TW573230B - Positive photoresist composition and forming method for resist pattern using the same - Google Patents

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A8 B8 C8 D8 573230 κ、申請專利範圍 4 )〇 -----I---------訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 8. —種正型光阻組成物，係如申請專利範圍第2項之 正型光阻組成物，其特徵爲： 該共聚物（Α1)，係下述之共聚物（勿）； 共聚物（々）：由該含有含多環基的酸解離溶解抑制 基、且可從甲基丙烯酸酯衍生的構成單元（al，）30至52 奠耳該含有含內酯的單環基或多環基、且可從丙烯酸 酯衍生的構成單元（a2) 20至60莫耳％ ;該含有含羥基 的多環基、且可從丙烯酸酯衍生的構成單元（a3) 1至30 莫耳％;以及選自三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基之 Μ少一種之多環基，且可從（甲基）丙烯酸酯衍生的構成 單元（a4 ) 1至25莫耳％ •，而成的共聚物。 9. 一種正型光阻組成物，係如申請專利範圍第3項之 正型光阻組成物，其特徵爲： 該混合樹脂（A2 )，係下述共聚物（C：)、與共聚 物（勺）之混合樹脂； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 共聚物（C ):由含有含多環基的酸解離性溶解抑制 基、且可從甲基丙烯酸酯衍生的構成單元（al’）30至60 莫耳％ ;含有含內酯的單環基或多環基、且可從丙烯酸酯 衍生的構成單元（a2 ) 20至60莫耳％ ;含有含羥基的多 環基、且可從丙烯酸酯衍生的構成單元（a3 ) 1至5 0莫 耳％ ;而成的共聚物； 共聚物（々）：由含有含多環基的酸解離性溶解抑制 基、且可從甲基丙烯酸酯衍生的構成單元（al·) 30至60 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -4- 573230 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 莫耳％ ;含有含內酯的單環基或多環基、且可從丙烯酸酯 衍生的構成單元（a2 ) 20至60莫耳％ ;含有含羥基的多 環基、且可從丙烯酸酯衍生的構成單元（a3 )丨至3 0莫 耳％;以及選自三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基之至 少一種之多環基、且可從（甲基）丙烯酸酯衍生的構成單 元（a4 ) 1至25莫耳％ ;而成的共聚物。 10.如申請專利範圍第7項之正型光阻組成物，其中 對構成該（A)成份的構成單元之合計，該構成單元（a4 )之比例爲1至2 5莫耳％者。 1 1 .如申請專利範圍第i項之正型光阻組成物，其中 該（B)成份；係以氟化烷基磺酸離子作爲陰離子的鑰鹽 〇 1 2 ·如申g靑專利範圍第1項所記載之正型光阻組成物 ，其中該有機溶劑（C )係丙二醇一甲基醚乙酸酯，與極 性溶劑之混合溶劑。 1 ，如申sra專利fa圍弟8項所記載之正型光阻組成物 ，其中該極性溶劑係選自丙二醇一甲基醚、乳酸乙酯、r -丁內酯的一種或二種以上者。 1 4 · 一種正型光阻組成物，係在申請專利範圍第1項 之正型光阻組成物，其特徵爲： 相對於該（A )成份’進而含有二級或三級碳原子數 5以下之烷醇胺（D ) 0.0 1至0.2質量％。 1 5 . —種光阻圖型形成方法，係將申請專利範圍第1 項至第1 4項中任一項之正型光阻組成物塗佈在基板上， 諝 先 閲 面 之 注
I 裝 訂 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 573230 il _S__ 六、申請專利範圍 6 予以預烘焙，並選擇性曝光後，施行PEB (曝光後加熱） ，予以鹼顯像以形成光阻圖型者。 -----I------ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 -
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