TWI331677B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

!331677 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種器件製造方法。 【先前技術】 微影裝置係施加一所要圖案至一基板之目標部分上的機 器。微影裝置例如可用於製造積體電路(IC)、平板顯示器及 其它涉及精細結構之器件。在一習知微影裝置中，圖案化 2件，或者稱為遮罩或光罩，可用於產生一對應於⑴（或其 它器件）之一個別層的電路圖案，且此圖案可成像至具有— 層輻射敏感材料（例如抗蝕劑）之基板（例如矽晶 板)的目標部分(例如包含一或若干個晶粒之部分)上：圖案 化構件可包含產生電路圖案之個別可控元件之陣列以代替 通常’ -單個基板含有經連續曝光之相鄰目標部分的網 路。已知微影裝置包括步進器，#申各目標部分藉由—文 曝光整個圖案至目標部分上來㈣，及掃描器，其中各目 標部分藉由以'給定方向之光束掃描圖案("掃描”方向)同 時平行或反平行於此方向同步掃描基板來照射。

在使用遮罩或光罩之微影裝置中（其中圖案固定），藉由圖 案化構件產生之影像隨時間保持實f上值定，㈣其在某 ㈣度上可降級。因此’使用該微影裝置之製造者對 ^投影至特定基板上之影像正確具有相對高水準之信心。 二’當使用具有個別可控元件陣列之微影裝置作 化構件時，圖案係W且製造者對生產及板 I0525l.doc 1331677 上之影像正確具有較少信心’直至基板上之曝光圖案顯影 及檢測該基板。因此，必須在各圖案在基板上顯影後執: 更大數量之更詳細的基板檢測，且可需要較大量之再加工。 因此’所需者係—種在所產生之影像的精確度及品質上° 給使用微影裝置之製造者提供更大程度信‘㈣配置，其可 使曝光後之圖案檢測時間減少及/或再加工量減少。'、 【發明内容】 根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含—照 明系統、一個別可控元件陣列、一基板台、一分光器、— 投影系統及一影像感應器《照明系統調節一輻射光束。個 別可控元件陣列賦予該光束一在其橫截面中之圖案。基板 台支揮-基板。分光器將圖案化輻射光束之強度分成=少 兩部分，各部分大體具有完整之圖案橫截面。投影系統二 圖案化光束之第一部分投影至基板之一目標部分上。影像 感應器檢測圖案化光束之第二部分之橫截面的至少」 分。 根據本發明之另一態樣，提供一種器件製造方法，其包 含下列步驟。提供一基板。使用一照明系統來調節一輻射 光束。使用一個別可控元件陣列來賦予該光束一在其橫截 面中之圖案。將圖案化輻射光束之強度分成至少兩部分， 各部分大體具有完整之圖案橫戴面。將圖案化輻射光東之 第-部分投影至基板之-目標部分。用一影像感應器檢測 圖案化輻射光束之第二部分之橫截面的至少一部分。 下文參看隨附圖式詳細描述本發明之其它實施例、特徵 105251.doc 1331677 及優勢以及本發a月之各種實施例的結構及操作。 【實施方式】 U s在此文中可特別引用微影裝置在積體電路（1C)製造 中之使用’但是應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有 一匕應用諸如製造積體光學系統、用於磁域記憶體之圖 案引導及偵測、平板顯示器、薄膜磁頭等等。熟練技工應 瞭解在6玄等替代性應用之内容中，術語"晶圓”或”晶粒Μ 在本文中之任何使用可認為分別與更通用之術語"基板，，或 目‘區域"同義。本文中所引用之基板可在曝光之前或之 後於例如執道（例如通常對基板施加一層抗蝕劑及將經曝 光之抗蝕劑顯影的工具）或度量工具或檢測工具中處理。在 適用之處，本文中之揭示内容可應用於該等及其它基板處 理工具。另外，例如為了產生多層IC，該基板可處理一次 使得本文中所用之術語基板可亦指已含有多個處理 層之基板。 如此處所採用之術語，，個別可控元件陣列”應廣泛解釋為 才曰任何可用於賦予一入射輻射光束一圖案化橫截面以便可 在基板之一目標部分中產生一所要圖案的器件。在此内容 中亦可使用術語"光閥”及"空間光調變器"（SLM)。下文討論 s玄等圖案化器件之實例。 可耘式規劃鏡面陣列可包含具有黏彈性控制層及反射表 面=陣可定址表面。該裝置之基本原理為例如反射表面 -7t疋址區域反射入射光作為繞射光，而未經定址區域反 射入射光作為未繞射光。使用一適當的空間濾波器，可將 I0525l.doc 1331677 反射光束之未繞射光過濾出，僅留下繞射光到達基板。以 此方式’根據矩陣可定址表面之定址圖案將該光束變成圖 案化。 應瞭解’作為一替代’該濾波器可過濾出繞射光，留下 未繞射光到達基板。亦可以相應方式使用一繞射光學微電 力機械系統（MEMS)器件陣列。各繞射光學MEMSs件可包 括複數個相對於彼此變形以形成反射入射光為繞射光之光 栅的反射帶（reflective ribbon)。 另一替代性實施例可包括採用微型鏡面之矩陣配置的可 程式規劃鏡面陣列，每一鏡面可藉由施加合適之定位電場 或藉由採用壓電致動構件來圍繞一軸個別地傾斜。再者， 該等鏡面為矩陣可定址型，以使經定址之鏡面將入射輻射 光束以不同方向反射至未定址之鏡面’以此方式，根據矩 陣可定址鏡面之定址圖案將該經反射之光束圖案化。可使 用合適之電子構件執行所需之矩陣定址。 在上文描述之兩種情形下，個別可控元件陣列可包含一 或多個可程式規劃之鏡面陣列。可自例如美國專利 5,296,89丨及5,523，丨93及PCT專利中請案w〇 98/3⑽及㈣ 98/33096中搜集關於如此處利用之鏡面陣㈣更多資 訊，該等專利及專利申請案之全文以fi用的方式併入本文 中〇 °亥構造之一實例於美 文以引用的方式併入 亦可使用可程式規劃之LCD陣列。 國專利5,229,8?2中給出，該專利之全 本文中。 I0525l.doc 1331677 應瞭解’在使用特徵預偏壓、光學接近校正特徵、相位 變化技術及多次曝光技術之處，例如"顯示"於個別可控元 件陣列上之圖案可大體不同於最終轉移至基板之一層或基 板上的圖案。類似地’基板上最終產生之圖案可不對庳於 在任何時刻形成於個別可控元件陣列上之圖案。此可為以 下配置中之狀況：形成於基板之各部分上之最終圖案經給 定時間段或給定曝光數積聚，在該時間段或曝光數期間在 個別可控元件陣列上之圖案及/或基板相對位置改變。 儘管在此文中可特別引用微影裝置在積體電路（I c)黎〗造 中之使用’但是應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有 其它應用’諸如（例如）製造DNA晶片、MEMS、MOEMS、 積體光學系統、用於磁域記憶體之圖案引導及偵測、平板 顯示器、薄膜磁頭等等。熟練技工應瞭解，在該等替代性 應用之内容中，術語”晶圓”或”晶粒”在本文中之任何使用可 認為分別與更通用之術語"基板”或，•目標區域"同義。本文中 φ 所引用之基板可在曝光之前或之後於例如轨道（例如通常 對基板施加一層抗蝕劑及將經曝光之抗蝕劑顯影的工具） 或度量工具或檢測工具中處理。在適用之處，本文中之揭 示内容可應用於該等及其它基板處理工具。另外，例如為 了產生多層1C，該基板可處理一次以上以使得本文中所用 之術語基板可亦指已含有多個處理層之基板。 本文中所使用之術語"輻射"及"光束，，包涵所有類型之電 磁輻射’包括紫外線（UV)輻射（例如具有365、248、193、 1 57或126 nm之波長的輻射）及遠紫外線（EUV)輻射（例如具 I0525l.doc 1331677 有在5~20 nm範圍内之波長）以及諸如離子束或電子束之粒 子束。 ’ 本文中所使用之術語"投影系統”可廣泛地解釋為包涵各 種類型之投影系統’如適當’例如對於所使用之曝光輻射 2 $，或對於諸如浸潰流體之使用或真空之使用的其它因 素而言’包括折射式光料、統、反射式光學系統及折反射 式光學系、統。術語”透鏡”在本文中之任何使用彳認為與更 通用之術語"投影系統”同義。 照明系統亦可包含各種類型之光學組件，包括用於導 引成幵_/4控制帛身；J·光束之折&式、&射式及折反射式光 子..且件2 5亥等組件亦可在下文稱為、統稱為或單個地稱 為”透鏡"。 微影裝置可為具有兩個（例如雙平臺）或兩個以上基板台 (及/或兩個或兩個以上遮罩台）之類型。在該等"多平臺”機 器中’可平行使用額外工作1’或在使用一或多個其它工 作臺用於曝光時可於一或多個工作臺上進行預備階段。 微影裝置亦可為以下類型’其中基板浸潰於具有相對高 折射率之液體(例如水)’以填補投影系統之最終元件與該基 板之間的空間。浸潰液體亦可施加至微影裝置中之复它空 間，例如施加於遮軍與投影系統之第_元件之fa卜浸潰： 術在此項技術中熟知用於增大投影系統之數值孔徑。 另外’該裝置可里右一洎贈虚神gg _ '有/;IL體處理早几以允許流體與基板 之經照射部分之間的相亙作用丨1 斗 π相互作用（例如’使化學品選擇性地附 著至該基板或選擇性地修改該基板之表面結構）。 I0525I.doc 1331677 微影投影裝置 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影投影裝 置100。裝置100至少包括一輕射系統1〇2、一個別可控元件 陣列1 〇4、一載物台1 〇6(例如一基板台）及一投影系統（，，透鏡 ")108 。 輻射系統102可用於供應一輻射光束11 〇(例如uv輻射）， 該輻射光束110在此特定狀況中亦包含一輻射源112。 一個別可控元件陣列1 〇4(例如一可程式規劃鏡面陣列）可 用於供應一圖案至光束110。通常，個別可控元件陣列1〇4 之位置可相對於投影系統1 〇 8固定。然而，在一替代性配置 中’個別可控元件陣列104可連接至用於將其相對於投影系 統108精確定位之***件（未圖示）。如此處所描繪，個別 可控元件104為反射類型（例如具有個別可控元件反射陣列）。 載物台106可具有一用於固持基板ιΐ4(例如經抗蝕劑塗 佈之矽晶圓或玻璃基板）之基板固持器（未詳細圖示），且載 物台106可連接至用於相對於投影系統ι〇8精確定位基板 114之***件116。 投影系統108(例如包含由該等材料製成之透鏡元件的石 英及/或CaF2透鏡系統或折反射式系統；或鏡面系統）可用於 將自光束分光器118接收之圖案化光束投影至基板114之目 標部分120(例如一或多個晶粒）上。投影系統1〇8可將個別可 控元件陣列104之一影像投影至基板114上。或者，投影系 、-先10 8可投影第一源之影像，該個別可控元件陣列之元件對 於該等第二源而言充當快門。投影系統1〇8亦可包含微小透 105251.doc 1331677 鏡陣列（MLA)以形成第二源及投影微小光點至基板114上。 源112(例如準分子雷射）可產生一輻射光束122。光束122 直接或在橫穿調節器件126(諸如（例如）擴束器）之後饋入一 照明系統（照明器）124中。照明器124可包含一用於設定光束 1 22中之強度分佈的外徑及/或内徑長度（通常分別稱為外 徑及σ-内徑）的調整器件128。另外，照明器124通常包括各 種其它組件’諸如積分器130及聚光器132。以此方式，照 射於個別可控元件陣列1〇4上之光束11〇在其橫截面上具有 所要均一性及強度分佈。 應注意，就圖1而言，源112可在微影投影裝置} 〇〇之外殼 内（例如，通常為當源112為汞燈時之狀況）。在替代性實施 例中，源112亦可遠離微影投影裝置100。在此狀況下，可 導引輻射光束122至裝置1〇〇中（例如，在合適之導引鏡面的 幫助下）。此後一情況通常為當源U2為準分子雷射之狀 況。應瞭解，兩種此等情況皆涵蓋於本發明之範疇内。 在使用光束分光為11 8導引後，光束11 〇截獲隨後個別可 控元件陣列104。在經個別可控元件陣列1 〇4反射後，光束 110穿過投影系統108，該投影系統1〇8將光束i 1〇聚焦至基 板1 14之一目標部分1 2 〇上。 在***件116(且視情況為底板136上之經由光束分光 窃140接收干涉光束138的干涉量測器件134)之幫助下，基 板台6可精確地移動，以便將不同目標部分12〇定位於光束 1 0之路;^中。在使用之處，用於個別可控元件陣列104之 ***件可用於（例如）在掃描期間相對於光束110之路徑精 I0525l.doc 1331677 確地校正個別可控元件陣列104的位置。通常，在長衝程模 組（粗定位）及短衝程模組（精定位）之幫助下實現載物台ι〇6 之移動，其在圖1令未明確描繪。亦可使用一類似系統來定 位個別可控元件陣列1〇4。應瞭解，當載物台1〇6及/或個別 可控元件陣列104可具有一固定位置以提供所需要之相對 移動時’光束1 1 0可或者/額外地為可移動型。 在該實施例之一替代性組態中，可固定基板台106，其中 基板114在基板台106上可移動。在完成此舉之處，基板台 106在一平坦之最高表面上具有衆多開口，經由該等開口饋 入亂體以提供能夠支撐基板114之氣墊。此習知地稱為承載 亂體之配置。使用一或多個致動器（未圖示）在基板台上 移動基板114，該或該等致動器能夠相對於光束11〇之路徑 精確地定位基板114。或者，藉由選擇性地開啓及停止經由 開口之氣體通過而在基板台1〇6上移動基板丨14。 儘管根據本發明之微影裝置100在本文中描述為用於在 基板上曝光抗餘劑，但是應瞭解，本發明並非僅限於此使 用’且裝置100可用於投影一圖案化光束11〇以供無抗蝕劑 微影術使用。 所描1之裝置1 〇〇可以四種較佳模式中使用： h步進模式：將個別可控元件陣列104上之整個圖案一次 I·生（思即’單個I’閃光，，）投影至目標部分120上。接著在X及/ 或y方向上移動基板台1〇6至由圖案化光束no照射之不同 目標部分120的不同位置。 2·掃描杈式：除了不在單個閃光中曝光給定目標部分120 I05251.doc 1331677 以外其基本上與步進模式相同。替代地，個別可控元件 陣列1 04可以速度v在—給定方向（所謂的"掃描方向，,，例如丫 方向）上移動，以引起圖案化光束1丨〇在個別可控元件陣列 1〇4上掃$。同時，基板台1G6以速度V= Mv在相同或相反 方向上同時移動’其中Μ為投影系統108之放大率。以此方 式，可曝光相對較大之目標部分12〇而不需折衷解析度。 3. 脈衝杈式：將個別可控元件陣列1〇4保持基本固定且使 用脈衝賴㈣統102將整個圖案投影至基板114之目標部分 上以基本怪定之速度移動基板台106，以引起圖案 化光束110掃描跨越基板106之一條線。在輻射系統1〇2之脈 衝之間按需要更新個別可控元件陣列丨04上之圖案，且將該 等脈衝定時以使連續目標部分120在基板丨14上之所需位置 處曝光。因此，圖案化光束110可跨越基板114掃描，以為 基板114之一條紋曝光完整圖案。重複該製程直至逐線曝光 完整基板114。 4. 連續掃描模式：除了使用大體恆定之輻射系統1〇2且在 圖案化光束11〇跨越基板114掃描及曝光該基板114時更新 個別可控tl件陣列1 〇4上之圖案以外，其基本上與脈衝模式 相同。 亦可採用上文所描述之使用模式之組合及/或變化，或完 全不同之使用模式。 例示性檢測系統 圖2、3及4描繪根據本發明之各種實施例之微影裝置的檢 測系統的配置。 I05251.doc •15· 1331677 圖2展示根據本發明之一實施例之用於將圖案化光束11〇 導引至基板114及檢測系統上的配置。如上文所討論，光束 1 10藉由光束分光器118反射至個別可控元件陣列1〇4上。個 別可控元件陣列1 0 4調變光束Π 〇且藉由光束分光器11 $將 其作為圖案化光束反射回至投影系統108，該投影系統ι〇8 將圖案化光束投影至基板1 14上。然而應瞭解，用於照明個 別可控元件陣列104及將圖案化光束投影至基板丨14上之替 代性配置亦可結合本發明來使用。 在一實例中，部分反射鏡丨丨排列於圖案化光束1丨〇之路徑 中。此使圖案化輻射光束跨越其整個橫截面之強度的一小 部分轉向影像感應器單元12。圖案化光束的剩餘部分穿過 部分反射鏡11 β因此，部分反射鏡i i對投影至基板丨丨4上之 圖案化輻射光束的影響僅為均勻跨越其橫截面之輻射強度 輕微減小，且不會引起圖案之不同部分跨越圖案化輻射光 束之橫截面上的相㈣度？文冑。類㈣，轉至感應器單元 12之輻射光束係圖案化輻射之衰減式版本。在此實例中， 關於杈〜至基板114上之圖案化光束之資訊保留在圖案化 輻射光束之經轉向的部分中。此外，纟此實例中，藉由部 分反射鏡1丨轉向之輻射強度部分保持恆定。因此，在適當 校準後，量測圖案化光束之經轉向部分的一部分的強度允 許判定投影至基板i 14上之圖案化光束部分的對應部分的 強度。因A，可同時檢測且核對實際於任何一次同步曝光 於基板上之圖案。類似地’若發現任何誤差’則可適當修 改或終止曝光。 10525 丨.doc 1331677 如圖2、3及4中分別展示，圖案化輻射光束之轉向影像感 應器單元1 2的部分所在的位置不固定。舉例而言，如圖2所 展不’部分反射鏡11可位於進入投影系統i 〇8之圖案化輻射 光束之前或如圖3所展示，部分反射鏡丨丨可排列於投影系統 丨08與基板114之間。使用後一組態之理由係所檢測之影像 大體與投影至基板114上之影像相同，意即其包括投影系統 中所弓I入之任何失真。 鲁 在貫例中，技影系統1 〇 8與基板114之間的空間可受到 限制，致使圖3之組態較不合意，及圖2之組態更合意。 在一實例中’影像可在投影系統1〇8中縮小。因此，若在 投影系統108後檢測影像，則可需要影像感應器單元12之敏 感度大於在投影系統丨〇8之前檢測該影像所需要的敏感度。 在另一實例中，如圖4所展示，部分反射鏡Η定位於投影 系統1 08内，意即定位於投影系統丨〇8内之光學組件的兩個 之間。此提供影像感應器單元12之需要與其偵測投影裝置 • 刚中所產生之失真的程度之間的折衷，但此增加投影系統 1 0 8之複雜性。 儘官上文已在使用部分鏡面η方面描述了本發明，但是 應瞭解，在其位置中亦可使用替代性器件，其限制條件為 圖案化輻射光束已將其強度分割，以將圖案化輻射光束之 第一部分導引至基板m且第二部分轉向至影像感應器單 二2:舉例而言，在部分反射鏡η之位置中亦可使用光束 "(未圖不）。應瞭解，可更好地適應不同組件用於圖案 化光束轉向部分所在的不同位置處。作為一替代，用於分 I0525l.doc 1331677 割圖案化輻射光束之組件可為亦用於照明個別可控元件陣 列104及/或將圖案化輻射光束導引入投影系統108中的組 件。 例示性影像感應器 在一實例中，影像感應器單元12可檢測圖案化輻射光束 之整個橫戴面。然而，或者該影像感應器單元12在一瞬間 僅可檢測圖案化賴射光束之橫截面的一部分。前一配置可 允許在一連續基礎上核對投影至基板丨14之整個影像。然 而’投影至基板114上之圖案化光束的精確度可足以證明該 大影像感應器之成本及提供相應之大影像分析及核對系統 之成本不合理。 圖5、6、7及8描繪根據本發明之各種實施例之影像感應 在此後一狀況下，可提供諸如圖5中所展示之影像感應器 單元12 »影像感應器單元12具有一影像感應器丨5，該影像 感應器15在任何給定時間時檢測圖案化輻射光束之橫截面 的'^刀。影像感應器單元12亦包括一致動器系統μ，兮 致動器系統16將影像感應器15移動至圖案化輻射光束之橫 截面的一所要部分。舉例而言，使用此配置可使用較小且 可此較便且之影像感應器15來檢測圖案化輻射光束之整個 手戸、截面，該景> 像感應器15允許相應減少之資料處理及貪像 分析系統。 在另-實例中’如在圖6所展示，作為移動影像感應心 之位置的替代，可替代使用諸如圖6示意性表示之配置。圖 105251.doc •18- 1331677 6中所展示之影像感應器單元12具有一固定影像感應器 2 2，s玄固疋影像感應器2 2亦能夠檢測圖案化輻射光束之橫 截面的一部分。影像感應器單元12亦包含一用於將圖案化 幸虽射光束之一部分反射至影像感應器22的鏡面2〇。致動器 21移動鏡面20以選擇圖案化輻射光束之橫戴面的所要部分 以檢測及反射該經選擇之部分至影像感應器22。該配置可 為有益的，因為其簡化影像感應器22與裝置之剩餘部分之 間的資料路徑連接（與圖5中所展示之配置形成對比，其中 影像感應器本身移動）。 儘管圖5及6僅展示可在一維上選擇圖案化輻射光束之橫 載面的部分的景；^象感應$ ! 5、22，但是應瞭解影像感應器 單元12可經組態以在二維上選擇跨越圖案化輻射光束之橫 戴面的部分。 亦應瞭解，儘管圖6展示其中鏡面2〇調動之配置，但是亦 可使用用於將圖案化輻射光束2 2之橫截面的一部分選擇性 地轉向至感應器22的任何合適的光學元件配置。 圖9展不與上文所描述之配置相比之用於影像感應器單 =的該替代性配置。在此狀況下’借助透鏡或透鏡組40 將V引至衫像感應器單元i 2之圖案化輻射光束之強度的部 分聚焦至可旋轉式鏡面41上。經反射之輻射隨後借助透鏡 或透鏡組42重整成平行轄射光束。因&，藉由設定鏡面41 之角度，可選擇入射於影像感應器單元12中之影像感應器 43上的圖案化輻射光束的橫戴面的部分。 在一實例中，藉由在透鏡40、42之焦點處排列旋轉式反 I0525l.doc 19 1331677 射器4 1 ’顯著減小反射器4丨之所要尺寸。因此，控制反射 器4 1之位置所必要的致動器同樣可相對較小。 在一實例藉由諸如壓電致動器之高精確度致動器控 制反射器4 1。 在一實例中，可致動反射器41之速度由於反射器41之較 小尺寸而較大。 亦可使用旋轉式鏡面之類似組態。 亦應瞭解，將圖案化輻射光束之一部分轉向至影像感應 器單兀12的部分反射鏡n自身可旋轉地安裝以選擇入射於 影像感應器單元12内之影像感應器上的圖案化輻射光束的 橫載面的部分。然而，因為部分反射鏡丨〗之角度調節可影 響導引入投影系統1 〇8或導引至基板1丨4上的輻射強度的比 例（取決於部分反射鏡1 1之位置），所以該配置可引入額外的 複雜性。因此，可需要額外校準來避免額外誤差引入曝光 製程中。 在一實例中，微影裝置100可包括多於一個之個別可控元 件陣列104，該個別可控元件陣列1〇4經同時照明以提供單 個圖案化輻射光束。個別可控元件之個別陣列1〇4可彼此分 開以為控制訊號輸人及諸如》卻管道之其它服務提供該等 陣列周圍之空間。目此’可有複數個分佈在圖案化輻射光 束内但是彼此分開的圖案化部分。 在一實例中，若該裝置具有經組態以檢測圖案化輻射光 束之㈣面的部分的單個影像感應器，則移動該感應器之 致動器所需的衝程（或移動一光學組件以選擇導引至影像 I0525l.doc •20· 1331677 &應II之圖案化輻射光束之橫截面的部分）需要相對較大 以使其能夠檢測圖案化輻射光束内之每一圖案化區域的橫 截面。 然而在一替代性配置中，影像感應器單元12可包括—個 與個別可控元件陣列104之每一者相關的影像感應器。影像 感應器之相對部分可以對應於圖案化輻射光束内之對應圖 案化區域之間隔的彼此間固定間隔來排列。 鲁舉例而言’在一對應於圖5中所展示的配置中，影像感應 益在致動器16上可安裝在一起，其相對於彼此具有固定間 隔以使在致動器16之衝程上，每一個別影像感應器橫穿對 應於個別可控元件陣列之一的圖案化光束的圖案化部分。 類似地，在對應於圖6及9中所展示的組態中，影像感應 器可相對於彼此固定於某一位置中，以使得當致動一光學 組件時，導引至每一影像感應器之圖案化光束的部分為藉 由個別可控元件之個別陣列所產生之圖案化輻射光束内的 • 每圖案化區域的對應部分。因此，在該等配置中，雖然 僅需要單個致動器或致動器系統（及對應之致動器控制系 統）來選擇藉由每一影像感應器檢測之圖案化輻射光束的 橫截面部分，但是若需要該等影像感應器之一能夠檢測圖 案化輻射光束之整個橫截面，則該致動器所需之衝程小於 將需要之衝程。 在-實例中’所使用之影像感應器可具有數目較個別可 控元件數目更大之感應像素，該等個別可控元件為藉由影 像感應器單元所檢測之圖案化轄射光束之橫截面的部分 I0525l.doc ^31677 形成圖案。此提供經增加之敏感度，確保甚至可偵測到來 自吾人所欲之影像的微小變化。

在一實例中，影像感應器具有為個別可控元件陣列1〇4 之部分中的像素四倍或更多的像素，該個別可控元件陣列 H)4之部分形成該影像感應器所檢測之圖案化輻射光束的 部分。舉例而言，四百萬像素影像感應器可檢測藉由個別 可控7C件陣列1〇4中之一百萬個別可控元件所產生的圖案 化1¾射光束的橫戴面的部分。 取決於在圖案化輻射光束之光束路徑中的位置（圖案化 輻射光束之用於影像感應器的部分經擷取），且取決於該影 像感應器之像素間距，可需要放大圖案化輻射光束之經轉 向部分。舉例而言’如圖7中所展示，可以光學元件乃、％ 放大圖案化輻射光束之經轉向部分的整個橫截面。將圖案 化轄射光束之整個經轉向部分放大減少了對影像感應器Μ 之精確位置控制的需要（儘管其對應地增加了致動器所需 的衝程）。 或者，如圖8中所展示’影像感應器單元12可經組態以使 得在由影像感應器22檢測之前藉由光學元件27、28僅放大 圖案化輻射光束之經轉向部分的橫戴面的部分。此可允許 所需光學組件之尺寸減小。 應瞭解，儘管圖7之放大配置結合圖5之影像感應器單元 來展示，且圖8之放大配置結合圖6之影像感應器單元來展 示’但放大配置可用樣與用於選擇待檢測之圖案化光束之 橫截面的部分的任一配置一起使用”匕外，亦可使用其它 10525l.doc •22· 1331677 用於放大輻射光束之熟知配置。

在各種實例中，所使用之影像感應器可為CCD或CMOS 感應器’普通熟習此項技術者在閱讀此描述後，其將變得 顯而易見。 在一實例中，影像感應器單元12可不僅用於在影像投影

至基板1 1 4上時核對該等影像，而且亦可在曝光之前或在設 疋微衫裝置1 00期間用於校準測試。在該等校準測試期間， 若平面反射器需要，則可移置部分反射鏡11。校準測試例 如可用於設定或核對組件在微影裝置内之對準，或最佳化 個別可控το件陣列之控制。後者可涉及判定個別可控元件 對缸圍之控制訊號的回應。藉由利用影像感應器用於兩 個任務，減少了微影裝置100之總成本。

在貫例申，可在影像感應器單元丨2内使用多於一個之 :像感應器以檢測圖案化輻射光束之橫截面的一給定部 分。其可彼此鄰近排列或以其之間具有一間隔來排列以⑼ 如)供影像感應器之控制電路之用。在後一狀況下，將圖案 化幸田射光束之經轉向部分的橫截面的選擇部分以使得可檢 測到完整橫載面的方式排列。舉例而t，在-次檢測期間

中處於兩個感廊写夕pq > M β之間之板载面的部分隨後在後一檢測 間中檢測。 ’ 貫例中’亦可使用多於-個影像感應H單it 12。在 置中，圖案化轄射光束可分離形成一個導引至基板之 :“切減的圖案化輻射光束及兩個或兩個以上各自轉向 -之〜像感應窃單几的經顯著衰減的圖案化輻射二 '0525l.doc •23- 1331677 二；該光束可於一個位置處分離成該等部分(例如，在該圖 =輕射光束進入投影系統之前）或用於影像感應器之光 束。P分可於圖案化光束路徑中之不同 彻+ u议置處轉向（例如，一 才又影系統之觔且一個在圖案化光类雜^ 您、 化元束離開該投影系統之 便）。該組態能夠識別微影裝置内之影像失真原。 利用偏振技術之例示性檢測系統 在-實例中，對於在不同定向上平面偏振之㈣而言， 二需要以獨立的圖案照明基板心舉例而言，可使用在第 -方向上平面偏振之輕射來曝光—圖案之某些特徵，且使 用在垂直於該第一方向之方向 万向上千面偏振的輻射曝光其它 特徵。視微影裝置100之組態而定， “ U \ β寺兩個圖案可同時曝 光。 圖10及11描續'根據本發明之久插杳ρ ^ 一 *今双5炙谷種貫施例的檢測系統。 圖10展示本發明之—ffifT m 7*- m -r 配置，在使用平面偏振輻射之處， 其可用於檢測圖案化輻射光走巾 疋术T之圖案。在此狀況下，微 影裝置1 0 0包括一平面偽括、，產、士 j r 十囟偏振濾波益45，其過濾轉向影像感應 器單元12之圖案化輻射光束的部分。在此實例中，在一給 定方向上平面偏振之輻射包括在藉由影像感應器單元⑵斤 檢測之圖案化輕射光束的邱八4 a 士 疋不的σΡ分46中。因此，即使圖案化輻 射光束亦包括自經不同低接 ά 个丨』偏振之輻射形成之圖案，影像感應 器單元12亦可檢測在—特定方向上平面偏振之輕射 案。 、在一實例中，平面偏振遽波器45可調節，以使其可設定 、k擇在4何方向上平面偏振之輕射。因此影像感應器 I0525l.doc •24. 1331677 單元12可檢測圖案化轉射光束内任 圖案。 j、疋'f面偏振輻射的 圖I丨展示本發明之裝置之另一 α μ ^ ^ 胃其允許檢測圖荦仆 心射先束内之平面偏振輕射的圖案化 中，將圖宰化π# 所展不之配置 口系化軺射先束之經轉向部分 器50。偏栌杏击\丄„„ 丨入偏振光束分光 偏振先束分光器50將圖案化輻 分成兩個經平面傜> > ^ μ 尤束之經轉向部分 们，·工十面偏振之輻射子部分5丨、52， 52分別對應於在筮一 以專子。P刀5 1、 向上平面偏振及在與該第一 父之第二方向上平面偏 。正 中的輕射。 ㈣化&射先束的經轉向部分 在此實施例中，裝置1〇〇除 迮一牛6豕以愿态早το 12以外 …5二：“:—影像感應器單元53。兩個影像感應器單元 邻^各自排列以檢測圖案化輕射光束之經平面偏振的子 圖：化r二因此’可同時檢測用於正交平面偏振轄射之之 圖案化輻射光束中的圖案。 應瞭解，圖10及丨丨巾你_ s m 奸、， 中所展不之用於檢測圖案化輻射光束 平面偏振之輻射的圖帛的配置可應用於檢 一引入投影系統108之前轉向的圖案化轄射光束部 ： 影系統1 08轉向之M n 才又 向的輻射。 在投影系統1〇8與基板114之間轉 —1中再-人參看圖2，裝置1(5〇具有一控制器30， 遺控心30比較由影像感應器單元12所仙 所欲之影像。在一麻仞士 1豕，、口人 A n例中，此藉由比較來自影像感應器之 為料與用於為個2|丨7 k ’… 丨可控元件陣列1 〇4產生控制訊號之圖案 I0525i.doc -25 · 1331677 :料來執仃。因此，比較了所產生(且在基板I"上曝光)之 實際衫像與應該在基板114上曝光之影像。此外，因為實際 之〜像可在其產生時檢測，所以該比較可無需參考影 像投影之基板114上的實際位置來進行，藉此簡化該比較。 在f <列中，量測由基板114相S於投影於其上之影像之 位置的位置構成，以核對影像至基板ιΐ4上之覆蓋正確。 實例中，在藉由控制器3〇執行之比較中所使用之表 _ 丁。胃人所欲之影像的圖案資料與用於為個別可控元件陣列 1〇4提供控制訊號之資料相同。控制器3〇存取一相同記憶體 且使用與用於為個別控制元件陣列1〇4產生控制訊號之資 料相同的資料。 在貫施例中，儲存用於為個別可控元件陣列i 〇4產生控 制訊號之資料經預處理以減少曝光期間所需要的計算。在 此狀況下，當比較產生之實際影像與吾人所欲之影像時， 控制益30存取含有表示圖案之資料而非表示個別可控元件 φ 陣列104所需要之設定的資料的獨立記憶體。 在一實例中，控制器30經組態以使得若其判定吾人所欲 影像與藉由影像感應器所偵測之影像之間得差異超出一預 定臨限值，則其終止基板114之曝光。在此實例中，如在習 知裝置中，基板114可需要再加工。然而，藉由經曝光影像 品質惡化一低於可接受之水準就終止基板U4之曝光，可不 在曝光基板114之剩餘部分上浪費時間。 在實例中’在終止基板114之曝光後’控制器3 〇可自動 開始重新校準程序’以確保吾人所欲影像與實際影像之 105251.doc •26- 1331677 間之差異在下-基板曝光之前足夠地降低，可核對到適當 之影像品質。或者或此外，控制系統3〇可例如經組態以提 醒一操作者有故障。 實句中’控制态30經組態以基於藉由影像感應器偵 讲之影像與吾人所欲影像之間在基板⑴之曝光期間所識 別的任何差異來更新個別可控元件陣列1〇4中之個別可控 '件之控制的校正。在此實例中，維持及核對影像之品質 而無需干擾基板之曝光。結果，裝置1〇〇曝光基板所占時間 的比例而非校正所占時間的比例增加，改良了該裝置ι〇〇之 效率。 j實例中’控制器30控制個別可控元件陣列【〇4。在另 一實例中，可有—㈣於㈣個別可控元件陣列1 〇 4之獨立 的控制器’且其對應於校準所需之任何更新自控制器3〇接 收用於控制該等個別可控元件的資料。 在一實例中’經檢測之影像與差異是否在可接受公差内 之判定的比較由為各個別可控元件比較圖案化光束中之吾 人所从及實際輻射強度來組成。臨限值可例如基於跨越圖 案化—光束之檢測部分之每個別可控元件的平均強度誤差及 /或母個別可控元件之最大可允許誤差的計算。每個別可控 凡件許可之最大強度誤差可與圖案化輕射光束之整個掃截 面的最大強度誤差相同”戈者，最大可許可誤差可視個別 可控疋件之位置或所形成之圖案中的個別可控元件的位置 夂化舉例而S ’形成一特徵之邊緣之個別可控元件的 可許可誤差可小於均—強度之—大塊内的可許可誤差。 I0525l.doc •27· 一在-貫例中’影像品質已經惡化超出可接受臨限值的判 2可基於—組個別可控元件之平均強度誤差或用於 圖案化光束之檢測部分内的區域的平均強度誤差（意即不 ㈠斤個別可控元件之回應小舉例而言，一組正確作用之豆 匕個別可控元件中的單個個別可控元件的相對較大的誤差 對影像品質可具有較彼組中之所有個別可控元件中的相對 小誤差小的影響。控制器30可監視某-尺寸之個別可控元 :組的平均誤差。或者，其可監視為所形成之圖案之一給 叱特徵圖案化該輻射光束的個別可控元件内的平均誤差。 在實例中，控制器30分析藉由影像感應器債測之影像 以識別個別可控元件陣列丨〇4内之不回應對其提供之控制 訊號的任何個別可控元件。該等個別可控元件引起影像品 貝顯著降低。該等個別可控元件可永久關_，引起圖案化 輕射光束中之暗點；永久開❺，引起圖案化輕射光束中之 亮點；或在其之間永久來回。控制器30可藉由比較多個經 檢測之影像來識別像素，且識縣何不管吾人所欲圖宰如 何均不改變之㈣可控元件。除了以此方式識別固定對比 之個別可控元件，控制器30可識別具有小於所需回應範圍 的個別可控元件。 如圖2所展示，微影裝置1〇〇具有一顯示器3丨，該顯示器 31顯示藉由影像感應器12偵測之影像。因此，操作者可視 覺監視所形成之實際圖案。 在一貫例中，顯示器3 1可顯示意欲形成於與偵測之影像 重疊寄存處的圖案的對應部》。因&，操作者能夠視覺校 I05251.doc -28- UJ1677 準（gauge)影像品質是否可接受及識別任何誤差。 在一實例中，顯示器31可顯示基板ι14之特徵，以使操作 者可識別在彼製程中形成之圖案是否正確地位於基板114 上。可顯示之基板114特徵包括：在已形成之基板（意即更 早之層）上形成之器件的特徵、在隨後處理步驟中形成之器 牛的特徵、在开》成於基板上之兩個或兩個以上鄰近器件之 間的邊界及在不同時間曝光之基板部分之間的邊界。後面

之特徵可為臨界特徵。可以不同曝光量曝光形成於基板上 圖案的不同。因此，圆案之不同部分充分彼此對準 且具有適當量重疊係必要的。 在-實例中’控制器3〇包括一記憶體32，該記憶體32用 於儲存表示藉由影像感應器偵測之影像的影像資料，以使 顯示器31可同時顯示藉由影像偵測器單元12在不同時間偵 測之衫像。此對於監視如上文所討論之隨後曝光之間的邊 界尤其有用。因此’記憶體32亦記錄對應於基板ιΐ4上之曝 光位置的資訊。 在-實例中，如圖2所展示，微影裝置1〇〇包括一介面Μ， -：作者藉由該介面可選擇待顯示於顯示器31上之影像。 $ ^例中’操作者選擇所㈣之圖案化光束之經轉向部 分的㈣面的部分’意即檢測個別可控元件 組的個別可控元件的效能。此外^ ^ 疋 双此此外或或者，操作者可選擇已 投影至基板114上之一仏定位晉旦 ，，D疋4置上的影像，例如以碟定盘一 先前層之重疊。 〃 或者或另外，操作者可選擇在投影至基板⑴上之圖案内 105251.doc •29· 1331677 的重複單元的一給定部分。在此狀況下，控制器3〇可經組 態以在圖案之選定部分於基板114上下一個曝光時顯示該 選定部分’可經組態以顯示來自先前曝光之圖案的選定部 分’或可經組態以同時顯示所有入射光中之已在重疊寄存 區中之基板上曝光的圖案的選定部分，以使該等選定部分 可比較。 在一實例中’如圖2所展示’控制器30亦可包括一影像分

析器33。分析器33計算形成於基板114上之圖案的影像品質 係數，而非簡單比較各個別可控元件實際產生之強度值與 吾人所欲之強度值或比較實際圖案與吾人所欲之圖案。該 分析器33可判定形成之器件之臨界特徵尺寸，意即計算 CD( 界尺度）值。 應瞭解，如上文所討論，形成於基板114上之圖案之可接 受性的判定亦可基於藉由影像分析器33所判定之cd值。

在實例中衫像品質係數或CD值儲存於記憶體32中， 以使得該等係數可為基板、基板上之—特定區域、一批藉 由微影裝置曝光之基板、形成於基板上之器件、形成於基 板上之複數個器件的共同部分的至少一者存取且經指定時 間為微影裝置存取。因&，操作者可為-特定基板、一批 基板或-基板上之部分曝光量彼此比較微影裝置⑽之效 能，或比較微影裝置之效能。 在一實例中，操作者可確認形成於基板上之器件之臨界 在一實例申 微影裝置100可進一步具有一 介面35，其用 I05251.doc —於=:°連:至隨後處理藉由該裝置曝光之基板的另 二”者(在可能之處’使彼裝置能補償影像品質 涔乓驻罢，。 r兴控制态，其監視包括 置之複數個裝置的生產品質(使對生產設施之總生 產品質的核對成為可能)及一獨立的檢測者，諸如第三方公 司，其用於核對微影裝置之生產品質。 結論 雖然上文已描述了本發明之各種實施例，但是應瞭解其 僅以實例方式呈現’且並非限制。對於熟習相關技術者顯 而易見的是在不偏離本發明之精神及範疇的情況下，可在 /式上及細節上對其作出各種改變。因此，本發明之闊度 及範疇不應受上述例示性實施例之任一者顯示，而應僅根 據下列申請專利範圍及其等效物界定。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。 圖2、3及4描繪根據本發明之各種實施例之微影裝置的檢 測系統的配置。 圖5、6、7、8及9描繪根據本發明之各種實施例的影像感 應器。 圖10及11描繪根據本發明之各種實施例的檢測系統。 在圖式中，類似參考編號可指示相同或功能類似之元件》 【主要元件符號說明】 11 部分反射鏡 12 影像感應器單元 105251.doc 1331677 15 影像感應器 16 致動器系統 20 鏡面 21 致動器 22 影像感應器 25 光學元件 26 光學元件 27 光學元件 28 光學元件 30 控制器 3 1 顯示器 32 記憶體 33 影像分析器 34 介面 35 介面 40 透鏡/透鏡組 41 可旋轉式鏡面 42 透鏡/透鏡組 43 影像感應器 45 平面偏振濾波器 46 圖案化輻射光束之部分 50 偏振光束分光器 51 平面偏振輻射之子部分 52 平面偏振輻射之子部分 I05251.doc -32- 1331677 53 第二影像感應器單元 100 微影裝置 102 輻射系統 104 個別可控元件陣列 106 基板台/基板 108 投影系統 110 光束 112 輻射源 11 4 基板 116 ***件 118 光束分光器 120 目標部分 122 輻射光束 124 照明器 126 調節器件 128 調整器件 130 積分器 132 聚光器 134 干涉量測器件 136 底板 138 干涉光束 140 光束分光器 X 方向 Y 方向 105251.doc -33

Claims (1)

1331677 第094134811號專利申請案 _ 中文申s奢專利範圍替換本(99年7月） ？1年9月/日修正本 ’ 十、申請專利範圍： L-- 1. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統（102)，其調適以調節一輻射光束（11〇); 一個別可控元件陣列（104)，其調適以圖案化該光束； 一分光器（11)，其調適以將該圖案化之光束之一強度分 成至少第一及第二小部分（fraction)，各小部分實質上具 有該圖案之一完整橫截面； • 一投影系統（108)，其調適以將該圖案化之光束之該第 】σΡ刀投影至一基板（114)之一目標部分上；及 一影像感應器（15;22;43) ’其調適以檢測該圖案化之光 束之該第二小部分之該橫截面的至少一部分； 其特徵在於該微影裝置另包含： 至少一致動器（16)，其調適以移動該影像感應器（15)及 一或多個可移動式光學組件（20;41)及相關致動器（21)經 組態以選擇該經檢測之該圖案化之光束之該第二小部分 # 的該橫截面的該部分。 2·如請求項1之微影裝置，其中該分光器（1丨）位於該個別可 控元件陣列（104)與該投影系統（1〇8)之間。 3·如請求項丨之微影裝置，其中該分光器（11)排列於該投影 系統（108)内。 4. 如請求項丨之微影裝置，其中該分光器（11)定位於該投影 系統（108)與該基板（114)之間。 5. 如請求項1、2、3或4之微影裝置，其中放大藉由該影像 感應器（15 ; 22 ; 43)檢測之該圖案化之光束的該部分。 105251-990701.doc 1331677 6. 如明求項卜2、3或4之微影裝置，其十該影像感應器（15 ; 22 ; 43)中之感應像素的數目大於該個別可控元件陣列 (104)中之個別可控元件的數目，該個別可控元件陣列 (1〇4)對應於藉由該影像感應器檢測之該圖案化之光束之 3亥第—小部分之該橫截面的該部分。 7. 如請求項卜2、3或4之微影裝置，其中該影像感應器⑴； 22 ’ 43)中之感應像素的數目為該個別可控元件陣列（⑺4) 中之個別可控元件的數目的至少4倍或更大，該個別可控 元件陣列（1〇4)對應於藉由該影像感應器檢測之該圖案化 之光束之該第二小部分之該橫截面的該部分。 8. 如請求項1、2、3或4之微影裝置，其進_步包含： =偏振濾波器⑷），其定位於該分光器⑴）=影像感 應器（15;22;43)之間，其中到達該影像感應器之賴射大體 僅為該圖案化之光束之該第二小部分中的輕射，該圖案 化之光束在一給定定向上平面偏振。 9. 如請求項8之微影裝置，其中該偏振遽波器（45)經調節以 選擇到達該影像感應器之平面偏振之該輕射的一定向。 10·如請求項1、2、3或4之微影裝置，其進—步包含： 一偏振光束分光器（50)，其將圖案化之 3 小.部分分成該圖案化之光束之第_及第二平 部分；及 一第二影像感應器（53); 之輻射對應於該圖案 ’ s亥圖案化之光束在 其中該第一平面偏振子小部分令 化之光束之該第二小部分中之輻射 -2- 一第一定向上大體平面偏振， 其中該第二平面偏振子小部分中 化之光束之該第二小部分中之輻射 之輕射對應於該圖案 ，該圖案化之光束在 一大體垂直於該第 且 一定向之第二定向上大 體平面偏振 其中S亥第一及第二影像感應器檢測該圖案化之光束之 遠第一及第二平面偏振子小部分的該橫載面的至少 分。 σ ，如請求項1、2、3或4之微影裝置，其進一步包含： -控制器（30)，其比較一藉由該影像感應器 ⑴;22;43;53Η貞測之影像與待投影入該基板中之一影像 的一對應部分。 請求項U之微影裝置，其中若該控制器⑽判定藉由該 衫像感應ϋ(15;22;43;53Η貞測之該影像與吾人所欲之影 象之門的差異’超出—預定臨限值，則該控制器（3 〇)終止 該基板之一曝光。 如μ求項微影裝置’其中該控制器⑼)基於藉由該影 像感應器U5;22;43;53H貞測之該影像與該吾人所欲之影 象之間的差異，來調節該個別可控元件陣列（1 04)之一校 準控制。 如:月求項11之微影裝置，其中該控制器(30)自一或多個曝 “識別4等個別可控元件陣列（1 〇4)中之個別可控元件的 個（若有）無法充分回應意欲控制彼個別可控元件的 控制訊號。 1331677 15·如請求項14之微影裝置’其中該控制器（30)使用該識別以 在曝光該基板（114)之前校準或調節該等個別可控元件。 .如請求項卜2、3或4之微影袭置，其中該影像感應器 (15’22,43,53)亦用於在曝光該基板（11句之前校準該等個 別可控元件之控制。 17. 如請求項丨、2、3或4之微影裝置其進一步包含： 員不器（31)，其顯示藉由該影像感應器（15;22;43;53) 偵測之-影像’該顯示器允許一使用者在曝光該基板之 前使用該影像來校準該個別可控元件陣列。 鲁 18. 如請求項17之微影裝置，其中該顯示器（31)進一步顯示在 與藉由該影像感應器（15;22;43;53)偵測之該影像重疊登 D己中之吾人所欲之影像的一對應部分。 19. 如請求項17微影裝置，其中該顯示器（31)於進一步顯示一 位置處之该基板（U4)之該部分的特徵，在該位置上藉由 該衫像感應裔（15;22;43;53)偵測之該影像在該基板（114) 上曝光，其與藉由該影像感應器偵測之該影像重疊登記。 2〇·如請求項19之微影裝置，其中該基板之經顯示之特徵& · 括以下之至少一者： 在已升〉成之该基板上形成之一器件的一特徵； 在待形成之該基板上形成之該器件的一特徵； 在该基板上形成之兩個鄰近器件之間的一邊界；及 在不同時間曝光之該基板之部分之間的一邊界。 21.如請求項17之微影裝置，其進一步包含： 一記憶體（32) ’其儲存表示藉由該影像感應器 -4- 1331677 (15;22;43;53)偵測之該影像的影像資料， 其中該顯示器（3 1)大體同時顯示藉由該影像偵測器在 該基板之曝光期間之兩次或兩次以上時所偵測的該等影 像’及投影於該基板（114)上之該等個別影像的相對位置。 22.如請求項17之微影裝置，其進—步包含： 一使用者介面（34)，其允許一使用者選擇—藉由該影像 感應器（15;22;43;53)偵測之影像用於顯示，該選擇基於以 下之至少一者： 該經檢測之該圖案化之光束之經轉向小部分之橫截 面的部分； 投影至該基板（114)之一選定部分上的影像；及 投影至該基板上之用於投影至該基板上之一重複圖 案之一選定部分的影像。 23·如請求項1、2、3或4之微影裝置，其進一步包含： 一影像分析器（33)，其分析一藉由該影像感應器 (15;22;43;53)偵測之影像及基於該影像内之—或多個特 徵之尺寸來判I表徵該影像之至少—部分之品質的係 數。 ’、 24.如請求項23之微影裝置，其進一步包含： 一記憶體（32)，其儲存藉由該影像分析器（33)判定之嗦 等係數值，其中該等係數或平均係數值為以下之至少I 者所存取： 夕~ 該基板（114); 該基板上之一特定區域； 1331677 一批藉由該微影裝置曝光之該基板； - 一形成於該基板上之器件. · 該基板上之複數個器件的一共同部分；及 經一指定時間為該微影裝置所存取。 25·如請求項24之微影裝置，其進一步包含： -介面(35)，其使該等係數值對以下之至少一者可用： 另-裝置’其隨後處理藉由該微影裝置曝光之該 板(114) ; 土 -中央控制器’其監視包括該微影裝置之複數 鲁 置的一生產品質；及 、 一檢測器，其核對該微影裝置之該生產品質。 26. 一種裝置製造方法’該裝置為一半導體裝置、二dna晶 片、一MEMS、一 MOEMS、—積體光學系統、用於 域記憶體之-引導及偵測圖案、一平板顯示器及一薄膜 磁頭中之一者，該方法包含·· 使用個別可控元件陣列(104)圖案化一輻射光束⑴〇); 將該圖案化之光束之一強度分成至少第一與第二小部馨 分，每一該第一及第二小部分實質上具有該圖案之一完 整橫截面； 將該圖案化之光束之該第一小部分投影至一基板(114) 之一目標部分上；及 以一影像感應器檢測該圖案化之光束之該第二小部分 之該橫截面的至少一部分； 其特徵在於藉由移動該影像感應器（15)與一或多個可 -6- 1331677 移動光學元件（20:41)之至少一者，以選擇該經檢測之該 圖案化之光束之該第二小部分之該橫截面的該部分。