TWI302743B - Optical wiring board and photoelectric hybrid substrate - Google Patents

Description

13〇27亂 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種光學引腳之定位方法，其使八 ，光=波路’對於光配線基板内之光進行導波或光路變換二 【先前技術】 、 具有較小光傳播損失、且傳送帶域較寬之特徵的石英 ί或多成分玻璃等無機系材料被廣泛使用作為光學变 、或光纖的基材，但是由於近年來亦開發出高分子^ 料，其較之無機系材料具有優良之加工性或價格之優勢， =而作為光導波路用材料而備受人們關注。例如，以如 稀叫 二 折射率較低於芯材料之高分子作為 枓:勺具有芯—包層結構的平板型光導波路已被揭露 利文獻1)。相應於此，使用具有較高耐熱性之透明性 ^刀子即聚醯亞胺而實現低損失的平板型光導波路（專利 .又獻2 )。 其:te作分子光導波路之一種用途，考慮到有光電混載 i路居it印，線板上層、下層、或内層形成有光導 :之基板。此衿，重點在於，搭载於光電混載基板之 先70件與料波路相之光結合方法㈣發。由於面 7L件之光軸與光導波路層之光軸相差卯度，故而必須 光仃彳度之光路變換。作為該光路變換方法，提出將面型 路‘波路層之間藉由較短之光纖或較短之光導波 於使用ίί總稱為光學引腳）而連接（非日專利文獻υ。 、 先予引腳情形下，光學引腳與光導波路層間之定位 l3〇2mf η， -般，於置=現定位，考慮到如連接器 的定位導引器，藉由;引; Πίίί，、導引_=各= 又 ¥引。。鉍芯之位置精確度古 可能會提高形成導引哭之成太而要八有问扣確度，從而 接哭形狀，則雜引:成本。Χ，若將光學引腳設為連 U於其上絲面型光元件或其他之元件。 【專^^日本專利特開平3一18_號公報。 獻】曰本專利特開平4_98〇72號公報。 【非曰本專利文獻1】電 合 2〇_ Να9 724頁f 25貝子會蜗文期刊 【發明内容】 、 =發明之目的在於提供_種光配線基板，其可 構成容易地實現光學㈣ 本發明係一種光配線基板，其具備有孔、以及***於 2具有芯與包層之第i之光導波路，於第i光導波 表面之-面形成凹形或凸形的其中之―，於上述孔之—辟 面：應地形成凹形或凸形的其中之另一，從而作為定位J 引為。：此、:一方之凹形與另一方之凸形相結合而成為定 =引f ’祕作為第1光導波路之光學引腳擠壓至形成 引益之壁面且藉由***於光配線基板之孔中而進 :“^=凹？或凸起之位置可為芯位置’亦可為偏 : ’上述孔可為貫通光配線基板之孔，亦可 側閉塞之孔。而且，光學引腳的芯之兩端面可.對應芯 6 13027氣 斜“轴成直角’亦可為至少有一側之端面對應芯之光軸傾 二。於前者之情形下，可進行光配線基板之兩面間的光導 / ，而於後者之情形下可進行光路變換。 位、於本發明中，較好的是，形成於孔之一壁面之上述定 态為突起，形成於第1之光導波路之上述定位導引 二為第1凹陷，而且於第1光導波路之芯與包層之邊界形 成有第i凹陷，第1凹陷形成於第2凹陷之正上方。 大此時’由於在作為定位對象之芯之位置形成有凹陷， 因此作為第1光導波路之光學引腳側之尺寸誤差會變得極 小二又，該第1凹陷以及第2凹陷，因製程之原因而具有 可容易地形成於芯位置之優點。 、又，於本發明中，較好的是，形成於孔之一壁面之上 述疋位導引态為凹陷，形成於第丨光導波路之上述定位導 引為為突起，且突起形成於第1光導波路之芯的正上方。 此時L由於在作為定位對象之芯之位置形成有突起，因此 .作為第1光導波路之光學引腳侧之尺寸誤差會變得極小。 又，該突起具有因製程之原因而可容易地形成於芯之位置 的優點。 、進而，於本發明中，較好的是，第2光導波路形成為 平行於基板面，第2光導波路之光軸與第丨光導波路之光 軸相交叉，於上述兩光軸之交叉處形成有成為反射面之第 1光導波路之芯的傾斜端面。藉此，於光配線基板内可變 換光路而於基板之厚度方向實施導波。 又，本發明為含有以上光配線基板、以及與光配線基 板層疊之電配線基板之光電混載基板。 13〇27私 以下，將韻1光導;^路稱 進行銳意研討之後，藉腳。本發明者， 成利用藉由溶液塗佈樹脂後所;導波路層之間形 芯的位置上所形成的包層之凹陷，:路型光學w腳之 板側預先形成有與該凹陷相嵌合之===學引腳之基 易地=定位，使之進—步發展則㈡=二從而可容 由此，所謂之光配線基板是指至 ：： 之光配線層之單層或層疊體。層= ===光=:電配線層(基板)層= 又，可Μ'ί線層 康要可形成有電印刷配線， 搭載㈣有電路科、受μ件或發光元件。 =^路之光配線基板成為光電混載基板。又，較好的是， ;之：：***之孔係藉由雷射加工而形成者。由此可以 確度形成導引器。而且，較好的是，$ 1光導波 哭之芯以及包層含有樹脂。又，較好的是，形成定位導引 =，，，除定位導引器之凹處或凸處以外均為平面，由此 使其易於製造。 [發明之效果] ^本發明之光配線基板，僅藉由將光學引腳***設置於 光配線層之孔則可實現芯之定位，例如設置於同一基板之 面型光元件與光導波路層間之光結合可便宜且容易地實 施。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易丨董下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 1302¾. 【實施方式】 t以下’使用圖示對本發明加以詳細說明。於此，以聚 導波路作為光配線層，以銅包練亞胺膜作為電 -己^層為例加錢明’當然亦可制聚m亞胺以外之樹脂 用作光導波路以及電配線層之材料。而且，不是僅適用於 ^璺有光毅路層與電崎層之财，亦可剌於在光導 \路上直接實施電配線讀形或甚至於料波路單體之情 形0

T衣不具備有光導波路型光學引腳32與光學 =所插人之孔34之光配線板31的立體gj。於此，於光 成有2根芯2。而且，於光學引腳之1表面上， 條i波二位ft成有槽狀凹陷5。於光配線板31形成2 於導波路35，且》別於中間部位藉由孔％而切斷。而且， —二’在對應導波路的位置上形成有由突起所 央風^引☆構造33。於將光學引腳插人於孔34時，將

於突起·，該突起即形成於孔之 、 弓σσ構绝33 ’精此可實現芯之定位。由於芸葙杏 U度將光，引腳之芯之端部切斷而形成反射面的話(未 :二與光配線板之導波路之間的光連接。於圖2 U插 例的剖面=ϊ 巾之光導波路型光學⑽之1 m ;匕91形成有槽，且於槽中填充芯2。_由 =層上部’而形成一 ^ 之表㈣有凹陷3，於其之正上方在包層4 9 气v 該光學引腳由含氟聚醯亞胺所構成， 之微影製程與氧電_刻製程而製作。即，=眾3 ^包層之聚醯亞胺前驅物的聚_酸溶液塗層於石夕晶圓 且其後’加熱使之酿亞胺化。然後，塗佈光阻^ 帝將^ 進订圖案化’並以光阻劑作為罩幕而進行氧 、1如圖5⑷所示，於包層1形成槽狀之凹陷。 ^ #於該凹陷填充成為芯2之前驅物溶液， if f使之si亞胺化（圖5⑻）。自其上部塗佈包層4之 使之酿亞胺化，藉此可獲得‘型光 於以旋轉塗佈法等塗佈聚醯胺酸溶液而用 =2，情形下’如圖5⑴所示，於芯2之表面會產生 ΐ含Γ:)二匕係因作為聚醯亞胺前驅物之聚醯胺酸溶液 所以於大量溶劑揮發時會產 用古&#门樣於不僅疋芯而且自上部覆蓋之包層4亦使 亞胺前驅物溶液之情形下.，於光學引腳之最表面 ilii上面之凹陷的槽狀凹陷5。再者，作為芯 ’亦具有藉由如圖2所示之塗佈方法而使於 ^題^側有滲出之情形，但是由於厚度較薄故而不會成為 於^絲導波路作為用於光電混紐板之光配 开^^之間的光結合的光學引腳之情形時，該凹陷5盘 :成於基板孔壁面的^丨輯造相結合而成為定位用導弓丨 情形下’由於成為導引器之凹陷位於形成於芯與 匕^之、界的凹陷之正上方，由此成為導引器 之凹陷將表 I3〇2m 之位置。而且，藉由將該光導波路以與芯延伸方 ==式，所期望之間隔進行切斷，可獲二 對於利用不會自然形成如此之凹陷之製程而 導波路，亦可使用藉由微影製程與氧 之先 工、或切割加工等機械加工而製作二細 可如圖4所示，於芯2位置之 ^月形下’亦 而且’藉由將光導波路以與芯延！成凹陷卜 望之間隔進行切斷，而可獲得多數個光學引 j備有此類型的光學細與孔34之光配線板 較好的是，定位用凹陷為槽狀。薪 备 ***孔時，能夠以使孔之壁面之^二^學引腳 使光學引腳上下滑動，故而易於定位相;勿合之方式 ==陷是在與光學引腳内之芯平行之面内，方 向延伸之方式而形成。 以心圖案方 形成於光學引腳與光配線板之 可為光學引腳為凸，而孔的壁面為凹：二導=構造亦 腳上形蚊位用突起之方法加以 ^在光學引 聚酿亞胺的前驅物的聚醯胺酸溶液塗：:::=層之 上。其後，加熱並使之酹亞 ；日日圓等基板 :等塗佈為了物的;醯胺酸溶液:士二= 硬化醯亞胺化。於苴上每 且貫苑加熱並使其 圖案化，以_彳作為罩^行氧=且^曝光以進行 所示之剖面，形成構成芯2之條形1=·=於圖10U) 宋I大起。自其上部塗佈包 13027^ 前驅物溶液且加熱並使之酿 2之上邱丄J 此時，如於圖10 (b)所示，於怎 用導引ί it映芯之條形突起之突起13。此則成為定位 之产开^ ’於光學⑽料植用導心而為突起 J二:光導波路層之孔之壁面設置有凹陷，但其形 =法可㈣於孔之壁面設置突起之方法，其中僅改變其 一 —j光學引腳中也可賦予其光路變換功能。於圖6中表 不安，有光路變換賴]、狀光導波路型光學引腳之例 :。藉由於光學引腳之端部實施切割加工、或照射準分子 ，射，以45度切削而設置有45度傾斜之端面u，而使其 橫切於芯2。該芯端面直接成為反射鏡。較好的是，於^ =度端面，如圖6 (b)中之剖面所示，以金等金屬膜12 ^施塗層。又，於將光配線板之上下2面間以垂直之方式 藉由光學引腳而光導波之情形下，也可以不要設置該45 度端面，而可以是在相互平行之2面設置有芯端面的長方 體的光學引腳。 以下’作為光配線基板，揭示有含有光配線與電配線 之光電混載基板’但是本發明亦適用於不使用電配線層， 而使用形成於矽基板、樹脂基板等之上之通常的光導波路。 於圖7中表示光電混載基板之立體圖（圖7 (a))與 剖面圖（圖7 (b))。此光電混載基板是由具有光導波路功 能之芯25 (圖中為5根芯）之光配線層21與含有銅包積 層板之電配線層22積層而成。於此，藉由2片電配線層而 夾持光配線層，於其間重複層疊熱可塑性聚醯亞胺或環氧 12 13027氣 樹脂等作為接著層23,且藉由鍾而製作光電混載基板 24。於該光電混載基板形成如圖丨或圖3所示之孔。孔（未 圖不）疋以僅對與光學⑽進行光連接所必需之芯進行之 方式而形成開孔即可。 於光電混載基板形成附帶導引器構造之孔之時，導引 器構造與存在於光電混載基板之芯兩者的彼此_位置精 確度是非常重要的。於光配線層被電配線層夾持之光電混 載基板中，於進行用於開孔之定位時，為了觀察光 之芯位置，只要預先於電配線層側開孔，使得可看到光導 波路側之標記即可。或者，於電配線層較薄或比較透明之 情形時，無銅箔之處可看到形成於光導波路芯或光導波路 之標記。預先對一部分銅箔實施蝕刻，或於實施銅箔之圖 案化之後，可一邊確認芯或標記之位置，一邊決定導引器 構造之位置。 ’ ^ 導引器構造可藉由雷射加工、或鑽孔器加工等，而與 開孔同時形成。只要賦予使進行雷射加工之時所使用之光 4·罩幕可包含導引态構造之形狀即可。於使用銅包聚酿亞 胺膜作為電配線層之情形下，通過形成有具備導引器構造 之孔狀之光學罩幕而且照射雷射，藉此可簡單加工具備易 嵌合於光學引腳之凹部或凸部之形狀、且具備凸或凹之導 引器構造之孔。 於圖8中表示使光學引腳嵌合於孔之方法。將光學引 腳42***形成於光電混載基板49之孔41。此時，使形成 於基板側之突起狀導引器構造44對準光學引腳側之^陷 43 ’且將光學引腳壓至壁面由此將其接著固定。藉此，可

气V 進行芯之定位。使孔之突起部44之 π光學引聊之外觀形狀、尺寸相吻合及; 位之概念圖。例如，於藉^+HI。於圖11表示定 度鏡面加工之光學引腳=；；=；：=1端面實施幻 腳之全長m與光電混載基板4=度：== 基板之光導波路層之芯5〇之底面自h 1 定鏡面之位置。藉由使光學引腳之45°度鏡 ，對應於該基板之芯位置而實施雷射力：;= == 電混載基板放置於平板上，則僅藉== 腳***於基板，而可進行純之深度 ’ -疋不疋而要為相互嵌合之形狀，亦可使 ，不同形狀而可活動且以_側突起之—部分碰到另一側凹 1½之一部分的形狀而進行定位。 - 於圖9中表示使时藉由如此之方式而獲得之光電混 ^基板=光傳輸形態。於與光配線層⑼層疊之電配線基板 土，精由焊錫球65❿安裝發光元件61與受光元件62。 使，由形成於電配線混縣板之孔中所形成之導引 為構造 疋立之光學引腳63與發光元件或受光元件之間之空間 内填充對應發光元件之振盪波長的透明樹脂％。光學引 腳之f端部與受發光元件之間也可以有間隙 。使用如此之 =^此载基板，於發光元件與受光元件之間通過箭頭（虛 線）所示之光路67,而實現光訊號之傳輸。 1302¾ 1302¾ 然而 糾㈣狀則、鏡可以不形成於光學引腳 上，而疋設於光配線層側。圖12係表示於 路變換用之反射鏡時之加工方法的一示例。圖公= 載基板是通過接著層74以電配線板71夹持具 ^ 之Γ波路的光配線層而層疊成^圖 12(a))。措由自電配線板71之上實施準分子 而形成貫通接著層74且到達包層之孔75 (圖12 = 由调整雷射之照射時間，可控制形成之孔之深度。於孔^ 壁面形成凸形或凹形之導引器構造。通過該孔 =之芯。其後’自該孔傾斜地向芯72實施雷射照射，於 心，面形成45度微小鏡面77 (圖12 (c))。根據需要， 由条鍍等將金屬赌層於微小鏡面。其後，對曰 波路型光學㈣76,且藉由接著剤而加二 产:“止。光導波路長由電配線板厚度、接著層厚 Ϊ與而計算且決定。此時之光路由 先子引腳、包層層、芯層45度微小鏡面以及芯層所構成。 為不透明=學^腳之孔時’電配線層、接著層 時，如圖看到光配線層之芯的位置之情形 通電配

n t受考層74且抵達包層層73的孔75。通過 f L，：看到光配線層之芯72。其後，朝向芯72，藉由J 後，：備有導引器構造之孔77 (圖13⑴)。其 著固定（《^(^光學引腳76插人該孔77，且將其接 射加工或切割加H此，’對於光學引腳，預先藉由雷 J力工4，形成以45度貫通芯之孔，且於其端 I3027& 面形成鏡面〇藉此，形士丄η , 使於電配線板、接著圖13⑷所示之光路78，即 芯之情形時，亦4實:不透明’從而難以看到光配線層之 [貫施例] 由H雙(H絲苯基）六氟代丙烧二奸 而开/出方舁2,2-雙(二氟曱基)-4,4’-二胺基聯苯（TFDB) 6Fd"a成ίί酿亞胺作為包層，以* 6FDA與TFDB以及 ⑽ DA 盘 4 4·^ 一 Βώ 1 一 土—本醚（〇DA)之共聚醯胺酸溶液而 矛亞胺為芯’將該等於5吋矽晶圓上藉由微影製 2乾偏m魏行力辽，由歸錢充縣導波路膜。 於石夕曰曰圓上塗佈上述聚臨亞胺前驅物溶液並實施加 t進行聚醯亞胺化後，在由此獲得之包層層上，藉由眾 周=之微影製程與乾钱刻製程形成寬60 μιη，深48 _ ^凹陷。其後，將作為芯之前述溶液旋轉塗佈並填充到凹 =。^實施加熱且酿亞胺化之後，進而自其上方將作為包 二之溶液旋轉塗佈並實施加熱且進行醯亞胺化，由此形成 =層。此時，在包層表面，於芯之上方產生大約20)11〇1之 才曰狀凹陷。其後，將該矽晶圓上之光導波路浸潰於5 wt〇/〇 ^氟酸水溶液中，且自矽晶圓剝離光導波路，由此製作薄 犋光導波路。氟化聚醯亞胺先導波路之膜厚為7〇 μιη，芯 之尺寸為I 60 μπι且其高度於最低部25 μιη。其後，為提 向與氟化聚醯亞胺之兩面之接著，將熱可塑性聚醯亞胺之 ，度分別設為1 μηι，且實施旋轉塗佈以及熱処理而形成。 该熱可塑性聚醯亞胺使用含有氧雙鄰笨二甲酸酐（〇DpA) 與氨基苯氧基苯（APB)之聚醯亞胺。 1302¾ >其次二為了製作光電混載基板，準備二片將銅包聚醯 亞月女月莫（二井化學（股份有限公司）製NEX)之-面之銅 |進刻後而形成之單面附㈣聚醯亞胺膜。預先藉由 敷^f 以於PET膜上使環氧樹脂之厚度為25网之方式而 進佈且使其於140°C進行乾燥。將該環氧樹脂膜於 . 光導波路端面藉由層壓機於loot實施層壓。其後，剝離 • PET膜。此25 厚度之環氧樹脂（三井化學（股份有限 公=)製EPOX (註冊商標）AH357)為接著層，將二片 • 細络聚亞胺膜於光導波路膜之聚亞胺膜面兩 =施加熱壓縮而加以接著固定。於壓縮溫度17〇。。，壓 鈿壓力2 Mpa，壓縮時間80分鐘下進行。含銅箔之總厚度 大約為^60μηι。藉此，可獲得作為光配線基板之層疊體。 其-人，貝把電路配線用之銅箔的圖案化。此時，對光電混 載基板之端部之銅箔實施蝕刻，且觀察預先附著於光導波 路之標記。對於依賴於該標記之光導波路之芯，精確度良 好的實施銅圖案化。 其次，藉由準分子雷射加工形成光之輸出輸入部的 孔。使用KrF準分子雷射（波長248 nm)，以2〇〇 Ηζ之脈 衝，對成為光配線基板之層疊體照射照射能量密度為i Ρ (cm2·脈衝）4秒鐘，由此形成孔。孔之形狀，如圖 及圖3所示，具有設置成對應於形成於成為光學引腳之光 導波路之凹陷之突起的形狀。為了形成該形狀之孔，於進 行雷射照射時，使用該形狀之光學罩幕。設置於孔之突起 部之尺寸设為40 μιη><40 μηι。孔整體之尺寸設為11〇〇 _200 μιη。光導波路層之芯中心位置為自内面㈣之底

I302^ypif 部向上83 μιη。 其次，對於先前製作之作為光學引腳且 導波路，以200 μιη之長度且蕤出+77—^ 、，^丨曰心九 扠又見错由切吾彳加工而切斷。寬設 為1 _。以自端距離為83 _之位置成為芯 中心 =式進^定位，且藉由準分子雷射加卫成傾斜於進行 田^加工4，使用200 μηι平方之罩幕。其次，僅於加工 面条鍍大約 μιη的金賴。使所獲得之面之角度為45 度’製成光路變換用之微小鏡。如此，可製作附有光路變 換用微小鏡之光學引腳。 其次，賴光學引_人於形成於光電混載基板之附 ^引器之孔1接著剤塗佈於孔。藉由使光學引腳碰到底 4 ’而凡成南度方向之定位。此時，光學引腳突出至4〇_ ^ f i«疋於^[又發光元件以及搭載該#元件之基板安裝 、知錫之情$日7 ’似X焊||之高度使受發光元件位於光電 此載基板之上部。藉由光學引腳之突出，而可通過光導波 路將光導至受發光元件之前面。以15(rc/1小時使接著剤 加?，化。•成有凹陷之面側之相反側之隙間亦同樣地填 充環氧系接㈣，且使之硬化。如此，可簡單地實現光學 引腳與光導波路層之定位。如此，於發光側、受㈣兩側 形成有光學引胎P，自發光側導入糾，可自受光侧取出光 訊號。於將光學引腳插人於孔時，藉由擠壓形成有光學引 腳之凹陷之面與形成有孔之導引器之壁面，可使光學引腳 之傾斜減小到可忽略之2。以下。 [產業上之可利用性] 本發明可適用於光集成電路、光連接用《學零件，光 Ι3〇27Μ， 電混载板等。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並 :艮=發明丄任何熟習此技藝者’在不脫離本發明之精神 ^圍内/當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之 範圍當視後社巾請專利範圍所界定 Χ …又 【圖式簡單說明] 圖示 例之表林發明之統線基板㈣光料腳之—示 圖示圖2係表示本發明之光學⑽之剖面構造之-示例的 之立=你表示本發明光配線基板以及光學㈣之一示例 圖4係表示本發明之光學引腳之剖面構造之一示例的 於i發明之光學引腳之製程之概略的圖示。 β ’、、不用於本發明之附光路變換用彳吟」、#夕伞道 波路型光學引聊之1的圖。m祕又換服小鏡之先導 示。圖7係表不用於發明中之光電混載基板之一示例的圖 係之二示成於光配線板之孔與光學引腳之位置關 圖9係表示用右伞、 示例的圖示。 先電混載基板之光訊號傳輸形態之一 圖係用於本私日日+ 圖11係表示光二之光學引腳之製程的概略圖。 予弓丨腳與光配線基板示的圖示。 ;v ; 13027敍if 圖12係表示對於電混載基板之應用的圖示。 圖13係表示對於電混載基板之應用的圖示。 【主要元件符號說明】 1 :包層 2 ··芯 - 3 :凹陷 4 :包層 齡 5 :凹陷 6 :凹陷 11 :端面 12 :金屬膜 21 ··光配線層 22 ··電配線層 23 :接著層 25 :芯 31 :光配線板 > 32 :光學引腳 33 :導引器構造 34 :孔 41 :孔 42 :光學引腳 43 :凹陷 44 :導引器構造 47 :光學引腳 20 1302¾^ 光電混載基板 芯 光配線層 發光元件 受光元件 光學引腳 電配線基板 焊錫球 樹脂 光路 電配線基板 芯 包層 接著層 孔 光學引腳 微小鏡面 光路

Claims (1)

1. Jt 1302743 Si9二42262號中文專利範圍無劃線修正本 萝IE日期:97年7月9日 [ •〜一.…----------------4….匕… 十、申請專利範圍： 、⑵上 1.一種光配線基板，包括：孔、 '>— 伸於孔之深度方向的芯與包層的第i ^ 入於孔且延 於面内方向之芯的第2光導波路，具有延伸 於第1光導波路之外表面之_2=於· 別形成有凹形或凸形之定位導引哭述孔之一壁面分 波路==導波路之光路之方向變換為第2光導 在於2;如形申成=範一圍壁第面丄= 之f己線基板，其特徵 於第〗Φ道^々、面上述疋位導引器為突起，形成 1光導尬/ ^之上述定位導引器為第1凹陷，進而於第 與包層之邊界面形成有第2凹陷，第1凹 1^开>/成於弟2凹陷之正上方。 在/.tt、請專利範圍第1項所述之光配線基板，其特徵 ί第孔之一壁面之上述定位導引器為凹陷，形成 第10t波路之上述定位導引器為突起，且突起形成於 弟1先導波路之芯的正上方。 4·如申請專利範圍第1項所述之光配線基板，其特徵 ;於上述孔之壁面以及第丨光導波路之外表面分別形 、的凹形或凸形之定位導引器，形成於與芯不同的位置。 ^ 5·如申請專利範圍第1項至第4項其中任一項所述之 光配線基板，其特徵在於：上述反射面了於第1光導波路 之端面以相對於芯傾斜之方式而形成。 6·種光電混载基板，其特徵在於，具備有： 如申請專利範圍第1項至5項其中任一項所述之光配 22 # 1302743 18485pifl 配線基板；以及 與光配線基板層疊之電配線基板。

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