TWI274369B - Noncontact ID card and method of manufacturing the same - Google Patents

Noncontact ID card and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI274369B
TWI274369B TW093134397A TW93134397A TWI274369B TW I274369 B TWI274369 B TW I274369B TW 093134397 A TW093134397 A TW 093134397A TW 93134397 A TW93134397 A TW 93134397A TW I274369 B TWI274369 B TW I274369B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
antenna
electrodes
substrate
card
Prior art date
Application number
TW093134397A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200523994A (en
Inventor
Masanori Akita
Yoshiki Sawaki
Original Assignee
Toray Eng Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Eng Co Ltd filed Critical Toray Eng Co Ltd
Publication of TW200523994A publication Critical patent/TW200523994A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI274369B publication Critical patent/TWI274369B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
    • B42D25/20—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof characterised by a particular use or purpose
    • B42D25/22—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof characterised by a particular use or purpose for use in combination with accessories specially adapted for information-bearing cards
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
    • G06K19/07752—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna using an interposer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
    • B42D25/40—Manufacture
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

1274369 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關非接觸I D (識別資訊）卡類及其製： 法。 【先前技術】 習知安裝I C晶片於天線電路基板的所謂非接觸I D 非接觸I D標籤等（以下將其統稱為非接觸I D卡）已 各種型式。 作為其一例子，列舉之有由在基材上形成天線的天 路基板’以及在裝載1C晶片的基材上形成與上述1C 的電極連接的放大電極的***式基板構成，層疊二基 接合上述天線電極與上述放大電極而形成的非接觸I (例如參照後述專利文獻1 )。於此非接觸I D卡中， 電性接著材或導電性黏著材將天線電極與放大電極接 (下稱接著接合）而導通，或不接著而緊貼（下稱非 接合）天線電極與放大電極而導通。 然而，上述接著接合因在任一微小電極上塗覆或貼 狀薄膜膠帶狀導電性接著材或導電性黏著材，故很麻 難以短時間内進行，並且容易發生接合位置偏移。因 需要對生產性及電特性的進一步改善。又，上述非接 合雖因不使用導電性接著材或導電性黏著材來接著二 材，藉此保持二電極的緊貼狀態，故生產性較上述接 合更優異，不過，另一方面卻因二電極的導通狀態不 而電特性不佳。 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 造方 卡或 知有 線電 晶片 板以 D卡 以導 合 接著 附糊 煩， ί匕， 著接 基 著接 穩定 5 1274369 因此，試行接著接合天線電極與放大電極，並接著接合 二基材，或者，將二電極作成非一般金屬電極，至少將其 中任一方作成以導電性接著材形成的樹脂電極等，不過， 仍未充分消除上述缺點。 〔專利文獻1〕國際專利第0 1 / 6 2 5 1 7號公告本（參照圖1 ) 【發明内容】 本發明係有鑑於上述而發明者，其目的在於提供於生產 性及電特性上更為優異的非接觸I D卡以及能製造此種非 接觸I D卡的方法。 為達成上述目的，本發明之非接觸I D卡中，係關於由 在基材上形成天線的天線電路基板’以及在裝載I C晶片的 基材上形成與上述1C晶片的電極連接的放大電極的*** 式基板構成，層疊二基板以接合上述天線電極與上述放大 電極而形成的非接觸I D卡，以充填於散佈在上述天線電極 及/或上述放大電極的接合面的微細凹部的絕緣性接著材 接著接合，俾二電極導通。 又，於本發明之非接觸I D卡之製造方法中，在使形成 天線於基材上的天線電路基板與在裝載I C晶片的基材上 形成與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基板 成以上述天線電極及上述放大電極位置一致的狀態層疊之 前，塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大電極中 至少一方，將上述絕緣性接著材充填於散佈在電極接合面 上的微細凹部，其次，於上述層疊後，藉由加壓將二電極 緊貼，以充填於上述微細凹部的上述絕緣性接著材接著接 6 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 合，俾導通二電極。 或者，於本發明之非接觸I D卡之製造方法中，在使形 成天線於基材上的天線電路基板與在裝載1C晶片的基材 上形成與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基 板成以上述天線電極及上述放大電極位置一致的狀態層疊 之前，塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大電極 中至少一方，其次，於上述層疊後，藉由加壓加熱將二電 極緊貼，充填上述絕緣性接著材於散佈在二電極的至少一 方的接合面的微細凹部，並自上述緊貼部朝電極側周部擠 出上述絕緣性接著材的殘餘部分，以充填於上述微細凹部 的上述絕緣性接著材接著接合，俾導通二電極。 由於以充填於散佈在天線電極及/或放大電極的接合 面的微細凹部的絕緣性接著材如此接著接合二電極，故成 導通狀態牢固接合二電極。 根據本發明，由於充填絕緣性接著材於散佈在天線電極 及/或放大電極的接合面的微細凹部，並以此充填的絕緣 性接著材接著接合二電極，故即便使用絕緣性接著材，仍 可緊貼二電極的接合面的未形成微細凹部部分，導通二電 極，另一方面，如上述以絕緣性接著材牢固接著接合二電 極的接合面的形成微細凹部部分。因此，可提供於生產性 及電特性上更為優異的非接觸I D卡以及能製造此種非接 觸I D卡的方法。 【實施方式】 本發明之非接觸I D卡係層疊天線電路基板與***式基 7 312XP/發明說明書(補件)/94·03/9313497 1274369 板所構成，其一例子顯示於平面圖的圖1及圖1的X — X 箭頭剖視圖的圖2。 於二圖中，***式基板7層疊於下側的天線電路基板2 上，此天線電路基板2如平面圖的圖3及圖3的正視圖的 圖4所示，於絕緣材的樹脂薄膜所構成的矩形基材9上形 成天線6以及與其連接的電極3a、3b (下稱天線電極）而 構成。 此天線6及電極3 a、3 b藉由將混合導電性粒子與樹脂 黏結劑而成的導電性接著材印刷於樹脂薄膜上，並使之乾 燥或硬化形成。亦即，如圖示，天線電極3 a、3 b為單層樹 脂電極。 又，上述天線6及天線電極3 a、3 b可藉由對貼附於樹 脂薄膜的鋁箔或銅箔蝕刻加工形成。此時，電極為金屬電 極 ° 另一方面，***式基板7作成如平面圖的圖5及圖5的 縱剖視圖的圖6所示，埋設I C晶片4於由絕緣材的樹脂薄 膜構成的矩形基材1 0，亦即構成如下：以I C晶片4的電路 面與基材10的上面形成同一平面的方式埋設1C晶片4於 基材1 0，且形成連接於I C晶片4的電極1 2 a、1 2 b的放大 電極 11a、lib。 且，放大電極1 1 a、1 1 b形成於形成在基材1 0上的絕緣 樹脂層8上，經由其連接端子2 1 a、2 1 b (例如，將混合導 電性粒子與樹脂黏結劑而成的導電性接著材充填於貫通絕 緣樹脂層的通孔並硬化形成者）連接於I C晶片4的電極 8 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 12a、 12b ° 此放大電極1 1 a、1 1 b及連接端子2 1 a、2 1 b係藉由在形 成通孔於絕緣樹脂層後，將混合導電性粒子與樹脂黏結劑 而成的導電性接著材印刷充填於通孔並使之乾燥或硬化而 形成。 此放大電極11a、lib亦為如同上述天線電極3a、3b， 以混合導電性粒子與樹脂黏結劑而成的導電性接著材形成 的樹脂單層電極。 如圖1及圖2所示，天線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、 1 1 b均形成平面狀。若為平面狀電極，即因可在二電極的 接著接合之際，以層疊網膜狀物的方式接合，故容易達到 接合的高速化。又，上述天線電極3 a、3 b與放大電極1 1 a、 1 1 b以成各電極的接合面相互緊貼狀態的方式接著接合。 圖7放大顯示一天線電極3 a與放大電極1 1 a的接合狀態。 未顯示的另一天線電極3 b與放大電極1 1 b的接合亦與其相 同。 且，天線電路基板2及***式基板7均係薄膜狀或薄片 狀的實質上平面狀的基板。由於天線電路基板2與***式 基板7的接著接合能以薄膜狀物或薄片狀物等網膜狀物層 疊黏貼的方式進行，故可高效率進行接著接合" 如圖示，天線電極3 a與放大電極1 1 a藉充填於形成在 各電極的接合面的微細凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接 著接合。此凹部3 1、3 2不是對天線電極3 a與放大電極1 1 a 的接合面人為進行糙面化處理等形成者，而是隨著電極的 9 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 形成最初形成者，其散佈於接合面。於圖7中，為容易理 解，凹部3 1、3 2描繪得較實際大。 於半導體晶片的覆晶（flip-chip)接合中’咸知有在將 形成於半導體晶片的電極的電極突起（***）接合於電路 基板的電極之際，塗覆絕緣性樹脂於基板的電極上，其次， 抵接半導體晶片的***於基板電極，加壓加熱，利用絕緣 性樹脂硬化之際的收縮應力接合的所謂NCP接合技術。然 而，相對於N C P接合技術中，利用經由光微影或剝離 (1 i f t - 〇 f f )法等複雜的***形成製程而成之規律而又整齊 配置的***者，本發明的電極藉由印刷混合導電性粒子與 樹脂黏結劑而成的導電性接著材，並使之乾燥或硬化，極 原始地形成。藉此，可簡便且低廉地形成接合用的電極突 起（於本發明中為微細凸起）。 在使用絕緣性接著材3 3於上述天線電極3 a、3 b與放大 電極1 1 a、1 1 b的接合情況下，可緊貼未形成凹部3 1、3 2 的部分（接合面的一部分），導通二電極，並可藉充填於凹 部3 1、3 2的微量絕緣性接著材3 3牢固接著接合二電極。 凹部31、32的大小為0.1//m〜100//m，並以0.5//m〜50 較佳。尤佳者為5//m〜50//m。 且，上述微細凹部3 1、3 2不限於形成在樹脂電極，亦 形成於金屬電極。因此，天線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、 1 1 b可為金屬電極、樹脂電極或層疊金屬電極與樹脂電極 的任一種電極。 然而，以至少其一為樹脂電極較佳。其原因在於，相較 10 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 於金屬電極的情形，上述樹脂電極更容易形成大的凹 3 1、3 2。金屬電極中，若使用對基礎材料的銅箔進行 乂匕處理的銅箔，即可形成大的凹部。 舉銀粒子、鍍銀於銅粒子的粒子、混合碳及銀粒子 合物等作為上述導電性粒子的例子，樹脂黏結劑可為 性或熱固性的任一種。藉由此黏結劑的選擇，決定導 接著材的熱塑性或熱固性。 且，可為混合熱塑性樹脂與熱固性樹脂的樹脂黏、結 分別舉聚S旨、丙稀酸系樹脂作為熱塑性樹脂的例子， 環氧系樹脂、聚亞醯胺作為熱固性樹脂的例子。 上述組成的導電性接著材係膏體，將其塗覆（例如 或印刷等），形成樹脂電極的天線電極3 a、3 b或放大 1 1 a、1 1 b或二電極。熱塑性導電性接著材因可較熱固 電性接著材更縮短塗覆後的後處理時間而較佳。 將導電性粒子攙入熱塑性樹脂黏結劑、混合熱塑性 與熱固性的樹脂黏結劑或如同熱塑性樹脂黏結劑，於 時呈現緊貼性或黏著性的其他樹脂黏結劑的導電性接 亦較佳。
在稀釋熱塑性導電性接著材於溶劑，將其印刷，例 版印刷，形成樹脂電極的天線電極3 a、3 b或放大電極 1 1 b或二電極情況下，於印刷後，使其電極乾燥，並 後接合。在使用熱固性導電性接著材情況下亦相同。 性導電性接著材的緊貼強度雖然較大，不過，印刷後 處理時間（熱硬化時間）卻較長（一般在數秒以上）。S 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 部 糙面 的混 熱塑 電性 「劑。 又舉 滴液 電極 性導 樹脂 加熱 著材 如網 11a、 於此 熱固 的後 ]此， 11 1274369 可按照非接觸I D卡所要求的電特性等可靠性，分開使用二 者。 二電極的接著接合以天線電極3 a、3 b與放大電極1 1 a、 1 1 b位置一致的狀態層疊天線電路基板2與***式基板7 的方式進行，在此之前，將絕緣性接著材3 3塗覆於天線電 極3a、3b及放大電極11a、lib的任一方或二者，充填上 述絕緣性接著材於散佈在電極接合面的微細凹部，其次， 於上述層疊後，藉由加壓俾緊貼二電極，以充填於微細凹 部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接合二電極。 又，二電極的其他接著接合雖然以天線電極3a、3b與 放大電極1 1 a、1 1 b位置一致的狀態層疊天線電路基板2 與***式基板7的方式進行，不過，在此之前，將絕緣性 接著材3 3塗覆於天線f極3 a、3 b及放大電極1 1 a、1 1 b 的任一方或二者，其次，於上述層疊後，藉由加壓加熱俾 緊貼二電極，將絕緣性接著材3 3充填於散佈在二電極的各 接合面的微細凹部3 1、3 2，並自上述緊貼部將絕緣性接著 材3 3的殘餘部分朝電極側周部擠出，以充填於微細凹部 3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接合二電極。 雖可藉由加壓加熱，充填絕緣性接著材3 3至微細凹部 的細部，不過，由於若在層疊接合之前，塗覆絕緣性接著 材3 3於電極，並充填於微細凹部，即只要上述加壓，便可 接合二電極，故無需加熱裝置，裝置簡易化，並由於可使 層疊接合高速化，故能提高生產性。 又，為一面保護電極部，一面提高接合的可靠性，可使 12 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 用具有密封功能（例如防水性等）的絕緣性接著材3 3。於 此情況下，若在二電極接合時，藉由加壓加熱，朝電極側 周部擠出絕緣性接著材3 3，配置於電極周圍，即可密封電 極部，提高接合部的電接合的可靠性。 絕緣性接著材3 3不限於只是除了絕緣性外僅具有接著 性者，亦包含除了絕緣性外還具有黏著性的所謂絕緣性黏 著材，即使冷卻仍具有黏著性者很適合。於此雖舉EVA、 聚烯系、合成橡膠系、接著性聚合物系、胺曱酸乙酯系反 應系等熱熔接著材作為代表例，不過，此熱熔接著材具有 容易因加壓加熱而擴展形成薄層的特性。 其中，由於合成橡膠系熱熔接著材即使在低加壓力下仍 具有容易擴展形成較薄層的特性，故最佳。對天線電極 3 a、3 b及放大電極1 1 a、1 1 b中任一方的絕緣性接著材3 3 的塗覆可為使用喷嘴的滴液或使用針腳或滾子的轉印等過 去已知方法。 若藉由在預先塗覆絕緣性接著材3 3於電極之際加熱使 其容易流動並滴液或轉印等方法來塗覆，即可充分充填至 微細凹部的細部。因此，若將絕緣性接著材3 3加熱而塗覆 於微細凹部，即如上述例子，只要對二電極加壓，便可接 合0 於此根據圖8至圖1 0對上述接著接合更具體加以說明 ，圖8顯示層疊下側天線電路基板2及上側***式基板7 的狀態，塗覆絕緣性接著材3 3於下側天線電極3 a、3 b上。 另一方面，上側放大電極1 1 a、1 1 b成適於接合狀態，相對 13 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 於天線電極3 a、3 b進行位置對準。 而且，圖9顯示***式基板7下降，成放大電極1 1 a、 1 1 b接觸天線電極3 a、3 b上的絕緣性接著材3 3的狀態的 層疊狀態。圖1 0進一步顯示相對於天線電路基板2，將插 入式基板7加熱加壓，緊貼二電極，亦即，緊貼天線電極 3 a、3 b與放大電極1 1 a、1 1 b的狀態。 此加熱加壓未圖示，其使用加熱工具來進行。於此，藉 由加壓加熱俾緊貼二電極，可如上述，充填絕緣性接著材 3 3於散佈在二電極的各接合面的微細凹部3 1、3 2 (參照圖 7 )，並自上述緊貼部將絕緣性接著材3 3的殘餘部分擠出， 可藉充填於微細凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接著接合 二電極。且在選擇上述熱熔接著材作為絕緣性接著材3 3 情況下，可於0 . 0 5〜0 . 2秒左右的極短時間内進行二基板 的層疊接合。 於本發明中，***式基板7可為圖1 1的態樣以替代圖6 的態樣。其雖埋設IC晶片4於基材1 0，不過，亦可成不 埋設的狀態裝載。然而，考慮基板的薄型化，以埋設I C 晶片4於基材1 0較佳。 若使用埋設I C晶片4於樹脂薄膜的網膜狀***式基 板，以及同樣由樹脂薄膜等構成的網膜狀天線電路基板， 即可藉由輥對輥方法，以一般處理網膜狀物的方式層疊接 合二電極，製造非接觸I D卡。 又，可替代如上述使天線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、 1 1 b的至少任一方為單層電極並作成樹脂電極，使其為層 14 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 疊電極並作成以組成不同的複數種導電性接著材形成的樹 脂電極。例如，可為在由熱固性導電性接著材形成的下層 電極上形成由熱塑性導電性接著材形成的上層電極所構成 的層疊電極。 進一步如圖12及圖13所示，放大電極lla、lib可為 層疊電極，並由形成於基材1 0上的金屬電極3 5以及於此 金屬電極3 5上由導電性接著材形成的樹脂電極3 6構成。 圖1 2的***式基板7雖具備絕緣樹脂層8，圖1 3的*** 式基板7卻不具備此層。 如圖1 4所示，可接合圖1 2的***式基板7與天線電路 基板2。於其中，天線電極3a、3b與放大電極11a、lib 以各接合面相互緊貼的狀態接著接合。圖1 5放大顯示一天 線電極3 a與放大電極1 1 a的接合狀態。未圖示的另一天線 電極3 b與放大電極1 1 b的接合亦與其相同。 如圖所示，天線電極3 a與放大電極1 1 a以充填於形成 在各接合面的微細凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接著接 合。且，放大電極1 1 a的接合面由上述樹脂電極3 6構成， 絕緣性接著材3 3充填於散佈在其上的微細凹部3 2。於圖 1 5中，為容易理解，凹部3 1、3 2描繪得較實際大。 因此，即便使用絕緣性接著材3 3，仍可緊貼未形成凹部 3 1、3 2的部分（接合面的一部分），導通二電極，並能以 充填於凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3牢固地接著接合二 電極。 於此接合之際，如圖1 6所示，塗覆絕緣性接著材3 3於 15 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 下側的天線電極3 a、3 b上。另一方面，上側的放大電極 1 1 a、1 1 b成適於接合狀態，相對於天線電極3 a、3 b進行 位置對準。其次，如圖1 7所示，下降***式基板7，放大 電極1 1 a、1 1 b成接觸天線電極3 a、3 b上的絕緣性接著材 3 3的狀態層疊，而且，相對於天線電路基板2，加熱加壓 ***式基板7，緊貼二電極。因此，可如上述，牢固地緊 貼二電極。 圖1 6雖然顯示塗覆絕緣性接著材3 3於天線電極3 a、3 b 上的例子，不過，若在接合之前預先塗覆絕緣性接著材3 3 於放大電極1 1 a、1 1 b，充填於微細凹部，即可使放大電極 與天線電極的位置一致，進行利用加壓電導通的接合。 且，替代放大電極11a、lib為層疊電極，並由形成於 基材1 0上的金屬電極3 5以及於此金屬電極3 5上由導電性 接著材形成的樹脂電極3 6構成，可僅使天線電極3 a、3 b， 或使放大電極11a、lib及天線電極3a、3b成為由金屬電 極3 5及樹脂電極3 6構成的層疊電極。扼要言之，可使天 線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、1 1 b的至少其中一方成為 此種層疊電極。 由金屬電極3 5及以熱塑性導電性接著材形成的樹脂電 極3 6構成放大電極1 1 a、1 1 b，一與金屬電極的天線電極 3 a、3 b接合，即可在0 · 0 5秒〜0. 2秒内接合，此時，接合 部的電阻值為0. 1 Ω〜1 Ω ，緊貼強度為1 0 N / cm〜5 Ο N / cm ° 即便使用將導電性粒子攙入混合熱塑性樹脂及熱固性 16 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 的樹脂黏結劑，或如同熱塑性樹脂黏結劑於加熱時呈現緊 貼性或黏著性的其他樹脂黏結劑的導電性接著材情況下， 接合時間或電阻值仍然大致相同。作為接合之際的加熱加 壓手段的加熱工具以具備熱源的軋輥構成的旋轉型者較 佳。特別是可串列配置複數旋轉型加熱工具，藉此等加熱 工具對天線電路基板及***式基板的層疊體加熱加壓即 可。原因在於，可縮短接合時間，高速結合。 用於接著接合的絕緣性接著材以具有在低溫、微少壓力 下，且在短時間内薄化延伸並擴展的性質者較佳。因此， 絕緣性接著材的拉伸強度與伸長率的關係很重要。拉伸強 度在3MPa以下，並以在IMPa以下較佳，伸長率在30%以 上，並以在5 0 0 %以上較佳。 〔實施例〕 使用藤倉股份有限公司製熱塑性銀膏F A — 3 3 3，藉由印 刷法，於聚酯薄膜上製成天線樹脂電極。天線樹脂電極的 大小為2.0_x2.0mni，厚度為12//Π1。另一方面，使用東 亞合成股份有限公司製熱塑性銀膏PES — E9 1，同樣藉由印 刷法，於聚碳酸酯薄膜上形成放大樹脂電極。放大樹脂電 極的大小為2 . 5 mm X 2. 5 mm，厚度為3 0 // m。 於放大樹脂電極與天線樹脂電極的接著接合時，使用轉 印針腳，以每一電極0 . 5 m g，塗覆東亞合成股份有限公司 製合成橡膠系的熱熔材PPET於天線電極上。其次，以加壓 工具的真空吸附口吸附***式基板，於天線樹脂電極與放 大樹脂電極的位置一致後，下降加壓工具，對二電極部加 17 312XP/發明說明書(衝牛)/94-03/9313497 1274369 壓加熱，接著接合。 此時的加熱溫度為1 8 0 °C，加壓壓力為0 . 8 Μ P a，接著接 合時間為0 . 2秒。此時的接合電阻為0 . 3〜0 . 4 Ω，電阻值 通過6 0 °C、9 3 % R Η的高溫高濕試驗及一 4 0 °C〜8 0 °C的冷熱 循環試驗，其上昇在容許範圍内。 用於接著接合的PPET係拉伸強度為0. 3 MPa，伸長率 為1 4 0 0 % ，具有非常容易延伸的特性的絕緣性接著材。 【圖式簡單說明】 圖1係非接觸I D卡的平面圖。 圖2係圖1的X — X箭頭剖視圖。 圖3係天線電路基板的平面圖。 圖4係圖3的正視圖。 圖5係***式基板的平面圖。 圖6係圖5的縱剖視圖。 圖7係圖2的電極接合部的放大圖。 圖8顯示接合開始時的天線電路基板與圖6的***式基 板的位置關係的縱剖視圖。 圖9係顯示圖6的***式基板的放大電極接觸塗覆於天 線電路基板的電極（天線電極）上的絕緣性接著材狀態的 縱剖視圖。 圖1 0係顯示天線電路基板的電極（天線電極）與圖6 的***式基板的放大電極接合狀態的縱剖視圖。 圖1 1係顯示***式基板的另一例子的縱剖視圖。 圖1 2係顯示***式基板的另一例子的縱剖視圖。 18 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 圖1 3係顯示***式基板的另一例子的縱剖視圖。 圖1 4係顯示天線電路基板的電極（天線電極）與圖1 2 的***式基板的放大電極接合狀態的縱剖視圖。 圖1 5係圖1 4的電極接合部的放大圖。 圖1 6係顯示接合開始時的天線電路基板與圖1 2的*** 式基板的位置關係的縱剖視圖。 圖1 7係顯示圖1 2的***式基板的放大電極接觸塗覆於 天線電路基板的電極（天線電極）上的絕緣性接著材狀態 的縱剖視圖。 【主要元件符號說明】 2 天線電路基板 3a、 3b 天 線 電 極 4 IC 晶 片 6 天 線 7 插 入 式 基 板 8 絕 緣 樹 脂 層 9 矩 形 基 材 10 基 材 11a、 11 b 放 大 電 極 12a、 12b 電 極 21a、 21 b 接 觸 端 子 31、 32 微 細 凹 部 33 絕 緣 性 接 著材 35 金 屬 電 極 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 19 1274369 3 6 樹脂電極
312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 20

Claims (1)

  1. 95. 4. 18 替換本 ---------------- 十、申請專利範圍： 1 . 一種非接觸I D卡，係由在基材上形成天線的天線電-路基板，以及在裝載1C晶片的基材上形成與上述1C晶片 的電極連接的放大電極的***式基板構成^層豐二基板以 接合上述天線電極與上述放大電極而形成的非接觸I D卡， 其特徵在於：以充填於散佈在上述天線電極及/或上述放 大電極的接合面的微細凹部的絕緣性接著材，接著接合二 極 電 天 述 上 中 其 卡 D I 觸 接 tr 之 項 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 及 著 極接 電 性 線電 大 放 述 上 的 成 形 材 本 月 電樹 導 由 係 且 極 電 層 單 係 方 1 少 至 的 極 電 匕曰 天 述 上 中 其 卡 D I 觸 接 tr 之 項 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 3 由 係 且 ， ο 極極 1^^fril 疊 脂 層樹 係的 方成 1 形 少材 至 著 的接 極性 rpjr 大導 放種 述數 上複 及的 極同 電不 線成 天 述 上 中 其 卡 D I 觸 接 kr 之 項 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 4 形 由 係 且 極 電 疊 層 係 方 1 少 至 的 極屬 ^wilXL 大的 放上 述板 上基 及述 極上 電於 線成 極 |"*§1 屬 金 極 電 脂 樹 的 述 上 於 成 形 材 著 接 性 ^•m1 導 以 及 。 極成 電構 5·述 第 圍 範 利 專 請 中 如 中 其 卡 D H 觸 接 hr 之 項 4 或 性 塑 熱 有 具 材 著 接 性 ^ml 導 第 圍 範 利 專 請 申 如 中 其 卡 D I 觸 接 tr 之 項 4 或 性 固 熱 有 具 材 著 接 性 電 導 述 卡 D I 觸 接 tr 之 項 1 任 中 項 4 至 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 材 基 述 上 於 設 片 晶 C I 述 上 中 其 21 326\總檔\93\93134397\93134397(替換)-1 1274369 8 . —種非接觸I D卡之製造方法，其特徵為，在以上述 天線電極及上述放大電極位置一致的狀態，使：形成天線· 於基材上的天線電路基板，與在裝載I C晶片的基材上形成 與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基板進行 層疊之前，塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大 電極中至少一方，將上述絕緣性接著材充填於散佈在電極 接合面上的微細凹部，其次，於上述層疊後，藉由加壓將 二電極緊貼，以充填於上述微細凹部的上述絕緣性接著材 接著接合二電極。 9 . 一種非接觸I D卡之製造方法，其特徵為，在以上述 天線電極及上述放大電極位置一致的狀態，使：形成天線 於基材上的天線電路基板；與在裝載I C晶片的基材上形成 與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基板進行 層疊之前，塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大 電極中至少一方，其次，於上述層疊後，藉由加壓加熱將 二電極緊貼，充填上述絕緣性接著材於散佈在二電極的至 少一方的接合面的微細凹部，並自上述緊貼部朝電極側周 部擠出上述絕緣性接著材的殘餘部分，以充填於上述微細 凹部的上述絕緣性接著材接著接合二電極。 1 0 .如申請專利範圍第9項之非接觸I D卡之製造方法， 其中藉加熱工具進行上述加壓加熱。 1 1 .如申請專利範圍第8、9或1 0項之非接觸I D卡之製 造方法，其中上述天線電極及上述放大電極的至少一方係 單層電極，且係由導電性接著材形成的樹脂電極。 22 326\總檔\93\93134397\93134397(替換)-1 1274369 1 2 .如申請專利範圍第8、9或1 0項之非接觸I D卡之製 造方法，其中上述天線電極及上述放大電極的至少一方係 層疊電極，且係由組成不同的複數種導電性接著材形成的 樹脂電極。 1 3 .如申請專利範圍第8、9或1 0項之非接觸I D卡之製 造方法，其中上述天線電極及上述放大電極的至少一方係 層疊電極，且係由形成於上述基板上的金屬電極及以導電 性接著材形成於上述金屬電極上的樹脂電極構成。 1 4 .如申請專利範圍第8至1 0項中任一項之非接觸I D 卡之製造方法，其中上述I C晶片埋設於上述基材。 23 326\總檔\93\93134397\93134397(替換)-1
TW093134397A 2003-11-11 2004-11-11 Noncontact ID card and method of manufacturing the same TWI274369B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003380645 2003-11-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200523994A TW200523994A (en) 2005-07-16
TWI274369B true TWI274369B (en) 2007-02-21

Family

ID=34567246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093134397A TWI274369B (en) 2003-11-11 2004-11-11 Noncontact ID card and method of manufacturing the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7332798B2 (zh)
EP (1) EP1684338A1 (zh)
JP (1) JPWO2005045919A1 (zh)
KR (1) KR20060100199A (zh)
CN (1) CN1784776A (zh)
TW (1) TWI274369B (zh)
WO (1) WO2005045919A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8519905B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Toppan Printing Co., Ltd. Antenna sheet, transponder, and booklet

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070158804A1 (en) 2006-01-10 2007-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and RFID tag
JP5057767B2 (ja) * 2006-01-10 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8174450B2 (en) * 2008-04-30 2012-05-08 Topcon Gps, Llc Broadband micropatch antenna system with reduced sensitivity to multipath reception
EP2391991A1 (en) * 2009-01-30 2011-12-07 Atek Products, LLC Data carrier system having a compact footprint and methods of manufacturing the same
JP5473017B2 (ja) * 2011-12-12 2014-04-16 コヴィオ インコーポレイテッド 集積化インタポーザを有するｒｆタグ／装置及び／又はｒｆｉｄタグ／装置、並びにその製造方法及び使用方法
CN104143690A (zh) * 2014-07-31 2014-11-12 清华大学深圳研究生院 一种天线的制备方法
JPWO2017006614A1 (ja) * 2015-07-08 2018-03-08 アルプス電気株式会社 高周波モジュール
CN110239082A (zh) * 2019-05-14 2019-09-17 山东理工大学 一种塑性材料3d打印与铣削复合加工方法
US11540578B2 (en) 2020-03-12 2023-01-03 Matscitechno Licensing Company Helmet system

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682706B2 (ja) * 1986-05-29 1994-10-19 松下電器産業株式会社 接続体
JPH0815154B2 (ja) * 1987-05-15 1996-02-14 松下電器産業株式会社 半導体素子用バンプ
JPH02101753A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体チップの取付構造
JPH0513419A (ja) * 1991-07-03 1993-01-22 Rohm Co Ltd 半導体素子のバンプ部形成方法
JPH06177214A (ja) * 1992-05-13 1994-06-24 Fujitsu Ltd 圧着端子とその接続方法および半導体装置の実装方法
JP3333300B2 (ja) 1993-01-28 2002-10-15 松下電器産業株式会社 凹凸面を有するバンプの形成方法およびそのバンプを有する半導体装置の実装方法および半導体ユニット
JP3135435B2 (ja) * 1993-10-19 2001-02-13 松下電器産業株式会社 回路基板の電極接続方法
JPH10313161A (ja) 1997-05-12 1998-11-24 Hitachi Chem Co Ltd 配線基板
JP4240670B2 (ja) 1999-08-31 2009-03-18 三菱重工業株式会社 リブ付き板材の成形加工方法及び加工装置
JP2001217281A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US6779733B2 (en) * 2000-02-22 2004-08-24 Toray Engineering Company, Limited Noncontact id card or the like and method of manufacturing the same
JP3478281B2 (ja) * 2001-06-07 2003-12-15 ソニー株式会社 Ｉｃカード

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8519905B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Toppan Printing Co., Ltd. Antenna sheet, transponder, and booklet

Also Published As

Publication number Publication date
CN1784776A (zh) 2006-06-07
EP1684338A1 (en) 2006-07-26
JPWO2005045919A1 (ja) 2007-05-24
KR20060100199A (ko) 2006-09-20
TW200523994A (en) 2005-07-16
WO2005045919A1 (ja) 2005-05-19
US20060279941A1 (en) 2006-12-14
US7332798B2 (en) 2008-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI248777B (en) Method for connecting microcircuits and connection structure by the same
US7214569B2 (en) Apparatus incorporating small-feature-size and large-feature-size components and method for making same
JP2003168760A (ja) 導電接続部を有するインターポーザ
KR20030076274A (ko) 비접촉 아이디 카드류 및 그 제조방법
TWI274369B (en) Noncontact ID card and method of manufacturing the same
TW200834947A (en) Solar battery cell connection method and solar battery module
JP2010513999A5 (zh)
TWI284844B (en) Noncontact ID card or the like and method of manufacturing the same
JP6147176B2 (ja) 半導体素子の基板への接合方法
TW200803642A (en) Process for producing multilayer board
JP3822043B2 (ja) チップ部品組立体の製造方法
JP4970767B2 (ja) 導電接合シート用の絶縁シート、導電接合シート、導電接合シートの製造方法および電子複合部品の製造方法
JP3959654B2 (ja) マルチチップ実装法
EP1148540A2 (en) Method and device for attaching a semiconductor chip to a chip carrier
KR20180089886A (ko) 반도체 칩의 제조 방법
US11910533B2 (en) Profiled thermode
JP2011199138A (ja) 電子部品相互の接続方法及び接続構造
JP5608504B2 (ja) 接続方法及び接続構造体
JPH08320498A (ja) 液晶表示パネルの端子接続構造
JP2004086852A (ja) 非接触ｉｄカード類及びその製造方法
TW200921518A (en) Method for producing RFID and structure thereof
CN107424966A (zh) 一种覆晶芯片与软性基板封装的结构及方法
JP3894541B2 (ja) Ｉｃチップ実装インターポーザの製法およびそれを用いたｉｃチップ実装メデイアの製法
JP2011114295A (ja) 配線板接続体の製造方法及び配線板接続体
JP2016058718A (ja) 電子部品、接続体、接続体の製造方法、電子部品の接続方法、緩衝材

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees