TW580602B - Electrooptic device and electronic device - Google Patents

Description

580602 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關在基板上形成有周邊電路之光電裝置， 及電子機器。更詳而言之’是有關該基板上之周邊電鉻的 佈局技術。 【先前技術】 近年來，液晶裝置及E L (電激發光）顯示面板等代 表性的光電裝置逐漸地被廣泛運用於行動電話，攜帶型電 腦，及攝影機等電子機器的顯示部。在如此的光電裝置中 ’例如在使用薄膜電晶體（以下稱爲T F T )來作爲畫素 開關元件的主動型液晶裝置中，如第1 8圖所示，會隔著 預定的間隙來以密封材1 〇 7貼合：在透明基板上形成有 晝素電極及晝素開關用TFT (皆未圖不）的TFT陣列 基板1 0，及在透明基板上形成有對向電極（未圖示）等 的對向基板2 0。並且，在這些基板間保持有作爲光電物 質的液晶。 如第1 9圖所示，在T F T陣列基板1 〇中，當此基 板上彼此正交的兩個方向爲X方向及Y方向時，延伸於γ 方向的複數條資料線6 a與延伸於X方向的複數條掃描，線 3 a會對應於交叉的部份來以預定的間距構成矩陣狀的複 數個晝素100 a ，且這些晝素l〇〇a會根據配置成矩 陣狀的領域來構成實際進行顯示的晝像顯示領域1 〇 a。 又，於畫像顯示領域1 0 a的周邊中，對畫像顯示領 -5- (2) (2)580602 域1 〇 a而言爲鄰接於γ方向的領域中形成有：位移暫存 器電路1 〇 1 b，及具備根據來自位移暫存器電路 1 〇 1 b的訊號而動作的類比開關之取樣保持電路 1 0 1 C ，及具備對應於展開成6相的各畫像訊號的6條 畫像訊號線1 〇 1 d等之資料線驅動電路1 〇 1。並且， 在資料線驅動電路1 〇 1中，位移暫存器電路1 〇 1 b及 取樣保持電路1 〇 1 C等，對資料線6 a及連接於該資料 線6 a的畫素列而言是形成1對1的關係來形成於使對應 的資料線6 a及連接於該資料線6 a的畫素列的形成領域 延伸於Y方向的領域上。因此，位移暫存器電路i 〇 1 b 等之X方向的間距會與畫素列的χ方向的間距相等。 又，如第1 8圖及第1 9圖所示，在畫像顯示領域 1 0 a的周邊形成有電性連接於掃描線3 a的掃描線驅動 電路1 0 4，且由端子1 0 2來分別拉出用以供應訊號給 資料線驅動電路1 0 1及掃描線驅動電路1 〇 4等之複數 條的配線1 0 9。 又，於畫像顯示領域1 0 a的周邊中，在與對向基板 2 〇重疊的領域中形成有基板間導通電極9 g，這些基板 間導通電極9 g會經由挾持於基板間的基板間導通材 1 0 6來電性連接於對向基板2 0的對向電極2 1 。因此 ，可將供應給T F T陣列基板1 〇的端子1 〇 2的定電壓 (D C C〇Μ )供給至對向基板2 0的對向電極。 在如此構成的液晶裝置1 0 0中，若於製造丁 F Τ陣 列基板1 0的過程中發生問題而造成T F Τ動作不良的話 -6 - (3) (3)580602 ，則會因爲顯不產生缺陷（點缺陷或線缺陷等）’所以有 必要事先使能夠追蹤製造履歷。因此，在液晶裝置1 0 0 中，會例如以2 m m X 2 m m的大小來使識別記號4 0 ( 用以顯示T F T陣列基板1 〇或液晶裝置1 〇 〇的製品號 碼等）附在T F T陣列基板1 〇上。在此，識別記號4 0 會被要求即使是在貼合T F T陣列基板1 〇與對向基板 2 0之後照樣能夠進行目視或機械性讀取。因此，識別記 號4 0在T F T陣列基板1 〇中，爲了使端子1 〇 3露出 ，而形成於由對向基板2 0的緣部凸出的凸出部1 0 c。 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 在液晶裝置1 0 0中，畫素顯示領域1 〇 a的周邊是 形成所謂的框緣領域1 〇 〇 b，爲不直接寄與顯示的領域 。在搭載於攜帶型機器時，爲了使對應於機器的小型化， 最好是能擴大畫素顯示領域1 〇 a ，而使框緣領域 1 〇 0 b所佔顯示體全體的面積小。又，爲了降低製造成 本’儘可能由1片的玻璃基板取更多的數量。因此，對液 晶裝置1 〇 〇而言，必須縮小框緣領域1 〇 〇 b的寬度所 佔 '液晶裝置1 〇 〇全體的大小，但因爲在畫素顯示領域 1 〇 a的周邊形成有資料線驅動電路1 〇 1 ，掃描線驅動 電路1 0 4，配線1 〇 9，基板間導通電極1 0 6及識別 記號4 〇等，因此會有無法使周邊領域（框緣領域）更爲 狹窄的問題點產生。 (4) (4)580602 有鑑於上述的問題點，本發明的課題是在於提供一種 可藉由周邊電路的佈局改良來縮小不直接寄與顯示的領域 之光電裝置及電子機器。 〔用以解決課題之手段〕 爲了達成上趨目_ 發明光電裝,，是屬於一種 "* '~~~ ---- 在基板上，將彼此正交的二方向設定爲X方向及γ方向時 ，在該基板上至少具有： ♦ 複數個晝素以預定的間距來配置於X方向及Y方向之 畫像顯示領域；及 對該晝像顯示領域來配置於鄰接於γ方向的領域之周 邊電路；等之光電裝置；其特徵爲： 在上述周邊電路的至少一部份，分別對應於排列在X 方向的複數個畫素列的複數個單位電路會以預定的間距來 複數個排列於X方向，且 上述複數個單位電路是使對應的畫素列的形成位置由 ® 延長於Y方向的領域上偏移於X方向，藉此來針對上述畫 素顯示領域鄰接於Y方向的領域中，形成一針對該單位電 路的形成領域鄰接於X方向的領域中未形成有該單位電路 之空領域。 在本發明中，由於是將分別對應於複數個畫素列的複 數個單位電路形成於：使對應的畫素列的形成位置由延長 於Y方向的領域上偏移於X方向的位置，藉此使各個散佈 的空間能夠集中成未形成有單位電路的空領域，在此空領 (5) (5)580602 域中配置識別記號或基板間導通電極等，因此可使以往在 憲像顯示領域的周邊領域中識別記號或基板間導通電極等 戶斤佔的領域能夠配置於周邊電路所構成的領域內，所以可 縮小周邊領域（框緣領域）。 又，本發明中，上述周邊電路是在離開X方向的複數 個單位電路形成領域中形成有上述單位電路，藉此於上述 單位電路形成領域所挾持的位置形成有上述空領域。 若形成如此的構成，則以往雖是在周邊電路的兩側（ 在X方向鄰接的兩側）具有空間，但本形態中可將如此的 空間集中於單位電路形成領域之間，而形成較廣的空領域 。因此，只要將識別記號或基板間導通電極等配置於此空 領域中，便可縮小周邊領域。 又，本發明中，在上述周邊電路中，例如上述單位電 路的X方向的間距要比上述畫素列的X方向的間距來得狹 窄，藉此來針對該單位電路的形成領域，在鄰接於X方向 的兩側位置或一側位置形成有上述空領域。 若形成如此的構成，則可縮小周邊電路所佔的領域， 在此產生的空領域中配置識別記號或基板間導通電極等。 因此，可縮小周邊領域。 又，本發明中，在上述周邊電路中，最好上述單位電 路的X方向的間距要比上述畫素列的X方向的間距來得狹 窄，且於離開X方向的複數個單位電路形成領域中形成有 上述單位電路，藉此於上述單位電路形成領域所挾持的位 置形成有上述空領域。 -9 - (6) (6)580602 若形成如此的構成，則可縮小周邊電路所佔的領域， 且將位於周邊電路兩側的空間集中於單位電路形成領域之 間，而形成較廣的空領域。因此，可在此空領域中配置識 別記號或基板間導通電極等，所以可縮小周邊領域。 又，本發明中，上述空領域最好是作爲附有記錄各種 資訊的識別記號之形成領域用。 又，本發明中，在上述基板中，針對與該基板呈對向 配置的對向基板側的電極，形成有經由挾持於基板間的基 板間導通劑而電性連接之基板間導通電極時，上述空領域 亦可作爲該基板間導通電極的形成領域用。 又，本發明中，在上述基板中，針對與該基板呈對向 配置的對向基板側的電極，形成有經由挾持於基板間的基 板間導通劑而電性連接之基板間導通電極時，上述空領域 亦可作爲該基板間導通電極，及記錄有各種資訊的識別記 號的形成領域用。 又，本發明中’上述複數個畫素分別具備畫素電極及 晝素開關用的薄膜電晶體，此情況，上述周邊電路例如爲 :針對電性連接於上述晝素開關用的薄膜電晶體的源極之 資料線，上述單位電路會分別以1對1的方式來形成之資 料線驅動電路。. 又’本發明中，上述複數個晝素分別具備畫素電極及 晝素開關用的薄膜電晶體’此情況，上述周邊電路例如爲 :對電性連接於上述晝素開關用的薄膜電晶體的閘極之掃 描線’上述單位電路會分別以1對1的方式來形成之掃描 -10- (7) · (7) ·580602 線驅動電路。 又’本發明中’上述基板會保持作爲光電物質的液晶 〇 又’本發明的光電裝置是使用於攜帶型電腦或行動電 話等電子機器中的顯示部。 【實施方式】 〔發明之實施形態〕 以下’參照圖面來說明在光電裝置的液晶裝置中適用 本發明的例子。並且，在這些圖中，爲了使能夠在圖面上 辨識各層或各構件，而使其尺寸比例大小有所不同。此外 ’由於適用本發明的液晶裝置是與參照第1 8及1 9圖所 述者的基本構成共通，因此對具有共通機能的部份賦予相 同的元件符號。另外’在以下的說明中，當基板面上彼此 正交的兩方向爲X方向及Y方向時，是以掃描線所延伸的 方向爲X方向，及以資料線所延伸的方向爲γ方向，但相 反的，亦可以掃描線所延伸的方向爲Y方向，及以資料線 所延伸的方向爲X方向。 〔實施形態1〕 (液晶裝置的全體構成） 第1 ( A ) ，（ B )圖是分別表示由對向基板側所見 液晶裝置及形成於上面的各構成要素的平面圖，及包含對 向基板之第1 (A)圖的Η — Η ’剖面圖。 -11 - (8) (8)580602 在第1 ( A )圖中，在液晶裝置1 0 0 (光電裝置） 的丁 F T陣列基板1 0中，以能夠沿著對向基板2 0的緣 部之方式而設有密封材107(第1(A)圖之向右下降 的斜線領域），且T F T陣列基板1 0與對向基板2 0會 藉此密封材1 0 7來取預定間隔而貼合。在密封材1 〇 7 的外側領域，會以能夠在基板邊1 1 1側與密封材1 〇 7 部份重疊之方式而形成有資料線驅動電路1 0 1 ’且在基 板邊1 1 3 ，1 1 4側形成有掃描線驅動電路1 〇 4。並 且，在T F T陣列基板1 0中，在來自對向基板2 0的凸 出領域1 0 c中形成有多數個端子1 0 2。在T F T陣列 基板1 0中，在與基板邊1 1 1呈對向的基板邊1 1 2中 形成有供以連接設置於晝像顯示領域1 0 a的兩側的掃描 線驅動電路1 0 4之複數條的配線1 0 5。 在相當於對向基板2 0的4個角部的領域中形成有供 以在T F T陣列基板1 〇與對向基板2 0之間取得電性導 通的基板間導通電極9 a及基板間導通材1 0 6。並且， 基板間導通電極9 a的數量等，可適時變更。 又，若供應給掃描線的掃描訊號不會有延遲的問題， 則掃描線驅動電路1 〇 4當然亦可只形成於一邊。相反的 ’亦可沿著晝像顯示領域1 〇 a的邊來將資料線驅動電路 1 0 1配列於兩側。 又’如第1 ( B )圖所示，T F T陣列基板1 〇與對 向基板2 0是藉由密封材1 〇 7來隔著間隙予以貼合，其 於該間隙中保持液晶5 〇。並且，密封材1 〇 7是由供以 -12- (9) (9)580602 貼合T F T陣列基板1 0與對向基板2 0的周邊之光硬化 性樹脂或熱硬化性樹脂等所構成的接合劑，混合有供以使 兩基板間的距離形成預定値的玻璃纖維或坡璃串珠等之間 隙材。 如後述，在TFT陣列基板1 0中，畫素電極9 a會 形成矩陣狀。相對的，在對向基板2 0中，在密封材 1 0 7的內側領域形成由遮光性材料所構成之遮住周邊用 的遮光膜0 1 8。並且，在對向基板2 0中，在與形成於 T F T陣列基板1 〇的晝素電極9 a的縱橫境界領域呈對 向的領域中形成有所謂黑色矩陣或黑色條紋等的遮光膜 2 3 ，且於上層側形成有由I T ◦膜所構成的對向電極 2 1。 如此形成的液晶裝置1 0 0，例如使用於投射型顯示 裝置（液晶投影機）時，3片的液晶裝置1 0 0會分別作 爲R G B用的光閥來使用。此情況，分別在各液晶裝置 1 0 0中，經由R G B色分解用的分色鏡而被分解的各色 光會作爲投射光而分別射入，因此在液晶裝置1 0 0中並 未形成有彩色濾光片。但，如後述，在作爲攜帶型電腦， 行動電話，及液晶電視等電子機器的彩色液晶顯示裝置用 時，亦可在對向基板2 0中對向於各畫素電極9 a的領域 中，與其保護膜一起形成R G B的彩色濾光片。 (液晶裝置1 0 0的構成及動作） 參照第2 ，3及4圖來說明T F T陣列基板1 0及液 -13- (10) (10)580602 晶裝置1 0 0的電氣構成及動作。 第2圖是表示使用於液晶裝置1 0 〇的驅動電路內藏 型的T F T陣列基板1 0的構成模式方塊圖。第3圖是表 示形成於T F T陣列基板1 0的資料線驅動電路1 1的 說明圖。第4圖是表不在此液晶裝置1 〇 〇中爲了構成畫 像顯示領域1 〇 a而形成矩陣狀的複數個畫素的各種元件 及配線等之等效電路圖。並且，在第2圖中，是以實線來 表示本形態的液晶裝置1 0 0的外形（基板邊1 1 3， 114)，及以虛線來表示習知的液晶裝置的外形。 如第2圖所示，在T F T陣列基板1 〇中，當此基板 上彼此正交的兩個方向爲X方向及Y方向時，延伸於γ方 向的複數條資料線6 a與延伸於X方向的複數條掃描線 3 a會對應於交叉的部份來以預定的間距構成矩陣狀的複 數個畫素100a ，且這些晝素l〇〇a會根據配置成矩 陣狀的領域來構成實際進行顯示的畫像顯示領域1 〇 a。 在T F 丁陣列基板1 〇中，在基板邊1 1 1形成有多 數個端子1 0 2，該多數個端子是由：輸入定電壓，調變 畫像訊號，及各種驅動訊號的金屬膜（例如鋁膜等），金 屬矽化物膜，或導電膜（例如I T〇膜等）所構成。並且 ，分別從這些端子1 0 2拉出複數條配線1 0 9 ，該複數 條配線1 0 9是由供以驅動資料線驅動電路1 0 1及掃描 線驅動電路1 0 4的鋁膜等低阻抗的金屬膜所構成。 在晝像顯示領域1 0 a的周邊領域（框緣領域 1 0 0 b )中，對晝像顯示領域1 〇 a而言爲鄰接於γ方 -14- (11) (11)580602 向的領域中形成有：位移暫存器電路1 〇 1 b ’及具備根 據來自位移暫存器電路1 0 1 b的訊號而動作的類比開關 之取樣保持電路1 0 1 C ，及具備對應於展開成6相的各 畫像訊號的6條晝像訊號線1 〇 1 d等之資料線驅動電路 10 1。 在資料線驅動電路1 0 1中，位移暫存器電路 1〇1 b及取樣保持電路1 0 1 c等是以1對1的關係來 對應於資料線6 a及連接於資料線6 a的畫素列。 亦即，如第3圖所示，依每一條資料線6 a來形成取 樣電路101c 。並且，在位移暫存器電路l〇lb中， 對1條資料線6 a形成1個反相器，2個時鐘控制式反相 器及位準位移器，在以下的說明中，是以1個反相器， 2個時鐘控制式反相器及位準位移器作爲單位電路 1 0 1 e來進行說明。 如第4圖所示，在液晶裝置1 〇 〇的畫像顯示領域 1 0 a中，分別在形成矩陣狀的複數個晝素1 〇 〇 a中形 成有：畫素電極9 a ，及供以控制畫素電極9 a的畫素開 關用T F T 3 0 ，且供給畫素訊號的資料線6 a會電性連 接於該T F T 3 0的源極。並且，寫入資料線6 a的晝素 訊號S 1 ，S 2 ，、、、，S η會依此順序來供給。而且 ，在T F Τ 3 0的閘極電性連接有掃描線3 a ，以預定的 時序來依次脈衝性地將掃描訊號G 1 ，g 2，、、、， G m施加於掃描線3 a。又，畫素電極9 a會電性連接於 T F T 3 0的汲極，使開關元件的τ F T 3 0僅於一定期 -15- (12) (12)580602 間形成〇N狀態，以預定的時序來將由資料線6 a所供給 的畫素訊號S 1 ，S 2 ，、、、，S η寫入各畫素。如此 一來’經由晝素電極9 a而寫入液晶的預定位準的畫素訊 號SI ，S2，、、、，Sn會在與參照第1 (B)圖所 述的對向基板2 0的對向電極2 1之間保持於一定期間。 在此，在T F T陣列基板1 〇中，爲了防止所保持的 晝素訊號洩漏，而附加一與形成於晝素電極9 a與對向電 極2 1之間的液晶電容並列的儲存電容7 0 (電容器）。 藉此儲存電容7 0，畫素電極9 a的電壓保持時間，例如 會比施加源極電壓的時間還要長3位數。如此一來，電荷 的保持特性會被改善，可實現一種能夠進行對比度高的顯 示之液晶裝置。並且，就形成儲存電容7 0的方法而言， 可形成於電容線3 b (供以形成電容的配線）之間，或者 形成於前段的掃描線3 a之間。 (T F T陣列基板的構成） 第5圖是表示在T F T陣列基板中相鄰接的畫素平面 圖。第6圖是表示在相當於第5圖的A — A ’線的位置的 剖面，及在T F T陣列基板與對向基板之間封入液晶的狀 態的剖面說明圖。 在第5圖中，在T F T陣列基板1 〇上形成有矩陣狀 的畫素電極9 a ，該畫素電極9 a是由複數個透明的 I 丁〇（Indium Tin Oxide)膜所構成，且對這些畫素電 極9 a分別連接有晝素開關用的T F T 3 0。又，沿著畫 -16 - (13) (13)580602 素電極9 a的縱橫境界形成有資料線6 a ，掃描線3 a及 電容線3 b ，T F 丁 3 0是針對資料線6 a及掃描線3 a 進fr連接。亦即’資料線6 a是經由接觸扎來電性連接於 T F T 3 0的高濃度源極領域1 d，掃描線3 a的突出部 份是構成T F T 3 〇的閘極電極。儲存電容7 〇是以導電 化半導體膜1 a (供以形成畫素開關用的丁 f T 3 〇 )的 延設部份1 f作爲下電極，在此下電極4 1上，電容線 3 b會作爲上電極而形成重疊的構造。 如第6圖所示，在T F T陣列基板1 〇中，其基體是 使用透明基板1 0 b，且於此透明基板1 〇 b的表面上形 成有底層保護膜1 1 ，該底層保護膜1 1是由厚度3 〇 〇 n m〜5 0 0 n m的氧化矽膜（絕緣膜）所構成，且於底 層保護膜1 1的表面上形成有厚度3 0 n m〜1 〇 〇 n m 的島狀導體膜1 a。在半導體膜1 a的表面上形成有聞 極絕緣膜2，該閘極絕緣膜2是由厚度5 0 n m〜1 5 0 n m的氧化矽膜所構成，且於此閘極絕緣膜2的表面上形 成有厚度3 0 0 nm〜80 0 n m的掃描線3 a。在半導 體膜1 a中，隔著閘極絕緣膜2與掃描線3 a呈對峙的領 域會形成通道領域1 a，。對此通道領域1 a，而言，會 在一方側形成具有低濃度源極領域1 b及高濃度源極領域 1 d的源極領域，在另一方側形成具有低濃度汲極領域 1 c及高濃度汲極領域1 e的汲極領域。 此外’在畫素開關用的T F T 3 0的表面側形成有層 間絕緣膜4，該層間絕緣膜4是由厚度3 0 0 n m〜 -17- (14) (14)580602 8 0 0 n m的氧化矽膜所構成，且於此層間絕緣膜4的表 面上形成有層間絕緣膜5，該層間絕緣膜5是由厚度 1 0 0 n m〜3 0 0 n m的氮化矽膜所構成。並且，在層 間絕緣膜4的表面上形成有厚度3 0 0 n m〜8 0 0 n m 的資料線6 a ，此資料線6 a會經由形成於層間絕緣膜4 的接觸孔來電性連接於高濃度源極領域1 d。而且，在層 間絕緣膜4的表面上形成有與資料線6 a同時形成的汲極 電極6 b ，此汲極電極6 b會經由形成於層間絕緣膜4的 接觸孔來電性連接於高濃度汲極領域1 e。 另外，在層間絕緣膜5的上層，由感光性的感光性樹 脂所構成的凹凸形成層1 3 a是以預定的圖案來形成。並 且，在凹凸形成層1 3 a的表面上形成有上層絕緣膜7 a ，該上層絕緣膜7 a是由透明的感光性樹脂所構成，且於 此上層絕緣膜7 a的表面上形成有光反射層8 a，該光反 射層8 a是由鋁膜等所構成。因此，在光反射層8 a的表 面上會反映出凹凸形成層1 3 a的凹凸，而形成有凹凸圖 案8 g，此凹凸圖案8 g會形成無邊端平順的形狀。在第 4圖中，有關凹凸形成層1 3 a的平面形狀，雖是以六角 形來表示，但亦可採用圓形或八角等各種的形狀。 再者，於光反射層8 a的表面上形成有晝素電極9 a 。該畫素電極9 a可直接層疊於光反射層8 a的表面上。 並且，畫素電極9 a是經由形成於上層絕緣膜7 a ，凹凸 形成層1 3 a ，層間絕緣膜5的接觸孔來電性連接於汲極 電極6 b。 -18- (15) (15)580602 在此，於光反射膜8 a中，在與畫素電極9 a平面重 疊的領域的一部份形成有矩形的光透過窗8 d ，且在相當 於此透過窗8 d的部份，雖存在有由I T〇所構成的畫素 電極9 a ，但光反射膜8 a並不存在。 在晝素電極9 a的表面側形成有配向膜1 2，該配向 膜1 2是由聚醯亞胺膜所構成。此配向膜1 2是對聚醯亞 胺膜施以面磨處理的膜。 並且，針對來自高濃度汲極領域1 e的延設部份1 f (下電極）來構成一儲存電容7 0，該儲存電容7 0是隔 著與閘極絕緣膜2 a同時形成的絕緣膜（介電質膜）來與 電容線3 b (上電極）呈對向。 如此一來，由於在本形態的液晶裝置1 0 0中，在透 明的畫素電極9 a的下層側形成有光反射膜8 a ，因此會 在T F T陣列基板1 0側反射由對向基板2 0側所射入的 光，藉由從對向基板2 0側射出的光來顯示畫像（.反射模 式）。並且，在由配置於T F T陣列基板1 0的背面側的 背光裝置（未圖示）所射出的光中，由於朝向未形成有光 反射膜8 a的光透過窗8 d的光會經由光透過窗8 d而透 過對向基板2 0側，因此可形成透過模式的顯示。 此外，TFT30如上述雖最好是具有LDD構造， 但亦可具有在相當於低濃度源極領域1 b及低濃度汲極領 域1 c的領域中不進行雜質離子的植入之偏置構造。並且 ，T F T 3 0是以閘極電極（掃描線3 a的一部份）作爲 光罩，在高濃度下植入雜質離子，自我整合地形成高濃度 -19- (16) (16)580602 的源極及汲極之自調整型的T F T。 而且，在本形態中，雖是在源極-汲極領域之間僅配 置1個T F Τ 3 0的閘極電極（掃描線3 a )，亦即形成 單閘構造，但亦可在源極-汲極領域之間配置2個以上的 閘極電極。此刻，在各個閘極電極中會施加同一訊號。若 如此以雙閘或三閘以上來構成T F T 3 0，則可防止在通 道與源極-汲極領域的接合部發生洩漏電流，可降低 〇F F時的電流。又，若使該等閘極的至少1個形成 L D D構造或偏置構造，則更能降低〇F F電流，取得安 定的開關元件。 (對向基板2 0的構成·） 在對向基板2 0中，在與形成於T F T陣列基板1 0 的晝素電極9 a的縱橫境界領域呈對向的領域中形成有所 謂黑色矩陣或黑色條紋等的遮光膜2 3 ，且於其上層側形 成有由I T ◦膜所構成的對向電極2 1 。並且，在對向電 極2 1的上層側形成有由聚醯亞胺膜所構成的配向膜2 2 ，此配向膜2 2是對聚醯亞胺膜施以面磨處理而成的膜。 (驅動電路的構成） 在第1 ( A )圖中，本形態的液晶裝置1 0 〇是在 T F T陣列基板1 0的表面側，利用畫像顯示領域1 〇 a 的周邊領域來形成資料線驅動電路1 0 1及掃描線驅動電 路1 0 4。如此的資料線驅動電路1 0 1及掃描線驅動電 -20- (17) (17)580602 路1 〇 4 ，基本上是由第7圖及第8圖所示的N通到型 T F T及P通到型T F T來構成。 第7圖是表示構成掃描線驅動電路1 〇 4及資料線驅 動電路101等周邊電路之TFT的構成平面圖。第8圖 是以第7圖的B - B ’線來切斷該周邊電路時的剖面圖° 在第7圖及第8圖中，構成周邊電路的T FT是由P 通道型的TF T 1 8 0及N通道型的TFT 1 9 0所構成 的相輔型T F T。構成這些驅動電路用的T F T 1 8 0 ’ 1 9 0之半導體膜1 6 〇 (在第7圖中以虛線來表示其輪 廓）是在透明基板1 〇 b的底層保護膜1 1的表面上形成 島狀。 在丁 F T 1 8 0 ，1 9 ◦中，高電位線1 7 1與低電 位線1 7 2會經由接觸孔1 6 3 ’ 1 6 4來分別電性連接 於半導體膜1 6 0的源極領域。並且，輸入配線1 6 6是 分別連接於共通的閘極電極1 6 5 ’輸出配線1 6 7是分 別經由接觸孔1 6 8，1 6 9來分別電性連接於半導體膜 1 6 0的汲極領域。 如此的周邊電路領域也是經由與畫像顯示領域1 ◦ a 同樣的製程來形成，因此在周邊電路領域中也會形成有層 間絕緣膜4，5及閘極絕緣膜2。並且，驅動電路用的 TFT180 ，190亦與晝素開關用的TFT30同樣 的具有L D D構造，在通道形成領域1 8 1 ，1 9 1的兩 側具備：由高濃度源極領域1 8 2，1 9 2與低濃度源極 領域1 8 3 ，1 9 3所構成的源極領域，及由高濃度汲極 -21 - (18) (18)580602 領域1 8 4，1 9 4與低濃度汲極領域1 8 5 ，1 9 5所 構成的汲極領域。 (基板間導通部份的構成） 第9圖是表示在液晶裝置1 〇 〇中進行基板間導通的 部份剖面圖。 在第1 (A)圖及第2圖的TFT陣列基板1 0中， 在與對向基板2 0重疊的領域中形成有複數個基板間導通 電極9 g，這些基板間導通電極9 g，如第9圖所示，會 經由挾持於基板間的基板間導通材1 0 6來電性連接於對 向基板2 0的對向電極2 1。基板間導通材1 0 6是在環 氧樹脂系的接合劑成份中混合銀粉或鍍金纖維等的導電粒 子而成。因此，可將供應給T F T陣列基板1 〇的端子 1 0 2的定電壓（D C C〇Μ )供給至對向基板2 0的對 向電極2 1 。 在此，基板間導通電極9 g與晝素電極9 a同樣的， 是由I T 0膜所構成。 (驅動電路的佈局及識別記號的構成） 第1 0圖及第1 1圖是分別表示形成於液晶裝置 1 0 0的識別記號的平面圖及剖面圖。 在前述第2圖中，於資料線驅動電路1 0 1中，位移 暫存器電路1 0 1 b及取樣保持電路1 〇 1 c等，對資料 線6 a及連接於該資料線6 a的畫素列而言是形成丨對丄 的關係，且有關取樣保持電路1 〇 1 c方面，是形成於使 (19) (19) 580602 對應的資料線6 a及連接於該資料線δ a的畫素列的形成 領域延伸於Y方向的領域上。因此’有關取樣保持電路 1 〇 1 c方面，X方向的間距會與畫素列的X方向的間距 相等。 相對的，構成位移暫存器電路1 〇 1 b的單位電路 1 〇 1 e雖是複數排列於X方向，但在本形態中是分別在 離開X方向的兩個單位電路形成領域1 〇 1 X，1 0 1 y 中形成複數個單位電路1 〇 1 e。因此’單位電路 1 0 1 e是形成於偏離X方向的位置。並且，在以單位電 路形成領域1 0 1 X，1 0 1 y所挾持的位置上形成有未 配置單位電路1 0 1 e的空領域1 0 X。 在本形態中，會針對以單位電路形成領域1 0 1 X， 1 0 1 y所挾持的空領域1 0 X來形成兩個識別記號4 0 (第1 0圖所述者），且於資料線驅動電路1 〇 1的兩側 並未形成有識別記號。 識別記號4 0是在於記錄供以對T F T陣列基板1 〇 或液晶裝置1 0 〇的製造履歷進行往後的追蹤調查之 V e r i C 〇 d e (二次元碼），根據光反射率的強弱來規定資料 的單元4 1會排列成矩陣狀。在此，1個點份的單元4 1 大小爲1 0 0 // m見方，如此的單元4 1雖是形成於1 〇 X 1 0〜1 4 4 X 1 4 4的範圍，但本形態的T F T陣列 基板1 0中所形成的識別記號爲1 4 x 1 4的單元大小。 如第1 1圖所示，識別記號4 0是例如在T F T陣列 基板1 0的底層保護膜1 1的表面上，藉由以預定圖案形 -23- (20) (20)580602 狀剩餘的半導體膜1 g來形成。在此，半導體膜1 g是與 構成T F T 3 0的主動層的半導體膜1 a同時形成的膜， 且於上層側形成有閘極絕緣膜2，及層間絕緣膜4，5。 (本形態的效果） 如以上所述，在本形態的液晶裝置1 0 0中，由於是 將分別對應於複數個畫素列的複數個單位電路1 0 e形成 於··使對應的晝素列的形成位置由延長於Y方向的領域上 偏移於X方向的位置，藉此使以往分散於資料線驅動電路 1 0 1雨側的空間能成爲一空間領域1 0 X來集中於形成 有資料線驅動電路1 0 1的領域中央，在此空領域1 0 X 中配置識別記號4 0，因此可使以往在畫像顯示領域 1 0 a的周邊領域中識別記號4 0所佔的領域能夠包含於 本形態中形成有資料線驅動電路1 0 1的領域內。因此， 如第2圖中以實線來表示本形態的液晶裝置1 〇 0的外形 (基板1 1 3 ，1 1 4 ) ’及以虛線來表示以往的液晶裝 置的外形所示，本形態可縮小液晶裝置1 〇 〇的周邊領域 (框緣領域1 0 〇 b )。 〔實施形態2〕 第1 2圖是表示使用於本實施形態的液晶裝置1 0〇 的驅動電路內藏型的T F T陣列基板1 〇的構成模式方塊 圖。並且，由於本形態的液晶裝置及後述實施形態的液晶 裝置皆與實施形態1的液晶裝置的基本構成共通，因此只 -24- (21) (21)580602 說明各實施形態的特徵部份，對共通的部份賦予同樣的元 件符，並省略其說明。 在第1 2圖中，在本形態的T F T陣列基板1 〇中， 與實施形態1同樣的，在資料線驅動電路1 〇 1中，位移 暫存器電路1 0 1 b及取樣保持電路1 〇 1 c等，對資料 線6 a及連接於該資料線6 a的晝素列而言也是形成1對 1的關係’且有關取樣保持電路1 〇 1 c方面，是形成於 使對應的資料線6 a及連接於該資料線6 a的晝素列的形 成領域延伸於Y方向的領域上。因此，有關取樣保持電路 1 0 1 c方面，X方向的間距會與畫素列的X方向的間距 相等。 相對的，構成位移暫存器電路1 〇 1 b的單位電路 1〇1 e雖是複數排列於X方向，但單位電路1 〇 e的X 方向的間距要比畫素列的X方向的間距來得小。因此，單 位電路1 0 1 e是形成於：使對應的畫素列的形成位置由 延長於Y方向的領域上偏移於X方向的位置。並且，在形 成有資料線驅動電路1 0 1的領域的兩側，未配置有單位 電路1 0 1 e的空領域1 〇 X會形成於兩處。 在本形態中，參照第1 0圖及第1 1圖所述的識別記 號4 0會分別形成於該等兩處的空領域1 0 X。 如此在本形態的液晶裝置1 0 0中，由於可使以往形 成於單位電路1 0 e間的空間成爲一空間領域1 〇 y來集 中於資料線驅動電路1 ο 1的兩側，在此空領域1 〇 y中 配置識別記號4 0，因此可使以往在畫像顯示領域1 0 a -25- (22) (22)580602 的周邊領域中識別記號4 0所佔的領域能夠包含於本形態 中形成有資料線驅動電路1 0 1的領域內。因此，如第 1 2圖中以實線來表示本形態的液晶裝置1 〇 0的外形（ 基板1 1 3 ，1 1 4 )，及以虛線來表示以往的液晶裝置 的外形所示，本形態可縮小液晶裝置1 0 0的周邊領域（ 框緣領域1 0 0 b )。 〔實施形態3〕 第1 3圖是表示使用於本實施形態的液晶裝置1 0 0 的驅動電路內藏型的T F T陣列基板1 〇的構成模式方塊 圖。 在第1 3圖中，本形態與實施形態1 ，2同樣的，在 資料線驅動電路1 0 1中’位移暫存器電路1 0 1 b及取 樣保持電路1 0 1 c等，對資料線6 a及連接於該資料線 6 a的畫素列而言是形成1對1的關係，且有關取樣保持 電路1 0 1 c方面，是形成於使對應的資料線6 a及連接 於該資料線6 a的畫素列的形成領域延伸於Y方向的領域 上。因此，有關取樣保持電路1 〇 1 c方面，X方向的間 距會與畫素列的X方向的間距相等。 相對的，構成位移暫存器電路1 0 1 b的單位電路 1 0 1 e雖是複數排列於X方向’但本形態與實施形態1 同樣的，單位電路1 0 e會被形成於偏離X方向的兩個單 位電路形成領域1 〇 1 χ ’ 1 0 1 y中。並且’在單位電 路形成領域1〇1χ ’ 1 0 1 y中’單位電路10 e的x -26- (23) (23)580602 方向的間距與實施形態2同樣的，要比畫素列的X方向的 間距來得小。因此，單位電路1 0 1 e是形成於：使對應 的畫素列的形成位置由延長於Y方向的領域上偏移於X方 向的位置。並且，在以單位電路形成領域1 0 1 X， 1 0 1 y所挾持的領域中形成有未配置單位電路1 〇 1 e 的空領域1 0 X。 在本形態中，會針對以單位電路形成領域1 〇 1 X， 1 0 1 y所挾持的空領域1 0 X來形成兩個識別記號4 0 (參照第1 0圖及第1 1圖所述者），且於資料線驅動電 路1 0 1的兩側並未形成有識別記號。 如此一來，由於在本形態中可使以往分散於資料線驅 動電路1 0 1兩側的空間能成爲一空間領域1 0 X來集中 於形成有資料線驅動電路1 0 1的領域中央，且使以往形 成於單位電路1 0 e間的空間集中成爲一空領域1 ο X， 在此空領域1 0 X中配置識別記號4 0，因此可使以往在 資料線驅動電路1 0 1兩側的識別記號4 0所佔的領域能 夠包含於本形態中形成有資料線驅動電路1 0 1的領域內 。因此，如第1 3圖中以實線來表示本形態的液晶裝置 1 0 0的外形（基板1 1 3 ，1 1 4 )，及以虛線來表示 以往的液晶裝置的外形所示，本形態可縮小液晶裝置 1 0 0的周邊領域（框緣領域1 〇 〇 b )。 〔其他實施形態〕 就實施形態1 ，2，3而言，是在於改良資料線驅動 -27- (24) (24)580602 電路1 0 1的佈局，而來形成空領域1 0 X，1 0 y，在 此配置識別記號4 0，但亦可如第1 4及1 5圖所示，針 對空領域1 0 X，1 0 y來附加識別記號4 0，而配置基 板間導通電極9 g。在此，第1 4圖所示的例子，是針對 形成於實施形態2的T F T陣列基板1 0的空領域1 0 X 來配置識別記號4 0及基板間導通電極9 g。又，第1 5 圖所示的例子，是針對形成於實施形態3的T F T陣列基 板1 0的空領域1 0 X來配置識別記號4 0及基板間導通 電極9 g。就此所示的例子而言，是在1個基板間導通電 極9 g進行基板間導通。 此外，並非只限於上述實施形態，亦可針對空領域 1 0 X，1 0 y，只配置基板間導通電極9 g。 另外，就上述實施形態而言，雖是形成有2個識別記 號4 0 ，但亦可只形成1個識別記號4 0。 再者，就上述實施形態而言，雖是在資料線驅動電路 1 0 1中改良單位電路1 0 e的佈局，但亦可以1對1方 式來對應於掃描線3 a的位移暫存器作爲單位電路。因此 ，在掃描線驅動電路1 0 4中，亦可藉由使單位電路偏離 掃描線3 a的延長線上來形成供以配置識別記號4 0或基 板間導通電極9 g。並且，在上述實施形態中，雖是以內 藏驅動電路爲例，但當然亦可適用於其他檢查電路配置。 又，就上述實施形態而言，雖是以主動矩陣型的液晶 裝置用的T F T陣列基板中適用本發明的例子來加以說明 ，但亦可應用於使用液晶以外的光電物質之光電裝置。例 -28- (25) (25)580602 如，本發明亦可適用於有機電激發光顯示裝置用的T F τ 陣列基板等。 〔液晶裝置之電子機器的適用〕 如此構成的半透過•反射型的液晶裝置1 〇 〇可作爲 各種電子機器的顯不部用’以下參照第1 6圖及第1 7圖 來說明其一例。 第1 6圖是表不以本發明的液晶裝置作爲顯示裝置使 用的電子機器的電路構成方塊圖。 在第1 6圖中，電子機器具有：顯示資訊輸出源7 〇 ，顯示資訊處理電路7 1 ，電源電路7 2 ，時序產生器 7 3 ，及液晶裝置7 4。在此，液晶裝置7 4亦可使用前 述液晶裝置1 0 0。 並且，顯示資訊輸出源1 〇 〇 〇具備：R〇M(Read Only Memory)，RAM(Random Access Memory)等記憶體， 各種光碟等的儲存單兀，及同步輸出數位晝像訊號的同步 電路等。根據時序產生器7 3所產生的各種時脈訊號來將 ® 預定格式的晝像訊號等的顯示資訊供應給顯示資訊處理電 路7 1。 顯示資訊處理電路7 1具備：序列-並列轉換電路， 放大•反相電路，低壓電路，τ校正電路，及箝位電路等 習知的各種處理電路。執行輸入後的顯示資訊的處理，然 後將該畫像訊號與時脈訊號C L Κ 一起供應給驅動電路 7 6。並且，電源電路7 2會將預定的電壓供應給各構成 要件。 -29- (26) (26)580602 第1 7 ( A )圖是表示本發明的電子機器之一實施形 態’亦即攜帶型個人電腦。在此所示的個人電腦8 〇具有 :具備鍵盤8 1的本體部8 2，及液晶顯示單元8 3。液 晶顯示單元8 3包含上述液晶裝置1 〇 〇。 又’第1 7 ( B )圖是表示本發明的電子機器之一實 施形態’亦即行動電話。在此所示的行動電話9 〇具有： 複數個操作按鈕9 1 ，及由上述液晶裝置1 〇 0所構成的 顯示部。 〔發明的效果〕 如以上所述，在本發明中，由於是將分別對應於複數 個畫素列的複數個單位電路形成於：使對應的畫素列的形 成位置由延長於Y方向的領域上偏移於X方向的位置，藉 此使各個散佈的空間能夠集中成未形成有單位電路的空領 域，在此空領域中配置識別記號或基板間導通電極等，因 此可使以往在畫像顯示領域的周邊領域中識別記號或基板 間導通電極等所佔的領域能夠配置於周邊電路所構成的領 域內，所以可縮小周邊領域。其結果，可使顯示體小型化 ，增加每單位基板所能取得的數量’進而能夠降低製造成 本。 【圖式簡單說明】 第1 ( A ) ，（ B )圖是分別表示由對向基板側所見 本發明的實施形態1的液晶裝置及形成於上面的各構成要 -30- (27) (27)580602 素的平面圖，及第1圖的Η - Η ’剖面圖。 第2圖是表示使用於第1圖所示的液晶裝置的τ F Τ 陣列基板的構成模式方塊圖。 第3圖是表示第2圖的資料線驅動電路的說明圖。 第4圖是表示在第2圖的晝像顯示領域中形成矩陣狀 的複數個畫素的各種元件及配線等之等效電路圖。 第5圖是表示第4圖的畫素平面圖。 第6圖是表示在相當於第5圖的Α - A ’線的位置切 · 斷時的剖面圖。 第7圖是表示第1圖的驅動電路的平面圖。 第8圖是表示第7圖的驅動電路用的T F T的剖面圖 〇 第9圖是表示第1圖及第2圖的基板間導通部份的剖 面圖。 第1 0圖是表示第1圖及第2圖的識別記號的平面圖 第1 1圖是表示第1 0圖的識別記號的形成領域的剖 面圖。 第1 2圖是表示使用於本發明的實施形態2的液晶裝 置的T F T陣列基板的構成模式方塊圖。 第1 3圖是表示使用於本發明的實施形態3的液晶裝 置的T F T陣列基板的構成模式方塊圖。 第1 4圖是表示使用於本發明的其他實施形態的液晶 裝置的T F T陣列基板的構成模式方塊圖。 -31 - (28) (28)580602 第1 5圖是表示使用於本發明的另外其他實施形態的 液晶裝置的T F T陣列基板的構成模式方塊圖。 第1 6圖是表示以本發明的液晶裝置作爲顯示裝置使 用的電子機器的電路構成方塊圖。 第1 7 ( A ) ， （ B )圖是分別表示使用本發明的液 晶裝置的攜帶型個人電腦的說明圖，及行動電話的說明圖 〇 第1 8圖是表示由對向基板側所見之習知的液晶裝置 及形成上面的各構成要件的平面圖。 第1 9圖是表示使用於第1 8圖的液晶裝置的T F T 陣列基板的構成模式方塊圖。 〔符號之說明〕 1 a ，1 g，1 6 0 :半導體膜 3 a :掃描線 3 b :電容線 魯 6 a :資料線 6 b :汲極電極 8 a :晝素電極 9 g :基板間導通電極 1 0 : T F T陣列基板 1 0 a :畫像顯示領域 10x，10y:空領域 1 3 a :凹凸形成層 -32- (29) (29)580602 2 0 :對向基板 2 1 :對向電極 3 0 :畫素開關用的T F 丁 4 0 :識別記號 7 0 :儲存電容 1 0 0 :液晶裝置（光電裝置） 1 0〇b :框緣領域 1 0 1 :資料線驅動電路 ® 10 lb:位移暫存器電路 1 0 1 c :取樣保持電路 1 0 1 e :單位電路 1 0 2 :端子 1 0 4 :掃描線驅動電路 1 0 6 :基板間導通材 -33-

Claims (1)

1. 580602 1 .一種光電裝置，是屬於一種在基板上，將彼此正 交的二方向設定爲X方向及Y方向時，在該基板上至少具 有： 複數個晝素以預定的間距來配置於X方向及Y方向之 畫像顯示領域；及 對該晝像顯示領域來配置於鄰接於Y方向的領域之周 邊電路；等之光電裝置；其特徵爲： 在上述周邊電路的至少一部份，分別對應於排列在X 方向的複數個晝素列的複數個單位電路會以預定的間距來 複數個排列於X方向，且 上述複數個單位電路是使對應的畫素列的形成位置由 延長於Y方向的領域上偏移於X方向，藉此來針對上述畫 素顯示領域鄰接於Y方向的領域中，形成一針對該單位電 路的形成領域鄰接於X方向的領域中未形成有該單位電路 之空領域。 2 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中在上述 周邊電路中，在離開X方向的複數個單位電路形成領域中 形成有上述單位電路，藉此於上述單位電路形成領域所挾 持的位置形成有上述空領域。 3 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中在上述 周邊電路中，上述單位電路的X方向的間距要比上述畫素 列的X方向的間距來得狹窄，藉此來針對該單位電路的形 成領域’在鄰接於X方向的兩側位置或一側位置形成有上 -34- (2)580602 述空領域。 4 ·如申請專利範圍第 周邊電路中，上述單位電路 列的X方向的間距來得狹窄 位電路形成領域中形成有上 電路形成領域所挾持的位置 5 ·如申請專利範圍第 之光電裝置，其中在上述空 別記號。 6 ·如申請專利範圍第 之光電裝置’其中在上述基 置的對向基板側的電極，形 間導通劑而電性連接之基板 該基板間導通電極是形 7 .如申請專利範圍第 之光電裝置，其中在上述基 置的對向基板側的電極，形 間導通劑而電性連接之基板 該基板間導通電極，及 被形成於上述空領域。 8 .如申請專利範圍第 之光電裝置，其中上述複數 素開關用的薄膜電晶體； 上述周邊電路爲：針對 項之光電裝置，其中在上述 X方向的間距要比上述畫素 且於離開X方向的複數個單 單位電路，藉此於上述單位 成有上述空領域。 〜4項的其中任一項所記載 域中附有記錄各種資訊的識 〜4項的其中任一項所記載 中，針對與該基板呈對向配 有經油挾持於基板間的基板 導通電極； 於上述空領域。 〜4項的其中任一項所記載 中，針對與該基板呈對向配 有經由挾持於基板間的基板 導通電極； 錄有各種資訊的識別記號會 〜4項的其中任一項所記載 畫素分別具備畫素電極及畫 性連接於上述晝素開關用的 -35- (3) (3)580602 薄膜電晶體的源極之資料線，上述單位電路會分別以1對 1的方式來形成之資料線驅動電路。 9 ·如申請專利範圍第1〜4項的其中任一項所記載 之光電裝置，其中上述複數個畫素分別具備畫素電極及畫 素開關用的薄膜電晶體； 上述周邊電路爲：對電性連接於上述晝素開關用的薄 膜電晶體的閘極之掃描線，上述單位電路會分別以1對1 的方式來形成之掃描線驅動電路。 1 0 ·如申請專利範圍第1〜4項的其中任一項所記 載之光電裝置，其中上述基板會保持作爲光電物質的液晶 〇 1 1 · 一種電子機器，其特徵是使用申請專利範圍第 1〜4項的其中任一項所規定之光電裝置。 -36-