JP2007224111A - 異方導電性接着シート及びその製造方法 - Google Patents
異方導電性接着シート及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007224111A JP2007224111A JP2006044969A JP2006044969A JP2007224111A JP 2007224111 A JP2007224111 A JP 2007224111A JP 2006044969 A JP2006044969 A JP 2006044969A JP 2006044969 A JP2006044969 A JP 2006044969A JP 2007224111 A JP2007224111 A JP 2007224111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- adhesive layer
- conductive particles
- film
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
【課題】微細回路の隣接する回路間の絶縁性を損なうことなく、良好な電気的接続性を実現する異方導電性接着シート、その製造方法、およびそれを用いた微細接続構造体を提供する。
【解決手段】 硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子を含む、又は硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、導電性粒子、及び硬化剤を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、特定の比が０．５〜０．９倍の範囲にあり、導電性粒子が一層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあることを特徴とする異方導電性接着シート。
【選択図】なし
【解決手段】 硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子を含む、又は硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、導電性粒子、及び硬化剤を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、特定の比が０．５〜０．９倍の範囲にあり、導電性粒子が一層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあることを特徴とする異方導電性接着シート。
【選択図】なし
Description
本発明は、微細回路接続性、接続信頼性に優れた異方導電性接着シート、それらを用いた接続構造体に関する。
これまで、微細回路を接続するための異方導電性接着シートに関して、接続性改良、短絡防止のために、種々の導電性粒子の検討および、異方導電性接着剤構成の検討がなされている。特にフラットパネルディスプレイの制御用ＬＳＩをディスプレイパネルに直接実装するいわゆるチップオングラス（ＣＯＧ）等のベアチップ実装においては、高精細化に伴い接続バンプの面積が小さくなり、また、接続バンプの間隔が狭くなるため、その接続に用いられる異方導電性接着シートに関しては、微小な接続バンプによる接続性の確保と狭バンプ間隔における絶縁性の確保という相反する性能が要求されている。
これらの課題に対し、導電性粒子を含む導電性接着層と導電性粒子を含まない絶縁性接着層とを積層し、隣接する回路間の短絡を防止する方法が公知である。
これらの課題に対し、導電性粒子を含む導電性接着層と導電性粒子を含まない絶縁性接着層とを積層し、隣接する回路間の短絡を防止する方法が公知である。
特許文献１には、導電性粒子を含む接着剤から形成される接着剤層の少なくとも一方の面上に、導電性粒子を含まない絶縁性の接着剤から形成される接着剤層を形成した異方性導電接着テープが記載されている。
特許文献２には、導電性接着層のバインダ成分の接続時の溶融粘度を絶縁性接着層に比べて同等以下とすることにより接続時に導電性粒子を電極上から流出し難くさせることが記載されている。
特許文献３には、導電性接着層の接着成分と絶縁性接着層の接着成分とを同一の反応性接着剤とすることにより接続部の接着剤応力に分布がなくなり、接続の信頼性を向上させることが記載されている。
特許文献４には、第１の絶縁性接着剤層と、硬化後の弾性率が第１の絶縁性接着剤層の硬化後の弾性率よりも低い第２の絶縁性接着剤層と、第１の絶縁性接着剤層又は第２の接着剤層の少なくとも一方に分散している導電性粒子からなる異方導電性接着フィルムを用いることにより、ポリエステルベースのフレキシブル回路基板にＩＣチップを接続するに際しても、ポリイミドベースの回路基板におけると同様の高い接着性や導通信頼性を得ることができることが記載されている。
特許文献２には、導電性接着層のバインダ成分の接続時の溶融粘度を絶縁性接着層に比べて同等以下とすることにより接続時に導電性粒子を電極上から流出し難くさせることが記載されている。
特許文献３には、導電性接着層の接着成分と絶縁性接着層の接着成分とを同一の反応性接着剤とすることにより接続部の接着剤応力に分布がなくなり、接続の信頼性を向上させることが記載されている。
特許文献４には、第１の絶縁性接着剤層と、硬化後の弾性率が第１の絶縁性接着剤層の硬化後の弾性率よりも低い第２の絶縁性接着剤層と、第１の絶縁性接着剤層又は第２の接着剤層の少なくとも一方に分散している導電性粒子からなる異方導電性接着フィルムを用いることにより、ポリエステルベースのフレキシブル回路基板にＩＣチップを接続するに際しても、ポリイミドベースの回路基板におけると同様の高い接着性や導通信頼性を得ることができることが記載されている。
特許文献５には、導電性接着層の接着成分と絶縁性接着層の接着成分との反応性に差を設けることにより、導電性粒子が絶縁性接着層と混ざり難く、電極上からの流出を防ぐことが記載されている。
特許文献６には、導電性接着層の１５０℃における溶融粘度を１００Ｐｏｉｓｅ以上とし、硬絶縁性接着層から硬化剤を除いたモデル配合の１５０℃における溶融粘度を１００ｐｏｉｓｅ未満とすることによって、ＩＣチップと回路基板との接続信頼性を向上させることが記載されている。また、導電性粒子を導電性接着層の接着剤に不要な絶縁性樹脂で被覆することにより、導電性粒子を通常の配合量よりも多数量配合することができ、ファインピッチの回路に対応できることが記載されている。
特許文献７には、導電性接着層の少なくとも片面に、導電性接着層から硬化剤を除いたモデル配合の粘度より、硬化剤を除いたモデル配合の粘度が相対的に低い接着剤層を設けることにより、回路基板の電極間スペースへの導電性粒子の流入を防ぎ、電極間のショートをなくすことが記載されている。
特許文献６には、導電性接着層の１５０℃における溶融粘度を１００Ｐｏｉｓｅ以上とし、硬絶縁性接着層から硬化剤を除いたモデル配合の１５０℃における溶融粘度を１００ｐｏｉｓｅ未満とすることによって、ＩＣチップと回路基板との接続信頼性を向上させることが記載されている。また、導電性粒子を導電性接着層の接着剤に不要な絶縁性樹脂で被覆することにより、導電性粒子を通常の配合量よりも多数量配合することができ、ファインピッチの回路に対応できることが記載されている。
特許文献７には、導電性接着層の少なくとも片面に、導電性接着層から硬化剤を除いたモデル配合の粘度より、硬化剤を除いたモデル配合の粘度が相対的に低い接着剤層を設けることにより、回路基板の電極間スペースへの導電性粒子の流入を防ぎ、電極間のショートをなくすことが記載されている。
これら文献によると、導電性粒子を含む層と含まない層とを積層し、隣接する回路間の短絡を防止する等の従来技術においては、相対的に高さの高い接続バンプを圧着接続する際に、接続バンプと対応する接続配線の間に挟み込まれる導電性粒子の移動を抑制し、接続バンプと対応する接続配線間に挟まれる導電性粒子数を増すことが可能である。しかしながら、接続バンプ面積が小さくなり、かつ接続バンプ間の面積が小さくなる場合においては、接続に必要な導電性粒子数の確保と絶縁性の両立は困難である。一方、導電性粒子の表面を電気絶縁性樹脂で被覆する方法においても、接続バンプ間隔が狭くなり、そのバンプ間隔に複数個挟まってしまう場合、充分な絶縁性確保と接続性との両立を満足できるものではなかった。
また、特許文献８には、導電性粒子を等間隔で配置させる手法が開示されているが、接続バンプ間隔が狭くなると充分な絶縁性確保と接続性との両立を満足できるものではなかった。
また、特許文献８には、導電性粒子を等間隔で配置させる手法が開示されているが、接続バンプ間隔が狭くなると充分な絶縁性確保と接続性との両立を満足できるものではなかった。
本発明は、微細回路の隣接する回路間の絶縁性を損なうことなく、良好な電気的接続性を実現する異方導電性接着シート、その製造方法、およびそれを用いた微細接続構造体を提供することを目的とする。微細接続回路において、接続信頼性を得るために必要な接続部分の最少粒子個数を確保しつつ、微細な接続バンプ間隔の絶縁性を満足する異方導電性接着シートを提供するものである。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、導電性粒子を含む導電性粒子層と絶縁性接着層からなる異方導電性接着シートであって、導電性粒子が絶縁性接着層表面とある特定の範囲の平均距離内に存在しており、その導電性粒子がある特定割合以上の導電性粒子と接触せずに存在し、かつ、導電性粒子層と絶縁性接着層がある特定の組成比にあることを特徴とする異方導電性接着シートを用いることによって、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は以下に記載する通りのものである。
（１）硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、該導電性粒子層中で導電性粒子が単層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独粒子であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあり、かつ、導電性粒子層と絶縁性接着層とが次式（１）の関係を満たすことを特徴とする異方導電性接着シート。
（１）硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、該導電性粒子層中で導電性粒子が単層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独粒子であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあり、かつ、導電性粒子層と絶縁性接着層とが次式（１）の関係を満たすことを特徴とする異方導電性接着シート。
（２）硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、導電性粒子及び硬化剤を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、該導電性粒子層中で導電性粒子が単層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独粒子であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあり、かつ、導電性粒子層と絶縁性接着層とが次式（２）の関係を満たすことを特徴とする異方導電性接着シート。
（３）少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる絶縁性接着層Ｌ１を熱可塑性支持フィルムＳ１上に形成する工程、導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の厚みで少なくとも硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる接着層Ｌ２を熱可塑性支持フィルムＳ２上に形成する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層する工程、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を単層に付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５倍〜５倍になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層したフィルムから、接着層Ｌ２上の熱可塑性支持フィルムＳ２を剥離し、接着層Ｌ２の剥離面に延伸フィルムの導電性粒子面をラミネートして、導電性粒子を接着層Ｌ２へ転写する工程を含むことを特徴とする上記（１）に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
（４）少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる絶縁性接着層Ｌ１を熱可塑性支持フィルムＳ１上に形成する工程、導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の厚みで少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる接着層Ｌ２を熱可塑性支持フィルムＳ２上に形成する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層する工程、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を単層に付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５〜５倍になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層したフィルムから、接着層Ｌ２上の熱可塑性支持フィルムＳ２を剥離し、接着層Ｌ２の剥離面に延伸フィルムの導電性粒子面をラミネートして、導電性粒子を接着層Ｌ２へ転写する工程を含むことを特徴とする上記（２）に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
（５）２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５倍以上５倍以下になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程において、延伸後の粘着層の厚みを０．０２〜３μｍとすることを特徴とする上記（３）又は（４）に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
（６）上記（１）又は（２）に記載の異方導電性接着シートの導電性粒子層の面を、相対的に配線高さの低い回路基板面に配し、相対的に配線高さの高い電子部品を加熱圧着することを特徴とする接続構造体の製造方法。
（７）上記（６）に記載の製造方法により製造された接続構造体。
（４）少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる絶縁性接着層Ｌ１を熱可塑性支持フィルムＳ１上に形成する工程、導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の厚みで少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる接着層Ｌ２を熱可塑性支持フィルムＳ２上に形成する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層する工程、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を単層に付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５〜５倍になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層したフィルムから、接着層Ｌ２上の熱可塑性支持フィルムＳ２を剥離し、接着層Ｌ２の剥離面に延伸フィルムの導電性粒子面をラミネートして、導電性粒子を接着層Ｌ２へ転写する工程を含むことを特徴とする上記（２）に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
（５）２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５倍以上５倍以下になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程において、延伸後の粘着層の厚みを０．０２〜３μｍとすることを特徴とする上記（３）又は（４）に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
（６）上記（１）又は（２）に記載の異方導電性接着シートの導電性粒子層の面を、相対的に配線高さの低い回路基板面に配し、相対的に配線高さの高い電子部品を加熱圧着することを特徴とする接続構造体の製造方法。
（７）上記（６）に記載の製造方法により製造された接続構造体。
本発明の異方導電性接着シート及び微細接続構造体は、隣接する接続端子間の良好な絶縁特性を有し、かつ接続した接続端子間の良好な電気的接続性を有する。すなわち、絶縁性が必要な異方導電性接着シートの面内方向には特定の平均粒子間隔の導電性粒子を配置させ、導電性粒子層と絶縁性接着層の組成比をある特定の範囲にし、かつ、異方導電性接着シートの絶縁性接着層表面から導電性粒子表面までの最短距離を特定の範囲内にすることにより、圧着時の短絡を防止しつつ、接続信頼性に必要な接続部分の適当な最少粒子個数を確保できる。
以下、本発明について具体的に説明する。
まず、本発明の異方導電性接着シートにおける導電性粒子について説明する。
導電性粒子としては、貴金属被覆された樹脂粒子、貴金属被覆された金属粒子、金属粒子、貴金属被覆された合金粒子、及び合金粒子の中から選ばれた１種以上を用いることが好ましい。貴金属被覆された樹脂粒子としては、ポリスチレン、ベンゾグアナミン、ポリメチルメタアクリレート等の球状粒子にニッケル、および金をこの順に被覆したものを用いることが好ましい。
まず、本発明の異方導電性接着シートにおける導電性粒子について説明する。
導電性粒子としては、貴金属被覆された樹脂粒子、貴金属被覆された金属粒子、金属粒子、貴金属被覆された合金粒子、及び合金粒子の中から選ばれた１種以上を用いることが好ましい。貴金属被覆された樹脂粒子としては、ポリスチレン、ベンゾグアナミン、ポリメチルメタアクリレート等の球状粒子にニッケル、および金をこの順に被覆したものを用いることが好ましい。
接続する微細接続端子（バンプ）硬度に応じて、より柔軟な樹脂粒子を用いて貴金属被覆された樹脂粒子を形成することができる。
接続するバンプ硬度がビッカース硬度で５０Ｈｖ未満である場合は、ポリメタアクリレート樹脂等の柔軟な樹脂粒子を用いることが好ましい。また、バンプ硬度が５０Ｈｖ以上である場合は、ベンゾグアナミン樹脂等の硬質樹脂粒子を用いることが好ましい。
接続するバンプ硬度がビッカース硬度で５０Ｈｖ未満である場合は、ポリメタアクリレート樹脂等の柔軟な樹脂粒子を用いることが好ましい。また、バンプ硬度が５０Ｈｖ以上である場合は、ベンゾグアナミン樹脂等の硬質樹脂粒子を用いることが好ましい。
貴金属被覆された金属粒子としては、ニッケル、銅等の金属粒子に金、パラジウム、ロジウム等の貴金属を最外層に被覆したものを用いることが好ましい。被覆する方法としては、蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法、乾式ブレンド法によるコーティング法、無電解めっき法、電解めっき法等の湿式法を用いることができる。量産性の点から、無電解めっき法が好ましい。
金属粒子としては、銀、銅、ニッケル等の金属から選ばれるものを用いることが好ましい。合金粒子としては、融点が１５０℃以上５００℃以下のものが好ましく、さらには１５０℃以上３５０℃以下の低融点合金粒子を用いることがより好ましい。融点が５００℃以下であると、接続端子間に金属結合を形成することも可能であり、接続信頼性の点から好ましい。また、耐熱接続信頼性の観点から、融点が１５０℃以上であることが好ましい。
金属粒子としては、銀、銅、ニッケル等の金属から選ばれるものを用いることが好ましい。合金粒子としては、融点が１５０℃以上５００℃以下のものが好ましく、さらには１５０℃以上３５０℃以下の低融点合金粒子を用いることがより好ましい。融点が５００℃以下であると、接続端子間に金属結合を形成することも可能であり、接続信頼性の点から好ましい。また、耐熱接続信頼性の観点から、融点が１５０℃以上であることが好ましい。
貴金属被覆された合金粒子としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、錫、亜鉛、ビスマス、インジウム等から選ばれた２種以上からなる合金粒子に上記方法等を用いて貴金属被覆したものを用いることができる。
合金粒子としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、錫、亜鉛、ビスマス、インジウム等から選ばれた２種以上からなる合金粒子が好ましい。融点が１５０℃以上５００℃以下の合金粒子を用いる場合は、予め粒子表面にフラックス等を被覆しておくことが好ましい。いわゆるフラックスを用いることにより、表面の酸化物等を取り除くことができ好ましい。フラックスとしては、アビエチン酸等の脂肪酸等を用いることができる。
合金粒子としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、錫、亜鉛、ビスマス、インジウム等から選ばれた２種以上からなる合金粒子が好ましい。融点が１５０℃以上５００℃以下の合金粒子を用いる場合は、予め粒子表面にフラックス等を被覆しておくことが好ましい。いわゆるフラックスを用いることにより、表面の酸化物等を取り除くことができ好ましい。フラックスとしては、アビエチン酸等の脂肪酸等を用いることができる。
導電性粒子の平均粒径と最大粒径の比は２以下であることが好ましく、１．５以下であることがより好ましい。該導電性粒子の粒度分布はより狭いほうが好ましく、該導電性粒子の粒径分布の幾何標準偏差は、１．２〜２．５であることが好ましく、１．２〜１．４であることが特に好ましい。幾何標準偏差が上記値であると粒径のバラツキが小さくなる。通常、接続する２端子間に一定のギャップが存在する場合には、粒径が揃っているほど、導電性粒子が有効に機能すると考えられる。
粒度分布の幾何標準偏差とは、粒度分布のσ値（累積８４．１３％の粒径値）を累積５０％の粒径値で除した値である。粒度分布のグラフの横軸に粒径（対数）を設定し、縦軸に累積値（％、累積個数比、対数）を設定すると粒径分布はほぼ直線になり、粒径分布は対数正規分布に従う。累積値とは全粒子数に対して、ある粒径以下の粒子の個数比を示したもので、％で表す。粒径分布のシャープさはσ（累積８４．１３％の粒径値）と平均粒径（累積５０％の粒径値）の比で表現される。σ値は実測値あるいは、前述グラフのプロット値からの読み取り値である。
平均粒径及び粒度分布は、公知の方法、装置を用いて測定することができ、湿式粒度分布計、レーザー式粒度分布計等を用いることができる。あるいは、電子顕微鏡等で粒子を観察し、平均粒径、粒度分布を算出しても構わない。本発明の平均粒径及び粒度分布はレーザー式粒度分布計により求めることができる。
導電性粒子の平均粒径は２〜８μｍであることが好ましく、２〜５μｍであることがさらに好ましい。絶縁性の観点から８μｍ以下が好ましく、接続端子等の高さバラツキ等の影響を受けにくく、また、電気的接続性の観点から２μｍ以上が好ましい。
本発明においては、導電性粒子個数の９５％以上が他の導電性粒子と接触せずに存在していることが好ましく、より好ましくは９８％以上、更に好ましくは１００％の導電性粒子が接触せずに存在していることがより好ましい。
本願明細書では、他の導電性粒子と接触せずに存在する導電性粒子を「単独粒子」という。
本発明の異方導電性接着シートにおいては、近接する導電性粒子同士の平均粒子間隔は、導電性粒子の平均粒径の０．５倍以上５倍以下である。好ましくは、２０μｍ以下で、かつ導電性粒子の平均粒径の１．０倍以上３倍以下である。接続時の粒子流動による粒子凝集の防止、及び絶縁性確保の観点から、平均粒径の０．５倍以上であることが好ましく、微細接続の観点から平均粒径の５倍以下であることが好ましい。
本願明細書では、他の導電性粒子と接触せずに存在する導電性粒子を「単独粒子」という。
本発明の異方導電性接着シートにおいては、近接する導電性粒子同士の平均粒子間隔は、導電性粒子の平均粒径の０．５倍以上５倍以下である。好ましくは、２０μｍ以下で、かつ導電性粒子の平均粒径の１．０倍以上３倍以下である。接続時の粒子流動による粒子凝集の防止、及び絶縁性確保の観点から、平均粒径の０．５倍以上であることが好ましく、微細接続の観点から平均粒径の５倍以下であることが好ましい。
本発明において、近接する導電性粒子とは、任意の導電性粒子を選定し、該導電性粒子に最も近い６個の導電性粒子を言う。また、本発明における近接する導電性粒子同士の平均粒子間隔は以下のようにして求められる。
まず、本発明の異方導電性接着シートを、導電性粒子層面側から光学顕微鏡で拡大した写真を撮影する。次に、任意の２０個の導電性粒子を選定し、そのそれぞれの導電性粒子に最も近い６個の導電性粒子との距離を測定し、全体の平均値を求めて、平均粒子間隔とする。導電性粒子の平均粒子間隔のバラツキは小さい方が好ましく、それらの標準偏差が平均粒子間隔の１０％以下であることが好ましい。
まず、本発明の異方導電性接着シートを、導電性粒子層面側から光学顕微鏡で拡大した写真を撮影する。次に、任意の２０個の導電性粒子を選定し、そのそれぞれの導電性粒子に最も近い６個の導電性粒子との距離を測定し、全体の平均値を求めて、平均粒子間隔とする。導電性粒子の平均粒子間隔のバラツキは小さい方が好ましく、それらの標準偏差が平均粒子間隔の１０％以下であることが好ましい。
次いで本発明の異方導電性接着シートについて説明する。
本発明の異方導電性接着シートは、少なくとも硬化性絶縁樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂を有する絶縁性接着層と少なくとも硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子からなる導電性粒子層からなり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍから２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１μｍから１．５μｍである。電気的接続性の観点から２μｍ以下であることが好ましく、接続時の粒子移動による短絡防止の観点から０．０５μｍ以上であることが好ましい。導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離は、予め加熱硬化し、エポキシ樹脂等に包埋したものの断面を顕微鏡観察して測定することができる。また、導電性粒子層と絶縁性接着層との屈折率等の光学特性が異なる場合は、絶縁性接着層表面から変位測定可能なレーザー顕微鏡で光学的に測定することが可能である。いずれの方法を用いた場合も、任意の２０個の粒子を選び、それらの距離を平均することで導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離を算出することができる。なお、ここでいう導電性粒子表面とは導電性粒子表面であって絶縁性接着層面に最も近い表面をいう。
本発明の異方導電性接着シートは、少なくとも硬化性絶縁樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂を有する絶縁性接着層と少なくとも硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子からなる導電性粒子層からなり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍから２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１μｍから１．５μｍである。電気的接続性の観点から２μｍ以下であることが好ましく、接続時の粒子移動による短絡防止の観点から０．０５μｍ以上であることが好ましい。導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離は、予め加熱硬化し、エポキシ樹脂等に包埋したものの断面を顕微鏡観察して測定することができる。また、導電性粒子層と絶縁性接着層との屈折率等の光学特性が異なる場合は、絶縁性接着層表面から変位測定可能なレーザー顕微鏡で光学的に測定することが可能である。いずれの方法を用いた場合も、任意の２０個の粒子を選び、それらの距離を平均することで導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離を算出することができる。なお、ここでいう導電性粒子表面とは導電性粒子表面であって絶縁性接着層面に最も近い表面をいう。
本発明の異方導電性接着シートにおいて、該異方導電性接着シートの厚み方向に対して、導電性粒子の存在している位置は、焦点方向の変位を測定できるレーザー顕微鏡（例えば株式会社キーエンス製 超深度形状測定顕微鏡 ＶＫ−８５５０）により測定することができる。またこのとき同時に、導電性粒子が他の導電性粒子と接触せずに存在している個数を測定することもできる。前記レーザー顕微鏡を用いて焦点方向の変位を測定する場合、その変位測定分解能は０．０２μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以下であることが特に好ましい。
本発明の異方導電性接着シートの導電性粒子層の厚みは平均粒径の１．１倍から２．０倍の範囲であることが好ましい。より好ましくは１．２倍から１．８倍の範囲である。
接続時の粒子移動を防止する観点から１．１倍以上が好ましく、電気的接続の観点から２．０倍以下が好ましい。導電粒子層は１層であっても、複数層を積層しても構わない。
接続時の粒子移動を防止する観点から１．１倍以上が好ましく、電気的接続の観点から２．０倍以下が好ましい。導電粒子層は１層であっても、複数層を積層しても構わない。
本発明においては、異方導電性接着シートの導電性粒子層が硬化剤を含まない場合には、導電性粒子層及び絶縁性接着層が次式（１）の関係を満たすようにする。
また、本発明においては、異方導電性接着シートの導電性粒子層が硬化剤を含む場合には、導電性粒子層及び絶縁性接着層が次式（２）の関係を満たすようにする。
ここで、上記の左辺がαの式における右辺式の「導電性粒子層」という下付き文字はこの式が導電性粒子層に関するものであることを意味しており、また、左辺がβの式における右辺の「絶縁性接着層」という下付き文字はこの式が絶縁性接着層に関するものであることを示している。
上記のようにα／β比は、０．５〜０．９倍の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、０．６〜０．８倍である。０．５倍以上の場合、接続時に適度な流動が得られ、流動した導電性粒子の凝集を抑制でき、良好な絶縁性が得られる。０．９倍以下の場合、過剰な導電性粒子の流動が抑制でき良好な接続性が得られる。絶縁性接着層においては、硬化性絶縁樹脂硬化性絶縁樹脂、硬化剤は共に必須であるが、導電性粒子層においては、硬化剤を含まなくても構わない。
上記のようにα／β比は、０．５〜０．９倍の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、０．６〜０．８倍である。０．５倍以上の場合、接続時に適度な流動が得られ、流動した導電性粒子の凝集を抑制でき、良好な絶縁性が得られる。０．９倍以下の場合、過剰な導電性粒子の流動が抑制でき良好な接続性が得られる。絶縁性接着層においては、硬化性絶縁樹脂硬化性絶縁樹脂、硬化剤は共に必須であるが、導電性粒子層においては、硬化剤を含まなくても構わない。
本発明に用いる異方導電性接着シートを例示する。
該異方導電性接着シートに用いる硬化性絶縁樹脂としては、熱硬化性絶縁樹脂、光硬化性絶縁樹脂、光及び熱硬化性絶縁樹脂、電子線硬化性絶縁樹脂等を用いることができる。取り扱いの容易さから、熱硬化性絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができるが、エポキシ樹脂が特に好ましい。
該異方導電性接着シートに用いる硬化性絶縁樹脂としては、熱硬化性絶縁樹脂、光硬化性絶縁樹脂、光及び熱硬化性絶縁樹脂、電子線硬化性絶縁樹脂等を用いることができる。取り扱いの容易さから、熱硬化性絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができるが、エポキシ樹脂が特に好ましい。
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、脂環式エポキシ基を有する化合物、分子内の二重結合をエポキシ化した化合物が好ましい。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂あるいは、それらの変性エポキシ樹脂を用いることができる。
本発明に用いる硬化剤は、前記硬化性絶縁樹脂を硬化できるものであればよい。硬化性絶縁樹脂として熱硬化性絶縁樹脂を用いる場合は、１００℃以上で熱硬化性絶縁樹脂と反応し、硬化させるものが好ましい。エポキシ樹脂の場合は、保存性の点から、潜在性硬化剤であることが好ましく、例えば、イミダゾール系硬化剤、カプセル型イミダゾール系硬化剤、カチオン系硬化剤、ラジカル系硬化剤、ルイス酸系硬化剤、アミンイミド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、ヒドラジド系硬化剤等を用いることができる。保存性、低温反応性の点から、カプセル型のイミダゾール系硬化剤が好ましい。
該異方導電性接着シートに用いる熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アルキル化セルロース樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等が挙げられ、それらから選ばれる１種または２種以上の樹脂を組み合わせても良い。これらの樹脂の中、水酸基、カルボキシル基等の極性基を有する樹脂は、接着強度の点から好ましい。また、熱可塑性樹脂は、少なくともガラス転移温度が８０℃以上３００℃以下である熱可塑性樹脂を１種以上含むことが好ましい。
熱可塑性樹脂の配合量は、硬化剤及び硬化性絶縁樹脂を合わせた成分１００質量部に対して２００質量部以下であることが好ましく、１００質量部以下であることが特に好ましい。
熱可塑性樹脂の配合量は、硬化剤及び硬化性絶縁樹脂を合わせた成分１００質量部に対して２００質量部以下であることが好ましく、１００質量部以下であることが特に好ましい。
本発明の異方導電性接着シートには、上記構成成分に添加剤を配合しても差し支えない。異方導電性接着シートと被着物との密着性を向上させるために、添加剤として、カップリング剤を配合することができる。該カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミカップリング剤等を用いることができるが、シランカップリング剤が好ましい。該シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。
該カップリング剤の配合量は硬化剤および硬化性絶縁樹脂を合わせた成分１００質量部に対して、０．０１質量部から１質量部が好ましい。密着性向上の観点から０．０１質量部以上が好ましく、信頼性の観点から１質量部以下が好ましい。該カップリング剤は、絶縁性接着層、導電性粒子層の両方に配合しても良いが、少なくとも導電性粒子層へ配合することが好ましい。
異方導電性接着シートの厚みは１０μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。機械的接続強度の観点から１０μｍ以上が好ましく、接続時の粒子流動による接続粒子数減少を防止する観点から３０μｍ以下であることが好ましい。
次に、本発明における異方導電性接着シートの製造方法について例示する。
本発明の異方導電性接着シートは、少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂からなる複数層の接着シートを積層する構造をとることが好ましい。
複数層の接着シートを積層する場合、所定の位置に導電性粒子を配した導電性粒子層に絶縁性接着層を積層する方法、あるいは、予め導電性粒子を含まない導電性粒子層と絶縁性接着層を積層し、そこへ、所定の位置まで導電性粒子を埋め込む方法等を用いることができる。接着シートを積層する方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、予め導電性粒子を所定の深さまで埋め込んだ接着シートを作製し、その上にもう一方の接着シートをラミネートする方法、予め導電性粒子を所定の深さまで埋め込んだ接着シート上に少なくとも硬化剤、硬化性絶縁樹脂および溶剤からなる樹脂溶液を、例えばダイコーター、ブレードコーター、コンマコーター等の塗工装置を用いて塗布し、溶剤乾燥して、所定の膜厚の接着層を形成する方法等を用いることができる。
本発明の異方導電性接着シートは、少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂からなる複数層の接着シートを積層する構造をとることが好ましい。
複数層の接着シートを積層する場合、所定の位置に導電性粒子を配した導電性粒子層に絶縁性接着層を積層する方法、あるいは、予め導電性粒子を含まない導電性粒子層と絶縁性接着層を積層し、そこへ、所定の位置まで導電性粒子を埋め込む方法等を用いることができる。接着シートを積層する方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、予め導電性粒子を所定の深さまで埋め込んだ接着シートを作製し、その上にもう一方の接着シートをラミネートする方法、予め導電性粒子を所定の深さまで埋め込んだ接着シート上に少なくとも硬化剤、硬化性絶縁樹脂および溶剤からなる樹脂溶液を、例えばダイコーター、ブレードコーター、コンマコーター等の塗工装置を用いて塗布し、溶剤乾燥して、所定の膜厚の接着層を形成する方法等を用いることができる。
本発明の異方導電性接着シートの好ましい製造方法について例示する。少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる絶縁性接着層Ｌ１を熱可塑性支持フィルムＳ１上に形成する工程、導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の厚みで少なくとも硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる接着層Ｌ２を熱可塑性支持フィルムＳ２上に形成する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層する工程、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５倍以上５倍以下になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層したフィルムから、接着層Ｌ２上の熱可塑性支持フィルムＳ２を剥離し、接着層Ｌ２の剥離面に延伸フィルムの導電性粒子面をラミネートして、導電性粒子を接着層Ｌ２へ転写する工程を含む製造方法である。
この場合の延伸後の粘着層の厚みは０．０２〜３μｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ〜２μｍである。延伸後の粘着層の厚みが０．０２μｍ以上の場合、延伸により配列された導電性粒子の保持性が良好であり、転写時の導電性粒子欠落が起こり難く、好ましい。３μｍ以下の場合、導電性粒子の転写が良好であり好ましい。また、延伸後の粘着層の厚みを制御することにより、転写時に導電性粒子層への導電性粒子の埋め込み量を制御でき、導電性粒子層中の導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの平均距離のバラツキを低減でき好ましい。また、予め絶縁性接着層へ積層した接着層へ導電性粒子を完全に埋め込むことなく転写し、更に、導電性粒子面へ更に別の接着シートを積層し予め積層した接着層と導電性粒子転写後に積層した接着シートを合わせて、導電性粒子層を形成する方法を用いることも可能である。
２軸延伸可能なフィルムとしては、公知の樹脂フィルム等を用いることができるが、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂等の単独あるいは共重合体等、又は、ニトリルゴム、ブタジエンゴム、シリコーンゴム等のゴムシート等の柔軟で延伸可能な樹脂フィルムを用いることが好ましい。ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂が特に好ましい。延伸後の収縮率は１０％以下であることが好ましい。粘着層として、少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂からなる接着シートを用いる場合は、より低温で延伸することが好ましいため、ポリエチレン樹脂、シリコーンゴム等を用いることが好ましい。この場合は、前記接着シートの転写を容易にするため、予めフィルム上に剥離処理を施すことが好ましい。
２軸延伸可能なフィルム上に導電性粒子を単層配列し、固定する方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、少なくとも熱可塑性樹脂を含む粘着層を該２軸延伸可能なフィルム上に形成し、その上に導電性粒子を接触させて付着させ、ゴムロール等で荷重をかけて単層で配列する方法を採ることができる。この場合、隙間無く充填するためには、付着−ロール操作を数回繰り返す方法が好ましい。球状の導電性粒子の場合、最密充填が最も安定した構造なので比較的容易に充填することができる。あるいは、該２軸延伸可能なフィルム上に粘着剤を塗布して接着層を形成し、その上に導電性粒子を付着させ、必要なら数回付着を繰り返し、単層で配列させる方法等を用いることができる。
導電性粒子を単層配列させた２軸延伸可能なフィルムを延伸させる方法としては、公知の方法を用いることができるが、均一分散配列という点から、２軸延伸装置を用いることが好ましい。粒子間隔の点から延伸度合いは、５０％以上、５００％以下であることが好ましく、１００％以上、３００％以下であることがより好ましい。なお、１００％延伸するとは、延伸方向に沿って延伸した部分の長さが延伸前の長さの１００％であることを言う。延伸方向は、任意であるが、延伸角度が９０°の２軸延伸が好ましく、同時延伸が好ましい。２軸延伸の場合、各方向の延伸度合いは同じであっても異なっていても構わない。
２軸延伸装置としては、同時２軸連続延伸装置が好ましい。
同時２軸連続延伸装置としては、公知のものを使用することができるが、長辺側をチャック金具で固定し、それらの間隔を縦横同時に延伸することにより連続延伸するテンター型延伸機が好ましい。延伸度を調整する方式としては、スクリュー方式、パンタグラフ方式を用いることが可能だが、調整の精度の観点から、パンタグラフ方式がより好ましい。加熱しながら延伸する場合は、延伸部分の手前に予熱ゾーンを設けて、延伸部分の後方に熱固定ゾーンを設けることが好ましい。
同時２軸連続延伸装置としては、公知のものを使用することができるが、長辺側をチャック金具で固定し、それらの間隔を縦横同時に延伸することにより連続延伸するテンター型延伸機が好ましい。延伸度を調整する方式としては、スクリュー方式、パンタグラフ方式を用いることが可能だが、調整の精度の観点から、パンタグラフ方式がより好ましい。加熱しながら延伸する場合は、延伸部分の手前に予熱ゾーンを設けて、延伸部分の後方に熱固定ゾーンを設けることが好ましい。
粘着層に使用する粘着剤は、公知のものを使用することができるが、加熱しながら２軸延伸する場合は、非熱架橋性の粘着剤を用いることが好ましい。具体的には、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、合成樹脂エマルジョン系粘着剤、シリコーン系粘着剤、エチレン−酢酸ビニル共重合体粘着剤等を単独で、又は組み合わせて用いることができる。延伸前の導電性粒子保持性、延伸時の導電性粒子分散の均一性、延伸後の導電性粒子の転写性の観点から、天然ゴム系粘着剤をアクリレートでグラフト重合した粘着剤が特に好ましい。さらに、加熱延伸時の均一性の点から、延伸前に延伸温度以下で１分間から５分間加熱処理することが好ましい。
粘着層形成方法としては、溶剤又は水に分散又は溶解したものを、グラビアコーター、ダイコーター、ナイフコーター、バーコーター、スプレーコート等の公知の方法で塗布し、乾燥する方法を用いることができる。ホットメルトタイプの粘着剤を使用する場合は、無溶剤でロールコートすることができる。
該導電性粒子を粘着層に塗布するにあたっては、ほぼ隙間無く単層で配列すること（密集充填）が好ましい。密集充填する方法としては、前述の、２軸延伸可能なフィルム上に導電性粒子を分散配列し、固定する方法を用いることができる。なお、密集充填とは、充填された粒子間の平均粒子間隔が、平均粒径の１／２以下であるように充填することをいうものとする。より好ましくは、充填された粒子間の平均粒子間隔が、平均粒径の１／５以下である。
２軸延伸後のフィルムの膜厚は、転写する接着性シート及び接着性シートのベースフィルムの膜厚を合計した厚みの１／１０から１倍であることが好ましく、１／５から１／２であることが特に好ましい。延伸後のフィルムのハンドリング性の観点から、１／１０以上であることが好ましく、延伸後の接着性フィルムへの粒子転写の観点から１倍以下であることが好ましい。
本発明の接続構造体を構成する電子回路部品としては、液晶ディスプレイ機器、プラズマディスプレイ機器、エレクトロルミネッセンスディスプレイ機器等の表示機器の配線板接続用途および、それら機器のＬＳＩ等の電子部品実装用途、その他の機器の配線基板接続部分、ＬＳＩ等の電子部品実装用途に使用することができる。上記表示機器の中でも、信頼性を必要とされるプラズマディスプレイ機器、エレクトロルミネッセンスディスプレイ機器に用いるのが好ましい。
本発明の異方導電性接着シートを用いて電子部品等を接続する場合、導電性粒子の移動を抑制する観点から、相対的に配線高さの低い回路基板面に導電性粒子層面を配して接続することが好ましい。
次に、実施例および比較例によって本発明を説明する。
本発明の異方導電性接着シートを用いて電子部品等を接続する場合、導電性粒子の移動を抑制する観点から、相対的に配線高さの低い回路基板面に導電性粒子層面を配して接続することが好ましい。
次に、実施例および比較例によって本発明を説明する。
（接続構造体作製方法）
縦横が１．６ｍｍ×１５．１ｍｍのシリコン片（厚み０．５ｍｍ）全面に酸化膜を形成後、外辺部から４０μｍ内側に横７７μｍ、縦１２０μｍのアルミ薄膜（１０００Å）をそれぞれが２３μｍ間隔になるように長辺側に各々１４０個、短辺側に各々１４個形成する。さらに、その３０μｍ内側に同じパターンで隙間とアルミ薄膜の位置が前記パターンと２５μｍずれた位置になるように同様なアルミ薄膜を形成する。それらアルミ薄膜上に２５μｍ間隔になるように横２５μｍ、縦１００μｍの金バンプ（厚み１５μｍ）をそれぞれ２個ずつ形成するために、それぞれの金バンプ配置個所の外周部から７．５μｍ内側に横１０μｍ、縦６０μｍの開口部を残す以外の部分に酸化ケイ素の保護膜を常法により前記開口部以外の全面に形成する。その後、前記金バンプを形成し、試験チップとする。
厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス上に前記外側アルミ薄膜上の金バンプが隣接するアルミ薄膜上の金バンプと対になる位置関係で接続されるようにインジウムスズ酸化物膜（１５００Å）の接続パッド（横７７μｍ、縦１００μｍ）を形成する。２０個の金バンプが接続される毎に前記接続パッドにインジウムスズ酸化物薄膜の引き出し配線を形成する（この引き出し配線が接続抵抗測定部分となる。）。
縦横が１．６ｍｍ×１５．１ｍｍのシリコン片（厚み０．５ｍｍ）全面に酸化膜を形成後、外辺部から４０μｍ内側に横７７μｍ、縦１２０μｍのアルミ薄膜（１０００Å）をそれぞれが２３μｍ間隔になるように長辺側に各々１４０個、短辺側に各々１４個形成する。さらに、その３０μｍ内側に同じパターンで隙間とアルミ薄膜の位置が前記パターンと２５μｍずれた位置になるように同様なアルミ薄膜を形成する。それらアルミ薄膜上に２５μｍ間隔になるように横２５μｍ、縦１００μｍの金バンプ（厚み１５μｍ）をそれぞれ２個ずつ形成するために、それぞれの金バンプ配置個所の外周部から７．５μｍ内側に横１０μｍ、縦６０μｍの開口部を残す以外の部分に酸化ケイ素の保護膜を常法により前記開口部以外の全面に形成する。その後、前記金バンプを形成し、試験チップとする。
厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス上に前記外側アルミ薄膜上の金バンプが隣接するアルミ薄膜上の金バンプと対になる位置関係で接続されるようにインジウムスズ酸化物膜（１５００Å）の接続パッド（横７７μｍ、縦１００μｍ）を形成する。２０個の金バンプが接続される毎に前記接続パッドにインジウムスズ酸化物薄膜の引き出し配線を形成する（この引き出し配線が接続抵抗測定部分となる。）。
また、別の辺に前記外側のアルミ薄膜上の金バンプがそれぞれ接続されるような位置関係にインジウムスズ酸化物膜（１５００Å）の接続パッド（横２５μｍ、縦１００μｍ）を形成する。前記接続パッドから各々引き出し配線（幅１５μｍ、インジウムスズ酸化物膜）を内側の対応する位置のバンプの間を通して形成し、１０バンプ分を接続できるようにインジウムスズ酸化物薄膜の接続配線を形成して接続する。さらに内側の１０バンプ分をそれらと対になるように同様にして接続パッドを形成し、外側バンプ間を通して接続配線を形成して、櫛型パターンを形成する。それぞれの接続配線にインジウム錫酸化物薄膜の引出し配線を形成する（この引き出し配線が絶縁抵抗測定部分となる。）。
それぞれの引出し配線上はアルミニウム−チタン薄膜（チタン１％、３０００Å）を形成し、接続基板とする。前記接続基板上に、前記接続パッドがすべて覆われるように、幅２ｍｍ、長さ１７ｍｍの異方導電性接着シートの該導電性粒子の存在する側を仮張りし、２．５ｍｍ幅の圧着ヘッドを用いて、８０℃、０．３ＭＰａ、３秒間加圧した後、ポリエチレンテレフタレートのベースフィルムを剥離する。そこへ、前記接続パッドと金バンプの位置が合うように試験チップを載せ、１７０℃で２０秒間、２．０ＭＰａ加圧圧着する。圧着後、前記引出し配線間（金バンプ２０個のデイジーチェイン）の抵抗値を四端子法の抵抗計で抵抗測定し、接続抵抗値とする。
また、対になった引き出し配線間の抵抗測定し、絶縁抵抗値とする。
また、対になった引き出し配線間の抵抗測定し、絶縁抵抗値とする。
この絶縁抵抗試験基板を６０℃、９０％相対湿度中に保持しながら、定電圧定電流電源を用いて、対になる引き出し配線間に２５Ｖの直流電圧を印加する。この配線間の絶縁抵抗を５分間毎に測定し、絶縁抵抗値が１０ＭΩ以下になるまでの時間を測定し、その値を絶縁低下時間とする。この絶縁低下時間が２４０時間未満の場合を×、２４０時間以上の場合を○とする。また、同様にして作製した接続抵抗測定基板を８５℃、８５％相対湿度中に放置し、５００時間保持する。５００時間経過後、取り出し、２５℃、１時間後に上記と同様、四端子法で接続抵抗値測定を行う。初期接続抵抗値との比が２．０倍以上の場合、接続信頼性×とする。
[実施例１]
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）３４．０ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）３０．８ｇを酢酸エチル−トルエンの混合溶剤（混合比１：１）に溶解し、固形分５０％溶液とする。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１２５℃）３５．２ｇを前記固形分５０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１４μｍのフィルム状の接着シートＡを得た。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）３４．０ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）３０．８ｇを酢酸エチル−トルエンの混合溶剤（混合比１：１）に溶解し、固形分５０％溶液とする。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１２５℃）３５．２ｇを前記固形分５０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１４μｍのフィルム状の接着シートＡを得た。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）５２．５ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）４７．２ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．０３ｇを酢酸エチル−トルエンの混合溶剤（混合比１：１）に溶解し、固形分５０％溶液とする。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚３．５μｍのフィルム状の接着シートＢを得た。
接着シートＡとＢを５０℃でラミネートした。
接着シートＡとＢを５０℃でラミネートした。
厚さ１００μｍの無延伸ポリプロピレンフィルム上に、粘着層として天然ゴム−メチルメタアクリレートのグラフト共重合体接着剤を３μｍの厚みで塗布したものに平均粒径３．０μｍの金めっきプラスチック粒子（導電性粒子）をほぼ隙間無く単層塗布した。すなわち、該導電性粒子を該フィルム幅より大きい容器内に数層以上の厚みになるよう敷き詰めたものを用意し、該導電性粒子に対して粘着剤の塗布面を下向きにして押し付けて付着させ、その後過剰な粒子を軟質ゴムからなるスクレバーで掻き落とした。
この操作を２回繰り返すことにより、隙間無く単層塗布した導電性粒子付着フィルムを得た。この導電性粒子付着フィルムを乾燥機中で、１００℃、３分間加熱処理した。
この操作を２回繰り返すことにより、隙間無く単層塗布した導電性粒子付着フィルムを得た。この導電性粒子付着フィルムを乾燥機中で、１００℃、３分間加熱処理した。
このフィルムを２軸延伸装置（東洋精機製Ｘ６Ｈ−Ｓ、パンタグラフ方式のコーナーストレッチ型の２軸延伸装置）を用いて縦横にそれぞれ１０個のチャックを用いて固定し１３０℃、１２０秒間予熱し、その後５％／秒の速度で１００％延伸して固定した。その後、この延伸フィルムに前記積層接着シートのＢ面のポリエチレンテレフタレートを剥がし、その面をラミネートした後、剥離して、異方導電性フィルムを得た。
レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち９９％が単独粒子であった。また、平均粒子間隔は４．１９μｍであった。 得られた異方導電性接着シートをエポキシ樹脂に包埋し、１５０℃、１時間加熱硬化した後、断面研磨して、断面を電子顕微鏡観察した。断面の導電性粒子のうち、任意の２０個の導電性粒子を選び、導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの距離を測定し、平均値を測定した。平均距離は、０．６μｍであった。α／βの比の値は０．７２であった。
[実施例２]
実施例１と同様にして、接着シートＡを作製した。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）５２．５ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）４１．７ｇ、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン０．３ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分５０％溶液とする。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１２５℃）５．５ｇを前記固形分５０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚４．６μｍのフィルム状の接着シートＣを得た。接着シートＡとＣを５０℃でラミネートした。
実施例１と同様にして、接着シートＡを作製した。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）５２．５ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）４１．７ｇ、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン０．３ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分５０％溶液とする。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１２５℃）５．５ｇを前記固形分５０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚４．６μｍのフィルム状の接着シートＣを得た。接着シートＡとＣを５０℃でラミネートした。
厚さ１００μｍの無延伸ポリプロピレンフィルム上に、粘着層として天然ゴム−メチルメタアクリレートのグラフト共重合体接着剤を３μｍの厚みを塗布したものに平均粒径３．０μｍの金めっきプラスチック粒子（導電性粒子）をほぼ隙間無く単層塗布した。すなわち、該導電性粒子を該フィルム幅より大きい容器内に数層以上の厚みになるよう敷き詰めたものを用意し、該導電性粒子に対して粘着剤の塗布面を下向きにして押し付けて付着させ、その後過剰な粒子を軟質ゴムからなるスクレバーで掻き落とした。
この操作を２回繰り返すことにより、隙間無く単層塗布した導電性粒子付着フィルムを得た。この導電性粒子付着フィルムを乾燥機中で、１００℃、３分間加熱処理した。
この操作を２回繰り返すことにより、隙間無く単層塗布した導電性粒子付着フィルムを得た。この導電性粒子付着フィルムを乾燥機中で、１００℃、３分間加熱処理した。
このフィルムを２軸延伸装置（東洋精機製Ｘ６Ｈ−Ｓ、パンタグラフ方式のコーナーストレッチ型の２軸延伸装置）を用いて縦横にそれぞれ１０個のチャックを用いて固定し１３０℃、１２０秒間予熱し、その後５％／秒の速度で１２０％延伸して固定した。その後、この延伸フィルムに前記積層接着シートのＣ面のポリエチレンテレフタレートを剥がし、その面をラミネートした後、剥離して、異方導電性フィルムを得た。レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち９８％が単独粒子であった。また、平均粒子間隔は４．４９μｍであった。
実施例１と同様にして、断面観察を行い、任意の２０個の導電性粒子を選び、導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの距離を測定し、平均値を測定した。平均距離は、１．５μｍであった。α／βの比の値は０．７２であった。
[実施例３]
実施例２の接着シートＣにおいて、膜厚のみ４．８μｍに変更して接着シートＤを作成した。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）２５．５ｇ、変性フェノキシ樹脂（ガラス転移温度４５℃、３０％の水酸基をポリエステルポリオールで変性したもの）８．５ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）３０．８ｇ、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン０．３ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分５０％溶液とする。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１２５℃）３４．９ｇ、前記固形分５０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１４μｍのフィルム状の接着シートＥを得た。接着シートＥとＤを５０℃でラミネートした。
実施例２の接着シートＣにおいて、膜厚のみ４．８μｍに変更して接着シートＤを作成した。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）２５．５ｇ、変性フェノキシ樹脂（ガラス転移温度４５℃、３０％の水酸基をポリエステルポリオールで変性したもの）８．５ｇ、ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１３６、半固形）３０．８ｇ、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン０．３ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分５０％溶液とする。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１２５℃）３４．９ｇ、前記固形分５０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１４μｍのフィルム状の接着シートＥを得た。接着シートＥとＤを５０℃でラミネートした。
厚さ１００μｍの無延伸ポリプロピレンフィルム上に、粘着層として天然ゴム−メチルメタアクリレートのグラフト共重合体接着剤を３μｍの厚みを塗布したものに平均粒径３．０μｍの金めっきプラスチック粒子（導電性粒子）をほぼ隙間無く単層塗布した。すなわち、該導電性粒子を該フィルム幅より大きい容器内に数層以上の厚みになるよう敷き詰めたものを用意し、該導電性粒子に対して粘着剤の塗布面を下向きにして押し付けて付着させ、その後過剰な粒子を軟質ゴムからなるスクレバーで掻き落とした。
この操作を２回繰り返すことにより、隙間無く単層塗布した導電性粒子付着フィルムを得た。この導電性粒子付着フィルムを乾燥機中で、１００℃、３分間加熱処理した。
この操作を２回繰り返すことにより、隙間無く単層塗布した導電性粒子付着フィルムを得た。この導電性粒子付着フィルムを乾燥機中で、１００℃、３分間加熱処理した。
このフィルムを２軸延伸装置（東洋精機製Ｘ６Ｈ−Ｓ、パンタグラフ方式のコーナーストレッチ型の２軸延伸装置）を用いて縦横にそれぞれ１０個のチャックを用いて固定し１３０℃、１２０秒間予熱し、その後５％／秒の速度で１２０％延伸して固定した。その後、この延伸フィルムに前記積層接着シートのＤ面のポリエチレンテレフタレートを剥がし、その面をラミネートした後、剥離して、異方導電性フィルムを得た。
レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち９８％が単独粒子であった。また、平均粒子間隔は４．４７μｍであった。
レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち９８％が単独粒子であった。また、平均粒子間隔は４．４７μｍであった。
実施例１と同様にして、断面観察を行い、任意の２０個の導電性粒子を選び、導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの距離を測定し、平均値を測定した。平均距離は、１．５μｍであった。α／βの比の値は０．７２であった。
[比較例１]
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）４０ｇ、マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１１０℃）６０ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分３０％の溶液を得た。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１５μｍのフィルム状の接着シートＦを得た。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）４０ｇ、マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１１０℃）６０ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分３０％の溶液を得た。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１５μｍのフィルム状の接着シートＦを得た。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）３０ｇ、マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１１０℃）７０ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分３０％の溶液を得た。平均粒径５．０μｍの金めっきプラスチック粒子を５体積％になるように前期固形分３０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚５μｍの接着シートＧを得た。接着シートＦとＧを５０℃でラミネートし、Ｇのポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、異方導電性接着シートを得た。
得られた異方導電性接着シートの導電性粒子のうち、無作為に１００個を選び、レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち８２％が単独粒子であった。
得られた異方導電性接着シートの導電性粒子のうち、無作為に１００個を選び、レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち８２％が単独粒子であった。
実施例１と同様にして、断面観察を行い、任意の２０個の導電性粒子を選び、導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの距離を測定し、平均値を測定した。平均距離は、０．０１μｍ以下であった。α／βの比の値は１．１６であった。
[比較例２]
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）２０ｇ、予め４０℃で２４時間熱処理したマイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ）８０ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分３０％の溶液を得た。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１５μｍのフィルム状の接着シートＨを得た。ＤＳＣ法で接着シートＨの活性化温度を測定したところ、１１９℃であった。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）２０ｇ、予め４０℃で２４時間熱処理したマイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ）８０ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分３０％の溶液を得た。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１５μｍのフィルム状の接着シートＨを得た。ＤＳＣ法で接着シートＨの活性化温度を測定したところ、１１９℃であった。
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度９８℃、数平均分子量１４０００）２０ｇ、マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径５μｍ、活性温度１１０℃、熱処理なし）８０ｇを酢酸エチルに溶解し、固形分３０％の溶液を得た。平均粒径５．０μｍの金めっきプラスチック粒子を５体積％になるように前期固形分３０％溶液に配合分散させる。その後、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚５μｍの接着シートＪを得た。ＤＳＣ法で接着シートＪの活性化温度を測定したところ、１０８℃であった。接着シートＪとＨを５０℃でラミネートし、Ｊのポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、異方導電性接着シートを得た。
得られた異方導電性接着シートの導電性粒子のうち、無作為に１００個を選び、レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち８４％が単独粒子であった。
実施例１と同様にして、断面観察を行い、任意の２０個の導電性粒子を選び、導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの距離を測定し、平均値を測定した。平均距離は、０．０１μｍ以下であった。α／βの比の値は１．０であった。
得られた異方導電性接着シートの導電性粒子のうち、無作為に１００個を選び、レーザー顕微鏡観察の結果、導電性粒子１００個のうち８４％が単独粒子であった。
実施例１と同様にして、断面観察を行い、任意の２０個の導電性粒子を選び、導電性粒子表面から絶縁性接着層表面までの距離を測定し、平均値を測定した。平均距離は、０．０１μｍ以下であった。α／βの比の値は１．０であった。
このようにして得た異方導電性フィルムを用いて、１７０℃の接続温度で前記接続抵抗値測定法と同様にして、圧着して接続構造体を得た。
最少粒子個数の測定は、接続信頼性を測定する１０バンプの接続部分について、接続基板の裏面より光学顕微鏡によりバンプ下の導電性粒子個数を計測して、最少粒子個数の値を得た。
実施例及び比較例の接続構造体の接続抵抗値、接続信頼性、最少粒子個数及び絶縁試験結果を表１に示す。表１から明らかなように、本発明の異方導電性接着シートは、非常に優れた信頼性を示す。
最少粒子個数の測定は、接続信頼性を測定する１０バンプの接続部分について、接続基板の裏面より光学顕微鏡によりバンプ下の導電性粒子個数を計測して、最少粒子個数の値を得た。
実施例及び比較例の接続構造体の接続抵抗値、接続信頼性、最少粒子個数及び絶縁試験結果を表１に示す。表１から明らかなように、本発明の異方導電性接着シートは、非常に優れた信頼性を示す。
本発明の接続構造体は、低接続抵抗、高絶縁信頼性を示し、微細回路接続が求められる高精細なディスプレイ装置等の接続構造体として好適である。
Claims (7)
- 硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、及び導電性粒子を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、該導電性粒子層中で導電性粒子が単層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独粒子であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあり、かつ、導電性粒子層と絶縁性接着層とが次式（１）の関係を満たすことを特徴とする異方導電性接着シート。
- 硬化性絶縁樹脂、熱可塑性樹脂、導電性粒子及び硬化剤を含む導電性粒子層と、硬化性絶縁樹脂、硬化剤及び熱可塑性樹脂を含む絶縁性接着層とからなる異方導電性接着シートであって、該導電性粒子層中で導電性粒子が単層で存在し、導電性粒子の９５％以上が単独粒子であり、その平均粒子間隔が導電性粒子の平均粒径０．５倍〜５倍の範囲にあり、該導電性粒子表面から絶縁性接着層までの平均距離が０．０５μｍ〜２μｍであり、導電性粒子層の厚みが導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の範囲にあり、かつ、導電性粒子層と絶縁性接着層とが次式（２）の関係を満たすことを特徴とする異方導電性接着シート。
- 少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる絶縁性接着層Ｌ１を熱可塑性支持フィルムＳ１上に形成する工程、導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の厚みで少なくとも硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる接着層Ｌ２を熱可塑性支持フィルムＳ２上に形成する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層する工程、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を単層に付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５倍〜５倍になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層したフィルムから、接着層Ｌ２上の熱可塑性支持フィルムＳ２を剥離し、接着層Ｌ２の剥離面に延伸フィルムの導電性粒子面をラミネートして、導電性粒子を接着層Ｌ２へ転写する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
- 少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる絶縁性接着層Ｌ１を熱可塑性支持フィルムＳ１上に形成する工程、導電性粒子の平均粒径の１．１〜２．０倍の厚みで少なくとも硬化剤及び硬化性絶縁樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる接着層Ｌ２を熱可塑性支持フィルムＳ２上に形成する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層する工程、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を単層に付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５〜５倍になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程、絶縁性接着層Ｌ１と接着層Ｌ２を積層したフィルムから、接着層Ｌ２上の熱可塑性支持フィルムＳ２を剥離し、接着層Ｌ２の剥離面に延伸フィルムの導電性粒子面をラミネートして、導電性粒子を接着層Ｌ２へ転写する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
- ２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、該積層体の上に導電性粒子を付着させて導電性粒子付着フィルムを作製し、該導電性粒子付着フィルムを該導電性粒子同士の平均粒子間隔が該導電性粒子の平均粒径の０．５倍以上５倍以下になるように２軸延伸して延伸フィルムを作製し保持する工程において、延伸後の粘着層の厚みを０．０２〜３μｍとすることを特徴とする請求項３又は４に記載の異方導電性接着シートの製造方法。
- 請求項１又は２に記載の異方導電性接着シートの導電性粒子層の面を、相対的に配線高さの低い回路基板面に配し、相対的に配線高さの高い電子部品を加熱圧着することを特徴とする接続構造体の製造方法。
- 請求項６記載の製造方法により製造された接続構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006044969A JP2007224111A (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 異方導電性接着シート及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006044969A JP2007224111A (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 異方導電性接着シート及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007224111A true JP2007224111A (ja) | 2007-09-06 |
Family
ID=38546214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006044969A Pending JP2007224111A (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 異方導電性接着シート及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007224111A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012091237A1 (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-05 | 제일모직 주식회사 | 이방 도전성 필름 |
| JP2014120241A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
| US8802214B2 (en) | 2005-06-13 | 2014-08-12 | Trillion Science, Inc. | Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes |
| JP2014159575A (ja) * | 2014-03-27 | 2014-09-04 | Dexerials Corp | 異方導電性接着フィルム及びその製造方法 |
| US9102851B2 (en) | 2011-09-15 | 2015-08-11 | Trillion Science, Inc. | Microcavity carrier belt and method of manufacture |
| US9475963B2 (en) | 2011-09-15 | 2016-10-25 | Trillion Science, Inc. | Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes |
| US20220135753A1 (en) * | 2016-05-05 | 2022-05-05 | Dexerials Corporation | Filler disposition film |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329207A (ja) * | 1988-12-05 | 1991-02-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続用組成物及びこれを用いた接続方法並びに半導体チップの接続構造 |
| JP2000151084A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着フィルム |
| JP2001052778A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着フィルムおよびその製造方法 |
| JP2002080811A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-03-22 | Sony Chem Corp | Ｉｐｎ型接着剤、ｉｐｎ型接着シート及び接着方法 |
| JP2002201450A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
| JP2002256237A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2002332461A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Asahi Kasei Corp | 接着剤層への粒子の配置方法 |
| JP2003055632A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Lintec Corp | 粘接着テープ |
| WO2005054388A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Asahi Kasei Emd Corporation | 異方導電性接着シート及び接続構造体 |
-
2006
- 2006-02-22 JP JP2006044969A patent/JP2007224111A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329207A (ja) * | 1988-12-05 | 1991-02-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続用組成物及びこれを用いた接続方法並びに半導体チップの接続構造 |
| JP2000151084A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着フィルム |
| JP2001052778A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着フィルムおよびその製造方法 |
| JP2002080811A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-03-22 | Sony Chem Corp | Ｉｐｎ型接着剤、ｉｐｎ型接着シート及び接着方法 |
| JP2002201450A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
| JP2002256237A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2002332461A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Asahi Kasei Corp | 接着剤層への粒子の配置方法 |
| JP2003055632A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Lintec Corp | 粘接着テープ |
| WO2005054388A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Asahi Kasei Emd Corporation | 異方導電性接着シート及び接続構造体 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8802214B2 (en) | 2005-06-13 | 2014-08-12 | Trillion Science, Inc. | Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes |
| WO2012091237A1 (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-05 | 제일모직 주식회사 | 이방 도전성 필름 |
| TWI484504B (zh) * | 2010-12-31 | 2015-05-11 | Cheil Ind Inc | 向異性導電膜、其製備方法、及壓製電路端子之方法 |
| US9102851B2 (en) | 2011-09-15 | 2015-08-11 | Trillion Science, Inc. | Microcavity carrier belt and method of manufacture |
| US9475963B2 (en) | 2011-09-15 | 2016-10-25 | Trillion Science, Inc. | Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes |
| JP2014120241A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
| JP2014159575A (ja) * | 2014-03-27 | 2014-09-04 | Dexerials Corp | 異方導電性接着フィルム及びその製造方法 |
| US20220135753A1 (en) * | 2016-05-05 | 2022-05-05 | Dexerials Corporation | Filler disposition film |
| US11732105B2 (en) * | 2016-05-05 | 2023-08-22 | Dexerials Corporation | Filler disposition film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4993880B2 (ja) | 異方導電性接着シート及び微細接続構造体 | |
| JP5057594B2 (ja) | 導電性粒子付着フィルム | |
| JP4890053B2 (ja) | 微細回路検査用異方導電性フィルム | |
| JP5825373B2 (ja) | 導電粒子配置シート及びその製造方法 | |
| JP2010199087A (ja) | 異方性導電膜及びその製造方法、並びに、接合体及びその製造方法 | |
| JP2007224111A (ja) | 異方導電性接着シート及びその製造方法 | |
| JP5152815B2 (ja) | 異方導電性接着シート及び微細接続構造体 | |
| JP5225766B2 (ja) | 異方導電性接着シート及び微細接続構造体 | |
| JPWO2007099965A1 (ja) | 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法 | |
| JP4993877B2 (ja) | 異方導電性接着シート及び微細接続構造体 | |
| JP4994653B2 (ja) | 異方導電性接着シート | |
| JP5445558B2 (ja) | 異方導電性接着シート及び接続方法 | |
| JP4766943B2 (ja) | 回路接着シートとその製造方法、及び、微細接続構造体とその接続方法 | |
| JP2007224112A (ja) | 異方導電性接着シート及びその製造方法 | |
| JP4958417B2 (ja) | 導電性粒子転写シート及び接続構造体 | |
| JP4925405B2 (ja) | 接続構造体の製造方法 | |
| JP5370694B2 (ja) | 接続構造体 | |
| JP4703306B2 (ja) | 導電粒子の連結構造体 | |
| JP5164257B2 (ja) | 接続構造体の製造方法 | |
| JP2014062257A (ja) | 異方導電性接着シート及び接続方法 | |
| JP2008069357A (ja) | 接着剤層を有する巻重体 | |
| JP2008111115A (ja) | 接着剤層を有する巻重体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090212 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090401 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120606 |