TWI281767B - Semiconductor laser - Google Patents

Description

1281767 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 触切明係有關於使用於光以統或者光通信等的半導 ^田射，特別是關於脊部構造型的離散及單片型半導 射0 【先别技術】 射包括，以等效折射率 ，並且以等效折射率較

雙通道型脊部構造的半導體雷 較脊部還小的通道部（溝）夾住脊部 通道部還大的薄層夾住通道部。 其次，習知雙通道型脊部構造的半導體雷射之脊部側 故的溝部為寬纟1G”的構造，此溝部是藉由乾钱刻及澄 韻刻去除半導體膜以形成。 /由具有上述構造的半導體雷射發射的雷射光的遠場圖 fleldpattern)為橢圓形’於活性層的垂直方向的 通場圖形的廣度大，於活性層的水平方向的遠場圖形的廣 【發明内容】 習知雙通道型脊部構造的半導體雷射之水+方向的、袁 場圖形的強度中心及形狀會隨著光輪出的變化而產生： 動，並且具有無法得到安定的產率的問題。 艾

本發明的目在於提供一種半導體雷射，水平方向的遠 場圖形的強度中心不會隨著光輸出的變化而產生變動，I 2108-7461-PF 5 '1281767 # 且發射形狀安定的雷射光。 申請專利範圍第丨項之半導體雷射，係以等效折射率 車乂脊4還小的通道部夾住脊部，並且以等效折射率較該通 逼部還大的薄層夾住通道部而形成的雙通道型脊部構造的 半導體雷射， 其特徵在於： 上述通道部的寬度係由下列式子決定： E = Acos(ux) (χ^ T/2) …⑴ 鲁 E=Acos(uT/2)exp(-w(|x|-T/2) (χ^ Τ/2)…（2) u2 + w2=(ni2-n22)(2；r /λ )2T2 ··· (3) w=u · tan(u) ... (4) 其中，E為電場； A為既定的係數； X為從上述脊部的中心的距離； T為上述脊部的寬度； nl為上述脊部的等效折射率； φ n2為上述通道部的等效折射率； λ為上述半導體雷射的發射波長；

Wc為上述通道的寬度； , 而式子（1)至（4)算出的x = 〇之電場E1與x=T/2+fc的 電場E2的比例E2/E1滿足下列關係： 0·000 1 $ E2/E1$ 〇· 〇1 …（5)。 申請專利範圍第5項之半導體雷射，係以等效折射率 車乂脊邛還小的通道部夾住脊部的脊部構造半導體雷射，i

2108-7461-PF 6 '1281767

特徵在於··在上述眷部 ' "丨.肢兩側，從脊部的端部隔著既定間 距配置用來吸收雷射光的雷射光 申明專利1&圍第1 4項之半導體雷射，係以等效折射率 較^還小的通道部夾住脊部，並且以等效折射率較該通 Ή大的薄層夾住通道冑而形成的雙通道型脊部構造的 半V版田射’其中上述發射波長為以上、7〇〇ηπι以 下的範圍並且上述雙通道型脊部構造的通道部的寬度為 較5 //m寬、較10 窄的範圍。 〆申明專利範圍第丨5項之半導體雷射，係以等效折射率 較脊部退小的通道部夾住脊部，並且以等效折射率較該通 逗邛遂大的薄層夾住通道部而形成的雙通道型脊部構造的 半$體雷射’其中上述發射波長為701 nm以上、900nm以 下的範圍’並且上述雙通道型脊部構造的通道部的寬度為 較5 A m寬、較1 〇 # ^窄的範圍。 申請專利範圍第1 6項之半導體雷射，係以等效折射率 車乂脊。卩還小的通道部夾住脊部，並且以等效折射率較該通 道σ卩還大的薄層夾住通道部而形成的雙通道型脊部構造的 半導體雷射’其中上述發射波長為330nm以上、6 0 0nm以 下的範圍’並且上述雙通道型脊部構造的通道部的寬度為 〇.7//m以上、5_〇 am以下的範圍。 [發明的效果] 根據申請專利範圍第1項的發明，可決定通道部的寬 度’使得式子（5)成立。其次，通道部的外側存在具有等效 折射率較該通道部還大的薄層。因此，在式子（5 )成立的狀 2108-7461-PF 7 '1281767 ' · 悲，’藉"由为佈於通道部外側之光的半導體的吸收，水平方 向的遠場圖形的強度中心不會隨著光輸出的變化而變動， 並且可得到形狀安定的雷射光。 根據申請專利範圍第5項的發明，從脊部的端部隔著 既定間距配置用雷射光吸收區域。因此，藉由分佈於通道 部外側之雷射光吸收區域的吸收，水平方向的遠場圖形的 強度中心不會隨著光輸出的變化而變動，並且可得到形狀 安定的雷射光。 修 根據申請專利範圍第14項的發明，發射波長為601nm 以上、70〇nm以下的範圍的半導體雷射，藉由分佈於通道 部外側之光的半導體的吸收，水平方向的遠場圖形的強度 中〜不會隨著光輸出的變化而變動，並且可得到形狀安定 的雷射光。 根據申睛專利範圍第1 5項的發明，發射波長為7 〇 1 nm 以上、90〇nm以下的範圍的半導體雷射，藉由分佈於通道 。卩外側之光的半導體的吸收，水平方向的遠場圖形的強度 _中〜不會隨著光輸出的變化而變動，並且可得到形狀安定 的雷射光。 根據申請專利範圍第16項的發明，發射波長為33〇nm - 以上、⑽〇nm以下的範圍的半導體雷射，藉由分佈於通道 邛外侧之光的半導體的吸收，水平方向的遠場圖形的強度 中心不會隨著光輸出的變化而變動，並且可得到形狀安定 的雷射光。

2108-7461-PF 8 β 1281767

、.，【實施方式.J 〈實施例ι> 第1圖顯示本實施例之具發射波長於大於6〇lnffl，以 及小於70-範圍内的半導體雷射13構造的立體圖。第2 圖為第1圖的A-A線剖面圖。 本實施例的半導體雷射為以2個溝(通道)部15夾住脊 部6而形成的雙通道型脊部構造的半導體雷射。

在第1圖中，η型(n-)GaAs基板J的上方形成有 n-AlGalnP下包覆層2。n-A1GaInP下包覆層2的上方，形 成有具GalnP井層、AlGalnP之障壁層的多重量子井構造 的活性層3(以下稱為MQW活性層）。 在活性層3的上方，依序形成有p M(p-)A1GaInp第i 上包覆層4、蝕刻停止層5。蝕刻停止層5的上方形成有線 狀脊部6。而且，隔著2個形成於脊部6的兩側的溝部15， 形成有沿著脊部6為線狀的p-AlGalnP第2上包覆層7。 並且’脊部6以及p —A1 Gal nP第2上包覆層7的上方， 形成p-GaAs接觸層8，且其上部形成有絕緣膜9。絕緣膜 9的上方形成有由金屬薄膜與金電鍍所構成的P電極1〇。 接著’使得脊部6上的絕緣膜9被開口，p電極10與p—GaAs 接觸層8電性連接著。 半導體雷射13的端面附近，設置有窗形區域11。接 著，n-GaAs基板1的内面形成有n電極12。再者，以14 表示雷射光。 在上述的例子中，AlGalnP 的組成

2108-7461-PF 9 ^1281767 αΐχ(^-χ)〇·5ΙηΟ·5Ρ 精確地表示。並且，n-AlGalnP 下包 覆層2的組成比χ為〇· 5〜〇. 7、p_A1GaInP第1上包覆層4 的組成比X為〇· 5〜〇· 7，而p —AlGalnP第2上包覆層7的 組成比X為0.5〜〇.7。 各層的厚度為，n-AlGalnP下包覆層2為1. 5〜4/z m、 p — A1GaInP 第 1 上包覆層 4 為 〇· 1 〜1 // m、p-AlGalnP 第 2 上包覆層7為〇·5〜2//m。並且，各層的載子濃度為， n —A1GaInP 下包覆層 2 為 0· 3〜2. 0xl018cnf3、p-AlGalnP 第 1上包覆層4為〇·3〜2· 0xl〇i8cnf3、p_A1GaInp第2上包覆 層 7 為 0. 3〜2. 〇xi〇18cm-3。 接著’說明本實施例的半導體雷射的製造方法。首先， 利用MOCVD法等的結晶成長法，於n_GaAs基板i上方，依 序形成n—A1GaInP下包覆層2、MQW活性層3、p-AlGalnP 第1上包覆層4、蝕刻停止層5、p —A1GaInp第2上包覆層 7以及p-GaAs接觸層8。

、其次，藉由於端面附近擴散鋅（Zn)等以無秩序化MQW 活性層3，形成窗形„ u。接著，以光阻或者絕緣層作 為罩幕，乾然後以硫酸或者鹽酸作為㈣液，選擇 性地钱刻P — AlGalnP第2上魚麗@7二人/ 匕覆層7，而形成脊部6鱼溝 部15。此時，藉由使用硫酸 ” 卞日J週田的Ί虫刻液，钱刻自勤 地停止於蝕刻停止層5 。 接下來全面地形成氮化 於脊部6上方形成開口部， 所構成的P電極1 〇。 膜等的絕緣膜9，藉由微影而 然後形成由金屬薄膜與金電鍍

2108-7461-PF 10 1281767 第3圖為對應第2圖構成的概略圖，顯示此構造之中， 折射率分佈與電場分佈。第3圖的上段的_ 2圖所示 構造的概略圖。並且’下段的圖顯示，對應上段的概略圖 表不折射率分佈與電場分佈。 在此，橫軸X為至脊部6中心的距離。並且，⑴為脊 部6的等效折射率，n2為溝15的等效折射率。再者，丁為 脊部6的寬度，Wc為溝部} 5的寬度。 由第3圖所不之作為沒有損失折射率的3層導波路的 類似情況…般而言’基本模式的電場分佈⑻，以下列式 子（1)、（2)給定（蒼考末松安暗總基「 个文日肖編者「半導體雷射與光積體 電路」，Ohmsha 公司，3·2 章，ρ54_55 )。 、 E = Acos(ux) (x^ T/2) (1) E=Acos(uT/2)exp(-w(|xhT/2) (χ^τ/2)…⑵ 其中，是以下列式子（3)、⑷所定義。 u2+w2=(ni2-n22 )( 2 7τ / λ )2T2 (3) w=u · tan(u) …（4) 再者，A為既定的係數’ λ為雷射光的波長。 本實施例的半導體雷射，係在雙通道型脊部構造的半 導體雷射中，適用於近似|指生从π η # …、搞失的3層導波路的情況下得 到。利用脊部6的中央的電場的 琢的大小（E1)，與距離脊部6 的中心T/2 + Wc的溝部15的嫂 的碥部的電場的大小（E2)使滿足 下列式子（5 )，而設定構造參數。 0· 000 1 $ E2/E1S0. 01 …（5) 弟4圖’顯不式子（5)所矛益问n 、乾圍的電場比例成立之距離 2108-7461-PF 11 1281767 脊部6中央的距離χ的計 从法、 开、、、Q果。在E2/E1滿足式子 的情況，水平方向的遠場圖 Λ, ^ ^ ^ ^ 形的強度中心不會隨著光輸出 的、交化而產生變動，並且 ^ ^ ^到形狀安定的雷射光。再 者’弟4圖中的Λη表示—的值。 βηι 式子（5)，且具發射波長大於 b U1 nm、小於7 〇 〇 nm的半導辦帝η ^ . 千V體每射，、溝部15的寬度Wc最好 :、、5/z ni<Wc<l〇/z m ’ 較佳為 4. ⑴，而最佳 為在4.7㈣範圍。發射波長大於7〇1_、小 於9°〇nm的半導體雷射，最好為5#m<Wc<l〇"m，較佳為 5.2/zm^Wc^9.8/zni〇 , 330nm> 6〇〇ηΐΠ的半導體雷射，最好為較佳 為1.7私11^^5.〇//111，而最佳為在2.2以11^¥^4.2口 範圍。 發射波長大於601 nm、小於7〇 〇nm，且溝部15的寬度 Wc為7//πι的半導體雷射中，水平方向的遠場圖形（FFpx) 的杈擬計异結果如第5圖所示。並且，實際地製作的半導 _體雷射的水平方向的遠場圖形的例子如帛6圖所示。再 者，發射波長大於601 nm、小於7〇 〇nm，且溝部15的寬度

Wc為1 〇 // m之習知技術的半導體雷射的遠場圖形的例子如 第7圖所示。 利用第5圖至第7圖可得知，以設計溝部15的寬度在 本實施例中顯示的範圍内，水平方向的遠場圖形的形狀， 比起習知技術有明顯的改善，並且遠場圖形的中心非常地 安定。

2108-7461-PF 12 1281767 猎由以上却日日 ϊ ^ 雕φ )而°又疋’籌部1 5的寬度。並且，利用本實施例的半導 射又通逼型脊部構造的半導體雷射，在溝部丨5的外 側’具有比溝部1 r AA/^ P 15的荨效折射率大的等效折射率的層存 在° 因此* ，於式、了 γ「、、上 “ 、 （5)成立的狀態，藉由分佈於溝部15外 1 半導體的吸收’水平方向的遠場圖形的強度中心 不曰縫著光輪出的變化而產生變動，並且能夠得到形狀安 定的雷射光。 由於刀佈於溝部1 5外側的光的吸收量變少，其 他的雷射特性不會變差。 " 再2本貝轭例顯示關於發射波長大於601nm、小於 體：:』！！半導體雷射，然而即使其他發射波長的半導 := )也可以，再者，脊部6以及溝部Η的 又限疋，垂直形狀或者傾斜形狀的任一者皆可。 導體的MU樣的情況，藉由分佈於溝部15外側之光的半 =的吸收，水平方向的遠場圖形的強度中心不會隨著光 輸出的變化而產生變動，处热巧^ J思者先 座玍文動，此夠得到形狀安定的雷射 <實施例2> "丄δ圖為本實施例的半導體雷射的剖面立體圖中 知例的半導體雷射，具有大於6(Hnm、 - 的發射波#，盥筮1固 一 ' 70〇nm執圍内 、〃、弟1圖所示的半導體雷射不同，為不且女

雙:道脊部構造的半導體雷射。與第2圖〜第2圖二具的有 〜相Η的符號代表相同或者相當部分。再者，在第S

2108-7461-PF 13 1281767 圖中，P電極10等 省略其構成。 與本實施例的說明和關係不大，因而 本實施例的半導體雷射， 於5/ΖΠ1、小於1〇//m的間距d 的非晶矽層。 隔著由脊部6端開始長度大 配置作為雷射光吸收區域1 6 藉由非晶梦吸收分佈 著光輸出變化之水平方向 對於光輸出變化，能夠製 的元件。 於雷射光吸收區域的光，使得隨 的放射光束形狀安定化，並且相 作水平方向的光束中心沒有變動 Ί苑例3> 弟9圖為本實施例的半導體雷射的剖面立體圖。本徐 ^例的半導體雷射，具有大於601nm、小於70〇nm範圍的 土射波長’與帛！圖所示的半導體雷射不同，為不具雙通 迢脊部構造的半導體雷射。 又 在脊部6的兩側，隔著大於一、小於1〇“的間距 、’配置有作為雷射光吸收區域16的質子(離子)注 域 貝子〆主入區域，由於為非j；苗兴卩衫 ϋ〇 區域的功能。 為非域，而有雷射光吸收 …因此’藉由吸收分佈於雷射光吸收區域的光 者光輸出變化之水平方向的放射光束形狀安定化，並且： 對光輸出變化’能夠製作水平方向的光束中心沒有變動的 〈實施例4 > 第10圖為本實施例的半導體雷射的剖面立體圖。本實

2108-7461-PF 14 .1281767 '施例的半導體雷射，具有大於601nm、小於7〇〇nm範圍的 發射波長，與第i圖所示的半導體雷射不同，為不具雙通 道脊部構造的半導體雷射。 本實施例的半導體雷射，藉由鋅㈤㈣ixi()i8em.3 以上的高濃度不純物區域作為雷射光吸收區域16，隔著於 脊6端兩側大於5//m、小於1〇//m的間距^皮配置。 因此，藉由以高濃度不純物區域的自由載子吸收分佈 於雷射光吸收區域的光，使得隨著光輸出變化之水平方向 鲁的放射光束形狀安定化，並且相對於光輸出變化，能夠製 作水平方向的光束中心沒有變動的元件。 〈實施例5> 本實施例的半導體雷射，為在具有類似實施例2至實 施例4的構造的大於701nm、小於__範圍的發射波長 之半導體雷射中，隔著於脊部6端部的兩側大於、小 於10/Z m的間距d，配置雷射光吸收區域16。 藉由配置上述的雷射光吸收區域16，即使具有大於 • 701關、小於则⑽範圍的發射波長之半導體雷射，也使得 隨著光輸出變化之水平方向的放射光束形狀安定化，並且 相對於光輸出變化，能夠製作水平方向的光束中心沒有變 動的元件。 〈實施例6> 本實施例的半導體雷射，為在具有類似實施例2至實 施例4的構造的大於330nm、小於60 0nm範圍的發射波長 之半導體雷射t，隔著於脊部6端大於〇:7//m、小於5.〇#m

2108-7461-PF 15 1281767 的間距d，配置雷射光吸收區域16。 再者’本實施例的半導體雷射’分別由…士的基 二:二型他1nP的下包覆層…N多重量子井層之 的第^1型A1XGahN的第1包覆層、AlyGaWN 上包覆層以及p型GaN的接觸層所構成。 藉由配置上述的雷射朵吸你f ^ 3οΠη J田耵九及收£域，即使具有大於 瓜、小於_範圍的發射波長之半導體雷射，也使得 Γ對^輪出變化之水平方向的放射光束形狀安定化，並且 二於光輪出變化’能夠製作水平方向的光束中 勁的元件。 又 〈實施例7> 本實施例的半導體雷射，在實施例2至實施例6的每 、固半V體雷射之中，作為窗形區域u(參考第}圖）等的 雷射光吸收區域16只形成於晶片端面部。 本此結果，可以降低用來形成雷射光吸收區域16的成 <實施例8> 第11圖為本實施例的半導體雷射的剖面立體圖。具有 大於601nm、小於7〇〇nm範圍的發射波長，舆第^圖所示 相同為具雙通道脊部構造的半導體雷射。 與第1圖〜第2圖之相同符號的物體，為相同或者相卷 部分。相對於溝部15的寬度Wc大於10#m的脊部構造= 半導體雷射，隔著由脊部6端開始長度大於、小於 1 〇 A m的間距d配置作為雷射光吸收區域16的非晶矽層。' 2108-7461-PF 16 U81767 口此，藉由吸收分佈於雷射光 隨著弁於山傲儿 1 6的光，使得 相斟/ 平方向的放射光束形狀安定化，並且 子於光輸出變化，能夠製作水 動的元件。 ^们先束中心沒有變 〈貫施例9 > 弟12圖為本實施例的半導體雷射的剖面立體圖。具有 相同於7GGnm範圍的發射波長，與第i圖所示 δ為具雙通道脊部構造的半導體雷射。 相對於溝部15的寬度WcA於脊部構造的半 ¥體雷射，在脊部6的兩側，隔著大於5" ^ ιη I同有人y、b V m、小於10 /z m /曰距d，配置有作為雷射光吸收區域i6的質子注入區 由於質子注入區域變成非增益區域，而有雷射光吸收 區域的功能。 因此，藉由吸收分佈於雷射光吸收區域丨6的光，使得 隨著光輸出變化之水平方向的放射光束形狀安定化，並且 相對光輸出變彳匕，能夠製作水平方向的光束中心、沒有變動 的元件。 〈實施例1 〇 > 第13圖為本實施例的半導體雷射的剖面立體圖。具有 大於601nm、小於7〇〇nm範圍的發射波長，與第i圖所示 相同為具雙通道脊部構造的半導體雷射。 、胃相對於溝部15的寬度Wc大於10//m的脊部構造的半 V體雷射，在脊部6的兩側，隔著大於5 _、小於丨〇以以 的間距d配置藉由鋅（zn)擴散ιχι〇i8c^以上的高丨農度不

2108-7461-PF 17 1281767 r 純物區域的雷射光吸收區域16。 此結果，藉由以Zn擴散區域的自由載子吸收分佈於帝 射光吸收區域16的光，使得隨著光輸出變化之水平方向: 放射光束形狀安定化，並且相對光輸出變化’能夠製作水 平方向的光束中心沒有變動的元件。 〈實施例11> Μ本實施例的半導體雷射’具有大於7〇lnm、小於9〇 — 軌圍的發射波長，且類似實施例8至實施例丨〇的半導體雷 ’射構造，隔著於脊部6端大於5“、小於1Mm的間距：， 配置雷射光吸收區域1 6。 、猎由配置上述的雷射光吸收區域16，使得隨著光輸出 變化之水平方向的放射光束形狀安定化，並且相對於光輸 出&化，能夠製作水平方向的光束中心沒有變動的元件。 〈實施例12> *本貫施例的半導體雷射，具有大於33〇nm、小於咖⑽ 乾圍的發射波長，且類似實施例8至實施例iq的半導體雷 射構造，隔著於脊部6端大於U/zm、小於5.〇㈣的二 距d ’配置雷射光吸收區域16。 ^此結果，使得隨著光輸出變化之水平方向的放射光束 形狀女定化，並且相對於光輸出變化，能夠製作水平方向 的光束中心沒有變動的元件。 〈實施例13> 本貫施例的半導體雷射，在實施例8至實施例12的每 —個半導體雷射之中’作為窗形區域11(參考第1圖）等的

2108-7461-PF 18 以1767 每射光吸收區域1 6只形成於晶片端面部。 此結果’可以降低製造的成本。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示實施例1的半導體雷射構造的立體圖。 第2圖為實施例1的半導體雷射的 回 ^ Λ Λ線剖面圖。 第3圖顯示於實施例1的半導體雷 佈圖。 射。J面中的電場分 第4圖顯示對於相異於實施例！的 tL ΑΛ Λ V體雷射構造泉 數的组，脊部中央部的電場大小和 運緣之中的電場大 小成既定比例之距離的圖。 水平方向的 第5圖顯示實施例J的半導體雷射之中 遠場圖形的計算結果的圖。 水平方向的 第6圖顯示實施例i的半導體雷射之中 遠場圖形的實測值的圖。 第7圖顯示習知技術的半導體雷射之中，水平方向的 遠場圖形的實測值的圖。 、 第8圖顯示實施例2的半導體雷射構造的立體圖。 第9圖顯示實施例3的半導體雷射構造的立體圖。 第1〇圖顯示實施例4的半導體雷射構造的立體圖。 2 11圖顯示實施例8的半導體雷射構造的立體圖。 f 12圖顯示實施例9的半導體雷射構造的立體圖。 第13圖顯示實施例10的半導體雷射構造的立體圖

2108-7461-PF 19 1281767 【主要元件符號說明】 1〜n-GaAs基板 2〜n-AlGalnP下包覆層 3〜活性層 4〜p-AlGalnP第1上包覆層 5〜#刻停止層 6〜脊部 7〜p-AlGalnP第2上包覆層 9〜絕緣膜 10〜p電極 11〜窗形區域 1 2〜η電極 13〜半導體雷射 14〜雷射光 15〜溝部 2108-7461-PF 20

Claims (1)

1. !281767 十、申請專利範圍： 立1. 一種半導體雷射，以等效折射率較脊部還小的通道 錢·住脊部，並且以等效折射率較該通道部還大的薄層夹 住通道部而形成的雙通道型脊部構造， 其特徵在於·· 上述通道部的寬度係由下列式子決定： …（1) C x = T/ 2 ) ."(2) …（3) ··· (4)

   E = Acos(ux) (χ^ Τ/2) E=Acos(uT/2)exp(-w(|x|~T/2) u2 + w2 = (m2-n22)(2 τΓ / λ )2T2 w=u · tan(u) 其中，E為電場； A為既定的係數； X為從上述脊部的中心的距離； T為上述脊部的寬度； m為上述脊部的等效折射率； Π2為上述通道部的等效折射率； λ為上述半導體雷射的發射波長； Wc為上述通道的寬度； 而式子（1)至（4)算出的χ = 〇之電場E1舆x = T/2 + Wc的 電場E2的比例E2/E1滿足下列關係： 〇. 000 1 $ E2/E1S 〇· 〇1 …（5)。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體雷射，其中上 述發射波長為601nm以上、700nm以下的範圍，並且上述 通道部的寬度為較5 /zm寬、較10 窄的範圍。 2108-7461-PF 21 1281767 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體雷射，其中上 述發射波長為701 nm以上、90 Onm以下的範圍，並且上述 通逼部的寬度為較5 // m寬、較1 〇 // m窄的範圍。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體雷射，其中上 述鲞射波長為33Onm以上、60Onm以下的範圍，並且上述 通道邛的覓度為0.7#!!!以上、g.Ovni以下的範圍。 5· —種半導體雷射，以等效折射率較脊部還小的通道 部夹住脊部的脊部構造， 其特徵在於： 在上述脊部的兩側，從脊部 用來吸收雷射光的雷射光吸收區域。 、6·如申請專利範圍第5項所述之半導體雷射，其中」 述奄射波長為601nm以上、7〇〇隨以下的範圍，並且上土 既定間距為5…上、1〇 以下的範圍。 、、7.如申請專利範圍第5項所述之半導體雷射，其中」 ,又射波長為7〇lnm以上、9〇〇以下的範圍，並且上土 既定間距為5 "m以上、l〇 p以下的範圍。 、、8·如巾請專利範圍第5項所述之半導體雷射，其中j 述既定間距為q q n ^ 马330nm以上、60〇nm以下的範圍，並且上交 通道部的寬度為〇 7 又馮ϋ. 7//m以上、5〇 以下的範圍。 ， 士申π專利範圍第5至8項中任一項所述之半導骨 雷射，其中言歹主道 μ牛¥體雷射藉由等效折射率較該通道部還i 、/層夾住通道部以形成的雙通道型脊部構造的半導體I 射，其中該通道部的官 見度為1 0 /z m以上。 2108-7461-PF 22 ’！ v- 1281767 :二1 〇·如申睛臺利範圍第5項所述之半導體雷射，其中上 述雷射光吸收區域僅形成於晶片的端面部。 11 ·如申睛專利範圍第5項所述之半導體雷射，其中上 述雷射光吸收區域為非晶石夕層。 1 2 ·如申請專利範圍第5項所述之半導體雷射，其中上 述雷射光吸收區域係藉由離子植入以形成。 13·如申請專利範圍第5項所述之半導體雷射，其中上 述雷射光吸收區域係藉由擴散以形成。 籲 14 · 一種半導體雷射，以等效折射率較脊部還小的通道 部夾住脊部，並且以等效折射率較該通道部還大的薄層夾 住通道部而形成的雙通道型脊部構造， 其特徵在於： 上述發射波長為601 nm以上、70 Οηπι以下的範圍，並 且上述雙通道型脊部構造的通道部的寬度為較5 μπι寬、 較1 0 // m窄的範圍。 1 5. —種半導體雷射，以等效折射率較脊部還小的通道 •部夾住脊部，並且以等效折射率較該通道部還大的薄層夾 住通道部而形成的雙通道型脊部構造， 其特徵在於· 上述發射波長為701nm以上、9〇〇ηιη以下的範圍，並 且上述雙通道型脊部構造的通道部的寬度為較5 “η寬、 較10 //in窄的範圍。 16· —種半導體雷射，以等效折射率較脊部還小的通道 部夾住脊部，並且以等效折射率較該通道部還大的薄層夾 2108-7461-PF 23 '1281767 ★ , 住通道部而形成的雙通道型脊部構造， 其特徵在於： 上述發射波長為33Onm以上、60Onm以下的範圍，並 且上述雙通道型脊部構造的通道部的寬度為 0.7//m以 上、5. 0 // m以下的範圍。

   2108-7461-PF 24