JP2003156858A - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents

基板処理方法及び基板処理システム

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JP2003156858A
JP2003156858A JP2001358183A JP2001358183A JP2003156858A JP 2003156858 A JP2003156858 A JP 2003156858A JP 2001358183 A JP2001358183 A JP 2001358183A JP 2001358183 A JP2001358183 A JP 2001358183A JP 2003156858 A JP2003156858 A JP 2003156858A
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wafer
resist
vapor
processing
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Hideaki Matsui
英章 松井
Junichi Kitano
淳一 北野
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 分子レベルの不純物が存在する環境下であっ
ても、線幅の均一性向上に寄与する基板処理方法、基板
処理装置及び処理システムを提供すること。 【解決手段】 ウエハＷ上のレジストを露光する露光装
置に当該ウエハを受け渡す前に、処理室Ｒ内において当
該レジストが塗布されたウエハＷを、敢えて蒸気発生器
３５から供給される蒸気に晒すことにより、この蒸気、
例えば水分がウエハＷ上のレジストに均一に吸着するの
で、この後の露光工程において均一に露光でき、１枚の
ウエハＷにおいて線幅の均一性を向上させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造において、半導体ウエハ基板にレジストを塗布し現
像を行う基板処理装置に関し、より詳しくは、基板の処
理環境の雰囲気を制御した基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィー工程では、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う。）の表面にフォトレジストを塗布し、レジスト上に
マスクパターンを露光し、現像してウエハ表面にレジス
トパターンを形成している。これらレジスト塗布及び現
像は、従来より加熱処理装置や冷却処理装置等の熱処理
装置を含む、一体化された塗布現像処理装置により行わ
れ、この塗布現像処理装置のインタフェース部を介して
露光装置と一体接続され、実際に半導体デバイスの製造
が行われている。
【０００３】この塗布現像処理装置において、ウエハの
処理が行われる際には、ウエハに微粒子等の不純物が付
着することを防止するために、この塗布現像処理装置内
に、空気清浄機等で清浄にされた空気をダウンフローと
して供給するようにして、ウエハを清浄な状態で処理で
きるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
露光装置においては、デバイスの微細化に伴い短波長の
レーザ光源、例えばＦ２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）
等を使用しているため、これまで問題とならなかった分
子レベルの不純物、例えば酸素、オゾン、水分あるいは
有機物等が露光の前工程においてウエハ上のレジスト膜
に吸着した場合、これらの不純物によって光の吸収又は
散乱が起こりやすくなる。水分がレジスト膜に付着した
場合、その膜厚１０Å（１ｎｍ）当り２％の光の吸収が
あり、この水分分子がウエハ上に散在することになる
と、当該水分分子が付着した部分と付着していない部分
との差が原因で、１枚のウエハ上で露光量に差が生じ、
結果的にパターンの線幅等の均一性が低下する。このよ
うな分子レベルの不純物は、上記ダウンフローでは除去
することができない。
【０００５】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、分子レベルの不純物が存在する環境下であっても、
線幅の均一性向上に寄与する基板処理方法、基板処理装
置及び処理システムを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板処理方法は、基板上にレジストを塗布
する工程と、前記レジストが塗布された基板を蒸気に晒
す工程とを具備する。
【０００７】このような構成によれば、例えば、前記基
板上のレジストを露光する露光装置に当該基板を受け渡
す前に、当該レジストが塗布された基板を、敢えて蒸気
に晒すことにより、この蒸気、例えば水分が基板上のレ
ジストに均一に吸着するので、この後の露光工程におい
て均一に露光でき、１枚の基板において線幅の均一性を
向上させることができる。ここで、基板上に吸着する水
分がより均一となるように、蒸気は飽和蒸気であること
が好ましい。
【０００８】本発明の一の形態によれば、前記基板を蒸
気に晒す工程の後、当該基板に吸着した水分が基板表面
に残存する程度に基板を乾燥させる工程を更に具備す
る。このように、一旦基板上に均一に吸着した水分量
を、水分が基板表面に残存する程度にまで減少させて均
一に乾燥処理を行うことにより、この後の露光工程にお
いて露光量の均一性を維持しつつ、レジストに達する露
光量を可及的に増加させ適切に露光処理を行うことがで
きる。この場合、乾燥処理としては、１枚の基板で乾燥
処理を均一に行うために基板を加熱することにより行
い、基板に吸着した水分を均一に蒸発させることが好ま
しい。あるいは、乾燥処理としては、加熱されたエアを
基板に全体に均一に供給することにより行うようにして
もよい。
【０００９】本発明の基板処理システムは、基板上にレ
ジストを塗布する塗布処理部と、前記レジストが塗布さ
れた基板を蒸気に晒す蒸気処理部と、少なくとも前記塗
布処理部と蒸気処理部との間で基板の搬送を行う搬送機
構とを具備する。
【００１０】このような構成によれば、例えば、前記基
板上のレジストを露光する露光装置において露光処理を
行う前に、塗布処理部でレジストが塗布された基板を搬
送機構により蒸気処理部に搬送し、この蒸気処理部にお
いて敢えて基板を蒸気に晒すことにより、この蒸気、例
えば水分が基板上のレジストに均一に吸着するので、こ
の後の露光処理において均一に露光でき、１枚の基板に
おいて線幅等の均一性を向上させることができる。ここ
で、基板上に吸着する水分がより均一となるように、蒸
気は飽和蒸気であることが好ましい。
【００１１】本発明の一の形態によれば、前記飽和蒸気
により基板に吸着した水分が基板表面に残存する程度に
基板を乾燥させる乾燥処理部を更に具備する。このよう
な乾燥処理部を設け、一旦基板上に均一に吸着した水分
量を、水分が基板表面に残存する程度にまで減少させて
均一に乾燥処理を行うことにより、この後の露光工程に
おいて露光量の均一性を維持しつつ、レジストに到達す
る露光量を可及的に増加させ適切に露光処理を行うこと
ができる。この場合、乾燥処理としては、１枚の基板で
乾燥処理を均一に行うために、加熱板を用いて基板を加
熱し、基板に吸着した水分を均一に蒸発させることが好
ましい。あるいは、乾燥処理としては、加熱されたエア
を基板に全体に均一に供給することにより行うようにし
てもよい。
【００１２】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一
層明らかになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
【００１４】図１〜図３は本発明の第１の実施形態に係
る塗布現像処理システムの全体構成を示す図であり、図
１はその平面図、図２は正面図及び図３は背面図であ
る。
【００１５】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板として半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚
例えば２５枚単位で外部からシステム１に搬入し又はシ
ステム１から搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して
ウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステー
ション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに
所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置
に多段配置してなるプロセス処理部としてのプロセス処
理ステーション１１と、このプロセス処理ステーション
１１と隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハ
Ｗを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一
体に接続した構成を有している。
【００１６】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれ
のウエハ出入口をプロセス処理ステーション１１側に向
けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方
向）及びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウ
エハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２１
が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするように
なっている。さらに、このウエハ搬送体２１は、θ方向
に回転可能に構成されており、後述するようにプロセス
処理ステーション１１側の第３の組Ｇ３の多段ユニット
部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びイク
ステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるよ
うになっている。
【００１７】プロセス処理ステーション１１では、図１
に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構
２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組
または複数の組に亙って多段に配置されている。この例
では、５組Ｇ１,Ｇ２,Ｇ３,Ｇ４,Ｇ５の多段配置構成で
あり、第１及び第２の組Ｇ１,Ｇ２の多段ユニットは装
置正面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ
３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接し
て配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフ
ェース部１２に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段
ユニットは背部側に配置されている。なお、第５の組Ｇ
５は、主ウエハ搬送機構２２のメンテナンスのためにレ
ール２５に沿って移動可能に構成されている。
【００１８】図３を参照して、主ウエハ搬送機構２２
は、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、これによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。ウエハ搬送装置４６は、基台４７上で進退駆動
するピンセット４８を例えば３本有し、このピンセット
４８によりウエハを保持して搬送する。
【００１９】図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カ
ップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の
処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の
組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。レジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液
が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることか
ら、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、
必要に応じて上段に配置することも可能である。
【００２０】図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウ
エハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の
処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット
（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）及び
ポストベーキングユニット（ＰＯＢ）が重ねられてい
る。第４の組Ｇ４でも、オーブン型の処理ユニット、例
えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、
イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯ
Ｌ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベー
キングユニット（ＰＡＢ）及びポストエクスポージャー
ベーキングユニット（ＰＥＢ）が重ねられている。
【００２１】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＡＢ）やポストベ
ーキングユニット（ＰＯＢ）を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
【００２２】インターフェース部１２は、奥行方向では
プロセス処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、
幅方向では小さなサイズにつくられている。インターフ
ェース部１２の正面部には可搬性のピックアップカセッ
トＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置さ
れ、また背面部には本発明に係る蒸気処理ユニット３０
が配置され、中央部にはウエハ搬送体２４が設けられて
いる。このウエハ搬送体２４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して
両カセットＣＲ，ＢＲ及び蒸気処理ユニット３０にアク
セスするようになっている。この蒸気処理ユニット３０
については後述する。また、ウエハ搬送体２４は、θ方
向に回転可能に構成され、プロセス処理ステーション１
１側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するイクステン
ションユニット（ＥＸＴ）にも、及び隣接する露光装置
１３側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。
【００２３】図１に示すように、インターフェース部１
２は壁部材１５により囲繞されており、この塗布現像処
理システム１の外部の雰囲気から隔離されている。これ
により、例えば壁部材１５で囲繞されたインターフェー
ス部１２内を窒素ガス又は乾燥エアによりパージし酸素
濃度又は湿度（水分濃度）を低く調整しており、例え
ば、酸素濃度を１ｐｐｍ、水分濃度を１ｐｐｍとしてい
る。また、壁部材１５には、プロセス処理ステーション
１１側及び露光装置１３との間でウエハＷの受け渡しを
行うための開口部１５ａ及び１５ｂが形成されており、
図示しないシャッタにより開閉可能に構成されている。
このように、インターフェース部１２内の雰囲気を的確
に制御することにより、露光装置１３による露光処理の
直前において、ウエハに酸素や水分等の不純物が付着す
ることを防止できる。
【００２４】図４は、前述した第１の実施形態に係る蒸
気処理ユニット３０を示す断面図である。この蒸気処理
ユニット３０において、ウエハＷを載置する例えば円筒
形状の載置台３４の上部には、例えば円筒形状の蓋体３
２が配置され、この蓋体３２はエアシリンダ等の昇降機
構２６により昇降可能とされている。この蓋体３２の下
端部にはシール用のＯリングが取り付けられており、昇
降機構２６により蓋体３２が下降することにより、当該
下端部が載置台３４に当接して処理室Ｒが形成されるよ
うになっている。
【００２５】載置台３４には、複数、例えば３つの孔３
４ａが貫通されており、昇降シリンダ３６により孔３４
ａから載置台３４の表面に出没可能に配置され、ウエハ
Ｗを裏面から支持する３本の支持ピン２９が設けられて
いる。これにより、ウエハ搬送体２４との間でウエハＷ
の受け渡しが可能となる。
【００２６】また、載置台３４の周縁部付近には、処理
室Ｒ内に蒸気を供給するための供給口３４ｂが複数形成
されており、この蒸気は、例えば、ポンプ２８により蒸
気発生器３５から供給管３８を介して供給されるように
なっている。蒸気発生器３５は、例えば超純水３９をヒ
ータ３７で加熱して蒸気化する。供給管３８には、蒸気
の圧力や流量の調整弁２７が設けられている。
【００２７】蓋体３２の内側には、処理室Ｒの湿度を計
測するセンサ３３が設けられており、例えば、このセン
サ３３の計測結果に基づいて蒸気の供給量を制御するこ
とが可能となっている。
【００２８】以上説明した塗布現像処理システム１の一
連の処理工程について、図５に示すフローを参照しなが
ら説明する。
【００２９】先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前
のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、
そのカセットＣＲから１枚のウエハＷを取り出し、アラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送される。このアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウエハＷの位置合わ
せが行われた後（ステップ１）、主ウエハ搬送機構２２
によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送され疎水
化処理が行われ（ステップ２）、次いでクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理が行われる（ステッ
プ３）。その後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
に搬送され、レジストの回転塗布が行われる（ステップ
４）。そして、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）で所
定の加熱処理が行われ（ステップ５）、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）において冷却処理され（ステップ６）、
その後、インターフェース部１２においてウエハ搬送体
２４により、蒸気処理ユニット３０に搬送される。
【００３０】この蒸気処理ユニット３０においては、蓋
体３２が上部位置にある状態で、載置台３４に支持ピン
２９にウエハＷが受け渡され、支持ピン２９が下降して
ウエハＷが載置台３４に載置される。そして、蓋体３２
が下降して処理室Ｒが形成される（図４参照）。次に、
蒸気発生器３５から処理室Ｒ内に水蒸気が供給され、水
蒸気がウエハＷ上のレジスト膜表面に均一に吸着する。
これにより、この後の露光処理において均一に露光で
き、１枚のウエハにおいて線幅等の均一性を向上させる
ことができる（ステップ７）。
【００３１】すなわち、本実施形態によれば、レジスト
に蒸気が均一に吸着することによりレジストに到達する
露光量は低下するが、従来のように水分が１枚のウエハ
で散在する場合に比べ、１枚のウエハを均一に露光でき
る。ここで、露光量に関しては、露光強度を上げること
により、その低下を抑制できる。また、水蒸気の供給に
ついては、処理室Ｒ内を飽和状態とすることが好まし
い。すなわち、飽和状態することにより湿度がほぼ１０
０％となり、可能な限り水分量を多くして、ウエハによ
り均一に水蒸気を吸着させることができる。この飽和状
態のもとでの蒸気処理については、以下に説明する第２
の実施形態以降も同様である。しかし、必ずしも飽和状
態にする必要はない。
【００３２】そして、ウエハ搬送体２４によりウエハＷ
は露光装置１３に搬送され、露光処理が行われる（ステ
ップ７）。露光処理が終了した後は、ポストエクスポー
ジャーベーキングユニット（ＰＥＢ）において加熱処理
が行われ（ステップ８）、ウエハＷは現像処理ユニット
（ＤＥＶ）に搬送されて現像処理が行われ（ステップ
９）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢ）で所定の加
熱処理が行われる（ステップ１０）。そしてウエハＷは
クーリングユニット（ＣＯＬ）で所定の冷却処理が行わ
れ（ステップ１１）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を介してカセットＣＲに戻される。
【００３３】図６は、本発明の第２の実施形態に係る蒸
気処理ユニットの断面図を示している。なお、図６にお
いて、図４における構成要素と同一のものについては同
一の符号を付すものとし、その説明を省略する。この蒸
気処理ユニット４０の支持台４１には、ウエハＷを載置
させて加熱する加熱板４３が設けられており、この加熱
板４３には例えばヒータ４５が内蔵され、これにより加
熱するようになっている。この加熱板４３には、支持ピ
ン２９を出没させるための３つの孔４３ａが形成されて
いる。これにより外部との間でウエハＷの受け渡しが可
能となる。一方、支持台４１には、蒸気発生器３５から
処理室Ｒ内に蒸気を供給するための供給口４１ａが形成
されている。
【００３４】この蒸気処理ユニット４０の処理工程につ
いては、先ず、加熱板４３にウエハＷが載置されると蓋
体３２が下降して処理室Ｒが形成される。そして処理室
Ｒ内に蒸気発生器３５から水蒸気が供給され、水蒸気が
ウエハＷ上のレジスト膜表面に均一に吸着する。これに
より、この後の露光処理において均一に露光でき、１枚
のウエハにおいて線幅等の均一性を向上させることがで
きる。
【００３５】次に、加熱板４３によりウエハＷを所定の
温度で所定時間加熱する。これにより、ウエハＷ上に吸
着した水分がウエハ表面に残存する程度に水分を蒸発さ
せることができる。このように、一旦ウエハ上に均一に
吸着した水分量を、水分がウエハ表面に残存する程度に
まで減少させて均一に加熱、つまり乾燥処理を行うこと
により、この後の露光工程においてウエハに対する露光
量の均一性を維持しつつ、レジストに達する露光量を可
及的に増加させ適切に露光処理を行うことができる。
【００３６】図７は、本発明の第３の実施形態に係る蒸
気処理ユニットの断面図を示している。なお、図７にお
いて、図４における構成要素と同一のものについては同
一の符号を付すものとし、その説明を省略する。この蒸
気処理ユニット５０のケース４４内において、図４にお
ける蒸気処理ユニットと同様の装置が配置され、これに
隣接して、レール４２に沿ってシリンダ機構やベルト機
構により水平に移動する移動体５２が配置されている。
この移動体５２には、支持板５１により支持された加熱
板４３が設けられている。なお、本実施形態において
は、図示するように蓋体３２の側面部に供給口３２ａが
形成され、蒸気発生器３５からの蒸気はこの供給口３２
ａを介して処理室Ｒ内に水蒸気が供給されるようになっ
ている。また、ケース４４には、外部との間でウエハＷ
の搬送を行うための開口部４４ａが設けられている。
【００３７】この蒸気処理ユニット５０の処理について
は、先ず、支持ピン２９を介して載置台３４にウエハＷ
が載置されると、蓋体３２が下降して処理室Ｒが形成さ
れる。そして処理室Ｒ内に蒸気発生器３５から水蒸気が
供給され、水蒸気がウエハＷ上のレジスト膜表面に均一
に吸着する。これにより、この後の露光処理において均
一に露光でき、１枚のウエハにおいて線幅等の均一性を
向上させることができる。
【００３８】次に、図８に示すように、蓋体３２が上昇
し移動体５２が接近してくる。そして、加熱板４３がウ
エハＷの真上まで移動して停止し、ウエハＷに対し所定
温度で所定時間の加熱処理を行う。これにより、上記第
２の実施形態と同様に、ウエハＷ上に吸着した水分がウ
エハ表面に残存する程度に水分を蒸発させることができ
るので、この後の露光工程においてウエハに対する露光
量の均一性を維持しつつ、レジストに達する露光量を可
及的に増加させ適切に露光処理を行うことができる。
【００３９】図９は、本発明の第４の実施形態に係る蒸
気処理ユニットの断面図を示している。なお、図９にお
いて、図４における構成要素と同一のものについては同
一の符号を付すものとし、その説明を省略する。この蒸
気処理ユニット６０の蓋体３２の中央部には、エア供給
源５４から供給管５７を介して処理室Ｒ内にエアを供給
するためのエア供給口３２ｂが形成されている。エア供
給源５４からのエアは、例えばヒータ５５により所定の
温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱されて供給される
ようになっている。蓋体３２の内側の天井には、このよ
うに供給されるエアを処理室Ｒ内に均一に拡散させるた
めに拡散部材５６が取り付けられている。この拡散部材
５６には複数の細かい穴５６ａが形成されており、これ
により、ウエハＷの周縁までエアが行き渡るようになっ
ている。
【００４０】また、図示は省略しているが、本実施形態
でも上記各実施形態と同様に載置台３４の供給口３４ｂ
から水蒸気が供給されるようになっている。
【００４１】本実施形態では、先ず水蒸気の供給によ
り、水蒸気がウエハＷ上のレジスト膜表面に均一に吸着
する。次に、加熱されたエアをウエハＷ表面に吹きつけ
て、ウエハＷ上に吸着した水分がウエハ表面に残存する
程度に水分を蒸発させ、乾燥処理を行う。このような処
理方法により、上記各実施形態と同様に、レジストに達
する露光量を可及的に増加させ適切に露光処理を行うこ
とができる。
【００４２】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。
【００４３】例えば、図１０に示すように、ウエハＷを
回転可能に保持するスピンチャック６３により保持し、
ウエハＷをθ方向に回転させながら、例えば、図示しな
いスリット状の吐出口を有する長尺状の供給ノズル６９
により超純水等をウエハＷ上に供給することで、レジス
トが塗布されたウエハＷ上に均一に水分を吸着させるこ
とができる。また、この場合、ウエハＷを回転させなが
ら供給ノズル６９により蒸気を噴出するようにしてもよ
い。
【００４４】また、図７及び図８に示す載置台３４は、
例えば冷却水やペルチェ素子等の冷却手段を有する冷却
板に置換えてもよい。これにより、図８に示すような移
動体５２による加熱処理の後、冷却板による冷却処理を
行うことができ、例えば別のクーリングユニットに搬送
して冷却処理を行う場合に比べ、スループットの向上が
図れる。
【００４５】更に、上記各実施形態では、基板として半
導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、
液晶ディスプレイ等に使用されるガラス基板について
も、本発明は適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジストが塗布された基板を蒸気に晒すことにより水分
が基板上のレジストに均一に吸着するので、露光工程に
おいて均一に露光でき、線幅等の均一性を向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る塗布現像処理シ
ステムの平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図であ
る。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る蒸気処理ユニッ
トを示す断面図である。
【図５】塗布現像処理システムにおける一連の処理工程
を示すフロー図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る蒸気処理ユニッ
トを示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る蒸気処理ユニッ
トを示す断面図である。
【図８】図７に示す蒸気処理ユニットにおいて、加熱処
理を行う場合の断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る蒸気処理ユニッ
トの断面図である。
【図１０】基板を回転させながら、ノズルにより超純水
又は蒸気を供給するユニットの斜視図である。
【符号の説明】
Ｗ…半導体ウエハ １…塗布現像処理システム １２…インターフェース部 １３…露光装置 ２２…主ウエハ搬送機構 ２４…ウエハ搬送体 ２８…ポンプ ３０，４０，５０，６０…蒸気処理ユニット ３２…蓋体 ３２ａ，３４ｂ，４１ａ…供給口 ３２ｂ…エア供給口 ３５…蒸気発生器 ３７…ヒータ ３８…供給管 ３９…超純水 ４３…加熱板 ５４…エア供給源 ５５…ヒータ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にレジストを塗布する工程と、 前記レジストが塗布された基板を蒸気に晒す工程とを具
    備することを特徴とする基板処理方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
    て、 前記蒸気は飽和蒸気であることを特徴とする基板処理方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理方法におい
    て、 前記基板を蒸気に晒す工程の後、 当該基板に吸着した水分が基板表面に残存する程度に基
    板を乾燥させる工程を更に具備することを特徴とする基
    板処理方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理方法におい
    て、 前記乾燥は、基板を加熱することにより行うことを特徴
    とする基板処理方法。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の基板処理方法におい
    て、 前記乾燥は、加熱されたエアを基板に供給することによ
    り行うことを特徴とする基板処理方法。
  6. 【請求項６】 請求項１又は請求項３に記載の基板処理
    方法において、 前記基板を蒸気に晒す工程の後、又は前記基板を乾燥さ
    せる工程の後、 前記基板上のレジストを露光する露光装置に当該基板を
    受け渡す工程を更に具備することを特徴とする基板処理
    方法。
  7. 【請求項７】 基板上にレジストを塗布する塗布処理部
    と、 前記レジストが塗布された基板を蒸気に晒す蒸気処理部
    と、 少なくとも前記塗布処理部と蒸気処理部との間で基板の
    搬送を行う搬送機構とを具備することを特徴とする基板
    処理システム。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理システムにお
    いて、 前記蒸気は飽和蒸気であることを特徴とする基板処理シ
    ステム。
  9. 【請求項９】 請求項７に記載の基板処理システムにお
    いて、 前記飽和蒸気により基板に吸着した水分が基板表面に残
    存する程度に基板を乾燥させる乾燥処理部を更に具備す
    ることを特徴とする基板処理システム。
  10. 【請求項１０】 請求項８に記載の基板処理システムに
    おいて、 前記乾燥処理部は、 前記基板を加熱する加熱板を具備することを特徴とする
    基板処理システム。
  11. 【請求項１１】 請求項８に記載の基板処理システムに
    おいて、 前記乾燥処理部は、 加熱されたエアを基板に供給する手段を具備することを
    特徴とする基板処理システム。
  12. 【請求項１２】 請求項７又は請求項９に記載の基板処
    理システムにおいて、 前記蒸気処理部又は前記乾燥処理部と、前記基板上のレ
    ジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行
    う受け渡し部を更に具備することを特徴とする基板処理
    システム。
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