TW584757B - Active matrix type display device - Google Patents
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Description
〇M757 五、發明說明(l) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於主動矩陣型顯 复鏃-。皙之主動拓陆1 、、置,特別是關於提升 異顯不品貝之王勤矩陣型顯示裝置。 【先行之技術】 一般的反射式主動矩陣型液 AM W ϊ Π))犛的正 平1履日日顯不裝置(以下、簡稱 為反射式LCD) 4的十面面板顯* _ 型化、輕量化且低耗電等♦點,T 夕/、備溥型化小 行動資訊機器等各種機ί:顯-上 '已被,泛地使用於 i庶丰士抓古你么叫部。在各類的LCD等中, 陣型,此種類型之面板因可破體者稱之為主動矩 ^ &、士田你幺奢T日口 T確K地維持各像素的顯示内 ;:而被用作為貫現高精細顯示或高顯示品質之顯示裝
将呈f 7圖盘'「::矩,型LCl^ *素的等效電路。各像素 )、八告TFTl/由°於屮及貪料線連接之薄膜電晶體11 ( TFT 1 ^合貝;、、卩攸貧料線經由該TFT而供給至液晶電容
c ☆ ’從選擇TFT並寫入資料到再度選擇TFT 為止的期間,由於必猪被者仅姓仓 A綠貝保持寫入之顯示資料,而將補 助電谷1 3 Csc)與液晶電容◦ 1 c並聯連接於TFT。 第8圖顯示傳統之LCD的TFT形成基板(第丨基板1〇〇) 中晝素4的平面構成,第9圖顯示位於沿著第8圖之χ — χ線 位置之LCD的剖面構成。LCD係具備在第丨及第2基板間封入 液晶的構成,在主動矩陣型LCD中,在第1基板ι〇〇上將 TFT1卜像素電極74等以矩陣狀配置,而在與第1基板100
第6頁 584757 五、發明說明(2) 相對配置之第2基板5 0 0上形成施加有共通電壓Vco m之共通 電極56、彩色濾光片(color fi Iter) 54等。此外,在各 像素電極7 4、與像素電極7 4夾著液晶2 0 0而相對之共通電 極5 6之間施加電壓,藉以驅動各像素之液晶電容c 1 c。 在第1基板1 00側設於各像素之TFT,如第9圖所示,其 閘極電極位於主動層6 4之上層,即所謂之頂端閘極型 TFT。TFT的主動層64係在基板1〇〇上形成如第8圖所示之圖 案’再以覆蓋該主動層6 4之方式形成閘極絕緣層6 6,並於 閘極絕緣層6 6上形成兼用作為閘極電極之閘極線。主動層
6 4之與閘極電極相向的位置為通道領域,而在夾著該通道 領域的兩側則形成植入雜質的汲極領域64d與源極領域 6 4 s 〇 過形成於覆蓋閘極電 而與兼用作為資料線 主動層6 4的汲極領域6 4 d,係透 極而形成之層間絕緣膜W的接觸孔, 的汲極電極7 0相連接。 此外,以覆蓋上述資料線與汲極電極7〇之方式 坦彳匕絕緣膜72,主動層64的源極領域Ms, 成^
”,平坦化絕緣膜72上之由IT〇( Ind_ Τιη、〇= 乳化銦錫)等所構成之像素電極以相連接。 f動層64的源極領域64s,兼用 助電容CSC的第1電極80,並如第8圖所示進一;,2 = 2 電極74接觸之領域延伸而出。補助電容csc的像素 係如第9圖所示,與閘極電;極84, 極隔著-定之間隙而形成於其他領域二
五、發明說明(3) 極8 4之層間的介電妒 電容Csc的第2電極絕緣層66兼用。此外,補助 獨立設置,而是與閘極線圖所不,並非於各像素分別 向延伸,並施加有 樣’在像素領域上沿著列方 如上所述,電壓Vsc。 TFT的非選擇期間中,在盘各像素設置補助電容Csc,而在 對應的電荷保持於補助電^ Γ加於液晶電容Clc之顯示内容 74的電位變動,而保持顯:之::。此即可抑制像素電極 【發明所欲解決之問題】 谷 如弟8圖所干,卩弓4 :電極84 (補助電容:广:60:;以形成補助電容Csc的第 =:。與第2電極84 (補助電像素間的配置關係。 =的像素電極74、74的下芦,德去\),配線於鄰接之像 的斜線所示,存在未“像素之間的領域如圖 發出此—來,相當於該斜線所示H74所覆蓋的部分。 得特别特別是在鄰接的像素顯示里色時°Ρ分的液晶有白光 ^目,如此將導致顯示品質降低.该部分之白色顯 /绝成上述問題的原因在於. 6*的問題。 反:助電容線)-般係由銘:銷Ϊ Ϊ 6〇與第2電極84 層,、二’但用以控制該反射光的像;反射材所形成,會 即肇此無法控制該部分之液晶的二内4亟I4未存在於其上 於該部分液晶的定向狀離疋°狀態,白光之產生 考慮過貼合偏移的黑色矩陣7 δ =題可藉由設置一 早(δΜ)來解決,不過該方式 五、發明說明(4) 將導:Γ 口率的降低 ^ A: 此’本發明之目的在於提供一蕕7 而提升顯示品質之主動矩 :^止上述問 Γ用以解決問題之手段】 顯不裝置。 的 本發明之主動矩陣型顯示裝置, 、電晶體;及透過該薄膜電晶體u素皆具傷 J極之主動矩陣型顯示裝置,其特以有像素電堡之像幸4 方的像素的像素電極相連接並延伸於=妓叹有與鄰接之〜 之補助像素電極。 、岫接之像素間的領域 藉由設置上述構成之補助像素 即可作為顯不領域的一部份而加以利用士认素間的領域 晶顯示裝f,因該領域的液晶係音卜’其如為液 力:以.驅動之故,因此即使是把黑色矩i:;極=的電虔 質。 丨的白先,而可提升顯示的品 素電:】外但ϋ 膜::ί像素電極連接之補助像 電極形成電容結合之懸浮電極:亦:接 其如為液晶顯示裝置,同的電壓變化方向變化。 極接近的電壓加以驅動,域的液晶係以與像素電 I之問題。 m 故可改善此領域發出局部的白光 發明之實施形態】 以下9參照圖面含装4 "平 說明本發明之實施形態,而且係
第9頁 313980.ptd 584757 五、發明說明(5) 以以下的液晶顯示裝置為例說明本發明之顯示裝置。 第1圖顯示本發明之第1實施形態之彡動矩陣型液晶顯 示裝置的顯示像素的平面構造。此外,第2圖顯示沿著第1 圖的X-X線位置之液晶顯示裝置在該位置的剖面構造。此 外,與第9圖、第1 〇圖相同構成之部分則附加相同之符號 並省略其說明。 該液晶顯示裝置係以··在使用玻j离等遂明絶緣材料之 第1基板100與第2基板5 0 0之間夾入液晶炎將其貼合之方式 構成。 各像素的等效電路與上述第7圖相同,且如第1圖所示 在第1基板1 00上,像素電極24以矩陣狀配置,同時對應各 像素電極2 4設置頂端閘極型τ F T 1。 各像素中,TFT 1的主動層14呈彎曲狀,其與朝列方向 直線延伸之閘極線2 〇交叉於兩處。在該交叉部分,主動層 1 4構成通道領域丄4 c,而閘極線2 〇則在此形成閘極。閘極 與通/道領域1 4C間形成有閘極絕緣層6 6。主動層1 4的汲極 1 4d係透過形成於層間絕緣膜6 8與閘極絕緣層6 6之接觸孔 而與朝行方向延伸之資料線2 2相連接。 此夕卜
一。 工切潛μ叼你禋丄4s係透過形成於層間絕緣 6 8與閘極絕緣層6 6之接觸孔c丨,與補助像素電極4 〇相益 接。該補助像素電極40,係以與資料線22相同之層 如鋁層)形成於層間絕緣膜68上,並延伸於在θ牛: ::2 :領域。亦、即,補助像素電極4〇跨越延伸二; 之像素的像素電極24、24之間。料,該補助像
313980.ptd 第10頁 584757 五、發明說明(6) 4 0,係透過形成於補助像素電極4 0上的平坦化絕緣膜7 2上 所設的接觸孔C 2與上層的像素電極2 4 (反射電極)相連 接。 此外,補助電容線8 4係以與閘極線2 0相同的層(鉬 膜、鉻膜)構成,而朝列方向直線延伸,並隔著閘極絕緣 層6 6而與主動層1 4之一部分重疊,而該重疊部分則構成補 助電容。 如上所述,根據本實施形態,藉由設置補助像素電極 4 0,各像素間的領域可作為顯示領域的一部份而加以利 用。亦即,該鄰接領域的液晶2 0 0,係透過上述頂端閘極 型TFT 1而以與施加於像素電極24的電壓相同的電壓驅動, 因此其可改善該領域有白光發出的問題。 第3圖顯示本發明之第2實施形態之主動矩陣型液晶顯 示裝置的顯示像素的剖面構造。該剖面構造係對應於沿著 第1圖的X-X線位置之液晶顯示裝置在該位置的剖面構造。 在上述之第1實施形態的構造中,延伸於鄰接之像素 電極2 4、2 4間的補助像素電極4 0上具有厚實的平坦化絕緣 膜7 2,且該平坦化絕緣膜7 2的一部分上有液晶2 0 0。然 而,一般而言,當電極與液晶之間存有厚實的絕緣膜時, 將導致該部分蓄積電荷,而產生液晶燒焦的問題。 因此,在本實施形態中,如第3圖所示,乃去除了補 助像素電極4 0上之厚層的平坦化絕緣膜7 2。具體而言,例 如可用像素電極2 4、2 4作為遮罩而進行蝕刻直到露出補助 像素電極4 0為止。藉此即可避免液晶2 0 0燒焦,而提升顯
313980.ptd 第11頁 584757 五、發明說明(7) 示品質。 第4圖顯示本發明之第3實施形態之主動矩陣型液晶顯 示裝置的顯示像素的平面構造。此外,第5圖顯示沿著第4 圖的X - X線位置之液晶顯示裝置在該位置的剖面構造。此 外,與第1圖、第2圖相同構造之部分則添附相同的符號並 省略其詳細說明。 本實施形態,在第1實施形態之補助像素電極4 0向鄰 接像素延伸的部分的中途將它切斷。而且,切斷的部分構 成懸浮電極4 1,而隔著平坦化絕緣膜7 2與鄰接之像素之各 像素電極2 4、2 4形成電容結合。 在第1實施形態中,因補助像素電極4 0係與一方的像 素的像素電極2 4相連接,而與該像素電極2 4的電壓為同一 電壓,但在本實施形態中,因懸浮電極4 1呈電性懸浮狀態 之故,其電位須視與之電容結合的像素電極2 4的電壓大小 來決定。亦即,須視像素電極2 4、懸浮電極4 1所擁有之電 容量、及兩電極的結合電容量來決定。 藉此,例如:鄰接之像素分別顯示黑色時,懸浮電極 4 1中施加有依照2個像素電極2 4、2 4的電壓(對應於黑色 的電壓)之電壓,故鄰接之像素間的領域亦可獲得黑顯 示。另一方面,鄰接之像素的一方顯示黑色、而另一方顯 示白色時,則因施加黑色與白色的中間電壓而呈灰色顯 示。藉由上述方式,因懸浮電極4 1之電壓係與像素電極 2 4、2 4之電壓朝相同方向變化之故,因此懸浮電極4 1上之 液晶2 0 0的定向亦隨之而定,如此即可避免產生傳統之顯
313980.ptd 第12頁 584757 五、發明說明(8) 示不良的情形。 此外,本實施形態中,懸浮電極4 1係藉由切斷第1實 施形態的補助像素電極4 0而形成,但懸浮電極4 1並不受此 限制,其亦可利用其它的層來形成。 此外,第5圖中懸浮電極4 1係與兩側的像素電極2 4均 等重疊,但是藉由使其中任一方之重疊部分大於另一方, 即可使該一方的像素電壓居支配地位。依照此種方式,即 適用於顯示文字畫或線晝等邊界分明的晝面。 第6圖顯示本發明之第4實施形態之主動矩陣型液晶顯 示裝置之顯示像素的剖面構造。該剖面構造係對應於沿著 第4圖之X-X線位置之液晶顯示裝置在該位置的剖面構造。 本實施形態係在上述第3實施形態中,去除懸浮電極 4 1上之厚實的平坦化絕緣膜7 2。具體而言,可用像素電極 2 4、2 4作為遮罩而進行蝕刻直到露出補助像素電極4 0為 止。藉此可防止液晶2 0 0的燒焦,而提升顯示品質。關於 此點,其原因與上述第2實施形態相同。 【發明之效果】 根據本發明,在主動矩陣型顯示裝置中,設置與鄰接 之一方的像素的像素電極相連接並延伸於鄰接之像素間的 領域之補助像素電極,即可將各像素間的領域作為顯示領 域的一部份而加以利用。特別是,其為液晶顯示裝置時, 因該領域的液晶係以與像素電極相同之電壓加以驅動,故 可避免該領域發出局部的白光,而提升顯示品質。 此外,由於設置隔著絕緣膜與鄰接之像素的兩方的像
313980.ptd 第13頁 584757 五、發明說明(9) 素電極形成電容結合之懸浮電極’並猎此使懸浮電極的電 位朝向與像素電極相同的電壓變化方向變化之故,因此在 液晶顯示裝置的情況下,由於該鄰接領域的液晶係以接近 像素領域的電壓加以驅動,因此同樣有助於改善該領域發 出局部的白光之問題。
313980.ptd 第14頁 584757 圖式簡單說明 【圖面之簡單說明】 第1圖為顯示本發明之第1實施形態之主動矩陣型液晶 顯示裝置的顯示像素的平面構造之圖。 第2圖為顯示沿著第1圖的X-X線位置之液晶顯示裝置 在該位置的剖面構造之圖。 第3圖為顯示本發明之第2實施形態之主動矩陣型液晶 顯示裝置的顯示像素的剖面構造之圖。 第4圖為顯示本發明之第3實施形態之主動矩陣型液晶 顯示裝置的顯示像素的平面構造之圖。 第5圖為顯示沿著第4圖的X-X線位置之液晶顯示裝置 在該位置的剖面構造之圖。 第6圖為顯示本發明之第4實施形態之主動矩陣型液晶 顯示裝置的顯示像素的剖面構造之圖。 第7圖為顯示傳統之主動矩陣型LCD的像素的等效電路 之圖。 第8圖為顯示傳統之LCD的TFT形成基板(第1基板1 00 )的像素部的平面構成之圖。 第9圖為顯示沿著第8圖之X-X線位置的LCD的剖面構成 之圖。 第1 0圖為以模式之方式顯示第8圖之第2電極8 4 (補助 電容線)與像素電極7 4的配置關係之圖。 【符號之說明】 11 薄膜電晶體(TFT) 12 液晶電容(Cl c) 13 補助電容(Csc) 14 主動層
313980.ptd 第15頁 584757
圖式簡單說明 14c 通 道 領 域 14d 汲 極 14s 源 極 20 閘 極 線 22 資 料 線 40 補 助 像 素 電極 41 懸 浮 電 極 54 彩 色 濾 光 片 56 共 通 電 極 60 閘 極 線 64 主 動 層 64d 汲 極 領 域 64s 源 極 領 域 66 閘 極 絕 緣 層 68 層 間 絕 緣 膜 70 汲 極 電 極 72 平 坦 化 絕 緣膜 74 像 素 電 極 80 補 助 電 容 Csc的 第 1電 極 84 補 助 電 容 C s c白勺 第 2電 極 100 第 1基板 200 液 晶 500 第 2基板 cn、 C2接 觸 孔 313980.ptd 第16頁
Claims (1)
- 584757 _公告本_ 六、申請專利範圍 L—-- 1. 一種主動矩陣型顯示裝置,係各像素皆具備:薄膜電 晶體;及透過該薄膜電晶體而施加有像素電壓之像素 電極之主動矩陣型顯示裝置,其特徵為:設有與鄰接 之一方的像素的像素電極相連接並延伸於鄰接之像素 間的領域之補助像素電極。 2. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置,其中, 前述補助像素電極係隔著絕緣膜而形成於前述像素電 極的下層。 3. 如申請專利範圍第2項之主動矩陣型顯示裝置,其中, 前述補助像素電極,係連接於前述薄膜電晶體的源極 同時連接於該補助像素電極的上層的前述像素電極。 4. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型顯示裝置,其中, 前述補助像素電極係隔著絕緣膜而形成於前述像素電 極的下層,且將延伸於鄰接之像素間的領域之前述補 助像素電極上的前述絕緣膜的一部份加以去除。 5. —種主動矩陣型顯示裝置,係各像素皆具備··薄膜電 晶體;及透過該薄膜電晶體而施加有像素電壓之像素 電極之主動矩陣型顯示裝置,其特徵為:設有配置於 鄰接之像素間的領域,並隔著絕緣膜與鄰接之像素的 各像素電極形成電容結合之懸浮電極。 6. 如申請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置,其中, 前述懸浮電極係隔著前述絕緣膜而形成於前述像素電 極的下層。 7. 如申請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置,其中,313980.pld 第17頁 584757 六、申請專利範圍 前述懸浮電極係隔著前述絕緣膜而形成於前述像素電 極的下層,且將前述懸浮電極上的前述絕緣膜的一部 份加以去除。313980.ptd 第18頁
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