JP2007178649A - 階調マスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に上記遮光膜および上記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、上記半透明膜が金属膜であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。
【選択図】図1
Description
しかしながら、このスリットは解像限界以下である必要があるため、当然のことながら、マスクの本体パターンよりも小さな寸法に仕上げる必要があり、マスク製造に対して大きな負荷となってしまうという問題があった。さらに、広い領域を半透明にするためには、多くのスリットを配置する必要があるため、パターンデータ容量が増え、パターン形成工程や、パターンの欠陥検査工程に対する負荷の増大という問題も生じ、製造・検査時間の増大、マスク製造コストの上昇につながってしまうという問題があった。
特許文献5に記載の階調マスクは、透過率が300nmで5%以下、380nmで45%以上であり、露光光の短波長域(300nm〜350nm程度)をカットし、長波長域(350nm〜450nm程度)のみを利用するというものである。しかしながら、長波長域のみを利用する場合、短波長域を利用する場合と比較してエネルギーが低いため、硬化速度が遅く、露光に時間がかかるという問題がある。
このような階調マスクでは、露光光の長波長域も短波長域も有効に利用することができるので、露光時間の短縮化が可能である。また、例えばネガ型レジストを用いてパターンを形成する場合には、透過領域および半透明領域の透過率比を、透過領域および半透明領域の露光後のレジストの膜厚比とみなすことができ、レジストの膜厚制御が容易である。
本発明の表示装置製造用階調マスクは、上述した階調マスクを用いたものであるので、表示装置の製造工程の簡略化が可能であり、またパターン形成時の露光時間の短縮化が可能である。
本発明の階調マスクは、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に上記遮光膜および上記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、上記半透明膜が金属膜であることを特徴とするものである。
図1は本発明の階調マスクの一例を示す概略断面図である。図1に例示するように、階調マスク1は、透明基板2上に半透明膜3および遮光膜4がこの順に積層されたものである。この半透明膜3は透過率調整機能を有している。また、遮光膜4は実質的に露光光を透過しないものである。階調マスク1では、透明基板2上に半透明膜3および遮光膜4がパターン状に形成されており、透明基板2上に遮光膜4が設けられた遮光領域11と、透明基板2上に半透明膜3のみが設けられた半透明領域12と、透明基板2上に半透明膜3および遮光膜4のいずれも設けられていない透過領域13とが混在している。
本発明における半透明膜は、金属膜であるので、紫外光領域から可視光領域における透過率が一定の範囲となる傾向があり、露光波長域全体において透過率が一定の範囲内となる。このため、例えば露光装置に高圧水銀ランプを用いた場合、例えば図3においては300nmにおける透過率が39%、365nm(I線)における透過率が37%、436nm(G線)における透過率が35%となり、波長域全体(250nm〜600nm)において透過率が一定の範囲内(33%〜40%程度)となる。したがって、図2に例示するようにネガ型レジストを用いた場合は、半透明膜の各波長における透過率(%):透過率100(%)≒半透明領域の平均透過率:透過領域の平均透過率≒半透明領域の露光後のレジスト厚:透過領域の露光後のレジスト厚、とみなすことができる。すなわち、ある波長における透過率を調整することにより、露光波長域全体において透過率を所定の範囲内に調整することができ、露光後のレジスト厚を制御することができる。このように、本発明の階調マスクでは、レジストの膜厚制御が容易であり、種々のレジスト厚を容易に設計することができる。
このように、本発明の階調マスクは、露光装置によらずに適用することができる点においても、有利である。
一般に、金属は反射率が比較的高く、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物などは反射率が比較的低い。このため、半透明膜が金属膜である場合には、アライメントマークの検出が容易であるという利点を有する。すなわち、2回目のマスクパターン製版において位置合わせが容易となる。
以下、本発明の階調マスクの各構成について説明する。
本発明に用いられる半透明膜は、金属膜であり、透過率調整機能を有するものである。
金属膜としては、透過率調整機能を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えばクロム、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、ケイ素、ニッケル等の膜が挙げられる。これらの金属膜は、透過率調整機能を有していれば、微量の酸素や窒素等を含んでいてもよい。
半透明膜および遮光膜を同一エッチング設備、工程でパターニングし得るという利点から、半透明膜は、遮光膜と同系の材料、すなわち同種の金属を含む材料からなる膜であることが好ましい。後述するように遮光膜がクロム系膜であることが好ましいことから、半透明膜はクロム膜であることが好ましい。クロム膜は、機械的強度に優れており、さらには退光性がなく安定しているため、本発明の階調マスクは長時間の使用に耐えうるものとなるという利点を有する。
このクロム膜は、上述したように微量の酸素や窒素等を含んでいてもよく、この場合には、膜中のクロム含有量が80%以上であることが好ましく、特に95%以上であることが好ましい。後述する好適な透過率特性を満足する半透明膜とすることができるからである。
また、透過率の測定方法としては、階調マスクに使用する透明基板の透過率をリファレンス(100%)として、半透明膜の透過率を測定する方法を採用することができる。装置としては、紫外・可視分光光度計(例えば日立U-4000等)、またはフォトダイオードアレイを検出器としている装置(例えば大塚電子MCPD等)を用いることができる。上記の最大透過率および最小透過率は、300nm〜450nmにおける透過率のうち最大値および最小値であり、上記の平均透過率は、300nm〜450nmにおける透過率を平均した値である。
なお、透過率分布の算出方法については、上述した通りである。
中でも、本発明の階調マスクを利用して、例えば高さの異なるスペーサを形成する場合において、各パターンの高さの差を3μm以上とする場合は、300nmでの透過率が10%〜30%の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは10%〜20%の範囲内である。また、各パターンの高さの差を3μm以下とする場合には、300nmでの透過率が30%〜70%の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは30%〜50%の範囲内である。
なお、透過率の測定方法については、上述した通りである。
本発明に用いられる遮光膜は、実質的に露光光を透過しないものであり、露光波長における平均透過率が0.1%以下であることが好ましい。このような遮光膜としては、一般にフォトマスクに用いられる遮光膜を用いることができ、例えばクロム、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、ケイ素等の金属の膜、あるいは、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素等の金属の酸化物や窒化物などの膜が挙げられる。中でも、遮光膜としては、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム等のクロム系膜が好ましく用いられ、特にクロム膜が好適である。クロム系膜は、最も使用実績があり、コスト、品質の点で好ましいからである。また、クロム系膜は、単層であってもよく、2層以上が積層されたものであってもよい。
本発明に用いられる透明基板は、一般にフォトマスクに用いられる基板を使用することができる。例えば、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス等の光学研磨された低膨張ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、ソーダライムガラス、ホワイトサファイアなどの可撓性のない透明なリジット材、あるいは、透明樹脂フィルム、光学用樹脂フィルムなどの可撓性を有する透明なフレキシブル材を用いることができる。中でも、石英ガラスは、熱膨脹率の小さい素材であり、寸法安定性および高温加熱処理における特性に優れている。
本発明における遮光領域は、透明基板上に遮光膜が設けられた領域である。遮光領域では、透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されていればよく、透明基板上に遮光膜および半透明膜が形成されていてもよい。
本発明においては、遮光膜上に低反射層が形成されていてもよい。低反射層を設けることにより、本発明の階調マスクの使用時において、ハレーションを防止することができる。
低反射層としては、例えば酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム等の膜が挙げられる。遮光膜がクロム系膜である場合、これらの膜は遮光膜のエッチング時に同時にエッチングすることが可能である。
例えば図6(a)に示すように透明基板2、遮光膜4、半透明膜3の順に積層されている場合、低反射層は遮光膜と半透明膜の間に形成される。また、図6(b)に示すように透明基板2、半透明膜3、遮光膜4の順に積層されている場合、および図6(c)に示すように半透明膜3、透明基板2、遮光膜4の順に積層されている場合、低反射層は遮光膜上に形成される。
本発明の階調マスクは、透過率が3段階以上に段階的に変化するものであり、2階調のマスクに限定されるものではなく、後述するようにパターニングを繰り返すことにより、2階調以上の多階調のマスクとすることが可能である。
本発明の階調マスクを用いた一括露光により2種以上のパターンを同時に形成する用途として、具体的には液晶表示装置におけるスペーサおよび配向制御用突起の同時形成、液晶表示装置における高さの異なるスペーサの同時形成、液晶表示装置におけるスペーサおよびオーバーコート層の同時形成、液晶表示装置用カラーフィルタにおけるスペーサおよび配向制御用突起の同時形成、液晶表示装置カラーフィルタにおける高さの異なるスペーサの同時形成、液晶表示装置カラーフィルタにおけるスペーサおよびオーバーコート層の同時形成、表示装置における半導体素子作製時の厚みの異なるレジストの形成などを挙げることができる。
次に、本発明の階調マスクの製造方法について説明する。本発明の階調マスクの製造方法としては、透明基板上に半透明膜および遮光膜をパターン状に形成することにより、所望の位置に遮光領域、半透明領域、および透過領域を配置することができる方法であれば特に限定されるものではないが、2つの好ましい態様を挙げることができる。以下、各態様について説明する。
本発明の階調マスクの製造方法の第1の態様は、透明基板上に遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、遮光膜の一部をパターニングする第1パターニング工程と、パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜する半透明膜成膜工程と、遮光膜および半透明膜をパターニングする第2パターニング工程とを有するものである。
本態様の階調マスクを作製するには、まず透明基板2上に遮光膜4aを成膜したマスクブランク20を準備する(図10(a)、マスクブランク準備工程)。
次に、遮光膜4a上にレジスト材料を塗布し、塗布後に所定時間ベークし、第1レジスト膜21aを形成する(図10(b))。次に、遮光膜をパターン露光する。この際、半透明領域12と遮光領域11とが接する境界、および半透明領域12と透過領域13とが接する境界を形成するように、半透明領域12は第1レジスト膜21aが除去される露光量で露光し、遮光領域11および透過領域13は第1レジスト膜21aが残存する露光量で露光する。続いて、現像することにより、第1レジストパターン21bを形成する(図10(c))。次に、第1レジストパターン21bより露出している遮光膜4aをエッチングして、遮光膜中間パターン4bを形成し(図10(d))、残存している第1レジストパターン21bを除去する(図10(e))。この遮光膜中間パターン4bでは、後述する第2パターニング工程にて半透明膜と同じ箇所をエッチングする部分はエッチングされずに残存している。なお、図10(b)〜(e)は第1パターニング工程である。
次に、遮光膜中間パターン4bが形成された透明基板2の全面に、半透明膜3aを成膜する(図10(f)、半透明膜成膜工程)。
次に、半透明膜3a上にレジスト材料を塗布し、塗布後に所定時間ベークし、第2レジスト膜22aを形成する(図10(g))。続いて、遮光膜および半透明膜のパターン露光を行う。この際、遮光領域11と透過領域13とが接する境界、および半透明領域12と透過領域13とが接する境界を形成するように、透過領域13は第2レジスト膜22aが除去される露光量で露光し、遮光領域11および半透明領域12は第2レジスト膜22aが残存する露光量で露光する。次に、現像することにより、第2レジストパターン22bを形成する(図10(h))。次に、第2レジストパターン22bより露出している半透明膜3aをエッチングし、続いて、下層の遮光膜中間パターン4bが露出している箇所をさらにエッチングすることにより、半透明膜パターン3bおよび遮光膜パターン4cを形成する(図10(i))。次いで、残存している第2レジストパターン22bを除去し(図10(j))、階調マスクを得ることができる。なお、図10(g)〜(j)は第2パターニング工程である。
以下、本態様の階調マスクの製造方法における各工程について説明する。
本態様におけるマスクブランク準備工程は、透明基板上に遮光膜を成膜したマスクブランクを準備する工程である。
透明基板上に遮光膜としてクロム膜が形成されたマスクブランクは、一般的に使用されているマスクブランクであり、容易に入手可能である。
本態様における第1パターニング工程は、遮光膜の一部をパターニングする工程である。遮光膜のパターニング方法としては特に限定されるものではなく、通常、リソグラフィー法が用いられる。リソグラフィー法を用いる場合、マスクブランクの遮光膜上にレジスト材料を塗布し、ベークを行って第1レジスト膜を形成する。
また、図示しないが、第1レジスト膜にネガ型レジスト材料を用いた場合は、半透明領域では露光せず、遮光領域および透過領域で第1レジスト膜が感光される露光量で露光する。
なお、遮光膜および半透明膜の同じ箇所を一括してエッチングするためのパターン露光は、第2パターニング工程で行う。
遮光膜がクロム系膜である場合には、硝酸セリウム系ウェットエッチャントが好適に用いられる。
また、遮光膜が低反射機能を有する場合は、第1レジスト膜を露光するための露光光の散乱によって、本来露光されるべき領域でない領域が露光されてしまうことを防止することができる。
本態様における半透明膜成膜工程は、パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜する工程である。なお、半透明膜の成膜方法については、上述したとおりであるので、ここでの説明は省略する。
本態様における第2パターニング工程は、遮光膜および半透明膜をパターニングする工程である。遮光膜および半透明膜のパターニング方法としては特に限定されるものではなく、通常、リソグラフィー法が用いられる。リソグラフィー法を用いる場合、遮光膜および半透明膜が形成された透明基板上にレジスト材料を塗布し、ベークを行って第2レジスト膜を形成する。
なお、第2レジスト膜の材料については、上記第1パターニング工程の項に記載した第1レジスト膜の材料と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、図示しないが、第2レジスト膜にネガ型レジスト材料を用いた場合は、透過領域では露光せず、遮光領域および半透明領域で第2レジスト膜が感光される露光量で露光する。
本発明において、半透明膜がクロム膜である場合、膜厚は例えば5nm〜20nm程度であり、比較的薄い。このため、半透明膜のエッチング時間を短縮することができる。また、半透明膜および遮光膜のエッチング速度にほとんど差がないので、半透明膜パターンのエッジのビリツキがない(エッジがシャープである)という利点を有する。
本発明の階調マスクの製造方法の第2の態様は、透明基板上に半透明膜および遮光膜がこの順に積層されたマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、半透明膜および遮光膜の一部をパターニングする第1パターニング工程と、遮光膜のみをパターニングする第2パターニング工程とを有するものである。
本態様の階調マスクを作製するには、まず透明基板2上に半透明膜3aおよび遮光膜4aがこの順に積層されたマスクブランク20を準備する(図11(a)、マスクブランク準備工程)。
次に、遮光膜4a上にレジスト材料を塗布し、塗布後に所定時間ベークし、第1レジスト膜23aを形成する(図11(b))。次に、半透明膜および遮光膜のパターン露光を行う。この際、遮光領域11と透過領域13とが接する境界、および半透明領域12と透過領域13とが接する境界を形成するように、透過領域13は第1レジスト膜23aが除去される露光量で露光し、遮光領域11および半透明領域12は第1レジスト膜23aが残存する露光量で露光する。続いて、現像することにより、第1レジストパターン23bを形成する(図11(c))。次に、第1レジストパターン23bより露出している透明膜3aおよび遮光膜4aをエッチングして、半透明膜パターン3bおよび遮光膜中間パターン4bを形成し(図11(d))、残存している第1レジストパターン23bを除去する(図11(e))。この遮光膜中間パターン4bでは、後述する第2パターニング工程にて遮光膜のみをエッチングする部分はエッチングされずに残存している。なお、図11(b)〜(e)は第1パターニング工程である。
次に、半透明膜パターン3bおよび遮光膜中間パターン4bが形成された透明基板2上にレジスト材料を塗布し、塗布後に所定時間ベークし、第2レジスト膜24aを形成する(図11(f))。続いて、遮光膜のパターン露光を行う。この際、半透明領域12と遮光領域11とが接する境界、および半透明領域12と透過領域13とが接する境界を形成するように、半透明領域12は第2レジスト膜24aが除去される露光量で露光し、遮光領域11および透過領域13は第2レジスト膜24aが残存する露光量で露光する。次に、現像することにより、第2レジストパターン24bを形成する(図11(g))。次に、第2レジストパターン24bより露出している遮光膜中間パターン4bをエッチングして、遮光膜パターン4cを形成し、(図11(h))、残存している第2レジストパターン24bを除去する(図11(i))。なお、図11(f)〜(i)は第2パターニング工程である。このようにして階調マスクを得ることができる。
以下、本態様の階調マスクの製造方法における各工程について説明する。
本態様におけるマスクブランク準備工程は、透明基板上に半透明膜および遮光膜がこの順に積層されたマスクブランクを準備する工程である。なお、透明基板、半透明膜および遮光膜については上述したとおりであるので、ここでの説明は省略する。
本態様における第1パターニング工程は、半透明膜および遮光膜の一部をパターニングする工程である。半透明膜および遮光膜のパターニング方法としては特に限定されるものではなく、通常、リソグラフィー法が用いられる。リソグラフィー法を用いる場合、マスクブランクの遮光膜上にレジスト材料を塗布し、ベークを行って第1レジスト膜を形成する。
また、図示しないが、第1レジスト膜にネガ型レジスト材料を用いた場合は、透過領域では露光せず、遮光領域および半透明領域で第1レジスト膜が感光される露光量で露光する。
なお、遮光膜のみをエッチングするためのパターン露光は、第2パターニング工程で行う。
本態様における第2パターニング工程は、遮光膜のみをパターニングする工程である。遮光膜のパターニング方法としては特に限定されるものではなく、通常、リソグラフィー法が用いられる。リソグラフィー法を用いる場合、パターニングされた半透明膜および遮光膜の上にレジスト材料を塗布し、ベークを行って第2レジスト膜を形成する。
また、図示しないが、第2レジスト膜にネガ型レジスト材料を用いた場合は、半透明領域では露光せず、遮光領域および透過領域で第2レジスト膜が感光される露光量で露光する。
また、半透明膜および遮光膜に異種の金属膜を用いて、半透明膜のエッチング速度を遮光膜のエッチング速度より遅くすることもできる。
次に、本発明の表示装置製造用階調マスクについて説明する。
本発明の表示装置製造用階調マスクは、上述した階調マスクが表示装置の製造に用いられることを特徴とするものである。
図2は、本発明の表示装置製造用階調マスク1を用いて液晶表示装置における高さの異なるスペーサ16aおよび16bを同時に形成する例である。また、図4および図6に示す表示装置製造用階調マスク1を用いることにより、図7に例示するように液晶表示装置における高さおよび形状の異なるスペーサ18aおよび配向制御用突起18bを同時に形成することができる。さらに、図5および図8に示す表示装置製造用階調マスク1を用いることにより、図9に例示するように液晶表示装置におけるスペーサ19aおよびオーバーコート層19bを同時に形成することができる。このように、本発明の表示装置製造用階調マスクを用いることにより、表示装置における高さや形状の異なる部材を同時に形成することが可能である。
したがって、本発明の表示装置製造用階調マスクを用いることにより、表示装置の製造工程の簡略化および露光時間の短縮化が可能である。
なお、表示装置製造用階調マスクのその他の点については、上記「A.階調マスク」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
[実施例1]
(階調マスクの作製)
光学研磨された390mm×610mmの合成石英基板上にクロム膜(遮光膜)が厚み100nmで成膜されている常用のマスクブランク上に、市販のフォトレジスト(東京応化工業社製 ip−3500)を厚み600nmで塗布し、120℃に加熱されたホットプレートで15分ベークした後、フォトマスク用レーザ描画装置(マイクロニック社製 LRS11000−TFT3)で、所望の遮光膜中間パターンを描画した。
次に、専用のデベロッパー(東京応化工業社製 NMD3)で現像し、遮光膜用レジストパターンを得た。
次に、レジストパターンをエッチング用マスクとし、遮光膜をエッチングし、さらに残ったレジストパターンを剥膜することで、所望の遮光膜中間パターンを得た。遮光膜のエッチングには、市販の硝酸セリウム系ウェットエッチャント(ザ・インクテック社製 MR−ES)を用いた。遮光膜のエッチング時間は、60秒であった。
<成膜条件>
・ガス流量比 Ar:N2=4:1
・パワー:1.3kW
・ガス圧:3.5mTorr
半透明膜の膜厚は10nmとした。半透明膜の分光スペクトルを図13に示す。
次に、半透明膜上に市販のフォトレジスト(東京応化製 ip−3500)を再度、厚み600nmで塗布し、120℃に加熱されたホットプレート上で15分ベークした。
続いて半透明膜パターンとなる像を再度、レーザ描画装置(マイクロニック社製 LRS11000−TFT3)で描画し、専用デベロッパー(東京応化社製 NMD3)で現像し、レジストパターンを得た。
次に、レジストパターンをマスクとして、市販の硝酸セリウム系ウェットエッチャント(ザ・インクテック社製 MR−ES)で半透明膜および遮光膜をエッチングし、半透明膜パターンおよび遮光膜パターンを得た。エッチングは半透明膜および遮光膜に対して行った。
最後に残ったレジストを剥膜し、パターン寸法検査、パターン欠陥検査などの検査工程を経て、必要に応じてパターン修正を行い、階調マスクを得た。
大きさが100mm×100mm、厚みが0.7mmのガラス基板を準備し、このガラス基板上にネガ型感光性樹脂組成物(JSR製 オプトマーNN850)をスピンコート法により塗布し、減圧乾燥後、100℃にて3分間プリベークした。その後、上記の階調マスクを介して下記条件にて露光した。
<露光条件>
・露光量:100mJ/cm2(I線換算)
・露光ギャップ:150μm
(階調マスクの作製)
下記のように半透明膜を成膜した以外は、実施例1と同様にして階調マスクを作製した。
遮光膜中間パターンが形成された基板について、パターン寸法検査、パターン欠陥検査、必要に応じてパターン修正を行い、よく洗浄した後、酸化窒化炭化クロム膜(半透明膜)をスパッタリング法にて成膜した。酸化窒化炭化クロム膜の膜厚は35nmとした。この酸化窒化炭化クロム膜の分光スペクトルを図13に示す。
実施例1と同様にして、凸形状の2種のパターンを形成した。
(階調マスクの作製)
下記のように半透明膜を成膜した以外は、実施例1と同様にして階調マスクを作製した。
遮光膜中間パターンが形成された基板について、パターン寸法検査、パターン欠陥検査、必要に応じてパターン修正を行い、よく洗浄した後、高屈折率層(屈折率:2.5、厚み:29nm、TiO2膜)と低屈折率層(屈折率:1.5、厚み:48nmのSiO2膜)とを交互に計15層(1層目および15層目は高屈折率層)、スパッタリング法にて成膜した。これにより、波長330nm以下の短波長域をカットする半透明膜を得た。
実施例1と同様にして、凸形状の2種のパターンを形成した。
実施例1、比較例1,2の階調マスクを用いて形成されたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡にて観察し、寸法を測定した。
2 … 透明基板
3 … 半透明膜
4 … 遮光膜
11 … 遮光領域
12 … 半透明領域
13 … 透過領域
Claims (3)
- 透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜であることを特徴とする階調マスク。
- 前記半透明膜および前記遮光膜がクロム膜であることを特徴とする請求項1に記載の階調マスク。
- 請求項1または請求項2に記載の階調マスクが表示装置の製造に用いられることを特徴とする表示装置製造用階調マスク。
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007183591A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクブランクおよび階調マスク |
JP2008026668A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2008185861A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ハーフトーンマスク及びそれを用いたパターニング方法 |
JP2009047968A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
JP2009053223A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法 |
JP2009075245A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
WO2009048089A1 (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Ulvac Coating Corporation | グレートーンマスクの製造方法 |
JP2009116268A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法 |
JP2009192927A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 |
JP2009282290A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク、カラーフィルタ、液晶表示装置、及びカラーフィルタの製造方法 |
KR101127367B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2012-03-29 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법 |
JP2012069330A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
US8298728B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-10-30 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask plate and manufacturing method thereof |
JP2013167884A (ja) * | 2006-07-21 | 2013-08-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
CN104267580A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN108415617A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-08-17 | 东莞崧崴电子科技有限公司 | 发光显示按键功能的触控装置 |
WO2019064543A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法および露光装置 |
US10811492B2 (en) | 2018-10-31 | 2020-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for patterning thick layers |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09179287A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2000066240A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Sakae Tanaka | 液晶表示装置とその製造方法 |
WO2000045222A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Masque photolithographique et procede de fabrication de celui-ci |
JP2002189281A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2002189280A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2002196474A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP3415602B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2003-06-09 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005084366A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク |
JP2005181827A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 露光用マスク及びその製造方法、並びに液晶装置の製造方法 |
JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2006018001A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調フォトマスクおよびその製造方法 |
JP2007133098A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Ulvac Seimaku Kk | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2007183591A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクブランクおよび階調マスク |
-
2005
- 2005-12-27 JP JP2005376072A patent/JP2007178649A/ja active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09179287A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2000066240A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Sakae Tanaka | 液晶表示装置とその製造方法 |
WO2000045222A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Masque photolithographique et procede de fabrication de celui-ci |
JP3415602B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2003-06-09 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
JP2002189281A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2002189280A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2002196474A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2005084366A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク |
JP2005181827A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 露光用マスク及びその製造方法、並びに液晶装置の製造方法 |
JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2006018001A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調フォトマスクおよびその製造方法 |
JP2007133098A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Ulvac Seimaku Kk | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2007183591A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクブランクおよび階調マスク |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007183591A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクブランクおよび階調マスク |
JP2008026668A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2013167884A (ja) * | 2006-07-21 | 2013-08-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2008185861A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ハーフトーンマスク及びそれを用いたパターニング方法 |
JP2009047968A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
KR101127367B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2012-03-29 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법 |
JP2009053223A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法 |
JP2009075245A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
WO2009048089A1 (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Ulvac Coating Corporation | グレートーンマスクの製造方法 |
JP2009116268A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法 |
JP2009192927A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 |
JP2009282290A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク、カラーフィルタ、液晶表示装置、及びカラーフィルタの製造方法 |
US8298728B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-10-30 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask plate and manufacturing method thereof |
JP2012069330A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
CN104267580A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置 |
WO2019064543A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法および露光装置 |
CN111149433A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-05-12 | 夏普株式会社 | 显示设备、显示设备的制造方法以及曝光装置 |
US11114522B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, manufacturing method of display device, and exposure device |
CN108415617A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-08-17 | 东莞崧崴电子科技有限公司 | 发光显示按键功能的触控装置 |
US10811492B2 (en) | 2018-10-31 | 2020-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for patterning thick layers |
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