JPH0513419A - 半導体素子のバンプ部形成方法 - Google Patents
半導体素子のバンプ部形成方法Info
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
の凹凸が一定のものを得る。 【構成】予め金型用板材10aにエッチング処理によっ
て深さ一定の凹凸形状11を形成して、バンプ用金型1
2を製作しておき、一方半導体素子13の電極部に平坦
状のバンプ14を形成した後、前記バンプ用金型12の
凹凸部11に前記半導体素子13のバンプ部14をスタ
ンピングし、バンプ部に深さ一定の凹凸形状の溝15を
形成する。
Description
晶表示パネル、イメージセンサ、LEDヘッド等に半導
体素子をフェースダウン実装する際に使用する半導体素
子のバンプ部の形成方法、特にバンプの凹凸の高さ、深
さが均一に得られる半導体素子のバンプ部形成方法に関
する。
素子をフェースダウン実装する場合の例えばAu等から
なるバンプ部は表面の凹凸が小さくある程度平滑であっ
た。図3は、従来の半導体素子のバンプ部を説明するた
めの図面であり、図3の(a)では半導体素子31と回
路基板30の接続前を示し、図3の(b)では両者の接
続後を示している。そして、図3の(a)と(b)の接
続構造では、回路基板30と電極部付き半導体素子31
と、この半導体素子31のバンプ部32と、バンプ部3
2を介して半導体素子31と接続される回路基板30の
配線パターン33と、半導体素子31と回路基板30を
接着させ、またバンプ部32と配線パターン33との電
気的接続を維持する接着用樹脂34とを備えている。図
に示すようなバンプ部32を介して、半導体素子31と
回路基板30の配線パターン33を電気的に接続する場
合には、先ず半導体素子31と回路基板の配線パターン
33を位置合わせした後、接着用樹脂34を回路基板3
0又は半導体素子31に塗布し、この半導体素子31に
圧力を加えてバンプ部32を回路基板30の配線パター
ン33に押し当てる。これにより、圧力によって、バン
プ部32と配線パターン33間の樹脂34が押し出さ
れ、バンプ部32が回路基板30の配線パターン33に
接触し、その後接着用樹脂34が固まることによって電
気的接続がもたれる。
素子のバンプでは、バンプ部32の高さにバラツキのあ
る場合や回路基板30にいわゆる反りやうねりがある場
合には、接着用樹脂34がバンプ部32と回路基板の配
線パターン33の間からきちんと押し出されず、不完全
な接触のままバンプの配線パターンが固定され、電気的
接続が不良となるおそれがある。
ように、バンプ部32の表面に1μm以上の凹凸を形成
するものが提案されている。しかしながら、このバンプ
部32に凹凸を形成するにしても、例えば従来のように
導電粒子の大きさにより凹凸を作り出す方法とか、メッ
キ時の触媒の濃度を変えることにより凹凸を作り出す方
法では、その形成方法によっては凹凸の高さが個々に大
きく相違すると、やはりバンプ部32と配線パターン3
3との完全な接触が得にくいという問題が残る。
たものであって、バンプの凹凸の高さを均一に得ること
のできるバンプ部形成方法を提供することを目的として
いる。
体素子のバンプ部形成方法は、予め金型用板材にエッチ
ング処理によって深さ一定の凹凸形状を形成して、バン
プ用金型を製作しておき、一方半導体素子の電極部にバ
ンプを形成した後、バンプ用金型の凹凸部に半導体素子
のバンプ部をスタンピングし、バンプ部に深さ一定の凹
凸形状の溝を形成するようにしている。
予め深さ一定の凹凸形状を有するバンプ用金型を製作し
ておき、このバンプ用金型を用いて半導体素子のバンプ
部をスタンピングするものであるから、バンプ部の深さ
の一定な凹凸形状の溝が形成されることになり、このバ
ンプ部を回路基板のパターンに接触させると、一定の接
触度合のものを得ることができる。
に説明する。図1は、本発明の一実施例バンプ部形成方
法を説明するための図面である。この実施例では、ま
ず、第1段階としてバンプ用金型を予め製作する。バン
プ用金型としては、図1の(a)に示すように、平板状
の板材10aを用意する。この平板状の板材10aにエ
ッチング処理を施し、深さ一定の凹凸形状11を形成し
て、バンプ用金型12を作製する〔図1の(b)参
照〕。一旦このバンプ用金型12を作製した後は、同じ
このバンプ用金型12を用いて多くの半導体素子のバン
プ部を形成することができる。すなわち、図1の(c)
に示すように、バンプ用金型12の上から半導体素子1
3のバンプ部14をバンプ用金型12の凹凸部11にス
タンピングして、このバンプ用金型12の凹凸11に対
応して深さ一定の凹凸形状15をバンプ部14の表面に
形成する。なお、バンプ材としてはAu、Cu等が使用
される。以上のようにして、得られたバンプ部14を持
つ半導体素子を第1図の(d)に示している。この得ら
れた半導体素子は、バンプ部14の凹凸形状15の凸部
の高さと、凹部の深さが均一である。そのため、これを
用いて回路基板の配線パターンに接続する場合は、図2
に示すように、回路基板16の配線パターン17とバン
プ部14の凹凸部15が多点での接触、つまり良好な接
触のもとに接続を行うことができる。18は樹脂であ
る。
成される凹凸は、紙面の表裏方向に対してのみ三角状の
凹凸溝を形成したものを示しているが、紙面の表裏方向
とともに、左右方向に三角形状としもよく、また凹凸の
形状は三角形に限る必要はなく、矩形、台形、その他の
形状であっても差支えない。
するバンプ用金型を製作しておき、一方、このバンプ用
金型の凹凸部にバンプ部をスタンピングして、バンプ部
に高さ一定の凹凸部を形成するものであるから、得られ
るバンプ部の凹凸の高さは常に一定であり、これを用い
て回路基板の配線パターン部と接触、接続させる場合に
は、樹脂の残存があっても、多点接触による良好な接続
状態とすることができる。
成方法を説明するための図である。
て、回路基板の配線パターンとの接続状態を示す図であ
る。
される状態を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】予め金型用板材にエッチング処理によって
深さ一定の凹凸形状を形成して、バンプ用金型を製作し
ておき、一方半導体素子の電極部にバンプを形成した
後、前記バンプ用金型の凹凸部に前記半導体素子のバン
プ部をスタンピングし、バンプ部に深さ一定の凹凸形状
の溝を形成することを特徴とする半導体素子のバンプ部
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3162898A JPH0513419A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体素子のバンプ部形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3162898A JPH0513419A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体素子のバンプ部形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513419A true JPH0513419A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15763339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3162898A Pending JPH0513419A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体素子のバンプ部形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513419A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-07-03 JP JP3162898A patent/JPH0513419A/ja active Pending
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