1247383 九、發明說明： L發明戶斤屬之技術領域3 相關申請案對照 這申請案是以於2004年8月30日提出申請之早前曰本 5 專利申請案第2004-250632號案為基礎並且主張該案之優 先權的利益，該案的整個内容是被併合於此中作為參考。 發明領域 本發明是有關於一種半導體裝置，更特別地，具有電 源電容器的半導體裝置。 10 【先前技術】 發明背景 一半導體頂端具有電源電位Vdd與參考電位Vss用的外 部端。藉由連接一個供在該半導體頂端之外部基體上之個 別部件用的電容器（電容器）在這兩個外部端之間作為一 15 個旁通電容器，電源電壓的穩定化是被實現。於一半導體 (半導體頂端）中之微型化的近期發展中，藉由設置該旁通 電容器於該半導體裝置中來降低在該半導體外部之部件之 數目的需求已出現。 一種半導體，在其中，電源導線是置於訊號導線之間， 20 是於下面的專利文件1中揭露。 [專利文件1] 曰本專利申請案早期公開第Hei 3-120743號案 【發明内容】 發明概要 1247383 本發明之目的是為防止訊號導線的訊號遭受由於電源 電容器而起的不良影響。 根據本發明之一特徵，一種半導體是被提供，該半導 體包含··構成電源電壓端的一高參考電位端及一低參考電 5 位端；一個第一MOS電容器，在其中，一個p-通道MOS場 效電晶體的閘極是連接到該低參考電位端，而一源極與一 汲極是連接到該高參考電位端；及一第一訊號導線，該第 一訊號導線是經由一寄生電容器來連接到該閘極而且一個 處於低參考電位的訊號是在起動該電源之時被供應。 10 圖式簡單說明 第1A至1C圖是為顯示η-通道MOS電容器之半導體裝 置之結構例子的圖示； 第2Α至2C圖是為顯示一半導體裝置之結構例子的圖 示，在其中，訊號導線是設置於該η-通道MOS電容器的空 15 間區域内； 第3圖是為一個顯示該訊號導線在起動該電源之時之 電壓的波形圖； 第4圖是為一個顯示利用一旁通MOS電容器與一訊號 導線之一半導體裝置之例子的電路圖； 20 第5圖是為一個顯示當無在第4圖中之寄生電容器202 是存在時於起動一理想半導體裝置之電源之時之運作之例 子的時序圖； 第6圖是為一個顯示當在第4圖中之寄生電容器202是 存在時於起動該半導體裝置之電源之時之運作之例子的時 1247383 序圖， 第7圖是為一個顯示本發明之第一實施例之利用一旁 通MOS電容器與訊號導線之半導體裝置之例子的電路圖； 第8A至8C圖是為顯示利用p-通道MOS電容器與訊號 5 導線之半導體裝置之結構之例子的圖示； 第9圖是為一個顯示利用一p-通道MOS電容器與訊號 導線之半導體裝置之另一個例子的電路圖； 第10圖是為一個顯示當無在第9圖中之寄生電容器202 是存在時於起動該電源之時一理想半導體裝置之運作之例 10 子的時序圖； 第11圖是為一個顯示當在第9圖中之寄生電容器202是 存在時於起動該電源之時一半導體裝置之運作之例子的時 序圖；及 第12圖是為一個顯示本發明之第二實施例之利用一旁 15 通MOS電容器與訊號導線之一半導體裝置之例子的電路 圖。 I：實施方式3 較佳實施例之詳細說明 -第一實施例- 20 一個電源穩定電容器（一個旁通電容器）是連接到一 半導體裝置的電源俾供應電源之穩定電壓，降低在電源之 電壓上的下降量。如果該旁通電容器是設置於一半導體裝 置的外部的話，外部部件的數目被增加，其使得成本昂貴。 因此，藉由設置一旁通電容器於一半導體裝置之内，外部 1247383 4件的數目被降低以致於一個不昂貴的基體模組能夠被製 作。 該旁通電容器是利用一個與用作半導體裝置之内部邏 輯電路之MOS場效電晶體相同的MOS (金屬氧化物半導體） 5 場效電晶體來被構築如一MOS電容器。藉由以MOS電容器 構成旁通電容器，在價格上變得比以昂貴之材料製作低而 且增加半導體產品的處理。於此後，MOS場效電晶體是僅 被稱為電晶體。 第1A至1C圖是為顯示η·通道MOS電容器之半導體裝 10 置之結構例子的圖示。該η-通道MOS電容器是利用η_通道 電晶體來被構築而成。第1Α圖是為該半導體裝置的前視 圖’第1Β圖是為在第1Α圖中之半導體裝置之從右邊看的剖 視圖’而第1C圖是為在第1Α圖中之半導體裝置之從底部看 的剖視圖。 15 一個Ρ-型基體1〇〇是為，例如，一個矽基體。一個源極 101是為一個設置於該ρ-型基體1〇〇的11-型擴散區域。一個沒 極102是為一個設置於該ρ-型基體100的11•型擴散區域。一個 通道區域是設置於該基體100的表面上於該源極1〇1與該汲 極102之間。在該通道區域之上，一個閘極1〇3是經由一個 2〇閘極絕緣薄膜111來被設置。該閘極絕緣薄膜111是為，例 如，多晶矽。在該閘極103上，一個導線層（包括電源1〇7，1〇8, 和109的導線）是經由一個絕緣薄膜U2來被設置。該電源 107的導線是為一源極導線而且是經由一個觸點1〇4來連接 到該源極101。該電源108的導線是為一閘極導線而且是經 8 1247383 ^-個觸點105來電氣連接到該閘極ig3。該電源卿的導線 疋為一，及轉線而且是經由—個觸點⑽來電氣連接到該 汲極102。 »亥冋參考電位Vdd與該低參考電位vss的端形成電源電 5壓。例如，該高參考電位篇是為5 V或者3.3V，而該低參 考電位Vss是為〇 v (接地）。該源極導線1〇7與該沒極導線 卿是連接到該低參考電位Μ的端，而該閘極導線⑽是連 接到該高參考電位Vdd的端。換句話說，該低參考電位Μ 是被供應到該源極101與該汲極⑽，而該高參考電位遞 H)是被供應到極1G3。藉此，—個通道是形成在該源極⑻ 與该汲極102之間俾形成一個M〇s電容器ιΐ3。 該MOS電容器113是形成在該閑極1〇3與該等n_型區域 10U02之間。藉由把在該閘極1G3的電壓設定成與取用該 等η-型區域HH和1()2之電位之該電晶體臨界電壓⑽相等 15或者更大的電源電壓Vdd，一個電容器是被形成。 如上所述，在該n_通道動s電容器113中，藉由施加該 高參考電位vdd到該閘極103,及該低參考電位vss到該源極 和該没極1〇2，該通道是形成於該通道區域内而且一 個MOS電容器被形成，在其中，該開極絕緣薄膜ui作用如 20 -介電材料，而該閘極103，及該等n_型擴散區域i〇u〇2 是作用如電極。該電容值C是由方程式（1)得到。 C = ε X S/t (1) 在這裡’ ε表示該間極絕緣薄膜⑴的介電常數而且是 由該閘極絕緣薄模111的相對介電常數χ真空介電常數所 1247383 表露。S表示一個閘極面積，而且是由通道Wx通道長度L 所表露。t表示該閘極絕緣薄膜111的厚度。 為了得到一個穩定的電源電壓，縱然端視一個消耗電 流而定，該MOS電容器113的電容器值必須是大約1 〇〇〇〇 5 [pf]。當施加這到該方程式（1)時，它是如下。在這裡，t 是被假設為10 [nm]而ε是為34 X 10_12 [F/m] S = C X t/ε =10000 [pF] X 10 [nm]/ (34 x 10'12 [F/m]) =3 [mm2] 10 例如，由於具有128 Mbit之DRAM (動態隨機存取記憶 體）的尺寸現在是大約30 mm2,該閘極S的面積（3mm2)相 當於該DRAM之面積的大約10%，其表示它需要一個大面 積。要以單一片電晶體實現該閘極面積S = 3 [mm2]的尺寸 是有可能的，但是現實地最好是藉由並聯地連接很多電晶 15 體來實現該閘極面積S = 3 [mm2]。 由於該閘極面積S需要大面積，最好是有利地利用在該 閘極103之上之導線層中的空間區域110。藉由把訊號導線 置於該空間區域110，及藉由把該MOS電容器113與該訊號 區域置於相同的區域，該半導體裝置的整體面積能夠被縮 20 減。 第2A至2C圖是為顯示一半導體裝置之結構例子的圖 示，在其中，訊號導線201是設置於在第1A至1C圖中之n-通道MOS電容器113的空間區域110内。第2Α圖是為該半導 體裝置的前視圖，第2B圖是為在第2A圖中之半導體裝置之 10 1247383 從右邊看的剖視圖，而第2C圖是為在第2A圖中之半導體裝 置之從底部看的剖视圖。 該訊號導線201是在言亥閘極103之上部份經由該絕緣薄 膜112來連接到该閘極1〇3。由於該訊號導線延伸一個長 5距離’ 一個大的寄生電容器202是加在該閘極103與該訊號 導線201之間。換句話說，該訊號導線201是經由該寄生電 谷器202來連接到該閘極1〇3。該電源1〇7至1〇9的導線與該 汛號導線201是設置於該導線層。在該M〇s電容器n3的區 域中’藉由設置該訊號導線2〇1於該導線層的空間區域内， 10該半導體裝置的面積能夠被有效地利用。該訊號導線2〇1能 夠被使用作為在半導體裝置中除了該M〇s電容器113以外 之其他電路的訊號導線。 例如，如在第4圖中所示，在以上所述的卜通道m〇S電 谷器113中’該閘極是連接到該高參考電位vdd的端，而該 15 源極與該没極是連接到該低參考電位Vss的端。該訊號導線 2〇1是經由該寄生電容器202來連接到該MOS電容器113的 閘極103。簡而言之，該訊號導線201是經由該寄生電容器 202來連接到該高參考電位Vdd的端。 第3圖是為一個顯示於起動該電源之時該訊號導線2〇1 20 之電壓V201的波形圖。在這裡，為了簡潔起見，說明將會 是在假設該訊號導線201處於懸浮下被完成。該水平軸表示 時間。在起動該電源時，該高參考電位Vdd逐漸地自〇 v上 升，而然後在一固定電位安定下來。該低參考電位Vss維持 0 V。由於該訊號導線201處於懸浮狀態，起初無電壓被供 1247383 應。然而，由於該訊號導線201是經由該寄生電容器202來 連接（電容耦合）到該高參考電位Vdd，該電壓V201跟隨該 高參考電位Vdd上升並且固定到一個固定值。換句話說，在 起動該電源時，該訊號導線201的電壓V201在沒有意圖下上 5 升。這現象引致一個利用該訊號導線201之電路的故障。該 電路例子是在第4圖中顯示。 第4圖是為一個顯示一利用旁通MOS電容器113與該訊 號導線201之半導體裝置之例子的電路圖。該半導體裝置能 夠執行，例如，一個記憶體的寫入運作與讀取運作。 1〇 於起動該電源之時，一個訊號電路411供應一個處於高 參考電位（高位準）Vss的訊號到該導線4〇1俾可供應一個 處於低參考電位（低位準）Vss的訊號到該訊號導線2〇1。一 個驅動器412以邏輯反相放大形式把該導線4〇1的訊號輸出 到該訊號導線201。 5 一個時鐘電路413把一個時鐘訊號輸出到該導線402俾 可把一個時鐘訊號供應到一個正反器415。一個驅動器414 以邏輯反相放大形式把該導線402的訊號輸出到一導線 403 〇 "玄D-型正反器415在維持該訊號導線201的發訊號狀態 20時與该導線403之時鐘訊號之上算同步地經由導線4〇4輸出 到一運作電路416。即使當該時鐘訊號在其後下％，該正反 在本持χ»亥狀悲時輸出。該運作電路416在該導線414變 成=參考電位Vdd時運作，像電子計算或其類似之起動般之 半導體裝置的功能被起作用。簡而言之，該運作電路416可 12 1247383 在該尚參考電位V d d被供應到該訊號導線2 〇 1時運作。 第5圖是為一個顯示當無在第4圖中之寄生電容哭2〇2 是存在時起動一個理想半導體裝置之電源之時之運作之例 子的時序圖。該高參考電位Vdd與該低參考電位Vss是與以 上所述之第3圖的說明相同。在起動該電源時，該高泉考電 位Vdd逐漸地從〇 v上升，而然後在一固定電位安定下來。 該低參考電位Vss維持〇 v。該訊號電路411在起動該電源之 時把該高參考電位Vdd輸出到該導線401，該驅動器412邏輯 10 15 20 地反相該高參考電位Vdd的輸出訊號俾可輸出到該訊號導 線201。該訊號導線2〇1的電壓V2〇1維持該低參考電位Vm (0 V)。該導線403的電壓V403是為對應於該時鐘電路4i3 之時鐘訊號的電壓。該正反純5與該電壓·3的上升同步 並且在保持該電壓V201時把電壓V404輸出到該導線4〇4。 由於該電壓V2()1在該電壓V403的上升時間是處於該低參 考電位VSS，該電壓V404維持該低參考電位Vss。由於該電 墾4〇4疋處於该低參考電位Vss，該運作電路仙停止運 作。在該電源起動周期期間，當該電源起動時，該； 電位·自它上升起直到它安定在一时值為止的時間是 不穩定^。在該電源起動周期期間，該運作電路416的寫入 運作、、讀取運作、及其類似無法被穩定地執行。據此:如 上所述，於起動該電源之時，該運作電路416的運作會被 止^致於该訊號電路411使該電壓相等於該低來考電 立^ 藉此，在該電源起動周期期間，該運作電路 不％疋運作能夠被防止。 13 1247383 在起動該電源之後的運作接著將會作說明。當一個寫 或"貝取運作或其類似被要求時，該訊號電路4ΐι把該低參 2電位vss輸出到該導線4G1作為—個寫人命令、一個讀取 $命令、或其類似。該驅動器412藉由邏輯反相該輸出訊號來 5輪出該高參考電位Vdd的電壓V202。 ▲該正反器415與該電壓V4〇3的上升同步化，並且在保持 =電壓V202的狀態時輸出該電壓V4〇4。由於該電壓v4〇4 變成高參考電壓Vdd，該運作電路416能夠執行寫入運作、 讀取運作、及其類似。 1〇 第6圖是為一個顯示當在第4圖中的寄生電容器202是 存在時於起動該半導體裝置之電源之時之運作之例子的時 序圖。與第5圖相同的說明是發生在高參考電位與低參 考電位Vss。由於該高參考電位Vdd在起動該電源之時不到 達一個固定電位，該驅動器412的輸出能力是不適足的。據 15此，與第3圖之以上所述的說明相似，由於該訊號導線加 呈由忒寄生電谷器2〇2來連接到該高參考電位Vdd，該電 壓V201跟隨該高參考電位Vdd來上升。當該高參考電位 上升到一個固定值時，該驅動器412的輸出能力是適足的， 而且該電壓V201變成該低參考電位Vss。該導線4〇3之時鐘 20電MV403的說明是與5第圖之以上所述的說明相同。 δ亥正反器415與該電壓V403的上升同步而且在保持嗲 電壓V201時輸出該電壓V4〇4到該導線4〇4。由於該電壓 V2〇1在該電鮮403的上升之時是處於高位準，該電 變成高參考電位Vdd。由於該運作電路416的電壓V4〇4是為 14 1247383 該高參考電位Vdd’它縱使在起動該電源之時是運作。然 而，在該電源起動周期期間，由於該高參考電位vdd不到達 -個固定值，該運作電路紐敎地運作，其肢導致錯 誤運作的問題。 5 如上所述，當該訊號導線201是被提供俾可有效地利用 該旁通MOS電容器113的空間區域11〇時一個半導體裝置 在起動該電源之時由於該寄生電容器地的效應而引致錯 誤運作。-個解決該問題的半導體裝置是被顯示於第7圖 中〇 10 第7圖是為一個顯示本發明之第一實施例之利用一旁 通MOS電容器與訊號導線之半導體裝置之例子的電路圖。 在第7圖中的電路與在第4圖中的電路不同的地方是在於一 個p-通道MOS電容器813是被設置取代該化通道m〇s電容 器113。不同的點將會在下面作說明。在該p_通道M〇s電容 15器813中’該閘極是連接到該低參考電位Vss，而該源極和 該汲極是連接到該高參考電位Vdd。該？_通道MOS電容器 813是為一個具有與該n_通道M〇s電容器ι13之那些相同的 特性，而且能夠相似地以相同的尺寸維持一個穩定電源電 壓。 2〇 卜 第8A至8C圖是為顯示利用第7圖中之該電源旁通m〇s 電容器813與該訊號導線2〇1之半導體裝置之結構之例子的 圖示。第8A圖是為該半導體裝置的前視圖，第83圖是為在 第8A圖中之半導體裝置之從右邊看的剖視圖，而第8C圖是 為在第8A圖中之半導體裝置之從底部看的剖視圖。該電源 15 1247383 旁通MOS電容器813是為一個利用p-通道電晶體的p-通道 MOS電容器。 在第8A至8C圖中的半導體裝置將會就與在第2A至2C 圖中之半導體裝置之不同的點來作說明。一個η-型擴散區 5 域803是設置於一個ρ-型基體1〇〇。在該η-型擴散區域803 中，Ρ-型擴散區域801與802是被設置。該ρ-型擴散區域801 是為源極而該ρ-型擴散區域802是為沒極。在該ρ-型基體1〇〇 的表面上，一個通道區域是形成在該源極801與該汲極802 之間。該源極801是經由觸點1〇4來連接到電源導線1〇7。該 10汲極802是經由該觸點1〇6來連接到該電源導線1〇9。該高參 考電位Vdd的端是經由該電源導線107和1〇9來連接到該源 極801和該汲極802。該低參考電位Vss的端是經由該電源導 線108來連接到該閘極1〇3。藉此，一個通道是形成在該源 極801與該汲極802之間，而且該ρ-通道M0S電容器813被形 15成。該Ρ—通道M〇s電容器813是形成在該閘極103與該等p_ 型區域801和802之間。該訊號導線2〇1是經由該寄生電容器 2〇2來連接到該閘極1 〇3。 在第7圖中之電路的運作將會配合第5圖作說明。該高 參考電位Vdd與該低參考電位vss的說明是與第5圖之以上 2〇的說明相同。-個導線電路411在起動該電源之時把該高參 考電位Vdd輸出到該導線4〇1，而該驅動器412邏輯地反相該 高參考電位vdd的輸出訊號並且輸出到該訊號導線2〇1。由 於該訊號導線2G1是經由該寄生電容n搬來連接到該低參 考電位Vss，而該訊號導線2〇1的電壓V2〇1-持該低參考電 16 1247383 位vss(0 V)。該導線403的電壓V4〇3是為一個對應於該時 鐘電路413之時鐘訊號的電壓。該正反器415與該電壓轉3 的上升同步並且在保持該電壓V2〇1時輪出該電壓補4到 該$線404。由於該電壓V2〇1在上升該電壓v彻之時是為 5該低參考電位Vss，該電壓V4〇4保持該低參考電位Vss。該 運作電路416停止，因為該電壓V404是為該低參考電位 Vss。藉此，在該電源起動周期期間，該運作電路416之不 穩定的運作能夠被防止。除此之外，由於該訊號導線2〇1能 夠被置放於^MOS電容器之閘極1〇3的上部份，一個半導體 10裝置的面積能狗被有效地利用。 根據本實施例，該p-通道M0S電容器813是被使用作為 一個電路中的旁通電容器，在其中，該低參考電位Vss是在 起動該電源之時被供應到該訊號導線2〇1。在該p_通道M〇s 電容器813中，該閘極是連接到該低參考電位Vss，而該源 15極和該汲極是連接到該高參考電位Vdd。在該訊號導線201 中，由於經由該寄生電容器202來被連接的閘極1〇3當該低 參考電位Vss是在起動該電源之時被供應時被連接到該低 參考電位Vss的端，該低參考電位vss是被穩定地設定，而 且在起動該電源之時的錯誤運作能夠被防止。除此之外， 20由於該訊號導線2〇1能夠被置放接近該閘極103，在該半導 體裝置中的區域能夠被有效地使用。此外，該MOS電容器 813能夠被作用如一旁通電容器。 -第二貫施例- 第9圖是為一個顯示利用該旁通MOS電容器813與該訊 17 1247383 说Hoi之半導體裝置之另一個例子的電路圖。 5 10 15 20 中之電路與在第4圖中之電路*同的點將會作說明。雖然在 第4圖中之電路中的該運作電路416是當該電壓侧*處於高 位準時運作’在第9圖中的運作電路416是當 於低位準時運作。 第10圖是為一個顯示當無在第9圖中之寄生電容器搬 疋子在時於起動該電源之時一理想半導體裝置之運作之例 ^的時序圖。該高參考電位Vdd與該低參考電位VSS的說明 疋”第5圖之以上的說明相I該命令電路川於起動該 =時輸*該低參考電位Vss到該導線姻。翻動器 輯地把該輸出訊號反相並且輸出該高參考電位_到該導 線測。該導線201的電壓侧時間·改變成與該高參考電位 相同的電壓。該電射彻是與第5圖之以上所述的說明 =:=415與該電_3的上升同步並且在保持該 侧在^厂電㈣侧職⑽由於該電麼 ΓΓ 3之上权時是為該高參考電位Vdd，該 參：I::二參考電位。由於該電壓V4°4是為該高 錢作冑路416停止運作，藉騎止在該電 源起動周__運作料416之不敎較作。 存在個顯示當在第9圖中之寄生電容_是 序ml源之時一半導體裝置之運作之例子的時 _之==該低參考電位仏的說明是與第 源之時…一 高參考電位於起動該電 、 ^固固定電位’該驅動器412的輸出能力是不 18 1247383 適足的。由於該訊號導線201是經由該寄生電容器2〇2來連 接到該低參考電位Vss，該電壓¥201暫時保持該低參考電位
Vss。當該高參考電位Vdd變成適足地高時，該驅動器412 的輸出能力變成適足的，因此該電壓V2〇1逐漸地上升而然 5後變成該高參考電位Vdd。該電壓V403的說明是與第1〇圖 之以上所述的說明相同。由於該電壓V2〇1於該電壓v4〇3之 上升之時是處於低位準，該電壓V4〇4保持該低參考電位 vdd。由於該電壓V404是為該低參考電位Vss，該運作電路 416即使在起動該電源之時是錯誤地運作的問題產生。 10 帛12圖是為—個顯示本發明之第二實施例之利用旁通 MOS電容器113與訊號導線2〇1之半導體裝置之例子的電路 圖。在第12®巾的電路與在第9财的電路不同的地方是在 於孩η-通道m〇S電容器113是被設置取代該心通道M〇s電 容器813。在該〜通道助3電容器113中，該閘極是連接到 I5 參考電位Vdd’ ^觸極和該②極是連接到該低參考電 位Vss。違訊號導線2〇1是經由該寄生電容器2〇2來連接到該 M〇S電各為113的閘極。該η-通道MOS電容器113的結構是 與第2Α至2C圖的結構相同。 在第12圖中之電路的運作將會配合第10圖作說明。該 门乡考電位Vdd與該低參考電位Vss的說明是與以上所述的 °兒明相同。由於該訊料線2〇1是經由該寄生電容器202來 連接到該呵參考電位Vdd，該訊號導線201的電壓V201在電 魘上跟著上升到該高參考電位Vdd，而然後該高參考電位 vdd被保持。該電壓·3的說明是與以上的說明相同。由 19 1247383 於該電壓V2G1於該電辭4G3之上升之時是處於高位準，該 电壓V404變成該尚參考電位Vdd。由於該電壓v4〇4處於該 高參考電位vdd，該運作電路416停止運作以致於在起動該z 電源之時的錯誤運作能夠被防止。此外，由於該訊號導= 5 201能夠被置放在該MOS電容器113之閘極1〇3的上部份，— 半導體裝置的面積能夠被有效地使用。 根據本實施例，在一個於其中，該高參考電位是在 起動該電源之時被供應到該訊號導線2〇丨的電路中，該〜通 道MOS電容器113是被使用作為一個旁通電容器。在該1通 10道MOS電容器113中，該閘極是連接到該高參考電位Vdd， 而該源極和該汲極是連接到該低參考電位V s s。在該訊號導 線201中，當該高參考電位Vdd是在起動該電源之時被供應 時，由於經由該寄生電容器202來被連接的閘極1〇3是連接 到該高參考電位Vdd的端，該高參考電位Vdd是被穩定地設 15 定，因此於起動該電源之時的錯誤運作能夠被防止。再者， 由於該訊號導線201能夠被置放接近該閘極1〇3，在一半導 體裝置中的區域能夠被有效地使用。除此之外，該MOS電 容器113能夠作用為一旁通電容器。 應要注意的是，於第7圖中所示之第一實施例中的電路 2〇 及於第12圖中所示之第二實施例中的電路能夠被設置在相 同的半導體裝置内。 該第一訊號導線是經由該寄生電容器來連接到該閘 極。該閘極是連接到一低參考電位端。藉此，當一個處於 低參考電位的訊號被供應到該第一訊號導線時，該低參考 1247383 電位是被穩定地設定於該第一訊號導線，因此於起動該電 源之時的錯誤運作能夠被防止。再者，由於該第一訊號導 線能夠被置放接近該閘極，在一半導體裝置中的區域能夠 被有效地利用。此外，該第一以〇8電容器能夠作用為一個 5 旁通電容器。 5亥等較佳實施例在各方面是被視為例證而不是限制， 而且在該等申請專利範圍之等效的意義和範圍之内的所有 改文疋因此傾向於被涵蓋在該等申請專利範圍Θ。本發明 可以在久有離開其之精神或本質特徵下以其他特定的形式 10 實施。 【囷式簡單說明】 第1Α至1C圖是為顯示η通道M〇s電容器之半導體裝 置之結構例子的圖示； 第2A至2C圖是為顯示一半導體裳置之結構例子的圖 15 ^在中，矾號導線是設置於該心通道MOS電容器的空 間區域内； 第圖是為一個顯示該訊號導線在起動該電源之時之 電壓的波形圖； 、第圖是為一個顯不利用一旁通MOS電容器與一訊號 20導線，-半導體裝置之例子的電路圖； ^第^圖是為—個顯示當無在第4圖中之寄生電容器202 疋存在才於起動一理想半導體裝置之電源之時之運作之例 子的時序圖； 第6廣j Β 〇 β Κ為一個顯示當在第4圖中之寄生電容器202是 21 1247383 存在時於起動該半導體裝置之電源之時之運作之例子的時 序圖， 第7圖是為一個顯示本發明之第一實施例之利用一旁 通MOS電容器與訊號導線之半導體裝置之例子的電路圖； 5 第8A至8C圖是為顯示利用p-通道MOS電容器與訊號 導線之半導體裝置之結構之例子的圖示； 第9圖是為一個顯示利用一p-通道MOS電容器與訊號 導線之半導體裝置之另一個例子的電路圖； 第10圖是為一個顯示當無在第9圖中之寄生電容器202 10 是存在時於起動該電源之時一理想半導體裝置之運作之例 子的時序圖； 第11圖是為一個顯示當在第9圖中之寄生電容器202是 存在時於起動該電源之時一半導體裝置之運作之例子的時 序圖；及 15 第12圖是為一個顯示本發明之第二實施例之利用一旁 通MOS電容器與訊號導線之一半導體裝置之例子的電路 圖。 【主要元件符號說明】 100 P-型基體 106 觸點 101 源極 107 電源 102 汲極 108 電源 103 閘極 109 電源 104 觸點 110 空間區域 105 觸點 111 閘極絕緣薄膜 22 絕緣薄膜 414 驅動器 MOS電容器 415 正反器 訊號導線 416 運作電路 寄生電容器 813 p-通道MOS電容器 導線 Vdd 高參考電位 導線 Vss 低參考電位 導線 V201 電壓 導線 V403 電壓 訊號電路 V404 電壓 驅動器 V202 電壓 時鐘電路 23