JP2003271067A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents
電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査用端子の形成位置を改良して、表示に直
接、寄与しない領域を狭めることのできる電気光学装置
の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供するこ
と。 【解決手段】 液晶装置100のTFTアレイ基板10
は、大型基板の状態で各構成要素が形成された後、デー
タ線6a、走査線3a、データ線駆動回路101、走査
線駆動回路104などが検査され、しかる後に、大型基
板から切り出される。従って、液晶装置100の完成後
は不要となる検査用端子131、132、133、13
4、135、136については、大型基板のうち、TF
Tアレイ基板10として切り出される領域外に形成す
る。
接、寄与しない領域を狭めることのできる電気光学装置
の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供するこ
と。 【解決手段】 液晶装置100のTFTアレイ基板10
は、大型基板の状態で各構成要素が形成された後、デー
タ線6a、走査線3a、データ線駆動回路101、走査
線駆動回路104などが検査され、しかる後に、大型基
板から切り出される。従って、液晶装置100の完成後
は不要となる検査用端子131、132、133、13
4、135、136については、大型基板のうち、TF
Tアレイ基板10として切り出される領域外に形成す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に電気光学
物質が保持された電気光学装置の製造方法、電気光学装
置、および電子機器に関するものである。さらに詳しく
は、電気光学装置において電気光学物質を保持する基板
に対する検査技術に関するものである。
物質が保持された電気光学装置の製造方法、電気光学装
置、および電子機器に関するものである。さらに詳しく
は、電気光学装置において電気光学物質を保持する基板
に対する検査技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶装置やEL(エレクトロルミ
ネッセンス)ディスプレイパネルに代表される電気光学
装置は、携帯電話機や携帯型コンピュータ、ビデオカメ
ラといった電子機器の表示部として注目を浴びている。
このような電気光学装置のうち、例えば、画素スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ(以下、TFTとい
う)を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置では、
図13に示すように、透明基板に画素電極や画素スイッ
チング用のTFT(いずれも図示せず)が形成されたT
FTアレイ基板10と、透明基板に対向電極(図示せ
ず)などが形成された対向基板20とを所定の間隙を介
してシール材107で貼り合わせるとともに、これらの
基板間に電気光学物質としての液晶を保持させている。
ネッセンス)ディスプレイパネルに代表される電気光学
装置は、携帯電話機や携帯型コンピュータ、ビデオカメ
ラといった電子機器の表示部として注目を浴びている。
このような電気光学装置のうち、例えば、画素スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ(以下、TFTとい
う)を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置では、
図13に示すように、透明基板に画素電極や画素スイッ
チング用のTFT(いずれも図示せず)が形成されたT
FTアレイ基板10と、透明基板に対向電極(図示せ
ず)などが形成された対向基板20とを所定の間隙を介
してシール材107で貼り合わせるとともに、これらの
基板間に電気光学物質としての液晶を保持させている。
【0003】この液晶装置100に用いたTFTアレイ
基板10には、図14に示すように、複数のデータ線6
aと、複数の走査線3aとが交差する部分に対応して複
数の画素100aがマトリクス状に構成され、これらの
画素100aが配置されている領域によって、表示が実
際に行われる画像表示領域10aが構成されている。
基板10には、図14に示すように、複数のデータ線6
aと、複数の走査線3aとが交差する部分に対応して複
数の画素100aがマトリクス状に構成され、これらの
画素100aが配置されている領域によって、表示が実
際に行われる画像表示領域10aが構成されている。
【0004】また、画像表示領域10aの周辺領域に
は、シフトレジスタ回路101b、アナログスイッチを
備えたサンプルホールド回路101c、および6相に展
開された各画像信号に対応する6本の画像信号線101
dなどを備えるデータ線駆動回路101が形成されてい
るとともに、走査線駆動回路104が形成されている。
は、シフトレジスタ回路101b、アナログスイッチを
備えたサンプルホールド回路101c、および6相に展
開された各画像信号に対応する6本の画像信号線101
dなどを備えるデータ線駆動回路101が形成されてい
るとともに、走査線駆動回路104が形成されている。
【0005】さらに、画像表示領域10aの周辺領域の
うち、対向基板20との重なり領域には基板間導通電極
9gが形成され、これらの基板間導通電極9gは、基板
間に挟まれた基板間導通材106を介して対向基板20
の対向電極に電気的に接続される。
うち、対向基板20との重なり領域には基板間導通電極
9gが形成され、これらの基板間導通電極9gは、基板
間に挟まれた基板間導通材106を介して対向基板20
の対向電極に電気的に接続される。
【0006】ここで、TFTアレイ基板10は、それを
多数枚取りできる大型基板の状態で半導体プロセスなど
を利用して各種構成要素が形成された後、データ線6a
や走査線3aでのオープンやショートの有無などが検査
され、しかる後に、大型基板からTFTアレイ基板10
が切り出される。
多数枚取りできる大型基板の状態で半導体プロセスなど
を利用して各種構成要素が形成された後、データ線6a
や走査線3aでのオープンやショートの有無などが検査
され、しかる後に、大型基板からTFTアレイ基板10
が切り出される。
【0007】このような検査を行うことを目的に、TF
Tアレイ基板10には、画像表示領域10aの周辺領域
のうち、例えばデータ線駆動回路101が形成されてい
る領域とは反対側の領域に検査回路110が形成されて
いる。この検査回路110からは複数本の検査用配線1
21、122、123が延びているととともに、これら
の検査用配線121、122、123の端部には検査用
端子131、132、133が形成されている。また、
データ線駆動回路101および走査線駆動回路104か
らも複数本の検査用配線124、125、126が延び
ているとともに、これらの検査用配線124、125、
126の端部にも複数の検査用端子134、135、1
36が形成されている。
Tアレイ基板10には、画像表示領域10aの周辺領域
のうち、例えばデータ線駆動回路101が形成されてい
る領域とは反対側の領域に検査回路110が形成されて
いる。この検査回路110からは複数本の検査用配線1
21、122、123が延びているととともに、これら
の検査用配線121、122、123の端部には検査用
端子131、132、133が形成されている。また、
データ線駆動回路101および走査線駆動回路104か
らも複数本の検査用配線124、125、126が延び
ているとともに、これらの検査用配線124、125、
126の端部にも複数の検査用端子134、135、1
36が形成されている。
【0008】従って、前記の検査時には、検査用端子1
31、132、133、134、135、136に検査
プローブなどの検査用電極を接触させれば、検査回路1
10、データ線駆動回路101、および走査線駆動回路
104などに信号を供給することができるとともに、各
種信号の検出を行うこともできる。
31、132、133、134、135、136に検査
プローブなどの検査用電極を接触させれば、検査回路1
10、データ線駆動回路101、および走査線駆動回路
104などに信号を供給することができるとともに、各
種信号の検出を行うこともできる。
【0009】従来例としては、例えば、特開平11−1
33461号公報に記載された技術が挙げられる。
33461号公報に記載された技術が挙げられる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように、画像表示
領域10aの周辺領域には、データ線駆動回路101、
走査線駆動回路104、基板間導通電極9g、検査回路
130、検査用配線121、122、123、124、
125、126、検査用端子131、132、133、
134、135、136などが形成され、これらは表示
に直接、寄与しない要素である。このため、画像表示領
域10aの周辺領域は、額縁領域100bと称されてい
る。
領域10aの周辺領域には、データ線駆動回路101、
走査線駆動回路104、基板間導通電極9g、検査回路
130、検査用配線121、122、123、124、
125、126、検査用端子131、132、133、
134、135、136などが形成され、これらは表示
に直接、寄与しない要素である。このため、画像表示領
域10aの周辺領域は、額縁領域100bと称されてい
る。
【0011】一方、液晶装置100に対しては、液晶装
置100全体の大きさに占める額縁領域100bの幅を
狭めたいという要求があるが、画像表示領域10aの周
辺に形成されている構成要素は、表示に直接、寄与しな
いものの、表示動作や液晶装置100の信頼性を確保す
るのに欠かすことのできない要素である。このため、従
来の構成では、周辺領域(額縁領域100b)をこれ以
上、狭めることができないという問題点がある。
置100全体の大きさに占める額縁領域100bの幅を
狭めたいという要求があるが、画像表示領域10aの周
辺に形成されている構成要素は、表示に直接、寄与しな
いものの、表示動作や液晶装置100の信頼性を確保す
るのに欠かすことのできない要素である。このため、従
来の構成では、周辺領域(額縁領域100b)をこれ以
上、狭めることができないという問題点がある。
【0012】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
検査用端子の形成位置などを改良して、表示に直接、寄
与しない領域を狭めることのできる電気光学装置の製造
方法、電気光学装置および電子機器を提供することにあ
る。
検査用端子の形成位置などを改良して、表示に直接、寄
与しない領域を狭めることのできる電気光学装置の製造
方法、電気光学装置および電子機器を提供することにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、電気光学装置用基板を配置してなる大
型基板上の、電気光学装置用基板を切り出す領域内に画
像表示領域を構成する複数の画素を形成するとともに、
当該画像表示領域の外周領域に検査回路、複数の検査用
配線、および複数の検査用端子を形成する第1工程と、
当該複数の検査用端子の一部あるいは全部に検査用電極
を接触させて電気的検査を行う第2工程と、前記大型基
板からの前記電気光学装置用基板を切り出す第3工程と
を有する電気光学装置の製造方法において、前記複数の
検査用端子のうちの少なくとも一部については、前記大
型基板において前記電気光学装置用基板として切り出さ
れる領域外に形成することを特徴とする。
に、本発明では、電気光学装置用基板を配置してなる大
型基板上の、電気光学装置用基板を切り出す領域内に画
像表示領域を構成する複数の画素を形成するとともに、
当該画像表示領域の外周領域に検査回路、複数の検査用
配線、および複数の検査用端子を形成する第1工程と、
当該複数の検査用端子の一部あるいは全部に検査用電極
を接触させて電気的検査を行う第2工程と、前記大型基
板からの前記電気光学装置用基板を切り出す第3工程と
を有する電気光学装置の製造方法において、前記複数の
検査用端子のうちの少なくとも一部については、前記大
型基板において前記電気光学装置用基板として切り出さ
れる領域外に形成することを特徴とする。
【0014】本発明では、大型基板の状態で各構成要素
が形成された後、検査され、しかる後に、大型基板から
電気光学装置用基板が切り出されるので、電気光学装置
の完成後は不要となる検査用端子については、大型基板
上の、電気光学装置用基板として切り出される領域外に
形成する。このため、本発明によれば、電気光学装置用
基板において画像表示領域の外周領域から検査用端子が
占有していた部分を省くことができるので、電気光学装
置において、額縁領域と称せられる画像表示領域の外周
領域を狭めることができる。
が形成された後、検査され、しかる後に、大型基板から
電気光学装置用基板が切り出されるので、電気光学装置
の完成後は不要となる検査用端子については、大型基板
上の、電気光学装置用基板として切り出される領域外に
形成する。このため、本発明によれば、電気光学装置用
基板において画像表示領域の外周領域から検査用端子が
占有していた部分を省くことができるので、電気光学装
置において、額縁領域と称せられる画像表示領域の外周
領域を狭めることができる。
【0015】本発明において、検査回路も、電気光学装
置の完成後は不要となるものであるので、前記第1工程
で検査回路を大型基板上に形成する際に、前記電気光学
装置用基板として切り出される領域外に前記検査回路の
少なくとも一部を形成しておくことが好ましい。
置の完成後は不要となるものであるので、前記第1工程
で検査回路を大型基板上に形成する際に、前記電気光学
装置用基板として切り出される領域外に前記検査回路の
少なくとも一部を形成しておくことが好ましい。
【0016】本発明において、前記第1工程では、画素
電極、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ、該薄膜
トランジスタのソースに電気的に接続するデータ線、該
データ線を駆動するデータ線駆動回路、前記薄膜トラン
ジスタのゲートに電気的に接続する走査線、および該走
査線を駆動する走査線駆動回路を形成する場合があり、
このような構成の電気光学装置用基板では、例えば、前
記第2工程において、前記複数の検査用端子の一部ある
いは全部に前記検査用電極を接触させて前記データ線お
よび前記走査線のうちの少なくとも一方のオープンまた
はショートを検出する。また、前記第2工程では、前記
複数の検査用端子の一部あるいは全部に前記検査用電極
を接触させて前記データ線駆動回路および前記走査線駆
動回路のうちの少なくとも一方の駆動回路を検査しても
よい。
電極、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ、該薄膜
トランジスタのソースに電気的に接続するデータ線、該
データ線を駆動するデータ線駆動回路、前記薄膜トラン
ジスタのゲートに電気的に接続する走査線、および該走
査線を駆動する走査線駆動回路を形成する場合があり、
このような構成の電気光学装置用基板では、例えば、前
記第2工程において、前記複数の検査用端子の一部ある
いは全部に前記検査用電極を接触させて前記データ線お
よび前記走査線のうちの少なくとも一方のオープンまた
はショートを検出する。また、前記第2工程では、前記
複数の検査用端子の一部あるいは全部に前記検査用電極
を接触させて前記データ線駆動回路および前記走査線駆
動回路のうちの少なくとも一方の駆動回路を検査しても
よい。
【0017】本発明において、前記第1工程では、前記
大型基板のうち、前記電気光学装置用基板として切り出
される領域外に、前記薄膜トランジスタの製造工程を利
用して検査用薄膜トランジスタを形成しておき、当該検
査用薄膜トランジスタの特性を検査した後、前記第3工
程を行うことが好ましい。すなわち、画素スイッチング
用の薄膜トランジスタに不具合があると、それに対応す
る画素で表示不良が発生するので、画素スイッチング用
の薄膜トランジスタの製造工程を利用して検査用薄膜ト
ランジスタを形成しておき、当該検査用薄膜トランジス
タの特性を検査した後、前記第3工程を行えば、このよ
うな不具合をもつ電気光学装置用基板を用いて電気光学
装置を製造してしまうことを防止できる。ここで、検査
用薄膜トランジスタも、電気光学装置の完成後は不要と
なるものであるので、本発明では、このような検査用薄
膜トランジスタについても、検査用端子と同様、大型基
板のうち、電気光学装置用基板として切り出される領域
外に形成すれば、電気光学装置用基板において画像表示
領域の外周領域から検査用薄膜トランジスタが占有する
部分を省くことができる。このため、電気光学装置にお
いて、額縁領域と称せられる画像表示領域の外周領域を
狭めることができる。
大型基板のうち、前記電気光学装置用基板として切り出
される領域外に、前記薄膜トランジスタの製造工程を利
用して検査用薄膜トランジスタを形成しておき、当該検
査用薄膜トランジスタの特性を検査した後、前記第3工
程を行うことが好ましい。すなわち、画素スイッチング
用の薄膜トランジスタに不具合があると、それに対応す
る画素で表示不良が発生するので、画素スイッチング用
の薄膜トランジスタの製造工程を利用して検査用薄膜ト
ランジスタを形成しておき、当該検査用薄膜トランジス
タの特性を検査した後、前記第3工程を行えば、このよ
うな不具合をもつ電気光学装置用基板を用いて電気光学
装置を製造してしまうことを防止できる。ここで、検査
用薄膜トランジスタも、電気光学装置の完成後は不要と
なるものであるので、本発明では、このような検査用薄
膜トランジスタについても、検査用端子と同様、大型基
板のうち、電気光学装置用基板として切り出される領域
外に形成すれば、電気光学装置用基板において画像表示
領域の外周領域から検査用薄膜トランジスタが占有する
部分を省くことができる。このため、電気光学装置にお
いて、額縁領域と称せられる画像表示領域の外周領域を
狭めることができる。
【0018】本発明において、前記大型基板からは前記
電気光学装置用基板を複数枚、切り出せば、電気光学装
置用基板を効率よく製造できる。この場合、大型基板に
おいて、電気光学装置用基板として切り出される領域同
士の境界領域に対して、検査用端子、検査回路の一部、
検査用TFTなどを形成すればよい。
電気光学装置用基板を複数枚、切り出せば、電気光学装
置用基板を効率よく製造できる。この場合、大型基板に
おいて、電気光学装置用基板として切り出される領域同
士の境界領域に対して、検査用端子、検査回路の一部、
検査用TFTなどを形成すればよい。
【0019】本発明に係る方法を用いて製造した電気光
学装置では、検査用端子などは、すでに切り捨てられて
いるため、本発明に係る電気光学装置では、電気光学装
置用基板上に、複数の画素を備える画像表示領域が形成
されているとともに、当該画像表示領域の外周領域に検
査回路が形成され、かつ、前記電気光学装置用基板で
は、その端縁で前記検査回路から引き出された検査用配
線が途切れていることを特徴とする。
学装置では、検査用端子などは、すでに切り捨てられて
いるため、本発明に係る電気光学装置では、電気光学装
置用基板上に、複数の画素を備える画像表示領域が形成
されているとともに、当該画像表示領域の外周領域に検
査回路が形成され、かつ、前記電気光学装置用基板で
は、その端縁で前記検査回路から引き出された検査用配
線が途切れていることを特徴とする。
【0020】本発明において、前記電気光学装置用基板
上には、画素電極、画素スイッチング用の薄膜トランジ
スタ、該薄膜トランジスタのソースに電気的に接続する
データ線、該データ線を駆動するデータ線駆動回路、前
記薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続する走査
線、および該走査線を駆動する走査線駆動回路が形成さ
れている場合があり、この場合、前記複数本の検査用配
線には、前記データ線および前記走査線のうちの少なく
とも一方のオープンまたはショートを検出するための配
線が含まれている。
上には、画素電極、画素スイッチング用の薄膜トランジ
スタ、該薄膜トランジスタのソースに電気的に接続する
データ線、該データ線を駆動するデータ線駆動回路、前
記薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続する走査
線、および該走査線を駆動する走査線駆動回路が形成さ
れている場合があり、この場合、前記複数本の検査用配
線には、前記データ線および前記走査線のうちの少なく
とも一方のオープンまたはショートを検出するための配
線が含まれている。
【0021】また、本発明に係る方法を用いて製造した
電気光学装置では、検査用端子などは、すでに切り捨て
られているため、本発明に係る電気光学装置では、電気
光学装置用基板上に、複数の画素を備える画像表示領域
が形成されているとともに、当該画像表示領域の外周領
域に検査回路が形成され、かつ、前記電気光学装置用基
板では、その端縁で前記検査回路が途切れていることを
特徴とする。
電気光学装置では、検査用端子などは、すでに切り捨て
られているため、本発明に係る電気光学装置では、電気
光学装置用基板上に、複数の画素を備える画像表示領域
が形成されているとともに、当該画像表示領域の外周領
域に検査回路が形成され、かつ、前記電気光学装置用基
板では、その端縁で前記検査回路が途切れていることを
特徴とする。
【0022】ここで、前記検査回路には、例えば、前記
データ線および前記走査線のうちの少なくとも一方のオ
ープンまたはショートを検出するための回路が含まれて
いる。
データ線および前記走査線のうちの少なくとも一方のオ
ープンまたはショートを検出するための回路が含まれて
いる。
【0023】本発明において、前記電気光学装置用基板
は、電気光学物質として、例えば、液晶を保持する基板
である。
は、電気光学物質として、例えば、液晶を保持する基板
である。
【0024】本発明に係る電気光学装置は、携帯型コン
ピュータや携帯電話機などといった電子機器において表
示部などを構成するのに用いられる。
ピュータや携帯電話機などといった電子機器において表
示部などを構成するのに用いられる。
【0025】
【発明の実施の形態】図面を参照して、代表的な電気光
学装置である液晶装置、およびその製造方法に本発明を
適用した例を説明する。なお、各図においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、本発
明を適用した液晶装置は、図13および図14を参照し
て説明したものと基本的な構成が共通するので、共通す
る機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
学装置である液晶装置、およびその製造方法に本発明を
適用した例を説明する。なお、各図においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、本発
明を適用した液晶装置は、図13および図14を参照し
て説明したものと基本的な構成が共通するので、共通す
る機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
【0026】(液晶装置の全体構成)図1(A)、
(B)はそれぞれ、液晶装置をその上に形成された各構
成要素と共に対向基板の側から見た平面図、および対向
基板を含めて示す図1(A)のH−H′断面図である。
(B)はそれぞれ、液晶装置をその上に形成された各構
成要素と共に対向基板の側から見た平面図、および対向
基板を含めて示す図1(A)のH−H′断面図である。
【0027】図1(A)において、液晶装置100(電
気光学装置)のTFTアレイ基板10には、対向基板2
0の縁に沿うようにシール材107(図1(A)の右下
がりの斜線領域)が設けられ、このシール材107によ
って、TFTアレイ基板10と対向基板20とは所定の
間隔をもって貼り合わされている。TFTアレイ基板1
0の外周側には、基板辺111の側でシール材107と
一部重なるようにデータ線駆動回路101が形成され、
基板辺113、114の側には走査線駆動回路104が
形成されている。また、TFTアレイ基板10において
対向基板20からの張り出し領域10cには多数の端子
102が形成されている。TFTアレイ基板10におい
て基板辺111と対向する基板辺112には、画像表示
領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路104を
つなぐための複数の配線105が形成されている。
気光学装置)のTFTアレイ基板10には、対向基板2
0の縁に沿うようにシール材107(図1(A)の右下
がりの斜線領域)が設けられ、このシール材107によ
って、TFTアレイ基板10と対向基板20とは所定の
間隔をもって貼り合わされている。TFTアレイ基板1
0の外周側には、基板辺111の側でシール材107と
一部重なるようにデータ線駆動回路101が形成され、
基板辺113、114の側には走査線駆動回路104が
形成されている。また、TFTアレイ基板10において
対向基板20からの張り出し領域10cには多数の端子
102が形成されている。TFTアレイ基板10におい
て基板辺111と対向する基板辺112には、画像表示
領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路104を
つなぐための複数の配線105が形成されている。
【0028】対向基板20の4つのコーナー部に相当す
る領域のうちの2箇所には、TFTアレイ基板10と対
向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通
電極9gおよび基板間導通材106が形成されている。
る領域のうちの2箇所には、TFTアレイ基板10と対
向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通
電極9gおよび基板間導通材106が形成されている。
【0029】なお、走査線に供給される走査信号の遅延
が問題にならないのならば、走査線駆動回路104は片
側だけでも良いことは言うまでもない。逆に、データ線
駆動回路101を画像表示領域10aの辺に沿って両側
に配列してもよい。
が問題にならないのならば、走査線駆動回路104は片
側だけでも良いことは言うまでもない。逆に、データ線
駆動回路101を画像表示領域10aの辺に沿って両側
に配列してもよい。
【0030】図1(B)に示すように、TFTアレイ基
板10と対向基板20とは、シール材107によって所
定の間隙を介して貼り合わされ、これらの間隙に液晶5
0が保持されている。シール材107は、TFTアレイ
基板10と対向基板20とをそれらの周辺で貼り合わせ
るための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤
であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスフ
ァイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合
されている。
板10と対向基板20とは、シール材107によって所
定の間隙を介して貼り合わされ、これらの間隙に液晶5
0が保持されている。シール材107は、TFTアレイ
基板10と対向基板20とをそれらの周辺で貼り合わせ
るための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤
であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスフ
ァイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合
されている。
【0031】詳しくは後述するが、TFTアレイ基板1
0には、画素電極9aがマトリクス状に形成されてい
る。これに対して、対向基板20には、シール材107
の内側領域に遮光性材料からなる周辺見切り用の遮光膜
108が形成されている。さらに、対向基板20におい
て、TFTアレイ基板10に形成されている画素電極9
aの縦横の境界領域と対向する領域には、ブラックマト
リクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる
遮光膜23が形成され、その上層側には、ITO膜から
なる対向電極21が形成されている。
0には、画素電極9aがマトリクス状に形成されてい
る。これに対して、対向基板20には、シール材107
の内側領域に遮光性材料からなる周辺見切り用の遮光膜
108が形成されている。さらに、対向基板20におい
て、TFTアレイ基板10に形成されている画素電極9
aの縦横の境界領域と対向する領域には、ブラックマト
リクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる
遮光膜23が形成され、その上層側には、ITO膜から
なる対向電極21が形成されている。
【0032】このように構成した液晶装置100につい
ては、たとえば、投射型表示装置(液晶プロジェクタ)
において使用する場合、3枚の液晶装置100がRGB
用のライトバルブとして各々使用される。この場合、各
液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロ
イックミラーを介して分解された各色の光が投射光とし
て各々入射されることになるので、液晶装置100には
カラーフィルタが形成されていない。但し、後述するよ
うに、モバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビ
などといった電子機器のカラー表示装置として用いる場
合には、図示を省略するが、対向基板20において各画
素電極9aに対向する領域にRGBのカラーフィルタを
その保護膜とともに形成する。
ては、たとえば、投射型表示装置(液晶プロジェクタ)
において使用する場合、3枚の液晶装置100がRGB
用のライトバルブとして各々使用される。この場合、各
液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロ
イックミラーを介して分解された各色の光が投射光とし
て各々入射されることになるので、液晶装置100には
カラーフィルタが形成されていない。但し、後述するよ
うに、モバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビ
などといった電子機器のカラー表示装置として用いる場
合には、図示を省略するが、対向基板20において各画
素電極9aに対向する領域にRGBのカラーフィルタを
その保護膜とともに形成する。
【0033】(液晶装置100の構成および動作)TF
Tアレイ基板10および液晶装置100の電気的な構成
および動作について、図2、図3、および図4を参照し
て説明する。
Tアレイ基板10および液晶装置100の電気的な構成
および動作について、図2、図3、および図4を参照し
て説明する。
【0034】図2は、液晶装置100に用いられる駆動
回路内蔵型のTFTアレイ基板10の構成を模式的に示
すブロック図である。この図2において、太線は、TF
Tアレイ基板10の輪郭を表し、その外周側で、右下が
りの斜線が付された領域は、後述するように、大型基板
からTFTアレイ基板10を切り出す際、切り捨てられ
る領域である。図3は、この液晶装置100において画
像表示領域10aを構成するためにマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線などの等価回
路図である。
回路内蔵型のTFTアレイ基板10の構成を模式的に示
すブロック図である。この図2において、太線は、TF
Tアレイ基板10の輪郭を表し、その外周側で、右下が
りの斜線が付された領域は、後述するように、大型基板
からTFTアレイ基板10を切り出す際、切り捨てられ
る領域である。図3は、この液晶装置100において画
像表示領域10aを構成するためにマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線などの等価回
路図である。
【0035】図2に示すように、TFTアレイ基板10
では、複数のデータ線6aと、複数の走査線3aとが交
差する部分に対応して複数の画素100aが所定のピッ
チでマトリクス状に構成され、これらの画素100aが
マトリクス状に配置されている領域によって、表示が実
際に行われる画像表示領域10aが構成されている。
では、複数のデータ線6aと、複数の走査線3aとが交
差する部分に対応して複数の画素100aが所定のピッ
チでマトリクス状に構成され、これらの画素100aが
マトリクス状に配置されている領域によって、表示が実
際に行われる画像表示領域10aが構成されている。
【0036】TFTアレイ基板10において、基板辺1
11には、定電圧、変調画像信号、各種駆動信号などが
入力されるアルミニウム膜等の金属膜、金属シリサイド
膜、あるいはITO膜等の導電膜からなる多数の端子1
02が構成され、これらの端子102からは、走査線駆
動回路101およびデータ線駆動回路104を駆動する
ためのアルミニウム膜等の低抵抗な金属膜などからなる
複数の配線が引き回されている。
11には、定電圧、変調画像信号、各種駆動信号などが
入力されるアルミニウム膜等の金属膜、金属シリサイド
膜、あるいはITO膜等の導電膜からなる多数の端子1
02が構成され、これらの端子102からは、走査線駆
動回路101およびデータ線駆動回路104を駆動する
ためのアルミニウム膜等の低抵抗な金属膜などからなる
複数の配線が引き回されている。
【0037】画像表示領域10aの周辺領域(額縁領域
100b)のうち、画像表示領域10aに対して基板辺
111の側で隣接する領域には、シフトレジスタ回路1
01b、シフトレジスタ回路101bから出力された信
号に基づいて動作するアナログスイッチを備えたサンプ
ルホールド回路101c、および6相に展開された各画
像信号に対応する6本の画像信号線101dなどを備え
るデータ線駆動回路101が形成されている。このデー
タ線駆動回路101において、サンプルホールド回路1
01cでは、1本のデータ線6aに対して、1つのアナ
ログスイッチが対応している。また、シフトレジスタ回
路101bでは、1本のデータ線6aに対して、インバ
ータ、2つのクロックドインバータ、およびレベルシフ
タを備える単位回路が対応している。
100b)のうち、画像表示領域10aに対して基板辺
111の側で隣接する領域には、シフトレジスタ回路1
01b、シフトレジスタ回路101bから出力された信
号に基づいて動作するアナログスイッチを備えたサンプ
ルホールド回路101c、および6相に展開された各画
像信号に対応する6本の画像信号線101dなどを備え
るデータ線駆動回路101が形成されている。このデー
タ線駆動回路101において、サンプルホールド回路1
01cでは、1本のデータ線6aに対して、1つのアナ
ログスイッチが対応している。また、シフトレジスタ回
路101bでは、1本のデータ線6aに対して、インバ
ータ、2つのクロックドインバータ、およびレベルシフ
タを備える単位回路が対応している。
【0038】また、TFTアレイ基板10において、画
像表示領域10aに対して基板辺112の側で隣接する
領域には、後述する検査回路110が形成されている。
像表示領域10aに対して基板辺112の側で隣接する
領域には、後述する検査回路110が形成されている。
【0039】図3に示すように、液晶装置100の画像
表示領域10aにおいて、マトリクス状に形成された複
数の画素100aの各々には、画素電極9a、および画
素電極9aを制御するための画素スイッチング用のTF
T30が形成されており、画素信号を供給するデータ線
6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されてい
る。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2・・・
Snは、この順に線順次に供給する。また、TFT30
のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所
定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G
1、G2・・・Gmを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレ
インに電気的に接続されており、スイッチング素子であ
るTFT30を一定期間だけそのオン状態とすることに
より、データ線6aから供給される画素信号S1、S2
・・・Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。こ
のようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画素信号S1、S2、・・・Snは、図1
(B)を参照して説明した対向基板20の対向電極21
との間で一定期間保持される。
表示領域10aにおいて、マトリクス状に形成された複
数の画素100aの各々には、画素電極9a、および画
素電極9aを制御するための画素スイッチング用のTF
T30が形成されており、画素信号を供給するデータ線
6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されてい
る。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2・・・
Snは、この順に線順次に供給する。また、TFT30
のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所
定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G
1、G2・・・Gmを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレ
インに電気的に接続されており、スイッチング素子であ
るTFT30を一定期間だけそのオン状態とすることに
より、データ線6aから供給される画素信号S1、S2
・・・Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。こ
のようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画素信号S1、S2、・・・Snは、図1
(B)を参照して説明した対向基板20の対向電極21
との間で一定期間保持される。
【0040】ここで、TFTアレイ基板10には、保持
された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画
素電極9aと対向電極21との間に形成される液晶容量
と並列に蓄積容量70(キャパシタ)を付加することが
ある。この蓄積容量70によって、画素電極9aの電圧
は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も
長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性
は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことので
きる液晶装置100が実現できる。なお、蓄積容量70
を形成する方法としては、容量を形成するための配線で
ある容量線3bとの間に形成する場合、あるいは前段の
走査線3aとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。
された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画
素電極9aと対向電極21との間に形成される液晶容量
と並列に蓄積容量70(キャパシタ)を付加することが
ある。この蓄積容量70によって、画素電極9aの電圧
は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も
長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性
は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことので
きる液晶装置100が実現できる。なお、蓄積容量70
を形成する方法としては、容量を形成するための配線で
ある容量線3bとの間に形成する場合、あるいは前段の
走査線3aとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。
【0041】(TFTアレイ基板の構成)図4は、TF
Tアレイ基板において相隣接する画素の平面図である。
図5は、図4のA−A′線に相当する位置での断面、お
よびTFTアレイ基板と対向基板との間に液晶を封入し
た状態の断面を示す説明図である。
Tアレイ基板において相隣接する画素の平面図である。
図5は、図4のA−A′線に相当する位置での断面、お
よびTFTアレイ基板と対向基板との間に液晶を封入し
た状態の断面を示す説明図である。
【0042】図4において、TFTアレイ基板10上に
は、複数の透明なITO(Indium Tin Ox
ide)膜からなる画素電極9aがマトリクス状に形成
され、これら画素電極9aに対して画素スイッチング用
のTFT30がそれぞれ接続している。また、画素電極
9aの縦横の境界に沿って、データ線6a、走査線3
a、および容量線3bが形成され、TFT30は、デー
タ線6aおよび走査線3aに対して接続している。すな
わち、データ線6aは、コンタクトホールを介してTF
T30の高濃度ソース領域1dに電気的に接続し、走査
線3aは、その突出部分がTFT30のゲート電極を構
成している。蓄積容量70は、画素スイッチング用のT
FT30を形成するための半導体膜1aの延設部分1f
を導電化したものを下電極とし、この下電極41に容量
線3bが上電極として重なった構造になっている。
は、複数の透明なITO(Indium Tin Ox
ide)膜からなる画素電極9aがマトリクス状に形成
され、これら画素電極9aに対して画素スイッチング用
のTFT30がそれぞれ接続している。また、画素電極
9aの縦横の境界に沿って、データ線6a、走査線3
a、および容量線3bが形成され、TFT30は、デー
タ線6aおよび走査線3aに対して接続している。すな
わち、データ線6aは、コンタクトホールを介してTF
T30の高濃度ソース領域1dに電気的に接続し、走査
線3aは、その突出部分がTFT30のゲート電極を構
成している。蓄積容量70は、画素スイッチング用のT
FT30を形成するための半導体膜1aの延設部分1f
を導電化したものを下電極とし、この下電極41に容量
線3bが上電極として重なった構造になっている。
【0043】図5に示すように、TFTアレイ基板10
では、その基体として透明基板10bが用いられ、この
透明基板10bの表面には、厚さが300nm〜500
nmのシリコン酸化膜(絶縁膜)からなる下地保護膜1
1が形成され、この下地保護膜11の表面には、厚さが
30nm〜100nmの島状の半導体膜1aが形成され
ている。半導体膜1aの表面には、厚さが約50〜15
0nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2が形成
され、このゲート絶縁膜2の表面に、厚さが300nm
〜800nmの走査線3aが形成されている。半導体膜
1aのうち、走査線3aに対してゲート絶縁膜2を介し
て対峙する領域がチャネル領域1a′になっている。こ
のチャネル領域1a′に対して一方側には、低濃度ソー
ス領域1bおよび高濃度ソース領域1dを備えるソース
領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域1cお
よび高濃度ドレイン領域1eを備えるドレイン領域が形
成されている。
では、その基体として透明基板10bが用いられ、この
透明基板10bの表面には、厚さが300nm〜500
nmのシリコン酸化膜(絶縁膜)からなる下地保護膜1
1が形成され、この下地保護膜11の表面には、厚さが
30nm〜100nmの島状の半導体膜1aが形成され
ている。半導体膜1aの表面には、厚さが約50〜15
0nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2が形成
され、このゲート絶縁膜2の表面に、厚さが300nm
〜800nmの走査線3aが形成されている。半導体膜
1aのうち、走査線3aに対してゲート絶縁膜2を介し
て対峙する領域がチャネル領域1a′になっている。こ
のチャネル領域1a′に対して一方側には、低濃度ソー
ス領域1bおよび高濃度ソース領域1dを備えるソース
領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域1cお
よび高濃度ドレイン領域1eを備えるドレイン領域が形
成されている。
【0044】画素スイッチング用のTFT30の表面側
には、厚さが300nm〜800nmのシリコン酸化膜
からなる層間絶縁膜4が形成され、この層間絶縁膜4の
表面には、厚さが100nm〜300nmのシリコン窒
化膜からなる層間絶縁膜5が形成されている。層間絶縁
膜4の表面には、厚さが300nm〜800nmのデー
タ線6aが形成され、このデータ線6aは、層間絶縁膜
4に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース
領域1dに電気的に接続している。層間絶縁膜4の表面
にはデータ線6aと同時形成されたドレイン電極6bが
形成され、このドレイン電極6bは、層間絶縁膜4に形
成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域
1eに電気的に接続している。
には、厚さが300nm〜800nmのシリコン酸化膜
からなる層間絶縁膜4が形成され、この層間絶縁膜4の
表面には、厚さが100nm〜300nmのシリコン窒
化膜からなる層間絶縁膜5が形成されている。層間絶縁
膜4の表面には、厚さが300nm〜800nmのデー
タ線6aが形成され、このデータ線6aは、層間絶縁膜
4に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース
領域1dに電気的に接続している。層間絶縁膜4の表面
にはデータ線6aと同時形成されたドレイン電極6bが
形成され、このドレイン電極6bは、層間絶縁膜4に形
成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域
1eに電気的に接続している。
【0045】層間絶縁膜5の上層には、透光性の感光性
樹脂からなる凹凸形成層13aが所定のパターンで形成
されている。また、凹凸形成層13aの表面には、透光
性の感光性樹脂からなる上層絶縁膜7aが形成され、こ
の上層絶縁膜7aの表面には、アルミニウム膜などから
なる光反射膜8aが形成されている。従って、光反射膜
8aの表面には、凹凸形成層13aの凹凸が反映されて
凹凸パターン8gが形成され、この凹凸パターン8g
は、エッジのない、なだらかな形状になっている。な
お、図4には、凹凸形成層13aの平面形状について
は、六角形で表してあるが、その形状については、円形
や八角形など、種々の形状のものを採用することができ
る。
樹脂からなる凹凸形成層13aが所定のパターンで形成
されている。また、凹凸形成層13aの表面には、透光
性の感光性樹脂からなる上層絶縁膜7aが形成され、こ
の上層絶縁膜7aの表面には、アルミニウム膜などから
なる光反射膜8aが形成されている。従って、光反射膜
8aの表面には、凹凸形成層13aの凹凸が反映されて
凹凸パターン8gが形成され、この凹凸パターン8g
は、エッジのない、なだらかな形状になっている。な
お、図4には、凹凸形成層13aの平面形状について
は、六角形で表してあるが、その形状については、円形
や八角形など、種々の形状のものを採用することができ
る。
【0046】また、光反射膜8aの上層には画素電極9
aが形成されている。画素電極9aは、光反射膜8aの
表面に直接、積層されてもよい。また、画素電極9a
は、上層絶縁膜7a、凹凸形成層13a、層間絶縁膜5
に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極6
bに電気的に接続している。
aが形成されている。画素電極9aは、光反射膜8aの
表面に直接、積層されてもよい。また、画素電極9a
は、上層絶縁膜7a、凹凸形成層13a、層間絶縁膜5
に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極6
bに電気的に接続している。
【0047】ここで、光反射膜8aには、画素電極9a
と平面的に重なる領域の一部に矩形の光透過窓8dが形
成されこの光透過窓8dに相当する部分には、ITOか
らなる画素電極9aは存在するが、光反射膜8aは存在
しない。
と平面的に重なる領域の一部に矩形の光透過窓8dが形
成されこの光透過窓8dに相当する部分には、ITOか
らなる画素電極9aは存在するが、光反射膜8aは存在
しない。
【0048】画素電極9aの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜12が形成されている。この配向膜12
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。
らなる配向膜12が形成されている。この配向膜12
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。
【0049】なお、高濃度ドレイン領域1eからの延設
部分1f(下電極)に対しては、ゲート絶縁膜2aと同
時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して容量線3bが
上電極として対向することにより、蓄積容量70が構成
されている。
部分1f(下電極)に対しては、ゲート絶縁膜2aと同
時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して容量線3bが
上電極として対向することにより、蓄積容量70が構成
されている。
【0050】このように、本形態の液晶装置100で
は、透明な画素電極9aの下層側に光反射膜8aが形成
されているため、対向基板20側から入射した光をTF
Tアレイ基板10側で反射し、対向基板10側から出射
された光によって画像を表示する(反射モード)。ま
た、TFTアレイ基板10の裏面側に配置されたバック
ライト装置(図示せず)から出射された光のうち、光反
射膜8aが形成されていない光透過窓8dに向かう光
は、光透過窓8dを介して対向基板20側に透過するの
で、透過モードでの表示も可能である。
は、透明な画素電極9aの下層側に光反射膜8aが形成
されているため、対向基板20側から入射した光をTF
Tアレイ基板10側で反射し、対向基板10側から出射
された光によって画像を表示する(反射モード)。ま
た、TFTアレイ基板10の裏面側に配置されたバック
ライト装置(図示せず)から出射された光のうち、光反
射膜8aが形成されていない光透過窓8dに向かう光
は、光透過窓8dを介して対向基板20側に透過するの
で、透過モードでの表示も可能である。
【0051】なお、TFT30は、好ましくは上述のよ
うにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域1b、およ
び低濃度ドレイン領域1cに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、TFT30は、ゲート電極(走査線3aの
一部)をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のTFTであってもよい。
うにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域1b、およ
び低濃度ドレイン領域1cに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、TFT30は、ゲート電極(走査線3aの
一部)をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のTFTであってもよい。
【0052】また、本形態では、TFT30のゲート電
極(走査線3a)をソース−ドレイン領域の間に1個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
2個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート(ダブルゲート)、あるいは
トリプルゲート以上でTFT30を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも1個をLDD構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。
極(走査線3a)をソース−ドレイン領域の間に1個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
2個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート(ダブルゲート)、あるいは
トリプルゲート以上でTFT30を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも1個をLDD構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。
【0053】(対向基板20の構成)対向基板20で
は、TFTアレイ基板10に形成されている画素電極9
aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜23が形成され、その上層側には、ITO膜からなる
対向電極21が形成されている。また、対向電極21の
上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜22が形成さ
れ、この配向膜22は、ポリイミド膜に対してラビング
処理が施された膜である。
は、TFTアレイ基板10に形成されている画素電極9
aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜23が形成され、その上層側には、ITO膜からなる
対向電極21が形成されている。また、対向電極21の
上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜22が形成さ
れ、この配向膜22は、ポリイミド膜に対してラビング
処理が施された膜である。
【0054】(駆動回路の構成)再び図1(A)におい
て、本形態の液晶装置100では、TFTアレイ基板1
0の表面側のうち、画像表示領域10aの周辺領域を利
用して、データ線駆動回路101、走査線駆動回路10
4、および後述する検査回路110などの周辺回路が形
成され、この周辺回路には、図6および図7に示すNチ
ャネル型のTFTとPチャネル型のTFTとによってイ
ンバータ回路などが構成されている。
て、本形態の液晶装置100では、TFTアレイ基板1
0の表面側のうち、画像表示領域10aの周辺領域を利
用して、データ線駆動回路101、走査線駆動回路10
4、および後述する検査回路110などの周辺回路が形
成され、この周辺回路には、図6および図7に示すNチ
ャネル型のTFTとPチャネル型のTFTとによってイ
ンバータ回路などが構成されている。
【0055】図6は、走査線駆動回路104およびデー
タ線駆動回路101等の周辺回路を構成するTFTの構
成を示す平面図である。図7は、この周辺回路を構成す
るTFTを図6のB−B′線で切断したときの断面図で
ある。
タ線駆動回路101等の周辺回路を構成するTFTの構
成を示す平面図である。図7は、この周辺回路を構成す
るTFTを図6のB−B′線で切断したときの断面図で
ある。
【0056】図6および図7において、周辺回路を構成
するTFTは、Pチャネル型のTFT180とNチャネ
ル型のTFT190とからなる相補型TFTとして構成
されている。これらの駆動回路用のTFT180、19
0を構成する半導体膜160(図6には輪郭を点線で示
す)は、透明基板10bの下地保護膜11の表面に島状
に形成されている。
するTFTは、Pチャネル型のTFT180とNチャネ
ル型のTFT190とからなる相補型TFTとして構成
されている。これらの駆動回路用のTFT180、19
0を構成する半導体膜160(図6には輪郭を点線で示
す)は、透明基板10bの下地保護膜11の表面に島状
に形成されている。
【0057】TFT180、190には、高電位線17
1と低電位線172がコンタクトホール163、164
を介して、半導体膜160のソース領域に電気的にそれ
ぞれ接続されている。また、入力配線166は、共通の
ゲート電極165にそれぞれ接続されており、出力配線
167は、コンタクトホール168、169を介して、
半導体膜160のドレイン領域に電気的にそれぞれ接続
されている。
1と低電位線172がコンタクトホール163、164
を介して、半導体膜160のソース領域に電気的にそれ
ぞれ接続されている。また、入力配線166は、共通の
ゲート電極165にそれぞれ接続されており、出力配線
167は、コンタクトホール168、169を介して、
半導体膜160のドレイン領域に電気的にそれぞれ接続
されている。
【0058】このような周辺回路領域も、画像表示領域
10aと同様なプロセスを経て形成されるため、周辺回
路領域にも、層間絶縁膜4、5およびゲート絶縁膜2が
形成されている。また、駆動回路用のTFT180、1
90も、画素スイッチング用のTFT30と同様、LD
D構造を有しており、チャネル形成領域181、191
の両側には、高濃度ソース領域182、192および低
濃度ソース領域183、193からなるソース領域と、
高濃度ドレイン領域184、194および低濃度ドレイ
ン領域185、195からなるドレイン領域とを備えて
いる。
10aと同様なプロセスを経て形成されるため、周辺回
路領域にも、層間絶縁膜4、5およびゲート絶縁膜2が
形成されている。また、駆動回路用のTFT180、1
90も、画素スイッチング用のTFT30と同様、LD
D構造を有しており、チャネル形成領域181、191
の両側には、高濃度ソース領域182、192および低
濃度ソース領域183、193からなるソース領域と、
高濃度ドレイン領域184、194および低濃度ドレイ
ン領域185、195からなるドレイン領域とを備えて
いる。
【0059】(液晶装置100の製造方法)図8は、
図2に示すTFTアレイ基板を大型基板から製造する様
子を示す平面図である。図9は、図8に示す検査領域の
説明図である。なお、図9では、検査領域の構成がわか
りやすいように、検査領域については、かなり幅広に表
してある。
図2に示すTFTアレイ基板を大型基板から製造する様
子を示す平面図である。図9は、図8に示す検査領域の
説明図である。なお、図9では、検査領域の構成がわか
りやすいように、検査領域については、かなり幅広に表
してある。
【0060】液晶装置100を製造するにあたって、T
FTアレイ基板10は、図8および図9に示すように、
それを多数枚取りできる大型基板10eの状態で半導体
プロセスなどを利用して各種構成要素が形成された後
(第1工程)、データ線6aや走査線3aでのオープン
やショートの有無などが検査され(第2工程)、しかる
後に、大型基板10eからTFTアレイ基板10が切り
出される(第3工程)。
FTアレイ基板10は、図8および図9に示すように、
それを多数枚取りできる大型基板10eの状態で半導体
プロセスなどを利用して各種構成要素が形成された後
(第1工程)、データ線6aや走査線3aでのオープン
やショートの有無などが検査され(第2工程)、しかる
後に、大型基板10eからTFTアレイ基板10が切り
出される(第3工程)。
【0061】このような検査を行うことを目的に、大型
基板10eにおいて、切断予定線10fで挟まれた領域
はTFTアレイ基板10として切り出される領域であ
り、これらの領域の境界領域は、切り捨てられる領域で
ある。本形態では、この切捨て領域を検査領域10gと
して利用する。
基板10eにおいて、切断予定線10fで挟まれた領域
はTFTアレイ基板10として切り出される領域であ
り、これらの領域の境界領域は、切り捨てられる領域で
ある。本形態では、この切捨て領域を検査領域10gと
して利用する。
【0062】すなわち、大型基板10eの検査領域10
gに対しては、画素スイッチング用のTFT30などの
形成工程をそのまま利用して、検査パターンとしての検
査用TFT30g、この検査用TFT30gのドレイン
領域に電気的に接続する第1の検査用端子31g、検査
用TFT30gのソース領域に電気的に接続する第2の
検査用端子32g、および検査用TFT30gのゲート
電極に電気的に接続する第3の検査用端子33gが形成
されている。ここで、検査用TFT30gは、1枚のT
FTアレイ基板10に対して一対一の関係で形成され
る。
gに対しては、画素スイッチング用のTFT30などの
形成工程をそのまま利用して、検査パターンとしての検
査用TFT30g、この検査用TFT30gのドレイン
領域に電気的に接続する第1の検査用端子31g、検査
用TFT30gのソース領域に電気的に接続する第2の
検査用端子32g、および検査用TFT30gのゲート
電極に電気的に接続する第3の検査用端子33gが形成
されている。ここで、検査用TFT30gは、1枚のT
FTアレイ基板10に対して一対一の関係で形成され
る。
【0063】従って、大型基板10eの状態で検査用端
子31g、32g、33gに検査プローブなどの検査電
極を当接させて検査用TFT30gの電気的特性を検査
し、その結果結果において、検査用TFT30gの電気
的特性が良好であれば、それに対応するTFTアレイ基
板10に形成した画素スイッチング用のTFT30など
が良好であるとして、大型基板10eからTFTアレイ
基板10を切り出した後、良品と判断されたTFTアレ
イ基板10を、液晶装置100の組み立てに用いる。そ
の一方で、検査用TFT30gに不具合があれば、それ
に対応するTFTアレイ基板10に形成した画素スイッ
チング用のTFT30などにも不具合があるとして、該
当するTFTアレイ基板10を廃棄する。
子31g、32g、33gに検査プローブなどの検査電
極を当接させて検査用TFT30gの電気的特性を検査
し、その結果結果において、検査用TFT30gの電気
的特性が良好であれば、それに対応するTFTアレイ基
板10に形成した画素スイッチング用のTFT30など
が良好であるとして、大型基板10eからTFTアレイ
基板10を切り出した後、良品と判断されたTFTアレ
イ基板10を、液晶装置100の組み立てに用いる。そ
の一方で、検査用TFT30gに不具合があれば、それ
に対応するTFTアレイ基板10に形成した画素スイッ
チング用のTFT30などにも不具合があるとして、該
当するTFTアレイ基板10を廃棄する。
【0064】また、TFTアレイ基板10に形成された
データ線6a、走査線3a、データ線駆動回路101、
および走査線駆動回路104を検査することを目的に、
TFTアレイ基板10が切り出される大型基板10e
は、以下のように構成される。
データ線6a、走査線3a、データ線駆動回路101、
および走査線駆動回路104を検査することを目的に、
TFTアレイ基板10が切り出される大型基板10e
は、以下のように構成される。
【0065】まず、図2および図9において、大型基板
10eにおいてTFTアレイ基板10として切り出され
る領域には、画像表示領域10aの周辺領域のうち、デ
ータ線駆動回路101が形成されている領域とは反対側
の領域に検査回路110が形成されている。ここで、検
査回路110は、4本の検査用配線110d、検査用配
線110dとデータ線6aとの接続を切り換える検査用
スイッチ回路110c、この検査用スイッチ回路110
cを制御するシフトレジスタ回路110b、およびこの
シフトレジスタ回路110bから出力されるシフトパル
スに対するインバータ回路110eなどを備えている。
シフトレジスタ回路110bでは、1本のデータ線6a
に対して、インバータ、2つのクロックドインバータ、
およびレベルシフタを備える単位回路が対応している。
10eにおいてTFTアレイ基板10として切り出され
る領域には、画像表示領域10aの周辺領域のうち、デ
ータ線駆動回路101が形成されている領域とは反対側
の領域に検査回路110が形成されている。ここで、検
査回路110は、4本の検査用配線110d、検査用配
線110dとデータ線6aとの接続を切り換える検査用
スイッチ回路110c、この検査用スイッチ回路110
cを制御するシフトレジスタ回路110b、およびこの
シフトレジスタ回路110bから出力されるシフトパル
スに対するインバータ回路110eなどを備えている。
シフトレジスタ回路110bでは、1本のデータ線6a
に対して、インバータ、2つのクロックドインバータ、
およびレベルシフタを備える単位回路が対応している。
【0066】このように構成した検査回路110からは
複数本の検査用配線121、122、123が延び、こ
れらの検査用配線121、122、123の端部には検
査用端子131、132、133がそれぞれ形成され
る。ここで、検査用端子131、132、133の全
て、および検査用配線121、122、123の一部
は、大型基板10eのうち、TFTアレイ基板10とし
て切り出される領域の外側、すなわち、検査領域10g
に形成されている。
複数本の検査用配線121、122、123が延び、こ
れらの検査用配線121、122、123の端部には検
査用端子131、132、133がそれぞれ形成され
る。ここで、検査用端子131、132、133の全
て、および検査用配線121、122、123の一部
は、大型基板10eのうち、TFTアレイ基板10とし
て切り出される領域の外側、すなわち、検査領域10g
に形成されている。
【0067】また、データ線駆動回路101および走査
線駆動回路104からも複数本の検査用配線124、1
25、126が延びているとともに、これらの検査用配
線124、125、126の端部にも複数の検査用端子
134、135、136がそれぞれ形成される。ここ
で、検査用端子134、135、136の全て、および
検査用配線124、125、126の一部は、大型基板
10eのうち、TFTアレイ基板10として切り出され
る領域の外側、すなわち、検査領域10gに形成されて
いる。
線駆動回路104からも複数本の検査用配線124、1
25、126が延びているとともに、これらの検査用配
線124、125、126の端部にも複数の検査用端子
134、135、136がそれぞれ形成される。ここ
で、検査用端子134、135、136の全て、および
検査用配線124、125、126の一部は、大型基板
10eのうち、TFTアレイ基板10として切り出され
る領域の外側、すなわち、検査領域10gに形成されて
いる。
【0068】従って、大型基板10eからTFTアレイ
基板10を切り出した状態において、このTFTアレイ
基板10には、検査用端子131、132、133、1
34、135、136、31g、32g、33gが一切
なく、その端縁で検査用配線121、122、123、
124、125、126が途切れている状態にある。
基板10を切り出した状態において、このTFTアレイ
基板10には、検査用端子131、132、133、1
34、135、136、31g、32g、33gが一切
なく、その端縁で検査用配線121、122、123、
124、125、126が途切れている状態にある。
【0069】このように形成した大型基板10eでは、
後述するように、検査用端子131、132、133、
134、135、136に検査プローブなどの検査用電
極を接触させて、検査回路110、データ線駆動回路1
01、および走査線駆動回路104などに信号を供給す
るとともに、各種信号の検出を行って、データ線6a、
走査線3a、データ線駆動回路101、および走査線駆
動回路104の検査を行う。
後述するように、検査用端子131、132、133、
134、135、136に検査プローブなどの検査用電
極を接触させて、検査回路110、データ線駆動回路1
01、および走査線駆動回路104などに信号を供給す
るとともに、各種信号の検出を行って、データ線6a、
走査線3a、データ線駆動回路101、および走査線駆
動回路104の検査を行う。
【0070】そして、この検査結果において良品と判断
された場合には、大型基板10eからTFTアレイ基板
10を切り出した後、良品と判断されたTFTアレイ基
板10を液晶装置100の組み立てに用いる一方、不具
合があれば、該当するTFTアレイ基板10を廃棄す
る。
された場合には、大型基板10eからTFTアレイ基板
10を切り出した後、良品と判断されたTFTアレイ基
板10を液晶装置100の組み立てに用いる一方、不具
合があれば、該当するTFTアレイ基板10を廃棄す
る。
【0071】このように、本形態では、TFTアレイ基
板10は、大型基板10eの状態で各構成要素が形成さ
れた後、検査され、しかる後に、大型基板10eから切
り出される。また、検査に用いた検査用端子131、1
32、133、134、135、136、31g、32
g、33gなどは、液晶装置100の完成後は不要とな
るものである。そのような点に鑑み、本形態では、液晶
装置100の完成後には不要となる検査用端子131、
132、133、134、135、136、31g、3
2g、33gについては、大型基板10eのうち、TF
Tアレイ基板10として切り出される領域の外側(検査
領域10g)に形成している。このため、TFTアレイ
基板10において画像表示領域10gの外周領域から検
査用端子131、132、133、134、135、1
36、31g、32g、33gが占有する部分を省くこ
とができる。それ故、液晶装置100において、額縁領
域100bと称せられる画像表示領域10aの外周領域
を狭めることができる。
板10は、大型基板10eの状態で各構成要素が形成さ
れた後、検査され、しかる後に、大型基板10eから切
り出される。また、検査に用いた検査用端子131、1
32、133、134、135、136、31g、32
g、33gなどは、液晶装置100の完成後は不要とな
るものである。そのような点に鑑み、本形態では、液晶
装置100の完成後には不要となる検査用端子131、
132、133、134、135、136、31g、3
2g、33gについては、大型基板10eのうち、TF
Tアレイ基板10として切り出される領域の外側(検査
領域10g)に形成している。このため、TFTアレイ
基板10において画像表示領域10gの外周領域から検
査用端子131、132、133、134、135、1
36、31g、32g、33gが占有する部分を省くこ
とができる。それ故、液晶装置100において、額縁領
域100bと称せられる画像表示領域10aの外周領域
を狭めることができる。
【0072】(検査方法の具体例)次に、検査用端子1
31、132、133、134、135、136を用い
てデータ線6a、走査線3a、データ線駆動回路10
1、走査線駆動回路104などを検査する方法を説明す
る。
31、132、133、134、135、136を用い
てデータ線6a、走査線3a、データ線駆動回路10
1、走査線駆動回路104などを検査する方法を説明す
る。
【0073】まず、データ線6aのオープンを検査する
方法を説明する。この検査では、まず、検査プローブお
よび検査用端子135を介して画像信号線101dのい
ずれにもたとえばDC5Vを印加する。この状態で、デ
ータ線駆動回路101および走査線駆動回路104を、
液晶装置100で通常の表示を行う場合と同様に駆動す
る。また、検査プローブを用いて検査用端子121から
検査回路110にクロック信号などを供給し、検査スイ
ッチ回路110cを順次、オンにしていく。その結果、
検査用配線110dを介して検査用端子133からは、
検査信号が時系列的に出力されることになる。従って、
データ線6aのオープンを検査できる。
方法を説明する。この検査では、まず、検査プローブお
よび検査用端子135を介して画像信号線101dのい
ずれにもたとえばDC5Vを印加する。この状態で、デ
ータ線駆動回路101および走査線駆動回路104を、
液晶装置100で通常の表示を行う場合と同様に駆動す
る。また、検査プローブを用いて検査用端子121から
検査回路110にクロック信号などを供給し、検査スイ
ッチ回路110cを順次、オンにしていく。その結果、
検査用配線110dを介して検査用端子133からは、
検査信号が時系列的に出力されることになる。従って、
データ線6aのオープンを検査できる。
【0074】なお、説明を省略するが、走査線3aにつ
いても基本的には同様な方法で検査することができる。
いても基本的には同様な方法で検査することができる。
【0075】次に、隣り合うデータ線6a間のショート
の有無を検査するには、画像信号線VID1〜VID6
のいずれにも電圧を印加しない。また、データ線駆動回
路101および走査線駆動回路104をオフ状態にして
おく。そして、検査用端子133のうちの2つの検査用
端子133に所定の電位を印加して、対応する検査用配
線110dに電圧を印加する。この状態で、検査用スイ
ッチ回路110cを順次、オンさせていったとき、隣合
うデータ線6a間でショートしておれば、電圧を印加し
ていない検査用配線110dに電流が流れるので、それ
を検査用端子133で検出すれば、データ線6a間での
ショートを検出できる。
の有無を検査するには、画像信号線VID1〜VID6
のいずれにも電圧を印加しない。また、データ線駆動回
路101および走査線駆動回路104をオフ状態にして
おく。そして、検査用端子133のうちの2つの検査用
端子133に所定の電位を印加して、対応する検査用配
線110dに電圧を印加する。この状態で、検査用スイ
ッチ回路110cを順次、オンさせていったとき、隣合
うデータ線6a間でショートしておれば、電圧を印加し
ていない検査用配線110dに電流が流れるので、それ
を検査用端子133で検出すれば、データ線6a間での
ショートを検出できる。
【0076】次に、データ線駆動回路101のシフトレ
ジスタ回路101bを検査する場合には、シフトレジス
タ回路101bに対して、スタート信号、およびクロッ
ク信号などを供給し、シフトレジスタ回路101bの最
終段から出力されてくるシフトパルスを検出すれば、シ
フトレジスタ回路101bを検査することができる。
ジスタ回路101bを検査する場合には、シフトレジス
タ回路101bに対して、スタート信号、およびクロッ
ク信号などを供給し、シフトレジスタ回路101bの最
終段から出力されてくるシフトパルスを検出すれば、シ
フトレジスタ回路101bを検査することができる。
【0077】なお、説明を省略するが、走査線駆動回路
104のシフトレジスタ回路についても同様な方法で検
査することができる。
104のシフトレジスタ回路についても同様な方法で検
査することができる。
【0078】[その他の実施の形態]上記形態では、T
FTアレイ基板10として切り出される領域内に検査回
路110の検査用配線110d、検査用スイッチ回路1
10c、シフトレジスタ回路110b、およびインバー
タ回路110eの全てを形成した構成であったが、検査
回路110も液晶装置100の完成後は不要であるた
め、図10に示すように、検査回路110の一部、例え
ば、インバータ回路110eについてもTFTアレイ基
板10として切り出される領域外(検査領域10g)に
形成してもよい。インバータ回路は例えば検査回路の動
作確認をするためのエンドパルス出力用のバッファなど
である。出力負荷を考慮して、インバータ回路を構成す
るトランジスタのWのサイズは数100umオーダーとな
り無視できない大きさである。この要素を検査領域に追
い出すことは狭額縁化の際に効果が大きい。
FTアレイ基板10として切り出される領域内に検査回
路110の検査用配線110d、検査用スイッチ回路1
10c、シフトレジスタ回路110b、およびインバー
タ回路110eの全てを形成した構成であったが、検査
回路110も液晶装置100の完成後は不要であるた
め、図10に示すように、検査回路110の一部、例え
ば、インバータ回路110eについてもTFTアレイ基
板10として切り出される領域外(検査領域10g)に
形成してもよい。インバータ回路は例えば検査回路の動
作確認をするためのエンドパルス出力用のバッファなど
である。出力負荷を考慮して、インバータ回路を構成す
るトランジスタのWのサイズは数100umオーダーとな
り無視できない大きさである。この要素を検査領域に追
い出すことは狭額縁化の際に効果が大きい。
【0079】なお、上記形態では、アクティブマトリク
ス型の液晶装置に用いるTFTアレイ基板に本発明を適
用した例を説明したが、液晶以外の電気光学物質を用い
た電気光学装置、例えば、有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置に用いるTFTアレイ基板などに本発明を適
用してもよい。
ス型の液晶装置に用いるTFTアレイ基板に本発明を適
用した例を説明したが、液晶以外の電気光学物質を用い
た電気光学装置、例えば、有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置に用いるTFTアレイ基板などに本発明を適
用してもよい。
【0080】[液晶装置の電子機器への適用]このよう
に構成した半透過・反射型の液晶装置100は、各種の
電子機器の表示部として用いることができるが、その一
例を、図11、および図12(A)、(B)を参照して
説明する。
に構成した半透過・反射型の液晶装置100は、各種の
電子機器の表示部として用いることができるが、その一
例を、図11、および図12(A)、(B)を参照して
説明する。
【0081】図11は、本発明に係る液晶装置を表示装
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。
【0082】図11において、電子機器は、表示情報出
力源70、表示情報処理回路71、電源回路72、タイ
ミングジェネレータ73、そして液晶装置74を有す
る。また、液晶装置74は、液晶表示パネル75および
駆動回路76を有する。液晶装置74としては、前述し
た液晶装置100を用いることができる。
力源70、表示情報処理回路71、電源回路72、タイ
ミングジェネレータ73、そして液晶装置74を有す
る。また、液晶装置74は、液晶表示パネル75および
駆動回路76を有する。液晶装置74としては、前述し
た液晶装置100を用いることができる。
【0083】表示情報出力源70は、ROM(Read
Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ73によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路71に供給する。
Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ73によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路71に供給する。
【0084】表示情報処理回路71は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路76へ
供給する。電源回路72は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路76へ
供給する。電源回路72は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。
【0085】図12(A)は、本発明に係る電子機器の
一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示している。ここに示すパーソナルコンピュータ80
は、キーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユ
ニット83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述
した液晶装置100を含んで構成される。
一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示している。ここに示すパーソナルコンピュータ80
は、キーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユ
ニット83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述
した液晶装置100を含んで構成される。
【0086】図12(B)は、本発明に係る電子機器の
他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示
す携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と、前述し
た液晶装置100からなる表示部とを有している。
他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示
す携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と、前述し
た液晶装置100からなる表示部とを有している。
【0087】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、大型
基板の状態で各構成要素が形成された後、検査され、し
かる後に、大型基板から電気光学装置用基板が切り出さ
れるので、電気光学装置の完成後は不要となる検査用端
子については、大型基板のうち、電気光学装置用基板と
して切り出される領域外に形成する。このため、本発明
によれば、電気光学装置用基板において画像表示領域の
外周領域から検査用端子が占有していた部分を省くこと
ができるので、電気光学装置において、額縁領域と称せ
られる画像表示領域の外周領域を狭めることができる。
基板の状態で各構成要素が形成された後、検査され、し
かる後に、大型基板から電気光学装置用基板が切り出さ
れるので、電気光学装置の完成後は不要となる検査用端
子については、大型基板のうち、電気光学装置用基板と
して切り出される領域外に形成する。このため、本発明
によれば、電気光学装置用基板において画像表示領域の
外周領域から検査用端子が占有していた部分を省くこと
ができるので、電気光学装置において、額縁領域と称せ
られる画像表示領域の外周領域を狭めることができる。
【図1】(A)、(B)はそれぞれ、本発明を適用した
液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板の側から見た平面図、および図1(A)のH−H′断
面図である。
液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板の側から見た平面図、および図1(A)のH−H′断
面図である。
【図2】図1に示す液晶装置に用いたTFTアレイ基板
の構成を模式的に示すブロック図である。
の構成を模式的に示すブロック図である。
【図3】図2の画像表示領域にマトリクス状に形成され
た複数の画素における各種素子、配線などの等価回路図
である。
た複数の画素における各種素子、配線などの等価回路図
である。
【図4】図2に示す画素の平面図である。
【図5】図4のA−A′線に相当する位置で切断したと
きの断面図である。
きの断面図である。
【図6】図2に示す駆動回路などに用いた相補回路の平
面図である。
面図である。
【図7】図6に示す周辺回路用のTFTの断面図であ
る。
る。
【図8】図2に示すTFTアレイ基板を大型基板から製
造する様子を示す平面図である。
造する様子を示す平面図である。
【図9】図8に示す検査領域の説明図である。
【図10】本発明を適用した液晶装置に用いられる別の
TFTアレイ基板の構成を模式的に示すブロック図であ
る。
TFTアレイ基板の構成を模式的に示すブロック図であ
る。
【図11】本発明に係る液晶装置を表示装置として用い
た電子機器の回路構成を示すブロック図である。
た電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図12】(A)、(B)はそれぞれ、本発明に係る液
晶装置を用いたモバイル型のパーソナルコンピュータを
示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
晶装置を用いたモバイル型のパーソナルコンピュータを
示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【図13】従来の液晶装置をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図14】図13に示す液晶装置に用いたTFTアレイ
基板の構成を模式的に示すブロック図である。
基板の構成を模式的に示すブロック図である。
1a、1g、160 半導体膜
3a 走査線
3b 容量線
6a データ線
6b ドレイン電極
9a 画素電極
10 TFTアレイ基板
10a 画像表示領域
10e 大型基板
10g 検査領域
20 対向基板
21 対向電極
30 画素スイッチング用のTFT
30g 検査用TFT
31g、32g、33g TFT検査用端子
100 液晶装置(電気光学装置)
100a 画素
100b 額縁領域
101 データ線駆動回路
101b シフトレジスタ回路
101c サンプルホールド回路
101d 画像信号線
104 走査線駆動回路
110 検査回路
110b 検査用スイッチ回路
110c シフトレジスタ回路
110d 検査用配線
110e インバータ回路
131、132、133、134、135、136 検
査用端子 121、122、123、124、125、126 検
査用配線
査用端子 121、122、123、124、125、126 検
査用配線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
G09F 9/30 330 G09F 9/30 330Z
338 338
9/35 9/35
H01L 29/786 H05B 33/14 A
// H05B 33/14 H01L 29/78 612B
624
Fターム(参考) 2H092 GA33 GA44 GA59 JA24 NA25
NA30 PA06
3K007 AB18 CC05 DB03 FA00 GA00
5C094 AA07 AA15 AA42 AA43 AA46
AA48 BA03 BA43 CA19 DA09
DA13 DB01 DB02 DB04 EA03
EA04 EA05 EA06 EB02 FA01
5F110 AA24 BB02 BB04 BB20 CC02
DD13 EE28 FF02 GG25 HM14
HM15 NN04 NN23 NN24 NN73
QQ11
5G435 AA17 AA18 BB12 BB15 BB16
CC09 EE37 HH12 HH13 HH14
KK05
Claims (13)
- 【請求項1】 電気光学装置用基板を配置してなる大型
基板上の、電気光学装置用基板を切り出す領域内に画像
表示領域を構成する複数の画素を形成するとともに、当
該画像表示領域の外周領域に検査回路、複数の検査用配
線、および複数の検査用端子を形成する第1工程と、 当該複数の検査用端子の一部あるいは全部に検査用電極
を接触させて電気的検査を行う第2工程と、 前記大型基板からの前記電気光学装置用基板を切り出す
第3工程と を有する電気光学装置の製造方法において、 前記複数の検査用端子のうちの少なくとも一部について
は、前記大型基板において前記電気光学装置用基板とし
て切り出される領域外に形成することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1において、前記検査回路の少な
くとも一部が、前記大型基板のうち、前記電気光学装置
用基板として切り出される領域外に形成することを特徴
とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記第1工程では、画素電極、画素スイッチング用の薄
膜トランジスタ、該薄膜トランジスタのソースに電気的
に接続するデータ線、該データ線を駆動するデータ線駆
動回路、前記薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続
する走査線、および該走査線を駆動する走査線駆動回路
を形成し、 前記第2工程では、前記複数の検査用端子の一部あるい
は全部に前記検査用電極を接触させて前記データ線およ
び前記走査線のうちの少なくとも一方のオープンまたは
ショートを検出することを特徴とする電気光学装置の製
造方法。 - 【請求項4】 請求項3において、前記第2工程では、
前記複数の検査用端子の一部あるいは全部に前記検査用
電極を接触させて前記データ線駆動回路および前記走査
線駆動回路のうちの少なくとも一方を検査することを特
徴とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項5】 請求項3または4において、前記第1工
程では、前記大型基板上の、前記電気光学装置用基板と
して切り出される領域外に、前記薄膜トランジスタの製
造工程を利用して検査用薄膜トランジスタを形成し、 当該検査用薄膜トランジスタの特性を検査した後、前記
第3工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方
法。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記大型基板から前記電気光学装置用基板を複数枚、切
り出すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかに規定する
方法で製造したことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項8】 電気光学装置用基板上に、複数の画素を
備える画像表示領域が形成されているとともに、当該画
像表示領域の外周領域に検査回路が形成されてなる電気
光学装置において、 前記電気光学装置用基板の端縁で、前記検査回路から引
き出された検査用配線が途切れていることを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項9】 請求項8において、前記電気光学装置用
基板上には、画素電極、画素スイッチング用の薄膜トラ
ンジスタ、該薄膜トランジスタのソースに電気的に接続
するデータ線、該データ線を駆動するデータ線駆動回
路、前記薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続する
走査線、および該走査線を駆動する走査線駆動回路が形
成され前記複数本の検査用配線には、前記データ線およ
び前記走査線のうちの少なくとも一方のオープンまたは
ショートを検出するための配線が含まれていることを特
徴とする電気光学装置。 - 【請求項10】 電気光学装置用基板上に、複数の画素
を備える画像表示領域が形成されているとともに、当該
画像表示領域の外周領域に検査回路が形成されてなる電
気光学装置において、 前記電気光学装置用基板上の端縁で、前記検査回路が途
切れていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項11】 請求項10において、前記検査回路に
は、前記データ線および前記走査線のうちの少なくとも
一方のオープンまたはショートを検出するための回路が
含まれていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項12】 請求項7ないし11のいずれかにおい
て、前記電気光学装置用基板は、電気光学物質としての
液晶を保持する基板であることを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項13】 請求項7ないし12のいずれかに規定
する電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002074303A JP2003271067A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
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---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003271067A true JP2003271067A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29203736
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---|---|---|---|
JP2002074303A Withdrawn JP2003271067A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003271067A (ja) |
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- 2002-03-18 JP JP2002074303A patent/JP2003271067A/ja not_active Withdrawn
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