TWI304659B - Substrate for mounting light emitting element and manufacturing method thereof, light emitting element module and manufacturing method thereof, display apparatus, illumination apparatus, and traffic signal device - Google Patents

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1304659 九、發明說明： 明所屬技領域】 發明領域 本發明係有關於一種用以安裝發光二極體（以下記載 5為LED)等之發光元件安裝基板及其製造方法、於該基板安 裝發光元件而封裝之發光元件模組及其製造方法、使用該 發光元件模組之顯示裝置、照明裝置及交通信號機。 發明背景 10 習知在安裝led等發光元件而封裝之發光元件模組

中，^要使其封裝構造小型化時，便使用第1 〇圖所示之表 面封裝型封包構造。此發光元件模組係於由樹脂或陶㈣ 成之基板3設置凹部，並於該凹部底面配置正負兩電極4、 4,藉由導電漿等將發光元件丨電性連接於其中之一電極4而 I5固定。發光元件1之上侧與另—電極4藉金線等打線2電性連 接。該等電極4、4延伸設置於基板之外部。於安裝發光元 件1後，於凹部填充如環氧樹脂之光透射性4高之封裝樹脂 5，使其硬化，而封裝發光元件丨。特別是為白色led時， 發光元件為藍色LED，於封裝樹脂中混合藍色激發黃色發 20光螢光體，同樣地將之填充於反射凹部。 又’將多數發光元件安裝於同一基板之用途迄今以照 明裝置、顯示裝置之點矩陣單元為—般。料裝置為可安 裝多數LED等發光元件般於玻賴維強化環氧樹脂製 基板等安裝多數發光it件，而以—體成型製品化。有關此 1304659 種LED單元用基板揭示於專利文獻1。 此種LED單元之f知構造採祕電子基板上安裝多數 砲彈型LED之構造或安裝多數表面安裝型led之形態。為 製作此單元需町m製作砲彈型絲面絲型 5 LED，藉焊接等狀連接於依需要製作有電子電路圖 形之電子基板。因而，需砲彈型或表面封裝型咖及將之 複合化之LED單元之二階段製品程序。 近年’在LED單元等發光元件模組之製造上，將發光 元件直接安裝於電子基板。稱為基板晶片銲接⑽ip on ad)方式之製法一直為主流。此方法因直接安裝發光元 件，而具有不需前述之半製品程序，且構造亦可簡單化之 優點。 另一方面，當將LED等發光元件安裝於基板上時，為 使其光之射出方向朝向前方，而需具有有為斜面狀反射面 之凹邛之反射杯部之封包構造。此反射杯部之形狀依其設 計亦具有控制發光狀態及保持封裝發光元件之樹脂之功 用。再者，隨著近年發光元件之高發光強度化，使安裝發 光元件之電子基板具有散熱性之功能極為重要。 有鐘於該等要求，如第11圖所示，使用於鋁板或銅板 20等政熱金屬8上設有絕緣層7之基板之構造為主流。第11圖 所不之LED單元之結構為於散熱金屬板8上設置絕緣層7， 於該絕緣層7設置複數電極4，於該等電極4上設置發光元件 1 ’ &打線2將相鄰之電極與發光元件丨之上側電性連接，載 置具有有斜面部6a之複數孔之反射板6而使各發光元件1位 1304659 於凹部之中央，且將封裝樹脂5填充於各孔使其硬化，而封 裝發光元件1。又，第12圖係於基板安裝發光元件丨之狀能 之平面圖。此構造揭示於專利文獻2。 又，於弟13圖顯示此時之電極構造，於第14圖顯示電 5 路結構。 此外’基板晶片銲接方式之發光元件模組一般經由以 下之步驟製作。 1·發光元件於基板之反射杯部内之電極上使用銀漿， 或發光元件之電極材料以AuSn等構成時，給予加熱、振動 10之連接，以所謂之共晶裝設，而採取電性導通。再者，於 對極之電極以打線連接。僅一面具有電極之發光元件對正 負2個電極皆打線。又，僅於模具面具有電極之發光元件亦 可藉覆晶封裝，藉由由配置於電極上之由金等構成之補片 連接。 15 2·於反射杯部内填充封裝樹脂，而併用熱硬化或 化等使用樹脂之硬化而進行硬化處理而成型。製作之發光 元件模組為白色LED模組時，則於硬化前之封裝樹脂預先 混入螢光體。 3.於封裝樹脂之上方、發光元件模組之上方依需要組 20 合由樹脂、玻璃等構成之透鏡體亦可。 另一方面，不設置反射杯部，而於基板上直接安裝發 光元件時，亦有以下之方法，即，如第15圖所示，於平坦 之基板上11上設置電極12，於電極12上以與前述相同之方 法安裝發光元件9及打線1〇,而以轉移成型方法，使封裝樹 1304659 脂13成型，而以樹脂封裝發光元件9及打線ι〇。然而，此方 法中，因基板之尺寸公差等之問題，而不易將封裝樹脂13 施加於正確之位置，再者若為白色LED時，由於於封裝樹 脂13混合螢光體，故當封裝樹脂13之形狀不穩定時，從發 5光元件9發射之光通過含有螢光體之封裝樹脂13中之距離 產生偏差，而不易控制所需之色度。

【專利文獻1】日本專利公開公報2001-332768號 【專利文獻2】日本專利公開公報2001-332769號 t發明内容3 10 發明概要 前述習知技術有以下之問題。 在表面封裝型之封包構造中，需使電極通過基材之内 部’並需層疊構件而將之組裝。 t知之Is層疊基板或氮化铭基板之散熱性雖可稱得上 15足夠，但為製作反射杯形狀，與前述同樣地需於基板上層 疊反射杯部形成用基材。特別是重視散熱性時，從熱傳導 率之觀點，構成基板之材料使用金屬為適當是無須贅言 的，而於基板使用金屬時，由於具有導電性性質，故需於 電極與基材間施行絕緣處理，此絕緣板亦成為層疊構造中 20 之一要件，構造更複雜化。 此反射杯部形成用基材之組裝通常以接著劑或加熱加 壓進行，因基板之平滑度低或組裝所需之接著劑之塗佈不 均等原因，而於反射杯部形成用基材與基板間產生空隙， 與之後將封裝樹脂加入杯部内時氣泡之產生有關。當封裝 1304659 • 樹脂内有氣泡殘留時，因該氣泡來自發光元件之光大量散 . 射，而有發光元件之光之萃取效率大幅降低之問題。 又，需另外準備與基板分開之反射杯部形成用基材， 且組裝需要額外之步驟，故有導致成本增加之問題。 5 本發明鑑於前述問題，以提供一種發光元件之光之萃 取效率優異，且可以低成本生產之發光元件封裝用基板及 其製造方法、於该基板安裝發光元件而封裝之發光元件模 組與其製造方法、使用該發光元件模組之顯示裝置、照明 — 裝置及交通信號機為目的。 10 為達前述目的，本發明提供一種發光元件安裝用基 板，其係於設置有使從安裝之發光元件發射之光朝一定方 向反射之反射杯部之核心金屬表面設置厚度為 50μιη〜200μιη範圍之琺瑯層。 在本發明之發光元件安裝用基板中，於前述反射杯部 15 之底部周緣宜設置溝。 # 又，本發明提供一種發光元件模組，其係於前述本發 明發光元件安裝用基板安裝發光元件，以透明之封裝樹脂 封裝该發光元件者。 在本發明之發光元件模組中，發光元件宜為於封裝樹 20月曰内混合螢光體而發射白色光之白色發光二極體。 又，本發明提供一種發光元件安裝用基板之製造方 法，其係於核心金屬之預定位置形成使從安裝之發光元件 發射之光朝一定方向反射之反射杯部，接著，於該核心金 屬之表面塗佈琺瑯材後，將之燒結，而獲得於核心金屬之 1304659 表面設有厚度為50μιη〜200μιη範圍之琺瑯層之發光元件用 安裝基板。 在本發明之發光元件安裝用基板之製造方法中，宜將 以玻璃為主體之材電鍍於核心金屬表面，然後，將之燒結。 5 又，本發明提供一種發光元件模組之製造方法，其係 於核心金屬之預定位置形成使從安裝之發光元件發射之光 朝一疋方向反射之反射杯部，接著，於該核心金屬之表面 塗佈琺瑯材後，將之燒結，而製作於金屬之表面設有厚度 為50μηι〜200μπι範圍之琺瑯層之發光元件安裝用基板，接 1〇著，於該發光元件安裝用基板之表面形成電極，然後，於 反射杯部中央部之電極上安裝發光元件，將各電極與發光 元件電性連接，然後，於反射杯部填充樹脂，使其硬化， 封裝發光元件，而製作發光元件模組。 在本發明之發光元件模組之製造方法中，宜以混合有 15螢光體之樹脂封裝發光元件。 在本發明之發光元件模組之製造方法中，發光元件宜 為藍色發光二極體，螢光體為藍色激發黃色發光螢光體。 又’本發明提供一種顯示裝置，其係具有前述本發明 之發光元件模組者。 20 本發明提供一種照明裝置，其係具有前述本發明之發 光元件极組者。 本發明提供一種交通信號機，其係具有前述本發明之 發光元件模組者。 根據本發明，由於於發光元件安裝用基板設有安裝發 1304659 光元件之反射杯部，故不需再於基板製作與基板分開之反 射杯部形成用基板’而可使基板構造單純，而可抑制組參 之成本。 又，因不使用與基板分開之反射杯用基材，故可防止 5氣泡混入封裝樹脂，而可防止來自發光元件之光之萃取效 率降低。 又，由於於反射杯部之底部之周緣形成溝，故於燒結 琺瑯層時，玻璃不致熔融而使底部周緣變圓，故可確保於 底部中央安裝發光元件之部份。 10 由於使用於核心金屬表面設有琺瑯層之發光元件安裝 用基板，故射熱性優異，而可提高LED等之發光元件之發 光強度。 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明發光元件模組之第i實施形態之截 15 面圖。 第2圖係顯示本發明基板之第丨實施形態之截面圖。 第3圖係顯示本發明基板之第1實施形態之平面圖。 第4圖係顯示本發明發光元件模組之第2實施形態之截 面圖。 20 第5圖係顯示本發明發光元件模組之第3實施形態之截 面圖。 第6圖係顯示具有溝之反射杯部一例之主要部份截面 圖。 第7圖係顯不具有溝之反射杯部另一例之主要部份截 11 1304659 面圖。 弟8圖係以你 施例製作之反射杯部之主要部份截面圖。 第9圖係卮a 在邠周緣變圓之反射杯部之主要部份截面圖。 第10圖係仓，_ 、1lJ示習知發光元件封包構造之截面圖。 第11圖係& — … 、’示習知發光元件模組之一例之截面圖。 弟12圖係& — 、一示習知發光元件模組之一例之平面圖。 第13圖係— 、續示習知發光元件模組之電極構造之平面

10 弟14圖係韧 与知發光元件模組之電路圖。 第15圖係_ ’示習知發光元件模組另一例之截面圖 【實施令式】 用以實施發明《最佳形態

Us下，參^ 0¾ > 4圖式，說明本發明之實施形態。 一 @〜弟3圖係顯示本發明第1實施形態者，第1圖係顯 τ毛光元件抵、纟且之截面圖，第2圖係顯示用於同一發光元件 核組之發光70件安裝用基板(以下記載為基板)之截面圖，第 3圖係顯不同~基板之平面圖。在該等圖中，標號20為發光 元件模、、且21為j法瑯基板，22為核心金屬，23為ί法螂層， 24為LED等發光^件，25為打線，26為封裝樹脂，27為電 20極，28為反射杯部，29a為底部，29b為斜面部。 本實施形態之基板21如第2圖及第3圖所示，其結構為 於縱橫設置有複數個使從安裝之發光元件24射出之光朝向 一定方向反射之反射杯部28的核心金屬22表面設置厚户為 50μηι〜200μηι範圍之ί法瑯層23。 12 1304659 又’本實施形態之發光元件模組20如第丨圖所示具有前 述琺瑯基板21、於該琺瑯基板21上面以分割為複數之狀態 «又置之電極27、安裝於各反射杯部μ之底部29a中央部之電 極27上之發光元件24、將各發光元件24之上側與相鄰之電 5極27電性連接之打線25、填充於各反射杯部28内，使其硬 化，而封裝發光元件24之透明封裝樹脂26而構成。 前述琺瑯基板21之核心金屬22可使用各種金屬材料而 製作，其材料未限定，以諸如低碳鋼、不鏽鋼等低價且易 加工之金屬材料為佳。此外，在本例中，使用四角形板狀 10之核心金屬22，核心金屬22之形狀不以此為限，可依發光 元件模組20之用途等適當選擇。 於核心金屬22形成反射杯部28之方法可以使用鑽頭等 之切削工具之切削加工或使用超硬磨石之研磨加工而簡單 形成。 15 形成之反射杯部28之凹部形狀宜為具有平坦之底部 29a及從其周緣往上逐漸擴大之傾斜之部29b之形狀。 設置於此核心金屬22表面之琺瑯層23之材料可從以過 去用於於金屬表面形成ί法鄉層之玻璃為主體之材料中選擇 使用。在本發明中’ a又置於核心金屬22表面之j法瑯層23厚 2〇度範圍為5〇μηι〜200μιη。當琺瑯層23之厚度未達5〇μηχ時， 於核心金屬22表面燒結時於琺瑯層產生龜裂，而内部之金 屬有露出至外部之可能性，而產生因絕緣性能降低、核心 金屬22之乳化專成之長期k賴性之降低。又，當j法瑯層 23之厚度超過200μπι時，仍有於綠瑯層產生龜裂之可能 13 第95119604號申請 $發明說明_巷施百〇7 rrpo修正 性，且於燒結暗，3 )’序V月1日修(更)正替換頁 1304659 安裝空間減少，無法於底部29a安裝發光元件24之問題。在 本灸明中藉於核心金屬22表面形成厚度5〇μιη〜2〇Ομηι範圍 之琺瑯層23，可形成具有優異之絕緣性能、無龜裂且均一 之琺瑯層23。若為此厚度之琺瑯層23，可再次呈現作為基 材之核心金屬22之原本的形狀，而形成於核心金屬22之反 射杯部28之形狀亦可於琺螂層23再次呈現原本的形狀。 設置於前述基板21上面之電極27藉厚膜銀漿，延伸至 反射杯部28内部而形成。亦可將銅箔加壓成形而安裝於反 10 射杯内。

前述發光元件24並未特別限定，宜使用led、雷射二 極體(LD)等半導體發光元件。又，在本發明中使用之發光 元件24之發光色為藍色、綠色、紅色或其他之發光色亦可， 使用組合由氮化物系化合物半導體構成之藍色發光半導體 15元件及吸收至少一部份該藍色系之光而波長轉換為可見波 頻域之螢光體（例如以鈽活化之釔鋁石榴石螢光體等）之白 色LED亦可。又，並列安裝於琺瑯基板21之複數發光元件 24依交通信號機等之用途為相同之發光色之LED等亦可， 將不同發光色之LED等依序或隨機配置而作為顯示裝置亦 20可。再者，可於大面積之琺瑯基板21上依序或隨機配置多 數之藍色LED、綠色LED、紅色LED，而構成使用lED之顯 不裝置。亦可發光元件24使用白色LED，將多數白色LED 縱橫安裝於大型琺瑯基板21，而構成大面積之平面型照明 裝置。 14 Ϊ304659 封裝樹脂26可使用光透射率高之環氧系熱硬化型樹 脂、紫外線硬化型樹脂、熱硬化之矽樹脂等。 打線25可使用金線等。此打線25使用過去用於發光元 件24等之連接之打線裝置而打線。 5 由於前述發光元件模組20於琺瑯基板21設置用以安裝

發光元件之反射杯部28，故不需於基板再另外製作與基板 分開之反射杯部形成用基板，而可使基板構造單純，而可 抑制組裝之成本。 又’因不使用與基板分開之反射杯用基材，故可防止 10氣泡混入封裝樹脂26 ’而可防止來自發光元件24之光之萃 取效率降低。 由於使用於核心金屬22表面設有琺瑯層23之琺瑯基板 21，故散熱性優異而可提高LED等之發光元件24之發光強 度。 此外，在前述琺瑯基板21之構造為電極24露出至基板 上面之構造，而於該露出之部份配置用以採取電性絕緣之 樹脂等亦可。 又，於封裝樹脂26之上方或發光元件模組2〇之上方依 需要組合樹脂、玻璃等構成之透鏡體亦可。 第4圖係顯示本發明發光元件模組之第2實施形態之截 面圖，第4圖中之標號3〇為發光元件模組，31為琺瑯基板， 32為核心金屬，33為琺瑯層，34為1^〇等發光元件，^為 打線，36為封裝樹脂’ 37為電極，38為反射杯部，他為底 部，39b為斜面部。 15 1304659 本實施形悲之發光元件模組3〇顯示使用用以安裝發光 元件單體34之琺瑯基板31之構造，除了琺瑯基板31之形 狀、發光元件34之安裝個數外，其餘皆與前述第丨實施形態 之發光元件模組20相同，構成此發光元件模組3〇之琺瑯基 5板31、核心金屬32、琺螂層33、發光元件34、打線35、封 裝樹脂36、電極37及反射杯部38與構成前述第丨實施形態之 發光元件模組20之ί法瑯基板21、核心金屬22、ί法瑯層23、 發光元件24、打線25、封裝樹脂26、電極27及反射杯部28 同樣地構成。 本實施形態之發光元件模組30可獲得與前述第丨實施 形態之發光元件模組20相同之效果。

第5圖係顯示本發明第2實施形態之發光元件模組之截 面圖，第5圖中之標號40為發光元件模組，41為琺瑯基板， 42為核心金屬，43為琺瑯層，44為LED等發光元件，45為 15打線’ 46為封裝樹脂’ 47為電極，48為反射杯部，49a為底 部，49b為斜面部。 本實施形態之發光元件模組40除了使用於反射杯部48 之底部49a周緣設置溝50之ϊ法瑯基板41外，其餘皆與前述第 1實施形態之發光元件模組20相同，構成此發光元件模組4〇 2〇 之綠鄉基板41、核心金屬42、ί法鄉層43、發光元件44、打 線45、封裝樹脂46、電極47及反射杯部48與構成前述第1實 施形悲之發光元件模組20之ί法鄉基板21、核心金屬22、j法 瑯層23、發光元件24、打線25、封裝樹脂26、電極27及反 射杯部28同樣地構成。 16 1304659 ' 、W I作具有反射杯部48之接螂基板41時，於核心金屬 • 42塗佈_材’而以燒齡金屬42表面収_層43，而 進行燒結時，玻璃體於燒結前暫時熔融而流動，故導致杯 之底部變圓’而依情形有無法確保安裝發光元件44之平滑 、可月生在本實施形恶中，藉使用於底部術周緣設有 溝50之籍螂基板4卜玻璃體積存於底部周緣之溝，而其他 底。M9a可維持平坦之狀態。底部他設有溝％以外之部 φ 料安裝發光元件44之部份，藉使其面積為適當 ，可確保 用以安裝發光元件之平坦之部份。 10 在本實施形態中，可獲得與前述第1實施形態相同之效 果，且由於於反射杯部48之底部49a周緣形成溝5〇，故於燒 、、“法螂層43日寸，玻璃不致溶融而使底部49a周緣變圓，故可 確保於底部中央安裝發光元件44之部份，而可提高產率。 第6圖係顯示具有溝之反射杯部之一例者，在本例中， 15反射杯部51之結構為於底部52與斜面部53間形成溝54，同 麵| 時，於底部52之周緣設置凸部55。在此構造中，藉設置溝 54，且於底部52周緣設置凸部55，可防止已熔融之玻璃流 入溝54中。 第7圖係顯示具有溝之反射杯部之另一例者，在本例 20中，反射杯部56之結構為於底部57與斜面部58間設置呈向 底部57之外側逐漸加深之形狀之溝59。在此形狀之溝59 中’由於溶融之玻璃易运離底部57而積存，故可提高防止 底部27之周緣變圓之效果。 此外，於反射杯部之底部周緣形成溝之方法一旦不使 17 1304659 5

10 15

琺瑯層之厚度為適當時，於燒結時王法鄉層局部流動而易於 綠瑯層產生凹陷，有關電極當以銀漿製作時，由於塗佈前 為液狀，故此溝之部份亦可連續確保電性導通。 核心金屬使用長度50mm、寬度5〇_、厚度imm之低 碳鋼板。於該鋼板表面以鑽頭加工於縱橫均等配置各3個總 計9個之凹部而形成。該等凹部底面之尺寸為細麵、深 度〇.5mm，且以45。之角度形成傾斜部。 於使珠瑯層形成用玻璃粉體於分散介質分散者配置成 核心基板與該核心金屬之對極電極之銘板距離扣咖，而 使金屬板與純浸潰於前述分散介#巾。再者，於該等核 心金屬與域間，使金屬板為陰極側，施加直流電麼而^ 金屬表面電鑛玻璃粉體。然後，在大氣中燒結，藉於核心 金屬表面形成由玻璃構成之珠螂層，製成珠瑯基板1極 猎於瑞螂層上塗佈銀漿後予以燒結而製成。 調整玻璃粉末之塗佈而使料層之厚度變化 表1所示之基板。 裏成

20 下之厚 18 1304659 第95119604號申气宰琴昍說昍畫甚換頁 9^p9修正

??年，)月，7日疯更远替换負i '~J 度時，琺瑯層之一部份產生龜裂，内部之金屬露出至外部。 此時，有因絕緣性能降低、金屬之氧化等造成之基板之長 期信賴性降低之虞。龜裂易產生於第8圖所示之反射杯部60 之肩61之部份。 5 接著，於前述第1〜第3實施例、第1〜第2比較例之各琺 瑯基板安裝LED。

將結果顯示於表2。此外，LED使用縱300μιη、寬度 3 00μιη、厚度200μιη之hGaN構成之藍色LED(發光中心波長 λ=460ηιη)而評價。 1〇 【表2】 基板上之 厚度（μιη) 凹部底面部 之厚度（μχη) 凹部底面部之導 電層厚度（μιη) 發光元件之 安裝 第1實施例 50 52 30 無問題 第2實施例 97 98 31 無問題 第3實施例 210 200 28 無問題 第1比較例 30 34 30 無問題 第2比較例 300 320 20 有2處無法 確認安裝 由表2之結果可知，在第2比較例中，9處中有2處無法 安裝發光元件。其理由為當觀察截面時，凹部底面周緣62 之基板形狀如第9圖所示呈變圓之形狀，而可安裝發光元件 15之平坦部之區域縮小之故。呈此形狀之理由係當燒結琺瑯 層時，其原料之玻璃粉體溶融流動而積存之結果。若為 200μιη以下厚度之層時，便可確保安裝發光元件所需之足 夠區域。 根據本發明，可提供發光元件之光之萃取效率優異， 20且可以低成本生產之發光元件封裝用基板及其製造方法、 19 1304659 於該基板安裝發光元件而封裝之發光元件模組與其製造方 法、使用該發光元件模組之顯示裝置、照明裝置及交通信 號機。 【囷式簡單說明3 5 第1圖係顯示本發明發光元件模組之第1實施形態之截 面圖。 第2圖係顯示本發明基板之第1實施形態之截面圖。 第3圖係顯示本發明基板之第1實施形態之平面圖。

第4圖係顯示本發明發光元件模組之第2實施形態之截 10 面圖。 第5圖係顯示本發明發光元件模組之第3實施形態之截 面圖。 第6圖係顯示具有溝之反射杯部一例之主要部份截面 圖。 15 第7圖係顯示具有溝之反射杯部另一例之主要部份截

第8圖係以實施例製作之反射杯部之主要部份截面圖。 第9圖係底部周緣變圓之反射杯部之主要部份截面圖。 第10圖係例示習知發光元件封包構造之截面圖。 20 第11圖係顯示習知發光元件模組之一例之截面圖。 第12圖係顯示習知發光元件模組之一例之平面圖。 第13圖係顯示習知發光元件模組之電極構造之平面 圖。 第14圖係習知發光元件模組之電路圖。 20 1304659 第15圖係顯示習知發光元件模組另一例之截面圖 【主要元件符號說明

1…發光元件 2…打線 3…基板 4…電極 5···封裝樹脂 6…反射板 6a…斜面部 7…絕緣層 8…散熱金屬板 9…發光元件 10…打線 ll···基板 12 ^ · ·電才& 13…封裝樹脂 20…發光元件 21…ί法鄉基板 22…核心金屬 23…ί法鄉層 24…發光元件 25…打線 26…封裝樹脂 27…電極 28…反射杯部 29b…斜面部 30…發光元件 31…琺瑯基板 32…核心金屬 33…ί法瑯層 34…發光元件 35…打線 36…封裝樹脂 37…電極 38…反射杯部 39a…底部 39b…斜面部 40…發光元件 41…ί法鄉基板 42···核心金屬 43…琺瑯層 44…發光元件 45…打線 46…封裝樹脂 47…電極 48…反射杯部 49a…底部 49b…斜面部 29a···底部 21

Claims (1)

1304659 第95119604號申請案申請專利範圍替換頁97.07.29修正 十、申請專利範圍：β年7月^修(更}正替換頁丨 1. 一種發光元件安裝用基板，係於設置有使從安裝之發光 元件發射之光朝一定方向反射之反射杯部的核心金屬 表面設置厚度為50μιη〜200μιη範圍之斑瑯層者。 2. 如申請專利範圍第1項之發光元件安裝用基板，其中前 述反射杯部之底部周緣設有溝。

3. —種發光元件模組，係於申請專利範圍第1項或第2項之 發光元件安裝用基板上安裝有發光元件，且以透明之封 裝樹脂封裝該發光元件者。 4. 如申請專利範圍第3項之發光元件模組，其中前述發光 元件為於前述封裝樹脂内混合螢光體而發射白色光之 白色發光二極體。

5. —種發光元件安裝用基板之製造方法，係於核心金屬之 預定位置形成使從安裝之發光元件發射之光朝一定方 向反射之反射杯部，接著，於該核心金屬之表面塗佈琺 瑯材後，予以燒結，而獲得於核心金屬之表面設有厚度 為50μιη〜20Ομιη範圍之綠瑯層的發光元件安裝用基板。 6. 如申請專利範圍第5項之發光元件安裝用基板之製造方 法，其中將以玻璃為主體之琺瑯材電鍍於核心金屬表 面，然後，將之燒結。 7. —種發光元件模組之製造方法，係於核心金屬之預定位 置形成使從安裝之發光元件發射之光朝一定方向反射 之反射杯部，接著，於該核心金屬之表面塗佈琺瑯材 後，予以燒結，而製作於核心金屬之表面設置厚度為 22 1304659 50μιη〜2〇〇μη^|圍之琺瑯層之發光元件安裝用基板，接 著’於該發光元件安裝用基板之表面形成電極，然後， 於反射杯部中央部之電極上安裝發光元件，將各電極與 發光兀件電性連接，然後，於反射杯部填充樹脂，使其 硬化，封裝發光元件，以製作發光元件模組。 8·如申請專利範圍第7項之發光元件模組之製造方法，係 以混合有螢光體之樹脂封裝發光元件。

9_如申請專利範圍第8項之發光元件模組之製造方法，其 中前述發光元件為藍色發光二極體，且前述螢光體為藍 色激發黃色發光螢光體。 10_-種II示裝X，係具有巾請專鄕圍f 3項之發光元件 模組者。 11·一種照明裝置，係具有巾請專利_第4項之發光元件 模組者。 I2. 一種㈣《機，有㈣相範目第3項之發光元 23