TW502493B - Voltage controlled oscillator, PLL circuit and semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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TW502493B
TW502493B TW089115873A TW89115873A TW502493B TW 502493 B TW502493 B TW 502493B TW 089115873 A TW089115873 A TW 089115873A TW 89115873 A TW89115873 A TW 89115873A TW 502493 B TW502493 B TW 502493B
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voltage
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oscillator
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TW089115873A
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Noboru Masuda
Hiroki Yamashita
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Hitachi Ltd
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502493 A7 B7___ 五、發明説明(彳) 【發明之背景】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於供以使半導體積體電路晶片的內部所使 用的時脈信號產生之p L L (鎖相環路,Phase locked loop )電路,及該P L L電路的構成要素之一的電壓控制 振盪器,特別是有關供以減低因電源電壓的變動而產生的 抖動之電路。 【習知之技術】 第2圖是表示習知之電壓控制振盪器的一個例子。該 電路爲記載於1998年2月7日所舉辦之I SSCC (
International Solid-State Circuit Conference)的預稿集 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 9 7頁中的電路。該電路是藉由位於圖號VCC ◦所示 的節點與圖號V S S A所示的電源間之3段的反相器來構 成振盪器,且藉由控制圖號Μ 2所示的Μ〇S電晶體的閘 極電壓來控制上述振盪器的振盪頻率。又,該電路即使由 外部施加的電源V D D Α與V S S Α之間的電源電壓變動 ,也會藉由圖號C的電容器來使V C C ◦的節點與 V S S A的電源之間的電壓變動變慢,而使上述振盪器的 振盪頻率不會馬上變動。藉此來降低電源電壓變動時所造 成的抖動。 又,第3圖是表示習知之電壓控制振盪器的其他例子 。該電路爲揭示於日本特開平1 1 — 1 5 5 4 1號說明書 中的電路,爲組合同說明書第3圖與第6圖的電路。該電 路是根據圖號1 5 0所示的類比控制信號的粗調整與圖號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ "" 502493 A7 B7 五、發明説明(2) 1 5 1所示的數位控制信號的微調整來控制振盪頻率。又 ,該電路即使由外部施加的電源V d d與V s s之間的電 源電壓變動,也會藉由圖號1 2 0的電容器來使3 5 0的 節點與V d d的電源之間的電壓變動變慢,而使振盪頻率 不會馬上變動。藉此來降低電源電壓變動時所造成的抖動 0 【發明之慨要】 就第2圖而言,如上述文獻第3 9 6頁中所記載一般 ,若過度增大圖號C所示之電容器的電容値,則會無法確 保控制的安定性。因此,若過度增大該電容値,則會難以 降低抖動(j i tter )。 就第3圖而言,因爲供以控制振盪頻率的Μ〇S電晶 體3 2 1〜3 2 5及3 3 1〜3 3 5與供以對電源電壓變 動進行安定化的Μ〇S電晶體3 4 0是分別被設置,所以 在電源V d d與V s s之間會串列連接5個Μ〇S電晶體 (例如,3 3 1 ,3 1 1 ,3 0 1,3 2 1 ,3 4 0 )。 因此,其中1個被施加的電壓會降低。但,若施加於 Μ〇.S電晶體3 4 0的電壓變低,則該Μ〇S電晶體在飽 和狀態下(即使汲極-源極間電壓變化,電流也幾乎不會 變化)動作的範圍會變窄,因此可容許電源電壓變動的變 動幅度會變小。又,若爲了確保電源電壓變動的容許範圍 ,而提高Μ〇S電晶體3 4 0電壓的話,貝ij 3 5 〇的節點 與V d d的電源之間的電壓(亦即振盪器的電壓)會降低 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21()Χ297公楚) I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502493 A7 B7 五、發明説明(3 ) ,上限振盪頻率會變低。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明所欲解決之一課題,是在於電壓控制振盪器的 振盪輸出中,可以減低電源電壓變動時所產生的抖動。 本發明所欲解決之另一課題,是在於P L L電路的振 盪輸出中,可以減低電源電壓變動時所產生的抖動。 本發明所欲解決之另一課題,是在於半導體積體電路 裝置的時脈信號中,可以減低電源電壓變動時所產生的抖 動。 本發明之一課題,可藉由下述的電壓控制振盪器來解 決。 亦即,該電壓控制振盪器具備:將一端連接於第1電 源之第1 Μ〇S電晶體,及連接於上述Μ〇S電晶體的另 一端與第2電源間之振盪器,及電容元件,並且藉由控制 上述Μ ◦ S電晶體的閘極電壓來控制上述振盪器的振盪頻 率,且具備控制與上述Μ ◦ S電晶體不同振盪器的振盪頻 率之第2機構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’本發明之另一課題,可藉由使用上述的電壓控制 振盪器而構成的P L L電路來解決。 又,本發明之另一課題,可藉由使用上述的P L L電 路而構.成的半導體積體電路裝置來解決。 【發明之實施形態】 第1圖是表示本發明之電壓控制振盪器的實施例之一 。在第1圖中,圖號1 〇〇〜1 03是表示Ν通道型 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210x297公楚) 502493 A7 B7 五、發明説明(4) M〇S電晶體(以下稱爲NMOS),圖號111〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 5是表示P通道型MOS電晶體(以下稱爲PM〇S ),圖號120〜122是表示電容元件,圖號130是 表示振盪器,圖號1 3 1是表示緩衝電路,圖號1 3 2是 表示電平位移電路。又,圖號V d d是表示高電壓側的電 源及其端子,圖號V s s是表示低電壓側的電源及其端子 ,圖號1 5 0是表示類比控制信號及其輸入端子,圖號 1 5 1是表示數位控制信號及其輸入端子,圖號1 6 0是 表示振蘯輸出及其輸出端子,圖號1 7 0〜1 7 4是表示 內部信號及其節點。 上述電容元件1 2 0〜1 2 2只要使用PMOS或 N Μ〇S的源極電極及汲極電極與閘極電極間的電容而構 成,便可實現較小的面積。又,構成緩衝電路1 3 1的 NMOS或NMOS 1 〇 1〜1 〇 3的反餽偏壓爲施加 1 7 0的節點之電壓。 該電路,NMOS1 01〜1 03及PM〇S1 1 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〜1 1 3的部份,亦即圖號1 3 0所示的部份是形成振盪 器。該振盪器,NMOS101及PMOS111 , NM〇S1 02 及 PMOS1 1 2 ,NMOS1 03 及 P Μ ◦ S 1 1 3會分別構成反相器,依次連接該3個反相 器的輸出與輸入而售成所謂的環形振盪器。 該振盪器的振盪頻率是根據類比控制信號1 5 0的粗 調整與數位控制信號1 5 1的細調整來進行控制。 類比控制信號1 5 0的粗調整是藉由流入 I紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ~ 502493 A7 ____B7_ 五、發明説明(5) N Μ 0 S 1 〇 〇的電流控制來進行。例如,若提高控制信 號1 5 0的電壓,則流入Ν Μ〇S 1 〇 〇的電流會增加, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 7 0的節點的電壓會下降,電源V d d與1 7 0的節點 之間的電壓,亦即施加於振盪器1 3 0的電壓會變高。如 此一來,該振盪器的振盪頻率會變高。又,若控制信號 1 5 0的電壓降低,則在上述的反作用下,該振盪器的振 邊頻率會變低。 又,Ν Μ〇S 1 〇 〇爲了使流入振盪器1 3 0的電流 與流入緩衝電路1 3 1的電流雙方流動,而必須流動較大 的電流。又,如後述,Ν Μ 0 S 1 0 〇最好是形成飽和狀 態(對汲極電極與源極電極間的電壓變化而言,流動於 MOS的電流幾乎不會變化)。在此,NMOS100會 並列連接多數個的Ν Μ 0 S,其閘極寬度的總合會大於 Ν Μ〇S 1 〇 1〜1 〇 3等閘極寬度非常多(例如1 0 〇 倍以上)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,數位控制信號1 5 1的微調整是藉由控制附加於 振盪器的內部信號之1 7 1的節點的負載重來進行。由於 Ρ Μ ◦ S 1 1 5是經常形成導通狀態,因此1 7 1與 1 7 4的節點會一直連接著。因此,例如控制信號1 5 1 爲低位準時,會因爲Ρ Μ〇S 1 1 4呈導通狀態,所以電 容元件1 2 1會連接於1 7 4及1 7 1的節點。 如此一來,附加於1 7 1的節點之負載會變重(只增 加電容元件1 2 1的部份)。當控制信號1 5 1爲高位準 時,Ρ Μ〇S 1 1 4會遮斷,附加於1 7 1的節點之負載 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -8- 502493 A7 ________B7 五、發明説明(6 ) 會變輕(只減少電容元件1 2 1的部份)。因此,控制信 號1 5 1爲低位準時,振盪頻率會變低,高位準時會變高 〇 該控制信號1 5 1之振盪頻率的變化量會根據電容元 件1 2 1的電容値而改變。在此,雖無P Μ〇S 1 1 5也 會照常動作,但在此實施例中,當控制信號1 5 1變化時 ,爲了減低,1 7 4的節點所引起的耦合雜訊波及1 7 1 的節點,而設置上述Ρ Μ〇S 1 1 5。 其次,將說明有關V d d與V s s間的電源電壓變化 時的動作。在此,電容元件1 2 0的電容値會設定成較大 値。並且,NMOS 1 〇 〇的閘極寬度(在由複數個 N Μ〇S所構成時,其閘極寬度的總和)會設定成較大値 ,且形成飽和狀態。 當電源電壓變化後,因爲電容元件1 2 0的電容値較 大,所以施加於振盪器1 3 0的電壓會幾乎不變化。因此 ,施加於Ν Μ〇S 1 〇 〇的電壓會與電源電壓的變化寬度 幾乎相同,但變化後的電壓只要是在Ν Μ ◦ S 1 0 〇呈飽 和狀態的範圍內,流入Ν Μ〇S 1 0 0的電流便會在電源 電壓的變化前後幾乎不會改變。並且,其些微的電流變化 部份幾乎會藉由電容元件1 2 0的充放電而被捕捉,流入 振盪器1 3 0的電流或流入緩衝電路1 3 1的電流的變化 會更小。因此,即使電源電壓急速變化,只要 Ν Μ 0 S 1 〇 〇是處於形成飽和狀態的範圍內,其後的振 盪頻率便會幾乎不變化。 本紙張尺度逍用^國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ~ I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502493 A7 B7 ___ 五、發明説明(7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次,針對電源電壓變化後經過少許的時間後的動作 加以說明。即使N Μ〇S 1 0 0爲飽和狀態’只要施加於 NM〇S 1 〇 〇的電壓產生變化,流入NM〇S 1 0 0的 電流便會產生若干的變化。雖然該變化部份幾乎可藉由電 容元件1 2 0的充放電來予以捕捉,但此刻施加於電容元 件1 2 0會產生若干變化。並且,施加於電容元件1 2〇 的電壓,亦即爲施加於振盪器1 3 0的電壓,振盪頻率會 根據該變化而形成若干變化。 但,在P L L電路中使用該電壓控制振盪器時’會於 該振盪頻率的變化不會變大的期間被檢測出。如此一來’ 將會馬上把其結果反應給控制信號1 5 1 ,而使能夠修正 振盪頻率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,當處於定常狀態時,控制信號1 5 1會以幾乎相 同的頻率來重複形成高位準的狀態與低位準的狀態’藉此 來將振盪頻率的平均値保持於預定的頻率,但在電源電壓 變化後經過少許的時間後,控制信號1 5 1會改變高位準 的狀態與低位準的狀態的頻度,藉此而能夠將振動頻率的 平均値控制成預定的頻率。 又,若電源電壓變化後再經過一段時間,則可根據控 制信號1 5 1的高位準與低位準的頻度差來漸漸使控制信 號1 5 0的電壓變化。接著,在控制信號1 5 0變化後形 成電壓(流入Ν Μ〇S 1 〇 〇的電流會與電源電壓變化前 的電流値形成相等)時.,利用電容元件1 2 0的充放電而 進行的補充會不再執行。然後,會一方面重複進行控制信 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 502493 A7 B7 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 號1 5 0的變化超出若干而返回的振動,另一方面在最後 施加於振盪器1 3 0或電容元件1 2 0的電壓會回到最初 的電壓。 電容元件1 2 2是爲了使控制信號1 5 0的電壓漸漸 變化,以及抑止因串音(cross talk )雜訊等而造成控制 信號1 5 0的電壓急速變化。 在此’只要以電容元件1 2 0的電容値能夠充分地增 大之方式來進行設計,便可使施加於振盪器1 3 0的電壓 變化充分地變慢。因此,在上述一連串的動作中,振盪頻 率偏離預定頻率的最大偏離幅度,可形成控制信號1 5 1 的微調整幅度以下。並且,在這些一連串的動作途中電源 電壓再度變化時,上述的動作會從該時間點開始重新啓動 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第2圖的習知例中,並未設置相當於本發明之利用 控制信號1 5 1來進行控制之機構(亦即,不依電容元件 1 2 0的電容値而能夠高速進行控制之機構)。因此,當 振盪頻率的變化被檢測出時,必須藉由相當於本發明之利 用控制信號1 5 1來進行控制之機構(亦即,若電容元件 1 2 0的電容値變大,則控制的回應會變慢之機構)來修 正。如此一來,爲了保持控制的安定性,而無法增大相當 於電容元件1 2 0之電容元件的電容値。 在本發明中,因爲設置了不依電容元件1 2 0的電容 値而能夠高速進行控制之機構,所以可以充分地擴大電容 元件1 2 0的電容値。因此,當產生相同的電源電壓變動 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) j ^ 502493 A 7 B7 _ 五、發明説明(9) 時,施加於振盪器的電壓變動會比第2圖的習知例來得小 ,而使能夠降低抖動。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,就第3圖的習知例而言,因爲電源電壓變動對策 用的N Μ〇S 3 4 0與振盪頻率的粗調整用的 Ν. Μ〇S 3 2 1是串列進入電源間,所以被施加於 Ν Μ〇S 3 4 0的電壓小,且Ν Μ〇S 3 4 0在飽和狀態 下動作的範圍窄。因此,可取得降低抖動的功效之電源電 壓變動的容許範圍會變窄。相對的,就本發明而言,因爲 只共同設定1個ΝΜΟ S 1 0 〇來作爲電源電壓變動對策 用的Μ〇S與振盪頻率的粗調整用的Μ〇S ,所以被施加 於NM〇S 1 0 0的電壓要比第3圖的習知例來得大。因 此,Ν Μ〇S 1 〇 〇在飽和狀態下動作的範圍要比第3圖 的習知例來得廣,亦即可取得降低抖動的功效之電源電壓 變動的容許範圍也會變廣。 亦即,若利用本發明,則可發揮出比結合弟2圖的習 知例與第3圖的習知例所分別具有的降低抖動功效還要更 佳之功效。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第4圖是表示第1圖之實施例的構成要素(緩衝電路 1 3 1及電平位移電路1 3 2 )的具體構成之一實施例。 在該圖中,圖號40 1〜40 5及420〜42 3是表示 NMOS ,41 1〜4 1 5及43 1〜433是表示 PMOS,4 4 0是表示電容元件,441及442是表 示阻抗元件。又,圖號4 5 0及4 5 1是緩衝電路1 3 1 與電平位移電路1 3 2之間的信號及其節點’ 4 5 2是表 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) " 502493 Α7 Β7 五、發明説明(1(} 示內部信號及其節點。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 緩衝電路1 3 1是以不會施加較大負載於振盪器 1 3 0之方式來取出來自振盪器1 3 0的信號1 7 3之電 路。並且,該實施例的緩衝電路1 3 1是以能夠輸出 4 5 〇及4 5 1的差動信號之方式而構成。具體而言’是 由NMOS401〜405及PM〇S4〇1〜4〇5及 PMOS 4 1 1〜4 1 5的複數個反相器所構成,信號 1 7 3會經由偶數段的反相器來輸出成信號4 5 0 ’以及 經由奇數段的反相器來輸出成信號4 5 1。並且’將構成 各段反相器的Μ ◦ S設計成適當大小,而藉此來使差動信 號4 5 0及4 5 1形成相位差約爲1 8 0度左右的差動信 號(亦即,一方的上升時間與另一方的下降時間會幾乎形 成一致的差動信號)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電平位移電路1 3 2是供以將作用於電源V d d的電 壓與內部節點1 7 0的電壓之間的差動信號4 5 0及 4 5 1予以變換成作用於電源V d d的電壓與電源V s s 的電壓之間的全振幅信號1 6 0之電路。該電路是由 NM〇S42〇〜422及PM〇S431及432的電 流開關電路與N Μ〇S 4 2 3及P Μ〇S 4 3 3的反相器 所構成。在此會藉由電流開關電路來擴大內部信號4 5 2 的信號振幅,同時使該中心電壓形成於V d d的電壓與 V s s的電壓中間附近,且以能夠在反相器擴大成全振幅 之方式而作動。又,電容元件4 4 0是爲了在電源電壓變 動時使N Μ〇S 4 2 0的閘極-源極間電壓不會急速變化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 502493 Α7 Β7 五、發明説明(n) 。又,阻抗元件4 4 1及4 4 2是用以使施加於 N Μ〇S 4 2 0的閘極電極的偏壓電壓產生之阻抗分壓電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 路。 第5圖是表示第4圖以外之電平位移電路1 3 2的實 施例之一。該圖中,圖號5 0 1及5 0 2是表示NMOS ,5 11是表不?]\4〇8,5 4 0是表示電容元件。又, 圖號5 6 0是表示輸出信號之一。該輸出信號5 6 0是與 輸出信號1 6 0 —起構成差動信號。 若使用如此之電平位移電路1 3 2,則將能以差動信 號來取出第1圖之實施例的電壓控制振盪器的輸出。又, 施加於Ν Μ〇S 4 2 0的閘極電極的偏壓電壓,一方面如 第4圖所示,可使用阻抗分壓電路來產生,另一方面如第 5圖所示,亦可使用在NM〇S 5〇1及5〇2及 PMO S 51 1進行分壓的電路來產生。在此,只要使用 分壓於Μ〇S的電路,便可使Ν Μ〇S 5 0 1及5 0 2及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ρ Μ〇S 5 1 1的閘極寬度的比與Ν Μ〇S 4 2 0的閘極 寬度的一半及NM0S4 2 1及PM0S4 3 1的閘極寬 度的比形成一致,藉此而使輸出信號1 6 0及5 6 0容易 形成於電源V d d與V s s的電壓的中間附近。 又,電容元件5 4 0與電容元件4 4 0同樣的,是爲 了在電源電壓變動時,使Ρ Μ〇S 4 3 1及4 3 2的閘極 -源極間電壓不會急速變化。 第6圖是表示第1圖以外之本發明的電壓控制振盪器 的實施例之一。該圖是在第1圖的實施例中附加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -14- 502493 A7 _ B7 五、發明説明(id NMOS604 及 605 與 PMOS614 及 615 ,且 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以5段的反相器之環形振盪器來構成振盪器1 3 0部份。 在此,只要環形振盪器之反相器的段數爲奇數,原理上無 論幾段皆可。 若反相器的段數增加,則雖振盪的上限頻率會下降, 但由於對每一構成緩衝電路1 3 1之反相器的延遲時間的 振盪頻率的比會變大,因此容易使緩衝器1 3 1的輸出形 成相位差爲1 8 0度左右的差動信號。 第7圖是表示本發明之電壓控制振盪器的其他實施例 之一。該圖是在第1圖的實施例中改變控制振盪頻率(藉 由控制信號1 5 1來控制)的部份之電路。具體而言,是 追加PM〇S7 1 4及7 1 5 ,而使流入這些PMOS的 電流能夠加諸於流入P Μ〇S 1 1 1的電流中。在此是否 要使該加諸的電流流動,可藉由控制信號7 5 1來予以控 制,但控制信號7 5 1的極性會與控制信號1 5 1時呈相 反。亦即,控制信號7 5 1爲低位準時,在使上述電流流 動後,振盪頻率會變高,相對的,控制信號7 5 1爲高位 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的示除泵配及 成表示給分號 構是表供脈信 而 ο 是示時脈 器 ο 2 表示時 盪 8 ο 是表之 振號 8 4 是出 制圖, ο 6 輸 控,器 8 ο 的 壓中較,8 路 電圖比路,電 之 8 率電器 L 明第頻制盪 L 發在示控振 Ρ 。 本.。表位制該 低用例是數控示 變使施 1 示壓表 會示實 ο 表電是 率表一 8 ,是示 ο 頻是之 ,3 表 7 0 圖路器 ο 是 8 振 00 電較 〇〇 5 ’ , 第 L 比 ,ο 又 時 L 位器 8 。 準 Ρ 相頻,器 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -15- 502493
7 B 發輸信 ? 其準五 明説明 基 之 準 8 基 ~ 位 ο 相 6 的 8 號及 信 4 脈 5 時 8 成」 形 1 示 5 表 8 是, ο 子 5 端 8 入, 子其 端及 出號 6 4 出 輸 盪 振 的 ο 5 點 ο 節 8 其器 及盪 號振 信制 部控 內壓 示電 表 是 脈 時 爲 作 會 〇 的信 個爲 數作 多且 至, 配 2 分 ο 而 8 6 器 ο 頻 8 除 路入 電輸 配被 分 會 脈個 時一 由中 經其 來。 ο 地 7 的 8 目 號配 信分 相來 的 1 ο ο 5 8 8 器 號較 信比 準率 基頻 與與 ο ο 6 ο 8 8 號器 信較 , 比 又位 。 相 出由 輸藉 而會. ο 率 6 頻 8 與 號位 來相 號的' 信號 的信 2 的 6 ο 8 ο 及 8 2 器 5 較 8 比 及位 1 相 5 入 1 輸 爲使 作了 會爲 果, 結但 其 。 ,出 較 輸 比以 作予 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 位不會受到電路負載不均一的影響,而在相位比較器 8 0 〇中直接輸入8 6 0的信號與基準信號8 5 0 ’在頻 率比較器8 0 1中輸入通過緩衝器的信號8 6 1及8 5 1 。在此,頻率比較器8 0 1是以信號8 5 1的頻率比信號 8 6 1的頻率高時信號8 5 2會形成高位準,以及信號 8 6 1的頻率比信號8 5 1的頻率高時信號8 6 2會形成 高位準之方式來構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這些比較結果會被輸入至數位控制電路8 0 3。數位 控制電路8 0 3是同步於通過緩衝器的基準信號8 5 1而 作動之數位電路,根據上述比較結果來產生驅動供給泵 804的信號853及8 54及863及864。在此’ 供給泵8 0 4是被這些的信號所驅動,而將電荷送入 1 5 0的端子或從1 5 0的端子引出電荷之電路。 其結果,儲存在連接於電壓控制振盪器8 0 5的輸入 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 502493 A7 B7 五、發明説明(14) 端子1 5 0的電容元件1 2 2 (參照第1圖)的電荷量會 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 變化,且控制信號1 5 0的電壓會變化。又,電壓控制振 盪器8 0 5的振盪頻率會根據該控制信號1 5 0與直接由 相位比較器8 0 0所供給的控制信號1 5 1而控制。其結 果.會再經由除頻器8 0 2而反餽至信號8 6 0,最後信號 8 6 0及基準信號8 5 0的頻率與相位形成一致。 第9圖是表示第8圖之實施例的構成要素(數位控制 電路8 0 3 )的具體構成之一實施例。在此電路中,圖號 9 0 0〜9 0 2是表示邊沿觸發器型的觸發電路,圖號 9 0 3是表示置位復位型的觸發電路,9 0 4是表示2位 元計數器,905是表示〇R電路,906及910及 9 1 1是表示AND電路,9 0 7是表示複數且奇數的反 相器,908是表示NOR電路,909是表示反相器。 又,圖號9 5 0〜9 5 2是表示內部信號及其節點。其中 ,2位元計數器9 0 4會在每次脈衝加諸於通過緩衝器的 基準信號8 5 1中時實施計數,若信號9 5 0形成高位準 ,則將會被復位。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,將說明該電路的動作。觸發電路9 0 0〜 9 0 2會同步於通過緩衝器的基準信號8 5 1 ,而用以取 入比較器的輸出之1 5 1及8 5 2及8 6 2的信號。當表 示頻率比較結果的信號8 5 2或8 6 2爲高位準時,該信 號會被輸出至8 5 3或8 6 3,同時內部信號9 5 0會形 成高位準。如此一來,觸發電路9 0 3會被復位,而使內 部信號9 5 1形成低位準,且被輸出至8 5 4及8 6 4的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502493 A 7 B7 _ 五、發明説明(IS) 信號會同時形成低位準。又,此刻2位元計數器9 0 4的 計數也會被復位。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 若表示頻率比較結果的信號8 5 2及8 6 2皆形成低 位準的話,則被輸出於8 5 3及8 6 3的信號會形成低位 準,同時內部信號9 5 0會形成低位準,而於每次脈衝施 加於信號8 5 1時,2位元計數器9 0 4的計數會執行。 在執行4次的計數期間,若信號8 5 2及8 6 2 一次也沒 有形成高位準的話,則觸發電路9 〇 3會被設定,而使內 部信號9 5 1形成高位準。另一方面’在內部信號9 5 2 中以反相器9 0 7的延遲時間總和而定的脈衝寬度的脈衝 會在每次脈衝加諸於信號8 5 1中時出現。如此一來’根 據表示相位比較結果的信號1 5 1而定的信號8 5 4或 8 6 4會只在出現於內部信號9 5 2中的脈衝信號的脈衝 寬度間形成高位準。 具體而言,以上所述之數位控制電路的動作如下述。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當表示頻率比較結果的信號8 5 2或8 6 2爲高位準 時,8 5 3或8 6 3的信號會跟著形成高位準,同時 8 5 4及8 6 4的信號雙方皆會形成低位準。又,若表示 頻率比較結果的信號8 5 2及8 6 2雙方的低位準狀態持 續4週期以上的話,則脈衝會依照表示相位比較結果的信 號1 5 1來輸出至8 5 4或8 6 4的信號中。 在此,之所以要分離根據頻率比較結果而輸出的信號 8 5 3及8 6 3與根據相位比較結果而輸出釣信號8 5 4 及8 6 4,其目的是爲了能夠在頻率不一致時加大控制來 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502493 A7 B7_ ___ 五、發明説明(θ 使快速收斂,以及能夠在頻率一致而僅相位偏離時縮小控 制量來防止發生抖動。因此而個別地使用信號來進行控制 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 又,根據頻率比較結果而輸出的信號8 5 3及8 6 3 會保持1週期間的高位準,相對的根據相位比較結果而輸 出的信號8 5 4及8 6 4是以能夠形成脈衝而構成者°藉 此,連實施控制的時間也可以改變。 又,設置2位元計數器9 0 4的目的是爲了防止在頻 率比較結果不被輸出後根據相位比較結果而進行控制。亦 即,在頻率比較結果不被輸出後,大多不會進行正確的相 位比較。如此一來,若根據此刻的相位比較結果來實施控 制的話,則大多會施以相反的控制。因此,設置2位元計 數器,而使能夠在等待4週期後根據相位比較結果再開始 實施控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 0圖是表示第8圖之實施例的構成要素(供給泵 8 0 4 )的具體構成之一實施例。在此電路中,圖號 1000〜1003是表示NMOS ,圖號101 ◦〜 1013是表示PM〇S,1〇20及1021是表示阻 抗元件,1030及1031是表示反相器。又,圖號 1 0 5 0〜1 0 5 2是表示內部信號及其節點。 此電路在8 5 3的信號形成高位準時’ P Μ〇S 1 0 1 3導通後電流會從V d d流入1〇5 2的 節點,且在8 6 3的信號形成高位準時’ N Μ〇S 1 0 0 3導通後電流會從1 〇 5 2的節點流出至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇 Χ297公釐) 71^ — 502493 A7 B7 _ 五、發明説明(17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) V s S。又,由於1 0 5 2的節點會經由阻抗元件 1 0 2 1來連接於控制信號1 5 0的端子,因此電流會對 第1圖所示的電壓振盪器內的電容元件1 2 2進行充放電 。在此,阻抗元件1 0 2 1是爲了防止因電容元件1 2 2 的寄生阻抗而使得1 5 0的節點的電位暫時性的過度上升 或過度下降而設置者。 又,當8 5 4或8 6 4的信號形成高位準時也會進行 同樣的充放電。但,因爲流入N Μ〇S 1 0 0 2及 PM〇S 1 0 1 2的電流會根據NM〇S 1 0 0 1及 P Μ〇S 1 0 1 1而被限制,所以可使電流値縮小到比依 8 5 3或8 6 3的信號而進行充放電的電流値還要小。此 刻的電流値可根據Ν Μ〇S 1 0 0 0與1 0 0 1的閘極寬 度比或Ρ Μ〇S 1 0 1 〇與1 〇 1 1的閘極寬度比,以及 根據阻抗元件1 0 2 0的阻抗値來相當自由地予以設定。 又,依8 5 3或8 6 3的信號而進行充放電的電流値 ,亦可某程度上依NM〇S 1〇0 3及PM〇S 1 0 1 3 的閘極寬度來自由設定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至少根據頻率比較器的輸出而形成之1週期內的 1 5 0的電壓變化可設定成比根據相位比較器的輸出而形 成之1週期內的1 5 0的電壓變化來得大。 又,與依8 5 4或8 6 4的信號而進行充放電的電路 同樣的,依8 5 3或8 6 3的信號而進行充放電的電路也 會以其他的Μ〇S來限制電流,而使能夠根據該閘極寬度 等來設定電流値。 本^氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -20- 502493 A7 B7 五、發明説明(y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,在第9圖的數位控制電路與第1 0圖的供給泵的 組合中,雖是設置根據頻率比較結果的控制系統(依 8 5 3或8 6 3的信號而進行充放電)與根據相位比較結 果的控制系統(依8 5 4或8 6 4的信號而進行充放電) 等2個的控制系統,但亦可設置3個系統以上,而使能夠 改變頻率差較大時與頻率差較小時的控制強度。 亦即,頻率爲2倍以上相異時,雖頻率比較電路的輸 出8 5 2或8 6 2會連續形成高位準,但若頻率的比未滿 2倍,則頻率比較電路的輸出8 5 2或8 6 2不會連續形 成高位準。又,若未滿1 _ 5倍,則頻率比較電路的輸出 8 5 2或8 6 2形成高位準的次數爲每3個週期以上形成 1次。在此,容易在數位電路檢測出該狀況。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,在第1 0圖的實施例中雖充放電的電路只有設置 2個系統,但亦可設置3個系統,分別於每個系統改變電 流値,頻率差較大時,以最大電流値來進行充放電,頻率 差較小時,以中等的電流値來進行充放電,且根據相位比 較結果來進行控制時,以最小的電流値來進行充放電。當 然,亦可設置4個系統以上。 第1 1圖是表示第1 〇圖以外之供給泵8 〇 4的實施 例之一。在圖中,圖號1 1 〇 〇〜1 1 〇 7是表示 NM〇S ,11 10〜1 1 19是表示PM〇S , 1130〜11 32是表示電容元件,114 ◦〜 1143是表示阻抗元件。又,11 5〇〜11 54是表 示內部信號及其節點。 本紙張斤適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇χ297公餐) -21 - 502493 Α7 Β7 五、發明説明(1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此電路是在控制信號1 5 0的電壓接近V s s的電壓 時,爲了保持被8 5 4的信號所驅動而流入的電荷量與被 8 6 4的信號所驅動而流出的電荷量的平衡’而改良第 1 0圖的電路。亦即,在第1 〇圖中,當控制信號1 5 0 的電壓接近於V s s的電壓時,在P Μ〇S 1 0 1 1及 1 0 1 2中會充分地施加源極-汲極間電壓,相對的施加 於Ν Μ〇S 1 〇 〇 1及1 0 0 2的源極—汲極間的電壓會 不夠充分。因此,根據1次的驅動信號而流出的電荷量與 流入的電荷量比較下會變得非常地小。因應於此,第1 1 圖爲改善此問題者。 第1 1圖的電路是控制信號1 5 0的電壓會經由阻抗 元件1 1 4 0與電容元件1 1 3 0的低通濾波器(low-pass filter ) 來 連接於 1 1 5 0 的節點 ,且該 電壓與 1 1 5 3的節點的電壓會在P Μ〇S 1 1 1 5及1 1 1 6等的 電流開關被比較。然後,在Ρ Μ 0 S 1 1 1 8及1 1 1 9 等的電流開關放大比較結果,加諸於Ν Μ〇S 1 1 0 6的 源極輸出電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著會在阻抗元件1 1 4 1〜1 1 4 3的阻抗分壓電 路,對源極輸出電路的輸出1 1 5 2的電壓進行分壓,然 後反餽給1 1 5 3的節點。如此一來,1 1 5 3的節點的 電壓會在與1 1 5 0的節點的電壓,亦即控制信號1 5 0 的電壓形成相等時取得平衡。在此,只要設計成阻抗元件 1 1 4 1與1 1 4 2的阻抗値相等,則1 1 5 2的節點的 電壓與控制信號1 5 0的電壓的差便會和控制信號1 5 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ' 502493 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ ____五、發明説明(2d) 的電壓與1 1 5 4的節點的電壓的差約形成相等,且 N Μ〇S 1 1 7 0導通時流入的電荷量與 Nm〇S 1 0 0 2導通時流出的電荷量會幾乎形成相等。 又,由於該電路最有用的情況是控制信號1 5 0的電壓或 1 0 5 2的節點的電壓接近於V s s的電壓時,因此由 8 5 0的信號所驅動的Μ〇S 1 1 0 7亦可使用Ν Μ〇S 〇 第1 2圖是表示第8圖之實施例的構成要素(相位比 較器8 0 0 )的具體構成之一實施例。此電路亦揭示於日 本特開平0 9 — 7 4 3 5 2的說明書中。該電路會藉由 NAND電路1 2 0 0及1 2 0 1所構成的觸發電路來比 較8 5 0的信號上升與8 6 0的信號上升到底是哪一方會 先出現,且觸發電路1 2 0 2會取入其結果而輸出。 第1 3圖是表示第8圖之實施例的構成要素(頻率比 較器8 0 1 )的具體構成之一實施例。此電路亦揭示於日 本特開平0 9 — 7 4 3 5 2的說明書中。該電路會比較 8 5 1的信號上升與8 6 1的信號下降是否會交互出現, 若連續出現兩次以上,則連續出現側的輸出信號8 5 2或 862會形成高位準。 若利用以上所述之P L L電路,則可充分發揮本發明 之電壓控制振盪器的功能,亦即可降低電源電壓變動時所 產生的抖動。 第1 4圖是表示使用本發明之? L L電路而構成的半 導體積體電路裝置的實施例之一配置圖。在第1 4圖中, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公餐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502493 A7 B7 五、發明説明(21) 圖號1 4 0 0是表示半導體積體電路裝置,圖號1 4 0 1 是表示搭載含本發明之電壓控制振盪器的P L L電路的主 要部份之位置,圖號1 4 0 2〜1 4 0 4是表示分散搭載 構成時脈分配電路8 0 6的驅動器之位置,圖號1 4 1 0 是表示搭載接受來自外部的基準信號的輸入電路之位置。 又,圖號1 4 5 0〜1 4 5 3是表示連接這些構件的配線 ’圖號1 4 6 0是表示將時脈信號8 7 0供應給各分配目 的地的配線。 若利用本發明之電壓控制振盪器,則可減低電源電壓 變動時所產生的抖動。 又,若利用本發明之P L L電路,則可減少電源電壓 變動時所產生的抖動。 由於只要使用本發明之電壓控制振盪器,便可減少電 源電壓變動時所產生的抖動,因此可不必在意電源電壓變 動,而來把含電壓控制振盪器的P L L電路的構成要素搭 載於半導體積體電路裝置內的任意位置。 【圖面之簡單的說明】 第1圖是表示本發明之電壓控制振盪器的實施例之一 電路圖。 第2圖是表示習知之電壓控制振盪器之一電路圖。 第3圖是表示習知之電壓控制振盪器之另一電路圖。 第4圖是表示第1圖的實施例中的電平位移電路之一 電路圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ---------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 502493 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明(22) 第5圖是表示可使用於第1圖的實施例的電平位移電 路的變形例之一電路圖。 第6圖是表示本發明之電壓控制振盪器的其他實施例 之一電路圖。 第7圖是表示本發明之電壓控制振盪器的其他實施例 之一電路圖。 第8圖是表示本發明之P L L電路的實施例之一電路 圖。 第9圖是表示第8圖的實施例中的數位控制電路的電 路圖。 第1 0圖是表示第8圖的實施例中的供給泵的電路圖 〇 第1 1圖是表示可使用於第8圖的實施例的供給泵的 變形例之一電路圖。 第1 2圖是表不第8圖的實施例中的相位比較器的電 路圖。 第1 3圖是表示第8圖的實施例中的頻率比較器的電 路圖。 第1 4圖是表示本發明之半導體積體電路裝置的實施 例之一配置圖。 【圖號之說明】 10〇〜103:N通道型M〇S電晶體(NM〇S ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502493 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 B7五、發明説明(29 1 1 1〜1 1 5 : P通道型M〇s電晶體(PM〇S ) 120〜122:電容器(電容元件) 1 3 0 :振盪器 131:緩衝電路 1 3 2 :電平位移電路 1 5 0 :類比控制信號及其輸入端子 151:數位控制信號及其輸入端子 1 6 0 :振盪輸出及其輸出端子 1 7〇〜1 7 4,4 5 2 :內部信號及其節點 3 5〇:節點 321 〜325,331 〜335,340 :M〇S .電晶體 40 1〜40 5 : N通道型MOS電晶體(NM〇S ) 420〜423 : N通道型M〇S電晶體(NM〇S ) 411〜415 : P通道型MOS電晶體(PM〇S ) 431〜433 : P通道型M〇S電晶體(PM〇S ) 4 4 0 :電容元件 4 4 1,4 4 2 ··阻抗元件 4 5 0,4 5 1 :差動信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502493 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(2』 4 5 2 :內部信號 5〇1 ,502 :N通道型M〇S電晶體(NM〇S ) 511:P通道型M〇S電晶體(PMOS) 5 4 0 :電容元件 5 6 0 :輸出信號 604 ,605 :N通道型M〇S電晶體(NM〇S ) 614 ,615 : P通道型M〇S電晶體(PM〇S ) 714 ,715 : P通道型M〇S電晶體(PM〇S ) 7 5 1 :控制信號 8 0 0 :相位比較器 8 0 1 :頻率比較器 8〇2 :除頻器 8 0 3 :數位控制電路 8 0 4 :供給泵 8 0 5 :電壓控制振盪器 8 0 6 :時脈分配器 8 5 0 :基準信號 85 1〜854 ,86〇〜864 :內部信號及其節 點 8 7 0 :時脈信號 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27- 502493 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明( 900〜903:觸發電路 9〇4: 2位元計數器 9 0 7 :反相器 950,951,952:內部信號 1〇00〜1〇03:N通道型M〇S電晶體( N Μ 0 S ) 1010〜1013 :Ρ通道型M〇S電晶體( P Μ 0 S ) 1〇2 0,1 0 2 1 :阻抗元件 1030,1031:反相器 1 0 5 0〜1 0 5 2 :內部信號及其節點 1 1〇〇〜1 1〇7 : Ν通道型MOS電晶體( Ν Μ 0 S ) 1 1 10〜1 1 19 : Ρ通道型M〇s電晶體( P Μ 0 S ) 1130〜1132:電容元件 1 1 4 0〜1 1 4 3 :阻抗元件 1 1 5 0〜1 1 5 4 :內部信號及其節點 1400:半導體積體電路裝置 V. d d :高電壓側的電源及其端子 V s s :低電壓側的電源及其端子 —--------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. 502493
    Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 1 . 一種電壓控制振盪器,其特徵是具備: 將一端連接於第1電源,在閘極電極施加供以控制振 盪頻率的電壓之第1M〇S電晶體;及 連接於上述第1 Μ〇S電晶體的另一端與第2電源間 之振盪器;及 並列連接於該振盪器之第1電容元件;及 控制與上述第1 Μ ◦ S電晶體不同的上述振盪器的振 盪頻率之附加控制機構。 2 .如申請專利範圍第1項之電壓控制振盪器,其中 上述附加控制機構是根據1位元的數位信號來控制上述振 盪器的振盪頻率。 3 ·如申請專利範圍第1項之電壓控制振盪器,其中 上述附加控制機構是由串列連接於上述振盪器中的1個信 號節點與上述第2電源之間的第2電容元件及第2 Μ〇S 電晶體所構成。 4 .如申請專利範圍第1項之電壓控制振盪器,其中 上述振盪器是至少具備3個串列連接於Ρ通道型的Μ〇· S 電晶體及Ν通道型的Μ 0 S電晶體,並依次連接反相器的 輸出與輸入,且除了第1號以外,將任一奇數號之反相器 的輸出連接於上述第1號之反相器的輸入。 . 5 .如申請專利範圍第1項之電壓控制振盪器,其中 上述振盪器是至少具備3個串列連接於Ρ通道型的Μ〇S 電晶體及Ν通道型的Μ〇S電晶體,並依次連接反相器的 輸出與輸入,且將最後之反相器的輸出連接於最初之反相 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ------1Τ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502493 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 器的輸入。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 . —種P L L電路,是具有追隨週期性的基準信號 的相位,且產生具有預定整數倍的頻率的輸出信號,其特 徵是具有: 供以產生上述輸出信號之電壓控制振盪器;及 對上述電壓控制振盪器的輸出進行分頻之除頻器;及 產生供以對上述基準信號的相位區別上述除頻器的輸 出的相位的前進或延遲的相位檢測信號之相位比較器;及 針對上述基準信號的頻率來判別上述除頻器之輸出信 號的頻率差異,而使發出頻率差判別輸出之頻率比較器; 及 產生電壓會按照上述相位比較器及上述頻率比較器的 輸出而變化的類比信號之控制電路; 又,上述電壓控制振盪器具有: 一端連接於第1電源,且於閘極電極中連接有上述類 比控制信號之Μ〇S電晶體;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 連接於上述Μ 0 S電晶體與第2電源間之振盪器;及. 與該振盪器並列連接之電容元件。 7 .如申請專利範圍第6項之P L L電路,其中上述 控制電路會在每個對應於上述基準信號之一週.期的週期中 ,進行對應於上述相位比較器及上述頻率比較器的輸出之 上述類比控制電壓的電壓控制,且對應於上述頻率比較器 在一次檢測出頻率的差異時之一週期內之上述類上t控制信 號的電壓變化會比上述相位比較器的比較結果之一週期內 -30- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502493 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 的類比信號的電壓變化來得大。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 .如申請專利範圍第6項之P L L電路,其中上述 控制電路會在每個對應於上述基準信號之一週期的週期中 ,進行對應於上述相位比較器及上述頻率比較器的輸出之 上述類比控制電壓的電壓控制動作,且上述頻率比較器在 執行對應於檢測出頻率的差異時之電壓變化的週期及接著 的預定數量週期中,具有禁止根據上述相位比較器的比較 結果而產生電壓變化之電路機構。 9 . 一種P L L電路,是具有追隨週期性的基準信號 的相位,且產生具有預定整數倍的頻率的輸出信號,其特 徵是具有: 供以產生上述輸出信號之電壓控制振盪器;及 對上述電壓控制振盪器的輸出進行分頻之除頻器;及 產生供以對上述基準信號的相位區別上述除頻器的輸 出的相位的前進或延遲的相位檢測信號之相位比較器;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 針對上述基準信號的頻率來判別上述除頻器之輸出信 號的頻率差異,而使發出頻率差判別輸出之頻率比較器; 及 至少產生對應於上述頻率比較器的輸出的類比控制信 號之控制電路; · 又,上述電壓控制振盪器具有: 一端連接於第1電源,且於閘極電極中連接有上述類 比控制信號之Μ〇S電晶體;及 ’ 連接於上述Μ〇S電晶體與第2電源間之振盪器;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ 31 _ 502493 A8 B8 C8 D8 — … ""1 -------丨丨· --------- ' 1 "m11 〜 六、申請專利範圍 4 與該振盪器並列連接之電容元件;及 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據上述相位器所輸出的相位檢測信號來控制振擾頻 率之附加控制機構。 1 〇 . —種半導體積體電路+,其特徵是具有: 電壓控制振盪器;及 將上述電壓控制振盪器的輸出分配於各部電路之時脈 分配電路;及 對上述時脈分配電路所分配的一個時脈進行分頻之除 頻器;及 產生供以對上述基準信號的相位區別上述除頻器的輸 出的相位的前進或延遲的相位檢測信號之相位比較器;及 針對上述基準信號的頻率來判別上述除頻器之輸出信 號的頻率差異,而使發出頻率差判別輸出之頻率比較器; 及 產生電壓會按照上述相位比較器及上述頻率比較器的 輸出而變化的類比信號之控制電路; 又,上述電壓控制振邊器具有: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一端連接於第1電源’且於聞極電極中連接有上述類 比控制信號之Μ ◦ S電晶體;及 連接於上述Μ〇S電晶體與第2電源間之振盪器;及 與該振盪器並列連接之電容元件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -32 ·
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