TW504735B - Film forming method and film forming apparatus - Google Patents

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504735 A7 __B7 _______ 五、發明説明（1 ) 【發明領域】 本發明係關於基板之膜形成方法及膜形成裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【相關技術之說明】 例如於半導體裝置之製程之微影成像工程，在晶圓表 面塗佈抗蝕液，進行形成抗蝕膜.之抗蝕劑塗佈處理，在晶 圓曝光圖案之曝光處理，對於曝光後之晶圓進行顯像化顯 像處理等，在晶圓進行形成既定電路圖案。 ， 此時，於抗蝕劑塗佈處理或顯像處理，係在晶圓上供 給處理液，在晶·圓上進行形成上述處理液之膜之膜形成工 程。例如，於抗飩劑塗佈處理，將晶圓使用旋轉夾具吸附 保持之狀態下將晶圓以既定速度迴轉，在此被迴轉之晶圓 中心供給抗鈾液，因抗飩液之擴散，在晶圓上形成抗鈾液 膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 按，爲了提高晶圓之良率，必須將上述抗蝕液膜將既 定之膜厚均勻地形成，但是此時之重要因素，可舉出抗蝕 液膜之溫度或周邊環境之濕度之影響。亦即，抗蝕液膜之 膜厚係受到抗蝕液之溫度或周邊環境之濕度影響，例如， 抗蝕液之溫度爲高時抗鈾液就氣化，其分量膜厚就變薄。 因此，將晶圓上之抗鈾液之溫度分布位於既定範圍就可達 成抗蝕液膜之膜厚均勻化。 然而，於進行上述抗蝕液塗佈處理之抗蝕液塗佈裝置 ，係未設有測定晶圓之溫度之測定裝置，未進行溫度之測 定。並且，補正成抗蝕液膜之膜厚變成均勻’在晶圓上最 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）_ 504735 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7五、發明説明（2 ) 終地形成之電路圖案之線寬等之偏差推測適當塗佈時.之溫 度分布，來調節抗鈾液塗佈裝置內之溫度或環境。其結果 ，欲求出膜厚變成均勻之溫度分布之條件花費了很多時間 與勞力，其精度也不一定高。 【發明槪要】 本發明係關於這些點所創作者，其目的係直接測定晶 圓等之基板溫度’依據其結果，調節基板溫度或其周邊環 境之濕度，甚至將處理液之膜厚之膜形成方法與實施此方 法之膜形成裝置。 * 爲了達成上述目的，依據本發明之第1觀點，本發明 之膜形成方法，係在處理室內基板表面形成處理液之膜之 膜形成方法，對於上述處理室內供給氣體，並且，·排氣上 述處理室內之環境之狀態下，具有：對於載置於上述處理 室內之保持構件之基板供給處理液之工程，與在上述處理 液之供給前，測定上衣基板表面之溫度之工程。 又，依據本發明之第2觀點，一種膜形成方法，其係 在處理室內之基板表面形成處理液之膜’ 對於上述處理室內供給氣體，並且，排氣上述處理室 內之環境之狀態下，具有： 對於載置於上述處理室內之保持構件之基板供給處理 嚴之工程，與 在供給上述處理液之前，測定上述保持構件之溫度之 工程。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 504735 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7 _五、發明説明（3 ) 又，本發明之膜形成裝置，係具有··於處理室內載置 於保持構件上之基板供給處理液，在上述基板表面形成上 述處理液之膜之膜形成裝置，至少具有測定上述基板表面 或之非接觸溫度測定裝置。 測定基板表面之溫度或保持構件之溫度之結果，例如 變更保持構件之溫度，或變更對.於處理室內之氣體供給狀 態，或變更來自處理室內之排氣量，也可以控制對於基板 之處理液之溶劑蒸氣之供給位置。若保持構件被迴轉驅動 時，也可變更迴轉速度。 在處理液之供給前，測定上述基板表面之溫度時，就 可確認基板表面之溫度或溫度分布。並且，藉比較例如形 成預先求出之均勻膜厚時之理想溫度分布與其測定結果， 就可預測由其後之處理所形成之膜之膜厚。又，測定溫度 後，形成處理膜，藉評價其處理膜之膜厚，就可儲存其資 料，可發現所謂最佳條件加以設定。因此，依據這些測定 結果，調節處理液等之溫度等，可補正爲膜厚可變成均勻 〇 供給於基板上之處理液之溫度係不僅是基板之溫度， 也確認了會受到保持基板之保持構件之溫度之影響。尤其 在此種保持構件，安裝有馬達等驅動機構之情形居多，由 其馬達之熱而容易蓄熱。因此，在供給處理液之前測定保 持構件之溫度，確認保持構件之溫度，係判斷是否形成有 均勻膜有用者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210父297公釐）_6 504735 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 【較佳實施例之詳細說明】 茲就本發明之較佳實施形態說明如下。第1圖係具有 關於本實施形態之抗触液塗佈裝置之塗佈顯像處理系統i 之平面圖，第2圖係塗佈顯像處理系統1之正面圖，第3 圖係塗佈顯像處理系統1之背面圖。 塗佈顯像處理系統1係如第1圖所示，具有：例如將 2 5片之晶圓W以卡匣單位從外部對於塗佈顯像處理系統 1搬出入，對於卡匣C搬出入晶圓W之卡匣站2，與在塗 佈顯像處理工程中張葉式施加既定處理之各種虜理裝置， 配置成多段所成之處理站3·，與鄰接於此處理站3所設之 未圖示曝光裝置之間授受晶圓W之介面部4連接成一體之 構成。 卡匣站2係在成爲載置部之卡匣載置台5上之既定位 置·，將複數卡匣C向X方向（第1圖中之上下方向）載置 自如成一列。並且，對於此卡匣排列方向（X方向）與收 容於卡匣C之晶圓W之晶圓排列方向（Z方向：垂直方向 )可移送之晶圓搬送體7爲沿著搬送路8裝設成移動自如 ，對於各卡匣C可選擇性地存取。 晶圓搬送體7係具有進行晶圓W之對準機能。此晶圓 搬送體7係構成可存取於如後述即使對於處理站3側之第 3處理裝置群G 3所屬之伸展裝置3 2。 於處理站3係在其中心部設有搬送裝置1 3，在此搬 送裝置1 3搬送裝置1 3之周邊成多段配置有各種處理裝 置以構成處理裝置群。於該塗佈顯像處理系統1 ，配置有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、11 k 504735 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（5 ) 4個處理裝置群Gl，G2，G3，G4，第1及第2處 理裝置群G 1 ，G 2係配置於塗佈顯像處理系統丨之正面 側，第3處理裝置群G 3係鄰接於卡匣站2配置，第4處 理裝置群G 4係鄰接於介面部4配置。並且，作爲任選將 以虛線所不之弟5處理裝置群G 5另外可配置於背面側。 上述搬送裝置1 3係對於配置於這些處理裝置群〇 1〜 G 5之後述各種處理裝置，可搬入出晶圓w。 於第1處理裝置群G 1 ，係例如第2圖所示，作'爲關 於本實施形態之膜形成裝置之抗蝕液塗佈裝置j 7，與對 於晶圓W供給顯·像液加以處理之顯像處理裝置i 8爲從下 依序配置成2段。第2處理裝置群G 2時也同樣，抗鈾液 塗佈裝置1 9，與顯像處理裝置2 0從下依序重疊爲2段 〇 第3處理裝置群G 3，係例如第3圖所示，有冷卻處 理晶圓W之冷卻裝置3 0，提高抗鈾液與晶圓w之密貼性 所用之黏著裝置3 1 ，使晶圓W待機之伸展裝置3 2，使 抗蝕液中之溶劑乾燥之預烘乾裝置3 3，3 4及施加顯像 處理後之加熱處理之後烘乾裝置3 5，3 6等從下依序重 疊成7段。 於第4處理裝置群G 4，係例如冷卻裝置4 〇，將所 載置之晶圓W自然冷卻之伸展·冷卻裝置4 1 ，伸展裝置 4 2，冷卻裝置.4 3，進行曝光處理後之加熱處理之後曝 光一烘乾裝置4 4，4 5，後烘乾裝置46，47等爲從 下依序例如重疊成8段。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）〇 -〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504735 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在介面部4之中央部設有晶圓搬送體5 〇。此晶圓搬 送體5 0係構成爲向方向（第1圖中之上下方向），z方 向（垂直方向）之移動與向0方向（將Z軸作爲中心之迴 轉方向）之可迴轉自如，屬於第4處理裝置群G 4係構成 爲：伸展·冷卻裝置4 1 ，伸展裝置4 2，周邊曝光裝置 5 1及可對於未圖示之曝光裝置存取。 茲就上述抗蝕液塗佈裝置1 7之構成說明如下。如第

I 4圖所示，此抗蝕液塗佈裝置1 7之外殼1 7 a內，係上 面6 0 a爲圓形被形成爲平坦，在其中央部設有未圖示之 吸引口之旋轉夾具6 0，構·成爲搬入於抗蝕液塗佈裝置 1 7內之晶圓W爲在旋$專夾具6 0上面6 0 a能夠吸附保 持成水平。在此旋轉夾具6 0下方設有使此旋轉夾具6 0 迴轉，可變更其迴轉速度之迴轉驅動機構6 2，可將保持 於旋轉夾具6 0之晶圓W以任意速度迴轉。 在旋轉夾具6 0之迴轉驅動機構6 2，具有將旋轉夾 具6 0向上下移動自如之機能，搬入出晶圓w時使旋轉夾 具6 0向上下移動，在與主搬送裝置1 3之間可進行晶圓 W之授受。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在旋轉夾具6 0外周外方，係如圍住此外周，設有上 面開口之環狀帽蓋6 5，在上述旋轉夾具6 0上被吸附保 持，接收從被迴轉之晶圓W因離心力滴漏之抗蝕液等，使 周邊裝置不會受到汙染。在帽蓋6 5底部設有排液從上述 晶圓W等滴漏抗蝕液等之排液管6 6。 在旋轉夾具6 0上方，具有：對於晶圓w排出抗蝕液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 504735 A7 B7 五、發明説明（7 ) 之排出噴嘴6 8 ，與對於晶圓W排出抗蝕液之溶劑之溶劑 排出噴嘴6 9。此溶劑排出噴嘴6 9係移動自如於晶圓W 中心之上方。因此，由上述迴轉驅動機構6 2所迴轉之晶 圓W中心，構成從排出噴嘴6 8排出抗鈾液，以所謂旋轉 塗佈方式在晶圓W上形成既定之抗蝕液膜。 在外殼1 7 a上面，設有對於處理室S既定之氣體， 例如供給淸淨空氣，以控制處理室S內之環境之氣體供給 裝置7 0。此氣體供給裝置7 0 .，全體而言形成爲約筒狀 ，在其上面，設有從外殻1 7 a流入淸淨空氣之主供給口 7 2。 在氣體供給裝置7 0內，如第4圖或第5圖所示，水 平地設有使從主供給口 7 2之淸淨空氣擴散之擴散板7 4 。又，在擴散板7 4之晶圓W側，分配通過擴散板7 4之 淸淨空氣，設有個別地被溫度調節之複數之溫度調節室 7 5 a ，7 5 b ，7 5 c。此溫度調節室 7 5 a ，7 5 b ，7 5 c係如第6圖所示，被區劃周同心圓狀，而對向於 位於下方之晶圓W晶圓W之位置。又，在各溫度調節室 7 5 a ，7 5 b ，7 5 c ，如第4圖所示個個設有如 < 少 千工元件之加熱，冷卻裝置7 6 a ，7 6 b ，7 6 c ，變 更內之溫度加熱，冷卻裝置76a ，76b，76c ，進 而成爲可變更其中之淸淨空氣之溫度。按，各加熱，冷卻 裝置7 6 a ，7 6 b，7 6 c係由溫度控制裝置7 7控制 其溫度。並且，溫度調節室7 5 a ，7 5 b ，7 5 c下面 ，亦即，氣體供給裝置之下面，設有複數之供給口 7 8 ’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐）_ 1() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504735 A7 B7 _ 五、發明説明（8 ) 將在各·溫度調節室7 5 a，7 5 b，7 5 c受到溫度調節 之淸淨空氣形成爲可向晶圓W上面噴出。按，作爲控制處 理室S內之環境之氣體，也可以使用氮氣等鈍氣。 在外殼1 7 a側面設有排氣處理室S內之環境之排氣 口 8 0。並且，處理室s內之環境’係從吸引裝置8 1之 吸引從排氣口 8〇排氣。 在外殼1 7 a外之側方，構成爲設置有將屬於測定對 象之晶圓W之溫度慚使用紅外線測定之熱紅外線測定裝置 之溫度監測器8 5，經由設於外殼1 7 a之較住位置之反 射鏡8 7間接地·可測定晶圓W之溫度。又，此溫度監測器 8 5之測定結果，係發送於上述溫度控制裝置7 7，並且 溫度控制裝置7 7係依據所接收之資料構成爲可個別地控 制溫度調節室7 5 a ，7 5 b，7 5 c之溫度。 茲將構成爲如上述之抗鈾液塗佈裝置1 7之作用，連 同在塗佈顯像處理系統1進行之光微影成像工程之製程說 '明如下。 首先，未處理之晶圓W由晶圓搬送體7從卡匣（：只取 出1片，於是搬入於屬於第3處理裝置群G 3之黏著裝置 3 1 ，塗佈於提升抗蝕液之密貼性之例如Η M D S之表面 。接著，晶圓W係由搬送裝置1 3搬送到冷卻裝置3 0， 而被冷卻到既定之溫度。其後晶圓W係被搬送到作爲膜形 成裝置之抗蝕液塗佈裝置1 7或1 9。 於此抗蝕液塗佈裝置1 7或1 9形成抗飩液膜之晶圓 W，係使用其後之主搬送裝置1 3依序被搬移送到預烘乾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~~ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

504735 A7 B7 五、發明説明（9 ) 裝置3 3或3 4，冷卻裝置4 0。其後，晶圓W係於各處 理裝置進行曝光處理，顯像處理等蹙眉定處理，而結束一 系列之塗佈顯像處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 茲就上述抗蝕液塗佈裝置1 7之作用詳細說明如下。 首先’處理室S內，係從氣體供給裝置7 0所供給之既定 溫度’例如維持成2 3 °C之氣體.，例如由淸浄空氣，調節 ’維持既定環境。此時，處理室S內之環境係從排氣口 8 〇隨時排氣，在處理室S內，將形成從氣體供給裝置 7 0向排氣口 8 0之淸淨空氣流動。 並且，開始·抗蝕液之塗佈處理時由搬送裝置1 3，結 束前處理之晶圓W將被搬入於上述處理室s內，而停止於 旋轉夾具6 0上方之既定位置。並且，主搬送裝置1 3爲 保持晶圓W之狀態下下降，由迴轉驅動機構6 2預先上升 所待機之旋轉夾具6 0載置晶圓W時就被吸附保持於其旋 轉夾具6 0。並且，旋轉夾具6 0就下降，而停止於帽蓋 Θ之既定位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，由溫度監測器8 5測定晶圓W表面全面之溫度 。並且，其被測定之資料，與預先求出之晶圓W上因均勻 地形成抗鈾液膜所需之資料，例如第7圖所示之晶圓W上 之溫度分布做比較。並且，測定溫度爲具有對於上述理想 溫度分布從容許範圍（第7圖中以斜線所示範圍）脫離之 部分時，將其資料發送至溫度控制裝置7 7。 其後，雖然開始由旋轉塗佈法對於晶圓W之抗蝕液之 塗佈處.理，但是與此同時，依據先前發送於溫度控制裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 12 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504735 A7 _— _ B7 ___ 五、發明説明（彳〇 ) 7 7之資料對向於晶圓w之上述脫離部分之溫度調節室 7 5之溫度受到調節，藉其通過其溫度調節室7 5之淸淨 空氣之溫度就受到調節，並且，其淸淨空氣爲供給於晶圓 W之上述脫離部分時，就可補正晶圓w上之上述脫離部分 之溫度。 例如’第7圖所示，若晶圓W之外周部之溫度爲低時 ’由溫度控制裝置7 7，向晶圓W外周部供給淸淨空氣之 溫度調節室7 5 c之溫度上升到既定溫度，例如上升;2 °C 。藉此’通過溫度調節室7 5 c之淸淨空氣之溫度就上升 ’如第8圖所示·，其淸淨空氣爲從供給口 7 8供給於晶圓 W周邊部時，晶圓w周邊部之溫度就上升，而補正晶圓w 上之溫度分布。 像這樣，爲了補正晶圓W上溫度供給氮氣狀態下，由 迴轉驅動機構6 2將旋轉夾具6 0上之晶圓W以既定轉數 ，例如以2 0 0 0 r p m高速迴轉。並且，位於從晶圓w 中心上方之溶劑排出噴嘴6 9排出既定之溶劑，在晶圓， 表面塗佈溶劑。接著，從排出噴嘴6 8排出抗蝕液，此抗 蝕液係由於晶圓W之迴轉擴散於晶圓W表面全面。其後， 成爲更高速迴轉，例如成爲3 5 0 0 r p m，摔掉多餘抗 蝕液在晶圓W上以形成既定厚度且厚度均与之抗蝕液.。並 且，停止晶圓W上之迴轉，而結束在晶圓界上形成抗蝕液 膜之抗蝕液塗佈處理。按，若停止晶圓W之迴轉同時溫度 調節室7 5 c之溫度將返回到與其他溫度相同之例如2 3 °C 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} •裝· 504735 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 ) 其後，晶圓W係由迴轉驅動機構6 2再上升，而交給 主搬送裝置1 3，其後從抗蝕液塗佈裝置1 7搬出。 若依據以上之實施形態，依據晶圓W上之溫度測定値 ，將對於抗蝕液膜厚度發生影響之晶圓W上之溫度，爲了 預先求出之抗鈾液膜爲形成成均勻所需要因可調節成既定 範圍之溫度範圍，所以，可由旋轉塗佈法形成均勻之抗蝕 液膜。 又，將晶圓W上之溫度使用反射鏡8 7間接地測定， 所以將溫度監測器8 5之設置位置位於外殼1 7 a側方， 可將抗蝕液塗佈裝置1 7本身高度保持爲低。按，因有時 不必考慮高度之情形，所以也可以不使用反射鏡8 7直接 測定晶圓W上之溫度。 於以上之實施形態，係變更從氣體供給裝置7· 〇之供 給口 7 8之淸淨空氣之溫度，來變更抗蝕液膜之膜厚·：但 是也可以替代溫度變更濕度或淸淨空氣之供給方向。 又，於上述之實施形態，係依據溫度監測器8 5之測 定結果，變更淸淨空氣之溫度與其供給位置，但是也可以 將晶圓W上之環境例如可改變溫度或濕度之溶劑蒸氣供給 於晶圓W上。茲將這種情形作爲第2實施形態說明如下。 關於第2實施形態之抗飩液塗佈裝置1· 7之構成.，係 如第9圖所示，在晶圓W上方裝設可向水平方向移動之溶 劑蒸氣排出噴嘴9 0。並且，裝設有將這種溶劑蒸氣排出 噴嘴9 0之排出時間與控制水平移動之噴嘴控制裝置9 2 ，在此噴嘴控制裝置9 2係構成爲發送來自溫度監測器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐）_以一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504735 A7 B7 五、發明説明（12 ) 8 5之資料。 並且’晶圓W爲載置於旋轉夾具6 〇 ，與第丨實施形 態同樣，由溫度監測器8 5測定晶圓w上之溫度，與上述 理想溫度做比較’若有從容許範菌脫離部分時，將其脫離 部分之位置與溫度之資料發送至噴嘴控制裝置9 2。並且 ，依依據其資料，移動溶劑蒸氣排出噴嘴9 〇之位置，以 既定之時間’例如在晶圓W上供給抗蝕液同時將既定之溶 劑蒸氣’例如稀釋液噴塗於晶圓W上之上述脫離部分。、 藉成爲這樣’變更晶圓W上之上述脫離部分之環境溫 度及濕度，因變·更抗鈾液之氣化量，所以，補正抗鈾液膜 之膜厚，可在晶圓W上形成均勻之捕鈾液膜。 又，作爲第3實施形態’提案有依據溫度調節室7 5 之測定結果，變更從排氣口 8 0之排氣量。此時，如第 1 0圖所示構成爲將溫度監測器8 5之資料，可發送於吸 引裝置8 1 ，與上述第1實施形態同樣預先出理想溫度分 布與測定結果做比較，只有必須補正時發送其資料，依據 其貧料變更從排氣口 8 0之排氣量。藉其，晶圓w周邊部 附近之環境被排氣更多，所以，變更晶圓W周邊部之濕度 ’而晶圓W周邊部之抗蝕液之氣化量受到變更。其結果， 調節抗蝕液膜之膜厚，可形成既定之均勻抗蝕液膜。 並且，可提案作爲第4實施形態，依據溫度監測器 8 5之測定結果.，變更旋轉夾具6 0之迴轉速度。於此時 ’如第1 1圖所示，將溫度監測器8 5之資料可發送於迴 轉驅動機構6 2，與上述第1實施形態同樣，將預先求出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

504735 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（η) 之理想溫度分布與測定結果做比較，只有必須補正時，將 其資料發送至迴轉驅動機構6 2，依據其資料變更迴轉速 度。藉其’晶圓W上之氣化量增減’只補正晶圓W上之抗 蝕液膜之厚度，就可形成既定均勻之抗飩液膜。 此第4實施形態，於抗蝕液塗佈處理不僅在晶圓W上 形成抗蝕液膜之情形，於顯像處.理在晶圓W上形成於顯像 液之液膜時也可應用。尤其，.於顯像處理，通常，起初在 晶圓W上形成顯像液或純水等薄膜，其後正式地供給顯像 液，在晶圓W上盛液進行顯像處理，但是也可以依據上述 溫度測定値調節形成上述薄膜時之晶圓W之迴轉速度。亦 即，供給顯像液之前，測定晶圓W上之溫度，比較其測定 値與預先求出之理想溫度分布，例如只超過某閾値時，諷 節迴轉速度。藉成爲如此，如上述變動晶圓W上之顯像液 之氣化量，形成於晶圓W上之薄膜被調節爲變成翹均勻。 因此，晶圓W上之顯像處理均勻地進行於晶圓W面內。 於以上之實施形態，測定載置於旋轉夾具6 0上之晶 圓W表面之溫度，但是除此之外載置晶圓W之前，例如由 溫度監測器8 5，也可以測定屬於保持構件之旋轉夾具 6〇之上面6 0 a之溫度。此係處理多數片之晶圓w之中 慢慢地在旋轉夾具6 0蓄熱摩擦熱等之熱，，有時旋轉夾具 6 0之溫度有時會上升，旋轉夾具6 0之溫度上升，係連 帶於載置於其上之晶圓W之溫度上升。 並且，依據上述測定結果，調節旋轉夾具6 〇之溫度 ，但是關於調節裝置，也可使用記載於上述第1〜第4實 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ^ -16 504735 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 施形態之任何裝置。例如’如第1 2圖所示，也可以使用 氣體供給裝置7 0來調節旋轉夾具6 0之溫度。 於上述實施形態，反射鏡8 7係固定於適當位置使用 ，但是也可以例如使其迴轉，直線移動於X - Y方向等， 來改變位置。這樣做時，由於其移動，掃描於晶圓W上就 可測定晶圓W上之全面溫度分布.。因此，可將反射鏡8 7 或溫度監測器8 5輕巧化。 又，於以上之實施形態，係在晶圚W上供給抗蝕液時 ，使用迴轉晶圓W之旋轉塗佈法做了說明，但是，不將晶 圓W迴轉之其他·方法，例如，將抗蝕液或其他處理液之供 給裝置，邊移動於晶圓W上，供給抗蝕液等，也可以適用 於晶圓W上形成抗蝕液膜或其他處理膜之方法。 以上之實施形態，係在晶圓W上塗佈抗蝕液，·形成抗 鈾液膜之膜形成裝置，但是本發明也可適用於絕緣膜等其 他膜形成裝置，例如S〇D，S 0 G膜形成裝置，並且， 在晶圓W上形成顯像液之液膜之顯像處理裝置。又，也可 適用於晶圓W以外之基板例如L C D基板之膜形成裝置。 依據本發明，測定基板或保持構件之溫度，依據其測 定裝置，藉補正基板上之溫度或濕度等，在基板上形成更 均勻之膜，其結果可達成提升良率。又，在處理液之供給 前測定基板溫度時，依據其測定結果，依各基板個別地補 正處理環境，就可較佳地進行其基板之膜形成處理。 作爲溫度測定裝置，藉使用非接觸溫度測定裝置或熱 紅外線測定裝置，不必在基板直接裝設溫度測定裝置，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 504735 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（15 ) 非接觸·測定。尤其迴轉基板被處理時，從基板之偏心或電 線之切斷等觀點成爲非接觸具有大的優點。 圖式之簡單說明 第1圖係表示裝設有關於第1實施形態之抗蝕液塗佈 裝置之塗佈顯像處理系統構成之平面圖。 第2圖係第1圖之塗佈顯像處理系統之正面圖。 第3圖係第1圖之塗佈顯像處理系統之背面圖。' 第4圖係關於本實施形態之抗鈾液塗佈裝置之縱剖面 說明圖。 · - 第5圖係第4圖所示抗蝕液塗佈裝置內之氣體供給裝 置之縱剖面說明圖。 第6圖係第5圖所示氣體供給裝置之橫剖面說明圖。 第7圖係表示被測定之晶圓上之溫度分布與理想溫度 分布一例之說明圖。 第8圖係表示從第4圖之氣體供給裝置在晶圓上供給 氣體狀態之說明圖。 第9圖係關於第2實施形態之抗飩液塗佈裝置之縱剖 面說明圖。 第1 0圖係關於第3實施形態之抗蝕液塗佈裝置之縱 剖面說明圖。 第1 1圖係關於第4實施形態之抗蝕液塗佈裝置之縱 剖面說明圖。 第1 2圖係表示測定旋轉夾具上面之溫度時關於實施 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ j 8 504735 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（16 ) 形態之抗蝕液塗布裝置之抗蝕液塗布裝置一例之縱剖面說 明圖。 主要元件對照表 1 :塗佈顯像處理系統 2 :卡匣站 3 :處理站 4 :介面部 ‘ 5 :卡匣載置台 7、5 0 :晶圓搬送體 · 8 :搬送路 1 3 :主搬送裝置 1 7 :抗蝕液塗佈裝置 1 8、2 0 :顯像處理裝置 . 3 1 :黏著裝置 3 2、4 2 :伸展裝置 3 3、3 4 :預烘乾裝置 35、36、46、47:後烘乾裝置 3 0、 4〇、4 3 ··冷卻裝置 4 4、4 5 :後曝光一烘乾裝置 5 1 :周邊曝光裝置 6〇：旋轉夾具. Θ 2 :迴轉驅動機構 6 5 ··環狀帽蓋 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 再1I裝 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 19- 504735 A7 B7 五、發明説明（17 ) Θ 6 :排液管 6 8…排出噴嘴 6 9 :溶劑排出噴嘴 7 0 :氣體供給裝置 7 2 :主供給口 7 4 :擴散板 7 7 :溫度控制裝置 7 8 :供給口 8〇：排氣口 8 1 :吸引裝置· · 8 5 :溫度監測器 8 7 :反射鏡 7 5、7 5 a、7 5 b、7 5 c :溫度調節室 9〇：溶劑蒸氣排出噴嘴 9 2 :噴嘴控制裝置 W :晶圓 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_

Claims (1)

1. Α8 Β8 C8 D8 504735 I 、 I、 、 i —Λ 六、申請專莉^色圍 第90108572號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 1年8月I2 .日修正 1 · 一種膜形成方法，其係在處理室內之基板表面形成 處理液之膜者，其特徵爲具有： 在上述處理室內供給氣體，並且，排氣上述處理室內之 環境狀態下，對於載置於上述處理室內之保持構件之基板， 供給處理液之工程，與 在上述處理液之供給前，測定上述基板表面溫度之工程 〇 2 ·如申請專利範圍第1項之膜形成方法，其中依據上 述基板表面之溫度測定結果，具有變更對於上述處理室內之 氣體之供給狀態之工程。 3 ·如申請專利範圍第1項之膜形成方法，其中依據上 述基板表面之溫度測定結果，具有在上述基板噴吹上述處理 液之溶劑蒸氣之工程。 4 ·如申請專利範圍第1項之膜形成方法，其中對於上 述基板之處理液之供給，係在迴轉基板之狀態下進行， 依據上述基板表面之溫度測定結果，具有變更上述基板 之迴轉速度之工程。 5 ·如申請專利範圍第1項之膜形成方法，其中上述溫 度測定，係以非接觸溫度測定裝置進行。 6 · —種膜形成方法，其係對於處理室內之基板表面形 成處理液之膜者，其特徵爲具有： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） rL rL----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504735 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 對於上述處理室內供給氣體，並且，在排氣上述處理室 內環境之狀態下，對於上述處理室內之保持構件所載置之基 板供給處理液之工程，與 在上述處理液供給前，測定上述保持構件之溫度之工程 〇 7 ·如申請專利範圍第6項之膜形成方法，其中依據上 述保持構件上之溫度測定結果，具有變更上述保持構件溫度 之工程。 8 ·如申請專利範圍第6項之膜形成方法，其中依據上 述保持構件之溫度測定結果，具有變更對於上述處理室內氣 體之供給狀態之工程。 9 ·如申請專利範圍第6項之膜形成方法，其中依據上 述保持構件之溫度測定結果，具有在上述基板噴吹上述處理 液之溶劑蒸氣之工程。 1 〇 ·如申請專利範圍第6項之膜形成方法，其中對於 上述基板之處理液之供給，係在迴轉基板之狀態下進行， 依據上述保持構件之溫度測定結果，具有變更上述基板 迴轉速度之工程。 1 1 .如申請專利範圍第6項之膜形成方法，其中上述 溫度測定，係以非接觸溫度測定裝置進行。 1 2 . —種膜形成裝置，其係在處理室內對於載置於保 持構件上之基板供給處理液，在上述基板表面形成上述處理 液之膜者，其特徵爲：具有測定至少上述基板表面或上述保 持構件之溫度之非接觸溫度測定裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 綉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2- 504735 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中上 述非接觸溫度測定裝置，係紅外線測定裝置， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有將來自上述測定對象物之紅外線反射於上述熱紅外 線測定裝置之反射板。 1 4 .如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中具 有： 排氣裝置，用來排氣上述處理室內之環境，與 控制裝置：依據由上述非接觸溫度測定裝置之測定結果 ，來控制由上述排氣裝置之上述環境之排氣量。 · 1 5 .如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中具 有·· 溶劑蒸氣供給裝置：在上述基板上之任意位置可供給上 述處理液之溶劑蒸氣，與 控制裝置：依據由上述非接觸溫度測定裝置之測定結果· ，來控制上述溶劑蒸氣供給裝置之上述溶劑蒸氣之供給位置 〇 1 6 .如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中具 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有： 迴轉驅動機構：迴轉上述保持構件，且可變更其迴轉速 度，與 控制裝置··依據由上述非接觸溫度測定裝置之測定結果 ，來控制上述迴轉驅動機構。 .1 7 .如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中具 有： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） ' 一 504735 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 氣體供給裝置：對於上述處理室內供給氣體，與 控制裝置：依據由上述非接觸溫度測定裝置之測定結果 ’來控制從上述氣體供給裝置之氣體之至少溫度，濕度或供 給方向。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之膜形成裝置，其中上 述氣體供給裝置，係設於上述基板上方，並且具有朝向上述 基板方向之複數供給口， 在各上述供給□，控制所供給之氣體之至少溫度，濕度 或供給方向。 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 504735

   第1圖 w

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