TWI274369B - Noncontact ID card and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
1274369 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關非接觸I D (識別資訊)卡類及其製: 法。 【先前技術】 習知安裝I C晶片於天線電路基板的所謂非接觸I D 非接觸I D標籤等(以下將其統稱為非接觸I D卡)已 各種型式。 作為其一例子,列舉之有由在基材上形成天線的天 路基板’以及在裝載1C晶片的基材上形成與上述1C 的電極連接的放大電極的***式基板構成,層疊二基 接合上述天線電極與上述放大電極而形成的非接觸I (例如參照後述專利文獻1 )。於此非接觸I D卡中, 電性接著材或導電性黏著材將天線電極與放大電極接 (下稱接著接合)而導通,或不接著而緊貼(下稱非 接合)天線電極與放大電極而導通。 然而,上述接著接合因在任一微小電極上塗覆或貼 狀薄膜膠帶狀導電性接著材或導電性黏著材,故很麻 難以短時間内進行,並且容易發生接合位置偏移。因 需要對生產性及電特性的進一步改善。又,上述非接 合雖因不使用導電性接著材或導電性黏著材來接著二 材,藉此保持二電極的緊貼狀態,故生產性較上述接 合更優異,不過,另一方面卻因二電極的導通狀態不 而電特性不佳。 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 造方 卡或 知有 線電 晶片 板以 D卡 以導 合 接著 附糊 煩, ί匕, 著接 基 著接 穩定 5 1274369 因此,試行接著接合天線電極與放大電極,並接著接合 二基材,或者,將二電極作成非一般金屬電極,至少將其 中任一方作成以導電性接著材形成的樹脂電極等,不過, 仍未充分消除上述缺點。 〔專利文獻1〕國際專利第0 1 / 6 2 5 1 7號公告本(參照圖1 ) 【發明内容】 本發明係有鑑於上述而發明者,其目的在於提供於生產 性及電特性上更為優異的非接觸I D卡以及能製造此種非 接觸I D卡的方法。 為達成上述目的,本發明之非接觸I D卡中,係關於由 在基材上形成天線的天線電路基板’以及在裝載I C晶片的 基材上形成與上述1C晶片的電極連接的放大電極的*** 式基板構成,層疊二基板以接合上述天線電極與上述放大 電極而形成的非接觸I D卡,以充填於散佈在上述天線電極 及/或上述放大電極的接合面的微細凹部的絕緣性接著材 接著接合,俾二電極導通。 又,於本發明之非接觸I D卡之製造方法中,在使形成 天線於基材上的天線電路基板與在裝載I C晶片的基材上 形成與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基板 成以上述天線電極及上述放大電極位置一致的狀態層疊之 前,塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大電極中 至少一方,將上述絕緣性接著材充填於散佈在電極接合面 上的微細凹部,其次,於上述層疊後,藉由加壓將二電極 緊貼,以充填於上述微細凹部的上述絕緣性接著材接著接 6 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 合,俾導通二電極。 或者,於本發明之非接觸I D卡之製造方法中,在使形 成天線於基材上的天線電路基板與在裝載1C晶片的基材 上形成與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基 板成以上述天線電極及上述放大電極位置一致的狀態層疊 之前,塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大電極 中至少一方,其次,於上述層疊後,藉由加壓加熱將二電 極緊貼,充填上述絕緣性接著材於散佈在二電極的至少一 方的接合面的微細凹部,並自上述緊貼部朝電極側周部擠 出上述絕緣性接著材的殘餘部分,以充填於上述微細凹部 的上述絕緣性接著材接著接合,俾導通二電極。 由於以充填於散佈在天線電極及/或放大電極的接合 面的微細凹部的絕緣性接著材如此接著接合二電極,故成 導通狀態牢固接合二電極。 根據本發明,由於充填絕緣性接著材於散佈在天線電極 及/或放大電極的接合面的微細凹部,並以此充填的絕緣 性接著材接著接合二電極,故即便使用絕緣性接著材,仍 可緊貼二電極的接合面的未形成微細凹部部分,導通二電 極,另一方面,如上述以絕緣性接著材牢固接著接合二電 極的接合面的形成微細凹部部分。因此,可提供於生產性 及電特性上更為優異的非接觸I D卡以及能製造此種非接 觸I D卡的方法。 【實施方式】 本發明之非接觸I D卡係層疊天線電路基板與***式基 7 312XP/發明說明書(補件)/94·03/9313497 1274369 板所構成,其一例子顯示於平面圖的圖1及圖1的X — X 箭頭剖視圖的圖2。 於二圖中,***式基板7層疊於下側的天線電路基板2 上,此天線電路基板2如平面圖的圖3及圖3的正視圖的 圖4所示,於絕緣材的樹脂薄膜所構成的矩形基材9上形 成天線6以及與其連接的電極3a、3b (下稱天線電極)而 構成。 此天線6及電極3 a、3 b藉由將混合導電性粒子與樹脂 黏結劑而成的導電性接著材印刷於樹脂薄膜上,並使之乾 燥或硬化形成。亦即,如圖示,天線電極3 a、3 b為單層樹 脂電極。 又,上述天線6及天線電極3 a、3 b可藉由對貼附於樹 脂薄膜的鋁箔或銅箔蝕刻加工形成。此時,電極為金屬電 極 ° 另一方面,***式基板7作成如平面圖的圖5及圖5的 縱剖視圖的圖6所示,埋設I C晶片4於由絕緣材的樹脂薄 膜構成的矩形基材1 0,亦即構成如下:以I C晶片4的電路 面與基材10的上面形成同一平面的方式埋設1C晶片4於 基材1 0,且形成連接於I C晶片4的電極1 2 a、1 2 b的放大 電極 11a、lib。 且,放大電極1 1 a、1 1 b形成於形成在基材1 0上的絕緣 樹脂層8上,經由其連接端子2 1 a、2 1 b (例如,將混合導 電性粒子與樹脂黏結劑而成的導電性接著材充填於貫通絕 緣樹脂層的通孔並硬化形成者)連接於I C晶片4的電極 8 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 12a、 12b ° 此放大電極1 1 a、1 1 b及連接端子2 1 a、2 1 b係藉由在形 成通孔於絕緣樹脂層後,將混合導電性粒子與樹脂黏結劑 而成的導電性接著材印刷充填於通孔並使之乾燥或硬化而 形成。 此放大電極11a、lib亦為如同上述天線電極3a、3b, 以混合導電性粒子與樹脂黏結劑而成的導電性接著材形成 的樹脂單層電極。 如圖1及圖2所示,天線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、 1 1 b均形成平面狀。若為平面狀電極,即因可在二電極的 接著接合之際,以層疊網膜狀物的方式接合,故容易達到 接合的高速化。又,上述天線電極3 a、3 b與放大電極1 1 a、 1 1 b以成各電極的接合面相互緊貼狀態的方式接著接合。 圖7放大顯示一天線電極3 a與放大電極1 1 a的接合狀態。 未顯示的另一天線電極3 b與放大電極1 1 b的接合亦與其相 同。 且,天線電路基板2及***式基板7均係薄膜狀或薄片 狀的實質上平面狀的基板。由於天線電路基板2與***式 基板7的接著接合能以薄膜狀物或薄片狀物等網膜狀物層 疊黏貼的方式進行,故可高效率進行接著接合" 如圖示,天線電極3 a與放大電極1 1 a藉充填於形成在 各電極的接合面的微細凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接 著接合。此凹部3 1、3 2不是對天線電極3 a與放大電極1 1 a 的接合面人為進行糙面化處理等形成者,而是隨著電極的 9 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 形成最初形成者,其散佈於接合面。於圖7中,為容易理 解,凹部3 1、3 2描繪得較實際大。 於半導體晶片的覆晶(flip-chip)接合中’咸知有在將 形成於半導體晶片的電極的電極突起(***)接合於電路 基板的電極之際,塗覆絕緣性樹脂於基板的電極上,其次, 抵接半導體晶片的***於基板電極,加壓加熱,利用絕緣 性樹脂硬化之際的收縮應力接合的所謂NCP接合技術。然 而,相對於N C P接合技術中,利用經由光微影或剝離 (1 i f t - 〇 f f )法等複雜的***形成製程而成之規律而又整齊 配置的***者,本發明的電極藉由印刷混合導電性粒子與 樹脂黏結劑而成的導電性接著材,並使之乾燥或硬化,極 原始地形成。藉此,可簡便且低廉地形成接合用的電極突 起(於本發明中為微細凸起)。 在使用絕緣性接著材3 3於上述天線電極3 a、3 b與放大 電極1 1 a、1 1 b的接合情況下,可緊貼未形成凹部3 1、3 2 的部分(接合面的一部分),導通二電極,並可藉充填於凹 部3 1、3 2的微量絕緣性接著材3 3牢固接著接合二電極。 凹部31、32的大小為0.1//m〜100//m,並以0.5//m〜50 較佳。尤佳者為5//m〜50//m。 且,上述微細凹部3 1、3 2不限於形成在樹脂電極,亦 形成於金屬電極。因此,天線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、 1 1 b可為金屬電極、樹脂電極或層疊金屬電極與樹脂電極 的任一種電極。 然而,以至少其一為樹脂電極較佳。其原因在於,相較 10 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 於金屬電極的情形,上述樹脂電極更容易形成大的凹 3 1、3 2。金屬電極中,若使用對基礎材料的銅箔進行 乂匕處理的銅箔,即可形成大的凹部。 舉銀粒子、鍍銀於銅粒子的粒子、混合碳及銀粒子 合物等作為上述導電性粒子的例子,樹脂黏結劑可為 性或熱固性的任一種。藉由此黏結劑的選擇,決定導 接著材的熱塑性或熱固性。 且,可為混合熱塑性樹脂與熱固性樹脂的樹脂黏、結 分別舉聚S旨、丙稀酸系樹脂作為熱塑性樹脂的例子, 環氧系樹脂、聚亞醯胺作為熱固性樹脂的例子。 上述組成的導電性接著材係膏體,將其塗覆(例如 或印刷等),形成樹脂電極的天線電極3 a、3 b或放大 1 1 a、1 1 b或二電極。熱塑性導電性接著材因可較熱固 電性接著材更縮短塗覆後的後處理時間而較佳。 將導電性粒子攙入熱塑性樹脂黏結劑、混合熱塑性 與熱固性的樹脂黏結劑或如同熱塑性樹脂黏結劑,於 時呈現緊貼性或黏著性的其他樹脂黏結劑的導電性接 亦較佳。
在稀釋熱塑性導電性接著材於溶劑,將其印刷,例 版印刷,形成樹脂電極的天線電極3 a、3 b或放大電極 1 1 b或二電極情況下,於印刷後,使其電極乾燥,並 後接合。在使用熱固性導電性接著材情況下亦相同。 性導電性接著材的緊貼強度雖然較大,不過,印刷後 處理時間(熱硬化時間)卻較長(一般在數秒以上)。S 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 部 糙面 的混 熱塑 電性 「劑。 又舉 滴液 電極 性導 樹脂 加熱 著材 如網 11a、 於此 熱固 的後 ]此, 11 1274369 可按照非接觸I D卡所要求的電特性等可靠性,分開使用二 者。 二電極的接著接合以天線電極3 a、3 b與放大電極1 1 a、 1 1 b位置一致的狀態層疊天線電路基板2與***式基板7 的方式進行,在此之前,將絕緣性接著材3 3塗覆於天線電 極3a、3b及放大電極11a、lib的任一方或二者,充填上 述絕緣性接著材於散佈在電極接合面的微細凹部,其次, 於上述層疊後,藉由加壓俾緊貼二電極,以充填於微細凹 部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接合二電極。 又,二電極的其他接著接合雖然以天線電極3a、3b與 放大電極1 1 a、1 1 b位置一致的狀態層疊天線電路基板2 與***式基板7的方式進行,不過,在此之前,將絕緣性 接著材3 3塗覆於天線f極3 a、3 b及放大電極1 1 a、1 1 b 的任一方或二者,其次,於上述層疊後,藉由加壓加熱俾 緊貼二電極,將絕緣性接著材3 3充填於散佈在二電極的各 接合面的微細凹部3 1、3 2,並自上述緊貼部將絕緣性接著 材3 3的殘餘部分朝電極側周部擠出,以充填於微細凹部 3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接合二電極。 雖可藉由加壓加熱,充填絕緣性接著材3 3至微細凹部 的細部,不過,由於若在層疊接合之前,塗覆絕緣性接著 材3 3於電極,並充填於微細凹部,即只要上述加壓,便可 接合二電極,故無需加熱裝置,裝置簡易化,並由於可使 層疊接合高速化,故能提高生產性。 又,為一面保護電極部,一面提高接合的可靠性,可使 12 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 用具有密封功能(例如防水性等)的絕緣性接著材3 3。於 此情況下,若在二電極接合時,藉由加壓加熱,朝電極側 周部擠出絕緣性接著材3 3,配置於電極周圍,即可密封電 極部,提高接合部的電接合的可靠性。 絕緣性接著材3 3不限於只是除了絕緣性外僅具有接著 性者,亦包含除了絕緣性外還具有黏著性的所謂絕緣性黏 著材,即使冷卻仍具有黏著性者很適合。於此雖舉EVA、 聚烯系、合成橡膠系、接著性聚合物系、胺曱酸乙酯系反 應系等熱熔接著材作為代表例,不過,此熱熔接著材具有 容易因加壓加熱而擴展形成薄層的特性。 其中,由於合成橡膠系熱熔接著材即使在低加壓力下仍 具有容易擴展形成較薄層的特性,故最佳。對天線電極 3 a、3 b及放大電極1 1 a、1 1 b中任一方的絕緣性接著材3 3 的塗覆可為使用喷嘴的滴液或使用針腳或滾子的轉印等過 去已知方法。 若藉由在預先塗覆絕緣性接著材3 3於電極之際加熱使 其容易流動並滴液或轉印等方法來塗覆,即可充分充填至 微細凹部的細部。因此,若將絕緣性接著材3 3加熱而塗覆 於微細凹部,即如上述例子,只要對二電極加壓,便可接 合0 於此根據圖8至圖1 0對上述接著接合更具體加以說明 ,圖8顯示層疊下側天線電路基板2及上側***式基板7 的狀態,塗覆絕緣性接著材3 3於下側天線電極3 a、3 b上。 另一方面,上側放大電極1 1 a、1 1 b成適於接合狀態,相對 13 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 於天線電極3 a、3 b進行位置對準。 而且,圖9顯示***式基板7下降,成放大電極1 1 a、 1 1 b接觸天線電極3 a、3 b上的絕緣性接著材3 3的狀態的 層疊狀態。圖1 0進一步顯示相對於天線電路基板2,將插 入式基板7加熱加壓,緊貼二電極,亦即,緊貼天線電極 3 a、3 b與放大電極1 1 a、1 1 b的狀態。 此加熱加壓未圖示,其使用加熱工具來進行。於此,藉 由加壓加熱俾緊貼二電極,可如上述,充填絕緣性接著材 3 3於散佈在二電極的各接合面的微細凹部3 1、3 2 (參照圖 7 ),並自上述緊貼部將絕緣性接著材3 3的殘餘部分擠出, 可藉充填於微細凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接著接合 二電極。且在選擇上述熱熔接著材作為絕緣性接著材3 3 情況下,可於0 . 0 5〜0 . 2秒左右的極短時間内進行二基板 的層疊接合。 於本發明中,***式基板7可為圖1 1的態樣以替代圖6 的態樣。其雖埋設IC晶片4於基材1 0,不過,亦可成不 埋設的狀態裝載。然而,考慮基板的薄型化,以埋設I C 晶片4於基材1 0較佳。 若使用埋設I C晶片4於樹脂薄膜的網膜狀***式基 板,以及同樣由樹脂薄膜等構成的網膜狀天線電路基板, 即可藉由輥對輥方法,以一般處理網膜狀物的方式層疊接 合二電極,製造非接觸I D卡。 又,可替代如上述使天線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、 1 1 b的至少任一方為單層電極並作成樹脂電極,使其為層 14 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 疊電極並作成以組成不同的複數種導電性接著材形成的樹 脂電極。例如,可為在由熱固性導電性接著材形成的下層 電極上形成由熱塑性導電性接著材形成的上層電極所構成 的層疊電極。 進一步如圖12及圖13所示,放大電極lla、lib可為 層疊電極,並由形成於基材1 0上的金屬電極3 5以及於此 金屬電極3 5上由導電性接著材形成的樹脂電極3 6構成。 圖1 2的***式基板7雖具備絕緣樹脂層8,圖1 3的*** 式基板7卻不具備此層。 如圖1 4所示,可接合圖1 2的***式基板7與天線電路 基板2。於其中,天線電極3a、3b與放大電極11a、lib 以各接合面相互緊貼的狀態接著接合。圖1 5放大顯示一天 線電極3 a與放大電極1 1 a的接合狀態。未圖示的另一天線 電極3 b與放大電極1 1 b的接合亦與其相同。 如圖所示,天線電極3 a與放大電極1 1 a以充填於形成 在各接合面的微細凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3接著接 合。且,放大電極1 1 a的接合面由上述樹脂電極3 6構成, 絕緣性接著材3 3充填於散佈在其上的微細凹部3 2。於圖 1 5中,為容易理解,凹部3 1、3 2描繪得較實際大。 因此,即便使用絕緣性接著材3 3,仍可緊貼未形成凹部 3 1、3 2的部分(接合面的一部分),導通二電極,並能以 充填於凹部3 1、3 2的絕緣性接著材3 3牢固地接著接合二 電極。 於此接合之際,如圖1 6所示,塗覆絕緣性接著材3 3於 15 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 下側的天線電極3 a、3 b上。另一方面,上側的放大電極 1 1 a、1 1 b成適於接合狀態,相對於天線電極3 a、3 b進行 位置對準。其次,如圖1 7所示,下降***式基板7,放大 電極1 1 a、1 1 b成接觸天線電極3 a、3 b上的絕緣性接著材 3 3的狀態層疊,而且,相對於天線電路基板2,加熱加壓 ***式基板7,緊貼二電極。因此,可如上述,牢固地緊 貼二電極。 圖1 6雖然顯示塗覆絕緣性接著材3 3於天線電極3 a、3 b 上的例子,不過,若在接合之前預先塗覆絕緣性接著材3 3 於放大電極1 1 a、1 1 b,充填於微細凹部,即可使放大電極 與天線電極的位置一致,進行利用加壓電導通的接合。 且,替代放大電極11a、lib為層疊電極,並由形成於 基材1 0上的金屬電極3 5以及於此金屬電極3 5上由導電性 接著材形成的樹脂電極3 6構成,可僅使天線電極3 a、3 b, 或使放大電極11a、lib及天線電極3a、3b成為由金屬電 極3 5及樹脂電極3 6構成的層疊電極。扼要言之,可使天 線電極3 a、3 b及放大電極1 1 a、1 1 b的至少其中一方成為 此種層疊電極。 由金屬電極3 5及以熱塑性導電性接著材形成的樹脂電 極3 6構成放大電極1 1 a、1 1 b,一與金屬電極的天線電極 3 a、3 b接合,即可在0 · 0 5秒〜0. 2秒内接合,此時,接合 部的電阻值為0. 1 Ω〜1 Ω ,緊貼強度為1 0 N / cm〜5 Ο N / cm ° 即便使用將導電性粒子攙入混合熱塑性樹脂及熱固性 16 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 的樹脂黏結劑,或如同熱塑性樹脂黏結劑於加熱時呈現緊 貼性或黏著性的其他樹脂黏結劑的導電性接著材情況下, 接合時間或電阻值仍然大致相同。作為接合之際的加熱加 壓手段的加熱工具以具備熱源的軋輥構成的旋轉型者較 佳。特別是可串列配置複數旋轉型加熱工具,藉此等加熱 工具對天線電路基板及***式基板的層疊體加熱加壓即 可。原因在於,可縮短接合時間,高速結合。 用於接著接合的絕緣性接著材以具有在低溫、微少壓力 下,且在短時間内薄化延伸並擴展的性質者較佳。因此, 絕緣性接著材的拉伸強度與伸長率的關係很重要。拉伸強 度在3MPa以下,並以在IMPa以下較佳,伸長率在30%以 上,並以在5 0 0 %以上較佳。 〔實施例〕 使用藤倉股份有限公司製熱塑性銀膏F A — 3 3 3,藉由印 刷法,於聚酯薄膜上製成天線樹脂電極。天線樹脂電極的 大小為2.0_x2.0mni,厚度為12//Π1。另一方面,使用東 亞合成股份有限公司製熱塑性銀膏PES — E9 1,同樣藉由印 刷法,於聚碳酸酯薄膜上形成放大樹脂電極。放大樹脂電 極的大小為2 . 5 mm X 2. 5 mm,厚度為3 0 // m。 於放大樹脂電極與天線樹脂電極的接著接合時,使用轉 印針腳,以每一電極0 . 5 m g,塗覆東亞合成股份有限公司 製合成橡膠系的熱熔材PPET於天線電極上。其次,以加壓 工具的真空吸附口吸附***式基板,於天線樹脂電極與放 大樹脂電極的位置一致後,下降加壓工具,對二電極部加 17 312XP/發明說明書(衝牛)/94-03/9313497 1274369 壓加熱,接著接合。 此時的加熱溫度為1 8 0 °C,加壓壓力為0 . 8 Μ P a,接著接 合時間為0 . 2秒。此時的接合電阻為0 . 3〜0 . 4 Ω,電阻值 通過6 0 °C、9 3 % R Η的高溫高濕試驗及一 4 0 °C〜8 0 °C的冷熱 循環試驗,其上昇在容許範圍内。 用於接著接合的PPET係拉伸強度為0. 3 MPa,伸長率 為1 4 0 0 % ,具有非常容易延伸的特性的絕緣性接著材。 【圖式簡單說明】 圖1係非接觸I D卡的平面圖。 圖2係圖1的X — X箭頭剖視圖。 圖3係天線電路基板的平面圖。 圖4係圖3的正視圖。 圖5係***式基板的平面圖。 圖6係圖5的縱剖視圖。 圖7係圖2的電極接合部的放大圖。 圖8顯示接合開始時的天線電路基板與圖6的***式基 板的位置關係的縱剖視圖。 圖9係顯示圖6的***式基板的放大電極接觸塗覆於天 線電路基板的電極(天線電極)上的絕緣性接著材狀態的 縱剖視圖。 圖1 0係顯示天線電路基板的電極(天線電極)與圖6 的***式基板的放大電極接合狀態的縱剖視圖。 圖1 1係顯示***式基板的另一例子的縱剖視圖。 圖1 2係顯示***式基板的另一例子的縱剖視圖。 18 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 1274369 圖1 3係顯示***式基板的另一例子的縱剖視圖。 圖1 4係顯示天線電路基板的電極(天線電極)與圖1 2 的***式基板的放大電極接合狀態的縱剖視圖。 圖1 5係圖1 4的電極接合部的放大圖。 圖1 6係顯示接合開始時的天線電路基板與圖1 2的*** 式基板的位置關係的縱剖視圖。 圖1 7係顯示圖1 2的***式基板的放大電極接觸塗覆於 天線電路基板的電極(天線電極)上的絕緣性接著材狀態 的縱剖視圖。 【主要元件符號說明】 2 天線電路基板 3a、 3b 天 線 電 極 4 IC 晶 片 6 天 線 7 插 入 式 基 板 8 絕 緣 樹 脂 層 9 矩 形 基 材 10 基 材 11a、 11 b 放 大 電 極 12a、 12b 電 極 21a、 21 b 接 觸 端 子 31、 32 微 細 凹 部 33 絕 緣 性 接 著材 35 金 屬 電 極 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 19 1274369 3 6 樹脂電極
312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313497 20
Claims (1)
- 95. 4. 18 替換本 ---------------- 十、申請專利範圍: 1 . 一種非接觸I D卡,係由在基材上形成天線的天線電-路基板,以及在裝載1C晶片的基材上形成與上述1C晶片 的電極連接的放大電極的***式基板構成^層豐二基板以 接合上述天線電極與上述放大電極而形成的非接觸I D卡, 其特徵在於:以充填於散佈在上述天線電極及/或上述放 大電極的接合面的微細凹部的絕緣性接著材,接著接合二 極 電 天 述 上 中 其 卡 D I 觸 接 tr 之 項 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 及 著 極接 電 性 線電 大 放 述 上 的 成 形 材 本 月 電樹 導 由 係 且 極 電 層 單 係 方 1 少 至 的 極 電 匕曰 天 述 上 中 其 卡 D I 觸 接 tr 之 項 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 3 由 係 且 , ο 極極 1^^fril 疊 脂 層樹 係的 方成 1 形 少材 至 著 的接 極性 rpjr 大導 放種 述數 上複 及的 極同 電不 線成 天 述 上 中 其 卡 D I 觸 接 kr 之 項 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 4 形 由 係 且 極 電 疊 層 係 方 1 少 至 的 極屬 ^wilXL 大的 放上 述板 上基 及述 極上 電於 線成 極 |"*§1 屬 金 極 電 脂 樹 的 述 上 於 成 形 材 著 接 性 ^•m1 導 以 及 。 極成 電構 5·述 第 圍 範 利 專 請 中 如 中 其 卡 D H 觸 接 hr 之 項 4 或 性 塑 熱 有 具 材 著 接 性 ^ml 導 第 圍 範 利 專 請 申 如 中 其 卡 D I 觸 接 tr 之 項 4 或 性 固 熱 有 具 材 著 接 性 電 導 述 卡 D I 觸 接 tr 之 項 1 任 中 項 4 至 II 第 圍 範 利 專 請 申 如 材 基 述 上 於 設 片 晶 C I 述 上 中 其 21 326\總檔\93\93134397\93134397(替換)-1 1274369 8 . —種非接觸I D卡之製造方法,其特徵為,在以上述 天線電極及上述放大電極位置一致的狀態,使:形成天線· 於基材上的天線電路基板,與在裝載I C晶片的基材上形成 與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基板進行 層疊之前,塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大 電極中至少一方,將上述絕緣性接著材充填於散佈在電極 接合面上的微細凹部,其次,於上述層疊後,藉由加壓將 二電極緊貼,以充填於上述微細凹部的上述絕緣性接著材 接著接合二電極。 9 . 一種非接觸I D卡之製造方法,其特徵為,在以上述 天線電極及上述放大電極位置一致的狀態,使:形成天線 於基材上的天線電路基板;與在裝載I C晶片的基材上形成 與上述I C晶片的電極連接的放大電極的***式基板進行 層疊之前,塗覆絕緣性接著材於上述天線電極及上述放大 電極中至少一方,其次,於上述層疊後,藉由加壓加熱將 二電極緊貼,充填上述絕緣性接著材於散佈在二電極的至 少一方的接合面的微細凹部,並自上述緊貼部朝電極側周 部擠出上述絕緣性接著材的殘餘部分,以充填於上述微細 凹部的上述絕緣性接著材接著接合二電極。 1 0 .如申請專利範圍第9項之非接觸I D卡之製造方法, 其中藉加熱工具進行上述加壓加熱。 1 1 .如申請專利範圍第8、9或1 0項之非接觸I D卡之製 造方法,其中上述天線電極及上述放大電極的至少一方係 單層電極,且係由導電性接著材形成的樹脂電極。 22 326\總檔\93\93134397\93134397(替換)-1 1274369 1 2 .如申請專利範圍第8、9或1 0項之非接觸I D卡之製 造方法,其中上述天線電極及上述放大電極的至少一方係 層疊電極,且係由組成不同的複數種導電性接著材形成的 樹脂電極。 1 3 .如申請專利範圍第8、9或1 0項之非接觸I D卡之製 造方法,其中上述天線電極及上述放大電極的至少一方係 層疊電極,且係由形成於上述基板上的金屬電極及以導電 性接著材形成於上述金屬電極上的樹脂電極構成。 1 4 .如申請專利範圍第8至1 0項中任一項之非接觸I D 卡之製造方法,其中上述I C晶片埋設於上述基材。 23 326\總檔\93\93134397\93134397(替換)-1
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