TW486761B - Electroplating apparatus and electroplating method - Google Patents

Description

486761 五、發明說明（1) 發明之背景 本發明係關於一種銅之電鍍處理，主要係關於一種對半 導體基板等之單晶圓處理（single wafer processing)的 電解裝置及電解方法。 自古以來在電鍍工業中常被使用之銅的電解，作為近年 半導體之多層配線用製程倍受囑目。此係因使用電阻率低 之銅成為半導體的多層配線材料。進一步由電鍍產生之成 膜因段差被覆生（step coverage)優，與配線形成製程 (damascene P r o c e s s )之整合佳，或，可比濺鍍性更快速 且便宜之成膜，亦成為導入電鍍製程的理由。 然而，在鍍銅中必須考慮形成於陽極表面之r黑膜」所 謂的黑色薄膜。此黑膜係鍵液中之氧或氯與陽極材剩^的含 ^ ^(phosphorous containing copper)之銅、匕合 物。若於被處理基板進行電鍍，藉通電而於陰極即被處理 基板可形成銅，於.陽極可形成黑膜。 黑膜在電鍍液中只要'被通電即會安定，但—旦停止通 電’從電鍍液拉起陽極’則會引起從陽極之脫^電鐘液 之溶解等’而消失。若黑膜於陽極表面部分地消失，在被 處理基板即晶圓上之成膜均一性會明顯降低，或於膜之表 面形成析出物（precipitation)等的弊端會被看出。、 於是’實際上不使用電解裝置的時間，^超過一定時 間，使用檔片而通電，故意形成黑膜。此稱為「空電解 (anode burn-in)」。此空電解係為使鍍銅之性填入性 能（filling performance)，膜厚之均一性等，安定、而不

O:\71\71336.ptd 486761 五、發明說明（2) 可欠缺者。 進一步，即使在非溶解性之陽極等不形成黑膜之陽極 中，亦會造成電流施加之陽極氧化反應，藉此，陽極表面 在通電時與長期放置後，狀態不同。因此，不因有無黑膜 而必須有空電解。 於是，電鍍於被處理晶圓經一定時間中斷後，在其次製 程之晶圓電鍍前，必須對檔片進行空電解，電解裝置之利 用效率會明顯下降。 以下，舉出半導體工業最廣被使用之杯式電解裝置為 例，表示空電解之例與其缺點。圖1係以鍍銅為主目的之 杯體式電解裝置的斷面圖。如圖1所示，本裝置包括：充 滿於杯體1且進行循環的電鍍液2，設於杯體1内之陽極3、 與陽極3對向之晶圓4表面賦予負電位的電極5，可防止電 鍍液2接觸於電極5之彌封材6，對晶圓4與陽極3供給電流 之電源7。 一般使用來作為電鍍液者為硫酸銅、硫酸、鹽酸之混合 水溶液。結束晶圓之處理，而晶圓4進行待避，陽極3無電 流流動。在此狀態下陽極3係曝露於電鍍液2。或，從杯體 1排出電鑛液2時，係曝露於大氣中。任一者之情況下形成 於陽極3表面之黑膜係隨時間而進行變質。因此，裝置製 造商推薦例如圖2及3所示之維護。 從圖2及3明顯可知，電鍍終了後電解裝置會呈待機狀 態，為再開動電鍍，至可電鍍之狀態的準備時間乃成為必 須。如此地電解裝置之實質晶圓處理能力在LS I工廠係常

O:\71\71336.ptd 第6頁 486761 五、發明說明（3) 造成浪費，招致LSI之製造成本 1 驟係在於LSI製程步驟的後二二1配線步 定流量出來，而是斷碎砧士 i廠内之曰曰®並非經常-上說明般的空電解^ :曰；流動出來。因此，如以 "3左右，成為很題占。有電解農置之稼動時間的 發明之簡單說明 Ί ^ f之目的在於提供一矛重可削》咸空電解所需之時Η 亚能提高產能之電解裝置及電解方法。 、巧， ,達成上述目的，本發明之第i態樣的 =如下：固持具，乃固持一成為陰極之被處王//係声具 :極，為係設於與前述固持具相異之位置；陽纟，盆；= 2於：述固持具之被處理基板的被鍍面與以 任-者亦實質上可以面對面對向；移動機·，c 场極在前述被處理基板固持具與虛擬陰極之間移動二述 源丄其係介由一連接於前述虛擬陰極與前述陽極$間电 於前述虛擬陰極與前述陽極之間充滿電解質，二、、且 擬陰極與前述陽極之間供給電流。 、引这虛 本發明之第2態樣的電解裝置，係具備如下. 解質之杯體；於前述杯體之底部所具備之陽極；I样兩/， =前述杯體之上部’以使被處理基板之電心對向^前 这陽極的方式’固持被處理基板；虛擬陰極，其 > 陽極與被處理基板之間依需求而介入之方武点^糸 uT y 移動機構，其係使前述虛擬陰極當被處理基板泰 ^、艮 避，當被處理基板電鍵停止時實質上以面$面極

1^· 486761 五、發明說明（4) " " 1一 ί白’ 4源’其係剷述虛擬陰極與前述陽極之間連接。 本發明之第3態樣的電解方法，係具備如下步驟··準備 虛擬陰極；使平板狀之陽極介由電解質而與虛擬陰極實質 上以面對面平行，且以無通電之狀態對向；在使陽極與虛 擬，極對向之步驟後，於陽極與虛擬陰極之間流通電^ ; 於陽極與虛擬陰極之間流通電流的步驟後，使成為陰極之 被處理基板介由電解質而對向，於被處理基板上形成鍍 膜。 又 在本發明中，係在陽極，實質上與此面對面且平行對向 而設置的虛擬陰極（dummy cathode)之間充滿電解質 (electrolytic agent)而供給電流，俾可抑制黑膜之變 貝。不須多餘之空電解（an〇de burn - in)處理，故可提古 產能。 回 在鍍銅中，黑膜之形成很明顯，本發明之效果很大。電 鍍再開始之前或斷續地實施施加於陽極之電流，可抑制^ 力之消耗、陽極之溶解。尤其，在電鍍於被處理基板之$ 施加電流於前述陽極，俾使電鍍於被處理基板之 呈最大限安定化。 、

若具備一可使虛擬陰極與陽極實質上均形成平板，且可 固持互相平行之機構，流通於陽極之電流密度呈均一； 可使陽極上所形成之黑膜均一化。藉此，可實現在被處理 基板全面同一之鍍膜成長速度，成膜特性於陽極使用含 磷之銅，黑膜之形成會產生安定化，發明之效果彳艮顯著。 圖式之簡單說明

第8頁 486761 五、發明說明（5) 示：知杯體式電解裝置的概略構成之斷面圖。 圖2係表不電鍍液循環停止期間與循環再開前必 護項目的關係圖表。 、之、准 圖3係表示電鍍電流停止期間與通電再開 項目的關係圖表。 ^ <、、隹濩 圖圖4係本發明第！實施例之含浸式電解裝置的概略構成 圖5係說明一使第！實施例之陽極與陰極（或基板固 平行固持之機構的模式斷面圖。 、/、） 圖6係於第i實施例中，表示各種電鑛間隔 之通電條件的電鍍膜性能之圖表。 蛱陰極 圖7A-7G係圖6之虛擬陰極的各種通電條件的時間圖。 圖8A及8B係本發明第2實施例之杯體式電解裝置的概略 構成，及階段性表示空電解方法之模式斷面圖。 圖9A及⑽係第2實施例變形例之杯體式電解裝置的概略 構成，及階段性表示空電解方法的模式斷面圖。 發明之詳細說明 以下，參照圖面說明本發明之實施例。 [第一實施例] 第1實施例之要點係從電鍍位置或電鍍液之位置使陽極 待避，使用一設於待避處之虛擬陰極而進行電解作用。 在第1實施例中，係說明有關含浸（impregnati〇n)式之 電解裝置。所謂含浸係液體以外之固體或固體液體混合 物，進一步氣體之混合物等的含浸體固持電鍍液之狀態。

486761 五、發明說明（6) 電錢液係比單獨存在於容器中時更受到空間上移動之限 制。藉由含浸體接觸於被處理基板，電鍍液會作用於被處 理基板。 又’含浸體之一部分亦可不接觸被處理基板，但，在此 情形下，亦可為含浸體與被處理基板之接觸部分附近電鍍 液t、、々至被處理基板的狀態（例如表面張力）。如此之狀態 亦可依據欲實施之技術目的而容許認可，又，另外，就實 施技術之目的不妥的話亦可避免之。 圖4係本發明第1實施例之電鍍裝置概略構成的斷面圖。 如圖4所示’於支持台1〇2上載置朝上之晶圓（被處理基板） 1 〇 1。aa圓1 0 1係於s i基板上以濺鑛法依序堆積3 〇 nm之Ta 膜及10 0 nm之Cu膜，故，Cu膜乃朝上。於晶圓1〇1表面係 連接一賦予陰極電位之陰極接點1〇3。在晶圓ι〇ι上之陰極 =1 03的内㈣有一可使陰極接點丄〇3與電鑛 彌 封材1 0 4。 朝，圓101之表面對向，配置著：含電鍍液（電解質）之 乙烯醇）所構成的含浸泡棉106、接著含浸泡綿106 之，板含磷銅製的陽極105。陽極係連接於電源⑴。 %極1 〇 5及含浸泡端1 n r άτ ϋ< .π X 手臂（移動機構）107的動作 而移動，没於與電鍵七# u ^ ^ 敕1 ΙΑ乃不同處之待機位置B乃可使陽 極1 0 5及含浸泡綿1 〇 6待避。 於待機位置Β係設有一内部可夯、、案兩 ιηβ 、社土 ^ 1」兄滿電鍍液110之容器 1 ϋ 8。進一步於容器1 q 8内係設詈冬厪 ^ , 1 , χίπη ^ 、屬衣的虛擬陰極（dummy cathode)l〇9。在電鍍位置a，且於雷缺 乂 1 %私鍍於晶圓1 〇 1之前，

第10頁 486761 五、發明說明（7) 待機位置B之陽極1 0 5與虛擬陰極1 0 9之間使電流流動。 此步驟係亦可於被處理基板等待等裝置在待機狀態時進 行。又，亦可於被處理基板電鍵處理前後之步驟，例如基 板搬送或乾燥等之步驟的最中間進行，故不會招致裝置產 能（被處理基板處理能力）的降低。 將第1實施例所使用之鍍銅的標準條件記載於下。電鍍 液1 1 0之組成為硫酸銅五水和物（c 〇 p p e r s u 1 f a t e pentahydrate)(CuS04 · 5H20) : 250 g/1、硫酸（H2S04): 180 g/1、鹽酸（HC1) :60 mg/1，進一步就電鍍液之pH 值、電鍍液之安定性、陽極之保護、形成膜之表面平滑化 (smoothing)、形成膜之結晶粒控制等各種目的，可添加 聚合物，錯體形成物（complex compound)等之添加物。 又，於手臂1 0 7宜設有一機構，其係平行固持於被處理 基板1 0 1與陽極1 0 5，以及陽極1 〇 5與虛擬陰極1 0 9之間。虛 擬陰極與陽極均為平板，故若具備一可互相固持平行之機 構，流動於陽極之電流密度乃呈均一，可使形成於陽極之 黑膜均一化。藉此，可實現在被處理基板全面同一鍍膜成 長速度、成膜特性。 平行固持於被處理基板1 〇 1與陽極i 0 5之間的機構，例如 只要如圖5般構成即可。圖5係於圖4之A點垂直於紙面方向 的斷面。於設置支持台1〇2之支持板丨12設有一對的位置導 出銷114，固持陽極1〇5之固持具116介由萬向接頭118而連 接於手臂1 0 7。固持具1 1 6從上部降下，若以位置導出銷 1 1 4而安置於所規定的平面，可使陽極丨〇 5與被處理基板

O:\71\71336.ptd 第11頁 486761 五、發明說明（8) 1 〇 1之對向面平行，陽極1 0 5與虛擬陰極1 〇 9之間亦可同樣 地構成。 又，含浸泡綿1 06除PVA以外，亦可將多孔質陶瓷、多孔 質鐵氟龍、聚丙烯等編織成纖維狀或加工成紙狀，或，亦 可為凝膠化矽氧化物（silica gel)或海菜（agar)等的不定 形物。 多孔質或空隙之大小並非規定成一定，可依液體之黏 度’在含浸體與液體之間產生的潤濕性，表面張力等而變 化。含浸體基本上只要可固持液體，而其液體可受到空間 移動的制約（例如，以無容器的狀體而液體大部分不會流 出）即可。__________________________________ — — __________________________________________ ____________________ — 又，在第1實施例中，係就電鍍液固持之容易性而使用 含浸電鍍法，但未必須要含浸泡綿，如前述般，亦可利用 表面張力而於被處理基板表面與含浸泡綿表面之間設有狹 窄的間隙以固持電鍍液。圖4係彌封材丨〇 4兼具間距子。 使含浸泡绵1 0 6密接於晶圓之導電體層，俾從含浸泡綿 1 〇 6將電鍍液供給至導電體層的表面。繼而，從電源朝陽 +=105供給電流密度2〇 mA/cm2之電流。若對陽極1〇5供給 電流’電氣連接於陰極接點丨0 3之導電體層表面可形成鍍 銅薄膜。 =晶圓上形成鑛銅薄膜後，藉手臂丨〇 7可使含浸泡綿丨〇 6 及陽極1 0 5移動至待避位置b，而浸潰於杯體丨〇 8内之電鍍 液1 1 0中’電流會流動於陽極丨〇 5與虛擬陰極丨〇 9之間。此 時，虛擬陰極與晶圓丨〇 1之大小略相同。

486761 五、發明說明（9) 又，在本實施例中，使用手臂1 0 7而使陽極1 0 5移動至退 避位置B，但移動裝置不限於手臂，亦可以人手移動陽極 105 ° 供給於待避位置B中之陽極1 0 4與虛擬陰極1 0 9之間的電 流條件，一面做各種改變一面評估於8英吋晶圓之銅電解 鍍膜厚的均一性與溝或孔之埋入特性。將所形成之銅電解 鍍膜的評估結果表示於圖6。又，圖6中對陽極之通電條件 (電流密度）圖示於圖7A〜7G。 試料編號1〜4係表示未通電於虛擬電極時，只改變晶圓 間之間隔時間。在圖7 A〜7 G中，方便上將晶圓（陰極）電鍍 時之陽極電流密度（Ian)與使用虛擬陰極之空電解時的陽極 電流密度（Ian)表示於相同的時間流程圖上。所謂第1電鍍 係於葉片式電鍍中對於任意之1晶圓的電鍍，第2電鍍係對 於其次之晶圓的電鍍。間隔時間係第1與第2之電鍍之間的 時間。從圖6明顯可知，即使僅3 0分鐘之製程間隔，膜厚 均一性或埋入性能會變差。又，隨著間隔時間變長，於電 鍍表面之異常析出物會變多。 試料編號5係使間隔為3 6 0分鐘，而與對晶圓之電鍍條件 相同的條件連續通電於虛擬陰極者。膜厚均一性或埋入性 能係當然在最佳的部分，但，虛擬電鍍液之劣化會提早， 電力消耗亦變大。 試料編號6係使間隔為3 6 0分鐘，以1 mA/cm2連續通電於 虛擬陰極者，但，膜厚之均一性比試料編號5為差，但可 得到相當佳的結果。

O:\71\71336.ptd 第13頁 486761 五、發明說明（10) 試料編號7係使間隔為36〇分鐘，最初不通電於虛擬電 極，而從晶圓電鍍再開始之2分鐘前以i mA/cm2 :合性、埋入性能為良好，但表面之異常析出 物會產生少許。 士試料編號8係使間隔時間為36〇分鐘，最初以i mA/^2 縯通電於虛擬電極，從晶圓電鍍再開始之5分鐘前以2〇 二C:(與晶圓電鍍同—條件）進行通電者。亦可得到歸類 於琅佳之部分的結果。 試料編號9係使間隔時間為36〇分鐘，而以“分鐘益通 電^ 15分鐘20 niA/c#之反覆進行通電於虛擬電極。埋入 :能或異常析出物之點些許變差’但可抑制膜厚之參差不 戶1 ° 試料編號10係使間隔時間為3 6 0分鐘，最初不通電於 ，而從晶圓電錄再開始之5分鐘前，以2〇 ^ Γ m #以齊雖些許A &可得到大致良好的 間隔為3 6 0 0分鐘，^^ 通電於虛擬陰極者。 部分’但虛擬電鍍液 以與電鍍於晶圓條 膜厚均一性或埋入 的劣化會提早，電 試料編號1 1係使 件相同之條件連續 性能當然歸於最佳 力消耗亦大。

試料編號1 2係使間隔為3 6 0 0分鳍，、

續通電於虛擬電極，從晶圓電鍍再開私取初以1 mA/cm2連 mA/cm2(與晶圓電鍍同一條件）進行通+之5分鐘刖以20 佳部分之結果。 、电。此亦可歸屬於最

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發明說明（11) 〜 -~____ ____ 係 實 又彳欠電鍍再開始前之5分义 .9 當葉片式之晶圓電:再刀，:士’或2分鐘前之連續通電， 際上到達進行電錢時，ΐ圓電錢裝置安農；： 乃很多，抓宏# &甘 白1又為止的日守間為1〜1 〇分铲从 間而通電於虛擬電極， 1〜1〇分鐘之空载時 如此，連續或斷續地：ίι作業之效率化。 擬陰極的通電，可維持膜：之；= 置Β之虛 二，給於陽極之電流或斷續地供給， =之S，減 陽極之溶解。 卩%力之消耗、 斷續之電流供給未必限定於圖7D、7Ε、π、7 件，而即使例如毫秒單位之脈沖亦可確認效果。不之條 料編號6/供給極低至i mA/cm2之電流時亦可看出效果如試 但，此係為防止預先形成之黑膜的脫落，未必須要济細/ 大的電流。此時之虛擬陰極與陽極間之電位差係:經很 0. 3 V。 他至約 電流密度未必須要與晶圓電鍍時同等，即使低電流穷 亦有效果。然而，若在晶圓製程之前以高電流密度進行^ 電’可得到更高之效果。電流不限於直流而即使為脈沖亦 有效果，且，電流值亦可提高晶圓電鍍時之電流密度。 [第2實施例] 即使在習知技術所述之杯體式電解液裝置中，亦可適用 本發明。不使用成為檔片之晶圓，而於進行晶圓電鍍之杯 體内部導入虛擬陰極，藉在此虛擬陰極與陽極之間的通 電，而使黑膜安定化。 486761 五、發明說明（12) 圖8 A及8 B係表示本發明第2實施例之杯體式電解裝置構 成的斷面圖。圖8 A係對晶圓2 0 4實施電解時之構成，基本 上與圖1習知杯體式電解之構成相同。亦即，於杯體2〇ι内 設有：陽極2 0 3、充滿於杯體2 0 1且進行循環之電鍵液 2 0 2 ’在與陽極2 0 3相向之晶圓2 04表面賦予負電位的電極 205，可防止電鍍液2 0 2接觸於電極2 0 5之彌封材2 0 6，可對 晶圓2 0 4與陽極2 0 3施加特定電流之可變電源2 〇 7。晶圓2 〇 4 可以金屬製之固持具2 0 9來固持。 於晶圓電鐘製程前後之晶圓搬送時，晶圓2 〇 4係藉固持 具209及固持具控制機構21〇朝上向提高，進行“ο度反 轉。以此狀態電鍍終了之晶圓2 04被卸載，重新進行電穿 之晶圓2 0 4被裝載。 在第2實施例中，晶圓固持具2〇9兼具虛擬陰極，且以曰 圓2 0 4被卸載之狀態（亦可以裝載晶圓2 〇 4之狀態），降下2 杯體201的上面，接觸於電鍍液2〇2(圖88)。至其次之b曰 電鑛開始的待機時，於虛擬陰極2 0 9與陽極2 〇 3之間介曰 鍍液m而流動電流。此時，可變電源207係以流 之虛擬電鍍電流（老化（burn in)電流）的方式調整， 關2 0 8連接於虛擬陰極2 〇 9。 ^ 又、，所謂接觸液係隨時間而徐緩提高電鍍液面，而 於（或虛擬陰極）者，為在晶圓與電鍍液表面之間不 泡’經常所使用的方法。 乳 又’在第2實施例中，係使用晶圓固持具2 〇 9作為虛擬— 極’但具備專用之虛擬陰極，於被處理基板203之電鍍膜κ

第16頁 486761 五、發明說明（13) 形成時，亦可使此虛擬陰極藉移動機構待避。圖9 A及9 B係 表示如此之變形例。 虛擬陰極2 1 1係以編織網狀金屬或金屬線之易彎帶所形 成，且圖9 A之晶圓電鍍時，受移動鋼絲（移動機構）2 1 2所 牽引，以輥2 1 3所導引而退避於杯體2 0 1之外部。 當陽極2 0 3之空電解時，如圖9 B所示，虛擬電極2 1 1係實 質上與陽極203面對面且平行之方式導入於杯體201内，在 虛擬電極2 1 1與陽極2 0 3之間所希望的電流從可變電源2 0 7 介由開關2 0 8而供給。 在圖9 B中，係描繪晶圓2 0 4接觸液體之狀態，但，晶圓 2 0 4係當然亦可從電鍍液2 1 0離開，成為卸載之狀態。 又，本發明不限於上述實施例。例如在陽極與虛擬陰極 之間充滿晶圓電鍍所使用之電鍍液本身，但，不須使用與 電鍍膜形成相同之電鍍液，除了其他之電鍍液，亦可充滿 添加劑或金屬濃度不同的電解液。 此處所示之製程條件，係說明發明之實施例權宜上之標 準條件。電鍍金屬當然各參數只要在不超出本發明主旨的 範圍，亦可做適當變更。 如以上說明般，若依本發明，電鍍待機期間中，在陽極 與實質上以面對面且平行對向的虛擬陰極之間充滿電解質 而供給電流。藉此，可抑制黑膜之變質，不須多餘之空電 解處理，電鍍處理之產能可提高。

O:\71\71336.ptd 第17頁 486761 圖式簡單說明

第18頁

Claims (1)

1. 486761 六、申請專利範圍 1. 一種電解裝置，係具備如下： 固持具，乃固持一成為陰極之被處理基板； 虛擬陰極，其係設於與前述固持具相異之位置； 陽極，其係固持於前述固持具之被處理基板的被鍍面 與前述虛擬陰極之任一者亦實質上可以面對面對向； 移動機構，其係使前述陽極在前述被處理基板固持具 與虛擬陰極之間移動；及 電源，其係介由一連接於前述虛擬陰極與前述陽極之 間，且於前述虛擬陰極與前述陽極之間充滿電解質，可對 前述虛擬陰極與前述陽極之間供給電流。 2 . 根據申請專利範圍第1項之電解裝置，其中於前述可 移動之陽極的被處理基板固持具或與前述虛擬電極之對向 面，具備一用以含有前述電解質之含浸體。 3. 根據申請專利範圍第2項之電解裝置，其中前述含浸 體對向於一固持於固持具之被處理基板時，被處理基板與 含浸體之間進一步具有一規定間距的間距子。 4. 根據申請專利範圍第3項之電解裝置，其中前述間距 係藉電解質之表面張力於被處理基板與含浸體之間充滿前 述電解質的距離。 5. 根據申請專利範圍第1項之電解裝置，其中進一步具 備一可收藏前述虛擬陰極且固持電解質之杯體。 6. 根據申請專利範圍第1項之電解裝置，其中前述虛擬 陰極與陽極實質上均為平板，且進一步具備一可使前述虛 擬陰極與陽極互相固持平行之機構。

   O:\71\71336.ptd 第19頁 /、、申請專利範圍 7·根據申請專利範圍第！項之電解裝置，其中前述陽 係以含有磷之鋼所形成。 炫 8· 一種電解裝置，係具備如下： 可裝滿電解質之杯體； 於前述杯體之底部所具備之陽極； 電 求 固持具，乃於前述杯體之上部，以使被處理基板之 面對向於前述陽極的方式，固持被處理基板； 而介fί Ϊ I其係於前述陽極與被處理基板之間依需 J "入之万式成為可移動； 移動機構，其係使 退避，當被處理基板電 極對向； 剷述虛擬陰極當被處理基板電鍍時 錢兮止日才實質上以面對面與前述陽 其係於前述虛擬陰極 9·根據申請專利範圍楚桎〃則述％極之間連接。 理基板固持具乃作用成 af之電解裝置，其令前述被處 η.根據申請述虛擬陰極。 擬陰極係由網狀金屬或所編項之電解裝置，其中前述虛 極，且當被處理基板電鍍昉織之金屬線所構成之易彎陰 電鍍停止時導入於杯體内而於杯體外，當被處理基板 11·根據申請專利範圍”則述陽極對向。 可使前述虛擬電極與前述陽員之電解裝置，其中包括一 12.根據申請專利範圍第S實質上固持平行之機構。 極係以含有磷之鋼所形成。項之電解裝置，其中前述陽 13· 一種電解方法，係氧 〜、傷如下步驟·· 486761 六、申請專利範圍 準備虛擬陰極； 使平板狀之陽極介由電解質而與虛擬陰極實質上以面 對面平行，且以無通電之狀態對向； 在使陽極與虛擬陰極對向之步驟後，於陽極與虛擬陰 極之間流通電流；及 於陽極與虛擬陰極之間流通電流的步驟後，使成為陰 極之被處理基板介由電解質而對向，於被處理基板上形成 鍵膜。 14. 根據申請專利範圍第1 3項之電解方法，其中前述鍍 膜係含有銅。 15. 根據申請專利範圍第1 3項之電解方法，其中於前述 陽極與虛擬陰極之間流通電流的步驟，係包括一使比為了 前述被處理基板之電鍍流通之電流還小的電流流通之步 驟。 16. 根據申請專利範圍第1 3項之電解方法，其中於前述 陽極與虛擬陰極間流通之電流的步驟，係包括如下步驟： 於前述被處理基板電鍍前特定的時間，流通與前述被處理 基板之電鍍電流略同等的電流。 17. 根據申請專利範圍第1 6項之電解方法，其中前述特 定的時間為1分以上，1 0分以内。 18. 根據申請專利範圍第1 3項之電解方法，其中前述陽 極與虛擬陰極間流通電流之步驟，係包括如下步驟：最初 流通一比前述被處理基板之電鍍電流還少的電流，於被處 理基板之電鍍前特定的時間，流通與被處理基板之電鍍電

   O:\71\71336.ptd 第21頁 486761 六、申請專利範圍 流略同等的電流。 19. 根據申請專利範圍第1 8項之電解方法，其中前述特 定的時間為1分以上，1 0分以内。 20. 根據申請專利範圍第1 3項之電解方法，其中包含交 互反覆如下步驟··使前述陽極與虛擬電極以無通電的狀態 對向之步驟及於前述陽極與虛擬陰極間流通電流之步驟。

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