JP2002031803A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に対するラビング処理を連続的に行なっ
ても、常に基板の表面全体を均一にラビング処理を行う
ことのできる電気光学装置の製造方法、この製造方法に
より製造した電気光学装置、およびこの電気光学装置を
用いた投射型表示装置を提供すること。 【解決手段】 電気光学装置の製造方法において、対向
基板２０を保持するパレット５００に平坦な慣らし領域
５０１、５０２を形成しておき、対向基板２０の表面を
ラビングロール７００で擦る前、および擦った後、ラビ
ングロール７００で平坦な慣らし領域５０１、５０２を
擦る。従って、対向基板２０の表面に形成されている凹
凸がラビングロール７００の表面に転写されても、ラビ
ングロール７００に転写された凹凸は、慣らし領域５０
１、５０２を擦ることにより消失するので、表面全体を
均一にラビングできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光
学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置に関す
るものである。さらに詳しくは、電気光学物質を配向さ
せるための配向膜に対するラビング処理技術に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置のうち、例えば、画素スイ
ッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリク
ス型の電気光学装置（液晶装置）では、図３に示すよう
に、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２
０（第２の基板）との間に液晶などの電気光学物質５０
が挟持されており、各基板表面に形成した配向膜２４、
３２によって電気光学物質５０の配向を制御している。

【０００３】このような電気光学装置１を製造するにあ
たっては、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の
各々に配向膜２４、３２を形成した後（配向膜形成工
程）、この配向膜２４、３２の表面をラビングロールで
擦ってラビング処理を行う（配向処理工程）。次に、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール材５２に
よって所定の間隙を介して貼り合わせた後（貼り合わせ
工程）、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隙
のうち、シール材５２で区画された領域内に電気光学物
質５０を充填する（充填工程）。

【０００４】これらの工程のうち、配向処理工程で用い
られるラビングロールは、アルミニウムなどの金属製の
ロールの表面にラビング布を巻き付けたものであり、所
定の接触圧をもって配向膜２４、３２の上を擦ってい
く。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＦＴ
アレイ基板１０および対向基板２０の表面には、スイッ
チング素子、配線、端子、遮光膜などによって凹凸が形
成されているため、同一種類の基板を何枚もラビング処
理していくうちに、基板表面の凹凸がラビングロールの
表面に転写され、ラビングロールの表面に筋状の凹凸が
形成されてしまう。このような表面の荒れたラビングロ
ールでラビング処理を行うと、基板の表面全体を均等に
ラビング処理できなくなるという問題点がある。例え
ば、ラビングロールの表面に凹凸があって、基板表面に
ラビングロールで強く擦られた部分と弱く擦られた部分
があると、強く擦られた部分では、液晶の配向力が強
く、チルトが低下する。これに対して、弱く擦られた部
分では、液晶の配向力が弱く、チルトが上昇してしま
う。このようなチルトむらは、画像にむらを発生させる
原因となり、表示品位を低下させてしまう。

【０００６】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
基板に対するラビング処理を連続的に行なっても、常に
基板の表面全体を均一にラビング処理を行うことのでき
る電気光学装置の製造方法、この製造方法により製造し
た電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射
型表示装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、第１の基板および第２の基板のうちの
少なくとも一方の基板表面に配向膜を形成する配向膜形
成工程と、前記配向膜表面をラビングロールで擦って当
該配向膜にラビング処理を行う配向処理工程とを有する
電気光学装置の製造方法において、前記配向処理工程で
は、基板の少なくとも画面表示領域に相当するラビング
対象領域を前記ラビングロールで擦る前あるいは擦った
後に、当該ラビングロールを前記ラビング対象領域とは
異なる表面形状の慣らし領域で擦ることを特徴とする。

【０００８】本発明では、ラビング対象領域をラビング
ロールで擦る前あるいは擦った後に、このラビングロー
ルをラビング対象領域とは異なる表面形状の慣らし領域
で擦らせる。このため、ラビング対象領域の表面に形成
されている凹凸がラビングロールの表面に転写されて
も、ラビングロールに転写された凹凸は、わざわざ工程
をとめてロール表面を回復させるための処理を行わなく
ても、慣らし領域を擦るだけで消失する。従って、同一
種類の基板を連続してラビング処理を行なっても、ラビ
ングロールがラビング対象領域上を擦るときには、ラビ
ングロールの表面に凹凸がないので、ラビング対象領域
の全体を均一にラビング処理することができる。それ
故、ラビング対象領域（画像表示領域）に、強く擦られ
た部分と弱く擦られた部分ができるということがないの
で、ラビング対象領域（画像表示領域）で液晶などの電
気光学物質を均一に配向させることができ、チルトむら
などが発生しない。よって、表示むらなどのない高い品
位の画像を表示することができる。

【０００９】本発明において、前記慣らし領域は、平坦
領域であることが好ましい。

【００１０】本発明において、前記慣らし領域は、例え
ば、前記ラビング処理を行う基板を保持するパレット上
に形成されている。また、前記慣らし領域は、前記ラビ
ング処理を行う基板を前記ラビングロールに対して相対
移動させるテーブル上に形成されている構成であっても
よい。

【００１１】本発明において、前記慣らし領域は、前記
ラビング処理を行う基板上に形成されている構成であっ
てよい。

【００１２】本発明において、前記ラビング処理を行う
基板は、当該基板を多数枚取りできる大型基板の状態で
前記配向処理工程が行われる場合には、前記慣らし領域
が前記大型基板上に形成されている構成であってもよ
い。

【００１３】この場合には、前記慣らし領域は、前記大
型基板のうち単品の基板として切り出される領域とは別
の領域に形成されていることが好ましい。また、前記慣
らし領域には、前記大型基板のうち基板として切り出さ
れる領域に形成された端子同士を電気的にショートさせ
ておく配線パターンが形成されていることが好ましい。
このように構成すると、ラビング処理による静電気が発
生しにくく、たとえ静電気が発生しても、その電荷は、
配線パターンを介して分散される。従って、基板上の特
定の配線に電荷が集中して配線が切れるなどの不具合が
発生しない。また、このような配線パターンは、単品の
基板を構成しない慣らし領域に形成されているため、大
型基板から単品の基板を切り出したとき、各端子は自動
的に分離されることになる。

【００１４】本発明において、前記ラビング対象領域を
前記ラビングロールで擦るときのラビングロールの接触
圧と、前記慣らし領域を前記ラビングロールで擦るとき
のラビングロールの接触圧とが略等しいことが好まし
い。

【００１５】このような方法で製造した電気光学装置
は、配向膜が均一にラビングされるので、液晶などの電
気光学物質を均一に配向させることができ、チルトムラ
のない品位の高い表示を行うことができる。それ故、本
発明を適用した電気光学装置は、たとえば、光源と、該
光源から出射された光を光変調手段に導く導光光学系
と、前記光変調手段により変調された光を拡大投射する
拡大投射光学系とを有する投射型表示装置において、前
記光変調手段として用いるのに適している。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００１７】［実施の形態１］ （電気光学装置の全体構成）先ず、本発明を適用した電
気光学装置（液晶装置）の全体構成について、図１、図
２および図３を参照して説明する。ここでは、駆動回路
内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光
学装置を例にとる。

【００１８】図１は、本発明が適用される電気光学装置
のＴＦＴアレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）をその上に形
成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た平面
図である。図２は、図１のＨ−Ｈ´の断面図である。図
３は、本発明を適用した電気光学装置の端部（図１のＨ
−Ｈ′におけるＨ′側の端部）を拡大して模式的に示す
断面図である。なお、図３においては、各層や各部材を
図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図３において
は、集光の様子を理解し易く描くために、マイクロレン
ズおよびＴＦＴの配置関係を実際の配置関係とは異なら
しめてある。

【００１９】図１、図２および図３に示すように、本実
施形態の電気光学装置１において、ＴＦＴアレイ基板１
０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とは、
それぞれの基板に形成された画素電極９ａと対向電極２
１とが対向するように配置されている。ここで、画素電
極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０においてマトリクス状
に形成されている一方、対向電極２１は対向基板２０の
全面に形成されている。

【００２０】対向基板２０の下側の面（カバーガラスと
の接着面）には、多数のマイクロレンズ５５が形成され
ており、対向基板２０はマイクロレンズアレイ板として
構成されている。このようにしてマイクロレンズ５５が
形成された対向基板２０の下側の面には、接着剤２１０
により、第１の基板としてのカバーガラス２００が接着
されている。接着剤２１０は、マイクロレンズ５５より
小さい屈折率を有するアクリル系の光硬化性の接着剤か
らなり、両者間の屈折率の違いにより、マイクロレンズ
５５は、集光レンズとしての機能を果たす。ここで、マ
イクロレンズ５５はそれぞれ、入射した光をＴＦＴアレ
イ基板１０に形成されている画素電極９ａのそれぞれに
集光するようにマトリクス状に形成され、かつ、カバー
ガラス２００には、複数のマイクロレンズ５５の相互の
境界にそれぞれ対向する位置に遮光膜２３が形成されて
いる。画素電極９ａおよび対向電極２１は、ＩＴＯ膜
（インジウム・ティン・オキサイド膜）から形成されて
いる。

【００２１】シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０
と、カバーガラス２００とを全面接着した対向基板２０
とを貼り合わせてパネル５とするための、例えば紫外線
硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、ＴＦＴアレイ基板１
０上に塗布された後、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板
２０とを重ねた状態で、紫外線照射、加熱等により硬化
させたものである。電気光学装置１が投射型表示装置用
のように小型で、拡大表示を行うものであれば、シール
材５２中には、両基板内の距離（基板間ギャップ）を所
定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等
のギャップ材（スペーサ）が配合される。また、電気光
学装置１が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型
で等倍表示を行うものであれば、このようなギャップ材
は、液晶層５０の中に点在させる場合もある。

【００２２】本実施形態の電気光学装置１では、シール
材５２の形成領域の内側には、この領域に沿って画像表
示領域１０ａを規定する見切り用の遮光膜５３が対向基
板２０の側に形成されている。シール材５２には、その
途切れ部分によって液晶注入口１０８が形成され、この
液晶注入口１０８は液晶の注入を終えた後、シール材５
２と同一あるいは異なる材料からなる封止材１０９で塞
がれている。

【００２３】シール材５２が形成された領域の外側の周
辺領域には、データ線駆動回路１０１および外部回路接
続用の端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て形成され、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接
する２辺に沿って設けられている。さらに、ＴＦＴアレ
イ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側
に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複
数の配線１０５が形成されている。

【００２４】電気光学装置１において、ＴＦＴアレイ基
板１０には、対向基板２０のコーナー部に相当する４箇
所に上下導通電極１９が形成されているとともに、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０との間には、これらの
基板間の電気的導通をとるための上下導通材１０６が設
けられている。ここで、上下導通材１０６は、エポキシ
樹脂系やアクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めっき
ファイバーなどの導電粒子が配合されたものである。

【００２５】図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０や走査線、データ
線、容量線等の配線が形成された後の画素電極９ａの表
面に、スピンコート法により成膜されたポリイミド系材
料からなる配向膜３２が形成されている。

【００２６】また、対向基板２０の側において、カバー
ガラス２００上には、対向電極２１の他、各画素毎に非
開口領域を規定する一般にブラックマスク又はブラック
マトリクスと称される遮光膜２３が形成され、この表面
には、スピンコート法などにより成膜されたポリイミド
系材料からなる配向膜２４が形成されている。これらの
配向膜３２、２４はそれぞれ、ポリイミド系の樹脂材料
を塗布した後、焼成し、しかる後に、後述するように、
液晶層５０中の液晶を所定方向に配向させると共に、液
晶に所定のプレチルト角を付与するための配向処理が施
される。

【００２７】液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネ
マティック液晶を混合した液晶からなり、配向膜３２、
２４間で、所定の配向状態をとる。遮光膜２３は、表示
画像におけるコントラストの向上を図る機能を有してい
る。

【００２８】本実施形態では、配向膜２４、３２は対向
基板２０およびＴＦＴアレイ基板１０のそれぞれにスピ
ンコート法などによって塗布されたものである。このよ
うなスピンコート法によれば、フレキソ印刷法と比較し
て、配向膜２４、３２を対向基板２０およびＴＦＴアレ
イ基板１０の面内方向において均一な厚さに塗布できる
ので、液晶層５０においては、配向膜２４、３２の膜厚
ばらつきに起因する液晶の配向不良が発生しにくい。そ
れ故、本実施形態の電気光学装置１を、後述する投射型
表示装置の光変調手段と用いても、ムラやシミのない、
品位の高い表示を行うことができる。

【００２９】なお、ＴＦＴアレイ基板１０の方にも、後
述する走査線および容量線に沿って縞状の遮光膜１１ａ
が形成されている。この遮光膜１１ａは、ＴＦＴのチャ
ネル領域を含む領域をＴＦＴアレイ基板１０の側からそ
れぞれ覆っている。このようにＴＦＴ３０の下側に遮光
膜１１ａを形成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側から
裏面反射（戻り光）や複数の電気光学装置１をプリズム
等を介して組み合わせて１つの光学系を構成する場合
に、他の電気光学装置１からプリズム等を突き抜けて来
る光などが当該電気光学装置１のＴＦＴ３０に入射する
のを未然に防ぐことができる。

【００３０】本実施形態の電気光学装置１は、後述する
投射型表示装置において、各色に分離された色光が入射
するため、カラーフィルタが形成されていないが、カバ
ーガラス２００の表面にカラーフィルタが形成される場
合もある。この場合に、遮光膜２３は、カラーフィルタ
を形成する色材の混色を防止する機能も有する。

【００３１】（電気光学装置の画像表示領域の構成）図
４を参照して、本実施形態の電気光学装置１の画素部を
説明する。図４は、電気光学装置１の画像表示領域１０
ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素にお
ける各種素子、配線等の等価回路である。

【００３２】図４に示すように、本実施形態の電気光学
装置１において、画像表示領域１０ａを構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａを制御
するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されて
おり、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０
のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書
き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順
次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線
６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても
良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的
に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａに
パルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に
線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａ
は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、
スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけその
スイッチを開くことにより、データ線６ａから供給され
る画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで
書き込む。ＴＦＴ３０を介して画素電極９ａに書き込ま
れた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対
向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持され
る。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配
向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示
を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印
加された電圧に応じてこの液晶部分の入射光の透過光量
が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、印加さ
れた電圧に応じてこの液晶部分の入射光の透過光量が増
加し、全体として電気光学装置１からは画像信号に応じ
たコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持され
た画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａ
と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容
量７０を付加する。

【００３３】（電気光学装置１の製造方法）このような
電気光学装置１を製造するにあたっては、ＴＦＴアレイ
基板１０および対向基板２０の各々に配向膜２４、３２
を形成した後（配向膜形成工程）、この配向膜２４、３
２の表面をラビングロールで擦ってラビング処理を行う
（配向処理工程）。次に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０とをシール材５２によって所定の間隙を介して
貼り合わせた後（貼り合わせ工程）、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間隙のうち、シール材５２で区
画された領域内に電気光学物質５０を充填する（充填工
程）。

【００３４】これらの工程のうち、対向基板２０に対す
る配向処理工程では、図５に示すように、複数枚の対向
基板２０をそれぞれパレット５００の基板配置孔５１０
に収納した後、このパレット５００を移動テーブル６０
０上に載置し、この移動テーブル６００を、矢印Ａで示
すように移動させることにより、対向基板２０の表面全
体を所定の接触圧をもってラビングロール７００で擦っ
ていく。ラビングロール７００は、アルミニウムなどの
金属ロール７０１の表面に、レーヨン布などのラビング
布７０２を巻き付けたものであり、矢印Ｂで示すよう
に、基板が移動してくる方向と反対の方向に回転してい
る。

【００３５】ここで、対向基板２０は、略全体が画像表
示領域に相当するため、その略全面がラビング対象領域
である。この対向基板２０は、図３を参照して説明した
ように、ストライプ状あるいは格子状の遮光膜２３が形
成されているため、対向基板２０の表面には、略全面に
わたって遮光膜２３の膜厚に相当する凹凸が形成され、
かつ、この凹凸は、ラビングロール７００が相対移動す
る方向に連続している。

【００３６】このような表面形状を有する対向基板２０
にラビング処理を連続して行うにあたって、本実施形態
では、パレット５００の上面には、ラビングロール７０
０の移動方向（矢印Ａ′で示す）に沿って、対向基板２
０が並んでいる領域の上流側端部および下流側端部の各
々に所定の幅寸法を有する慣らし領域５０１、５０２が
形成されている。ここで、慣らし領域５０１、５０２
は、完全な平坦面になっている。

【００３７】そこで、本実施形態では、まず、ラビング
ロール７００が慣らし領域５０１の真上位置にきたと
き、この慣らし領域５０１をラビングロール７００で所
定時間、擦った後、対向基板２０の各々の表面をラビン
グロール７００で擦る。次に、ラビングロール７００が
慣らし領域５０２の真上位置にきたとき、この慣らし領
域５０２をラビングロール７００で所定時間、擦る。し
かる後に、次の別のパレット５００がテーブル６００上
に置かれ、このパレット５００に保持されている対向基
板２０に対して、同様な手順でラビング処理を行う。こ
こで、ラビングロール７００が慣らし領域５０１、５０
２を擦るときの接触圧と、ラビングロール７００が対向
基板２０の表面を擦るときの接触圧は、同等のレベルに
設定されている。

【００３８】これに対して、ＴＦＴアレイ基板１０に対
する配向処理工程は、図６に示すように、ＴＦＴアレイ
基板１０を多数枚取りできる大型基板１１０の状態で行
われ、配向処理工程が行われた後、大型基板１１０のう
ち、ＴＦＴアレイ基板１０として切り出される領域に対
して各対向基板２０を貼り合わせ、しかる後に、大型基
板１１０に対する切断が行われる。なお、ＴＦＴアレイ
基板１０では、その略中央領域のみが画像表示領域１０
ａであるが、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の
表面全体がラビング対象領域として扱われる。

【００３９】このような大型基板１１０の状態でＴＦＴ
アレイ基板１０にラビング処理を行うときも、複数枚の
大型基板１１０をそれぞれパレット５５０の基板配置孔
５６０に収納した後、このパレット５００を移動テーブ
ル６００上に載置し、この移動テーブル６００を、矢印
Ａで示すように移動させることにより、大型基板１１０
の表面全体をラビングロール７００で擦っていく。この
ラビングロール７００も、アルミニウムなどの金属ロー
ル７０１の表面に、レーヨン布などのラビング布７０２
を巻き付けたものであり、矢印Ｂで示すように、基板が
移動してくる方向と反対の方向に回転している。

【００４０】ここで、大型基板１１０に形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０の表面には、図３などを参照して説明
したように、画像表示領域１０ａ（ラビング対象領域）
に相当する領域には、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査
線３ａなどが形成されている。このため、大型基板１１
０の表面には、これらの構成要素の膜厚に相当する凹凸
が形成され、かつ、この凹凸は、ラビングロール７００
が相対移動する方向に連続している。

【００４１】このような表面形状を有する大型基板１１
０にラビング処理を連続して行うにあたって、本実施形
態では、パレット５５０の上面には、ラビングロール７
００の移動方向（矢印Ａ′で示す）に沿って、大型基板
１１０が配置されている領域に対して上流側の端部、お
よび下流側の端部の各々に所定の幅寸法を有する慣らし
領域５５１、５５２が形成されている。ここで、慣らし
領域５５１、５５２は、完全な平坦面になっている。

【００４２】そこで、本実施形態では、まず、ラビング
ロール７００が慣らし領域５５１の真上位置にきたと
き、この慣らし領域５５１をラビングロール７００で所
定時間、擦った後、大型基板１１０の各々の表面をラビ
ングロール７００で擦る。次に、ラビングロール７００
が慣らし領域５５２の真上位置にきたとき、この慣らし
領域５５２をラビングロール７００で所定時間、擦る。
しかる後に、次の別のパレット５５０がテーブル６００
上に置かれ、このパレット５５０に保持されている大型
基板１１０にも、同様な手順でラビング処理を行う。こ
こで、ラビングロール７００が慣らし領域５５１、５５
２を擦るときの接触圧と、ラビングロール７００が大型
基板１１０の表面を擦るときの接触圧は、同等のレベル
に設定されている。

【００４３】このように、本実施形態では、対向基板２
０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）の配
向処理工程で用いるパレット５００、５５０に平坦な慣
らし領域５０１、５０２、５５１、５５２を形成してお
き、対向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ
基板１０）の表面をラビングロール７００で擦る前、お
よび擦った後、ラビングロール７００で平坦な慣らし領
域５０１、５０２、５５１、５５２を擦る。従って、対
向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１
０）の表面に形成されている凹凸がラビングロール７０
０の表面に転写されても、ラビングロール７００に転写
された凹凸は、わざわざ工程をとめてロール表面を回復
させるための処理を行わなくても、平坦な慣らし領域５
０１、５０２、５５１、５５２を擦るだけで消失する。
従って、同一種類の基板を連続してラビング処理を行な
っても、ラビングロール７００が対向基板２０および大
型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面を擦ると
きには、ラビングロール７００の表面に凹凸がないの
で、対向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ
基板１０）の表面全体を均一にラビング処理することが
できる。それ故、対向基板２０および大型基板１１０
（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面に、ラビングロール７
００で強く擦られた部分と弱く擦られた部分ができると
いうことがないので、液晶などの電気光学物質を均一に
配向させることができ、チルトむらなどが発生しない。
よって、本実施形態の電気光学装置１によれば、表示む
らなどのない高い品位の画像を表示することができる。

【００４４】［実施の形態２］なお、実施の形態１で
は、対向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ
基板１０）の配向処理工程で用いるパレット５００、５
５０に平坦な慣らし領域５０１、５０２、５５１、５５
２を形成した構成であったが、図５および図６に示すよ
うに、パレット５００、５５０に保持された対向基板２
０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）を搬
送するテーブル６００の表面に平坦な慣らし領域６０
１、６０２を形成してもよい。

【００４５】すなわち、本実施形態では、図５および図
６に示すように、テーブル６００の上面には、ラビング
ロール７００の移動方向（矢印Ａ′で示す）に向かっ
て、パレット５００、５５０が配置されている領域より
上流側の端部、および下流側の端部に所定の幅寸法を有
する慣らし領域６０１、６０２が形成されている。ここ
で、慣らし領域６０１、６０２は、完全な平坦面になっ
ている。

【００４６】そこで、本実施形態では、まず、ラビング
ロール７００が慣らし領域６０１の真上位置にきたと
き、この慣らし領域６０１をラビングロール７００で所
定時間、擦った後、対向基板２０および大型基板１１０
（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面をラビングロール７０
０で擦る。次に、ラビングロール７００が慣らし領域６
０２の真上位置にきたとき、この慣らし領域６０２をラ
ビングロール７００で所定時間、擦る。しかる後に、次
の別のパレット５００、５５０がテーブル６００上に置
かれ、この新たなパレット５００、５５０に保持されて
いる対向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ
基板１０）にも、同様な手順でラビング処理を行う。こ
こで、ラビングロール７００が慣らし領域６０１、６０
２を擦るときの接触圧と、ラビングロール７００が対向
基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１
０）の表面を擦るときの接触圧は、同等のレベルに設定
されている。

【００４７】このように構成した場合も、対向基板２０
および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面
に形成されている凹凸がラビングロール７００の表面に
転写されても、ラビングロール７００に転写された凹凸
は、このような凹凸のない慣らし領域６０１、６０２を
擦ることにより消失する。従って、同一種類の基板を連
続してラビング処理を行なっても、ラビングロール７０
０が対向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ
基板１０）の表面を擦るときには、ラビングロール７０
０の表面に凹凸がないので、対向基板２０および大型基
板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面全体を均一に
ラビング処理することができるなど、実施の形態１と同
様な効果を奏する。

【００４８】［実施の形態３］実施の形態１、２では、
対向基板２０および大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板
１０）の配向処理工程で用いるパレットやテーブルに平
坦な慣らし領域を構成したが、図７を参照して説明する
ように、ラビング処理を施す基板自身に慣らし領域を形
成してもよい。

【００４９】図７は、ＴＦＴアレイ基板１０を多数枚取
りできる大型基板１１０の平面図である。

【００５０】本実施形態でも、ＴＦＴアレイ基板１０に
対する配向処理工程は、図７に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板１０を多数枚取りできる略円形の大型基板１１０
の状態で行われる。なお、ＴＦＴアレイ基板１０では、
その略中央領域のみが画像表示領域１０ａであるが、本
実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面全体がラビ
ング対象領域として扱われる。

【００５１】このような大型基板１１０の状態でＴＦＴ
アレイ基板１０にラビング処理を行うにあたって、大型
基板１１０には、基板の移動方向（矢印Ａで示す方向）
の略中央領域に、ＴＦＴアレイ基板１０として利用され
ない領域が慣らし領域１８１として確保されている。こ
の慣らし領域１８１は、ＴＦＴアレイ基板１０として利
用されないため、配線や端子などが形成されていない平
坦な領域である。

【００５２】このような大型基板１１０の状態でラビン
グ処理を行うときには、まず、ラビングロール７００か
らみたとき大型基板１１０の上流側に位置する領域１８
６で大型基板１１０の表面をラビングロール７００で擦
った後、ラビングロール７００が慣らし領域１８１の真
上位置にきたとき、この慣らし領域１８１をラビングロ
ール７００で所定時間、擦る。次に、大型基板１１０の
下流側に位置する領域１８７で大型基板１１０の表面を
ラビングロール７００で擦る。ここで、ラビングロール
７００が慣らし領域１８１を擦るときの接触圧と、ラビ
ングロール７００が大型基板１１０の表面を擦るときの
接触圧は、同等のレベルに設定されている。

【００５３】従って、本実施形態では、大型基板１１０
（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面に形成されている凹凸
がラビングロール７００の表面に転写されても、ラビン
グロール７００に転写された凹凸は、このような凹凸の
ない慣らし領域１８１を擦ることにより消失する。この
ため、同一種類の基板を連続してラビング処理を行なっ
ても、ラビングロール７００が大型基板１１０（ＴＦＴ
アレイ基板１０）の表面を擦るときには、ラビングロー
ル７００の表面に凹凸がないので、大型基板１１０（Ｔ
ＦＴアレイ基板１０）の表面全体を均一にラビング処理
することができる。それ故、大型基板１１０（ＴＦＴア
レイ基板１０）の表面に、ラビングロール７００で強く
擦られた部分と弱く擦られた部分ができるということが
ないので、液晶などの電気光学物質を均一に配向させる
ことができ、チルトむらなどが発生しない。よって、本
形態の電気光学装置１によれば、表示むらなどのない高
い品位の画像を表示することができる。

【００５４】［実施の形態４］本実施形態でも、図８を
参照して説明するように、ラビング処理を施す基板自身
に慣らし領域を形成する。

【００５５】図８は、ＴＦＴアレイ基板１０を多数枚取
りできる大型基板１１０の平面図である。

【００５６】図８に示すように、本実施形態でも、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０に対する配向処理工程は、ＴＦＴアレ
イ基板１０を多数枚取りできる略円形の大型基板１１０
の状態で行われる。なお、ＴＦＴアレイ基板１０では、
その略中央領域のみが画像表示領域１０ａであるが、本
実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面全体がラビ
ング対象領域として扱われる。

【００５７】このような大型基板１１０の状態でＴＦＴ
アレイ基板１０にラビング処理を行うにあたって、大型
基板１１０には、基板の移動方向（矢印Ａで示す方向）
に向かってＴＦＴアレイ基板１０として切り出される領
域が並んでいるとともに、これらの領域間には、ＴＦＴ
アレイ基板１０として用いられない領域が慣らし領域１
８２、１８３として形成されている。

【００５８】また、慣らし領域１８２、１８３には、各
ＴＦＴアレイ基板１０の各端子１０２（図１を参照）同
士をショートさせる配線パターン１８９が形成されてい
る。従って、慣らし領域１８２、１８３の表面にも凹凸
は形成されているが、この凹凸は、ＴＦＴアレイ基板１
０として切り出される領域の表面に形成されている凹凸
と全く異なる形状を有している。

【００５９】このような大型基板１１０の状態でラビン
グ処理を行うときには、まず、各ＴＦＴアレイ基板１０
として切り出される領域をラビングロール７００で擦
る。そして、ラビングロール７００が慣らし領域１８２
の真上位置にきたとき、この慣らし領域１８２をラビン
グロール７００で所定時間、擦った後、次の各ＴＦＴア
レイ基板１０として切り出される領域をラビングロール
７００で擦る。次に、ラビングロール７００が慣らし領
域１８３の真上位置にきたとき、この慣らし領域１８３
をラビングロール７００で所定時間、擦った後、次の各
ＴＦＴアレイ基板１０として切り出される領域をラビン
グロール７００で擦る。ここで、ラビングロール７００
が慣らし領域１８２、１８３を擦るときの接触圧と、ラ
ビングロール７００が大型基板１１０の表面を擦るとき
の接触圧は、同等のレベルに設定されている。

【００６０】従って、本実施形態では、大型基板１１０
（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面に形成されている凹凸
がラビングロール７００の表面に転写されても、ラビン
グロール７００に転写された凹凸は、このような凹凸と
異なる凹凸を有する慣らし領域１８２、１８３を擦るこ
とにより消失する。従って、同一種類の基板を連続して
ラビング処理を行なっても、ラビングロール７００が大
型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面を擦ると
きには、ラビングロール７００の表面に凹凸がないの
で、大型基板１１０（ＴＦＴアレイ基板１０）の表面全
体を均一にラビング処理することができる。

【００６１】また、本実施形態では、慣らし領域１８
２、１８３を利用して、ＴＦＴアレイ基板１０の辺に沿
って形成されている各端子１０２をショートさせておく
配線パターン１８９が形成されているため、ラビング処
理による静電気が発生しにくく、たとえラビング処理に
よって静電気が発生しても、その電荷は、配線パターン
１８９を介して分散される。従って、ＴＦＴアレイ基板
１０の特定の配線に電荷が集中して配線が切れる、ある
いはＴＦＴ３０が損傷するという問題が発生しない。ま
た、このような配線パターン１８９は、単品のＴＦＴア
レイ基板１０として用いられない慣らし領域１８２、１
８３に形成されているため、大型基板１１０から単品の
ＴＦＴアレイ基板１０を切り出したとき、配線パターン
１８９は自動的に分離される。

【００６２】［その他の実施の形態］なお、上記のいず
れの実施形態においても、実際に対向基板２０やＴＦＴ
アレイ基板１０として用いられる領域以外の領域を利用
して慣らし領域を形成したが、対向基板２０やＴＦＴア
レイ基板１０にレイアウト面で余裕があるときには、対
向基板２０やＴＦＴアレイ基板１０において画像表示領
域１０ａ（ラビング対象領域）から外れた領域を利用し
て慣らし領域を形成してもよい。

【００６３】また、ラビングロールの回転方向は、基板
の送り方向と同一となる方向でもよい。

【００６４】また、ラビング布を慣らす時の慣らし領域
での接触圧は、ラビング処理時の接触圧と同等レベルに
限らず、ラビング布に形成された凹凸を消失するため
に、慣らし領域での接触圧をラビング処理時の接触圧よ
り高くしてもよい。

【００６５】また、実施の形態１及び２における慣らし
領域は、パレットやテーブル上の前後に形成したが、ど
ちらか一方でもよい。

【００６６】また、実施の形態３及び４における慣らし
領域は、基板の中側に形成したが、基板の端に形成して
もよい。

【００６７】また、慣らし処理においては、テーブルの
移動速度を、ラビング処理時の速度より遅くしたり、停
止させてもよい。この制御によれば、慣らし領域の幅を
狭くすることもできる。

【００６８】［投射型表示装置の構成］図９を参照し
て、本発明を適用した電気光学装置１を用いた投射型表
示装置の構成を説明する。

【００６９】図９において、投射型表示装置１１００で
は、透過型の電気光学装置１を含む液晶表示モジュール
が各々Ｒ（赤色光）、Ｇ（緑色光）、Ｂ（青色光）用の
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂ（光変
調装置）として用いられている。

【００７０】この投射型表示装置１１００において、メ
タルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１
０２（光源）から投射光が発せられると、この光は、以
下に説明する導光光学系を介してライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂに導かれる。すなわち、ラ
ンプユニット１１０２からの投射光は、３枚のミラー１
１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８（色
分離手段）によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分
Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１
００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに各々導かれる。この際、
特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射
レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レン
ズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導
かれる。

【００７１】そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
および１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する
光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２（色合成手
段）により再度合成された後、投射レンズ１１１４（拡
大投射光学系）を介してスクリーン１１２０にカラー画
像として拡大投射される。

【００７２】このように、本発明を適用した電気光学装
置１を投射型表示装置１１００に用いた場合には、配向
膜２４、３２がスピンコート法などで形成されているの
で、拡大投射された画像には、電気光学装置１に形成し
た配向膜２４、３２の不均一性に起因する表示のムラや
シミが発生しないので、品位の高い表示を行うことがで
きる。また、少なくとも画像表示領域１０ａの全体にわ
たって均一なラビング処理が施されているため、この点
からいっても、品位の高い表示を行うことができる。

【００７３】なお、図９に示す投射型表示装置１１００
では、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）用の３個の
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの全てにつ
いて、本発明を適用したが、Ｇ（緑色）については特に
視感度が高く、ムラやシミが目立ちやすいので、このＧ
（緑色）用のライトバルブ１００Ｇのみに、本発明を適
用した電気光学装置１を用いてもよい。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ラビ
ング対象領域をラビングロールで擦る前あるいは擦った
後に、このラビングロールをラビング対象領域とは異な
る表面形状の慣らし領域で擦らせる。このため、ラビン
グ対象領域の表面に形成されている凹凸がラビングロー
ルの表面に転写されても、ラビングロールに転写された
凹凸は、慣らし領域を擦ることにより消失する。従っ
て、同一種類の基板を連続してラビング処理を行なって
も、ラビングロールがラビング対象領域上を擦るときに
は、ラビングロールの表面に凹凸がないので、ラビング
対象領域の全体を均一にラビング処理することができ
る。それ故、ラビング対象領域（画像表示領域）に、強
く擦られた部分と弱く擦られた部分ができるということ
がないので、ラビング対象領域（画像表示領域）で液晶
などの電気光学物質を均一に配向させることができ、チ
ルトむらなどが発生しない。よって、表示むらなどのな
い高い品位の画像を表示することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ´の断面図である。

【図３】図１に示す電気光学装置の端部を拡大して模式
的に示す断面図である。

【図４】図１に示す電気光学装置の画像表示領域におい
て、マトリクス状に形成された複数の画素における各種
素子、配線等の等価回路である。

【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製
造方法において、対向基板に対してラビング処理を行う
様子を示す配向処理工程を示す説明図である。

【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製
造方法において、ＴＦＴアレイ基板を製造するための大
型基板に対してラビング処理を行う様子を示す配向処理
工程を示す説明図である。

【図７】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製
造方法において、ＴＦＴアレイ基板を製造するための大
型基板に対してラビング処理を行う様子を示す配向処理
工程を示す説明図である。

【図８】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の製
造方法において、ＴＦＴアレイ基板を製造するための大
型基板に対してラビング処理を行う様子を示す配向処理
工程を示す説明図である。

【図９】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型
表示装置の光学系の構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 電気光学装置 ５ パネル １０ ＴＦＴアレイ基板（第１の基板） １０ａ 画像表示領域 １９ 上下導通電極 ２０ 対向基板（第２の基板） ２３、５３ 遮光膜 ２４、３４ 配向膜 ５０ 液晶層 ５２ シール材 ５５ マイクロレンズ １００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ ライトバルブ（光変調
装置） １０２ 外部回路接続用の端子 １１０ ＴＦＴアレイ基板を製造するための大型基板 １８１、１８２、１８３ 基板に形成した慣らし領域 １８９ 端子をショートさせる配線パターン ５００ パレット ５０１、５０２、５５１、５５２ パレットに形成した
慣らし領域 ５１０ パレットの基板配置孔 ６００ 移動テーブル ６０１、６０２ テーブルに形成した慣らし領域 ７００ ラビングロール ７０１ 金属ロール ７０２ ラビング布 １１００ 投射型表示装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA14 EA15 FA10 FA24 GA02 HA08 HA13 HA22 HA23 HA24 HA28 JA05 MA04 2H090 JB02 JD14 KA05 LA04 LA11 LA12 LA16 MA04 MB02 MB03 MB14 2H091 FA05Z FA15Z FA21Z FA26Z FA41Z FD07 GA13 HA07 LA03 LA16 MA07

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板および第２の基板のうちの少
   なくとも一方の基板表面に配向膜を形成する配向膜形成
   工程と、前記配向膜表面をラビングロールで擦って当該
   配向膜にラビング処理を行う配向処理工程とを有する電
   気光学装置の製造方法において、 前記配向処理工程では、基板の少なくとも画面表示領域
   に相当するラビング対象領域を前記ラビングロールで擦
   る前あるいは擦った後に、当該ラビングロールを前記ラ
   ビング対象領域とは異なる表面形状の慣らし領域で擦る
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記慣らし領域は、
   平坦領域であることを特徴とする電気光学装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記慣らし
   領域は、前記ラビング処理を行う基板を保持するパレッ
   ト上に形成されていることを特徴とする電気光学装置の
   製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、前記慣らし
   領域は、前記ラビング処理を行う基板を前記ラビングロ
   ールに対して相対移動させるテーブル上に形成されてい
   ることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１または２において、前記慣らし
   領域は、前記ラビング処理を行う基板上に形成されてい
   ることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１または２において、前記ラビン
   グ処理を行う基板は、当該基板を多数枚取りできる大型
   基板の状態で前記配向処理工程が行われ、 前記慣らし領域は、前記大型基板上に形成されているこ
   とを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６において、前記慣らし領域は、
   前記大型基板のうち単品の基板として切り出される領域
   とは別の領域に形成されていることを特徴とする電気光
   学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７において、前記慣らし領域に
   は、前記大型基板のうち単品の基板として切り出される
   領域に形成された端子同士を電気的にショートさせてお
   く配線パターンが形成されていることを特徴とする電気
   光学装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかにおいて、
   前記ラビング対象領域を前記ラビングロールで擦るとき
   のラビングロールの接触圧と、前記慣らし領域を前記ラ
   ビングロールで擦るときのラビングロールの接触圧とが
   略等しいことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに規定す
    る製造方法によって製造されたことを特徴とする電気光
    学装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０に規定する電気光学装置を
    用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源から出
    射された光を光変調手段に導く導光光学系と、前記光変
    調手段により変調された光を拡大投射する拡大投射光学
    系とを有し、 前記光変調手段として前記電気光学装置が用いられてい
    ることを特徴とする投射型表示装置。