TW518611B - Adhesives and adhesive films - Google Patents

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TW518611B
TW518611B TW090125196A TW90125196A TW518611B TW 518611 B TW518611 B TW 518611B TW 090125196 A TW090125196 A TW 090125196A TW 90125196 A TW90125196 A TW 90125196A TW 518611 B TW518611 B TW 518611B
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TW
Taiwan
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adhesive
conductive particles
semiconductor element
film
insulating
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Application number
TW090125196A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Kumakura
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
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Publication date
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Description

518611 A7 _____R7 一----- 五、發明說明（/ ) [發明之詳細說明] [發明所屬之技術領域] 本發明係關於例如在半導體元件與軟性配線板之間作 電氣連接時所使用之異向導電性之接著劑° [習知技術] 以往以來，作爲連接半導體元件與軟性配線板之方式 ，例如使用添加有導電性粒子之接著劑。 圖8(a)之符號13〇係顯示半導體元件’此半導體元件 13〇係具有：元件本體131、配置於元件本體131表面之配 線膜135、以及配置於配線膜135上之在既定位置形成有 開口 139的保護膜137。 又，圖8(a)之符號110係顯示半導體元件130所連接 之軟性配線板’此軟性配線板具有基材薄膜Π1、形 成於基材薄膜111上之配線膜115。 軟性配線板110之配線膜115、半導體元件130之配 線膜135分別具有：連接部115a，135a(用於後述之連接）、 配線部H5b，135b(分別圍繞於軟性配線板110與半導體元 件130內，其一端係連接於連接部115a，135a)。 •當中，半導體元件130之連接部135a上係配置著保護 膜137之開口 139。在此開口 139內係配置著一直立形成 於連接部135a上之凸塊136，此凸塊136之前端係突出於 保護膜137之表面。 當上述軟性配線板Π0與半導體元件130要進行連接 的時候，如圖8(a)所不般’首先讓半導體元件130之形成 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x 297公釐） ~ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ______B7 _ 五、發明說明（α ) 有保護膜137之側面與軟性配線板110之形成有配線膜 115之側面彼此對向，在其間配置一添加有導電性粒子125 之接著劑所構成之接著薄膜120。 其次，一邊讓半導體元件130之凸塊136面向於軟性 配線板110之配線膜115之連接部115a來進行對位，一邊 以半導體元件130與軟性配線板110來夾住接著薄膜120 ，在抵壓全體的同時進行加熱，則接著薄膜120會受熱軟 化，所軟化之接著薄膜120會自半導體元件13〇之凸塊 136前端壓退，殘留之接著薄膜120則爲接著部115a與凸 塊136所挾持。 圖8(b)係顯示此狀態，由凸塊136與連接部115a所挾 持之接著薄膜120中之導電性粒子125受到抵壓會陷入凸 塊136前端表面與連接部115a表面，透過此導電性粒子 125來連接配線膜115、135間。 圖8(b)之符號100係顯示經加熱、抵壓後冷卻所得之 電氣裝置。 接著薄膜120由於在加熱冷卻後會硬化，是以此電氣 裝置100不僅是讓半導體元件130與軟性配線板110透過 導電性粒子125來做電氣連接’尙呈現機械性連接。 惟，由於軟性配線板11〇具有柔軟性，所以自與凸塊 136連接著之連接部115a離開之部分在加熱、加壓之際將 壓附於半導體元件130之保護膜137表面’使得半導體元 件130之保護膜137與軟性配線板Π0之形成有配線膜 115之面呈密接狀態。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 IAW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 _B7 _______ 五、發明說明（$ ) 於接著薄膜120所使用之導電性粒子125 —般其平均 粒徑較半導體元件130之保護膜137的厚度爲大，且是由 強固的金屬所構成之故’一旦讓半導體兀件130之保護膜 137的表面與軟性配線板之表面相密接，故有時導電 性粒子125會因爲抵壓作用而穿破保護膜137。 圖8(b)之圖式右方係顯示導電性粒子125穿破保護膜 137之狀態的示意截面圖，於軟性配線板11〇與半導體元 件130密接之部分中，分別之配線膜、135之配線部 115b、135b處於對向位置時，穿破保護膜137之導電性粒 子125會與配線部115b、135b接觸，使得構成電氣裝置 100之配線膜115、135發生短路。 又，伴隨電子零件之高密度化，半導體元件130之配 線膜135的圖案於近年來也細微化’一旦穿破保護膜137 之導電性粒子125侵入該等配線膜135間，鄰接之配線膜 135彼此會透過導電性粒子125做電氣連接，從而造成半 導體元件130之配線膜135彼此的短路。 又，接著劑亦可不成形爲薄膜狀，而是直餐塗佈於軟 性配線板110表面，來與半導體元件130做連接，惟上述 之導電性粒子125在糊狀之接著劑中無法均一地分散，容 易發生沉降，故使用此種接著劑容易發生連接不良之情況 〇 [發明所欲解決之課題] 本發明係用以解決上述習知技術之課題所得者，其目 的在於提供一種相對於細微間距之電路具有高連接可靠性 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 竭 ~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂------I--*5^ 518611 A7 _B7_ 五、發明說明（> ) 之接著薄膜。 [用以解決課題之手段] 爲了解決上述課題，本發明之接著劑，係具有絕緣性 接著成分、以及分散於前述絕緣性接著成分中之導電性粒 子；其特徵在於，前述導電性粒子之平均直徑爲 10nm〜90nm 〇 本發明係一種接著劑，其特徵在於，在前述接著劑中 所含之前述導電性粒子的比表面積爲5m2/g〜80 m2/g。 本發明係一種接著劑，其特徵在於，當前述絕緣性接 著成分與前述導電性粒子之合計體積爲1〇〇時，於前述接 著劑所含之前述導電性粒子之合計體積係介於0.1〜12之間 〇 本發明係一種接著劑，其特徵在於，前述導電性粒子 係以擇自鎳、鈀、銅、鐵、銀所構成群之至少1種類之金 屬做爲主成分。 本發明係一種接著劑，其特徵在於，前述絕緣性接著 成分係含有環氧樹脂與咪唑系潛在性硬化劑。 本發明係一種接著劑，其特徵在於，前述接著劑在25 °(：之黏度爲l〇〇〇Pa · s以下。 本發明係一種接著薄膜，其具有絕緣性接著成分、以 及分散於前述絕緣性接著成分中之導電性粒子；係讓前述 導電性粒子之平均直徑爲l〇nm〜90nm之接著劑成形爲薄 膜狀所得者。 本發明係一種電子裝置，係具有半導體元件與配線板 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ________B7 ____ 五、發明說明（夂） ;其特徵在於，前述半導體元件係具有絕緣性接著成分以 及分散於前述絕緣性接著成分中之導電性粒子；藉由前述 導電性粒子之平均直徑爲10nm〜90nm之接著劑來進行接 著。 [發明之實施形態] 以下，針對與本發明相關之接著劑做詳細的說明。 <實施例1> 對於熱固性樹脂之一者的萘型環氧樹脂(大日本墨水化 學(股份有限)公司製造之商品名「HP4032D」）30重量份， 添加同爲熱固性樹脂之一者的縮水甘油基胺樹脂(住友化學 (股份有限)公司製造之商品名「ELM100」）18重量份、讓 此2種熱固性樹脂硬化之潛在性硬化劑(旭化成環氧(股份 有限）公司製造之商品名「HX3721」，平均粒子直徑5/z m)50重量份、以及偶合劑（日本優尼卡(股份有限)公司製造 之商品名「A-187」）2重量份，進行混合而得到糊狀之絕 緣性接著成分。 其次，對此絕緣性接著成分添加、混合導電性粒子， 製作出所含導電性粒子之體積佔全體之2vol%之本發明的 接著劑。此處作爲導電性粒子係使用由鎳所構成之平均粒 子直徑lOnm者。 於接著劑中雖分散有潛在性硬化劑，但在常溫下潛在 性硬化劑並不會溶解，所以不會發生環氧樹脂之聚合反應 ，接著劑不會硬化。 其次，說明使用本發明之接著劑來黏合半導體元件與 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 W-W. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ____B7____ 五、發明說明（△) 軟性配線板之製程。 圖1之符號10與圖2之符號30分別表示在黏合時所 使用之軟性配線板與半導體元件。其中，圖1所示之軟性 配線板ίο係具有基材η以及形成於基材η之表面的配線 膜15。此處作爲基材11係使用膜厚45//m之聚對苯二甲 酸乙二醇酯薄膜，作爲配線膜15係使用將膜厚25//111之 鋁箔圖案化成既定形狀者。 另一方面，圖2所示之半導體元件30係具有：元件本 體31、配線膜35(配置於元件本體31表面）、以及保護膜 37(配置於元件本體31之配置有配線膜35之面，在既定位 置形成有開口 39)。此處作爲半導體元件30係採用厚度 〇.3mm、形成有配線膜35之面每1邊爲4mm之大小的正 方形形狀者。 該等之半導體元件30與軟性配線板10之配線膜15、 35分別具有：連接部15a，35a(用於後述之連接）、配線部 15b，35b(分別圍繞於軟性配線板1〇與半導體元件30內， 其一端係連接於連接部15a，35a)。此處，連接部15a、35a 與連接部15b、35b係分別顯示了 1個。 •當中，半導體元件30之連接部35a上係配置著保護膜 37之開口 39。在此開口 39內係配置著一直立形成於連接 部35a上之凸塊36，此凸塊36之前端係突出於保護膜37 之表面。此處，於保護膜37形成底面之每1邊爲100# m 之正方形形狀之開口 39後，藉由電鍍法在開口 39內形成 凸塊本體，進一步於凸塊本體之前端表面形成由金所構成 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ____B7 _ 五、發明說明（7 ) 之鍍層，以此鍍層與凸塊本體來構成凸塊36。 欲黏合該等軟性配線板1〇與半導體元件30之時，首 先將上述製程所製作之本發明之接著劑塗佈於軟性配線板 10之形成有配線膜15之面，來形成接著劑層。 圖3(a)之符號20係表示該接著劑層，在此狀態下，軟 性配線板1〇之相鄰之配線膜15間爲此接著劑層20所塡充 ，配線膜15係埋入接著劑層20中。 其次，讓半導體元件30之形成有保護膜37之側之面 與軟性配線板1〇之形成有接著劑層20之側之面對向（圖 3(b))，然後一邊使半導體元件30之凸塊36與軟性配線板 10之連接部15a相互面對來進行對位，一邊讓凸塊36之 前端與接著劑層20表面密接。 其次，一旦在抵壓全體的同時進行加熱(此處係以使得 半導體元件30全體受到9·8Ν的力的方式來加壓，同時在 210°C、5秒鐘的條件下加熱），則接著劑層20之黏度會下 降，黏度下降後之接著劑層20的一部分會因爲抵壓作用自 凸塊36之前端表面退避，殘餘之接著劑層20會由凸塊36 之前端與連接部15a所夾入.，於該接著劑層20中之導電性 粒子25便會陷入凸塊36前端表面以及連接部15a表面。 當接著劑層20藉由加熱升溫到既定溫度以上，於接著 劑層20中之潛在性硬化劑會熔融。熔融之潛在性硬化劑與 熱固性樹脂相混，則潛在性硬化劑與熱固性樹脂會反應使 得熱固性樹脂聚合，結果，接著劑層20會硬化。軟性配線 板1〇與半導體元件30係透過硬化後之接著劑層20來黏合 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------ 訂---------線' 518611 A7 _______B7___ 五、發明說明（$ ) Ο 圖3(c)之符號1係顯示由軟性配線板10與半導體元件 3〇所黏合而成之電氣裝置，此電氣裝置丨之配線膜15、35 係透過凸塊36做電氣連接。 接著劑層20由於具有絕緣性，所以軟性配線板10與 半導體元件30不僅是透過接著劑層20做機械性連接，該 等之配線膜15、35當中之配線部15b、35b係相互絕緣。 又，由於在接著劑所使用之導電性粒子之平均直徑爲 10nm〜90nm，所以即使半導體元件之保護膜之膜厚薄，加 壓仍不會導致導電性粒子穿破保護膜。 將上述製程所製作之接著劑以及電氣裝置1當作實施 例1，使用實施例1之接著劑與電氣裝置1來進行包含「 黏度」、「導電性粒子分散性試驗」、「導通電阻試驗」 、「短路試驗」所成之評價試驗。 [黏度] 使用旋轉黏度計來測定實施例1之接著劑的黏度(JIS K7117-2)。此處，係以溫度25°C、旋轉黏度計之轉子的旋 轉數ZOmirr1的條件來進行測定。 [導電性粒子分散性試驗] 將實施例1之接著劑在室溫下放置1周後，以目視來 確認接著季中之導電性粒子之分離的有無。 將並未見到導電性粒子之分離者評價爲『〇』，將見 到導電性粒子分離、沉降者評價爲『X』。 [導通電阻試驗] 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------I-----^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 _B7_ 五、發明說明（？）
先測定實施例1之電氣裝置1之導通電阻，接著，以 溫度85°c、相對濕度85%之高溫、高濕條件保存500小時 後，再度測定此電氣裝置1之導通電阻。此時，將分別之 導通電阻之測定値未滿ΙΟΟιηΩ者評價爲『〇』，將100m Ω〜500 πιΩ者評價爲『△』，將超過500τηΩ者評價爲『X j ° [短路試驗] 對上述「導通電阻試驗」之經高溫高濕保存後之電氣 裝置1之配線膜15、35的短路的有無進行調查。將未發生 短路者評價爲『〇』，將發生短路者評價爲『X』。此評 價結果係記載於下述表1中。 再者，將上述各評價結果皆爲『〇』者視爲『〇』， 將有至少一個『X』者視爲『X』。 該等之各評價試驗以及總體評價之結果係連同導電性 粒子25之比表面積記載於下述表1。 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ---II I I I ^ i I----I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 B7 五、發明說明（π ) [表1] 導電性粒子之平均直徑、含有量、比表面積以及各試驗結果
平均 直徑 (nm) 粒子含 有 量 (vol%) 比表面 積 (m2/g) 黏度 (Pa · s) 粒子 分散 導通電阻 短路 試驗 總體 評價 mmm imti 高願濕 麵菱 實施例1 10 2.0 69.4 150 〇 〇 〇 〇 〇 實施例2 35 2.0 18.9 85 〇 〇 〇 〇 〇 實施例3 50 2.0 13.2 60 〇 〇 〇 〇 〇 實施例4 90 2.0 7.3 48 〇 〇 〇 〇 〇 實施例5 50 0.2 13.2 15 〇 〇 〇 〇 〇 實施例6 50 10 13.2 520 〇 〇 〇 〇 〇 比較师 5 2.0 85.2 360 〇 Δ X 〇 X 比較例2 100 2.0 4.0 13 X 〇 〇 X X 比較例3 2000 2.0 0.68 11 X 〇 〇 X X 比較砀4 50 0.1 13.2 14 〇 〇 X 〇 X 比較例5 50 12 13.2 1100 〇 〇 〇 X X <實施例2〜4> 取代上述實施例1所使用之平均直徑l〇nm之導電性 粒子25，改用平均直徑分別爲35nm、50nm、90nm之3種 類的導電性粒子25，以與實施例1相同之製程、相同之配 合比例來製作實施例2〜4之接著劑。再者，使用實施例 2〜4之接著劑，將實施例1所使用之半導體元件30與軟性 配線板10以相同於實施例1之製程來黏合’製作出實施例 2〜4之電氣裝置1〇 使用該等之實施例2〜4之接著劑、電氣裝置1，以與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ______B7 _ 五、發明說明（（（） 實施例1同樣之條件來進行各評價試驗。該等之評價結果 與實施例2〜4之導通性接著劑中所含之導電性粒子25的比 表面積係記載於上述表1中。 又，針對後述之實施例5、6以及比較例1〜4之接著 劑與電氣裝置，以與實施例1同樣之條件進行「黏度」、 「導電性粒子分散性試驗」、「導通電阻試驗」、「短路 試驗」之各評價試驗，該等之結果以及各接著劑中所含之 導電性粒子25的比表面積係記載於上述表1中。 <實施例5、6〉 以相同於實施例3之製程來製作出上述實施例3中所 使用之導電性粒子25之含有量分別佔接著劑全體之 0.2vol%、lOvol%之接著劑，得到實施例5、6之接著劑與 實施例5、6之電氣裝置1。 <比較例1〜3> 取代實施例1所使用之導電性粒子，改用平均直徑分 別爲5nm、lOOnm、2000nm之3種類的導電性粒子，以與 實施例1同樣之製程、同樣之配合比例來分別製作比較例 1〜3之接著劑與比較例1〜3之電氣裝置。 <比較例4、5> 除了將實施例3、4、5所使用之平均直徑爲50nm之 導電性粒子以分別佔接著劑全體之O.lvol%、12vol%的比 例來添加以外，採與實施例3、4、5爲相同之製程來製作 比較例4、5之接著劑與比較例4、5之電氣裝置。 由上述表1可明顯得知，導電性粒子25之平均直徑爲 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ___ B7___ 五、發明說明（|λ ) 10nm〜90nm且其含有量佔接著劑全體之0.2vol%〜lOvol%之 實施例1〜6,在「導電性粒子分散性試驗」、「導通電阻 試驗」、「短路試驗」之各評價結果皆爲良好，確認採用 本發明之接著劑，可讓軟性配線板10與半導體元件30進 行強固之連接。 另一方面，導電性粒子之平均直徑爲5nm之比較例1 、其含有量爲0.1之比較例4，由於陷入凸塊與連接部之表 面的導電性粒子量少，在「導通電阻試驗」之結果不佳。 相反地，平均直徑分別爲l〇〇nm以上之比較例2、3， 雖在「導通電阻試驗」之結果優異，但在「導電性粒子分 散性試驗」之結果則不佳。其理由在於，由於粒子徑過大 、比表面積小到5m2/g結果，導電性粒子容易在接著劑中 發生沉降之故。又，在比較例2、3，於「短路試驗」方面 也得到較低的結果。此推測乃因導電性粒子之平均粒徑大 達100nm以上，所以在連接之際導電性粒子會穿破保護膜 ，結果造成了配線膜之短路。 又，導電性粒子之含有量佔接著劑全體之〇·1ν〇1%之 比較例4,由於陷入凸塊與連接部之導電性粒子的量過少 ，在「導通電阻試驗」之結果不佳。相反地，含有量佔接 著劑全體之12vol%之比較例5因在軟性配線板與半導體元 件之間有導電性粒子相疊，該相疊部分會穿破保護膜，所 以在「短路試驗」結果方面不佳。 〈實施例7> 其次，說明由本發明之接著劑所構成之接著薄膜。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ____B7_____ 五、發明說明（〇 ) 對於熱固性樹脂之一者的苯氧樹脂（尤尼昂卡拜特（股 份有限）公司製造之商品名「PKHH」）40重量份，混合同 爲熱固性樹脂之一者的萘型環氧樹脂（大日本墨水化學（股 份有限)公司製造之商品名「HP4032D」）20重量份、作爲 添加劑之潛在性硬化劑(旭化成環氧（股份有限)公司製造之 商品名「HX3721」，平均粒子直徑5/zm)38重量份、以及 偶合劑（日本優尼卡（股份有限）公司製造之商品名「A-187 」）2重量份，得到絕緣性接著成分。 其次，對此絕緣性接著成分添加導電性粒子，得到由 絕緣性接著成分與導電性粒子之混合物所構成之接著劑。 此處，作爲導電性粒子係使用由平均粒子直徑60mn之鈀 所構成之金屬粒子，以導電性粒子成爲接著劑全體之體積 的4vol%的方式將導電性粒子與絕緣性接著劑做混合。 其次，相對於絕緣性接著劑與導電性粒子之混合物 100重量份，分別添加有機溶劑之甲苯、醋酸乙酯各20重 量份，然後進行攪拌直到絕緣性接著成分中之熱固性樹脂 完全溶解，來製作出接著劑溶液。 其次，將此接著劑溶液以一定厚度塗佈於分離件(剝離 襯片)49表面，形成接著劑層41(圖4(a))。同圖之符號45 係顯示於接著劑層41中所分散之導電性粒子。 其次，讓全體在加熱乾燥爐內以80°C的條件來乾燥， 讓有機溶劑完全蒸發後，自分離件剝離（圖4(b))，即可得 到由接著劑所構成之本發明之接著薄膜40。 圖5(a)之符號40係顯示以上述製程所製得之本發明之 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---I I---— I — ---I--I i ^ 0 I ------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 _B7_ 五、發明說明（/f) 接著薄膜。 其次，說明使用此接著薄膜40來將半導體元件與軟性 配線板加以連接之製程。 又，同圖之符號10、30分別表示與上述實施例1之 電氣裝置1所使用者爲相同之軟性配線板與半導體元件， 將此軟性配線板10與半導體元件30做連接時，如圖5(a) 所示般，首先以挾持接著薄膜40之狀態來讓軟性配線板 10之配線膜15與半導體元件30之保護膜37對向。 其次，然後一邊使半導體元件30之凸塊36與軟性配 線板10之連接部15a相互面對來進行對位，一邊以半導體 元件30與軟性配線板10來挾持接著薄膜40。 其次，一旦在抵壓全體的同時進行加熱(此處係以與實 施例1相同之條件來進行加壓、加熱），則接著薄膜40的 一部分會自凸塊36之前端退避，接著薄膜40之殘餘部分 會由凸塊36與連接部15a所夾入，於該部分所含之導電性 粒子45便會陷入凸塊36與連接部15a之表，使得配線膜 15、35彼此連接。 與此同時，由於接著薄膜40會受熱硬化，於是軟性配 線板10與半導體元件30便做機械連接。 圖5(b)之符號5係顯示軟性配線板10與半導體元件 30連接所成之電氣裝置。 將此電氣裝置5當作實施例7，使用實施例7之電氣 裝置5以與上述實施例1相同之條件來進行「導電性粒子 分散性試驗」、「導通電阻試驗」、「短路試驗」。該等 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 B7 五、發明說明（（r ) 之評價結果與導電性粒子之比表面積係記載於下述表2。 [表2] 構成導電性粒子之金屬的種類、平均直徑、含有量、比表 面積以及各試驗結果__ _ 金屬 種類 平均 直徑 (nm) 粒子含 有量 (vol%) 比表 面積 (m2/g) 導通電阻 短路 試驗 總體 評價 鵰濕 _轰 實施例7 Pd 60 4.0 9.5 〇 〇 〇 〇 實施例8 Cu 65 4.0 10.3 〇 〇 〇 〇 實施例9 Fe 70 4.0 10.8 ο 〇 〇 〇 實施例10 Ag 90 4.0 6.4 〇 〇 〇 〇 <實施例8〜10> 取代實施例7所使用之導電性粒子45，改用由銅所構 成、且平均直徑爲65nm之導電性粒子45，以與實施例7 相同之配合比例、相同之製程來製作接著薄膜40，使用此 接著薄膜40來製造出實施例8之電氣裝置5。 又，實施例9使用由鐵所構成、且平均直徑爲70nm 之導電性粒子，實施例10則使用由銀所構成、且平均直徑 爲.90nm之導電性粒子。 使用實施例8〜10之電氣裝置5，以與上述實施例1相 同之條件來進行「導電性粒子分散性試驗」、「導運電阻 試驗」、「短路試驗」。該等之評價結果與實施例8〜10之 接著薄膜40所含之導電性粒子之比表面積係記載於上述表 2 〇 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ----------B7_ 五、發明說明（以） 由上述表2可明顯看出，以鎳以外之金屬來構成導電 性粒子45之實施例7〜10中，在各試驗皆得到高的評價結 果。由該等之結果可確認··當使用平均直徑爲l〇nm〜90nm 之導電性粒子之情況下，不論導電性粒子之材質爲何均可 得到高連接可靠性。 以上雖針對在絕緣性接著成分方面使用環氧樹脂、苯 氧樹脂等之熱固性樹脂的情況來說明，惟本發明並不限定 於此。 例如，取代熱固性樹脂，也可改用丙烯酸單體、或是 丙烯酸低聚物等之紫外線硬化性樹脂。此時，係以軟性配 線板10與半導體元件30來夾入接著劑所構成之接著劑層( 或接著薄膜），在此狀態下對全體照射紫外線，使得接著劑 層硬化。 又’即使是熱固性之接著劑的情況也同樣，在使用熱 固性樹脂的場合，以使用環氧樹脂或雙方爲佳，但其他之 熱固性樹脂亦可使用。 添加劑亦不限定在偶合劑、潛在性硬化劑上，可使用 各種之物質，惟使用環氧樹脂作爲熱固性樹脂的情況下， 以添加潛在性硬化劑般之硬化劑爲佳。 混合導電性粒子與絕緣性接著成分之方法並無特別之 限定，可使用輥子分散法、珠磨機分散方法、溶解分散方 法等一般所使用之分散方法。 作爲平均直徑90nm以下之導電性粒子(金屬超微粒子) 之製造方法，有氣體中蒸發法等，尤其藉由等離子體電弧 ‘ 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 _ B7__ 五、發明說明（Ο ) 溶解來使原料金屬蒸發之活性等離子體溶融金屬法適用於 本發明。 圖6係藉由活性等離子體熔融金屬法所得之導電性粒 子(平均粒徑50mn之鎳粒子)之電子顯微鏡照片(倍率爲π 萬倍），圖6中每0.6cm之長度相當於實際長度50nm。 圖7係在習知技術所一般使用之導電性粒子(平均粒徑 2#ιη之鎳粒子)之電子顯微鏡照片(倍率7500倍），圖7中 每1.5cm之長度相當於實際長度2/z m。 由圖6、圖7可明顯得知，依據活性等離子體熔融金 屬法，可製造出較習知技術之導電性粒子有更小直徑之導 電性粒子。 又，依據活性等離子體熔融金屬法，可大量地製造不 僅是粒子徑小、雜質混入少、且粒子系之均一的導電性粒 子。又，使用至少2種之金屬，藉活性等離子體熔融金屬 法來製作金屬微粒子，即可得到由金屬合金微粒子所構成 之導電性粒子。 又，作爲絕緣性接著成分，有例如熱固性樹脂.、潛在 性硬化劑、各種添加劑等，當絕緣性接著成分與導電性粒 子之合計體積爲100之情況，由於添加有合計體積超過0·1 之導電性粒子，可讓半導體元件與軟性配線板之連接確實 地進行，又，由於其上限未滿12，即使是黏合一在配線膜 上不具絕緣層之軟性配線板的情況’鄰接之配線膜彼此也 不會因爲導電性粒子而短路。 又，於絕緣性接著成分所含之潛在性硬化劑，在接著 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------—I----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 ______B7__ 五、發明說明（β ) 劑中雖未以分散之狀態而溶解，惟一旦接著劑加熱到既定 溫度以上，則會溶解而與環氧樹脂反應，使得接著劑硬化 。是以，本發明之接著劑在加熱到既定溫度以上，即可進 行對象物之接著。又，此既定溫度雖依潛在性硬化劑之種 類而不同，惟一般在例如60°C以上。 只要將此接著劑塗佈於剝離紙般之剝離裏襯的表面， 於乾燥後將剝離裏襯加以剝離，即可得到由接著劑所構成 之接著薄膜。 [發明之效果] 如上述所說明般，依據本發明，可提供一種在半導體 元件與軟性配線板之連接上具高連接可靠性之接著劑。 [圖式之簡單說明] 圖1係用以說明使用本發明之接著劑所連接之軟性配 線板之圖。 圖2係用以說明使用本發明之接著劑所連接之半導體 元件之圖。 圖3(a)〜(c)係用以說明使用本發明之接著劑將半導體 元件與軟性配線板加以連接之圖。 ‘圖4(a)、（b)係用以說明製作本發明之接著薄膜之製程 圖。 圖5(a)、（b)係用以說明使用本發明之接著薄膜將半導 體元件與軟性配線板加以連接之製程圖。 圖6係本發明之接著劑所使用之導電性粒子之顯微鏡 照片。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518611 A7 _B7_ 五、發明說明（,？） 圖7係習知技術之接著劑所使用之導電性粒子之顯微 鏡照片。 圖8(a)、（b)係用以說明使用習知技術之接著薄膜將半 導體元件與軟性配線板加以連接之製程圖。 [符號說明] 25、45 導電性粒子 40 接著薄膜 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------tr---------^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 518611 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1.一種接著劑，其具有絕緣性接著成分、以及分散於 前述絕緣性接著成分中之導電性粒子；其中， 前述導電性粒子之平均直徑爲10nm〜90nm。 2β如申請專利範圍第1項之接著劑，其中，在前述接 著劑中所含之前述導電性粒子的比表面積爲5m2/g〜80 m2/g 〇 3. 如申請專利範圍第1項之接著劑，其中，當前述絕 緣性接著成分與前述導電性粒子之合計體積爲時’於 前述接著劑所含之前述導電性粒子之合計體積係介於 0.1〜12之間。 4. 如申請專利範圍第1項之接著劑，其中，前述導電 性粒子係以擇自鎳、鈀、銅、鐵、銀所構成群之至少1種 類之金屬做爲主成分。 5β如申請專利範圍第1項之接著劑，其中，前述絕緣 性接著成分係含有環氧樹脂與咪唑系潛在性硬化劑。 6β如申請專利範圍第1項之接著劑，其中，前述接著 劑在25°C之黏度爲l〇〇〇Pa · s以下。 7. —種接著薄膜，其具有絕緣性接著成分、以及分散 於Μ述絕緣性接著成分中之導電性粒子； 係讓前述導電性粒子之平均直徑爲10nm〜90nm之接 著劑成形爲薄膜狀所得者。 8. —種電子裝置，其具有半導體元件與配線板； 前述半導體元件係具有絕緣性接著成分以及分散於前 述絕緣性接著成分中之導電性粒子； 1 t紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵㈧挪公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝 -έ 518611 A8B8C8D8 申請專利範園 藉由前述導電性粒子之平均直徑爲l〇nm〜90mn之接 著劑來進行接著。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1393368A2 (en) * 2001-05-17 2004-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Product comprising a substrate and a chip attached to the substrate
DE102004029589A1 (de) * 2004-06-18 2005-12-29 Tesa Ag Elektrisch anisotrop leitfähiger Schmelzkleber zur Implantierung von elektrischen Modulen in einen Kartenkörper
JP2006169288A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Tdk Corp 接着剤、および、薄板の平板への接着方法
JP2007091959A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性接着剤
JP5099289B2 (ja) * 2006-02-03 2012-12-19 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 熱硬化型接着剤
JP2008235556A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線板モジュール及び該配線板モジュールの製造方法
TW200907003A (en) * 2007-07-03 2009-02-16 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive composition and method of manufacturing thereof, adhesive member using the adhesive composition and method of manufacturing thereof, supporting member for mounting semiconductor and method of manufacturing thereof, and semiconductor apparatus an
JP4998732B2 (ja) 2007-10-22 2012-08-15 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電接着剤
JP2009186707A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置
KR100880669B1 (ko) 2008-07-08 2009-02-10 주식회사 제이미크론 플렉시블 평면 케이블의 제조방법
DE102008034952B4 (de) * 2008-07-26 2016-05-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Edelmetallverbindungsmittel und Verwendungsverfahren hierzu
KR101372084B1 (ko) 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
JP6061443B2 (ja) 2010-12-24 2017-01-18 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着フィルム、接続構造体及びその製造方法
JP5741809B2 (ja) * 2011-02-22 2015-07-01 三菱マテリアル株式会社 接合用ペースト、および半導体素子と基板の接合方法
CN110190042A (zh) * 2019-06-26 2019-08-30 云谷（固安）科技有限公司 绑定结构、绑定方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5620795A (en) * 1993-11-10 1997-04-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adhesives containing electrically conductive agents
JPH08102218A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Nec Corp 異方性導電フィルム
US5685939A (en) * 1995-03-10 1997-11-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for making a Z-axis adhesive and establishing electrical interconnection therewith
WO1996042107A1 (en) * 1995-06-13 1996-12-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor and method of production of semiconductor device
KR970074883A (ko) * 1996-05-28 1997-12-10 이웅열 이방도전성 필름제조방법
TW383435B (en) * 1996-11-01 2000-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd Electronic device
US6077382A (en) * 1997-05-09 2000-06-20 Citizen Watch Co., Ltd Mounting method of semiconductor chip
KR100472496B1 (ko) * 1997-07-23 2005-05-16 삼성에스디아이 주식회사 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법
JP3372511B2 (ja) * 1999-08-09 2003-02-04 ソニーケミカル株式会社 半導体素子の実装方法及び実装装置

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