TW544886B - Thermal interface material and heat sink configuration - Google Patents

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TW544886B
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thermal interface
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weight
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TW091110912A
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Attiganal N Sreeram
Brian Lewis
Leszek Hozer
Michael James Liberatore
Gerard R Minogue
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Fry Metals Inc
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544886 A7 ___ B7 五、發明説明（ί 發明背景 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 熱介面材料（Τ I Μ )在防止有效半導體裝置，諸如 微處理器超過操作溫度限度上甚重要。此等能黏合熱產生 裝置（例如矽半導體）至散熱組成件或熱分散件（例如銅 及/或鋁組成件），而不製造過度之熱障壁。Τ I Μ亦可 用於包含整個熱阻徑路之散熱組成件或熱分散堆之其他組 成件之組件。 小熱障壁之形成爲Τ I Μ之一重要性質。熱障壁可以 通過Τ I Μ之有效導熱率來說明，且宜儘可能高。τ ΙΜ 之有效導熱率主要由Τ I Μ之介面熱轉移係數以及（固有 )總體導熱率所引起。多種其他性質對Τ I Μ亦重要，視 特定應用而定，例如：當連接一材料時，放鬆熱膨脹應力 之能力（亦稱爲”順應性”）；在熱循環期間中，形成穩 定之機械良好連接之能力；對濕氣及溫度改變不敏感；製 造可行性；及成本。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 目前使用數種材料作爲τ I Μ，例如熱油脂，熱凝膠 ，黏著劑，彈性體，熱墊，及相改變材料。雖以上τ〗Μ 足夠用於許多現行半導體裝置上’但半導體裝置在最近將 來性能之增加使目前所知之τ I Μ不足夠。明確言之，目 前之Τ I Μ之導熱率大體不超過約5W/mK，且普通低 於約1 W / m K。然而，即將需要製造具有有效導熱率約 1 5W/mK之熱介面之Τ IM。 以上Τ I Μ之另一選擇爲銦或其他低熔化溫度合金所 製固體金屬薄片或預定形狀’此等作用如熱介面層。金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇>< 297公釐） 544886 Α7 Β7 五、發明説明（3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} T I Μ確保高導熱率値（例如，在銦薄片約爲8 0 W/ m Κ )。金屬T I Μ於重流時亦可呈現有利之焊接或 沾著行爲，此方便低溫介面抵抗力。在重流之期間中，加 熱焊料及基體，焊料熔化，並由表面張力及/或局部表面 攪和而沾著。介面包含中間金屬或中間擴散金屬’具有熱 性質常較總體Τ I Μ金屬者爲差，但遠較現有之（聚合物 基礎之）Τ I Μ爲佳。在大部份情形，金屬Τ I Μ需接受 重流，以形成可靠之熱介面。然而，由於Τ I Μ[及半導體 及/或散熱組成件之熱膨脹係數（C Τ Ε )間之差相當大 ，且缺乏順應性，金屬Τ I Μ在一些應用上失敗。 發明槪要 本發明係有關材料，處理，及設計，以改善半導體至 散熱組成件介面之性能，從而增加電子（熱產生）裝置之 熱流率。故此，在本發明之目的及特色中，提供一種具有 高導熱率（例如大於約1 5 W/m Κ )之Τ I Μ ; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 提供一種具有高介面熱轉移係數（即大於約5〇 W/ c m 2 )之Τ I Μ ;提供一種具有熱膨脹係數（C Τ Ε )在半導體裝置及散熱組成件中間之Τ I Μ，俾Τ I Μ阻 止半導體基體或散熱組成件之分離，或抵抗半導體基體受 損；提供一種具有對熱循環所引起之應力失敗更高抵抗力 之Τ I Μ ;提供一種具有對濕氣改變更高抵抗力之Τ I Μ ;提供一種對溫度變化具有較高抵抗力之Τ I Μ，提供一 種在較之有效（電子）裝置之失敗溫度爲低之溫度上黏合 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 544886 A7 B7 五、發明説明（4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基體’具有一 _表面及一背表面；一電子裝置，在半導體 基體之則表面上；一蓋，具有一前表面及一背表面，及一 凹口用以接受一***件；一***件之大小及形狀配合於蓋 之凹口內，***件具有一前表面，一背表面，一表面與蓋 接觸’及一熱膨係數在約該蓋及約該半導體基體之間；及 一第一熱介面材料，黏合半導體基體之背表面於***件之 前表面之至少一部份。 附圖簡述 圖1爲普通半導體裝置/散熱構造之斷面圖。 圖2爲本發明之半導體裝置/散熱構造之實施例之斷 面圖。 圖3爲本發明之半導體裝置/散熱構造之實施例之斷 面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 :半導體基體 4 :背表面 6 :散熱組成件 1 1 :蓋 1 6 :***件 元件對照表 1 :電子裝置封裝 3 :前表面 5 :熱介面材料 8 :熱交換層 1 5 :凹口 發明之詳細說明 電子裝置性能之改善常隨帶功率消耗之增加及裝®尺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 544886 A7 B7 五、發明説明（3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 寸之減小，此等可獨立或聯合導致增加功率密度。故此， 操作中之電子裝置之熱流率需增加，以保持裝置在其操作 溫度限度以下。本發明係有關高性能τ I Μ材料及處理， 此等增加電卞裝置之熱流率，並係有關改善半導體散熱介 面之設計。 1.高性能熱介面材料 A ·高效率總體導熱率 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 高性能Τ I Μ包含一焊料，此使Τ I Μ可黏合於基體 上。如此處所用，”基體”一辭指半導體及/或散熱組成 件及/或任何其他物件，裝置等，此等由Τ I Μ連接另一 此”基體”。當熱處理時，Τ I Μ在較之有效（電子）裝 置之失敗溫度爲低（例如約3 5 0 °C以下，宜約2 5 0 °C 以下，且更宜約2 0 0 °C以下）之溫度上黏合至基體。焊 料在有效裝置失敗溫度以下熔化，沾著於基體，並當固化 時，可形成Τ I Μ及基體間之化學及/或機械黏合。焊料 一般在約3 0 0 °C以下，宜約2 2 5 °C以下，更宜約 1 7 0 °C以下，且仍更宜在約1 6 0 t及約1 1 5 t間之 溫度熔化。 焊料可包含普通焊接材料，此需要C Τ E之調整（閱 以下）。例如，焊料可包含鉛，鉍，鍚，金，銀，金-鍚 ，金-矽，金-鍺等。焊料宜包含一黏合組成份，具有低 熔化溫度及較普通Τ I Μ材料（低於約5 W/ m K )爲高 之導熱率。例如，銦（熔點約爲1 5 5 °C，導熱率約爲 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -8 - 544886 A7 B7 五、發明説明（3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 〇 W/m K )，鍚（熔點約爲2 3 0 t，導熱率約爲 7 0 W / m K )，及其混合物及合金。在一特別較宜之實 施例，黏合組成份基本上由銦構成，因其熔化溫度低，且 能容易沾著許多氧化物，陶瓷，及金屬陶瓷，而無需使用 有機助熔。 爲進一步增加熱通過T I Μ之流率，T I Μ亦可包含 導熱率提高組成份。導熱率提高組成份宜具有導熱率在約 1 0 0 W / m Κ以上。導熱率提高組成份材料之例包括銀 ，銅，及金，此等分別具有導熱率約4 2 5 W/ m K，約 4 0 0 W /m K，及約3 1 5 W/ m K。此種金屬普通具 有較高熔化溫度（例如，銀之熔點約爲9 6 0 t，銅約爲 1 ，0 8 5 °C，及金約爲1 ，〇6 5 °C。 B·介面熱轉移係數 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除由選擇高導熱材料來增加熱通過T I Μ之流率外（ 例如，減小Τ I Μ之固有熱阻），自來源至基體之熱流率 之一重大提高由增加介面處之熱轉移係數達成。事實上， 在此介面處之熱流率之阻力可高至約較Τ I Μ之阻力大二 幅階。低介面熱轉移係數之主要原因常爲介面處之區域形 成，在此，基體及Τ I Μ並不親密接觸。故此，此等區域 作用如絕緣，並降低熱自熱源流出之流率。減小熱轉移通 過介面之第二原因爲各種金屬間相之存在，呈現較高熱阻 。Τ I Μ之介面熱轉移係數宜大於約5 0 W / c m 2 °C，且 更宜大於約5 0 0 W/ c m 2 t。
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） Q 544886 A7 B7 五、發明説明（、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用以連接半導體（或金屬化半導體）及散熱組成件之 τ I Μ需要機械及/或化學助熔，以移去τ I Μ之表面， 半導體基體，及散熱組成件之表面上之氧，俾活化連接處 理，並使Τ I Μ可沾著於此等表面上。當欲在約3 0 0 t 以下之溫度由普通焊料連接項目時，普通使用化學助熔。 普通化學助熔劑包含化合物，此在受熱時活化，並移去表 面氧化物。然而，一些助熔材料並不逸去，並在介面區處 形成絕緣袋或空虛點，及/或形成殘留，此對裝置之操作 有害。 1 ·活性焊料 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明，Τ I Μ (包含焊料）宜無需帔在助熔（ 即無需機械助熔及有機及無機助熔化合物）。而是，本發 明之Τ I Μ中之焊料宜由固有除氧劑活化，此與黏合組成 份混合或合金。固有除氧劑較之黏合組成份對氧之反應性 更大，從而防止或減少黏合組成份-氧化合物之形成至最 低程度。固有除氧劑之例包含鹼金屬（例如L i ，N a ， 及K)，鹼土金屬（例如Mg及Ca)，鋅，耐火金屬（ 例如 T i ，Z r ，H f ，T a ，V，及 N b )，稀 土金屬 (例如 L a，C e，P r，N d，S m，E u，G d， T b，D y，及Y b )，及其混合物及合金（例如，micsch 金屬，此例如由美國麻州Ward Hill之Alfa Aesai·以複合物供 應，此包含約50%重量之Ce，約22%之La，約18%之Nd，約6% 之？1'，及約0-4%之丫13,3111，〇0』11，1^，及〇\)。耐火金屬在焊料 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544886 A7 ___ B7 五、發明説明（g (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 中之總濃度宜低於約1 〇 %重量，稀土金屬之總濃度低於 5 %重量’及鹼，鹼土，及鋅之總濃度低於約2 0 %之重 量。 材料之選擇及其在焊料及導熱率提高組成份中之相對 含量取決於特定應用之所連接之材料之性質，所需之有效 導熱率，及最大黏合溫度。而且，材料之選擇可取決於其 他因素，包括材料成本，回收之容易，以及對重要焊料性 質，諸如硬度，彈性模數，延性，中間金屬相形成，抗銹 蝕，熱膨脹係數，漏電電阻之影響，及氧化物之形成之整 個影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 在一較宜之實施例中，活性焊料包含銦，鈦，及 misch金屬，以提供順應性，但高C T E合金，此大致在 1 5 7 °C以上熔化。此宜包含約0 · 5至約2 %重量之 T i ，及約〇 · 1至約2 _ 0重量之m i s c h金屬，其餘爲 I η。此更宜包含約1 %重量之T i ，及約〇 . 2 %重量 之misch金屬，其餘爲I η。具有非常低度之介面缺陷之焊 接之此一順應性Τ I Μ較不可能由於熱循環引起在介面處 失敗（閱以下） 在又另一較宜實施例中，活性焊料爲一剛性金基礎之 焊料，具有較低之C Τ Ε (約1 3 - 1 4 // m / m °C )， 此普通用以連接副基座或固定光纖（例如金-鍚，金-矽 ，及金-鍺焊料）。在金-鍚合金’金及鍚之濃度範圍普 通分別自約7 5至約8 5 %重量及自約1 5至約2 5 %重 量。在金-砂合金’金之濃度至少約爲9 0% ’及砂之濃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _糾_ 544886 A7 B7 五、發明説明（d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j 度範圍自約1至約5%重量。在金-鍺合金，金之濃度至 少約爲8 0 %，及鍺之濃度範圍自約5至約1 5 %重量。 爲提供較低之熔化或重流溫度，焊料成份宜接近低共熔成 份（例如，構成份在低共熔成份之約± 3 %重量以內）。 低共熔成份爲約8 0 A u — 2 0 S η，約9 7 A u — 3Si ，及約88Au - 12Ge。近低共熔金—鍚合金 尤宜用於許多應用，因爲此在約2 8 0 t以上熔化。由於 此等金-基礎之焊料包含遠較爲少之可氧化材料，故需要 較少之固有除氧材料。明確言之，固有除氧材料之濃度宜 約爲銦基礎之焊料之一半。焊料中之耐火金屬之總濃度宜 少於約5 %重量，稀土金屬之總濃度少於約3 %重量，及 鹼土及鋅之總濃度宜少於1 〇 %重量。耐火金屬之總濃度 更宜少於約0 · 5至1 · 5 %重量，稀土金屬之總濃度少 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於約0 · 0 1至約〇 . 5 %重量，鹼土金屬之總濃度約 〇.1至約0 . 5 %重量，及鋅之總濃度約0 · 1至約 0 . 5 %重量。此等較低之C T E合金亦較之非順應性高 C T E合金不可能在半導體/焊料介面處由於熱循環引起 失敗（閱以下）。 除省除去需要外在助熔外，活性焊料及含有活性焊料 之熱介面材料能沾著非金屬表面，諸如，但不限於S i ， s i〇2，S iN，及Π— IV及m — V半導體。結果，在焊 接/黏合操作前，無需沉積可沾著之金屬化物，諸如，但 不限於A u，A u / N i ，N i ，C u，及其組合於非金 屬表面上。黏合於非金屬表面上之此能力提供重要材料及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X；297公釐） -12- 544886 Α7 Β7 五、發明説明（ίο 處理優點。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Τ I Μ及本發明之活性焊料特別適用於在約3 0 0 °C 以下，且宜在約2 0 〇 °C以下之溫度上之熱處理。然而， 該Τ I Μ及本發明之活性焊料可在較高之溫度（例如，高 於約5 0 0 °C )上之熱處理，以提供更有效之沾著（例如 較短之沾著時間）。 除在介面上之熱流率具有重要性之場所中改善焊料處 理外，以上活性焊料特別可用於製造光電封裝。明確言之 ，活性光電封裝包含雷射裝置。如光束攔截化學助熔劑中 之任何有機殘留物，雷射容易使殘留物碳化，此會導致裝 置不能作用。無助熔劑焊接方法之使用消除此可能之故障 機程。 活性焊料可由任何現有之惰性熔化方法製造，諸如由 惰性坩中電感熔化或由電弧熔化。系統抽氣成真空，並以 非反應性惰性氣體，諸如氬回塡。金屬宜加熱至約 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 0 0 °c以上，以確保充分熔解合金構成份。熔化之合 金f#製或成形’及在冷卻期間中’次微中間金屬普通沉源 成形。冷卻之合金通常機器加工製成線，帶，或預定形狀 ，用以生產τ I Μ。 2 . C Τ Ε失配 用以維持通過Τ I Μ之較尚熱流率之另一*方丨去爲在電 子裝置之壽命期中’防止降低介面區處之親密接觸。明確 言之，電子封裝中之各種組成件之熱膨脹係數間之不同在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -13- 544886 A7 B7 五、發明説明（fj (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 熱循環之期間中產生應力，此導致在介面區域處部份或完 全分離。在含有較之普通半導體材料，諸如矽，鍺，神化 鎵，硫化鎘，及銻化銦爲高之熱膨脹係數之材料之，及含 有光子之固態射極之發光二極體材料，及光纖雷射應用（ 例如 I n/As/GaAs 及 I nAs/A Ι/Sb)之 T I Μ，此問題尤其尖銳。黏合組成份材料及導熱率提高 組成份材料具有 〇丁£大於約16/^111//111〇’及基體材料具有 c t e 低於約 1 〇 # m / m °C。 本發明之T I M宜由包含一 C T E修改組成份，減少 C T E失配之負面影響至最低程度。C T E修改組成份具 有一 C T E，此可與基體更相容，從而減小熱循環時之熱 應力。C T E修改組成份具有一 C T E，此宜低於約1〇 V m / m ，且更宜低於約8 // m / m 。C T E修改組 成份材料之例包含氧化鈹（約8 · 8 // m / m °C )，氧化 隹呂C約6 . 5至7 · Ο // m / m °C )，氮化$呂（約4 · 2 β m / m °C )，銘化 ϊ夕（約 4 · 0 // m / m t：)，二氧化 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 矽C約Ο · 5 β m / m °C )，銅—鎢合金（約5 · 6 # m / m °C )，普通稱爲K〇V A R或I N V A R之低膨脹鐵 —錬合金（約 5 · 2 // m / m C 至約 6 · Ο " m / m °C ) ’低膨脹陶瓷或玻璃粉（約一 1 · 〇 /z m / m °C至約 9 . Ο // m / m °C )，及其混合物。在本發明之較宜實施 例中，C T E修改組成份包含低膨脹鐵-鎳合金，因爲此 等具有低或負C T E。容易沾著並加於焊料合金中，具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -14- 544886 A7 ^^____ 五、發明説明（如 較高之導熱率，並具有較高之延性，使其可彌補後合金處 理（例如軋製及擠出）。τ I Μ及基體間之C T E失配宜 在約5 " m / ηΊ。〇及約3 0 // m / m °C之間。丁 I Μ及基 體間之C Τ Ε失配更宜在約5 // m / m °C及約2 Ο # m / m °C之間。Τ I M及基體間之C T E失配仍更宜低於約 1 0 ^ m / m °c。最宜對特定應用之所需C Τ E失配修改 TIM。 雖焊料量及C Τ E修改組成份取決於特定應用，但 丁 I Μ宜包含約3 0 %至約9 0 %體積之焊料，及約1 0 %至約7 0 %體積之C Τ Ε修改組成份。Τ I Μ更宜包含 約5 0 %至約9 0體積之焊料，及約5 0 %體積之C Τ Ε 修改組成份。
C.TIM製造方法—最佳化CTE 本發明之高性能Τ I Μ可由任何適用之方法製造，並 施加於基體上。例如，C Τ Ε修改組成份之微粒可加於焊 料及/或導熱率提高組成份中，以形成複合Τ I Μ。複合 Τ I Μ普通然後軋製成薄片預定形狀（例如0 . 2 5 m m 厚度以下）。爲製造熱介面，加熱TIM預定形狀，並在 熔化期間中，與基體接觸，並使其冷卻，固化，及黏合。 另一方法爲使用所需厚度之箔片或網片，包含一黏合組成 份及/或一導熱率提高組成份，其中構製孔（例如由鑿孔 或蝕刻），及以C Τ E修改組成份塡於孔中。例如，具有 六角形相分開之孔之銦基礎之箔片可塡以氧化鋇。在銅箔 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 544886 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或網之情形，以黏合組份，諸如銦塗覆銅（例如，使用浸 漬或塗鍍）。可能需要適當之擴散障壁組成份（例如鎳， 欽，或其他過渡金屬），以防止銅在熔化/黏合過程中迅 速溶解於銦中。另一方法爲使用含有黏合組成份及/或導 熱率提高組成份（例如9 0 %理論密度）之海綿，塡以 C T E修改組成份。如需要，海綿可切成薄片，以達成所 需之厚度。 C 丁 E修改組成份微粒普通”預沾”以焊料，以確保 在重流期間中與黏合組成份黏合。明確言之，C T E修改 組成份微粒由任何適當之方法，諸如塗鍍，熱噴灑，真空 沉積，或還原處理，塗以薄層之焊料。 Η·CTE失配抵抗半導體基體/散熱組成件介面 本發明並係有關一種改良之介面，用以連接半導體基 體及散熱組成件。該改良之介面減小或消除Τ I Μ及基體 間C Τ Ε失配之負面影響。故此，改良之介面增加C Τ Ε 失配之臨限範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考圖1 ，電子裝置封裝1之普通半導體/散熱組成 件構造包含一半導體基體2，具有一前表面3及一後表面 4 ’ 一電子裝置（未顯示）置於前表面上，一第一熱介面 材料5黏合半導體基體4之背表面於一散熱組成件6，此 具有一前表面7，散熱組成件包含一熱交換層8 ，此具有 一背表面9及一前表面1 〇，且在可選擇上，一蓋1 1具 有一背表面1 2及一前表面1 3。如包含可選擇盡1 1 ’ -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ 297公釐） 544886 A7 五、發明説明（如 則〜第一熱介面材料1 4黏合蓋丨丨之背表面至熱交換層 1 〇之刖表面。依據本發明，上述高性能熱介面材料可用 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以補償此一普通電子裝置封裝中之基體及蓋間，及蓋及熱 交換層間之c T E失配。 現參考圖2 ’本發明並係有關一種電子裝置封裝1 ， 包S —半導體基體2具有一前表面及一後表面，及電子裝 置（未顯示）置於半導體基體之前表面上。該封裝亦包含 一蓋1 1 ，此包含一凹口 15用以接受一***件，其 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 大小及形狀配合於凹口內。在此實施例中，凹口自蓋之前 表面向內延伸至蓋之前表面及背表面間之一點。***件包 含一前表面1 7，一背表面1 8，及一介面與蓋1 9接觸 。電子裝置封裝另包含一第一熱介面材料5，此黏合基體 2之背表面於***件1 7之前表面。該封裝宜亦包含一第 二熱介面材料1 4 ’此黏合蓋1 2之背表面至熱交換層8 。***件包含一熱應力解除材料，此具有一 c T E，此較 之蓋之CTE更接近匹配基體之CTE (閱以上）。換言 之，***件之CTE在蓋之CTE及基體之CTE之間。 故此’第一熱介面材料僅需承受***件及基體間較小之 C T E失配，而非基體及蓋間之較大失配。結果，最大之 C T E失配普通在***件/蓋介面之間，且由於***件之 C T E普通小於蓋者，故***件可壓縮安裝於蓋內。 現參考圖3 ，凹口15可延伸穿過蓋11(即凹口自 蓋之前表面延伸至背表面），且同樣，***件1 6可延伸 完全穿過蓋1 1 。結果，第二熱茨面材料1 4亦黏合*** -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544886 A7 B7 五、發明説明（fe 件1 6於熱交換層8。 鑒於上述，可見達成本發明之若干目的。由於以上組 改 更 種 各 作項 可事 中之 法含 方所 及中 成述 脫 不 而 限 hp 且 解 例 爲 釋 解 應 圍 之 ο 發義 本意 αε .11π 離伟 上 故 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18-

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544886 r 丨^ 六、申請專利範圍 附件4: 第91110912號專利申請案修正後無劃線之 中文申請專利範圍替換本 民國92年2月13日修正 1 . 一種用以黏合基體之熱介面材料，該熱介面材料 之特徵爲重流溫度低於約3 5 0 °C，導熱率至少約爲1 5 界/1111<[，及基本上包含： a · —焊料，具有熔化溫度低於約3 0 0 °C，及基本 上包含： i . 一黏合組成份，選自銦，銦一鍚合金，金-鍚合 金，及其混合物所組之群中； i 1•可選擇上，一導熱率提高組成份，具有導熱率 至少約爲1 0 0 W/m K ;及 1 i i •一固有除氧劑，選自稀土金屬，鹼金屬，鹼 土金屬，耐火金屬，鋅，及其混合物及合金所組之群中； 及 b · — C T E修改組成份，具有一熱膨脹係數低於約 1 0 # m / m 〇C 〇 2 ·如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，具有 一重流溫度低於約2 5 0 °C，並具有一導熱率至少約爲 2 〇 W / m K。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，具有 一重流溫度低於約2 0 0 °C，並具有一導熱率至少約爲 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 1 · IJ I 1 111111 I n 111 會—ίί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 544886 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 〇 W / m K。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 .如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其中 ，黏合組成份爲銦。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其中 ，C 丁 E修改組成份選自氧化鋇，氧化鋁，氮化鋁，鈣化 矽，二氧化矽，銅-鎢合金，低膨脹鐵-鎳合金，低膨脹 陶瓷粉，低膨脹玻璃粉，及其混合物所組之群中。 6 .如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其中 ，焊料爲熱介面材料之約3 0 %至約9 0 %之體積，及 C 丁 E修改組成份爲熱介面材料之約1 0 %至約7 0 %之 體積。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其中 ，焊料爲熱介面材料之約5 0 %至約9 0 %之體積，及 C T E修改組成份爲熱介面材料之約1 0 %至約5 0之體 積。 8 .如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其中 ，導熱率提高組成份選自銀，銅’金’及其混合物及合金 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所組之群中。 9 .如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其中 ，鹼金屬選自鋰，鈉，及鉀，及其混合物及合金所組之群 中，驗土金屬選自鎂及惩及其混合物及合金所組之群中， 耐火金屬選自鈦，鍩，給，鉅，釩，及鈮，及其混合物及 合金所組之群中，稀土金屬選自鑭’鈽’鐯’衫’鈸，銪 ，礼，鏑，及釔，及其混合物及合金所組之群中。 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544886 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 〇 ·如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其 中，黏合組成份爲銦或銦-鍚合金，及焊料中之耐火金屬 之總濃度低於約1 0 %之重量，焊料中之稀土金屬之總濃 度低於約5 %之重量，及鹼金屬，鹼土金屬，及鋅之總濃 度低於約2 0 %之重量。 1 1 ·如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料，其 中，黏合組成份爲金-鍚合金，及焊料中之耐火金屬之總 濃度低於約5 %之重量，稀土金屬之總濃度低於約3 %重 量，及鹼金屬，鹼土金屬，及鋅之總濃度低於約1 0· %之 重量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 · —種用以黏合基體之熱介面材料，熱介面材料 包含一焊料，此包含金，一第二金屬選自鍚，矽，鍺，及 其混合物及合金所組之群中，及一固有除氧劑選自稀土金 屬，鹼金屬，鹼土金屬，耐火金屬，鋅，及其混合物及合· 金所組之群中，其中，該焊料包含約7 5至約8 5 %重量 之金，及約1 5至約2 0 %重量之鍚，或該焊料包含至少 約9 0 %重量之金及約1至5 %重量之矽，或該焊料包含 至少約8 0重量之金及約5至約1 5 %重量之鍺。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之熱介面材料， 其中，焊料中之耐火金屬之總濃度低於約5 %之重量，耐 火金屬之總濃度低於約3 %重量，及鹼金屬，鹼土金屬， 及鋅之總濃度低於約1 0 %之重量。 1 4 · 一種用以黏合基體之熱介面材料，該熱介面材 料之特徵爲具有重流溫度低於約3 5 0 °C，並具有導熱率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~7ΤΊ ' 544886 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 至少爲約1 5 W/m K，熱介面材料基本包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一焊料，基本上包含銦，約0 · 5至約2 %重量之鈦 ，及約0 · 1至約2 %重量之misch金屬，其中，焊料之濃 度範圍自熱介面材料之約3 0 %至約9 0 %之體積；及 一 C T E修改組成份，選自氧化鋇，氧化鋁，氮化鋁 ，鈣化矽，二氧化矽，銅-鎢合金，低膨脹鐵-鎳合金， 低膨脹陶瓷粉，低膨脹玻璃粉，及其混合物所組之群中， 其中，C T E修改組成份之濃度範圍自熱介面材料之約 1 0 %至約7 0 %之體積。 1 5 · —種用以黏合基體之熱介面材料，該熱介面材 料之特徵爲具有重流溫度低於約3 5 0 t，並具有導熱率 至少爲約1 5 W/m K，熱介面材料基本上包含： 一焊料，基本上包含銦，約1 %重量之鈦，及約 〇· 2 %重量之misch金屬，其中，焊料之濃度範圍自熱介 面材料之約3 0 %至約9 0 %之體積；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一 C T E修改組成份，選自氧化鋇，氧化銘，氮化銘 ，鈣化矽，二氧化矽，銅-鎢合金，低膨脹鐵-鎳合金， 低膨脹陶瓷粉，低膨脹玻璃粉，及其混合物所組之群中， 其中，C T E修改組成份之濃度範圍自熱介面材料之約 10 %至約7 0%之體積。 1 6 · —種活性焊料，此在約3 0 0 °C以下之溫度沾 著金屬及非金屬表面，而無需外在之助熔，活性焊料包含 黏合組成份選自銦，銦-鍚合金，金-鍚合金，及其混合 物所組之群中，及一固有除氧劑選自鹼金屬，鹼土金屬， 本‘張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4祕（210X297公董)~ 544886 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 耐火金屬，稀土金屬，及鋅，及其混合物及合金所組之群 中 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之活性焊料，其 中，黏合組成份爲銦或銦-鍚合金，及耐火金屬之總濃度 低於約1 0 %之重量，稀土金屬之總濃度低於約5 %之重 量，及鹼金屬，鹼土金屬，及鋅之總濃度低於約2 0 %之 重量。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所述之活性焊料，其 中，黏合組成份爲銦或銦-鍚合金，及固有除氧劑爲約 0.5至約2%重量之鈦及約0.1至約2%重量之111丨^11 金屬。 1 9 ·如申請專利範圍第1 6項所述之活性焊料，# 中，黏合組成份爲銦或銦-鍚合金，及固有除氧劑爲約1 %重量之鈦及約0 . 2重量之misch金屬。 2 0 ·如申請專利範圍第1 6項所述之活性焊料，# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中，黏合組成份爲金-錫合金’及金-錫合金包含約了了 至約8 3%重量之金，及約1 7至約2 3%重量之鍚，& 焊料中之耐火金屬之總濃度爲約〇 · 5至約 1 · 5 %之重量，鹼金屬之總濃度爲約0 · 1至約〇 . 5 %重量，鹼土金屬之總濃度爲約0 · 1至約0 . 5 % g量 ，及鋅之總濃度爲約0 · 1至約0 · 5 %之重量。 2 1 · —種電子裝置封裝，包含： a .—半導體基體，具有一前表面及一背表面； b·—電子裝置，在半導體基體之前表面上； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 了5 : ' -- 544886 A8 B8 C8 _ D8 々、申請專利範圍 C · 一散熱組成件，具有一前表面及一背表面；及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) d · —熱介面材料，黏合半導體基體之背表面於散熱 組成件之前表面，熱介面材料之特徵爲一重流溫度低於約 3 5 0 °C，導熱率至少約爲1 5W/mK，及基本上由具 有熔化溫度低於約3 0 0 t之一焊料及具有熱膨脹係數至 少約爲1 0 // m / m °C之一 C T E修改組成份組成，其中 ，焊料基本上包含： i · 一黏合組成份，選自自麵，銅—鏡合金’金一錫 合金，及其混合物所組之群中； · i i ·可選擇上，一導熱率提高組成份，具有導熱率 至少約爲1 0 0 W/m K ;及 1 i i .一固有除氧劑，選自稀土金屬，鹼金屬，鹼 土金屬，而火金屬，鋅，及其混合物及合金所組之群中。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，C T E修改組成份具有熱膨脹係數低於約8 // m / m t： 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，熱介面材料包含約3 0 %至約9 0 %體積之焊料 ，及約1 0 %至約7 0 %體積之C T E修改組成份。 2 4 _如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，熱介面材料包含約5 0 %至約9 0 %體積之焊料 ，及約1 0 %至約5 0 %體積之C T E修改組成份。 2 5 .如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ’其中，熱介面材料之特徵爲具有重流溫度低於約2 5 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 544886 A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 °c。 2 6 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，熱介面材料之特徵爲具有重流溫度低於約2 0〇 。。。 2 7 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，熱介面材料之特徵爲具有總體導熱率至少約爲 2 〇 W / m K。 2 8 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，熱介面材料之特徵爲具有總體導熱率至少約爲· 3 0 W / m K 〇 2 9 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，電子裝置封裝之特徵爲在半導體基體之背表面及 熱介面材料間之介面熱轉移係數大於約5 0 W / c m 2 。 3 0 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ’其中’電子裝置封裝之特徵爲在半導體基體之背表面及 熱介面材料間之介面熱轉移係數大於約5 0 0 W / c m 2。(： ο 3 1 .如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ’其中，C T E修改組成份選自氧化鋇，氧化鋁，氮化銘 ，鈣化矽’二氧化矽’銅-鎢合金，低膨脹鐵鎳合金，低 膨脹陶瓷粉，低膨脹玻璃粉，及其混合物所組之群中。 3 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，導熱率提高組成份選自銀，銅，金，及其混合物 及合金所組之群中。 本ϋ尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "ΤΤΙ --—--- ^ϋ— - ϋι» -i^n ^ -I - -‘ i^n· - / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 4 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 544886 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 3 .如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，鹼金屬選自鋰，鈉，及鉀，及其混合物及合金所 組之群中，鹼土金屬選自鎂及鈣及其混合物及合金所組之 群中，耐火金屬選自鈦，銷，鈴，鉬，釩，及鈮，及其混 合物及合金所組之群中，稀土金屬選自鑭，鈽，錯，杉， 銨，銪，IL，鏑，及釔，及其混合物及合金所組之群中。 3 4 .如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，焊料基本上包含銦，約0 . 5至約2 %重量之鈦 ，及約0 · 1至約2 %重量之misch金屬。 3 5 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子裝置封裝 ，其中，焊料基本上包含銦，約1 %重量之鈦，及約 0 . 2 %重量之misch金屬。 36 .—種電子裝置封裝，包含： 一半導體基體，具有一前表面及一背表面； 一電子裝置，在半導體基體之前表面上； 一蓋，具有一前表面及一背表面，及一凹口用以接受 一***件； 一***件，其大小及形狀配合於蓋之凹口內，***件 具有一前表面，一背表面，一表面與蓋接觸，及一熱膨係 數在約該蓋及約半導體基體之間； 一第一熱介面材料，黏合半導體基體之背表面於*** 件之前表面之至少一部份； 一熱交換層，具有一前表面及背表面； 一第二熱介面材料，用以黏合熱交換層之前表面之至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----•t.-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544886 A8 B8 C8 D8 穴、申請專利托圍 少一部份於蓋之背表面；其中第二介面材料黏合***件之 背表面至交換層之前表面； 其中該半導體基體包含砂，蓋包含銅，熱交換層包含 鋁，***件選自氧化鋇，氧化鋁，氮化鋁，鈣化矽，二氧 化矽，銅-鎢合金，低膨脹鐵鎳合金，低膨脹陶瓷粉，低 膨脹玻璃粉，及其混合物所組之群中，及第一及第二熱介 面材料包含選自銦，鍚，金，鉍，鉛，矽，鍺，銅，銀， 鋰，鈉，鉀，鎂，鈣’鈦，銷，給，鉬，釩，鈮，鑭，鈽 ，鐯，釤，鈸，乱，铽，鏑，鋅，及其混合物及合金所組 之群中之一焊料；及 其中該第一及第二熱介面材料包含C T E修改組成份 ，選自氧化鋇，氧化鋁，氮化鋁，鈣化矽，二氧化矽，銅 -鎢合金，低膨脹鐵-鎳合金，低膨脹陶瓷粉，低膨脹坡 璃粉，及其混合物所組之群中。 3 7 ·如申請專利範圍第3 6項所述之電子裝置封裝 ，其中，該蓋中之凹口自蓋之前表面向內延伸至蓋之前表 面及背表面間之一點。 3 8 .如申請專利範圍第3 6項所述之電子裝置封裝 ，其中，該蓋中之凹口自蓋之前表面向內延伸至蓋之背表 面。 3 9 ·如申請專利範圍第3 6項所述之電子裝置封裝 ，其中，***件壓縮安裝於蓋中。 4 0 ·如申請專利範圍第3 6項所述之電子裝置封裝 ’其中’半導體基體之整個背表面由第一熱介面材料黏合 [紙張尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（21GX297公釐)7〇1 ------------•裝------訂--------1-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 544886 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 於***件之前表面 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公嫠） -10-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7493943B2 (en) 2004-07-16 2009-02-24 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Heat collector

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6940721B2 (en) * 2000-02-25 2005-09-06 Richard F. Hill Thermal interface structure for placement between a microelectronic component package and heat sink
US7078109B2 (en) * 2000-02-25 2006-07-18 Thermagon Inc. Heat spreading thermal interface structure
EP1363325B1 (en) * 2001-02-22 2013-02-20 NGK Insulators, Ltd. Member for electronic circuit, method for manufacturing the member
CA2447978C (en) * 2001-05-24 2011-04-26 Fry's Metals, Inc. Thermal interface material and heat sink configuration
US7187083B2 (en) * 2001-05-24 2007-03-06 Fry's Metals, Inc. Thermal interface material and solder preforms
KR100442695B1 (ko) * 2001-09-10 2004-08-02 삼성전자주식회사 열 방출판이 부착된 플립칩 패키지 제조 방법
US6841413B2 (en) * 2002-01-07 2005-01-11 Intel Corporation Thinned die integrated circuit package
US20050136640A1 (en) * 2002-01-07 2005-06-23 Chuan Hu Die exhibiting an effective coefficient of thermal expansion equivalent to a substrate mounted thereon, and processes of making same
US7436058B2 (en) * 2002-05-09 2008-10-14 Intel Corporation Reactive solder material
JP4014528B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-28 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュールの製造方法及びヒートスプレッダモジュール
DE10319888A1 (de) 2003-04-25 2004-11-25 Siemens Ag Lotmaterial auf SnAgCu-Basis
CN101448382A (zh) * 2003-06-06 2009-06-03 霍尼韦尔国际公司 热互连***及其制造和使用的方法
US20050100474A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Benlih Huang Anti-tombstoning lead free alloys for surface mount reflow soldering
US7190706B2 (en) * 2003-12-10 2007-03-13 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Ptd. Ltd. Soft metal heat transfer for transceivers
US7347354B2 (en) * 2004-03-23 2008-03-25 Intel Corporation Metallic solder thermal interface material layer and application of the same
JP2008521613A (ja) * 2004-11-30 2008-06-26 ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア 適合した熱膨張係数を持つロウ付けシステム
US7288438B2 (en) * 2005-04-28 2007-10-30 Intel Corporation Solder deposition on wafer backside for thin-die thermal interface material
US7816249B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-19 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Method for producing a semiconductor device using a solder alloy
US20070013054A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Ruchert Brian D Thermally conductive materials, solder preform constructions, assemblies and semiconductor packages
US7749336B2 (en) 2005-08-30 2010-07-06 Indium Corporation Of America Technique for increasing the compliance of tin-indium solders
JP4378334B2 (ja) * 2005-09-09 2009-12-02 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュール及びその製造方法
US20070071634A1 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Indium Corporation Of America Low melting temperature compliant solders
US7749340B2 (en) * 2005-10-24 2010-07-06 Indium Corporation Of America Technique for increasing the compliance of lead-free solders containing silver
TW200720005A (en) * 2005-11-28 2007-06-01 Univ Nat Central Solder composition and soldering structure
CN1978583A (zh) * 2005-12-09 2007-06-13 富准精密工业(深圳)有限公司 热介面材料
US20070152325A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Intel Corporation Chip package dielectric sheet for body-biasing
WO2007133528A2 (en) * 2006-05-08 2007-11-22 Indium Corporation Of America Alloy compositions and techniques for reducing intermetallic compound thickness and oxidation of metals and alloys
JP2007305702A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4589269B2 (ja) * 2006-06-16 2010-12-01 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5497261B2 (ja) 2006-12-15 2014-05-21 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． インジウム組成物
US20110041898A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Emcore Solar Power, Inc. Back Metal Layers in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US8585885B2 (en) 2007-08-28 2013-11-19 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electrochemically deposited indium composites
US7834442B2 (en) * 2007-12-12 2010-11-16 International Business Machines Corporation Electronic package method and structure with cure-melt hierarchy
EP2848714B1 (en) * 2008-04-22 2016-11-23 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions
US9142480B2 (en) * 2008-08-15 2015-09-22 Intel Corporation Microelectronic package with high temperature thermal interface material
US8174113B2 (en) * 2008-09-17 2012-05-08 Intel Corporation Methods of fabricating robust integrated heat spreader designs and structures formed thereby
US7641349B1 (en) 2008-09-22 2010-01-05 Cymer, Inc. Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer
US20100155021A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 Chin Hsiang Chiang Heat exchange cooling structure
DE102009003178A1 (de) * 2009-05-18 2010-11-25 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Keramisches Bauteil mit mindestens einer elektrischen Durchführung, Verfahren zu dessen Herstellung und Drucksensor mit einem solchen Bauteil
DE102009026655B3 (de) * 2009-06-03 2011-06-30 Linde Aktiengesellschaft, 80331 Verfahren zur Herstellung eines Metallmatrix-Verbundwerkstoffs, Metallmatrix-Verbundwerkstoff und seine Verwendung
US20110096507A1 (en) * 2009-10-24 2011-04-28 Kester, Inc. Microelectronic thermal interface
US8348139B2 (en) * 2010-03-09 2013-01-08 Indium Corporation Composite solder alloy preform
US9346114B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Aerojet Rocketdyne Of De, Inc. Substrate having laser sintered underplate
CN101885119B (zh) * 2010-06-25 2012-01-11 常熟市华银焊料有限公司 含V、Nd和Ge的Sn-Cu-Ni无铅钎料
JP5781824B2 (ja) 2010-08-12 2015-09-24 キヤノン株式会社 熱膨張抑制部材および対熱膨張性部材
JP5795187B2 (ja) * 2010-08-12 2015-10-14 キヤノン株式会社 対熱膨張性樹脂および対熱膨張性金属
US8498127B2 (en) * 2010-09-10 2013-07-30 Ge Intelligent Platforms, Inc. Thermal interface material for reducing thermal resistance and method of making the same
TW201214909A (en) * 2010-09-30 2012-04-01 Arima Lasers Corp Conduction cooled package laser and packaging method thereof
US9658000B2 (en) 2012-02-15 2017-05-23 Abaco Systems, Inc. Flexible metallic heat connector
ES2551914T3 (es) * 2012-03-22 2015-11-24 Koninklijke Philips N.V. Material de interfaz térmica
US9288930B2 (en) * 2012-05-15 2016-03-15 Gerald Ho Kim Thermal energy storage with a phase-change material in a non-metal container
CN102728965A (zh) * 2012-07-04 2012-10-17 深圳市亿铖达工业有限公司 高强度的led焊料
DE102012216546B4 (de) * 2012-09-17 2023-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zum verlöten eines halbleiterchips mit einem träger
JP6084915B2 (ja) * 2012-11-06 2017-02-22 日本碍子株式会社 セラミックス部材と金属部材との接合体及びその製法
US20150027993A1 (en) * 2013-07-29 2015-01-29 Siemens Energy, Inc. Flux for laser welding
CN103273219B (zh) * 2013-06-28 2015-04-15 深圳市富维德电子科技有限公司 一种锡银铜镍焊料及其制备方法
CN104562006B (zh) * 2013-10-25 2018-08-14 通用电气公司 以耐腐蚀层保护的元件及制造该元件的方法
US9282681B2 (en) 2014-01-21 2016-03-08 Seagate Technology Llc Dissipating heat during device operation
US10094017B2 (en) * 2015-01-29 2018-10-09 Slt Technologies, Inc. Method and system for preparing polycrystalline group III metal nitride
CA2978795A1 (en) 2015-03-16 2016-09-22 Dana Canada Corporation Heat exchangers with plates having surface patterns for enhancing flatness and methods for manufacturing same
US20160276242A1 (en) * 2015-03-20 2016-09-22 Raytheon Company Thermal spreader having inter-metal diffusion barrier layer
US10475724B2 (en) 2015-08-27 2019-11-12 Dana Canada Corporation Heat exchangers for dual-sided cooling
CN107427968B (zh) * 2015-09-17 2020-11-24 富士电机株式会社 半导体装置用软钎焊材料
KR20170039431A (ko) * 2015-10-01 2017-04-11 현대자동차주식회사 솔더링 접합방식 인버터 및 이를 적용한 하이브리드 차량
US10054375B2 (en) * 2016-06-15 2018-08-21 Mellanox Technologies, Ltd. Self-adjusting cooling module
CN108340094B (zh) * 2017-01-23 2020-11-17 北京有色金属与稀土应用研究所 一种Ag-Cu-In-Sn-Ti合金钎料及其制备方法和应用
CN107052308B (zh) * 2017-03-16 2019-02-26 宁波新瑞清科金属材料有限公司 一种泡沫铜复合的液态金属热界面材料
CN107083509B (zh) * 2017-03-16 2018-06-19 宁波新瑞清科金属材料有限公司 用于igbt散热的复合式液态金属热界面材料
EP3621767B1 (en) * 2017-05-12 2022-03-16 Alpha Assembly Solutions Inc. Solder material and method for die attachment
US10607857B2 (en) * 2017-12-06 2020-03-31 Indium Corporation Semiconductor device assembly including a thermal interface bond between a semiconductor die and a passive heat exchanger
DE102018207651B4 (de) * 2018-05-16 2024-07-04 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtungen mit einer metallsilicidschicht und verfahren zu ihrer herstellung
US10394292B1 (en) 2018-06-11 2019-08-27 Microsoft Technology Licensing, Llc Cryogenic computing system with thermal management using a metal preform
US10418306B1 (en) * 2018-06-22 2019-09-17 Trw Automotive U.S. Llc Thermal interface for electronics
US11791237B2 (en) * 2018-06-27 2023-10-17 Intel Corporation Microelectronic assemblies including a thermal interface material
CN109443052A (zh) * 2018-10-24 2019-03-08 中国科学院理化技术研究所 一种液态金属高温换热器和换热***
US10973114B2 (en) 2018-10-29 2021-04-06 L3 Technologies, Inc. Indium-based interface structures, apparatus, and methods for forming the same
US11581239B2 (en) 2019-01-18 2023-02-14 Indium Corporation Lead-free solder paste as thermal interface material
US11682605B2 (en) 2019-05-28 2023-06-20 Intel Corporation Integrated circuit packages with asymmetric adhesion material regions
US11264306B2 (en) 2019-09-27 2022-03-01 International Business Machines Corporation Hybrid TIMs for electronic package cooling
US10980152B1 (en) * 2019-11-11 2021-04-13 Seagate Technology Llc Thermal rectification with phase change materials
US10842043B1 (en) 2019-11-11 2020-11-17 International Business Machines Corporation Fabricating coolant-cooled heat sinks with internal thermally-conductive fins
CN111085796B (zh) * 2019-12-13 2021-11-19 西安交通大学 用于碳纤维强化的陶瓷基复合材料的Fe基多元活性高温钎料
CN111534732B (zh) * 2019-12-26 2021-05-11 有研工程技术研究院有限公司 一种电子封装热界面用In基合金及其制备方法
US11156409B2 (en) 2020-01-20 2021-10-26 International Business Machines Corporation Coolant-cooled heat sinks with internal thermally-conductive fins joined to the cover
CN113275787B (zh) * 2020-01-31 2023-05-30 铟泰公司 作为热界面材料的无铅焊料膏
US11819953B2 (en) * 2020-10-18 2023-11-21 Mesoglue, Inc Method of using amalgamation preform
US11826858B2 (en) * 2020-10-18 2023-11-28 Mesoglue, Inc. Amalgamation preform
CN112466756A (zh) * 2020-11-17 2021-03-09 深圳宝铭微电子有限公司 一种碳化硅mosfet制造方法
EP4266842A1 (en) 2022-04-22 2023-10-25 Comet AG Printed-circuit-board structure and method for manufacturing

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3996548A (en) 1975-11-19 1976-12-07 Honeywell Inc. Photodetector-to-substrate bonds
US4670770A (en) * 1984-02-21 1987-06-02 American Telephone And Telegraph Company Integrated circuit chip-and-substrate assembly
US4954870A (en) * 1984-12-28 1990-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JPH07121467B2 (ja) 1986-02-24 1995-12-25 三菱マテリアル株式会社 Ｓｉ半導体素子をＣｕ基合金製リードフレームに少ない残留熱歪ではんだ付けする方法
JPS62212095A (ja) 1986-03-13 1987-09-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ろう材
JPS62263895A (ja) 1986-05-13 1987-11-16 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ろう材
DE3777522D1 (de) * 1986-10-17 1992-04-23 Hitachi Ltd Verfahren zum herstellen einer gemischten struktur fuer halbleiteranordnung.
US4965659A (en) * 1987-06-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for a semiconductor structure
JPH0826153B2 (ja) 1987-11-12 1996-03-13 チッソ株式会社 可溶性イミド基含有シリコン系オリゴマー及びその製造方法
JPH01149378A (ja) 1987-12-04 1989-06-12 Shinko Electric Ind Co Ltd セラミック基体のリード取り付け構造
US5240172A (en) * 1989-10-27 1993-08-31 Degussa Aktiengesellschaft Solder alloy for dental and jewelry parts
US5023697A (en) * 1990-01-10 1991-06-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with copper wire ball bonding
JPH03230552A (ja) 1990-02-05 1991-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子実装用接合材
US5097387A (en) 1990-06-27 1992-03-17 Digital Equipment Corporation Circuit chip package employing low melting point solder for heat transfer
US5066544A (en) * 1990-08-27 1991-11-19 U.S. Philips Corporation Dispersion strengthened lead-tin alloy solder
JPH04155949A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Nec Yamagata Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH0570252A (ja) 1991-02-14 1993-03-23 Mitsubishi Materials Corp ろう接用合金
JP2878887B2 (ja) * 1991-12-26 1999-04-05 株式会社豊田中央研究所 半導体電極構造体
NL9200564A (nl) 1992-03-26 1993-10-18 Elephant Edelmetaal Bv Dentaallegering en dentaalporselein voor tandheelkundige doeleinden.
US5256370B1 (en) 1992-05-04 1996-09-03 Indium Corp America Lead-free alloy containing tin silver and indium
US5242658A (en) 1992-07-07 1993-09-07 The Indium Corporation Of America Lead-free alloy containing tin, zinc and indium
JPH07105586B2 (ja) * 1992-09-15 1995-11-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体チップ結合構造
JPH06112515A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Japan Energy Corp 半導体放射線検出器およびその製造方法
WO1994014190A1 (en) * 1992-12-10 1994-06-23 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Surface structure for soldering and non-flux soldering method using the same
US5552234A (en) * 1993-03-29 1996-09-03 Japan Energy Corporation Copper foil for printed circuits
JPH06318655A (ja) 1993-05-06 1994-11-15 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体チップ用放熱部材及びその製造方法
US5503286A (en) * 1994-06-28 1996-04-02 International Business Machines Corporation Electroplated solder terminal
DE19526822C2 (de) 1995-07-15 1998-07-02 Euromat Gmbh Lotlegierung, Verwendung der Lotlegierung und Verfahren zum Verbinden von Werkstücken durch Löten
GB9514777D0 (en) * 1995-07-19 1995-09-20 Osprey Metals Ltd Silicon alloys for electronic packaging
JP3346971B2 (ja) * 1995-12-20 2002-11-18 株式会社東芝 光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法
JP3220635B2 (ja) * 1996-02-09 2001-10-22 松下電器産業株式会社 はんだ合金及びクリームはんだ
GB2327150B (en) 1996-03-21 1999-07-07 Furukawa Electric Co Ltd Composite substrate for heat-generating semiconductor device and semiconductor decice and semiconductor apparatus using the same
US5755896A (en) 1996-11-26 1998-05-26 Ford Motor Company Low temperature lead-free solder compositions
US5907474A (en) * 1997-04-25 1999-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Low-profile heat transfer apparatus for a surface-mounted semiconductor device employing a ball grid array (BGA) device package
JP2980066B2 (ja) * 1997-07-07 1999-11-22 日本電気株式会社 半導体装置
DE19729545A1 (de) * 1997-07-10 1999-01-14 Euromat Gmbh Lotlegierung
US6120885A (en) * 1997-07-10 2000-09-19 International Business Machines Corporation Structure, materials, and methods for socketable ball grid
US6047876A (en) 1997-09-12 2000-04-11 Materials Resources International Process of using an active solder alloy
US6059900A (en) * 1998-02-18 2000-05-09 Indium Corporation Of America Lead-based solders for high temperature applications
US6337445B1 (en) * 1998-03-16 2002-01-08 Texas Instruments Incorporated Composite connection structure and method of manufacturing
US5938862A (en) 1998-04-03 1999-08-17 Delco Electronics Corporation Fatigue-resistant lead-free alloy
US6205264B1 (en) 1998-04-14 2001-03-20 Lucent Technologies Inc. Optical assembly with improved dimensional stability
US6158644A (en) * 1998-04-30 2000-12-12 International Business Machines Corporation Method for enhancing fatigue life of ball grid arrays
US6326685B1 (en) 1998-05-04 2001-12-04 Agere Systems Guardian Corp. Low thermal expansion composite comprising bodies of negative CTE material disposed within a positive CTE matrix
JPH11345905A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2000138333A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Shibafu Engineering Kk モジュール型半導体装置
US6176947B1 (en) 1998-12-31 2001-01-23 H-Technologies Group, Incorporated Lead-free solders
EP1106301A1 (en) * 1999-06-11 2001-06-13 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Lead-free solder
JP3418164B2 (ja) 1999-09-07 2003-06-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電子パッケージ及び電子パッケージの製造方法
JP2001127375A (ja) 1999-10-29 2001-05-11 Kyocera Corp 光半導体素子搭載用サブマウント
DE19953670A1 (de) 1999-11-08 2001-05-23 Euromat Gmbh Lotlegierung
US6365973B1 (en) 1999-12-07 2002-04-02 Intel Corporation Filled solder
US6319617B1 (en) 1999-12-17 2001-11-20 Agere Systems Gaurdian Corp. Oxide-bondable solder
US6306516B1 (en) 1999-12-17 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising oxide-bondable solder
US6403233B1 (en) 2000-04-13 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising creep-resistant and stress-reducing solder
US6781065B1 (en) * 2000-06-08 2004-08-24 The Whitaker Corporation Solder-coated articles useful for substrate attachment
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
US6610591B1 (en) * 2000-08-25 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of ball grid array
JP4605883B2 (ja) 2000-10-16 2011-01-05 京セラ株式会社 配線基板
CA2447978C (en) * 2001-05-24 2011-04-26 Fry's Metals, Inc. Thermal interface material and heat sink configuration
US6504242B1 (en) * 2001-11-15 2003-01-07 Intel Corporation Electronic assembly having a wetting layer on a thermally conductive heat spreader
TW517365B (en) * 2001-11-29 2003-01-11 Orient Semiconductor Elect Ltd Heat dissipation plate and its bonding process with substrate
JP3509809B2 (ja) 2002-04-30 2004-03-22 住友電気工業株式会社 サブマウントおよび半導体装置
US20050069725A1 (en) * 2003-07-03 2005-03-31 Boaz Premakaran T. Lead-free solder composition for substrates
JP4155949B2 (ja) * 2004-07-02 2008-09-24 電源開発株式会社 水力発電施設

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7493943B2 (en) 2004-07-16 2009-02-24 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Heat collector

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005510357A (ja) 2005-04-21
AU2002318144A1 (en) 2003-01-29
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EP1404883B1 (en) 2014-07-16
CA2447978A1 (en) 2003-01-23
EP1404883A2 (en) 2004-04-07
US20070145546A1 (en) 2007-06-28
JP4666337B2 (ja) 2011-04-06
CN100444365C (zh) 2008-12-17
CA2447978C (en) 2011-04-26

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