WO2006040847A1 - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006040847A1
WO2006040847A1 PCT/JP2005/004558 JP2005004558W WO2006040847A1 WO 2006040847 A1 WO2006040847 A1 WO 2006040847A1 JP 2005004558 W JP2005004558 W JP 2005004558W WO 2006040847 A1 WO2006040847 A1 WO 2006040847A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
solder
thickness
alloy
content
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/004558
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tsutomu Iwai
Yoshihiro Kodera
Shinya Maeda
Hiroyuki Watanabe
Kazunari Suzuki
Kiyotaka Tsukada
Original Assignee
Ibiden Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004300696A external-priority patent/JP4794154B2/ja
Priority claimed from JP2004300697A external-priority patent/JP5066783B2/ja
Priority claimed from JP2004373472A external-priority patent/JP4679139B2/ja
Priority claimed from JP2004373471A external-priority patent/JP4812296B2/ja
Application filed by Ibiden Co., Ltd. filed Critical Ibiden Co., Ltd.
Priority to US11/576,987 priority Critical patent/US7943861B2/en
Publication of WO2006040847A1 publication Critical patent/WO2006040847A1/ja
Priority to US12/494,948 priority patent/US8156646B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3463—Solder compositions in relation to features of the printed circuit board or the mounting process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer printed wiring board for mounting a semiconductor on which a semiconductor element is mounted.
  • the outermost layer of a printed wiring board is provided with a solder resist layer in order to protect a conductor circuit.
  • a solder pad is formed by opening and exposing a part of the solder resist layer for connection to the conductor circuit.
  • a solder bump is formed by printing a solder paste on the part that will become the solder pad and then reflowing to form a solder bump.
  • a solder layer is formed and external connection is made. Terminals are arranged.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 10-154876 has been proposed.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-154876
  • solder pad opening diameter is reduced (for example, the solder pad opening diameter is 2 OO / zm or less)
  • the solder paste is formed on the solder pad by printing to fill the solder on the pad. Due to defects such as shortage and unfilling, the shape of solder bumps and the solder layer for connecting external terminals cannot be held, and the function as solder bumps or solder layers may not be achieved. As a result, electrical connectivity and reliability may be reduced.
  • the opening diameter of the solder pad becomes smaller, for example, the connection area between the solder pad and the solder bump becomes smaller, so that the adhesion is also lowered. The same may occur on the external connection side, which may reduce the adhesion. As a result, the electrical connectivity and reliability of the semiconductor element may be reduced as a printed wiring board.
  • bubbles are formed in the solder paste or solder layer, which causes the solder to rupture, etc., and the bubbles remain in the solder as they are, reducing the function as a solder that provides electrical connectivity. Factors that can reduce reliability early It was also.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and the purpose of the present invention is to achieve adhesion and electrical connectivity by providing a solder pad structure with excellent strength and adhesion.
  • Another object of the present invention is to propose a printed wiring board having excellent reliability and a method for manufacturing the same.
  • solder pad in which a part of the solder resist layer is opened is formed, a composite layer is applied to the surface layer of the conductor circuit exposed from the solder pad, and the external connection is provided on the composite layer.
  • Printed wiring board on which solder bumps or solder layers are formed
  • the composite layer is technically characterized by comprising a Ni layer (nickel layer) and a Pd layer (palladium layer).
  • solder pad in which a part of the solder resist layer is opened is formed, a composite layer is applied to the surface layer of the conductor circuit where the solder pad force is exposed, and a solder for external connection is formed on the composite layer.
  • the composite layer is composed of a Ni layer and a Pd layer,
  • the solder bump or the solder layer is technically characterized in that it also has a soldering force that does not contain lead.
  • the composite layer in the present invention is formed by laminating a Ni layer and a Pd layer in this order from the conductor circuit side.
  • a composite layer that also has Ni layer and Pd layer force is stacked on the conductor circuit from the solder pad, and a solder bump or solder layer is formed thereon. If it is a solder bump, it is used for electrical connection with a semiconductor element, and if it is a solder layer, it is used for electrical connection with an external board via an external connection terminal (BGA, PGA, etc.).
  • the Pd layer (palladium layer) can reduce defects such as a noise phenomenon in the solder. Therefore, as a result, the adhesion with the solder can be improved as compared with the conventional solder pad structure.
  • the reason for this is that palladium formed by plating is less prone to defects such as non-precipitation, and the surface layer of the palladium layer has a smaller rate of oxide film formation than the Au layer (gold layer). . For this reason, even when solder is mounted, it is less likely to cause problems such as solder noise. Also, a solder bump or solder layer of a desired size can be formed in the solder pad. For this reason, the solder bump or solder layer has a desired size, and as a result, the adhesion between the solder bump or solder layer and the conductor circuit is unlikely to decrease. In addition, the function as a printed wiring board is not easily lowered.
  • the use of the palladium layer makes it easier to buffer the thermal stress, and as a result, it is possible to reduce defects in the solder bumps or the solder layer, thereby improving electrical connectivity and reliability. It can be done.
  • the palladium layer is superior in rigidity compared to gold. Therefore, thermal stress is absorbed in the Pd layer and buffered. Therefore, the transmission of stress to the solder bump or solder layer due to thermal stress is reduced. Therefore, it causes damage to solder bumps or solder layers. For this reason, it is difficult for electrical connection caused by solder bumps or solder layers to occur, and long-term reliability is ensured even if a reliability test is performed.
  • solder containing no lead (lead-free)
  • solder containing no lead (lead-free)
  • the effect becomes remarkable.
  • Lead-free solder is inferior to buffering thermal stress compared to lead-containing solder.
  • lead-free solder is less capable of buffering stress than lead-containing solder. Therefore, by providing a composite layer consisting of Ni and Pd layers on the solder pad, the entire solder pad structure is buffered.
  • the adhesion of the solder itself is better, it becomes easier to buffer the stress against thermal stress, and the formed solder bump or solder layer is damaged. It is possible to suppress defects such as cracks. For this reason, electrical connectivity and reliability can be ensured as compared with the conventional solder pad structure in which lead-free solder is mounted.
  • a composite layer having a Ni layer and Pd layer force is provided on the conductor circuit on the solder pad, and a solder bump or a solder layer is formed on the composite layer through reflow or the like.
  • a solder pad On the conductor circuit, which is a solder pad, a Ni layer, a Ni alloy layer, a Ni—Sn alloy layer, one solder layer, or a solder bump is formed.
  • adhesion with the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer strength solder layer can be improved.
  • the Ni alloy layer or the Ni-Sn alloy layer increases the rigidity, so the resistance to tension is increased. As a result, the peel strength can be improved.
  • This Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer has an increased resistance to pulling regardless of its size. In other words, in this case, the Ni alloy layer or Ni alloy layer, which is not related to the size of the solder pad, is difficult to reduce the peel strength!
  • the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer strength can be improved in adhesion to the solder layer.
  • the Ni alloy layer or the Ni-Sn alloy layer increases the rigidity, so the resistance to tension is increased. As a result, it is difficult to reduce the peel strength.
  • Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer has an increased resistance to tension regardless of its size. In other words, in this case, regardless of the size of the solder pad
  • the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer is used to lower the peel strength.
  • the Ni alloy layer is an alloy layer containing Ni and Sn, Cu, Bi, In, etc., and is mainly a two-component system in which the ratio of Ni is high or another component system in which three or more components are used. Moyo.
  • the Ni—Sn alloy layer is an alloy layer that always contains Ni and Sn, and may contain Cu, Bi, In, and the like. It may be a two-component system in which the ratio of mainly Ni and Sn is high, or another component system having three or more components. For example, an alloy layer containing Ni—Sn—Cu, Ni—Sn—Bi, or the like.
  • Ni alloy layers or M—Sn alloy layers reduce the rigidity.
  • the average thickness of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer is more preferably 1.0 to 2.5 m. By making it within this range, the rigidity of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer is less likely to be lowered, and as a result, the tensile strength can be more unlikely to be lowered. In addition, it is difficult to reduce the tensile strength related to the combination of metals other than Ni and Sn.
  • the average thickness is less than 1.0 ⁇ m.
  • the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer has sufficient rigidity and can be used normally. Since the rigidity is inferior to that inside, the tensile strength may be inferior.
  • the thickness of the Ni layer, the P content, etc. was also divided into things that could be done by adjusting the thickness and P content.
  • the composite layer is a Ni layer, Pd layer or Ni layer, Pd layer or noble metal layer
  • the Pd layer or Pd layer or noble metal layer diffuses to form a Ni alloy layer or Ni-Sn alloy.
  • the thickness of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is adjusted by the thickness of the Ni layer, the P content, etc., the thickness of the Pd layer, the P content, etc. is there.
  • the Ni alloy layer or the Ni-Sn alloy layer is constituted by a deviation when the shape of the particles is selected from a plate-like body, a columnar body, and a granular body.
  • These structures may be independent (for example, a laminated body in which only plate-like bodies are stacked), or may be composite structures (for example, a mixture of plate-like bodies and columnar bodies). Laminate).
  • an alloy layer mainly composed of a plate-like body is desirable.
  • the plate-like bodies are easy to be stacked because a gap is not easily formed between the plate-like bodies. Therefore, the alloy layer mainly composed of a plate-like body is easily secured. It is easy to secure the strength against the tensile strength with the solder. It is particularly desirable that the alloy layer is composed only of a plate-like body.
  • the Ni-Sn alloy layer is preferably an alloy layer having a ternary system force (eg, Ni, Sn, Cu).
  • a ternary system force eg, Ni, Sn, Cu.
  • These ternary alloy layers tend to be mixed uniformly and have a uniform shape. For this reason, it is easy to secure rigidity that is difficult to cause peeling in the alloy layer.
  • the alloy layer is easy to increase its rigidity as soon as the particle shape becomes a plate-like body.
  • the stress generated by the thermal stress is easily buffered. This makes it difficult to cause damage and cracks in lead-free solder, improving electrical connectivity and reliability.
  • the thickness of the Ni layer is 0.05 to 10.0 ⁇ m, the average thickness of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is reduced to 1.0—2.
  • the thickness of the Ni layer is less than 0.05 ⁇ m, Ni diffusion is not sufficiently performed, so it is easy to reduce the thickness of the Ni alloy layer. As a result, the thickness of the Ni alloy layer is reduced to 1. O ⁇ In some cases, the Ni alloy layer may be damaged, and as a result, the rigidity of the solder pad may be reduced.
  • the Ni layer thickness exceeds 10.0 m, Ni diffusion is sufficiently performed, so that the Ni content in the Ni alloy increases (for example, Sn- The Ni content in the Ni-Cu three-element alloy increases.) Therefore, increase the thickness of the Ni alloy layer. It ’s really good. In this case, the average thickness of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is likely to exceed 2. As a result, the rigidity of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer may be reduced.
  • the Ni layer is more preferably 0.05 to 1.0 ⁇ m. Within this range, the thickness of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer does not deviate from 1.0 to 2.5 m, and the Ni alloy layer or M—Sn alloy layer is also continuous and is not damaged. ⁇ It will be. In other words, it reduces the rigidity of the solder pad.
  • the Ni layer is most preferably 0.05-0.3 / zm.
  • a Ni alloy layer or a Ni-Sn alloy layer can be formed regardless of the composition used for the solder.
  • the Ni content in the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is not likely to be high, and as a result, the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer falls within the desired range. This makes it difficult to reduce the rigidity of the steel.
  • the average thickness of the Ni—Sn alloy layer is 1.0 to 2.
  • the Pd layer functions to suppress Ni diffusion and inhibit formation of a Ni alloy layer or a Ni-Sn alloy layer. For this reason, if the thickness of the Pd layer is less than 0.01 ⁇ m, Ni diffusion cannot be sufficiently suppressed, and the thickness of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer can be easily increased. In this case, the average thickness of the Ni alloy layer is likely to exceed 2.5 ⁇ m, which makes it difficult to improve the rigidity of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer.
  • the Pd layer thickness exceeds 1.0 m, Ni diffusion is suppressed, so formation of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is inhibited.
  • the average thickness of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer becomes less than 0.01 ⁇ m, so that the rigidity of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer is hardly improved.
  • the thickness of the Pd layer is more preferably 0.03-0.2 / zm. Even if there is local variation in thickness by using this range, the Pd layer thickness force is within the range of 0.01 to 1.0 m.
  • the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is formed within the desired range described above. In order to reduce the rigidity as the gold layer, ⁇ is achieved.
  • the thickness of the Ni alloy layer can be controlled by the content of phosphorus (P) in the Pd layer, and the rigidity of the Pd layer can be increased.
  • the P content in the Pd layer is 2-7 wt%.
  • the formed Pd layer is unlikely to be porous, the film is likely to be uniform, and a surface oxide film is formed. Furthermore, the formed Pd layer is easily secured. This is because the formed Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is easily formed, and the rigidity of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is easily secured.
  • the P content in the Pd layer is less than 2% or the P content in the Pd layer exceeds 7%, the Pd layer cannot be uniformly coated on the Ni layer, and the Pd layer is porous. Remains. An oxide film is likely to be formed on the surface layer of the Pd layer, and even if solder is formed, the adhesion tends to decrease. In addition, the rigidity of the Pd layer itself may be reduced, and the thermal stress is buffered. For this reason, stress may concentrate on the solder bumps or solder layers, which may cause problems such as damage to the solder or cracks. In addition, if a reliability test is performed, it will be difficult to ensure long-term reliability. Normal reliability is ensured.
  • the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer formed after reflowing the solder tends to be thick, and the resulting Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer performs its function. It is possible to improve the rigidity.
  • the average thickness of Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer may exceed 2.5 ⁇ m.
  • the P content power of the Pd layer be set to 1 wt%.
  • the P content does not deviate significantly by 2-7 wt%.
  • the rigidity of the Pd layer itself is secured, and it becomes easy to buffer the stress against thermal stress. For this reason, it is difficult to cause defects such as breakage and cracks in the solder formed on the Pd layer, and it is possible to reduce electrical connectivity and reliability.
  • the thickness of the Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer formed through solder reflow falls within the desired range.
  • the rigidity of the Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer can be further improved. In other words, the rigidity is reduced.
  • the thickness of the Pd film and the phosphorus content of the Pd film can be adjusted by adjusting conditions such as plating time, plating temperature, plating solution composition, PH in the plating solution, and the like. It is necessary to find out the correlation of thickness depending on the conditions in advance, depending on the size of the plating bath and the flow of the plating solution.
  • Fig. 30 (A) shows the case of containing an appropriate amount of P.
  • the Pd film is formed by an electroless plating process, and a hypophosphorous acid-based chemical solution is used as a reducing agent for the plating solution.
  • a hypophosphorous acid-based chemical solution is used as a reducing agent for the plating solution.
  • sodium hypophosphite NaH2P02
  • hypophosphite ion (H2P02-) 63 is adsorbed on the nickel layer ((1) in FIG. 30A).
  • Ni acts as a catalyst to cause dehydrogenolysis (H2P02- + 2H ⁇ Pd + 2H +) to hypophosphite ions.
  • Hydrogen atoms 65 generated by this dehydrogenolysis are adsorbed and activated on the Ni surface ((2) in FIG.
  • Pd ions (Pd2 +) in the plating bath also reduce electrons from hydrogen on the Ni surface to b ⁇ and to Pd metal (Pd2 + + 2H ⁇ Pd + 2H +) ((3) in Fig. 30 (A)) .
  • the deposited Pd metal becomes a catalyst, and Pd is deposited on the Ni surface by the same mechanism ((4) in Fig. 30 (A)).
  • P in Pd—P is a coprecipitation of hypophosphorous acid as a reducing agent.
  • Hypophosphorous acid has a function of catalytically reacting with Ni, so that it is not selective on the Ni surface layer, that is, a dense Pd layer can be formed. Further, at this time, by adjusting the concentration of hypophosphorous acid, the content of P can be adjusted in the film which is the Pd layer.
  • FIG. 30B shows the case of pure Pd that does not contain P! /.
  • the Pd film is formed by an electroless plating process, and the plating solution uses formic acid (HCOOH) containing no P as a reducing agent.
  • HCOOH formic acid
  • Pd ions in the plating bath touch the hydrogen on the Ni surface. Then, Pd ions are reduced to metal ((2) in Fig. 30 (B)).
  • Formic acid is decomposed into H 2 and C02 by the influence of the Pd precipitation reaction ((3) in Fig. 30 (B)).
  • Pd ions are reduced to metal by scavenging hydrogen-powered electrons generated by the decomposition of formic acid ((4) in Fig. 30 (B)).
  • the Pd layer formed at this time uses formic acid as the reducing agent.
  • formic acid cannot act as a reducing agent, so hydrogen on the Ni surface layer becomes the reducing agent.
  • a Pd plating layer that forms a selective plating film, that is, a porous shape is formed.
  • Quantification of each metal described above was performed by an energy dispersion method (EDS).
  • EDS energy dispersion method
  • various signals are generated by irradiating the surface of the material with an electron beam, which is the excitation source of SEM (scanning electron microscope) and TEM (transmission electron microscope).
  • characteristic X-rays are mainly detected by Si (Li) semiconductor detectors, and the number of electron-hole pairs proportional to the energy is created in the semiconductor to generate electrical signals, which are amplified, analog, and digital.
  • an X-ray spectrum is obtained by identification using a multi-channel analyzer, and element identification from the peak energy is quantitatively analyzed from the amount of the peak.
  • an energy dispersive X-ray analyzer manufactured by JEOL Ltd., model ED-2140
  • the formed metal layer was directly irradiated to measure the metal quantitatively.
  • the thickness of the Pd layer is preferably in the range of 0.01 to 1.0 m. In particular, it should be formed in the range of 0.03—0.7 ⁇ m. If the thickness of the Pd layer is less than 0.01 ⁇ m, formation of a Ni alloy layer or a Ni—Sn alloy layer is not promoted. Therefore, there are places where the Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer is not formed even locally, which makes it difficult to improve the rigidity of the Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer. The peel strength of the layer is also improved. Conversely, if the thickness of the Pd layer exceeds, the thickness may impede the promotion of formation of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer.
  • the Ni layer constituting the composite layer in the present invention includes Ni-Cu, Ni-P, Ni-Cu-P, and the like. It should be formed from the alloy metal that you have.
  • the plating film may not be laminated in all directions, which may cause fine holes (defects). This is because, in the case of an alloy metal, the holes (defects) are filled, so that the film is formed uniformly.
  • the Ni layer (intermediate) -Pd layer and the Ni layer (intermediate) -Pd layer-corrosion resistant layer may be either physical or chemical, or both. Further, a single layer or two or more layers may be laminated. In particular, it is good to form the alloy metal of Ni-P or Ni-Cu-P. In other words, it is desirable that the Ni layer contains P (phosphorus).
  • the unevenness can be offset and a film having a flat surface layer can be formed.
  • the formed Ni layer is less prone to non-deposition, formation of a metal layer due to reaction stoppage, and formation abnormality.
  • the formation of the Pd layer formed on the Ni layer can be promoted, which causes the Pd layer not to be formed or to form abnormally. For this reason, the formed Pd layer becomes the desired one, and it is possible to ensure rigidity even as a composite layer.
  • the content of P (phosphorus) in the Ni layer be 0.5-15 wt%.
  • P content is less than 0.5wt% or Ni layer formation tends to be hindered.
  • it may be difficult to promote the formation of the Pd layer on the Ni layer resulting in problems such as the non-formation of the formed Pd layer and abnormal formation, and the rigidity of the Pd layer is secured. There may not be.
  • electrical connectivity and reliability may not be ensured.
  • As a printed wiring board there was no problem with normal use, but there may be advantages over printed wiring boards that require long-term reliability.
  • the thickness of the nickel film and the phosphorus content of the nickel film can be adjusted by adjusting conditions such as plating time, plating temperature, plating solution composition, and pH in the plating solution. It is necessary to find out the correlation between the thickness of the plating solution depending on the conditions in advance.
  • P phosphorus
  • both sides contain phosphorus, it becomes easier to form a Ni alloy layer or a Ni-Sn alloy layer.
  • the P (phosphorus) content in the Ni layer be lower than the P (phosphorus) content in the Pd layer.
  • the Pd layer covers the Ni layer, which causes the separation at the interface between the Pd layer and the Ni layer. As a result, it becomes difficult to lower the electrical connectivity and reliability caused by a defect at the interface of the solder pad.
  • the P (phosphorus) content in the Ni layer be higher than the P (phosphorus) content in the Pd layer. Accordingly, when the alloy layer is formed by performing heat treatment with the Pd layer, the Ni layer, and the solder, it becomes easy to form a plate-like body, and as a result, it is possible to ensure a desired or higher rigidity in the solder pad. This makes it easier to perform.
  • solder used in the present invention a two-component solder, a three-component solder, or a four-component or more multi-component solder can be used.
  • metal contained in these compositions Sn, Ag, Cu, Pb, Sb, Bi, Zn, In, and the like can be used.
  • Examples of the two-component solder include SnZP Sn / Sb, Sn / Ag, Sn / Cu, and SnZZn.
  • Three-component solder includes SnZAgZCu, Sn / Ag / Sb, Sn / Cu / Pb, Sn / Sb / Cu, Sn / Ag / In, Sn / Sb / In, Sn / Ag / Bi, SnZSbZBi, etc. Can be used.
  • the three components may be 10 wt% or more, or the main two components may account for 95 wt% or more, and the remainder may be one component force. (For example, ternary solder with a total of 97.5 wt% of Sn and Ag and Cu as the balance)
  • solder examples include SnZAg solder, SnZBi solder, Sn ZZn solder, and SnZCu solder. These solders are inferior in stress buffering in the solder against thermal stress compared to SnZPb. For this reason, stress tends to remain in the solder.
  • multi-component solder having four or more components may be used.
  • the multicomponent solder include Sn / Ag / Cu / Sb and SnZAgZCuZBi. Solder with adjusted alpha dose may be used.
  • Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer can be used at the interface between the solder component and the Ni layer.
  • This Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer increases the rigidity and, as a result, makes it difficult to reduce the peel strength of the solder.
  • a Ni-Sn alloy layer made of Ni-Sn-Cu is desirable. This alloy can increase the rigidity.
  • the alloy layer may contain Ag, Sb, Bi, Zn, etc. in addition to the three types of Ni, Sn, and Cu. Even if these are contained, the rigidity of the Ni Sn—Cu alloy layer itself is not deteriorated. However, if the content is higher than that of any of Sn, Ni, and Cu, the rigidity may deteriorate.
  • the melting point of these solders is preferably between 150-350 ° C. Even if the melting point of the solder is less than 150 ° C, conversely, even if the melting point of the solder is 350 ° C or higher, it may be difficult to form the Ni-Sn alloy layer. In other words, even if the temperature is low, it is difficult to form a Ni—Sn alloy, and if the temperature is high, Ni is separated. Therefore, a Ni—Sn alloy is likely to be formed at the above temperature.
  • a rough surface layer can be formed on the conductor circuit on the surface layer of the printed wiring board subjected to the conductor circuit.
  • the average roughness (Ra) is preferably 0.02-7 / z m.
  • the rough surface layer improves the adhesion between the conductor circuit and the solder resist layer.
  • the preferred range of average roughness is one. Within such a range, desired adhesion can be obtained regardless of the composition, thickness, etc. of the solder resist layer.
  • the roughening layer can be formed by electroless plating such as an alloy layer made of Cu-Ni-P, by etching with a cupric complex and an organic acid salt, or by oxidation. There is a method of forming by reduction. In some cases, the rough coating layer may be coated with Sn, Zn, or the like.
  • the outermost conductor circuit is covered and protected by a solder resist layer.
  • thermosetting resins thermoplastic resins, photo-curable resins, thermosetting resins and (meth) acrylic resins. It is also possible to use a resin complex using two or more of these. Examples of the resin include epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, phenoxy resin, and olefin resin.
  • solder resist layer For the formation of the solder resist layer, a solution whose viscosity has been adjusted in advance and applied onto the varnish is applied. Alternatively, a semi-cured film (B stage) is pasted. Alternatively, it may be performed by applying a film after coating. Further, it may be formed in a plurality of layers by two or more different types of resin. Further, a solder pad is provided in the solder resist layer by opening a part thereof.
  • the opening method is a method in which a mask on which an opening pad is drawn is placed on a solder resist layer and is formed through exposure and development (photoresist method), carbon dioxide laser, excimer laser, YAG laser, etc. Any of the methods of opening with a laser can be used. Alternatively, the solder pad opening may be formed by direct drawing.
  • solder resist formed through exposure and development for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin talate, novolac type epoxy resin, novolak type epoxy resin A resin whose rate is cured with an amine curing agent or imidazole curing agent can be used.
  • solder bumps when solder bumps are formed by providing openings in the solder resist layer, it also has the power of “novolac-type epoxy resin or novolac-type epoxy resin attarate” and uses “imidazole curing agent” as a curing agent. Preferred to include.
  • solder resist layer is formed on the conductor circuit.
  • the thickness of the solder resist layer in the present invention is 5-40 / zm. If it is too thin, it will not function as a solder dam.
  • the solder resist layer having such a configuration has an advantage that lead migration (a phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small.
  • this solder resist layer is a resin layer obtained by curing a novolac type epoxy resin acrylate with an imidazole curing agent, and has excellent heat resistance and alkali resistance, even at a temperature at which the solder melts (around 200 ° C). It does not deteriorate and is not decomposed by a strongly basic plating solution such as nickel plating, palladium plating or gold plating.
  • solder resist layer is composed of a resin having a rigid skeleton, peeling is likely to occur.
  • the rough surface layer is effective for preventing such peeling.
  • epoxy resin obtained by reacting phenol novolak or glycidyl ether of cresol novolac with acrylic acid or methacrylic acid can be used.
  • the imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. Uniform if liquid This is because they can be mixed.
  • liquid imidazole curing agents examples include 1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ), 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN), 4-methyl-2- Ethyl imidazole (product name: 2E4MZ) can be used.
  • the amount of the imidazole hardener added is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the amount of the additive is within this range, it is easy to mix uniformly.
  • the pre-curing composition of the solder resist preferably uses a Daricol ether solvent as a solvent.
  • the solder resist layer using such a composition does not generate free oxygen and does not oxidize the copper pad surface. In addition, it is less harmful to the human body.
  • glycol ether solvent one having the following structural formula, particularly preferably diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) force is selected! /, At least one of them is used. .
  • DMDG diethylene glycol dimethyl ether
  • DMTG triethylene glycol dimethyl ether
  • solvents are capable of completely dissolving benzophenone or Michler's ketone, which is a reaction initiator, by heating at about 30-50 ° C.
  • the glycol ether solvent is preferably 10 to 40 wt% with respect to the total weight of the solder resist composition.
  • the leveling agent is preferably one that also has a polymer strength of an acrylate ester.
  • the initiator Irgacure 1907 manufactured by Ciba Geigy is recommended, and as the photosensitizer, DETX-S manufactured by Nippon Kaiyaku is preferable.
  • thermosetting resin As an additive component, bisphenol type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, and when the basic strength is important, the former is required to reduce viscosity (coating The latter is better when emphasizing sex.
  • a polyvalent acrylic monomer can be used as the photosensitive monomer as the additive component. This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution.
  • a polyhydric acrylate monomer such as DPE-6A manufactured by Nippon Kayaku or R-604 manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. is desirable.
  • solder resist compositions have 0.5-10 Pa's at 25 ° C, more desirably 1 lOPa's. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater.
  • an opening is formed. The opening is formed by exposure and development processing. You can also use a commercially available solder resist.
  • solder resist layer After the solder resist layer is formed, a composite layer having Ni layer Pd layer force is formed in the opening of the solder resist layer.
  • a metal layer containing Ni is formed by electroless plating on a conductor circuit exposed from a solder pad.
  • the solder resist layer opening and surface are washed with a degreasing solution, and a catalyst such as noradium is applied to the conductor exposed at the opening, activated, and then immersed in a plating solution to form a nickel plating layer. Formed.
  • a Pd layer is formed on the Ni layer.
  • a corrosion-resistant layer is formed on the Pd layer with a metal selected from Au, Ag, Pt, and Sn. In particular, it is preferable to form with gold. In some cases, two layers may be formed through substitution with the same metal, followed by electroless attachment.
  • the thickness is preferably 0.01-2 m.
  • the opening is provided with a corrosion-resistant layer to form a solder pad
  • the opening is filled with a solder paste which is a two-component solder, a three-component solder or a multi-component solder by printing.
  • nitrogen reflow at a temperature of 250-350 ° C is passed, and the solder pads connected to the semiconductor elements are fixed to the solder pads in the openings as solder bumps. Contains no lead (lead-free) Rice fields may be used.
  • the external connection terminal side solder pad is formed as a solder layer, and external connection terminals (BGA, PGA, etc.) are placed on the solder layer.
  • external connection terminals BGA, PGA, etc.
  • components such as capacitors may be mounted on the solder layer.
  • solder pad in which a part of the solder resist layer is opened is formed, and a composite layer is provided on the conductor circuit exposed from the solder pad.
  • One of the composite layers in the present invention is a Ni layer and a Ni alloy layer (in some cases, the aforementioned Ni—Sn alloy layer), and the other is a Ni layer, an intermediate layer, and a noble metal layer.
  • These composite layers are placed on the solder pads, solder bumps and solder layers are provided, and electrical connections are made by external connection terminals (BGA, PGA, etc.) that connect to semiconductor elements and external boards. .
  • Ni layer and a Ni alloy layer are formed as a composite layer, for example, as an example, a Ni layer, an alloy layer formed of Ni and another metal, a Ni layer and Ni-Sn were contained. There are Ni-Sn alloy layers, Ni layers, and Cu-Ni-Sn alloy layers. In addition, In, Bi, P, etc. may be included.
  • These composite layers are provided on a conductor circuit on a solder pad, and solder bumps are formed on the composite layer through a heat treatment such as reflow. If it is a solder layer, other electronic components And arrange external connection terminals. As a result, a composite layer (Ni layer—Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer), one solder layer or solder bump is formed on the solder pad.
  • the Ni alloy layer (or Ni—Sn alloy layer) can improve the adhesion to the solder. In other words, since the Ni alloy layer increases the rigidity, it is possible to increase the resistance to tension. As a result, the peel strength can be improved compared to the conventional solder pad structure.
  • This Ni alloy layer is highly resistant to tension regardless of its size. In other words, in this case, the Ni alloy layer regardless of the size of the solder pad can improve the peel strength as compared with the conventional solder pad structure.
  • Ni layer Ni layer
  • Mo layer palladium layer
  • Au layer gold layer
  • Ni layer Ni layer
  • Ag layer Silver layer
  • Ni alloy layers include, for example, two or more alloy layers of Ni and other metals, Ni-Sn alloy layers containing Ni-Sn, alloy layers containing Cu-Ni-Sn, etc. is there)
  • the Ni alloy layer can improve the adhesion to the solder layer or solder bump.
  • forming the Ni alloy layer increases the rigidity of the solder pad, so it is possible to increase the resistance to tension.
  • the peel strength can be reduced compared to conventional solder pads.
  • This Ni alloy layer makes it difficult to reduce the resistance to tension regardless of its size.
  • the Ni alloy layer which is not related to the size of the solder pad, reduces the peel strength compared to the conventional solder node structure, and as a result, it is easy to improve the peel strength. Can do it.
  • Ni alloy layer for example, a two-component or three-component alloy layer of Ni and another metal, an alloy layer containing Ni-Sn, an alloy containing Cu-Ni-Sn Layer etc. These Ni alloy layers can improve the rigidity of the solder layers and solder bumps in the solder pads.
  • the thickness of the Ni alloy layer, the solder pad portion of the nickel layer, the alloy layer (Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer), the solder layer, or the solder bump has a conventional solder pad structure.
  • the bonding strength can be further increased and the tensile strength can be further improved.
  • the average thickness of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer is more preferably 1.0 to 2.5 m. By making it within this range, the rigidity of the Ni alloy layer or the Ni—Sn alloy layer is less likely to be lowered, and as a result, the tensile strength can be more unlikely to be lowered. In addition, it is difficult to reduce the tensile strength related to the combination of metals other than Ni and Sn.
  • the average thickness is set to less than 1.0 ⁇ m.
  • the Ni alloy layer or Ni-Sn alloy layer will have sufficient rigidity and cannot be used normally.
  • the rigidity is inferior and the tensile strength may be inferior.
  • the thickness of the Ni layer, the P content, etc. was also divided into things that could be done by adjusting the thickness and P content.
  • the composite layer is a Ni layer, Pd layer or Ni layer, Pd layer or noble metal layer
  • the Pd layer or Pd layer or noble metal layer diffuses to form a Ni alloy layer or Ni-Sn alloy.
  • the thickness of the Ni alloy layer or Ni—Sn alloy layer is adjusted by the thickness of the Ni layer, the P content, etc., the thickness of the Pd layer, the P content, etc. is there. Therefore, adjusting the thickness of the Pd layer changes the thickness of the Ni-Sn alloy layer and, as a result, makes it difficult for the Ni-Sn alloy layer to have low rigidity and low tensile strength. is there.
  • the Ni alloy layer or the Ni-Sn alloy layer is constituted by a deviation when the shape of the particles is selected from a plate-like body, a columnar body, and a granular body.
  • These structures may be independent (for example, a laminated body in which only plate-like bodies are stacked), or may be composite structures (for example, a mixture of plate-like bodies and columnar bodies).
  • Laminate an alloy layer mainly composed of a plate-like body is desirable.
  • the plate-like bodies are easy to be stacked because a gap is not easily formed between the plate-like bodies. Therefore, the alloy layer mainly composed of a plate-like body is easily secured. It is easy to secure the strength against the tensile strength with the solder. It is particularly desirable that the alloy layer is composed only of a plate-like body.
  • the content of P (phosphorus) in the Ni layer is 0.5-15.
  • P content is less than 0.5wt% or Ni layer formation is likely to be hindered.
  • the formed Pd layer may not be formed or an abnormal formation may occur, and the rigidity of the Pd layer cannot be secured.
  • electrical connectivity and reliability may not be ensured.
  • As a printed wiring board there was no problem with normal use, but there may be advantages over printed wiring boards that require long-term reliability.
  • the thickness of the nickel film and the phosphorus content of the nickel film are adjusted by adjusting the plating time, plating temperature, plating solution composition, pH in the plating solution, and other conditions. Can be adjusted. It is necessary to find out the correlation between the thickness of the plating solution depending on the conditions in advance.
  • P phosphorus
  • the intermediate layer for example, Pd layer
  • the content of P (phosphorus) in the Ni layer should be lower than the content of P (phosphorus) in the Pd layer.
  • the Pd layer covers the Ni layer, which causes peeling at the interface between the Pd layer and the Ni layer. As a result, the electrical connectivity and reliability due to defects at the interface of the solder pad are not deteriorated.
  • the P (phosphorus) content in the Ni layer be higher than the P (phosphorus) content in the Pd layer. Accordingly, when the alloy layer is formed by performing heat treatment with the Pd layer, the Ni layer, and the solder, it becomes easy to form a plate-like body, and as a result, it is possible to ensure a desired or higher rigidity in the solder pad. This makes it easier to perform.
  • the Pd layer (palladium layer) can reduce the occurrence of defects such as solder noise. Therefore, as a result, the adhesion to the solder can be improved as compared with the conventional solder pad structure.
  • solder bump or solder layer of a desired size can be formed in the solder pad. For this reason, the solder bump or solder layer has a desired size, and as a result, the adhesion between the solder bump or solder layer and the conductor circuit is not easily lowered.
  • the use of the palladium layer makes it easier to buffer the thermal stress, and as a result, it is possible to reduce defects in the solder bumps or the solder layer, thereby reducing electrical connectivity and reliability. It can be made difficult.
  • the palladium layer is superior in rigidity compared to gold. Because of that, heat Stress is absorbed and buffered in the Pd layer. Therefore, the transmission of stress to the solder bump or solder layer due to thermal stress is reduced. Therefore, it causes damage to solder bumps or solder layers. For this reason, it is difficult for electrical connection caused by solder bumps or solder layers to occur, and long-term reliability is ensured even if a reliability test is performed.
  • solder containing no lead (lead-free)
  • the effect becomes remarkable.
  • Lead-free solder is inferior to buffering thermal stress compared to lead-containing solder.
  • lead-free solder is less capable of buffering stress than lead-containing solder. Therefore, by providing a composite layer consisting of Ni and Pd layers on the solder pad, the entire solder pad structure is buffered.
  • the adhesion of the solder itself is better, the stress against thermal stress is more easily buffered, and the formed solder bump or solder layer is damaged. It is possible to suppress defects such as cracks. For this reason, electrical connectivity and reliability can be ensured as compared with the conventional solder pad structure in which lead-free solder is mounted.
  • the thickness of the alloy layer such as the Ni alloy layer can be controlled by the content of phosphorus (P) in the intermediate layer. It is desirable that the P content in the intermediate layer is 2-7 wt%. As a result, the formed intermediate layer is unlikely to be porous and the film tends to be uniform. This is because an alloy layer such as a Ni alloy layer is easily formed, and the rigidity of the Ni alloy layer is easily secured.
  • P phosphorus
  • the P content is preferably 2-7 wt%.
  • the formed Pd layer is less likely to be porous and the film is likely to be uniform. This is because the formed Ni alloy layer is easily formed, and the Ni alloy layer is shielded within the desired thickness range described above, so that the rigidity of the Ni alloy layer can be secured more securely.
  • the P content in the Pd layer is less than 2%, or the P content in the Pd layer is more than 7%.
  • the Pd layer cannot be uniformly coated on the Ni layer, and the Pd layer remains porous.
  • the Ni alloy layer tends to be thick, and the resulting Ni alloy layer can perform its function.
  • the average thickness of the Ni alloy layer may exceed 2.5 m.
  • the rigidity of the Pd layer itself may be lowered, and the thermal stress is buffered.
  • stress may concentrate on the solder bumps or solder layers, which can easily cause problems such as breakage or cracks in the solder.
  • it may be difficult to ensure long-term reliability when performing reliability tests.
  • a corrosion-resistant layer is preferably provided on the intermediate layer of the composite layer. This is because the provision of the corrosion-resistant layer causes the intermediate layer to function to promote the formation of the Ni alloy layer on the Ni layer described above.
  • the corrosion-resistant layer is preferably formed of at least one kind of noble metal such as Au, Ag, Pt, or Sn. This is because the formation of a Ni alloy layer is promoted when these metals are used.
  • the corrosion-resistant layer may be formed in two steps by the substitution metal, electroless plating, substitution plating, or electroless plating with the same metal.
  • a metal film that is not affected by the underlying Ni layer can be formed, corrosion resistance is improved, and effects such as deterioration of solder bump shape and function can be suppressed.
  • the corrosion-resistant layer is made of Au in particular, the solder pads formed differ depending on the ratio, and this can also improve the corrosion resistance, adhesion, solder bump shape and function of the solder pads. I understood.
  • the thickness of the corrosion-resistant layer is preferably in the range of 0.01-2 ⁇ m. In particular, it should be formed in the range of 0.03-1 ⁇ m.
  • the thickness of the corrosion-resistant layer is less than 0.01 / zm, a Ni alloy layer is formed, but the formation of the alloy layer may not be promoted locally. For this reason, there are places where the Ni alloy layer is not formed even locally, which makes it difficult to improve the rigidity of the Ni alloy layer, and as a result, the peel strength of the Ni alloy layer is also improved. It is. Shi However, there were no particular problems with the function, performance, reliability, etc. of the printed wiring board used normally.
  • the thickness of the corrosion-resistant layer exceeds 2 / zm, the thickness may inhibit the formation of the Ni alloy layer. Therefore, there are places where alloy layers such as Ni alloy layers are not formed locally, which makes it difficult to improve the rigidity of the Ni alloy layer, and as a result, it is difficult to improve the peel strength of the Ni alloy layer. Because. In addition, in the three-layer structure consisting of the Ni layer, intermediate layer, and corrosion-resistant layer, the Ni layer and intermediate layer factors have the most influence to form the Ni alloy layer. I knew that there was. The presence or absence of a corrosion-resistant layer has a small effect on the formation of the alloy layer.
  • the Ni layer constituting the composite layer in the present invention is preferably formed of an alloy metal containing Ni—Cu, Ni—P, Ni—Cu—P or the like.
  • the plating film may not be laminated in all directions, which may cause fine holes (defects). This is because, in the case of an alloy metal, the holes (defects) are filled, so that the film is formed uniformly.
  • the Ni layer (intermediate) -Pd layer and the Ni layer (intermediate) -Pd layer-corrosion resistant layer may be either physical or chemical, or both. Further, a single layer or two or more layers may be laminated. In particular, it is good to form the alloy metal of Ni-P or Ni-Cu-P. In other words, it is desirable that the Ni layer contains P (phosphorus).
  • the unevenness can be offset and a film having a flat surface layer can be formed.
  • the formed Ni layer is less prone to non-deposition, formation of a metal layer due to reaction stoppage, and abnormal formation.
  • the outermost conductor circuit is covered and protected with a solder resist layer.
  • a composite layer consisting of a Ni-Ni alloy layer or Ni-one intermediate layer-corrosion-resistant layer is formed in the opening.
  • a metal layer containing Ni is formed by electroless plating on a conductor circuit exposed from a solder pad.
  • an intermediate layer for example, a Pd layer
  • a corrosion-resistant layer is formed with a metal selected from Au, Ag, Pt, and Sn. In particular, it should be formed of gold. In some cases, two layers may be formed through substitution with the same metal and electroless plating.
  • the thickness is preferably 0.01-2 m.
  • the opening is provided with a corrosion-resistant layer to form a solder pad
  • the opening is filled with a solder paste which is a two-component solder, a three-component solder or a multi-component solder by printing. Then, nitrogen reflow at a temperature of 250-350 ° C is passed to fix the solder bumps to the solder pads in the openings.
  • the external connection terminal side solder pad is formed as a solder layer, and external connection terminals (BGA, PGA, etc.) are placed on the solder layer.
  • the conductor circuit 34 is formed on the surface of the core substrate 30.
  • the front surface and the back surface of the core substrate 30 are connected through a through hole 36.
  • An interlayer resin insulating layer 50 in which via holes 60 and conductor circuits 58 are formed and an interlayer resin insulating layer 150 in which via holes 160 and conductor circuits 158 are formed are disposed on both surfaces of the core substrate 30.
  • a solder resist layer 70 is formed on the via hole 160 and the conductor circuit 158.
  • Solder nodes 77U and 77D are provided on the conductor circuit 158 through the opening 71 of the solder resist layer 70, and the solder pad.
  • the 76U and 76D are formed on 77U and 77D.
  • FIG. 8 (B) shows the The portion surrounded by the circle A of the layer printed wiring board 10 is shown in an enlarged manner.
  • a nickel plating layer 72 is provided on the conductor circuit 158, and a solder layer (bump) 46 is connected via a Ni—Sn alloy layer 75 on the nickel plating layer 72.
  • the average thickness of the Ni—Sn alloy layer 75 is adjusted to make it difficult for fracture to occur at the interface between the nickel plating layer 72 and the solder layer 46. Thereby, the strength and adhesion of the solder layer 46 can be improved.
  • the obtained epoxy resin composition was applied to a PET film with a thickness of 38 ⁇ m using a roll coater so that the thickness after drying was 50 ⁇ m, and then dried at 80-120 ° C for 10 minutes. By doing so, a resin film for an interlayer resin insulation layer was produced.
  • Bisphenol F type epoxy monomer manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., molecular weight: 310YL983U
  • the reduction treatment was performed as a source bath, and rough surfaces 36 ⁇ and 34 ⁇ were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 34 including the through hole 36 (FIG. 2 (C)).
  • the surface layer portion of the resin filler 40 formed in the through hole 36 and the lower conductor circuit non-formation part and the surface of the lower conductor circuit 34 are flattened, and the resin filler and the lower conductor circuit are formed.
  • the side faces are firmly attached to each other through the rough surface, and the inner wall surface of the through hole 36 is filled with grease.
  • a substrate in which the filler 40 was firmly adhered to the filler 40 through the rough surface was obtained. That is, by this step, the surface of the resin filler and the surface of the lower conductor circuit are substantially flush.
  • an interlayer resin insulation layer 50 was formed by pasting using a vacuum laminator apparatus by the following method (FIG. 3 (C)). That is, the resin film for the interlayer resin insulation layer is subjected to main pressure bonding on the substrate under the conditions of a vacuum of 67 Pa, a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 80 ° C., and a bonding time of 60 seconds, and then heated at 170 ° C. for 30 minutes Cured.
  • a via hole 50a with an interlayer oil insulation layer of 50 ⁇ m and a diameter of 80 ⁇ m was formed under the conditions of a pulse width of 8.0 / z seconds and a mask through-hole diameter of 1. Omm, 1 shot (Fig. 3 (D )).
  • PEG Polyethylene glycol
  • the substrate was washed with water at 50 ° C for degreasing, washed with water at 25 ° C and further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic plating under the following conditions.
  • solder resist composition 70 is applied to both surfaces of the multilayer wiring board to a thickness of 30 m (Fig. 5 (C)), and 70 minutes at 70 ° C and 70 ° C. After drying for 30 minutes, a photomask with a thickness of 5 mm on which the pattern of the opening of the solder resist was drawn was brought into close contact with the solder resist layer, exposed to 800 mjZcm 2 of ultraviolet light, and developed with a DMTG solution. As a result, an opening 71 having a diameter of 150 m was formed (FIG. 6 (A)). Further, the solder resist layer is cured by heating at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist layer having an opening and a thickness of 20 m. Formed. A commercially available solder resist composition can also be used as the solder resist composition.
  • Example 1 It was immersed in this electroless nickel plating solution for 5-40 minutes to form a nickel plating layer 72 in the opening 71 (FIG. 6 (B)).
  • the thickness of the nickel plating layer 72 was set to 0.03 to 10 m, and P in the nickel film was set to 0.4 to 17 wt%. At this time, the thickness of the plating film and the phosphorus content were set in consideration of the volume of the plating tank and the liquid circulation.
  • the palladium plating solution As the palladium plating solution, the following was used.
  • This electroless palladium plating solution was immersed for 3-10 minutes to form a palladium layer 73 having a thickness of 0.08 / zm on the nickel plating layer 72 (FIG. 7A).
  • the thickness of the palladium layer 73 was set to 0.008 ⁇ 2.0 m, and P was contained in an amount of 8 wt%.
  • the plating film thickness and phosphorus content were set in consideration of the plating tank volume and liquid circulation. (20)
  • solder paste 76 ⁇ was printed on the solder pads 77U and 77 ⁇ in the opening 71 of the solder resist layer 70 (FIG. 7B). Fig.
  • solder pad 77U shows an enlarged view of the solder pad 77U surrounded by a circle in Fig. 7 (B).
  • the solder pad 77U also has a composite layer force of two layers, a nickel plating layer 72 and a palladium layer 73, which are sequentially formed on the conductor circuit 158.
  • solder bumps 76U and 76D were formed by reflowing in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. (FIG. 1).
  • Fig. 8 (B) shows an enlarged view of solder pad 77U surrounded by circle B in Fig. 1. During this reflow, most of the noradium layer 73 is diffused to the solder bumps 76U and 76D side, and at the interface between the nickel plating layer 72 and the solder bumps 76U and 76D as shown in FIGS. Then, a Cu—Ni—Sn alloy layer 75 which is a Ni layer alloy layer is formed.
  • the thickness of the nickel plating layer 72 is set to 0.05 to 7 m
  • P is contained at 0.4 to 17 wt% lower or higher than the P concentration of the palladium layer
  • the palladium layer 73 is It is set to be 0.01 m—1.0 / zm, and by containing 2-7 wt% of P, the average thickness of the Cu—Ni—Sn alloy layer 75 is mainly 1.0 to 2.5 m. It is within range.
  • Example 1-1-1 an alloy of Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% was used as the solder constituting the solder bump.
  • the plating conditions were set such that the Ni layer had a thickness of 5 m and the P content was 1.2 wt%, and the Pd layer had a thickness of 0.5 / ⁇ ⁇ and the soot content was 5 wt%.
  • the electron micrograph (X 20K) on the left side of Fig. 15 is Example 1-1-1.
  • the magnification (X 100K) is further enlarged.
  • the right side in FIG. 15, FIG. 16, and FIG. 17 is an electron micrograph of Comparative Example 11 of a Pd layer that does not contain P described later.
  • the lower side is the nickel layer
  • the upper side is the solder
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer intervenes at the interface between the nickel layer and the solder layer. From the electron micrograph on the left side of FIG.
  • Example 1-1-1 it can be seen that the Cu—Ni—Sn alloy layer is continuous, that is, has a small undulation and is formed on the surface of the Ni layer. Furthermore, from the electron micrographs on the left side of FIGS. 16 and 17 with the magnification increased, the surface of the Cu—Ni—Sn alloy layer is shown. It can be seen that Ag particles are uniformly arranged on the surface through the Sn skin layer.
  • the left side of FIG. 18 is a transmission electron micrograph of Example 1-1-1. This electron micrograph shows that the Cu-Ni-Sn alloy layer is plate-shaped, that is, formed parallel to the nickel layer.
  • Example 1-1-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 1-1-4 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 1. O ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-5 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped. [Example 1-1-1-6]
  • Example 1-1-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-9 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-10 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%. From this, Ni-Sn alloy
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-1-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 1-1-1-12 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-1-15 as the solder constituting the solder bump, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95wt% alloy was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-16 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-17 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 10%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-1-18 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer had a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 10 wt ° / set.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-1-19 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped. [Example 01-1-20]
  • Example 1-1-20 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-21 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-1-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%. On the other hand, the Pd layer was set to a thickness of 0.5 m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 1.2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 1.2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 0.5%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 1. O ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer has a plate-like shape.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • Ni-Sn alloy layers are mainly It was a plate-like shape.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness l / zmP content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer has a plate-like shape.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer has a thickness of 0.05 m and a P content of 10 wt. / Set.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 10 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 m and a P content of 15 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 m and a P content of 15 wt ° /.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 1-3-1 a Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump in the same manner as in Example 1-1-1.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt% in the same manner as in Example 1-1-1.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 m and a P content of 8 wt%. Is this better than this?
  • Example 1-3-1 the Cu—Ni—Sn alloy layer is columnar as shown in the electron micrograph on the right side of FIG. 18 as in Reference Example 1 1 1 described later, that is, vertically along the nickel layer.
  • the shape was mainly columnar alloy crystals.
  • Example 1-3-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.008 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 1-3-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • Set the Ni layer to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%. It was.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 1 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 1-3-4 a Ni layer using Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy as the solder constituting the solder bump, thickness 5 ⁇ m, P content 1.2 Set to wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 1-3-5 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules (granular crystals).
  • Example 1-3-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 9 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 1-3-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 1 3-8 In Example 1-3-8, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / ⁇ and a soot content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Examples 1-3-9 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / ⁇ and a soot content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 1-3-10 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Examples 1-3-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Examples 1-3-12 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • Ni—Sn alloy The layer was mainly granular and formed at the interface of the nickel layer.
  • Examples 1-3-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 1-3-14 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a P content of 1.2%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 m and a P content of 8 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 2. O ⁇ m and a P content of 9 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 0.4%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 m and a P content of 16 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 m and a P content of 17 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer has a thickness of 0.03
  • Figure 19 shows. Pd partially precipitates so that the photographic power can also be divided, and the underlying Ni layer can be seen porous).
  • a flux containing copper was used.
  • the Ni—Sn alloy layer became granular.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.07 ⁇ m and a P content of 5 wt% (a micrograph of this Pd layer is shown in FIG. 20.
  • the Pd layer can be uniformly formed so as to have a photographic force).
  • a flux containing copper was used.
  • the Ni-Sn alloy layer is As in Example 1 1 1 with reference to the electron micrograph, it was mainly plate-shaped.
  • Reference Example 1 1 1 1 One Reference Example 1 1 12, Reference Example 1 2—1
  • One Reference Example 1 2—12 uses a built-up multilayer wiring board in the same manner as in Example 1 described above with reference to FIG. And a solder bump was formed.
  • the electron micrograph (X 20K) on the right side of Figure 15 is Reference Example 1-1-1.
  • the magnification (X100K) is further enlarged.
  • the lower side is the nickel layer
  • the upper side is the solder
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer intervenes at the interface between the nickel layer and the solder layer.
  • the Cu-Ni-Sn alloy layer is discontinuous, that is, has large undulations and is formed on the surface of the Ni layer.
  • Reference Example 1-1-1 In Reference Example 1-1-1-12, lead-free CuZAgZSn solder was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1. O / m and a P content of 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ and a soot content of 4 wt%.
  • the Pd layer was 1.5 ⁇ m thick and the soot content was set to 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 0.5 / xm and the P content was set to Owt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ and a P content of 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was 0.5 ⁇ m thick and the soot content was set to Owt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2 wt%.
  • the Ni layer was set thickness 12 ⁇ ⁇ , the ⁇ content 16 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 16 wt%.
  • the Pd layer was 1.5 ⁇ m thick and the soot content was set to 9 wt%.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of the printed wiring board 30 of the second embodiment.
  • the multilayer printed wiring board 30 is a printed wiring board for mounting a semiconductor on which an IC chip 80 is mounted.
  • the multilayer printed wiring board 30 is formed by laminating a plurality of substrates 31, and each substrate 31 is provided with a through hole 36, a noise hole 38, and a conductor circuit 34.
  • a conductor circuit 34U is provided on the upper surface side of the multilayer printed wiring board 30, and a conductor circuit 34D is provided on the lower surface side.
  • a solder resist layer 70 is provided on the front surface side of the conductor circuit 34U on the upper surface side, and a part of the conductor circuit 34U is exposed by the opening 71 of the solder resist layer 70 to constitute the bonding pad 42.
  • a solder resist layer 70 is provided on the front surface side of the conductor circuit 34D on the lower surface side, and a part of the conductor circuit 34D is exposed through the opening 71 of the solder resist layer 70 to constitute a solder pad 44.
  • a solder layer 46 for connection to an external printed wiring board is formed on the solder pad 44.
  • An IC chip 80 is disposed on the upper surface of the multilayer printed wiring board via an adhesive 84. The terminal 86 of the IC chip 80 and the bonding pad 42 on the multilayer printed wiring board side are bonded and connected by a wire 82. ing.
  • FIG. 14 (B) shows an enlarged view of the portion surrounded by circle B of the multilayer printed wiring board 30 in FIG.
  • a nickel plating layer 72 is provided on the conductor circuit 34D, and a solder layer 46 is connected via a Ni—Sn alloy layer 75 on the nickel plating layer 72.
  • the average thickness of the Cu—Ni—Sn alloy layer 75 is adjusted to make it difficult for fracture to occur at the interface between the nickel plating layer 72 and the solder layer 46. Thereby, the strength and adhesion of the solder layer 46 can be improved.
  • a printed wiring board 31 having a circuit pattern 34 and via holes 38 is prepared (FIG. 10A).
  • the printed wiring board 31 is bonded through the adhesive 33 (FIG. 10 (B)).
  • Through-holes 36 are formed by drilling through holes in a multilayer printed wiring board formed by laminating printed wiring boards 31 (FIG. 10 (C)).
  • a solder resist layer 70 having an opening 71 is formed (FIG. 11A).
  • the multilayer printed wiring board 30 is provided with a conductor circuit 34U on the upper surface side, and a part of the conductor circuit 34U is exposed through the opening 71 of the solder resist layer 70.
  • a conductor circuit 34D is provided on the lower surface side. A part of the conductor circuit 34D is exposed by the opening 71 of the solder resist layer 70.
  • a rough surface layer is preferably provided on the surfaces of the conductor circuit 34U and the conductor circuit 34D to improve the adhesion with the solder resist layer 70.
  • Example 2 the thickness of the nickel plating layer 72 was set to 0.03-12 / ⁇ ⁇ , and soot contained in the nickel film was set to 0.4 to 17 wt%. At this time, the thickness of the plating film and the phosphorus content were set in consideration of the volume of the plating tank and the liquid circulation. As a result, even if the conductor circuit 34U and the conductor circuit 34D are provided with a rough coating layer, the uneven portions thereof can be completely covered, and the surface state of the nickel plating layer 72 can be made uniform.
  • the palladium plating solution As the palladium plating solution, the following was used.
  • a palladium layer 73 having a thickness of 0.08 m was formed on the nickel plating layer 72 by immersing in this electroless palladium plating solution for 3 to 10 minutes (FIG. 12A).
  • no ⁇ radium layer The thickness of 73 was set to be 0.008-2.
  • the thickness of the plating film and the phosphorus content were set in consideration of the volume of the plating tank and the liquid circulation.
  • the bonding pad 42 was formed on the conductor circuit 34U on the upper surface, and the solder pad 44 was formed on the conductor circuit 34D on the lower surface.
  • an Au layer can also be formed as a corrosion-resistant layer.
  • the thickness of the palladium layer 73 was set to 0.01-1. O / zm, and 2-7% of P was contained.
  • FIG. 14 (A) shows an enlarged view of the solder pad 44 in FIG. 12 (B).
  • the solder nod 44 is composed of two composite layers of a nickel plating layer 72 and a palladium layer 73 that are sequentially formed on the conductor circuit 34D.
  • the solder layer 46 was formed by reflowing in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. (FIG. 13 (A)). During this reflow, most of the palladium layer 73 and the Au layer 64 diffuse to the solder layer 46 side, and as described above with reference to FIGS. 9 and 14B, the nickel plating layer 72 and the solder layer 46 At the interface, a Cu-Ni-Sn alloy layer 75 of Ni layer and solder composition metal is formed.
  • the copper layer 73 is set to 0. Ol ⁇ m-1.0 m and 2-7 wt% of P is contained, so that the Cu-Ni-Sn alloy The average thickness of layer 75 was adjusted. As a result, as described above, breakage hardly occurs at the interface between the nickel plating layer 72 and the solder layer 46.
  • An IC chip 80 was mounted on the upper surface of the completed multilayer printed wiring board 30 via an adhesive 84 (FIG. 13 (B)). Thereafter, a bonding wire 82 was bonded between the terminal 86 of the IC chip 80 and the bonding pad 42 on the multilayer printed wiring board 30 side (see FIG. 9).
  • An external connection terminal (in this case, BGA) was placed on the Hanada layer. Let's place PGA in the external connection terminal. You can mount capacitors and other parts on the solder layer! /.
  • Example 2-1-1 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • Figure 18 left The Cu—Ni—Sn alloy layer is mainly plate-like in the same manner as in Example 111 described above with reference to the side electron micrograph. That is, they are formed in parallel along the nickel layer.
  • Example 2-1-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 2-14 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-5 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt% as the solder constituting the solder layer, Sn: 95 wt% alloy was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-9 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 2-1-12 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 2-1-15 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-16 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-17 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 10 wt ° /.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-18 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the thickness of the Ni layer was set to m and the P content was set to 10 wt ° / ⁇ .
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-19 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1 20 as a solder constituting the solder layer, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt% Sn: 95 wt% alloy was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-21 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 m and a P content of 15 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-22 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 15 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-1-1 lead-free CuZAgZSn solder was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Ni layer was set to have the same thickness of 5 m as in Example 2-2-1 and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer mainly has a plate shape.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 1. O ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • Ni-Sn alloy layer is mainly plate-shaped
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer is mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer is mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Ni-Sn alloy layer is mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 8 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • Ni-Sn alloy layer is mainly plate-shaped Met.
  • the Ni layer was set to have a thickness of 0.05 m and a P content of 10 wt ° /.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 10 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 2-3-1 to Example 2-3-14 as in Example 2-1-1 to Example 2-1-14, the solder constituting the solder layer was Cu: 0.5 wt%, Ag : 3.5wt%, Sn: 95wt% alloy was used.
  • the Ni layer was set to have the same thickness of 5 m as in Example 2-1-1 and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 m and a P content of 8 wt%.
  • the Cu-Ni-Sn alloy layer is columnar, that is, columnar alloy crystals are vertically formed along the -kecker layer, as in Example 1-3-1. Speak.
  • Example 2-3-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to have the same thickness of 5 m as in Example 2-3-1 and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.008 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 2-3-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to have the same thickness of 5 m as in Example 2-3-1 and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 1 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 2-3-4 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to have the same thickness of 5 m and P content of 1.2 wt% as in Example 2-3-1.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 2. O ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed into a granular body at the interface of the nickel layer.
  • Examples 2-3-5 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 2. O ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed as a granular body (granular crystals) at the interface of the nickel layer.
  • Examples 2-3-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 9 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • Examples 2-3-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 2-3-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Examples 2-3-9 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Examples 2-3-10 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.4%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Examples 2-3-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 16 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • Examples 2-3-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 2-3—13 In Examples 2-3-13, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Examples 2-3-14 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to the same thickness as Example 2-2-1, 5 m, and P content 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 8 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni layer was set to have the same thickness 5 / z m P content as Example 2-41, 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 2.O ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / zm and a P content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 9 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / ⁇ ⁇ and a soot content of 7 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer as a granular material.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / ⁇ ⁇ and a soot content of 7%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / ⁇ ⁇ and a soot content of 2%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ ⁇ and a P content of 16 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer. [0301] [Example 2—4 13]
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of Owt ° /.
  • a flux containing copper was used.
  • the Ni—Sn alloy layer became granular.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.07 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • a flux containing copper was used.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Reference Example 2-1 1 Reference Example 2-1 12 and Reference Example 2-2-1 Reference Example 2-2-12 are the same as in Example 2 described above with reference to FIG.
  • a wiring board was formed and a solder layer was formed.
  • solder constituting the solder layer Cu: 0.2 wt%, Ag: lwt%, Sn: 97 wt % Alloy was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 1.2 wt%.
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer is columnar, that is, columnar alloy crystals are formed vertically along the nickel layer.
  • Reference Example 2-1-1 One Reference Example 2-1-11 used lead-free Cu ZAgZSn solder as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 and a P content of 0.8 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.0 m and a P content of 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer was 1.5 ⁇ m thick and the soot content was set to 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 9%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 0.5 ⁇ m and a soot content set to 0%.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness m and a P content of 7 wt%.
  • the Pd layer was 1 ⁇ m thick and the soot content was set to 9 wt%.
  • the Ni layer was set to a thickness m and a P content of 7 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • Example 3 The configuration of the multilayer printed wiring board 10 according to Example 3 of the present invention will be described with reference to the cross-sectional view of FIG. Example 3 is configured in the same manner as Example 1.
  • the conductor circuit 34 is formed on the surface of the core substrate 30.
  • the front surface and the back surface of the core substrate 30 are connected via the through hole 36 !.
  • An interlayer resin insulation layer 50 in which via holes 60 and conductor circuits 58 are formed and an interlayer resin insulation layer 150 in which via holes 160 and conductor circuits 158 are formed are disposed on both surfaces of the core substrate 30. .
  • a solder resist layer 70 is formed on the upper layer of the nozzle hole 160 and the conductor circuit 158, and solder pads 77U and 77D are provided on the conductor circuit 158 through the openings 71 of the solder resist layer 70. Bumps 76U and 76D are formed on pads 77U and 77D.
  • FIG. 24B shows an enlarged view of the portion surrounded by circle A of the multilayer printed wiring board 10 in FIG.
  • a nickel plating layer 72 is provided on the conductor circuit 158, and a solder layer (bump) 46 is connected via a Ni alloy layer 75 on the nickel plating layer 72.
  • a solder layer (bump) 46 is connected via a Ni alloy layer 75 on the nickel plating layer 72.
  • Example 1 by adjusting the average thickness of the Ni alloy layer 75, the interface between the nickel plating layer 72 and the solder layer 46 hardly breaks. Thereby, the strength and adhesion of the solder layer 46 can be improved.
  • a nickel film is formed on the solder pads of the substrate on which the solder resist layer 70 shown in FIG. 22 (A) is formed.
  • Example 3 the thickness of the nickel plating layer 72 was set to 0.03 to 10 m, and P in the nickel film was set to 0.4 to 17 wt%. At this time, the plating film thickness and phosphorus content were set in consideration of the plating tank volume and liquid circulation.
  • the palladium plating solution As the palladium plating solution, the following was used.
  • This electroless palladium plating solution was immersed for 3 to 10 minutes to form a palladium layer 73 having a thickness of 0.08 m on the nickel plating layer 72 (FIG. 22 (C)).
  • the thickness of the palladium layer 73 was set to be 0.008-2, and P was contained in an amount of 8 wt%.
  • the plating film thickness and phosphorus content are set in consideration of the plating tank volume and liquid circulation. It was.
  • solder paste 76 ⁇ was printed on the solder pads 77U and 77D in the opening 71 of the solder resist layer 70 (FIG. 23B).
  • Fig. 24 (A) shows an enlarged view of the solder pad 77U surrounded by the circle ⁇ in Fig. 23 ( ⁇ ).
  • the solder pad 77U also has a composite layer force of three layers of a nickel plating layer 72, a palladium layer 73, and an Au layer 74 that are sequentially formed on the conductor circuit 158.
  • solder bumps 76U and 76D were formed by reflowing in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. (FIG. 20).
  • Fig. 24 (B) shows an enlarged view of solder pad 77U surrounded by circle A in Fig. 20. During this reflow, most of the palladium layer 73 and the Au layer 74 are diffused to the solder bumps 76U and 76D side, and as shown in FIGS. 20 and 24 (B), the nickel plating layer 72 and the solder bumps 76U and 76D.
  • a Cu-Ni-Sn alloy layer 75 which is a Ni alloy layer, is formed at the interface.
  • the thickness of the nickel plating layer 72 is set to 0.05 to 10 m
  • P is contained in an amount of 0.4 to 17 wt% lower or higher than the P concentration of the palladium layer
  • the palladium layer 73 is The average thickness of the Ni alloy layer 75 is adjusted within the range of 1.0-2. 5 m by setting it to be 0.01 m—1.0 / zm and containing 2-7 wt% of P. .
  • Example 3-1-1 The electron micrographs of Example 3-1-1, the nickel layer, the Cu—Ni—Sn alloy layer, and the solder are the same as those of Example 1 1 1 described above with reference to FIGS.
  • the electron micrograph (X 20K) on the left side of Fig. 15 corresponds to Example 3-1-1.
  • the magnification (X 100K) is further enlarged.
  • the right side in FIG. 15, FIG. 16, and FIG. 17 is an electron micrograph of Comparative Example 11 of a Pd layer that does not contain P described later.
  • the lower side is the nickel layer
  • the upper side is the solder
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer intervenes at the interface between the nickel layer and the solder layer.
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer is continuous, that is, has a small undulation and is formed on the surface of the Ni layer.
  • Ag particles are uniformly arranged on the surface of the Cu—Ni—Sn alloy layer via the Sn skin layer.
  • the left side of Fig. 18 corresponds to the transmission electron micrograph of Example 3-11. From this electron micrograph, it can be seen that the Cu M—Sn alloy layer is plate-shaped, that is, formed in parallel along the nickel layer.
  • Example 3-1-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1.0 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-4 as the solder constituting the solder bump, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95wt% alloy was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / z m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.0.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped. [0345] [Example 3— 1 9]
  • Example 3-1-9 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-10 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.4 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-12 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • Au layer has a thickness of 0.5 set to / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-15 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-16 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 3-1-17 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 10%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-18 as the solder constituting the solder bump, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95wt% alloy was used.
  • the Ni layer had a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 10 wt ° / set.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-19 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-20 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-21 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-1-22 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 2 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped. [0359] [Example 3— 2— 1]
  • Example 3-1-1 lead-free CuZAg / Sn solder was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.5 / z m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m. By this?
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / z m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / z m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / z m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 0.5%. Meanwhile, Pd The layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 3 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.2 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.4 m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness l / zm P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 m.
  • Ni-Sn alloy layer is mainly plate-shaped It was the shape of.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer has a thickness of 0.05 m and a P content of 10 wt. / Set.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 10 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 2 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 3-3-1 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder bumps as in Example 3-1-1.
  • the Ni layer was set to Example 3-1-1 thickness 5 ⁇ m and P content 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 8 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • Example 3-3-1 as in Reference Example 3-2-1 described above, as shown in the electron micrograph on the right side of FIG.
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer was columnar, that is, mainly in the shape of columnar alloy crystals perpendicular to the nickel layer.
  • Example 3-3-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.008 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 3-3-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 0.009 m and a P content of lwt ° / set.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 3-3-4 a Ni layer using Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy as the solder constituting the solder bump, 5 ⁇ m thick, P content 1.2 Set to wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Example 3-3-3-5 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / zm and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed at the interface of the nickel layer mainly in the form of granules (granular crystals). [0386] [Example 3-3-6]
  • Example 3-3-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.06 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Example 3-3-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0. m and a P content of 3 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 3-3-3-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / z m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Example 3-3-3-9 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed on the interface of the nickel layer. [0390] [Example 3—3—10]
  • Example 3-10 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Example 3-3-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • Example 3-3-12 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.0.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed on the interface of the nickel layer.
  • Example 3-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 ⁇ .
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules. [0394] [Example 3-3-14]
  • Example 3-3-14 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder bump.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / z m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 8 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.008 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 1%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • Pd The layer was set to a thickness of 2.0 / zm and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / zm and a P content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.06 m.
  • the NiSn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / zm and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 0.4%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the NiSn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 m.
  • Ni The —Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 m and a P content of 17 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the NiSn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m, and the P content was set to 0% (this Pd layer had a Pd portion as in Example 15-1 described above with reference to the micrograph of FIG. 19). And the underlying Ni layer is visible in the porous).
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer became granular.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.07 ⁇ m and a P content of 5 wt% (this Pd layer is similar to Example 15-2 described above with reference to the micrograph in FIG. 20). It can be formed uniformly!
  • the Au layer was set to a thickness of 0.07 m.
  • a flux containing copper was used.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-like, similar to Example 1-1-1 with reference to the electron micrograph on the left side of FIG.
  • Reference Example 3-1 1 Reference Example 3-1 16 and Reference Example 3-2-1 Reference Example 3-2-16 are built up in the same manner as in Example 3 described above with reference to FIG. A multilayer wiring board is formed and solder Amplifier was formed.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / z m and a P content of 1.2 wt%.
  • Electron micrographs of the nickel layer, Cu—Ni—Sn alloy layer, and solder of Reference Example 3-11 are the same as Reference Example 1-1-1 with reference to FIGS. From the electron micrograph on the right side of Fig. 15, it can be seen that in Reference Example 3-1-1, the Cu-Ni-Sn alloy layer is discontinuous, that is, has large undulations and is formed on the surface of the Ni layer. Furthermore, from the electron micrographs on the right side of FIGS. 16 and 17 where the magnification was increased, it was confirmed that Ag particles were scattered unevenly on the surface of the Cu—Ni—Sn alloy layer via the Sn skin layer. I understand. In Reference Example 3-1-1, as shown in the electron micrograph on the right side of FIG. 18, the Cu—Ni—Sn alloy layer is columnar, that is, columnar alloy crystals are formed vertically along the nickel layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / zm and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.0 m and a P content of 0.8 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.0 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 0.5 ⁇ m and a soot content set to Owt ° /.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2 wt%.
  • Au layer is 0.05 ⁇ m thick set to m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 ⁇ .
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 0.5 ⁇ m and a soot content of 0%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.008 / m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 16 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.008 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ and a soot content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 / zm and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 2.1 ⁇ m.
  • the Ni layer was set to a thickness of 12 / ⁇ ⁇ and a soot content of 17 wt%.
  • the Pd layer had a thickness of 1.5 ⁇ m and a soot content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 2. ⁇ ⁇ ⁇ .
  • Example 4 force targeting a build-up multilayer wiring board
  • Example 4 the same multilayer multilayer printed wiring board as in Example 2 is targeted.
  • FIG. 25 shows a cross-sectional view of the printed wiring board 30 of the fourth embodiment.
  • the multilayer printed wiring board 30 is a printed wiring board for mounting a semiconductor on which an IC chip 80 is mounted.
  • the multilayer printed wiring board 30 is formed by stacking a plurality of substrates 31, and each substrate 31 is provided with a through hole 36, a noise hole 38, and a conductor circuit 34.
  • a conductor circuit 34U is provided on the upper surface side of the multilayer printed wiring board 30, and a conductor circuit 34D is provided on the lower surface side.
  • a solder resist layer 70 is provided on the surface side of the conductor circuit 34U on the upper surface side, and a part of the conductor circuit 34U is exposed through the opening 71 of the solder resist layer 70 to form a bonding pad 42.
  • a solder resist layer 70 is provided on the front surface side of the conductor circuit 34D on the lower surface side, and a part of the conductor circuit 34D is exposed through the opening 71 of the solder resist layer 70 to constitute the solder pad 44.
  • a solder layer 46 for connection to an external printed wiring board is formed on the solder pad 44.
  • An IC chip 80 is arranged on the upper surface of the multilayer printed wiring board via an adhesive 84, and the terminal 86 of the IC chip 80 is bonded to the bonding node 42 on the multilayer printed wiring board side by a wire 82. Has been.
  • FIG. 29 (B) is an enlarged view of the portion surrounded by circle B of the multilayer printed wiring board 30 in FIG.
  • a nickel plating layer 72 is provided on the conductor circuit 34D, and a solder layer 46 is connected via a Ni alloy layer 75 on the nickel plating layer 72.
  • the average thickness of the Ni alloy layer 75 is adjusted to make it difficult for fracture to occur at the interface between the nickel plating layer 72 and the solder layer 46. Thereby, the strength and adhesion of the solder layer 46 are improved.
  • a method for manufacturing the multilayer printed wiring board 30 of Example 4 will be described with reference to FIGS.
  • Example 4 the multilayer printed wiring board of Example 2 is manufactured until the process of forming the solder resist layer 70 having the opening 71 described above with reference to FIGS. 10 and 11A. Since it is the same as that of a process, explanation is omitted.
  • a nickel film is formed on the solder pads 34U and 34D in the openings 71 of the solder resist layer 70 shown in FIG. 26 (A).
  • Example 4 the thickness of the nickel plating layer 72 was set to 0.03-10 ⁇ and soot contained in the nickel film was set to 0.4 to 17 wt%. At this time, the thickness of the plating film and the phosphorus content were set in consideration of the volume of the plating tank and the liquid circulation. As a result, even if the conductor circuit 34U and the conductor circuit 34D are provided with a rough coating layer, the uneven portions thereof can be completely covered, and the surface state of the nickel plating layer 72 can be made uniform.
  • the palladium plating solution As the palladium plating solution, the following was used.
  • Example 4 This electroless palladium plating solution was immersed for 3 to 10 minutes to form a palladium layer 73 having a thickness of 0.08 m on the nickel plating layer 72 (FIG. 26 (C)).
  • the thickness of the palladium layer 73 was set to be 0.008-2.
  • the thickness of the plating film and the phosphorus content were set in consideration of the volume of the plating tank and the liquid circulation.
  • the bonding pad 42 was formed on the conductor circuit 34U on the upper surface, and the solder pad 44 was formed on the conductor circuit 34D on the lower surface.
  • the thickness of the palladium layer 73 was set to 0.01 to 1.0 m, and P was contained 2 to 7 wt%.
  • FIG. 29A shows an enlarged view of the solder pad 44 in FIG. 27B.
  • the solder nod 44 has a composite layer force of three layers of a nickel plating layer 72, a palladium layer 73, and an Au layer 74 sequentially formed on the conductor circuit 34D.
  • solder layer 46 was formed by reflowing in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. (FIG. 28A). During this reflow, most of the palladium layer 73 and the Au layer 74 diffuse to the solder layer 46 side, and as described above with reference to FIGS. 25 and 29B, the nickel plating layer 72 and the solder layer 74 At the interface with 46, a Cu—Ni—Sn alloy layer 75 of Ni layer and solder composition metal is formed.
  • step 4 of the process the temperature of the noradium layer 73 is set to 0.01 m and 1.0 m, so that it is set so that 2-7 wt% of P is contained, Cu—Ni—
  • the average thickness of the Sn alloy layer 75 was adjusted.
  • An IC chip 80 was mounted on the upper surface of the completed multilayer printed wiring board 30 via an adhesive 84 (FIG. 28 (B)). Thereafter, a bonding wire 82 was bonded between the terminal 86 of the IC chip 80 and the bonding pad 42 on the multilayer printed wiring board 30 side (see FIG. 25).
  • An external connection terminal (in this case, BGA) was placed on the solder layer.
  • a PGA may be placed on the external connection terminal.
  • a component such as a capacitor may be mounted on the solder layer.
  • Example 4 1-1 an alloy of Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and the soot content was set to 1.2 wt%, and the Pd layer was set to a thickness of 0.5 m and the P content was 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer mainly has a plate-like shape as in Example 1-1-1 described above with reference to the electron micrograph on the left side of FIG. That is, they were formed in parallel along the nickel layer.
  • Example 4 1-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 14 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 / ⁇ and a soot content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 7%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-6 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1 9 In Example 4 1-9, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 0.5%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.2 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 4-1-10 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.4 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-11 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-12 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4-1-13 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 4-1-15 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Examples 4-1-16 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 m and a P content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-17 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer has a thickness of 0.05 m and a P content of 10 wt ° /.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4-1-18 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as solder constituting the solder layer.
  • the thickness of the Ni layer was set to m and the P content was set to 10 wt ° / ⁇ . on the other hand
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-19 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, and Sn: 95 wt% alloy were used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 120 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-21 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4 1-22 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 2 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to have the same thickness as Example 4 2-1, 5 m, and P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness: L m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer mainly has a plate shape.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1.0 / zm and a P content of 7 wt%.
  • Au layer thickness set to 0.03 ⁇ m did.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.02 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 3 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.2 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.4 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped. [0488] [Example 4 2-15]
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.3 / ⁇ ⁇ and a soot content of 8 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to have a thickness of 0.05 m and a P content of 10 wt ° /.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 10 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.05 m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer is set to a thickness of 0.5 ⁇ m. Set.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the NiSn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 8 / ⁇ ⁇ and a soot content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.01 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ ⁇ and a soot content of 15 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 1 ⁇ m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 2 m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly plate-shaped.
  • Example 4-3-14 As in Example 4-1-1, Example 4-1-14, the solder constituting the solder layer was Cu: 0.5 wt%, An alloy of Ag: 3.5 wt% and Sn: 95 wt% was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.009 ⁇ m and a P content of 8 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m.
  • the Cu—Ni—Sn alloy layer is columnar, that is, columnar alloy crystals are formed vertically along the nickel layer. [Example 4 3-2]
  • Example 4 3-2 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.008 m and a P content of 7 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 4 3-3 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to have a thickness of 0.009 m and a P content of ⁇ %.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / zm. By this?
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly columnar.
  • Example 4 3-4 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 5 ⁇ m and a P content of 1.2 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 2 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.05 / zm.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed into a granular material at the interface of the nickel layer.
  • Example 4 3-5 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / z m and a P content of 5 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 / zm.
  • the Ni-Sn alloy layer was formed as a granular material (granular crystals) at the interface of the nickel layer.
  • Example 4 3-6 as the solder constituting the solder layer, Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used.
  • the Ni layer was set to a thickness of 10 / ⁇ and a soot content of 5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 2.0 / zm and a P content of 9 wt%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.06 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed as a granular material at the interface of the nickel layer.
  • Example 4 3-7 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.4 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.03 ⁇ m and a P content of 3%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.03 / m.
  • the Ni—Sn alloy layer was formed mainly at the interface of the nickel layer in the form of granules.
  • Example 4 3-8 Cu: 0.5 wt%, Ag: 3.5 wt%, Sn: 95 wt% alloy was used as the solder constituting the solder layer.
  • the Ni layer was set to a thickness of 0.03 m and a P content of 0.5 wt%.
  • the Pd layer was set to a thickness of 0.2 / z m and a P content of 7%.
  • the Au layer was set to a thickness of 0.04 ⁇ m.
  • the Ni—Sn alloy layer was mainly formed into a granular body and formed at the interface of the nickel layer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

　　【課題】　強度、密着性に優れる半田パッド構造にすることによって密着性、電気接続性、信頼性に優れるプリント配線板を提案する。 　　【解決手段】　半田パッド７７Ｕ上には、Ｎｉ層７２、Ｐｄ層７３からなる複合層が形成され、該複合層上の半田７６αは、鉛が含有されていない半田からなる。Ｐｄ層（パラジウム層）が半田をハジク現象などを低下させるために、半田との密着性を向上させることができる。Ｐｄ層は、金層と比較して剛性に優れているために、熱応力がＰｄ層内で吸収されて、緩衝され、熱応力により半田バンプもしくは半田層への応力を伝達させることを低減させる。

Description

明 細 書
プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体素子が搭載される半導体搭載用の多層プリント配線板に関する ものである。
背景技術
[0002] 一般的にプリント配線板の最外層は、導体回路を保護するために、ソルダーレジス ト層を施されている。半田バンプを形成する際には、導体回路との接続のためにソル ダーレジスト層の一部を開口し露出させた半田パッド形成する。半田パッドとなる部 分にニッケル層、金層を施した上に半田ペーストを印刷して、リフローを行うことで半 田バンプを形成し、外部基板の接続部では、半田層を形成し外部接続端子を配置し た。それらの従来技術として、特開平 10-154876号等が提案されている。
特許文献 1：特開平 10- 154876号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] し力しながら、半田パッドの開口径が小さくなると（例えば、半田パッドの開口径が 2 OO /z m以下）、半田ペーストを印刷で半田パッド上に形成させると、パッド上半田の 充填不足、未充填等の不具合により半田バンプの形状や外部端子接続用の半田層 が保持できず、半田バンプや半田層としての機能を果たさなくなることがある。そのた めに、電気接続性や信頼性が低下してしまうことがある。
更に、半田パッドの開口径が小さくなるにつれて、例えば、半田パッドと半田バンプ との接続面積が小さくなるために、密着性も低下してしまう。外部接続側でも同様のこ とを引き起こし、密着性を低下してしまうことがある。その結果として、半導体素子ゃプ リント配線板として、電気接続性や信頼性が低下してしまうこともある。
また、半田ペーストや半田層内に気泡が形成され、その気泡が半田の破裂などを 引き起こしたりするし、そのまま半田内に気泡が残留することにより、電気接続性を行 う半田としての機能が低下してしまうこともあり、早期に信頼性を低下させてしまう要因 にもなつた。
[0004] さらに、従来の半田パッド構造 (ニッケル 金)よりも熱応力を緩衝することが求めら れている。そもそも熱応力が発生した際には、半田バンプもしくは半田層にも熱応力 が掛力つてしまうのである。半田パッドの開口径が小さくなるにつれて、熱応力が緩衝 されない場合には、半田バンプもしくは半田層の破損や亀裂などの不具合が発生し てしまう。その結果として、プリント配線板としての電気接続性や信頼性を低下してし まうのである。
[0005] そのために半田パッドや半田層内の金属間、半田バンプと半田バンプ間での強度
、耐食性を改善する必要がある。
特に、ヒートサイクル条件下や高温高湿条件下などでの信頼性試験にぉ 、ては、 長期間のプリント配線板としての信頼性を確保することを困難とさせていた。
[0006] さらに、半田バンプに鉛レスの半田を用いると、鉛半田よりも靱性が低いと共に、応 力を内部で吸収しないため、その不具合の傾向が顕著になる傾向になった。
[0007] 本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするとこ ろは、強度、密着性に優れる半田パッド構造にすることによって密着性、電気接続性
、信頼性に優れるプリント配線板及びその製造方法を提案することにある。
課題を解決するための手段
[0008] [第 1の発明：実施例 1、実施例 2]
発明者が鋭意研究した結果、ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが 形成され、該半田パッドから露出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層 上には外部接続用の半田バンプあるいは半田層が形成されるプリント配線板であつ て、
前記複合層は、 Ni層（ニッケル層）、 Pd層（パラジウム層）からなることを技術的特徴 とする。
[0009] また、ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド 力 露出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半 田バンプあるいは半田層が形成されるプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Pd層からなり、 前記半田バンプあるいは半田層は、鉛が含有されていない半田力もなることを技術 的特徴とする。
[0010] 本願発明における複合層とは、導体回路側から順に Ni層、 Pd層で積層させている のである。つまり、半田パッドからの導体回路上に、 Ni層、 Pd層力もなる複合層を積 層して、その上に半田バンプもしくは半田層を形成させているのである。半田バンプ であれば、半導体素子などとの電気接続を行うものであり、半田層であれば、外部接 続端子 (BGA、 PGA等）を介して、外部基板との電気接続を行うのである。
[0011] Pd層（パラジウム層）が半田をノヽジク現象などの不具合を低下させることができるの である。そのために、結果として半田との密着性は、従来からの半田パッド構造と比 ベると向上させることができるのである。
[0012] その理由として、めっきにより形成されたパラジウムは、未析出などの不具合が形成 され難いし、パラジウム層の表層は、酸化皮膜の形成の割合が Au層（金層）に比べ て、小さい。そのために、半田を実装させても、半田をノヽジクなどの不具合を発生す ることが少ない。また、半田パッド内には、所望の大きさの半田バンプもしくは半田層 を形成することができるのである。そのために、半田バンプや半田層が所望の大きさ となるために、結果として半田バンプもしくは半田層と導体回路との密着性が低下し にくくなる。また、プリント配線板としての機能などもを低下しにくくなる。
[0013] また、パラジウム層を用いることにより、熱応力を緩衝させやすくなり、その結果とし て、半田バンプもしくは半田層への不具合を低減させることができるので、電気接続 性や信頼性を向上させることができるのである。
[0014] その理由として、パラジウム層は、金と比較して剛性に優れている。そのために、熱 応力が Pd層内で吸収されて、緩衝されるのである。そのために、熱応力により半田バ ンプもしくは半田層への応力を伝達させることを低減させる。故に、半田バンプもしく は半田層の損傷などを引き起こしに《なるのである。そのために、半田バンプもしく は半田層を起因とする電気的な接続に不具合を起こし難いし、信頼性試験を行って も長期間における信頼性が確保されるのである。
[0015] この複合層の構成にすることにより、従来の半田パッド構造 (ニッケル層 金層）と比 ベて、電気接続性や信頼性を向上させることができるのである。 [0016] さらに、半田バンプもしくは半田層に鉛が含まれない (鉛フリー）半田を用いた場合 には、その効果が顕著になる。鉛フリーの半田は、鉛含有半田と比較して、熱応力を 緩衝することに対して劣っている。そもそも鉛含有半田（例えば、 SnZPd=6 :4)は、 発生した熱応力に対して、半田内での応力が緩衝されるのである。含有された鉛が 応力を吸収するからである。しかしながら、鉛フリー半田は、鉛含有半田と比較して、 応力を緩衝する力が乏しい。そのために、半田パッドに Ni層、 Pd層からなる複合層 を設けることにより、半田パッド構造全体で応力を緩衝させるのである。そのために、 従来の半田パッド構造 (Ni層- Au層）を比べて、半田自体の密着性がよいし、熱応 力に対する応力を緩衝し易くなり、形成された半田バンプもしくは半田層の破損や亀 裂などの不具合を抑えることができるのである。そのために、従来の半田パッド構造 に鉛フリー半田を実装したものよりも、電気接続性や信頼性を確保することができる のである。
[0017] また、 Ni層、 Pd層力 なる複合層が半田パッド上の導体回路上に設けられて、該 複合層上に、リフローなどを経て、半田バンプもしくは半田層が形成される。その際、 半田パッドである導体回路上には、 Ni層 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層一半田層 もしくは半田バンプという構造となる。ここで、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層力 半 田層との密着性を向上させることができるのである。つまり、 Ni合金層もしくは Ni— Sn 合金層が剛性を高めるため、引っ張りに対する耐性が高められるのである。その結果 として、ピール強度を向上させることができるのである。
[0018] この Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層は、その大きさに関わりなぐ引っ張りに対する 耐性が高められるのである。つまり、この場合には、半田パッドの大きさに関わりなぐ Ni合金層もしくは Ni合金層は、ピール強度を低下させにく!、のである。
[0019] ここで、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層力 半田層との密着性を向上させることが できるのである。つまり、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層が剛性を高めるため、引つ 張りに対する耐性が高められるのである。その結果として、ピール強度を低下させに くくなるのである。
この Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層は、その大きさに関わりなぐ引っ張りに対する 耐性が高められるのである。つまり、この場合には、半田パッドの大きさに関わりなぐ Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層は、ピール強度を低下させに《なるのである。 Ni合 金層としては、 Niと Sn、 Cu、 Bi、 Inなどとが含まれた合金層であり、主として、 Niの比 率が高ぐ 2成分系あるいは 3成分以上の他成分系であってもよ 、。
[0020] Ni— Sn合金層としては、 Ni、 Snが必ずが含有された合金層であり、その他に、 Cu 、 Bi、 Inなどが含まれていてもよい。主として Ni、 Snを合わせた比率が高ぐ 2成分系 あるいは 3成分以上の他成分系であってもよい。例えば、 Ni— Sn— Cu、 Ni-Sn-Bi 等が含有されて 、る合金層等である。
これらの Ni合金層もしくは M— Sn合金層により、剛性を低下させに《なるのである。
[0021] Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の厚みを調整することで、ニッケル層と半田バンプ との接合強度を低下させにくくし、引っ張り強度を、低下させに《することができる。
[0022] Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚みは、 1. 0-2. 5 mであることがより望 ましい。この範囲内にすることにより、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性がより低 下させにくくなり、その結果、引っ張り強度をより低下させにくくなることができる力もで ある。また、 Ni、 Sn以外の金属の組み合わせに関係なぐ引っ張り強度を低下させに くくなるのである。
[0023] ここで、平均厚みを 1. 0 μ m未満にする。あるいは、平均厚みが 2. 5 μ mを越える と、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層として剛性は確保され、通常に使用することはで きるが、上記の Ni— Sn合金層の厚みの範囲内にあるものと比べると、剛性が劣るため 、引っ張り強度も劣ってしまうことがある。
[0024] また、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚みを 1. 0-2. 5 μ mにするために は、複合層である Ni層の厚み、 P含有量などや Pd層の厚み、 P含有量などを調整す ることにより行えることが実験力も分力つた。つまり、半田バンプ形成の際、複合層が Ni層、 Pd層もしくは Ni層、 Pd層、貴金属層であると、 Pd層もしくは Pd層、貴金属層 が拡散して、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層が形成されるのである力 このときに、 N i層の厚み、 P含有量などや Pd層に厚み、 P含有量などにより Ni合金層もしくは Ni— S n合金層の厚みが調整されるのである。そのために、 Pd層の厚みを調整することが、 Ni— Sn合金層の厚みを変えて、その結果として、 Ni— Sn合金層の剛性が低下させ にくくし、引っ張り強度も低下させに《するのである。 [0025] Ni合金層もしくは Ni - Sn合金層は、この粒子の形状が板状体、柱状体、粒状体か ら選ばれる 、ずれかで構成されて 、るのである。これらの単独での構成であってもよ いし (例えば、板状体だけが積み重ねられた積層体)、それぞれ複合された構成であ つてもよい（例えば、板状体と柱状体とが混在する積層体)。これらの中で、主として 板状体で構成される合金層であることが望ましい。板状体は、それぞれの板状体間 での隙間が形成され難ぐ積層しやすい。そのために主として板状体で構成された合 金層は、剛性が確保されやすい。半田との引っ張り強度に対しても、強度が確保され やす 、。板状体だけで構成される合金層であることが特に望まし 、。
[0026] また、 Ni— Sn合金層は、（例えば Ni、 Sn、 Cu)三成分系力 なる合金層であること が望ましい。これらの三成分系からなる合金層は、均一に混ざりやすくなり、形状が均 一になりやすい。そのため合金層内で剥離などを引き起こしにくぐ剛性を確保しや すい。また、この合金層は、粒子の形状が板状体になりやすぐ剛性が高められやす い。
また、三成分系力 なる合金層は、 311: 01:?^= 30—90 : 10—50 : 1—30の範囲 内であれば、剛性が低下し難いのである。特に、半田バンプもしくは半田層に鉛が含 有されない (鉛フリー）半田を用いた場合には、熱応力により発生した応力が緩衝さ れやすいのである。そのために、鉛フリー半田内での損傷や亀裂を引き起こしにくく なり、電気接続性や信頼性が向上されるのである。特に、 Snが 40— 70wt%である N i Cu— Sn合金層において、剛性を高め易い。
[0027] Ni層の厚みを 0. 05— 10. 0 μ mにすれば、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平 均厚みを 1. 0—2. にしゃすい。
このため、 Ni層の厚みが 0. 05 μ m未満では、 Ni拡散を十分に行わないので、 Ni 合金層の厚みを薄くしやすいのであり、その結果として Ni合金層の厚みを 1. O ^ m 未満にしゃすくなるし、場合によっては、 Ni合金層の欠損などを発生してしまうことが あり、その結果として、半田パッドでの剛性を低下させてしまうことがある。
反対に、 Ni層厚みが 10. 0 mを越えると、 Ni拡散が十分に行われるので、 Ni合 金層の形成を助長されるためと Ni合金中の Ni含有量が増える（例えば、 Sn-Ni-Cu である 3元素系合金中の Ni含有量が増加する。）ので、 Ni合金層の厚みを厚くしゃ すいのである。この場合、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚みが 2. を 越えやすくなり、その結果、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性が低下させてしま うことがある。
[0028] また、 Ni層は、 0. 05-1. 0 μ mであることがより望ましい。この範囲であれば、 Ni 合金層もしくは Ni— Sn合金層の厚みが 1. 0-2. 5 mから外れることがないし、 Ni 合金層もしくは M— Sn合金層も連続性があり、欠損しに《なるのである。つまり、半 田パッドの剛性を低下させに《なるのである。
さらに、 Ni層は、 0. 05-0. 3 /z mであることがもっとも望ましい。その範囲であれば 半田に用いられる組成に関わらず Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層を形成させること ができるのである。つまり、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層内での Ni含有量が高くな りにくいので、結果として、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層が所望の範囲内に収まる ので、そのために、半田パッドでの剛性を低下させにくくなるのである。
[0029] Pd層の厚みを 0. 01—1. 0 μ mにすれば、 Ni— Sn合金層の平均厚みを 1. 0—2.
5 μ mにしゃす!/ヽのである。
ここで、 Pd層は、 Ni拡散を抑制し Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の形成を阻害す る働きを持つ。このため、 Pd層の厚みが 0. 01 μ m未満では、 Ni拡散を十分に抑制 し得ず、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の厚みを厚くしやすいのである。この場合、 Ni合金層の平均厚みが 2. 5 μ mを越えてしまい易ぐそのために、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性が向上されにくくなるのである。
[0030] 反対に、 Pd層厚みが 1. 0 mを越えると、 Ni拡散を抑制されるので、 Ni合金層もし くは Ni— Sn合金層の形成が阻害されるため、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の厚 みを薄くしやすいのである。この場合、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚み が 0. 01 μ m未満になりやすぐそのために、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性 が向上されにくくなるのである。
[0031] 特に、 Pd層の厚みは、 0. 03-0. 2 /z mであることがより望ましい。この範囲内にす ることにより、局所的な厚みのばらつきになったとしても、 Pd層の厚み力 0. 01-1. 0 mの範囲内となる力 である。そのために、形成される Ni合金層もしくは Ni— Sn 合金層を上述の所望の範囲内にしゃすぐそのために、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合 金層としての剛性を低下させに《なるのである。
[0032] Pd層内のリン（P)の含有量により、 Ni合金層の厚みを制御することもでき、 Pd層の 剛性を高めることができるのである。
Pd層内の Pの含有量が Pの含有量を 2— 7wt%にすることが望ましい。これにより、 形成された Pd層は、ポーラスとなりにくいし、皮膜が均一になりやすいし、表層の酸 化皮膜を形成されに《なる。さらに、形成された Pd層は剛性が確保されやすくなる。 さらに形成された Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層が形成されやすくなるので、 Ni合 金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性を確保しやすいからである。
[0033] ここで、 Pd層の Pの含有量が 2%未満あるいは、 Pd層の Pの含有量が 7%を越える と、 Pd層を均一に Ni層に被覆できず、 Pd層にポーラスが残る。 Pd層の表層には酸 化皮膜が形成されやすくなり、半田を形成したとしても密着性が低下しやすくなる。ま た、 Pd層自体の剛性を低下してしまうことがあり、熱応力を緩衝しに《なる。そのた めに、半田バンプもしくは半田層へ応力が集中してしまうことがあり、半田への破損や 亀裂などの不具合を引き起こしてしまうことがある。また、信頼性試験を行うと長期間 の信頼性を確保されにくくなる。通常での信頼性は確保されて 、る。
[0034] また、半田をリフローさせた後に形成される Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層が厚く なりやすくなり、その結果として形成された Ni合金層もしくは Ni—Sn合金層は、その 機能を果たすことができるが、剛性を向上させに《なるのである。その端的な例とし て、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚みが 2. 5 μ mを越えてしまうことがある
[0035] 更に、 Pd層の Pの含有量力 一 6wt%にすることが特に望ましい。 P含有量を範囲 内にすることにより、局所的なバラつきが発生したとしても、 Pの含有量を 2— 7wt% カゝら大きく逸脱することがない。形成された Pd層の表層には、酸化皮膜が形成されに くくなり、半田を形成するときもハジクなどの不都合が起こり難くなり、密着性が確保さ れるのである。さらに、 Pd層自体の剛性も確保されることとなり、熱応力に対する応力 緩衝させやすくなるからである。そのために、 Pd層上に形成された半田への破損や 亀裂などの不具合が引き起こされにくくなり、電気接続性や信頼性を低下させること 力 Sな、。ヒートサイクル条件下や高温高湿条件下などの熱に関する信頼性試験を行 つても、機能の劣化がゆっくりと発生し、長期間に渡り、信頼性を確保しやすくなるの である。
また、半田のリフローを経て形成された Ni合金層もしくは Ni—Sn合金層の厚みが所 望の範囲に収まる。その結果として、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性をより向 上させやすくなるのである。つまり、剛性を低下しに《なるのである。
Pd膜の厚み、 Pd膜のリン含有量は、めっき時間、めっき温度、めっき液組成、めっき 液中の PHなどの条件を調整することにより、膜の厚み、リン含有量を調整ができる。 めっき液の槽の大きさ、液流によって、ノ ラつきは生じる力 予め条件による厚みの 相関を見出すことが必要である。
[0036] ここで、 Pd層に適量の Pを含有するとポーラスの無 、Pd膜が形成できる理由につ いて、図 30を参照して説明する。
図 30 (A)は、適量の Pを含有する場合を示している。ここでは、 Pd膜の形成には、 無電解めつき処理により行われ、そのめつき液には還元剤として次亜リン酸系の薬液 を用いる。その一例として、次亜リン酸ナトリウム (NaH2P02)を用いる。まず、次亜リ ン酸イオン (H2P02-) 63がニッケル層上に吸着される（図 30 (A)中（1) )。次に、 N iが触媒となり、次亜リン酸イオンに脱水素分解 (H2P02-+ 2H→Pd + 2H + )を起 こさせる。この脱水素分解により発生した水素原子 65は、 Ni表面に吸着され活性ィ匕 される（図 30 (A)中（2) )。めっき浴中の Pdイオン（Pd2 + )が Ni表面の水素から電子 をも b\、Pd金属に還元（Pd2 + + 2H→Pd + 2H + )される（図 30 ( A)中（ 3) )。析出 した Pd金属が触媒になって、 Ni表面に同じメカニズムで Pdが析出していく（図 30 (A )中（4) )。ここで、 Pd— Pの Pは還元剤である次亜リン酸が共析出したものである。次 亜リン酸が Niを触媒活性する働きがあるため Ni表層上で選択性なくめつき、即ち、緻 密な Pd層を形成することができる。さらに、このとき、次亜リン酸の濃度を調整すること により、 Pd層である皮膜内に、 Pの含有量を調整することができるのである。
[0037] 図 30 (B)は、 Pを含有しな 、純 Pdの場合を示して!/、る。ここでは、 Pd膜の形成には 、無電解めつき処理により行われ、そのめつき液には還元剤として Pを含まないギ酸（ HCOOH)を用いる。まず、 Ni表面には Niめっき反応中に発生する水素原子 65が 吸着される（図 30 (B)中（1) )。次に、めっき浴中の Pdイオンが Ni表面の水素と触れ ると Pdイオンが金属に還元される（図 30 (B)中（2) )。 Pd析出反応の影響でギ酸が H 2と C02との分解される（図 30 (B)中（3) )。 Pdイオンはギ酸の分解で発生した水素 力 電子を貰い金属に還元される（図 30 (B)中（4) )。このときに形成された Pd層は、 還元剤としてギ酸を使用している。しカゝしながら、初期析出時にはギ酸は還元剤とし て働けないため Ni表層の水素が還元剤となる。しかし、 Ni表層には多くの水素が存 在する訳ではないので、選択性のあるめつき皮膜となる、即ち、ポーラスな形状となる Pdめっき層を形成することになる。
[0038] なお、前述の各金属の定量は、エネルギー分散法 (EDS)にて行った。その方法で は、 SEM (走査電子顕微鏡）、また、 TEM (透過電子顕微鏡)の励起源である電子 線を資料の表面に照射することで、種々の信号を発生させる。その中で、主に特性 X 線を Si (Li)半導体検出器で検出し、そのエネルギーに比例した数の電子 ·正孔対を 半導体中に作り、電気信号を発生させ、増幅、アナログ、デジタル変換後、マルチチ ヤンネルアナライザを用いて識別することにより、 X線スペクトルを得て、そのピークェ ネルギ一から元素の同定をそのピークの量から定量分析する。その測定、定量には 、エネルギー分散形 X線分析装置（日本電子 (株)製形 ED - 2140)を用いた。形 成した金属層を直接照射させて行!、、金属の定量測定を行った。
[0039] Pd層の厚みは 0. 01—1. 0 mの範囲で形成するのがよい。特に 0. 03— 0. 7 μ mの範囲で形成するのがよい。 Pd層の厚みが 0. 01 μ m未満では、 Ni合金層もしく は Ni— Sn合金層を形成することが助長されない。そのために、局所的にでも Ni合金 層もしくは Ni— Sn合金層を形成されないところがあり、そのために、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性が向上させにくくなり、その結果として、 Ni— Sn合金層のピー ル強度も向上に《なる力もである。逆に、 Pd層の厚みが を越えると、その厚み により、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の形成の助長が阻害されてしまうことがある。 そのために、局所的にでも Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層を形成されないところがあ り、そのために、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性が低下してしまうことがあり、 その結果として、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層のピール強度も向上にくくなるから である（所望のピール強度は確保される）。
[0040] 本願発明における複合層を構成する Ni層は、 Ni— Cu、 Ni— P、 Ni— Cu— P等が含 有した合金金属で形成するのがよ ヽ。
Ni層を純粋な Niで膜を形成させると、めっき膜が全ての方向には積層されないこと があり、そのために微細な孔 (欠陥）が生じてしまうことがある。合金金属であると、孔（ 欠陥）を埋めることが行われるために、膜が均一に形成されるためである。 Ni層（中間 )-Pd層、 Ni層（中間) -Pd層-耐食層は、物理的な形成、化学的な形成のいずれで もよぐその双方を用いてもよい。また、単層あるいは 2層以上に積層してもよい。 特に、 Ni— P、 Ni— Cu— Pの合金金属で形成するのがよい。つまり、い力えると、 Ni 層には P (リン）が含有されていることが望ましい。その更なる理由としては、導体回路 表面に凹凸が形成されていても、その凹凸を相殺し、表層を平坦にした皮膜を形成 することができる。また、めっきで形成された場合には、形成された Ni層では、未析出 、反応停止などによる金属層の未形成、形成異常を起こし難いからである。また、 Ni 層上に形成される Pd層の形成を助長させることができ、 Pd層の未形成や形成異常を 起こしに《なる。そのために、形成した Pd層は所望のものとなり、複合層としても剛 性を確保させることができるのである。
[0041] Ni層中の P (リン）の含有量が 0. 5— 15wt%にすることが特に望ましい。 Pの含有 量が 0. 5wt%未満もしくは
Figure imgf000013_0001
Ni層の形成を阻害しやすくなる。 また、 Ni層上の Pd層の形成を助長されにくくなることがあり、結果として形成された P d層の未形成や形成異常等の不具合を引き起こしたりするし、 Pd層の剛性を確保さ れないことがある。そのために、電気接続性や信頼性を確保されないということがある 。プリント配線板として、通常使用する分には問題はなかったが長期間信頼性を必要 とするプリント配線板での優位さが出ることも有りうる。
ニッケル膜の厚み、ニッケル膜のリン含有量は、めっき時間、めっき温度、めっき液 組成、めっき液中の PHなどの条件を調整することにより、膜の厚み、リン含有量を調 整ができる。めっき液の槽の大きさ、液流によって、ノ つきは生じる力 予め条件に よる厚みの相関を見出すことが必要である。
[0042] Ni層および Pd層の双方に、 P (リン）が含有されることが望ま 、。双方にリンが含有 されること〖こより、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層を形成しやすくなり、その結果、半 田パッドでの半田バンプあるいは半田層で形成された該合金層での剛性などを低下 させにくくするのである。
[0043] Ni層中の P (リン）の含有量は、 Pd層中の P (リン）の含有量よりも低くすることが望ま しい。それにより、 Pd層が Ni層を被覆させていることとなり、 Pd層と Ni層との界面での 剥離を引き起こしに《なる。その結果として、該半田パッドの界面での不具合を起因 とする電気接続性や信頼性を低下させにくくなるのである。
Ni層中の P (リン)の含有量は、 Pd層中の P (リン)の含有量よりも高くすることが望ま しい。それにより、 Pd層と Ni層と半田での熱処理を行って、該合金層を形成させる際 、板状体となりやすくなり、その結果、該半田パッドでの所望もしくはそれ以上の剛性 を確保させことを行 ヽやすくなるのである。
[0044] 本願発明に用いられる半田としては、二成分系半田、三成分系半田、あるいは四 成分以上多成分系半田を用!、ることができる。これらの組成に含有される金属として は、 Sn、 Ag、 Cu、 Pb、 Sb、 Bi、 Zn、 In等を用いることができるのである。
[0045] 二成分系半田としては、 SnZP Sn/Sb, Sn/Ag, Sn/Cu, SnZZnなどであ る。また、三成分系半田としては、 SnZAgZCu、 Sn/Ag/Sb, Sn/Cu/Pb, S n/Sb/Cu, Sn/Ag/In, Sn/Sb/In, Sn/Ag/Bi, SnZSbZBi等を用いる ことができるのである。これら三成分系半田としては、三成分が 10wt%以上となるも のでもよいし、主となる 2つ成分で 95wt%以上を占めて、残が 1成分力もなる半田で あってもよい。（例えば、 Sn、Agの合計が 97. 5wt%、残が Cuとなる三成分系半田）
[0046] 鉛含有されてない (鉛フリー）半田としては、 SnZAg系半田、 SnZBi系半田、 Sn ZZn系半田、 SnZCu系半田等がある。これらの半田は、 SnZPbに比べると、熱応 力に対しての半田内での応力緩衝することが劣っている。そのために、半田内に応 力が残留しやす 、のである。
[0047] また、これ以外にも四成分以上力もなる多成分系半田を用いてもよい。多成分系半 田としては、例えば、 Sn/Ag/Cu/Sb, SnZAgZCuZBi等がある。 α線量を調 整した半田を用いてもよい。
[0048] 半田の成分と Ni層の界面で Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層を形成し得るものであ れば用いることができる。この Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層により、剛性が高めら れ、その結果として、半田のピール強度を低下させにくくすることができるのである。 [0049] その中でも Ni— Sn— Cuからなる Ni— Sn合金層であることが望ましい。この合金にす ることで剛性が高められるのである。また、該合金層には Ni、 Sn、 Cuの三種類以外 にも Ag、 Sb、 Bi、 Znなどが含有されていてもよい。これらが含有されていたとしても N i Sn— Cu合金層自体の剛性を劣化させるものではない。ただし、 Sn、 Ni、 Cuのい ずれかの金属よりも含有量が増えると剛性が劣化することがある。
[0050] また、これらの半田の融点としては、 150— 350°Cの間であることが望ましい。半田 の融点が 150°C未満であっても、逆に、半田の融点が 350°C以上であっても、 Ni-S n合金層の形成し難い場合がある。つまり、温度が低くても Ni— Sn合金が形成され難 いし、温度が高いと Niが分離してしまうので、 Ni-Sn合金となりに《なる力もである。 それ故に、上記の温度のものであれば、 Ni— Sn合金が形成されやすいのである。
[0051] 本発明のプリント配線板においては、導体回路を施したプリント配線板の表層の導 体回路に粗ィ匕層を形成することもできる。その平均粗度 (Ra)は、 0. 02— 7 /z mが望 ましい。その粗ィ匕層によって導体回路とソルダーレジスト層との密着性を向上させて いる。特に、望ましい範囲の平均粗度は、 1一 である。その範囲であれば、ソル ダーレジスト層の組成、厚み等に関係なく所望の密着性が得られる。
[0052] 粗化層の形成方法としては、 Cu— Ni— Pカゝらなる合金層などの無電解めつき形成す る方法、第二銅錯体と有機酸塩によってエッチングによって形成する方法や酸化還 元によつて形成する方法がある。場合によっては粗ィ匕層を Sn、 Znなどによって被覆 してちよい。
[0053] 最外層の導体回路は、ソルダーレジスト層で被覆保護されている。
ソルダーレジスト層としては、種々の榭脂を使用でき、熱硬化性榭脂、熱可塑性榭 脂、光硬化性榭脂、熱硬化性榭脂の一部に (メタ)アクリルィ匕した榭脂、これらの 2種 類以上用いた榭脂複合体であってもよい。榭脂としては、エポキシ榭脂、フ ノール 榭脂、ポリイミド榭脂、フエノキシ榭脂、ォレフィン榭脂などである。
[0054] ソルダーレジスト層の形成には、予め粘度を調整してワニス上にしたものを塗布す る。あるいは半硬化状態 (Bステージ）にしたフィルム状にしたものを貼り付ける。もしく は、塗布した後に、フィルムを貼り付ける方法などによって行われてもよい。また、異 なる 2種類以上の榭脂により、複数層で形成してもよい。 [0055] また、ソルダーレジスト層には、その一部を開口して半田パッドを設ける。このとき、 開口方法には、開口パッドが描画されたマスクをソルダーレジスト層上に載置して、 露光'現像を経て形成される方法 (フォトレジスト法）、炭酸ガスレーザ、エキシマレー ザ、 YAGレーザなどのレーザにより開口する方法のいずれかを用いることができる。 また、直接描画法により半田パッドの開口を形成する方法でもよい。
[0056] 露光 ·現像を経て形成するソルダーレジストでは、例えば、ビスフエノール A型ェポ キシ榭脂、ビスフエノール A型エポキシ榭脂のアタリレート、ノボラック型エポキシ榭脂 、ノボラック型エポキシ榭脂のアタリレートをァミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤など で硬化させた榭脂を使用できる。
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラ ック型エポキシ榭脂もしくはノボラック型エポキシ榭脂のアタリレート」力もなり、「イミダ ゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ま 、。
[0057] 次いで、当該導体回路上にソルダーレジスト層を形成する。本願発明におけるソル ダーレジスト層の厚さは、 5— 40 /z m力よい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず 、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となる 力 である。
[0058] このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダー レジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジス ト層は、ノボラック型エポキシ榭脂のアタリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した榭 脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、半田が溶融する温度 (200 °C前後）でも 劣化しないし、ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めつきのような強塩基性のめっき 液で分解することもない。
[0059] しカゝしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成される ので剥離が生じやすい。粗ィ匕層は、このような剥離を防止するために有効である。
[0060] 上記ノボラック型エポキシ榭脂のアタリレートとしては、フエノールノボラックやクレゾ 一ルノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸ゃメタクリル酸などと反応させたェ ポキシ榭脂などを用いることができる。
上記イミダゾール硬化剤は、 25°Cで液状であることが望ましい。液状であれば均一 混合できるからである。
[0061] このような液状イミダゾール硬化剤としては、 1-ベンジルー 2-メチルイミダゾール（品 名： 1B2MZ )、 1-シァノエチルー 2-ェチルー 4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ- CN) 、 4-メチルー 2-ェチルイミダゾール（品名：2E4MZ )を用いることができる。
[0062] このイミダゾール硬ィ匕剤の添カ卩量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対 して 1一 10重量％とすることが望ましい。この理由は、添カ卩量がこの範囲内にあれば 均一に混合しやす 、からである。
[0063] 上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてダリコールエーテル系の溶剤 を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表 面を酸ィ匕させない。また、人体に対する有害性も少ない。
[0064] このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、 ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG)およびトリエチレングリコールジメチ ルエーテル（DMTG)力 選ばれる!/、ずれか少なくとも 1種を用いる。これらの溶剤は 、 30— 50°C程度の加温により反応開始剤であるベンゾフヱノンゃミヒラーケトンを完全 に溶解させることができる力らである。
CH O- (CH CH O) n — CH (n= l— 5)
3 2 2 3
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して 10 一 40wt%がよい。
[0065] 以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤ゃレベリン グ剤、耐熱性ゃ耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性榭脂、解像度改善 のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レべリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体力もなるものがよい。また 、開始剤としては、チバガイギー製のィルガキュア 1907、光増感剤としては日本ィ匕薬 製の DETX— Sがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添カ卩してもよい。配線パターン を隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ま しい。 [0066] 添加成分としての上記熱硬化性榭脂としては、ビスフエノール型エポキシ榭脂を用 いることができる。このビスフエノール型エポキシ榭脂には、ビスフエノール A型ェポキ シ榭脂とビスフエノール F型エポキシ榭脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者 力 低粘度化が要求される場合 (塗布性を重視する場合）には後者がよい。
[0067] 添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いるこ とができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。 例えば、 日本ィ匕薬製の DPE— 6A又は、共栄社ィ匕学製の R— 604のような多価アタリ ル系モノマーが望ましい。
[0068] また、これらのソルダーレジスト組成物は、 25°Cで 0. 5— 10Pa' s、より望ましくは 1 一 lOPa' sがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。ソルダ-レジスト 形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。また、巿 販のソルダーレジストを用いてもよ 、。
[0069] ソルダ—レジスト層形成後、ソルダーレジスト層の開口部に Ni層 Pd層力もなる複合 層を形成させる。
その一例として、半田パッドから露出した導体回路上に無電解めつきにて Niを含有 した金属層を形成させる。めっき液の組成の例として硫酸ニッケル 4. 5gZl、次亜リ ン酸ナトリウム 25gZl、クェン酸ナトリウム 40gZl、ホウ酸 12gZl、チォ尿素 0. lg/1 (PH= 11)がある。脱脂液により、ソルダ—レジスト層開口部、表面を洗浄し、ノ ラジ ゥムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液 に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させた。
[0070] ニッケル層形成後、 Pd層を Ni層上に形成させる。
必要に応じて、 Pd層上に Au、 Ag、 Pt、 Snの中から選ばれる金属で耐食層を形成 させる。特に金で形成させるのがよい。場合によっては同一金属で置換めつき、無電 解めつきを経て 2層で形成してもよい。厚みは、 0. 01— 2 mであるのが望ましい。
[0071] 開口部に耐食層を施し半田パッドとした後、開口部内に二成分系半田、三成分系 半田もしくは多成分系半田である半田ペーストを印刷により充填する。その後、温度 250— 350°Cにした窒素リフローを通し、半導体素子と接続する半田パッド側には、 半田バンプとして開口部内の半田パッドに固定させる。鉛を含有しない (鉛フリー）半 田を用いてもよい。
また、外部接続端子側半田パッドには、半田層として形成し、半田層上には外部接 続端子 (BGA、 PGA等)を載置させる。また、半田層にコンデンサなどの部品を実装 してちよい。
[0072] [第 2の発明：実施例 3、実施例 4]
発明者が鋭意研究した結果、ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが 形成され、その半田パッドから露出した導体回路上に複合層を設ける。
本願発明における複合層の一つは、 Ni層、 Ni合金層（場合によっては、前述の Ni— Sn合金層）であり、もう一つは Ni層、中間層、貴金属層を示している。半田パッドにこ れらの複合層を配置させて、半田バンプや半田層を設け、半導体素子や外部基板と の接続を行う外部接続端子 (BGA、 PGA等）により電気接続を行っているのである。
[0073] 複合層として、 Ni層、 Ni合金層を形成させる場合として、例えば、その一例として、 Ni層、 Niと他の金属とで形成された合金層、 Ni層と Ni— Sn含有された Ni— Sn合金 層、 Ni層、 Cu— Ni— Sn含有された合金層などがある。これ以外にも In、 Bi、 P等が含 有されたものであってもよ 、。
これらの複合層が半田パッド上の導体回路上に設けられて、該複合層上に、リフロ 一などの加熱処理を経て、半田バンプが形成されるし、半田層であれば、他の電子 部品や外部接続端子を配置させる。それにより、半田パッド上には、複合層（Ni層— Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層）一半田層もしくは半田バンプという構造となる。ここ で、 Ni合金層（あるいは Ni— Sn合金層でも可）が、半田との密着性を向上させること ができるのである。つまり、 Ni合金層が剛性を高めるため、引張りに対する耐性が高 められることを可能とするのである。その結果として、従来の半田パッド構造であるも のを比較して、ピール強度を向上させることができるのである。
この Ni合金層は、その大きさに関わりなぐ引張りに対する耐性が高められるのであ る。つまり、この場合には、半田パッドの大きさに関わりなぐ Ni合金層は、従来の半 田パッド構造と比較して、ピール強度を向上させることができるのである。
[0074] また、複合層として、 Ni層、中間層、貴金属層を形成させる場合として、例えば、そ の一例として、ニッケル層（Ni層）—パラジウム層（Pd層）—金層（Au層）、ニッケル層 ( Ni層）—パラジウム層（Pd層） 銀層（Ag層）などがある。
これらの複合層を設け、該複合層上に、リフローして半田層や半田バンプを設ける と、中間層及び貴金属層は、半田側に拡散してしまう。そのため、ニッケル層と半田 バンプとの界面に、 Niと半田組成金属力もなる Ni合金層が形成されるのである。 (Ni 合金層には、例えば、 Niと他の金属との 2成分もしくは 3成分以上の合金層、 Ni-Sn 含有された Ni-Sn合金層、 Cu-Ni-Sn含有された合金層などがある）
ここで、 Ni合金層が、半田層もしくは半田バンプとの密着性を向上させることができ るのである。つまり、 Ni合金層を形成させることが半田パッドとしての剛性を高めるた め、引張りに対する耐性が高められることが可能となるのである。その結果として、従 来の半田パッドと比較して、ピール強度を低下させに《することができるのである。 この Ni合金層は、その大きさに関わりなぐ引張りに対する耐性が低下しにくくする 。つまり、この場合には、半田パッドの大きさに関わりなぐ Ni合金層は、従来の半田 ノッド構造と比較して、ピール強度を低下させに《するので、結果としてピール強度 を向上させやすくすることができるのである。
[0075] Ni合金層としては、例えば、 Niと他の金属との 2成分もしくは 3成分以上の合金層、 Ni— Snが含有されている合金層、 Cu— Ni— Snが含有されている合金層等である。こ れらの Ni合金層により、半田パッド内での半田層や半田バンプでの剛性を向上させ ることができるのである。
[0076] Ni合金層の厚みを調整することで、ニッケル層と該合金層（Ni合金層もしくは Ni-Sn 合金層）と半田層あるいは半田バンプとの半田パッド部は、従来の半田パッド構造と 比較して、接合強度をより高められ、引っ張り強度をより向上させることができる。
[0077] Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚みは、 1. 0-2. 5 mであることがより望 ましい。この範囲内にすることにより、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の剛性がより低 下させにくくなり、その結果、引っ張り強度をより低下させにくくなることができる力もで ある。また、 Ni、 Sn以外の金属の組み合わせに関係なぐ引っ張り強度を低下させに くくなるのである。
[0078] ここで、平均厚みを 1. 0 μ m未満にする。あるいは、平均厚みが 2. 5 μ mを越える と、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層として剛性は確保され、通常に使用することはで きるが、上記の Ni— Sn合金層の厚みの範囲内にあるものと比べると、剛性が劣るため 、引っ張り強度も劣ってしまうことがある。
[0079] また、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層の平均厚みを 1. 0-2. 5 μ mにするために は、複合層である Ni層の厚み、 P含有量などや Pd層の厚み、 P含有量などを調整す ることにより行えることが実験力も分力つた。つまり、半田バンプ形成の際、複合層が Ni層、 Pd層もしくは Ni層、 Pd層、貴金属層であると、 Pd層もしくは Pd層、貴金属層 が拡散して、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層が形成されるのである力 このときに、 N i層の厚み、 P含有量などや Pd層に厚み、 P含有量などにより Ni合金層もしくは Ni— S n合金層の厚みが調整されるのである。そのために、 Pd層の厚みを調整することが、 Ni— Sn合金層の厚みを変えて、その結果として、 Ni— Sn合金層の剛性が低下させ にくくし、引っ張り強度も低下させに《するのである。
[0080] Ni合金層もしくは Ni - Sn合金層は、この粒子の形状が板状体、柱状体、粒状体か ら選ばれる 、ずれかで構成されて 、るのである。これらの単独での構成であってもよ いし (例えば、板状体だけが積み重ねられた積層体)、それぞれ複合された構成であ つてもよい（例えば、板状体と柱状体とが混在する積層体)。これらの中で、主として 板状体で構成される合金層であることが望ましい。板状体は、それぞれの板状体間 での隙間が形成され難ぐ積層しやすい。そのために主として板状体で構成された合 金層は、剛性が確保されやすい。半田との引っ張り強度に対しても、強度が確保され やす 、。板状体だけで構成される合金層であることが特に望まし 、。
[0081] Ni層中の P (リン）の含有量を 0. 5— 15. Owt%にすることが特に望ましい。 Pの含 有量が 0. 5wt%未満もしくは
Figure imgf000021_0001
Ni層の形成を阻害しやすくなる 。また、 Ni層上の Pd層の形成を助長されにくくなることがあり、結果として形成された Pd層の未形成や形成異常等の不具合を引き起こしたりするし、 Pd層の剛性を確保さ れないことがある。そのために、電気接続性や信頼性を確保されないということがある 。プリント配線板として、通常使用する分には問題はなかったが長期間信頼性を必要 とするプリント配線板での優位さが出ることも有りうる。
ニッケル膜の厚み、ニッケル膜のリン含有量は、めっき時間、めっき温度、めっき液 組成、めっき液中の PHなどの条件を調整することにより、膜の厚み、リン含有量を調 整ができる。めっき液の槽の大きさ、液流によって、ノ つきは生じる力 予め条件に よる厚みの相関を見出すことが必要である。
[0082] Ni層および中間層（例えば、 Pd層）の双方に、 P (リン）が含有されることが望ましい 。双方にリンが含有されることにより、 Ni合金層もしくは Ni— Sn合金層を形成しやすく なり、その結果、半田パッドでの半田バンプあるいは半田層で形成された該合金層で の剛性などを低下させに《するのである。
[0083] また、 Ni層中の P (リン）の含有量は、 Pd層中の P (リン）の含有量よりも低くすること 力 り望ましい。それにより、 Pd層が Ni層を被覆させていることとなり、 Pd層と Ni層と の界面での剥離を引き起こしに《なる。その結果として、該半田パッドの界面での不 具合を起因とする電気接続性や信頼性を低下することがない。
Ni層中の P (リン)の含有量は、 Pd層中の P (リン)の含有量よりも高くすることが望ま しい。それにより、 Pd層と Ni層と半田での熱処理を行って、該合金層を形成させる際 、板状体となりやすくなり、その結果、該半田パッドでの所望もしくはそれ以上の剛性 を確保させことを行 ヽやすくなるのである。
[0084] 例えば、中間層に Pd層を用いた場合、 Pd層（パラジウム層）が半田をノヽジク現象な どの不具合の発生を低下させることができるのである。そのために、結果として半田と の密着性は、従来力もの半田パッド構造と比べると向上させることができるのである。
[0085] その理由として、めっきにより形成されたパラジウムは、未析出などの不具合が形成 され難いし、パラジウム層の表層は、酸化皮膜の形成の割合が Au層（金層）に比べ て、小さい。そのために、半田を実装させても、半田をノヽジクなどの不具合を発生す ることが少ない。また、半田パッド内には、所望の大きさの半田バンプもしくは半田層 を形成することができるのである。そのために、半田バンプや半田層が所望の大きさ となるために、結果として半田バンプもしくは半田層と導体回路との密着性が低下し にくくなつている力 である。
[0086] また、パラジウム層を用いることにより、熱応力を緩衝させやすくなり、その結果とし て、半田バンプもしくは半田層への不具合を低減させることができるので、電気接続 性や信頼性を低下させ難くすることができるのである。
[0087] その理由として、パラジウム層は、金と比較して剛性に優れている。そのために、熱 応力が Pd層内で吸収されて、緩衝されるのである。そのために、熱応力により半田バ ンプもしくは半田層への応力を伝達させることを低減させる。故に、半田バンプもしく は半田層の損傷などを引き起こしに《なるのである。そのために、半田バンプもしく は半田層を起因とする電気的な接続に不具合を起こし難いし、信頼性試験を行って も長期間における信頼性が確保されるのである。
[0088] さらに、半田バンプもしくは半田層に鉛が含まれない (鉛フリー）半田を用いた場合 には、その効果が顕著になる。鉛フリーの半田は、鉛含有半田と比較して、熱応力を 緩衝することに対して劣っている。そもそも鉛含有半田（例えば、 SnZPd=6 :4)は、 発生した熱応力に対して、半田内での応力が緩衝されるのである。含有された鉛が 応力を吸収するからである。しかしながら、鉛フリー半田は、鉛含有半田と比較して、 応力を緩衝する力が乏しい。そのために、半田パッドに Ni層、 Pd層からなる複合層 を設けることにより、半田パッド構造全体で応力を緩衝させるのである。そのために、 従来の半田パッド構造 (Ni層- Au層）を比べて、半田自体の密着性がよいし、熱応 力に対する応力を緩衝されやすくなり、形成された半田バンプもしくは半田層の破損 や亀裂などの不具合を抑えることができるのである。そのために、従来の半田パッド 構造に鉛フリー半田を実装したものよりも、電気接続性や信頼性を確保することがで きるのである。
[0089] 更に、中間層内のリン (P)の含有量により、 Ni合金層などの合金層の厚みを制御 することもできるのである。中間層内の Pの含有量が Pの含有量を 2— 7wt%にするこ とが望ましい。これにより、形成された中間層は、ポーラスとなりにくいし、皮膜が均一 になりやすい。そのために形成された Ni合金層などの合金層が形成されやすくなる ので、 Ni合金層の剛性を確保しやすいからである。
[0090] 中間層に Pd層を用いた場合には、 Pの含有量を 2— 7wt%にすることが望ましい。
Pd層の P含有量をこの範囲内にすることにより、形成された Pd層には、ポーラスとなり にくいし、皮膜が均一になりやすい。そのために形成された Ni合金層が形成されや すくなるし、上述の所望の厚み範囲内にしゃすいので、 Ni合金層の剛性をより確保 しゃすいからである。
ここで、 Pd層の Pの含有量が 2%未満あるいは、 Pd層の Pの含有量が 7%を越える と、 Pd層を均一に Ni層に被覆できず、 Pd層にポーラスが残る。 Ni合金層の厚くなり やすくなり、その結果として形成された Ni合金層は、その機能を果たすことができる
1S より剛性を向上させに《なるのである。その端的な例として、 Ni合金層の平均厚 みが 2. 5 mを越えてしまうことがある。
また、 Pd層自体の剛性を低下してしまうことがあり、熱応力を緩衝しに《なる。その ために、半田バンプもしくは半田層へ応力が集中してしまうことがあり、半田への破損 や亀裂などの不具合を引き起こしやすくなる。また、信頼性試験を行うと長期間の信 頼性を確保することが困難となることがある。
[0091] 複合層の中間層上には、耐食層を設けると良い。耐食層を設けることで、中間層に 上述した Ni層上に Ni合金層の形成を助長する働きを行わせるからである。
[0092] 複合層の中間層として Pd層を用いた場合には、 Pd層上に耐食層を設けることが望 ましい。耐食層を設けることで、 Ni層上に Ni合金層の形成を助長する働きを行わせ るカゝらである。
ここで、耐食層は、 Au、 Ag、 Pt等の貴金属、又は、 Snの中カゝら少なくとも 1種類以 上で形成されるのがよい。これらの金属を用いると Ni合金層の形成が助長されるから である。
また、同一金属で置換めつき、無電解めつきあるいは置換めつき、無電解めつきに よって 2段階を経て耐食層を形成してもよい。それにより、下層の Ni層の影響を受け ることのない金属膜を形成できて、耐食性が向上され、半田バンプの形状、機能の低 下などの影響を抑えることができるのである。
[0093] 耐食層は、特に Auで形成されたものでは、比率によって形成される半田パッドが異 なり、それによつても半田パッドの耐食性、密着性や半田バンプの形状、機能を向上 させることも分かった。
[0094] 耐食層の厚みは 0. 01— 2 μ mの範囲で形成するのがよい。特に 0. 03— 1 μ mの 範囲で形成するのがよい。耐食層の厚みが 0. 01 /z m未満では、 Ni合金層を形成さ れるが局所的に合金層を形成を助長されないこともある。そのために、局所的にでも Ni合金層を形成されないところがあり、そのために、 Ni合金層の剛性が向上させにく くなり、その結果として、 Ni合金層のピール強度もより向上しに《なるからである。し 力しながら、通常使用するプリント配線板としては、機能、性能、信頼性などには特に 問題はなかった。逆に、耐食層の厚みが 2 /z mを越えると、その厚みにより、 Ni合金 層の形成の助長が阻害されてしまう場合がある。そのために、局所的にでも Ni合金 層などの合金層が形成されないところがあり、そのために、 Ni合金層の剛性が向上さ せにくくなり、その結果として、 Ni合金層のピール強度も向上し難くなるからである。 また、 Ni層、中間層、耐食層の 3層構成では、 Ni合金層を形成させるためには、 Ni 層、中間層の要因がもっとも影響力があり、それに付随して、耐食層の影響があるこ とも分かった。耐食層の有無はそれほど該合金層を形成するには影響が小さ力 た
[0095] 本願発明における複合層を構成する Ni層は、 Ni— Cu、 Ni— P、 Ni— Cu— P等が含 有した合金金属で形成するのがよ ヽ。
Ni層を純粋な Niで膜を形成させると、めっき膜が全ての方向には積層されないこと があり、そのために微細な孔 (欠陥）が生じてしまうことがある。合金金属であると、孔（ 欠陥）を埋めることが行われるために、膜が均一に形成されるためである。 Ni層（中間 )-Pd層、 Ni層（中間) -Pd層-耐食層は、物理的な形成、化学的な形成のいずれで もよぐその双方を用いてもよい。また、単層あるいは 2層以上に積層してもよい。 特に、 Ni— P、 Ni— Cu— Pの合金金属で形成するのがよい。つまり、い力えると、 Ni 層には P (リン）が含有されていることが望ましい。その更なる理由としては、導体回路 表面に凹凸が形成されていても、その凹凸を相殺し、表層を平坦にした皮膜を形成 することができる。また、めっきで形成された場合には、形成された Ni層では、未析出 、反応停止などによる金属層の未形成、形成異常を起こしにくいからである。
[0096] 最外層の導体回路は、ソルダーレジスト層で被覆保護されている。
ソルダ-レジスト層形成後に開口部に Ni-Ni合金層もしくは Ni層一中間層-耐食層 からなる複合層を形成させる。
その一例として、半田パッドから露出した導体回路上に無電解めつきにて Niを含有 した金属層を形成させる。めっき液の組成の例として硫酸ニッケル 4. 5gZl、次亜リ ン酸ナトリウム 25gZl、クェン酸ナトリウム 40gZl、ホウ酸 12gZl、チォ尿素 0. lg/1 (PH= 11)がある。脱脂液により、ソルダ—レジスト層開口部、表面を洗浄し、ノラジ ゥムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液 に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させた。
[0097] ニッケル層形成後、中間層（例えば、 Pd層）を Ni層上に形成させる。次いで、 Au、 Ag、 Pt、 Snの中カゝら選ばれる金属で耐食層を形成させる。特に金で形成させるのが よい。場合によっては同一金属で置換めつき、無電解めつきを経て 2層で形成しても よい。厚みは、 0. 01— 2 mであるのが望ましい。
[0098] 開口部に耐食層を施し半田パッドとした後、開口部内に二成分系半田、三成分系 半田もしくは多成分系半田である半田ペーストを印刷により充填する。その後、温度 250— 350°Cにした窒素リフローを通し、半田バンプを開口部内の半田パッドに固定 させる。
また、外部接続端子側半田パッドには、半田層として形成し、半田層上には外部接 続端子 (BGA、 PGA等)を載置させる。
[0099] 本願では、ビルドアッププリント配線板、サブトラ多層基板に適用させて 、るが、片 面回路基板、両面回路基板、フレキシブル基板、リールトウリール方式を用いたフレ キシブル基板、セラミック基板、 A1N基板などの様々基板に適用したとしても同様の 効果を得ることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0100] [実施例 1]
本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板 10の構成について図 1の断面図を参 照して説明する。多層プリント配線板 10では、コア基板 30の表面に導体回路 34が 形成されて 、る。コア基板 30の表面と裏面とはスルーホール 36を介して接続されて いる。コア基板 30の両面にバイァホール 60及び導体回路 58の形成された層間榭脂 絶縁層 50と、バイァホール 160及び導体回路 158の形成された層間榭脂絶縁層 15 0とが配設されている。該バイァホール 160及び導体回路 158の上層にはソルダーレ ジスト層 70が形成されており、該ソルダーレジスト層 70の開口部 71を介して導体回 路 158に半田ノッド 77U、 77Dが設けられ、該半田パッド 77U、 77Dにノンプ 76U 、 76Dが形成されている。
[0101] 次に図 8 (B)を参照して半田パッド 76Uについて説明する。図 8 (B)は図 1中の多 層プリント配線板 10の円 Aで囲んだ部分を拡大して示している。導体回路 158上に はニッケルめっき層 72が設けられ、ニッケルめっき層 72上の Ni— Sn合金層 75を介し て半田層（バンプ) 46が接続されている。実施例 1では、 Ni-Sn合金層 75の平均厚 みを調整することで、ニッケルめっき層 72と半田層 46との界面において破断が生じ 難くしてある。これにより、半田層 46の強度、密着性を向上できる。
[0102] 引き続き、上記多層プリント配線板 10の製造方法について図 2—図 8を参照して説 明する。
A.層間榭脂絶縁層の榭脂フィルムの作製
ビスフエノール A型エポキシ榭脂（エポキシ当量 469、油化シェルエポキシ社製ェピ コート 1001) 30重量部、クレゾ一ルノボラック型エポキシ榭脂（エポキシ当量 215、大 日本インキ化学工業社製 ェピクロン N-673) 40重量部、トリァジン構造含有フエノ 一ルノボラック榭脂 (フエノール性水酸基当量 120、大日本インキ化学工業社製 フ エノライト KA— 7052) 30重量部をェチルジグリコールアセテート 20重量部、ソルベン トナフサ 20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシィ匕ポリブタジェ ンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックス R— 45EPT) 15重量部と 2—フエ-ルー 4、 5—ビス (ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品 1. 5重量部、微粉砕シリカ 2重量部、シ リコン系消泡剤 0. 5重量部を添加しエポキシ榭脂組成物を調製した。
得られたエポキシ榭脂組成物を厚さ 38 μ mの PETフィルム上に乾燥後の厚さが 50 μ mとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、 80— 120°Cで 10分間乾燥さ せることにより、層間榭脂絶縁層用榭脂フィルムを作製した。
[0103] B.榭脂充填材の調製
ビスフエノール F型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量： 310YL983U) 100 重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が 1. で、 最大粒子の直径が 15 m以下の SiO 球状粒子（アドテック社製、 CRS 1101— C
2
E) 170重量部およびレべリング剤（サンノプコ社製 ペレノール S4) l. 5重量部を容 器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が 23± 1°Cで 44一 49Pa' sの榭脂充填 材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2E4MZ- CN) 6. 5重量部を用いた。 [0104] C.多層プリント配線板の製造
(1)厚さ 0. 8mmのガラスエポキシ榭脂または BT (ビスマレイミドトリアジン)榭脂から なる絶縁性基板 30の両面に 18 mの銅箔 32がラミネートされている銅張積層板 30 Aを出発材料とした（図 2 (A) )。まず、この銅張積層板 30Aをドリル削孔し、無電解め つき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回 路 34とスルーホール 36を形成した（図 2 (B) )。
[0105] (2)スルーホールおよび下層導体回路を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 Na OH(10gZD、NaClO (40g/l) , Na ΡΟ (6gZDを含む水溶液を黒化浴 (酸化
2 3 4
浴）とする黒化処理、および、 NaOH (lOg/1)、 NaBH (6g/l)を含む水溶液を還
4
元浴とする還元処理を行!、、そのスルーホール 36を含む下層導体回路 34の全表面 に粗ィ匕面 36 α、 34 αを形成した（図 2 (C) )。
[0106] (3)上記 Βに記載した榭脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後 24時間以 内に、スルーホール 36内、および、基板の片面の下層導体回路非形成部と下層導 体回路の外縁部とに榭脂充填材 40の層を形成した。即ち、スルーホール 36および 下層導体回路 34の非形成部に相当する部分が開口した版を有する榭脂充填用マス クを基板上に載置し、スキージを用いてスルーホール内、凹部となっている下層導体 回路非形成部、および、下層導体回路の外縁部に榭脂充填材 40を充填し、 100°C Z20分の条件で乾燥させた (図 2 (D) )。
[0107] (4)上記（3)の処理を終えた基板の片面を、 # 600のベルト研磨紙 (三共理ィ匕学製） を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路 34の外縁部やスルーホール 36 のランドの外縁部に榭脂充填材 40が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサン ダー研磨による傷を取り除くため、下層導体回路の全表面 (スルーホールのランド表 面を含む）にパフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても 同様に行った。次いで、 100°Cで 1時間、 150°Cで 1時間の加熱処理を行って榭脂 充填材 40を硬化した（図 3 (A) )。
このようにして、スルーホール 36や下層導体回路非形成部に形成された榭脂充填材 40の表層部および下層導体回路 34の表面を平坦ィ匕し、榭脂充填材と下層導体回 路の側面とが粗ィ匕面を介して強固に密着し、またスルーホール 36の内壁面と榭脂充 填材 40とが粗ィ匕面を介して強固に密着した基板を得た。即ち、この工程により、榭脂 充填材の表面と下層導体回路の表面とが略同一平面となる。
[0108] (5)上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次 、で、エッチング液を 基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 34の表面とスルーホール 36の ランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 34の全表面に粗ィ匕面 36 βを形成した（図 3 (Β) )。エッチング液としては、イミダゾール銅 (II)錯体 10重量 部、グリコール酸 7重量部、塩ィ匕カリウム 5重量部力 なるエッチング液 (メック社製、メ ックエッチボンド)を使用した。
[0109] (6)基板の両面に、 Αで作製した基板より少し大きめの層間榭脂絶縁層用榭脂フィ ルムを基板上に載置し、圧力 0. 4MPa、温度 80°C、圧着時間 10秒の条件で仮圧着 して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付ける ことにより層間榭脂絶縁層 50を形成した (図 3 (C) )。すなわち、層間榭脂絶縁層用 榭脂フィルムを基板上に、真空度 67Pa、圧力 0. 4MPa、温度 80°C、圧着時間 60秒 の条件で本圧着し、その後、 170°Cで 30分間熱硬化させた。
[0110] (7)次に、層間榭脂絶縁層上に、厚さ 1. 2mmの貫通孔が形成されたマスクを介して 、波長 10. 4 mの CO ガスレーザにて、ビーム径 4. Omm、トップハットモード、ノ
2
ルス幅 8. 0 /z秒、マスクの貫通孔の径 1. Omm、 1ショットの条件で層間榭脂絶縁層 50〖こ、直径 80 μ mのバイァホール用開口 50aを形成した（図 3 (D) )。
[0111] (8)バイァホール用開口 50aを形成した基板を、 60gZlの過マンガン酸を含む 80°C の溶液に 10分間浸漬し、層間榭脂絶縁層 50の表面に存在するエポキシ榭脂粒子 を溶解除去することにより、ノィァホール用開口 50aの内壁を含む層間榭脂絶縁層 5 0の表面を粗面とした（図 3 (E) )。
[0112] (9)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液 (シプレイ社製）に浸漬して力 水洗 いした。さら〖こ、粗面化処理 (粗ィ匕深さ 3 m)した該基板の表面に、パラジウム触媒 を付与することにより、層間榭脂絶縁層 50の表面およびバイァホール用開口 50aの 内壁面に触媒核を付着させた（図示せず)。すなわち、上記基板を塩化パラジウム (P bCl )と塩ィ匕第一スズ (SnCl )とを含む触媒液中に浸漬し、ノラジウム金属を析出さ
2 2
せることにより触媒を付与した。 [0113] (10)次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に、触媒を付与した基板を浸漬 して、粗面全体に厚さ 0. 6-3. O /z mの無電解銅めつき膜を形成し、ノィァホール 用開口 50aの内壁を含む層間榭脂絶縁層 50の表面に無電解銅めつき膜 52が形成 された基板を得た（図 4 (A) )。
〔無電解めつき水溶液〕
NiSO 0. 003 mol/1
4
酒石酸 0. 200 mol/1
硫酸銅 0. 030 mol/1
HCHO 0. 050 mol/1
NaOH 0. 100 mol/1
a a ' —ビビリジル 100 mg/1
ポリエチレングリコール（PEG) 0. 10 g/1
〔無電解めつき条件〕
34°Cの液温度で 40分
[0114] (11)無電解銅めつき膜 52が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付 け、マスクを載置して、 lOOmjZcm2で露光し、 0. 8%炭酸ナトリウム水溶液で現像 処理することにより、厚さ 20 μ mのめつきレジスト 54を設けた（図 4 (B) )。
[0115] (12)ついで、基板を 50°Cの水で洗浄して脱脂し、 25°Cの水で水洗後、さらに硫酸 で洗浄してから、以下の条件で電解めつきを施した。
〔電解めつき液〕
硫酸 2. 24 mol/1
硫酸銅 0. 26 mol/1
添加剤 19. 5 ml/1
(アトテックジャパン社製、カバラシド GL)
〔電解めつき条件〕
電流密度 1 AZdm2
時間 65 分
温度 22 ± 2 °C めっきレジスト 54の非形成部に、厚さ 20 mの電解銅めつき膜 56を形成した（図 4 (C) )。
[0116] (13)さらに、めっきレジスト 3を 5%KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 54下 の無電解銅めつき膜 52を硫酸と過酸ィ匕水素との混合液でエッチング処理して溶解 除去し、独立の上層導体回路 58 (バイァホール 60を含む）とした（図 4 (D) )。
[0117] (14)ついで、上記（5)と同様の処理を行い、ノィァホール 60、上層導体回路 58の 表面に粗ィ匕面 60 α、 58 αを形成した（図 5 (A) )。
(15)上記（6)—（14)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路 158、バイ ァホール 160を有する層間絶縁層 150を形成し、多層配線板を得た（図 5 (Β) )。
[0118] (16)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG)に 60重量％の濃度に なるように溶解させた、クレゾ一ルノボラック型エポキシ榭脂（日本化薬社製)のェポ キシ基 50%をアクリルィ匕した感光性付与のオリゴマー（分子量: 4000) 46. 67重量 部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール Α型エポキシ榭脂（ 油化シェル社製、商品名：ェピコート 1001) 15. 0重量部、イミダゾール硬化剤（四国 化成社製、商品名： 2E4MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである 2官能アタリ ルモノマー（日本ィ匕薬社製、商品名： R604) 4. 5重量部、同じく多価アクリルモノマ 一 (共栄化学社製、商品名： DPE6A) 1. 5重量部、分散系消泡剤 (サンノプコ社製、 S-65) 0. 71重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組 成物に対して光重合開始剤としてベンゾフヱノン（関東ィ匕学社製) 2. 0重量部、光増 感剤としてのミヒラーケトン（関東ィ匕学社製) 0. 2重量部を加えることにより、粘度を 25 °Cで 2. OPa' sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、 B型粘 度計 (東京計器社製、 DVL—B型）で 60min— 1の場合はローター No. 4、 6min— 1の場 合はローター No. 3によった。
[0119] (17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物 70を 30 mの厚 さで塗布し（図 5 (C) )、 70°Cで 20分間、 70°Cで 30分間の条件で乾燥処理を行った 後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5mmのフォトマスクをソルダ 一レジスト層に密着させて 800mjZcm2の紫外線で露光し、 DMTG溶液で現像処 理し、 150 mの直径の開口部 71を形成した（図 6 (A) )。 そして、さらに、 100°Cで 1時間、 150°Cで 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行つ てソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが 20 mのソルダーレジスト 層 70を形成した。上記ソルダーレジスト組成物としては、巿販のソルダーレジスト組 成物を使用することもできる。
[0120] (18)次に、ソルダーレジスト層 70を形成した基板の半田パッド上にニッケル膜を形 成させる。
ニッケノレめつき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化ニッケル 2. 3 X 10_1mol/l
次亜リン酸ナ卜リウム 1. 8—4. O X 10_1mol/l
クェン酸ナトリウム 1. 6 X 10— imolZl
pH=4. 5 温度 40— 60。C
この無電解ニッケルめっき液に 5— 40分間浸漬して、開口部 71にニッケルめっき層 72を形成した（図 6 (B) )。実施例 1では、ニッケルめっき層 72の厚みを 0. 03— 10 m、ニッケル膜内の Pを 0. 4— 17wt%含有させるようになるように設定した。このとき 、めっき槽の容積、液循環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定した。
[0121] (19) 次に、（18)工程でニッケル膜を形成した基板の半田パッド上にパラジウム膜 を形成させる。
パラジウムめっき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化パラジウム 1. 0 X 10"2mol/l
エチレンジァミン 8. 0 X 10— 2molZl
次亜リン酸ナトリウム 4. 0— 6. 0 X 10— 2molZl
チォジグリコーノレ酸 30mg/l
PH = 8
温度 50— 60°C
この無電解パラジウムめっき液に 3— 10分間浸積して、ニッケルめっき層 72上に厚 さ 0. 08 /z mのパラジウム層 73を形成した（図 7 (A) )。実施例 1では、パラジウム層 7 3の厚みを 0. 008— 2. 0 mになるように設定し、 Pを 1一 8wt%含有させた。このと き、めっき槽の容積、液循環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定した [0122] (20)そして、ソルダーレジスト層 70の開口部 71中の半田パッド 77U、 77Όに、半田 ペースト 76 αを印刷した（図 7 (B) )。図 8 (A)に、図 7 (B)中の円 Αで囲んだ半田パッ ド 77Uを拡大して示す。半田パッド 77Uは、導体回路 158上に順次形成される-ッ ケルめっき層 72-パラジウム層 73の 2層の複合層力も成る。
[0123] (21) 次に、窒素雰囲気中に 250°Cでリフローすることにより、半田バンプ 76U、 76 Dを形成した（図 1)。図 8 (B)に、図 1中の円 Bで囲んだ半田パッド 77Uを拡大して示 す。このリフローの際に、ノ ラジウム層 73は、半田バンプ 76U、 76D側に大半が拡散 され、図 1及び図 8 (B)に示すようにニッケルめっき層 72と半田バンプ 76U、 76Dとの 界面に、 Ni層合金層である Cu— Ni— Sn合金層 75が出来る。
ここで、ニッケルめっき層 72の厚みを 0. 05— 7 mになるように設定し、 Pをパラジ ユウム層の P濃度よりも低い又は高い 0. 4— 17wt%含有させ、パラジウム層 73を、 0 . 01 m— 1. 0 /z mになるように設定し、 Pを 2— 7wt%含有させることで、 Cu— Ni— Sn合金層 75の平均厚みを主として 1. 0-2. 5 mの範囲内になるのである。
[0124] [実施例 1 1 1]
実施例 1—1— 1では、半田バンプを構成する半田として、 Cu : 0. 5wt%、Ag : 3. 5 wt%、 Sn : 95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt %にめっき条件を設定し、 Pd層を厚み 0. 5 /ζ πι、Ρ含有量 5wt%にめっき条件を 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311 : 01 : ^=42 : 37 : 21に、厚みが 1 . となった。実施例 1—1—1のニッケル層、 Cu— Ni— Sn合金層、半田の電子顕 微鏡写真を図 15—図 18に示す。図 15中の左側の電子顕微鏡写真（ X 20K)が実 施例 1—1— 1である。図 16中の左側、図 17中の左側の電子顕微鏡写真では倍率（X 100K)を更に拡大している。ここで、図 15、図 16、図 17中の右側は、後述する Pを 含有しない Pd層の比較例 1 1 1の電子顕微鏡写真である。ここで、下側がニッケル 層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在しているのが Cu— Ni— Sn合金 層である。図 15の左側の電子顕微鏡写真から、実施例 1—1— 1では、 Cu— Ni— Sn合 金層が連続的、即ち、起伏が小さく Ni層の表面に形成されていることが分かる。更に 、倍率を上げた図 16、図 17の左側の電子顕微鏡写真から、 Cu— Ni— Sn合金層の表 面に、 Snのスキン層を介して Ag粒子が均一に並んでいることが分かる。図 18左側は 実施例 1 - 1 - 1の透過型の電子顕微鏡写真である。この電子顕微鏡写真から、 Cu - Ni— Sn合金層が板状、即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されていることが分力ゝる
[0125] [実施例 1—1—2]
実施例 1—1— 2では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0126] [実施例 1—1—3]
実施例 1—1— 3では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0127] [実施例 1 1 4]
実施例 1—1 4では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1. O^m, P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0128] [実施例 1—1—5]
実施例 1—1— 5では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.0 m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。 [0129] [実施例 1—1—6]
実施例 1—1— 6では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状の形状であった。
[0130] [実施例 1—1—7]
実施例 1—1— 7では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 0.5wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0131] [実施例 1 1 8]
実施例 1—1— 8では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0132] [実施例 1—1—9]
実施例 1—1— 9では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。これにより、 Ni— 311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1.7 mとなった。 Ni—Sn 合金層は、主として板状の形状であった。
[0133] [実施例 1 1 10]
実施例 1—1— 10では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.6 mとなった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状の形状であった。
[0134] [実施例 1—1—11]
実施例 1—1— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0135] [実施例 1 1 12]
実施例 1—1— 12では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.6 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0136] [実施例 1—1—13]
実施例 1—1— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 0.5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0137] [実施例 1 1 14]
実施例 1—1— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni—Sn合金層は、 主として板状の形状であった。
[0138] [実施例 1—1—15]
実施例 1—1— 15では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni—Sn合金 層は、主として板状の形状であった。
[0139] [実施例 1—1—16]
実施例 1—1— 16では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0140] [実施例 1 1 17]
実施例 1—1— 17では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 10 ％に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。これにより、 Ni— 311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni—Sn 合金層は、主として板状の形状であった。
[0141] [実施例 1—1—18]
実施例 1—1— 18では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 10wt°/ 設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0142] [実施例 1 1 19]
実施例 1—1— 19では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 15wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。これにより、 Ni— 311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 2.0 mとなった。 Ni—Sn 合金層は、主として板状の形状であった。 [0143] [実施例 1—1—20]
実施例 1—1— 20では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 15wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.9 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0144] [実施例 1—1—21]
実施例 1—1— 21では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 8 μ m、 P含有量 15wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状の形状であった。
[0145] [実施例 1—1—22]
実施例 1—1— 22では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 15wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 2. 1 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0146] [実施例 1—2—1]
実施例 1 1 1一実施例 1 1 20では、半田バンプを構成する半田として鉛レスの CuZAgZSn半田を用いた。これに対して、実施例 1—2— 1では、半田バンプを構成 する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5 m、 P含有量 5wt %に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0147] [実施例 1 2— 2]
実施例 1—2— 2では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主とし て板状の形状であった。
[0148] [実施例 1—2—3]
実施例 1—2—3では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主とし て板状の形状であった。
[0149] [実施例 1—2— 4]
実施例 1—2— 4では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を311:?^=67:33〖こ、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として 板状の形状であった。
[0150] [実施例 1—2—5]
実施例 1—2—5では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 0.5 ％に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1. O^m, P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の 形状であった。
[0151] [実施例 1 2— 6]
実施例 1—2—6では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0152] [実施例 1 2— 7] 実施例 1—2— 7では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形 状であつ 7こ。
[0153] [実施例 1 2— 8]
実施例 1—2—8では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0154] [実施例 1—2—9]
実施例 1—2— 9では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0155] [実施例 1 2— 10]
実施例 1—2— 10では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67:33に、厚みが 1.6 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0156] [実施例 1—2—11]
実施例 1—2— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を311:?^=67:33〖こ、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として 板状の形状であった。
[0157] [実施例 1 2— 12]
実施例 1—2— 12では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.6 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0158] [実施例 1—2—13]
実施例 1—2— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み l/zm P含有量 0.5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を311:?^=67:33〖こ、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として 板状の形状であった。
[0159] [実施例 1—2—14]
実施例 1—2— 14では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形 状であつ 7こ。
[0160] [実施例 1—2—15]
実施例 1—2— 15では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を311:?^=67:33〖こ、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として 板状の形状であった。
[0161] [実施例 1—2—16]
実施例 1—2— 16では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0162] [実施例 1 2— 17]
実施例 1—2— 17では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 10wt。/ 設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主と して板状の形状であった。
[0163] [実施例 1 2— 18]
実施例 1—2— 18では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 10wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の 形状であった。
[0164] [実施例 1—2—19]
実施例 1—2— 19では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 15wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主と して板状の形状であった。
[0165] [実施例 1—2—20]
実施例 1—2—20では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の 形状であった。
[0166] [実施例 1—2—21] 実施例 1—2— 21では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 8 m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 組成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2.0 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板 状の形状であった。
[0167] [実施例 1 2— 22]
実施例 1—2—22では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 10 m、 P含有量 15wt°/ 設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2.2 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0168] [実施例 1—3—1]
実施例 1-3— 1では、実施例 1-1-1と同様に半田バンプを構成する半田として、 C u:0.5wt%、 Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を、実施例 1—1— 1と 同様に厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 m、 P含有量 8wt%に設定した。これ〖こより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=4 2:45: 13に、厚みが 2. となった。実施例 1—3—1では、後述する参考例 1 1 1と同様に、図 18右側の電子顕微鏡写真に示されるよう Cu— Ni— Sn合金層が柱状、 即ち、ニッケル層に沿って垂直に主として柱状合金結晶の形状であった。
[0169] [実施例 1—3—2]
実施例 1—3— 2では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.008 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:45:13に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn 合金層は、主として柱状の形状であった。
[0170] [実施例 1—3—3]
実施例 1—3—3では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.009 μ m、 P含有量 lwt%に設定した。これにより、 Ni— S 11合金層の組成を311:01:?^=42:45:13に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合 金層は、主として柱状の形状であった。
[0171] [実施例 1—3— 4]
実施例 1—3— 4では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金 層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0172] [実施例 1—3—5]
実施例 1—3—5では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 2. O^m, P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— S n合金層は、主として粒状体 (粒状の結晶）となってニッケル層の界面に形成された。
[0173] [実施例 1 3— 6]
実施例 1—3—6では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層 は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0174] [実施例 1—3—7]
実施例 1—3— 7では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.03 ^m, P含有量 3wt%に設定した。これにより、 Ni — Sn合金層の組成を Sn： Cu： Ni= 66： 29： 5に、厚みが 1.1 mとなった。 Ni— Sn 合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0175] [実施例 1 3— 8] 実施例 1—3—8では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.5wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.2/ζπι、 Ρ含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1.3 mとなった。 Ni—Sn合 金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0176] [実施例 1—3—9]
実施例 1—3— 9では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 16wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.2/ζπι、 Ρ含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— S 11合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金 層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0177] [実施例 1 3— 10]
実施例 1—3—10では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金 層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0178] [実施例 1—3—11]
実施例 1—3— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 16wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 66： 29： 5に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni—Sn合金層は、 主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0179] [実施例 1—3— 12]
実施例 1—3—12では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni—Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金 層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0180] [実施例 1—3—13]
実施例 1—3— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、 主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0181] [実施例 1 3— 14]
実施例 1—3—14では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、 主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0182] [実施例 1 4 1]
実施例 1 4 1では、実施例 1—2—1と同様に半田バンプを構成する半田として Sn： Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 P含有量 1.2 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 m、 P含有量 8wt%に設定した。これにより 、 ^ 311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2.5 μ mとなった。 Ni— Sn合金 層は、主として柱状となった。
[0183] [実施例 1 4 2]
実施例 1 4 2では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.008 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として柱状 の形状であった。
[0184] [実施例 1 4 3]
実施例 1 4—3では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.009 μ m、 P含有量 lwt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として柱状と なった。
[0185] [実施例 1 4 4]
実施例 1 4 4では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体と なってニッケル層の界面に形成された。
[0186] [実施例 1 4 5]
実施例 1 4—5では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を、厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 0.5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体と なってニッケル層の界面に形成された。
[0187] [実施例 1 4 6]
実施例 1 4—6では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 2. O^m, P含有量 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67:33に、厚みが 1.5 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となつ てニッケル層の界面に形成された。
[0188] [実施例 1 4 7]
実施例 1 4 7では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.03 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.1 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状 体となってニッケル層の界面に形成された。
[0189] [実施例 1 4 8] 実施例 1 4—8では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状 体となってニッケル層の界面に形成された。
[0190] [実施例 1 4 9]
実施例 1 4—9では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体と なってニッケル層の界面に形成された。
[0191] [実施例 1 4 10]
実施例 1 4— 10では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 0.4 ％に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1.4 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体と なってニッケル層の界面に形成された。
[0192] [実施例 1 4 11]
実施例 1 4— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10 m、 P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67:33に、厚みが 1.5 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となつ てニッケル層の界面に形成された。
[0193] [実施例 1 4 12]
実施例 1 4— 12では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2.4 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状 体となってニッケル層の界面に形成された。
[0194] [実施例 1—4—13]
実施例 1 4— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:N i=67:33に、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって ニッケル層の界面に形成された。
[0195] [実施例 1 4 14]
実施例 1 4— 14では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 12 m、 P含有量 17wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67:33に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となつ てニッケル層の界面に形成された。
[0196] [実施例 1—5—1]
実施例 1—5—1では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.03
Figure imgf000049_0001
図 19に示す。写真力も分力るように、 Pdが部分的に析出し、ポーラスで下地の Ni層 が見えている)。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これに より、 Ni—Sn合金層の組成を Sn： Cu:Ni=42:37:21に、厚み力 .5/ζ mとなつた。 Ni— Sn合金層は粒状体となった。
[0197] [実施例 1 5— 2]
実施例 1—5—2では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.07 ^m, P含有量 5wt%に設定した (この Pd層の顕微鏡写真を 図 20に示す。写真力 分力るように Pd層が均一に形成できている）。ここで、半田をリ フローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、図 18左側の 電子顕微鏡写真を参照した実施例 1 1 1と同様に主として板状となった。
[0198] [参考例 1 1 1]
参考例 1 1 1一参考例 1 1 12、参考例 1 2— 1一参考例 1 2— 12では、図 1一 図 8を参照して上述した実施例 1と同様にビルドアップ多層配線板を形成し、半田バ ンプを形成した。
そして、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt%、 Sn: 97wt %合金を用いた。 Ni層は、厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。但し、 Pd層 は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有しないよう（P含有量 =ほぼ 0%)に形成した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Cu:Ni= 38 : 20 :42に、厚みが 0. 8 mとなった。参考 例 1—1—1のニッケル層、 Cu— Ni— Sn合金層、半田の電子顕微鏡写真を図 15—図 1 8に示す。図 15中の右側の電子顕微鏡写真（X 20K)が参考例 1-1-1である。図 1 6中の右側、図 17中の右側の電子顕微鏡写真では倍率（X 100K)を更に拡大して いる。ここで、下側がニッケル層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在 しているのが Cu— Ni— Sn合金層である。図 15の右側の電子顕微鏡写真から、参考 例 1—1—1では、 Cu— Ni— Sn合金層が非連続的、即ち、起伏が大きく Ni層の表面に 形成されていることが分かる。更に、倍率を上げた図 16、図 17の右側の電子顕微鏡 写真から、 Cu— Ni— Sn合金層の表面に、 Snのスキン層を介して Ag粒子が不均一に 点在でいることが分かる。参考例 1-1-1では、図 18右側の電子顕微鏡写真に示さ れるよう Cu— Ni— Sn合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶 が形成されている。
[0199] [参考例 1 1 2]
参考例 1—1—2では、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt %、 Sn: 97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1. O /z mで P含有量を 0. 8wt%に設定した。これにより 、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Cu:Ni=40 : 25 : 35に、厚みが 0. となった。
[0200] [参考例 1 1 3]
参考例 1—1—3では、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt %、 Sn: 97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1. で P含有量を 9 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0201] [参考例 1 1 4]
参考例 1—1 4では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 9 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0202] [参考例 1 1 5]
参考例 1—1—5では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 0.4wt %に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5iumでP含有量を0wt%に設定した。これに より、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=38:20:42に、厚みが 0. となった。
[0203] [参考例 1 1 6]
参考例 1—1—6では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 0.4wt %に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これによ り、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0. となった。
[0204] [参考例 1 1 7]
参考例 1—1—7では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 17wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0.9 mとなった。
[0205] [参考例 1 1 8]
参考例 1—1—8では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 17wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.5iumでP含有量を9wt%に設定した。これによ り、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0. となった。
[0206] [参考例 1 1 9] 参考例 1—1—9では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5 111で13含有量を(^％に設定した。これにより 、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0207] [参考例 1 1 10]
参考例 1—1—10では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これにより、 Ni — Sn合金層の組成を Sn： Cu： Ni= 39： 26： 49に、厚みが 2.6 μ mとなった。
[0208] [参考例 1 1 11]
参考例 1—1— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 16 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni — Sn合金層の組成を Sn： Cu： Ni= 39： 26： 49に、厚みが 2.7 μ mとなった。
[0209] [参考例 1 1 12]
参考例 1—1—12では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 16 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.5iumでP含有量を9wt%に設定した。これにより 、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0210] [参考例 1 2— 1]
参考例 1—1—1一参考例 1—1—12では、半田バンプを構成する半田として鉛レスの CuZAgZSn半田を用いた。これに対して、参考例 1—2—1—参考例 1—2—12では 、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そ して、 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5 μ mで Ρを含有しないよう（P含有率 =ほぼ 0%)に形成した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67: 33に、厚みが 0.9 μ mとなった。
[0211] [参考例 1 2— 2]
参考例 1—2—2では、半田バンプを構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.0 mで P含有量を 0.8wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. となった。
[0212] [参考例 1 2 - 3]
参考例 1—2— 3では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. O/ mで P含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Ni=67:33に、厚み力 2.7 mとなった。
[0213] [参考例 1 2— 4]
参考例 1 2— 4では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5μπι、 Ρ含有量 4wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1.5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Ni=67:33に、厚み力 2. となった。
[0214] [参考例 1 2 - 5]
参考例 1 2— 5では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 ^m, P含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.5/xmで P含有量を Owt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の糸且成を Sn:Ni=67:33に、厚み力 0.8μπιとなった。
[0215] [参考例 1 2 - 6]
参考例 1 2— 6では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. となった。
[0216] [参考例 1 2— 7]
参考例 1—2—7では、半田バンプを構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 m、 P含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. となった。 [0217] [参考例 1 2— 8]
参考例 1 2— 8では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03μπι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.5μπιで P含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. となった。
[0218] [参考例 1 2— 9]
参考例 1 2— 9では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12μπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.5 μ mで Ρ含有量を Owt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. となった。
[0219] [参考例 1 2— 10]
参考例 1 2—10では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12μπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. となった。
[0220] [参考例 1 2— 11]
参考例 1—2—11では、半田バンプを構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12μπι、 Ρ含有量 16wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2.7 mとなった。
[0221] [参考例 1 2— 12]
参考例 1—2—12では、半田バンプを構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 16wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. となった。
[0222] [実施例 2]
図 1一図 7を参照して上述した実施例 1では、ビルドアップ多層配線板を対象とした 力 実施例 2では、積層式の多層プリント配線板を対象とする。 図 9は実施例 2のプリント配線板 30の断面図を示している。多層プリント配線板 30 は、 ICチップ 80を搭載する半導体搭載用のプリント配線板である。多層プリント配線 板 30は、複数の基板 31を積層してなり、各基板 31には、スルーホール 36、ノィァホ ール 38及び導体回路 34が設けられている。多層プリント配線板 30の上面側には、 導体回路 34Uが設けられ、下面側には、導体回路 34Dが設けられている。上面側の 導体回路 34Uの表面側にソルダーレジスト層 70が設けられ、ソルダーレジスト層 70 の開口 71により導体回路 34Uの一部が露出され、ボンディングパッド 42を構成して いる。一方、下面側の導体回路 34Dの表面側にソルダーレジスト層 70が設けられ、 ソルダーレジスト層 70の開口 71により導体回路 34Dの一部が露出され、半田パッド 44を構成している。半田パッド 44上には、外部のプリント配線板への接続用の半田 層 46が形成されている。多層プリント配線板の上面には、接着剤 84を介して ICチッ プ 80が配置され、 ICチップ 80の端子 86と、多層プリント配線板側のボンディングパ ッド 42とはワイヤ 82によりボンディング接続されている。
[0223] 次に図 14を参照して半田パッドについて説明する。図 14 (B)は図 9中の多層プリ ント配線板 30の円 Bで囲んだ部分を拡大して示している。導体回路 34D上には-ッ ケルめっき層 72が設けられ、ニッケルめっき層 72上の Ni— Sn合金層 75を介して半 田層 46が接続されている。実施例 2では、 Cu— Ni— Sn合金層 75の平均厚みを調整 することで、ニッケルめっき層 72と半田層 46との界面において破断が生じ難くしてあ る。これにより、半田層 46の強度、密着性を向上できる。
[0224] 引き続き、上記多層プリント配線板 30の製造方法について図 10—図 13を参照して 説明する。
回路パターン 34及びバイァホール 38の形成されたプリント配線板 31を用意する（ 図 10 (A) )。プリント配線板 31を接着剤 33を介して接着する（図 10 (B) )。プリント配 線板 31を積層してなる多層プリント配線板に通孔を穿設してスルーホール 36を形成 する（図 10 (C) )。その後、開口 71を有するソルダーレジスト層 70を形成する（図 11 ( A) )。
[0225] 図 11 (A)に示すように多層プリント配線板 30は、上面側に導体回路 34Uが設けら れ、ソルダーレジスト層 70の開口 71により導体回路 34Uの一部が露出されている。 同様に、下面側には、導体回路 34Dが設けられている。ソルダーレジスト層 70の開 口 71により導体回路 34Dの一部が露出されている。導体回路 34U及び導体回路 34 Dの表面には好適には粗ィ匕層が設けられ、ソルダーレジスト層 70との密着性を高め てある。
[0226] (1)次に、基板の半田パッド上にニッケル膜を形成させる。
ニッケノレめつき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化ニッケル 2. 3 X 10_1mol/l
次亜リン酸ナ卜リウム 1. 8—4. O X 10_1mol/l
クェン酸ナトリウム 1. 6 X 10— imolZl
pH=4. 5
温度 40— 60°C
この無電解ニッケルめっき液に 5— 40分間浸漬して、開口部 71にニッケルめっき層 72を形成した（図 11 (B) )。
実施例 2では、ニッケルめっき層 72の厚みを 0. 03— 12 /ζ πι、ニッケル膜内の Ρを 0 . 4一 17wt%含有させるようになるように設定した。このとき、めっき槽の容積、液循 環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定した。これにより、導体回路 34 U、導体回路 34Dに粗ィ匕層が施されたものであってもその凹凸部分を完全に被覆し 、ニッケルめっき層 72の表面状態を均一にすることができる。
[0227] (2) 次に、ニッケル膜を形成した基板の半田パッド上にパラジウム膜を形成させる。
パラジウムめっき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化パラジウム 1. 0 X 10"2mol/l
エチレンジァミン 8. 0 X 10— 2molZl
次亜リン酸ナトリウム 4. 0— 6. 0 X 10— 2molZl
チォジグリコーノレ酸 30mg/l
PH = 8
温度 50— 60°C
この無電解パラジウムめっき液に 3— 10分間浸積して、ニッケルめっき層 72上に厚 さ 0. 08 mのパラジウム層 73を形成した（図 12 (A) )。実施例 2では、ノ《ラジウム層 73の厚みを 0.008— 2. になるように設定し、 Pを 1一 8wt%含有させた。この とき、めっき槽の容積、液循環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定し た。これにより、上面の導体回路 34U側にボンディングパッド 42を、下面の導体回路 34D側に半田パッド 44を形成した。ここで、耐食層として更に Au層を形成することも できる。実施例 2では、パラジウム層 73の厚みを 0.01-1. O/zmになるように設定し 、 Pを 2— 7 ％含有させた。
[0228] (3) そして、ソルダーレジスト層 70の開口 71中の半田パッド 44に、半田ペースト 46 αを印刷した（図 12(B))。図 14(A)に、図 12(B)中の半田パッド 44を拡大して示す 。半田ノッド 44は、導体回路 34D上に順次形成されるニッケルめっき層 72 パラジゥ ム層 73の 2層の複合層から成る。
[0229] (4) 次に、窒素雰囲気中に 250°Cでリフローすることにより、半田層 46を形成した（図 13(A))。このリフローの際に、パラジウム層 73及び Au層 64は、半田層 46側に大半 が拡散し、図 9及び図 14(B)を参照して上述したようにニッケルめっき層 72と半田層 46との界面に、 Ni層と半田組成金属との Cu— Ni— Sn合金層 75が出来る。ここで、実 施 ί列 2では、ノ《ラジウム層 73を、 0. Ol^m-1.0 mになるように設定し、 Pを 2— 7 wt%含有させることで、 Cu— Ni— Sn合金層 75の平均厚みを調整した。これにより、 上述したようにニッケルめっき層 72と半田層 46との界面において破断が生じ難くして ある。
[0230] (5)完成した多層プリント配線板 30の上面に接着剤 84を介して ICチップ 80を搭載し た（図 13(B))。その後、 ICチップ 80の端子 86と多層プリント配線板 30側のボンディ ングパッド 42との間にボンディングワイヤ 82をボンディングした（図 9参照）。また、半 田層上には外部接続端子 (この場合は BGA)を配置させた。外部接続端子には PG Aを配置させてもょ 、。半田層にコンデンサなどの部品を実装してもよ!/、。
[0231] [実施例 2— 1 1]
実施例 2— 1—1では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、Ρ含有量 1.2wt%に設定し、 Pd 層を厚み 0.5/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。実施例 2— 1—1では、図 18左 側の電子顕微鏡写真を参照して上述した実施例 1 1 1と同様に Cu— Ni— Sn合金 層が主として板状の形状である。即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されている。
[0232] [実施例 2— 1 2]
実施例 2— 1—2では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は 主として板状の形状であった。
[0233] [実施例 2— 1 3]
実施例 2— 1—3では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は 主として板状となった。
[0234] [実施例 2— 1 4]
実施例 2— 1 4では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn： Cu： Ni=42： 37： 21に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、 主として板状となった。
[0235] [実施例 2— 1 5]
実施例 2— 1—5では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn： Cu： Ni=42： 37： 21に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、 主として板状となった。
[0236] [実施例 2— 1 6]
実施例 2— 1—6では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状となった。
[0237] [実施例 2— 1 7]
実施例 2— 1—7では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、 主として板状の形状であった。
[0238] [実施例 2— 1 8]
実施例 2— 1—8では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0239] [実施例 2— 1 9]
実施例 2— 1—9では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5 ％に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状の形状であった。
[0240] [実施例 2—1—10]
実施例 2— 1—10では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt。/ 設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn： Cu： Ni=42： 37： 21に、厚みが 1.6 mとなった。 Ni— Sn合金層は、 主として板状の形状であった。 [0241] [実施例 2—1—11]
実施例 2— 1—11では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0242] [実施例 2— 1 12]
実施例 2— 1—12では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主 として板状の形状であった。
[0243] [実施例 2— 1 13]
実施例 2— 1—13では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0244] [実施例 2—1—14]
実施例 2— 1—13では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み: m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として 板状の形状であった。
[0245] [実施例 2— 1 15]
実施例 2— 1—15では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 42： 37： 21に、厚み力 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は 、主として板状の形状であった。
[0246] [実施例 2—1—16]
実施例 2— 1—16では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主 として板状の形状であった。
[0247] [実施例 2— 1 17]
実施例 2— 1—17では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 10wt°/ 設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状の形状であった。
[0248] [実施例 2—1—18]
実施例 2— 1—18では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み: m、 P含有量 10wt°/^ 設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主と して板状の形状であった。
[0249] [実施例 2—1—19]
実施例 2— 1—19では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 15wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層 は、主として板状の形状であった。
[0250] [実施例 2— 1—20]
実施例 2— 1 20では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み: m、 P含有量 15wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.9 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主と して板状の形状であった。
[0251] [実施例 2— 1—21]
実施例 2— 1—21では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 8 m、 P含有量 15wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、 主として板状の形状であった。
[0252] [実施例 2— 1—22]
実施例 2— 1—22では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 15wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主 として板状の形状であった。
[0253] [実施例 2— 2— 1]
実施例 2— 1—1では、半田層を構成する半田として鉛レスの CuZAgZSn半田を用 いた。これに対して、実施例 2— 2— 1では、半田層を構成する半田として Sn:Pb = 63 ： 37 (wt%)の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.5 m、 P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主とし て板状となった。
[0254] [実施例 2— 2— 2]
実施例 2— 2— 2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状と なった。
[0255] [実施例 2— 2— 3]
実施例 2— 2— 3では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2— 2— 1と同じ厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより 、 ^ 311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 8 μ mとなった。 Ni— Sn合金 層は、主として板状となった。
[0256] [実施例 2— 2— 4]
実施例 2— 2— 4では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚 み 1. 0 m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni = 67 : 33に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状となつ た。
[0257] [実施例 2— 2— 5]
実施例 2— 2— 5では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. O ^ m, P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層は主として板状と なった。
[0258] [実施例 2— 2— 6]
実施例 2— 2— 6では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は主として板状となった
[0259] [実施例 2— 2— 7]
実施例 2— 2— 7では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 05 m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 1 μ m、 Ρ含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:N i=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であ つた o
[0260] [実施例 2— 2— 8]
実施例 2— 2— 8では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 05 ^ m, P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚 み 0. 01 m、 P含有量 3wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Ni=67 : 33に、厚みが 1. 8 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状で めつに。
[0261] [実施例 2— 2— 9]
実施例 2— 2— 9では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 01 m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0262] [実施例 2— 2— 10]
実施例 2-2-10では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:N i=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であ つた o
[0263] [実施例 2— 2— 11]
実施例 2— 2— 11では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33〖こ、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0264] [実施例 2—2—12] 実施例 2— 2— 12では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67 : 33に、厚みが 1. 6 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0265] [実施例 2— 2— 13]
実施例 2— 2— 13では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33〖こ、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0266] [実施例 2—2—14]
実施例 2— 2— 14では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0267] [実施例 2— 2— 15]
実施例 2-2-15では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 8wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33〖こ、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0268] [実施例 2— 2— 16]
実施例 2— 2— 16では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 8wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0269] [実施例 2— 2— 17]
実施例 2-2-17では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 05 ^ m, P含有量 10wt°/ 設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 組成を Sn:Ni=67 : 33〖こ、厚みが 1. 8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板 状の形状であった。
[0270] [実施例 2— 2— 18]
実施例 2— 2— 18では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 10wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0271] [実施例 2—2—19]
実施例 2— 2— 19では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 05 ^ m, P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 組成を Sn:Ni=67 : 33〖こ、厚みが 1. 9 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板 状の形状であった。
[0272] [実施例 2— 2— 20]
実施例 2— 2— 20では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67 : 33に、厚みが 1. 8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0273] [実施例 2— 2— 21]
実施例 2— 2— 21では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 8 /ζ πι、 Ρ含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2.1 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0274] [実施例 2— 2— 22]
実施例 2— 2— 22では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Ni=67:33に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状 であった。
[0275] [実施例 2— 3— 1]
実施例 2-3— 1—実施例 2-3— 14では、実施例 2-1-1—実施例 2-1-14と同様に 、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、 Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を 用いた。そして、 Ni層を、実施例 2— 1—1と同じ厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 m、 P含有量 8wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:45:13に、厚みが 2.5 mとなった。実施 例 2-3— 1では、実施例 1—3— 1—と同様に、 Cu-Ni-Sn合金層が柱状、即ち、 -ッケ ル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されて ヽる。
[0276] [実施例 2— 3— 2]
実施例 2— 3— 2では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2-3— 1と同じ厚み 5 m、 P含 有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.008 μ m, P含有量 7wt%に設 定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:45:13に、厚みが 2. 5 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は主として柱状となった。
[0277] [実施例 2— 3— 3]
実施例 2— 3— 3では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2-3— 1と同じ厚み 5 m、 P含 有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 μ m, P含有量 lwt%に設 定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:45:13に、厚みが 2. 5 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は主として柱状となった。
[0278] [実施例 2— 3— 4]
実施例 2— 3— 4では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2-3— 1と同じ厚み 5 m、 P含 有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 2. O^m, P含有量 2wt%に設定し た。これにより、 Ni—Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1. 3μηι となった。 Ni— Sn合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0279] [実施例 2— 3— 5]
実施例 2— 3— 5では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0. 5wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 2. O^m, P含有量 5wt%に設定した。これにより、 Ni— S 11合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金 層は、粒状体 (粒状の結晶）となってニッケル層の界面に形成された。
[0280] [実施例 2— 3— 6]
実施例 2— 3— 6では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 2. 0/z m、 P含有量 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層 は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0281] [実施例 2— 3— 7]
実施例 2— 3— 7では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 03 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn： Cu： Ni = 66： 29： 5に、厚みが 1. 1 mとなった。 Ni— Sn合金層 は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0282] [実施例 2— 3— 8]
実施例 2— 3— 8では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.2 m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 66： 29： 5に、厚みが 1.3 mとなった。 Ni—Sn合金層は、 主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0283] [実施例 2— 3— 9]
実施例 2— 3— 9では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 16wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.2 m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 66： 29： 5に、厚みが 1.3 mとなった。 Ni—Sn合金層は、 主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0284] [実施例 2—3—10]
実施例 2— 3— 10では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.4 ％に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.2 m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金 層の組成を Sn： Cu： Ni = 66： 29： 5に、厚みが 1.4 mとなった。 Ni—Sn合金層は、 主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0285] [実施例 2— 3— 11]
実施例 2— 3— 11では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 16wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 組成を Sn： Cu： Ni= 66： 29： 5に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主と して粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0286] [実施例 2— 3— 12]
実施例 2— 3— 12では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主 として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0287] [実施例 2— 3— 13] 実施例 2— 3— 13では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn： Cu： Ni= 66： 29： 5〖こ、厚みが 2.5 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主とし て粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0288] [実施例 2—3—14]
実施例 2— 3— 14では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の 組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主と して粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0289] [実施例 2— 4 1]
実施例 2-4-1—実施例 2-4-14では、実施例 2-2-1—実施例 2-2-14と同様に 、半田層を構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2— 2— 1と同じ厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.009 μ m、 P含有量 8wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は主として柱状と なった。
[0290] [実施例 2— 4 2]
実施例 2— 4 2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2— 4 1と同じ厚み 5 /zm P含有量 1.2wt%に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.008 m、 P含有量 7wt%に設定した。これにより 、 ^ 311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2.5 μ mとなった。 Ni— Sn合金 層は主として柱状となった。
[0291] [実施例 2— 4 3]
実施例 2— 4 3では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2— 4 1と同じ厚み 5 /zm P含有量 1.2wt%に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 m、 P含有量^％に設定した。これにより 、 ^ 311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 2. 5 μ mとなった。 Ni— Sn合金 層は主として柱状となった。
[0292] [実施例 2— 4 4]
実施例 2— 4 4では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、実施例 2— 4 1と同じ厚み 5 /z m P含有量 1. 2wt%に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 2. O ^ m, P含有量 2wt%に設定した。これにより、 N 卜311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 3 μ mとなった。 Ni— Sn合金層 は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0293] [実施例 2— 4 5]
実施例 2— 4 5では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 2. 0 /z m、 P含有量 5wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33〖こ、厚みが 1. 3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、粒状体となつ てニッケル層の界面に形成された。
[0294] [実施例 2— 4 6]
実施例 2— 4 6では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 2. 0 /z m、 P含有量 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67 : 33に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、粒状体となって- ッケル層の界面に形成された。
[0295] [実施例 2— 4 7]
実施例 2— 4 7では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた Ni層を厚み 0. 03 ^ m, P含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 03 ^ m, P含有量 3wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67 : 33に、厚みが 1. 1 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となつ てニッケル層の界面に形成された。
[0296] [実施例 2— 4 8]
実施例 2— 4 8では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 0. 2 /ζ πι、 Ρ含有量 7wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn ： Ni=67 : 33に、厚みが 1. 3 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となつ てニッケル層の界面に形成された。
[0297] [実施例 2— 4 9]
実施例 2— 4 9では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 03 ^ m, P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 2 /ζ πι、 Ρ含有量 7 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Ni=67 : 33に、厚みが 1. 3 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって ニッケル層の界面に形成された。
[0298] [実施例 2— 4 10]
実施例 2-4-10では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 2 /ζ πι、 Ρ含有量 2 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Ni=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって ニッケル層の界面に形成された。
[0299] [実施例 2— 4 11]
実施例 2— 4 11では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 10 /ζ πι、 P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni = 67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって- ッケル層の界面に形成された。
[0300] [実施例 2— 4 12]
実施例 2— 4 12では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni =67 : 33に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって- ッケル層の界面に形成された。 [0301] [実施例 2— 4 13]
実施例 2— 4 13では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚 み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni= 67 : 33〖こ、厚みが 2. 5 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって-ッ ケル層の界面に形成された。
[0302] [実施例 2— 4 14]
実施例 2— 4 14では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni =67 : 33に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となって- ッケル層の界面に形成された。
[0303] [実施例 2— 5— 1]
実施例 2— 5—1では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0. 03 ^ m, P含有量 Owt°/ 設定した。ここで、半田をリフローする際に、 銅入りのフラックスを用いた。これにより、？^ー311合金層の組成を311: 01:?^=42 : 3 7 : 21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は粒状体となった。
[0304] [実施例 2— 5— 2]
実施例 2— 5— 2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0. 07 ^ m, P含有量 5wt%に設定した。ここで、半田をリフローする際に、 銅入りのフラックスを用いた。これにより、？^ー311合金層の組成を311: 01:?^=42 : 3 7 : 21に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は主として板状となった。
[0305] [参考例 2— 1 1]
参考例 2— 1 1一参考例 2— 1 12、参考例 2— 2— 1一参考例 2— 2— 12では、図 9一 図 14を参照して上述した実施例 2と同様に積層プリント配線板を形成し、半田層を形 成した。そして、半田層を構成する半田として Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt%、 Sn: 97wt %合金を用いた。参考例 2— 1 1で、 Ni層は、厚み 5/z m、 P含有量 1.2wt%に設 定した。 Pd層は、厚み 0.5 μ mで Ρ含有しないよう（P含有量 =ほぼ 0%)に形成した 。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=38:20:42に、厚みが 0.8 mと なった。参考例 2— 1—1では、図 18右側の電子顕微鏡写真に示されるよう Cu— Ni— S n合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
[0306] [参考例 2— 1 2]
参考例 2— 1 2では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn ： 97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1.0 mで P含有量を 0.8wt%に設定した。これにより、 Ni— S n合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0. となった。
[0307] [参考例 2— 1 3]
参考例 2— 1 3では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4 ％に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1.0 mで P含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0308] [参考例 2— 1 4]
参考例 2— 1 4では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4 ％に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1.5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2.9 mとなった。
[0309] [参考例 2— 1 5]
参考例 2— 1 5では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 ^m, P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5/z
Figure imgf000074_0001
これにより、 N 卜311合金層の組成を311:01:?^=38:20:42に、厚みが 0.8 mとなった。
[0310] [参考例 2— 1 6]
参考例 2— 1 6では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 ^m, P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0. となった。
[0311] [参考例 2— 1 7]
参考例 2— 1 7では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 17wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0.9 mとなった。
[0312] [参考例 2— 1 8]
参考例 2— 1 8では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 17wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 9 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚みが 0. となった。
[0313] [参考例 2— 1 9]
参考例 2— 1 9では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.5 mで P含有量を 0 ％に設定した。これにより、 Ni— S n合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0314] [参考例 2— 1—10]
参考例 2— 1—10では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2.6 mとなった。
[0315] [参考例 2— 1—11]
参考例 2— 1—11では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 16wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt。/(^ 設定した。これにより、 Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0316] [参考例 2— 1—12] 参考例 2— 1—12では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 16wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.5 mで P含有量を 9 ％に設定した。これにより、 Ni— S n合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、厚みが 2. となった。
[0317] [参考例 2— 2— 1]
参考例 2— 1—1一参考例 2— 1—12では、半田層を構成する半田として鉛レスの Cu ZAgZSn半田を用いた。これに対して、参考例 2— 2— 1一参考例 2— 2— 12では、半 田層を構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni 層を厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. ！！！で！^を 含有しないよう（P含有率 =ほぼ 0%)に形成した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33に、厚み力0. となった。
[0318] [参考例 2— 2— 2]
参考例 2—2—2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1. で P含有量を 0.8wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Ni=67:33に、厚み力0. となった。
[0319] [参考例 2— 2— 3]
参考例 2—2—3では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5/z m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1.0 mで P含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33に、厚み力 2.7 mとなった。
[0320] [参考例 2— 2— 4]
参考例 2— 2— 4では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5/z m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1.5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67:33に、厚み力 2. となった。
[0321] [参考例 2— 2— 5]
参考例 2—2—5では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 4wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有量を 0wt°/ 設定した。これにより、 Ni— Sn合金層 の糸且成を Sn:Ni=67 : 33に、厚みが 0. 8 μ mとなった。
[0322] [参考例 2— 2— 6]
参考例 2—2—6では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 4wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力 1. l /z mとなった。
[0323] [参考例 2— 2— 7]
参考例 2—2—7では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 ^ m, P含有量 7wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力0. となった。
[0324] [参考例 2— 2— 8]
参考例 2—2—8では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 ^ m, P含有量 7wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力0. となった。
[0325] [参考例 2— 2— 9]
参考例 2—2—9では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有量を 0 ％に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の 糸且成を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力 2. となった。
[0326] [参考例 2— 2— 10]
参考例 2— 2— 10では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力 2. となった。 [0327] [参考例 2— 2— 11]
参考例 2— 2— 11では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み m、 P含有量 7wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力 2. 7 mとなった。
[0328] [参考例 2— 2— 12]
参考例 2—2—12では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み m、 P含有量 7wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67 : 33に、厚み力 2. となった。
[0329] [実施例 3]
本発明の実施例 3に係る多層プリント配線板 10の構成について図 20の断面図を 参照して説明する。実施例 3は、実施例 1と同様に構成されている。多層プリント配線 板 10では、コア基板 30の表面に導体回路 34が形成されている。コア基板 30の表面 と裏面とはスルーホール 36を介して接続されて!、る。コア基板 30の両面にバイァホ ール 60及び導体回路 58の形成された層間榭脂絶縁層 50と、バイァホール 160及 び導体回路 158の形成された層間榭脂絶縁層 150とが配設されている。該ノィァホ ール 160及び導体回路 158の上層にはソルダーレジスト層 70が形成されており、該 ソルダーレジスト層 70の開口部 71を介して導体回路 158に半田パッド 77U、 77Dが 設けられ、該半田パッド 77U、 77Dにバンプ 76U、 76Dが形成されている。
[0330] 次に図 24 (B)を参照して半田パッド 76Uについて説明する。図 24 (B)は図 20中 の多層プリント配線板 10の円 Aで囲んだ部分を拡大して示している。導体回路 158 上にはニッケルめっき層 72が設けられ、ニッケルめっき層 72上の Ni合金層 75を介し て半田層（バンプ) 46が接続されている。実施例 1では、 Ni合金層 75の平均厚みを 調整することで、ニッケルめっき層 72と半田層 46との界面において破断が生じ難くし てある。これにより、半田層 46の強度、密着性を向上できる。
[0331] 引き続き、実施例 3の多層プリント配線板 10の製造方法について図 22—図 24を参 照して説明する。 ここで、図 2—図 5を参照して上述した実施例 1の（1)一（17)工程は、実施例 3にお いても同様であるため、ニッケル膜を形成する（18)工程カゝら説明する。
[0332] (18)図 22 (A)に示すソルダーレジスト層 70を形成した基板の半田パッド上に-ッケ ル膜を形成させる。
ニッケノレめつき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化ニッケル 2. 3 X 10_1mol/l
次亜リン酸ナ卜リウム 1. 8—4. O X 10_1mol/l
クェン酸ナトリウム 1. 6 X 10— imolZl
を含む pH=4. 5
温度 40— 60°C
この無電解ニッケルめっき液に 5— 40分間浸漬して、開口部 71にニッケルめっき層 72を形成した（図 22 (B) )。実施例 3では、ニッケルめっき層 72の厚みを 0. 03— 10 m、ニッケル膜内の Pを 0. 4— 17wt%含有させるようになるように設定した。このと き、めっき槽の容積、液循環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定した
[0333] (19) 次に、（18)工程でニッケル膜を形成した基板の半田パッド上にパラジウム膜 を形成させる。
パラジウムめっき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化パラジウム 1. 0 X 10"2mol/l
エチレンジァミン 8. 0 X 10— 2molZl
次亜リン酸ナトリウム 4. 0— 6. 0 X 10— 2molZl
チォジグリコーノレ酸 30mg/l
PH = 8
温度 50— 60°C
この無電解パラジウムめっき液に 3— 10分間浸積して、ニッケルめっき層 72上に厚 さ 0. 08 mのパラジウム層 73を形成した（図 22 (C) )。実施例 3では、パラジウム層 73の厚みを 0. 008— 2. になるように設定し、 Pを 1一 8wt%含有させた。この とき、めっき槽の容積、液循環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定し た。
[0334] (20) その後、表層には、耐食層として金層を形成した。
シアン化金カリウム 7.6 X 10"3mol/l
塩化アンモ-ゥム 1.9 X 10_1mol/l
クェン酸ナトリウム 1.2 X 10_1mol/l
次亜リン酸ナトリウム 1.7 X 10_1mol/l
力もなる無電解金めつき液に 80°Cの条件で 5— 20分間浸漬して、パラジウム層 73上 に厚さ 0. 01— 2 mの Au層 74を形成した（図 23 (A) )。これにより、上面の導体回 路 34U側にボンディングパッド 42を、下面の導体回路 34D側に半田パッド 44を形成 した。
[0335] (21)そして、ソルダーレジスト層 70の開口部 71中の半田パッド 77U、 77Dに、半田 ペースト 76 αを印刷した（図 23 (B) )。図 24 (A)に、図 23 (Β)中の円 Αで囲んだ半 田パッド 77Uを拡大して示す。半田パッド 77Uは、導体回路 158上に順次形成され るニッケルめっき層 72 パラジウム層 73— Au層 74の 3層の複合層力も成る。
[0336] (22)次に、窒素雰囲気中に 250°Cでリフローすることにより、半田バンプ 76U、 76D を形成した（図 20)。図 24 (B)に、図 20中の円 Aで囲んだ半田パッド 77Uを拡大して 示す。このリフローの際に、パラジウム層 73及び Au層 74は、半田バンプ 76U、 76D 側に大半が拡散され、図 20及び図 24 (B)に示すようにニッケルめっき層 72と半田バ ンプ 76U、 76Dとの界面に、 Ni合金層である Cu-Ni-Sn合金層 75が出来る。
ここで、ニッケルめっき層 72の厚みを 0. 05— 10 mになるように設定し、 Pをパラ ジユウム層の P濃度よりも低い又は高い 0. 4— 17wt%含有させ、パラジウム層 73を、 0. 01 m— 1. 0 /z mになるように設定し、 Pを 2— 7wt%含有させることで、 Ni合金 層 75の平均厚みを 1. 0-2. 5 mの範囲内に調整する。
[0337] [実施例 3— 1 1]
実施例 3— 1—1では、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 5wt%、Ag : 3. 5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt %にめっき条件を設定し、 Pd層を厚み 0. 5 /ζ πι、Ρ含有量 5wt%にめっき条件を 設定し、 Au層は、厚み 0. 03 m〖こ設定した。これにより、 Ni-Sn合金層の組成を S n: Cu:Ni=42 : 37 : 21に、厚みが 1. 5 mとなった。実施例 3— 1—1のニッケル層、 Cu-Ni-Sn合金層、半田の電子顕微鏡写真は、図 15—図 18を参照して上述した 実施例 1 1 1と同様である。図 15中の左側の電子顕微鏡写真（ X 20K)が実施例 3 —1—1に相当する。図 16中の左側、図 17中の左側の電子顕微鏡写真では倍率（X 100K)を更に拡大している。ここで、図 15、図 16、図 17中の右側は、後述する Pを 含有しない Pd層の比較例 1 1 1の電子顕微鏡写真である。ここで、下側がニッケル 層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在しているのが Cu— Ni— Sn合金 層である。図 15の左側の電子顕微鏡写真から、実施例 3では、 Cu— Ni— Sn合金層 が連続的、即ち、起伏が小さく Ni層の表面に形成されていることが分かる。更に、倍 率を上げた図 16、図 17の左側の電子顕微鏡写真から、 Cu— Ni— Sn合金層の表面 に、 Snのスキン層を介して Ag粒子が均一に並んでいることが分かる。図 18左側は実 施例 3— 1 1の透過型の電子顕微鏡写真に相当する。この電子顕微鏡写真から、 Cu M— Sn合金層が板状、即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されていることが分か る。
[0338] [実施例 3— 1 2]
実施例 3— 1—2では、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 5wt%、Ag : 3. 5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 0 5 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn： Cu:Ni =42 : 37 : 21に、 厚みが 1. 8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0339] [実施例 3— 1 3]
実施例 3— 1—3では、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 5wt%、Ag : 3. 5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1. 0 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Cu:Ni=42 : 37 : 21に、 厚みが 1. 8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0340] [実施例 3—1— 4]
実施例 3—1— 4では、半田バンプを構成する半田として、 Cu: 0. 5wt%、Ag : 3. 5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0341] [実施例 3— 1 5]
実施例 3— 1—3では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0342] [実施例 3— 1 6]
実施例 3— 1—6では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0343] [実施例 3— 1 7]
実施例 3— 1—7では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 0.5wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 に設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、 厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0344] [実施例 3—1—8]
実施例 3— 1—8では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 1 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn： Cu:Ni =42:37:21に、 厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。 [0345] [実施例 3— 1 9]
実施例 3— 1—9では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 0. 5wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 . に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に 、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0346] [実施例 3— 1—10]
実施例 3—1—10では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 0. 5wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.4μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚 みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0347] [実施例 3— 1 11]
実施例 3— 1—11では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0348] [実施例 3—1—12]
実施例 3— 1—12では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚 みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0349] [実施例 3—1—13]
実施例 3— 1—13では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 0. 5wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0350] [実施例 3— 1—14]
実施例 3— 1—13では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.5 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:01:^=42:37:21に、厚みが 1 .7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0351] [実施例 3— 1—15]
実施例 3— 1—15では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 3 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn： Cu:Ni =42:37:21に、 厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0352] [実施例 3— 1—16]
実施例 3— 1—16では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 8wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚 みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0353] [実施例 3— 1 17]
実施例 3— 1—17では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 10 ％に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .05 mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21 に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0354] [実施例 3— 1—18]
実施例 3— 1—18では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 10wt°/ 設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0355] [実施例 3— 1 19]
実施例 3— 1—19では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 15wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 . に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に 、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0356] [実施例 3— 1—20]
実施例 3—1—20では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 15wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.5 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:01:^=42:37:21に、厚みが 1 .9 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0357] [実施例 3— 1 21]
実施例 3— 1—21では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 8 μ m、 P含有量 15wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1 μ m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0358] [実施例 3— 1 22]
実施例 3— 1—22では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 15wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 2 mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:01:^=42:37:21に、厚みが 2 . 1 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。 [0359] [実施例 3— 2— 1]
実施例 3—1—1では、半田バンプを構成する半田として鉛レスの CuZAg/Sn半田 を用いた。これに対して、実施例 3—2— 1では、半田バンプを構成する半田として、 Sn ： Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1. 2 wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 5/z m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層 は、厚み 0. 03 mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67:33 に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0360] [実施例 3— 2— 2]
実施例 3—2—2では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. 8μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0361] [実施例 3— 2— 3]
実施例 3—2—3では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.8 mとな つた。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0362] [実施例 3— 2— 4]
実施例 3—2— 4では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1. 0/z m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. 5μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0363] [実施例 3— 2— 5]
実施例 3—2—5では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 0. 5 ％に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.5 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0364] [実施例 3— 2— 6]
実施例 3—2—6では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67:33に、厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0365] [実施例 3— 2— 7]
実施例 3—2—7では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.02 μ mに設定し た。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1.7 mとなった 。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0366] [実施例 3— 2— 8]
実施例 3—2—8では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.8 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0367] [実施例 3— 2— 9]
実施例 3—2—9では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.2 mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0368] [実施例 3— 2— 10] 実施例 3— 2— 10では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.4 mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. 6 mとなった。 N i Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0369] [実施例 3— 2— 11]
実施例 3— 2— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. 7 μΐα となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0370] [実施例 3— 2— 12]
実施例 3— 2— 12では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. 6 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0371] [実施例 3—2—13]
実施例 3— 2— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み l/zm P含有量 0. 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. 7 μ η となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0372] [実施例 3— 2— 14]
実施例 3— 2— 14では、 Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を 厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt %に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0373] [実施例 3— 2— 15]
実施例 3— 2— 15では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. Ίμηι となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0374] [実施例 3— 2— 16]
実施例 3— 2— 16では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0375] [実施例 3— 2— 17]
実施例 3— 2— 17では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 05 m、 P含有量 10wt。/ 設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1. 8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0376] [実施例 3— 2— 18]
実施例 3— 2— 18では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 10wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.8 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0377] [実施例 3— 2— 19]
実施例 3— 2— 19では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 05 m、 P含有量 15wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.5 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2.0 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0378] [実施例 3— 2— 20]
実施例 3—2—20では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.5 μ mに設定し た。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 1.9 mとなった 。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0379] [実施例 3— 2— 21]
実施例 3— 2— 21では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 8 m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0380] [実施例 3— 2— 22]
実施例 3— 2— 22では、 Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を 厚み m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7 wt%に設定した。 Au層は、厚み 2 mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組 成を Sn:Ni=67:33〖こ、厚みが 2.1 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状 の形状であった。
[0381] [実施例 3— 3— 1]
実施例 3— 3—1では、実施例 3— 1-1と同様に半田バンプを構成する半田として、 C u:0.5wt%、 Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を、実施例 3—1—1 厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 μ m、 P含 有量 8wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合 金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:45:13に、厚みが 2.5 mとなった。実施例 3—3—1 では、前述した参考例 3-2-1と同様に、図 18右側の電子顕微鏡写真に示されるよう Cu— Ni— Sn合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に主として柱状合金結晶 の形状であった。
[0382] [実施例 3— 3— 2]
実施例 3—3—2では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.008 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.04/zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=42:45:13 に、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として柱状の形状であった。
[0383] [実施例 3— 3— 3]
実施例 3—3—3では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.009 m、 P含有量 lwt°/ 設定した。 Au層は、厚み 0. 03 /zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:45:13に 、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として柱状の形状であった。
[0384] [実施例 3— 3— 4]
実施例 3—3— 4では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.05 / mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚 みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面 に形成された。
[0385] [実施例 3— 3— 5]
実施例 3—3—5では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、 厚み 0.04 /zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=66:2 9 :5に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体 (粒状の結晶）と なってニッケル層の界面に形成された。 [0386] [実施例 3— 3— 6]
実施例 3—3—6では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.06 / mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚 みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面 に形成された。
[0387] [実施例 3— 3— 7]
実施例 3—3—7では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0. m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03/zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5 に、厚みが 1.1 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層 の界面に形成された。
[0388] [実施例 3— 3— 8]
実施例 3—3—8では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.5wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .04 /zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に 、厚みが 1.3 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の 界面に形成された。
[0389] [実施例 3— 3— 9]
実施例 3—3—9では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 16wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 /zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、 厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界 面に形成された。 [0390] [実施例 3— 3— 10]
実施例 3—3—10では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0. 4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0. 2/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 / mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚 みが 1.4 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面 に形成された。
[0391] [実施例 3—3—11]
実施例 3— 3— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 16wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚み が 1. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に 形成された。
[0392] [実施例 3— 3— 12]
実施例 3—3—12では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 0 に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、 厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界 面に形成された。
[0393] [実施例 3— 3— 13]
実施例 3— 3— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02μ η に設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚みが 2. 5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形 成された。 [0394] [実施例 3—3—14]
実施例 3—3—14では、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.5wt%、Ag:3.5 wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚み が 2.4 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に 形成された。
[0395] [実施例 3— 4 1]
実施例 3— 4—1では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0.009 μ m、 P含有量 8wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2.5 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として柱状となった。
[0396] [実施例 3— 4 2]
実施例 3— 4—2では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.008 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.04 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2.5 mとな つた。 Ni— Sn合金層は、主として柱状の形状であった。
[0397] [実施例 3— 4 3]
実施例 3— 4—3では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.009 μ m、 P含有量 1 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2.5 mとな つた。 Ni— Sn合金層は、主として柱状となった。
[0398] [実施例 3— 4 4]
実施例 3— 4 4では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.05 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.3 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0399] [実施例 3— 4 5]
実施例 3— 4—5では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を、厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 0.5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.04 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.3 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0400] [実施例 3 - 4 6]
実施例 3— 4—6では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 2.0/z m、 P含有量 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.06 mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.5 mとなった。 N i Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0401] [実施例 3— 4 7]
実施例 3— 4—7では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.03 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.1 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0402] [実施例 3— 4 8]
実施例 3— 4—8では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.04 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.3 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0403] [実施例 3— 4 9] 実施例 3— 4—9では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.05 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67:33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0404] [実施例 3 - 4 10]
実施例 3— 4— 10では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 0.4 ％に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0405] [実施例 3— 4 11]
実施例 3— 4— 11では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 10 m、 P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 μ mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 1.5 mとなった。 N i Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0406] [実施例 3 - 4 12]
実施例 3— 4— 12では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0.01 m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.04 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0407] [実施例 3 - 4 13]
実施例 3— 4— 13では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.02 m〖こ設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. となった。 Ni —Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0408] [実施例 3— 4 14]
実施例 3— 4— 14では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 12 m、 P含有量 17wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2.4 mとなった。 N i Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0409] [実施例 3— 5— 1]
実施例 3—5—1では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.03 ^m, P含有量 0 ％に設定した（この Pd層は、図 19の顕微 鏡写真を参照して上述した実施例 1 5— 1と同様に、 Pdが部分的に析出し、ポーラス で下地の Ni層が見えている）。 Au層は、厚み 0.05/zmに設定した。ここで、半田を リフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を S n:Cu:Ni=42:37:21 、厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は粒状体となつ た。
[0410] [実施例 3— 5— 2]
実施例 3—5—2では、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0.07 ^m, P含有量 5wt%に設定した（この Pd層は、図 20の顕微 鏡写真を参照して上述した実施例 1 5— 2と同様に、 Pd層が均一に形成できて！/、る） 。 Au層は、厚み 0.07 mに設定した。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフ ラックスを用いた。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、図 18左側の電子顕微鏡写真を参照し た実施例 1-1-1と同様に主として板状となった。
[0411] [参考例 3— 1 1]
参考例 3— 1 1一参考例 3— 1 16、参考例 3— 2— 1一参考例 3— 2— 16では、図 1一 図 8を参照して上述した実施例 3と同様にビルドアップ多層配線板を形成し、半田バ ンプを形成した。
そして、半田バンプを構成する半田として、 Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn:97wt %合金を用いた。参考例 3—1—1では、 Ni層を厚み 5/z m、 P含有量 1.2wt%に設 定した。但し、 Pd層は、厚み 0.5 μ mで Ρ含有しないよう（P含有量 =ほぼ 0%)に形 成した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の Ni— Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=38:20:42に、厚みが 0.8 mとなった。参考例 3— 1 1のニッケル層、 Cu— Ni— Sn合金層、半田の電子顕微鏡写真は、図 15—図 18を 参照した参考例 1 - 1 - 1と同様である。図 15の右側の電子顕微鏡写真から、参考例 3—1—1では、 Cu— Ni— Sn合金層が非連続的、即ち、起伏が大きく Ni層の表面に形 成されていることが分かる。更に、倍率を上げた図 16、図 17の右側の電子顕微鏡写 真から、 Cu— Ni— Sn合金層の表面に、 Snのスキン層を介して Ag粒子が不均一に点 在でいることが分かる。参考例 3—1— 1では、図 18右側の電子顕微鏡写真に示される よう Cu— Ni— Sn合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形 成されている。
[0412] [参考例 3— 1 2]
参考例 3—1—2では、半田バンプを構成する半田として、参考例 3—1—1と同様に C u:0.2wt%、 Ag: lwt%、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.0 μ m-CP-a-^S^O.8wt% に設定した。 Au層は、厚み 0.03 m〖こ設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、厚み力 0. となった。
[0413] [参考例 3— 1 3]
参考例 3— 1 3では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.0/z mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 /zmに設定した。これにより、 Ni—Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に 、厚みが 2.7 mとなった。
[0414] [参考例 3— 1 4]
参考例 3— 1 4では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 /zmに設定した。これにより、 Ni—Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に 、厚みが 2.9 μ mとなった。
[0415] [参考例 3— 1 5]
参考例 3— 1 5では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 0.4wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5/z
Figure imgf000099_0001
Au層は 、厚み 0.03 mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=38： 20 :42に、厚み力 SO. となった。
[0416] [参考例 3— 1 6]
参考例 3— 1 6では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 0.4wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、 厚み 0.05 mに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=40:2 5 :35に、厚み力 SO. となった。
[0417] [参考例 3— 1 7]
参考例 3— 1 7では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 16wt%に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚 み 0.02 /zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=40:25： 35に、厚み力 SO.9 μ mとなった。
[0418] [参考例 3— 1 8]
参考例 3— 1 8では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 16wt%に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.5 mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、 厚み 0.05 mに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=40:2 5 :35に、厚み力 SO. となった。 [0419] [参考例 3— 1 9]
参考例 3— 1 9では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5/z
Figure imgf000100_0001
Au層は、厚 み 0.03/zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=39:26： 49に、厚み力 2.5 μ mとなった。
[0420] [参考例 3 - 1 10]
参考例 3—1—10では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚 み 0.02 /zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=39:26： 49に、厚み力 2.6 μ mとなった。
[0421] [参考例 3— 1 11]
参考例 3— 1—11では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚 み 0.03/zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=39:26： 49に、厚み力 2.7 μ mとなった。
[0422] [参考例 3— 1 12]
参考例 3—1—12では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.5 mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、 厚み 0.05/zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=39:2 6 :49に、厚み力 2. となった。
[0423] [参考例 3— 1 13]
参考例 3—1—13では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 0.4wt %に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は 、厚み 0.008 mに設定した。これにより、 ^—311合金層の組成を311:01:?^=39 :26 :49に、厚み力 SO. となった。
[0424] [参考例 3 - 1 14]
参考例 3—1—14では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 16wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、 厚み 0.008/zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=39： 26 :49に、厚み力 SO. となった。
[0425] [参考例 3— 1 15]
参考例 3—1—15では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、 厚み 2. 1 mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=39:26 :49に、厚み力 2. となった。
[0426] [参考例 3 - 1 16]
参考例 3—1—16では、半田バンプを構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt %、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17 ％に 設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.5 mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、 厚み 2. 1 mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=39:26 :49に、厚み力 2.7 mとなった。
[0427] [参考例 3— 2— 1]
参考例 3—1—1—参考例 3—1—16では、半田バンプを構成する半田として鉛レスの CuZAgZSn半田を用いた。これに対して、参考例 3—2—1—参考例 3—2—16では 、半田バンプを構成する半田として、 Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。参 考例 3—1—1は、 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0.5 μ mで Ρを含有しないよう（P含有率 =ほぼ 0%)に形成した。 Au層は、厚み 0.03 mに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚み が 0.8 μ mとなった。 [0428] [参考例 3— 2— 2]
参考例 3— 2— 2では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5/z m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.0 mで P含有量を 0.8wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9 μ mとなった。
[0429] [参考例 3 - 2 - 3]
参考例 3— 2— 3では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1.0 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.04 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. Ίμηι となった。
[0430] [参考例 3 - 2 - 4]
参考例 3— 2— 4では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.02 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 9μηι となった。
[0431] [参考例 3— 2— 5]
参考例 3— 2— 5では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有量を Owt°/ 設定した。 Au層は、厚み 0.03 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 8 μ mとなった。
[0432] [参考例 3— 2— 6]
参考例 3— 2— 6では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.05 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9 μ mとなった。
[0433] [参考例 3— 2— 7]
参考例 3— 2— 7では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 16wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02μ η に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9μ mとなった。
[0434] [参考例 3 - 2 - 8]
参考例 3— 2— 8では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 16wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9 μ mとなった。
[0435] [参考例 3— 2— 9]
参考例 3— 2— 9では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有量を 0 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. 5 μ mとなった。
[0436] [参考例 3 - 2 - 10]
参考例 3—2—10では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. 6 μ mとなった。
[0437] [参考例 3— 2— 11]
参考例 3— 2— 11では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. 7μ mとなった。
[0438] [参考例 3— 2— 12]
参考例 3—2—12では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. 9 μ mとなった。
[0439] [参考例 3 - 2 - 13]
参考例 3—2—13では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 008 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9 μ mとなった。
[0440] [参考例 3 - 2 - 14]
参考例 3—2—14では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 ^m, P含有量 16wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 008 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9 μ mとなった。
[0441] [参考例 3— 2— 15]
参考例 3—2—15では、半田バンプを構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1. 5/z mで P含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 2. 1 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 2. 6 μ mとなった。 [0442] [参考例 3 - 2 - 16]
参考例 3—2—16では、半田バンプを構成する半田として Sn : Pb = 63 : 37 (wt%) の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 2. Ι μ ηι に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn : Ni= 67 : 33に、厚みが 2. 7 μ mとなった。
[0443] [実施例 4]
上述した実施例 3では、ビルドアップ多層配線板を対象とした力 実施例 4では、実 施例 2と同様な積層式の多層プリント配線板を対象とする。
図 25は実施例 4のプリント配線板 30の断面図を示している。多層プリント配線板 30 は、 ICチップ 80を搭載する半導体搭載用のプリント配線板である。多層プリント配線 板 30は、複数の基板 31を積層してなり、各基板 31には、スルーホール 36、 ノィァホ ール 38及び導体回路 34が設けられている。多層プリント配線板 30の上面側には、 導体回路 34Uが設けられ、下面側には、導体回路 34Dが設けられている。上面側の 導体回路 34Uの表面側にはソルダーレジスト層 70が設けられ、ソルダーレジスト層 7 0の開口 71により導体回路 34Uの一部が露出され、ボンディングパッド 42を構成し ている。一方、下面側の導体回路 34Dの表面側にはソルダーレジスト層 70が設けら れ、ソルダーレジスト層 70の開口 71により導体回路 34Dの一部が露出され、半田パ ッド 44を構成している。半田パッド 44上には、外部のプリント配線板への接続用の半 田層 46が形成されている。多層プリント配線板の上面には、接着剤 84を介して ICチ ップ 80が配置され、 ICチップ 80の端子 86と、多層プリント配線板側のボンディング ノ ッド 42とはワイヤ 82によりボンディング接続されている。
[0444] 次に図 29を参照して半田パッドについて説明する。図 29 (B)は図 25中の多層プリ ント配線板 30の円 Bで囲んだ部分を拡大して示している。導体回路 34D上には-ッ ケルめっき層 72が設けられ、ニッケルめっき層 72上の Ni合金層 75を介して半田層 4 6が接続されている。実施例 4では、 Ni合金層 75の平均厚みを調整することで、 -ッ ケルめっき層 72と半田層 46との界面において破断が生じ難くしてある。これにより、 半田層 46の強度、密着性を向上させる。 [0445] 引き続き、実施例 4の多層プリント配線板 30の製造方法について図 26—図 29を参 照して説明する。
ここで、実施例 4の製造工程は、図 10及び図 11 (A)を参照して上述した開口 71を 有するソルダーレジスト層 70を形成する工程までは、実施例 2の多層プリント配線板 の製造工程と同様であるため、説明を省略する。
[0446] (1)図 26 (A)に示すソルダーレジスト層 70の開口 71内の半田パッド 34U、 34D上に ニッケル膜を形成させる。
ニッケノレめつき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化ニッケル 2. 3 X 10_1mol/l
次亜リン酸ナ卜リウム 1. 8—4. O X 10_1mol/l
クェン酸ナトリウム 1. 6 X 10— imolZl
pH=4. 5
温度 40— 60°C
この無電解ニッケルめっき液に 5— 40分間浸漬して、開口部 71にニッケルめっき層 72を形成した（図 26 (B) )。
実施例 4では、ニッケルめっき層 72の厚みを 0. 03— 10 πι、ニッケル膜内の Ρを 0 . 4一 17wt%含有させるようになるように設定した。このとき、めっき槽の容積、液循 環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定した。これにより、導体回路 34 U、導体回路 34Dに粗ィ匕層が施されたものであってもその凹凸部分を完全に被覆し 、ニッケルめっき層 72の表面状態を均一にすることができる。
[0447] (2)次に、ニッケル膜を形成した基板の半田パッド上にパラジウム膜を形成させる。
パラジウムめっき液としては、以下のようなものを用いた。
塩化パラジウム 1. 0 X 10"2mol/l
エチレンジァミン 8. 0 X 10— 2molZl
次亜リン酸ナトリウム 4. 0— 6. 0 X 10— 2molZl
チォジグリコーノレ酸 30mg/l
PH = 8
温度 50— 60°C この無電解パラジウムめっき液に 3— 10分間浸積して、ニッケルめっき層 72上に厚 さ 0. 08 mのパラジウム層 73を形成した（図 26 (C) )。実施例 4では、パラジウム層 73の厚みを 0. 008— 2. になるように設定し、 Pを 1一 8wt%含有させた。この とき、めっき槽の容積、液循環などを配慮して、めっき膜の厚み、リン含有量を設定し た。これにより、上面の導体回路 34U側にボンディングパッド 42を、下面の導体回路 34D側に半田パッド 44を形成した。実施例 4では、パラジウム層 73の厚みを 0. 01— 1. 0 mになるように設定し、 Pを 2— 7wt%含有させた。
[0448] (3) その後、表層には、耐食層として金層を形成した。
シアン化金カリウム 7.6 X 10"3mol/l
塩化アンモ-ゥム 1.9 X 10_1mol/l
クェン酸ナトリウム 1.2 X 10_1mol/l
次亜リン酸ナトリウム 1.7 X 10_1mol/l
力もなる無電解金めつき液に 80°Cの条件で 5— 20分間浸漬して、パラジウム層 73上 に厚さ 0. 01— 2 mの Au層 74を形成した（図 27 (A) )。これにより、上面の導体回 路 34U側にボンディングパッド 42を、下面の導体回路 34D側に半田パッド 44を形成 した。
[0449] (4) そして、ソルダーレジスト層 70の開口 71中の半田パッド 44に、半田ペースト 46 αを印刷した（図 27 (B) )。図 29 (A)に、図 27 (B)中の半田パッド 44を拡大して示す 。半田ノッド 44は、導体回路 34D上に順次形成されるニッケルめっき層 72—パラジゥ ム層 73— Au層 74の 3層の複合層力 成る。
[0450] (5) 次に、窒素雰囲気中に 250°Cでリフローすることにより、半田層 46を形成した（ 図 28 (A) )。このリフローの際に、パラジウム層 73及び Au層 74は、半田層 46側に大 半が拡散し、図 25及び図 29 (B)を参照して上述したようにニッケルめっき層 72と半 田層 46との界面に、 Ni層と半田組成金属との Cu— Ni— Sn合金層 75が出来る。ここ で、実施 ί列 4で ίま、ノ ラジウム層 73を、 0. 01 m一 1. 0 m【こなるよう【こ設定し、 P を 2— 7wt%含有させることで、 Cu— Ni— Sn合金層 75の平均厚みを調整した。これ により、上述したようにニッケルめっき層 72と半田層 46との界面において破断が生じ 難くしてある。 [0451] (6)完成した多層プリント配線板 30の上面に接着剤 84を介して ICチップ 80を搭載し た（図 28(B) )。その後、 ICチップ 80の端子 86と多層プリント配線板 30側のボンディ ングパッド 42との間にボンディングワイヤ 82をボンディングした（図 25参照）。また、 半田層上には外部接続端子 (この場合は BGA)を配置させた。外部接続端子には P GAを配置させてもよい。または、半田層にコンデンサなどの部品を実装してもよい。
[0452] [実施例 4 1 1]
実施例 4 1—1では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、Ρ含有量 1. 2wt%に設定し、 Pd 層を厚み 0. 5 m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定し た。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. 5μ mとなった。実施例 4 1 1では、図 18左側の電子顕微鏡写真を参照して上述した 実施例 1—1—1と同様に Cu-Ni-Sn合金層が主として板状の形状となった。即ち、二 ッケル層に沿って平行に形成された。
[0453] [実施例 4 1 2]
実施例 4 1—2では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1. 2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1. となった。 Ni— Sn合金層は主として板状の形状であった。
[0454] [実施例 4 1 3]
実施例 4 1—3では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1. 2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1 μ mに設 定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1. 8 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は主として板状となった。
[0455] [実施例 4 1 4]
実施例 4 1 4では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1. 2wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状となった。
[0456] [実施例 4 1 5]
実施例 4 1—3では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1.0/z m、 P含有量 7 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状となった。
[0457] [実施例 4 1 6]
実施例 4 1—6では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1.7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状となった。
[0458] [実施例 4 1 7]
実施例 4 1—7では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.02 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:01:^=42:37:21に、厚みが 1 .7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0459] [実施例 4 1 8]
実施例 4 1—8では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.05 m、 P含有量 5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.01 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0460] [実施例 4 1 9] 実施例 4 1—9では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5 ％に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.2 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚 みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0461] [実施例 4—1—10]
実施例 4— 1—10では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 0.5wt。/ 設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.4 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:01:^=42:37:21に、厚みが 1 .6 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0462] [実施例 4 1—11]
実施例 4 1—11では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 7 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.5 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0463] [実施例 4 1—12]
実施例 4 1—12では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.3 m、 P含有量 5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設 定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1. 6 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0464] [実施例 4—1—13]
実施例 4— 1—13では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 1 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0.01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.5 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0465] [実施例 4 1—14]
実施例 4— 1—13では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み: m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定し た。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1. 7μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0466] [実施例 4 1—15]
実施例 4— 1—15では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み が 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0467] [実施例 4 1—16]
実施例 4— 1—16では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 m、 P含有量 8wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設 定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0468] [実施例 4 1 17]
実施例 4 1—17では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 05 m、 P含有量 10wt°/ 設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、 厚みが 1. 8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0469] [実施例 4 1—18]
実施例 4— 1—18では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み: m、 P含有量 10wt°/^ 設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1.8 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0470] [実施例 4—1—19]
実施例 4 1—19では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0. 05 m、 P含有量 15wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚 みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0471] [実施例 4—1—20]
実施例 4 1 20では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み: m、 P含有量 15wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定 した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 1. 9 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0472] [実施例 4 1—21]
実施例 4 1—21では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 8 m、 P含有量 15wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1 μ mに設定 した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、厚みが 2. 0 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0473] [実施例 4 1—22]
実施例 4 1—22では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 15wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 2 mに設定し た。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 2. 1μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0474] [実施例 4 2— 1] 実施例 4 1—1では、半田層を構成する半田として鉛レスの CuZAgZSn半田を用 いた。これに対して、実施例 4 2— 1では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63 ： 37 (wt%)の鉛半田を用いた。 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 5 m、 P含有量 5 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67 : 33に、厚みが 1. 5 /z mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状となった。
[0475] [実施例 4 2— 2]
実施例 4 2— 2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 8 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状となった。
[0476] [実施例 4 2— 3]
実施例 4 2— 3では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、実施例 4 2— 1と同じ厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt% に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、 厚み: L mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67 : 33に、厚 みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状となった。
[0477] [実施例 4 2— 4]
実施例 4 2— 4では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚 み 1. 0 /z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。これ により、？^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni—S n合金層は、主として板状の形状となった。
[0478] [実施例 4 2— 5]
実施例 4 2— 5では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. 0 /z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 5 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は主として板状となった。
[0479] [実施例 4 2— 6]
実施例 4 2— 6では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は主として板状となった。
[0480] [実施例 4 2 - 7]
実施例 4 2— 7では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 05 m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 m〖こ設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni — Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0481] [実施例 4 2— 8]
実施例 4 2— 8では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 05 ^ m, P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚 み 0. 01 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni — Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0482] [実施例 4 2— 9]
実施例 4 2— 9では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 2 m〖こ設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni — Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0483] [実施例 4 2— 10]
実施例 4-2-10では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 4 μ mに設定した。これ により、？^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. 6 mとなった。 Ni—S n合金層は、主として板状の形状であった。
[0484] [実施例 4—2—11]
実施例 4 2— 11では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0485] [実施例 4 2— 12]
実施例 4 2— 12では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0486] [実施例 4 2 - 13]
実施例 4 2— 13では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0487] [実施例 4 2 - 14]
実施例 4 2— 14では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni — Sn合金層は、主として板状の形状であった。 [0488] [実施例 4 2— 15]
実施例 4-2-15では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 8wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. となつ た。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0489] [実施例 4 2 - 16]
実施例 4 2— 16では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 3 /ζ πι、 Ρ含有量 8wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. 7 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0490] [実施例 4 2 - 17]
実施例 4-2-17では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 05 ^ m, P含有量 10wt°/ 設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 8 m となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0491] [実施例 4—2—18]
実施例 4 2— 18では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 10wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0492] [実施例 4 2— 19]
実施例 4 2— 19では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 0. 05 ^ m, P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 01 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 2. O /z mとな つた。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0493] [実施例 4 2— 20]
実施例 4 2— 20では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 1 μ m、 P含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 5 μ mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 9 mとなった。 N i Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0494] [実施例 4 2 - 21]
実施例 4 2— 21では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 8 /ζ πι、 Ρ含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 0. 01 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 1 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 2. となった。 Ni— Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0495] [実施例 4 2— 22]
実施例 4 2— 22では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 15wt%に設定した。一方、 Pd 層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 2 mに設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 2. となった。 Ni — Sn合金層は、主として板状の形状であった。
[0496] [実施例 4 3— 1]
実施例 4-3— 1—実施例 4-3— 14では、実施例 4-1-1一実施例 4-1-14と同様に 、半田層を構成する半田として Cu: 0. 5wt%、 Ag : 3. 5wt%、 Sn: 95wt%合金を 用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0. 009 μ m、 P含有量 8wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Cu:Ni=42 :45 : 13に、厚みが 2. 5 /z mとなった。 Cu— Ni— Sn合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合 金結晶が形成されている。 [0497] [実施例 4 3 - 2]
実施例 4 3— 2では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.008 m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚 み 0.04/zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=42:45： 13に、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は主として柱状となった。
[0498] [実施例 4 3— 3]
実施例 4 3— 3では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.009 m、 P含有量^％に設定した。 Au層は、厚 み 0.03/zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=42:45： 13に、厚みが 2.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は主として柱状となった。
[0499] [実施例 4 3 - 4]
実施例 4 3— 4では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn: 95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1.2wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .05/zmに設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に 、厚みが 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形 成された。
[0500] [実施例 4 3— 5]
実施例 4 3— 5では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.5wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 /zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、 厚みが 1.3 μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、粒状体 (粒状の結晶）となってニッケル 層の界面に形成された。
[0501] [実施例 4 3— 6]
実施例 4 3— 6では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を厚み 10/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 2.0/z m、 P含有量 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.06 / mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚 みが 1.5 mとなった。 Ni— Sn合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成 された。
[0502] [実施例 4 3— 7]
実施例 4 3— 7では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.03 μ m、 P含有量 3 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.03 / mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚 みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面 に形成された。
[0503] [実施例 4 3— 8]
実施例 4 3— 8では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 0.5wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.04 μ mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚み が 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に 形成された。
[0504] [実施例 4 3— 9]
実施例 4 3— 9では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 0.03 m、 P含有量 16wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0.2/z m、 P含有量 7 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.05 μ mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚み が 1.3 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に 形成された。
[0505] [実施例 4 3— 10]
実施例 4— 3— 10では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 0.4 ％に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 0. 2/z m、 P含有量 2 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=66:29:5に、厚み が 1.4 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に 形成された。
[0506] [実施例 4—3—11]
実施例 4— 3— 11では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 10/ζπι、 P含有量 16wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 μ mに設 定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 1. 5 /zmとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成さ れた。
[0507] [実施例 4 3— 12]
実施例 4— 3— 12では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。 一方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 μ mに 設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. 4 mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成 された。
[0508] [実施例 4—3—13]
実施例 4— 3— 13では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 μ mに設定 した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. 5μ mとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成され た。
[0509] [実施例 4 3— 14]
実施例 4— 3— 14では、半田層を構成する半田として Cu:0. 5wt%、Ag:3. 5wt% 、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設 定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=66:29:5に、厚みが 2. 4 /zmとなった。 Ni— Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成さ れた。
[0510] [実施例 4 4 1]
実施例 4 4 1一実施例 4 4 14では、実施例 4 2— 1一実施例 4 2— 14と同様に 、半田層を構成する半田として Sn:Pb = 63:37(wt%)の鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 009 μ m、 P含有量 8 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。これにより、 ?^ 311合金層の組成を311:^=67:33に、厚みが 2. 5 μ mとなった。 Ni— Sn合金 層は主として柱状となった。
[0511] [実施例 4 4 2]
実施例 4 4 2では、半田層を構成する半田として Sn:Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0. 008 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 5 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は主として柱状となった。
[0512] [実施例 4 4 3]
実施例 4 4 3では、半田層を構成する半田として Sn:Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 0. 009 μ m、 P含有量 1 ％に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. δμ η となった。 Ni— Sn合金層は主として柱状となった。
[0513] [実施例 4 4 4]
実施例 4 4 4では、半田層を構成する半田として Sn:Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 2. 0/z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 3 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0514] [実施例 4 4 5]
実施例 4 4 5では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 2. 0 /z m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 3 mとなつ た。 Ni— Sn合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0515] [実施例 4 4 6]
実施例 4 4 6では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 10 m、 P含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 2. 0 /z m、 P含有量 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 06 μ mに設定した 。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni— Sn合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0516] [実施例 4 4 7]
実施例 4 4 7では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた Ni層を厚み 0. 03 ^ m, P含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 03 μ m、 P含有量 3wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 1 mとなった。 N i Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0517] [実施例 4 4 8]
実施例 4 4 8では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 5wt%に設定した。一方、 Pd層は 、厚み 0. 2 /z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 mに設定した。 これにより、？^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 3 mとなった。 N i Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0518] [実施例 4 4 9]
実施例 4 4 9では、半田層を構成する半田として Sn: Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。 Ni層を厚み 0. 03 ^ m, P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 2 /z m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 m〖こ設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. となった。 Ni —Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0519] [実施例 4 4 10]
実施例 4-4-10では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 10 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 0. 2 /z m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 m〖こ設定した。こ れにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 1. 4 mとなった。 Ni —Sn合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0520] [実施例 4 4 11]
実施例 4 4 11では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 10 /ζ πι、 P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 01 mに設定した。これ により、？^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 1. 5 mとなった。 Ni—S n合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0521] [実施例 4 4 12]
実施例 4 4 12では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 0. 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 m〖こ設定した。これ により、？^ー311合金層の組成を311:^=67 : 33に、厚みが 2. となった。 Ni—S n合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0522] [実施例 4 4 13]
実施例 4 4 13では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 5wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚 み 1 μ m、 P含有量 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 μ mに設定した。これに より、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67 : 33に、厚みが 2. 5 μ mとなった。 Ni— Sn 合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。 [0523] [実施例 4 4 14]
実施例 4 4 14では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。 Ni層を厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定した。一方、 Pd層は、 厚み 1 μ m、 P含有量 7wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 μ mに設定した。これ により、？^ー311合金層の組成を311:^=67:33に、厚みが 2. となった。 Ni—S n合金層は、主として粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[0524] [実施例 4 5— 1]
実施例 4 5—1では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0.03 μ m、 P含有量 0 ％に設定した。 Au層は、厚み 0.05 μ mに設定し た。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、 Ni-Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni—Sn合金 層は粒状体となった。
[0525] [実施例 4 5— 2]
実施例 4 5— 2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を厚み 5 m、 P含有量 1.2wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 0.07 μ m、 P含有量 5wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.07 μ mに設定し た。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、 Ni-Sn 合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 1.5 mとなった。 Ni—Sn合金 層は主として板状となった。
[0526] [参考例 4 1 1]
参考例 4 1 1一参考例 4 1 16、参考例 4 2— 1一参考例 4 2— 16では、図 25 一図 29を参照して上述した実施例 4と同様に積層プリント配線板を形成し、半田層を 形成した。参考例 4 1 1は、そして、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、 A g:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。 Ni層は、厚み 5/ζπι、 Ρ含有量 1.2wt% に設定した。但し、 Pd層は、厚み 0.5 mで P含有しないよう（P含有量 =ほぼ 0%) に形成した。 Au層は、厚み 0.03 m〖こ設定した。これ〖こより、 Ni— Sn合金層の組成 を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚みが 0. となった。参考例 4— 1—1では、図 18 右側の電子顕微鏡写真に示されるよう Cu - Ni - Sn合金層が柱状、即ち、ニッケル層 に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
[0527] [参考例 4 1 2]
参考例 4 1 2では、半田層を構成する半田として、参考例 4 1 1と同様に Cu:0 .5wt%、 Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1.0 mで P含有量を 0.8 ％に 設定した。 Au層は、厚み 0.03 m〖こ設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=42:37:21に、厚み力0. となった。
[0528] [参考例 4 1 3]
参考例 4 1 3では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1. で P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 に設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、 厚みが 2.7 mとなった。
[0529] [参考例 4 1 4]
参考例 4 1 4では、半田層を構成する半田として Cu:0.5wt%、Ag:3.5wt%、 Sn:95wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 4wt%に設定した 。一方、 Pd層は、厚み 1.5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 に設定した。これにより、？^—311合金層の組成を311:01:?^=42:37:21に、 厚みが 2. となった。
[0530] [参考例 4 1 5]
参考例 4 1 5では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 ^m, P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 0.5/z
Figure imgf000125_0001
Au層は、厚 み 0.03/zmに設定した。これにより、？^ー311合金層の組成を311:01:?^=38:20： 42に、厚み力 SO.8 μ mとなった。
[0531] [参考例 4 1 6]
参考例 4 1 6では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 ^m, P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .05/zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35 に、厚みが 0. となった。
[0532] [参考例 4 1 7]
参考例 4 1 7では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 16wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 2 mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35に、 厚みが 0.9 μ mとなった。
[0533] [参考例 4 1 8]
参考例 4 1 8では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 16wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .05/zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=40:25:35 に、厚みが 0. となった。
[0534] [参考例 4 1 9]
参考例 4 1 9では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 Sn :97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 0.5/z
Figure imgf000126_0001
Au層は、厚み 0. 03 /zmに設定した。これにより、 Ni—Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に 、厚みが 2.5 μ mとなった。
[0535] [参考例 4 1 10]
参考例 4— 1—10では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.0 に設定した。これにより、 Ni—Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、 厚みが 2. となった。 [0536] [参考例 4 1 11]
参考例 4— 1—11では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0.03 / mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に、 厚みが 2.7 mとなった。
[0537] [参考例 4 1 12]
参考例 4— 1—12では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 17wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 /zmに設定した。これにより、 Ni—Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49に 、厚みが 2.9 μ mとなった。
[0538] [参考例 4 1 13]
参考例 4— 1—13では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 ^m, P含有量 0.4wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .008/zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49 に、厚みが 0. となった。
[0539] [参考例 4 1 14]
参考例 4— 1—14では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0.03 μ m、 P含有量 16wt%に設 定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0 .008/zmに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Cu:Ni=39:26:49 に、厚みが 0. となった。
[0540] [参考例 4 1—15]
参考例 4— 1—15では、半田層を構成する半田として Cu:0.2wt%、 Ag:lwt%、 S n:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定 した。一方、 Pd層は、厚み 1.5/z mで P含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 2 . に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn: Cu:Ni= 39 : 26 :49に 、厚みが 2. 6 μ mとなった。
[0541] [参考例 4 1 16]
参考例 4— 1—16では、半田層を構成する半田として Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt%、 S n: 97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 /ζ πι、 Ρ含有量 17wt%に設定し た。一方、 Pd層は、厚み 1. 5 /z mで P含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 2. 1 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn： Cu： Ni= 39： 26： 49に、 厚みが 2. 7 mとなった。
[0542] [参考例 4 2— 1]
参考例 4 1—1一参考例 4 1—16では、半田層を構成する半田として鉛レスの Cu ZAgZSn半田を用いた。これに対して、参考例 4 2— 1一参考例 4 2— 16では、半 田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半田を用 V、た。参考例 4 1 1は、 Ni層を厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 0. 5 μ mで Ρを含有しないよう（P含有率 =ほぼ 0%)に形成した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67 : 33に、厚みが 0. 8 μ mとなった。
[0543] [参考例 4 2— 2]
参考例 4—2—2では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1. 0 μ mで Ρ含有量を 0. 8wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 0. 9 mとな つた o
[0544] [参考例 4 2 - 3]
参考例 4—2—3では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 /z m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1. 0 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 04 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67 : 33に、厚みが 2. となつ [0545] [参考例 4 2— 4]
参考例 4 2— 4では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5/z m、 P含有量 4wt%に設定した。一方、 Pd層 は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 9 mとなつ た。
[0546] [参考例 4 2— 5]
参考例 4—2—5では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 4wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有量を Owt°/ 設定した。 Au層は、厚み 0. 03 m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 8μ mとなった。
[0547] [参考例 4 2— 6]
参考例 4—2—6では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 4wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 0. 9μ η となった。
[0548] [参考例 4 2— 7]
参考例 4—2—7では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 ^m, P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 0. 9 mとな つた o
[0549] [参考例 4 2— 8]
参考例 4—2—8では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 ^m, P含有量 16wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 0. 9μηι となった。
[0550] [参考例 4 2— 9]
参考例 4—2—9では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 0. 5 μ mで Ρ含有量を Owt°/ 設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 5 m となった。
[0551] [参考例 4 2— 10]
参考例 4— 2— 10では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 02 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 6 mとな つた o
[0552] [参考例 4 2— 11]
参考例 4 2— 11では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 m、 P含有量 17wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 03 μ mに設定 した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. となつ た。
[0553] [参考例 4 2— 12]
参考例 4— 2—12では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 m、 P含有量 17wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 05 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 9μηι となった。
[0554] [参考例 4 2— 13]
参考例 4— 2—13では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 m、 P含有量 0. 4wt%に設定した。一 方、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 008 μ m に設定した。これにより、 Ni— Sn合金層の組成を Sn:Ni=67:33に、厚みが 0. 9μ mとなった。
[0555] [参考例 4 2— 14]
参考例 4— 2— 14では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 0. 03 ^m, P含有量 16wt%に設定した。一方 、 Pd層は、厚み 1 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 0. 008 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 0. 9μ η となった。
[0556] [参考例 4 2— 15]
参考例 4— 2—15では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12/ζπι、 Ρ含有量 0.4wt%に設定した。一方、 Pd層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 2wt%に設定した。 Au層は、厚み 2. 1 μ mに 設定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. 6μ η となった。
[0557] [参考例 4 2— 16]
参考例 4— 2— 16では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛 半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 12 m、 P含有量 17wt%に設定した。一方、 P d層は、厚み 1. 5 μ mで Ρ含有量を 9wt%に設定した。 Au層は、厚み 2. 1 μ mに設 定した。これにより、 ^ー311合金層の組成を311:?^=67:33に、厚みが 2. とな つた o
[0558] 〈比較例〉
比較例として、半田パッド部分における導体層に従来技術におけるニッケル (Ni層 )一金 (Au層）を形成させた。
[比較例 1 1 1]
比較例 1—1—1では、半田バンプを構成する半田として Cu:0. 2wt%、 Ag:lwt% 、 Sn:97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 μ m、 P含有量 1. 2wt%に設 定した。一方、 Ni層の上には Pd層の代わりに、厚み 0. 03 mで Au層を設けた。リ フロー後には、 Ni— Sn合金層が形成されなかった。
[0559] [比較例 1 2— 1]
比較例 1—2—1では、半田バンプを構成する半田として Sn: Pb = 63 : 37 (wt%)の 鉛半田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 /ζ πι、 Ρ含有量 1. 2wt%に設定した。一方
、 Ni層の上には Pd層の代わりに、厚み 0. 03 mで Au層を設けた。リフロー後には
、 Ni— Sn合金層が形成されな力つた。
[0560] [比較例 2— 1 1]
比較例 2— 1—1では、半田層を構成する半田として Cu: 0. 2wt%、 Ag: lwt%、 Sn
: 97wt%合金を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 /ζ πι、 Ρ含有量 1. 2wt%に設定した
。一方、 Ni層の上には Pd層の代わりに、厚み 0. 03 μ mで Au層を設けた。リフロー 後には、 Ni— Sn合金層が形成されなカゝつた。
[0561] [比較例 2— 2— 1]
比較例 2— 2— 1では、半田層を構成する半田として Sn： Pb = 63： 37 (wt%)の鉛半 田を用いた。そして、 Ni層を、厚み 5 m、 P含有量 1. 2wt%に設定した。一方、 Ni 層の上には Pd層の代わりに、厚み 0. 03 μ mで Au層を設けた。リフロー後には、 Ni Sn合金層が形成されなかった。
[0562] (評価項目）
該基板は、ピース毎に個片加工したものを 10ピース用いて行った。実施例 1一実施 例 4、参考例 1一参考例 4、比較例のパラメータを図 31—図 47に、評価結果を図 48 一図 64中に示す。
1.半田剥離試験
半田ペースト実装後に、半田ペーストの剥離試験を行った。ここで、引っ張り強度で 4. OKgZpin (半田バンプもしくは半田層）を上回る数値が得られた場合を◎で、引 つ張り強度で 2. 0-4. OKgZpinの数値が得られた場合を〇で、 1. 0—2. OKg/ pinの数値が得られた場合を△で、 1. OKgZpin未満の数値が得られた場合を Xで ¾kし 7こ。
[0563] 2.信頼性試験 実施例 1、実施例 3、参考例 1、参考例 3群: ICチップ実装後に抵抗測定を実施 実施例 2、実施例 2、参考例 4、参考例 4群:マザ一ボードに実装後に抵抗測定を実 施
ヒートサイクル条件下（135°CZ3min. — 55°CZ3min.を 1サイクルとして、 2500サ イタルから 500サイクル毎に、 5000サイクルまで信頼性試験を行った。
このとき、信頼性試験機力もの装置力も出して、二時間放置した後に、該基板の導通 の有無、抵抗値を測定した。ここで、導通が有り、抵抗値の変化が 2%未満のものを ◎で、導通が有り、抵抗値の変化が 2%を越え 5%未満のものを〇で、抵抗値の変化 力 ％を越えるものを△で、導通が無くなつたものを Xで表す。
[0564] 3.信頼性試験後のチップ Zマザ一ボードとの剥離試験
実装完了後と信頼性試験でヒートサイクル条件下（135°C — 55°Cを 1サイクルとし て繰り返し行った。 )で 5000サイクルを完了した基板での引っ張り強度測定を行った 。ここで、引っ張り強度で 1.0-2. OKgZpin (半田バンプもしくは半田層）の数値が 得られた場合を〇で、 1. OKgZpin未満の数値が得られた場合を Xで表した。この 評価は 3箇所行い、その最小値で評価した。
[0565] <実施例 1,実施例 2のパラジウム膜の要因確認実験 >
次に、パラジウム膜の要因確認実験を行った結果について説明する。
以下の条件で、実施例 1の基板を条件 A、 Bで製造した。
条件 Α—1(Δ)ニッケル厚み 0.05/zm ニッケル P含有量 0.5wt%
条件 A—2(〇）ニッケル厚み 0.05/zm ニッケル P含有量 6. Owt%
条件 A—3(X)ニッケル厚み 0.05/zm ニッケル P含有量 15. Owt%
条件 Β—1(Δ)ニッケル厚み 10. ニッケル P含有量 0.5wt%
条件 B—2(〇）ニッケル厚み 10. ニッケル P含有量 6. Owt%
条件 B—3(X)ニッケル厚み 10. ニッケル P含有量 15. Owt%
[0566] (パラジウム厚みの相関）
このとき、パラジウム膜中リン含有量 5wt%として、パラジウム厚みを 0.008 m、 0 . Ol^m, 0.03 ^m, 0.1 m、 1. m、 1.2 /zmで开滅した後、 Cu:0.5wt% 、 Ag:3.5wt%、 Sn:96wt%である半田を載置し、ダミー半導体を実装した。 この後、 PCT (ブレシャ一タッカー）試験（2atm、 130°C条件下）で 100時間を行い、 3ケ所引っ張り試験を行い、このときの平均値を算出した。それぞれの結果を図 65中 のグラフに示した。
[0567] (パラジウムリン含有量の相関）
また、パラジウムの厚みを 0. 1 μ mとして、パラジウム中のリン含有量を Owt%、 lwt %、 2wt%、 4wt%、 6wt%、 7wt%、 8wt%、 9wt%で形成した後、 Cu: 0. 5wt%、 Ag : 3. 5wt%、 Sn: 96wt%である半田を載置し、ダミー半導体を実装した。
この後、 PCT (ブレシャ一タッカー）試験（2atm、 130°C条件下）で 100時間を行い、 3ケ所引っ張り試験を行い、このときの平均値を算出した。それぞれの結果を図 66中 のグラフに示した。
[0568] <実施例 1,実施例 2のニッケル膜の要因確認実験 >
次に、ニッケル膜の要因確認実験を行った結果につ ヽて説明する。
以下の条件で、実施例 1の基板を条件 C、 Dで製造した。
条件 C 1 パラジウム厚み 0. Ol /z m パラジウム P含有量 2wt%
条件 C 2 パラジウム厚み 0. Ol /z m パラジウム P含有量 5wt%
条件 C 3 パラジウム厚み 0. 01 /z m パラジウム P含有量 7wt%
条件 D— 1 パラジウム厚み 1. パラジウム P含有量 2wt%
条件 D— 2 パラジウム厚み 1. パラジウム P含有量 5wt%
条件 D— 3 パラジウム厚み 1. パラジウム P含有量 7wt%
[0569] (ニッケル厚みの相関）
このとき、ニッケル膜中リン含有量 6. Owt%として、ニッケル厚みを 0. 03 ^ m, 0. 05 μ 0. 1 m、 0. d m、 1. 0 m、 2. m、 5 m、 10 μ 12 μ mで开^^ した後に以下の条件でパラジウム膜を形成させた。
[0570] (ニッケルリン含有量の相関）
また、ニッケルの厚みを 0. 1 μ mとして、ニッケル中のリン含有量を Owt%、 0. 5wt %、 lwt%、 3wt%、 5wt%、 8wt%、 10wt%、 15wt%、 17wt%で形成させた。 そして、 Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt%、 Sn: 97wt%である半田を載置し、ダミー半導 体を実装した。この後、 PCT (ブレシャ一タッカー）試験（2atm、 130°C条件下）で 10 0時間を行い、 3ケ所引っ張り試験を行い、このときの平均値を算出した。それぞれの 結果をニッケル厚みと強度との相関を図 67中のグラフに、ニッケルリン含有量との相 関を図 68中のグラフに示した。
[0571] また、これらの実験結果を元に Ni— Sn合金層（この場合は Ni— Sn— Cuで評価を行 つた）の厚みによる引っ張り強度をシミュレートさせたところ、図 69に示すグラフのよう な関係を見出した。
[0572] <実施例 3,実施例 4のパラジウム膜の要因確認実験 >
次に、実施例 3,実施例 4のパラジウム膜の要因確認実験を行った結果について説 明する。
実施例 3の基板を上記条件 A、 Bで製造した。
[0573] (パラジウム厚みの相関）
このとき、パラジウム膜中リン含有量 5wt%として、パラジウム厚みを 0. 008 m、 0 . Ol ^ m, 0. 03 ^ m, 0. 1 m、 1. m、 1. 2 /z mで开滅した後、 Cu: 0. 5wt% 、 Ag : 3. 5wt%、 Sn: 96wt%である半田を載置し、ダミー半導体を実装した。
PCT (ブレシャ一タッカー)試験の結果は、図 65中のグラフを参照した第 1実施例と ほぼ同様の結果であった。
[0574] (パラジウムリン含有量の相関）
また、パラジウムの厚みを 0. 1 μ mとして、パラジウム中のリン含有量を Owt%、 lwt %、 2wt%、 4wt%、 6wt%、 7wt%、 8wt%、 9wt%で形成した後、 Cu: 0. 5wt%、 Ag : 3. 5wt%、 Sn: 96wt%である半田を載置し、ダミー半導体を実装した。
PCT (ブレシャ一タッカー)試験の結果は図 66を参照した第 1実施例とほぼ同様の 結果であった。
[0575] <実施例 3,実施例 4のニッケル膜の要因確認実験 >
次に、実施例 3、実施例 4のニッケル膜の要因確認実験を行った結果について説 明する。
実施例 3の基板を上記条件 C、 Dで製造した。
[0576] (ニッケル厚みの相関）
このとき、ニッケル膜中リン含有量 6. Owt%として、ニッケル厚みを 0. 03 ^ m, 0. 05 μ 0. 1 m、 0. 3 m、 1. 0 m、 2. m、 5 m、 10 μ 12 μ mで开 した後に以下の条件でパラジウム膜を形成させた。
[0577] (ニッケルリン含有量の相関）
また、ニッケルの厚みを 0. 1 μ mとして、ニッケル中のリン含有量を 0wt%、 0. 5wt %、 lwt%、 3wt%、 5wt%、 8wt%、 10wt%、 15wt%、 17wt%で形成させた。 そして、 Cu: 0. 2wt%、 Ag : lwt%、 Sn: 97wt%である半田を載置し、ダミー半導 体を実装した。 PCT (ブレシャ一タッカー）試験の結果は、図 67及び図 68を参照して 上述した第 1実施例とほぼ同様となった。
[0578] また、これらの実験結果を元に Ni— Sn合金層（この場合は Ni— Sn— Cuで評価を行 つた）の厚みによる引っ張り強度をシミュレートさせたところ、図 69を参照して上述した 第 1実施例と同様な関係を見出した。
[0579] 上記 <第 1一第 4実施例のパラジウム膜の要因確認実験 >及び <第1一第 4実施 例のニッケル膜の要因確認実験 >の傾向は、半田層として外部端子を配設した場合 にも同様の傾向となることも確認されている。また、半田の違い（半田組成）によっても 傾向にそれほど大差は見られな力つた。
[0580] <実施例 3、実施例 4の耐食膜の要因確認実験 >
次に、耐食膜の要因確認実験を行った結果について説明する。
以下の条件で、実施例 3の基板を製造した。
(金厚みの相関）
ニッケル 厚み 0. ニッケル中のリン含有量 5wt%
パラジウム 厚み 0. パラジウム中のリン含有量 5wt%
その後、金の厚みは、 0. 01 μ m、 0. 03 m、 0, 05 m、 0. 1 m、 0. 5 m、 1. 0 m、 2. 0 m、 2. 5 mで开成した。
[0581] (他の耐食層との相関）
耐食層に金の代わりに、銀、白金、スズを 0. 03 mにより形成させた。
耐食層を形成後、 Cu: 2wt%、 Ag : lwt%、 Sn: 97wt%である半田を載置し、ダミー 半導体を実装した。
この後、 PCT (ブレシャ一タッカー）試験（2atm、 130°C条件下）で 100時間を行い、 3ケ所引っ張り試験を行い、このときの平均値を算出した結果を図 70中のグラフに示 した。
図面の簡単な説明
[図 1]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の断面図である。
圆 2]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
圆 3]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
圆 4]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
圆 5]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
圆 6]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
圆 7]本発明の実施例 1に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
[図 8]図 8 (A)は、図 7 (B)中の円 A部を拡大して示す模式図であり、図 8 (B)は、図 1 中の円 B部を拡大して示す模式図である。
[図 9]本発明の実施例 2に係る多層プリント配線板の断面図である。
[図 10]実施例 2に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 11]実施例 2に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 12]実施例 2に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 13]実施例 2に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 14]図 14 (A)は、図 12 (B)中の円 A部を拡大して示す模式図であり、図 14 (B)は 、図 9中の円 B部を拡大して示す模式図である。
[図 15]ニッケル層、 Cu-Ni-Sn合金層、半田の電子顕微鏡写真である。
[図 16]Cu-M-Sn合金層の電子顕微鏡写真である。
[図 17]Cu-M-Sn合金層の電子顕微鏡写真である。
[図 18]Cu-M-Sn合金層の透過式電子顕微鏡写真である。
[図 19]厚さ 0. 7 /z mの Pd層の電子顕微鏡写真である。
[図 20]厚さ 0. 3 μ mの Pd層の電子顕微鏡写真である。
[図 21]本発明の実施例 3に係る多層プリント配線板の断面図である。
[図 22]実施例 3に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
[図 23]実施例 3に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 [図 24]図 24 (A)は、図 23 (B)中の円 A部を拡大して示す模式図であり、図 24 (B)は
、図 21中の円 A部を拡大して示す模式図である。
[図 25]本発明の実施例 4に係る多層プリント配線板の断面図である。
[図 26]実施例 4に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 27]実施例 4に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 28]実施例 4に係るプリント配線板の製造工程図である。
[図 29]図 29 (A)は、図 25 (B)中の円 B部を拡大して示す模式図であり、図 29 (B)は 、図 27中の円 A部を拡大して示す模式図である。
[図 30]図 30 (A)、図 30 (B)は、 Pd膜形成を説明するための模式図であり、図 30 (A) は Pを有する場合を、図 30 (B)は Pを有しない場合を示している。
[図 31]実施例 1のパラメータを示す図表である。
[図 32]実施例 1のパラメータを示す図表である。
[図 33]実施例 1のパラメータを示す図表である。
[図 34]実施例 2のパラメータを示す図表である。
[図 35]実施例 2のパラメータを示す図表である。
[図 36]実施例 2のパラメータを示す図表である。
[図 37]参考例 1のパラメータを示す図表である。
[図 38]参考例 2のパラメータを示す図表である。
[図 39]実施例 3のパラメータを示す図表である。
[図 40]実施例 3のパラメータを示す図表である。
[図 41]実施例 3のパラメータを示す図表である。
[図 42]実施例 4のパラメータを示す図表である。
[図 43]実施例 4のパラメータを示す図表である。
[図 44]実施例 4のパラメータを示す図表である。
[図 45]参考例 3のパラメータを示す図表である。
[図 46]参考例 4のパラメータを示す図表である。
[図 47]比較例のパラメータを示す図表である。
[図 48]実施例 1の試験結果を示す図表である。 [図 49]実施例 1の試験結果を示す図表である。
[図 50]実施例 1の試験結果を示す図表である。
[図 51]実施例 2の試験結果を示す図表である。
[図 52]実施例 2の試験結果を示す図表である。
[図 53]実施例 2の試験結果を示す図表である。
[図 54]参考例 1の試験結果を示す図表である。
[図 55]参考例 2の試験結果を示す図表である。
[図 56]実施例 3の試験結果を示す図表である。
[図 57]実施例 3の試験結果を示す図表である。
[図 58]実施例 3の試験結果を示す図表である。
[図 59]実施例 4の試験結果を示す図表である。
[図 60]実施例 4の試験結果を示す図表である。
[図 61]実施例 4の試験結果を示す図表である。
[図 62]参考例 3の試験結果を示す図表である。
[図 63]参考例 4の試験結果を示す図表である。
[図 64]比較例の試験結果を示す図表である。
[図 65]パラジウム厚と強度との相関を示すグラフである。
[図 66]パラジウムリン含有量と強度との相関を示すグラフである。
[図 67]ニッケル厚と強度との相関を示すグラフである。
[図 68]ニッケルリン含有量と強度との相関を示すグラフである。
[図 69]Ni— Sn合金層の厚みによる引っ張り強度をシミュレートした結果を示すグラフ である。
[図 70]耐食層厚と強度との相関を示すグラフである。
符号の説明
30 多層プリント配線板
70 ソノレダーレジスト層
71 開口
72 ニッケル層 73 パラジウム層
74 Au層
75 Ni— Sn合金層 76U、 76D 半田バンプ

Claims

請求の範囲
[I] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力ゝら露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バン プあるいは半田層が形成されるプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Pd層からなることを特徴とするプリント配線板。
[2] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力ゝら露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バン プあるいは半田層が形成されるプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Pd層からなり、
前記半田バンプあるいは半田層は、鉛が含有されていない半田力もなることを特徴 とするプリント配線板。
[3] 前記 Pd層の厚みは、 0. 01-1. 0 mである請求項 1又は請求項 2に記載のプリント 酉己 板。
[4] 前記 Pd層には、 2— 7wt%のPが含有されている請求項 1又は請求項 2に記載のプリ ント配線板。
[5] 前記 Ni層の厚みは. 0. 05— 10 mである請求項 1又は 2に記載の多層プリント配 板。
[6] 前記 Ni層には、 0. 5— 15 ％の13が含有されている請求項 1又は請求項 2に記載 のプリント配線板。
[7] 前記 Ni層と前記 Pd層には、双方に Pが含有されている請求項 1又は請求項 2に記載 のプリント配線板。
[8] 前記 Ni層には、 Pd層中の Pの含有量よりも少ない Pが含有される請求項 7に記載の プリント配線板。
[9] 前記 Ni層には、 Pd層中の Pの含有量よりも多い Pが含有される請求項 7に記載のプリ ント配線板。
[10] 前記鉛が含有されていない半田は、 Sn— Ag系半田、 Sn— Sb系半田、 Sn— Cu系半 田、 Sn— Ag— Cu系半田力も選ばれるものである請求項 2に記載のプリント配線板。
[II] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力 露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バン プあるいは半田層が形成されたプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Ni合金層であることを特徴とするプリント配線板。
[12] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力 露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バン プあるいは半田層が形成されたプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Ni— Sn合金層であることを特徴とするプリント配線板。
[13] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力 露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バン プあるいは半田層が形成されたプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Ni合金層であり、
前記半田バンプあるいは半田層は、鉛が含有されていない半田力もなることを特徴 とするプリント配線板。
[14] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力ゝら露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バン プあるいは半田層が形成されたプリント配線板であって、
前記複合層は、 Ni層、 Ni— Sn合金層であり、
前記半田バンプあるいは半田層は、鉛が含有されていない半田力もなることを特徴 とするプリント配線板。
[15] 前記 Ni合金層は、厚み 1. 0-2. 5 mである請求項 11または請求項 13に記載の プリント配線板。
[16] 前記 Ni— Sn合金層は、厚み 1. 0-2. 5 μ mである請求項 12または請求項 14に記 載のプリント配線板。
[17] 前記 Ni— Sn合金層は、 Ni— Sn— Cuからなる三成分である請求項 12又は請求項 14 に記載の多層プリント配線板。
[18] 前記 Ni合金層は、少なくとも一部に板状体が形成されている請求項 11又は請求項 1
3に記載のプリント配線板。
[19] 前記 Ni— Sn合金層は、少なくとも一部に板状体が形成されている請求項 12又は請 求項 14に記載のプリント配線板。
[20] 前記半田パッド上には半導体素子との接続を行う半田層が形成されている請求項 1
1一請求項 14のいずれか 1に記載のプリント配線板。
[21] 前記半田は Snを含み、前記 Ni合金層は Ni— Snを含む請求項 11又は請求項 13の プリント配線板。
[22] 前記半田は Cu— Sn— Ag力も成り、前記 Ni合金層は Cu— Ni— Snから成る請求項 13 のプリント配線板。
[23] 前記半田層には、 Cuが含有されている請求項 11一請求項 14のいずれ力 1に記載 のプリント配線板。
[24] 前記半田バンプもしくは前記半田層は、加熱処理を経ている請求項 11一請求項 14 の!、ずれか 1に記載の多層プリント配線板。
[25] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力ゝら露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田を有 する半田パッド構造の製造方法であって：
ソルダーレジスト層の開口力も露出した導体回路の表層に、少なくとも Ni層、 Pd層 カゝらなる複合層を設ける工程と；
該複合層の上に半田を設ける工程と；
半田をリフローして半田バンプを形成すると共に、 Ni層と半田バンプとの界面に、 N Ni合金層もしくは i Sn合金層を作る工程と；カゝらなるプリント配線板の製造方法。
[26] 前記 Pd層を 0. 01-1. O /z mの厚みに設ける請求項 25に記載のプリント配線板の 製造方法。
[27]
Figure imgf000143_0001
に設ける請求項 25に記載のプリント配線 板の製造方法。
[28] 前記 Ni層の厚みは. 0. 05— 10 mである請求項 25に記載の多層プリント配線板 の製造方法。
[29] 前記 Ni層には、 0. 5— 15wt%のPが含有されている請求項 25に記載のプリント配 線板の製造方法。
[30] 前記 Ni層と前記 Pd層には、双方に Pが含有されている請求項 25に記載のプリント配 線板の製造方法。
[31] 前記 Ni層を、 Pd層中の Pの含有量よりも少ない 0. 5-5. Owt%の Pが含有されるよ うに設ける請求項 30に記載のプリント配線板の製造方法。
[32] 前記 Ni層には、 Pd層中の Pの含有量よりも多い Pが含有される請求項 30に記載のプ リント配線板の製造方法。
[33] 前記半田は Cu— Sn— Agから成り、前記 Ni— Sn合金層は Cu— Ni— Snカゝら成る請求 項 25のプリント配線板の製造方法。
[34] ソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッド力ゝら露 出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田を有 する半田パッド構造を備えるプリント配線板であって、
前記複合層は、少なくとも Ni層、中間層、耐食層から成ることを特徴とするプリント 酉己 板。
[35] 前記 Ni層の厚みは. 0. 05— 5 μ mである請求項 34に記載のプリント配線板。
[36] 前記 Ni層には、 0. 5— 15 ％の13が含有されている請求項 34又は請求項 35に記 載のプリント配線板。
[37] 前記中間層の厚みは、 0. 01-0. 2 μ mである請求項 34—請求項 36のいずれか 1 に記載のプリント配線板。
[38] 前記中間層には、 2— 7wt%のPが含有されている請求項 34に記載のプリント配線 板。
[39] 前記中間層には、 Pd層であり、前記 Pd層には、 2— 7wt%のPが含有されている請 求項 34に記載のプリント配線板。
[40] 前記耐食層は、 Au、 Ag、 Pt、 Snのいずれから 1種類以上が選ばれる請求項 34— 請求項 39の 、ずれか 1に記載のプリント配線板。
[41] 前記 Ni層と前記中間層には、双方に Pが含有されている請求項 34に記載のプリント 酉己 板。
[42] 前記 Ni層には、中間層中の Pの含有量よりも少ない Pが含有される請求項 41に記載 のプリント配線板。
[43] 前記 Ni層には、中間層中の Pの含有量よりも多い Pが含有される請求項 41に記載の プリント配線板。
[44] 基板上にソルダーレジスト層の一部が開口された半田パッドが形成され、該半田パッ ドから露出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の 半田を有する半田パッド構造の製造方法であって：
ソルダーレジスト層の開口力も露出した導体回路の表層に、少なくとも Ni層、 Pd層 、耐食層からなる複合層を設ける工程と；
該複合層の上に半田を設ける工程と；
半田をリフローして半田バンプを形成すると共に、 Ni層と半田バンプとの界面に、 N i合金層もしくは Ni— Sn合金層を作る工程と、
力 なるプリント配線板の製造方法。
[45] 前記半田は Cu— Sn— Ag力 成り、前記合金層は Cu— Ni— Snから成る請求項 44の プリント配線板の製造方法。
[46] 前記 Ni合金層の厚みを 1. 0-2. 5 mにする請求項 44又は請求項 45のプリント配 線板の製造方法。
PCT/JP2005/004558 2004-10-14 2005-03-15 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 WO2006040847A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/576,987 US7943861B2 (en) 2004-10-14 2005-03-15 Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
US12/494,948 US8156646B2 (en) 2004-10-14 2009-06-30 Method for manufacturing printed wiring board

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004300696A JP4794154B2 (ja) 2004-10-14 2004-10-14 多層プリント配線板の製造方法
JP2004300697A JP5066783B2 (ja) 2004-10-14 2004-10-14 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法
JP2004-300696 2004-10-14
JP2004-300697 2004-10-14
JP2004373472A JP4679139B2 (ja) 2004-12-24 2004-12-24 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2004373471A JP4812296B2 (ja) 2004-12-24 2004-12-24 プリント配線板およびプリント配線板の製造方法
JP2004-373472 2004-12-24
JP2004-373471 2004-12-24

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/576,987 A-371-Of-International US7943861B2 (en) 2004-10-14 2005-03-15 Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
US12/494,948 Division US8156646B2 (en) 2004-10-14 2009-06-30 Method for manufacturing printed wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006040847A1 true WO2006040847A1 (ja) 2006-04-20

Family

ID=36148149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/004558 WO2006040847A1 (ja) 2004-10-14 2005-03-15 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7943861B2 (ja)
TW (1) TW200612797A (ja)
WO (1) WO2006040847A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2100328A1 (en) * 2006-12-11 2009-09-16 FlipChip International L.L.C. Solder bump/under bump metallurgy structure for high temperature applications
EP2177646A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-21 Atotech Deutschland Gmbh Stress-reduced Ni-P/Pd stacks for bondable wafer surfaces

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258436A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Alps Electric Co Ltd 配線基板、及びその製造方法
US7808799B2 (en) * 2006-04-25 2010-10-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board
JP2009004454A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 電極構造体及びその形成方法と電子部品及び実装基板
US8440916B2 (en) * 2007-06-28 2013-05-14 Intel Corporation Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method
US8877565B2 (en) * 2007-06-28 2014-11-04 Intel Corporation Method of forming a multilayer substrate core structure using sequential microvia laser drilling and substrate core structure formed according to the method
US8242378B2 (en) * 2007-09-21 2012-08-14 Agere Systems Inc. Soldering method and related device for improved resistance to brittle fracture with an intermetallic compound region coupling a solder mass to an Ni layer which has a low concentration of P, wherein the amount of P in the underlying Ni layer is controlled as a function of the expected volume of the solder mass
JP4547411B2 (ja) * 2007-10-05 2010-09-22 富士通株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US8293587B2 (en) * 2007-10-11 2012-10-23 International Business Machines Corporation Multilayer pillar for reduced stress interconnect and method of making same
KR20090042556A (ko) * 2007-10-26 2009-04-30 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5093244B2 (ja) * 2007-11-01 2012-12-12 パナソニック株式会社 電子部品実装構造体およびその製造方法
US8309856B2 (en) * 2007-11-06 2012-11-13 Ibiden Co., Ltd. Circuit board and manufacturing method thereof
KR20090067249A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR20090081472A (ko) * 2008-01-24 2009-07-29 삼성전자주식회사 실장 기판 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
KR20120102803A (ko) * 2008-03-05 2012-09-18 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납프리 땜납 접속 구조체 및 땜납 볼
US8263878B2 (en) * 2008-03-25 2012-09-11 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
TWI365517B (en) * 2008-05-23 2012-06-01 Unimicron Technology Corp Circuit structure and manufactring method thereof
JP2010050150A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Panasonic Corp 半導体装置及び半導体モジュール
KR101025520B1 (ko) * 2008-11-26 2011-04-04 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판 제조방법
US8013444B2 (en) * 2008-12-24 2011-09-06 Intel Corporation Solder joints with enhanced electromigration resistance
US8592691B2 (en) * 2009-02-27 2013-11-26 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
JP4973761B2 (ja) * 2009-05-25 2012-07-11 株式会社デンソー 半導体装置
KR101070022B1 (ko) * 2009-09-16 2011-10-04 삼성전기주식회사 다층 세라믹 회로 기판, 다층 세라믹 회로 기판 제조방법 및 이를 이용한 전자 디바이스 모듈
EP2309535A1 (en) 2009-10-09 2011-04-13 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Chip package with a chip embedded in a wiring body
JP5623308B2 (ja) * 2010-02-26 2014-11-12 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
KR101138542B1 (ko) * 2010-08-09 2012-04-25 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판의 제조방법
US8889995B2 (en) 2011-03-03 2014-11-18 Skyworks Solutions, Inc. Wire bond pad system and method
US9679869B2 (en) 2011-09-02 2017-06-13 Skyworks Solutions, Inc. Transmission line for high performance radio frequency applications
EP3567629A3 (en) 2012-06-14 2020-01-22 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules including related systems, devices, and methods
JP2014013795A (ja) * 2012-07-03 2014-01-23 Seiko Epson Corp ベース基板、電子デバイスおよび電子機器
CN104604341B (zh) * 2012-09-07 2017-12-22 日本特殊陶业株式会社 布线基板及其制造方法
KR101513494B1 (ko) * 2013-12-04 2015-04-21 엠케이전자 주식회사 무연 솔더, 솔더 페이스트 및 반도체 장치
JP2015231003A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 イビデン株式会社 回路基板および回路基板の製造方法
KR20160010960A (ko) * 2014-07-21 2016-01-29 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2016076534A (ja) * 2014-10-03 2016-05-12 イビデン株式会社 金属ポスト付きプリント配線板およびその製造方法
JP6508589B2 (ja) * 2014-10-24 2019-05-08 住友電工プリントサーキット株式会社 フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
US10049996B2 (en) * 2016-04-01 2018-08-14 Intel Corporation Surface finishes for high density interconnect architectures
KR20190012485A (ko) * 2017-07-27 2019-02-11 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2019140174A (ja) * 2018-02-07 2019-08-22 イビデン株式会社 プリント配線板およびプリント配線板の製造方法
KR20200091060A (ko) * 2019-01-21 2020-07-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11109481B2 (en) * 2019-02-15 2021-08-31 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board
US20220336400A1 (en) * 2021-04-15 2022-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Connecting structure, package structure and manufacturing method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260536A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH11121529A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc Ｉｃパッケージ用の半田ボールパッド及びその製造方法
JP2000022027A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Sony Corp 半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板
JP2002203925A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fujitsu Ltd 外部接続端子及び半導体装置
JP2003124533A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Paloma Ind Ltd 直列型熱電対

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3481392B2 (ja) * 1996-06-13 2003-12-22 古河電気工業株式会社 電子部品リード部材及びその製造方法
JP3296992B2 (ja) * 1996-09-27 2002-07-02 イビデン株式会社 多層プリント配線板の製造方法
JP3437453B2 (ja) 1998-07-06 2003-08-18 イビデン株式会社 Ｉｃチップ実装用プリント配線板およびその製造方法
JP3465014B2 (ja) 1999-06-01 2003-11-10 シプレイ・ファーイースト株式会社 パッケージ介挿基板及びその製造方法
JP3692272B2 (ja) 2000-01-27 2005-09-07 京セラ株式会社 配線基板
JP3866503B2 (ja) * 2000-10-18 2007-01-10 株式会社東芝 半導体装置
KR100371567B1 (ko) * 2000-12-08 2003-02-07 삼성테크윈 주식회사 Ａｇ 선도금을 이용한 반도체 패키지용 리드프레임
JP4181759B2 (ja) 2001-06-01 2008-11-19 日本電気株式会社 電子部品の実装方法および実装構造体の製造方法
JP2003037133A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置
JP2003303842A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2004079891A (ja) 2002-08-21 2004-03-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板、及び、配線基板の製造方法
JP2004281937A (ja) 2003-03-18 2004-10-07 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及びその製造方法
JP3925554B2 (ja) * 2003-10-07 2007-06-06 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだボール
JP4794154B2 (ja) 2004-10-14 2011-10-19 イビデン株式会社 多層プリント配線板の製造方法
JP5066783B2 (ja) 2004-10-14 2012-11-07 イビデン株式会社 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法
DE102006043133B4 (de) * 2006-09-14 2009-09-24 Infineon Technologies Ag Anschlusspad zu einem Kontaktieren eines Bauelements und Verfahren zu dessen Herstellung
US20080136019A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Johnson Michael E Solder Bump/Under Bump Metallurgy Structure for High Temperature Applications

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260536A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH11121529A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc Ｉｃパッケージ用の半田ボールパッド及びその製造方法
JP2000022027A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Sony Corp 半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板
JP2002203925A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fujitsu Ltd 外部接続端子及び半導体装置
JP2003124533A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Paloma Ind Ltd 直列型熱電対

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2100328A1 (en) * 2006-12-11 2009-09-16 FlipChip International L.L.C. Solder bump/under bump metallurgy structure for high temperature applications
EP2100328A4 (en) * 2006-12-11 2011-12-07 Flipchip Internat L L C LÖTHÖCKER - / - UNDERHELLING METALURGY STRUCTURE FOR HIGH-TEMPERATURE APPLICATIONS
TWI484608B (zh) * 2006-12-11 2015-05-11 Flipchip Int Llc 高溫應用所用之銲錫凸塊／凸塊下金屬層結構
EP2177646A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-21 Atotech Deutschland Gmbh Stress-reduced Ni-P/Pd stacks for bondable wafer surfaces
US8986789B2 (en) 2008-10-17 2015-03-24 Atotech Deutschland Gmbh Stress-reduced Ni-P/Pd stacks for bondable wafer surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
TW200612797A (en) 2006-04-16
US7943861B2 (en) 2011-05-17
US20080264681A1 (en) 2008-10-30
US20090285980A1 (en) 2009-11-19
TWI333404B (ja) 2010-11-11
US8156646B2 (en) 2012-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006040847A1 (ja) プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
US8314340B2 (en) Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board
US8356404B2 (en) Method of producing multilayer printed wiring board and photosensitive dry film used therefor
WO2007074941A1 (ja) 多層プリント配線板
JP4475875B2 (ja) プリント配線板
JP4493923B2 (ja) プリント配線板
JP4812296B2 (ja) プリント配線板およびプリント配線板の製造方法
JP2010103520A (ja) 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製造方法
WO2014024754A1 (ja) 半導体パッケージ用回路基板及びその製造方法
JP2010103517A (ja) 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製法及び半導体パッケージ
JP4679139B2 (ja) プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP5066783B2 (ja) 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法
JP4592890B2 (ja) 多層回路基板
JP4037697B2 (ja) 多層化回路基板およびその製造方法
JP4376890B2 (ja) 半導体チップ実装用回路基板
JP4017451B2 (ja) 多層化回路基板およびその製造方法
JP3348846B2 (ja) 多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板
JP4017450B2 (ja) 多層化回路基板およびその製造方法
JP4794154B2 (ja) 多層プリント配線板の製造方法
JP2004311705A (ja) 多層プリント配線板
JP2001024322A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JP2004079554A (ja) 片面回路基板およびその製造方法
JP2004335505A (ja) 多層プリント配線板
JP2011146742A (ja) 多層プリント配線板の製造方法
JP2003218522A (ja) 多層化回路基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11576987

Country of ref document: US