JP5355531B2 - 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成されており、横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線と、前記ゲート配線の上に形成されており、前記ゲートパッドを露出させる第1接触窓を有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の上に縦方向に長く形成されている半導体パターンと、前記半導体パターンの上に形成されており、縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線と、前記データ配線の上に形成されており、前記半導体パターンと実質的に同一な外郭線を有し、前記第1接触窓を通じて前記ゲートパッドを露出させる第2接触窓、前記データパッドを露出させる第3接触窓及び前記ドレーン電極を露出させる第4接触窓を有する第2絶縁膜と、隣接した2筋の前記ゲート線とデータ線とが交差してなす画素領域に形成されているカラーフィルターと、前記カラーフィルターの上に形成されており、前記第4接触窓を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極とを含む薄膜トランジスタ基板を提供する。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成されており、横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線と、前記ゲート配線の上に形成されており、前記ゲートパッドを露出させる第1接触窓を有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の上に縦方向に長く形成されている半導体パターンと、縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含み、前記半導体パターンの上に形成されており、前記ソース電極と前記ドレーン電極との間以外は前記半導体パターンと実質的に同一な外郭線を有するように形成されているデータ配線と、前記データ配線の上に形成されており、前記第1接触窓を露出させる第2接触窓と、前記データパッドを露出させる第3接触窓と、前記ドレーン電極を露出させる第4接触窓とを有する第2絶縁膜と、前記隣接した2筋の前記ゲート線とデータ線とが交差してなす画素領域の保護膜の上に形成されているカラーフィルターと、前記カラーフィルターの上に形成されており、前記第4接触窓を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極とを含む薄膜トランジスタ基板を提供する。
絶縁基板の上に横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線の上に第1絶縁膜、半導体層及び金属層を連続して積層する段階と、前記金属層をパターニングして縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線の上に第2絶縁膜を積層する段階と、前記第2絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を共にパターニングして前記ゲートパッド、データパッド及びドレーン電極をそれぞれ露出させる第1ないし第3接触窓を形成し、隣接したデータ線の間の第1絶縁膜を露出させる開口部を形成する段階と、前記開口部を通じて露出されている第1絶縁膜の上にカラーフィルターを形成する段階と、前記カラーフィルターの上に画素電極を形成する段階と、を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
絶縁基板の上に横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線の上に第1絶縁膜、半導体層及び金属層を連続して積層する段階と、前記金属層及び半導体層を共にパターニングして縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線を形成し、前記ソース電極と前記ドレーン電極の間のチャンネル部以外の前記データ配線の間の半導体層を除去する段階と、前記データ配線の上にそれぞれ前記ゲートパッド、データパッド及びドレーン電極を露出させる第1ないし第3接触窓を有する第2絶縁膜を形成する段階と、前記データ配線の間の領域にカラーフィルターを形成する段階と、前記カラーフィルターの上に前記第3接触窓を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
絶縁基板の上に横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線の上に第1絶縁膜、半導体層及び金属層を連続して積層する段階と、前記金属層をパターニングして縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線の上に第2絶縁膜を積層する段階と、前記第2絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を共にパターニングして前記ゲートパッド、データパッド及びドレーン電極をそれぞれ露出させる第1ないし第3接触窓を形成し、隣接したデータ線の間の絶縁基板及びゲート配線を露出させる開口部を形成する段階と、前記開口部を通じて露出されている絶縁基板及びゲート配線の上にカラーフィルターを形成する段階と、前記カラーフィルターの上に画素電極を形成する段階と、を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
器を使用し、この露光器を使用する時には画面表示部111、121、131、141及び周辺部112、122、132、142を多数の区域に分け、区域別に同一のマスクまたは異なる光マスクを使用して薄膜上にコーティングされた感光膜を露光し、露光した後に基板全体を現像して感光膜パターンを形成した後、下部の薄膜をエッチングすることによって特定の薄膜パターンを形成する。このような薄膜パターンを反復的に形成することによって、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板が完成される。
4 ゲート線短絡帯
5 データ線短絡帯
6 短絡帯連結部
10 絶縁基板
22 ゲート線
24 ゲートパッド
26 ゲート電極
30 ゲート絶縁膜
31 開口部
40 半導体層
42、48 半導体パターン
55、56、58 接触層パターン
62 データ線
64 データパッド
65 ソース電極
66 ドレーン電極
68 導電体パターン
70 保護膜
71、72、73 接触窓
82 画素電極
84 補助ゲートパッド
86 補助データパッド
90 ブラックマトリックス
100 カラーフィルター
110、120、130、140 液晶表示装置用パネル領域
111、121、131、141 画面表示部
112、122、132、142 周辺部
300、400、500 マスク
310、410、510、610 基板
320、420、520 パターン層
330、430 ペリクル
350 クロム層
550、620 透過率調節膜
630 不透明膜
Claims (22)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成されており、横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線と、
前記ゲート配線の上に形成されており、前記ゲートパッドを露出させる第1接触窓を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上に縦方向に長く形成されている半導体パターンと、
前記半導体パターンの上に形成されており、縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線と、
前記データ配線の上に形成されており、前記半導体パターンと実質的に同一な外郭線を有し、前記第1接触窓を通じて前記ゲートパッドを露出させる第2接触窓、前記データパッドを露出させる第3接触窓及び前記ドレーン電極を露出させる第4接触窓を有する第2絶縁膜と、
隣接した2筋の前記ゲート線とデータ線とが交差してなす画素領域に形成されているカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの上に形成されており、前記第4接触窓を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極と
を含み、
前記ゲートパッド及び前記データパッドの一部に位置し厚さを有していない第1部分と、画素領域及び前記ドレーン電極の一部に位置する第1厚さを有する第2部分と、前記第1及び第2部分以外の残りの部分に前記第1厚さより大きい第2厚さを有する第3部分とを有するように、部分に応じて高さが異なる感光膜パターンを形成し、
前記感光膜パターンの第2部分を通じて画素領域にある第2絶縁膜及びその下部の半導体層をエッチングして半導体パターンを形成し、前記ドレーン電極の上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第4接触窓を形成し、前記感光膜パターンの第1部分を通じて前記データパッドの上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第3接触窓を形成し、前記ゲートパッドの上に置かれる第2絶縁膜とその下部の半導体層及び第1絶縁膜をエッチングして第1接触窓及び第2接触窓を形成する薄膜トランジスタ基板。 - 前記半導体層と前記データ配線との間に形成されており、前記データ配線と実質的に同一な外郭線を有する接触層をさらに含む請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ゲートパッド及び前記データパッドをそれぞれ覆う補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含む請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記データ配線及びゲート配線の上部の前記保護膜の上に形成されている光遮断性を有する有機膜パターンをさらに含む請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記光遮断性を有する有機膜パターンには前記第4接触窓を通じて前記ドレーン電極を露出させる第5接触窓が形成されており、前記第5接触窓は前記第4接触窓より狭いことを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第2絶縁膜は光遮断性を有する有機膜であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第1絶縁膜の外郭線が前記半導体パターンと実質的に同一であることを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 隣接する2つの前記データ配線の下部の半導体パターンの間の最小間隔が1μm以上であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成されており、横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線と、
前記ゲート配線の上に形成されており、前記ゲートパッドを露出させる第1接触窓を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上に縦方向に長く形成されている半導体パターンと、
縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含み、前記半導体パターンの上に形成されており、前記ソース電極と前記ドレーン電極との間以外は前記半導体パターンと実質的に同一な外郭線を有するように形成されているデータ配線と、
前記データ配線の上に形成されており、前記第1接触窓を露出させる第2接触窓と、前記データパッドを露出させる第3接触窓と、前記ドレーン電極を露出させる第4接触窓とを有する第2絶縁膜と、
前記隣接した2筋の前記ゲート線とデータ線とが交差してなす画素領域の保護膜の上に形成されているカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの上に形成されており、前記第4接触窓を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極と、
を含み、
前記ゲートパッド及び前記データパッドの一部に位置し厚さを有していない第1部分と、画素領域及び前記ドレーン電極の一部に位置する第1厚さを有する第2部分と、前記第1及び第2部分以外の残りの部分に前記第1厚さより大きい第2厚さを有する第3部分とを有するように、部分に応じて高さが異なる感光膜パターンを形成し、
前記感光膜パターンの第2部分を通じて画素領域にある第2絶縁膜及びその下部の半導体層をエッチングして半導体パターンを形成し、前記ドレーン電極の上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第4接触窓を形成し、前記感光膜パターンの第1部分を通じて前記データパッドの上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第3接触窓を形成し、前記ゲートパッドの上に置かれる第2絶縁膜とその下部の半導体層及び第1絶縁膜をエッチングして第1接触窓及び第2接触窓を形成する薄膜トランジスタ基板。 - 前記半導体層と前記データ配線との間に形成されており、前記データ配線と実質的に同一な外郭線を有する接触層をさらに含む請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ゲートパッド及び前記データパッドをそれぞれ覆う補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含む請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記データ配線及びゲート配線の上部の前記保護膜の上に形成されている光遮断性を有する有機膜パターンをさらに含む請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記光遮断性を有する有機膜パターンには前記第4接触窓を通じて前記ドレーン電極を露出させる第5接触窓が形成されており、前記第5接触窓は前記第4接触窓より狭いことを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第2絶縁膜は光遮断性を有する有機膜であることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 絶縁基板の上に横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線の上に第1絶縁膜、半導体層及び金属層を連続して積層する段階と、
前記金属層をパターニングして縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線の上に第2絶縁膜を積層する段階と、
前記第2絶縁膜上に感光膜を塗布する段階と、
前記感光膜を露光して現像し、
前記ゲートパッド及び前記データパッドの一部に位置し厚さを有していない第1部分と、
画素領域及び前記ドレーン電極の一部に位置する第1厚さを有する第2部分と、
前記第1及び第2部分以外の残りの部分に前記第1厚さより大きい第2厚さを有する第3部分とを有するように、部分に応じて高さが異なる感光膜パターンを形成する段階と、
前記第2絶縁膜、半導体層及び第1絶縁膜を共にパターニングして前記感光膜パターンの第2部分を通じて画素領域にある第2絶縁膜及びその下部の半導体層をエッチングして半導体パターンを形成し、前記ドレーン電極の上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第1接触窓を形成し、前記感光膜パターンの第1部分を通じて前記データパッドの上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第2接触窓を形成し、前記ゲートパッドの上に置かれる第2絶縁膜とその下部の半導体層及び第1絶縁膜をエッチングして第3接触窓を形成し、隣接したデータ線の間の第1絶縁膜を露出させる開口部を形成する段階と、
前記開口部を通じて露出されている第1絶縁膜の上にカラーフィルターを形成する段階と、
前記カラーフィルターの上に画素電極を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記半導体層の上に接触層をさらに積層し、前記金属層をパターニングする段階で前記接触層も共にパターニングすることを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記第2絶縁膜、接触層、半導体層及び第1絶縁膜を共にパターニングする段階は、
前記第2絶縁膜の上に感光膜を積層する段階と、
前記感光膜を、光透過率が位置に応じて3段階以上に分割される光マスクを通じて露光する段階と、
前記感光膜を現像する段階と、
前記感光膜と共に前記第2絶縁膜、接触層、半導体層及び第1絶縁膜をエッチングする段階とを含む請求項16に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第2絶縁膜、半導体層及び第1絶縁膜を共にパターニングする段階の次に、光遮断性を有する有機膜パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記第2絶縁膜は光遮断性有機膜であることを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 絶縁基板の上に横方向にのびているゲート線、前記ゲート線の一部であるゲート電極及び前記ゲート線の一端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線の上に第1絶縁膜、半導体層及び金属層を連続して積層する段階と、
前記金属層をパターニングして縦方向に長くのびているデータ線、前記データ線の一部であるソース電極、前記データ線の一端に形成されているデータパッド及び前記ソース電極と分離されて対向しているドレーン電極を含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線の上に第2絶縁膜を積層する段階と、
前記第2絶縁膜上に感光膜を塗布する段階と、
前記感光膜を露光して現像し、
前記ゲートパッド及び前記データパッドの一部に位置し厚さを有していない第1部分と、
画素領域及び前記ドレーン電極の一部に位置する第1厚さを有する第2部分と、
前記第1及び第2部分以外の残りの部分に前記第1厚さより大きい第2厚さを有する第3部分とを有するように、部分に応じて高さが異なる感光膜パターンを形成する段階と、
前記第2絶縁膜、半導体層及び第1絶縁膜を共にパターニングして前記感光膜パターンの第2部分を通じて画素領域にある第2絶縁膜及びその下部の半導体層をエッチングして半導体パターンを形成し、前記ドレーン電極の上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第1接触窓を形成し、前記感光膜パターンの第1部分を通じて前記データパッドの上に置かれる第2絶縁膜をエッチングして第2接触窓を形成し、前記ゲートパッドの上に置かれる第2絶縁膜とその下部の半導体層及び第1絶縁膜をエッチングして第3接触窓を形成し、隣接したデータ線の間の絶縁基板及びゲート配線を露出させる開口部を形成する段階と、
前記開口部を通じて露出されている絶縁基板及びゲート配線の上にカラーフィルターを形成する段階と、
前記カラーフィルターの上に画素電極を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記半導体層の上に接触層をさらに積層し、前記金属層をパターニングする段階で前記接触層も共にパターニングすることを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記第2絶縁膜は光遮断性を有する有機膜であることを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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