TWI285761B - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Description

1285761 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明乃屬於例如主動矩陣驅動的液晶裝置、電子，紙 張等之電泳裝置等的光電裝置的技術領域。另外，本發明 也屬於具備此種光電裝置的電子機器的技術領域。 【先前技術】 習知據知具備有：矩陣狀配列的畫素電極以及各自連 接在該電極的薄膜電晶體（Thin Film Transistor;以下適稱 爲「TFT」。）、各自連接在該TFT、各自平行地設置在行 及列方向的資料線及掃描線等，而能夠進行所謂主動矩陣 驅動的光電裝置。 在屬於此種光電裝置之其中一例的液晶裝置，除上述 外更具備有：對向配置在畫素電極的對向電極、被夾持在 畫素電極及對向電極間的液晶層，進而各自形成在畫素電 極及對向電極之上的配向膜等，就可畫像顯示。即，藉由 配向膜成爲特定配向狀態的液晶層內的液晶分子，會因設 定在畫素電極及對向電極間的特定電位差，其配向狀態可 適當改變，藉此，穿透過該液晶層的光的透過率會改變， 因而能畫像顯示。 此時，特別是上述配向膜是作爲讓未施加電場的液晶 分子維持在特定配向狀態的作用。爲了實現此作用，故例 如廣泛施行利用聚醯亞胺等之高分子有機化合物來構成配 向膜的同時，對此膜實施硏磨處理。在此，所謂硏磨處理 -4· 1285761 (2) 是指利用捲繞在旋轉金屬滾輪等的硏磨布，在一定方向摩 擦燒成後的配向膜表面的處理。藉此，讓高分子的主鎖延 伸至特定方向，沿著該延伸方向配列著液晶分子。 然而，在該硏磨處理，配向膜會生成硏磨滓。這樣的 硏磨滓殘留在畫素電極及對向電極間的話，會妨礙對應於 施加在兩者間之電位差所期待的配向狀態的實現（即產生 配向不良），產生貶低畫像品質的可能性（例如產生漏光等 )° 爲了解決此種問題，於習知中也揭示例如如日本特許 文獻1(特開平1 0-3 3 3 1 82號公報）的技術。在該日本特許 文獻1中，揭示出一種由畫素電極的配列間距來看，至少 一行或一列配置著其配列間距被錯開的非顯示虛擬畫素圖 案，並藉由非顯示虛擬畫素來捕獲前述硏磨滓，具有防止 畫質降低的技術。此時，在日本特許文獻1中，非顯示虛 擬畫素的配列間距，是相對於畫素電極的間距而錯開的， 藉此硏磨處理之摩擦係數變大的關係，即使藉由更少的非 顯示虛擬畫素行或是畫素列，還是可得到與數行部分或是 數列部分之非顯示虛擬畫素同等的作用。 【發明內容】 然而，在如前述的液晶裝置中，有如下的問題。首先 ，認爲在上述日本特許文獻1中，雖然可藉由錯開畫素間 距的手段，即使設置更少的非顯示虛擬畫素，仍可得到與 數行部分或是數列部分的非顯示虚擬畫象素同等的作用， -5- 1285761 (3) 但是儘管如此自然是會有界限。例如，在日本特許文獻1 的實施形態中，是舉例表示將非顯示虛擬畫素圖案或是非 顯示虛擬色圖案設置一行至兩行的形態，不過認爲光是這 樣並無法充分解決有關前述硏磨滓的不當情形。例如，若 根據本案發明人的硏究，儘管設有四行〜十行左右的虛擬 畫素，確認還是散見有前述的不當情形。 另外’最初形成有虛擬畫素的理由，原本是爲了解決 抑制顯示斑痕發生等之驅動上的問題。若藉此，虛擬畫素 的配列數就不是最重要的，而是所謂應定爲解決前述顯示 斑痕等問題之目的事項。而且，所謂解決硏磨滓不當的目 的，是以按這樣所決定的虛擬畫素的配列數爲前提而補充 性所決定。即，在設定爲了解決顯示斑痕等的虛擬畫素的 配列數之上，如果有硏磨滓的問題，基本上還有尋求所謂 設置虛擬畫素的解決對策。 可是’在此種解決對策，虛擬畫素的配列數有增加零 亂的可能性’這樣的話會招致液晶裝置之大型化。這就有 違近年來液晶裝置之小型化、高精細化的要求。另外，虛 擬畫素也是畫素以外，若多數配列畫素，也需要配合畫素 而延伸驅動電路等之周邊上的對策，不過這樣會招致製造 成本的增加等等並不理想。因而，虛擬畫素的配列數由此 觀點來看會受到限制。不過解決顯示斑痕等具有充分的虛 擬畫素的配列數’欲同時解決硏磨滓的問題不是沒有道理 ’不過像是已作爲針對日本特許文獻上的問題所敘述地， 那是很有限的。 -6- 1285761 (4) 若綜合考慮以上的情形，結果本身並不能否定設置虛 擬畫素，雖說如此，欲藉由該「虛擬畫素」來解決硏磨滓 的問題是很有限的’另外，還了解到並不能成爲所謂有效 的對策。 本發明是有鑑於上述問題的發明，其目的在於提供一 種不會因經由硏磨處理配向膜所產生的硏磨滓而導致畫質 劣化’可呈現高品質之畫像的光電裝置及具備該光電裝置 的電子機器。 本發明的光電裝置爲了解決上述課題，故於基板上具 備：延伸於一定方向之資料線，及延伸交叉於該資料線之 方向之掃描線、和藉由前述掃描線所供給掃描信號之開關 元件、和藉由前述資料線經由前述開關元件，所供給畫像 信號之畫素電極、和形成於前述畫素電極之上之配向膜； 前述基板乃具有：作爲前述畫素電極及前述開關元件之形 成領域所規定之畫像顯示領域、和規定該畫素顯示領域之 週邊領域；前述配向膜係形成於前述畫像顯示領域及前述 周邊領域；於前述周邊領域之至少一部份形成凸部。 根據本發明的光電裝置，針對開關元件之其中一例的 薄膜電晶體，通過掃描線而供給掃描信號，其ON、OFF 就可控制。另一方面，對畫素電極而言，通過資料線而供 給畫像信號，對應於前述薄膜電晶體的ON、OFF，而對 畫素電極進行該畫像信號的施加、非施加。藉此，有關本 發明的光電裝置就能進行所謂的主動矩陣驅動。 而且，在本發明，特別是前述基板具有畫像顯示領域 -7 - 1285761 (5) 及周邊領域，當中在周邊領域的至少一部分形成有凸部。 藉此，就可獲得如下的作用效果。即，首先，在針對形成 在畫素電極之上的配向膜實施硏磨處理之際，該硏磨處理 是沿著一定方向而進行，在針對畫像顯示領域上的配向膜 實施硏磨處理之前，先針對周邊領域上的配向膜實施硏磨 處理。根據該硏磨處理，必然會發生配向膜的硏磨滓。而 且，該硏磨滓主要是附著布典型上利用於前述硏磨處理的 旋轉滾輪。因此，例如考慮針對複數形成該光電裝置的玻 璃基板，一舉實施硏磨處理的時候，附著在前述旋轉滾輪 的硏磨滓，會發生所謂振落到畫像顯示領域上等的情形。 然而，關於本發明，因爲在該周邊領域形成有凸部， 所以附著在利用於如前所述的硏磨處理的旋轉滾輪的硏磨 滓，可藉由該凸部而磨掉。藉此，就能將經由該硏磨處理 所產生的硏磨滓，實現所謂只集中在該凸部的周圍的狀態 〇 其理由比方說，很容易了解到假設針對所謂從比較平 坦的「地平」連接凹狀的「山脈」的「地形」，實施硏磨 處理等的情形。即，在此時，首先在「地平」上進行硏磨 處理的時候，因爲前述旋轉滾輪等不會受很大的電阻，所 以附著在前述旋轉滾輪的硏磨滓，幾乎不會發生所謂振落 到配向膜上的現象。可是，該旋轉滾輪到達對對該「地平 」的「山脈」之前頭的「山」的話，在那裡會受到比從前 還要更大的電阻。因而，附著在前述旋轉滾輪的硏磨滓， 首先會比較大量地磨掉在該「山」的部分。然後，前述旋 -8- 1285761 (6) 轉滾輪前進到「山脈」上的話，附著在旋轉滾輪的硏磨滓 就會逐漸地磨掉，該旋轉滾輪到達畫像顯示領域之後，硏 磨滓已經不會多量磨掉。 以上結果，根據本發明，經由硏磨處理所產生的硏磨 滓，主要僅存在於周邊領域上的凸部的周圍，就能實現使 該硏磨滓不會到達畫像顯示領域。藉此，因爲關於畫像顯 示領域，能將所謂發生起因於硏磨滓的配向不良等事情防 患於未然，所以就能呈現更高品質的畫像。 另外，因爲本發明並不是藉由虛擬畫素的存在，來解 決硏磨滓的問題，所以並沒有隨此而承受光電裝置大型化 等的不當情形。相反的，根據本發明，能更良好的達成光 電裝置的小型化、高精細化。再者，虛擬畫素其本身爲了 解決防止發生顯示斑痕等之驅動上的問題，不用說當然可 以設置這個。再者，於前述說明中，存在「山脈」典型 上可假設爲利用複數凸部所構成的情形，不過根據此情形 ，不光是僅存在一個「山」也可以假設有「山脈」。前述 的、或是後面所應用的「山脈」的用語是包括此種情形。 本發明的光電裝置之其中一形態，乃於前述基板上更 具有驅動電路，前述凸部係設置於前述畫像顯示領域和前 述驅動電路之間的領域。另外，其它形態係於前述畫像顯 示領域之外側，形成虛擬畫素形成領域，前述凸部係形成 於前述虛擬畫素形成領域之外側。 本發明的光電裝置之其中一形態，乃於前述配向膜 係形成起因於前述資料線及前述掃描線之至少一方之高度 -9· 1285761 (7) 之凸狀部；前述凸部之高度是與前述凸狀部之高度相同。 根據該形態，在畫像顯示領域內的配向膜，形成成起 因於資料線或是掃描線的高度的凸狀部。此時，因爲可藉 由該凸狀部及有關本發明的凸部，而更良好的形成前述的 「山脈」，所以使得配向膜的硏磨滓主要僅存在於凸部的 周圍，就能更良好的享有所謂不會到達畫像顯示領域的作 用效果（以下稱爲「有關本發明的作用效果」。）。 另外，本形態，特別是因爲凸部的高度是爲凸狀部的 高度同等，所以可更確實地享有有關本發明的作用效果。 此點假設凸部的高度比凸狀部的高度還要大的話，有可能 會使硏磨處理本身帶來較大的障礙。本形態並不會受到此 種不當情形。 再者，本形態所謂的「同等」當然包括所謂凸部的高 度與凸狀部的高度完全相同的情形，也包括前者比後者稍 微大或小的情形。此種情形下’即使是那樣的情況，凸部 的高度是不會變得「太」大的程度，就不會有前述的不當 情形。順便一提，雖是「稍大」或是「太」大這樣的具體 的値，不過這根本是設計的事情，可根據光電裝置的大小 、畫像顯示領域或是周邊領域的大小、資料線或是掃描線 、凸狀部的形成形態自行決定適當理想的値。 另外，由本形態的記載反過來即可明白，於本發明並 不一定是以起因於資料線或是掃描線的高度的凸狀部的存 在爲前提。假設即使不存在凸狀部（即’例如即使畫像顯 示領域上的配向膜爲平坦化）’僅藉由「凸部」就能形成 -10- (8) 1285761 前述的「山脈」（參照有關後述的「線狀凸部」的構成等 〇)〇 在本發明的光電裝置的其它形態，於前述配向膜係形 成起因於前述資料線及前述掃描線之至少一方之高度之凹 狀部；前述凸部係沿著前述凸狀部的方向而形成。 根據此形態，首先藉由存在凸狀部，就能更良好的享 有有關本發明的作用效果的情形，前述形態並未改變。 在本形態，特別是凸部爲沿著凸狀部的方向的方式所 形成。即，凸狀部只要是起因於掃描線的高度的形成，凸 部即爲沿著該掃描線的方向的方式所形成。藉此，因爲前 述的「山脈」能更良好的形成，所以有關本發明的作用效 果就能更有效地享用。 此形態，前述凸部以連續於前述凸狀部之方向的而形 成的構成亦可。 根據此種構成，凸狀部是起因於資料線或是掃描線的 高度所形成，並以對應於連續形成在某一定的方向或是於 此交叉的方向所形成的方式，也另外連續形成凸部。因爲 據此就能更良好的形成前述的「山脈」，所以就能更有效 地享有有關本發明的作用效果。 另外，在凸部爲沿著凸狀部的方向的方式所形成的形 態，前述凸部可爲包括沿著前述凹狀部的方向而形成複數 線狀凸部的方式所構成。 根據此種構成，因爲藉由合倂於資料線或是掃描線上 的複數列或複數行的凸狀部，而形成有複數列或複數行的 -11 - 1285761 (10) 因爲能更良好的形成前述的「山脈」，所以 有有關本發明的作用效果。 再者，關於本發明，上述的線狀凸部間 狀部間的間距相同，或是所謂逐漸變大或變 ，包括所謂任意的情形。 另外，以上所述的各種形態之中，關於 狀部之方向的方式所形成的形態、以連續的 形態、複數形成有線狀凸部的形態（該線狀 包括相同於或是逐漸變大或變小凹狀部間之 )，實施如下交換所指定的構成也在本發明 ，該光電裝置的畫像顯示領域爲平坦化，對 凸狀部的情形下，可分別另將「前述凸狀部 「前述資料線及前述掃描線之至少一方的方 前述凸狀部間之間距」讀爲「前述資料線間 間之至少一方的間距」。此乃如己述般是基 的光電裝置不一定是存在凸狀部爲前提。 在本發明的光電裝置的其它形態，前述 向於對前述配向膜之硏磨處理方向之前述畫 邊緣部而形成。 根據該形態，若嘗試沿著硏磨處理之方 示領域之前，必定存在凸部。或者試著由別 形態，在未沿著硏磨處理之方向的部分，不 意思。像這樣，根據本形態，僅設置必要的 就能享有有關本發明的作用效果。 能更有效地享 的間距是與凸 小的構成之外 凸部以沿著凸 方式所形成的 凸部的間距是 間距的構成。 的範圍內。即 於所謂不存在 之方向」讀爲 向」，和將^ 及前述掃描線 於有關本發明 凸部係沿著對 像顯示領域之 向，到畫像顯 的觀點來看本 必形成凸部的 最小限凸部， 1285761 (11) 在本發明的光電裝置的其它形態，前述基板之外形形 狀平面視之爲矩形狀，前述畫像顯示領域係具有與前述基 板之外形形狀相似的形狀；前述凸部係沿著前述畫像顯示 領域之一邊或是相鄰之二邊而形成。 根據該形態，以沿著具有矩形狀之畫像顯示領域之一 邊，或是二邊的方式形成有凸部。首先，以沿著畫像顯示 領域之一邊的方式而形成有凸部的情形，是將硏磨處理的 方向以面對該一邊的方式所設定，就能得到有關本發明的 作用效果。另外，以沿著畫像顯示領域之相鄰的二邊的方 式形成有凸部的情形，即使硏磨處理的方向，縱使傾斜， 還是能得到有關本發明的作用效果。 在本發明的光電裝置的其它形態，前述凸部係起因於 作爲與前述資料線、前述掃描線及前述開關元件之至少一 部分相同的膜所形成的圖案的高度所形成。 根據此形態，可比較容易進行凸部的形成。即，根據 本形態，首先在基板上形成有與資料線、掃描線及開關元 件的至少一部分相同的膜的圖案。該圖案是典型的假設所 謂資料線、掃描線或是開關元件是以在平面觀看爲離間的 狀態所形成。而且，在該上重疊形成各種層間絕緣膜等， 起因於該圖案的高度的凸部可形成在配向膜上。即，根據 本形態’爲了形成凸部，並不需要特別的工程，能夠比較 谷易地形成該凸部。 再者，本形態所稱的「至少一部分」是指例如開關元 件是由半導體層（活性層）、閘極絕緣膜、閘極電極等的複 -14- 1285761 (12) 數要素所形成的情形下，包括該複數要素的至少一部分的 意思。其它也包括所謂資料線是由雙層構造所形成的任一 者的層的情形，甚至也包括所謂資料線或是其一部分和掃 描線等的情形。 另外，關於本發明，也具有於該光電裝置加上資料線 、掃描線、開關元件，並形成有欲提高畫素電極之電位保 持特性的蓄積容量和遮光膜等的情形，不過在此種情形下 ，有關本形態的「圖案」作爲與該些各種要素相同的膜而 形成亦可。 本發明的電子機器是爲了解決上述課題，故具備有上 述的本發明的光電裝置（但包括其各種形態。）。 根據本發明的電子機器，因爲具備上述的本發明的光 電裝置，所以不會導致起因於配向膜的硏磨滓的畫質劣化 ’因而能呈現出顯示品質優的畫像，可實現投影機、液晶 電視、携帯電話、電子記事簿、文書處理器、觀景窗型或 是監視直視型的錄影機、工作站、電視電話、P 〇 S終端、 觸控面板等的各種電子機器。 本發明的此種作用及其它優點可由以下說明的實施形 態了解。 【實施方式】 以下針對本發明的實施形態參照圖面做說明。以下的 貫施形態是將本發明的光電裝置應用於液晶裝置。 -15- 1285761 (13) (第一實施形態） 首先針對有關本發明的光電裝置的第一實施形態的全 體構成，邊參照第1圖及第2圖邊做說明。在此，第1圖 是與形成在其上的各構成要素一同從對向基板這側觀看 TFT陣列基板的光電裝置的平面圖，第2圖是第1圖的Η -Η9斷面圖。在此，以屬於光電裝置之一例的驅動電路內 裝型的TFT主動矩陣驅動方式的液晶裝置爲例。 於第1圖及第2圖中，有關第一實施形態的光電裝置 中，對向配置有TFT陣列基板1〇和對向基板20。在TFT 陣列基板1 〇和對向基板20之間封入液晶層5 0，TFT陣 列基板1 〇和對向基板20是利用設置在位於畫像顯示領域 1 0 a之周圍的密封領域的密封材料5 2相互接着。 密封材料52係爲了貼合兩基板，例如利用紫外線硬 化樹脂、熱硬化樹脂等所形成，於製造製程中，塗佈在 TFT陣列基板1 0上之後，經由紫外線照射、加熱等使其 硬化。另外，在密封材料52中，散佈有爲了令TFT陣列 基板1 〇和對向基板20的間隔（基板間間隙）成爲特定値的 玻璃纖維或是玻璃珠等的間隙材料。即，第一實施形態的 光電裝置是作爲投影機的光閥用，適於以小型進行放大顯 不 ° 密封材料52是並行於所配置的密封領域的內側，而 規定畫像顯示領域l〇a之框緣領域的遮光性的框緣遮光膜 53是設置在對向基板20這側。但此種框緣遮光膜53的 一部分或是全部，係作爲內裝遮光膜而設置在TFT陣列 1285761 (14) 基板1 〇這側亦可。再者，於第一實施形態中，存在有規 定前述畫像顯示領域1 0 a之周邊的周邊領域。換句話就 是在第一實施形態中，特別是從T F T陣列基板1 0的中心 觀看’從該框緣遮光膜5 3至基板的外周緣的領域是作爲 周邊領域而規定。 周邊領域之中，在位於配置有密封材料5 2的密封領 域的外側的領域，特別是資料線驅動電路1 0 1及外部電路 連接端子102是沿著TFT陣列基板10的一邊而設置。另 外，掃描線驅動電路1 04是沿著鄰接該一邊的兩邊，且覆 蓋在前述框緣遮光膜53的方式所設置。而且，像這樣由 於隨著設在畫像顯示領域1 〇a之兩側的兩個掃描線驅動電 路104間，沿著TFT陣列基板10之剩下的一邊，且覆蓋 在前述框緣遮光膜53的方式，而設有複數配線105。 另外，在對向基板20的四個角隅部，配置作爲兩基 板間之上下導通端子的機能的上下導通材料1 06。另一方 面，在TFT陣列基板10，於面對該些角隅的領域，設有 上下導通端子。藉由該些就能在TFT陣列基板1 0和對向 基板20之間取得電氣導通。 於第2圖中，在TFT陣列基板10上，是在形成有畫 素開關用的TFT和掃描線、資料線等的配線之後的素電 極9a上，形成有配向膜。另一方面，在對向基板20上， 除了對向電極2 1之外，在格子狀或是條紋狀的遮光膜23 ，甚至在最上層部分形成有配向膜。另外，液晶層5 0是 例如由混合一種或是數種的向列液晶的液晶所形成，在該 -17- I285761 (15) 些一對配向膜間取得特定配向狀態。 再者，於第1圖及第2圖所示的TFT陣列基板1〇上 ’加上在該些的資料線驅動電路1 〇 1、掃描線驅動電路 1 0 4等，形成以畫像信號線上的畫像信號爲抽樣而供給到 資料線的抽樣電路、將特定電壓位準的預備信號先行於畫 像信號而各別供給到複數資料線的預備電路、欲檢查製造 途中或出貨時之該光電裝置的品質、缺陷等的檢查電路等 亦可。 而且，在第一實施形態中，特別是在前述周邊領域之 中的資料線驅動電/路一个%和畫像顯示領域1 之間的特定 領域，形成有凸4 40 1 ^其特徵。針對此點於後面做詳細 說明。 」 其次，針對有關第一實施形態的光電裝置的畫像顯示 領域1 〇a內的構成，邊參照第3圖邊做說明。在此，第3 圖是指構成光電裝置之畫像顯示領域1 〇a之形成矩陣狀的 複數畫素的各種素子、配線等的等效電路。 於第3圖中，在形成矩陣狀的複數畫素，分別形成有 欲開關控制畫素電極9a和該畫素電極9a的TFT30，供給 畫像信號的資料線6a是電氣連接在該TFT30的源極。寫 入資料線6 a的畫像信號S 1、S 2、…、S η按此順序依線順 序供給亦可’針對相互鄰接的複數資料線6a彼此供給到 每個群組亦可。 另外，在TFT30的閘極電氣連接有掃描線3a，以特 定計時，脈衝式地將掃描信號G〗、G2.....Gm按此順 -18- 1285761 (16) 序依線順序施加在掃描線3 a的方式所構成。畫素電極9 a 是電氣連接在TFT30的汲極，屬於開關元件的TFT30只 一定期間關上該開關，藉此以特定計時寫入由資料線6a 所供給的畫像信號S 1、S 2.....S η。 經由畫素電極9a寫入到作爲電氣光學物質之一例的 液晶的特定位準的畫像信號S 1、S 2.....S η，是與形成 在對向基板20的對向電極21 (第2圖參照）之間，保持一 定時間。液晶會藉由所施加的電壓位準來改變分子集合的 配向和秩序，就能調制光，進行階調顯示。只要是常白模 式，對應於以各畫素的單位所施加的電壓，就能減少針對 入射光的透過率，只要是常黑模式，對應於以各畫素的單 位所施加的電壓，就能增加針對入射光的透過率，作爲全 體而從光電裝置射出具有對應於畫像信號之反差的光。在 此爲了防止所保持的畫像信號洩放，與形成在畫素電極 9 a和對向電極之間的液晶容量並列地附加蓄積容量70。 該蓄積容量70是並列設置在掃描線3 a，包括作爲固定在 定電位的固定電位側容量電極的容量線3 0 0。 其次，針對經由上述資料線6a、掃描線3a、TFT30 等，實現如上述之電路動作的光電裝置之更具體的構成， 參照第4圖及第5圖做說明。在此，第4圖是指形有資料 線、掃描線、畫素電極等的TFT陣列基板之相互鄰接的 複數畫素群的平面圖，第5圖是第4圖的A—A’斷面圖。 再者，於第5圖中，欲形成可在圖面上辨識各層、各構件 程度的大小，該各層、各構件的比例均不相同。 -19- 1285761 (17) 首先，有關第一實施形態的光電裝置，乃如第4圖的 A — A’線斷面圖的第5圖所示，具備有：透明的tft陣列 基板1 〇、和對向配置在此的透明對向基板2 0。T F T陣列 基板1 〇乃例如由石英基板、玻璃基板、矽基板所形成， 對向基板2 0乃例如由玻璃基板或石英基板所形成。 如第5圖所示，在TFT陣列基板1〇設有畫素電極9a ，在其上側設有施行硏磨處理等特定配向處理的配向膜 16。畫素電極9a是例如由ITO膜等透明導電性膜所形成 。另一方面，在對向基板 20於其全面設有對向電極21 ’在該圖中下側設有施行硏磨處理等特定配向處理的配向 膜22。當中的對向電極21是與上述畫素電極9a同樣地 ’例如由ITO膜等透明導電性膜所形成。再者，前述配向 膜1 6及22是例如由聚醯亞胺膜等透明的有機膜所形成。 一方面，在第4圖中，前述畫素電極9a是矩陣狀地 複數設置在TFT陣列基板10上（利用虛線部9a，表示輪廓） ’各別沿著畫素電極9a的縦横境界而設有資料線6a及掃 描線3 a。資料線6a是例如由鋁膜等金屬膜或是合金膜所 形成，掃描線3 a是例如由導電性的多結晶矽膜所形成。 當中的掃描線3 a是以面對半導體層1 a中之圖中右上之 以斜線領域所示的通道領域1 a ’的方式所配置，該掃描 線3 a是作爲閘極電極的機能。即，分別在掃描線3 a和 資料線6a的交叉之處，於通道領域la’設有掃描線3a的 本線部作爲閘極電極並對向配置的畫素開關用的TFT3 0。 TFT30乃如第5圖所示，具有LDD(Lightly Doped 1285761 (19) le及畫素電極9a的畫素電位側容量電極的中繼層71、和 作爲固定電位側容量電極的容量線3 0 0的一部分所形成。 藉由該蓄積容量70就能顯著地提高晝素電極9a的電位保 持特性。 中繼層7 1是例如由導電性的多結晶矽膜所形成，作 爲畫素電位側容量電極的機能。但中繼層7 1與後面所述 的谷重線300问樣地’由金屬或包括合金的單—層膜或是 多層膜所構成亦可。中繼層7 1除作爲畫素電位側容量電 極的機能外，透過接觸孔83及85而具有令畫素電極9a 和TFT30的高濃度汲極領域le中繼連接的機能。 容量線3 0 0是例如由金屬或包括合金的導電膜所形成 ，作爲固定電位側容量電極的機能。該容量線3 00，於平 面觀看的話’如第4圖所示，具備有：重疊形成在掃描線 3 a的形成領域。更具體是容量線3 0 0沿著掃描線3 a而延 長的本線部、和從圖中與資料線6a交叉的各處沿著資料 線6 a而分別突出於上方的突出部、和稍微捆綁對應於接 觸孔8 5之處的捆綁部。當中的突出部是利用掃描線3 a上 的領域及資料線6a下的領域，對增大蓄積容量70的形成 領域做出貢献。此種容量線3 00最好是由高融點金屬或是 包括其合金的導電性遮光膜所形成，除作爲蓄積容量70 的固定電位側容量電極的機能外，還具有作爲於T F T 3 0 的上側從入射光令TFT30遮光的遮光層的機能。 介電質膜75乃如第5圖所示，例如由膜厚5〜200nm 程度之比較薄的 HTO(High Temperature Oxide)膜、 1285761 (20) LT0(10w Temperature Oxide)膜等氧化矽膜、或是氮化矽 膜等所構成。從增大蓄積容量7 0的觀點來看，對於充分 獲得膜的可靠性之程度而言，介電質膜75愈薄愈好。 於第4圖及第5圖中，除上述外，在τ F T 3 0的下側 設有下側遮光膜1 1 a。下側遮光膜1 1 a是圖案化爲格子狀 或是條紋狀，藉此來規定各畫素的開口領域。再者，開口 領域的規定，連藉由第4圖中的資料線6 a、和交叉於此 的方式所形成的容量線3 00都可形成。 另外，在TFT30下設有基層絕緣膜12。基層絕緣膜 12除了從下側遮光膜1 la令TFT30層間絕緣的機能外， 具有藉由形成在TFT陣列基板10的全面，防止因TFT陣 列基板1 〇的表面硏磨時的粗糙、洗淨後殘留的污垢等改 變畫素開關用的TFT30之特性的機能。 加上，在掃描線3 a上形成有分別開設有通往高濃度 源極領域1 d的接觸孔8 1及通往高濃度汲極領域1 e的接 觸孔8 3的第一層間絕緣膜4 1。在第一層間絕緣膜4 1上 形成有中繼層7 1及容量線3 00，在該些之上形成有分別 開設有通往高濃度源極領域1 d的接觸孔8 1及通往中繼層 7 1的接觸孔8 5的第二層間絕緣膜42。在第二層間絕緣膜 42上形成有資料線6a，在該些之上形成有開設有通往中 繼層71的接觸孔85的第三層間絕緣膜43。再者，在第 一實施形態中，針對第一層間絕緣膜41，進行約10〇〇°C 的燒成，藉此達到注入到構成半導體層1 a、掃描線3 a的 多結晶矽膜的離子活性化亦可。另一方面，針對第二層間 -23- 1285761 (21) 絕緣膜42，進行此種燒成，藉此達到發生在容量線3 00 的界面附近的應力的緩和亦可。 (周邊領域上的凸部構成） 以下針對屬於如上述之構成的光電裝置，並對於形成 在其周邊領域的凸部構成，邊參照第6圖至第8圖邊做說 明。在此，第6圖是只針對第1圖中的TFT陣列基板1 〇 的構成做圖面表示的光電裝置的平面圖，第7圖是只著重 於形成在第6圖以符號A所示的圓內部分的資料線及掃 描線等而描繪的平面圖，第8圖是第7圖的W — W ’線的 斷面圖。再者，於第8圖中，僅圖面表示特別是有關於本 發明的凸部及掃描線等，其它構成做適當省略。另外，於 第8圖中，欲形成可在圖面上辨識各層、各構件程度的大 小，該各層、各構件的比例均不相同。 於該些第6圖至第8圖中，於光電裝置中，在其周邊 領域之中，於畫像顯示領域1 〇a和資料線驅動電路1 0 1之 間的特定領域400R形成有凸部401。更詳細是該凸部401 於平面上，如第7圖及第8圖所示，形成在位於畫像顯示 領域1 〇a之外側的虛擬畫素形成領域1 0D的更外側。在此 ，於虛擬畫素形成領域1 0D，乃如第7圖所示，形成作爲 與掃描線3 a相同膜所形成的虛擬掃描線3 D外，還形成有 圖未表示的虛擬TFT及虛擬畫素電極作爲其它畫素所具 備的所有構成。藉此，構成有虛擬畫素。在第一實施形態 中，適當驅動這個，藉此就能抑制顯示斑痕的發生等。再 -24- 1285761 (22) 者，於第7圖及第8圖中，圖面表示虛擬畫素爲三行部分 形成的形態，不過這只是單純的一個例子。另外，虛擬畫 素沿著資料線6 a的方向’形成數列部分亦可（參照後述的 第12圖）。 另一方面’凸部401是起因於作爲與掃描線3a或是 虛擬掃描線3 D相同膜所形成的圖案4 3 0的高度所形成。 即，在TFT陣列基板1〇上形成圖案43〇的話，在該圖案 4 3 0的形成領域和除此以外的領域之間會產生段差，不過 凸部40 1是形成在該兩領域之上的第--第三層間絕緣膜 41、42及43，甚至在配向膜16等（參照第5圖）的各層以 前述段差「傳達」所形成。凸部40 1會像這樣形成在位於 最上層的配向膜1 6上。即，根據完全同樣的理由，連掃 描線3 a及虛擬掃描線3 D的每一個都形成有凸狀部3 aP及 3DP。 在此，圖案43 0乃如第7圖所示，是以具有與掃描線 3 a或是虛擬掃描線3 D同樣的平面形狀(也參照第4圖）的 方式所形成。即，圖案43 0是作爲延伸到TFT陣列基板 1 0的第7圖中左右方向（行方向），且正交於資料線6a的 直線狀圖案所形成。另外，第一實施形態中，特別是該圖 案4 3 0形成三行部分。而且，該些三行部分的圖案4 3 0間 的各間距P 1乃如第8圖所示，成爲與掃描線3 a間的各間 距P2相同的方式（其它在第一實施形態中，虛擬掃描線 3D間的間距，甚至掃描線3a和虛擬掃描線3D間以及虛 擬掃描線3 D和圖案4 3 0間各個間距亦爲相同。）。 1285761 (23) 藉此，有關第一實施形態的凸部40 1具備以下的各特 徵。首先，圖案43 0是以具有與掃描線3a或是虛擬掃描 線3D同樣的平面形狀的方式所形成，凸部40 1和凸狀部 3aP或是3DP具有各相同的高度h(參照第8圖）。另外’ 由相同理由來看，凸部4 0 1是以沿著凸狀部3 aP或是3 D P 之方向的方式所形成的同時，該凸部401是以連接在該方 向的方式所形成。而且，圖案43 0是形成三行部分’藉此 凸部40 1也同樣地形成三條。即，有關第一實施形態的凸 部4 0 1是以包括線狀凸部的方式所形成。即，前述高度h 只要凸狀部3aP或是3DP的高度爲400nm左右，成爲 100〜500nm左右的方式加以調整爲佳。 以上的結果，於第一實施形態中，若試著合倂凸部 401及前述凸狀部3 a P和3DP、在配向膜16上呈現出 可稱爲像是形成有「山脈」的外觀（參照第8圖）。 在像這樣所構成的第一實施形態的光電裝置中，達到 如下的作用效果。以下，首先其前提是針對構成該電光學 裝置的TFT陣列基板1 0的製造方法事先做簡單地說明。 第6圖所示的TFT陣列基板1 〇乃如第9圖所示，其 複數一舉構築在一枚比較大面積的玻璃基板上。即，如第 4圖及第5圖所示的構成係、一邊對應於玻璃基板上的各 領域（各TFT陣列基板10的形成領域）一邊個別形成，也 一舉成膜在該玻璃基板上全面。此時，參照第7圖及第8 圖所說明的圖案430也對應於前述各領域的方式所形成， 、因此，在位於最上層的配向膜1 6，以對應於前述各領 -26- 1285761 (24) 域的方式形成有對應於該圖案4 3 0的凸部4 Ο 1。再者，配 向膜1 6通常以覆蓋玻璃基板全面的方式所形成。 而且，於第一實施形態中，針對像這樣所形成的配向 膜1 6實施硏磨處理之際，可看到特有的效果。首先，針 對配向膜1 6的硏磨處理，沿著第9圖所示的箭頭.方向RD 施行的話（即，令沿著該方向RD捲繞硏磨布的旋轉滾輪 等行進的話），第9圖中，並列在上下方向的複數TFT陣 列基板1 〇就會依序接受硏磨處理。詳細觀察硏磨處理的 話，即如下所示。即，第一、超過最前的TFT陣列基板 10上的畫像顯示領域10a之後，暫時未特別形成構成要 素（即，未形成掃描線3a、資料線6a、蓄積容量70等）， 硏磨處理是針對比較平坦的面進行。第二、針對以下的 TFT陣列基板1 0移行到硏磨處理的話，前述旋轉滾輪等 會迎接從形成在該TFT陣列基板1 0上的資料線驅動電路 101及凸部401開始的「山脈」（在此所謂山脈乃如上所 述，包括凸部401，凸狀部3 a P和3DP。）。第三、然後 暫時繼續針對該山脈上即畫像顯示領域1 〇a的硏磨處理。 最後，第四、超過前述山脈連續的畫像顯示領域1 Oa的話 ，前述旋轉滾輪等會再行進到比較平坦的部分。以後重複 進行前述第一至第四的操作。 此時，若藉由前述硏磨處理，本身無法避免配向膜 1 6發生硏磨滓的情形，另外，該硏磨滓主要是附著在前 述旋轉滾輪。那樣做的話，針對如前述的複數TFT陣列 基板1 0進行硏磨處理的最中，會因附著在旋轉滾輪的硏 -27- 1285761 (25) 磨滓振落在各處，而發生令該硏磨滓残存在各TFT陣列 基板1 〇的畫像顯示領域1 〇a上等事態。 然而，在本實施形態中，著眼於某一個TFT陣列基 板10的話，據知前述旋轉滾輪等會藉由前述凸部401受 到最初很大的電阻。即，在前述場合，首先，硏磨處理比 較平坦的「地平」上的時候（前述第一或第四的時候），前 述旋轉滾輪等不會受到很大的電阻。可是如果該旋轉滾輪 等達到面對該「地平」的「山脈」的先頭的凸部4 0 1 (前 述第二的情形），那裡會受到比以前還要大的電阻。因而 ，附著在前述旋轉滾輪的硏磨滓，首先會在該「山」的部 分比較大量地磨掉。然後，前述旋轉滾輪等達到前進到^ 山脈」上的過程之後（前述第三的時情），附著在旋轉滾輪 的硏磨滓就會逐漸磨掉，該旋轉滾輪到達畫像顯示領域 1 〇a之後，幾乎已經不會產生所謂磨掉多量硏磨滓的情形 〇 根據像這樣的形態的硏磨處理，經由這樣所發生的硏 磨滓，就能實現所謂只有前述凸部40 1之周圍的狀態。因 而，根據第一實施形態，經由硏磨處理所發生的硏磨滓， 主要只存在於領域400R上的凸部401的周圍，就能實現 不使硏磨滓到達畫像顯示領域1 〇 a的情形。 以上的結果，根據第一實施形態，於畫像顯示領域 1 〇a中，就能將所謂發生起因於硏磨滓的配向不良等的事 態防患於未然，就能顯示更高品質的畫像。 另外，根據第一竇施形態，因爲藉由包括虛擬畫素的 -28- 1285761 (26) 虛擬畫素領域1 0D的存在，並沒有解決硏磨滓的問題， 所以可能無法承擔隨著這個的光電裝置大型化等的不當情 形。 加上，有關第一實施形態的凸部40 1，如上所述，具 有與凹狀部3aP或是3DP略相同的高度h，另外，沿著凸 狀部3aP或是3DP的方向的方式所形成的同時，連續在 該方向的方式所形成，甚至沿著凸狀部3aP或是3DP平 行地形成三條，前述的「山脈」就很容易形成。因而，根 據第一實施形態，配向膜1 6的硏磨滓主要只存在於凸部 40 1的周圍，能很容易的享有不使其到達畫像顯示領域 1 〇 a的作用效果。 順便一提，凸部401的高度h與凸狀部3aP或是3DP 的高度相比，以同等或是同等以下的方式所形成的爲佳（ 即，如前所述，後者的高度若爲400nm左右，前者的高 度h以1〇〇〜5 OOnm左右爲佳。也就說要是凸部401的高 度h比凹狀部的高度還要大的話，有可能會爲硏磨處理帶 來像那樣大的障礙。 再者，於上述第一實施形態中，爲了形成凸部4 〇 1， 利用作爲與掃描線3 a或是虛擬掃描線3 D相同的膜所形成 的圖案4 3 0，不過本發明並不限於此種形態。例如，示是 作爲與掃描線3a或是虛擬掃描線3D相同的膜而形成圖案 43 0，而是將爲了形成凸部401的圖案，作爲與構成參照 第5圖所說明的蓄積容量70的容量線3 00相同的膜所形 成的亦可（容量線3 00也是延長設置在掃描線3a的方向的 -29- 1285761 (28) 掃描線3a或是虛擬掃描線3]D的方向而斷續所形成。斷續 點是屬於資料線6a附近的部分。再者，關於掃描線3 &及 虛擬掃描線3 D，是與第7圖完全相同地所形成。 即使是此種形態’亦了解到可獲得與前述第一實施形 態略爲相同的作用效果。特別是根據第二實施形態，藉由 不存在資料線6 a和圖案4 3 1的交叉的部分，在該部分的 凸部的高度不會發生移位（第一實施形態的第7圖中，關 於資料線6 a附近的部分，凸部4 0 1的高度，在圖案4 3 0 的高度，也調整該資料線6a的高度，得到能提高更適當 的硏磨處理的實施可能性的優點。β卩，在某一條的凸部， 不存在改變高度的部分，所以能更順利地進行硏磨處理。 (第三實施形態） 在以下，關於本發明的第三實施形態，邊參照第11 圖邊做說明。在此，第1 1圖是指與第7圖同主旨的圖， 屬於僅繪製有關第三實施形態的資料線及掃描線等的平面 圖。再者，在第三實施形態中，關於上述的「光電裝置」 的構成及作用是完全相同。因而，在以下，關於該些的說 明予以省略，主要於第三實施形態中，僅關於特徵的部分 加上說明。 在第三實施形態中，如第1 1圖所示，圖案43 2間的 間距是隨著從靠近畫像顯示領域1 〇a的場所開始離開而逐 漸加大。即，關於最靠近畫像顯示領域1 0 a的圖案4 3 2間 的間距al、其相鄰的間距a2、甚至其相鄰的間距a3， -31 - 1285761 (29) al<a2<a3是成立的。藉此，形成在該圖案432上的凸 部間的間距亦自畫像顯示領域1 0 a起逐漸加大。 即使是此種形態，亦了解到可獲得與前述第一實施形 態略爲相同的作用效果。特別是，根據第三實施形態，圖 案43 2間以及起因於該圖案432的高度而形成的凸部間的 間距，是隨著從畫像顯示領域1 Oa開始離開而逐漸加大， 得到能提高更適當的硏磨處理的實施可能性的優點。即， 在第三實施形態中，關於圖案43 2的形成領域即凸部的形 成領域，在硏磨處理的形態能不發生急遽的變化。更具體 是在第三實施形態中，旋轉滾輪等在位於「山脈」之先頭 的凸部受到比較大的電阻，隨著行經該凸部上而逐漸減輕 其電阻的方式之形式，提高使附著在旋轉滾輪的配向膜 1 6的硏磨滓的磨掉發生在位於前述先頭的凸部的可能性 〇 如以上，於第三實施形態中，關於如上述的意思，因 爲前述的「山脈」能更容易的形成，所以能更有效的享有 第一實施形態所描述的作用效果。 再者，於第11圖中，最接近畫像顯示領域l〇a的圖 案43 2間的間距al，是以比掃描線3a間及虛擬掃描線3D 間的間距更窄的方式所形成，不過最好兩者爲相同較理想 。若這樣的話，即使自周邊領域往畫像顯示領域1 〇a移行 之際，在硏磨處理的形態還是不會發生急遽的變化。 另外，取代如第1 1圖的形態，圖案間的間距形成隨 著自畫像顯示領域1 〇a開始離開而逐漸縮小的形態亦可。 -32- 1285761 (30) (第4實施形態） 在以下，針對本發明的第4實施形態，邊參照第12 圖邊做說明。在此，第12圖是指與第7圖同主旨的圖， 屬於僅著眼於形成在第6圖以符號B所示的圓內部分的資 料線等及掃描線等所繪製的平面圖。再者，在第4實施形 態中，關於上述的「光電裝置」的構成及作用是完全相同 。因而，在以下，關於該些的說明予以省略，主要於第4 實施形態中，僅關於特徵的部分加上說明。 在第4實施形態中，如第12圖所示，圖面是表示第 7圖未表示的虛擬畫素形成領域10D’。在該虛擬畫素形成 領域1 0D ’加上平行地形成在掃描線3 a的虛擬掃描線3 D ，也包括平行地形成在資料線6 a的虛擬資料線6 D等。藉 此，虛擬畫素是以圍住畫像顯示領域10a之角部的方式所 形成。 而且，在第4實施形態中，特別是在虛擬資料線6D 的外側，甚至在沿著資料線6a或是虛擬資料線6D的領域 400R2上形成有圖案440。另一方面，所謂在沿著掃描線 3a或是虛擬掃描線3D的領域400R1上形成有圖案430， 第7圖不變。藉由，於第4實施形態中，形成沿著具有矩 形狀之外形形狀的畫像顯示領域l〇a的二邊的方式形成有 凸部（圖未表示）。 根據此種形態，如第1 2圖所示的箭頭方向RD ’，硏 磨處理沿著傾斜方向進行的時候，也可獲得與前述第一實 施形態略爲同樣的作用效果。 -33- 1285761 (32) 突起部的形成工程等，形成凸部40 1。 順帶一提，此時，凸部40 1可說是並未沿著凸狀部的 方向而存在，不過可說是沿著掃描線3 a或是虛擬掃描線 3D的方向而存在，另外凸部401間的間距可說明相同於 掃描線3 a間或是虛擬掃描線3 D間的間距。 即使是此種形態，亦了解到可獲得與前述第一實施形 態略爲相同的作用效果。像這樣，關於本發明，未必是起 因於掃描線3a或是資料線6a的高度的凸狀部之存在爲前 提。另外，假設即使不存在凸狀部（亦即，就算畫像顯示 領域l〇a上的配向膜16爲平坦化），僅藉由「凸部401」 ，仍可形成前述的「山脈」（參照第13圖）。 以上，在上述的各實施形態中是表現凸部，不過形成 段差部的形態，或者在與凸部之間形成凹陷的形態亦包含 在本發明內。 (電子機器） 其次，關於以上詳細說明的光電裝置作爲光閥所用的 電子機器之其中一例的投射型彩色顯示裝置的實施形態， 針對其全體構成特別是光學式的的構成做說明。在此，第 14圖是指投射型彩色顯示裝置的圖式斷面圖。 於第1 4圖中，本實施形態的投射型彩色顯示裝置的 其中一例的液晶投影機1 1 〇〇是準備三個包括驅動電路搭 載在TFT陣列基板上的液晶裝置的液晶模組，形成作爲 各個RGB用的光閥100R、100G及100B所用的投影機所 -35- (33) 1285761 構成。液晶投影機1 1 〇 〇若是由複金屬燈等之白色光源的 燈元件1 102發出投射光，藉由三枚透鏡1 106及兩枚分色 鏡1108，分爲對應於RGB之三原色的光成份R、G及Β ，分別導入到對應於各色的光閥100R、100G及100B。 此時，特別是爲了防止B光因較長的光路所引起的光損失 ，透過由入射透鏡1122、中繼透鏡1123及出射透鏡1124 所形成的中繼透鏡系1 121而導入。而且，經由光閥100R 、100G及100B對應於各自調制的三原色的光成份，經由 分色稜鏡1 1 1 2再度合成之後，透過投射透鏡1 1 1 4而在螢 幕1120作爲彩色畫像而投射。 本發明並不限於上述的實施形態，在由申請專利範圍 及明細書全體所讀取的發明主旨，或是思想相反的範圍可 適當變更，隨著這樣變更的光電裝置及電子機器也還是包 括在本發明的技術範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖是有關本發明的第一實施形態的光電裝置的平 面圖。 第2圖是第1圖的Η — H，斷面圖。 胃3圖是表示設置在構成本發明的第一實施形態的光 € ^置的畫像顯示領域的矩陣狀的複數畫素的各種素子、 配線等的等效電路的電路圖。 $ 4圖是指形成有本發明的第一實施形態的光電裝置 的資料線、掃描線、畫素電極等的TFT陣列基板之相互 1285761 (34) 鄰接的複數畫素群的平面圖。 第5圖是第4圖的A — A’斷面圖。 第6圖是僅圖面表示關於第1圖中的TFT陣列基板 1〇之構成的光電裝置的平面圖。 第7圖是僅著眼於形成在第6圖以符號A所示的圓 內部分的資料線及掃描線等而繪製的平面圖。 第8圖是第7圖的W— W’線的斷面圖（但本發明僅圖 面表示特別是有關的凸部及掃描線等’其它構成做適當省 略。) 〇 第9圖是表示複數構置在玻璃基板上的TFT陣列基 板的平面圖。 第10圖是與第7圖相同主旨的圖，屬於僅繪製有關 第二實施形態的資料線及掃描線等的平面圖。 第11圖是與第7圖相同主旨的圖，屬於僅繪製有關 第三實施形態的資料線及掃描線等的平面圖。 第12圖是與第7圖相同主旨的圖，屬於僅著眼於形 成在第6圖以符號B所示的圓內部分的資料線等及掃描線 等而繪製的平面圖。 第13圖是與第8圖相同主旨的圖，屬於表示不存在 凸狀部的形態。 第1 4圖是有關本發明的實施形態的投射型液晶裝置 的平面圖。 〔圖號說明〕 -37- (35) 1285761 10…TFT陣列基板、10a…畫像顯示領域、16…配向 膜、3 a…掃描線、3 D…虛擬掃描線、6 a…資料線、6 D… 虛擬資料線、3 aP、3 D P…凸狀部、9 a…畫素電極、3 0… TFT、4 0 0R、4 00R1、4 0 0 R2 …（形成凸部）領域、401··· ΰ 部、43 0、43 1、432、440···圖案

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Claims (1)

1. 彘f ^修便)正替換頁 拾、申請專利範圍 第93 101040號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年4月7日修正 1. 一種光電裝置，其特徵爲： 於基板上具備： 延伸於一定方向之資料線，及延伸交叉於該資料線之 方向之掃描線、 和藉由前述掃描線所供給掃描信號之開關元件、 和藉由前述資料線經由前述開關元件，所供給畫像信 號之畫素電極、 和形成於前述畫素電極之上之配向膜； 前述基板乃具有：作爲前述畫素電極及前述開關元件 之形成領域所規定之畫像顯示領域、和規定該畫素顯示領 域之周邊之周邊領域； 前述配向膜係形成於前述畫像顯示領域及前述周邊領 域； 於前述周邊領域之至少一部份形成凸部， 於前述畫像顯示領域之外側，形成虛擬畫素形成領域 ，前述凸部係形成於前述虛擬畫素形成領域之外側。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中’ 前述光電裝置係於前述基板上更具有驅動電路，前述凸部 係設置於前述畫像顯示領域和前述驅動電路之間的領域° 1285761 (2) 3 .如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中， 於前述配向膜係形成起因於前述資料線及前述掃描線之至 少一方之高度之凸狀部； 前述凸部之高度係與前述凸狀部之高度相同。 4·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中， 於前述配向膜係形成起因於前述資料線及前述掃描線之至 少一方之高度之凸狀部； 前述凸部係沿著前述掃描線或是前述資料線之延伸設 置方向而形成。 5·如申請專利範圍第4項所記載之光電裝置，其中， 前述凸部係連續於前述掃描線或是前述資料線之延伸設置 方向而形成。 6·如申請專利範圍第4項所記載之光電裝置，其中， 前述凸部係包含沿著前述掃描線或是前述資料線之延伸設 置方向，而形成複數線狀凸部。 7·如申請專利範圍第6項所記載之光電裝置，其中， 前述線狀凸部間之間距係與前述凸狀部間之間距相同。 8·如申請專利範圍第6項所記載之光電裝置，其中， 前述線狀凸部間之間距係從接近於前述畫像顯示領域之處 ，隨著離開該畫像顯示領域而逐漸變大或是變小。 9·如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中， 前述凸部係沿著對向於對前述配向膜之硏磨處理方向之前 述畫像顯示領域之邊緣部而形成。 1 〇 .如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中 -2- 1285761 (3) ，前述基板之外形形狀平面視之爲矩形狀，前述畫像顯示 領域具有與前述基板之外形形狀相似之形狀； 前述凸部係沿著前述畫像顯示領域之一邊或是相鄰之 二邊而形成。 11.如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中 ，前述凸部係以起因於所形成之圖案高度，而作爲前述資 料線、前述掃描線或是前述開關元件而形成。

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