施例2中, 藉由調整Cu-Ni-Sn合金層75的平均厚度,在鎳鍍層72和 焊料層46的界面中,破斷不易發生。藉此可提高焊料層 46的強度、密著性。 接著,參照第1 〇圖〜第1 3圖說明有關上述多層印刷電 路板30的製造方法。 準借形成迴路圓案34及接觸孔38的印刷電路板31(第 1〇圖(A))。經由接著劑33將印刷電路板31接著(第ι〇圖 (B))在層積印刷電路板31而形成的多層印刷電路板穿設 接觸孔以形成穿孔36(第1〇圖(c))。其後,形成具有開口 71的焊料阻抗層7〇(第11圖(A))。 如第11圖(A)所示的多層印刷電路板3〇係在上面側設 置導體迴路34U,藉由焊料阻抗層7〇的開口 7卜導體迴路 34U的一部份被露出。同樣的,在下面側設置導體迴路 2160-7098-PF 74 1333404 34D。藉由焊料阻抗層70的開口 71,導體迴路34D的一部 伤被路出。在導體迴路34u及導體迴路34D的表面,設置 粗化層為較佳,用以提高與焊料阻抗層70的密著性。 (一)其次’在基板的焊料墊上使鎳膜形成 鎳鍍層液係使用以下的物件 2. 3xl〇-'niol/l 1.8~4.OxlO^mol/l 1. 6x10''niol/1 氯化鎖 次亞燐酸納 枸機酸納
ph = 4. 5 溫度 40〜60°C 在此無電解錄鑛層液浸潰5〜4〇分鐘,在開口部71形 成鎳鍍層72(第11圖(B))。 在實施例2,將鎳鍍層72的厚度設定為〇. 〇3〜12 " m, 使鎳膜内的P含有0. 4〜17wt%的方式。此時,考慮鍍層槽 的谷積、液體循環專以設定鑛層膜的厚度、燐含有量。藉 此’即使在導體迴路34U及導體迴路34D實施粗化層,其 凹凸部分完全地被覆蓋’可將鎳鍍層72的表面狀態作為均 一化。 (二)其次,在形成鎳膜的基板的焊料墊上使鈀膜形成。 鈀鍍層液係使用以下物件。 氣化Is 乙撐二胺 次亞燐酸鈉 噻乙二醇酸 ph=8 1. OxlO"2mol/l 8. 0xl0 2mol/l 4.0~6. 0xl0 2mol/l 30mg/ 1 2160-7098-PF 75 1333404 溫度 5 0 ~ 6 01: 在此無電解鈀鍍層液浸潰3〜1〇分鐘,在鎳鍍層?2上 形成厚度0.08em的鈀層73(第12圖(A))。在實施例2中, 將纪層73的厚度設定作為〇 〇〇8〜2 的方式,使p含 有1〜8wt%。此時,考慮鍍層槽的容積、液體循環等以設定 鍍層膜的厚度、燐含有量。藉此,在上面的導體迴路34ϋ 側將接合墊42形成,而焊料墊44形成在下面的導體迴路 34D側。在此,又,亦可形成Au層作為耐蝕層。在實施例 # 2,將鈀層73的厚度設定作為〇〇1~1〇"m的方式,使p 含有2〜7wt%。 (二)且’在焊料阻抗層的開口 71中的焊料墊44, 印刷焊料膏46α (第12圖(B))。在第14圖(A)中,將第12 圖(Β)中的焊料墊44擴大表示。焊料墊44係由在導體迴路 34D上依序被形成的鎳鍍層72-鈀層73的兩層的複合層所 形成。 (四) 其次,藉由在氮氣中以250°C回流,將焊料層46 _形成(第13圖(A))。在此回流之際,鈀層73及Au層64係 在焊料層46大半被擴散,參照第9圖及第14圖(8),如上 述般在鎳鍍層72和焊料層46的界面,完成Ni層與焊料組 成金屬的Cu-Ni-Sn合金層75。在此,在實施例2,將鈀層 73設定為〇·〇卜i.〇"m的方式,使p的含有量,將 Cu-Ni-Sn合金層75的平均厚度調整。藉此,如上述般在 鎳鑛層72和焊料層46的界面中破斷不易發生。 (五) 在完成的多層印刷電路板3〇的上面經由接著劑 2160-7098-PF 76 丄 84以搭載IC晶片8°(第13圖⑻)。其後,在IC晶片8。 的端子和多層印刷電路板3G側的接合塾42之間,將搭載 電線82搭載(參昭筮qjg)、。v Ί 9圖)又’在痒料層上使外部連接端 子(此時為BGA)配置。亦可在外部連接端子使pGA配置。 在焊料層安裝電容器等的元件亦可。 [實施例2-1-1] 在實施例2 —卜1中,使用Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
SrK95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度5以 m,P含有量1.2wt%e設定Pd層厚度〇.5//m,p含有量5紂%。 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21, 厚度為1.5//in。在實施例2-W中,和上述的實施例 相同,Cu-N 1 -Sn合金層係如第丨8圖左側的電子顯微鏡照 片所不般主要為板狀的形狀,亦即,平行地沿著鎳層被形 成0 [實施例2-1-2] 在實她例 2-1-2 中’使用 Cu : 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%, ® Sn : 9 5 wt°/Q合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度5以 m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇. 〇1〆m, P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sri合金層的組成作為
Sn.Cu:Ni=42:37:21,厚度為Uym。Ni-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-卜3] 在實施例2-卜3中’使用cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度5/z 2160-7098-PF 77 1333404 m,P含有量1.2wt%。另一方面,設定Pd層厚度Ο.ΟΙμπι, Ρ含有量 7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 1.8/zmaNi-Sn 合金層係主要 為板狀。 [實施例2 -1 - 4 ] 在實施例 2-1-4 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn : 9 5wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度5# m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度1·0/ζιη, ρ P含有量 2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 1.5/zm。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀。 [實施例2 -1 - 5 ] 在實施例 2-1-5 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度10 #m,P含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度Ι.Ομιη, Ρ含有量 7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 • Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 1.5/zm。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀。 [實施例2 -1 - 6 ] 在實施例 2-1-6 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 10"m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01# m,P含有量7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 511:(:11:1^=42:37:2卜厚度為1.7//111。1^-511合金層係主要 2160-7098-PF 78 1333404 為板狀的形狀。 [實施例2-1-7] 在實施例 2-1-7 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.05 // m,P含有量0. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度l#m, P含有量 7wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37: 2卜厚度為1. 7" m。Ni-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 鲁[實施例2 -1 - 8 ] 在實施例 2-1-8 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.05 /zm,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01//m, P含有量 3wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 SiKCiKNi=42:3 7:21,厚度為 1. 8# m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2 -1 - 9 ] _ 在實施例 2-1-9 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3 ym,P含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0·01μ m,Ρ含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 SrKCu:Ni=42:37: 21,厚度為 1. 7 # m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2 -1 -10 ] 在實施例 2-1-10 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%, 2160-7098-PF 79 1333404
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3 // m,P含有量0. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/zm, P含有量 2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 $11:(:11:1^=42:37:2卜厚度為1.6//111。1^-511合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-11] 在實施例 2-1 -11 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%, 311:95)^%合金作為構成焊料層的烊料。設定“層厚度0.3 ^ #m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01//m, P含有量 7wt%。藉此,將 Ni-Sn合金詹的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37: 2卜厚度為1. 7// m。Ni-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-12] 在實施例 2-1 -12 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag : 3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3 //m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度 l//m,P |含有量 7wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37: 21,厚度為 1. 6 // m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-13] 在實施例 2-1 -1 3 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag : 3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 m,P含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm, P含有量 2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 2160-7098-PF 80 1333404
Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 1. 7# m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-14] 在實施例 2-1 -14 中,使用 Cu : 0 · 5wt%,Ag: 3. 5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度1 # m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/zm,P含 有量 7wt%。藉此,將 Ni-Sn 合金層的組成作為 311:(:11州卜42:3 7:2卜厚度為1.7#111。1^-311合金層係主要 B 為板狀的形狀。 [實施例2 _ 1 -15 ] 在實施例 2-1-15 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0. 3 /zm,P含有量8wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01//m, P含有量 5wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:3 7:21,厚度為 1. 7 μ m。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 籲[實施例2_卜16] 在實施例 2-1-16 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3 V m,P含有量8wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/zm,P 含有量 7wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37:2卜厚度為1. 7" m。Ni-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2 -1 -1 7 ] 2160-7098-PF 81 1333404 在實施例 2-1 -17 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag: 3. 5^。
Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 仁m ’ P含有量l〇wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇] P含有量2wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組忐& 凡作為
Sn:Cu:Ni=42:37:21’ 厚度為 ι,8#ηι°Ν卜Sn 合金層伐 ' '-t». 為板狀的形狀。 [實施例2-1-18] 在實施例 2-1-18 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt% φ sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度夏 m ’ P含有量lOwtl另一方面,設定Pd層厚度含 有量5wt%。藉此’將Ni_Sll合金層的組成作為 Sn:CU:Ni = 42:37:21,厚度為 hSAin。Ni-Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-19] 在實施例 2-1-19 中,使用 cu:〇. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇〇5 _ # m,P含有量I5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01"m, P含有量2wt%。藉此,將N卜sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:37:21 ’厚度為2.〇〆!!!。Ni_Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-20] 在實施例 2-1-20 中’使用 cu: 〇. 5wt%,Ag: 3. 5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 m,Ρ含有量1 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度lym’p含 2160-7098-PF 82 1333404 有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:37:2卜厚度為1.9以n^Ni-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-21] 在實施例 2-卜 21 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度8以 m,P含有量15wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 〇1//m, P含有量。藉此,.將Ni_Sn合金層的組成作為 • Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 2 〇0me Ni_Sn 合金層係主要 為板狀的形狀。 [實施例2-1-22] 在貫施例 2-1-22 中,使用 Cu:〇.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度10 ’ P含有量15wt%。另一方面,設定pd層厚度 含有量7wt%。藉此,將Ni—如合金層的組成作為
Sn:Cu:Nl=42:37:21,厚度為 2.1//m。Ni-Sn 合金層係主要 •為板狀的形狀。 [實施例2 - 2 -1 ] 1中,使用 姆於此, 無鉛的Cu/Ag/Sn焊料作為構 在實施例2-2-1中係使用 在實施例2-1~ 成焊料層的焊料》
Sn:Pb = 63:37(wt%)的妈焊料作為構成焊料層的焊料。設定 Ni層厚度5gm p含有量12^。另一方面,設定層 厚度0.5em’ P含有量5討%。藉此,將Η—%合金層的二 成作為L67:33,厚度為[…。㈣合金層係主
2160-7098-PF 83 1333404 要為板狀。 [實施例2 - 2 - 2 ] ^實施例2-2-2中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的 =構成焊料層的焊料。且’設定Νι層厚度料 里柳/。。另一方面’設㈣層厚度。. 有 2紂%。藉此,將Ni_Sn ^ Ρ含有量 成作為 Sn:Ni=67.u 為l.Syni。Ni-Sn合金層係主要為板狀。 , [實施例2 - 2 - 3 ] 在實施例2-2-3中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層和實施例^, 同厚度5“’P含有量h2wt%。另一方面 : :〇.〇W’P含有…。藉此,…n合金= 成作為Sn:Ni = 67.33,厪声A 1 R 組 33厚度為Uw Ni-Sn合金層俜 要為板狀。 ㈢保主 [實施例2 - 2 - 4 ] 作為例中係使ffiSn:Pb=63:37(wt%)的錯焊料 為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度5/zm,p含 另一方面’設定pd層厚度1()”ρ含有量心 " 將Nl-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 i· 5 // m。Ni_Sn合金層係主要為板狀。 X… [貫施例2 - 2 - 5 ] 在實施例2-2-5中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作$構成焊料層的焊料。且’設定Ni層厚度1〇以瓜4含 有量〇.5wt%。另一方面,設定pd層厚度i〇vm p含= 21βΟ-7〇98-ρρ 84 丄JJJ4U4 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 又為丨.5#"1。Ni~Sn合金層係主要為板狀。
[貫施例2 - 2 - 6 J 你炎^貫施例2~2'6中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 =構成焊料層㈣料。且,設定[層厚度i— p含 有 1 5wt%。另一士 〇 力方面’設定Pd層厚度〇. 〇1 # m,p含右 7wt%。藉此,蔣 有置 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn: Ni = 67 H 厚度為 1. 7// m。d3 ’
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。
[實施例2-2-7J 在m施例中係使用Sn:pb=63.37(wt ^構成焊料層的焊料。且,設定π層厚m =枓 各有量〇.5wt%。另—方面,設定Pd層厚度Um,p' p 量7wt%。藉此,验… 3有
將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67.qQ 厚度為 l7/zmelu.^ 3’ β 1^1'^〇合金層係主要為板狀的形狀。
[實施例2 - 2 - 8 J 在貫施例2~2~8中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯煤社 •作為構成焊料層的焊料。設定Nl層厚度U5^,Pt 量5wt%。另—古二 3有 方面’設定Pd層厚度〇·〇ι 含古β 3wt%。藉此,髂Μ. 有蕙 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:^, 厚度為1.8/zn^ Ni-Sn合金層係主要為板狀。 [實施例2 - 2 - 9 ] 在實施例2 - 2 作為構成焊料層的 0. 5wt%。另一方面, _9中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛缚料 焊料。設定Ni層厚度〇.3//m,p含有息 設定Pd層厚度0.01/zm,P含有量2wt%。
2160-7098-PF 85 叫404 ^此’將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚 卜心。N卜Sn合金層係主要為板狀的形狀。 又一
L貫施例2-2-1 〇J 在貫施例2-2-10中係#用ςη Du „ 料祚兔姐 係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的妒焊 卡為構成焊料層的焊料。設定N 。 量-方面,設定 層厚度°.3"m,P含有 藉此,將Ni S人▲思 曰尽度含有量2wt%。 將Nl-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚声
•一以in。Ni -Sn合金層係主要為板狀的形狀。 X
[貫施例2 - 2 -11 ] 料作^Γ:2-2—11中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯烊 含=成焊料層的焊料。且’設定以層厚度。·3η,Ρ 旦里Wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm,ρ =餐藉此,將Nl-Sn合金層的組成作為化.67:33有 又為1.7" m。n卜如合金層係主要為板狀的形狀。 L果施例2 - 2 -12 ] 在實〜例2-2-12中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的絡焊 '作^構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度〇.3〜p 7有。量:wt%。另-方面’設定Pd層厚度l"m,P含有量 t%藉此,將Nl_Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚一度為1_6^〇 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例2 - 2 -13 ] ;在實施例2-2-13中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度丨^,4 有量〇.5Wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm,p含有 2160-7098-pp 86 丄外U4 =。藉此’合金層的組成作為Sn:Ni=67 33 又為l,7^Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。’ L貫知例2 - 2 -14 ] 料作Ϊ貫施例2'2 —14中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 有旦:構成焊料層的焊料。且’設定Ni層厚度卩含 v 藉:,二另—方面,設定Pd層厚度1…含有量W .Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33, •J/z m。Nl_Sn合金層係主要為板狀的形狀。 … •[貫施例2 - 2 -15 j 料作例2~2—15中錢用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊 乍為構成焊料層的焊料。且,設定Ni 含有量8wt%。另_ + 方面’設定Pd層厚度〇.〇l"m,p含右 置5wt%。蘚片 时、 沴有 "此’將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為1 7 // m . · · ° Nl-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例2 - 2 -1 6 j 在實施例2-2-16中係使用Sn:Pb=63:37(wt%) 籲料作為構成煜钮抵 卜抖層的焊料。且,設定Ni層厚度〇.3ym,P 含有量8wt%。s ^ 另—方面,設定Pd層厚度l"m,P含有詈 7wt%。藉此, π里 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 1 7 am Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例2-2~ιη 在實施伽9 η 中係使用 Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊科層的焊料。且,設定Ni層厚度0.05"m, P 含有量 l〇wtY v ^ 0°另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm,p含 2160-7098-pf 87 里2wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Ni=A7。 ” :33’厚度為l_8#m。Ni-Sn合金層係主要為板狀 的形狀。 [實施例2~2-18] 只知例2-2-18中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 7作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度1“^, 有量IOw + q/ 。。另一方面,設定Pd層厚度l#m,P含有詈 5wt%。M d · 里 曰 將Ni~Sn合金層的組成作為Sn: Ni = 67.33, 厚度為1 7 . · # m ° Ni~Sn合金層係主要為板狀的形狀。 1·實施例2-2-19] 在實轭例2-2-19中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 ::為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0.05" m, 尸含有量15wtD/ 〇 。。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇l"m,p含 有量2wt% 〇蕤屮 人 错此’將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Ni = 67:33,厚许爸 的形狀。 又為l_9#ni°Ni-Sn合金層係主要為板狀
[實施例2 - 2 - 2 〇 J 在貫施例H 9 i 料作為構成焊料廢中係使用Sn:Pb=63:37(Wt%)的勤焊 右曰 ’層的垾料。且,設定Ni層厚度l#m,P含 有ϊ 15wt%。另一古 y 9 +0/ ^ 万面,設定Pd層厚度lym’P含有量 2wt%。藉此,將 ,置
Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為 「— 、Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [貫施例2-2-21] 在實施例 〇中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊
2160-7098-PF 88 丄叫4〇4 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni 有景ic 嘴与度8私m,p含 ΐ 15wt%。另一方面,設定Pd層厚声 量7wt®/ 1 又0-〇1“111,卩含有 。。藉此,將Nl-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67.33, :為以㈣⑶-如合金層係主要為板狀的形狀。
!贫施例2 - 2 - 2 2 J 在實施例2-2-22中係使用Sn:Pb=6VMr +。,、
Un Am ^ b3.37(wt/〇的鉛焊 种作為構成焊料層的焊料。且, 含右且又丨Nl層厚度10/ζπι,P 〇里+ Wt%。另一方面,設定Pd層厚度bm,P含有量 ^傾。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33, 厚度為2.2/zm。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例2 - 3 -1 ] 在實施例2-3-卜實施例2-3_14中係和實施例 2-l-1^2-l-i4 ^ M Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%^ Sn: 95wt% =金作為構成焊料層的焊料。且,和實施例2_H相同設 定Ni層厚度5απι,Ρ含有量l.2wt%。另一方面,設定pd 層厚度〇. 009 " m,P含有量8wU。藉此,將Ni_Sn合金層 的組成作為Sn:Cu:Ni=42:45:13,厚度為2 。在實施 例2-34中,和實施例卜相同,Cu_Ni_Sn合金層係為 柱狀,亦即,沿著鎳層垂直地被形成為柱狀合金結晶。 [實施例2-3-2] 在實施例 2-3-2 中,使用 Cu:〇 5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,和實施例2n 相同設定Ni層厚度5"«1,卩含有量12wt%。另一方面, 設定Pd層厚度〇.〇〇8em,p含有量7wtp藉此,將Ni^ 2160-7098-PF 89 1333404 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:45:13,厚度為2 5/Zm。 Ni-Sn合金層係主要成為柱狀。 [實施例2-3-3] 在實施例 2〜3-3 中,使用 Cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,和實施例hi 相同設定Ni層厚度5#m,P含有量1. 2wt%。另一方面, 〇又疋Pd層厗度〇.〇09#ιη,P含有量lwt%。藉此,將mn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:45:13,厚度為2.5#瓜。 • Ni-Sn合金層係主要成為柱狀。 [實施例2-3-4] 在貫施例 2-3-4 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,和實施例2u 相同設定Ni層厚度5/ΖΙΠ,Ρ含有量1.2wt%。另一方面, 設定Pd層厚度2.〇"m,p含有量2wt%。藉此,將 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為13#瓜。
Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 _ [實施例2-3-5] 在實施例 2-3-5 中’使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 10# m,P含有量〇. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2〇 am,p含有量5wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:CU:Ni = 66:29:5,厚度為1.3以1〇。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體(粒狀的結晶)’被形成在鎳層的界面。 [實施例2-3-6] 2160-7098-PF 90 1333404 在實施例 2-3-6 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 1 〇 V m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.〇em, p含有量9wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni =66 :29:5,厚度為 1. 5μ m。Ni-Sn 合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例2-3-7] 在實施例 2-3_7 中,使用 Cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%, # Sn·· 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.03 # m ’ P含有量〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇3以 m,P含有量3wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為 Ni-Sn 合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [只施例2 — 3 — 8 ] 在實施例 2-3-8 中,使用 cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇 〇3 _ #m’P含有量〇. 5wt%e另一方面,設定pd層厚度〇2以瓜, P含有量7wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn·· CU:Ni=66 :29:5,厚度為 i.3;(Zme Ni_Sn 合金層係主要 成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例2-3-9] 在實施例 2-3-9 中,使用 Cu:〇 5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇 含有量16wt%。另—方面,設定pd層厚度·
2160-7098-PF 91 含有量7wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為 sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為l 3em。Ni Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在錄層的界面。 [實施例2-3-10] 在實施例 2-3-10 中,使用 Cu:0 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度1〇 # m,P含有量0. 4wt%。另一方面,設定pd層厚度〇2ym, P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn.Cu:Ni = 66:29.5,厚度為1.4以m。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在錄層的界面。 [貫施例2 _ 3 _ 11 ] 在實施例 2-3-11 中’使用 Cu:〇, 5wt%,Ag:3. 5wt%, sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度1〇 "m,P含有量16wt%。另一方面,設定pd層厚度p 含有量7wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為 sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為 Ni-Sn 合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [貫施例2 _ 3 _ 12 ] 在實施例 2-3-12 中,使用 cu: 0. 5wt% ’ Ag: 3. 5wt0/〇, : 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 A m,P含有量0· 4wt%。另一方面,設定pd層厚度lym, p含有量2wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為 2· 4/i m。Ni-Sn 合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 2160-7098-PF 92 1〇4 [實施例2-3-13] 在實施例 2-3-13 中,使用 Cu:〇 5wt%,Ag:3 5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 ,P含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚度“[卩 ,有量2wt[藉此,冑Ni_Sn合金層的組成作為 hCu:Ni = 66:29:5’厚度為2.5"mcNi_Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例2-3-14] 在實施例 2-3-14 中,使用 Cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度u P含有量17wt%。另一方面,設定pd層厚度“Η 含有量7wt%。藉此,冑Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni = 66:29:5’厚度為2 Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體’被形成在錦層的界面。 [實施例2-4-1] 在實施例2-4+實施例2_4_14中係和實施例 2-2 + 2-2-14相同’使用Sn:pb=63:37(wt%)的錯焊料作為 構成焊料層的焊料。且,和實施例2_2_丨相同設定Η層厚 度5// m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇. 〇〇9 Mm,P含有量8wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:Ni = 67:33,厚度為2.5以me Ni_Sn合金層係主要成為柱 狀。 [貫施例2 _ 4 - 2 ] 在實施例2-4-2中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 2160-7098-PF 93 乍為構成焊料層的焊粗。0 . 14 且’和實施例2 —4-1相同設疋Νι 滑厚度5/zm,P含右旦19 有里1 · 2wt%。另一方面,設定pd層厚 度 〇. 008 // m,P 含右旦 7 ,+0/ 有里7wt/°。藉此,將Ni-Sn合金層的組 成作為 Sn:Ni=67:33,m#& ^ 尽度為Z.S/in^Ni-Sn合金層係主 要成為柱狀。 [實施例2-4-3] 在實%例2-4-3中,使用Sn:pb=63:37(wt%)的船焊料 作為構成焊料層的焊料。且,和實施例2-4-1相同設定Ni 層厚度5/im’P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚 又〇· 009 // m,P含有量lwt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組 成作為sn:Ni=67:33,厚度為2 5"eNi Sn合金層係主 要成為柱狀。 [實施例2-4-4] 在見細例2 4 4中,使用Sn : Pb = 63 : 37(wt%)的敍焊料 作為構成焊料層的焊料。且,和實施例2-4-1相同設定Ni 層厚度5/zm,P含有量12wt%e另一方面,設定pd層厚 度2.〇vm,p含有量2wt%。藉此,將“―如合金層的組成 作為Sn:Ni = 67:33,厚度為丨.3^。Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例2-4-5] 在實施例2-4-5中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度iOwm p含 2量〇.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2〇^m p含= 量5wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 6^33, 2160-7098-PF 94
Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成 厚度為1. 3a m , 在·錄層的界面。 [實施例2-4-6 ] 在貫施例H+ 作為構成惶 ,使用%:外=63:37^1;%)的鉛焊料 有'曰的焊料。且,設定Ni層厚度i〇/CZin,P含 _。藉此ιΓ’設定Pd層厚度2_0”’p含有量 厚产 1 Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, ^ ’ 5 V m。Nl~Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成 在鎳層的界面β Λ [實施例2 - 4 - 7 ] 在實施例2 + 7中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 :為:成焊料層的焊料。且’設定Ni層厚度0.03",p 3 里〇. 4Wt%。另—方面,設定Pd層厚度〇.〇3/zm,p含 有置3wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn.Ni-67:33,厚度為h i " m。Ni_Sn合金層係主要成為粒 狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例2-4-8] 在實施例2-4-8中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.03/zm,p含有 量〇. 5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇2/zm, p含有量 7wt% °藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33, 厚度為1.3μιη。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成 在鎮層的界面。 [實施例2-4-9] 95
2160-7098-PF 在實施例H q 作為構成焊料層 使肖Sn.Pb'63:37(wt%)的錯焊料 量16wt%。另—古曰料又疋Ni層厚度〇·03/ΖΠ1,P含有 藉此,:二,設定Pd層厚“·2”,ρ含有量 厚度為 1 Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 坪又马1. 3//m。n i -人人a〆 在鎳層的界面。 &金層係主要成為粒狀體,被形成 [實施例2 - 4 -1 〇 j 在實施例2_4_1G中’使用sn:pb = 63:37(wt%)的 '晷“構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度i〇"m,p含有 〇〇· 4WU。另—方面,設定Pd層厚度〇·2"πι,P含有量 t/〇藉此,將Nl_Sn合金層的組成作為Sn..Ni = 67:33, 厚度為1. 4# m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成 在鎳層的界面。 [貫施例2 - 4 -11 ] 在實施例2-4-11中’使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度lo^m,p含有 里16wt%。另一方面,設定Pd層厚度iem,p含有量7wt%。 藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為 1 5 y πι。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層 的界面。 [實施例2-4-12] 在實施例2-4-12中’使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12/zm,P含有 量〇· 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度l/zm,P含有量2wt%。 2160-7098-PF 96 错此,將Μ . ) i合金層的組成作為sn:Ni=67:33,厚度為 Z · 4 // m 0 w 1 ~Sn合金層係主要成為粒狀體’被形成在鎳声 的界面。 [實施例2〜4_13] 料作在貫施例2-4-13中’使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 θ 為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12#m,ρ含右 1 5wt%。另一+ 负 方面’設定Pd層厚度lem,P含有量2wt%。 轉此,將Μ. 〇 iNl~Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 2. 5 // m。N i ~ c a , 又 n δ金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層 的界面。 [實施例2~4-u;j 、 貝施例2-4-14中’使用Sn : Pb = 63 : 37(wt%)的錯焊 =作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12"m,p含有 置 17 w t % 〇 ^ 一 本 一 乃—方面,設定Pd層厚度1αιπ,Ρ含有量7wt%。
錯此,將Mi C A T bn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 U m Nl~Sn合金層係主要成為粒狀體’被形成在鎳層 攀的界面。 9 [實施例2 - 5 -1 ] 在貫施例中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5^,p含有 1 1.2wtl另—方面,設定pd層厚度〇〇3ym p含有量 在 在回流焊料之際,使用含銅的助炼劑。藉此, 將Ni-Sri合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚度為 1· 5# m。Ni-Sn合金層係成為粒狀體。
2160-7098-PF 97 [實施例2-5-2] 在實施例2-5-2中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 =為構成焊料層的焊料。且,設定Μ層厚度p含有 1 1· 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇7wm p含有量 t%在此,在回流焊料之際,使用含銅的助熔劑。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚度為
Ni-Sn合金層係主要成為板狀。 又 [參考例2-1-1] • 在參考例2-1-1〜參考例2-1-12、參考例2-2-卜參考 例2 2-12中,參照第9圖〜第丨4圖和上述實施例2同樣地 形成層積印刷電路板以形成焊料層。且,使用Cu:〇2wt%, Ag:lwt%,Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。在參考例 2卜1中,设定Νι層厚度5/zm,P含有量L 2wt%。Pd層 為厚度〇_5#m,形成為未含P(P含有量=幾乎〇%)。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 38:20:42,厚度為 0.8 Mm。在參考例2-1-1中,如第18圖右側的電子顯微鏡 鲁照片所不般Cu-Ni-Sn合金層係為柱狀,亦即,沿著鎳層垂 直地形成柱狀合金結晶。 [參考例2-1-2] 在參考例 2 1 2 中,使用 Cu: 0. 2wt%,Ag: lwt%, 511:97以1%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定1^層厚度 5 // in,P含有量4wt°/。。另一方面’設定“層厚度h(Um, P含有量0. 8wt% »藉此’將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:CiKNi=40:25:35,厚度為 〇. 瓜。 2160-7098-PF 98 1333404 [參考例2-1-3] 在參考例 2-1-3 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 5/zm,P含有量4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.0/zm, P含有量 9wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn : Cu : Ni = 39 : 26 : 49,厚度為 2. 7 " m。 [參考例2-1-4] 在參考例 2-1-4 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, I Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 5//ΙΠ,P含有量4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.5/zm, P含有量 9wt%。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度為 2.9//m。 [參考例2-1-5] 在參考例 2-1-5 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03//m,P含有量0.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.5 • # m,P含有量Owt%。藉此,將Ni -Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni = 38:20:42,厚度為 0.8//Π1。 [參考例2-1-6] 在參考例 2-1-6 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03#m,P含有量0.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1 /zm,P含有量2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni = 40:25:35,厚度為 0.9/zm。 2160-7098-PF 99 1333404 [參考例2 -1 - 7 ] 在參考例 2_1-7 中’使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%,
Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0. 03 // m,P含有量17wt%。另一方面,設定pd層厚度1 " m,P含有量9wt%。藉此,將n i -Sn合金層的組成作為 Sn: Cu: Ni =40 : 25 : 35,厚度為 〇. 9//m。 [參考例2-1-8] 在參考例 2-1-8 中’使用 cu:0. 2wt%,Ag: lwt%, 鲁 Sn : 9 7wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03//111,?含有量17评1:%。另一方面,設定?(|層厚度1.5 /z m,P含有量9wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=40:25:35,厚度為
[參考例2-1-9] 在參考例2-卜9中,使用Cu:〇. 2wt%,Ag:lwt%, Sn : 9 7wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12/zm,P含有里0. 4wt%。另—方面,設定pd層厚度〇5 Am,P含有量〇Wt%。藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=39:26:49 * # ^ % 〇 2. 5 // m。 [參考例2-1-10] 在參考例2 ~ ~ Λ Sn:9㈣合金作為構^ ㈣H2wt%’Ag:1Wt% ’ 12^,P含有量Mwt層的焊料。且,設定Nl層厚度 °°另〜方面,設定Pd層厚度lym, P含有量2wt%。藉此
Sn:Cu:Ni=39:26:49 , 將 厚度為 :i-Sn合金層的組成作為 2. 6 U in
2160-7098-PF 1〇〇 1333404 在參考例 2-1-11 中,使用 Cu:〇. 2wt%,Ag:lwt%, Sn: 97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 1 2 // m,P含有量1 6wt%。另一方面,設定Pd層厚度lym, P含有量9wt%。藉此’將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=39:26:49,厚度為 2 m。 [參考例2 -1 -12 ] 在參考例2-1-12中,使用cu:〇.
Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12 // m,P含有量1 6wt%。另一方面,設定pd層厚度15以 P含有量9w«。藉此’將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=39:26:49,厚度為 2. 9# m。 [參考例2-2-1] 在參考们-H〜參考例2_卜12巾,使用無錯的 u/Ag/Sn焊料料構成焊料層㈣料。對於此,參考例 1參考例2 2-12巾,係、使用Sn:pb = 63:37(w⑻的# :㈣為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度“Μ 有量1. 2wt%。另一方面,設定pd 為去人人‘ 曰厗度〇·5以m,形成 為未3 P(P含有量=幾乎0)。藉此, fk A c μ · _ e -7 ' 。金層的組 攻乍為Sn:Ni = 67:33,厚度為 [參考例2-2-2] 在參考例 2-2-2 中,使用 Sn:Pb=63.s7fwi_0/、 作為椹+ @ μ a 3.37(wt/°)的鉛焊料 作為構成焊枓層的焊料^且,設定 Μ 旦一 %厚度3/^ιπ,ρ今古 里4wt/。。另一方面,設定pd層 有 与度1·0μιη,P含有量 216〇-7〇98-pf 101 OJwt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn 厚度為 〇.km。 · [參考例2-2-3] 在參考例2-2-3中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的奶 ::構成焊料層的谭料。且,設定Ni層厚度5“,二 里Wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.〇々^^含 3有 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33董9 =。 2.7/ζιη。 尽度為
[參考例2 - 2 - 4 J 在參考例 2-2-4 中,使用 Sn:Pb = 63:37iwt9n6^ =為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度^,= :::%。另一方面,設定pd層厚度15㈣,p含有量 曰,將Nl—如合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 2. 9 /z m。 又两 [參考例2 - 2 - 5 ] 在參考例2-2-5中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 :為:成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度〇.03/im,p 含有曰虿〇.4wt%。另一方面,設定Pci層厚度〇.5/zm,P含 I 0wt/° °藉此’將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn:Ni = 67:33’ 厚度為 0.8"m。 [參考例2-2-6] 在參考例2〜2-6中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 a為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度〇.〇3"m,P θ 〇· 4wt/i。另一方面,設定pd層厚度i#m,p含有 2160-7098-pf 102 量2wt%。藉此,將 厚度為u㈣。卜Sn合金層的組成作為Sn:Ni^33, [參考例2-2-7] 在參考例2〜2、7丄 作為構成焊料層b ㈣Sn:Pb=63:37(Wt%)的錯焊料 含有…。另卜料。且,設定Nl層厚度。為" 藉此,將,設定Pd層厚度_,Ρ含有量 厚度為G.9„。%合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, [參考例2-2-8] 作為使用™3制)的鉛焊料 含有量_。另一=。且,二=層厚度叫m,p 量9wt%。藉此,將N. 厚度U",P含有 寻l-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為〇.9//m。 [參考例2-2-9] 在參考例2-2-9中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊料 •作?構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度12/zra,p含 f ! 〇. 4wt%。另—方面,設定Pd層厚度0.5/zm,P含有 量〇Wt/°。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33, 厚度為2.5/zm。 [參考例2-2-10] 在參考例2-2-10中,使用Sn:Pb = 63:37(fft%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度12ym,p 含有量0_4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/im,p含有 2160-7098-PF 103 丄犯404 ! 2wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組 厚度為2.6… 乍為 [參考例2 - 2 -11 ] 在參考例2-2-11中,使用Sn:Pb咄3.q7r +0/、 料作為構成焊料層的焊料。且,設定N W °的錯鲜
含有量7…一方面,設定Pd層厚二度’’I 沒iAm’P含有量 wt%。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Ni 厚度為2.7/ζπι。 [參考例2-2-12] ,在參考例2-2-12中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料.且,設定Ni層厚度12以^,ρ 含有量7wt%。另一方面,設定Pd層厚度15//m,p含有 1 9wt%。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67.33, 厚度為2. 9 v m。 [實施例3] 參照第21圖的剖面圖說明有關本發明的實施例3的多 •層印刷電路板1 〇的構成。實施例3係和實施例1同樣地被 構成。在多層印刷電路板10中’導體迴路34係被形成在 核心基板30的表面,核心基板30的表面和裏面係經由穿 孔36被連接。形成接觸孔60及導體迴路58的層間樹脂絕 緣層50和形成接觸孔160及導體迴路158的層間絕緣樹脂 層150係被配設在核心基板30的兩面。在此接觸孔160及 導體迴路158的上層,焊料阻抗層70係被形成,經由此焊 料阻抗層70的開口部71 ’焊料墊77U、77D係被設置在導
2160—7098-PF 104 體迴路〗r s ,, „ 塊76U、76D係被形成在此焊料墊77(j' 77D。 其'人’參照第24圖(B)說明有關焊料墊76U。第24圖 ,^係將藉由第21圖中的多層印刷電路板10的圓A圍起來 的部分擴大表示。在導體迴路158上設置鎳鍍層72,透過 J 上的Ni合金層75,焊料層(塊)46被連接。在實 ^例1 + ’藉由調整Ni合金層75的平均厚度,在鎮鐘層 2和焊料I 46的界面中,破斷不易發生。藉此可提高焊 料層46的強度、密著性。
接著,參照第22圖〜第24圖說明有關實施例3的多層 印刷電路板1〇的製造方法。 在此’參照第2圖〜第5圖,由於上述的實施例丄之 ⑴〜⑴)製程係也和在實施例3中相同所以由形成錄膜 (18)製程開始說明。 (⑻在形成第22圖⑴所示的焊料阻抗層㈣基板的 焊料墊上使鎳膜形成。 鎮鑛層液係使用以下的物件
氯化錄 次亞燐酸納 枸櫞酸鈉 ph=4.5 2· 3χ10_1ιη〇1/1 !·8-4.OxlO^mol/l 1. 6χ1〇·'ωο1/1
溫度40〜60°C 在此無電解錄鑛層液浸潰 成鎮鍍層72(第22圖(Β))β在 度設定為0.03〜lOym 5〜40分鐘,在開口部71形 實施例3 ’將鎳鍍層72的厚 使錄膜内的p含有0.4〜17wt%的方 2160-7098-PF 105 1333404 式。此時,考慮鍍層槽的容積、液體循環等以設定鍍層膜 的厚度、燐含有量。 (19)其次,在藉由(18)製程形成鎳膜的基板的焊料墊 上使鈀膜形成。 鈀鍍層液係使用以下物件。 氯化鈀 1. 0xl(T2mol/l 乙撐二胺 8. 0χ10·2ιηο1/1 次亞燐酸鈉 4. 0〜6. Oxl(T2mol/l
噻乙二醇酸 30mg/l ph = 8
溫度50〜60°C 在此無電解把艘層液浸潰3~10分鐘,在錄鍵層72上 形成厚度0.08ym的鈀層73(第22圖(C))。在實施例3中, 將纪層73的厚度設定作為0.008〜2.0/zid的方式,使p含 有1〜8wt%。此時,考慮鍍層槽的容積、液體循環等以設定 鍍層膜的厚度、燐含有量。 (20)其後’在表層形成金層作為财钱層。 氛化金鉀 7. 6xl(T3mol/l 氣化録 1. ΘχΙΟ^πιοΙ/Ι 枸櫞酸鈉 UxHTmol/l 次亞燐酸鈉 1. TxUriol/l 在以上構成的無電解金鍍層液以8〇〇c的條件浸漬 5〜20分鐘,在鈀層73上形成厚度0.01~2//111的“層74(第 23圖(A))。藉此,在上面的導體迴路34ϋ側形成接合墊μ, 2160-7098-PF 106 1333404 在下面的導體迴% 34D侧形成焊料塾44。 (21)且’在焊料阻抗層70的開口部71中的焊料墊 77U 7?D ’印刷焊料膏76α (第23圖(B))。在第24圖(A) 中,將藉由第23圖(Β)中的圓a圍起來的焊料墊77U擴大 表不。焊料墊77U係由在導體迴路158上依序被形成的鎳 鍍層72鈀層73-Au層74的三層的複合層所形成。 (2 2)其次,藉由在氮氣中以2 5 0。(:回流,將焊料塊 76U、76D形成(第2〇圖)。在第24圖(8)中,將藉由第 •圖中的圓A圍起來的焊料墊77U擴大表示。在此回流之際, 鈀層73及Au層74係在焊料塊76U、76D側大半被擴散, 如第20圖及第24圖(B)所示般在鎳鍍層72和焊料塊7611、 76D的界面,完成…合金層的Cu-Ni-Sn合金層75。 在此’藉由將鎳鍍層72設定為方式, 使P含有較鈀層的P濃度低或高的〇4~17wt%,將鈀層73 «X之為0.01 l.〇#m的方式,使p含有2〜將Ni合 金層75的平均厚度調整在1〇〜25"m的範圍内。 籲[實施例3-1-1] 在實施例 3-1-1 中,使用 Cu:〇 5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且’設定鍍層條件 為Νι層厚度含有量丨.2wt%,設定鍍層條件pd層 為厚度0.5/zm’P含有量5wt%,Au層厚度設定為〇.〇3 藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2i, 厚度為1.5ym。實施例3-1-1的鎳層、Cu_Ni—Sn合金層、 焊料的電子顯微鏡照片係參照第15〜18圖和上述實施例 2160-7098-PF 107 1333404 1 1 1相同。第15圖中的左側的電子顯微鏡照片(χ2〇κ)係 相當於實施例3-1-1。第16圖中的左側、第17圖中的左 側的電子顯微鏡照片係更擴大倍率(χ1〇〇κ)。在此,第15 圖、第16圖、第17圖的右側係為未含有後述的p的^層 的比較例1 -1 -1的電子顯微鏡的照片。在此,下側為鎳層, 上側為焊料,介在鎳層和焊料層的界面係為cu_Ni_sn合金 層。從第15圖的左側的電子顯微鏡照片得知在實施例3 中,Cu-Ni-Sri合金層係為連續的,亦即,起伏小的,被形 成在Ni層的表面。又,從提高倍率的第16圖、第17圖的 左側的電子顯微鏡照片可得知在Cu_Ni_Sn合金層的表 面,透過Sn的皮層,Ag粒子係均一地並列。第18圖左側 係相當於在參考例3-1-1中的透過型電子顯微鏡照片。從 此電子顯微鏡照片可得知Cu_Ni_Sn合金層係為板狀,亦 即’沿著鎳層平行地被形成。 [實施例3-1-2] 在實施例 3-1-2 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度 m,P含有量1.2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇〇1#m, P含有量2wt%。Au層厚度設定為0.05jC/m。藉此,將^―如 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1 8^m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 _ 1 - 3 ] 在實施例3-卜3中’使用Cu:0. 5wt%,Ag:3. ,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5" 2160-7098-PF 108 1333404 m ’ P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇1, P各女田 以111, 左有$ 7wt%。Au層厚度設定為1.0//ΙΠ。藉此,將Ni、h 合金層的组成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1 8 " M. 0 ' ° u m 〇 1 ~Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-4] 在實施例 3-1-4 中,使用 Cu:〇.5wt% ’ Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5 m ’ P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度1 η" .u a m, P含有量2wt%。Au層厚度設定為〇.〇3//m。藉此,將 合金層的組成作為Sn:cu:Ni=42:37:21,厚度為1 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-5] 在實施例 3-1-5 中,使用 CikO. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度iq // m ’ P含有量〇. 5wt%。另一方面,設定pd層厚度 ρ · υ Ai m > 含有量7wt%〇 au層厚度設定為〇· 〇3//藉此,將Μ· 入 1Ν1^〇η 5金層的組成作為Sn..Cu..Ni=42:37:21,厚度為1 c;, ΰ m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-6] 在實施例3-卜6中,使用cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚户ι〇 "m,P含有畺5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇ι P含有量7wt%。Au層厚度設定為〇 〇Um。藉此,將 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為]7 I f 以 m。 2160-7098-PF 109 1333404
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 -1 - 7 ] 在實施例 3-1-7 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度0.05 #m,P含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度l#m, P含有量7wt%°Au層厚度設定為0.02#m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為811:〇11:1^=42:37:21,厚度為1.7//111。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 φ [實施例3-1-8] 在實施例 3-1-8 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn : 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度0. 05 #m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01//m, P含有量3wt%°Au層厚度設定為0.01/zm。藉此,將Ni - Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1.8//m。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-9] _ 在實施例 3-1-9 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,
Sn:9 5wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度0.3 P含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度O.Oly m,P含有量2wt%°Au層厚度設定為0.2//m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni =42:37:21,厚度為1.7#m。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-10] 在實施例 3-卜10 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag:3. 5wt%, 2160-7098-PF 110 1333404
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度0.3 "m ’ P含有量〇. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1"πι’ Ρ含有量2wt% »Au層厚度設定為〇·4//ΐη。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為U仁m。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 -1 -11 ] 在實施例 3-1-11 中,使用 Cu : 0. 5wt% ’ Ag: 3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度0.3 _ # m ’ P含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚度 p含有量7wt% «Au層厚度設定為〇.5#m。藉此’將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為I.?#111。 Mi~Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 -1 -1 2 ] 在實施例 3-1-12 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3_5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度0.3 // m ’ P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度lym,P 籲含有量7wt%。Au層厚度設定為〇. 〇3 // m。藉此’將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni =42:37:21,厚度為 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-13] 在實施例 3-1-13 中,使用 Cu: 0. 5wt% ’ Ag: 3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度1以 m’ P含有量0.5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇.〇l#m, P含有量2wt% °Au層厚度設定為0.5/zm。藉此’將Ni-Sn 2160-7098-PF 111 1333404 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚卢為 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-14] -卜 14 中’使用 Cu:〇.5wt%,^ 在實施例 !· 5wt°/〇 , 層厚度
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定 m,P含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚声1"今度1以 有量7wt%。Au層厚度設定為〇.5//m。藉此 AlD,p含 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚度為 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-15] 曰,將Ni~Sn合 在實施例3-1-15中,使用Cu:〇.5wt%,Ag.3 Sn · 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定μ展 // m,P含有量8wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 〇·3 Ρ含有量5wt%。Αιι層厚度設定為〇·03以爪。藉此,將111 ’ 合金層的組成作為SiKCu:Ni=42:37:2l,厚度為J 卜^ Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。
[實施例3 ·~ 1 -16 ] 在實施例 3-1-16 中’使用 Cu:〇. 5wt%,Ag.q c · 5wt% ,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層 年度0. 3 // m,P含有量8wt%。另一方面,設定Pd層厚度1 A ^ ID > p 含有量7wt%。Au層厚度設定為〇· 〇i # m。藉此,將 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42.37.2l,厚度為1 7 . * ' m 〇
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-17] 2160-7098-PF 112 1333404 在實施例 3-1 -17 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag : 3. 5wt%,
Sn: 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇 〇5 A m ’ P含有量l〇wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇1“m, P含有量2wt%。Au層厚度設定為〇· 〇5" m。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [貫施例3 -1_ 18 ] 在實施例 3-1-18 中’使用 Cu : 0. 5wt%,Ag : 3. • Sn: 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚声工 ro,P含有量10wt%。另一方面,設定pd層厚度1;Win,p人 有量5wt%。Au層厚度設定為〇.〇3#„1。藉此,將Ni—^人 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1 0 • 巧1 以m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 -1 -19 ] 在實施例 3-1-19 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni岸 ° ·θ序度Q , Q 5 # m ’ Ρ含有量I5wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇 P含有量2wt%。Au層厚度設定為0.5 ym。藉此,此/1° ’ ^ N i - q 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為2 〇 Π Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 以m ° [實施例3-1-20] 在實施例3-卜20中,使用CikO. 5wt%,Ag.q r
As·〇.5wt^
Sn:95wt%.合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ν 〇, 、w層厚声 ΙΠ,P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚戶 u 又i以m,p含 2160-7098-PF 113 1333404 有量2wt% °Au層厚度設定為〇.5/zm。藉此,眩0 两* N1-Sn合 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚戶发,„ 又芍1. 9 # m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-21] 在實施例3-卜21中,使用Cu:0. 5wt%,Ag:3 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度I π),P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度 P含有量7wt%。Au層厚度設定為藉此,將 φ金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2i,厚度A /又芍厶〇以m 0
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-1-22]
在實施例3-"2中,使用Cu:〇 5wU,Ag:3 5心 Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚产0 Ρ’Ρ含有量15wt%。另一方面,設定⑽厚二二1 含有量m%。Au層厚度設定為2^藉此,將^如厶 金層的組成作為Sn:Cu: Ni=42:37:21,厚度為2 i ° Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 _从"1。 [實施例3-2-1] 焊料塊的焊料。❹此,在實作為構成 τ π此,在貫施例3-2-1中,係
Sn:Pb=63:37Ut%)的铋锃粗从*加 丁' 1史用 軋知科作為構成焊料塊的焊料。 設定Ni層尽度5//jjj,p令右| 1。 P杏有置1.2wt%。另一方面,定
Pd層厚度0. 5# m, p合右旦ς 〇χ 有里5wU°Au層厚度設定為0 03 A in。藉此,將Ni -Sn人仝层』 . 。金層的組成作為Sn:Ni=67:33,岸
2160-7098-PF 114 1333404 度為1.5/zm。Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 - 2 - 2 ] 在實施例3-2-2中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5//m,P含 有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度o.oiem, P含 有量2wt%。Au層厚度設定為〇.〇5//m。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1. 8//m。Ni-Sn合 金層係主要為板狀的形狀。 # [實施例3-2-3] 在實施例3-2-3中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5 # m,P含 有量1.2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇.〇i#m, P含 有置7wt%。Au層厚度設定為1 // m。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.8/zm。Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-4] 鲁 在實施例3-2-4中,係使用511:?匕=63:37(*1;%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5νιη,p含 有量1. 2wt% »另一方面,設定Pd層厚度i.Oym, P含有 量2wt%。Au層厚度設定為0.03//Π1。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為i.5#m°Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-5] 在貫施例3-2-5中’係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊 2160-7098-PF 115 ^作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度iQ#m,p含有 里0^ 5Wt%。另—方面,設定pd層厚度1.0/zm, P含有量 t/〇 Au層厚度設定為〇.03#"^藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為sn:Ni=67:33’厚度為15“。Ni—如合金層 係主要為板狀的形狀。 [貫施例3 - 2 - 6 ] 貫施例3-2-6中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 =作為構成焊料塊的焊料。設^層厚度心m,p含有 !5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇1口,p含有量 ¥Au層厚度設定為〇〇1/zme藉此,將合金層 的組成作為sn:Ni=67:33,厚度為l 7//m。旧,合金層 係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-7] 、在只轭例3-2-7中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。設定N i μ「 一 叮尨07坪抖。〇又疋1^1層厚度〇.〇5以111,1>人 有量〇.5wt%e另…,設定Pd層厚度丄”,: wU。Au層厚度設定為〇 〇2"。藉此,將Μ、合金: 的組成作為Sn:Ni=67: 厚度 〆 J M m。Ni-Sn合全思 係主要為板狀的形狀。 金層 [實施例3-2-8] :實施例"-8中,係使用Sn:pb = 63:37( :作為構成焊料塊的焊料。設定…層厚度〇.〇〜,;: !s5wt%。另一方面,設定Pd層厚度O.OUm,P含: 里3 w t% °Au層厚度設定在有 度又疋為0.01々m。藉此,將Ni~Sn合金 2160-7098-PF 116 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度Λ η 層^主要為板狀的形狀。 .·,、卜Sn合金 [貫施例3 - 2 - 9 ] 在實施例3-2-9中,係使用Sn.p>^e。 料作為堪& . ~63 : 37(wt%)的鉛焊 寸作為構成焊料塊的焊料。設定N 汗 县曹与度〇.3#m’p合右 〇. 5wt%。另一方面,設定以層 旦 序度0·〇1"πι,ρ含有 = 2wt^Au層厚度設定為〇2“。藉此,將Η%人金 層的组成作為化.67:33’厚度為l 7/^Ni_Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [貫施例3 - 2 -1 〇 ] 在實施例3-2-10中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇· 3以m,p含 有量0. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/zm, P含有量 2wt%。Au層厚度設定為〇· 4/(/ ^。藉此,將Ni-Sn合金層的 組成作為SiKNi = 67:33,厚度為1· 6仁m。Ni-Sn合金層係 主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-11] 在實施例3-2-11中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度0.3//Π1, P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇lVm’ P 含有量7wt% °Au層厚度設定為0.5#m。藉此’將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為 合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-12] 2160-7098-PF 117 1333404 在實施例3-2-12中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料塊的焊料。且,彀定Ni層厚度〇3以 P含有量5wt%。另一方面,設定FM層厚度1//m, p含有 量7wt%。Au層厚度設定為0.03//1^藉此,將Ni Sn合金 層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為丨.6以m。Ni_Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-13] 在實施例3-2-13中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的金L 鲁焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度1以m,p 含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度o.oivm, p 含有量2wt% °Au層厚度設定為0.5/zm。藉此,將 合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33’厚度為 合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-14] 在實施例3-2-14中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯 焊料作為構成焊料塊的蟬料。且,設定Ni層厚度lym,p 零含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度lem, P含有量 7wt% °Au層厚度設定為0.5〆^。藉此,將Ni-Sn合金層的 組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.7//Π1。Ni-Sn合金層係 主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-15] 在實施例3-2-15中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的热 輝料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度O.Sem, P含有量8wt%。另一方面,設定pd層厚度0.01//Π1, p 118
2160-7098-PF 含有量5wt%。Au層厚度設定為0.03"^。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為17/zmcN卜如 合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-16] 在實施例3-2-16中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 烊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇.3"m, P含有量8wt%。另一方面,設定pd層厚度1//m, p含有 罝7wt/6 Au層厚度設定為〇_〇i#m。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為l Ni_Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-17] 在實施例3-2-17中’係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料塊的烊料。且,設定Ni層厚度〇. 〇5 V m, P 3有里l〇wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇 〇i#m, p 含有量2wt%。Au層厚度設定為〇.〇5//me藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33’厚度為ι.8μπι。Ni-Sn 合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-18] 在實施例3-2-18中’係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度,p 含有量1 Owt%。另一方面,設定Pd層厚度1//m, p含有 量5wt%。Au層厚度設定為0_03/C/me藉此,將Ni_Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1. 8以m。Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 2160-7098-PF 119 1333404 [實施例3 - 2 -19 ] 在實施例3-2-19中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的紐 焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇.〇5//m, P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇·〇1#ιη, ρ 含有量2wt% °Au層厚度設定為0·5//ιη。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2_0/zm°Ni~sn 合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-20] 鲁 在實施例3-2-20中,係使用Sn: Pb = 63 : 37(wt%)的錯 焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定N i層厚度1 # m,ρ 含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度lym, P含有 量2wt%。Au層厚度設定為〇. 5 /z m。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67: 33,厚度為1. m。Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例3 - 2 - 21 ] 在實施例3-2-21中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯 籲焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度8am,p 含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇1//ιη, ρ含 有量7wt%。Au層厚度設定為l#m。藉此,將Ni_Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33’厚度為2 〇//m。Ni Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例3-2-22] 在實施例3-2-22中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 焊料。且’設定Ni層厚度l(Um,P含有量15討%。另一
2160-7098-PF 120 丄333404 方面’設定Pd層厚度l//m, P含有量7wt%。Au層厚度設 定為 2/zm。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Ni = 67:33 ’厚度為2丨a m。Ni-Sn合金層係主要為板狀 的形狀。 [實施例3-3-1] 在實施例3-3-1中,和實施例3-1-1相同地使用 CuUwt%’ Ag:3.5wt%,Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的 焊料。且’設定Ni層為實施例3-1-1的厚度5/z m,P含有 ® 1· 2wt%。另一方面,設定pd層為厚度〇.〇〇9#jn,P含 有量8wt%,Au層厚度設定為〇. 〇3 # m。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:45:13,厚度為2. 5/z m。在 實施例3-3-1中和上述實施例3_2-1相同地,如第18圖右 側的電子顯微鏡照片所示般Cu-Ni-Sn合金層係為柱狀,亦 即’垂直地沿著鎳層,主要為柱狀合金結晶的形狀。 [實施例3-3-2] 在實施例 3-3-2 中,使用 Cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度5 #m’P含有量i.2wt%。另一方面,設定pd層為厚度〇〇〇8 # m ’ P含有量7wt% ’ Au層厚度設定為〇· 〇4以πμ藉此,將 Ni-Sri合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:45:13,厚度為2. 5 Θ m。Ni-Sn合金層係主要為柱狀的形狀。 [實施例3-3-3] 在實施例 3-3-3 中,使用 cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn : 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度5 2160-7098-PF 121 1J33404 β Ps有量1.2wt%。另一方面,設定pd層為厚度〇.〇〇9 有里lwt%,Au層厚度設定為0.03/zm»藉此,將 Nl~Sn合金層的組成作為Sn:Cu: Ni=42 :45:13,厚度為2.5 vm。Ni-Sn合金層係主要為柱狀的形狀。 [實施例3 - 3 - 4 ] 在戶' 施例 3-3-4 中,使用 cu:〇· 5wt%,Ag:3· 5wt%,
Sn.95wt/0合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度$ V m,P含有量h 2wt%。另一方面,設定pd層為厚度 •以^ P 3有1 2wt% ’ Au層厚度設定為〇· 05 /z m。藉此,將 5金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為丄3 ^ m Ni Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [實施例3-3-5] 在實施例 3_3_5 中’使用 Cu:〇.5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層為厚 度l〇/zm’ P含有量〇· 5wt%。另一方面,設定pd層為厚度 _ 2.0/im’p含有量5wt% ’ Au層厚度設定為〇. 〇4 # m。藉此, 將^11-$11合金層的組成作為511:(:11:1^ = 66:29:5,厚度為13 ^m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體(粒狀的結晶),被形 成在鎳層的界面。 [實施例3 - 3 - 6 ] 在實施例 3-3-6 中,使用 cu:0. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn: 95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 10以m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層為厚度2 2160-7098-PF 122
Mi- 有里9Wt% ’ AU層厚度設定為〇.〇6/C/m。藉此,將 n °金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為1.5 以®。Mi〜Sn人在思v么 〇層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [貫施例3 - 3 - 7 ] 在只知例 3-3-7 中,使用 cu:〇. 5wt%,Ag:3. 5wt%, 5Wt/°合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 υ·〇3//ιυ,p 冬古旦 λ a 有里0. 4wt%。另一方面,設定pd層為厚度 乐^ m P含有1 3wt%,Au層厚度設定為〇· 03 # m。藉此, ;1 Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=66: 29:5,厚度為I】 Ni Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面 〇 [實施例3-3-8 ] 在實施例 3-3-8 中,使用 Cu:〇5wt%,Ag:35wt%, •95wt/fl合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 〇.〇3/zm,p含有量〇 5wt%。另一方面,設定層為厚度 〇· m’ P含有量7wt%,Au層厚度設定為〇·〇4以m。藉此, 將心$11合金層的組成作為511:(:11州1=66:29:5,厚度為13 # m Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [實施例3 - 3 - 9 ] 在實施例 3-3-9 中,使用 Cu:〇 5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的 設定Ni —P含有…。另一方面,設定P"= 2160-7098-PF 123 1333404 0.2ym’P含有量7wt%,Au層厚度設定為0.05em。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為如:(:11:1^ = 66:29:5,厚度為1 3 "m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [實施例3 - 3 -1 0 ] 在實施例 3-3-10 中,使用 Cu:〇 5wt%,Ag:3 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 10# m,P含有量0· 4wt%。另一方面,設定Pd層為厚度〇2 Φ # m ’ P含有量2wt% ’ Au層厚度設定為〇. 〇3 # m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為14 //m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [實施例3 - 3 -11 ] 在實施例 3-3-11 中,使用 Cu:〇· 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 10〆m,P含有篁16wt%。另一方面,設定pd層為厚度^ _ m ’ P含有s 7wt% ’Au層厚度設定為ooiem。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:CiKNi = 66:29:5,厚度為^ 5 // m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [實施例3-3-12] 在實施例 3一3-12 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 12/zm’P含有量0.4Wt%e另一方面,設定pd層為厚度〇 〇1
2160-7098-PF 124 1333404 V m,P含有量2wt%,Au層厚度設定為〇· 〇4/z m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為2 4
Vm。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在錄層的界 面 。 [實施例3-3-13] 在實施例 3-3-13 中,使用 Cu:0. 5wt%,Ag:3. ,
Sn.95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Mi層為厚产 含有量5wt%。另一方面,設定Pd層為厚度1以m, • p含有量2wt%,Au層厚度設定為〇.〇2/zm。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為2.5;czm。
Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例3-3-14] 在實施例 3-3-14 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. ,
Sn:95wt%合金作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層為厚度 12 /z m,P含有量17wt%。另一方面,設定Pd層為厚度1;^ m’ P含有量7wt%,Au層厚度設定為0.03em。藉此,將 • Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為2 4 //m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面。 [實施例3-4-1] 在實施例3-4-1中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的势焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5//m,p含有量 1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.009/im, p含有量 8wt%。Au層厚度設定為〇.〇3#m。藉此,將Ni-Sn合金層 2160-7098-PF 125 丄 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為? ς Μ · 及 + * 丄 A 5" m。Nl'Sn 合金 # 係主要成為柱狀。 ^隻層 [實施例3-4-2] 在實施例3-4-2中,使用Sn:Pb=63:37⑽)的錯焊料 作為構成烊料塊的焊料。設定Ni層厚度_,p含有量 1.2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇〇8"m, p含有= 7wtl AU層厚度設定為〇〇4/ζιη。藉此,將Ni〜Sn合金= 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2· 5# m。Ni~Sn合金層 係主要成為柱狀的形狀。 日 [實施例3-4-3] 在實施例3-4-3中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5ym’ p含有量 1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 〇〇9/ζιη, p含有量 lwt%° Au層厚度設定為〇 〇3/C/me藉此,將Ni、Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.5/zm°Ni~sn合金層 係主要成為柱狀的形狀。 籲[實施例3-4-4] 在實施例3-4-4中’使用Sn:Pb=63:37(wt%)的船焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度5/zm,p含有量 1· 2wt%。另一方面,設定pd層厚度2.0"m, p含有量 2wt%。Au層厚度設定為〇_〇5//m。藉此,將Ni~sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.3//m。Ni〜Sn合金層 係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例3-4-5] 2160-7098-PF 126 丄奶4〇4 在實施例3-4-5中,使用Sn:Pb=63:37(w1:%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度1〇 y m,p含有量 〇· 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.0//m, p含有量 5wt%。Au層厚度設定為〇 〇4#m。藉此,將Μ—%合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.3/zn^Ni-Sn合金層 係主要成為粒狀體’被形成在錄層的界面。 [實施例3-4-6]
在實施例3-4-6中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度1Mm,p :有量 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.〇ym, P含有量9wt〇/。 ^層厚度設定為0.06//„。藉此,將合金層的組成 作為Sn:Ni:67:33’厚度為h5㈣。Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例3-4-7] 在實施例3-4-7中,使用Sn:pb=63:37(wt%)的錯焊料 =為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度qq3 “, 量〇.4Wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.03/zm, p含有 量3Wt%°AU層厚度設定為〇·03^。!!此HSn人金 層的組成作為Sn:Ni=67:33’厚度為hl㈣。Ni心金 層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例3-4-8] 在實施例3-4-8中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的# :為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度g.q3“,p !°.5Wt%。另-方面,設定Pd層厚度〇.2"ffl,p含:量 2160-7098-PF 127 7wt%。Au層厚度設定為0.04/zm。藉此,將Ni Sn合金層 的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為13//m。N卜Sn合金層 係主要成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例3-4-9] 在實施例3-4-9中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 =為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度〇〇3"m,p含有 量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇2^, p含有量 ht%。Au層厚度設定為〇 〇5#m。藉此,將Νϋ合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為u”。Ni_Sn合心 係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例3 - 4 -1 0 ] 在實施例3-4-10中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度p含有 量〇.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇2//m, p含有量 2wt/6。Au層厚度設定為003"m。藉此,將Ni_Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為Ni_Sn合金層 係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例3-4-11] 在實施例3-4-11中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的鉛桿 料作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度含有 量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/zm,p含有量7对%。 Au層厚度設定為〇〇1#m。藉此,將合金層的組成 作為Sn:Ni=67:33,厚度為1· 5 # m。Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 2160-7098-PF 128 叫404 [實施例3-4-12] 在實施例3-4-12中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 $作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度12/im,p含有 = 0.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇〇1//m, p含有 量Au層厚度設定為〇〇4#m。藉此,將Ni—%合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.4/zm。Ni_Sn I金 層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例3-4-13]
在實施例3-4-13中 使用 Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 ^作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度i2",p含有 量5wt%。另一方面,設定pd層厚度^m, p含有量2灯%。 Au層厚度設定為〇. 〇2// m。藉此,將Ni_Sn合金層的組成 作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.5/zm。Ni_Sn合金層係主要 成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [貫施例3 - 4 -14 ] 在實施例3-4-14中,使用Sn:pb = 63:37(wt%)的錯焊 :作為構成焊料塊的焊料。設定Ni層厚度12"m,p含有 量nwt%。另一方面,設定pd層厚度含有量 Au層厚度設定為0.03^。藉此’將Ni_sn合金層的組成 作為sn:Ni=67:33,厚度為2 Ni sn合金層係主要 成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例3-5-1 ] 在實施例3 - 5 -1中, 作為構成焊料境的焊料。 使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 且’没定Ni層厚度5/zm,P含有 2l6〇-7〇98'PF 129 1333404 量1. 2wa。另一方面’設定Pd層厚度003 //m, p含有 量〇wt%(此Pd層係參照第1 9圖的顯微鏡照片,和上述的 貫施例1 - 5 -1相同,Pd係部分的柝出,多孔的可看到下層 的Ni層)^ Au層厚度設定為O.OSem。在此,在回流焊料 之際,使用含銅的助熔劑。藉此,將Ni_Sn合金層的組成 作為 Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為! 5ym。Ni_Sn 合金層 #成為粒狀體。 [實施例3-5-2] 在實施例3-5-2中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5"m,p含有 里1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度007"m, P含有 里5wt%(此Pd層係參照第20圖的顯微鏡照片,和上述的 T施例1-5-2相同,Pd層係可均一的形成)。^層厚度設 疋為0.07" m。在此,在回流焊料之際,使用含銅的助溶 劑。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 n.Cu.Ni-42:37:21 ’ 厚度為 1.5“m。Ni-Sn 合金層係和參 照第18圖左側的電子顯微鏡照片的實施例1_1_1相同主要 成為板狀。 [參考例3-1-1] 在參考例3-1-1~3-1-16、參考例3_2-1〜3-2-16,參照 第1圖〜第8圖和上述實施例3同樣地形成組合多層電路 叛’將焊料塊形成。 且,使用 Cu:0. 2wt%,Ag:lwt%,Sn:97wt%合金作為構 成焊料塊的焊料。在參考例3-^中,設定Ni層厚度5 2160-7〇98-PF 130 ΙΠ * p τέ- θ - A 置.2wt%。然而,設定Pd層為厚度〇.5em,未 3 、方式(P含有量=幾乎〇%)。Au層厚度設定為〇. ΠΊ 〇 .幸林 I > ^ a ,將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=38:2〇:42, =度為參考例344的鎳層、⑶^卜以合金層、 /j電子顯微鏡照片係和參照第1 5 ~ 1 8圖的上述參考例 1 1相同。從第15圖中的右側的電子顯微鏡照片可得知 艮 > 考例3-1-1中,Cu-Ni-Sn合金層係為非連續的,亦 起伏大的,被形成在Ni層的表面。又,從提高倍率的 第16圖、第17圖的右側的電子顯微鏡照片可得知在 i Sn 口金層的表面,透過Sn的皮層,粒子係不均 地散佈。在參考例3—1-1中,如第18圖右侧的電子顯微 鏡照片所示般Cu-Ni-Sn合金層係為柱狀,亦即,沿著鎳層 垂直地形成柱狀合金結晶。 [參考例3-1-2] 在參考例3-1-2中,和參考例3-κ同樣地使用 CmOJwt%,Ag:lwt%,Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊 料。没定Νι層厚度5//m,p含有量4wt%。另一方面,設 疋Pd層為尽度i 〇#m,p含有量〇 au層厚度設定 為〇. 〇3 v 。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為
Sn:CU:Ni=40:25:35,厚度成為 〇 [參考例3-1-3] 在參考例3-卜3中,使用cu:0. 2wt%,Ag: lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料壤的焊料。且,設定Ni層厚度 5 μ m,P含有量4wt%。另一方面,設定pd層為厚度1()以 2160-7098-PF 131 1333404 ιη’Ρ含有夏;9wt%〇Au展同由冰―从 ^;度权疋為〇_〇4以111。藉此, Ni-Sn合金層的组成作至 將 .珉作為 Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚声 士从 2. 7/z ro。 又成為 [參考例3-1-4] 在參考例3 + 4中,使用Cu:。㈣,…⑽
Sik減合金作為構成蟬料塊的焊料。且,設定n 5/z m,P含有量4wt%。另一士 a ^ ^ ^ 曰序度 力 方面’設定Pd層為厚度丄^
m,P含有量9wt%。Au岸厘命—达 U a厚度s又疋為〇.〇2vm。藉此,
Ni -Sn合金層的組成作兔c 。 xt 將 取忭為 Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚产 2. 9〆m。 又紙為 [參考例3-1-5] 在參考例3 -1 - 5中,汰m p 使用 Cu : 〇. 2wt%,Ag: 1 wt?/
Sn:97wt%合金作為構成焊料 ° 5 人吁料塊的焊料。且’設定Ni層 0·03/ζπι’Ρ 含有量 〇4wty 〇 尺 . 另一方面,設定Ρά層為厘☆ 0·以 m,P 含有量 〇wtpAu^ — ·,、;度 將Ni-Sn合金層的組成作主。广^ ’ 取作為 Sn:Cu:Ni = 38:2(h42,厚片士 為0. 8// m。 人成 [參考例3-1-6] 在參考例3+6中,使用CU:0.2wt%,Ag:lwt% Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且mi層厚0产 0.03ym,P 含有量 0. 4wt%。萁 七二 ^ D, _ ^ 0另一方面,設定Pd層為厚产 l/zm,P 含有量 2wt%°Au 思;sa ΛΓ 又 AU層厚度設定為〇.〇5 #m。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為9 0[; 0_ 戸马 Sn:Cu:Ni=40:25:35,厚声出 為 0. 9 /z m。 & 2160-7098-PF 132 1333404 [參考例3-l_7] 在參考例 3-1-7 中,使用 cu:〇. 2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03"m,P含有量16wt%。另一方面,設定pd層為厚度1 V m ’ P含有s 9wt%。Au層厚度設定為〇.〇2ym。藉此,將
Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 40:25:35,厚度成為 0. 9 // m。 [參考例3 -1 - 8 ] • 在參考例3_卜8中,使用Cu:〇.2wt%,Ag:lwt%,
Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 0·03^η,P含有量l6wt%。另一方面,設定pd層為厚^ 1. 5 # m ’ P含有置9wt%。Au層厚度設定為〇. 〇5 v m。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=4〇:25:35,厚度成 為 0. 9 # m 〇 [參考例3-1-9] 在參考例3-卜9中,使用Cu:〇2wt%,化:1^%, 修Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚声 12/zm’ P含有量0.4wt%。另—方面,設定pd層為厚度 P含有量Owt%。Au層厚度設定為〇.〇3^m。藉此,將
Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度成為 2. 5 y m。 : [參考例3-1-10] 在參考例3_卜10中,使用CU:〇.2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且設定Ni層厚°产 2160-7098-PF 133 1333404 U M m,P含有量〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層為厚度1 // m ’ p含有量2wt%。Au層厚度設定為〇. 02 # m。藉此’將 Νι-Sri合金層的組成作為Sn:cu:Ni = 39:26:49,厚度成為 2. 6 /z m 〇 [參考例3 -1 -11 ] 在參考例 3 -1 -11 中,使用 Cu : 0. ’ Ag : 1 wt%,
Sn: 97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且’設定Ni層厚度 12/ζιη’ P含有量I7wt%。另一方面,·設定Pd層為厚度1以 m ’ P含有量9wt%。Au層厚度設定為〇. 〇3 // m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度成為 2. 7 以 m 〇 [參考例3-1-12] 在參考例 3-1 -12 中,使用 cu : 〇. 2wt% ’ Ag: 1 wt%, Sn: 97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 12 # m,P含有量I7wt%。另—方面,設定pd層為厚度ι·5 从in,Ρ含有直9wt%。Au層厚度設定為〇·〇5//ιη。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39: 26: 49,厚度成為 2. 9 " m 〇 [參考例3-1-13]
在參考例 3-1-13 中,使用 cu:〇. 2wt% ’ Ag:lwt%, Sn.97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03/zm,P含有量〇.4wt%。另一方面,設定Pd層為厚度 1 # m,P含有量2wt% °Au層厚度設定為〇.〇〇8/zm。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49 ,厚度成 2160-7098-PF 134 1333404 為 0. 9 /z m 〇 [參考例3-1-14] 在參考例 3-1 -14 中,使用 Cu : 0. 2wt%,Ag : 1 wt%, Sn:9 7wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03//m,P含有量16wt%。另一方面,設定Pd層為厚度1 // m,P含有量9wt%。Au層厚度設定為0. 008 # m。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度成 為 0 _ 9 // m。 φ [參考例3-卜15] 在參考例 3-1 -1 5 中,使用 Cu : 0. 2wt%,Ag : 1 wt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 12/zm,P含有量0.4wt%。另一方面,設定Pd層為厚度1.5 μ m,P含有量2wt%。Au層厚度設定為2. 1 # m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度成為 2. 6 // m。 [參考例3-1-16] 鲁 在參考例 3-1-16 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%,
Sn: 97wt%合金作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度 12/ζιη,P含有量17wt%。另一方面,設定Pd層為厚度1.5 /zm,P含有量9wt%。Au層厚度設定為2.1/zm。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度成為 2. 7 " m 〇 [參考例3-2-1] 在參考例3-卜卜3-1-16中,使用無鉛的(:11/八£/311焊 2160-7098-PF 135 料作為構成焊料塊的焊料。對於此在參考例3_2_卜3_2_16 :’係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料作為構成焊料塊的 广在參考例3-2-1中mi層厚度5/zm,p含有量 (ΡΓΓ另一方面’設定pd層厚度〇.5“,未含p方式 心有率=幾乎0%)〇Au層厚度設定為〇〇一。藉此,將 η 5金層的組成作為Sn:Ni = 67:33 [參考例3-2-2] 尽度為〇_8心 在參考例3-2-2中,係使用Sn:pb_fiq +。,、 料作A播》 b-63:37(wt%)的鉛焊 乍為構成焊料塊的焊料。且,設定 右旦z 1Nl層厚度5//m,p合 里w “。另一方面’設定pd層厚度u K AU層厚度設定為。.〇3" 3有里 層的組成你* C 藉此,將Ni-Sri合金 去成作為L67:33,厚度為〇 9 “。 L參考例3-2-3] 料作=Γ3-2-3 中,係使"n:Pb=63:37(w、
有量’、4焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5㈣,PA wt%。另一方面,設定Pd層厚戶 3 9w«。Au屉声由抓—、 度l.(Um,p含有量 的組成作為日又°又之為ο.04""1。精此,將Ni—Sn合金層 [參考例…] “。 在參考例3-2-4中,係使用Sn:Pb__fiq q7r +0/、 料作為構成焊料塊的焊料…設定N;層厚3;(:,
有量_%。另-方面,設定Pd層厚度含 9wt%。^思「+ .5仁 mP 含有 I u層厚度設定為0.02//^藉此, 里 的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為2.9心 ^金層 2160-7〇98-^ρρ 136 ^jjh-U4 [參考例3-2-5] 在參考例3-2-5中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 ;作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇.〇3/zm, 含有量0. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.5em,p含 有里〇wt%。Au層厚度設定為〇·〇3//πι。藉此,將Ni-sn合 s的,,且成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為〇.8;ίζιη。 [參考例3-2-6] 在參考例3-2-6中’係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 料作為構成焊料塊的焊料。且’設定Ni層厚度〇.〇3 P 人 m , 窃3有置〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度l/zm,p含有 篁2wt%。au層厚度設定為〇· 〇5/z 。藉此,將Ni_Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為〇9Vm。
[參考例3-2-7J 在參考例3-2-7中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛、 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni 旦3有置16wt〇/o。另一方面,設定pd層厚度l#ro,p含. 里9wU。Au層厚度設定為〇.〇2#m。藉此,將 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為〇.9/zm。 [參考例3-2-8] 在參考例3-2-8中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的釵 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度〇〇3 qJ P:有量16紂%4一方面’設定Pd層厚度i 5“二' 有里9wt/° °Au層厚度設定為〇.05#m。藉此,將Ni s 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為〇 9#^。 ^
2160-7098-PF 137 丄奶404 [參考例3-2-9] 在參考例3-2-9中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊 料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度p 含有量0. 4wt%。另一方面,設定pd層厚度〇.5/zm,P含 有置Owt%。Au層厚度設定為〇.〇3//m。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為2.5仁m。 [參考例3-2-10] 在參考例3-2-10中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 _焊料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度12μιη, Ρ含有量〇· 4wt%。另一方面,設定pd層厚度l//m,P含有 里2wt%。Au層厚度設定為〇〇2vm。藉此’將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2· 6# m。 [參考例3 - 2 -11 ] 在參考例3-2-11中,係使用Sn:Pb = 63:3 7(wt%)的錯 ~料作為構成焊料塊的焊料。且,設定N i層厚度12 // m, p含有量17wt%。另一方面,設定pd層厚度1/zm,P含有 ®量9wt%。Au層厚度設定為〇.〇3μιη。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2. m。 [參考例3-2-12] 在參考例3-2-12中,係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛 谭料作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度12/zm, p含有量17wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.5/zm,P含 有量9wt%。Au層厚度設定為〇.〇5#m。藉此,將Ni-Sn合 金層的Μ成作為Sn:Ni=67:33,厚度為2.9"m。 2160-7098-PF 138 1333404 [參考例3-2-13] 在參考例3-2-13中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料塊的焊料。且’設定Ni層厚度 P含有量0· 4wt%。另一方面’設定?(1層厚度l#m,P含有 量2wt%。Au層厚度設定為0.008;zm。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Ni=67:33 ’厚度為0. 9/z m。 [參考例3-2-14] 在參考例3-2-14中,係使用Sn:pb = 63:37(wt%)的錯 #焊料作為構成焊料塊的焊料。且’設定Ni層厚度0. 03 em, P含有量16wt%。另一方面’設定Pd層厚度lam,P含有 量9wt%。Au層厚度設定為〇.〇08#m。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Ni=67:33’厚度為0,9em。 [參考例3 - 2 -1 5 ] 在參考例3-2-15中,係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的紐 焊料作為構成焊料塊的焊料。且’設定Ni層厚度I2ym, P含有量〇· 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.5//m,p含 響有量2wt°/。。Au層厚度設定為2. 1 β m。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.6/zm。
[參考例3 - 2 -16 J 在參考例3-2-16中,係使用Sn:pb = 63:37(wt%)的錯 焊料作為構成烊料塊的焊料。且’設定Ni層厚度12//Π1, P 3有里l7wt%〇另一方面’設定Pd層厚度ΐ5"ιη,p含 有1 9wt% »Au層厚度設定為2.1βιη。藉此,將Ni-sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.7"m。 2160-7098-PF 139 ^33404 [實施例4] 在上述實施例3中,將組合多層電路板作為對象,在 實施例4中,係將和實施例2相同的層積式的多層印刷電 路板作為對象。 第25圖係表示實施例4的印刷電路板3〇的剖面圖。 多層印刷電路板30係為搭載1C晶片80的半導體搭載用的 印刷電路板。多層印刷電路板3〇係層積複數的基板Μ, 在各基板31,設置直達孔(through h〇le)36,接觸孔 hole)38以及導體迴路3扣在多層印刷電路板3〇的上面側 係設置導體迴路341],在下面側設置導體迴路34d。在上面 侧的導體迴路34U的表面側設置焊料阻抗層7〇,藉由焊料 阻抗層7G的開口 7卜導體迴路34U的—部份被露出,構 成接合墊42 〇另一方面,在下面側的導體迴路34D的表面 側設置焊料阻抗層7〇 ’藉由焊料阻抗層70的開口 71,導 體迴路34D的一部份被露出,構成焊料墊44。至外部的印 刷電路板的連接用的焊料層46係被形成在焊料塾44。在 夕層印刷電路板的上面,透過接著劑84,ic晶片被配 置IC曰曰片80的端子86和多層印刷電路板侧的接合墊42 係藉由電線82被搭接。 其人,參照第29圖說明有關焊料墊。第29圖(8)係將 藉由第_25圖中的多層印刷電路板30的圓b圍起來的部分 擴大表不。在導體迴路34D上設置鎳鍍層72,透過鎳鍍層 =上的Nl合金層75,焊料層46被連接。在實施例4中, 藉由調整^合金層75的平均厚度,在鎳鍍層”和焊料層 2160-7098-pp 140 1333404 46的界面中,破斷不易發生。藉此可提高焊料層46的強 度、密著性。 接著,參照第26圖〜第29圖說明有關實施例4的多層 印刷電路板30的製造方法。 在此’實施例4的製造步驟係為參考第1〇和ii(a)圖, 一直到具有上述開口 71的焊料阻抗層7〇的步驟為止因 為和實施例2的多層印刷電路板的製造步驟相同,所以省 略說明。 (1)在第26(A)圖所示的焊料阻抗層7〇的開口 71内的 浑料墊34U、34D上使鎳膜形成 2.3x1 O''mol /1 1.8-4. OxlO^mol/l 1.6x1 O^mol /1
鎳鍍層液係使用以下的物件 氣化鎳 次亞燐酸鈉 枸櫞酸鈉 ph=4.5 溫度40〜60°C 在此無電解鎳鍍層液浸潰5〜4〇分鐘,在開口部7丨形 成鎳鍍層72(第26圖(B))。 在實施例4’將鎳鍍層72的厚度設定為〇 〇3~1〇"m, 使錄膜内的P含有〇·4〜17wt%的方式。此時,考慮鍍層槽 的容積、液體循環等以設定鍍層膜的厚度、燐含有量。藉 此,即使在導體迴路34U及導體迴路34D實施粗化層,^ 凹凸部分完全地被覆蓋,可將鎳鍍層72的表面狀態作為均 一化。 2160-7098-PF 141 i:3334〇4 (二)其次’在形成鎳膜的基板的焊料墊上使鈀膜形成。 鈀鍍層液係使用以下物件。 氣化把 1. 0xl0_2mol/l 乙揮二胺 8. Oxl (T2mol /1 次亞燐酸鈉 4.0〜6.0χ1(Γ2ιπο1/1 噻乙二醇酸 3〇mg/1
ph = 8 溫度50〜60°C
在此無電解鈀鍍層液浸潰3〜1〇分鐘,在鎳鍍層72上 形成厚度0.08#m的鈀層73(第26圖(C))。在實施例4中, 將鈀層73的厚度設定作為〇.〇〇8〜2〇//m的方式,使{3含 有l~8wt %。此時,考慮鍍層槽的容積,液體循環等以設定 •X層膜的尽度,燐含有1。藉此,在上面的導體迴路34耵 側將接合墊42形成,而焊料墊44形成在下面的導體迴路 34D側。在實施例4,將鈀層73的厚度設定作為〇 〇ι〜ι 〇 的方式’使p含有2〜7wt%。
(3)其後,在表層形成金層作為耐蝕層。 氮化金斜 7. 6xl0 3mol/l 氯化銨 枸櫞酸納 1. θχΙΟ-'ιηοΙ/Ι 1. 2χ10 ^ο1/1 在以上構成的無電解金鍍層液以8〇。〇的條件浸責 5〜20分鐘,在鈀層73上形成厚度〇 〇i~2^m的^層 27圖(A))。藉此’在上面的導體迴路34ϋ側形成接合墊
2160-7098-PF 142 1333404 在下面的導體迴路34D側形成禪料塾“。 ⑷且,在焊料阻抗層7。的開口 71 印刷焊料層46 α (第27 H rn、、 爱 rR. φ ())。在第29圖(Α)中,將第27 圖(B)中的焊料墊44擴大砉千 34Π μ ^ ^ 不。烊料墊44係由在導體迴路 34D上依序被形成的鎳 複合層形成。 纪層”士層74的三層的
(乂、人藉由在氮氣中以25〇 t:回流,將烊料層46 :成(第28_。在此回流之際,…及…係 在焊料層46大半被擴散,參照第“圖及第Μ圖⑻,如 上述般在錄鍍層72和焊料層46的界面,完成⑼和焊料 組成金屬的Cu-Nl—Sn合金層75。在此,在實施例4,將鈀 層73設定為UH.o㈣的方式,使w含有量w, 將Cu-Ni-Sn合金層75的平均厚度調整。藉此,如上述般 在鎳鍍層72和焊料層46的界面中破斷不易發生。 (6)在完成的多層印刷電路板3〇的上面經由接著劑μ 以搭載IC晶片80(第28圖⑻)。其後,在IC晶片⑽的 端子86和多層印刷電路板3〇側的接合墊42之間,將搭載 電線82搭載(參照第25圖)。又,在焊料層上使外部連接 端子(此時為BGA)配置。亦可在外部連接端子使pGA配置。 或者’在焊料層安裝電容器等的元件亦可。 [實施例4-1-1 ] 在實施例4-卜1中,使用Cu:〇5wt%,Ag:35wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 含有量1.2wt%。設定Pd層厚度〇.5//m,p含有量 2160-7098-PF 143 1333404 Αυ層厚度設定在0.03;czm。藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為$11:〇11:1^=42:37:21’厚度為1.5//〇1。在實施例4-1-1 中’參照如第1 8圖左側的電子顯微鏡照片,和上述的實施 例1-1-1相同’ Cu-Ni-Sri合金層係主要為板狀的形狀,亦 即’平行地沿著鎳層被形成。 [實施例4-1-2] 在實施例 4-1-2 中’使用 Cu : 0. 5wt%,Ag : 3. ,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 鲁m,P含有量1 · 2wt%。另一方面,設定pd層厚度〇〇1"m, P含有量2wt%。Au層厚度設定在〇.〇5Am。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為i m。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-3] 在實施例 4-1-3 中’使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 m,P含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇l#m, 着P含有量7wt%。Au層厚度設定在_。藉此,將以_如合 金層的組成作為Sn:CU:Ni=42:37:21,厚度為18yme Ni-Sn合金層係主要為板狀。 [實施例4 -1 - 4 ] 在實施例4-1-4中,使用Cu:〇.5wt%,Ag:3 5紂%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度5以 m,P含有量1.2wt%。另一方面,設定pd層厚度匕^瓜, P含有量2wtlAu層厚度設定在〇 〇3/ζπμ藉此將Ni_sn 2160-7098-PF 144 1333404 合金層的組成作為Sn:CU:Ni=42:37:2l,厚度為t Ni-Sn合金層係主要為板狀。 …·5以m。 [實施例4-1-5] 10 N“Sn u m 〇 在實施例4-1 一5中,使用〜:〇.5对%,α" sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚:t%, P,P含有量〇.5wt%。另一方面,設定pd層厚度-P含有量miAu層厚度設定在〇〇3^。藉此,將“ 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2i,厚度為夏 Ni -Sn合金層係主要為板狀。 [實施例4 -1 - 6 ] 在實施例 4-1-6 中,使用 Cu:〇5wt%,Ag:3,5wt%, Sn.95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定νι居 ^ θ 7子度1 〇 y m,Ρ含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 .υ 丄 y m, P含有量7wt%。Au層厚度設定在0·01/ζιηβ藉此, Ν1 ·~ 〇 η 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為1 ,f 以 m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 ♦[實施例4-卜7] 在實施例 4-1-7 中,使用 Cu:0. 5wt% ’ Ag:3, 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇 〇5 "m,P含有量〇. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1 从贝, P含有量7wt%。Au層厚度設定在0.02θΐη。藉此,將Ni、Sn 合金層的組成作為Sn:Cu :Ni = 42 :37:21 ’厚度為1.7ym。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-8] 2160-7098-PF • 145 1333404 在實施例 4-1-8 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.05 ym,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01//m, P含有量3wt%°Au層厚度設定在0.01/zm。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1.8#m。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-9] 在實施例 4-1 -9 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag : 3. 5wt%, ^ Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3 /zm,P含有量0.5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01// m,P含有量2wt%。Au層厚度設定在0. 2 /z m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為1.7//m。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-10] 在實施例 4-1-10 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0. 3 鲁 /ζπι,Ρ含有量0. 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度lym, P含有量2wt%。Au層厚度設定在0.4/zm。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為1.6/zm。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4 -1_ 11 ] 在實施例 4-1-11 中,使用 Cu : 0· 5wt%,Ag : 3. 5wt%, Sn :9 5wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3 "m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01//m, 2160-7098-PF 146 1333404 P含有量7wt%« Au層厚度設定在〇.5 藉此, 竹N卜sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為1 7 x 上.^ “ m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-12] 在實施例 4-1-12 中,使用 Cu:〇.5wt%,Ag:3,5wt% , Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni °’ 曰 w年度0. 3 y m,P含有置5wt%。另一方面,設定pd層厚户, ^ 1 ^ m > p 含有量7wt%。Au層厚度設定在0.03 藉此, 將 鲁合金層的組成作為311:(:11:1^ = 42:37.2卜厚度為1。 λ . I 6 以 m。
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-13]
在實施例 4-1-13 中’使用 Cu:〇. 5wt%,Ag:3 5wt% Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚 ° ’ m,P含有量0. 5wt%。另一方面,設定pd層厚度〇 U
P含有量2wt%。Au層厚度設定在〇.5//m。藉此,將^ 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚度為 卜^ Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-14] 在實施例4-卜14中,使用Cu:〇. 5wt%,Ag:3 〇
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定N. Wt/〇 5 1層厚度1 m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚戶 u
Sn合 有量7wt%。Au層厚度設定在0.5/^。藉此,將3 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚产為 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 ’7 2160-7098-PF 147 1333404 [實施例4 _ 1 -15 ] 在貫施例 4〜1-15 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt?/ Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇 3 "m ’ P含有量8wrt%。另一方面,設定pd層厚度〇 •丄 β in, P含有量5wt%層厚度設定在0.03/zm。藉此,將Ni s 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42: 37: 21,厚度為1 7 • . f 以 m。 Ni-Sri合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-16] 在實施例 4-1-16 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3 5wt% Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厘* ° 4 度 〇 · 3 # Hi,P含有量8wt%。另一方面,設定Pd層厚唐】 . 人士曰 1 ID » D 含有置7wt% 層厚度設定在O.Olym。藉此,此χ 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為1 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-17] 在實施例4-1-17中’使用Cu:〇. 5wt%,Ag:3 • Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層 # m ’ P含有置1 〇wt%。另一方面,設定pd層厚度 P含有量2wt%。Au層厚度設定在〇.〇5/zme藉此, 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42: 37:21,厚度為 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-18] 在實施例4-卜18中,使用Cu:〇 5wt%,Ag: Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層
Sn , 厚度 〇1 將 °· 〇5 “ ID,
Sn 丨, 厚夜1 u 2160-7098-PF 148 1333404 m,P含有量1 Owt%。另一方面,設定Pd層厚度l#ra,P含 有量5wt%。Au層厚度設定在0.03"m。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1·8#πι。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-19] 在實施例 4-1-19 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.05 #m,P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm, ^ P含有量2wt%。Au層厚度設定在0.5/zm。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為2.0/zm。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-20] 在實施例 4-1-20 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度 m,Ρ含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度l//m,Ρ含 有量2wt%。Au層厚度設定在0.5/zm。藉此,將N i -Sn合 鲁金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為1.. 9/zm。 Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4-1-21] 在實施例 4-1-21 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度8;/ m,P含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.01/zm, P含有量7wt%。Au層厚度設定在1#ιη。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為2.0"m。 2160-7098-PF 149 1333404
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 [實施例4 -1_ 2 2 ] 在實施例 4-1-22 中,使用 Cu:0.5wt% , Ag:3.5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度η em,Ρ含有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度ρ 含有量7wtlAu層厚度設定在2//m。藉此,將Ni—如合 金層的組成作為Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為21
Ni-Sn合金層係主要為板狀的形狀。 鲁[實施例4-2-1] 在實施例4-1-1中,使用無鉛的Cu/Ag/Sn焊料作 成焊料層的焊料。對於此,在實施例Η—中係使用
Sn.Pb-63:37(wt%)的錯焊料作為構成焊料層的焊料。
Ni層厚度5#m,p含有量1 g 卞 里.2wU另一方面,設定Pd層 又."m,P含有量5wt%t>Au層厚度設定在〇〇3"。 曰此’將N卜Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚 1.5/ζπι。N卜Sn合金層係主要為板狀。 又‘”、
1 [實施例4-2-2 J 作 4·2_2 中錢用 Sn:Pb=63:37(Wt%)的紹焊料 Θ料。烊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5㈣,p含有 置.WU。另—方面,設定Pd層厚度0.01"m,P人有量 2wt% °Au層厚声抓定/nn 3有里 又5又疋在0.05#πι。藉此,將Ni_Sn合 的.《a成作為§ ·*曰 係主要為板狀。7.33 “為1.一W合金層 [實施例4 - 2 ~ 3 J 2160-7098-pp 150 丄叫404 在實施例4-2-3中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛烊申 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層和實施例;斗 、 1 ώ ''丄相 5厚度5gm,P含有量2wt%。另一方面,設定Pd層厚 度O.Olym’P含有量7wt%(>Au層厚度設定在藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為1. 8以m。 Ni~Sn合金層係主要為板狀。 [實施例4-2-4] 在貫施例4-2-4中係使用$11:?1) = 63:37(«^%)的錯痒料 作為構成知料層的焊料。設定Ni層厚度5/ζιη,P含有量 1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度ιο^πι’ρ含有量2wt%。 Au層厚度設定在〇〇3^m。藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.5//1Π。Ni-Sn合金層係主要 為板狀的形狀。 [貫施例4 - 2 - 5 ] 在貫施例4-2-5中係使用Sn: Pb=63 : 37(wt%)的絡焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度10以m,p含 有量0. 5wt%。另—方面,設定pd層厚度1.0从m,p含有 1 7wt%。Au層厚度設定在〇.〇3ym。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1. 5/z m。Ni-sn合金 層係主要為板狀》 [實施例4 - 2 - 6 ] 在貫施例4-2-6中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度l〇em,p含 有置5wt%。另—方面,設定pd層厚度0.01"m,P含有量 2160-7098-PF 151 1333404 7wt%。Au層厚度設定在00i#m。藉此,將Ni_Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67: 33,厚度為1. m。Mi-Sn合金層 係主要為板狀。 [實施例4 - 2 - 7 ] 在貫施例4-2-7中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料❶且,設定Ni層厚度〇. 05 vm,p 3有里0· 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度1以m,p含有 量7wt%。Au層厚度設定在〇 〇2//πμ藉此,將Ni_Sn合金 鲁層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為l r7#m。Ni_Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例4 - 2 - 8 ] 在實施例4-2-8中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度O ,p含有 量另一方面,設定pd層厚度〇〇1#m,p含有量 3wt%。Au層厚度設定在〇〇1/zm。藉此,將Ni_Sn合金層 的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為 1· 8以m。Ni-Sn合金層 ®係S要為板狀的形狀。 [實施例4-2-9] 在實施例4-2-9中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 。設定Ni層厚度0.3#m,p含有量
板狀的形狀》 作為構成焊料層的焊料。 〇. 5wt%。另一方面,設定f 2160-7098-PF 152 [貫施例4 - 2 -1 〇 ] ; 在實施例4-2-10中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的如焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.3/zm,p人 量0 ^ 〇 r t有 .Wt%。另—方面’設定Pd層厚度l/zm,P含有量2tt, + 0/
Au層厚声 ^Wt/〇° 义》又疋在〇.4;czm。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作 為Sn:Nl = 67:33 ’厚度為1.6μιπ。Ni-Sn合金層係主要 板狀的形狀。 ·、、 [貫施例4 - 2 -11 ] i 在實施例4-2-11中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度p 含有量5wt%。另—方面,設定Pd層厚度0.01gm,p含有 里7wt%。Au層厚度設定在〇. 5〆^。藉此,將Ni_Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.7ym°Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [貫施例4 - 2 -12 ] 在實施例4-2-12中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 •料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0.3/zm, p 含有量5wt%。另一方面,設定pd層厚度P含有量 7wt%。Au層厚度設定在〇 〇3" m。藉此,將Ni_Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.6〆m。Ni-Sn合金層 係主要為板狀的形狀。 [實施例4 - 2 -13 ] 在實施例4-2-13中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛烊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度l#m,P含
2160-7098-PF 153 丄 W404 有置〇. 5wt%。另一方面,設定pd層厚度O.Ol/zin,p含有 量2wt% °Au層厚度設定在〇.5Am。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為丨· m。Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [貫施例4 - 2 -14 ] 在貫施例4-2-14中係使用$11:?匕=63:37(«^%)的錄焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度1;czm 人 古 e 3 有® 5wt%。另一方面,設定pd層厚度^πρΡ含有量7wt%。 a尽度设定在0.5ΑΙΠ。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作 為Sn:Ni=67:33,厚度為1.7/zm°Ni-Sn合金層係主尊主 板狀的形狀。 [貫施例4 - 2 ~ 15 ] 在實施例4-2-15中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0.3am,p 含有量8wt%。另一方面,設定pd層厚度0.01/ζιη,ρ含有 ΐ 5wt%。au層厚度設定在〇_ 〇3仁m。藉此,將Ni-Sn合金 •層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1. 7" m。Ni-Sn合金 層係主要為板狀的形狀。 [實施例4 - 2 -1 6 ;] 在實施例4-2-16中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的絡焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0.3以m,p 含有量8wt%。另一方面,設定Pd層厚度l/im,P含有量 7wt% ° Au層厚度設定在0.01/zm。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.7/zm°Ni-Sn合金層 2160-7098-pp 154 係主要為板狀的形狀。
[貫施例4 - 2 ~~ 1 了 J
在實施例4-2-17中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛 料:為,成焊料層的焊料。且’設定Ni層厚度。。5“, P ^有量1〇Wt%。另一方面,設定Pd層厚度0· 01以m,p含 有量2wt%。Au層厚度設定在〇 〇5//m。藉此,將N卜 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為18”。Νϋ : 金層係主要為板狀的形狀。
[實施例4 - 2 -18 J 在實施例4-2-18中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛埤 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度丨以爪,p人 有置1 Owt%。另一方面,設定Pd層厚度ρ含有量 5wt%。Au層厚度設定在〇 〇3vme藉此,將Μ—%合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.8wm。Ni_Sn合金 係主要為板狀的形狀。
[實施例4 - 2 -1 9 ] 在實施例4-2-19中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度〇 A P含有量15wU。另一方面,設定Pd層厚度〇 〇1^m,pm含 有里2wt%°Au層厚度設定在0.5/zin。藉此,將Ni s 金層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為2.〇#m。Ni—如i 金層係主要為板狀的形狀。 〇 [實施例4-2-20] 在實施例4-2-20中係使用
Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛埤 2160-7098-PF 155 1333404 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度lyin’ p含 有量15wt%。另一方面,設定Pd層厚度含有量 2wt% «Au層厚度設定在0.5//m。藉此,將Ni-Sn合金層的 組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.9//111。“-511合金層係 主要為板狀的形狀。 [實施例4 - 2 - 21 ] 在實施例4-2-21中係使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度8#m,p含 有量15wt%。另一方面,設定pd層厚度O.OUm’p含有 s 7wt%。八11層厚度設定在i"m。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.〇#iNi-Sn合金層 係主要為板狀的形狀。 [實施例4 - 2 - 2 2 ] 在貫施例4-2-22中係使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛垾 料作為構成焊料層的焊料。且,設定N i層厚度10 # m,p 3有里15wt%。另一方面,設定pd層厚度i"m,p含有量 7Wt%° AU層厚度設定在2#m。藉此,將Ni-Sn合金層的纽 成作為Sn.Nl = 67:33,厚度為2_l"m°Ni_Sn合金層係主 要為板狀的形狀。 [實施例4 - 3 -1 ] 在實施例〜實施例4-3-14中係和實施例 4-1-1 〜4_1-14 士日门 入 相 R,使用 Cu:〇 5wt%, Ag:3. 5wt%,Sn:95Wt% 合金作為構成焊料層的烊料。且設^Ni層厚度5/zm,P含 有量 1. 2wt%。 另一方面,設定Pd層厚度〇· 〇〇9以in,ρ含
2160-7098-PF 156 1333404 :量8一層厚度設定在。·—。藉此,將_合 金層的組成作為Sn:Cu:Nl=42:45:i3,厚度為Η… Cu-Ni-Sn 合金層倍 糸為柱狀,亦即,沿著鎳層垂直地形成柱 狀合金結晶。 [貫施例4 - 3 - 2 ] 在只鉍例 4-3-2 中,使用 Cu:〇. 5wt%,Ag:3. 5wt%,
Sn:95Wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 5仁m,P含有量1.2wt%。另一方面,設定pd層厚度Q 〇〇8 ® β m ’ P含有量7wt%。Au層厚度設定在〇. 〇4 // m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:45:13,厚度為2 5 // m ° Ni-Sn合金層係主要成為柱狀。 [貫施例4 - 3 - 3 ] 在實施例 4-3-3 中’使用 cu: 〇. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 5#m,P含有量1.2wt%。另一方面,設定pd層厚度0.009 P含有量lwt%。Au層厚度設定在〇.〇3//m。藉此,將 鲁Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu :Ni =4 2:45:13,厚度為2.5 // m。Ni-Sn合金層係主要成為柱狀。 [實施例4 _ 3 _ 4 ] 在實施例 4-3- 4 中,使用 Cu:0.5wt%’ Ag-3.5wt%’ Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且’設疋Νί層厚度 5 // m,Ρ含有量1· 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度2·〇" m,Ρ含有量2wt%。Au層厚度設定在0.05〆111。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5’厚度為1.3 2160-7098-PF 157 1333404 #n^Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 面 〇 [實施例4-3-5] 在貫施例 4-3-5 中,使用 cu:0.5wt%’ Ag:3.5wt%,
Sn . 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 We m ’ P含有量〇 5wt%。另一方面,設定pd層厚度2. 〇 V m,P含有量5wt%。Au層厚度設定在0. 04 /z m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為1.3 ί V ra。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體(粒狀的結晶),被形 成在錄層的界面。 [實施例4-3-6] 在實施例 4-3-6 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt0/〇,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 10/z m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.0//ΙΠ, P含有量9wt%。Au層厚度設定在〇· 〇6" m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為1.5/zm。 ® Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-3-7] 在實施例 4-3-7 中,使用 Cu: 0· 5wt%,Ag: 3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇 〇3 仁m,P含有量〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇. 〇3 // m,P含有量3wt% °Au層厚度設定在0.03#m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=66:29:5,厚度為1.1 //m。Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界 2160-7098-PF 158 1333404 Ο [實施例4-3-8] 在實施例 4-3-8 中,使用 Cu:0.5wt%,Ag:3 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度〇.〇3 以m’ P含有量〇· 5wt%。另一方面,設定pd層厚度^ P含有量7wt%。Au層厚度設定在〇.〇4ym。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為i 3Vm。 Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 _ [實施例4-3-9] 在貫施例 4-3-9 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag : 3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.03 仁m,P含有量16wt〇/。。另一方面,設定P(i層厚度〇2#m, p含有量7wt%。Au層厚度設定在0· 05/z m。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為13/zm。
Hn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-3-1 〇 ] 在貫施例 4-3-10 中,使用 Cu:〇. 5wt%,Ag:3. 5wt%, Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度1〇 仁m,P含有量〇· 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.2//m, P含有量2wt% 〇Au層厚度設定在〇.〇3"m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:CU:Ni = 66:29:5’厚度為l 4/am。 Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-3-11] 在實施例 4-3-11 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%, 159
2160-7098-PF 1333404
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度1〇 # m,P含有量1 6wt%。另一方面,設定pd層厚度iym,p 含有量7wt%。Au層厚度設定在o.oiem。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66 :29:5,厚度為i.5/zm。 Ni -Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 3 -12 ] 在實施例 4-3-12 中,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12 _ 含有量〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度 P含有量2wt%。Au層厚度設定在〇. 04/z m。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為2.4/zm。
Ni -Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 3 -13 ] 在實施例 4-3-13 中’使用 Cu:0.5wt%,Ag:3.5wt%,
Sn:95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12 // m,P含有量5wt%。另一方面,設定Pd層厚度 鲁含有量2wt% 〇Au層厚度設定在O.O2#!!!。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 66:29:5,厚度為2.5//m。
Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-3-14] 在實施例 4-3-14 中,使用 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12 // m ’ P含有量17wt%。另一方面,設定Pd層厚度1/zm,p 含有量7wt%°Au層厚度設定在〇.〇3"m。藉此,將Ni_Sn 2160-7098-PF 160 1333404 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=66:29:5,厚度為2
Ni-Sn合金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-4-1] 在實施例4-4-1~實施例4-4-14中係和實施例 4-2_1〜4-2-14相同,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料作為 構成焊料層的焊料。且’和實施例4U相同設定Ni層厚 度含有量1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.〇〇9 "m ’ P含有量8wt%。Au層厚度設定在0. 03" m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2. 5以爪。 Ni-Sn合金層係主要成為枉狀。 [實施例4-4-2] 在實施例4-4-2中,使用Sn:Pb=63:37(wt°/〇)的錯焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5/^m,p含有 置1. 2wt%。另一方面,設定pd層厚度0008//m,ρ含有 里7wt%。Au層厚度設定在0.04"m。藉此,將人金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2. 5" m。Ni~Sn合金 層係主要成為柱狀。 [實施例4-4-3] 在實施例4-4-3中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5/iIn,p含有 里1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.009 Mln, 晉 1 +。 各有 wt/。。Au層厚度設定在〇. 03 // m。藉此,將Ni〜Sn人金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.5" m。Ni〜s人 層係主要成為柱狀。 2160-7098-pp 161 1333404
[實施例4 ~ 4 - 4 J 在實施例4-4-4中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成烊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5//m,P含有 ϊ 1. 2wt%。另一方面,設定Pd層厚度2〇仁p含有量 2wt/D。Au層厚度設定在〇.〇5//m。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為13"meNi_Sn合金層 係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4 ~ 4 - 5 ] 在實施例4-4-5中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度lOym’p含 有里0_ 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度2〇//m,p含有 量5wt%。Au層厚度設定在〇 〇4Mm。藉此,將Η—%合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為Ni_Sn合金 層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4 ~ 4 _ 6 ] 在貫施例4-4-6中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作^構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 有1 5Wt%。另一方面,設定Pd層厚度2.〇Μΐη,P含有量 Au層厚度設定在〇. m。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33 ’厚度為1.5/ζπι。Ni-Sn合金層 係主要成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 4 - 7 ] 在實施例4-4-7中 作為構成焊料層的焊料 ,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛烊料 。且’設定Ni層厚度〇. 〇3y m,p
2160-7098-PF 162 1333404 含有量0.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.03/zm,P含 有量3wt% °Au層厚度設定在〇.〇3/zm。藉此,將Ni-Sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為l.lym°Ni-Sn合 金層係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-4-8] 在實施例4-4-8中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.03em,P含有 量〇· 5wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇.2/zm,P含有量 鲁7wt%。Au層厚度設定在〇_〇4//m。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1.3/zm。Ni-Sn合金層 係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 4 - 9 ] 在貫施例4-4-9中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯烊料 作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度0.03/zm,p含有 里16wt%。另一方面,設定pd層厚度〇2μπι,Ρ含有量 7wt%。Au層厚度設定在〇 〇5//ιη。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為1. 3/z m。Ni-Sn合金層 係主要成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 4 -1 0 ] 在實施例4-4-10中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度1〇//m,p含有 ! 〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度〇2#m,p含有量 2wt%。Au層厚度設定在0.〇3//m。藉此,將Ni-Sn合金岸 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為h 4以P Ni-Sn合金層 2160-7098-pp 163 1333404 係主要成為粒狀體,被形成在鎳層的界面° [實施例4 - 4 -11 ] 在實施例4-4-11中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度l〇//m,p含有 量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度l#m,P含有量?wt%。 Au層厚度設定在o.Qiym。藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為Sn:Ni = 67:33 ’厚度為1· 5 v m。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 4 -12 ] 在實施例4-4-12中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度I2em,p含有 里〇· 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度iym,p含有量2wt%。 Au層厚度設定在0.04/ζιη。藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為Sn:Ni=67:33,厚度為2. 4// m。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體’被形成在錄層的界面。 [實施例4-4-13] 在實施例4-4-13中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度i2//m,p含有 蕙5wt%。另一方面,設定Pd層厚度含有量2对%。 Au層厚度設定在0.02/zm。藉此,將Ni_Sn合金層的組成 作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.5" Ε。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體’被形成在鎳層的界面。 [實施例4 - 4 _ 14 ] 在實施例4-4-14中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 2160-7098-PF 164 1333404 料作為構成焊料層的焊料。設定Ni層厚度12 " m,p含有 量1?Wt%。另一方面’設定Pd層厚度l/zm,P含有量7wt%。 AU層厚度設定在0.03々m。藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為Sn:Nl = 67:33,厚度為2.4#m。Ni-Sn合金層係主要 成為粒狀體,被形成在鎳層的界面。 [實施例4-5-1] 在實施例4-5-1中’使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5ym,p含有 量1. 2wt% »另一方面,設定pd層厚度〇〇3ym,p含有量 層厚度設定在〇.〇5/zm。在此,在回流焊料之際, 使用含銅的助熔劑。藉此,將N丨_Sn合金層的組成作為 如:(:11^=42:37:2卜厚度為1.5#111。?^-811合金層係成為 粒狀體。 [實施例4-5-2]
在實施例4-5-2中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料層的桿料。且,設定Ni層厚度5#m,P含有 量1 · 2wt%。另一方面,設定pd層厚度0.07/zm,P含有量 5wt %。Au層厚度設定在〇.〇7仁m。在此,在回流焊料之際, 使用含銅的助熔劑。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為 Sn:Cu:Ni=42:37:21,厚度為 1. 5# ra。Ni-Sn 合金層係主要 成為板狀體。 [參考例4-1-1] 在參考例4-卜卜參考例4-1-16、參考例4-2-卜參考 例4-2-16中,參照第25圖〜第29圖和上述實施例4同樣 2160-7098-PF 165 1333404 地形成層積印刷電路板以形成捏料屏 〜战坏枓層。參考例4-1-1係, 且,使用 Cu : 0. 5wt%,Ag. 3 〜 + 〇/,c μ H5wt/。,Sn:95wt%合金作為構成 焊料層的焊料。設定Ni層厘译ς ,, ^ 1赝厚度,p含有量12wt%。 然而,Pd層為厚度0. mΑ 人 Φ成為未含ρ(ρ含有量=幾乎 0)°Au層厚度設定在(]nq ^ , u.〇3"m。错此,將[_311合金層的 組成作為Sn:Gu:Nl=42:3H厚度為U㈣。在參考例 41 1 如帛18 _右側的電子顯微鏡照片所示般
Cu N1 Sn 口金層係為桎&,亦即,沿著鎳層垂直地形成為 柱狀合金結晶。 [參考例4 -1 - 2 ] 在參考例彳―1—2中,和參考例4-1-1相同地使用
Cu . 0. 5wt/il ’ Sn:95wt%合金作為構成焊料層的 焊料。且’設定Ni層厚度5//m,P含有量4wt%。另一方 面’设定Pd層厚度1. 0/z m,P含有量0. 8wt%。Au層厚度 u又足在〇. 03 y m。藉此,將Ni-Sn合金層的組成作為
Sn:Cu:Ni=42:37:2l,厚度為 0.9/zm。 籲[參考例4-1-3] 在參考例 4-1-3 中,使用 Cu:0.5wt%’ Ag:3.5wt%, Sn: 95wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 5 # m ’ P含有量4wt%。另一方面,設定pd層厚度i.Ogm, P含有量9wt% 〇Au層厚度設定在〇·〇4νιπ。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 42:37:21,厚度為2.7/zid。 [參考例4-1-4] 在參考例 4~1-4 中,使用 Cu: 0. 5wt% ’ Ag: 3. 5wt%, 166
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Sn: 95wt°/。合金作為構成焊料層的焊料。互,設定層厚度 5 μ m ’ P含有量4wt%。另一方面,設定pd層厚度1.5μιη, Ρ含有量9wt% 層厚度設定在〇.〇2/zme藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu: Ni = 42 :37:21,厚度為 [參考例4-1-5] 在參考例 4-1-5 中,使用 cu:0. 2wt%,Ag:lwt0/〇, Sn: 97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03/zm’ P含有量〇.4wt%。另一方面,設定pd層厚度0.5 ym,P含有量Owt%。Au層厚度設定在〇〇3/zm。藉此,將 Ni_Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=38:2〇:42,厚度為〇 8 V m。 [參考例4-1-6] 在參考例 4-1-6 中,使用 Cu:〇. 2wt% ’ Ag:lwt%, SiK97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0· 03" in,P含有量〇· 4wt%。另一方面,設定pd層厚度i // m,P含有置2wt%。Au層厚度設定在〇 〇5 // m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=4〇: 25:35,厚度為〇 9 // in 〇 [參考例4-1-7] 在參考例 4-1-7 中,使用 Cu:〇. 2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 〇‘ 〇3/Z m,P含有量l6wt%。另一方面,設定pd層厚度1/Z m,P含有量9Wt%e Au層厚度設定在〇 〇2//ffle藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 4〇:25:35,厚度為〇 9
2160-7098—PF 167 1333404 // m。 [參考例4 _ 1 -8 ] 在參考例 4-1-8 中,使用 Cu : 0. 2wt%,Ag: lwt%, Sn: 9 7wt%合金作為構成悍料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03#m,P含有量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.5 /z m,P含有量9wt%。Au層厚度設定在0.05//m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=40:25:35,厚度為0.9 μ m。 [參考例4 -1 - 9 ] 在參考例 4-1-9 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, SiK97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12/zm,P含有量0.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度0.5 //in,P含有量Owt%。Au層厚度設定在Ο.Μμπι。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度為2.5 /z m 〇 [參考例4-1-10]
在參考例 4-1-1 0 中,使用 Cu : 0. 2wt%,Ag: lwt%, Sn: 9 7wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12 # m,P含有量0. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度l//m, P含有量2wt%°Au層厚度設定在0.02//m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度為2.6em。 [參考例4 -1_ 11 ] 在參考例 4-1 -11 中,使用 Cu : 0. 2wt%,Ag : 1 wt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 2160-7098-PF 168 1333404 12//m,P含有量17wt%。另一方面,設定Pd層厚度l//m, P含有量9wt%°Au層厚度設定在0.03//m。藉此,將Ni-Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=39:26:49,厚度為2.7#m。 [參考例4-1-12] 在參考例 4-1 -1 2 中,使用 Cu : 0. 2wt%,Ag : 1 wt%, Sn: 97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12/zm,P含有量17wt%。另一方面,言史定Pd層厚度1.5# m,P含有量9wt%°Au層厚度設定在0.05#m。藉此’將 • Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=39:26:49,厚度為2. 9 // m。 [參考例4-1-13] 在參考例 4-1-13 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, Sn:97wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0. 0 3 # m,P含有量0. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1 "m,P含有量2wt%。Au層厚度設定在0.008//m。藉此, 將Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度為 鲁 0. 9 # m。 [參考例4-1-14] 在參考例 4-1-14 中,使用 Cu:0.2wt%,Ag:lwt%, Sn:9 7wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 0.03ym,P含有量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度1" m,P含有量9wt%。Au層厚度設定在0.008/zm。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度為0.9 2160-7098-PF 169 1333404
[參考例4-1-15 J 在參考例 4-1-15 令’使用 Cu: 〇. 2wt%,Ag: lwt%, Sn.9 7wt%合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12/ζιη,P含有量〇.4wt%。另一方面設定pd層厚度 "m ’ P含有I 2wt% °Au層厚度設定在2.1#m。藉此,將 Ni-Sn合金層的組成作為Sn:Cu:Ni = 39:26:49,厚度為2.6 y m 〇 [參考例4-1-16] 在 > 考例 4-1-16 中’使用 cu: 〇 2wt% ’ Ag: lwt%, Sn. 97wt/。合金作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度 12" m,P含有量17wt%。另一方面,設定pd層厚度 m’ P含有s 9wt%。Au層厚度設定在2.丨# m。藉此,將Ni_Sn 合金層的組成作為Sn:Cu:Ni=39:26:49,厚度為2.7以111。 [參考例4 - 2 -1 ] 在參考例4 1-1〜參考例4-1-16中,使用無錯的 Cu/Ag/Sn焊料作為構成焊料層的焊料。對於此參考例 4 2 1〜參考例4-2-16中,係使用Sn:pb = 63:37(wt%)的鉛 焊料作為構成焊料層的焊料。參考例4_2_丨係,設定Ni層 厚度5/Zm,P含有量1.2wt%。另一方面,設定Pd層厚度 形成為未含p(p含有量=幾乎〇)。^層厚度設定 在〇. 03 // m。藉此,將Ni_Sn合金層的組成作為 Sn:Ni = 67:33,厚度為 0.8ym» [參考例4-2-2] 在參考例4-2-2中,使用Sn:Pb = 63:37(wt°/。)的鉛焊料
2160-7098-PF 170 1333404 作為構成焊料層的焊料。立,設定Ni層厚度5ym,p含有 量4wt%。另一方面,設定Pd層厚度含有量 〇_8wt%。Au層厚度設定在藉此,將Ni~Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為〇.9"m。 [參考例4 - 2 - 3 ] 在參考例4-2-3中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5"m,p含有 里4wt%。另一方面,設定pd層厚度含有量9wt%。 # Au層厚度設定在〇. 〇4# ^。藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為 Sn:Ni = 67:33,厚度為 2.7Vm。 [參考例4 - 2 - 4 ] 在參考例4-2-4中,使用511:1^=63:37(评1%)的錯烊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5/zm,p含有 量4wt%。另一方面,設定pd層厚度l.5/zm,P含有量9wt%。 Au層厚度設定在〇 〇2#π^藉此,將Ni-Sn合金層的組成 作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2. 9〆m。 * [參考例4-2-5] 在參考例4~2~5中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度〇· 03 am,P 含有量0. 4wt%。另—方面,設定pd層厚度〇.5;czm,P含 有量Owt%。Au層厚度設定在〇.〇3/zm。藉此,將”―以合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為0.8/zm。 [參考例4-2-6] 在參考例中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的錯焊料 171
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2為構成烊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0. 〇3以m,ρ 2有量〇· 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度lAm,P含有 量2Wt%。Au層厚度設定在0.05/zm。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67.33,厚度為0.9//m。 [參考例4-2-7]
在參考例4-2-7中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成烊料層的焊料。且,設定Ni層厚度O.〇3vm,p 3有里16wt%。另一方面,設定pd層厚度l//m,p含有量 9wt/i。Au層厚度設定在〇.〇2βπι。藉此,將Ni~Sn合金層 的紐·成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為 [參考例4 - 2 - 8 ]
在參考例4-2-8中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0. 03 a m,p 含有量16wt%。另一方面,設定Pd層厚度1.5/zm,p含有 $ 9wt%。Au層厚度設定在〇. 05 μ m。藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為Ο.9""1。 [參考例4-2-9] 在參考例4-2-9中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊科 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度12#m,p含 有量〇. 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度0·5/ζιη,p含有 量〇wt%。Au層厚度設定在〇.〇3//πιβ藉此,將Ni-Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.5Mm。 [參考例4-2-10] 在參考例4-2-10中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 2160-7098-PF 172 ;; 為構成烊料層的焊料。且,設定Ni層厚度12em,p β 重0. 4wt% 〇另一方面,設定Pd層厚度1/ζιη,Ρ含有 夏 2 w ΐ γ 〇 a °。Αυ層厚度設定在〇·〇2μιη。藉此,將Ni-Sn合金 層的士、^ 、成* 作為 Sn:Ni = 67:33,厚度為 2·6/ζπι。 [參考例4~2-U] 在參考例4-2-11中,使用SmPb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度12em,p 含有里1 7wt%。另—方面,設定pd層厚度lym’P含有量 9Wt/° ° Au層厚度設定在0.03/ζιη。藉此,將Ni-Sn合金層 的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2_ 7以m。
[參考例4-2-12 J 在參考例4-2-12中,使用Sn:Pb = 63:37(wt9〇的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度丨2 “ m,p 含有量17wt%。另一方面,設定Pd層厚度15#m,p含有 量9wt%。Au層厚度設定在0.〇5//m。藉此,將Ni_Sn合金 層的組成作為Sn:Ni=67:33,厚度為2.9/zm。 [參考例4-2-13 ] 在參考例4-2-13中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的紐焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Mi層厚度〇. 〇3 , πι ^ ρ含有量0· 4wt%。另一方面,設定Pd層厚度1#^,Ρ含有 量Au層厚度設定在0.008 #!^藉此,將Ni_Sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為〇.9/zm。 [參考例4_2_14] 在參考例4-2-14中’使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的錯焊 2160-7098'PF 173 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度0.03以m, 百3有里16wt% 〇另一方面,設定Pd層厚度1//m,p含有 量9WU ° Au層厚度設定在〇.〇〇8Am。藉此,將Ni〜Sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為0.9"m。
[參考例4-2-15J
在參考例4-2-15中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且’設定Ni層厚纟i2“m,p 含有量0.4wt%。另一方面,設定Pd層厚度15;win,p含 有置2wt%。Au層厚度設定在2. 1 V in。藉此,將Ni_Sn合 金層的組成作為Sn:Ni = 67:33,厚度為2.6/ζιη。 [參考例4-2-16]
在參考例4-2-16中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊 料作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度12以m,p 含有量1 7wt%。另一方面,設定Pd層厚度15"m,p含有 量9wt% °Au層厚度設定在。藉此,將Ni_Sn合金 層的組成作為Sn:Ni = 6 7:33,厚度為2.7/zm。 〈比較例〉 作為比較例,在焊料塊部分中的導體層,使習知技術 中的錄(Ni層)-金(Au層)形成。 [比較例1 -1 -1 ] 在比較例1 -1 -1中,作為構成焊料塊的焊料係使用,
Cu:0.2wt%’ Ag:lwU,Sn:97wt%合金。且,設定 Ni 層厚度 5//m,P含有量1.2wt%。另一方面,在Ni層上,代替pd 層,設置厚度0.03;ζπι的Au層。在回流後,Ni—Sn合金層 2160-7098-PF 174 1333404 未被形成。 [比較例1-2-1] 在比較例1-2-1中,使用Sn:Pb=63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料塊的焊料。且,設定Ni層厚度5//m,p含有 里1. 2wt%。另一方面,在Ni層上,代替pd層,設置厚度 0.03//Π1的Au層。在回流後,Ni_Sn合金層未被形成。 [比較例2 -1 -1 ]
在比較例2-1-1中,作為構成焊料層的焊料係使用,
Cu.0.2wt%’ Ag:lwt%,Sn:97wt%合金。且,設定 Ni 層厚度 5ym,P含有1 1· 2wt%。另一方面,在Ni層上,代替 層,設置厚度0. 03 // m的Au層。在回流後,Ni-Sn合金層 未被形成。 [比較例2-2-1] 在比較例2-2-1中,使用Sn:Pb = 63:37(wt%)的鉛焊料 作為構成焊料層的焊料。且,設定Ni層厚度5#m,p含有 里1.2wt%。另一方面,在Ni層上,代替pd層,設置厚度 〇.〇3/zm的Au層。在回流後,Ni-Sn合金層未被形成。 (評價項目) 該基板係將在每片個別加工的物件,利用十片進行。 將貫施例1〜實施例4、參考例1 ~參考例4、比較例的參數 和評價結果分別在第31〜47圖和第48〜64圖表示。 1.焊料剝離試驗 在焊料塗料安裝後,進行焊料塗料的剝離試驗。在此, 拉伸強度超過4. OKg/pin(焊料塊或焊料層)的數值被得到 2160-7098-PF 175 丄幻3404 的It形以◎表不’拉伸強度在2. 〇〜4 〇Kg/pin的數值被得 到的情形以0表示’拉伸強度在1.0〜2. OKg/pin的數值被 得到的It形以△表示,拉伸強度不到1, 〇Kg/pin的數值被 得到的情形以X表示。 2.信賴性試驗 實施例1、實施例3、參考例1、參考例3群:在1C 晶片安裝後,實施抵抗量測。 實施例2、實施例4、參考例2、參考例4群:在主機 板安裝後,實施抵抗量測。 在熱循環條件下(將135t/3min^_55r/3min作為一 循環)自2500循環每500循環至5000循環為止,進行信賴 性試驗。
此時,自信賴性試驗機的裝置拿出,放置兩小時後, 測量該基板的導通的有無、抵抗值。在此,有導通、抵抗 值的變化不到2%以◎表示,有導通、抵抗值的變化超過 2%、不到5%以〇表示,抵抗值的變化超過5%以△表示,沒 有導通以X表示。 3 ·仏賴性試驗後的晶片/主機板的剝離試驗 安裝終了後’藉由信賴性試驗在熱循環條件下(將13 5 °C<^-55°C為一循環反覆進行)進行已完成5〇〇〇循環的基 板的拉伸強度測量。在此’拉伸強度在L 〇〜2. 〇Kg/pin(焊 料塊或焊料層)的數值被得到的情形以〇表示,拉伸強度不 到l.OKg/pin的數值被得到的情形以X表示。此評價係在 三個場所,以其最小值評價。
2160-7098-PF 176 1333404 〈實施例1、實施例2的鈀膜的主要原因確認實驗〉 其次’說明有關進行鈀膜的主要原因確認實驗的結果。 在以下的條件,將實施例1的基板以條件A、b製造。 條件Α-1(Δ)錦厚度〇.〇5em鎳P含有量〇.5wt% 條件A-2(〇)鎳厚度〇.〇5//m鎳P含有量6.0wt% 條件A-3(X)鎳厚度〇.〇5em鎳P含有量I5.0wt%
.條件Β-1(Δ)録尽度lO.Oem鎳P含有量〇.5wt% 條件B-2(〇)鎳厚度lO.Oym鎳P含有量6.0wt% 條件B-3〇<)鎳厚度i〇.〇em鎳p含有量n〇wt% (鈀膜厚度的相關) 此時’作為纪膜中燐含有量5 wt%,將纪厚度以〇〇〇8 "m、O.Obm、〇.〇3em、0.1/zm、1.0//Π!、1.2#ιη 形成 後’將 Cu: 0. 5wt%,Ag: 3. 5wt%,Sn: 96wt%的焊料載置,將 假(dummy)半導體安裝。 之後’以PCT(壓力爸[cooker])試驗(2atm、13(TC條 件下)進行100小時,進行三個場所的拉伸試驗,算出此時 的平均值。將個別的結果在第65圖的圖表中表示。 (把燐含有量的相關) 又’使鈀的厚度作為〇.l"m,將鈀中的燐含有量以
Owt%、lwt%、2wt%、4wt%、6wt%、7wt%、8wt%、9wt%形成 後,將 Cu:〇.5wt%,Ag:3.5wt%,Sn:96wt%的焊料載置,將 假半導體安裝。 之後,以PCT(壓力釜)試驗(2atm、130°C條件下)進行 177
2160-7098-PF 2小時,進行三個場所的拉伸試驗,算出此 將個別的結果在第66圖的圖表中表示。 - <實施例i、實施例2的鎳膜的主要原因確認實驗〉 ^欠’說明㈣進行㈣的主要原因確認實驗的結果 在以下的條件,蔣:香· # ^, 貫也例1的基板以條件C、j)製造 條件C 1鈀厚度0.01“鈀Ρ含有量2wt% 條件C2鈀厚度0.01"m鈀P含有量5wt% 條件C-3纪厚产 n m 厚度0.〇lem鈀p含有量7wt% 條件D-1纪厚声in 把厚度l_ 〇# m鈀P含有量2wt% 條件D-2纪厚度lMm 含有量_ 條件D-3纪厚声1 η 犯与度1. 〇以m鈀Ρ含有量7wt% (鎳厚度的相關) =,作為錦膜中鱗含有量6姻,將錄厚度以。』 形成後,藉由以下的條件使㈣形成。 (鎳燐含有量的相關) _又,朗的厚度料u”,錢中的燐含有量以 π彻成州、_、_、㈣、8則_、制^ 將假 3 體:C;:°.2Wt%’Ag:一^ t條株丁、、 之後,以PCT(壓力釜)試驗(2atm、 此時的平均進值订。100小時’進行三個場所的拉伸試驗,算出 = 將個別的結果與鎳厚度和強度相關在第67
2160-7098-PF 178 1333404 圖的圖表中表示,與鎳燐含有量相關在第68圖的圖表中表 示0 又’將這些實驗結果作為資料模擬根據Ni_Sn合金層 (此時係以W-Sn-Cu進行評價)的厚度的拉伸強度,提出^ 第69圖所示的圖表般的關係。 〈實施例3、實施例4的鈀膜的主要原因確認實驗〉 其次,說明有關進行實施例3、實施例4的纪膜的主 要原因確認實驗的結果。
將實施例3的基板以條件a、b製造。 (鈀膜厚度的相關) 此時,作為鈀膜中燐含有量5wt%,將鈀厚度以〇 〇〇8 2^形成 後,將 CU:0.5wt%’ Ag:3.5wt%,Sn:96wt%的焊料載置,將 假半導體安裝。 PCT(壓力爸)試驗的結果係為知灸去 不1尔钓和翏考第6 5圖的實施例 大致相同的結果。 、 (|£鱗含有量的相關) 又,使鈀的厚度作為0·1^η,將鈀中的燐含有量以 〇w«、lwt%、2wt%、4wt%、6wt%、7wt%、8wt%、形成 後,將 Cu:0.5wt%’ Ag:3.5Wt%,Sn:96wt%的焊料載置,將 假半導體安裝。 pct(壓力爸)試驗的結果係為和參考第66圖的實施例 1大致相同的結果。 〈實施例3、實施例4的鎳膜的主要原因確認實驗〉 2160-7098-PF 179 1333404 實施例4的鎳膜的主 其次’說明有關進行實施例5 要原因確認實驗的結果。 將實施例3的基板以條件c、D製造。 (鎳厚度的相關) 此時,作為鎳膜中燐含有量6. Owt%,將鎳厚度以〇. 〇3 ”、〇.〇5“、0.Um、03"m、】2㈣、5
Am、lOym、12/zm形成後,由以下的條件形成鈀膜。 (鎳燐含有量的相關)
又,使鎳的厚度作為01//m.,將鎳中的燐含有量以 Owt% ^ 0.5wt% ^ lwt%. 3wt% ^ 5wt% ^ 8wt% ^ l〇wt%. 15wt% . 17wt%形成。 之後,將 Cu:〇. 2wt%,Ag:lwt%,Sn:97wt%的焊料载置, 將假半導时裝。之後,似旧力爸)試驗的結果係為和夫 考第67和68圖的實施例1A致相同的結果。 ' 又’將這些實驗結果當作資料模擬根據Ni_Sn合金声 (此情形係以HCU進行評價)的厚度的拉伸強度,來; 第69圖,提出和上述實施例1相同的關係。 ^ 上述〈第…實施例4的纪膜的要因確認實驗〉和〈第— 〜實施例4的鎳膜的要因確切 層配設外部端子的情形,成二驗:的傾向係,在作為焊料 一 月形成為相同的傾向也被確認。又, 即使猎由谭料的不同(桿稱知占、 有大差別。 Π(^組成),在傾向也並未被觀察出 〈實施例3、實施例4的耐㈣的要因確認實驗〉 其次,說明有關進行料膜的要因確認實驗的結果。
2160-7098-PF 180 叫404 由以下的條件將實施例3的基板製造。 (金厚度的相關) 錦厚度0.3//m鎳中的燐含有量5wt% 纪厚度0.5/ζπι鈀中的燐含有量5wt0/〇 之後,金的厚度係以O.Olym'O.OS/zm'O.OSem、 Vm、〇.5"m、2.0/zm、2.5#m 形成。 (其他耐蝕層的相關)
在耐飯層代替金,將銀、白金、錫以〇 〇3//111被形成。 將耐钱層形成後’之後,將Cu: 2wt%,Ag: lwt%,Sn: 的焊料載置,將假半導體安裝。 之後’以PCT(壓力釜)試驗(2atm、13(TC條件下)進行 10〇小時,進行三個場所的拉伸試驗,將算出此時的平均 值的結果表示在第70圖的圖表中。 二 【圖式簡單說明】
第1圖係為有關本發明的實施例i的多層 的剖面圖; W電路板 1的多層印刷 1的多層印刷 1的多層印刷 1的多層印刷 第2圖(A)〜(D)係為有關本發明的實施例 電路板的製造步驟圖; 第3圖(A)〜(E)係為有關本發明的實施例 電路板的製造步驟圖; 第4圖(A)〜(D)係為有關本發明的實施例 電路板的製造步驟圖; 第5圖(A) (C)係為有關本發明的實施例
2160-7098-PF 181 丄:^4U4 電路板的製造步驟圖;
第6圖(A)、(B)係為有關本發明的實施例1的多 刷電路板的製造步驟圖; S 第7圖(A)、(B)係為有關本發明的實施例i的多層 刷電路板的製造步驟圖; 曰 第8(A)圖係為將第7(B)圖中的圓a部擴大表示的模式 圖,第8(B)圖係為將第丄圖中的圓B部擴大表示的模式圖; 第9圖係為有關本發明的實施例2的多層印刷電路板 的剖面圖; 第10圖(A)〜(C)係為有關實施例2的印刷電路板的製 造步驟圖; 第11圖(A)、(B)係為有關實施例2的印刷電路板的製 造步驟圖; & 第12圖(A)、(B)係為有關實施例2的印刷電路板的製 造步驟圖;
第13圖(A )、( B)係為有關實施例2的印刷電路板的製 造步驟圖; 第14(A)圖係為將第12(幻圖中的圓a部擴大表示的模 式圖’第14(B)圖係為將第9圖中的圓B部擴大表示的模 式圖; 第15圖係為鎳層、Cu-Ni-Sn合金層、焊料的電子顯 微鏡照片; 第16圖係為Cu-Ni-Sn合金層的電子顯微鏡照片; 第17圖係為Cu-Ni -Sn合金層的電子顯微鏡照片; 2160-7098-PF 182 丄川404 第18圖係^ Cu-Ni-Sn合金層的透過式電子顯微鏡昭 片; …、 第1 9圖係為厚度〇. 7 " in的Pd層的電子顯微鏡照片; 第20圖係為厚度〇. 3 // m的Pd層的電子顯微鏡照片; 第21圖係為有關本發明的實施例3的多層印刷電路板 的剖面圖;
第 因(A) (C)係為有關實施例3的多層印刷電路板 的製造步驟圖; 第23圖(A)、(B)係為有關實施例3的多層印刷電路板 的製造步驟圖; 第24(A)圖係為將第23(B)圖中的圓A部擴大表示的模 式圖,第24(B)圖係為將第21圖中的圓B部擴大表示的模 式圖; ' 第25圖係為有關本發明的實施例4的多層印刷電路板 的剖面圖; 第26圖(A)〜(C)係為有關實施例4的印刷電路板的製 造步驟圖; 第2 7圖(A )、( B )係為有關實施例4的印刷電路板的製 造步驟圖; 第28圖(A)、(B)係為有關實施例4的印刷電路板的製 造步驟圖; 第29(A)圖係為將第25(B)圖中的圓B部擴大表示的模 式圖,第29(B)圖係為將第27圖中的圓a部擴大表示的模 式圖; 2160-7098-PF 183 1333404 第30(A)圖、第30(B)圖係為用以說明pd膜形成的模 式圖’第30(A)圖係表示有p的情形,第3〇(B)圖係表示沒 有P的情形; 第31圖係為表示實施例1的參數的圖表; 第32圖係為表示實施例1的參數的圖表; 第3 3圖係為表示實施例1的參數的圖表; 第34圖係為表示實施例2的參數的圖表;
第35圖係為表示實施例2的參數的圖表; 第36圖係為表示實施例2的參數的圖表; 第37圖係為表示參考例一的參數的圖表; 第38圖係為表示參考例二的參數的圖表; 第39圖係為表示實施例3的參數的圖表; 第4 0圖係為表示實施例3的參數的圖表; 第41圖係為表示實施例3的參數的圖表; 第42圖係為表示實施例4的參數的圖表; 第4 3圖係為表示實施例4的參數的圖表; 第44圖係為表示實施例4的參數的圖表; 第45圖係為表示參考例三的參數的圖表; 第46圖係為表示參考例四的參數的圖表; 第47圖係為表示比較例的參數的圖表; 第48圖係為表示實施例1的試驗結果的圖表 第49圖係為表示實施例1的試驗結果的圖表 第50圖係為表示實施例i的試驗結果的圖表 第51圖係為表示實施例2的試驗結果的圖表 2160-7098-PF 184 1333404 第52圖係為表示實施例2的試驗結果的圖表; 第53圖係為表示實施例2的試驗結果的圖表; 第54圖係為表示參考例一的試驗結果的圖表; 第55圖係為表示參考例二的試驗結果的圖表; 第56圖係為表示實施例3的試驗結果的圖表; 第57圖係為表示實施例3的試驗結果的圖表; 第58圖係為表示實施例3的試驗結果的圖表;
第59圖係為表示實施例4的試驗結果的圖表; 第60圖係為表示實施例4的試驗結果的圖表; 第61圖係為表示實施例4的試驗結果的圖表; 第62圖係為表示參考例三的試驗結果的圖表; 第63圖係為表示參考例四的試驗結果的圖表; 第64圖係為表示比較例的試驗結果的圖表; 一 65圖(A) (B)係為表示鈀厚和強度的相關的圖表; 第66圖(A)、(B)係為表示鈀燐含有量和強度的相關的
67圖(A)、(B)係為表示鎳厚和強度的相關的圖表; .圖係為表示鎳燐含有量和強度的相關的 第69圖係為表 果的圖表;以及 不將根據Ni-Sn合金層的厚度模擬的結 第 7 〇圖係為表 示耐餘層和強度 的相關的圖表 〇
【主要元件符號說明】 2160-7098-PF 185 1333404 30多層印刷電路板、 4 6焊料層、 70焊料阻抗層、 71 開口、 72鎳層、 73纪層、 74 Au 層、 75 Ni-Sn合金層、
76U、76D、77U 焊料塊、 76 α 焊料膏、 158導體迴路。
2160-7098-PF 186
Claims (1)
1333404 第094115550號中文申請專利範圍修正本、申請專利範圍: __^修正日期:99.7.27 間鄉鄉止替。 1. 一種印刷電路板,包括: 焊料墊; 焊料阻抗層,具有開口部,露出該焊料塾;以及 在該;fcf·料塾上形成複合層的構造,容納焊料材料· 其中上述構造係具有包括Ni的第一層、以及包括pd 的第二層’該第一層位於該焊料墊上,該第二層位於該第 一層上,該第一層和該第二層的至少一個具有一定程度的 厚度且含有一定量的P,使得具有到達該複合層和一焊料 構造之間的界面的Ni的該複合層藉由該焊料材料的焊料 回流而被形成。 2. —種印刷電路板,包括: 焊料墊; 焊料阻抗層,具有被開口部,露出該焊料墊; 複,合層’在該焊料塾上,包括Ni;以及 焊料構造,在該複合層上,被連接至外部元件; 其中上述複合層係由:在該焊料墊上形成包括Ni的第 層、在該第一層上形成包括pd的第二層、在該第二層上 提供焊料材料、使該焊料材料焊料回流、而形成,使得具 有到達該複合層和該焊料構造之間的界面的Ni的該複合 層被成。 3. 如申請專利範圍第i項所述之印刷電路板,其中上 述第二層的厚度為0.01〜 4. 如申請專利範圍第丨項所述之印刷電路板,其中在 2160-7098-PF2 187 月4马修ρ正瞀换 上述第二層含有2〜7wt%的p。 5·如申請專利範圍第1項所述之印刷電路板,其中在 上述第一層含有〇·5〜15wt%的Ρ» .如申請專利範圍第丨項所述之印刷電路板,其中在 上述第一層和上述第二層的雙方均含有p。 7. 如申請專利範圍第6項所述之印刷電路板,其中在 上述第一層含有的ρ比上述第二層中的ρ的含有量少。 8. 如申請專利範圍第6項所述之印刷電路板,其中在 上述第一層含有的Ρ比上述第二層中的ρ的含有量多。 9. 如申請專利範圍第2項所述之印刷電路板,其中上 述上述焊料構造包括的焊料材料係從Sn_Ag系焊料、如一北 系焊料、Sn-Cu系焊料、Sn-Ag-Cu系焊料被選擇。 10. —種印刷電路板,包括: 焊料墊; 焊料阻抗層,具有開口部,露出該焊料塾; 複合層,在該焊料塾上,包括Ni;以及 焊料構造,在該複合層上,被連接至外部元件; 其中,上述複合層係具有包括“的第一層、以及包括 Ni合金的第二層,該第一層被形成於該焊料墊上,該第二 層被形成於該第一層上,該複合層係由:在該焊料墊上形 成包括Ni的Ni層、在該Ni層上形成包括pd的^層、在 該Pd層上提供焊料材料、使該焊料材料焊料回流、而形 成’使得具有到達該複合層和該焊料構造之間的界面的Ni 的該複合層被形成。 2160-7098-PF2 188 1333404 j________ 年、3 修^正替換頁 11. 一種印刷電路板,包括: 焊料墊; 焊料阻抗層,具有開口部,露出該焊料墊; 複合層’在該焊料墊上,包括Ni和Sn;以及 焊料構造’在該複合層上,被連接至外部元件; • 其中’上述複合層係具有包括Ni的第一層、以及包括 Ni-Sn合金的第二層,該第一層被設置於該焊料塾上,該 • 第二層被設置於該第一層上,該複合層係由:在該焊料墊 上形成包括Ni的Ni層、在該Ni層上形成包括Pd的Pd層、 在該Pd層上提供焊料材料、使該焊料材料焊料回流、而形 成’使得具有到達該複合層和該焊料構造之間的界面的Ni 的該複合層被形成。 12·如申請專利範圍第項所述之印刷電路板,其中 上述第一層的厚度l.〇〜2.5yin。 13.如申請專利範圍第11項所述之印刷電路板,其中 上述第—層的厚度1.〇〜2.5/zm。 r-λ 1 4.如申請專利範圍第η項所述之印刷電路板,其中 上述第二層係由Ni-Sn-Cu構成的三成份。 15. 如申請專利範圍第項所述之印刷電路板,其中 在上述第二層包含板狀體。 16. 如申請專利範圍第u項所述之印刷電路板,其中 在上述第二層包含板狀體。 17. 如申請專利範圍第項所述之印刷電路板,其中 在上述焊料構造係為與半導體元件連接的焊料層。 189 2160-7098-PF2 丄明404 年,巧日|1|^止_胃 如申明專利範圍第1 〇項所述之印刷電路板,其中 上述焊料構造包括含有Sn的焊料材料,上述第二層係含有 Ni-Sn。 1 9.如申請專利範圍第1 〇項所述之印刷電路板,其中 上述焊料構造包括含有Cu-Sn-Ag的焊料材料,上述第二層 包括 Cu-Ni-Sn。 2 0 ·如申呀專利範圍第1 〇項所述之印刷電路板,其中 在上述焊料構造係為含有Cu的焊料層。 21 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之印刷電路板,其中 上述焊料構造係經過加熱處理。 22. 種印刷電路板之製造方法,焊料阻抗層的一部份 ]的焊料墊被形成,在自該焊料塾露出的導體迴路的 曰複&層被施加,在複合層上,具有外部連接用的焊 料的焊料墊構造,包括: 在自焊料阻抗層的開口露出的導體迴路的表層,設置 j至少由Ni層、Pd層構成的複合層的步驟; 在該複合層上設置焊料的步驟;以及 將焊料回流,將焊料塊形成,且在Ni層和焊料塊的界 面,製作Νι合金層或Ni-如合金層的步驟。 23. 如申明專利範圍第22項所述之印刷電路板之製造 方法,其中將上述Pd層的厚度設計為〇〇1〜1〇"m。 24·如申明專利範圍第22項所述之印刷電路板之製造 方法,其中將上述Pd層設計為含有27%^%的p。 25.如申明專利範圍第項所述之印刷電路板之製造 2160-7098-PF2 190 J^^4〇4 j 一— — ----------— 方法’其中上述Ni層的厚度為o.osqoAm。 26. 如申請專利範圍第22項所述之印刷電路板之製造 方法’其中在上述Ni層含有〇. 5~15wt%的Ρ。 27. 如申請專利範圍第22項所述之印刷電路板之製造 方法’其中在上述Ni層和上述Pd層的雙方均含有p。 28. 如申請專利範圍第27項所述之印刷電路板之製造 法其中在上述Ni層含有的ρ〇·5〜5.0wt%比上述Pd層 中的P的含有量少。 29·如申請專利範圍第27項所述之印刷電路板之製造 方法,其中在上述1^層含有的p比上述pd層中的p 有量多。 、30.如申請專利範圍第22項所述之印刷電路板之製造 方法,其中上述焊料係由Cu_Sn_Ag所構成,上述N卜如合 金層係由Cu-N i -Sn所構成。 31. 一種印刷電路板,包括:
焊料墊; 知料阻抗層,具有開口部,露出該焊料塾;以及 在該焊料墊上形成複合層的構造,容納焊料材料, 其中上述構造係具有在該焊料墊上且包括Ni '的第— 層、在該第—層上且包括Pd的第二層、在該第二層 蝕層’該第一層具有在3"和1〇"爪之間的厚度,該篦― 層和該第二層的至少一個含有一定量的p, 該複合層和一焊料椹、止夕M的苽而认λί. 件,、有到達 ,焊料㈣广 ㈣複合層藉由 該焊料材枓的焊料回流而被形成。 2160-7098-PF2 191 1333404 内年Π 9 β…参ί·〆/ 旅更 32·如申請專利範圍第31項所述之印刷電路板,其中 在上述第一層含有0.5〜15«^%的P° 33.如申請專利範圍第3i項所述之印刷電路板,其中 上述複合層的第二層的厚度為〇.〇卜〇 2em。 34·如申請專利範圍第31項所述之印刷電路板,其中 在上述複合層的第二層含有2〜7wt%的P。 35. 如申請專利範圍第31項所述之印刷電路板,其中 上述耐餘層係由Au、Ag、Pt、Sn中的任何一種類中選擇— 種以上。 36. 如申請專利範圍第31項所述之印刷電路板,其中 在上述第一層和上述第二層的雙方均含有p。 37. 如申請專利範圍第36項所述之印刷電路板,其中 在上述第一層含有的P比上述第二層中的P的含有量少。 38. 如申請專利範圍第36項所述之印刷電路板,其中 在上述第一層含有的P比上述第二層中的P的含有量多。 39. 種印刷電路板之製造方法,在基板上,焊料阻抗 層的一部份被開口的焊料墊被形成,在自該焊料墊露出的 導體迴路的表層,複合層被施加,在複合層上,具有外部 連接用的焊料的焊料墊構造,包括: 在自焊料阻抗層的開口露出的導體迴路的表層,設置 至少由Ni層、Pd層、耐蝕層構成的複合層的步驟; 在該複合層上設置焊料的步驟;以及 將焊料回流,將焊料塊形成,且在Ni層和焊料塊的界 面,製作Ni合金層或Ni-Sn合金層的步驟。 2160-7098-PF2 192 1333404 」 ' .J 4〇.如申請專利範圍第39項所述之印刷·電路板之製造 方法,其令上述焊料係由Cu_Sn_Ag所構成,上述合金層係 由Cu-Ni-Sn所構成。 2160-7098-PF2 193
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Families Citing this family (43)
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US7808799B2 (en) * | 2006-04-25 | 2010-10-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board |
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JP2009004454A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電極構造体及びその形成方法と電子部品及び実装基板 |
US8440916B2 (en) * | 2007-06-28 | 2013-05-14 | Intel Corporation | Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method |
US8877565B2 (en) * | 2007-06-28 | 2014-11-04 | Intel Corporation | Method of forming a multilayer substrate core structure using sequential microvia laser drilling and substrate core structure formed according to the method |
WO2009038565A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Agere Systems, Inc. | Soldering method and related device for improved resistance to brittle fracture |
JP4547411B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2010-09-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
US8293587B2 (en) | 2007-10-11 | 2012-10-23 | International Business Machines Corporation | Multilayer pillar for reduced stress interconnect and method of making same |
KR20090042556A (ko) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
CN101809740B (zh) * | 2007-11-01 | 2014-04-23 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装构造体及其制造方法 |
US8309856B2 (en) * | 2007-11-06 | 2012-11-13 | Ibiden Co., Ltd. | Circuit board and manufacturing method thereof |
KR20090067249A (ko) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
KR20090081472A (ko) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 삼성전자주식회사 | 실장 기판 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
US8975757B2 (en) * | 2008-03-05 | 2015-03-10 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder connection structure and solder ball |
US8263878B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-09-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board |
TWI365517B (en) * | 2008-05-23 | 2012-06-01 | Unimicron Technology Corp | Circuit structure and manufactring method thereof |
JP2010050150A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | 半導体装置及び半導体モジュール |
EP2177646B1 (en) * | 2008-10-17 | 2011-03-23 | ATOTECH Deutschland GmbH | Stress-reduced Ni-P/Pd stacks for bondable wafer surfaces |
KR101025520B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2011-04-04 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 제조방법 |
US8013444B2 (en) | 2008-12-24 | 2011-09-06 | Intel Corporation | Solder joints with enhanced electromigration resistance |
US8592691B2 (en) * | 2009-02-27 | 2013-11-26 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board |
JP4973761B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2012-07-11 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
KR101070022B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2011-10-04 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 회로 기판, 다층 세라믹 회로 기판 제조방법 및 이를 이용한 전자 디바이스 모듈 |
EP2309535A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-13 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Chip package with a chip embedded in a wiring body |
JP5623308B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-11-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法 |
KR101138542B1 (ko) * | 2010-08-09 | 2012-04-25 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판의 제조방법 |
US8889995B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-11-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Wire bond pad system and method |
US9679869B2 (en) | 2011-09-02 | 2017-06-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Transmission line for high performance radio frequency applications |
EP3567629A3 (en) | 2012-06-14 | 2020-01-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier modules including related systems, devices, and methods |
JP2014013795A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-23 | Seiko Epson Corp | ベース基板、電子デバイスおよび電子機器 |
WO2014038125A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
KR101513494B1 (ko) * | 2013-12-04 | 2015-04-21 | 엠케이전자 주식회사 | 무연 솔더, 솔더 페이스트 및 반도체 장치 |
JP2015231003A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | イビデン株式会社 | 回路基板および回路基板の製造方法 |
KR20160010960A (ko) * | 2014-07-21 | 2016-01-29 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2016076534A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | イビデン株式会社 | 金属ポスト付きプリント配線板およびその製造方法 |
JP6508589B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2019-05-08 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
US10049996B2 (en) * | 2016-04-01 | 2018-08-14 | Intel Corporation | Surface finishes for high density interconnect architectures |
KR20190012485A (ko) * | 2017-07-27 | 2019-02-11 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
JP2019140174A (ja) * | 2018-02-07 | 2019-08-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |
KR20200091060A (ko) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11109481B2 (en) * | 2019-02-15 | 2021-08-31 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board |
US20220336400A1 (en) * | 2021-04-15 | 2022-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Connecting structure, package structure and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4094074B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
JP3481392B2 (ja) * | 1996-06-13 | 2003-12-22 | 古河電気工業株式会社 | 電子部品リード部材及びその製造方法 |
JP3296992B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2002-07-02 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JPH11121529A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc | Icパッケージ用の半田ボールパッド及びその製造方法 |
JP2000022027A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板 |
JP3437453B2 (ja) | 1998-07-06 | 2003-08-18 | イビデン株式会社 | Icチップ実装用プリント配線板およびその製造方法 |
JP3465014B2 (ja) | 1999-06-01 | 2003-11-10 | シプレイ・ファーイースト株式会社 | パッケージ介挿基板及びその製造方法 |
JP3692272B2 (ja) | 2000-01-27 | 2005-09-07 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
JP3866503B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR100371567B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2003-02-07 | 삼성테크윈 주식회사 | Ag 선도금을 이용한 반도체 패키지용 리드프레임 |
JP3910363B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 外部接続端子 |
JP4181759B2 (ja) | 2001-06-01 | 2008-11-19 | 日本電気株式会社 | 電子部品の実装方法および実装構造体の製造方法 |
JP2003037133A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 |
JP2003124533A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Paloma Ind Ltd | 直列型熱電対 |
JP2003303842A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004079891A (ja) | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、及び、配線基板の製造方法 |
JP2004281937A (ja) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
PT1679149E (pt) * | 2003-10-07 | 2012-07-02 | Senju Metal Industry Co | Esfera de solda isenta de chumbo |
JP4794154B2 (ja) | 2004-10-14 | 2011-10-19 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP5066783B2 (ja) | 2004-10-14 | 2012-11-07 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 |
DE102006043133B4 (de) * | 2006-09-14 | 2009-09-24 | Infineon Technologies Ag | Anschlusspad zu einem Kontaktieren eines Bauelements und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20080136019A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Johnson Michael E | Solder Bump/Under Bump Metallurgy Structure for High Temperature Applications |
-
2005
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