JP3564990B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称す。)駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネル等の電気光学装置、または当該電気光学装置を用いた電子機器の技術分野に属し、特に、プリチャージ回路及びサンプリング回路を備えた駆動回路、電気光学装置、及び電子機器の技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
従来、TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいては、縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線と、走査線及びデータ線の各交点に対応する多数の画素電極がTFTアレイ基板上に設けられている。そして、これらに加えて、走査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路、プリチャージ回路などのTFTを構成要素とする各種の周辺回路が、このようなTFTアレイ基板上に設けられる場合がある。
【0003】
これらの周辺回路のうち、サンプリング回路は、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期して供給するために、画像信号をサンプリングする回路である。その外にも、液晶表示における画質の向上、消費電力の低減、コストの低減等の観点から、TFT等を用いた各種の周辺回路をTFTアレイ基板上に設けることも可能である。
【0004】
また、プリチャージ回路は、コントラスト比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低減等を目的として、データ線に対し、前記サンプリング回路により画像信号がサンプリングされるタイミングに先行するタイミングで、プリチャージ信号(画像補助信号)を供給することにより、画像信号をデータ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。特に液晶を交流駆動するために通常行われるデータ線の電圧極性を1水平走査期間毎に反転して駆動する所謂1H反転駆動方式においては、1水平有効表示期間前の1水平帰線期間において、画像信号の極性が切り換わってから後に、所定電位のプリチャージ信号をデータ線に予め書き込んでおけば、画像信号をデータ線に書き込む際に必要な電荷量を顕著に少なくできる。
【0005】
ここで、TFTアレイ基板上にマトリクス状に配置された複数の画素により規定される画面表示領域、即ち液晶パネル上で実際に液晶の配向状態の変化により画像が表示される領域において、前記複数の画素に夫々設けられる画素スイッチング用TFTを制御するために、該画面表示領域の周囲に設けられる周辺回路を形成するための領域は基本的要請として大きい程よいとされている。
【0006】
しかしながら、更なる解像度の向上を図るために液晶パネルの高精細化や、或いは、マザー基板からの取れ個数を増加することで歩留まりを向上したり、持ち運び自由なモバイル用途に使用するために液晶パネル自体の小型化を望む声が多くなっている。このように、液晶パネルの高精細化、或いは小型化が進むと、画素サイズの微細化が必然となり、それに伴い同一基板上に形成された周辺回路の集積化を図る必要がある。
【0007】
そこで、前記周辺回路の集積化を図るために、前記プリチャージ回路及び前記サンプリング回路を液晶パネルの画面表示領域に対して同じ側に設けることがある。データ線に対してデータ線駆動回路及びサンプリング回路により画像信号が供給される側に、前記プリチャージ回路及び前記サンプリング回路を該データ線に対して並列に設けるようにする。このような構成を採れば、従来のようにデータ線の他端、すなわち画像信号が供給される側と反対側にプリチャージ回路を設ける必要がないので、プリチャージ信号を供給するためのプリチャージ信号線やプリチャージ回路を制御するためのプリチャージ回路駆動信号線を画面表示領域周辺に引き回さなくてもよい。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のプリチャージ回路及びサンプリング回路の構成によると、プリチャージ回路とサンプリング回路を同じ側に連続的に形成する必要があり、基板上の所定の範囲の領域を占有することとなるため、プリチャージ回路及びサンプリング回路の集積化、及び当該プリチャージ回路及びサンプリング回路を含む液晶パネルの小型化が困難であるという問題点があった。
【0009】
すなわち、前記プリチャージ回路を構成するスイッチング手段はデータ線毎に構成する必要があり、プリチャージ回路駆動信号線及びプリチャージ信号線からの延設配線を設けなければならない。同様に、前記サンプリング回路を構成するスイッチング手段はデータ線毎に構成する必要があり、サンプリング回路駆動信号線及び画像信号線からの延設配線を設けなければならない。結果として液晶パネルが小型化するとプリチャージ回路及びサンプリング回路を並列に形成することが難しくなり、結果としてプリチャージ回路及びサンプリング回路の集積化が図れない。
【0010】
そこで、本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、前記プリチャージ回路及びサンプリング回路を基板上に効率的に配置して、電気光学装置を小型化することが可能な電気光学装置並びに当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素電極と、画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記データ線と前記画素電極との間に夫々介在すると共に前記データ線と前記画素電極の間における導通状態及び非導通状態を前記走査線に供給される走査信号に基づいて制御される第1スイッチング手段とを備えた電気光学装置であって、サンプリング回路駆動信号に基づいて画像信号線から前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するための第2スイッチング手段を有するサンプリング回路と、前記データ線に前記画像信号を供給するためのサンプリング期間に先だってプリチャージ回路駆動信号に基づいてプリチャージ信号線からプリチャージ信号を前記データ線に供給する第3スイッチング手段を有するプリチャージ回路とを具備し、前記画素電極が形成されている画像表示領域と、前記プリチャージ回路との間に前記サンプリング回路が配置されてなることを特徴とする。
【0012】
本発明の電気光学装置によれば、複数の第3スイッチング手段は、画像表示領域と異なる基板上の領域に各データ線毎に形成され、画像信号の供給に先立って、各データ線に対して予め設定されたプリチャージ信号を夫々供給する。一方、複数の第2スイッチング手段は、第3スイッチング手段が形成されている領域と画像表示領域との間の基板上の領域に各データ線毎に形成され、画像信号を当該各データ線に夫々供給する。従って、第3スイッチング手段と第2スイッチング手段との位置関係において、画像信号を供給する第2スイッチング手段の方が画像表示領域に近いので、画像表示領域と第2スイッチング手段との間の画像信号の経路を低抵抗化することができ、画素電極に供給すべき画像信号が波形変形すること等を防止できる。
【0013】
また、本発明の前記第3スイッチング手段は、薄膜トランジスタであると共に、前記プリチャージ信号線から延設された供給線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
【0014】
この構成によれば、第3スイッチ手段が形成されている領域と第2スイッチ手段が形成されている領域との間の基板上に配置された複数の画像信号供給線は、画像信号を第2スイッチング手段に夫々供給する。従って、画像信号を供給する複数の画像信号供給線が第3スイッチ手段が形成されている領域と第2スイッチ手段が形成されている領域との間の基板上に配置されているので、画像信号供給線から第2スイッチング手段を介して画素電極に至るまでの画像信号の経路を短縮化すると共に低抵抗化することができる。
【0015】
また、本発明の前記第2スイッチング手段は、薄膜トランジスタであると共に、前記画像信号線から延設された中継線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
【0016】
この構成によれば、第2スイッチング手段及び第3スイッチング手段が、夫々薄膜トランジスタであるので、液晶駆動装置を小型薄膜化することができる。
【0017】
前記第3スイッチング手段は、少なくともPチャネル型トランジスタまたはNチャネル型トランジスタで構成されるとよい。
【0018】
この構成によれば、プリチャージ回路を構成する第3スイッチング手段をPチャネル型TFT、或いはNチャネル型TFTといった片チャネル型TFTで構成することにより、占有面積の少ない領域に効率的に配置することができる。これにより、前記プリチャージ回路の集積化が図れ、電気光学装置の小型化を実現することができる。
【0019】
また、前記第2スイッチング手段は、少なくともPチャネル型トランジスタまたはNチャネル型トランジスタで構成されるとよい。
【0020】
この構成によれば、サンプリング回路を構成する第2スイッチング手段をPチャネル型TFT、或いはNチャネル型TFTといった片チャネル型TFTで構成することにより、占有面積の少ない領域に効率的に配置することができる。これにより、前記サンプリング回路の集積化が図れ、液晶パネルの小型化を実現することができる。
【0021】
本発明の電子機器は、前記課題を解決するために、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【0022】
この電子機器は上述した電気光学装置を備えることで、該電気光学装置の小型化が可能なので、電子機器の小型化を実現することができる。
【0023】
本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施の形態から明らかにする。
【0024】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に好適な実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【0025】
なお、以下に説明する各実施形態は、光源からの光を透過して画像を表示する投射型の液晶装置に対して本発明を適用した場合の実施の形態である。
【0026】
(I)第1実施形態
(A)液晶装置の構成
最初に、第1実施形態の液晶装置の構成について図1乃至図8を用いて説明する。
【0027】
先ず、第1実施形態の電気光学装置の一例である液晶装置の全体構成について、図1から図3を用いて説明する。ここで、図1は第1実施形態の液晶装置におけるTFTアレイ基板上に設けられた各種配線、周辺回路等の構成を示すブロック図であり、図2はTFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図3は対向基板を含めて示す図2のH−H’断面図である。
【0028】
図1に示すように、液晶装置200は、例えば石英基板、ハードガラス等からなるTFTアレイ基板1を備えている。このTFTアレイ基板1上には、マトリクス状に設けられた複数の画素電極11と、X方向に複数配列されており夫々がY方向に沿って伸びるデータ線35と、Y方向に複数配列されており夫々がX方向に沿って伸びる走査線31と、各データ線35と画素電極1lとの間に夫々介在すると共に当該データ線35と画素電極1lの間における導通状態及び非導通状態を、走査線31を介して夫々供給される走査信号を用いて夫々制御する複数のTFT30とが形成されている。
【0029】
また、TFTアレイ基板1上には、複数のデータ線35に対して、画像信号に先行して所定電圧レベルのプリチャージ信号を夫々供給する本発明に係るプリチャージ回路201と、上記画像信号をサンプリングして複数のデータ線35に夫々供給する本発明に係るサンプリング回路301と、データ線駆動回路101と、走査線駆動回路104とが形成されている。ここで、データ線駆動回路101は、後述の画像信号用シフトレジスタ回路とプリチャージ専用シフトレジスタ回路とを含んでいる。また、サンプリング回路301は、夫々独立して駆動される複数の第2スイッチング手段としてのTFT302を含んでおり、他方、プリチャージ回路201は、夫々独立して駆動される複数の第1スイッチング手段としてのTFT302を含んでいる。
【0030】
このうち、走査線駆動回路104は、外部制御回路から供給される電源電圧及び基準クロック等に基づいて、所定タイミングで走査線31に走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【0031】
一方、データ線駆動回路101内の画像信号用シフトレジスタ回路は、外部制御回路から供給される電源電圧、基準クロック等に基づき、走査線駆動回路104が走査信号を印加するタイミングに合わせて、6つの画像信号供給線としての画像信号入力線VID1乃至VID6夫々について、データ線35毎にサンプリング回路駆動信号をサンプリング回路301内のTFT302にサンプリング回路駆動信号線306を介して供給する。
【0032】
これと並行して、データ線駆動回路内のプリチャージ専用シフトレジスタ回路は、サンプリング回路駆動信号が出力されるタイミングに先立って、プリチャージ回路201を構成するTFT202の夫々について、外部制御回路からプリチャージ回路駆動信号線206を介して供給されるプリチャージ回路駆動信号を当該TFT202毎にプリチャージ回路駆動信号線206aを介して供給する。
【0033】
次に、プリチャージ回路201は、TFT202を各データ線35毎に備えている。そして、プリチャージ信号線204がTFT202のソース電極に接続されて、上記プリャージ回路駆動信号線206aがTFT202のゲート電極に接続され、上記データ線35がTFT202のドレイン電極に接続されている。そして、プリチャージ信号線204を介して外部電源からプリチャージ信号を書き込むために必要な所定電圧の電源が供給されると共に、各データ線35について、画像信号に先行するタイミングでプリチャージ信号を書き込むように、データ線駆動回路101内のプリチャージ専用シフトレジスタ回路からプリチャージ回路駆動信号線206aを介してプリチャージ回路駆動信号が供給される。このとき、プリチャージ回路20lは、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当する上記プリチャージ信号をデータ線35に対して供給する。
【0034】
一方、サンプリング回路301では、上記TFT302を各データ線35毎に備え、画像信号入力線VID1乃至VID6がTFT302のソース電極に夫々接読され、サンプリング回路駆動信号線306がTFT302のゲート電極に夫々接続されている。そして、画像信号入力線VID1乃至VID6を介して、6相展開された6つのパラレルな画像信号が入力されると、これらの画像信号をサンプリングする。そして、データ線駆動回路101内の画像信号用シフトレジスタからサンプリング回路駆動信号線306を介してサンプリング回路駆動信号が入力されると、6つの画像信号入力線VID1乃至VID6夫々についてサンプリングされた画像信号を、6つの隣接するデータ線35からなるグループ毎に順次当該データ線35に印加する。
【0035】
このとき、プリチャージ回路201及びサンプリング回路301のTFTアレイ基板1上の位置関係については、図1又は図2に示すように、データ線駆動回路101に相隣接してプリチャージ回路201が形成されており、更に当該プリチャージ回路201に相隣接して画像信号入力線VID1乃至VID6が配設されており、当該画像信号入力線VID1乃至VID6に相隣接してサンプリング回路301が形成されている。
【0036】
すなわち、画像信号入力線VID1乃至VID6を挟む形でサンプリング回路301とプリチャージ回路201とが形成されており、更にプリチャージ回路201に対してサンプリング回路301がより画像表示領域に近い位置に形成されている(図2参照)。
【0037】
ここで、これらサンプリング回路301及びプリチャージ回路201は、液晶パネルの完成時には遮光性のケース内に収められる。従って、当該サンプリング回路301及びプリチャージ回路201を構成する上記TFT202及びTFT301内の後述する半導体層に外部からの入射光等が照射されることがなく、当該半導体層において入射光等に起因する光電流が発生してTFT202又はTFT302が誤動作することはない。
【0038】
一方、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104は、図2及び図3に示すように、液晶層50に面しないTFTアレイ基板1の周辺部分上に設けられている。
【0039】
更に、図2及び図3において、TFTアレイ基板1の上には、複数の画素電極11を含みその大きさにより規定される広さの上記画像表示領域(即ち、実際に液晶層50の配向状態変化により画像が表示される領域)の周囲において両基板を貼り合わせて液晶層50を包囲する光硬化性樹脂からなるシール材52が、当該画像表示領域に沿って設けられている。このシール材52は、TFTアレイ基板1及び対向基板2をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定植とするためのスペ−サが混入されている。
【0040】
次に、シール材52の外側の領域には、図2に示すように画像表示領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路101及び実装端子102が設けられており、画像表示領域の左右の二辺に沿って走査線駆動回路104が当該画像表示領域の両側に設けられている。更に、画像表示領域の上辺には、複数の配線105が設けられている。
【0041】
また、対向基板2のコーナー部の少なくとも1箇所において、TFTアレイ基板1と対向基枚2との間で電気的導通をとるための導通材からなる銀点106が設けられている。そして、シール材52とほば同じ輪郭を持つ対向基板2が当該シール材52によりTFTアレイ基枝1に固着されている。
【0042】
ここで、プリチャージ回路201及びサンプリング回路301は、基本的に交流駆動の回路である。このため、シール材52により包囲され両基板間に挟持された液晶層50に面するTFTアレイ基板1の部分にこれらのプリチャージ回路201及びサンプリング回路301を設けても、直流電圧印加による液晶層50の劣化という間題は生じない。
【0043】
また、シール材52に面するTFTアレイ基板1部分にプリチャージ回路201やサンプリング回路301を形成するのではないので、これらの回路を構成するTFT202及び302をシール材52に混入されたスペーサにより破壊する恐れがない。
【0044】
(B)プリチャージ回路及びサンプリング回路の構成
次に、第1実施形態の液晶装置200のうち、本発明に係る上記プリチャージ回路201及びサンプリング回路の具体的構成について、図6乃至図8を用いて説明する。なお、図6はプリチャージ回路201の対向電極2側から見た平面拡大図であり、図7は液晶装置200の図6におけるB−B’断面図であり、図8は液晶装置200の図6におけるA−A’断面図である。
【0045】
なお、第1実施形態のプリチャージ回路201におけるTFT202は、より具体的には、図4(1)に示すようにNチャネル型のTFT202aから構成されてもよいし、図4(2)に示すようにPチャネル型のTFT202bから構成されてもよい。ここで、図4(1)又は図4(2)において、図1に示したプリチャージ回路駆動信号線206aを介して入力されるプリチャージ回路駆動信号は、ゲート電極を介して各TFT202a又はTFT202bに入力され、同じく図1に示したプリチャージ信号線204を介して入力されるプリチャージ信号は、ソース電極を介して各TFT202a又はTFT202bに入力される。
【0046】
また、これらに対応して、第1実施形態のサンプリング回路301におけるTFT302は、図5(1)に示すようにNチャネル型のTFT302aから構成されてもよいし、図5(2)に示すようにPチャネル型のTFT302bから構成されてもよい。ここで、図5(1)又は図5(2)において、図1に示した画像信号入力線VIDn(VID1乃至VID6)を介して入力される6つの画像信号は、ソース電圧として各TFT302a又はTFT302bに入力され、同じく図1に示したデータ線駆動回路101からサンプリング回路駆動信号線306を介して入力されるサンプリング回路駆動信号は、ゲート電圧としてTFT302a又はTFT302bに入力される。
【0047】
始めに、第1実施形態のプリチャージ回路201及びサンプリング回路301の構成について図6を用いて説明する。なお、図6は、TFT202がNチャネル型のTFT又はPチャネル型のTFTのいずれか一方により形成されている場合を示しており、また、図6においては、説明の簡略化のために画像信号入力線を3本としている。
【0048】
図6に示すように、第1実施形態のプリチャージ回路201及びサンプリング回路301は、画像信号入力線VID1乃至VID3を挟んでその両側に配置されており、更に、サンプリング回路301が画像信号入力線VID1乃至VID3から見て画像表示領域側に配置されている。
【0049】
このとき、プリチャージ回路201内のTFT202がプリチャージ信号線204をソース電極線とし、プリチャージ回路駆動信号線206aをゲート電極線とし、データ線35をドレイン電極線として構成されている。
【0050】
そして、各電極線と各TFT202の夫々の電極領域とはコンタクトホール38により層間接続されている。
【0051】
一方、サンプリング回路301内のTFT302が画像信号入力線VID1乃至VID3のうちいずれか一つに接続されている信号線303をソース電極線とし、サンプリング回路駆動信号線306をゲート電極線とし、データ線35をドレイン電極線として構成されている。
【0052】
そして、各電極線と各TFT302の夫々の電極領域とはコンタクトホール38により層間接続されている。
【0053】
更に、TFT202のドレイン電極とTFT302のドレイン電極を共通的にゲート線35により接続するために、画像信号入力線VID1乃至VID3とは別の層に中継配線304が形成されている。
【0054】
次に、図7を用いてサンプリング回路301部分の液晶パネルの断面構成について更に説明する。なお、図7においては、各層や各部材を図面上で認織可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図7においては、サンプリング回路301に液晶層50を挟んで対向して形成されている配向膜22等も併せて示してある。
【0055】
なお、プリチャージ回路201内のTFT202部分の液晶パネルの断面構造については、基本的に図7に示す断面構造と同様であるので細部の説明は省略する。
【0056】
図7に示すように、サンプリング回路301におけるTFT302は、TFTアレイ基板1並びにその上に積層された第1層間絶縁層41、p−Si(ポリシリコン)等の半導体層32、ゲート絶縁層33、サンプリング回路駆動信号線306(ゲート電極)、プリチャージ信号線204(ソース電極)、第2層間絶縁層42、データ線35(ドレイン電極)、第3層間絶縁層43、遮光膜44及び配向膜12を備えている。
【0057】
また、TFT302に対向する位置には、例えばガラス基板等から成る対向基板2並びにその上に積層された配向膜22を備えている。そして、夫々の配向膜12及び22間に液晶50が封入されている。
【0058】
次に、これらの層のうち、TFT302を除く各層の構成について順に説明する。
【0059】
先ず、TFTアレイ基板1上に形成された遮光膜44は、図7中下方からの光がTFT302に照射され、これにより当該TFT302を構成する半導体層32に光電流が誘起されることを防止する。なお、当該遮光膜44については、反射型の液晶パネルでは不要となる。
【0060】
次に、TFT302の基礎となる第1層間絶縁層41は、10000Å程度の厚さのNSG、PSG(P2O5を含むSiO2)、BSG(B2O3を含むSiO2)、BPSG(P2O5とB2O3を含むSiO2)などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜等からなる。ここで、第1層間絶縁層41の製造時に約900℃のアニ−ル処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化することができる。
【0061】
また、第2層間絶縁層42及び第3層間絶縁層43は、夫々5000乃至15000Å程度の厚さのNSG、PSG、BSG、BPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。
【0062】
次に、配向膜12及び22は、例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜により構成される。この配向膜12及び22は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。
【0063】
また、液晶層50は、TFTアレイ基板1と対向基板2との間において、シール材52(図2及び図3参照)により囲まれた空間に液晶が真空吸引等により封入されることにより形成される。この液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。
【0064】
次に、TFT302に係る各層の構成について順に説明する。
【0065】
図7に示すように、TFT302は、サンプリング回路駆動信号線306(ゲート電極)と、半導体層32内に含まれ、サンプリング回路駆動信号線306からの電界によりチャネルが形成されるチャネル形成領域37と、サンプリング回路駆動信号線306と半導体層32とを絶縁するゲート絶縁層33と、半導体層32に形成されたソース領域34と、データ線35(ドレイン電極)と、信号線303と、半導体層32に形成されたドレイン領域36と、データ線35とドレイン領域36並びに信号線303とソース領域34とを夫々層間接続するコンタクトホール38とを備えている。
【0066】
このうち、ソース領域34及びドレイン領域36は後述のように、半導体層32内にP型のチャネル形成領域37を形成するか又はp型のチャネル形成領域37を形成するかに応じて所定濃度のP型用又はp型用のドーパントをドープすることにより形成されている。
【0067】
ここで、P型チャネルのTFT302は、動作速度が速いという利点があり、上記サンプリング回路301として適している。
【0068】
一方、上記半導体層32は、例えば、基礎としての第1層間絶縁層41上にa−Si(アモルファスシリコン)膜を形成後、アニール処理を施して約500乃至2000Åの厚さに固相成長させることにより形成する。この際、nチャネル型のTFT302の場合には、Sb(アンチモン)、As(砒素)、P(リン)などのV族元素のドーパントをイオン注入法等によりドープする。また、pチャネル型のTFT302の場合には、Al(アルミニウム)、B(ボロン)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)などの亜族元素のドーパントをイオン注入法等によりドープする。
【0069】
このとき、特にTFT302をLDD(Lightly Doped Drain)構造を持つnチャネル型のTFTとする場合には、p型の半導体層32に、ソース領域34及びドレイン領域36のうちチャネル形成領域37側に夫々隣接する一部にPなどのV族元素をドープすることにより低濃度ドープ領域を形成し、他の部分に同じくP等のV族元素をドープして高濃度ドープ領域を形成する。更に、pチャネル型のTFTとする場合、P型の半導体層32に、BなどのIII族元素のドーパントを用いてソ−ス領域34及びドレイン領域36を形成する。このようにしてLDD構造とした場合、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。
【0070】
なお、TFT302は、低濃度ドレイン領域を形成することなくオフセット構造のTFTとしてもよいし、ゲート電極をマスクとしてセルフアライン型のTFTとしてもよい。
【0071】
一方、ゲ−ト絶縁層33は、半導体層32を約900乃至1300℃の温度により熱酸化させて、300乃至1500Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を形成して得る。
【0072】
更に、データ線35(ドレイン電極)は、減圧CVD法等によりp−Siを堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により形成される。このとき、Al等の金属膜又は金属シリサイド膜から形成してもよい。
【0073】
また、データ線35(ドレイン電極)は、画素電極11と同様にITO膜等の透明導電性薄膜から形成してもよい。
【0074】
更に、スパッタリング処理等により、約1000乃至5000Åの厚さに堆積されたAl等の低抵抗金属や金属シリサイド等から形成してもよい。
【0075】
一方、コンタクトホール38は、例えば、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成される。
【0076】
なお、一般にはチャネル形成領域37となる半導体層32は、光が入射するとp−Siが有する光電変換効果により光電流が発生してしまいTFT302のトランジスタ特性が劣化するが、第1実施形態では、当該TFT302及びTFT202は遮光性のケース内に収められることとなるので、外部からの入射光が少なくとも半導体層32のチャネル領域に入射することを防止できる。
【0077】
更にこれに加えて又はこれに代えて、チャネル形成領域37を上側から覆うようにデータ線35(ドレイン電極)をAl等の不透明な金属薄膜から形成し、半導体層32への入射光(即ち、図7で上側からの光)の入射を防ぐように構成してもよい。
【0078】
また、第1実施形態では、TFT302及び202はp−SiタイプのTFTであるので、TFT302及び202の形成時に同一薄膜形成工程でサンプリング回路201、プリチャ−ジ回路301、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の同じp−Si TFTタイプのTFT等から構成された周辺回路を形成できるので製造上有利である。
【0079】
更に、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104は、例えば、nチャネル型p−Si TFT及びpチャネル型p−Si TFTから構成される相補構造の複数のTFTによりTFTアレイ基板1上の周辺部分に形成される。
【0080】
更にまた、図7には示されていないが、対向基板2の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板1の投射光が出射する側には夫々、例えば、TN(ツイステッドネマティック)モード、STN(スーパーTN)モード、D−STN(ダブルーSTN)モード等の動作モ−ドや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【0081】
次に、図6に示す上記中継配線304が形成されている部分のA−A’断面構造について、図8を用いて説明する。
【0082】
画像信号入力線VID1乃至VID3との間で絶縁を保ちつつTFT302のドレイン電極としてのデータ線35とTFT202のドレイン電極としてのデータ線35とを接続するために形成される中継配線304は、例えば、図8(1)に示すように第1層間絶縁膜41と第2層間絶縁膜42との間の走査線31が形成される層と同一の層に形成することができる。このとき、各データ線35との層間接続は、コンタクトホール38により形成される。
【0083】
また、この他に、図8(2)に示すようにTFTアレイ基板1と第1層間絶縁層41との間の遮光膜44が形成される層と同一の層に形成し、これと各データ線35とを夫々コンタクトホール38を用いて層間接続するようにすることもできる。
【0084】
更に、低抵抗化を図るために、図8(3)に示すようにTFTアレイ基板1と第1層間絶縁層41との間の遮光膜44が形成される層と同一の層に中継配線304を形成すると共に、第1層間絶縁膜41と第2層間絶縁膜42との間の走査線31が形成される層と同一の層に中継配線304’を形成し、当該中継配線304’と各データ線35とを夫々コンタクトホール38で層間接続すると共に、中継配線304と中継配線304’とをコンタクトホール38’で層間接続してもよい。
【0085】
更にまた、同様に低抵抗化を図るために、図8(4)に示すように第1層間絶縁膜41と第2層間絶縁層42との間の走査線31が形成される層と同一の層に中継配線304を形成すると共に、第3層間絶縁膜43の図8(4)中上部表面に中継配線304’を形成し、当該中継配線304’と各データ線35とを夫々コンタクトホール38’で層間接続すると共に、各データ線35と中継配線304とをコンタクトホール38で層間接続してもよい。なお、この場合には、中継配線304’と第3層間絶縁膜43の図8(4)中上部表面に、更に第4層間絶縁膜45を形成することが必要となる。
【0086】
(C)液晶装置の動作
次に、以上のように構成された液晶装置200の動作について図1を参照して説明する。
【0087】
先ず、走査線駆動回路104は、所定タイミングで走査線31に走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【0088】
これと並行して、6つの画像信号入力線VID1乃至VID6から6相展開された6つのパラレルな画像信号を受けると、サンプリング回路301は、これらの画像信号をサンプリングする。
【0089】
一方、データ線駆動回路101は、走査線駆動回路104がゲート電圧を印加するタイミングに合わせて、6つの画像信号入力線VID1乃至VID6夫々について、一つのデータ線毎にサンプリング回路駆動信号を供給してサンプリング回路301のTFT302をオン状態とする。これにより、隣接する6つのデータ線35に対して、サンプリング回路301でサンプリングされた画像信号を順次印加する。即ち、データ線駆動回路101とサンプリング回路301により、画像信号入力線VID1乃至VID6から入力された6相展開された6つのパラレルな画像信号は6相展開されて、データ線35に供給される。
【0090】
他方で、各画像信号に先行するタイミングで、プリチャージ回路201は、プリチャージ信号を各データ線35に供給する。より具体的には、プリチャージ回路201は、プリチャージ信号をデータ線35に書き込むための電源をプリチャージ信号線204から受けつつ、プリチャージ回路駆動信号縁206を介して入力されるプリチャ−ジ回路駆動信号に応じてTFT202をオン状態とし、プリチャージ信号をデータ線35に書き込む。
【0091】
そして、走査信号及び画像信号の両方が印加されたTFT30においては、そのソース領域及びチャネル形成領域並びにドレイン領域を介して画素電極11に電圧が印加される。その後、この画素電極11の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば3桁長い時間だけ図示しない蓄積容量により維持される。
【0092】
なお、第1実施形態においては、液晶を交流駆動するために、1フィールド又は1フレームといった所定周期毎にデータ線35におけるソース電圧の電圧極性が反転されるが、上述のように各画像信号がTFT30に供給される前に、各データ線35に、好ましくは中間階調レベルの画素信号に相当するプリチャージ信号が供給されているので、画像信号を書き込む際の負荷は軽減されており、データ線35の電位レベルは、前回に印加された電圧レベルによらずに安定している。このため、今回の画像信号を各データ線35に安定した電位により供給することができる。
【0093】
以上のように、画素電極11に電圧が印加されると、液晶層50における画素電極11と共通電極21とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置200からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
【0094】
以上説明したように、第1実施形態の液晶装置200によれば、プリチャージ回路201とサンプリング回路301との位置関係において、サンプリング回路301の方が画像表示領域に近いので、画像表示領域とサンプリング回路との間を低抵抗化することができ、画素電極11に供給すべき画像信号が波形変形すること等を防止できる。
【0095】
また、相展開された画像信号を印加する複数の画像信号入力線VID1乃至VID6がプリチャージ回路201が形成されている領域とサンプリング回路301が形成されている領域との間のTFTアレイ基板1上に配置されているので、画像信号入力線VID1乃至VID6からサンプリング回路301を介して画素電極11に至るまでの画像信号の経路を短縮化すると共に低抵抗化することができる。
【0096】
更に、TFT202又はTFT302が、Pチャネル型TFT又はNチャネル型TFTのうちいずれか一方であるので、高速に画像信号又はプリチャージ信号をデータ線に対して供給できる。
【0097】
更にまた、特にサンプリング回路301により多相展開された画像信号をサンプリングし、多相展開してからデータ線35に画像信号として供給するので、高周波数の画像信号を各データ線35に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期して供給できる。
【0098】
また、画像信号に先行してプリチャージ回路201からプリチャ−ジ信号が供給されているので、コントラスト比の向上、データ線35の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低滅等が図られ、液晶装置200の画像表示領域に高晶位の画像を表示することができる。
【0099】
更に、上述したプリチャージ回路201を含む液晶装置200は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、3つの液晶装置200がRGB用のライトバルブとして夫々用いられ、各パネルには夫々RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が入射光として夫々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板2にカラーフィルタは設けられていない。
【0100】
しかしながら、液晶装置200においても画素電極11に対向する所定領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に対向基板2上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に第1実施形態の液晶装置200を適用できる。
【0101】
また、上述の第1実施形態では、プリチャージ回路201のTFT202又はサンプリング回路301のTFT302が正スタガ型又はコプラナー型のp−Si TFTであるとして説明したが、逆スタガ型のTFTやa−Si TFT等の他の形式のTFTに対しても、第1実施形態は有効である。
【0102】
更に、液晶装置200においては、一例として液晶層50をネマティック液晶から構成したが、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜12及び22、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。
【0103】
更にまた、画素電極11をAl等の反射率の高い金属膜により構成すれば、液晶装置200を反射型液晶装置に適用する場合に、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたSH(スーパーホメオトロピック)型液晶などを用いることができる。
【0104】
更に、対向基板20上に、一の画素に対して一つ対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率が向上し、より明るい液晶パネルが実現できる。
【0105】
更にまた、液晶装置200においては、液晶層50に対し垂直な電界(縦電界)を印加するように対向基板2の側に共通電極21を設けているが、液晶層50に並行な電界(横電界)を印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極11を夫々構成する(即ち、対向基板2の側には縦電界発生用の電極を設けることなく、TFTアレイ基板1の側に横電界発生用の電極を設ける)ことも可能である。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有利である。
【0106】
(II)第2実施形態
次に、本発明に係る他の実施形態である第2実施形態について、図9及び図10を用いて説明する。なお、図9又は図10において、夫々図1又は図6と同様の部材については、同一の部材番号を付して細部説明は省略する。また、第2実施形態においては、液晶装置200全体の構成は第1実施形態と同様であり、異なるのは、以下に説明するプリチャージ回路及びサンプリング回路の構成のみである。
【0107】
上述の第1実施形態においては、サンプリング回路301内の各TFT302について、データ線駆動回路101から夫々に一のサンプリング回路駆動信号線306を接続する構成とし、更にプリチャージ回路201内のTFT202についても、データ線駆動回路101から夫々に一のプリチャージ回路駆動信号線206aと一のプリチャージ信号線204を接続する構成とした。
【0108】
これに対し、第2実施形態のプリチャージ回路及びサンプリング回路においては、夫々に含まれるTFTに対して信号を供給する複数の信号線を集中配置することにより、TFTアレイ基板1上におけるサンプリング回路及びプリチャージ回路の占有面積を小面積化している。
【0109】
すなわち、図9に示すように、第2実施形態の液晶装置200’においては、第1実施形態と同様に、画像信号入力線VID1乃至VID6を挟む形でサンプリング回路301とプリチャージ回路201’とが形成されており、更にプリチャージ回路201’に対してサンプリング回路301がより画像表示領域に近い位置に形成されている。
【0110】
そして、第1実施形態と同様の画像信号用シフトレジスタ回路とプリチャージ専用シフトレジスタ回路とを含むデータ線駆動回路101を含み、6個の隣接するTFT302について、当該画像信号用シフトレジスタ回路からの一のサンプリング回路駆動信号線306を分岐して夫々のTFT302のゲート電極に接続する構成としている。そして、この構成によると、6個のTFT302が同時開け駆動されることとなる。
【0111】
また、6個のTFT202について、プリチャージ専用シフトレジスタからの一のプリチャージ回路駆動信号線206aを分岐して夫々のTFT202のゲート電極に接続する構成となっている。そして、この構成によっても、6個のTFT202が同時開け駆動されることとなる。
【0112】
更に、各TFT302のソース電極には、信号線303を介して対応する画像信号入力線VID1乃至VID6が夫々接続され、夫々相展開された画像信号を供給する構成となっている。
【0113】
更にまた、各TFT202については、相隣接する二つのTFT202のソース電極を重複させ、相互に後述する一のプリチャージ信号線204aを共有する構成となっている。
【0114】
また、一のTFT302のドレイン電極と対応するTFT202のドレイン電極は、一のデータ線35に接続されている。このとき、画像信号入力線VID1乃至VID6と平面的に重なるデータ線35の部分は、図8で例示したような中継配線304又は304’とされている。
【0115】
次に、第2実施形態のプリチャージ回路及びサンプリング回路の具体的なパターンレイアウトについて、図10を用いて説明する。
【0116】
図10に示すように、第2実施形態のプリチャージ回路201’では、相隣接する二つのTFT202で一のソース電極を共有しており、当該一のソース電極に一のプリチャージ信号線204aが接続されている。
【0117】
また、相隣接する6個のTFT202のゲート電極には、データ線駆動回路101’からの一のプリチャージ回路駆動信号線206aが分岐されて夫々接続されている。
【0118】
更に、サンプリング回路301内の各TFT302には、6個のTFT302のゲート電極について、データ線駆動回路101’からの一のサンプリング回路駆動信号線306が分岐されて夫々接続されている。
【0119】
このとき、各電極線と各TFT302又はTFT202の夫々の電極領域とはコンタクトホール38により層間接続されている。
【0120】
以上説明した第2実施形態の液晶装置200’におけるサンプリング回路301とプリチャージ回路201’の構成によれば、第1実施形態の液晶装置200の構成による効果に加えて、サンプリング回路301及びプリチャージ回路201’により占有されるTFTアレイ基板1上の領域を小面積化することができる。
【0121】
(電子機器)
次に、以上詳細に説明した液晶装置200を備えた電子機器の実施の形態について図17から図20を参照して説明する。
【0122】
先ず図17に、このように液晶装置200を備えた電子機器の概略構成を示す。
【0123】
図17において、電子機器は、表示情報出力源1000、上述した外部表示情報処理回路1002、前述の走査線駆動回路104及びデータ線駆動回路101を含む表示駆動回路1004、液晶パネル10、クロック発生回路1008並びに電源回路1010を備えて構成されている。表示情報出力源1000は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路等を含んで構成され、クロック発生回路1008からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路1002に出力する。表示情報処理回路1002は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック発生回路1008からのクロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に表示駆動回路1004に出力する。表示駆動回路1004は、走査線駆動回路104及びデータ線駆動回路101によって前述の駆動方法により液晶パネル10を駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶パネル10を構成するTFTアレイ基板の上に、表示駆動回路1004を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路1002を搭載してもよい。
【0124】
このような構成の電子機器として、図18に示す液晶プロジェクタ、図19に示すマルチメディア対応のパーソナルコンピユータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテーブレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置などを挙げることができる。
【0125】
次に図18から図20に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。図18において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ1100は、投射型の液晶プロジェクタであり、光源1110と、ダイクロイックミラー1113,1114と、反射ミラー1115,1116,1117と、入射レンズ1118,リレーレンズ1119,出射レンズ1120と、液晶ライトバルブ1122,1123,1124と、クロスダイクロイックプリズム1125と、投射レンズ1126とを備えて構成されている。液晶ライトバルブ1122,1123,1124は、上述した駆動回路1004がTFTアレイ基板上に搭載された液晶パネル10を含む液晶モジュールを3個用意し、夫々液晶ライトバルブとして用いたものである。また、光源1110はメタルハライド等のランプ1111とランプ1111の光を反射するリフレクタ1112とからなる。
【0126】
以上のように構成される液晶プロジェクタ1100においては、青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー1113は、光源1110からの白色光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー1117で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ1122に入射される。一方、ダイクロイックミラー1113で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー1114によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ1123に入射される。また、青色光は第2のダイクロイックミラー1114も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ1118、リレーレンズ1119、出射レンズ1120を含むリレーレンズ系からなる導光手段1121が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ1124に入射される。各ライトバルブにより変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム1125に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1126によってスクリーン1127上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【0127】
図19において、電子機器の他の例たるラップトップ型のパーソナルコンピュータ1200は、上述した液晶パネル10がトップカバーケース内に備えられた液晶ディスプレイ1206と、CPU、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード1202が組み込まれた本体部1204とを有する。
【0128】
また、図20に示すように、液晶を2枚の透明基板1304a,1304bの間に封入し、上述した駆動回路1004をTFTアレイ基板上に搭載した液晶装置用基板1304を備え、当該液晶装置用基板1304を構成する2枚の透明基板1304a,1304bの一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミドテーブ1322にICチップ1324を実装したTCP(Tape Carrier Package)1320を接続して、電子機器用の一部品である液晶装置として生産、販売、使用することもできる。
【0129】
以上、図18から図20を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が図21に示した電子機器の例として挙げられる。
【0130】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶パネルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレ一装置にも適用可能である。
【0131】
本実施の形態によれば、小型であり、かつ、十分なプリチャージ機能により画像信号の信号源の負荷を著しく軽減し、安定した画像表示の可能な液晶装置200を備えた各種の電子機器を実現できる。
【0132】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第2スイッチング手段と第3スイッチング手段との位置関係において、画像信号を供給する第2スイッチング手段の方が画像表示領域に近いので、画像表示領域と第2スイッチング手段との間を低抵抗化することができ、画素電極に供給すべき画像信号が波形変形すること等を防止して鮮明な画像を得ることが出来る。
【0133】
また、画像信号印加線が第2スイッチング手段が形成されている領域と第3スイッチング手段が形成されている領域の間の基板上に配置されているので、画像信号印加線から第2スイッチング手段を介して画素電極に至るまでの画像信号の経路を短縮化すると共に低抵抗化して鮮明な画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態におけるTFTアレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。
【図2】液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図3】液晶装置の全体構成を示す断面図である。
【図4】液晶装置に設けられたプリチャージ回路を構成するTFTの回路図であり、(1)はnチャネル型TFTの回路図であり、(2)pチャネル型TFTの回路図である。
【図5】液晶装置に設けられたサンプリング回路を構成するTFTの回路図であり、(1)はnチャネル型TFTの回路図であり、(2)pチャネル型TFTの回路図である。
【図6】第1実施形態のプリチャージ回路の構成を示す平面図である。
【図7】第1実施形態のプリチャージ回路の構成を示す断面図である。
【図8】第1実施形態の中継配線の構成を示す断面図であり、(1)は中継配線の配置の第1例を示す断面図であり、(2)は中継配線の配置の第2例を示す断面図であり、(3)は中継配線の配置の第3例を示す断面図であり、(4)は中継配線の配置の第4例を示す断面図である。
【図9】第2実施形態におけるTFTアレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。
【図10】第2実施形態のプリチャージ回路の構成を示す平面図である。
【図11】電子機器の概要構成を示すブロック図である。
【図12】電子機器の一例としての液晶プロジェクタの構成を示す断面図である。
【図13】電子機器の一例としてのパーソナルコンピュータの外観を示す正面図である。
【図14】電子機器の一例としてのページャの構成を示す分解斜視図である。
【図15】電子機器の一例としてのTCPを用いた液晶装置の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…TFTアレイ基板
2…対向基板
11…画素電極
12…配向膜
21…共通電極
22…配向膜
30、202、202a、202b、302、302a、302b…TFT
31…走査線(ゲート電極)
32…半導体層
33…ゲート絶縁層
34…ソース領域
35…データ線(ソース電極)
36…ドレイン領域
38、38’…コンタクトホール
41…第1層間絶縁層
42…第2層間絶縁層
43…第3層間絶縁層
45…第4層間絶縁層
50…液晶層
52…シール材
101、101’…データ線駆動回路
102…実装端子
104…走査線駆動回路
200、200’…液晶装置
201、201’…プリチャージ回路
204、204a…プリチャージ信号線
206、206a…プリチャージ回路駆動信号線
301…サンプリング回路
304、304’…中継配線
306…サンプリング回路駆動信号線
Claims (8)
- 複数の画素電極と、画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記データ線と前記画素電極との間に夫々介在すると共に前記データ線と前記画素電極の間における導通状態及び非導通状態を前記走査線に供給される走査信号に基づいて制御される第1スイッチング手段とを備えた電気光学装置であって、
サンプリング回路駆動信号に基づいて画像信号線から前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するための第2スイッチング手段を有するサンプリング回路と、
前記データ線に前記画像信号を供給するためのサンプリング期間に先だってプリチャージ回路駆動信号に基づいてプリチャージ信号線からプリチャージ信号を前記データ線に供給する第3スイッチング手段を有するプリチャージ回路とを具備し、
前記画素電極が形成されている画像表示領域と、前記プリチャージ回路との間に前記サンプリング回路が配置されてなることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第3スイッチング手段は、薄膜トランジスタであると共に、前記プリチャージ信号線から延設された供給線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第2スイッチング手段は、薄膜トランジスタであると共に、前記画像信号線から延設された中継線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
- 前記第3スイッチング手段は、複数の前記データ線に各々対応して設けられた複数の薄膜トランジスタからなり、前記複数の各薄膜トランジスタのソース電極には前記プリチャージ信号線が接続され、前記複数の各薄膜トランジスタのゲート電極にはデータ線駆動回路から前記プリチャージ回路駆動信号を供給するプリチャージ回路駆動信号線が接続されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第2スイッチング手段は、複数の前記データ線に各々対応して設けられた複数の薄膜トランジスタからなり、前記複数の各薄膜トランジスタのゲート電極は前記第3スイッチング手段の薄膜トランジスタのゲート電極の延在方向に位置し、前記第2スイッチング手段の薄膜トランジスタのゲート電極には前記データ線駆動回路から前記サンプリング駆動信号を供給するサンプリング回路駆動信号線が接続されることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
- 前記第2スイッチング手段は、複数の前記データ線に各々対応して設けられた複数の薄膜トランジスタからなり、前記複数の各薄膜トランジスタは層展開された前記画像信号線の数毎に前記データ線駆動回路から前記サンプリング駆動信号を同時に供給することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第3スイッチング手段は、複数の前記データ線に各々対応して設けられた複数の薄膜トランジスタからなり、前記複数の各薄膜トランジスタは層展開された前記画像信号線の数毎にデータ線駆動回路から前記プリチャージ回路駆動信号を供給するプリチャージ回路駆動信号線が分岐されて接続されることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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