TW536655B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

五、發明說明（/ ) 、本發明是關於一種液晶顯示裝置，尤指一種低成本、 寬視角、w i質的大畫面主動式矩陣型液晶顯示裝置。 如第一、二圖所示，係習用液晶顯示裝置中主動式元 件基板的剖面圖。該習用的主動式矩陣式液晶顯示裝置在 形成主動式元件之-側的基板（1)㉟了周邊外，係在基 板（1)上全面沈積閘極絕緣膜（4)、半導體膜（5) y 6 )、護層膜（i 6 )，而在最先形成掃瞄線（2)的 製程中，Λ 了與驅動I C迴路接續，需要除去沈積於掃瞄 線端子部（3)上的閘極絕緣膜（4)，另為了靜電對策 保濩電晶體之配線的接合，亦有必要除去閘極絕緣膜（4 如第一、二圖所示，以往ΤΝ*式的主動式元件基板 ，整個製程需要五次的光罩工程，而橫電場液晶方式之主 動式元件基板，整個製程也需要四次光罩工程。隨著液晶 顯示畫面的大型化，一片玻璃所能得到的液晶顯示元件數 目也相對減少，造成大型液晶顯示元件的價格變得非常的 鬲。且玻璃基板變大時所發生的靜電量也變得非常大，經 容易發生灰塵附著及靜電破壞的狀況，而降低了大型液晶 顯示元件的良率。 又光罩工程多時，昂貴的曝光裝置的數量需求增加， 初期投資的金額也相對提高，又因製造工廠的無塵室面積 變大，製造成本（RunningC〇st)也相對變大。且從投入玻 璃基板到完成主動式元件的時間如不儘可能的縮短，就會 需要大量的保管用倉庫。 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 536655 A7 B7 五、發明說明（丄） 再者，玻璃基板變大時，在以電漿化學氣相沈積（C v D )沈積SiNx膜、非晶矽半導體膜時，因膨脹係數與 玻璃基板相異之故，沈積後產生應力，造成基板整個扭曲 的問題。因為玻璃基板的中央部分與玻璃基板的周邊部分 的應力發生率不同，尺寸變化狀況在有效晝素區域全區域 不平均的出現，故光罩間有產生對位不良 (missalignment)的問題。 本發明主要在提供解決這些問題的手段，其目的在於 :提供一種可提高大型液晶顯示裝置製造工廠投資效率並 達成超大型、寬視角、低成本、高良率等功效的液晶顯示 裝置製造方法。 〔解決問題的手段〕 為解決前述問題及達成前述目的，本發明採用以下手 段： 該液晶顯示裝置包括有一主動式矩陣型基板、一與前 述主動式矩陣型基板成對向之對向基板、夾持於前述主動 式矩陣型基板與前述對向基板間的液晶層；其中：該主動 式矩陣型基板上分設有掃瞎信號配線及影像信號配線、於 前述掃瞄信號配線與影像信號配線的各交叉部上所形成的 薄膜電晶體、前述薄膜電晶體上所接續的畫素電極、至少 一部分與前述畫素電極呈相對方向構成的共通電極。 因此，本發明採取的手段丄，係於基板上沈積前述薄 膜電晶體元件的閘極絕緣膜時，僅部分的沈積在只含有效 畫素區域之局部，而薄膜電晶體元件的半導體層、護層膜 4 本紙張尺度過用T國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------1-----·!裝 (請先閱讀背面之注意事項5^寫本頁) I I I I 訂 — — — — — — — — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A7 ~____________ 五、發明說明（j ) 保護膜層則在基板上全面沈積。 本發明採取的手段2，係於基板上沈積前述薄膜電晶 體几件的閘極絕緣膜及半導體層時，部分的沈積在僅含有 政晝素區域之部位，護層膜保護膜層則於基板上全面沈積 Ο 本發明採取的手段3，係前述薄膜電晶體元件的閘極 絕緣膜、護層膜保護膜層沈積在基板上時，局部的沈積在 僅含有效畫素區域之部位，半導體層則在基板上全面沈積 〇 本發明採取的手段4，在前述手段3所記載的製造方 法中，令護層膜沈積區域比部分沈積在僅含有效晝素區域 的閘極緣膜更廣。 本發明採取的手段5，係在基板上沈積前述薄膜電晶 體元件的閘極絕緣膜、半導體層及護層膜保護膜層時，部 分的沈積在僅含有效晝素區域之部位。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明採取的手段6，在前述手段5所記載的製造方 法中’令護層膜保護膜層沈積區域比部分沈積於僅含有效 晝素區域的閘極絕緣膜更廣。 本發明採取的手段7，在於根據本發明採取手段1〜 6所述製造方法製作的液晶顯示裝置，係將連結前述共通 電極與前述掃描線之靜電對策用保護電晶體元件、連結前 述共通電極與前述影像信號配線之靜電對策用保護電晶體 Κ牛等為護層膜保護膜層所完全覆蓋。 本發明採取的手段8，在於依手段1〜6所述製造方 _ 5 本紙張尺庋週用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐1 " " '—' 536655 A7 --------------- 五、發明說明（f) 法製造的液晶顯示裝置，係將連結前述共通電極與前述浐 t線之靜電對策用保護電晶體元件、連結前述共通電極: 刚述影像信號配線之靜電對策用保護電晶體元件配置在局 部性沈積之閘極絕緣膜境界周邊之兩邊以上。 σ 本發明採取的手段9，在於依手段i〜6所述製造方 法所製造的液晶顯示裝置，係將連結前述共通電極與前述 掃描線之靜電對策用保護主動式元件的接續部分、連結前 述共通電極與前述影像信號配線之靜電對策用保護主動式 π件的接續部分配置在局部性沈積之閘極絕緣膜的區域以 外。 本發明採取的手段1 〇，在於依手段i〜9所述製造 方法所製造的液晶顯示裝置，係將貼合二張基板形成液晶

Cel 1的框膠線（seai)配置在局部性沈積的閘極絕緣膜周邊 境界上或閘極絕緣膜的區域以外，且位在護層膜沈積區域 以内。 本發明採取的手段11，在於使光罩的透光量有完全 透光、半透光及完全遮斷等三階段以上的變化，使正光阻 膜厚具有三階段以上的變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明採取的手段1 2，在於依手段1 1所記載的製 造方法’其掃瞄線、主動式元件的半導體區域、影像信號 配線及晝素電極等，令構成液晶顯示元件之各交叉電極、 相互重疊的段差部分光罩之透光量具有三階段以上的變化 ’而在正光阻顯影後，使光阻膜厚具有三階段以上的變化 〇 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A7 B7

五、發明說明（r) 本發明採取的手段1 3，在於依手段1 1所記載的方 法，增加連結影像信號配線及畫素電極的薄膜電晶體元件 通道部（Channel)光罩的透光量，當正光阻顯影後，使構 成薄膜電晶體元件的通道部（Channel)的正光阻膜厚變薄 〇 本發明採取的手段14,在於依手段3、4、5、β 或1 3所記載的方法，係將影像信號配線及晝素電極同時 分離形成’且除去通道部（Channel)的η+層，含此工程及 形成掃瞄線的光罩工程，以二次的光罩工程完成。 本發明採取的手段1 5，在於依手段1、2、1 3所 記載的方法，將影像信號配線及畫素電極同時形成，除去 通道部（Channel)的η+層後，於基板全面沈積護層膜，之 後開設與驅動ic回路接續之端子部接續洞（contacth〇le) 〇 本發明採取的手段1 6，在於依手段1 5所記載的方 法，令影像信號配線及汲極電極同時分別形成，並除去通 道部（Channel)的n+層後，於基板全面上沈積護層膜。之 後，同時形成與驅動1C回路接續之端子部接續洞 (Contacthole)及連結透明晝素電極與沒極電極之接續洞 (Contacthole)，之後，沈積透明導電膜及形成畫素電極 與端子部電極。 本發明採取的手段1 7，在依手段3、4、5或6所 記載的方法，同時形成影像信號配線及晝素電極之後，除 去薄膜電晶體元件的通道部（Channel)的金屬膜及n+層，

7 536655 A7 五、發明說明（厶 之後將護層膜保護膜局部的沈積在包含有效畫素區域之部 位上。 本發明採取的手段1 8，在依手段3、4、5或β所 5己載的方法，同時形成影像信號配線及汲極電極之後，沈 積透明導電膜，而在成形（Patterning)影像信號配線及畫 素電極時，除去薄膜電晶體元件的通道部（Channel)的金 屬膜及n+層，之後將護層膜保護膜局部的沈積在包含有效 晝素區域之部位上。 本發明採取的手段1 9，在依手段2、5或6所記載 的方法，將閘極絕緣膜局部的沈積在包含有效晝素區域之 P位上後，於基板的全面沈積半導體層，之後在同時形成 影像信號配線及畫素電極後，除去露出於表面的n+層，接 著將護層膜於基板上全面沈積或局部的沈積在包含有效晝 素區域之部位，之後為了形成薄膜電晶體元件的通道部 (Channel)及影像信號配線、畫素電極，除去多餘的護層 膜及半導體層。 本發明採取的手段2 0，在依手段丄、3或4所記載 的方法，將閘極絕緣膜局部的沈積在包含有效晝素區域之 部位上後，在基板的全面沈積半導體層，又在同時形成影 像信號配線及晝素電極之後，除去露出於表面的n+層，接 著，將遵層膜在基板上全面沈積或局部的沈積在包含有效 晝素區域之部位，之後除去多餘的護層膜及半導體層， 便形成薄膜電晶體元件的通道部（Channel)、影像信號 線、畫素電極。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

請 先 閱 讀 背 © 之 注 意 事 填·· ί裝 頁I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以 配 536655 Α7 ---- Β7 五、發明說明（ 本發明採取的手段2 1，在依手段1 9或2 0所記載 的方法’在同時形成影像信號配線及汲極電極之後，除去 露出於表面的n+層，接著令護層膜於基板上全面沈積或局 部的沈積在包含有效畫素區域之部位，之後除去多餘的護 層膜及半導體層之後再形成透明畫素電極，以便形成薄膜 電晶體的通道部（Channel)及影像信號配線及汲極電極。 本發明採取的手段2 2，在依手段5或6所記載的方 法’將閘極絕緣膜及半導體層局部的沈積在包含有效畫素 區域之部位後，成形（Patterning)薄膜電晶體元件的通道 部（Channel)，之後同時形成影像信號配線及畫素電極， 並在除去薄膜電晶體元件的通道部（Channel)的n+層之後 ’令護層膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部位。 本發明採取的手段2 3，在依手段3或4所記載的方 法，將閘極絕緣膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部位 後’接著令半導體層在基板上全面沈積，之後將薄膜電晶 體元件的通道部（Channel)成形（Patterning)後，同時形 成影像信號配線及畫素電極，接著除去薄膜電晶體的通道 部（Channel)的n+層，再將護層膜局部的沈積在包含有效 晝素區域之部位。 本發明採取的手段2 4，在依手段1或2所記載的方 法，將閘極絕緣膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部位 後’將半導體層沈積於基板的全面或局部的沈積在包含有 效畫素區域之部位，接著令薄膜電晶體的通道部 (Channel)成形（Patterning)後，同時形成影像信號配線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背

項 I» ί裝 頁I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（及） 及晝素電極，之後除去薄膜電晶體的通道部（Channel)的 n層’接著將護層膜沈積在基板的全面，而為了與驅動I c 接續’於端子部開設接續洞（Contacthole)。 本發明採取的手段2 5，在依手段5或6所記載的方 法中’將閘極絕緣膜及半導體層局部的沈積在包含有效晝 素區域之部位後，成形（Patterning)薄膜電晶體的通道部 (Channel)，接著同時形成影像信號配線及畫素電極，之 後除去薄膜電晶體的通道部（Channel)的n+層，而將護層 膜沈積在包含有效畫素區域之部位，隨後於護層膜上形成 共通電極。 本發明採取的手段2 6，在使閘極絕緣膜局部的沈積 在包含有效畫素區域之部位後，將半導體層及蝕刻阻止層 層（EtchingStopper)在基板上全面沈積或局部沈積在包含 有效晝素區域之部位，為了得到歐姆接觸的n+層，如果是 採離子注入方式時，僅局部的注入於包含有效畫素區域之 部位；如層係以電漿化學氣相沈積法（CVD)沈積時， 則在基板上全面沈積，或局部的沈積在包含有效晝素區域 之部位。 本發明採取的手段2 7，係指手段2 6所記載的方法 ，其影像信號配線及晝素電極同時成形（Patterning)後， 以除去露出於表面的n+層及n+層以下的半導體層等二者， 將薄膜電晶體元件的通道部（Channel)及影像信號配線、 畫素電極等分別獨立的同時形成。 本發明採取的手段2 8，係指手段2 6、2 7所記載 ___ 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·! r·^^ I I —訂 111 — · — ··· #· 536655 A7 五、發明說明（< 的方法中，其影像信號配線及晝素電極同時形成後，將護 層膜在基板上全面沈積，或局部的沈積在包含有效畫素區 域之部位。接著為了與驅動Ic接續，除去接續端子部上 多餘的護層膜、n+層及半導體層。 本發明才木取的手段2 9，顯示—晝素，係將薄膜電晶 體的閘極電極配置成平行的二道以上，薄膜電晶體的通道 部⑽繼D也配置成平行的二道以上，附屬於二個以上 的各自的通道部（Channel)之没極電極被各自連結之晝素 電極所接合。 _ 本發明採取的手段3 0，係指根據手段1至6、手段 11至28所述方法所製作液晶顯示面板的方式是採用橫 電場方式。 本毛明採取的手段3 1，係指根據手段工6及2工所 述方法所作液晶顯示面板的方式是採用簡仏液 晶方式、強誘電液晶方式、反強誘電液晶方式或垂直配向 液晶方式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明採取的手段3 2，係指根據手段，手段 1 1至2 8所述方法製作作的液晶顯示元件的掃晦線係紹 (或銘的合金）與鈦（或鈦的合金）的二層構造，或銘（或紹 合金）、鈦⑷太合金）及銦（或翻合金）的三層構造，或銘（ 或銘合金）、鉻（或鉻合金）及翻（或銷合金）的三層構造構 成’與畫素電極成相對方向的共通電極採用鈦（或欽合金） 的單層構造，或由鈦（或鈦合金）及翻（或翻合金）的二層構 造構成’或為鉻（或鉻合金）及銦（或銦合金）的二層構造。

536655 A7 ^----- -B7______ 五、發明說明（/0 ) 本發明採取的手段3 3，係指根據手段}至6、手段 1 1至2 8所述方法製作的液晶顯示元件，其掃瞄線係由 鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成的三層 構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或鉬合金） 組成的三層構造；又與畫素電極成相對方向的共通電極採 用鈦（或鈦合金）的單層構造構成，或鈦（或鈦合金）與鉬（ 或鉬合金）組成的雙層構造，或由鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬 合金）組成的雙層構造。 本發明採取的手段3 4，係指根據手段1至2 8中所 述方法製作的液晶顯示裝置，其影像信號配線是採用鈦（ 或鈦合金）與鋁（或鋁合金）的雙層構造，或由鈦（或鈦合金 )與鉬（或鉬合金）的雙層構造，或由鉻（或鉻合金）與鉬（或 銦合金）組成的雙層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明採取的手段3 5，係指根據手段1至2 8中所 述方法製作的液晶顯示裝置，其影像信號配線是採用由鈦 (或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（或鈦合金）組成的三層構 造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁的合金）與鉬（或鉬的合 金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）及鉻（ 或鉻的合金）組成的三層構造，或由鈦（或鈦合金）、鉬（或 鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三層構造，或由鈦（或鈦合 金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造。 本發明採取的手段3 6，係指根據手段1至g中所述 方法製作的液晶顯示裝置，係將閘極絕緣膜的沈積區域局 部性的限疋在有效畫素區域、影像信號配線的端子部區域 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 536655 A7 ______ B7 五、發明說明（//) 及靜電對策用保護主動式元件區域。 本發明採取的手段3 7，係指根據手段1至9中所述 方法製作的液晶顯示裝置，使從閘極絕緣膜的沈積邊界到 掃瞄線端子部末端的距離及從閘極絕緣膜的沈積邊界到靜 電對策用保護主動式元件的接合端子部末端的距離分別在 2mm以上。 本發明採取的手段3 8，係指根據手段1至6中所述 方法製作的液晶顯示裝置，是令與掃瞄線交叉的共通電極 與和影像信號配線交叉的共通電極的接續部分，位在局部 性沈積之閘極絕緣膜區域以外。 本發明採取的手段3 9，係指根據手段1至2 8中所 述方法製作的液晶顯示面板，其影像信號配線係採用由鈦 的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物 與紹（或铭合金）組成的二層構造，或鉻的矽化物與鋁（或 鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽化物與鉬（或鉬合金） 組成的二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合金）組成的二 層構造。 而根據前述技術手段可達成的功效，詳如以下所述： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一圖所示者為習知的Twistnematic液晶方式用的 薄膜電晶體元件基板的剖面圖。由於在玻璃基板全面沈積 閘極絕緣膜、半導體膜及護層膜等三層膜的製造方法乃合 理的實現最少的光罩工程次數。但光罩工程的整個工程需 要5次’在此限制下即無法進一步降低成本。又如第二圖 所示，係橫電場方式液晶方式用的薄膜電晶體元件基板的 13 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格(21G X 297公釐)" --- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（/>) 剖面。在此場合與第—圖 閘極絕緣膜、半導體膜疋知用在玻璃基板全面沈積 橫電場方式中，因不《頁使用:膜等二層膜的製造方法。於 4)(透明電⑴/、 第—圖所㈣4素電極（1 次it成可減少—次光罩工程，全工程可以4 姓。㈣/⑵ 時，掃晦線與共通電極將不可能連 I在SI ::像信號配線與共通電極也不可能連結。因 來成影像信號配線端子部上開了接續孔後 化成接合電極（13)，月μ里 故須使用第5道光罩。施電對策用保護電晶體’ 奐S之，無論採用何種的液晶方式 ’要不降低良率且能安宗& ,疋生產，如採用習知製程，降低成 本的效果將極其有限。 而如採取本發明之手段1至9，因不需要開設端子部 接續孔，可大幅縮短的工程。且即使縮短工程，與習知者 同樣的可在基板上形成靜電對策用保護電晶體，因此不會 降低良率。 又以僅沈積最低必要面積的厚膜閘極絕緣膜，可減少 對玻璃基板產生的應力，因此pattern的變形量也變小。 因此可減少光罩間的對位偏差，因對位偏差所生的顯示不 均現象亦可大幅減少。同樣的，對向基板之彩色濾光片基 板與薄膜電晶體基板間的對合對位偏差亦可減少，因此液 晶Cel 1工程（面板組裝工程）的良率可因此大幅的提昇。 又採用本發明的手段1 〇，因容易使框膠線區域的 CellGap(面板間隙）均勻化，因此可有效降低液晶cell工 程（面板組裝工程）的不良率。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 1% f 訂 # 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 536655 A7 --- B7 五、發明說明（丨3 ) 採用本發明手段1到9及手段1 1到1 4，可在薄膜 電晶體元件基板上形成靜電對策用保護電晶體，全工作僅 須兩道光罩工程，藉此以大幅縮短工程，而實現大幅降低 成本及提高生產效率之目的。而生產工廠的無塵室面積也 可望縮小，昂貴的清洗機、光阻塗布機、顯像裝置及曝光 裝置等裝備數量可降低至以往的一半以下，因此可大幅減 少初期的投資成本。又因已可不需要保管用的無塵倉儲（ CleanStoker)，故可減少大型基板上的灰塵附著，而相 對提高良率。再者，因清洗工程大量減少，純水的使用量 也減少，而使運轉成本大幅降低。採用與廉價的印刷彩色 濾、光片的組合可以實現比單純短陣型晶面板 (STN模示）更低成本的主動式矩陣型液晶面板（橫電場液晶 方式）。因此家庭的電視機也可能從影像管（CRT)轉換成主 動式矩陣型液晶面板。 如採用本發明的手段1 5，可用以製作小型的液晶面 板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如採用本發明的手段1 6、2 1可利用四次的光罩工 程製作習用Twistnematic液晶方式的液晶面板，可降低 生產成本。 如採用本發明的手段1 7、1 8，因可高精度的控制 閘極電極與畫素電極（汲極電極）的重疊面積，故可大量減 少顯示不均現象而提高良率。 如採用本發明的手段1 9、2 〇、2 1，薄膜電晶體 元件基板上可形成靜電對策用保護電晶體，全工程只以三 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公f " 536655 A7 B7 五、發明說明（# ) 人光罩工私即可完成，可降低生產成本及大幅提高生產效 率。又於此工程因護層膜並未覆蓋整個有效畫面，而並未 給予玻璃基板大的應力，因此為玻璃基板尺寸變化最小的 製私’當液晶顯示畫面超大型化時，於液晶組裝工程，彩 色濾光片基板與薄膜電晶體基板對合壓著時，可使對合壓 著對位誤差最小化。在此工程閘極電極與晝素電極（沒極 電極）的光罩對位誤差也由於不變因製程的安定性非常高 之故，顯示不均的發生率少，可實現高良率。 如抓用本發明的手段2 2至2 5，薄膜電晶體元件基 板上可形成靜電對策用保護電晶體，全工程可以三至四道 光罩工程完成。且此工程亦可在最後再形成共通電極，製 耘的自由度非常大。乃為pattern形成後的段差的落差最 小的製程，因此不容易發生配線斷線的現象，又，因液晶 組裝工程的配向膜形成後的配向處理變得非常容易，故可 使良率成為最高。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如採用本發明的手段2 6S2 8，薄膜電晶體元件基 板上可形成靜電對策用保護電晶體，全工程只須三至四道 光罩工程即可完成。於此工程中，薄膜半導體層可以薄到 5〇〇 A的程度’而因通道部分上n+層無殘留之故，乾式钱 刻時的基板全面均一性的要求標準降低，與準分子雷射的 組合，可較易變更為PolySi薄膜電晶體製程。而利用背 面曝光技術也可適用於自我整合（Sel卜Align_t)技術， 可實現超大型液晶晝面的製作。 如採取本發明的手段2 9，在超大型畫面的場合，即

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使因基板尺寸變化而局部的產生對位偏差，因汲極電極及 閘極電極所形成的容量沒有變化，故顯示畫面上不會發生 不均勻現象。 如採取本發明的手段3 2至3 5，可大幅降低掃瞄線 的阻抗’且共通電極的阻抗亦可大幅降低。又，由於書素 内部的液晶驅動電極及與液晶驅動電極成對向的晝素共通 電極的電極膜厚可以變薄，液晶組裝工程的配向處理變得 非常容易。且由於可將配向處理密度及均一性提得非常高 ’故可得到信賴性及再現性良好而無不均勻現象之畫質。 如採取本發明的手段3 4、3 5及3 9，可防止閘極 絕緣膜的沈積區域邊界部分之膜剝落。特別是鈦及高融點 金屬的矽化物化合物與玻璃基板及電漿化學氣相沈積膜（ 矽氧化膜，矽氮化膜）的接著力非常強，不易產生膜剝落 現象。於本發明特別是該沈積區域邊界部分的電極 Pattern形成後的膜剝落仍是最大的問題，此可利用限定 金屬種類獲得解決。影像信號配線採用鋁或鋁合金亦不會 產生膜剝落但是無法與n+層直接接合，故鋁與層之間 需要高融點金屬或高融點金屬矽化物化合物層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如採取本發明的手段3 6，因閘極絕緣膜的沈積區域 擴大至影像信號配線端子或靜電對策用保護主動式元件的 區域，影像信號配線端子部與閘極絕緣膜的沈積區域邊界 的交叉部消失’故電極剝落的不良現象可大量減少，因此 可大幅提高良率。 如採取本發明的手段3 7，可充分的保證玻璃基板尺 17 本紙張尺庋週用T國國家標準（CNS)A4iFr210 X 297公釐）--~ 536655 五、發明說明（从） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 寸加工精度與閘極絕緣膜的局部性沈積位置之精度。由於 P-CVD裝置的閘極絕緣膜沈積溫度約為3〇(rc，考慮裝置 的治具變形及熱膨脹係數之差，此值乃重要的數值。^於 此值時，掃瞄線端子部全面上沈積閘極絕緣膜，與TAB的 有效接合面積變小等之故，大量出現接觸不良現象及畫像 的橫線條不均勻。如採用手段3 7，將不會發生接觸不良 及橫線條不均勻等現象。 為使貴審查委員進一步瞭解前述目的及本發明之技 術特徵，茲附以圖式詳細說明如后： (一）圖式部分： 第一圖：係習知的縱電場方式薄膜半導體基板的單位畫素 的剖面圖。 係習知的橫電場方式薄膜半導體基板的單位畫素 的剖面圖。 係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位晝 素的剖面圖。 係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位晝 素的剖面圖。 係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位晝 素的剖面圖。 第六圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位晝 素的剖面圖。 第七圖：係本發明的縱電場方式薄膜半導體基板的單位晝 素的剖面圖。 第二圖 第三圖 第四圖 第五圖 18 536655 A7 五、發明說明（/ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第八圖：係本發明的橫電場方式 素的剖面圖。 第九圖：係'本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位晝 素的剖面圖。 第十圖：係本發明的縱電場方式 素的剖面圖。 第十一圖：係本發明的橫電場方式 晝素的剖面圖。 第十二圖··係本發明的橫電場方式 晝素的剖面圖。 第十二圖·係本發明的橫雷i县He — I 方式薄膜半導體基板的單位 畫素的剖面圖。 弟十四圖·係本發明的橫雷 去Ά方式薄膜半導體基板的單位 旦素的剖面圖。 第十五圖1本發㈣縱電場方式薄料㈣基板的單 畫素的剖面圖。 第十六圖：發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位 畫素的剖面圖。 第十七圖：^翻的橫電場方式薄料導體基板的單位 畺素的剖面圖。 第十八圖：^發明㈣電場方式薄料導體基 晝素的剖面圖。 第十九圖：^發㈣橫電場方式薄膜半導體基板的單位 旦素的剖面圖。 薄膜半導體基板的單位畫 溥膜半導體基板的單位晝 薄膜半導體基板的單位 薄膜半導體基板的單位 位 536655

五、 發明說明（/) 第二十圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單位 畫素的剖面圖。 第二十-圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 第二十二圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位晝素的剖面圖。 係本發明的縱電場方式薄膜半導體基板的單 位晝素的剖面圖。 係本發明的透光量調整光罩的剖面圖。 係本發明的透光量調整光罩的剖面圖。 係本發明的透光量調整光罩的剖面圖。 係本發明的透光量調整光罩的剖面圖。 係用本發明的透光量調整光罩的曝光，顯影 處理後的正光阻的剖面圖。 係用本發明的透光量調整光罩的薄膜電晶體 元件的製程流程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 弟一·十三圖 弟—十四圖 第二十五圖 第二十六圖 第二十七圖 第二十八圖 第二十九圖 第三十圖 第三十一圖 第三十二圖 弟二卞二圖 第三十四圖 第三十五圖 第三十六圖 係本發明的薄膜電晶體元件的平面圖。 係本發明的薄膜電晶體元件的平面圖。 係本發明的薄膜電晶體元件的平面圖。 係本發明的薄膜電晶體元件的平面圖。 係本务明的掃瞄電極與共通電極的平面圖。 係本發明的掃瞄電極與共通電極的剖面 20 五 、發明說明（// 第三十七圖 第三十八圖 第三十九圖 第四十圖 第四十一圖 第四十二圖 第四十三圖 第四十四圖 第四十五圖 第四十六圖 第四十七圖 第四十八圖 第四十九圖 第五十圖 第五十一圖 第五十二圖 =本《明的掃⑱電極與共通電極的剖面圖。 糸本I明的掃瞒電極與共通電極的剖面圖。 2本發明的影像信號配線與沒極電極的平面 圖。 係本發明的影像信號配線的剖面圖。 係本發明的影像信號配線的剖面圖。 係本么曰月的影像信號配線的咅,J面圖。 係本發明的薄膜半導體基板的平面圖。 係本發明的薄膜半導體基板的平面圖。 係本發明的薄膜半導體基板的平面圖。 係本發明的框膠線的配置平面圖。 係本發明的框膠線的配置平面圖。 係本發明所利用的靜電對策用保護回路圖。 係本發明所湘的靜電對策用保護回路圖。 係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第五十三圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第五十四圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 21 W6655 A7 B7 五、發明說明（ 第五十五圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖 第十，、圖係、本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第五十七圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第五十八圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體it件的平 面圖。 第五十九圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 的靜電對策用保護電晶體元件的平 弟六十圖··係本發明 面圖 第六十-圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第/、十一圖·係本發明的縱電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第/、十二圖·係本發明的縱電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第六十四圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第六十五圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第六十六圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复 536655 五、發明說明（w ) 第六十七圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第六十八圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第六十九圖W系本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第七十圖係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第十圖係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第七十二圖··係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第七十三圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第七十四圖：係本發明的縱電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第七十五圖：係本發明的縱電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第七十六圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第七十七圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第七十八圖·係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 23 W6655 A7 B7 、發明說明（以） 弟七十九圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 "十圖·係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第八十1 :係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第八十二圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第十一圖·係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第十四圖·係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第十五圖·係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第八十/、圖·係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第八十七圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第八十八圖··係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第八十九圖··係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第九十圖：係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 ------I-----«裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂--------- # 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 24 536655 A7

五、發明說明（4 ) 第九十一圖··係本發明的靜電對策用保護電晶體元件的平 面圖。 第九十二圖：係本發明的閘極絕緣膜局部堆積區域的平面 圖。 第九十二圖：係本發明的閘極絕緣膜局部堆積區域的平面 圖。 第九十四圖：係本發明的透光量調整光罩的平面圖。 第九十五圖：係本發明的透光量調整光罩的平面圖。 第九十六圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的平 面圖。 第九十七圖··係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 第九十八圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 第九十九圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 第一 0 0圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印f 第一 0 —圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 第一 0 —圖··係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位晝素的剖面圖。 第一 〇二圖··係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位晝素的剖面圖。 25 A7

五、發明說明（j ) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 合 作 社 印 製 第~ 0四圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 第~ 0五圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體基板的單 位畫素的剖面圖。 第一 0六圖：係本發明的橫電場方式薄臈半導體元件的平 面圖。 第—0七圖：係本發明的橫電場方式薄膜半導體元件的平 面圖。 (二）圖號部分： (1 ) ···玻璃基板 (2 ) ···掃瞄線（閘極電極） (3 ) .··掃瞄線端子部 (4 ) · · ·閘極絕緣膜 (5 )…薄膜半導體層（Non-dope(無摻雜）層） (6 ) ···摻雜磷的η +半導體層 (7 ) ···影像信號配線 (8 )…汲極電極 (9 )…影像信號配線端子部 (1 0)…晝素電極接續孔 (1 1 )…掃瞄線端子部接續孔 (1 2)…影像信號配線接續孔 (1 3 )…掃瞄線端子部驅動ic接合電極（透明電極） (1 4)…畫素電極（透明電極） (1 5 )…影像信號配線端子部驅動π接人雷技, σ电極（透明 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 536655 A7 五、發明說明（<) 電極） 護層膜 k電場方式液晶驅動電極（晝素電極） 橫電場方式共通電極 掃瞄線端子部驅動1(；接合電極（金屬電極） 掃瞄線下層絕緣膜

Etchingstopper 絕緣膜 光罩用石英玻璃基板 半透光罩區域 半透光膜區域 光罩金屬（Cr或Mo) 衫像h號配線光罩完全遮蔽區域 汲極電極光罩完全遮蔽區域 電晶體通道部半透光區域 晶體通道部半透光膜 光阻U V曝光完全遮蔽區域的顯影後的膜厚 光阻U V曝光半透光區域的顯影後的膜厚 光阻 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (16). (17) . (18) . (19) . (20) . (21). (22). (23) . (24) . (25) . (26) . (27) . (28) . (29) . (30) . (31) . (32) . (33) . (34) . (35) . (36) . (37) . (38) .， 第1層掃猫線（铭或铭合金） 第2層掃礙線（上蓋（帽）電極） 第1層共通電極（鋁或鋁合金） 第2層共通電極（晝素共通電極） •第2層下部掃瞄線 •第2層上部掃瞄線 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X : 27 五、發明說明(4 ) ((二)··.第2層下部共通電極(畫素共通電極） ...第2層上部共通電極（畫素共通電極） 丄）···下層掃瞄線 (4 ? ;·••銅或銅合金掃瞄線 (4 3 ) ···上蓋（帽）閘極電極 (4 4 ) ···鋼或銅合金共通電極 (4 5 ) ···下層共通電極 4 6 )···上盍（帽）共通電極（晝素共通電極） (4 7 )···掃瞄線與共通電極的切斷位置 (4 8) · · ·影像配線的切斷位置 (4 9 ) ···下層影像信號配線 (5 0 ) ···低抗阻影像信號配線 (5 1 ) ···上蓋（帽）影像信號配線 (5 2 ) ."Etchingstopper 影像信號配線 (5 3 )…閘極絕緣膜局部沈積區域 (5 4 ) ···護層膜局部沈積區域 (5 5 )…靜電氣對策用保護主動式元件 (5 6)…有效晝素區域周邊共通電極 (5 7 )...液晶Cell框膠線 (5 8 )…薄膜電晶體通道部钱刻區域 (5 9 )…有效畫素區域周邊半導體層 A…閘極絕緣膜沈積境界到掃瞄線端子部末端的距 B…護層膜沈積境界到掃瞄線端子部末端的距離 C…閘極絕緣膜沈積境界到靜電氣對策用保護主動式元件 28 訂 經 濟 部 智 慧 財 產 局 ‘離 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 536655 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 in A7 、發明說明（j?) 的接合端子部末端的距離 (6 0 ) ···共通電極端子部 —一如第二圖、第五十圖至第五十五圖所示，係本發明第 :貫施例的剖面圖及平面圖。主要係於一玻璃基板⑴ =面依序形成掃猫線（2)(閘極電極）後，局部的沈積 絕緣臈（4)、非晶料導體膜（5)及n+非晶石夕膜 6)，又沈積後的掃瞄線端子部（3)將金屬電極露出 ’而為了同時形成影像信號配線（7)、液晶驅動電極（ 1 7 及用以接合掃瞄線端子部（3 )的金屬電極（工9 )’係以缝（Sputtering)方式沈積金屬膜。用以如第 三十圖及手段1 1、1 3所記載的方法，僅以—次的光罩 工私，形成薄膜電晶體元件（5 )的通道部，且除去通道 部的多餘的金屬膜及n+層。此製程所使用的光罩係如第二 十七圖及第二十八圖所示，其透光量三階段以上變化。該 光罩的電晶體元件通道部的剖面圖係如第二十五及第二十 $圖所示，利用此光罩進行曝光後的正光阻剖面構造係如 第二十九圖所示。薄膜半導體所使用的曝光裝置的解析度 最高為2〜3//m程度，因此製作如第二十五圖，第二十= 圖所示的光罩構造時，使用解像力1/1〇到1/5程度的成 形（Pattern)以調整平均的透光量。以線寬〇2〜^5# 程度，線間空隙0.5〜；程度在光罩上形成半透光區域 (23)。如為第二十六圖及第二十八圖所示形式的光罩 時，可利用矽氮化膜作成半透光區域膜（24)，主要係 .«裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A7 -------B7___ 五、發明說明) 以改變化矽與氮的成分比率，自由調整紫外線光（uv)的穿 透量。如第二十九圖所示，顯示未曝光部分的正光阻膜厚 (3 0)為ι·2〜2. 0//m，而已曝光的半透光區域的正光 阻骐厚（3 1 )為0.05〜〇.2_左右，其主要係於n+層 的金屬層以濕式餘刻加工，留下必要部位的金屬層，接 著可以稀釋的氟硝酸採濕式餘刻除去n+層及無離子注入之 半導體層，也可以乾式蝕刻除去n+層及無離子注入之半導 體層，接著作為薄膜電晶體元件通道部的半透光區域膜（ 2 4 )所殘留薄薄的正光阻可以電漿Ashing處理除去， 該通道部的金屬層及n+層以之前相同的濕式蝕刻及乾式蝕 刻除去。最後，將護層膜作局部性的部分式沈積，以完成 主動式元件基板。於全工程中僅利用二次的光罩工程。 又如第六圖所示，係本發明第二實施例的剖面圖，直 係如第-實施例中最後將護層膜（1 6)沈積在基板 )的整個表面I，開設掃瞒線端子部的接續孔製造方法， 在整個方法中只須利用三次光罩工程。 如第四圖所示’係本發明第三實施例的剖面構造，在 第-實施例時，掃瞒線（2 )及共通電極（工8) 同-金屬材料以-次的光罩工程同時形成；在本實施例中 ’在H始先形成共通電極後，即局部性的沈積掃瞒線下 層絕緣膜（20)，其光罩工程於全工程中共三次，來自 共通電極（18)與掃I線（12)的圖形（Pattern) 不良所造成的短路可大量減少，故良率亦可大幅的提高。 如第五圖所示，係本發明第四實施例的剖面構造， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ n ϋ I ^-r°J «1_ι ϋ ·ϋ .^1 I # 30

五、發明說明（1) 第三實施例相同，其掃晦線（ 同時形成，一關私春# _ /、通電極（1 8 )不 成共通電極（：L 8 )。w I私的最後再开乂 此，來自-通雷i/'Λ 於全工程中共三次。藉 ”皁*望义所""成短路可大量減少，因此可大幅的提 摆 口 /、通電極的材質可自由選 擇之故，使製程的自由度變大。 ^七：所示，係本發明第五實施例的剖面構造。由 四員知例所不者均為橫電場方式的液晶顯示模式 ^而本實施例則適用於縱電場方式的液晶顯示模式（tn方 式、垂直配向方式、強锋雪 广〜七 5$透笔方式、反強誘電方式）。其於 形成影像信號配線（7)及汲極電極（8)，並沈積護層 膜（16)，該汲極電極（8)上的護層膜（16)在開 "又接’孔（1 Q )後即予除去，最後再形成透明的畫素電 極（14)。光罩工程於全工程中共四次。 如第五十六至六十一圖所示，係本發明第六實施例的 平面圖，其剖面圖則與第三圖及第六圖相同。與第一至第 五實施例相異之處，在於不使用第三十圖所示製程，為了 同柃形成影像信號配線（7)、液晶驅動電極（丄7)及 掃瞄線端子部接合金屬（i 9 )，其在金屬膜沈積、成形 (Pattern)後，再除去薄膜電晶體元件的通道部區域上殘 留的金屬膜及n+層。與其相反的，本實施例中，係在沈積 金屬膜後，除去薄膜電晶體元件通道部區域的金屬膜及n+ 層，之後再成形（Patterning)影像信號配線（7 )、液晶 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------·!裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 536655 五、發明說明㈠Ο) 驅動電極（17)及掃晦線端子部接合金屬（19)。 —如第八圖、第六十八至七十三圖所示，係本發明第七 貫施例的剖面圖與平面圖。主要是在掃猫線（2)成 ’將閘極絕緣膜（4)、非晶⑦半導體膜（5)與η+非晶 石(膜（6 )如第九十二、九十三圖所示般，作局部性的部 ^沈積。沈積後的掃瞒線端子部（3 )露出金屬電極。接 著為了同時形成影像信號配線（7)及液晶驅動電極q 7 )，用濺鍍（Sputtering)方式沈積金屬膜。金屬膜係 以濕式蝕刻或乾式蝕刻成形（Patterning)加工，無金屬膜 部分的Π+層也同樣的以濕式蝕刻或乾式蝕刻除去，之後於 基板（1)上全面沈積護層膜（16)，為了分離薄膜電 晶體元件的通道部、影像信號配線（7 )及液晶驅動電極 (1 7 )，將除去多餘區域的護層膜（丄6 )及非晶矽半 導體膜（5)。前述實施例採用的光罩工程於全工程中共 三次。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第九圖係本發明第八實施例的剖面圖，主要係將間極 絕緣膜（4 )如第九十二、九十三圖所示般作局部性的部 分沈積後’於基板（1 )上全面沈積非晶;5夕半導體膜（5 )與n+非晶矽膜（6 )，接著形成影像信號配線（7 )及 液晶驅動電極（1 7 )後’於基板（1 )全面沈積護層膜 (16)，之後為了分離薄膜電晶體元件的通道部、影像 信號配線（7 )及液晶驅動電極（1 7 )，將除去多餘區 域的護層膜（1 6 )及非晶矽半導體膜（5 )。此時，覆 盍掃瞒線端子部（3 )電極之護層膜（1 6 )及非晶;^半 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 五、發明說明（$/) 導體膜（5)亦予同時除去，而護層m (16)非全面沈 積，僅局部性的部分沈積亦可。 々一如第十圖所不，係本發明第九實施例的剖面圖，與 第三實施例相同開始先形成共通電極（工8 )後，局、 部性的，積掃晦線下層絕緣膜（2〇)，之後的製程步驟 七^例完全相同，其於全卫程中使用的光罩工程共 4次’藉此，纟自共通電極（丄8 )與掃瞄線⑵的： 形（Pattern)不良的狀況將大量減少，故可大幅提高良率 如第十二圖所示，係本發明第十實施例的剖面圖，兔 第四實施例相同，最後才形成共通電極（18)， _、 f於：本實施例中之護層膜（1 6 )未被覆蓋於有效畫$ 區域全面’故露出非晶梦層的加卫剖面，因此露出的 =層剖面有以Ashing等處理氧化而使之成為絕緣膜的= 一如第十圖、第七十四至七十九圖所示，係、本發 -實施例的剖面圖及平面圖，本實施例係適用於 式的液晶顯示方式（TN #式、垂直配向方式、強: 及反強誘電方式）。其首先形成掃瞄線（2 )，其後如f 九十二、九十三圖所示般，以局部性的部分沈積方 第 積形成閘極絕緣膜（4)、非晶矽半導體膜（5) x ，沈 晶矽膜（6 )，接著全面性的沈積金屬膜，及+非 (Patterning)影像信號配線（γ )與汲極電極（8 )、形 除去已無金屬膜區域的η+非晶矽膜（6 )後，於基板，又 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（j〆） )全面上沈積護層膜（16)，接著為了分離薄膜電晶體 元件的通道部、影像信號配線（7)及汲極電極（8)， 除去多餘區域的護層膜（1 6 )及非晶矽半導體膜（5 ) ，此時並同時除去汲極電極（8 )上多餘的護層膜（工6 )及掃瞄線端子部（3 )電極上多餘的護層膜（i 6 )及 影像信號配線端子部（9 )電極上的多餘護層膜（i 6 ) ，最後再形成-透明的畫素電極（14)。而前述方法在 全工程中採用的光罩工程共為四次。如第八實施例所示， 於基板（1 )全面沈積非晶石夕半導體膜（5 )及n+非晶石夕 膜（6 )的方法亦可能。 如第十三圖、第六十四至六十七圖、第九十七圖、第 -0 0至-0-圖所示，乃本發明第十二實施例的剖面圖 與平面圖。其於基板（工）上形成掃瞒線（2)後，如第 九十二及九十三圖所示般，以局部性的部分沈積方式沈積 形成該閘極絕緣膜（4)、非晶石夕半導體膜及_ 日②石夕膜，接著於基板（1)上全面沈積金屬膜，成 形影像h號配線（7)及液晶驅動電極（17)，再除去 無金屬部分的n+層及非晶矽層後，於基板⑴上全面沈 積透明導電膜或鈦系的金屬膜（13)，接著為了電氣性 的^離影像信號配線（7)及液晶驅動電極（1了），除 去薄膜電晶體元件通道部分的金屬層及n+層非晶石夕層，最 後=局部性的沈積護層膜（16)。其中如第九十七圖、 第厂0 0及-〇-圖所示，乃在形成影像信號配線（u 及極電極後’於基板（U上全面沈積透明導電膜 -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 34 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（））） 夸 ^的金屬膜（1 3 )或高融點金屬的矽化物化合物後，成 形影像信號配線（7 )及液晶驅動電極（1 7 )之後，再 除去通道部分多餘的金屬層及n+層之後局部沈積的護層膜 (16)。 如第十四圖所示，係本發明第十三實施例的剖面圖， ^沈積護層膜（1 6 )為止的步驟與第十二實施例完全相 同’於本實施例中’在基板（1 )上全面沈積護層膜（1 6 )後’在掃瞒線端子部（3 )及影像信號配線端子部形 成接續孔（11)，並除去端子部上沈積的多餘護層膜 16)。 如第九十八圖所示，係本發明第十四實施例的剖面圖 。與第四實施例相同，係以不同時方式分別形成掃瞎線（ 2 )與共通電極（；[8 )，一開始先形成掃猫線（2 )後 ’製程的最後再形成共通電極（18)。其在全工程中採 用的光罩工程共四次。 如第九十九圖所#，係本發明第十五實施例的剖面圖 、。與第三實施例相同，係以不同時形成掃瞄線（2 )與共 通電極（18)，一開始先形成共通電極（丄8)後，局 部性的沈積掃晦線下層絕緣貞（2〇) 述方法於全二 程中共使用四次光罩工程。 〃如^十五圖、第六十二至六十七圖所示，係本發明的 第十六實施例的剖面圖與平面圖，其於形成掃晦線（ 後，係如第九十二及第大+ 一同故一 弟九十二圖所不般，以局部性的部分 沈積方式形成閘極絕緣膜（4)、非晶石夕半導體 -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 35 536655 A7 五、發明說明 n+非Βθ_膜（6 ) ’接著在基板（1 )上全面沈積金 膜，以形成影像信號配飧r ^ n w人 （7)及沒極電極，隨後在基板 i面沈積透明導電膜，再形成影像信號配線 晝素電極（14)，接著除去薄膜電晶體的通道 /、夕=金屬層及n+層’最後局部性的沈積護層膜（1 本λ〜例相於縱電場方式的液晶顯示方式（τ 式、二直配向方式、強誘電液晶方式、反強誘電液晶方式 )别逑於全工程中計採用三次光罩工程。 如第十六圖、第一 〇六 0七圖及第八十二至八十 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 k 五圖係本發明第十七實施例的剖面圖與平面圖。 其於形成掃猫線（2)後，係如第九十二及第九十三 圖斤丁般以局部性的部分沈積方式形成閘極絕緣膜（4 ^非晶石夕半導體膜（5) “非晶賴（6)，接著成 形非晶石夕膜形成電晶體的通道部分，此後於基板（丄）上 :面沈積金屬膜，形成影像信號配線（7)及液晶驅動電 β (17)除去電阳體的通道部分的η+層後，最後局部 性的沈積護層膜（16)。在第十六圖的場合，第―〇六 、-0七圖所示的液晶驅動電極（17)，其下部不存在 非晶砍層。 又第一〇二圖及第八十、八十一圖所示液晶驅動電極 ^ 1 7 )㈣下部雖存在非晶石夕㉟，仍可以完全相同的製程 製作。其全工程中共使用三次光罩工程。 如第十七圖、第一〇五圖所示，係本發明第十八實施 例的剖面圖。直到沈積護層m (工6 )為止，其製程步驟

x 297公釐） -------------Λ Μ--------^--------- (請先閱讀背面之注音Ρ事項再填寫本頁) # 536655 發明說明) 與第十七實施例完全相同，於本實施例中，在基板（丄） 上全面沈積護層膜（1 6 )後，係在掃猫線端子部（3 ) 及影像信號配線端子部（9 )上形成接續孔（工工）後， t除去端子部上所沈積多餘的護層臈（16)。而前述製 程步驟於全工程共使用四次光罩工程。 如第十人圖及第三圖所示t係本發明第十九實施 =面圖。與第三實施例相同，係不同時形成掃猫線（ %與共通電極（18)，—開始先形成共通電極（18 =，即局部性的沈積掃晦線下層絕緣膜（20)，其餘 的衣程與第十八實施例相同。 、 罩工程。在第十八圖的場合中，；：ΓΓ 次光 部不存在非晶石夕層，第電極下 17)的下部存在非晶… 電極( 示構造仍可以完全相同的製程製作。二圖所 如第十九圖及第一0四圖所示， 例的剖面圖。與第四實施例相同1十實施 極（1 8 )係不同時形成，其一開始 2 I、共通電 後，於製程步驟的最後再形成共通‘極二=線（2) 程中共使用四次光罩工程。而在 8)，其全工 動電極（1 7)的下部不存在非圖的場合，液晶驅 合，液晶驅動電極（17)的第—〇四圖的場 九圖與第-0四圖所示構造仍可夕層；但第十 如第二十圖及第八十六至九十同的製程製作。 一十一實施例的剖面圖與平面圖。 不，係本發明第 b氏張尺度 鮮㈣

請 先 閱 讀 背 & 之 注 意 事 項 再_ 填擊 ί裳 頁I 訂 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 536655 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4) 當掃瞄線（2 )形成後，於形成掃瞄線（2 )後，係 如第九十二及第九十三圖所示般，以局部性的部分沈積方 式形成閘極絕緣膜（4 )、非晶矽半導體膜（5 )及蝕刻 停止膜（Etchingstopper) ( 2 1 )，沈積後的掃瞄線端子 部（3)露出其金屬電極，接著如第八十六、八十七圖的 平面圖所不掃瞄線（2 )(閘極電極）的内側部分僅在為形 成電晶體通道部之區域留下蝕刻停止膜（Etchingst〇pper) (21)，在其他的區域，除了有效晝素區域周邊半導體 層（5 9 )外，其他的钱刻停止膜（EtchingSt〇pper)膜全 部除去，接著為了得到歐姆接觸，再局部性的沈積n+非晶 矽層或n+微晶質矽層。另僅有效晝素區域及靜電對策用保 口蒦電日日體區域實施於IonShowerDoping或 Ion Imp lan tat ion(離子注入）也可得到歐姆接觸；之後為 了形成影像“號配線（7 )及液晶驅動電極（1 7 )於基 板（1 )上全面沈積金屬膜，而在影像信號配線（7 )及 液晶驅動電極（1 7 )成形後除去多餘的n+層及非晶矽層 ，最後再局部性的沈積護層膜（16)。於本製程中，最 後的護層膜（1 6 )非絕對的必要，故該護層膜工程可予 省略。而前述製程於全工程中共使用三次光罩工程。 如第二十一圖所示，係本發明第二十二實施例的剖面 圖’直到沈積護層膜（1 6 )為止的製程步驟均與第二十 一實施例完全相同，於本實施例中，在基板（1 )上全面 沈積護層膜（1 6 )後，在掃瞄線端子部（3 )與影像信 號配線端子部（9 )上形成接續孔（1 1 )，而將端子部 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0

1111111 I I I I I — II #- 536655 五、發明說明（y) 上沈積多餘的護層膜（1 6)险土 ^ ϋ」除去。其於全工程中共使用 四次光罩工程。 π Τ /、1之用 如第二十二圖所示，係本發 — 1¾ . _ _ ^ 第一十二貫施例的剖面 圖，與弟三貫施例3相同，掃瞄魂 0 ^ , ▼田線（2 )及共通電極（i 8 )係不同時形成，jl传弁带忐 八你无形成共通電極（1 8 )後，再 局部性的沈積掃瞄線下層絕緣膜Γ 锋L — 啄胰Q 2 〇)，其餘的製程與 弟二Η 貫施例相同，全工鞋Φ ±L社m 柱宁共使用四次光罩工程。 如第二=三圖所示，係本發明第二十四實施例的剖面 圖。與第四貫施例相同，掃瞄線（2 )及共通電極“ 8 )係不同時形成，其先形成掃瞒線（2 )後在製程的最後 形成共通電極（18)。全工程中計使用四次光罩工程。 如第二十四圖所示，係本發明第二十五實施例的剖面 圖。本實施例適用於縱電場方式的液晶顯示方式（tn方式 垂直配向方式、強誘電液晶方式及反強誘電液晶方式） 。其在形成影像信號配線（7 )及汲極電極（8 )後，於 基板（1 )上全面沈積透明導體膜，形成透明畫素電極（ 14)。之後局部性的沈積護層膜。光罩工程於全工程共 4次。 如第二十一至三十四圖所示，係本發明的第二十六實 施例的平面圖。 對於顯示一晝素，薄膜電晶體的閘極電極（2 )被形 成為二道且互相平行，薄膜電晶體的通道（Channel)區域 也被形成為^一道且互相平行（重疊於前述閘極電極（2 ) 上的斜線部分），該汲極電極（8 )則被集中為一條，而 39 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 意 事 項 填響 ί裝 頁 I w I I I I I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（）/) 連接到液晶驅動電極（圖中未示）。而前述方法可適用於 第三圖、第八圖、第十三圖、第十六圖及第二十圖所示形 式的薄膜電晶體元件。依此構造即使發生閘極電極與汲極 電極的對位偏移（MissAlignment)，該汲極電極的容量幾 乎不會產生變化。 如第二十五至三十圖所示，係本發明第廿七實施例的 剖面圖與平面圖。其中第二十五圖所示者，係利用金屬材 料（2 5 )製造光罩半透光區域（2 3 )的實施例，其適 用於製作電晶體通道區域的光罩實施例，如任何可均勻控 制通道區域uv光線的透光量之形狀（Pattern)均可。又第 二十六圖所示，係在光罩用石英玻璃基板（2 2 )上沈積 可將UV光均勻的僅吸收必要量之半透光膜（2 4 )的光 罩剖面圖。作為半透光膜（2 4 )的材質，以電漿CVD裝 置所能沈積的氮化膜為佳，藉以改變Ml、I、NH3的混合 比，而可自由且均勻的控制UV光的吸收量，即使長時間 的照射UV，只要該半透光膜（2 4 )對ϋν的吸收量不變 即可。又如第二十八圖所示，係υν吸收膜適用於電晶體 的通道區域時的光罩的實施例，其係於用以分別製作影像 信號配線及汲極電極的光罩遮蔽區域間設以製作電晶體通 道部的半透光膜（29)。再如第二十九圖所示，係利用 第一十五、二十六圖所示光罩構造作正光阻曝光顯像時的 正光阻剖面圖，其顯示光罩完全遮蔽及半透光狀態下的正 光阻膜厚（31) (32)，經調整半透光量，可自由的 控制半曝光區域及無曝光區域的正光阻膜厚。如第三十九 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------- # 536655 A7 五、發明說明（▽) 圖所示，係利用本發明的光罩製程以形成薄膜電晶體元件 時的製程流程。 如第二十五至三十八圖所示，其為本發明第二十八實 施例的剖面圖與平面圖。首先如第三十五圖所示，為了盡 可能的降低掃目苗線的阻抗，乃採用銘系列或鋼系列的材: ，如第-層的掃料（3 3 )及共通電極（3 5 )可採用 鋁或銘合金材料製造，藉此，共通電極之中與液晶驅動電 極成對向的畫素電極（3 6)即使抗阻高也沒問題。又考 慮到配向處理，畫素共通電極（3 6 )及液晶驅動電極的 膜厚盡可能薄較佳。而在使用紹系列材料的場合，為防止 鋁的H^lrock而使用金屬帽，又在使用銅系列的場合， 為了提高與玻璃基板的接著力，下層金屬採用鈦（Ti)系列 或鈕（Ta)系列、鉻系的金屬或高融點金屬的矽化物化合物 。又為了防止氧化，必定要使用金屬帽（34)。鋁系及 銅系的金屬帽係採用高融點金屬系列或高融點金屬的矽化 合物。由第二十六至三十八圖所示的剖面構造可知，與液 晶驅動電極成對向的晝素共通電極（3 6 )比掃瞒線（3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 )之膜厚為薄時，配向處理時的配向密度高，液晶分子 的配向力麦強。又晝素共通電極（36)的膜厚變厚時， 則配向布的尖端運動就無法呈與旋轉方向成平行的直線狀 運動’使液晶分子的配向方向變亂，液晶分子配向性的安 定性變低。 如第二十九圖至四十二圖係本發明第二十九實施例的 剖面圖與平面圖。其中第三十九圖係影像信號配線（7 ) 41 本紙張尺匕適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21G X 297公釐 536655 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（+。） 及及極電極（8 )的平面圖，其中沒極電極的剖面圖係如 第四十至四十一圖所示。當影像信號配線橫越過閘極絕緣 膜、非晶矽半導體膜、護層膜的沈積區域邊界時，因下層 膜的熱膨脹係數差異及接著力的差異，於沈積區域邊界發 生影像信號配線的斷線（4 8 )或膜剝落等不良現象。如 本發明，下層影像信號配線（4 9 )採用鈦系列的金屬、 鉻系列的金屬或咼融點金屬的石夕化物化合物，可使前述的 斷線、膜剝落現象大量減少。 如第四十三至四十五圖所示，係本發明第三十實施例 的平面圖。其護層膜（5 4 )的沈積區域比閘極絕緣膜（ 5 3 )的沈積區域寬，靜電對策用的保護主動式元件（5 5)被形成在有效晝素的兩邊以上，共通電極（5 6)與 影像k號配線（7 )的接合區域及共通電極（5 6 )與掃 瞄線（2 )的接合區域是存在於閘極絕緣膜（5 3 )的沈 積區域外，而靜電對策用的保護主動式元件（5 5)與前 述接合區域則被護層膜（5 4)所完全覆蓋。 如第四十三圖、第四十五圖所示，當閘極絕緣膜（5 3 )被沈積到影像信號配線的端子部（9 )之下時，影像 信號配線（7)的斷線機會將大幅減少。 從掃瞄線的端子部（3 )末端到閘極絕緣膜（5 3 ) 的沈積邊界的距離（B)及從掃瞄線的端子部（3 )末端到 護層膜（5 4 )的沈積邊界的距離（A)各自需要2ram以上 。同樣的’閘極絕緣膜（5 3 )的沈積邊界到靜電對策用 的保護主動式元件（5 5 )接合端子部末端的距離（C)亦 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 裝---- # 五、發明說明（4丨） =2咖以上。當前述距離低於2随以下時，閉極絕緣膜 易產提高，容 如第四十六、四十七圖所示，係本發明告 =7。貼合於二片基板的框勝線（”7被局:： 閉極絕緣膜（5 3)的周圍邊境上或閉極絕緣膜（ 内。）的沈積區域外’且位在護層膜（5 4)沈積區域以 十四圖及第九十五圖所示，係本發明第三十二 貫面圖。其中第九十四圖係形成掃晦線用的光罩 應旎配線與掃瞄線的交又位置配置有半透光 。又第九十五圖所示光罩，則係用 元件的通道區域，其係於液晶驅動電極及透明書== 交又位置配置有半透光膜（24)。利用此光罩的 曝:二光膜(2 4)設置部分的正光阻媒厚變^ =刻時，使超一成為可能。藉此心 又利用第二十五圖所示的光罩來取代半透光膜 用目^ =果’而共通電極與影像信號配線的交又部亦可適 圖，“與掃晦線又三十三實施例的平面 信號配線（7 )交又的共通電二：與”與影像 位於作局部性沈積的間極絕_ ( 5 j 部分係 536655 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（牛>) 如依本發明運用在主動式元件基板的全工程，光罩工 程的次數可大幅減少至2至3次，藉此可減少無塵室的面 積，且曝光裝置、洗淨裝置、光阻相關裝置及無塵保管倉 庫的數目可大幅的減少，又可大幅減少初期投資金額及大 幅降低工場的營運成本，且因可縮短工程，品質管理容易 ，可易於提升良率。再因生產效率可大幅提高之故，液晶 顯示面板的價格可降低。 又令沈積最大膜厚的閘極絕緣膜作局部性的沈積，可 使玻璃基板上所發生的應力均勻化，因此玻璃基板切割後 亦不易產生異常的尺寸變化，彩色濾光片基板與薄膜電晶 體基板的對合壓著對位誤差也可減少。再者，採用本發明 的電晶體構造、靜電氣對策用保護電晶體，即使在光罩間 發生對位誤差也不會發生顯示不均勻，故可製造對靜電氣 強的液晶面板。用本發明的共通電極構造，可大幅的降低 配向不良’亦可大幅減少影像信號配線的斷線。另掃瞄配 線採用銅’可實現4 〇英吋的大畫面液晶面板。影像信號 配線的下層採用鈦系列的金屬或高融點金屬的矽化物化合 物可有效避免膜剝落，其即使予以超大型化，也不會降低良率。 44 本紙張尺度適用r關家標準（CNS)A4規格（21G x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 1111111. #

Claims (1)

1. 536655 1>

   公告本 六、申請專利範圍 第88113987號專利申請案申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . -種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置 包括有至少-方為透明的一對基板、夹持於前述基板間的 液晶組成物；其中，與前述基板之任一方成對向的基板表 面上配置有矩陣狀複數掃瞄線、影像信號配線、與共通電 極成對的畫素電極、接續於前述畫素電極、與前述掃晦線 及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於： 係於基板上沈積前述主動式元件的閑極絕緣膜時，僅 部分的沈積在只含有效畫素區域之局部，而主動式元件的 半導體層、護層膜保護膜層則在基板上全面沈積。 .•擎 2 . -種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置 包括有至少-方為❸月的—對基板、夾持於前述基板間的 液晶組成物’其中’與前述基板之任一方成對向的基板表 面上配置有矩陣狀複數掃瞄線、影像信號配線、與共通電 極成對的畫素電H續於前述畫素電極、與前述掃晦線 及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 係於基板上沈積前述主動式元件的閘極絕緣膜及半導 體層時，部分的沈積在僅含有效畫素區域之部位，護層膜 保護膜層則於基板上全面沈積。 3 · -種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置 包括有至少一方為透明的一對基板、夾持於前述基板間的 液晶組成物；其中，與前述基板之任一方成對向的基板表 面上配置有矩陣狀複數掃瞄線、影像信號配線、與共通電 極成對的畫素電極、接續於前述晝素電極、與前述掃目苗線 45 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 536655 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 及财=信號接續之主動式元件；其特徵在於： 板上:積時動= 牛的閘極絕緣膜、護層膜保護膜層在基 板上沈積時’係局部的沈積在僅含有 半導體層則在基板上全面沈積。 ~素&域之縣’ 4 ·如申請專利範圍第3項 積區沈財僅含有效畫素區域的閘極緣尤 包括有至少-方為透明方該液晶顯示裝置 ::配iLr，與前述基板之任-方成對向的基板表 =置有崎狀複數掃料、影像信號配線' 血业通ί 軸對的晝素電極、接續於前述晝素電極、*前述掃 及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於： 」手=板上沈積前述主動式元件的閉極絕緣膜、半導 體層及護層膜保護膜層時，部 千導 域之部位。 效畫素區 如申請專利範圍第5項所述之方法， 積區域比部分沈積於僅含有效畫素區域的閑= ，十.:、·如中請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所 策:伴Ϊ主=連結前述共通電極與前述掃描線之靜電對 配線之靜電對策用保護前述影像信號 完全覆蓋。 動式70件4為護層膜保護膜層所 8 ·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所 ----•裝-------訂-----夤 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) &張尺度適财關家轉（CNS ) {^x 297n - 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 主::連結前述共通電極與前述掃描線之靜電對 配狀靜電70件、連結前述共通電極與前述影像信號 加深之fr電對策用保護 極絕緣膜境界料之兩邊Γ_：置在局雜沈積之閉 狀二"7請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所 …田/錄連結料共通電極與前述掃描線之靜電對 朿用保蠖主動式元件的接續部 饮員I刀連結刖述共通電極與前 核線之靜電„„護主動式元件的接續部分 配置在局部性沈積之閘極絕賴的區域以外。 1〇 ·如申請專利範圍第q、2、3、4、5或6項 =方法，係將貼合二張基板形成液晶糾的框膠線 e a配置在局部性沈積㈣極絕緣㈣邊境界上或間極 絕緣膜的區域以外，且位在護層膜沈積區域以内。 11·如申請專利範圍第7項所述之方法，係將貼合 -張基板形成液晶cell的框膠線（Seal)配置在局部性沈 積的閘極絕緣膜周邊境界上或閘極絕緣膜的區域以外，且 位在護層膜沈積區域以内。 12.如申請專利範圍第8項所述之方法，係將貼合 二張基板形成液晶Cell的框膠線（Seal)配置在局部性沈 積的閘極絕緣膜周邊境界上或閘極絕緣膜的區域以外，且b 位在護層膜沈積區域以内。 1 3 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，係將貼合 二張基板形成液晶Cell的框膠線（Seal)配置在局部性沈 積的閘極絕緣膜周邊境界上或閘極絕緣膜的區域以外，2 I裝 頁 訂 47 ^^尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） 536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 位在護層膜沈積區域以内。 1 4 · 一種液晶顯不裝置之製造方法，該液晶顯示裝 ·裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 置包括有至少-方為透明的—對基板、夾持於前述基板間 的液晶組成物；其中，與前述基板之任一方成對向的基板 表面上配置有矩陣狀複數掃瞄線、影像信號配線、與共通 電極成對的晝素電極、接續於前述畫素電極、與前述掃瞄 線及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於： 在於使光罩的透光量有完全透光、半透光及完全遮斷 等三階段以上的變化，使正光阻膜厚具有三階段以上的變 化。 訂 1 5 .如申請專利範圍第i 4項所述之方法其掃瞄 線、主動式元件的半導體區域、影像信號配線及畫素電= 等，令構成液晶顯示元件之各交又電極、相互重疊的段差 部分光罩之透光量具有三階段以上的變化，而在=光=顯 影後，使光阻膜厚具有三階段以上的變化。 ” 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1 6 ·如申請專利範圍第丄4項所述之方法，係増加 連結影像信號配線及畫素電極的薄膜電晶體元件通^ (Channel)光罩的透光量，於正光阻顯影後，使構成 電晶體元件的通道部（Channel)的正光阻膜厚變薄。 、 17.如中請專利範圍第3、4、5或^項所述 法，係利用申請專利範圍第i 3項所記載藉由增加連結巧 像信號配線及晝素電極的薄臈電晶體杜、°衫 b 1干通道部 (Channel)光罩的透光量，於正光阻顯影後，使構成 電晶體元件的通道部（Channel)的正光阻臈厚變薄之方= 48 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 536655 8 888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ，將影像信㈣線及畫素電極同時分離形成，且除去通道 部（channel)的n+層，含此工程及形成掃猫線的光罩工程 ，以二次的光罩工程完成。 1 8 ·如申請專利範圍第1或2項所述方法，係利用 申#專彳j範圍第1 3項所記載藉由增加連結影像信號配線 及旦素電極的薄膜電晶體元件通道部（Channei)光罩的透 光里，於正光阻顯影後，使構成薄膜電晶體元件的通道部 (Channel)的正光阻膜厚變薄之方法，將影像信號配線及 畫素電極同時形成，之後於基板全面上沈積護層膜，開設 與驅動IC回路接續之端子部接續洞（ — thole)。 二口 1 9 ·如申請專利範圍第丄8項所述之方法，令影像 信號配線及汲極電極同時分別形成，之後於基板全面上沈 積蔓層膜後，同時开》成與驅動I c回路接續之端子部接續 洞（Contacthole)及連結透明畫素電極與汲極電極之接續 洞（Contacthole)，之後，沈積透明導電膜及形成晝素電 極與端子部電極。 、 、2 0 ·如申請專利範圍第3、4、5或6項所述之方 法，同時形成影像信號配線及晝素電極之後，除去主動式 疋件的通道部（Channel)的金屬膜及n+層，之後將護層膜 保護膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部位上。 、 2 1 ·如申請專利範圍第3、4、5或6項所述之方 法门日守形成影像#號配線及没極電極之後，沈積透明導 電膜，而在成形（Patterning)影像信號配線及畫素電極時 ，除去薄膜電晶體的通道部（Channel)的金屬膜及n+層之 ___ 49 木紙張尺度適用中國國家榡準（CNS )八槻格（21〇><297公釐） --------9------、玎-----Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一張 -紙 本 申請專利範圍 後，將護層膜保護膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部 位上。 22如申哨專利範圍第2、5或6項所述之方法， 係將閘極絕緣膜局部及半導體層局部的沈積在包含有效晝 素區域之部位上，之後在同時形成影像信號配線及畫素電 極後，除去露出於表面的n+層，接著將護層膜於基板上全 面沈㈣局部的沈積在包含有效畫素區域之部位，之後為 了形成薄膜電晶體元件的通道部⑽細⑴及影像信號配 線、畫素電極’除去多餘的護層膜及半導體層。 2 3 .如中請專利範圍第i、3或4項所述之方法， ，係將閘極絕緣膜局料沈積在包含有效畫素區域之部位 ^後’於基板的全面沈積半導體層，又在同時形成影像信 號配線及畫素電極之後，除去露出於表面的&層，接著， 將護層膜在基板上全面沈積或局部的沈積在包含有效 區域之部位，之後除去多餘的護層膜及半導體層乂。 成薄膜電晶體元件的通道部（Channel)、影像信號夕 畫素電極。 ' πτ晴寻利㈣第22項所述之方法，在 形成影像信號配線及汲極電極之後，除丰 ^ 石路出於表面的η 曰，接著令護層膜於基板上全面沈積或局部的沈積在包人 有效畫素區域之部位，之後除去多餘的護層膜及半: 之後再开> 成透明畫素電極，以便形成薄膜主動式的涌、首曰 (Channel)及影像信號配線及汲極電極。 、、道崢 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項所述之方法，_ 50 尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董T ---鬢------、玎-----Φ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 536655 ABCD 形成影像信號配線及汲極電極之後，除去露出於表 ^ 層’接著令護層膜於基板上全面沈積或局部的沈積在包: 有效畫素區域之部位’之後除去多餘的護層膜及半導體層 之後再形成透明畫素電極，以便形成薄膜電晶體的通道: (Channel)及影像信號配線及汲極電極。 26·如中請專利範圍第5或6項所述之方法，將間 極絕緣膜及半導體層局部的沈積在包含有效畫素區域之部 位後，成形（Patterning)薄膜電晶體的通道部（㈤賺】） ’之後同時形成影像信號配線及晝素電#，並在除去薄膜 電晶體的通道部⑽麵⑴的n+層之後，令護層膜局部的 沈積在包含有效晝素區域之部位。 2 7 .如申請專利範圍第3或4項所述之方法，係將 ^極絕緣膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部位後，接 著令半¥體層在基板上全面沈積，之後將薄膜電晶體的通 道部（channel)成形（Patterning)後，同時形成影像信號 配線及畫素電極’接著除去薄膜電晶體的通道部 (Channel)的n+層，再將護層膜局部的沈積在包含有效畫 素區域之部位。 2 8 ·如申請專利範圍第丄或2項所述之方法，係將 閘極絕緣膜局部的沈積在包含有效晝素區域之部位後，將 f導體層沈積於基板的全面或局部的沈積在包含有效晝素 區域之部位，接著令薄膜電晶體的通道部（Channel)成形 (Patterning)後，同時形成影像信號配線及晝素電極，之 後除去薄膜電晶體的通道部n+層，接著將護 請 先 聞 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 § ▲ 頁 f 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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   申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，膜沈積在基板的全面’而為了與驅冑^ 部開設接續洞（Contacthole)。 蝙子 2 9 .如中請專利第5或6項所述之方法， ^緣膜及半導體層局部的沈積在包含有效晝素區域之部 成，terning)薄膜主動式的通道部(Cha—) 妾者同時形成影像信號配線及晝素電極，之後除去薄膜 ^動式的通道部⑽麵⑴的n+層，而將護層膜沈積在包 3有效畫素區域之部位，隨後於護層膜上形成共通電極。 30.一種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝 置包括有至少-方為透明的—對基板、夹持於前述基板間 的液晶組成物；其中’與前述基板之任—方成對向的基板 表面上配置有矩陣狀複數掃瞄線、影像信號配線、盥丘通 電極成對时素電極、接續於前述畫素電極、與前述掃猫 線及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於： 前述主動式元件的閘極絕緣膜局部的沈積在包含有效 畫素區域之部位後，將半導體層及蝕刻阻止層（^也丨吨― Stopper)，在基板上全面沈積或局部沈積在包含有效晝素 區域之部位，為了得到歐姆接觸# n+層，如果是採離子注 入方式時，僅局部的注入於包含有效畫素區域之部位；如 n+層係以電漿化學氣相沈積法（CVD)沈積時，則在基板上 全面沈積，或局部的沈積在包含有效晝素區域之部位。 3 1 如.申睛專利範圍第3 0項所述之方法，其影像 信號配線及畫素電極同時成形（Patterning)後，以除去露 出於表面的n+層及n+層以下的半導體層等二者，將主動式 52 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------訂----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 元件的通道部（Channel)及影像信號配線、晝素電極等分 別獨立的同時形成。 3 2 ·如申請專利範圍第3 0或3 1項所述之方法， 其影像信號配線及晝素電極同時形成後，將護層膜在基板 上全面沈積，或局部的沈積在包含有效畫素區域之部位。 接著為了與驅動1C接續，除去接續端子部上多餘的護層 膜、n+層及半導體層。 3 3 ·—種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝 置，包括有至少一方為透明的一對基板、夾持於前述基板 間的液晶組成物；其中’與前述基板之任—方成對向的基 板表面上配置有矩陣狀複數掃瞒線、影像信號配線、與共 I電極成對的畫素電極、接續於前述畫素電極、與前述掃 猫線及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於·· 對於顯示一畫素，係將薄膜電晶體的閘極電極配置成 平行的二道以上’又薄膜電晶體的通道部⑽_ 置成平^二道以上，附屬於二個以上的各自的通道部 (hannel)之及極電極被各自連結之畫素電極所接合。 3 4 .如申請專利範圍第i、2、3、4 ° 所述之方法，係用以製作橫電場方式的液晶顯示面板。 3 5 ·如申請專利範圍第14、"或工 方法’係用以製作橫電場方式的液晶顯示面板。、 36. 如申請專利範圍第i7項所述之 製作橫電場方柄液晶顯示面板。 / ’係用以 37. 如中請專利範圍第18項所述之方法，係用以 _ —_ 53 本紙珉纽適用中國國家標準（CNS )八4祕（210 X 297公着） --------------訂----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 3 8 ·如申請專利範圍第1 9項所述之方法 、 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 糸用以 3 9 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之 夕 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 / ，係用以 4 0 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方 ^ 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 糸用以 4 1 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方 ，、 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 係用以 4 2 ·如申請專利範圍第2 3項所述 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 係用以 4 3 ·如申請專利範圍第2 4項所述之方 , 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 / ，係用以 4 4 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方 ^ 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 / ，係用以 4 5 ·如申請專利範圍第2 6項所述之方/ 、 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 係用以 4 6 ·如申請專利範圍第2 7項所述之方 / 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 係用以 4 7 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方 / 、 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 / 係用以 4 8 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方，〃 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 係用以 49·如申請專利範圍第3〇噢 1項所述之方法， ________ 54 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------ΜΨ------訂-----19 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 申請專利範圍 係用以製作橫電場方式的液晶顯示面板。 5 0 ·如申請專利範圍第3 2項所述之方法，係用以 製作橫電場方式的液晶顯示面板。 一 5 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，該液晶 顯示面板是採用Twistnematic液晶方式、強誘電液晶方 式或垂直配向液晶方式。 5 2 .如申請專利範圍第2 4項所述之方法，該液晶 顯示面板是採用Twistnematic液晶方式、強誘電液晶方 式或垂直配向液晶方式。 5 3 .如申請專利範圍第2 5項所述之方法，該液晶 顯示面板是採用Twistnematic液晶方式、強誘電液晶方 式或垂直配向液晶方式。 5 4 .如申請專利範圍第丄、2、3、4、5或^項 所述之方法，利用該方法製作的液晶顯示元件的掃猫㈣ 鋁（或銘的合金）與鈦（或鈦的合金）的二層構造，或紹（或 鋁合金）、鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或 鋁（或鋁合金）、鉻（或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造 構成，。與畫素電極成相對方向的共通電極採用鈦欽合 金）的單層構造，或由鈦（或鈦合金）及銷（或銷合金）的二 層構造構成，或為鉻（或鉻合金）及翻（或錮合金）的二層構 造。 曰 、5 5.如中請專觀圍第14、15或16項所述之 方法’利用该方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁(或 銘的合金）與鈦（或鈦的合金）的二層構造，或紹（或銘合金 ___55 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4胁（210X297公釐） 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j )、鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁 合金）、鉻（或鉻合金）及銦（或翻合金）的三層構造構1、呂 與畫素電極成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合’口 層構造，或由鈦（或鈦合金）及翻（或翻合金）的二層I 成，或為鉻（或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 56.如巾請專利範圍第17項所述之方法，利 方法製作的液晶顯示元件的掃晦線係鋁(或鋁的 盥： (或鈦的合金）的二層構造，或紹（或紹合金）、鈦（或欽人 金）及鉬（或麵合金）的三層構造，絲（或|g合金）、絡： 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素 ^ 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為 或鉻合金）及翻（或合金）的二層構造。 ' 5 7 .如申請專利範圍第！ 8項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞒線係紹（或銘的合 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈇入 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、S鉻= 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與晝素電極= 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為3鉻 或鉻合金）及錮（或鉬合金）的二層構造。 -' ( 58.如申請專利範圍第19項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞒線係銘（或銘的合金）與= (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦入 56 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（或 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與晝素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及_(或翻合金）的二層構造構成，或為絡（ 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 5 9 .如申請專利範圍第2 〇項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（戋 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極1 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為鉻（ 或鉻合金）及錮（或鉬合金）的二層構造。 6 0 ·如申請專利範圍第2丄項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（戋 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，戋由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為（ 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 6 1 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係铭（或紹的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 57 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或銘合金）、絡（戍 鉻合金）及翻（或鉑合金）的三層構造構成，與晝素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，戍由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為銘^ 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 6 2 ·如申請專利範圍第2 3項所述之方法，利用兮 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與欽 (或鈥的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或欽人 金）及鉬（或錮合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、絡（咬 鉻合金）及錮（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極^ 相對方向的共通電極採用鈥（或鈦合金）的單層構造，戈由 鈦（或鈦合金）及銦（或鉬合金）的二層構造構成，或為絡（ 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 6 3 ·如申請專利範圍第2 4項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與^ (或鈦的合金）的二層構造’或銘（或艇合金）、欽（戈欽人 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）/鉻 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極或 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，^成 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，戈或由 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 $ ·、、、鉻（ 64·如中請專利範圍第25項所述之方法 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的人金 Μ (或鈦的合金）的二層構造，或銘（或链合金）、、鈦（戈，、鈦 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公董） — — — — — — 訂"~ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁；> 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 金）及翻（或合金）的三層構造，<銘（或銘合金）、鉻 絡合金）及銦（或_合金）的三層構造構成，與晝素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造 鈦(或鈦合金)及翻(或銦合金)的二層構造構成，或為 或鉻合金）及銦（或|目合金）的二層構造。 ' 6 5 .如中請專利範圍第2 6項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻 鉻合金）及銦（或合金）的三層構造構成，與畫素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為鉻（ 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 6 6 ·如申請專利範圍第2 7項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（或 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為鉻（ 或鉻合金）及翻（或翻合金）的二層構造。 6 7 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 59 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐） --------------tr----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A8 ?8s ___ D8 六、申請專利範圍 "^- 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（ 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極^ 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，戍由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為鉻 或鉻合金）及！目（或錮合金）的二層構造。 ' 6 8 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦人 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（戋 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為鉻（ 或絡合金）及錮（或銦合金）的二層構造。 6 9 ·如申請專利範圍第3 〇或3 ^項所述之方法， 利用該方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合 金）與鈦（或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（ 或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金） 、鉻（或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與晝素 電極成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造 ，或由鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，戋 為鉻（或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 7 0 ·如申請專利範圍第3 2項所述之方法，利用該 方法製作的液晶顯示元件的掃瞄線係鋁（或鋁的合金）與鈦 (或鈦的合金）的二層構造，或鋁（或鋁合金）、鈦（或鈦合 60 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) —------- --------9------、玎------Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 金）及鉬（或鉬合金）的三層構造，或鋁（或鋁合金）、鉻（或 鉻合金）及鉬（或鉬合金）的三層構造構成，與畫素電極成 相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造，或由 鈦（或鈦合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造構成，或為鉻（ 或鉻合金）及鉬（或鉬合金）的二層構造。 7 1 ·如申請專利範圍第丄、2、3、4、5或6項 所述之方法，其掃瞄線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金） 及鈦（或鈦合金）組成的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（ 或銅的合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或 鈦合金）、銅（或銅合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層 構造；又與晝素電極成相對方向的共通電極採用欽（或欽 合金）的單層構造構成，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金） 組成的雙層構造，或由鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）组 的雙層構造。 、 7 2 ·如申請專利範圍第丄4、丄5或i 6項所述之 方法，其掃瞄線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金 )、銅（或銅合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造； ，與畫素電極成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的 單層構造構成，或鈦（或鈦合金）與錮（或錮合金）組成的雙 層構&，或由鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構 造。 7 3 .如申請專利範圍第i 7項所述之方法，其掃瞄 61 本紙張尺度通州T國國冢標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------Ψ-------訂·------Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的二層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與翻（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ’或鈦（或鈥合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 7 4 ·如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其掃瞒 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的二層構造，或鉻（或鉻合金）、鋼（或銅的合金）與鉬（曳 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與晝素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 7 5 ·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其掃瞒 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈇（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、鋼（或銅的合金）與鉬（咬 銦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（戍銅 合金）與錮（或鉬合金）組成的三層構造；又與晝素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ’或欽（或欽合金）與翻（或姻合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 7 6 ·如申请專利範圍第2 0項所述之方法，盆掃γ --------------訂·-----SW (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 62 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 線係由鈇（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 翻合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與銦（或鉬合金）組成的三層構造；又與晝素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ’或鈦（或鈇合金）與鈿（或錮合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 7 7 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其掃瞒 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 翻合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 7 8 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法，其掃猫 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（戋銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與書素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ’或鈦（或鈦合金）與錮（或錮合金）組成的雙層構迭，咬由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 7 9 ·如申請專利範圍第2 3項所述之方法，其掃瞄 ___ 63 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2iqx297公釐)" ------- 訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（戋 錮合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、鋼（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，戋由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 0 ·如申請專利範圍第2 4項所述之方法，其掃瞒 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的二層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，戋由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 1 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方法，其掃瞄 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金')組^ 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）盘翻 銦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與翻（或銦合金）組成的三層構造；又與書素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單 ，或鈦（或鈦合金）與銦（或銦合金）組成的雙層構造「= 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 82 ·如中請專利範圍第26項所述之方法，其㈣ ______64 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 〇χ 297公| ) --------------tr------- c請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 536655 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與銦（或 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（戋銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與晝素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，戋由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 3 ·如申請專利範圍第2 7項所述之方法，其掃瞒 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的二層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（戋 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、鋼'(或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈥（或鈥合金）與錮（或合金）組成的雙層構造，戋由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 4 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法，其掃瞄 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 5 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方法，其掃猫 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 65 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的二層構造’或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 鉬合金）組成的二層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與晝素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ’或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 6 ·如申請專利範圍第3 〇或3 1項所述之方法， 其掃瞄線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合 金）組成的三層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金） 與鉬（或鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅 (或銅合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與畫 素電極成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構 造構成，或鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造 ，或由鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 8 7 ·如申請專利範圍第3 2項所述之方法，其掃瞄 線係由鈦（或鈦合金）、銅（或銅合金）及鈦（或鈦合金）組成 的二層構造，或鉻（或鉻合金）、銅（或銅的合金）與鉬（或 鉬合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦合金）、銅（或銅 合金）與鉬（或鉬合金）組成的三層構造；又與晝素電極 成相對方向的共通電極採用鈦（或鈦合金）的單層構造構成 ’或欽（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或錮合金）組成的雙層構造。 8 8 ·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項 _______ 66 本紙張適财關家料（CNS ) A4祕（210X297^1 ) " ^ -- --------0Ύ---------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 所述之方法，其影像k號配線是採用鈦（或鈦合金）與鋁（ 或铭合幻的雙層構造，或由鈦（或鈇合金）與顧（或钥合金 )的雙層構造，或由鉻（或鉻合金）與錮（或翻合金）組成的 雙層構造。 8 9 .如申請專利範圍帛7項所述之方*，其影像信 號配線是採用鈦（或鈦合金）與紹（或紹合金）的雙層構造， 或由鈦（或鈦合金）與錮（或翻合金）的雙層構造，或由絡（ 或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 9 0 ·如中請專利範圍第8項所述之方法，其影像信 號配線是採用欽（或鈦合金）與銘（或紹合金）的雙層構造， 或由鈦（或鈦合金）與翻（或翻合金）的雙層構造，或由鉻（ 或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 9 1 ·如中請專利範圍第9項所述之方法，其影像信 號配線是採用鈦（或鈦合金）與銘（或紹合金）的雙層構造， 或由鈦（或敛合金）與翻（或銷合金）的雙層構造，或由絡（ 或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 9 2 ·如巾請專利範圍第丄Q項所述之方法，其影像 信號配線是採用鈦（或鈦合金）與紹（或銘合幻的雙層構造 或由鈇（或鈦合金）與鉬（或錮合金）的雙層構造，或由絡 (或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 --------------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 9 3 ·如申請專利範圍第工工項所述之方法，其影像 L號配線疋採用鈦（或鈦合金）與銘（或紹合金）的雙層構造 或由鈦（或鈦合金）與銦（或錮合金）的雙層構造，或由鉻 (或鉻合金）與鉬（或鉬合金乂组成的雙層構造。

   536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 信號配線W ^專利㈣第1 2項所述之方法，其影像 :二由欽(疋二人欽（或欽合金）與銘（或銘合金）的雙層構造 或由鈦（或鈦合金）與錮（或鉬合金 (或鉻合金）與翻（或銷合金）組成的雙層構造 或鉻 9 5 請專·㈣1 3項所述之方法，立影像 H是制鈦（或鈦合金）如⑽合請雙層構造 ，= 由鈦(或鈦合金）與銦⑷目合金）的雙層構造，或由絡 (或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 9「如申請專利範圍第14、“…項所述之 :法，其影像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與銘（或銘合 金）的雙層構造，或由鈦（或鈦合金）與銦（或钥合金）的雙 層構造，或由鉻（或鉻合金）與翻（或銦合金）組成的雙層構 造。 97·如巾請專利範圍第17項所述之方法，其影像 信號配線是採用鈦（或鈦合金）魅（或銘合金）的雙層構造 ，或由鈦（或鈦合金）與翻（或翻合金）的雙層構造，或由鉻 (或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 98.如申請專利範圍第18項；述：方法，其影像 信號配線是採用鈦（或鈦合金）與紹（或銘合金）的雙層構造 ，或由鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）的雙層構造或由鉻 (或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 9 9 .如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其影像 信號配線是採用鈦（或鈦合金）與銘（或銘合金）的雙層構造 ，或由鈦（或鈦合金）與銦（或錮合金）的雙層構造，或由鉻 68 本紙張尺度適用宁國國冢標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------------訂-----镳 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 六、申請專利範圍 (或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 1 0 0 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之方法，其影 像#唬配線是採用鈦（或鈦合金）與鋁（或鋁合金）的雙層構 造，或由鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 10 1如申睛專利範圍第2 1項所述之方法，其影 像t唬配線是採用鈦（或鈦合金）與鋁（或鋁合金）的雙層構 造，或由鈦（或鈦合金）與鉬（或鉬合金）的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 10 2如申請專利範圍第2 2項所述之方法，其影 像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與！呂（或銘合金）的雙層構 造，或由鈦（或鈦合金）與鉬（或銦合金）的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 1〇3·如巾請專利範圍第23項所述之方法，其影 像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與銘（或無合金）的雙層構 造，或由歛（或鈦合金）與銦（或銦合金）的雙層構造，或由 鉻（或鉻合金）與銦（或錮合金）組成的雙層構造。1 0 4 ·如中請專利範圍第2 4項所述之方法，盆与 ，信= 己線是採用銥（或鈦合金）與銘（或銘合金）的雙層= 二鈦二或:合金)與銦(或銷合金)的雙層構造，或由 絡（或鉻合金）與翻（或翻合金）組成的雙層構造。 像：===法， 造，或一合金)與峨二 == _____ 69 本紙張;^適用中關家標準（CNS ) Α4· ( 21Gx297^ 項 f 頁 訂 螓 536655 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 鉻（或鉻合金）與或鉬合金）組成的雙層構造。 1 0 6 ·如申請專利範圍第2 6 = 像信號配線是採用鈦(或鈦合她(或方二= 造，或由鈦(或鈦合金)與翻⑷目合 二二雙:： 鉻（或鉻合金）與錮（或翻合金X组成的雙層構造曰^或由 1 0 7 ·如中請專利範圍第2 7 1 像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與銘（或紹合之方 造，或由鈦(或鈦合金)與海(或翻合金 構)造，：： 鉻（或鉻合金）與錮（或銦合金）組成的雙層構造構戈由 奸請專利範圍第28項所述之方法，其影 Ϊ Γ由:Γ:或鈦合金)與鋁(或紹合金)的雙層構 或由鈦（或鈦合金）與翻（或銦合金）的雙層_， 鉻（或絡合金）與翻（或銦合金）組成的雙層構造。 I ◦ 9 ·如巾請專利範圍第2 9項所述之方法，細 像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與銘（或紹合金）的雙層= 造，或由鈦（或鈦合金）與翻（或銦合金）的雙層構造，或由 絡（或鉻合金）與翻（或翻合金）組成的雙層構造。 II 0 .如申請專利範圍第3 〇或3丄項所述之 ，其影像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與紹（或叙的 雙層構造’或由鈦(或鈦合金)與翻(或翻合金)的雙。層金構= ，或由鉻（或鉻合金）與翻（或翻合金）組成的雙層構造。& 1 1 1 .如申請專利範圍第3 2項所述之方法&直& 像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與鋁（或鋁合金）的2〜 造，或由鈦（或鈦合金）與翻（或銷合金）的雙層構造雙=構 由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）— --------II (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合金）組成的雙層構造。 1 1 2 ·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6 項所述之方法，其影像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、 鋁（或鋁合金）與鈦（或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或 鈦的合金）與鋁（或鋁的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構 造，或由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金） 組成的三層構造，或由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦 (或鈦合金）組成的三層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或 鉻合金）與鉬（或錮合金）組成的三層構造。 1 1 3 ·如申請專利範圍第7項所述之方法，其影像 h唬配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（或 鈥a金）組成的二層構造，或鈦（或鈦的合金）與銘（或铭的 合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金） 、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或由 鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三層 構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與錮（或錮合金） 組成的三層構造。 1 1 4 ·如申請專利範圍第8項所述之方法，其影像 信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（或 鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁的 合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金） 、铭（或銘合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或由 鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三層 構’或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鋼（或錮合金） 71 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------ΜΎ------訂------Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 組成的三層構造。 ★申叫專利範圍第g項所述之方法，其影像 (請先聞讀背面之注意事項存填寫本貢) U配線疋&用由鈇（或鈦合金）、銘（或銘合金）與欽（或 鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與銘（或铭的 合金）與銦（或錮的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金） 、銘（或銘合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或由 鈦（或鈦a金）鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三層 構k或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與銷（或銦合金） 組成的三層構造。 口’ 1 1 6 ·如申請專利範圍第i 〇項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與'鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 7 ·如申請專利範圍第i i項所述之方法，其影 像托號配線是採用由鈦（或鈦合金）、銘（或銘合金）與鈦（ 或鈦a金）組成的二層構造，或鈥（或鈦的合金）與銘（或铭 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、銘（或無合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構^ ’或由鈦（或鈦合金）與絡（或絡合金）與鉬（或翻合 72 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 536655 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 金）組成的三層構造。 1 1 8 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與I目（或I目的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、銘（或紹合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構ie ’或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與錮（或在目合 金）組成的三層構造。 1 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鈒合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 120 ·如申請專利範圍第14、15或"項所述 之方法’其影像信號配線是採用鈦（或鈦合金）與Μ或銘 合金）的雙層構造，或由鈦（或鈦合金）與_(或銦合金）的 雙層構造，或由鉻（或鉻合金）與銷（或翻合金）組成的雙層 構造。 1 2 1 ·如申請專利範圍第] 丄 礼固乐1 7項所述之方法，豆影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合今 八 人風口金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ -------------丨訂------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

   536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 或欽合金）組成的三層構造，或鈇（或鈦的合金）與銘（或紹 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或钥合 金）組成的三層構造。 1 2 2 ·如申睛專利範圍第1 8項所述之方法，苴影 像h號配線是採用由鈦（或鈦合金）、铭（或I呂合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與錮（或鉑的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、銘（或紹合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 2 3 ·如申請專利範圍第χ 9項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造:或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的i 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬Z 金）組成的三層構造。 1 2 4 .如申請專利範圍第2 〇項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、銘（或銘合金）與欽^ --------ΜΎ------訂------Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、銘（或銘合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 2 5 ·如申睛專利範圍第2 1項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與錮（或銦的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 2 6 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 2 7 ·如申請專利範圍第2 3項所述之方法，其影 像h號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ ----------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢) 、1T· d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   536655 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 或欽合金）组成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )銘（戈銘6金）及絡（或絡的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 2 8 ·如申請專利範圍第2 4項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 2 9 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 3 0 ·如申請專利範圍第2 6項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）' 鋁（或鋁合金）與鈦（ ---------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 mi 1^1

   536655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 _ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、I呂（或铭合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、銦（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈥（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 3 1 ·如申請專利範圍第2 7項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 3 2 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦a金）組成的二層構造，或鈦（或鈦的合金）與鋁（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 α 1 3 3 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦\ 本紙張尺度適用中國國家標準（^ΤΓ4· ( 210x297公羡）----'------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂.' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈦的合金）與銘（或I呂 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的三層構造。 1 3 4 ·如申請專利範圍第3 0或3 1項所述之方法 ’其影像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金） 與鈦（或鈦合金）組成的三層構造，或鈦（或鈥的合金）與銘 (或鋁的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或 鈥合金）、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構 造，或由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金乂组 成的二層構造，或由鈦（或敛合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（ 或鉬合金）組成的三層構造。 1 3 5 ·如申請專利範圍第3 2項所述之方法，其影 像信號配線是採用由鈦（或鈦合金）、鋁（或鋁合金）與鈦（ 或鈦合金）組成的二層構造，或鈦（或鈦的合金）與紹（或鋁 的合金）與鉬（或鉬的合金）的三層構造，或由鈦（或鈦合金 )、鋁（或鋁合金）及鉻（或鉻的合金）組成的三層構造，或 由鈦（或鈦合金）、鉬（或鉬合金）及鈦（或鈦合金）組成的三 層構造，或由鈦（或鈦合金）與鉻（或鉻合金）與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 3 6 ’如申第1、2、3、4、5或6項所述之方 法，係將閘極絕緣膜的沈積區域局部性的限定在有效晝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)八4祕（21()><297公慶- 536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 區域、影像信號配線的端子部區域及靜 式元件區域。 桌用保濩主動 1 3 7 .如申請專利範圍第7項所述之 ^ 極絕緣膜的沈積區域局部性的限定在有效全係將閘 信號配線的端子部區域及靜電對策用㈣=區域、影像 。 、咬王動式元件區域 1 3 8 ·如申請專利範圍第8項所述 少 極絕緣膜的沈積區域局部性的限定在有效=’、係將閘 信號配線的端子部區域及靜電對策用保護:動=件 «配線的端子部區域及靜電對策用保護:動== 1 4 0 ·如申請專利範圍第丄、2、3、、 項所述之方法，係使從問極絕緣膜的沈積 = 子部末端的距離及從問極絕緣膜的沈 4動式讀的接合端子部末端的距離分別在2咖以上 1 4 1 ·如巾請專圍第7韻述之方法， 絕緣膜的沈積邊界到掃猫線端子部末端的距離及從閘 沈積邊界到靜電對策用保護主動式元件： 鳊子邛末端的距離分別在2_以上。 142·如申請專利範圍第8項所述之方法，係使從 B張尺度通用中國國家標準(( 2'。靡:9幻 ------MW— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 閘極絕緣膜的沈積邊界到掃㈣線端子部末端的距離及從間 .. n n I m ::. 1 — I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極絕緣膜的沈積邊界_電對策用保護主動式元件的接合 端子部末端的距離分別在2_以上。 143·如中請專利範圍第9項所述之方法，係使從 閘極絕賴的沈積邊界線端子部末端的距離及從間 極絕緣膜的沈積邊界到靜電對策用保護主動式元件的接合 端子部末端的距離分別在2_以上。 1 4 4 ·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6 項所述之方法疋令與掃目g線交叉的共通電極與和景多像信 说配線交叉的共通電極的接續部分，位在局部性沈積之間 極絕緣膜區域以外。 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 5 ·如申請專利範圍第工、2、3、4、5或6 項所述之方法，其影像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁 (或鋁合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合 金）組成的二層構造，或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成 的二層構造，或鈦的矽化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構 造’或錮的秒化物與鉬（或鉬合金）組成二層構造，或鉻 的矽化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造。 • II - I 1 4 6 ·如申請專利範圍第7項所述之方法，其影像 信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層 構’或翻的秒化物與紹（或紹合金）組成的二層構造，或 鉻的石夕化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽化 物與錮（或麵合金）組成的二層構造’或麵的秒化物與銷（ 或銦合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合金） ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------- 08 536655 A8 B8 C8 六、申請專利範圍 組成的二層構造。 147.如申請專利範圍第8項所述之方法，其影像 信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層 構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造丁二 鉻的石夕化物與is(或銘合金）組成的二層構造，二鈦的錢 物錢（或！目合金）組成的二層構造，或銦㈣化物斑翻（ 或翻合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與錮（或钥合金） 組成的二層構造。 148·如申請專利範圍第9項所述之方法，其影像 信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層 構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，二 鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽化 物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬（ 或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合金） 組成的二層構造。 1 4 9 ·如申請專利範圍第i 〇項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構ie，或錮的石夕化物與銘（或铭合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 5 0 ·如申請專利範圍第1 i項所述之方法，其影 像^號配線係採用由鈦的石夕化物與紹（或紹合金）組成的二 -. - — .81 _. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（ 210X297公釐） " ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 層構造’或錮的石夕化物與|g (或銘合金）組成的二層構造， 或鉻的石夕化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與錮（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 5 1 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的石夕化物與銘（或銘合金）組成的二層構造，或鈇的石夕 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 2 ·如申請專利範圍第1 3項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的石夕化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的石夕 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或錮的石夕化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的石夕化物與鉬（或I自合 金）組成的二層構造。 1 53 ·如申請專利範圍第14、1 5或1 6項所述 之方法’其影像信號配線係採用由欽的碎化物與紹（或崔呂 合金）組成的二層構造，或鉬的石夕化物與銘（或铭合金）組 成的二層構造，或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層 構造，或鈦的石夕化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或 _ 82_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 536655 A8 B8 C8 ---- -- D8 六、申請專利ΪΪ " 鉬的矽化物與鉬（或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化 物與翻（或鉬合金）組成的二層構造。 1 5 4 ·如申請專利範圍第1 7項所述之方法，其影 像k號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 5 5 ·如申請專利範圍第i 8項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 5 6 ·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其影 像#號配線係採用由鈇的石夕化物與I呂（或銘合金）組成的一 層構造’或錮的石夕化物與銘（或銘合金）組成的二声構迭， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或欽的石夕 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與錮（或銦合 金）組成的二層構造。 1 5 7 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之方法，其影 ----------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 、-口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的石夕化物與銘（或|g合金）組成的二層構造，或鈦的石夕 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或翻合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 5 8 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其影 像L號配線係採用由鈥的石夕化物與紹（或|呂合金）組成的二 層構造’或錮的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉻的矽化物與鉬 (或錮合金）組成的二層構造。 1 5 9 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 6 0 .如申請專利範圍第2 3項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造了 或鉻的石夕化物與銘（或銘合金）組成的二層構造，^欽=石夕 化物與翻（或翻合金）組成的二層構造，或銷的石夕化物與銷 Ϊ紙張尺度適用中關家標準（CNS ) Α4· ( 21()χ297ϋ ) " ______ ---------Φ II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 536655 A8 B8 C8 _______ D8 六、申請專利範圍 (或錮合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 1 ·如申請專利範圍第2 4項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造’或錮的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或钥合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 6 2 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 3 .如申請專利範圍第2 6項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 ° 1 6 4 ·如申請專利範圍第2 7項所述之方法，其影 “ 85 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4祕（210Χ297公釐) --—------- 536655

   六、申請專利範圍 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的石夕化物與鉬 (或錮5金）組成一層構造，或鉻的石夕化物與錮（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 6 5 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 -訂 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 6 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或翻合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 6 7 ·如申請專利範圍第3 〇或3 1項所述之方法 其衫像"U德配線係採用由欽的碎化物與銘（或紹合金）組 成的二層構造，或鉬的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層 構造’或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或 _____ 86____ 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )八4祕（21GX297公釐）" ----- 536655 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 鈦的矽化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化 物與鉬（或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（ 或鉬合金）組成的二層構造。 1 6 8 ·如申請專利範圍第3 2項所述之方法，其影 像信號配線係採用由鈦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二 層構造’或銦的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造， 或鉻的矽化物與鋁（或鋁合金）組成的二層構造，或鈦的矽 化物與鉬（或鉬合金）組成的二層構造，或鉬的矽化物與鉬 (或鉬合金）組成二層構造，或鉻的矽化物與鉬（或鉬合 金）組成的二層構造。 1 6 9 · —種液晶顯示裝置，包括有至少一方為透明 的一對基板、夾持於前述基板間的液晶組成物；其中，與 刚述基板之任一方成對向的基板表面上配置有矩陣狀複數 掃瞄線、影像信號配線、與共通電極成對的晝素電極、接 ，於幻述旦素電極、與前述掃目苗線及前述影像信號接續之 主動式元件；其特徵在於： 與液晶驅動電極成對的畫素共通電極膜厚比前述掃瞄 線的膜厚薄。 1 7 0 · —種橫電場方式主動式矩陣型液晶顯示裝置 ，包括有至少一方為透明的一對基板、夾持於前述基板間 的液曰曰組成物；其中，與前述基板之任一方成對向的基板 表面上配置有矩陣狀複數掃瞄線、影像信號配線、與共通 電極j對的晝素電極、接續於前述晝素電極、與前述掃瞄 線及前述影像信號接續之主動式元件；其特徵在於： ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   536655 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 與液晶驅動電極成對的畫素共通電極膜厚比前述掃猫 線的膜厚薄。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）