JP3830774B2 - 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話、PDA(Personal Digital Assistance)、ノートパソコンなどの携帯端末機器などのディスプレイとして用いることのできる反射型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を図4(a)に示す。図4(b)は、前記従来の反射型液晶表示装置を図2(a)に示すD−Dの一点鎖線で切断した場合の断面構成を示す概略断面図である。
【0003】
図4(a)に示すように、従来の反射型液晶表示装置には、複数の走査配線2および信号配線7が設けられており、走査配線2と信号配線7とは互いに直交するように配置されている。また、走査配線2と信号配線7との各交差部には、各画素のスイッチング素子である薄膜トランジスタ(以下、TFT(Thin Film Transistor)と記す)3が設けられている。また、走査配線2上には付加容量電極9が形成されている。反射画素電極14は、その周縁部分の一部が走査配線2および信号配線7上に掛かるように形成されており、コンタクトホール11,13を介してドレイン電極8および付加容量電極9と電気的に接続している。
【0004】
次に、図4(b)を参照しながら、前記従来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
【0005】
まず、ガラス基板1の上にアルミニウム(Al)を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走査配線2をパターン形成する。
【0006】
次に、走査配線2上に、窒化シリコン(SiNx)からなる第1絶縁体層4を積層させる。この第1絶縁体層4は、後に、TFT3のゲート絶縁膜として機能する。
【0007】
次に、第1絶縁体層4上に、TFT3のスイッチ機能を司る、アモルファスシリコン(α−Si)からなる半導体層5と、この半導体層5とソース電極7(信号配線7と一体的に形成されているので、ここでは同じ部材番号にて示す)およびドレイン電極8とをそれぞれオーミックコンタクトさせるn+半導体層6とを、連続して成膜する。そして、TFT3部分に、半導体層5とn+半導体層6とからなるパターンを形成する。
【0008】
その後、チタン(Ti)およびアルミニウム(Al)の2層を連続成膜して、一括パターン形成により、信号配線7、ドレイン電極8、および付加容量電極9を、図に示すように形成する。この時、ソース電極7およびドレイン電極8をマスクとして、ソース電極7とドレイン電極8の間に存在するn+半導体層5と半導体層4の一部とをエッチングによって除去する。
【0009】
次に、絶縁保護膜として機能する第2絶縁体層10を成膜する。このとき、ドレイン電極8および付加容量電極9上の第2絶縁体層10に、後にコンタクトホール11,13となる開口部を形成しておく。
【0010】
次に、感光性樹脂を塗布して平坦化膜12を形成する。その後、第2絶縁体層10に形成した前記開口部上の平坦化膜12をフォトリソグラフィ法によって除去し、コンタクトホール11,13を形成する。
【0011】
最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等からなる反射画素電極14を形成する。反射画素電極14は、コンタクトホール11を介してドレイン電極8と接続され、コンタクトホール13を介して付加容量電極9と接続される。
【0012】
以上のような方法により、薄膜トランジスタアレイ基板が完成する。
【0013】
次に、完成した薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基板21上にカラーフィルタ22およびITO(InOx−SnOx)からなる対向透明電極23が具備された構成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向基板に配向膜(図示せず)を塗布してラビング処理を行った後、4μmのギャップを形成して貼り合わせる。その後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さらに対向基板の外側の面(光の入射面)に偏光位相差板を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
【0014】
その後、検査工程において、走査配線2、信号配線7、対向透明電極23に駆動電位を供給して画面を表示させ、対向透明電極23の平均電位もしくは反射画素電極14の平均電位を、画像がちらつく現象(フリッカー)が最小になるように調整する。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、電極などの金属と配向膜などの有機膜とが接触すると、接触界面で電子の授受が起こり、界面分極が発生する。この界面分極の大きさは、同じ有機膜の場合、接している金属の仕事関数に依存する。さらに、この界面分極には、光照射を行うと分極量が経時的に変化していくという現象がみられる。前記従来の反射型液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイ基板側にアルミニウム、銀などの反射画素電極14、対向基板側にITOなどの対向透明電極23が配置されている非対称電極構成である。従って、液晶セル内部に、アルミニウムあるいは銀と配向膜とが接触する系と、ITOと配向膜とが接触する系との、2種類の系が存在することになる。アルミニウムとITOとは仕事関数が異なるため、アルミニウム側界面とITO側界面とで配向膜の分極量が異なり、セル内部にDC成分が重畳する(暗状態)。また、光照射を行うことにより界面分極量が変化するが、アルミニウム側界面とITO側界面とで分極変化量が異なるため、セル内部のDC成分量も変化していく。
【0016】
セル内部にDC成分が重畳した場合の液晶表示装置の駆動波形を図5(a)に示す。交流駆動のため、対向透明電極23の電位(対向電極電位)と反射画素電極14の電位(画素電極電位)との間に印加される液晶印加電圧(Vlc)には正側(Vlc+)と負側(Vlc−)とがあるが、セル内部にDC成分が重畳した場合、Vlc+、Vlc−の大きさが異なってしまい、画像がちらつく現象(フリッカー)が発生する。セル内部のDC成分が一定ならば、対向電極電位もしくは画素電極電位を調整することにより、図5(b)に示すようにVlc+、Vlc−の大きさを等しくすることも可能である、しかしながら、上述したように、光照射を行うとDC成分量が変化してVlc+、Vlc−の大きさが異なってしまいフリッカーが発生するので、その都度電位を調整しなければならないという不具合が発生する。
【0017】
本発明はこれらの問題を解決するために、光照射により発生するフリッカーを抑制して画像品質の良好な反射型液晶表示装置及び携帯端末機器を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の信号配線および走査配線、前記信号配線と前記走査配線との各交差部に配置されて前記信号配線と前記走査配線とに接続されたスイッチング素子、および前記スイッチング素子の上に設けられた絶縁保護膜を介して前記スイッチング素子に接続された反射画素電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置され、対向透明電極を有する対向基板と、を備えた反射型液晶表示装置であって、前記対向透明電極上および前記反射画素電極上の両方に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された配向膜とを備え、前記反射画素電極はアルミニウム又は銀で形成されていることを特徴とする。
【0019】
この構成によれば、反射画素電極と配向膜との間に絶縁膜が配置されることになり、絶縁膜が配置された界面においては、電極と配向膜との接触界面における電子の授受が絶縁膜によって抑制される。このため、この接触面では界面分極が発生しない。従って、光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることにより、セル内部のDC成分変化が抑制される。これにより、光照射によるフリッカーの発生が抑制されるので、画像品位を向上させることができる。
【0020】
また、前記対向透明電極上および前記反射画素電極上の両方に、前記絶縁膜が配置されている。
【0021】
この構成によれば、対向透明電極と配向膜との間、および反射画素電極と配向膜との間の両方に絶縁膜が設けられるため、光照射によるセル内部の分極変化がより確実に抑制されることにより、セル内部のDC成分変化がより確実に抑制できる。これにより、光照射によるフリッカーの発生をより確実に抑制して、画像品位をさらに向上させることができる。
【0022】
また、前記絶縁膜は無機物であることが好ましい。
【0023】
また、本発明の携帯端末機器は、前記本発明の反射型液晶表示装置を備えたことを特徴としている。この構成によれば、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末機器を提供することが可能となる。
【0024】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)(参考例)
以下、本発明の実施の形態1について、図1を参照しながら説明する。
【0025】
図1(a)は、反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示している。図1(b)は、前記本実施の形態の反射型液晶表示装置を図1(a)に示すA−Aの一点鎖線で切断した場合の断面構成を示す概略断面図である。
【0026】
図1(a)に示すように、本実施の形態の反射型液晶表示装置には、複数の走査配線2および信号配線7が設けられており、走査配線2と信号配線7とは互いに直交するように配置されている。また、走査配線2と信号配線7との各交差部には、各画素のスイッチング素子である薄膜トランジスタ(以下、TFT(Thin Film Transistor)と記す)3が設けられている。また、走査配線2上には付加容量電極9が形成されている。反射画素電極14は、その周縁部分の一部が走査配線2および信号配線7上に掛かるように形成されており、コンタクトホール11,13を介してドレイン電極8および付加容量電極9と電気的に接続している。
【0027】
次に、図1(b)を参照しながら、前記本実施の形態の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
【0028】
まず、ガラス基板1の上にアルミニウム(Al)を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走査配線2をパターン形成する。
【0029】
次に、走査配線2上に、窒化シリコン(SiNx)からなる第1絶縁体層4を積層させる。この第1絶縁体層4は、後に、TFT3のゲート絶縁膜として機能する。
【0030】
次に、第1絶縁体層4上に、TFT3のスイッチ機能を司る、アモルファスシリコン(α−Si)からなる半導体層5と、この半導体層5とソース電極7(信号配線7と一体的に形成されているので、ここでは同じ部材番号にて示す)およびドレイン電極8とをそれぞれオーミックコンタクトさせるn+半導体層6とを、連続して成膜する。そして、TFT3部分に、半導体層5とn+半導体層6とからなるパターンを形成する。
【0031】
その後、チタン(Ti)およびアルミニウム(Al)の2層を連続成膜して、一括パターン形成により、信号配線7、ドレイン電極8、および付加容量電極9を、図に示すように形成する。この時、ソース電極7およびドレイン電極8をマスクとして、ソース電極7とドレイン電極8の間に存在するn+半導体層5と半導体層4の一部とをエッチングによって除去する。
【0032】
次に、絶縁保護膜として機能する第2絶縁体層10を成膜する。このとき、ドレイン電極8および付加容量電極9上の第2絶縁体層10に、後にコンタクトホール11,13となる開口部を形成しておく。
【0033】
次に、感光性樹脂を塗布して平坦化膜12を形成する。その後、第2絶縁体層10に形成した前記開口部上の平坦化膜12をフォトリソグラフィ法によって除去し、コンタクトホール11,13を形成する。
【0034】
最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等からなる反射画素電極14を形成する。反射画素電極14は、コンタクトホール11を介してドレイン電極8と接続され、コンタクトホール13を介して付加容量電極9と接続される。
【0035】
以上のような方法により、薄膜トランジスタアレイ基板が完成する。
【0036】
次に、完成した薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基板21上にカラーフィルタ22およびITO(InOx−SnOx)からなる対向透明電極23が具備され、さらに対向透明電極23上に対向絶縁膜24として無機物の絶縁膜が積層された構成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向基板に配向膜(図示せず)を塗布してラビング処理を行った後、4μmのギャップを形成して貼り合わせる。その後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さらに対向基板の外側の面(光の入射面)に偏光位相差板を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
【0037】
その後、前記反射型液晶表示装置の対向透明電極23の電位を最適調整してフリッカーを最小(発生しない状態)にする。
【0038】
以上のような構成の本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところフリッカーが発生せず、対向透明電極23の電位の再調整が不要であった。これは、対向透明電極23と配向膜との間に対向絶縁膜24が配置されたため、対向透明電極23と配向膜との接触界面における電子の授受が対向絶縁膜24によって抑制されて界面分極が発生せず、さらに光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることにより、セル内部のDC成分変化が抑制されるためである。このように、本実施の形態の構成によれば、光照射によるフリッカーの発生を抑制して、画像品位を向上させることができる。
【0039】
(実施の形態2)(参考例)
本発明の実施の形態2について、図2を参照しながら以下に説明する。なお、実施の形態1または2で説明した構成と同一の構成については同じ参照番号を付記し、その説明を省略する。
【0040】
図2(a)は、反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示している。図2(b)は、前記本実施の形態の反射型液晶表示装置を図2(a)に示すB−Bの一点鎖線で切断した場合の断面構成を示す概略断面図である。
【0041】
本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置は、実施の形態1の反射型液晶表示装置において対向透明電極23上に積層されていた対向絶縁膜24がなく、反射画素電極14上に第3絶縁膜15として無機物の絶縁膜が積層された構成となっている。なお、薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板との貼り合わせ方法、および対向透明電極23の電位の調整については、実施の形態1の場合と同じである。
【0042】
以上のような構成の本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところフリッカーが発生せず、対向透明電極23の電位の再調整が不要であった。これは、反射画素電極14と配向膜との間に第3絶縁膜15が配置されたため、反射画素電極14と配向膜との接触界面における電子の授受が第3絶縁膜15によって抑制されて界面分極が発生せず、さらに光照射によるセル内部の分極変化が抑制されることにより、セル内部のDC成分変化が抑制されるためである。このように、本実施の形態の構成によれば、光照射によるフリッカーの発生を抑制して、画像品位を向上させることができる。
【0043】
なお、本実施の形態においては、第3絶縁膜15を反射画素電極14よりも広く表示領域全体に形成したが、反射画素電極14上にのみ形成しても同様の効果が得られる。また、第3絶縁膜15を必ずしも反射画素電極14上の全面(100%)に形成する必要もなく、反射画素電極14に対する第3絶縁膜15の面積比は、光照射によるセル内のDC成分変化が抑制される程度に設定されていればよい。
【0044】
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3について、図3を参照しながら以下に説明する。なお、実施の形態1または2で説明した構成と同一の構成については同じ参照番号を付記し、その説明を省略する。
【0045】
図3(a)は、反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示している。図3(b)は、前記本実施の形態の反射型液晶表示装置を図3(a)に示すC−Cの一点鎖線で切断した場合の断面構成を示す概略断面図である。
【0046】
本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置は、実施の形態1の反射型液晶表示装置において設けられた対向絶縁膜24と、実施の形態2の反射型液晶表示装置において設けられた第3絶縁膜15との両方が設けられた構成である。実施の形態1,2にかかる反射型液晶表示装置は、対向透明電極23および反射画素電極14の何れか一方の電極上にのみ絶縁膜を形成する構成である。しかしながら、このような構成では、他方の電極は配向膜と接触しているため、この接触面で界面分極が起こってしまう。従って、完全に光照射による分極変化をなくしてセル内のDC成分変化を抑制することは困難である。
【0047】
そこで、本実施の形態においては、対向透明電極23上に対向絶縁膜24として無機物の絶縁膜を、反射画素電極14上に第3絶縁膜15として無機物の絶縁膜を積層する構成とした。なお、薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板との貼り合わせ方法、および対向透明電極23の電位の調整については、実施の形態1の場合と同じである。
【0048】
以上のような構成の本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところ、実施の形態1および2の反射型液晶表示装置と比較してフリッカーの発生をより確実に抑制でき、対向透明電極23の電位の再調整が不要であった。これは、反射画素電極14および対向透明電極23と配向膜との間に絶縁膜が配置されることにより、電極金属と配向膜との接触界面で電子の授受が絶縁膜によって抑制されて界面分極が発生せず、セル内部のDC成分が重畳しないためであり、さらに、光照射を行った場合のセル内部におけるDC成分変化も生じないためである。
【0049】
また、本実施の形態1〜3で説明した反射型液晶表示装置を携帯端末機器に対して用いることにより、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末機器を実現することができる。
【0050】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、光照射によるフリッカーの発生が抑制された画像品質の良好な反射型液晶表示装置及び携帯端末機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は実施の形態1(参考例)の反射型液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図であり、(b)は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの断面図である。
【図2】(a)は実施の形態2(参考例)の反射型液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図であり、(b)は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの断面図である。
【図3】(a)は実施の形態3の反射型液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図であり、(b)は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの断面図である。
【図4】(a)は従来の反射型液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図であり、(b)は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの断面図である。
【図5】(a)および(b)は液晶表示装置に印加される駆動電圧の波形図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 信号配線
3 TFT
4 第1絶縁体層
5 半導体層
6 n+半導体層
7 信号配線(ソース電極)
8 ドレイン電極
9 付加容量電極
10 第2絶縁体層
11 コンタクトホール
12 平坦化膜
13 コンタクトホール
14 反射画素電極
15 第3絶縁膜
21 ガラス基板
22 カラーフィルタ
23 対向透明電極
24 対向絶縁膜
Claims (3)
- マトリクス状に配置された複数の信号配線および走査配線、前記信号配線と前記走査配線との各交差部に配置されて前記信号配線と前記走査配線とに接続されたスイッチング素子、および前記スイッチング素子の上に設けられた絶縁保護膜を介して前記スイッチング素子に接続された反射画素電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置され、対向透明電極を有する対向基板と、を備えた反射型液晶表示装置であって、
前記対向透明電極上および前記反射画素電極上の両方に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された配向膜とを備え、
前記反射画素電極はアルミニウム又は銀で形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 前記絶縁膜が無機物であることを特徴とする請求項1に記載の反射型液晶表示装置。
- 請求項1又は2に記載の反射型液晶表示装置を備えたことを特徴とする携帯端末機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001169998A JP3830774B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001169998A JP3830774B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002365663A JP2002365663A (ja) | 2002-12-18 |
JP3830774B2 true JP3830774B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=19011995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001169998A Expired - Fee Related JP3830774B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置及び携帯端末機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3830774B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011133603A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
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2001
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002365663A (ja) | 2002-12-18 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040218 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040227 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040416 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060712 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |