TWI285524B - Method and apparatus for carrying electric conductive ball - Google Patents

Method and apparatus for carrying electric conductive ball Download PDF

Info

Publication number
TWI285524B
TWI285524B TW093103886A TW93103886A TWI285524B TW I285524 B TWI285524 B TW I285524B TW 093103886 A TW093103886 A TW 093103886A TW 93103886 A TW93103886 A TW 93103886A TW I285524 B TWI285524 B TW I285524B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ball
mounting
temporary fixing
mask
fixing film
Prior art date
Application number
TW093103886A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200421957A (en
Inventor
Motoyuki Itoh
Masanori Ochiai
Shinichi Kazui
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2003106519A external-priority patent/JP3994389B2/ja
Priority claimed from JP2003117077A external-priority patent/JP4006699B2/ja
Priority claimed from JP2003177098A external-priority patent/JP4389197B2/ja
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Publication of TW200421957A publication Critical patent/TW200421957A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI285524B publication Critical patent/TWI285524B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0607—Solder feeding devices
    • B23K3/0623—Solder feeding devices for shaped solder piece feeding, e.g. preforms, bumps, balls, pellets, droplets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0615—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11005—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for aligning the bump connector, e.g. marks, spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/041—Solder preforms in the shape of solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0485—Tacky flux, e.g. for adhering components during mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/0557—Non-printed masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/104—Using magnetic force, e.g. to align particles or for a temporary connection during processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49204—Contact or terminal manufacturing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

1285524 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種搭載方法以及搭載裝置，適用於 把具有導電性的球，以預定的圖案排列在電子零件或用以 製造電子零件所使用的構件等之被排列體上。 · 【先前技術】 使具有導電性的球（以下稱爲導電球）以預定的圖案 (pattern)排列的狀態搭載於被排列體的一例，例如有 BGA(閘球陣列:Ball Grid Army)型或 FC(覆晶:Flip-Chip)型 等面陣列（area array)型的具有突起狀連接凸塊(bump)的半 導體裝置、基板或這些構件的封裝（package)等的電子零 件。 近年來伴隨著攜帶終端機器或筆記型電腦的高速化或 高功能化以及輕量化、小型化與薄型化的進展，對於內裝 於這些攜帶終端機器或筆記型電腦的電子零件，要求有小 型化、薄型化又多端子化這種相反的性能。依照此要求係 採用上述面陣列型的電子零件。 例如使用錫或銅等導電材形成連接凸塊的方法有：將 包含導電材的焊膏(paste)印刷於電子零件的電極的塗佈方 式、搭載導電球於電極的導電球方式、電鍍（electroplate) 或蒸鍍（evaporate)導電材的附膜方式等。爲了多端子化， 電極的排列高密度化，伴隨於此連接凸塊的大小也有小型 化的傾向。對於形成小型的連接凸塊的場合，多採用在連 接凸塊的排列精度或生產性的方面有利的導電球方式。 13100pif.doc/008 5 1285524 如果依照習知的導電球方式，前述連接凸塊係經由： 將錫膏(solder paste)或助銲劑(flux)等具有黏著性的連接助 劑印刷於電極的印刷製程，與在印刷有連接助劑的電極搭 載導電球的搭載製程，與加熱該導電球等形成連接凸塊的 凸塊形成製程而形成。 ’ 在前述搭載製程中搭載導電球於電極的方式之一有例 如如記載於日本專利早期公開之特開2001-223234號公報 (專利文獻1)，藉由利用負壓的吸附頭吸附焊球（solder ball)，朝電極上移送而搭載的吸附方式。但是，在吸附方 式中有因吸附頭的吸附力使導電球變形的可能性。而且， 導電球黏著於附著於吸附頭的前端的助銲劑，即使解除吸 附力也無法由吸附頭分離，也有發生搭載不良的可能性。 再者，有在吸附時移動於空氣中的導電球帶靜電，被該靜 電凝聚的導電球的集合體被搭載於電極，或者剩餘的導電 球（剩餘球或通稱爲額外的球（extra ball))附著於電極以外 的工件(work)表面的情形。這些問題特別是伴隨著導電球 的小直徑化而變的顯著。 其他的搭載方式有使用形成有對應電極的圖案的貫通 孔狀的定位開口部之排列構件的平板狀的罩幕(mask)，使 供給到罩幕上的導電球移動，裝入定位開口部（稱此動作 爲[搖入])，透過定位開口部搭載於電極上之所謂的搖入方 式。此搖入方式的一例係揭示於日本專利早期公開之特開 2002-171054號公報（專利文獻2)、日本專利早期公開之特 開箏9-162533號公報(專利文獻3)、日本專利早期公開之 1 310〇pifd〇c/〇〇8 6 1285524 特開2001-267731號公報（專利文獻4)以及日本專利早期 公開之特開平10-126046號公報（專利文獻5)等。 專利文獻2所記載的搭載裝置係說明[在塗佈於工件 表面的複數個位置的助銲劑上搭載焊球用的焊球的搭載裝 置中具備:配置以覆盍則述工件，在對應複數個前述助銲 劑的位置具有可通過前述焊球的複數個球保持孔之罩幕， 與使則述工件與罩幕傾斜的傾斜機構，與一邊規制想由上 方移動傾斜狀態的前述罩幕表面上到下方的複數個前述焊 球的移動速度，一邊在前述罩幕表面移動前述焊球，使前 述焊球落入前述定位開口部的規制構件。]，以規制構件 接受落下的導電球，可藉由以適當的速度使其移動而確實 地裝入定位開口部。 專利文獻3所記載的搭載裝置係說明[在錫料供給頭 的底部接觸於銲料供給對象物的狀態下，藉由在銲料供給 頭內的底部的內面上使銲料供給裝置滑動，使預先供給到 該當銲料供給頭的多數個球狀銲料移動於底部的內面上， 分別經由各銲料供給孔，以在銲料供給對象物的各銲料供 給位置分別供給球狀銲料]，銲料供給裝置之搖入具係使 用除電刷，藉由使立設的除電刷的前端滑動，可在銲料供 給對象物的各銲料供給位置分別確實地供給導電球。 專利文獻4所記載的搭載方法係[具有:在電子零件上 的複數個電極部分的每一個選擇性地形成黏著膜的黏著膜 形成製程，與在該黏著膜形成製程形成的黏著膜的每一個 上使接合材排列而供給的接合材排列供給製程，與熔融在 1 3 1 00pif.doc/008 7 1285524 該接合材排列供給製程供給的接合材，和電極部分接合的 接合製程]，配置排列構件之球排列罩幕於晶圓上，在球 排列罩幕之上供給焊球，藉由搖入具之排列刮刀（squeegee) 移動該焊球，以搭載於形成有黏著膜的電極之上。 專利文獻5所記載的搭載裝置係[在形成於基板上的 圖案上搭載微小的焊球之閘球陣列的製造裝置中，配設保 持前述基板的保持台，配設形成對應前述基板的圖案之焊 球的導入孔之罩幕於前述基板的上部，在此罩幕與基板之 間配設間隔物（spacer)，以能水平移動於罩幕的頂面的方 式配設刀片(blade)，在罩幕的頂面放置自由狀態的焊球’ 藉由使具有柔軟性的刀片水平移動於此焊球’使焊球一個 一個落入罩幕的導入孔，一邊切取多餘的焊球，一邊集中 焊球於罩幕的一邊，僅必要的部分搭載焊球]。 在此搖入方式中導電球因藉由重力的作用而被搭載， 故有因上述吸附方式所發生的問題被解除的優點。而且， 即使是導電球帶電的情形，也有藉由定位開口部的大小的 規制而成爲九子狀態的導電球的集合體不會被搭載於電 極，在電子零件中電極以外的部分因被罩幕遮蔽，故不易 有剩餘的球附著於不要的部分，此爲其優點。 [專利文獻1]日本專利早期公開之特開2001-223234 號公報 [專利文獻2]日本專利早期公開之特開2002-171054 號公報 [專利文獻3]日本專利早期公開之特開平9-162533 13 l〇〇pif.doc/008 8 1285524 號公報 / [專利文獻4]日本專利早期公開之特開2001_267731 號公報 [專利文獻5]日本專利早期公開之特開平10-126046 號公報 今後可設想電子零件的更進一步多端子化、小型化的 要求。對於此情形’因連接凸塊的數目龐大’故被窄間距 (pitch)化、高密度化’導電球爲100#m以下的小直徑者 被使用。伴隨著導電球的小直徑化’發生以下的問題 在搖入方式中導電球若小直徑的話’對定位開口部的 塡充率會降低，因此在一部分的電極不搭載有導電球，有 搭載率降低的可能性。其中’搭載率係定義爲藉由以（搭 載於預定的應被搭載的位置的導電球的數目/預定的應被 搭載的位置的數目）決定的公式求得。具體而言’例如被 排列體具有複數個電極的基板的情形的搭載率係由（搭載 於電極的導電球的數目/電極的數目）決定。 對於導電球爲大直徑、質量大的情形，裝入定位開口 部的導電球藉由其自身重量氣勢佳地落下，碰撞到助銲 劑，在與助銲劑牢牢地黏著的狀態下被載置於電極上。大 直徑的導電球與助銲劑的接觸面積大。因此，以助銲劑牢 牢地黏著而保持的導電球即使被稍微的外力作用也很少會 由電極上脫離。 但是，對於導電球爲小直徑、質量小的情形，裝入定 位開口部的導電球落下，碰撞到助銲劑時的氣勢小。而且， 13100pif.doc/008 9 1285524 與助銲劑的接觸面積也小。其結果由助銲劑造成的導電球 的黏著力小，即使是被稍微的外力作用的情形，導電球也 容易由電極上脫離。例如對於搖入具使用具有柔軟性的刮 刀的情形，導電球一旦被該刮刀搖入定位開口部，刮刀的 前端部進入一部分的定位開口部，在前端部切出導電球’ 使其由電極脫離。因此會招致導電球的搭載率的降低。 導電球伴隨著小直徑化會顯示像粉體的行爲。因此’ 慣性力（重力）的支配相對地小。例如通常電子零件等的生 產因在大氣中進行，故在當作排列構件使用的罩幕會產生 帶有靜電或水分附著的部分。對於導電球爲大直徑、質量 大的情形，慣性力（重力）爲支配者。在以刮刀移動導電球 於罩幕上的情形或裝入導電球於定位開口部的情形下移動 的導電球具有充分的慣性力（重力）。因此，很少有如上述 被在罩幕部分地產生的靜電或水分吸附。 對於導電球爲小直徑化，其質量小的情形，有與慣性 力（重力）比較藉由靜電或水分產生的吸附力的大小大的情 形。因此，在定位開口部中若以該吸附力吸著導電球，則 不會載置於電極上，其結果發生搭載率的降低。而且，若 在罩幕表面吸附有導電球，則在利用刮刀的一次搖入操作 中導電球的搭載率變低。其結果不得已需進行複數次搖入 操作，惟複數次的搖入操作會助長以刮刀的前端部切出一 旦塡充於定位開口部的導電球這種上述的現象。因此，改 善搭載率很困難。除此之外，有吸附於罩幕的導電球在該 狀態下殘留。吸附於罩幕的導電球在由電子零件卸下罩幕 13100pif.doc/008 1285524 時由罩幕脫離，附著於電子零件，造成使導體電路短路的 原因。 如第20(a)圖所示，電子零件7具有起因於電極71或 導體圖案與電子零件7的膨脹率差、製造條件等的在板厚 方向中的無可避免的翹曲，板厚的誤差等的變形。若在電 子零件7之上配置罩幕92，則在電子零件7與罩幕92之 間產生空隙。對於該空隙比導電球B大的情形，裝入定位 開口部921的導電球B會由空隙洩漏，不被載置於電極71， 其結果發生搭載率的降低。洩漏的導電球B變成剩餘球， 成爲使導體圖案短路的原因。而且，洩漏的導電球B也有 附著於電極71的外周部的情形，成爲複數個導電球B連 結，形成橋接(bridge)的原因。 在電子零件之上定位罩幕時有塗佈於電極的助銲劑附 著於定位開口部的內壁的情形。裝入定位開口部的導電球 被捕捉於附著於內壁的助銲劑，其結果發生搭載率的降 低。而且，也有助銲劑附著於罩幕，無法由電子零件分離 罩幕的情形。 在搖入方式中，供給比電極的數目還多的導電球到罩 幕的頂面，進行搖入操作，回收不被塡充於定位開口部的 多餘的導電球。所回收的導電球在下一次搖入操作原封不 動地使用的情形很多。有在進行搖入操作之間助銲劑附著 於導電球。附著助銲劑的導電球不被圓滑地裝入定位開口 部，其結果搭載率降低。與助銲劑有關的問題有若淸潔罩 幕或導電球，則會被解除，但製造成本變高。 13100pif.doc/008 1285524 【發明內容】 本發明的目的之一係提供一種搭載方法以及搭載裝 置，用以改良以預定的圖案搭載導電球於被排列體的搭載 方法以及搭載裝置。本發明的目的之一係提供一種搭載方 法以及搭載裝置，可改善被排列體中的導電球的搭載率。 本發明的目的之一係提供一種搭載方法以及搭載裝置，使 剩餘的球難以附著於被排列體。 本發明係提供一種搭載方法以及搭載裝置，以預定的 圖案搭載具有導電性的球於被排列體的一面。 此夕t，以 Sn 或 Cu、Au、Ag、W、Ni、Mo、A1 等的 金屬爲主體的導電球係亦包含在本發明中。而且，把銲料 等的導電性金屬塗佈（coating)於以聚丙烯或聚氯乙烯、聚 苯乙烯、聚醯胺、乙酸纖維素、聚酯系等的樹脂爲主體的 球的表面之導電球亦包含在本發明中。 半導體裝置（晶片）、基板、這些構件的封裝、其他電 子零件等連接凸塊採用導電球的電子零件係包含在本發明 的被排列體。而且，在電子零件形成連接凸塊用的構件， 例如用以搭載導電球於電子零件而配置有該導電球的構件 也包含在本發明中所謂的被排列體。- 在本發明中搭載有導電球的被排列體的面之特性未特 別限定，平面或曲面、凹凸面等均被當作對象。 本發明中的一個發明係一種搭載方法，包含： 第一步驟，將一排列構件在面向被排列體之面的狀態 下進行對準，其中排列構件具備有一邊的面及另邊的面以 13100pif.doc/008 1 2 1285524 及一定位開口部，且另邊的面是面向於被排列體之面，且 定位開口部是對應上述圖案而配置，並在一邊的面以及另 邊的面開口而可插通球；以及第二步驟，將一搖入具面向 該排列構件之該邊的面呈相對水平移動，並透過該定位開 口部，把該球載置於該被排列體之該面上，其中該搖入具 具備在使軸心大致一致的狀態下配設的兩條以上的線狀構 件，且配設成線狀構件以略水平的姿勢對供給到排列構件 的一邊的面之球呈可接觸的狀態。 如果依照此發明，使排列構件在面向該被排列體之該 面的狀態下進行對準，且排列構件具備有一邊的面及另邊 的面以及一定位開口部，且該另邊的面是面向於該被排列 體之該的面，且該定位開口部是對應上述圖案而配置，並 在一邊的面以及另邊的面開口而可插通球。如此，將搖入 具面向排列構件之一邊的面呈相對水平移動，並透過定位 開口部，把球載置於被排列體之該面上，其中搖入具具備 使軸心大致一致的狀態下配設的兩條以上的線狀構件，且 配設成線狀構件以略水平的姿勢對供給到排列構件的一邊 的面之球呈可接觸的狀態。球係藉由搖入具之水平移動而 被捕捉於線狀構件而移動，且被裝入定位開口部。另一方 面，搖入具的線狀構件係對排列構件的一邊的面其軸心保 持平行的姿勢而被水平移動。因此，該線狀構件難以進入 定位開口部，被裝入定位開口部，一旦載置於被排列體的 球很少被該線狀構件切出。 在上述發明中，前述搭載方法係在前述第二步驟中若 1 3 1 00pif.doc/008 13 1285524 包含抽吸排列構件到被排列體的一面側之步驟較佳。如果 依照此發明，具備：一邊的面以及相對於該一邊的面之另 邊的面，與對應上述圖案而配置，在一邊的面以及另邊的 面開口，可插通球的定位開口部之排列構件係被對準於該 另邊的面面對被排列體的一面的狀態，被抽吸到被排列體 的一面側，其結果排列構件的另邊的面變成附著於被排列 體的一面的狀態。在此狀態下在排列構件的一邊的面供給 導電球，透過定位開口部在被排列體的一面載置球。排列 構件與被排列體因處於附著的狀態’故球不會自排列構件 洩漏，被載置的位置可被保持。 在上述發明中，前述搭載方法若包含在前述被排列體 的一面形成有黏著力低的暫時固定膜’在前述第二步驟之 後提高前述暫時固定膜的黏著力之第三步驟較佳。如果依 照此發明，球係在形成有黏著力低的暫時固定膜的被排列 體的一面隔著暫時固定膜的狀態下載置球。因到球被載置 爲止的暫時固定膜的黏著力低’故在排列構件或球自身附 著暫時固定膜的機會少。被載置的球係藉由黏著力被提高 的暫時固定膜暫時固定於被排列體。因此’被暫時固定的 球即使被外力作用也很少會容易地由被排列體脫離。 在上述發明中，前述搭載方法若包含在前述第一步驟 之前在前述被排列體的一面形成黏著力低的暫時固定膜的 步驟，與在前述第二步驟之後提高暫時固定膜的黏著力之 第三步驟較佳。如果依照此發明，在被排列體的一面形成 有黏著力低的暫時固定膜。球係在形成有黏著力低的暫時 1 3 1 OOpif.doc/008 1285524 固定膜的被排列體的一面隔著暫時固定膜的狀態下載置 球。因到球被載置爲止的暫時固定膜的黏著力低，故在載 置球用的排列構件（例如罩幕或吸附頭）或球自身附著暫時 固定膜的機會少。而且，被載置的球係藉由黏著力被提高 的暫時固定膜暫時固定於被排列體。因此，被暫時固定的 球即使被外力作用也很少會容易地由被排列體脫離。 在本發明中的一個發明係一種搭載裝置，包含： 排列構件，具備：一邊的面以及相對於該一邊的面之 另邊的面，以及一定位開口部，對應上述圖案而配置，且 在一邊的面以及另邊的面開口而可插通球；以及具備在使 軸心大致一致的狀態下配設的兩條以上的線狀構件之搖入 具。至少在搭載球時，排列構件被定位成另邊的面面對被 排列體的一面的狀態。而且，至少在搭載球時，搖入具被 配設成其線狀構件是以略水平的姿勢對供給到排列構件的 一邊的面之球呈可接觸的狀態，以對排列構件的一邊的面 相對地被水平移動而構成。 如果依照此發明，至少在搭載球時，使排列構件在面 向被排列體之面的狀態下進行對準，且排列構件具備有一 邊的面及另邊的面以及一定位開口部，且另邊的面是面向 於被排列體之一邊的面，且定位開口部是對應上述圖案而 配置，並在一邊的面以及另邊的面開口而可插通球。將搖 入具面向排列構件之一邊的面呈相對水平移動，並透過定 位開口部，把球載置於被排列體之該面上，其中搖入具具 備使軸心大致一致的狀態下配設的兩條以上的線狀構件， 13100pif.doc/008 1 5 1285524 且配設成線狀構件以略水平的姿勢對供給到排列構件的一 邊的面之球呈可接觸的狀態。球係藉由搖入具之水平移動 而被捕捉於線狀構件而移動，且被裝入定位開口部。另一 方面，搖入具的線狀構件係對排列構件的一邊的面其軸心 保持平行的姿勢而被水平移動。因此，該線狀構件難以進 入定位開口部，被裝入定位開口部，一旦載置於被排列體 的球很少被該線狀構件切出。 在上述發明中，當前述排列構件的另邊的面面對被排 列體的一面而對準時，排列構件之厚度，即由被排列體的 一面到排列構件的一邊的面的距離t，對球的直徑d爲0.8 St/d$ 1.4。前述定位開口部具有由排列構件的一邊的面 朝另邊的面的方向擴大之第一推拔孔（taper hole)部。較佳 的是，第一推拔孔部中的一邊的面側的邊緣部稜線具有由 被載置於被排列體的一面的球的中心朝一邊的面側偏位於 之排列構件。如果依照此發明，因排列構件具有被對準於 該另邊的面面對被排列體的一面的狀態時，由被排列體的 一面到排列構件的一邊的面的距離t對球的直徑d爲0.8 $t/d$ 1.4的厚度，故在定位開口部未裝入有複數個球。 而且，定位開口部具有由排列構件的一邊的面朝另邊的面 的方向擴大之第一推拔孔部，第一推拔孔部中的一邊的面 側的邊緣部稜線由被載置於被排列體的一面的球的中心偏 位於一邊的面側。因此，即使是外力作用於被裝入定位開 口部被載置於被排列體的一面的球的情形，一旦載置的球 被第一推拔孔部的側壁拘束，也很難由被排列體脫離。 1 3 1 00pif.doc/008 16 1285524 在上述發明中，較佳的是前述搭載裝置具有抽吸部， 當排列構件的另邊的面對準於被排列體的一面的狀態下， 抽吸部是配設成隔著被排列體而相對於排列構件，並抽吸 排列構件。如果依照此發明，使排列構件在面向被排列體 之面的狀態下進行對準，且排列構件具備有一邊的面及另 邊的面以及一定位開口部，且另邊的面是面向於被排列體 之一邊的面，且定位開口部是對應上述圖案而配置，並在 一邊的面以及另邊的面開口而可插通球。在此狀態下，抽 吸排列構件的抽吸部係隔著前述被排列體相對於前述排列 構件而配設。因此，排列構件變成藉由該抽吸部抽吸到被 排列體的一面側而與被排列體呈密著的狀態。在此狀態 下，在排列構件的一邊的面供給球，透過定位開口部在被 排列體的一面載置球。因排列構件與被排列體處呈密著的 狀態，故球不會自排列構件洩漏，被載置的位置可被保持。 在上述發明中，前述搭載裝置具備：具有形成於一面 的黏著力低的暫時固定膜之被排列體，與提高暫時固定膜 的黏著力之暫時固定膜變質部較佳。如果依照此發明，球 係在搭載部在隔著暫時固定膜的狀態下載置於具有形成於 一面的黏著力低的暫時固定膜之被排列體的該一面。該暫 時固定膜係在暫時固定膜變質部使黏著力被提高。因此， 被載置的球被其黏著力暫時固定。 在上述發明中，前述搭載裝置具備：形成黏著力低的 暫時固定膜於被排列體的一面之暫時固定膜形成部，與提 高暫時固定膜的黏著力之暫時固定膜變質部較佳。如果依 13 100pif.doc/008 17 1285524 照此發明，在被排列體的一面於暫時固定膜形成部形成有 黏著力低的暫時固定膜。球係在搭載部在隔著暫時固定膜 的狀態下載置球於被排列體的一面。該暫時固定膜係在暫 時固定膜變質部使黏著力被提高。因此，被載置的球被其 黏著力暫時固定。 ’ 【實施方式】 1、第一實施樣態 針對本發明的一例之第一樣態一邊參照第1〜14圖來 說明。 第1圖是與本發明的第一樣態有關的搭載裝置la的 槪念圖。第2(a)、2(b)圖是第1圖的搭載裝置1的搭載部 2的側視圖。第3(a)、3(b)圖是顯示在第1圖的搭載裝置1 搭載有導電球B的基板7的構造圖。第4(a)、4(b)圖是顯 示第2(a)、2(b)圖的搭載部2的排列構件22的圖。第5圖 是顯示第4(a)、4(b)圖的排列構件22的變化例28的圖。 第6(a)、6(b)圖是顯示第4(a)、4(b)圖以及第5圖的排列構 件22、28的部分擴大剖面圖。第7(b)〜7⑷圖是顯示第4(a)、 4(b)圖的排列構件22的其他變化例22a〜22c的圖。第8圖 是顯示第5圖的排列構件28的變化例28’的圖。第9圖是 顯示第2(a)、2(b)圖的搭載部2的搖入具27與排列構件27 的斜視圖。第10(a)〜10(e)圖是顯示第9圖的搖入具27的 變化例27a〜27e的圖。第11圖是顯示第9圖的a-a剖面圖， 搖入具27的部分擴大剖面圖。第12圖是顯示第2(a)、2(b) 圖的搭載部2的搖入具27與排列構件22的俯視圖。第 13100pif.doc/008 1285524 13(a)〜13(d)圖是說明第1圖的搭載裝置1的動作的圖。第 Μ圖是說明第9圖的搖入具27的動作的圖。 如第1圖所示，第一樣態的搭^裝置la具有使焊球 排列搭載於被排列體的基板之搭載部2。 如第3(a)、3(b)圖所示，基板7係連接於例如主機板 等外部裝置的連接凸塊(bump)72b(72)在一邊的面（底面）突 設成面陣列狀，並且連接於半導體元件8的連接凸塊72a(72) 在另邊面（頂面）突設成面陣列狀。在此基板7的頂面，半 導體兀件8被覆晶接合(flip-chip bonding)形成有封裝。 基板7具有:薄板狀的基體71，與在基體71的頂面側 突設有前述連接凸塊72a的銲墊(pad)狀的電極71a(71)， 與在底面側突設有前述連接凸塊72b的銲墊狀的電極 71b(71)。在基體711的表面以及內部，爲了再配線而形成 有導體圖案。基體71係周知的樹脂製或陶瓷製的基體或 疊層有這些材質的基體等依照需要而選擇。 如第2(a)、2(b)圖所示搭載部2具備:在基板7的電極 71上使焊球B排列的排列構件之罩幕22，與用未圖示的 移動裝置水平移動定位於前述基板7的罩幕22的頂面， 搖入焊球B的搖入具27。 _ 第一樣態的搭載部2爲了適合自動化起見具備:使電 極71朝上方’水平地保持基板7的姿勢的夾持具 (holder)21，與令前述夾持具21升降自如，在預定的高度 定位基板7的夾持具升降裝置29，與水平地支持前述罩幕 22，並且在水平方向移動，定位前述罩幕22於前述被定 1 3 1 00pif.doc/008 1285524 位在預定高度的基板7之罩幕水平移動裝置23，與在前述 罩幕22的頂面供給焊球B的球供給裝置24，與由罩幕22 的頂面除去剩餘的焊球B之球除去裝置26。 上述夾持具21或夾持具升降裝置29、罩幕水平移動 裝置23、球供給裝置24、球除去裝置26係依照成本或品 質等的要求適宜地選擇。例如基板7僅被載置於台上也可 以。基板7或罩幕22的定位以人手進行也可以。焊球B 的供給或除去以人手進行也可以。 以下依罩幕22以及搖入具27、夾持具21、夾持具升 降裝置29、罩幕水平移動裝置23、球供給裝置24、球除 去裝置26的順序詳細地明其構成。 1-1、罩幕 罩幕22具備:頂面（一邊的面)222以及相對於頂面的底 面（另邊的面）223，與對應前述排列圖案，焊球b可插通 在頂面222與底面223開口的定位開口部221。 罩幕22可採取具有第4(b)圖所示的突起部224，其底 面223不與基板7接觸的構造，或無突起部224，其底面 223與基板7接觸的構造。任何構造都是罩幕22具有當定 位其底面223於電極71時，電極71的頂面711到罩幕22 的頂面222的距離t對焊球B的直徑d爲0.8^t/d$ 1.4之 厚度而形成較佳。即對於t/d未達0.8的罩幕22的厚度的 情形’因對罩幕22的頂面222，焊球B的頂部過於露出， 故塡充於定位開D部221 —次的焊球B容易由該定位開口 部221脫離’而t/d比1.4還大的情形係複數個焊球B容 1 3 1 00pif.doc/008 20 1285524 易塡充於定位開口部221。 定位開口部221具有由頂面朝底面擴大的第一推拔孔 部2211。第一推拔孔部2211的上側邊緣部2211a的稜線 2211b係由搭載於電極71的頂面771之焊球B的中心偏 位於上側較佳。即當朝定位開口部221搖入時，幾乎所有 的焊球B均靠定位開口部221的一邊側的壁面。如果依照 具有第一推拔孔部2211的定位開口部221，因焊球B成 爲其上半球接觸第一推拔孔部2211的上側邊緣部22Ua， 在該邊緣部2211a由上方被按壓的狀態，故即使被例如振 動等的外力作用的情形也很難由定位開口部221脫離。而 且，當卸下罩幕22到上方時，即使在焊球B接觸前述壁 面下因壁面在由焊球B分離的方向移動，故很少有焊球B 被罩幕22硬拉由電極71帶走的機會。 第一推拔孔部2211的形狀若以略圓錐梯形狀的話佳。 若令第一推拔孔部2211爲略圓錐梯形狀，則在其側壁無 角部，焊球B不會被角部阻礙而能更圓滑地朝定位開口部 221裝入。 再者，如第6(a)圖所示爲了使焊球B容易通過’第一 推拔孔部2211的上側開口端2211c的直徑D1係大者較 佳，但若作成過大的話，則不僅搭載於電極71的焊球B 的位置誤差變大，也有在定位開口部221的上部多餘的焊 球B容易停滯，在罩幕22卸下時停滯的焊球B會落到基 板7之上，彈跳搭載於電極71的焊球B使搭載率降低之 虞，故以1.2〜l_4d左右較佳。除此之外，前述第一推拔孔 1 3 1 00pif.doc/008 1285524 部2111的下側開口端221 Id的直徑在罩幕22的強度允許 的範圍下加大較佳。即越加大下側開口端2211d，第一推 拔孔部2211的側壁的傾斜越大，可由更上部按壓焊球B， 可更難以使焊球B脫離。但是，若令搭載位置的誤差的容 許範圍爲b，則令焊球B爲（b+d)以下較佳，以使在卸下罩 幕22時焊球B不會由電極71分離。 罩幕22並未特別僅限定於上述說明者。例如如第7(a) 圖所示的罩幕22a，頂面222a對底面223稍微傾斜地形成 者也可以。再者，如第7(b)圖所示的罩幕22b，定位開口 部221b爲在第一推拔孔部2211的上部同軸地設有圓柱孔 部2212者也可以。此外，如第7(c)圖所示的罩幕22c，定 位開口部221 c爲在第一推拔孔部2211的下部同軸地設有 圓柱孔部2213者也可以。 再者，針對其他例子的罩幕來說明。 如第5圖所示罩幕28具備略像日本鼓形狀的定位開 口部281。定位開口部281具有與前述第一推拔孔部2211 基本上同樣的第一推拔孔部2811，並且具有與第一推拔孔 部2811同軸形成於罩幕28的頂面282，由底面283朝頂 面282的方向擴大之第二推拔孔部2812。如果依照定位開 口部281，供給到罩幕28頂面的焊球B被第二推拔孔部 2812導引，使焊球B更圓滑地朝定位開口部281裝入。 此外，若令第二推拔孔部2812的下側邊緣部28l2a的稜 線2812b或第一推拔孔部2811的上側邊緣部的稜 線2811b(在此例中稜線2811b與2812b爲同一）爲倒角狀 1 3 1 00pif.doc/008 22 1285524 或R形狀，則焊球B可更圓滑地被導入，故很有效。 第一以及第二推拔孔部2811、2812的形狀若作成略 圓錐梯形狀的話佳。若令第一以及第二推拔孔部2811、28 1 2 爲略圓錐梯形狀，則在其側壁無角部，焊球B不會被角部 阻礙，可更圓滑地朝定位開口部281裝入。 如第6(b)圖所示，第二推拔孔部2812的上側開口端 2812c的直徑D1若以對焊球B的直徑1.2〜1.4d左右較佳。 前述第一推拔孔部2811的下側開口端2811d的直徑若令 搭載位置的誤差的容許範圍爲b，則令焊球B爲(b+d)以下 較佳。其理由與上述罩幕22的情形相同。 如果依照此罩幕28，可比前述罩幕22的情形還減小 焊球B的搭載位置的誤差。如第6(a)圖所示對於罩幕22 的情形，該定位開口部281的第一推拔孔部2811的上側 開口端2811c係以可圓滑地裝入焊球B的大小D1形成。 定位開口部281的第一推拔孔部2811係朝下側擴大的孔。 因此，變成焊球B的平面方向的位置在最狹小的上側開口 端2811c被規制。其結果焊球B變成以依照上側開口端 2811c的大小D1的誤差被載置於電極71。 另一方面，即使是罩幕28的情形也如第6(b)圖所示， 該定位開口部281的第二推拔孔部2812的上部開口端 2812c係以可圓滑地裝入焊球B的大小D1形成的第二推 拔孔部2812朝下側縮小的孔。在此定位開口部281中， 下側開口端2812d(在本例中與第一推拔孔部2811的上側 開口端2811c同一）的大小D2爲最狹小，因此，變成焊球 13 100pif.d〇c/008 23 1285524 B的平面方向的位置在下側開口端2812d被規制。並且， 藉由使例如下側開口端2812d的大小D2其直徑比焊球B 可通過的程度稍大，可極度地減小焊球B的搭載位置的誤 差。 定位開口部281的形狀並未特別限定於上述說明者。 例如如第8圖所示的罩幕28’，定位開口部281’在第一以 及第二推拔孔部2811、2812之間與其同軸地設有圓柱孔 部2813也可以。 罩幕22、28係一種夾具可被重複使用，使用金屬板、 樹脂板、疊層品'成膜品等的板狀的基材。定位開口部221、 281因必須以正確的形狀與尺寸形成，故對該基材以雷射 加工或蝕刻（etching)加工等形成較佳。而且，若原料使用 錬寺以電纟辱加工罩幕22、28而製造’則因同時形成有定 位開口部221、281，故較佳。 再者，罩幕28係基材使用具備蝕刻阻障層（etching barrier layer)的疊層板較佳。此疊層板係中間層爲蝕刻阻 障層的基材，例如疊層有第一層爲鎳合金、第二層的中間 層爲鈦合金、第三層爲與第一層相同由鎳合金構成的蝕亥fJ 劑（etchant)不同的層。如果依照此疊層板，在第一層以及 第三層形成可形成定位開口部的圖案的光阻(resist)膜，實 施蝕刻。此時，中間層由於是蝕刻阻障層，故在蝕刻中$ 被除去。其次，實施除去中間層的蝕刻。此時第一層以及 第三層不被除去。如果依照此疊層板，像罩幕28的定{立 開口部281的略像日本鼓狀的貫通孔可精度佳地形成。 131〇〇pif d〇c/008 24 1285524 1-2、搖入具 搖入具27如第9圖所示具備在使軸心大致一致的狀 態下配設的兩條以上的線狀構件271。搖入具27係配設成 在至少搭載有焊球B時對供給到罩幕22頂面的焊球B， 線狀構件271以略水平的姿勢可接觸的狀態，並且對罩幕 22的頂面相對地水平移動。 以符號272表示的一對保持構件係在其間保持具有彎 曲線狀構件271的腹部的形狀。此處腹部係指未被保持構 件·272保持的部分，具體上如在第l〇(a)圖中以符號F所 表示的爲構成接觸於焊球Β的略直線狀的部分。 在保持構件272之間張設的線狀構件271的形狀可藉 由調整保持構件272的間隔或朝向等適宜地調整。即對於 焊球Β的搭載範圍小的情形，因腹部的長度短也可以，故 如第10(a)、10(b)圖所示以略弓形狀或略]字形狀、略U字 形狀佳。對於搭載範圍寬的情形，因需要長的腹部，故如 第10(c)圖所示以略直線狀佳，且如第10(d)圖所示爲了提 高線狀構件271的剛性而配置複數個線狀構件271也可 以。而且，如第10(e)圖所示線狀構件271其單端被保持 於保持構件272也可以。 - 搖入具27係藉由人手或以機械的移動機構(單軸台或 汽缸等)水平移動。而且’對罩幕22的頂面若在垂直方向 也能移動搖入具27而可定位的話，則對於以往復動作移 送焊球Β的情形情況佳’特別適合於自動化。 針對搖入具27更詳細地說明。 13 100pif.doc/008 25 1285524 如第11圖所示，搖入具27係密設於移動方向（在紙 面中爲水平方向）以及上下方向，使其複數條線狀構件271 成爲密接狀態。具體上如圖示，綑綁幾條線狀構件271彼 此，緊密地固定於保持構件272。線狀構件271雖然每一 條其剛性低，但是藉由如此密設線狀構件271，變成整體 上具有剛性。因此，如果依照密設有複數條的線狀構件 271，可用整體捕捉投入多數個到罩幕22的焊球B ，並 且即使透過所捕捉的焊球B受到反作用力也難以變形。 線狀構件271爲了消除在移送中帶電的焊球B的電， 防止附著於基板7或線狀構件271，若具有金屬或碳等具 有導電性的原料較佳。而且，爲了防止因附著於線狀構件 271表面的水分所造成的焊球B的附著，線狀構件271爲 例如至少在表面被施以氟處理等而賦予拒水性較佳。 線狀構件271可選擇種種剖面形狀者，惟就取得的容 易度此點，採用略圓形狀者在工業生產上較佳。對於線狀 構件271的剖面以略圓形狀的情形，若使其直徑比焊球b 還小，則在接觸於供給到罩幕22頂面的焊球B後線狀構 件271很難被放到焊球B，故較佳。 水平移動時的線狀構件271的俯視的姿勢並未特別辛皮 限定，但如第Π圖所示對於在線狀構件271對線狀構件271 的移動方向爲傾斜的狀態下移動的情形，有焊球B沿著，線 狀構件271的腹部側面移動，由腹部端拽漏之虞。因此， 線狀構件271的移動方向與線狀構件271的軸心的交叉角 度Θ以45度〜135度的範圍較佳，更佳爲令交叉角度0爲 l3l〇0pif.doc/008 26 1285524 9〇度左右，使線狀構件271移動於對其軸心大致直交的方 向的話佳。而且，一邊接觸線狀構件271於罩幕22的頂 面，一邊使搖入具27水平移動的話，因無焊球B由線狀 構件271與罩幕22的間隙洩漏，殘留於罩幕22，故較佳。 若用具有例如以軟質的樹脂或橡膠、紙、金屬等爲主 體的柔軟性之原料形成前述線狀構件271，則因可一邊防 止焊球B的變形一邊進行移送，故較佳。再者，對於線狀 構件271具有柔軟性的情形，如第14圖所示即使是某線 狀構件271變形，焊球B由其間隙洩漏的情形，洩漏的焊 球B被接鄰於後方的其他線狀構件271捕捉。因此，未被 ***定位開口部221的剩餘的焊球B不會洩漏到後方，在 被捕捉於線狀構件271的狀態下移動到例如罩幕22的預 定位置。若以適宜的方法回收此剩餘的焊球B，則焊球b 殘留於罩幕22之虞少。此外，線狀構件271在保持構件272 之間以柔軟的狀態保持也可以。 再1者’若用以預定的腰的強度即具有彈性的樹脂或橡 膠、金屬等爲主體的原料形成前述線狀構件，配設線 件271成按壓於罩幕22的頂面的狀態，則在移送到 疋位開P部221上方的焊球B，除了重力外，由彈性變形 的線狀梅件27i的反作用力所造成的朝下的力也會作用。 除I重力外，其反作用力也作用的焊球B可更圓滑確實地 朝疋位開P部221裝入。 I·3、夾持具 夾持具21如第2(a)、2(b)圖所示具備:立設於夾持具21 131OOpif d〇c/〇〇8 1285524 左方的壁部213 ’與自如地裝設基板7的插著凹部212， 與在前述插著凹部212底面開口的開口部211a與在外部 開口的開口部211b，與連通前述開口部211a與211b的流 體通路211，與在前述開口部2Ub中連結於流體通路2U， 產生負壓的負壓產生裝置。若在插著凹部212裝設基板7 後以負壓產生裝置產生負壓，則基板7附著在插著凹部212 的底面。因此，基板7的姿勢經常被保持在水平。 1-4、夾持具升降裝置 裝設基板7前的夾持具^的初期位置如第2(b)圖所 示係以在紙面中下方的位置。夾持具升降裝置29係在基 板7裝設於夾持具21後由初期位置使夾持具21上升到預 定的高度。基板7被定位於搭載焊球B用的第2(a)圖所示 的搭載位置。夾持具升降裝置29係在基板7搭載有焊球 B後使夾持具21下降到初期位置，由基板7卸下罩幕22。 1-5、罩幕水平移動裝置 罩幕22的初期位置如第2(b)圖所示係以在紙面中右 方的位置。罩幕移送裝置23係在基板7被定位於搭載位 置後由初期位置移動罩幕22到左方。罩幕22如第2(a)圖 所示其左側端面係接觸於壁部213的右側面而停止。罩幕 22如第4(a)圖所示係對基板7定位使其定位開口部221對 應電極71。罩幕移送裝置23係在基板7搭載有焊球B， 夾持具21下降後返回到初期位置。 1-6、球供給裝置 球供給裝置24係配置於罩幕22的右側端的上方，具 13100pif.doc/008 28 1285524 有供給焊球的供給口 241，定量秤量比電極71的個數還多 的焊球B，供給到罩幕22的頂面。 1-7、球除去裝置 球除去裝置26具有配設於罩幕22的左側端，抽吸焊 球B的抽吸口 261，以抽吸除去殘留在罩幕22頂面的球。 1-8、搭載裝置1的動作 針對包含搭載部2的搭載裝置la的動作來說明。 1) 、對準罩幕的步驟(第一步驟） 如第13(a)圖所示對基板7對準罩幕22。此時對準罩 幕22使在平面方向中罩幕22的定位開口部221對應基板 7的電極71，在垂直方向中罩幕22的底面對基板7的頂 面成預定的位置關係。在第13(a)圖的情形對準罩幕22使 罩幕22的底面接觸電極71的頂面，惟例如對於在電極71 塗佈有助銲劑等的情形，罩幕22的底面對基板7以預定 的間隔隔開而對準，使助銲劑不附著於罩幕22也可以。 2) 、搭載焊球的步驟(第二步驟） 以球供給裝置24供給電極71的個數以上的焊球B到 罩幕12的頂面。使對供給到罩幕12頂面的焊球B，線狀 構件271以略水平的姿勢接觸而配設的搖入具27對罩幕22 的頂面相對地水平移動。 於是如第14圖所示，焊球B被在對罩幕22的頂面略 水平的狀態下移動的線狀構件271的腹部捕捉，移動到定 位開口部221的上方，裝入定位開口部221，如第13(b)圖 所示被載置於電極71。其中線狀構件271因遠比定位開口 13 100pif.doc/008 29 1285524 部221還大的其腹部對罩幕22的頂面在平行的狀態下水 平移動，故藉由定位開口部221的規制不會進入定位開口 部221。因此，已經***到定位開口部221的焊球B被線 狀構件271切出，由電極71脫離之虞少。而且，焊球B 被裝入具備:具有由其中心偏位於上側的邊緣部稜線2211b 之第一推拔孔部2211的定位開口部221，移動在第一推拔 孔部2211的側壁被拘束。因此，即使是線狀構件271進 入定位開口部221的情形也很少有被裝入定位開口部221 的焊球B容易被切出，由電極71脫離之虞。 藉由搖入具27使剩餘的焊球B移動於球除去裝置26 側，以球除去裝置26除去。其中如第14圖所示，即使是 某線狀構件271變形焊球B由其間隙洩漏的情形，洩漏的 焊球B也會被接鄰於後方的其他線狀構件271捕捉。因此， 未被裝入定位開口部221的剩餘的焊球B不會洩漏到後 方，在被捕捉於線狀構件271的狀態下移動到球除去裝置 26 〇 3)、由基板卸下罩幕的步驟 如第13(c)圖所示使夾持具升降裝置29下降，由基板 7卸下罩幕22。 - 如此若回銲(reflow)搭載有焊球B的基板7，則如第 13(d)圖所示形成有連接凸塊72 ° 2、第二實施樣態 針對本發明的一例之第二樣態一邊參照第1圖以及第 15〜Π圖來說明。第1圖是與第二樣態有關的搭載裝置lb 1 3 1 00pif.d〇c/008 30 1285524 的槪念圖。第15圖是第1圖的搭載裝置lb的搭載部3的 側視圖。第16圖是顯示第15圖的搭載部2的搖入具27 以及排列構件22、磁氣產生器314的斜視圖。第i7(a)〜17(f) 圖是顯示第15圖的磁氣產生器314的變化例3 14a〜314f 的圖。此外，針對在圖中與第一樣態的搭載裝置la實質 上同樣的構成附加同一符號，省略其構造或動作的詳細說 明。（在以下說明的其他樣態也當作一樣） 如第1圖所不，第二樣態的搭載裝置1 b具有在被排 列體的基板使焊球排列而搭載的搭載部3。 如第15圖所示，第二樣態的搭載部3與第一樣態的 搭載部2基本上係同一的構成，具備:在基板7的電極71 上使焊球B排列的排列構件之罩幕22，與用未圖示的移 動裝置水平移動定位於前述基板7的罩幕22的頂面，搖 入焊球B的搖入具27’，與爲了適合自動化起見使電極71 朝上方’水平地保持基板7的姿勢的夾持具31，與令前述 夾持具31升降自如，在預定的高度定位基板7的夾持具 升降裝置29 ’與水平地支持前述罩幕22，並且在水平方 向移動，定位前述罩幕22於前述被定位在預定高度的基 板7之罩幕水平移動裝置23，與在前述罩幕22的頂面供 給焊球B的球供給裝置24，與由罩幕22的頂面除去剩餘 的焊球B之球除去裝置26。 在此第二樣態的搭載部3中與第一樣態的搭載部2的 不同點爲具有：具備由像磁性不銹鋼的軟磁性材構成的線 狀構件271’之搖入具27,，與組裝於夾持具31的磁氣產生 1 3 1 00pif.doc/008 31 1285524 器314。以下針對磁氣產生器314詳細地說明。此外，磁 氣產生器314爲了適合自動化起見，組裝於夾持具31可 單獨使用或也能組裝於載置基板7的其他構件而使用。 2-1、磁氣產生器 磁氣產生器314如第16圖所示係以對基板7平面地 對應的方式而配設的略平板狀的永久磁石。對搖入具27 的磁氣產生器314的頂面（一面)係被起磁成一定的極(例如 正(N)極）。此外，磁氣產生器314在附著於基板7的狀態 下配設也可以，爲了使其產生的磁力適量作用於線狀構件 27Γ，對基板7以適當的間隙配設也可以。如此配置的磁 氣產生器314藉由產生的磁力將水平移動於罩幕22頂面 的線狀構件271’抽吸到下方。 磁氣產生器也能選擇以第17(a)、17(b)圖所示的磁氣 產生器314a、314b。此磁氣產生器314a、314b具有複數 個磁區，爲了具體表現接鄰的磁區被配置成不同極性的磁 氣產生器，以具有略立方體狀或略長方體狀、略圓板狀的 複數個永久磁石81、82，接鄰的永久磁石81、82成不同 的極性整體上係並設成略平板狀。如果依照此磁氣產生器 314a、3 14b ’由永久石產生的磁力線釣間隔短，線狀構 件11更強烈地均等地被抽吸到下側。 對於適用這種磁氣產生器314a、314b的情形，如圖 示線狀構件27Γ係配設使對永久磁石81、82的極性的排 列的方向其軸心成略平行的狀態較佳。若據此配設線狀構 件271’，則線狀構件271’對由各永久磁石81、82所產生 13100pif.doc/008 32 1285524 的磁力線經常在略平行或略直角地水平移動於罩幕22的 頂面。因此，依照由磁氣產生器314a、314b所產生的磁 力線的密度差造成的線狀構件271，的變形被抑制。 磁氣產生器也能選擇第17(c)圖所示的磁氣產生器 314c。此磁氣產生器314c具有複數個磁區’接鄰的磁區 被配置於不同的極性，並且各磁區爲了具體表現配置成一 列的磁氣產生器，具有例如略角柱形狀的複數個永久磁石 83，使其附著於其橫向的側面而排列配S成略平板狀使接 鄰的永久磁石83成爲不同的極性。 此磁氣產生器314c係對前述磁氣產生器314a、314b 如以下所不被改善。即若在磁氣產生器314a的情形說明 的話，如第17(a)圖所示磁氣產生器314a具有在圖中以符 號811、812所示的兩個方向的磁區的邊界。例如如圖示 配設線狀構件271’的情形在與線狀構件271’的軸心平行的 邊界811中產生與線狀構件271’交叉的磁力線。水平移動 的線狀構件271’通過邊界811的上方時，線狀構件27Γ被 拉引到接鄰於邊界部811的永久磁石81、82的方向。其 結果如在圖中以符號d所示線狀構件271，變形。如此若線 狀構件27Γ變形，則焊球B由變形部拽-漏或在變形部中焊 球B不能圓滑地朝定位開口部221裝入的現象容易發生。 另一方面，如第17(c)圖所示磁氣產生器314c如在圖 中以符號832所示具有僅一方向的磁區的邊界832。因此， 若如圖示配設線狀構件271’，則在邊界832產生的磁力線 對線狀構件271’的軸心平行，不會與線狀構件271，交叉。 1 3 1 00pif.doc/008 33 1285524 因此，在線狀構件27Γ不會發生變形。 磁氣產生器也能選擇第17(e)、17(f)圖所示的磁氣產 生器314e、314f。此磁氣產生器314e、314f係在前述磁 氣產生器314c中並設同一極性的永久磁石85、86於一方 向而形成磁區。如果依照這種形態，因無須如磁氣產生器 314c準備長的永久磁石83，可用低成本製造磁氣產生器 314e、314f’ 故較佳。 磁氣產生器也能選擇第17(d)圖所示的磁氣產生器 3 14d。此磁氣產生器3 14d係以電磁石84構成磁區，可依 照施加於電磁石84的電流大小自在地控制磁力。因此， 即使是依照焊球B或基板7的大小而變更線狀構件271’的 長度或粗度的情形也能容易地對應。 在上述說明中雖然使用複數個永久磁石或電磁石構成 磁氣產生器314a〜f的磁區，惟區分一片磁石以具有複數 個磁區者也可以。 如果依照具備上述構成的磁氣產生器314的搭載部 3，藉由磁氣產生器314所產生的磁力被朝下抽吸的線狀 構件27Γ變成腹部被按壓於罩幕22的頂面之狀態。在此 狀態下，使線狀構件271’水平移動。線狀構件27Γ捕捉焊 球B，移動到定位開口部221的上方爲止。由磁力產生的 朝下的按壓力作用於線狀構件271’的腹部。因此，該按壓 力作用於焊球B，焊球B被圓滑地***定位開口部221。 與罩幕22的頂面的粗度等的狀態無關，由磁力產生的線 狀構件27Γ的按壓力被維持於一定。因此，線狀構件271’ 13100pif.doc/008 34 1285524 在移動方向被弄亂，引起回彈（spring back)的動作之虞少， 焊球B可穩定裝入定位開口部221。 2-3、針對第一以及第二樣態的實施例來說明。 1) 、實施例一 在以下的條件下藉由第一樣態的搭載裝置la搭載焊球 B於五片基板7。 罩幕22係SUS430製，令其厚度爲80// m。罩幕22 係對應基板7的電極71，使用10200個定位開口部221形 成於一邊爲25mm的四角形範圍內者，令定位開口部221 的直徑爲90gm。搖入具27的線狀構件271具有直徑爲 0 75/zm的略圓形狀剖面，使用具有包含定位開口部221 的範圍之長度的腹部。焊球B係以Sn爲主體的直徑爲80 // m，在罩幕22的頂面各投入12000個。線狀構件271係 使用Sandar〇n(商標名，旭化成製）。以上的條件係以下說 明的實施例二以及比較例二基本上都相同。 2) 、實施例二 藉由第二樣態的搭載裝置lb搭載焊球B於五片基板 7。此外，線狀構件271係使用肥粒鐵（ferrite)系磁性不銹 鋼之 SUS430。 - 3) 、比較例 在第一樣態的搭載裝置la組裝具有尖銳部的刷毛狀 的線狀構件之遙入具，對罩幕22的頂面略垂直地配設線 狀構件，在使尖銳部接觸罩幕22的狀態下使線狀構件水 平移動，搭載焊球B。 13100pif.doc/008 35 1285524 顯示實施例一以及二、比較例的焊球B之未塡充率以 及殘留率於表1。其中殘留率係指以（殘留於罩幕22的焊 球B的個數/投入的焊球的個數）定義者。 [表1] 未搭載率 殘留率’ 實施例一 0.173% 0% 實施例二 0.094% 0% 比較例 55.340% 2.3% 3、第三實施樣態 針對本發明的一例之第三樣態一邊參照第1圖以及第 18〜20圖來說明。 第1圖係與第三樣態有關的搭載裝置lc的槪念圖。 第18圖是第1圖的搭載裝置lc的搭載部4的側視圖。第 19(a)〜19(c)圖是第18圖的夾持具41的剖面圖。第20(a)、 20(b)圖是僅顯示第18圖的夾持具41以及基板7、罩幕22 的擴大側視圖。 如第1圖所示，第三樣態的搭載裝置1C係具有在被 排列體的基板7使焊球排列而搭載的搭載部4。 如第18圖所示，第三樣態的搭載部4與第一樣態的 搭載部2基本上係同一的構成，具備:在基板7的電極71 上使焊球B排列的排列構件之罩幕22’，與用未圖示的移 動裝置水平移動定位於前述基板7的罩幕22’的頂面，搖 入焊球B的搖入具27，與爲了適合自動化起見使電極71 13100pif.doc/008 36 1285524 朝上方，水平地保持基板7的姿勢的夾持具41，與令前述 夾持具41升降自如，在預定的高度定位基板7的夾持具 升降裝置29，與水平地支持前述罩幕22’，並且在水平方 向移動，定位前述罩幕22’於前述被定位在預定高度的基 板7之罩幕水平移動裝置23，與在前述罩幕22’的頂面供 給焊球B之球供給裝置24，與由罩幕22’的頂面除去剩餘 的焊球B之球除去裝置26。 在此第三樣態的搭載部4中與第一樣態的搭載部2的 不同點爲罩幕22’具有由磁性不銹鋼等構成的軟磁性部， 與藉由磁力抽吸罩幕22’到下方，使罩幕22’的底面附著於 基板7的頂面之抽吸部被組裝於夾持具41。以下針對抽吸 部詳細地說明。此外，抽吸部雖然爲了適合自動化起見組 裝於夾持具41，但可單獨使用或也能組裝於載置基板7的 其他構件而使用。 3-1、抽吸部 本樣態的抽吸部如第19(a)圖所示爲內裝於夾持具41 的產生磁力的磁氣產生器411。磁氣產生器411係被配設 使對對準於基板7上方的罩幕22，隔著基板7相對。在磁 氣產生器411連結有饋電給磁氣產生器-411的饋電控制電 路 412。 抽吸部也能選擇如第19(b)圖所示的靜電力產生器 413。靜電力產生器413與前述磁氣產生器411 一樣被組 裝於夾持具41。在靜電力產生器413連接有施加電壓的施 壓控制電路。藉由施壓控制裝置，被施壓成正極或負極的 1 3 1 00pif.doc/008 37 1285524 靜電力產生器413係使罩幕22帶有與被施壓的極性相反 的極性而被抽吸到下方，附著於基板7。此情形的罩幕22 無須包含軟磁性部。相較於此，罩幕22的基體係選擇容 易帶電者較佳。例如其基體若選擇具有介電常數爲4〜12 之介電常數較高，電阻率爲1〇8〜l〇12Qcm左右的導電性之 絕緣材料，具體上爲聚醯亞胺樹脂、苯酚樹脂、矽樹脂、 聚氯乙烯樹脂、ABS樹脂、乙酸纖維素、乙醯丁基纖維素、 聚氨酯彈性體、氯丁二烯橡膠、丁腈橡膠以及這些物質的 混合物或適宜地摻合炭黑於這些物質者佳。 抽吸部也能選擇如第19(c)圖所示的真空抽吸器415。 真空抽吸器415具有:在裝設有基板7的部分以外的夾持 具41的頂面開口的頂面開口部416，與在側面開口的側面 開口部418，與連結頂面開口部416與418，劃分於台11 內部的流體通路417，與連結於側面開口部418的真空產 生裝置。如果依照該真空抽吸器415，藉由真空產生裝置 產生負壓，在頂面開口部416抽吸被載置於夾持具41的 罩幕22於下方，使其附著於基板7。此情形的罩幕22也 無須包含軟磁性部，罩幕22的基體可選擇種種的物質。 3-2、搭載裝置lc的動作 - 針對第三樣態的搭載裝置1c的動作來說明。 1) 、對準罩幕的步驟(第一步驟） 對基板7對準罩幕22’。 2) 、抽吸罩幕的步驟 如第20(b)圖所示藉由在由饋電控制電路饋電的磁氣產 13 100pif.doc/008 38 1285524 生器411產生的磁力，整體地將載置於基板7上方的罩幕 22’抽吸到下方。其結果罩幕22’係其底面仿照基板7的頂 面均勻地附著。因此，即使在基板7有變形的情形也不會 在基板7與罩幕22’之間產生大的空隙。 3) 、搭載焊球的步驟(第二步驟） 以球供給裝置24供給電極71的個數以上的焊球B到 罩幕22’的頂面。使對供給到罩幕22’頂面的焊球B，線狀 構件271以略水平的姿勢接觸而配設的搖入具27對罩幕 22’的頂面相對地水平移動。焊球B被搖入具27移動朝定 位開口部221裝入。其中，罩幕22,附著於基板7。因此， 透過定位開口部2〗1載置於電極71的焊球B不會由定位 開口部221洩漏。 4) 、由基板卸下罩幕的步驟 使夾持具升降裝置29下降，由基板7卸下罩幕22,。 4、第四實施樣態 針對本發明的一例之第四樣態一邊參照第21(a)、 21(b)〜23(a)、23(b)、23(c)圖來說明。此外第四樣態的搭 載裝置Id與第一樣態的搭載裝置13基本上係相同。 第21(a)、21(b)圖是僅第四樣態的搭載裝置ld的罩幕 22以及基板7、暫時固定膜F的部分擴大剖面圖。第22(a)、 22(b)圖是說明第四樣態的搭載裝置H的動作的圖。第 23(a)〜23(c)圖疋顯不第22(a)、22(b)圖的暫時固定膜變質 部25的變化例的圖。 在此第四樣恶的搭載裝置ld中與第一樣態的搭載裝 13 1 00pif.doc/008 39 1285524 置la的不同點係如第21(a)圖所示，準備具有至少在頂面 形成有黏著力低的暫時固定膜F的電極71之基板7，在隔 著暫時固定膜F的狀態下載置焊球B於該電極71，在暫 時固定膜變質部提高暫時固定膜F的黏著力，藉由暫時固 定膜F的黏著力暫時固定焊球B於電極71此點。此外， 暫時固定膜F如第21(a)圖所示係形成以覆蓋基板7的頂 面全體也可以，且如第21(b)圖所示僅在電極71的頂面選 擇性地形成也可以。以下針對暫時固定膜以及暫時固定膜 變質部詳細地說明。 4-1、暫時固定膜
暫時固定膜F係在第13(a)〜13(d)圖說明在卸下罩幕的 步驟以後中，即使是稍微的外力作用於載置於基板7的焊 球B的情形，以黏著力暫時固定焊球b於電極71使焊球 B不輕易移動。但是，在由對準罩幕22於基板7的第一 步驟到搭載焊球B的第二步驟中，爲了不使暫時固定膜F 附著於罩幕22或焊球B，而要求暫時固定膜F的黏著力 爲低的狀態。 這種暫時固定膜F例如可藉由選擇在某條件下被固化 黏著力變低，或在其他條件下被液化（此處液化係指包含 凝膠（gel)化或漿糊（paste)化）黏著力變高的材料（以下稱此 材料爲暫時固定材）而具體表現。所選擇的第一種暫時固 定材例如可選麗由聚顯縣氯乙_、聚苯乙烯、聚酿 胺、乙酸纖麵、旨的任—個選_樹脂賴等的有機 材料，或⑽或以^七等的金屬材料駐體^如果 13100pif.doc/008 40 1285524 依照第一種暫時固定材，例如蒸鍍暫時固定材形成於基板 7，形成有低黏著性的暫時固定膜F。或者藉由混合適當的 溶媒（水或油、各種酒精或甲醇等）於暫時固定材，塗佈其 混合物於基板7，進行乾燥以去除溶媒，形成有低黏著性 的暫時固定膜F。此外，如此形成的暫時固定膜F係焊球 B所接觸的表面被固化，黏著力低的話佳。 所選擇的第二種暫時固定材可選擇以液體（例如水或 油類、各種酒精或甲醇等的有機溶劑）或以其液體爲溶媒 而包含的液狀混合物。如果依照第二種暫時固定材，若令 暫時固定材的溫度爲其熔點以下，則暫時固定材變成被固 化的狀態，形成有低黏著性的暫時固定膜F。據此形成的 暫時固定膜F係焊球B所接觸的表面被固化，黏著力低的 話佳。 第二種暫時固定材若選擇熔點在大氣壓爲-100°C以上 最好爲室溫的範圍（_10°c〜50°c)，則因可用低成本實現固 化暫時固定材的製程，故較佳。而且，若選擇沸點爲未達 焊球B的熔點之例如十二醇(熔點24°C、沸點154°C)或十 四醇(熔點38°C、沸點289°C)、丁醇(熔點25.4°C、沸點83 °C)，則當回銲焊球B形成連接凸塊時-，暫時固定膜F同 時會氣化。因此，因無須透過洗淨製程除去暫時固定膜F， 故較佳。 暫時固定材爲了省去在回銲焊球B的製程之前除去暫 時固定膜F之工夫，具有比焊球B還低的熔點較佳。 暫時固定材含有助銲劑成份較佳。其中助銲劑成份係 13100pif.doc/008 1285524 指當回銲焊球B時，1)、防止焊球B與電極71的氧化，2)、 潔淨化電極71的表面之潤濕性與還原性的作用高的成分。 助銲劑成份係指例如rosin(松脂)或具有類似r〇sin的特性 之添加材。如果依照以包含助銲劑成份的暫時固定材形成 的暫時固定膜F，連接凸塊與電極的接合不良的發生被抑 制’在連接凸塊的內部產生空孔被抑制。 4-2、暫時固定膜變質部 暫時固定膜變質部係熱地或機械地、化學地使暫時固 定膜F變質，提高其黏著力，在第四樣態的搭載裝置ld 中被組裝於搭載部2。 第四樣態的暫時固定膜變質部如第23(a)圖所示係可 接觸於塡充於定位開口部221的焊球B的頂部而配設，至 少與焊球B接觸的面發熱的暫時固定膜變質部25a。此暫 時固定膜變質部25a例如爲配置平板狀的發熱體於塊狀的 基體的一面者佳，藉由升降裝置（例如汽缸等）升降自如地 配設於罩幕22的上方使發熱體相對於罩幕22的話佳。 暫時固定膜變質部25a係加熱接觸的焊球B。此熱係 經由焊球B使焊球B所接觸的區域附近的暫時固定膜F 熔融。因此，暫時固定膜F熔融(即液化），暫時固定膜F 的黏著力變高。 暫時固定膜變質部25a的形態不限於圖示，可選擇種 種形態。例如如第23(a)圖所示對於罩幕22的厚度比焊球 B的直徑還薄的情形，若令與焊球B接觸的暫時固定膜變 質部25a的面251爲平面狀的話佳。而且，對於罩幕22 1 3 1 00pif.doc/008 42 1285524 比焊球B的直徑還厚的情形，若配設對應定位開口部221， 可***定位開口部221的突起252的話佳。 暫時固定膜變質部如第23(b)圖所示也能選擇以電子 束(例如雷射)分別加熱焊球B的暫時固定膜變質部25b。 β 暫時固定膜變質部也能選擇在搖入定位開口部221前 預先加熱焊球B的暫時固定膜變質部。若載置被此暫時固 定膜變質部加熱的焊球B於電極71，則焊球B所接觸的 區域附近的暫時固定膜F被熔融，暫時固定膜F的黏著力 變高。 ％ 暫時固定膜變質部也能選擇加熱包含塡充於定位開口 部221的複數個焊球b的區域之暫時固定膜變質部。此暫 時固定膜變質部例如以像紅外線加熱器構成。此外，對於 選擇此暫時固定膜變質部的情形，罩幕22下方的暫時固 定膜F被加熱而熔融，爲了不附著於罩幕22，罩幕22選 擇由熱傳導率比焊球B還低的基體構成者較佳。 暫時固定膜變質部如第23(c)圖所示也能選擇可接觸 於塡充於定位開口部221的焊球B的頂部而配設，以預定 | 的壓力按壓焊球B之暫時固定膜變質部25c。此外，暫時 固定膜變質部25C取代按壓接觸的焊球b，以加振的構成 、 也可以。如果依照暫時固定膜變質部25c，藉由經由焊球 B傳導的按壓力或振動，焊球B所接觸的區域附近的暫時 固定膜F的黏著力變高。此暫時固定膜變質部25c對於提 局表部固化內部爲液狀的暫時固定膜F的黏著力的情形有 效。即藉由暫時固定膜變質部25c所作用的按壓力或振動， 13 1 00pif.doc/008 43 1285524 暫時固定膜F的表部被機械地破壞，內部的液體露出，暫 時固定膜F的黏著力變高。 暫時固定膜變質部也能選擇將提高依照形成暫時固定 膜F的暫時固定材而選定的暫時固定膜F的黏著力之成份 塗佈於搖入定位開口部221前的焊球B的外周面之暫時固 定膜變質部。如果依照此暫時固定膜變質部，提高暫時固 定膜F的黏著力之成份被塗佈於外周面的焊球B被載置於 電極71，焊球B所接觸的區域附近的暫時固定膜F的黏 著力變高。 4-3、搭載裝置Id的動作 針對上述搭載裝置Id的動作來說明。 1) 、對準罩幕的步驟(第一步驟） 如第22(a)圖所示，對黏著力低的暫時固定膜F形成於 電極71頂面的基板7對準罩幕22。 2) 、搭載焊球的步驟(第二步驟） 供給焊球B到罩幕22的頂面。以搖入具27移動供給 到罩幕22的焊球B，將該焊球B搖入定位開口部221 °焊 球B在隔著暫時固定膜F的狀態下載置於電極71。此外’ 在第四樣態的搭載裝置中雖然以搖入方式搭載焊球B ’但 如以下所述的第五樣態的搭載裝置以吸附方式或其另邊式1 搭載也可以。 3) 、暫時固定焊球的步驟(第三步驟） 如第22(b)圖所示，在被搖入定位開口部221的焊球 B的頂部接觸暫時固定膜變質部25a，加熱焊球B °藉由 13100pif.doc/008 44 1285524 經由焊球B傳達的熱使焊球B所接觸的區域附近的暫時固 定膜F熔融，提高黏著力。以暫時固定膜F的黏著力暫時 固定焊球B。此外在加熱焊球B時若加壓或加振焊球B， 則因焊球B可被更強地暫時固定，故較佳。 由焊球B分離暫時固定膜變質部25a。然後熔融的暫 時固定膜F被冷卻固化，一旦以暫時固定膜F暫時固定的 焊球B不會因稍微的外力而脫離。 5、第五實施樣態 針對本發明的一例之第五樣態一邊參照第1圖以及第 24(a)、24(b)、25 圖來說明。 第1圖係與第五樣態有關的搭載裝置le的槪念圖。 第24(a)、24(b)圖是顯示第1圖的搭載裝置le的搭載部5 的圖。第25(a)、25(b)圖是說明第1圖的搭載裝置le的動 作的圖。 在此第五樣態的搭載裝置le中與第一樣態的搭載裝 置la不同此點係與上述第四樣態的搭載裝置Id —樣，準 備具有至少在頂面形成有黏著力低的暫時固定膜的電極之 基板此點；具有提高暫時固定膜的黏著力之暫時固定膜變 質部此點；以及如第24(a)、24(b)圖所示，排列構件具有 吸附方式的吸附頭51此點。此外，關於暫時固定膜以及 暫時固定膜變質部，因基本上與上述第四樣態的相同，故 省略詳細的說明。 5-1、搭載裝置 如第1圖所示搭載裝置le具有搭載部5。 13100pif.doc/008 45 1285524 5-2、搭載部 如第24(a)、24(b)圖所示搭載部5具備:具有對應電極 71的圖案，拆卸安裝導電球B自如的定位吸附部511之 排列構件的吸附頭51，與儲存有多數個焊球B的上部開 口的容器52 ’與未圖示的暫時固定膜變質部。 吸附頭51係具有內部空間的箱體狀，在其底面形成 有對應電極71的圖案，貫通孔狀的定位吸附部511。定位 吸附部511係比焊球B的直徑還小而形成’以便能吸附焊 球B。在吸附頭51連接有未圖示的負壓產生裝置。如果 依照該吸附頭51，藉由以負壓產生裝置產生負壓，使焊球 B被吸附到定位吸附部511，藉由切斷負壓使焊球B由定 位吸附部511分開。吸附頭51爲了使被吸附於定位吸附 部511的焊球B對應電極71而定位，在紙面中於上下、 左右、前後方向被未圖示的移動裝置移動而構成。 5-3、搭載裝置le的動作 針對上述搭載裝置le的動作來說明。 1) 、對準吸附頭的步驟(第一步驟） 以定位吸附部211吸附儲存於容器的焊球B。如第25(a) 圖所示’定位吸附頭51使被吸附於定位吸附部511的焊 球B對應電極71。 2) 、搭載焊球的步驟(第二步驟） 由定位吸附部511分開焊球B，隔著黏著力低的暫時 固定膜F搭載於電極71。 3) 、暫時固定焊球的步驟（第三步驟） 13100pif.doc/008 46 1285524 如第25(b)圖所示，在暫時固定膜變質部25a熔融暫 時固定膜F，提高暫時固定膜F的黏著力，暫時固定焊球 B。 6、第六實施樣態 針對本發明的一例之第六樣態一邊參照第26〜28圖來 說明。 第26圖係與第六樣態有關的搭載裝置Γ的槪念圖。 第27(a)〜27(d)圖是顯示第26圖的搭載裝置Γ的暫時固定 膜形成部6的圖。第28(a)〜28(c)圖是說明第26圖的搭載 裝置Γ的動作的圖。 搭載裝置Γ如第26圖所示與第四樣態的搭載裝置Id 的搭載部2基本上相同，具有:具備暫時固定膜變質部25 的搭載部2，與配設於搭載部2的上流側的暫時固定膜形 成部6。在暫時固定膜形成部6與搭載部2之間的基板7 的傳送以人手來進行也可以，惟如圖示在暫時固定膜形成 部6與搭載部2之間配設傳送部C，用以藉由傳送部+機 械地傳送也可以。 6-1、暫時固定膜形成部 暫時固定膜形成部6係形成黏著办低的暫時固定膜F 於電極71。暫時固定膜F係使用上述暫時固定材形成。暫 時固定膜F的形成方法未特別限定，惟例如使用在第 27(a)〜27(d)圖所舉例說明的暫時固定膜形成部6來形成。 在第27(a)〜27(d)圖所示的暫時固定膜形成部6都是塗 佈前述第二種暫時固定材，即原來黏著力高的液狀的暫時 13100pif.doc/008 47 1285524 固定材於電極71而配置，使配置的暫時固定材固化’形 成黏著力低的暫時固定膜F。 第27(a)圖所示的暫時固定膜形成部6a係具備在前端 部接觸的狀態下可橫向移動於基板7頂面的刮刀 (squeegee)61。如果依照暫時固疋膜形成部6a ’在基板7 的頂面供給漿糊狀的暫時固定材f，以刮刀61擴大塗佈所 供給的暫時固定材f。此時較佳的是，暫時固定材f盡可 能薄薄地均勻地擴大塗佈。加熱或冷卻所塗佈的暫時固定 材f使其固化。其結果形成有黏著力低的暫時固定膜F。 第27(b)圖所示的暫時固定膜形成部6b係具備:具有對 應電極71的貫通孔63之印刷罩幕62 ’與在前端部接觸的 狀態下可橫向移動於罩幕62頂面的刮刀64。如果依照暫 時固定膜形成部6b，對準印刷罩幕62成貫通孔63與電極 71對應的狀態，在罩幕62的頂面供給漿糊狀的暫時固定 材f。以刮刀64擴大塗佈所供給的暫時固定材f。選擇性 地將暫時固定材f印刷於電極71 °加熱或冷卻所印刷的暫 時固定材f使其固化。其結果黏著力低的暫時固定膜F形 成於電極71。 第27(c)圖所示的暫時固定膜形成部6c係具備由下端 塗抹出漿糊狀的暫時固定材[的注射器狀的塗佈裝置65。 塗佈裝置65係在紙面中於前後/左右/上下方向可移動於基 板7的上方，對電極71可定位而構成。如果依照暫時固 定膜形成部6c，定位塗佈裝置65於電極71，在電極71 之上吐出、塗佈暫時固定材f。加熱或冷卻所塗佈的暫時 1310〇pif.doc/0〇8 48 1285524 固定材f使其固化。其結果黏著力低的暫時固定膜F形成 於電極71。 第27(d)圖所示的暫時固定膜形成部6d係具備由下端 噴射液狀的暫時固定材f之噴霧器狀的塗佈裝置66。塗佈 裝置66係在紙面中於前後/左右/上下方向可移動於基板7 的上方而構成。如果依照暫時固定膜形成部6d，在基板7 的上方中橫向移動塗佈裝置66於前後/左右方向，在基板 7的頂面全體噴射、塗佈暫時固定材6a。加熱或冷卻所塗 佈的暫時固定材f使其固化。其結果黏著力低的暫時固定 膜F形成於電極71。 6-2、搭載裝置Γ的動作 針對上述搭載裝置1’的動作來說明。 1) 、形成暫時固定膜的步驟 薄薄地塗佈黏著力高的液狀的暫時固定材於基板7的 頂面而配置，使所配置的暫時固定材固化，如第28(勾圖 所示形成黏著力低的暫時固定膜F於電極71。 2) 、對準罩幕的步驟(第一步驟） 如第28(b)圖所示在基板7的上方對準罩幕22使電極 71與定位開口部221對應。 - 3) 、搭載焊球的步驟(第二步驟） 在罩幕22的頂面供給焊球B，以搖入具27使焊球B 移動而搖入定位開口部221。焊球B係在隔著暫時固定膜 F的狀態下載置於電極71。 4) 、暫時固定焊球的步驟(第三步驟） 1 3 1 00pif.doc/008 49 1285524 如第28(c)圖所示在暫時固定膜變質部25a熔融暫時 固定膜F，恢復暫時固定膜F的黏著力，暫時固定焊球B。 6-3、實施例 說明第四以及第六樣態的實施例。 1) 、實施例一 說明以一般使用的漿糊狀的松脂（r〇sin)系的助銲劑爲 暫時固定材使用的例子。此外，助銲劑使用樹脂系或水溶 性的物質也可以。 如第28(a)圖所示以數//m〜數十的厚度塗佈暫時 固定材f於基板7之吹30秒鐘12(rc的溫風以加熱暫時固 定材，使暫時固定材f的溶媒成份揮發，使暫時固定材f 的表面乾燥成暫時固定材f不附著於罩幕22或焊球B的 程度，如第28(a)圖所示形成黏著力低的暫時固定膜F。 如第28(b)圖所示對準罩幕22使定位開口部221對應 電極71，將焊球B搖入開口部221。如第28(c)圖所示令 以暫時固定材的熔點以上的溫度（60〜90°C)使其發熱的暫時 固定膜變質部25a瞬間地接觸於焊球B，使暫時固定膜F 熔融，暫時固定焊球B。 2) 、實施例二 - 說明令以揮發性高的IPA稀釋的液狀松脂系的助銲劑 當作暫時固定材f使用的例子。 與實施例——樣形成暫時固定膜F。如果依照本實施 例的暫時固定材f，因IPA其揮發性高，故暫時固定材f 更早乾燥，可有效地形成暫時固定膜F。而且’ IPA因揮 13100pif.doc/008 50 1285524 發而消失，故可藉由暫時固定材f中的1PA的比例控制暫 時固定膜F的膜厚，例如對於薄的膜厚的暫時固定膜F爲 必要的情形若加大其比例的話佳° 然後，與實施例——樣暫時固定焊球B。 3) 、實施例三 說明以熔點爲24°C的十二醇爲溶媒稀釋的松脂系的助 銲劑當作暫時固定材f使用的例子。此種溶媒也能使用丁 醇(熔點25°C)、十四醇(熔點38°C)等。 與實施例--樣塗佈上述暫時固定材f於電極71 ’冷 卻暫時固定材f使其固化形成暫時固定膜F。對於暫時固 定材f僅爲助銲劑的情形，由於其熔點爲_40°C左右比室溫 還低，故很難以通常的冷卻方法冷卻固化。但是’如果依 照上述暫時固定材f，因被以24°C固化的十二醇稀釋’故 若在十二醇的熔點以下冷卻暫時固定材，則在內包助銲劑 的狀態下十二醇會固化，形成有黏著力低的暫時固定膜。 一邊繼續冷卻維持暫時固定膜F的黏著力’一邊與實 施例——樣將焊球B搖入定位開口部221，使在暫時固定 材f的熔點以上的溫度使其發熱的暫時固定膜變質部25a 瞬間地接觸於焊球B，使暫時固定膜F-熔融，暫時固定導 電球B。 4) 、實施例四 說明以上述十二醇當作暫時固定材f使用的例子。 以第27(d)圖所示的塗佈裝置66塗佈暫時固定材f於 基板7的表面，在其熔點以下冷卻形成暫時固定膜F。如 13100pif.doc/008 1285524 果依照此暫時固定材，因其熔點位於室溫的區域，故具有 可較容易進行固化狀態的維持(即維持冷卻）之優點。 然後，與實施例三一樣暫時固定焊球B。 即使在實施例一〜四的任一個中罩幕22在暫時固定膜 F都不會附著於基板7而可卸下。附著於被卸下的罩幕22 或定位開口部221的暫時固定膜F不被確認。暫時固定膜 F也不附著於焊球B，在下一個作業可不洗淨而使用。 【產業上的可利用性】 本發明不限定於在上述說明的，例如在醫藥品或窯業 (陶瓷工業）等的領域中也能利用於搭載微小的或不定形的 粉體或粒體於基板之用途。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上’然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者’在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作些許之更動與潤飾’因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 【圖式簡單說明】 第1圖是與本發明的第一〜第五樣態有關的搭載裝置 的槪念圖。 第2(a)、2(b)圖是第1圖的第一樣-態的搭載裝置的搭 載部的側視圖。 第3(a)〜3(b)圖是顯示在第1圖的第一樣態的搭載裝置 搭載有導電球的基板的構造圖。 第4(a)、4(b)圖是顯示第2(a)、2(b)圖的搭載部的排列 構件的圖。 1 3 1 00pif.doc/〇〇8 52 1285524 第5圖是顯示第4(a)、4(b)圖的排列構件的變化例的 圖。 第6(a)、6(b)圖是顯示第4(a)、4(b)圖以及第5圖的排 列構件的部分擴大剖面圖。 第7(b)〜7(c)圖是顯示第4(a)、4(b)圖的排列構件的其 他變化例的圖。 第8圖是顯示第5圖的排列構件的變化例的圖。 弟9圖是顯示第2(a)、2(b)圖的搭載部的搖入具與排 列構件的斜視圖。 第10(a)〜10(e)圖是顯示第9圖的搖入具的變化例的 圖。 第U圖是顯示第9圖的a-a剖面圖，搖入具的部分擴 大剖面圖。 第丨2圖是顯示第2(a)、2(b)圖的搭載部的搖入具與排 列構件的俯視圖。 第13(a)〜13(d)圖是說明第1圖的第一樣態的搭載裝置 的動作的圖。 第丨4圖是說明第9圖的搖入具的動作的圖。 第丨5圖是說明第1圖的第二樣態-的搭載裝置的搭載 部的側視圖。 第Μ圖是顯示第15圖的搭載部的搖入具以及排列構 件、磁氣產生器的斜視圖。 弟17(a)〜17(f)圖是顯示第15圖的磁氣產生器的變化 例的圖。 l3l°0pif.d〇c/008 53 1285524 第18圖是第1圖的第三樣態的搭載裝置的搭載部的 側視圖。 第19(a)〜19(c)圖是第18圖的夾持具的剖面圖。 第20(a)、20(b)圖是第18圖的夾持具以及基板、罩幕 的擴大側視圖。 第21(a)、21(b)圖是第1圖的第四樣態的搭載裝置的 罩幕以及基板、暫時固定膜的部分擴大剖面圖。 第22(a)、22(b)圖是說明第1圖的第四樣態的搭載裝 置的動作的圖。 第23(a)〜23(c)圖是顯示第22(a)、22(b)圖的暫時固定 膜變質部的變化例的圖。 第24(a)、24(b)圖是顯示第1圖的第五樣態的搭載裝 置的搭載部的圖。 第25(a)、25(b)圖是說明第1圖的第五樣態的搭載裝 置的動作的圖。 第26圖是說明與本發明的第六樣態有關的搭載裝置 的槪念圖。 第27(a)〜27(d)圖是顯示第26圖的搭載裝置的暫時固 定膜形成部的圖。 - 第28(a)〜28(c)圖是說明第26圖的搭載裝置的動作的 圖。 【圖式標示說明】 1、1’、la、lb、lc、Id、le:搭載裝置 2:搭載部 13100pif.doc/008 54 1285524 3:搭載部 4:搭載部 5:搭載部 6、6a、6b、6c、6土暫時固定膜形成部 7:基板 _ 8:磁石 - 21、 31、41:夾持具 22、 22’、22a、22b、28、28’、92:罩幕（排列構件) 23:罩幕水平移動裝置 24:球供給裝置 25、25a、25b、25c:暫時固定膜變質部 26:球除去裝置 27、27’·.搖入具 29:夾持具升降裝置 51:吸附頭(排列構件） 61、64:刮刀 62:罩幕 63:貫通孔 52:容器 - 65:塗佈裝置 66:塗佈裝置 71、 71a、71b:電極 72、 72a、72b:連接凸塊 81、82、83、85、86:永久磁石 13 100pif.doc/008 55 1285524 211、417·.流體通路 211a、211b:開口部 212:插著凹部 221、 221b、221c、281:定位開口部 222、 222a、282:頂面
223、 283:底面 224:突起部 261:抽吸口 271、217’：線狀構件 272:保持構件 281:定位開口部 314、314a、314b、314c、314d、314e、314f、411:磁 氣產生器
412:饋電控制電路 413:靜電力產生器 415:真空抽吸器 416:頂面開口部 511:定位吸附部 711:頂面 - 811、832:邊界 2211、2811:第一推拔孔部 2211a:上側邊緣部 2211b、2811b、2812b:稜線 2211c:上側開口端 13100pif.doc/008 56 1285524 2211d:下側開口端 2212、2213:圓柱孔部 2811d、2812d:下側開口端 2812:第二推拔孔部 2812a:下側邊緣部 2812c:上部開口端 2811c·.上側開口端 B:焊球、導電球 f:暫時固定材 F:暫時固定膜 13 1 00pif.doc/008 57

Claims (1)

  1. !285524 拾、申請專利範圍： 1、 一種搭載方法，係以預定的一圖案把具有導電性 的球搭載於被排列體的一面，該搭載方法包括： 一第一步驟，將一排列構件在面向該被排列體之該面 的狀態下進行對準，其中該排列構件具備有一邊的面及另 邊的面以及一定位開口部，且該另邊的面是面向於該被排 列體之該面，且該定位開口部是對應該圖案而配置，並在 該一邊的面以及該另邊的面開口而可插通該球；以及 一第二步驟，將一搖入具面向該排列構件之該邊的面 呈相對水平移動，並透過該定位開口部，把該球載置於該 被排列體之該面上，其中該搖入具具備在使軸心大致一致 的狀態下配設的兩條以上的線狀構件，且配設成該線狀構 件是以略水平的姿勢對供給到該排列構件的該邊的面之該 球呈可接觸的狀態。 2、 如申請專利範圍第1項所述之搭載方法，其中在 該第二步驟中一邊對接該搖入具的線狀構件是接觸於該排 列構件的該邊的面，同時水平移動該搖入具。 3、 如申請專利範圍第1項所述之搭載方法，其中在 該第一步驟中是一邊把該線狀構件按壓至該排列構件的該 邊的面，並一邊水平移動該搖入具。 4、 如申請專利範圍第1項所述之搭載方法，其中在 該第一步驟之後包括一抽吸步驟，把該排列構件朝向該被 排列體的該面側抽吸。 5、 如申請專利範圍第1項所述之搭載方法，其中在 1 3 1 00pif.doc/008 58 1285524 該被排列體的該面形成有黏著力低的暫時固定膜，且更包 括一第二步驟： 在該第二步驟之後提高暫時固定膜的黏著力。 6、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 暫時固定膜含有助銲劑成份。 7、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中在 該第三步驟中提高該球所接觸的區域附近的該暫時固定膜 的黏著力。 8、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中在 該第三步驟中加熱載置於該被排列體的球。 9、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中在 該第二步驟中預先加熱該球。 10、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 黏著力低的暫時固定膜係由黏著力高的材料固化而成者。 11、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 黏著力低的暫時固定膜係由黏著力高的材料加熱固化而成 者。 12、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 黏著力低的暫時固定膜係由熔點未達該球的熔點之黏著力 局的材料加熱固化而成者。 13、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 黏著力低的暫時固定膜係由沸點未達該球的熔點，且熔點 未達該球的熔點之黏著力高的材料加熱固化而成者。 14、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 13100pif.doc/008 59 1285524 黏著力低的暫時固定膜係由黏著力高的材料冷卻固化而成 者。 15、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 黏著力低的暫時固定膜係由熔點爲-100°C以上的黏著力高 的材料冷卻固化而成者。· 16、 如申請專利範圍第5項所述之搭載方法，其中該 黏著力低的暫時固定膜係由沸點未達該球的熔點，且熔點 爲-100°C以上的黏著力高的材料冷卻固化而成者。 17、 如申請專利範圍第1項所述之搭載方法，其中在 該第一步驟之前更包括在該被排列體的該面形成黏著力低 的暫時固定膜的步驟；以及 在該第二步驟之後更包括提高該暫時固定膜的黏著力 之第三步驟。 18、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 該暫時固定膜含有助銲劑成份。 19、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在該第三步驟中提高該球所接觸的區域附近的該暫時固定 膜的黏著力。 20、 如申請專利範圍第Π項所述之搭載方法，其中 在該第三步驟中加熱載置於該被排列體的球。 21、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在該第二步驟中預先加熱該球。 22、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，固化配置於該 13100pif.doc/008 60 1285524 被排列體的該面之黏著力高的材料。 23、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，加熱而固化配 置於該被排列體的該面之黏著力高的材料。 24、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，加熱而固化配 置於該被排列體的該面之熔點未達該球的熔點之黏著力高 的材料。 25、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，加熱而固化配 置於該被排列體的該面之沸點未達該球的熔點，且熔點未 達該球的熔點之黏著力高的材料。 26、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，冷卻而固化配 置於該被排列體的該面之黏著力高的材料。 27、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，冷卻而固化配 置於該被排列體的該面之熔點爲-l〇〇°C以上的黏著力高的 材料。 _ 28、 如申請專利範圍第17項所述之搭載方法，其中 在形成該黏著力低的暫時固定膜的步驟中，冷卻而固化配 置於該被排列體的該面之沸點未達該球的熔點，且熔點爲 -lOOt以上的黏著力高的材料。 29、 一種搭載裝置，係以預定的一圖案把具有導電性 13100pif.doc/008 6 1 1285524 的球搭載於被排列體的一面’該搭載裝置包括： 一排列構件，具備有一邊的面以及相對於該一邊的面 之另邊的面，以及一定位開口部’對應該圖案而配置，且 在該一邊的面以及該另邊的面開口而可插通該球；以及 一搖入具，具備在使軸心大致一致的狀態下配設的兩 條以上的線狀構件，其中 至少在搭載該球時， 該排列構件被定位成該排列構件的另邊的面面對該被 排列體的該面之狀態，且 該搖入具被配設成該線狀構件是以略水平的姿勢對供 給到該排列構件的該邊的面之該球呈可接觸的狀態，以對 該排列構件的該邊的面相對地被水平移動。 30、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，其中 該線狀構件的軸心係對該搖入具的移動方向呈45〜135度 的角度交叉。 31、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，其中 該線狀構件具有柔軟性。 32、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，其中 該線狀構件具有彈性，且 - 該線狀構件被定位成被該球排列用之該排列構件的該 邊的面按壓的狀態。 33、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，包括 相對於該被排列體而配設的一磁氣產生器，且 該線狀構件的至少相對該磁氣產生器的部位具有軟磁 13100pif.doc/008 62 1285524 性。 34、 如申請專利範圍第33項所述之搭載裝置，包括 相對於該被排列體配設的一磁氣產生器，且 該磁氣產生器具有複數個磁區，且 該磁區的接鄰的彼此被配置成不同的極性，且 該線狀構件的至少相對該磁氣產生器的部位具有軟磁 性。 35、 如申請專利範圍第33項所述之搭載裝置，包括 相對於該被排列體配設的一磁氣產生器，且 該磁氣產生器具有複數個磁區，且 該磁區的接鄰的彼此被配置成不同的極性，且 該磁區被配置成一列，且 該線狀構件的至少相對該磁氣產生器的部位具有軟磁 性。 36、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，其中 當該排列構件的該另邊的面面對該被排列體的該面而對準 時，該排列構件之厚度，即由該被排列體的該面到該排列 構件該邊的面的距離t，對該球的直徑d爲0.8‘t/d$ 1.4， 且 - 該定位開口部具有由該邊的面朝該另邊的面的方向擴 大之一第一推拔孔部，該第一推拔孔部中的該邊的面側的 邊緣部稜線係由載置於該被排列體的該面的該球的中心朝 該邊的面側偏位。 37、 如申請專利範圍第36項所述之搭載裝置，其中 13100pif.doc/008 63 1285524 該第一推拔孔部爲略圓錐梯形狀。 38、 如申請專利範圍第36項所述之搭載裝置，其中 該第一推拔孔部爲略圓錐梯形狀，且 該第一推拔孔部中的該邊的面側的開口直徑爲1.2d以 上1.4d以下，且 該第一推拔孔部中的該另邊的面側的開口直徑爲（搭 載容許範圍値+d)以下。 39、 如申請專利範圍第36項所述之搭載裝置，其中 該定位開口部具有一第二推拔孔部，與該第一推拔孔部同 軸地形成於該排列構件的該邊的面側，由該另邊的面朝該 邊的面的方向擴大。 40、 如申請專利範圍第36項所述之搭載裝置，其中 該定位開口部具有一第二推拔孔部，與該第一推拔孔部同 軸地形成於該排列構件的該邊的面側，由該另邊的面朝該 邊的面的方向擴大，且 該第一推拔孔部以及該第二推拔孔部爲略圓錐梯形 狀。 41、 如申請專利範圍第36項所述之搭載裝置，其中 該定位開口部具有一第二推拔孔部，與該第一推拔孔部同 軸地形成於該排列構件的一邊的面側，且 該第一推拔孔部以及該第二推拔孔部爲略圓錐梯形 狀，且 該第二推拔孔部中的該邊的面側的開口直徑爲1.2d以 上；L4d以下，且 13100pif.doc/008 64 1285524 該第一推拔孔部中的該另邊的面側的開口直徑爲（搭 載容許範圍値+d)以下。 42、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，包括 一抽吸部，當該排列構件的該另邊的面對準於該被排列體 的該面之狀態下，該抽吸部是配設成隔著該被排列體而相 對於該排列構件，並抽吸該排列構件。 43、 如申請專利範圍第42項所述之搭載裝置，其中 該抽吸部爲磁器產生器，且 該排列構件具有軟磁性部。 44、 如申請專利範圍第42項所述之搭載裝置，其中 該抽吸部爲靜電力產生器。 45、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，其中 該被排列體具有形成於該面的黏著力低的一暫時固定膜， 且該搭載裝置具有一暫時固定膜變質部，以提高該暫時固 定膜的黏著力。 46、 如申請專利範圍第29項所述之搭載裝置，更包 括： 一暫時固定膜形成部，把黏著力低的一暫時固定膜形 成於該被排列體的該面；以及 - 一暫時固定膜變質部，以提高該暫時固定膜的黏著 力。 13100pif.doc/008 65
TW093103886A 2003-03-10 2004-02-18 Method and apparatus for carrying electric conductive ball TWI285524B (en)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003063058 2003-03-10
JP2003106519A JP3994389B2 (ja) 2003-04-10 2003-04-10 導電性ボールの搭載装置及び搭載方法
JP2003117077A JP4006699B2 (ja) 2003-04-22 2003-04-22 微小ボール搭載用マスクおよび微小ボールの搭載方法
JP2003157078 2003-06-02
JP2003177098A JP4389197B2 (ja) 2003-06-20 2003-06-20 導電性ボールの搭載方法
JP2003311766 2003-09-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200421957A TW200421957A (en) 2004-10-16
TWI285524B true TWI285524B (en) 2007-08-11

Family

ID=32996608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093103886A TWI285524B (en) 2003-03-10 2004-02-18 Method and apparatus for carrying electric conductive ball

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7431792B2 (zh)
EP (1) EP1603374A4 (zh)
KR (1) KR100983253B1 (zh)
TW (1) TWI285524B (zh)
WO (1) WO2004082346A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI384609B (zh) * 2008-06-10 2013-02-01 Advanced Semiconductor Eng 適用於元件堆疊裝配結構之半導體封裝件及其製造方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7819301B2 (en) * 1997-05-27 2010-10-26 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
US7842599B2 (en) * 1997-05-27 2010-11-30 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
KR20070050007A (ko) * 2004-06-18 2007-05-14 인테그레이티드 디바이스 테크놀로지, 인코포레이티드 솔더 볼 테스팅을 구비한 자동화된 볼 마운팅 방법 및시스템
US7392924B2 (en) * 2004-06-18 2008-07-01 Integrated Device Technology, Inc. Automated ball mounting process and system with solder ball testing
JP2008153324A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Texas Instr Japan Ltd マイクロボール搭載方法および搭載装置
JP4271241B2 (ja) * 2007-02-05 2009-06-03 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 マイクロボール搭載装置
JP4282724B2 (ja) * 2007-02-20 2009-06-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 マイクロボールマウンタ用の振込みマスク
JP4393538B2 (ja) * 2007-07-25 2010-01-06 新光電気工業株式会社 磁性はんだボールの配列装置および配列方法
GB0716716D0 (en) * 2007-08-29 2007-10-10 Cambridge Silicon Radio Ltd Chip mounting
JP5307371B2 (ja) * 2007-08-30 2013-10-02 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 自動供給装置及び自動供給方法
JP4828595B2 (ja) * 2007-12-19 2011-11-30 新光電気工業株式会社 導電性ボール除去方法及び導電性ボール除去装置
JP4943312B2 (ja) * 2007-12-19 2012-05-30 新光電気工業株式会社 導電性ボールの搭載方法及び余剰ボール除去装置
US7780063B2 (en) * 2008-05-15 2010-08-24 International Business Machines Corporation Techniques for arranging solder balls and forming bumps
EP2157841A4 (en) 2008-05-30 2011-11-02 Ibiden Co Ltd MOUNTING DEVICE FOR A SOLDERING BALL
JP2010021445A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Nippon Steel Materials Co Ltd 微細ボール除去方法及び除去装置、並びに微細ボール一括搭載方法及び一括搭載装置
TW201025467A (en) * 2008-12-25 2010-07-01 United Test Ct Inc Ball implantation method and ball implantation system applying the method
JP5750935B2 (ja) 2011-02-24 2015-07-22 富士ゼロックス株式会社 情報処理システム、情報処理装置、サーバ装置およびプログラム
US8523046B1 (en) * 2012-10-18 2013-09-03 International Business Machines Corporation Forming an array of metal balls or shapes on a substrate
KR102100867B1 (ko) * 2013-06-26 2020-04-14 삼성전자주식회사 솔더 볼 탑재 장치
CN204221161U (zh) * 2014-07-15 2015-03-25 派克泰克封装技术有限公司 焊球进给装置和输送***
US11350526B2 (en) * 2019-09-27 2022-05-31 Ge Aviation Systems, Llc Reversible electronic card and method of implementation thereof

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665856A (en) * 1970-02-24 1972-05-30 Heller William C Jun Printing method using electric through-field to indelibly lodge particles
US4441228A (en) * 1982-11-12 1984-04-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Dust mop
AT389676B (de) * 1983-10-06 1990-01-10 Johannes Zimmer Rakelvorrichtung mit einer vorzugsweise magnetisch angepressten rakelrolle
JPH02244696A (ja) * 1989-03-16 1990-09-28 Fujitsu Ltd はんだ供給方法
JPH03241756A (ja) * 1990-02-20 1991-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の実装装置および実装方法
US5261593A (en) * 1992-08-19 1993-11-16 Sheldahl, Inc. Direct application of unpackaged integrated circuit to flexible printed circuit
JPH07156363A (ja) 1993-12-02 1995-06-20 Toshiba Corp 印刷装置および印刷方法および印刷マスク
JPH0852856A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Kengo Hiruta スクリーン印刷装置
JPH08236916A (ja) 1995-03-01 1996-09-13 Fujitsu Ltd 半田ボール搭載方法及び装置
JPH09148332A (ja) * 1995-11-16 1997-06-06 Ricoh Co Ltd 微小粒子配列装置
JPH09162533A (ja) 1995-12-04 1997-06-20 Sony Corp はんだ供給装置
KR100268632B1 (ko) * 1996-03-08 2000-10-16 야마구치 다케시 범프형성방법 및 장치
JPH09293753A (ja) 1996-04-24 1997-11-11 Canon Inc 電気回路部品及び電気回路部品の製造方法及び導電ボール及び導電接続部材及び導電接続部材の製造方法
JPH10126046A (ja) 1996-10-18 1998-05-15 Oki Electric Ind Co Ltd ボール・グリッド・アレイの製造装置
JPH10163612A (ja) * 1996-11-26 1998-06-19 Matsushita Electric Works Ltd 球状材料のセット方法、及びその装置
JPH11243274A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Senju Metal Ind Co Ltd はんだバンプの形成方法およびはんだバンプ形成用マスク
JP3430910B2 (ja) * 1998-03-20 2003-07-28 松下電器産業株式会社 半田バンプ形成用のクリーム半田印刷装置および半田バンプ形成方法
SG74729A1 (en) * 1998-05-29 2000-08-22 Hitachi Ltd Method of forming bumps
JP3779490B2 (ja) 1998-05-29 2006-05-31 株式会社ルネサステクノロジ バンプ形成方法
US6523736B1 (en) * 1998-12-11 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for forming solder balls
JP4521080B2 (ja) 1999-10-21 2010-08-11 太陽インキ製造株式会社 焼成物パターンの形成方法
JP2001267731A (ja) 2000-01-13 2001-09-28 Hitachi Ltd バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法
SG99331A1 (en) * 2000-01-13 2003-10-27 Hitachi Ltd Method of producing electronic part with bumps and method of producing elctronic part
JP3644338B2 (ja) 2000-02-08 2005-04-27 松下電器産業株式会社 導電性ボールの搭載装置
JP3962197B2 (ja) 2000-03-01 2007-08-22 株式会社日立製作所 バンプ形成システム
JP2001345546A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Ando Electric Co Ltd 微細ボール搭載装置及び搭載方法
JP4130526B2 (ja) 2000-11-10 2008-08-06 株式会社日立製作所 バンプ形成方法およびその装置
JP4232861B2 (ja) 2000-11-30 2009-03-04 日立ビアメカニクス株式会社 はんだボールの搭載方法
US6766938B2 (en) * 2002-01-08 2004-07-27 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus and method of placing solder balls onto a substrate
US6854633B1 (en) * 2002-02-05 2005-02-15 Micron Technology, Inc. System with polymer masking flux for fabricating external contacts on semiconductor components

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI384609B (zh) * 2008-06-10 2013-02-01 Advanced Semiconductor Eng 適用於元件堆疊裝配結構之半導體封裝件及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060086777A1 (en) 2006-04-27
KR100983253B1 (ko) 2010-09-20
US7431792B2 (en) 2008-10-07
EP1603374A1 (en) 2005-12-07
US7614541B2 (en) 2009-11-10
US20090014502A1 (en) 2009-01-15
TW200421957A (en) 2004-10-16
EP1603374A4 (en) 2009-05-06
KR20050107609A (ko) 2005-11-14
WO2004082346A1 (ja) 2004-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI285524B (en) Method and apparatus for carrying electric conductive ball
TWI325293B (en) Production method of solder circuit board
JP3770496B2 (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP2008060438A (ja) 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JPH09232742A (ja) 電子回路装置の製造方法
US7644856B2 (en) Solder ball mounting method and solder ball mounting apparatus
JP4356077B2 (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP4478954B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置
JP4457354B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置及び導電性ボールの搭載装置に組み込まれる整列部材
JP3540901B2 (ja) 電極へのフラックス転写方法及びバンプの製造方法
JP5177694B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置
JP4092707B2 (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP4341036B2 (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP2006140510A (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP4505783B2 (ja) 半田バンプの製造方法及び製造装置
CN100477888C (zh) 导电性球体的搭载方法及搭载装置
JP3395609B2 (ja) 半田バンプ形成方法
JP4517343B2 (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP2004119999A (ja) フラックス転写装置及び微細金属バンプの製造装置
JP2002368044A (ja) はんだボール付電子部品の組立方法及び電子部品
JPH11214569A (ja) バンプ形成方法および装置
JP2010166067A (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP2004303873A (ja) 半導体素子、配線基板及び電子部品用パッケージ
JP2009111263A (ja) 電子部品のリワーク方法
JP2010177381A (ja) 突起電極の形成方法及び形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees