TW500625B - Gas treatment agent, its production thereof, gas refining method, gas refiner and gas refining apparatus - Google Patents

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Toshihiko Sakurai
Yusuke Nakaya
Masato Kawai
Morimitsu Nakamura
Nobuhiro Okamura
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Nippon Oxygen Co Ltd
N E Chemcat Corp
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Description

500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（I ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有關於一種於存在有氧之環境下使含於鉑之 一氧化碳與/或氫氧化，同時藉由吸附除去所生成之二氧 化碳與/或水蒸氣。特別是有關於一種在壓縮空氣，除去 所含之微量雜質，冷卻，進行液化精餾而分離製造高純度 高純度氮'氧等之空氣液化分離裝置的原料氣體提純系 統’被使用於自壓縮空氣氧化並除去一氧化碳與/或氫之 氣體提純器的氣體提純用處理劑。而且有關於該氣體提純 用處理劑之製造方法，使用該氣體提純用處理劑之氣體提 純法與其氣體提純器之氣體提純裝置。 習知’用以作爲使用於製造高純度氮等空氣液化分離 裝置之提純原料空氣的氣體提純用處理劑係，使用鉑載體 氧化銘催化劑或鈀載體氧化鋁催化劑等。此些催化劑，因 爲了在大氣壓中氧化並除去含1至數ppm之一氧化碳與 /或氫’故必須於1 〇 〇 °C - 2 5 0 t：之溫度範圍下使 用，而且因爲藉由氧化捕捉所生成之二氧化碳、水蒸氣， 故反應後必須使氣體冷卻，而且使用吸附劑除去。因此， 加熱多量空氣與催化劑，而且不使用用以捕捉二氧化碳、 水蒸氣的冷卻設備與吸附劑不行，非常不經濟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 日本專利公報特開平4 一 2 1 9 1 1 1號公報中揭 露，於4.4 °C - 5 之反應溫度下使用催化劑製造高 純度氣體之方法係，於室溫附近使用催化劑之氣體提純 例。此方法係，藉由含有一氧化碳、氫、二氧化碳、水蒸 氣的空氣流動，首先以吸附劑除去水蒸氣，接著以氧化鉬 與氧化銅之混合物將一氧化碳氧化於二氧化碳後，藉由使 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（1) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用鈀催化劑氧化氫於水蒸氣，於此些催化劑之最後段配置 吸附劑，吸附去除二氧化碳與水蒸氣。然而，一氧化碳與 氧化氬時分別需要一氧化碳反應用與氫反應用催化劑層， 而且，爲了藉由處理氣體去除氧化反應時生成之二氧化碳 與水蒸氣，於催化劑層後段需要額外之吸附劑層。 相同地，日本專利公報特開平10 -85588號公 報中也揭露了，於0 °C - 1 0 〇 °C之反應溫度下使用催化 劑之氣體提純例。此方法係，在氧的環境下，個別單獨或 組合使用金載體金屬氧化物或鹼土類氫氧化物或鈀，與二 氧化碳吸附能力、水分吸附能力強之載附於吸附劑的催化 劑，而除去被含於氣體中之一氧化碳、氫、二氧化碳、水 分。然而，具有優良一氧化碳吸附能力與水分吸附能力之 吸附劑，因其上載附有催化劑成分，故藉由於其催化活性 點上一氧化碳與氫之氧化生成而吸附蓄積的二氧化碳與水 蒸氣具有，阻礙氣體流中之一氧化碳與氫吸附於催化活性 點上，甚且會阻礙催化活性，而且維持氣體流中一氧化碳 與氫氧化能之時間較短之缺點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，本發明之目的就是在提供一種氣蠢提純用處理 劑’於0 °C — 1 0 0 °c之溫度範圍內，具有可同時吸附去 除氧化一氧化碳與/或氫，所生成之二氧化碳與/或水分 的二元機能，而且，此吸附能力能持續較長時間。 本發明爲了解決上述課題，其目的在，提供一種氣體 處理劑及其製造方法與氣體提純法、氣體提純器、及氣體 提純裝置，係可同時去除含於氣體中之一氧化碳、氫、二 5 玉紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) - 500625 5977pif.doc/002 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ----_ 五、發明說明（3 ) 氧化碳及水分的氣體處理劑，保有高度氧化活性，而且壽 命長。 θ本發明之發明人等，爲了解決上述課題經討論結果硏 究出，在含氧的環境0°C〜8『c下，氧化含於氣體中之 一氧化碳（CO)與/或氫（H2)，同時除去所生成之二氧化碳 (C〇2)與/或水分(H2〇)，壽命較長之氣體處理劑，而完成 本發明。 亦即，本發明之目的在提供一種氣體處理劑，該氣體 處理劑由，以無機多孔性物質形成之催化劑與吸附劑構 成’該無機多孔性物質層含有由鉑（Pt)、鈀（Pd)、釕(Ru)、 鍺（Rh)所組成之群體中選出之元素或其氧化物之至少一 種。 而且，本發明之另一目的在提供一種上述氣體處理劑 造方法，及使用該氣體處理劑之^體提純法、氣體提 純器與氣體提純裝置。 本發明之氣體處理劑係，於吸附劑表面形成無機多孔 性物質層，該無機多孔性物質層含有由Pt、Pd、Ru與Rh 所組成之群體中選出之元素或其氧化物之至少一種。 本發明氣體處理劑中，使用載附由Pt、Pd、Ru與Rh 所組成之群體中選出之元素或其氧化物的無機多孔性物 質’作爲使氣體中之CO或H2氧化之催化劑。 被載附之Pt、Pd、Ru與Rh —種也可，二種以上也 可。而且，被載附物呈金屬狀態也可，呈氧化物狀態也可， 但是金屬狀態較佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q x 297公髮 (請先閱讀背面之注意事ί填寫本k) 訂---- 線― 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif-d〇c/002 pj B7 五、發明說明（y ) 用以作爲無機多孔性物質，最好使用氧化鋁、二氧化 鈦、二氧化矽、矽鋁、氧化锆、氧化錫、氧化鑭、氧化鈽、 活性炭、石墨碳。其中，氧化銘、一氧化鈦、一氧化石夕、 矽鋁、氧化锆、氧化錫更佳。此些中可單獨使用一種，也 可二種以上混合使用。 此些無機多孔性物質之比表面積係’ 1 〇m2/g以上 較佳，3 0 m2/g更佳。比表面積小於1 0 m2/g時，被 載附於上述無機多孔性物質成分的分散狀態將變差，活性 也傾於降低。 而且，被載附成分之載附量係，相對於氣體處理劑之 全部重量（催化劑重量+下述吸附劑重量），金屬換算最好 是0.2 5 — 1 0重量％，0.5 0 — 5重量％更佳。載附 量少於0 · 2 5重量％時氫氧化活性容易降低，多於1 ◦ 重量％時活性無法隨著載附量增加，較不經濟。 使此種催化劑以層狀形成於吸附劑。催化劑之厚度最 好是10 — 500 μηι，30 — 200 μιη更佳。厚度不到 1 0 μηι時，所生成之C02或Η20，容易阻礙CO或^對 催化活性點之吸附。而，若厚度超過5 0 0 μηι則催化劑 層容易剝落。藉由上述催化劑，使氣體中之CO或Η2氧 化，成爲<：〇2或η2ο。 本發明之氣體處理劑，爲了吸附此些生成之C02或 H2〇，而使用吸附劑。用以作爲吸附劑，只要適合於本發 明之目的，其他並無特別之限制。可使用例如沸石、活性 氧化鋁、活性炭，作爲吸附劑。此些之中，使用沸石較佳。 7 --^---I--------------^ — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（t)
沸石之比表面積最好大於1 0 0 m2/g。比表面積小於1 〇 〇 m2/g時容易降低吸附性能。沸石中，特別是Li-x 型、Na-X 型、Ca_X 型、Ba_X 型、Na-A 型、K-A 型、Ca_A 型較佳。吸附劑之形狀，並無限制，依條件適當地選擇球 狀、顆粒狀等即可。而，吸附劑之規格也是依使用條件選 擇適當的即可。 如此，本發明之氣體處理劑係藉由使其在吸附劑上形 成催化劑層，於催化劑層氧化之C02或H20係，未經留 於催化劑層即立刻被自催化劑層之吸附劑吸附。因此，催 化劑層可對C0或H2維持高度氧化活性。 故，本發明之氣體處理劑，不但可同時自氣體除去 co、h2、〇:〇2及 h2o，對於氧化 co、h2與吸附 co2、h2o 皆具有較長壽命。 如此種之氣體處理劑，可由下述方法製造。 較佳之製造方法係 (a) 調製催化劑之前軀體或催化劑之硏漿作業。 (b) 使硏槳附著於吸附劑再燒成之作業 此處，調製催化劑前軀體之硏漿的方法，可混合例如 水、無機多孔性物質之粉末、被載附之Pt、Pd、Rh或RU 的出發材料及膠黏劑等，再粉碎而得之。 可使用例如氯化鈀、氯化铑等之氯化物、硝酸鈀、硝 酸釕等硝酸鹽、硫酸铑硫酸釕等硫酸鹽、乙酸鈀、乙酸铑 等乙酸鹽，作爲被載附成分之出發材料。而且，也可使用 此些元素之有機酸鹽、胺鹽、鹼鹽、有機襄複體等。 8 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) '~~ -----1--------------訂-------！線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A/ _B7 五、發明說明（ί;) 可使用例如，硫酸鋁、硝酸鋁、矽酸鈉、二氧化矽溶 膠、氧化鋁溶膠、氧化鍩溶膠等作爲膠黏劑。而且，可使 用乙酸等有機酸、硝酸等物機酸代替上述膠黏劑。而且， 還可視需要添加消泡劑。 接著，使硏漿附著於吸附劑的方法，並無特別之限制， 例如，浸漬法、噴無法等習知方法。 燒成也可在空氣中也可在不活性氣體中，燒成溫度最 好在200 — 600 °C，400 — 500。(：更佳，燒成時 間最好是30分鐘—5小時，1一3小時更佳。 而且上述（b)作業後，也進行氣相還原工程。藉由氣 相還原工程可製造具有更高活性之氣體處理劑。此氣相還 原工程所使用之還原劑可使用，氫或與氫及氮等不活性氣 體之混合氣體。還原溫度最好在15〇一5〇〇它，5〇 0 — 4 0 〇 °c更佳，還原時間最好是3 〇分鐘一 5小時， 2 — 3小時更佳。 上述氣體處理劑的另一較佳製造方法係，由 (a) 調製上述無機多孔性物質之硏漿的作業 (b) 使硏漿附著於吸附劑再燒成的作業 (c) 調製由鉑、鈀、釕與铑所組成之群體中至少選出一種 之出發材料硏漿的作業 (d) 使硏漿附著於該吸附劑再燒成的作業， 所組成之方法。而且，此(d)作業後也可進行氣相還原。 第1圖其所繪示爲，藉由電子束微分析器（ΕΡΜΑ)測 定由上述製造方法製造之氣體處理劑的模式圖。得知吸附 9 本紙張尺度翻中國國ti^Js)A4規格⑽x 297公爱） I I .i ^ I I I I · I I--I--訂-----I I-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（1) 劑上形成催化劑層。 接著，說明可達成上述目的之氣體提純法。此氣體提 純法之實施形態係，提純被視爲微量雜質的至少含一氧化 碳與/或氫之原料氣體，再除去該微量雜質之氣體提純 法，使用具有上述氧化催化性能與吸附性能之氣體處理劑 作爲上述原料氣體，設定溫度爲0 — 8 0°C再提純。 上述氣體處理劑，由下述評價結果明顯得知’常溫左 右較適於使用。用以作爲可於常溫附近操作之氣體提純 器、氣體提純裝置，具有操作成本上之優勢。而且，氫與 氫之氧化反應係，高溫時較有益於反應，藉由氧化反應提 純之二氧化碳與水之吸附去除能力係低溫時較易進行，故 本氣體處理劑若於低於1 0 0°C最好是8 0低於°C之環境 下，較適於進行所預期之氣體處理運作。 第二圖其所繪示爲，本發明之實施形態中，適用於空 氣液化分離裝置之前處理時的提純器及提純裝置。第二圖 中’氣體提純器1 1 a、1 1 b順著空氣流動方向以，在 具有原料氣體導入口與導出口之充塡用容器內，由吸附去 除壓縮空氣中水分之吸附劑(例如活性氧化鋁）形成之第一 吸附劑層2 8，及由吸附去除壓縮空氣中之二氧化碳之吸 附劑（例如，Na-X形沸石）的第二吸附劑層2 g，及由上 述氣體處理劑形成之氣體處理劑層3 〇構成，該氣體處理 劑係於氧所存在之環境下，將氧化一氧化碳與氫之含金屬 催化劑塗怖於吸附劑。 以空氣壓縮機加壓之原料空氣，分離在空冷或水冷時 界又週用〒國國家標準（cns)a4規格（21〇 X 297 —；—；—------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 pj __ B7 五、發明說明（？） 以適當溫度冷卻之丨规縮水後’被導入第一'吸附劑層2 8。 第一吸附劑層2 8之吸附劑是乾燥劑，被含於壓縮空氣中 之大部分水分被吸附去除後，成爲高度乾燥狀態而被導入 第二吸附劑層2 9。此處之乾燥狀態中，露點最好高於一 7 0 〇C。 第二吸附劑層2 9中，含於壓縮空氣被吸附去除的二 氧化碳非常少（約低於1 ppm)。而且，上述水分與/或二 氧化碳吸附劑具有，可吸附含有上述原料氣體之催化劑被 毒成分的功能。因此’壓縮空氣在通過第~'、第二吸附劑 層2 8、2 9的期間，可對含於其中之極微量揮發性碳氫 化合物類、有機硫磺化合物、硫磺氧化物、氮氧化物等， 含於空氣中之氧化活性除去其有害之成分，而對催化劑形 成淸淨之條件。 然後，對催化劑屬淸淨條件之壓縮空氣，被導入一氧 化碳與氫處理去除用之上述氣體處理劑層3 0，含於壓縮 空氣中之微量一氧化碳與氫，藉由含有對被塗布於上述吸 附劑之一氧化碳與氫進行氧化處理之金屬的催化劑層之催 化劑作用，而與加壓空氣中之氧分反應，被變換爲二氧化 碳與水。此二氧化碳與水，可立即被催化劑載體係吸附而 被從原料空氣去除。 接著從第三圖說明本發明之其他形態例。第三圖其所 繪示爲，氣體提純器1 1 a、1 1 b中，於氣體處理劑層 3 0前段僅設置一層吸附劑層3 1時，即用以作爲二層充 塡式提純器之例。此例中，於前段吸附劑層3 1，使用可 --,,--------------III--訂----I---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 500625 5977pif.doc/002 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（7 ) 同時吸附水分與二氧化碳二者之吸附劑（具有上述吸附劑 層2 8 + 2 9之吸附劑，例如Na-x型沸石），預先除去 原料空氣中所含有之水分與二氧化碳，接著於氣體處理劑 層3 0，除去微量之一氧化碳與氫。然後，也可於前段吸 附劑層3 1，使用吸附去除水分之吸附劑（例如活性氧化 鋁）。 上述氣體提純器，爲達上述目的，於具有原料氣體導 入口及導出口之充塡用容器中，自原料氣體導入口側依序 形成，水分吸附劑充塡層、二氧化碳吸附劑充塡層，再形 成具有上述氧化催化劑功能與吸附功能之氣體處理劑充:¾ 層，或是形成水分與二氧化碳吸附劑充塡層，再形成上_ 氣體處理劑之充塡層，或是形成水分吸附劑充塡層，再形 成上述氣體處理劑之充塡層，然後充塡上述吸附劑與上_ 氣體處理劑。特別是，上述吸附劑係，具有可吸附含上_ 原料氣體之催化劑被毒成分之功能的吸附劑之氣體提糸屯 器。 爲達成上述目的本發明之氣體提純裝置包括，複數s 之上述氣體提純器，及切換裝置，用以使該氣體提純器之 提純作業與再生作業交互切換，及再生氣體供給裝置，_ 以以向流方向供給於再生作業之該提純器中再生氣體，胃 交互切換使用氣體提純器，並反覆再生使用。 本發明之氣體提純法係，提純含有少量水分與二氧 碳雜質，及至少含有微量一氧化碳與/或氫雜質的原料氣 體，再去除該少量雜質與微量雜質時，首先藉水分吸附劑 — I 1---;--I-------------tr---------線 (請先閱讀背面之注咅ί事項再填寫本頁) 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明uo 吸附去除所含之水分，接著藉二氧化碳吸附劑吸附去除所 含之二氧化碳，然後藉上述氣體處理劑去除所含之微量一 氧化碳與/或氫。 而且，本發明之方法係，提純含有少量水分與/或二 氧化碳雜質，及至少含有微量一氧化碳與/或氫雜質的原 料氣體，再去除該少量雜質與微量雜質時，首先藉水分與 二氧化碳吸附劑吸附去除所含之水分與/或二氧化碳，接 著藉具有上述氧化催化劑功能與吸附功能之處理劑去除所 含之微量一氧化碳與/或氫，或是，首先藉水分吸附劑或 二氧化碳吸附劑吸附去除所含之水分與/或二氧化碳，接 著藉具有上述氧化催化劑功能與吸附功能之處理劑去除所 含之微量一氧化碳與/或氫。 因爲使用上述氣體處理劑可以一個處理劑對應，在氧 存在之環境0 - 8 0°C之溫度範圍內，有效率地氧化一氧 化碳與/或氫至低濃度，同時有效率低吸附去除所生成之 水蒸氣與/或二氧化碳之至低濃度的二元機能，故相對於 氣體提純器中之氣體流向，可配置於最下游位置，不需要 如習知再提純裝置之處理劑後段中，藉氧化去除所生成之 二氧化碳與水蒸氣，故不需吸附劑層，裝置也可變小。 而且，提純前若氣體中含有氯、硫磺化合物等催化劑 被毒成分時，也可藉由將本氣體處理劑配置於提純器中最 下游位置，而將上述被毒成分對本氣體處理劑中催化劑成 分之影響防止至最小限度。 而且，因二氧化碳與水蒸氣之吸附而降低本氣體處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --^------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 ^ __B7 五、發明說明（丨丨） 劑之氧化能力或吸附能力時，藉向流再生氣體處理時，可 藉由在最後段配置上述氣體處理劑，而以最淸淨之再生氣 體處理當該氣體處理劑而有效地再生，再維修上也較佳。 本發明之氣體處理劑係，於〇 一 8 〇 °C之溫度範圍內 具有一氧化碳與/或氫之氧化功能，而且，可同時低濃度 且長時間地吸附去除所生成之二氧化碳與水蒸氣，故進行 含大氣等一氧化碳、氫、二氧化碳、水分氣體之氣體提純 時，對提純器中氣體之流向係，於入口處依序充塡水分與 /或二氧化碳吸附劑充塡層，及氣體處理劑，即可容易地 獲得提純氣體。 本發明所開發之氣體處理劑，於〇 一 8 〇 °C之溫度範 圍內具有同時氧化一氧化碳與/或氫之氧化功能，而且， 可同時低濃度且長時間地吸附去除所生成之二氧化碳與水 蒸氣，故用以作爲催化劑層之本氣體處理劑充塡層相對於 氣體提純器中之氣體流向，可配置於最下游位置，而且不 需要於提純裝置氣體處理劑層後段中，除去藉氧化而生成 之二氧化碳與水蒸氣的吸附設備，可使吸附設備整體變小 且簡略化。 提純前因爲長期使用大氣空氣等之中，所含微量自工 廠廢氣、汽車排氣排除之氯、氯化氫、三氯乙烯等氯化物 或硫化氫、硫醇等硫磺化合物、VOC(有機揮發化合物）、 其他碳黑等催化劑，使催化劑表面含有蓄積之被毒成分， 然而即使如此差之狀況下，本氣體處理劑，也因可配置於 提純器中最後方，而將上述被毒成分對本氣體處理劑中催 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨丨丨—丨丨II丨丨丨丨丨丨丨丨訂·丨丨丨丨！ II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（lz) 化劑之影響防止至最小限度。 因爲二氧化碳與水蒸氣之吸附飽和降低本氣體處理劑 之氧化催化劑功能或吸附功能時，藉向流淸淨氣體進行再 生處理時，因最後段配置有上述氣體處理劑故不會受自前 段層脫落之雜質的影響，而可有效率地進行再生。 圖式之簡單說明： 第1圖所繪示爲藉測定之本發明氣體處理劑剖 面模式圖。 第2圖所繪示爲本發明氣體提純器之一形態例 圖。 第3圖所繪示爲本發明氣體提純器之另一形態 例圖。 第4圖所繪示爲本發明氣體提純器適用於空氣 液化分離裝置之前處理的一實施例圖。 圖式標號說明： 1 :催化劑層 2 :吸附劑 8 :路徑 9 a :氣體入口閥 9b :氣體入口閥 1 〇a :原料氣體入口路徑 1 0 b :原料氣體入口路徑 1 1 a :氣體提純器 --_---------丨丨裝--------訂-----I--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適甩中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（丨;ο 11b:氣體提純器 1 2 a :氣體出口閥 1 2 b :氣體出口閥 1 3 a :氣體出口路徑 1 3 b :氣體出口路徑 14 :精製空氣出口路徑 15 :空氣液化分離裝置 16 :加熱器 17 :再生氣導入路徑 1 8 a :再生氣入口閥 18b:再生氣入口閥 19a:再生氣入口路徑 19b:再生氣入口路徑 2 0 a :再生氣出口閥 2 0 b :再生氣出口閥 2 1 a :再生氣出口路徑 21b:再生氣出口路徑 22 :再生氣導出路徑 2 5 a :氣體導入口 2 5 b :氣體導入口 2 6 a :氣體導出口 2 6 b :氣體導出口 2 7 :充塡用容器 28 :第一吸附劑層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --J---------------I----訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 500625 5977pif.doc/002 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（屮） 29 :第二吸附劑層 30 :氣體處理劑 31 :吸附劑層 實施例 以下藉本氣體處理劑之製造方法實施例詳細說 明本發明，但是此些實施例並非用以限制本發明。 第一實施例 (1)市面上之5重量％?(1氧化鋁粉末3 3 0 g中加入去離 子水7 4 0 g，乙酸3 0 ml，藉硏磨機濕式粉碎此混合物 1 5小時，即獲得催化劑硏漿。 (2 )將吸附劑(Na-X型，直徑1 .5 mm，高3 mm)9 0 0 g 投入藥九塗布機(pill coat machine)，使其轉動，再藉噴霧 器將（1)所獲得之催化劑硏漿5 5 0 g塗布於吸附劑。將 其取出後，以熱風乾燥機1 0 〇°C乾燥1小時後，移至石 英盤，藉電氣爐於空氣中5 0 CTC下燒成1小時，即獲得 氣體處理劑A- 1。 第二實施例 利用氫還元爐將自第一實施例獲得之處理劑 A— 1，於1 〇容量％H2(餘N2)氣體中，2 0 0°C下進行 2小時還元處理，即獲得氣體處理劑a- 2。 第三實施例 利用氫還元爐將自第一實施例獲得之處理劑 A- 1，於1 〇容量％112(餘N2)氣體中，4 0 0 °C下進行 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） • — ΙΊΙΙ — — — — — — -ml — ——— ^ « — IIIIII — {請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 幻 __________ B7 五、發明說明（丨c ) 2小時還元處理，即獲得氣體處理劑A- 3。 箆四實施例 (1)市面上之氧化鋁粉末4 6 2.5 g(比表面積1 0 Qm2/ g)中加入含相當於金屬鈀1 2.5g之硝酸鈀（Pd(N〇3)2)的 去離子水7 1 5 .5g與氧化鋁溶膠（氧化鋁1 0重量％)， 藉硏磨機濕式粉碎此混合物1 5小時，即獲得催化劑前驅 體硏槳。 (2 )將與第一實施例（2 )所使用相同之吸附劑7 4 2 g投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之催 化劑硏槳4 7 2 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾 燥機1 0 0 °C乾燥1小時。再投入藥丸塗布機，使其轉動， 重複上述塗布、乾燥。接著，移至石英盤，藉電氣爐於空 氣中5 0 0 °C下燒成1小時後，使用氫還元爐，於1 〇容 量％1^(餘NO氣體中，2 〇 〇 °c下進行2小時還元處理， 即獲得氣體處理劑A- 4。 第五實施例_ (1 )市面上之1 〇重量％?(1氧化鋁粉末丄6 5 g中加入去 離子水6 4 5 g，乙酸1 5ml，藉硏磨機濕式粉碎此混合 物1 5小時，即獲得催化劑硏漿。 (2 )將與第一實施例（2 )所使用相同之吸附劑9 8 9 g投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（i )所獲得之硏 紫4 1 3 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾燥機1 〇 0 °C乾燥1小時。移至石英盤，藉電氣爐於空氣中5 〇 〇 °C下燒成1小時。 --Ϋ I I I--I I----HI —--I ^ « — — — — In — (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公髮） ------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pifd〇c/002 A7 B7 五、發明說明（仏） (3)其後，使用氫還元爐，於1 〇容量。ah2(餘n2)氣體中， 2 0 0 °C下進行2小時還元處理，即獲得氣體處理劑a-5。 第六實施例 (1 )市面上之5 %Pt氧化鋁粉末3 3 0 g中加入去離子水 7 4 0 g，乙酸3 0 ml，藉硏磨機濕式粉碎此混合物1 5 小時，即獲得催化劑硏漿。 (2)將與第一實施例（2)所使用相同之吸附劑9 0 〇g投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之硏 漿5 5 0 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾燥機1 0 0°C乾燥2小時後，移至石英盤，藉電氣爐於空氣中5 0 0 °C下燒成1小時。 (3 )其後，使用氫還元爐，於1 0容量％112(餘n2)氣體中， 2 0 0°C下進行2小時還元處理，即獲得氣體處理劑A -6 〇 箆七實施例 (1)市面上之氧化鋁粉末4 4 2 g(比表面積1 0 0 m2/g) 中加入含相當於金屬鈀2 5g之硝酸鈀(Pd(N03)2)的去離 子水4 8 7.5g、含相當於金屬鉛8·3 5g之四氨合鉑· 乙酸鹽[Pt(NH3)4 · (〇ac)2]的去離子水4 8 7.5 g與氧化鋁 溶膠（氧化鋁1 0重量％)2 5 Og，藉硏磨機濕式粉碎此混 合物1 5小時，即獲得催化劑前驅體硏漿。 (2 )將與第一實施例（2 )所使用相同之吸附劑9 0 0 g投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之硏 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） .. ； 裝--------訂-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A7 — B7 五、發明說明（丨1) 漿5 5 0 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾燥機1 0 0 t乾燥1小時後，移至石英盤，藉電氣爐於空氣中5 0 0 °C下燒成1小時。 (3)其後，使用氫還元爐，於1 0容量％H2(餘N2)氣體中， 2 0 0°C下進行2小時還元處理，即獲得氣體處理劑a -7。 第八實施例 (1 )市面上之氧化銘粉末4 4 2 g(比表面積1 〇 0 m2/g) 中加入含相當於金屬鈀2 5g之硝酸鈀（Pd(N03)2)的去離 子水4 8 7.5g、含相當於金屬铑8.3 5g之硝酸铑 (Rh(N03)3)的去離子水4 8 7 · 5 g與氧化鋁溶膠（氧化鋁1 0重量％) 2 5 0 g，藉硏磨機濕式粉碎此混合物1 5小 時，即獲得催化劑前驅體硏槳。 (2 )與第七實施例（2 )進行相同處理。 (3 )與第七實施例（3 )，除了溫度係4 0 0 °C皆進行相同 處理，即獲得氣體處理劑A- 8。 第九實施例 (1)市面上之氧化錦粉末4 4 2 g(比表面積1 0 0 m2/g) 中加入含相當於金屬鈀2 5g之硝酸鈀（Pd(N03)2)的去離 子水4 8 7 · 5 g、含相當於金屬釕8 · 3 5 g之Ru nitrosyl nitrate([Ru(N0)(N03)3])的去離子水 4 8 7.5 g 與氧化鋁 溶膠（氧化鋁1 0重量％)2 5 Og，藉硏磨機濕式粉碎此混 合物1 5小時，即獲得催化劑前驅體硏漿。 (2 )與第七實施例（2 )進行相同處理。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨丨1---------------訂---------線Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 500625 5977pif.doc/002 fij B7 五、發明說明（β) (3 )與第八實施例（3 )進行相同處理，即獲得氣體處理劑 A — 9 〇 第十實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 )市面上之氧化鋁粉末4 5 Og(比表面積1 0 〇m2/g) 中加入含相當於金屬鈀2 5g之硝酸鈀（Pd(N03)2)的去離 子水1 0 6 7 g與二氧化矽溶膠（氧化鋁2 0重量°/。）1 2 5 g，藉硏磨機濕式粉碎此混合物1 5小時，即獲得催化 劑硏漿。 (2 )與第七實施例（2 )進行相同處理。 (3)與第八實施例（3)進行相同處理，即獲得氣體處理劑 A- 1 〇 〇 第+ —實施例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 )市面上之氧化銘粉末8 0 g(比表面積1 〇 0 m2/g)中 加入含相當於金屬鈀1 0 0 g之碳黑鈀、去離子水1 9 1 g與氧化鋁溶膠（氧化鋁1 0重量％) 2 0 0 g，藉硏磨機濕 式粉碎此混合物1 5小時，即獲得催化劑前驅體硏漿。 (2)將與第一實施例（2)所使用相同之吸附劑4 0 Og投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之催 化劑硏槳2 8 6 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾 燥機1 0 0 °C乾燥1小時。 (3 )與第八實施例（3 )進行相同處理，即獲得氣體處理劑 A- 1 1 〇 第十二實施例 (1 )藉硏磨機濕式粉碎市面上之氧化鋁粉末1 8 0 g(比表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（Η) 面積1 0 0 m2/g)、去離子水2 8 7 g與氧化鉬溶膠（氧 化鋁1 0重量％) 2 0 0 g之混合物1 5小時，即獲得氧化 鋁硏漿。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) (2) 將與第一實施例（2)所使用相同之吸附劑9 0 Og投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之氧 化鋁硏漿5 2 2 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾 燥機1 0 0它乾燥1小時，再移至石英盤，藉電氣爐於空 氣中5 0 0 °C下燒成1小時。接著，再將燒成之吸附劑投 入藥九塗布機，使其轉動，然後藉噴霧器塗布含相當於金 屬鈀8 · 2 5 g之硝酸鈀(Pd(N03)2)的去離子水3 0 0 g。 接著，重複（2 )之乾燥、燒成。 (3) 與第八實施例（3)進行相同處理，即獲得氣體處理劑 A— 1 2 〇 第一比較例 依循日本專利公報特開平1 0 — 8 5 5 8 8號公報揭 露之第一實施例1製造。 (1 )藉去離子水稀釋相當於金屬鈀5 · 3 g之硝酸鈀 (Pd(N03)2)，而作成硝酸？(1水溶液3 1(^。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )將與第一實施例（2 )所使用相同之吸附劑5 0 0 g投 入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之硝 酸Pd水溶液3 1 0 g塗布於沸石。將其取出後，以熱風 乾燥機1 0 0 °C乾燥1小時，再移至石英盤，藉電氣爐於 空氣中5 0 0 t下燒成1小時，即獲得氣體處理劑B — 1 ° 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5977pif.doc/002 A7 B7 五、發明說明（Μ) 第二比較例 使用氫還元爐，將第一比較例所獲得之氣體處理劑Β - 1，進行與第二實施例相同之處理，即獲得氣體處理劑 Β— 2 〇 第三比較例 (1)藉硏磨機濕式粉碎市面上之2重量％Pd氧化鋁粉末3 3 0 g(比表面積1 0 0 m2/g)、去離子水7 4 0 g與乙酸 3 0 ml混合物1 5小時，即獲得催化劑硏漿。 (2 )將與第一實施例（2 )所使用相同之吸附劑1 1 1 5 g 投入藥九塗布機，使其轉動，再藉噴霧器將（1 )所獲得之 硏漿5 5 0 g塗布於吸附劑。將其取出後，以熱風乾燥機 1 0 0 °C乾燥1小時後，移至石英盤，藉電氣爐於空氣中 5 0 CTC下燒成1小時。 (3)與第二實施例進行相同處理，即獲得氣體處理劑B-3 〇 第四比較例 依循日本專利公報特開平1 0 - 8 5 5 8 8號公報揭 露之第一實施例4製造。 以市面上之0.5 0%Pd氧化鋁球（催化劑尺寸直徑 3 mm)作爲氣體處理劑B— 4。 表1其所表示爲以上所獲得之氣體處理劑詳細。 23 I I .1.--I---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500625 mrUJcLha五、發明說明
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500625 Μ Α7Β7 明 發 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 ή 願Ρ It 2 5 0 Olilh 、 2500壯 2 5 0 0趾 2 5 0 omi 2 5 0 Olilt 2 5 0 om： 2500m： 2 5 0 ORh 2 5 0 Oliih 2 5 0 Oliih 2500m： 2 5 0 Olilt 2500趾 2 5 0 om： 2 5 0 0趾 2 5 0 om： 2 5 0 om： 纖 1 800 1100 1200 1200 1050 1000 1050 1000 950 1000 1100 1000 1000 350 400 1000 LO η2 mmmmm 400 2 5 0 0社 2 5 0 0社 2 5 0 om： 2 5 0 0趾 2 5 0 omi 2 5 0 om： 2500m： 2 5 0 0趾 2 5 0 0趾 2 5 0 0趾 250 om： 1 2500趾 ：200 ;400 ο CO I 200 CO __鐧分) 2 5 0 0趾 2 5 0 0DXL· 2 5 0 0趾 2 5 0 OJ^Lh 2 5 0 0趾 2500壯 2 5 0 ORh 2 5 0 0趾 2 5 0 ORh 2 5 0 0社 2 5 0 0趾 1 2 500趾 1 2500趾 ：200 ! 600 1 2 0 0趾 200 衡權_層之平均厚度 (_ 〇 CD 〇 〇 CD 200 ο LO ο CD o CD o 〇) ο 〇 卜 〇 00 110 120 1 1 100 1 第二·_廒翻八―2 00 1 < I 1 1 i It 濉 第嘯刪廒猶丨J A—4 第五雙_廒臜!1八一5 第τ^Μίί 廒·Α—6 卜 1 < I 續 1 m i 第鳩_廒酬A— 8 第九J^IIA— 9 第十^PJA—10 第+-窗_廒麵A— 1 1 第十二廒麵A—12 第十三戴_ 1 3 第一賺例廒麵B—1 第二I：酬 2 第atwj 丨jb—3 第四t獅J 4 — — ^-I-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂！！ 500625 5^77pi I'.doc/〇〇2 A7 B7 五、發明說明（4) 由評價試驗結果可明顯得知，本發明第一實施例至第 十二實施例與第一比較例至第四比較例相較之下’功能上 有明顯地差異。 第一實施例至第十二實施例之任一氣體處理劑皆較第 一、二與四比較例之氣體處理劑吸附轉效時間長。第三比 較例中，CO吸附轉效時間、co2吸附轉效時間、與本發 明之氣體處理劑程度幾乎相同，但是H2吸附轉效時間則 非常短。 由上述評價試驗結果明顯得知，藉由使用本發明氣體 處理劑可得到下述有利之效果。 (.1 )以被使用於半導體產業之空氣爲原料之高純度氮 氣製造過程中，爲了使含於原料空氣中之一氧化碳與/或 氫，於氧環境下0 - 8 0 °C之溫度範圍內有效率地氧化’ 同時可有效率地吸附去除水蒸氣與/或二氧化碳之極低濃 度，而與習知將原料空氣一旦加熱至100 — 250 °C之 溫度並藉一氧化碳與/或氫之催化劑反應氧化去除的過程 1：匕較之下，得知其不需加熱經濟上較優。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) (2 )因可以一氣體處理劑對應二元機能，故相對於氣 '體提純器中之氣體流向，可配置於最後方，相較於習知過 胃不需要於提純裝置中處理劑後段，藉由冷卻裝置與氧化 生成之二氧化碳與水蒸氣的吸附劑層，使裝置全體 簡略化，且較經濟。 ^ ( 3 )即使原料氣體中含有氯、硫磺化合物、VOC等催 每成分時，也可藉由將本發明處理劑配置於提純裝 28 本纸張尺度適 (CNS)A4 規格（210 X 297 公釐） 500625 /002 A7 B7 五、發明說明（4) 置中最後方，而將上述被毒成分對本氣體處理劑中催化劑 成分之影響防止至最小限度，可延長之再生之量程，並延 長氣體處理劑之整體使用壽命。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (4 )因二氧化碳與/或水分之吸附使氣體處理劑之 氧化催化劑功能或吸附功能降低時之淸淨氣體的逆流引起 的再生處理時，藉由於最後段配置上述氣體處理劑音階最 淸淨之再生氣體處理該氣體處理劑，故較容易有效率地接 受再生，而提高氣體處理劑之活性回復度，並延長使用壽 命。 接著說明使用本發明氣體處理劑空氣液化分離裝置前 處理裝置之實施例。第四圖之流程圖中，1 1 a、1 1 b 係，上述提純器，於具有氣體導入口 2 5 a、2 5 b與導 出口 26a、26b之充塡用容器27a、27b內，依 序自氣體導入口側充塡入充塡第一吸附劑層2 8之吸附水 的氣體導出口 2 6 a(例如活性氧化鋁）、充塡第二吸附劑 層2 9之吸附二氧化碳的吸附劑（例如沸石）、充塡氣體處 理劑層3 0的在氧之環境下氧氧化處理一氧化碳與氫之上 述氣體處理劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 空氣取入口 1內具備過濾器2，該空氣取入口 1介由 路徑3連通空氣壓縮機4，該空氣壓縮機4介由路徑5連 通冷卻器6。該冷卻器6導出側設有水分離器7，由壓縮 冷卻後之氣體去除飽和分以上之水。水分離器7導出側之 路徑8分歧爲，具有氣體入口閥9 a之原料氣體入口路徑 1 0 a與具有氣體入口閥9 b之原料氣體入口路徑1 0 b， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^0625 ^0625 ^Π7ρΐ Γ doc/0 0： A7 B7 i、發明說明（η) 分別以氣體導入口 2 5 a、2 5 b連通氣體提純器1 1 a、 1 1 b。該氣體提純器1 la具有自氣體導出口 2 6a之 氣體出口閥1 2 a的提純氣體出口路徑1 3 a與氣體提純 器1 lb具有自氣體導出口 2 6b之氣體出口閥1 2b的 提純氣體出口路徑1 3b，匯流於精製空氣出口路徑1 4， 並自路徑1 4將提純空氣送往空氣液化分離裝置1 5。 而且，再生氣體導入路徑1 7分歧爲，具有再生氣體 入口閥1 8 a之再生氣體入口路徑1 9a與具有再生氣體 入口閥1 8 b之再生氣體入口路徑1 9 b，本別連通提純 氣體出口路徑13a、13b之氣體出口閥12a、12b 氣體流向上游。具有分別連通原料氣體入口路徑1 0 a、 1 0 b之再生氣體出口閥2 〇a、2 0 b的再生氣體出口 路徑2 1 a、2 1 b，匯流於再生氣體導出路徑2 2。而 且，提純氣體出口路徑1 3 a、1 3 b氣體出口閥1 2 a、 1 2 b之氣體流向上游，連通具有加壓閥2 3之加壓路徑 2 4。 接著，說明藉由上述裝置之空氣提純法。自空氣取入 口 1供入之原料空氣，介由過濾器2、路徑3導入空氣壓 縮機4，月被壓縮爲5 — 1 0 kg/ cm2G後，經由路徑5 被導入冷卻器6，凝縮水分藉被冷卻爲約5 - 5 0 °c之水 分離器7分離，含有水分成爲飽和蒸氣壓分，自路徑8介 由具有開放之氣體入口閥9 a的原料氣體入口路徑1 〇 a，被導入具有吸附處理作業之以提純器，例如氣體提純 器 1 1 a。 3 0 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 '7 7 p i Γ . ϋ n c / Π 0 2 Α7 Β7 五、發明說明（β ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被導入氣體提純器1 la之壓縮空氣，首先於導入口 最下層之充塡層的第一吸附劑層2 8吸附去除所含有之大 部分水分。接著，於其上方所形成之第二吸附劑層2 9吸 附去除其所含有之大部分二氧化碳。然後原料空氣在最上 方被形成於靠近氣體導出口之氣體處理劑層3 0，藉壓縮 空氣中之氧氧化處理所含有之一氧化碳與/或氫，而轉化 爲氧與水，此被轉化之二氧化碳與水，立即被氣體處理劑 層3 0之吸附劑吸附爲提純空氣，在自氣體導出口 26a 介由具有開放氣體出口閥1 2 a之提純氣體出口路徑1 3 a與精製空氣出口路徑1 4送往空氣液化分離裝置1 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 而且，藉氣體提純器1 1 a提純壓縮空氣時，於另一 側氣體提純器1 la進行爲了除去吸附在氣體處理劑層3 0、第一、第二吸附劑層2 8、2 9之雜質的再生。亦即， 開放再生氣體出口閥2 0 b，介由再生氣體出口路徑2 1b 與再生氣體導出路徑2 2將氣體提純器1 1b內之壓力開 放疏散於大氣壓後，開放再生氣體入口閥1 8b藉加熱器 1 6將部分再生氣體，例如提純空氣，經由再生氣體導入 路徑1 7，昇溫至約1 5 0 °C後，介由再生氣體入口路徑 1 9 b、再生氣體入口閥1 8 b自氣體導出口 2 6 b導入氣 體提純器1 1b內，進行氣體提純器1 1b之氣體處理劑 或吸附劑再生。再生處理過之空氣，介由原料氣體入口路 徑1 Ob、再生氣體出口閥20b、再生氣體出口路徑2 1 b、與再生氣體導出路徑2 2排出至大氣。 於氣體提純器1 1b內加熱一定時間後，關上加熱器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5 7 7 p i I d e 川 U 2 A7 B7 五、發明說明（β) 進入冷卻工程。當氣體提純器1 1b內達到特定之冷卻溫 度即算完成再生作業。再生完成後，關上再生氣體入□閥 1 8 b與再生氣體出口閥2 0 b打開加壓閥2 3，將自氣 體提純器1 1 a之部分提純空氣，介由提純氣體出口路徑 1 3 a、加壓路徑2 4與氣體出口路徑1 3 b，從氣體導出 口 2 6 b導入氣體提純器1 1b內，再使氣體提純器1 1匕 內昇壓。完成此加壓後，關上加壓閥2 3，打開氣體入口 閥9 b將壓縮空氣導入氣體提純器1 1 b，使該氣體提純 器1 1b內充壓至特定之操作壓力。然後，關閉氣體入口 閥9 a與氣體出口閥1 2 a，同時打開氣體入口閥9 a與氣 體出口閥1 2 b，將壓縮空氣導入氣體提純器1 1 b開始 進行在該氣體提純器1 1 b之處理，其係與氣體提純器1 1 a進行相同之處理提純壓縮空氣，與氣體提純器1 1 & 時同樣自氣體提純器1 lb將提純空氣送往空氣液化分離 裝置1 5。另外，對於氣體提純器1 1 a係，與上述進行 相同之再生作業。 而且，關於此氣體提純器1 1 a、1 1 b之吸附一脫 落系統，此處雖僅針對TSA法進行說明，也可進行PSA 法。而且，氣體提純器也可採用如第3圖其所繪示之二層 充塡式。 而且，上述實施例係本發明於空氣液化分離中適用於 原料空氣之提純例，但是並不限於空氣凡提純含有相同雜 質之氣體當然皆適用。 本發明氣體處理劑係，藉由於吸附劑形成催化劑層之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500625 5()77pir.d(^C/002 A7 _B7 五、發明說明（艸） 構造，使在催化劑層氧化之co2或h2o，無逗留於催化 劑層而能立即自催化劑層吸附於吸附劑。因此，催化劑層 相對於CO或札可維持較高氧化活性。 因此，本發明氣體處理劑，不但可自氣體同時除去 CO、h2、〇〇2與H20,而且對於氧化CO、H2與吸附co2、 H20兩者皆具有較長壽命。 使用此氣體處理劑之氣體提純法，相較於習知氣體提 純法具有下述優點。亦即，可將長期以來存在於氣體中之 一氧化碳與/或氫，在氧之環境下0 — 8 0 t：之溫度範圍 內有效率地氧化至低濃度，同時可將所生成的水蒸氣與/ 或二氧化碳有效率地吸附去除至低濃度。
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Claims (1)

  1. 500625
    pif1.doc/009 891〇99〇7號專利範圍修正本 A8 B8 C8 D8 說 2· 23 修正日期：91年1月23日 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1·一種氣體處理劑，其以無機多孔性物質層形成之催 化劑形成於吸附劑表面，該無機多孔性物質層含有由鈾、 鈀、釕與鍺所組成之群體中選出之元素及其氧化物之至少 一種。 2. 如申請專利範圍第1項所述之氣體處理劑，上述吸 附劑係沸石。 3. 如申請專利範圍第1項所述之氣體處理劑，上述無 .機多孔性物.質係從氧化鋁、二氧化鈦、二氧化矽、矽鋁、 氧化锆、氧化錫中至少選出一種。 4. 如申請專利範圍第2項所述之氣體處理劑，上述無 機多孔性物質係從氧化鋁、二氧化鈦、二氧化矽、矽鋁、 氧化锆、氧化錫中至少選出一種。 5. 如申請專利範圍第1項所述之氣體處理劑，由鉛、 鈀、釕與鍺所組成之群體中選出之元素及其氧化物之至少 一種的含有量係，相對於氣體處理劑重量之0.2 5 _ 1 0 重量％。 6. 如申請專利範圍第2項所述之氣體處理劑，由鉑、 鈀、釕與铑所組成之群體中選出之元素及其氧化物之至少 一潼的含有量係，相對於氣體處理劑重量之0.2 5 — 1 0 重量％。 7. 如申請專利範圍第3項所述之氣體處理劑，由鉛、 鈀、釕與铑所組成之群體中選出之元素及其氧化物之至少 一種的含有量係，相對於氣體處理劑重量之0.2 5 - 1 0 重量％。 34 ---：----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4Ύ 訂' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 500625 A8 5977pifl.doc/009 BS D8 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第4項所述之氣體處理劑，由鉑、 鈀、釕與铑所組成之群體中選出之元素及其氧化物之至少 一種的含有量係，相對於氣體處理劑重量之〇 .2 5 — 1 0 重量％。 9. 一種氣體處理劑製造方法，係適用於如电請專利範 圍第1項至第8項中任一項所述之氣體處理劑的製造方 法，包括 調製上述催化劑之前軀體或上述催化劑之硏漿作業； 以及 使該硏槳附著於吸附劑再燒成之作業。 10. —種氣體處理劑製造方法，係適用於如申請專利範 圍第1項至第8項中任一項所述之氣體處理劑的製造方 法，包括 調製上述無機多孔性物質之硏漿的作業； 使該硏漿附著於吸附劑再燒成的作業； 調製上述催化劑之前軀體或上述催化劑之硏漿的作 業；以及 使該硏漿附著於吸附劑再燒成的作業。 11. 如申請專利範圍第9項所述之氣體處理劑製造方 法，於上述燒成作業後進行氣相還原作業。 12. 如申請專利範圍第1 0項所述之氣體處理劑製造方 法，於上述燒成作業後進行氣相還原作業。 13. —種氣體提純法，其使用申請專利範第1項至第8 項中任一項所述之氣體處理劑，其提純被視爲微量雜質的 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----.I—urn, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 500625 5977pifl.doc/〇〇9 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 至少含有一氧化碳與/或氫之原料氣體，再除去 質之氣體提純法時，上述氣體處理劑之溫度被設滩 8 0 °C之範圍。 14·一種氣體提純法，其提純含有少量水分與 0 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 W田貝的胺如 再去除該少量雜質與微量雜質時，包括 首先藉水分吸附劑吸附去除所含之水分； 接著藉二氧化碳吸附劑吸附去除所含之二氧， 之雜質，及至少含有微量一氧化碳與/或氫雜質的取、〜 /Μ 體 及 藉申請專利範第1項至第8項中任一項所述之_ 理劑，去除所含之一氧化碳與/或氫。 15. —種氣體提純法，其提純含有少量水分與/或％& 化碳之雜質，及至少含有一氧化碳與/或氫之微量雜 原料氣體，再去除該少量雜質與微量雜質時，包括； 首先藉水分與二氧化碳吸附劑，或水分吸附劑吸附去 除所含之水分與/或二氧化碳；以及 藉申請專利範第1項至第8項中任一項所述之氣體處 理劑，去除所含之微量一氧化碳與/或氫。 16. —種氣體提純器，在具有原料氣體導入口與導出口 之充塡用容器內，自原料氣體導入口側依序形成’水分吸 附劑充塡層、二氧化碳吸附劑充塡層，再如形成申請專利 範第1項至第8項中任一項所述之氣體處理劑充塡層一 般，充塡吸附劑與氣體提純處理劑。 17· —種氣體提純器，在具有原料氣體導入口與導出口 36 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁j 訂—1· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 500625 5977pifl.doc/009 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 之充塡用容器內，自原料氣體導入口側依序形成，水分與 二氧化碳吸附劑充塡層，或水分吸附劑充塡層，再:如形$ 申請專利範第1項至第8項中任一項所述之氣體處理劑充 塡層一般，充塡吸附劑與氣體提純處理劑。 18·如申請專利範圍第1 6項或第1 7項所述之氣體提 純器，上述吸附及充塡層具有，吸附含有上述原料氣^之 催化劑被毒成分的功能。 19·一種氣體提純裝置，其使用申請專利範圍第i 6項 或第1 7項之任一項所述之氣體提純器時，包括 至少2座以上之上述氣體提純器； 切換裝置，用以使該氣體提純器之提純作業與再生作 業交互切換；以及 再生氣體供給裝置，用以以向流方向供給於再生作業 之該提純器中再生氣體。 20·—種氣體提純裝置，其使用申請專利範圍第1 8項 所述之氣體提純器時，包括 至少2座以上之上述氣體提純器； 切換裝置，用以使該氣體提純器之提純作業與再生作 業交互切換；以及 再生氣體供給裝置，用以以向流方向供給於再生作業 之該提純器中再生氣體。 37 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠）
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