JPH0385785A - 半導体レーザ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体レーザ素子に関し、特に高出力動作時に
おいても安定な内部ストライプ型の半導体レーザ素子に
関する。

（従来の技術） 半導体基板上に、ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法等２− の結晶成長法により、第一のクラッド層、活性層及び第
二のクラッド層の成長層を有するダブルヘテロ構造を設
け、第二クラッド層にストライプ状のリッジを形成した
屈折率導波型半導体レーザ素子は、該成長層表面の平坦
性が良好であり、また、該成長層層厚の制御性及び均一
性が優れている。

このため、この型の半導体レーザ素子は、レーザの特性
及び素子間均一性を向上させるものとして、盛んに研究
されている。

第６図（ｂ）に上記半導体レーザ素子の断面図を示す。

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、　ｎ−Ａ　１　ｅ、ａａＧ　
ａ　ｏ、ｅｖＡ　ｓ第一のクラッド層２．１）　　Ａ　
Ｉ　Ｂ、［１８Ｇ　ａ　１１．９２Ａ　Ｓ活性層３ｓ　
　ｐ−Ａ　ｌ　ｌ！、３３Ｇ　ａ　ｏ、ｅｖＡｓ第二の
クラッド層４が積層されている。第二のクラッド層４に
は、ストライプ状のリッジ１９が形成されている。第二
のクラッド層４上において、リッジ１９の両側に、活性
層３よりもエネルギーギヤノブが小さいｎ−ＧａＡｓ光
吸収光吸収層成されている。光吸収層６及びリッジ１９
上全３− 面に、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７、ｐ型電極８が積層
され、ｎ−ＧａＡｓ基板ｌ基板面にはｎ型電極９が形成
されている。

本半導体レーザ素子では、電流は、光吸収層に６よって
狭窄され、第二のクラッド層４のストライプ状リッジ１
９部分を流れる。第６図（ａ）は、導波路の横方向屈折
率分布とレーザの横方向光強度分布を模式的に示す図で
ある。ここで、Ｈは導波路の屈折率が横方向に対して一
様となっている部分の幅でみる。図かられかるように、
光吸収層６によって該ストライプ状リッジ１９内外で横
方向に実効的な屈折率差が生じている。このため、該リ
ッジ１９に沿った屈折率導波路が形成され、レーザの発
振に関して、第６図（ａ）示すように、基本横モード発
振が実現される。

該半導体レーザ素子を高出力化するためには、活性層の
内部光密度を低減しなければならない。

このため、高出力化された該半導体レーザ素子は、薄い
活性層及び幅の広いストライプ状リッジを有し、それに
よって該光密度を低減していた。ストライプ状リッジの
幅が５．０μｍの半導体レーザ素子では、出力５０ｍＷ
の高出力動作時においても、レーザ発振の横モードは、
高次モードを含まない基本横モードであった。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述の従来技術においては、以下に述べ
る問題点があった。

従来の半導体レーザ素子の出力を更に増加させるために
、ストライプ状リッジの幅を更に広げると、これに伴っ
て、導波路の屈折率が横方向に対して一様となっている
部分の幅Ｈが広くなる。このため、活性層３に注入され
るキャリアが増加してホールバーニングが生じたとき、
該キャリアの分布のわずかの非対称性によって、光強度
分布が横方向に移動する不安定動作が引き起こされる。

この不安定動作のため、横モードの安定性が劣化し、レ
ーザの発振特性が悪くなった。

本発明の目的は、活性層に注入されるキャリアが増加し
ても、レーザの光強度分布が横方向に移動する不安定な
動作が起こらない半導体レーザ素５− 子を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は半導体装置であって、半導体基板上に、第一の
クラッド層、活性層及び第二のクラッド層を有するダブ
ルヘテロ構造を備え、該第二のクラッド層には、ストラ
イプ状の第一のリッジが形成され、該第一のリッジの中
央には、該第一のりソジよりも幅の狭いストライプ状の
第二のリッジが形成され、該第二のクラッド層上におい
て、該第一のリッジの両側に、該活性層よりもエネルギ
ーギャップが小さい光吸収層が形成され、該光吸収層及
び該第二のクラッド層の該第一のリッジ上に第三のクラ
ッド層が形成され、該第三のクラッド層は、該第二のク
ラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有しており、そ
のことにより上記目的が達成される。

また、半導体基板上に、第一のクラッド層、活性層及び
第二のクラッド層を有するダブルヘテロ構造を備え、該
第二のクラッド層には、ストライプ状のリッジが形成さ
れ、該リッジの中央には、− 該リッジよりも幅の狭いストライプ状の溝が形成され、
該第二のクラッド層上において、該リッジの両側に、該
活性層よりもエネルギーギャップが小さい光吸収層が形
成され、該光吸収層及び該第二のクラッド層の該リッジ
上に第三のクラッド層が形成され、該第三のクラッド層
は、該第二のクラッド層の屈折率よりも大きい屈折率を
有していても良い。

また、半導体基板上に、第一のクラッド層、活性層及び
第二のクラッド層を有するダブルヘテロ構造を備え、該
第二のクラッド層には、ストライプ状の第一のリッジが
形成され、該第一のリッジ上には、該第一のリッジより
も幅の狭いストライプ状の第二のリッジを有する中間層
が形成され、該第二のクラッド層上において、該第一の
リッジ及び該中間層の両側に、該活性層よりもエネルギ
ーギャップが小さい光吸収層が形成され、該光吸収層及
び該中間層上に第三のクラッド層が形成され、該第三の
クラッド層は、該第二のクラッド層の屈折率よりも小さ
い屈折率を有していても良い。

７ また、半導体基板上に、第一のクラッド層、活性層及び
第二のクラッド層を有するダブルヘテロ構造を備え、該
第二のクラッド層には、ストライプ状のリッジが形成さ
れ、該リッジ上には、該リッジよりも幅の狭いストライ
プ状の溝を有する中間層が形成され、該第二のクラッド
層上において、該リッジの両側に、該活性層よりもエネ
ルギーギャップが小さい光吸収層が形成され、該光吸収
層及び該第二のクラッド層の該リッジ上に第三のクラッ
ド層が形成され、該第三のクラッド層は、該第二のクラ
ッド層の屈折率よりも大きい屈折率を有していても良い
。

また、半導体基板上に、第一のクラッド層、活性層及び
第二のクラッド層を有するダブルヘテロ構造を備え、該
第二のクラッド層は、ストライプ状の一層の部分と、該
−層の部分の両側にあって二層に分かれた部分とからな
り、該二層に分かれた部分では、該二層間に、該活性層
よりもエネルギーギャップが小さい光吸収層が形成され
、該ストライプ状の一層の部分の中央には、ストライプ
８ 状のリッジが形成され、該第二のクラッド層上には、第
三のクラッド層が形成され、該第三のクラッド層は、該
第二のクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有して
いても良い。

（作用） ストライプ状の屈折率型導波路の中央に、屈折率が他よ
りも高いストライプ状の部分が設けられているために、
レーザ光強度の横方向分布のピークが該ストライプ状の
部分の位置に一致し、活性層に注入されるキャリアが増
加しても、キャリアのホールバーニングに伴う光強度分
布の不安定な変動が起こらない。

（実施例） 以下に本発明を実施例について述べる。

第１図（ｂ）に実施例の断面図を示す。

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌ５．３３Ｇ　ａ　０
．８？Ａ　Ｓ第一のクラッド層２、ｐ−Ａ　Ｉ　９．２
８Ｇ　ａ　１１．９２Ａ　Ｓ活性層３Ｓｐ　−Ａ　ｌ　
ｌ！、３３Ｇ　ａ　ｏ、５ｖＡｓ第二のクラッド層４が
積層されている。第二のクラッド層４には、ストライプ
状の第一のリソ９− ジ（幅５μｍ、高さ０．５μｍ）１０が形成され、第一
のリッジ１０の中央には、ストライプ状の第二のリッジ
（幅２μｍ、高さ０．３μｍ）１１が形成されている。

第二のクラッド層４上において、第一のリッジ１０の両
側に、活性層３よりもエネルギーギャップが小さいｎ−
ＧａＡｓ光吸収光吸収層成されている。光吸収層６及び
第二のクラッド層４の第一のリッジ１０上には、Ａ　Ｉ
　Ｂ、４２Ｇ　ａ　ｅ、ｓｅＡ　ｓ第三のクラッド層５
が形成されている。第三のクラッド層５は、第二のクラ
ッド層４の屈折率よりも小さい屈折率を有している。第
三のクラッド層５上には、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７
、ｐ型電極８が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面に
はｎ型電極９が形成されている。

次に、上記半導体レーザ素子の製造方法について、第２
図（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。

まず、ｎ−ＧａＡｓ基板ｌ上に、ＭＯＣＶＤ法によって
、ｎ　　Ａ　Ｉ　Ｉ！、３３Ｇ　ａ　Ｏ，６７Ａ　Ｓ第
一のクラッド層２、Ｉ）　　Ａ　Ｉ　ｓ、ｅｓＧ　ａ　
１１．９２Ａ　Ｓ活性層３、＝ｌＯ− ｐ　−Ａ　ｌ　ｅ、３３Ｇ　ａ　０．６？Ａ　Ｓ第二の
クラッド層４を成長させる。第二のクラッド層４上にス
トライプ状フォトレジスト１７をリフトオフ法により形
成しく第２図（ａ））、該レジスト１７をマスクとして
第二のクラッド層４の表面を化学エツチングすることに
よって、第二のクラッド層４にストライプ状の第二のリ
ッジ１１を形成する（第２図（ｂ））。次に、第二のリ
ッジ１１を中央として、ストライプ状の５ｉ０２層（幅
５μｍ）１８をリフトオフ法により形成しく第２図（Ｃ
））、これをマスクとして、第二のクラッド層４表面を
更にエツチングすることにより、ストライプ状の第一の
リッジ１０を形成する（第２図（ｄ））。このあと、Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いて、第二のクラッド層４上に、活性層
３よりもエネルギーギャップが小さいｎ−ＧａＡｓ光吸
収光吸収層成させる。このとき、光吸収層６はＳｉ０２
層１８上には成長しないために、第二のクラッド層４上
において、第一のリッジ１０の両側にのみ、選択的に成
長する。５ｉ０２層１８を化学エツチングによって除去
した後、１１− 光吸収層６及び第二のクラッド層４の第一のリッジｌＯ
上全面に、Ａ　ｌ　ｅ、ａ２Ｇ　ａ　ｅ、ｓｓＡ　ｓ第
三のクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を、Ｍ
ＯＣＶＤ法によって成長させる。次に、コンタクト層７
上にｐ型電極８を形成し、また、ｎ−ＧａＡｓ基板１の
裏面にはｎ型電極９を形成する。このあと、襞間法によ
って剪開面を形成し、この面をレーザの共振器面とする
ことにより、上記半導体レーザ素子が作製される。

上記半導体レーザ素子では、電流は、光吸収層６によっ
て狭窄され、第二のクラッド層４のストライプ状の第一
のリッジ１０部分を流れる。また、光吸収層６によって
、第一のリッジ１０内外で横方向に実効的な屈折率差が
生じるために、第一のリッジ１０に沿った屈折率導波路
が形成されている。このため、レーザの発振に関して、
基本横モード発振が実現された。

また、第一のリッジ１０の中央に形成された第一のリッ
ジ１０よりも幅の狭いストライプ状の第二のリッジ１１
によって、第１図（ａ）に示すよ２ うに、第一のリッジ１０の中央に屈折率分布のピークが
形成されているために、レーザの光強度は、その分布の
ピーク位置が屈折率分布のピーク位置に一致するように
分布する。このため、光出力１００ｍＷの高出力動作時
においても、レーザの光強度分布が横方向に移動する不
安体な動作が起こらなつかった。

第３図（ｂ）に第二の実施例の断面図を示す。

本実施例では、第二のクラッド層４には第二のリッジは
設けられていない。第二のクラッド層４と第三のクラッ
ド層５の間に、第三のクラッド層５よりも屈折率の大き
いＡ　Ｉ　９．２６Ｇ　ａ　ｉ！、７ｓＡ　ｓ中間層１
４が設けられている。この中間層１４にはストライプ状
の第二のリッジ１５が形成されている。

中間層１４として、第二のクラッド層４よりもＡｔ混晶
比の小さい層が用いられているので、結晶性に優れた第
三のクラッド層５をＭＯＣＶＤ法で成長させることがで
きる。

本実施例でも、第３図（ａ）に示すように、第一のリッ
ジ１０の中央に屈折率分布のピークが形１３ 成されているために、レーザの光強度は、その分布のピ
ーク位置が屈折率分布のピーク位置に一致するように分
布する。このため、光出力ＬｏｏｍＷの高出力動作時に
おいても、レーザの光強度分布が横方向に移動する不安
定な動作が起こらなつかった。

第４図（ｂ）に第三の実施例の断面図を示す。

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、　　ｎ−Ａ　Ｉ　Ｂ、３３Ｇ
　ａＯ，８７Ａ　Ｓ第一のクラッド層２ｓ　　Ｉ）　−
ＡＩｅ、ｆＩｅＧａ９．９２Ａ　Ｓ活性層３ＳｐＡ　Ｉ
　ｌ！、３３Ｇ　ａ　０．６７Ａ　Ｓ第二のクラッド層
４が積層されている。第二のクラッド層４には、ストラ
イプ状のリッジ（幅５μｍ１高さ０．　８μｍ）１２が
形成され、リッジ１２の中央には、ストライプ状の溝（
幅２μｍ５　深さ０．３μｍ）１３が形成されている。

第二のクラッド層４上において、リッジ１２の両側に、
活性層３よりもエネルギーギャップが小さいｎ−ＧａＡ
ｓ光吸収光吸収層成されている。光吸収層６及び第二の
クラッド層４のリッジ１２上には、Ａ　ｌ　ｌ！、２［
ＩＧ　ａ　ＩＩ、８［ＩＡ　Ｓ第三のクラッド層５が形
成されてい＝１４＝ る。本実施例の第三のクラッド層５は、第二のクラッド
層４の屈折率よりも大きい屈折率を有している。このた
め、第４図に示すように、リッジ１２の中央に屈折率分
布のピークが形成されている。

第三のクラッド層５上には、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
７、ｐ型電極８が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面
にはｎ型電極９が形成されている。

上記半導体レーザ素子でも、電流は、光吸収層６によっ
て狭窄され、第二のクラッド層４のストライプ状のリッ
ジ１２部分を流れる。また、光吸収層６によって、リッ
ジ１２内外で横方向に実効的な屈折率差が生じるために
、リッジ１２に沿った屈折率導波路が形成されている。

このため、レーザの発振に関して、基本横モード発振が
実現された。

また、第４図（ａ）に示すように、リッジ１２の中央に
形成されたリッジ１２よりも幅の狭いストライプ状の溝
１３によって、リッジ１２の中央に屈折率分布のピーク
が形成されているために、レーザの光強度は、その分布
のピーク位置が屈折５ 率分布のピーク位置に一致するように分布する。

このため、前記実施例と同様に、光出力１００ｍＷの高
出力動作時においても、レーザの光強度分布が横方向に
移動する不安体な動作が起こらなつかった。

なお、第二のクラッド層４には溝が設けられておらず、
第二のクラッド層４と第三のクラッド層５の間に、第三
のクラッド層５よりも屈折率の小さいＡ　ｌ　ｌ！、２
ｓＧ　ａ　ｅ、７ｓＡ　Ｓ中間層が設けられ、この中間
層にストライプ状の溝が形成されていても、上記実施例
と同様の屈折率分布が得られ、光出力１００ｍＷの高出
力動作時においても、レーザの光強度分布が横方向に移
動する不安体な動作が起こらなつかった。

第５図（ｂ）に第四の実施例の断面図を示す。

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ　−Ａ　Ｉ　１１．３３Ｇ
　ａ　ｏ、６７Ａ　ｓ第一のクラッド層２、ｐ　−Ａ　
Ｉ　ｌ］、９［ＩＧ　ａ　ｌ！、９２Ａ　Ｓ活性層３、
Ｉ）　　Ａ１９．３３Ｇａ０８７Ａｓ第二のクラッド層
４が積層されている。第二のクラッド層４は、導波路と
して機能するストラ１６− イブ状の一層の部分（幅５μｍ、厚さ０．５μｍ）と、
該−層の部分の両側にあって二層に分かれた部分とから
なり、該二層に分かれた部分では、二層間に、活性層３
よりもエネルギーギャップが小さいｎ−ＧａＡｓ光吸収
光吸収層成されている。

ストライプ状の該−層の部分の中央には、ストライプ状
のリッジ（幅２μｍ１高さ０．３μｍ）が１６形戊され
ている。該第二のクラッド層４上には、ｐＡ　ｌ　１１
．４２Ｇ　ａ　［１，Ｓ８Ａ　Ｓ第三のクラッド層５が
形成されている。第三のクラッド層５は、第二のクラッ
ド層４の屈折率よりも小さい屈折率を有している。第三
のクラッド層上には、ｐ　ＧａＡｓコンタクト層７、ｐ
型電極８が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ
型電極９が形成されている。

次に、上記半導体レーザ素子の製造方法について説明す
る。

まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ法によって
、ｎ　−Ａ、　Ｉ　１１．３３Ｇ　ａ　ｏ、６７Ａ　ｓ
第一のクラッド層２、Ｉ）　　Ａ　ｌ　ｔ＋、［１８Ｇ
　ａ　１１．９２Ａ　Ｓ活性層３、１７ ｐ　−Ａ　ｌ　ｌ＋、３３Ｇ　ａ　ｏ、ｅ７Ａ　Ｓ層Ｓ
　ｎ−ＧａＡｓ層を成長させる。該ｎ−ＱａＡｓ層上に
ストライプ状の窓を有するフォトレジストをフォトリソ
グラフィ法により形成し、該レジストをマスクとして該
ｎ−ＧａＡｓ層を化学エツチングすることによって、ｐ
　−Ａ　Ｉ　＋１，３３Ｇ　ａ　Ｏ，６７Ａ　８層に到
達するストライプ状の溝（幅５μｍ）を形成する。該レ
ジストを除去した後、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｐ−Ａ　
Ｉ　８．３３Ｇ　ａ　ｏ、ｅｖＡ　ｓ層を成長させる。

こうして、導波路として機能するストライプ状の一層の
部分（幅５μｍｍ）と該−層の部分の両側にあって二層
に分かれた部分とからなる第二のクラッド層４、及び該
二層の部分に挟まれた光吸収層６が形成される。第二の
クラッド層４上にストライプ状フォトレジストをリフト
オフ法により形威し、該レジストをマスクとして化学エ
ツチングを行うことによって、第二のクラッド層４にス
トライプ上の１／ソジ１６を形成する。このあと、第二
のクラット層４上全面に、Ａ　ｌ　ｇ４２Ｇ　ａｅ、ｓ
ｅＡ　Ｓ　’Ａ三のクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層７を、Ｉ８ ＭＯＣ，ＶＤ法によって形成する。つぎに、コンタクト
層７上にｎ型電極８を積層し、また、ｎＧａＡｓ基板１
の裏面にはｎ型電極９を形成する。

このあと、襞間法によって襞間面を形成し、この面をレ
ーザの共振器面とすることにより、上記半導体レーザ素
子が作製される。

本実施例でも、電流は、光吸収層６によって狭窄され、
第二のクラッド層４の該−層の部分を流れる。また、光
吸収層６によって、該−層の部分内外で横方向に実効的
な屈折率差が生じるために、該−層の部分に沿った屈折
率導波路が形成されている。このため、レーザの発振に
関して、基本横モード発振が実現された。

また、第５図（ａ）に示すように、第二のクラッド層４
の一層の部分の中央に形成されたリッジ１６によって、
該−層の部分の中央に屈折率分布のピークが形成されて
いるため、レーザの光強度は、その分布のピーク位置が
屈折率分布のピーク位置に一致するように分布する。こ
のため、光出力１００ｍＷの高出力動作時においても、
レーザ１９− の光強度分布が横方向に移動する不安定な動作が起こら
なつかった。

なお、上記何れの実施例も、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａ
Ａｓ系の成長層を設けた半導体レーザ素子であったが、
本発明は、他の半導体材料を用いたもの、たとえばＧａ
Ａｓ基板上にＩ　ｎＧａＡＩＰ系の成長層を設けたもの
にも適用できる。

また、各半導体層の混晶比及び寸法についても、実施例
の混晶比及び寸法に限定されるものではない。

（発明の効果） このように、本発明によれば、ストライプ状の屈折率型
導波路の中央に、屈折率が他よりも高いストライプ状の
部分が設けられているために、レーザ光強度の横方向分
布のピークが該ストライプ状の部分の位置に一致し、活
性層に注入されるキャリアカ増加しても、キャリアのホ
ールバーニングに伴う光強度分布の不安定な変動が起こ
らず、高出力で安定に動作する半導体レーザ素子が提供
される。

２０ ４、　　　　　の　　　な！　日 第１図（ａ）は本発明の第一の実施例に於ける導波路の
横方向屈折率分布とレーザの横方向光強度分布を模式的
に示す図、同図（ｂ）は第一の実施例の断面図、第２図
（ａ）〜（ｄ）は第一の実施例の製造方法を説明するた
めの断面図、第３図（ａ）は第二の実施例に於ける導波
路の横方向屈折率分布とレーザの横方向光強度分布を模
式的に示す図、同図（ｂ）は第二の実施例の断面図、第
４図（ａ）は第三の実施例に於ける導波路の横方向屈折
率分布とレーザの横方向光強度分布を模式的に示す図、
同図（ｂ）は第三の実施例の断面図、第５図（ａ）は第
四の実施例に於ける導波路の横方向屈折率分布とレーザ
の横方向光強度分布を模式的に示す図、同図（ｂ）は第
四の実施例の断面図、第６図（ａ）は従来例に於ける導
波路の横方向屈折率分布とレーザの横方向光強度分布を
模式的に示す図、同図（ｂ）は従来例の断面図である。

１・・・ｎ−にａＡｓ基板、２・・・第一のクラッド層
、３・・・活性層、４・・・第二のクラッド層、５・・
・第三のクラッド層、６・・・光吸収層、７・・・フン
タクト層、２１ ８・・・ｎ型電極、９・・・ｎ型電極、１０・・・第一
のリッジ、１１．１５・・・第二のリッジ、１２．１６
．１９・・・リッジ、１３・・・溝、１４・・・中間層
、１７・・・レジスト、１８・・・５ｆ０２層。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に、第一のクラッド層、活性層及び第
   二のクラッド層を有するダブルヘテロ構造を備え、 該第二のクラッド層には、ストライプ状の第一のリッジ
   が形成され、該第一のリッジの中央には、該第一のリッ
   ジよりも幅の狭いストライプ状の第二のリッジが形成さ
   れ、 該第二のクラッド層上において、該第一のリッジの両側
   に、該活性層よりもエネルギーギャップが小さい光吸収
   層が形成され、 該光吸収層及び該第二のクラッド層の該第一のリッジ上
   に第三のクラッド層が形成され、該第三のクラッド層は
   、該第二のクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有
   する、 半導体レーザ素子。 ２、半導体基板上に、第一のクラッド層、活性層及び第
   二のクラッド層を有するダブルヘテロ構造を備え、 該第二のクラッド層には、ストライプ状のリッジが形成
   され、該リッジの中央には、該リッジよりも幅の狭いス
   トライプ状の溝が形成され、該第二のクラッド層上にお
   いて、該リッジの両側に、該活性層よりもエネルギーギ
   ャップが小さい光吸収層が形成され、 該光吸収層及び該第二のクラッド層の該リッジ上に第三
   のクラッド層が形成され、 該第三のクラッド層は、該第二のクラッド層の屈折率よ
   りも大きい屈折率を有する、 半導体レーザ素子。