TW451471B - Method for fabricating an integrated circuit capacitor - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 1 47 1 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 發明領域 本發明係有關一種製造一積艘電路電容器之方法，且 更特別在於一種製造一金屬·絕緣想-金屬（MIM)結構中之 電容器的方法，其使用於合併動態隨機存取記憶體 (DRAM)與邏輯（MDL)裝置之邏輯或類比電珞之中β 習知技藝之描述 半導體積體電路一般係分類為數位式與類比式。數位 型式之積艘電路（換言之，邏輯電路）根據一個或更多輪 入信號之狀況產生一輸出。反之，類比型式之積體電路（ 換言之，類比電路）根據一輸入信號之不同線性改變產生 一輸出6 於數位與類比型式之積體電路中，係根據累積於一電 容器之電荷存在與否貯存資料。為了要維持正常反應之特 徵’應以一方式製造一電容器’該方式防止電容器之電容 與電壓或溫度之改變一起變化。 與一般之金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFETs) 或連接電容器不同，已經提出之mdl電容器具有一聚石夕· 絕緣器-聚矽（PIP)或金屬-絕緣器-金屬（MIM>結構，因為其 電容不會依靠偏壓電壓或溫度。 然而，與PIP電容器相比，薄膜MIM電容器不提供高 單位面積之電容。此外，MIM電容器具有一較低之電容 電壓係數（VCC)’該係數指示根據電壓改變之電容變化， MIM電容器亦具有一較低之電容溫度係數（TCc ),該係數 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ297公轚） 4 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本I> 裝____ 訂---------線. A7 B7 五、發明說明（2 ) 指示根據溫度改變之電容變化°例如，？11>電容器之vcc 與TCC之值各約為每伏特百萬分之220ppm/v與每度c百萬 分之120ppm/C，但MIM電容器之值各約為60ppm/V與 70ppm/C。因此，已使用MIM電容器來製造精密之類比產 品。近年來，已經有使用MIM電容器來製造邏輯與類比 電路之趨勢。 第la囷到第lg囫係連續加工圈，顯示一廣泛使用製造 一 MDL裝置之邏輯或類比電路的MIM電容器之傳統方法 。這些方法將會參考附加之圊示加以描述β 如第la圖中所示，一第一層間絕緣層12係形成於一半 導體基質10之上’該基質具有下結構（未顯示），該下結構 由電晶體、預先決定之線路’以及類似者所構成。

如第lb圖中所示，一鋁A1之第一傳導層14係形成於第 一層間絕緣Π之上，於第一傳導層丨4之上係形成一厚度約 為2〇〇到6〇〇埃（g )之氮化鈦（TiN)加蓋金屬層16 B 一界定 合益區域之抗曝光層（未顯示）係做為連續蝕刻加蓋金屬 層16與第一傳導層〗4之遮罩使用，由此形成一「第一傳導 14/加蓋金屬層！6」沈艰物結構，該結構界定—下電極（I 如第卜圖中所示，—第二層間絕緣層18係形成於下 極(I)之第-層間_層12之上。接著，係執行一化學 械抛光（CMP〗或回蝕程序，來 吁眾罡十第一層間絕緣層】8。 此為了暴露下電極（1 )第—傳 .. , ^ ^得導層14表面預先決定 口丨‘ 個別蝕刻第二層間辟嗓層以ώ a “ a p β a] H增Μ與加盍金屬層丨$ :1ύ - 297 I I I 1 I — I I 1 I I I I 11111!1 . I I I I I I ! t (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 14?1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 ) 絕緣層18中形成一通道孔或凹口 h"於此程序中，係同時 蝕刻掉一部份之第一傳導層14,來於通道孔h之底表面上 的第一傳導層14中形成一凹部· 如第Id鬮中所示，一介質層2〇係形成於第二層間絕緣 層18之上’覆蓋通道孔h，且一薄阻隔金屬層22係藉著於 介質層20之上的一「鈦/氮化鈦」（Ti/TiN)沉澱物所形成 〇 如第le圖中所示’為了完全填入通道孔h，一鎢％之 第二傳導層係形成於結構之上》為了暴露阻隔金屬層22之 表面’係於第二傳導層之上執行一 CMP或回蝕程序，由 此於通道孔h内形成一鎢W之傳導栓24 » 如第If圖中所示’一鋁A1合金之第三傳導層26係形成 於阻隔金屬層22之上，該阻隔金屬層具有傳導栓μ。為了 暴露第二層間絕緣層18表面之一預先決定的部份，一界定 電容器區域之抗曝光樣式（未顯示）係做為連續蚀刻傳導層 26 '阻隔金屬層22，與介質層20之遮罩使用。因此，—預 先決定大小之傳導層界定一上電極（Π)，由此完成製造 程序。 結果，介質層2〇位於該介質層頂之上電極（n)的「傳 導栓24/傳導層26」沉澱物結構與該介質層底之下電極 )之「傳導層14/加蓋金屬層16」沉激:物結構之間，其形成 MIM電容器。如上所述，加蓋金屬層16係由TiN所製成， 且其與介質層20及下電極（I )接觸之邊緣係形成一尖銳角 度之結構。 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4规格（210 X 297公釐） 6 --------- ---裝 i — II I I I 訂 ί ! I I I ·線 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ------B7_____ 五、發明說明（4 ) 然而，如果MDL電容器係藉著上述方法製作，其可 能產生問題，這些問題係於以下描述。 於形成通道孔h時’蚀刻程序係垂直向下執行到下電 極（I )之加蓋金屬層16。當姓刻程序完成時，通道孔h之 下表面與侧表面於通道孔h之底部以垂直之關係交會（例如 '成直角）。第lg圖顯示影響區域之一玫大部分透視圖， 該圈包括通道孔h之下表面。 沿著通道孔h之下緣於介質層2〇之區域以一角度交會 ’其亦會存在一階狀覆蓋缺陷，其係藉著一與通道孔h之 其他部分相比較薄之介質層2〇所顯露。 操作裝置期間於階狀覆蓋缺陷處可能發生漏電，甚 至更糟，於上下電極之間可能發生短路，由此損害電容器 ，且降低該等半導體裝置之生產期間的良率。 此外，於階狀覆蓋缺陷處之介質層2〇係暴露於較高之 電場強度，換言之，稱之為「電場之集中」，其發生於操 作中之裝置，由此降低併入此製造裝置之產品的可靠性。 因此，欲解決上述諸問題有迫切之需求。 發明摘要 有鑑於上述者，本發明之一特性在於提供一種用來製 造-半導體積體電路之一電容器的方法，該方法藉著形成 或Ti/TiW沉㈣之加蓋金屬|，該加蓋金屬層之 ㈣速率較氧化物層為高，且為了使位於通道孔底部之介 質厚度相等或平順'藉著於通道孔之下緣以推拔之方式執 卜姓刻短序4此防止由於階狀“缺㈣低之㈠ Ίι 屮!3 阁家標進(CNislA4 >； 公餐_! —~**«^*™·**--------- tf n ^^1 n* If I d If it tl h^i 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 45147 1

At B7 五、發明說明（5 ) ，且增進裝置之可靠性，否則其易遭受一電場之集中者。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 為了來容納上述之特性，係提供一用來製造—半導體 積體電路之一電容器之方法，該方法包含之步味有：於_ 半導體基質上形成一傳導層，其具有一第一層間絕緣層； 形成一加蓋金屬層，該加蓋金眉層具有高於傳導層上之氧 化物層的任刻速率；藉著任刻加蓋金屬層與傳導層於__「 傳導層/加蓋金屬層」沉澱物結構中形成一下電極，來暴 露一第一層間絕緣層表面之一預先決定的部份；於第—層 間絕緣層上形成一第二層間絕緣層，該第一層間絕緣層具 有下電極；藉著蝕刻第二層間絕緣層與加蓋金屬層形成— 通道孔，來暴露下電極表面之一預先決定的部分，其中沿 著通道孔之下緣保持一推拔加蓋金屬層；及形成一上電極 ，並至少於通道孔之一部份***一介質層· 習慣上藉著Ti/TiN或Ti/TiW之加蓋金屬層沉溉形成一 包含濺撒單元之視準儀，其中Ti沉溉物較佳具有50到500 埃（久）之厚度，且TiN或TiW沉澱物較佳具有1〇〇到15〇〇埃 (又)之厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，不論一乾蝕刻程序或複雜蝕刻程序皆包括有可 以使用一濕蝕刻與乾蝕刻之結合來形成一通道孔（hp姓 刻氣體（CHF3)與四氟化碳（CFO具有一比X之混合比，亦即 CHF3:CF4=1:X(其中Χ=〇·5到2)，該氣體係使用於乾蝕刻程 序。通道孔（h>較佳係形成於從沿著剩下加蓋金屬層之下 表面邊緣水平距離約為1〇〇到800埃（為）之處。 如果根據本發明製造一 MIM電容器，於第二層間絕 本紙張又度適用Ί7國S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公5Ϊ ) A： B7__ 五、發明說明（6 ) 緣層與加蓋金屬層之間有選擇性蝕刻速率之差異防止垂直 蝕刻加蓋金屬層。反之，其以一推拔之方式蝕刻加蓋金屬 層，由此於通道孔之下部達成圓形之下緣。因此，以上述 方式形成一介質層，提供一具有更為平均厚度之介質層， 由此於介質層之特定部分來防止一電場之集中，與防止介 質層中之階狀覆蓋缺陷一樣。 圖示之簡單描述 本發明其他的特性與觀點將參考附加圓示從下列描述 而變的明顯，其中： 第la圖到第lg圈係為一連續加工圏，其顧示_種依明 習知技藝用來製造MDL中一邏輯或類比電路之一 電 容器之方法； 第2a圈到第2g圖係為一連續加工圖，其顯示一種依照 本發明用來製造MDL之一邏輯電路或一類比電路之一 MIM電容器之方法。 第3圊係為一放大之部分透視圖，其顯示第2c圖中所 示之（b)部分。 發明之詳細說明 韓國專利申請第99-35593號，建檔曰期為西元1999年 8月26曰 '標題「用來製造半導體積體電路之方法」係併 入本案以為參考資料。 參考附加之圖示-詳細描述本發明之一說明具體實施 例 第2a圖到第2g圖係為〆連續加工.圖其顯示一種依照 -------------— ------訂--------- <請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) \ 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 1 47 1 A7 ________B7_____— 五、發明說明（7 ) 本發明用來製造MDL之一邏輯電路或一類比電路之一 MIM電容器之方法。 如第2a圖中所示，一第一層間絕緣層ι〇2(諸如氧化物 層）係形成於一半導體基質100上，該基質具有一下結構( 未顯示）’該下結構由電晶體、導翘，及類似者經由化學 蒸氣沉澱CVD、熱擴散、層沉激，或這些程序之結合所 構成*例如，藉著CVD所形成之第一層間絕緣層包括有 :硼磷矽酸鹽玻璃（BPSG)、磷矽酸鹽玻璃（PSG)、電漿增 強氧化物(PEOX)、USG、PE-TEOS、03-TE0S，或 SOG之 一單層結構：或一多層之結構。藉由熱擴散形成之第一層 間隔離層係為一高溫氧化（HTO)層· 如第2b圖中所示，一鋁（A丨）、鎢（W)或銅（Cu)合金之 第一傳導層104係形成於第一層間絕緣層102之上。一加蓋 金屬層106之一「Ti(106a)/TiN(106b)j混合沉澉物結構具 有較一氧化物層高之可選擇蝕刻速率，該加蓋金屬層係藉 著使用一包含濺灑單元之視準儀形成於第一傳導層104之 上。此時，TiN(106b)可以THW代替，來形成一加蓋金屬 層106。此外，Ti(l 〇6a)沉诹物較佳係沉濺到約為50到500 埃（¾)之厚度，且TiN(l〇6b)或TiW沉澱物較佳係沉澱到約 為100到1500埃（為）之厚度。接著，係使用一抗曝光層（未 顯示）作為連續蝕刻加蓋金屬層106與第一傳導層104之遮 罩’該曝光層具有一界定電容器區域之樣式，由此形成下 電極（I )之一「第一傳導104/加蓋金屬層1〇6」沉澱物結 構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 10 — — — —1)11 — — — — ·1111111 ·1111111 r. (請先K讀背面之注意事項再填寫本頁} A7 B7 經濟部智慧財產局s h消費合fAf社印® 五、發明說明（8 ) 如第2c圖中所示，一第二層間絕緣層1〇8係形成於下 電極（1)之第—層間絕緣層102之上，且為了形成一第二 層間絕緣層108，接著執行一CVD或一般層沉澱物程序， 該第二層間絕緣層藉著一 CMP或回蝕程序整平。因此τ 為了要暴露下電極（I )之第一傳導層1〇4表面一預先決定 之部分’其係乾蝕刻第二層間絕緣層108與加蓋金屬層丨〇6 ，來於絕緣層108中形成通道孔he於此程序中，其係同時 蝕刻掉第一傳導層104之一部份，於形成通道孔之後，來 形成一於通道孔h底表面上之第一傳導層1〇4的凹部《此時 ’ CHFa與四氟化碳（CF4)之蝕刻氣體混合物具有一比X之 比率，亦即CHF3:CF4=1:X(其中χ=〇·5到2)，為了形成通道 孔h，該氣體係使用於乾姓刻程序。亦可使用一包含濕蝕 刻與乾蝕刻之複雜#刻轻序來形成通道孔h。 如第2c圖中所示，欲於此處描述之加工狀況下形成通 道孔h，第二層間絕緣層1 〇8係為垂直蝕刻，但加蓋金屬層 106係由於其特徵而推拔蝕刻。蝕刻程序完成之後，加蓋 金屬層】06沿著通道h之底表面邊緣剩下有一推拔之形狀。 第3圖顯示一放大之部分透視圈，顯示沿著通道孔卜底 表面所剩下之加蓋金屬層106的推拔部分。 於第3圈中，參考值X代表一通道孔橫側與推拔部 分之間的水平距離’且參考值Y代表一垂直距離，換言之 •加蓋金屬層之總厚度。藉著控制構成加蓋金屬層1〇6之 I'iU〇6a)與TiN(106b)層的厚度，—與加蓋金屬層！〇6之垂

直距難Y有關的鸟度較诖係保持於20到80度 '水平距離X Π 裝--------訂---I-----線 (請先K讀背面之注意事項再填罵本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45147| A7 __B7_____ 五、發明說明（9 ) 之較佳範圍係在於100到8〇〇埃（¾)之間。 以上所描述與顯示之蝕刻程序係執行到一處，其係暴 露第一傳導層104之表面，來形成通道孔he其亦可以藉著 蝕刻加蓋金屬層106之中心完成。如果蝕刻加蓋金屬層1〇6 之中心’則第一傳導層104係非暴露於通道孔h之底表面， 且加蓋金屬層之推拔部分的厚度Y可以較前者為小。 如第2d圖中所示，一預先決定厚度之介質層no係形 成於第二層間絕緣層108之上，其覆蓋通道孔h之内部。藉 著使用_包含濺灑單元之視準儀，一包含一阻隔金屬層112 之「Ti/TiNj沉爽物係形成於介質層Π〇之上。此時，介 質層110係以一單一氧化物層（例如：PEOX ' P-S.iH4或高 密度電漿（HDP)、Al2〇3)或一氮化物（例如··電漿增強氮化 物（PESiN)，或其之一多層結構（例如，「氡化物層/氣化物 層j、、「氮化物層/氧化物層」、「氧化物層/氮化物層/氧化 物層j或「氮化物層/氧化物層/氮化物層」）)所形成》 如第2e圖中所示，一鎢（W)之第二傳導層係形成於先 前程序完成的結構之上，藉著CVD程序填入通道孔h »於 第二傳導層108之上係執行一CMP或回蝕程序，來暴露阻 隔金屬層112之表面，由此於通道孔h内形成一鎢W之傳導 栓 114 » 如第2f圖中所示，一鋁（A1)、鎢（W)或銅（Cu)合金之 第三傳導層116係形成於阻隔金屬層112之上，該阻隔金屬 層具有傳導栓114。為了暴露第二層間絕緣層108表面之一 預先決定的部分，係使用一抗曝光層樣式（未顯示）作為連 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蜚} 12

IttlIIIIIIH isf _ I I ί11*!! — -"3^ - <請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁> A7 A7 控濟部智慧財產局員工消費合作社^¾ ______B7__ 五、發明說明（10 ) 續蝕刻第三傳導層116、阻隔金屬層112及介質層110之遮 罩，該抗曝光層樣式界定電容器之區域。結果，一預先決 定大小之傳導層（U6)界定一上電極（n)，由此完成製造 程序。 因此，介質層（110)係位於該介質層頂上之上電極（E )的「傳導栓（114)/傳導層（116)」沉澱物結構與該介質層 底上之下電極（I )的「傳導層〇〇4)/加蓋金屬層（1〇6)」 沉澱物結構之間》— MIM電容器係經由上述之製造程序 形成。此時，如以上所述’加蓋金屬層（1〇6)具有一「Ti/TiN 」或「Ti/TiW」沉澱物結構，且其與介質層U〇及下電極（ I )接觸之邊緣係形成一推拔之圓形。 如果MIM電容器係如此製造，為了形成通道孔，第 二層間絕緣層108與加蓋金屬層之間有選擇性之蝕刻速率 的差異導致不同的蝕刻程序，亦即，前者之氧化物層係為 垂直钱刻，且後者之加蓋金屬層係為推拔姓刻。因此，當 形成通道孔h時，於通道孔h之下表面與側向表面邊緣係形 成一推拔之圓形，而非一尖銳之角狀。 因此，如果執行此處所描述之程序（例如’一用來沉 澱介質層之程序）製造電容器，可以避免階狀覆蓋缺陷， 因為於特別部分（例如，通道孔11之下緣）係形成較通道孔匕 内其他部分薄之介質層n0e換言之一具有相等厚度之 介質層丨10係形成於通道孔h之内部上f第2f囿之—部份a ;係於第2g圖中放大，其顯示已沿著通道^之下緣形成 —平均厚度之介質層！ 10的展開圖 ------------I - I I I I III ^ * I I--I I I I <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45 1 47 1 A7 _B7__ 五、發明說明（11 ) 因此，本發明於防止由介質層110中之階狀覆蓋缺陷 所引起的漏電，及藉著上電極（I )舆下電極（Π)之間的 短路所引起之損害係為有效者，由此增進產品良率與可靠 性。 此外，因為介質層（110)之厚度更為均勻，操作裝置 之介質層上係形成更為均等之電場。結果，其係防止藉由 電場之集中所產生之缺陷，由此使本發明之電容器成為一 更令人滿意之高可靠性產品· 再另一方面，第2e圖到第2gffl中所示製造上電極（H) 之程序於本發明之另一具體實施例中可以進行修改，其傳 導層係形成於一阻隔金屬層112之上，經由一鋁（A丨）之再 流入程序用來填入通道孔h，無須一分離層沉救物程序、 CMP程序，或回蝕程序來形成一鎢（W)栓，且經由一定型 程序整平，由此形成上電極（Π)。 雖然已經以一單獨較佳具體實施例加以描述本發明， 那些熟知本技藝者將認知可以在附加專利申請範圍之精神 與範疇之内對本發明實行修改。 本發明之一 MIM電容器中有一優點，為了形成一下 電極之加蓋金屬層，「Ti/TiN」或「Ti/TiW」沉溉物結構 具有一較氧化物層高之有選擇性蝕刻速率，其代替傳統之 「TiN」單層結構。經由沿著通道孔之邊緣形成一均等厚 度之介質層，下電極於蝕刻程序中獲得一推拔之形狀.由 此藉著防止於介質層内之階狀覆蓋缺陷引起上電極與下電 極之間的漏電與短路，達成增進產品之良率。更進一步， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 14 — — — — — — — —— — — — — — — — — · I I — — — — — _ , (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 __B7 _ 五、發明說明（12 ) 藉著於介質層之特定部分防止電場的集中，其係完成高可 靠性之電容器。 -------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) -線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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Claims (1)

1. 5 1 47 I i 六、申請專利範圍 L 一種用來製造一半導體積體電路之一電容器的方法， 該方法之步騾包含有： (a) 於一第一層間絕緣層上形成_傳導層，該第—層間 絕緣層位於半導逋基質之上； (b) 於傳導層之上形成一加蓋金屬層，其中加蓋金屬層 具有一高於氧化物層之有選擇性蝕刻速率； (c) 為了要暴露第一層間絕緣層表面一預先決定之部分 ，藉著有選擇性的蝕刻加蓋金屬層與傳導層，於一 「傳導層/加蓋金屬層」沉溉物結構中形成一下電極 f (d) 於第一層間絕緣層之上形成一第二層間絕緣層，該 第一層間絕緣層具有下電極； (e) 藉著有選擇性的蝕刻第二層間絕緣層與下電極到一 預先決定之尾端點形成一通道孔，暴露下電極之表 面一預先決定的部分，其中於通道孔之封閉端沿著 下緣保持一推拔之加蓋金屬層；及 (f) 形成一上電極’且於下電極與上電極之間將一介質 層***通道孔内。 2.如專利申請範圍第1項之方法，其中加蓋金屬廣係由— 「Ti/TiN」或「Ti/Ti\V」沉濺物結構所形成。 3·如專利申請範圍第2項之方法，其中Ti係形成一50到500 埃U )之厚度。 4.如專利申請範圍第2項之方法，其中TiN或TiW係形成 一 100到WOO埃（為）之厚度。 本紙張&度適用中@國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------' 衣-------t訂---------線丨 <請先閱讀背面之it-.f事碩再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 17 申請專利範圍 5. 如卑利中請範圍第I項之方法，其中係以一 加蓋金屬層，該視準儀包含有一濺灑單元s 視準儀形成 6. 如專利中請範圍第1項之方法，其中尾端點係位於傳導 層之中’由此暴露其表面之一預先決定的部分a 如專利申請範圍第1項之方法，其中尾端點係位於加蓋 金屬層之中央。 8.如專财請範圍第丨項之方法，其中通道孔係,為乾姓刻 或複合姓刻所形成，該複合姓科係濕钱刻與乾鞋刻程 序之結合者β 9. 如專利申4範圍第！項之方法，其中乾姓刻更包含有以 1 : X混合蝕刻氣體CHF3與CF4，其中χ=〇,5到2。 10. 如專利申請範圍第1項之方法，其中係沿著通道孔封閉 尾端之平面100到800埃（& )之間的距離形成通道孔， 該平片位於沿著第二層間絕緣層通道孔之邊緣與沿著 通道孔之封閉邊緣的加蓋金屬層推祓之起始處之間。 U.如專利申請範圍第1項之方法，其中步驟（f)更包含有： (fl)於第二層間絕緣層之上形成一介質層，該第二層 間絕緣層覆蓋通道孔之一内部； (f2)於通道孔内形成一傳導拾； (f3)於介質層與傳導拴之上形成一第二傳導層；及 (f4)為了要暴露第二層間絕緣層之表面一預先決定的 部分選擇性地蝕刻第二傳導層與介質層，由此完 成上電極之Γ傳導拴/傳導層」沉澱物結構。 丨二π專利申請範圍第U項之方法其中歩驟（Π)更包含有 18 451471 A8 B8 CS D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 〇2a)於介質層之上形成一第三傳導層，且填入通道孔 内：及 (f2b)整平第三傳導層，直到暴露介質層之表面為止。 13. 如專利申請範圍第12項之方法，其中第三傳導層包含 有鎢（wp 14. 如專利申請範圍第12項之方法，其中係藉著一 cmp程 序或回蝕程序整平第三傳導層。 15. 如專利申請範圍第12項之方法，其更包含有：於介質 層之上形成一阻隔金屬層之步琢’該介質層於形成傳 導拴之前覆蓋通道孔之内部。 16. 如專利申請範圍第15項之方法’其中阻隔金屬層包含 有「Ti/TiN」沉澱物結構。 17. 如專利申請範圍第1項之方法，其中步驟⑺更包含有： (fl)於第二層間絕緣層之上形成一預先決定厚度之介 質層’該第二層間絕緣層覆蓋通道孔之内部： (f2)於介質層之上形成一第二傳導層，且填入通道孔 内； (f3>於一預先決定之溫度回流第二傳導層；及 (f4)選擇性蝕刻第二傳導層與介質層，來暴露第二層 間層表面之一預先決定的部分，由此完成由第二傳 導層所製造的上電極。 18_如專利申請範圍第17項之方法，其更包含有一於介質 層之上形成一阻隔金屬層的步驟，該介質層於形成第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） <請先閲讀背面之r意事項再填寫本頁》 訂---------線· 19 δ 8 δ ABCD 經濟部智玆时產局員工沾費合作钍.£1.'|6 六、申請專利範圍 二傳導層之前覆蓋通道孔之内部。 19. 如專利申請範圍第18項之方法’其中阻隔金屬層係由 一「Ti/TiN」沉艰物結構所形成。 20. 如專利申請範圍第1項之方法’其中介質層係由—單層 氧化物或氮化物之結構’或一結合氧化物與氮化物之 沉激物結構所形成。 21. 如專利申請範圍第2〇項之方法，其中係藉著從ρΕοχ、 P-SiH4、HDP與Al2〇3之群組中選擇一者來形成氧化物 層。 22. 如專利申請範圍第2〇項之方法，其中氮化物層包含有 PESiN。 23. 如專利申請範圍第2〇項之方法，其中係藉著從「氧化 物層/氮化物層」'「氮化物層/氧化物層」、「氧化物 層/氮化物層/氧化物層」'「氮化物層/氧化物層/氮化 物層」/儿殺物結構之群組中選擇一者來形成介質層s 24. —種半導體積體電路，其包含有： 於一第一層間絕緣層之上形成一傳導層，該第一 層間絕緣層位於一半導體基質之上： 於傳導層之上形成一加蓋金屬層、其中加蓋金屬 層具有一有選擇性的蝕刻速率，其高於一氧化物層之 链刻速率； 為了要暴露第一層間絕緣層表面之一預先決定的 4々，藉著選擇性蝕刻加蓋金屬層與傳導層（於r傳 導層’加蓋金屬層，沉澱物結構内形成一 丁電極： ,~r e, ___ Ί·__ -i規.格 ------------- _ ___I _ I 訂-________ (請先閱讀背面之注意事項再填駕本頁) ：20 4 i—r 5 A8B8CSD8 六、申請專利範圍 於第一層間絕緣層之上形成一第二層間絕緣層， 該第一層間絕緣層具有下電極； 藉著將第二層間絕蝝層與下電極選擇性蝕刻到一 預先決定之尾端點形成一開孔，暴露下電極表面之一 預先決定的部分，該開扎係藉著第二層間絕緣層與下 電極界定’其中一推拔之加蓋金屬層係沿著於開孔之 封閉尾端下緣所保持；及 —介質層’該介質層位於下電極與上電極之間的 開孔内。 μ ““ 25.如專利申請範圍第24項之袁^:乂丨其，兔加蓋金屬層包括 (請先閱讀背面之注意事項再填筠本頁> 有一「Ti/TiN」或rTi/TiW沉派物。 26. 如專利申請範圍第25項之 到500埃（& )之厚度。 27. 如專利申請範圍第25項之

   中Ti係形成到約5 。 ΓΠΝ或TiW係形月 訂： 到約100到1500埃（A )之厚 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 28. 如專利申請範圍第24項@_;其中蝕刻之尾端點^ 伸到傳導層，由此暴露其 29. 如專利申請範圍第24項之^ 先決定的部分 更包含有： 於一第二脣锊絕緣潘之上形成一俾♦層，該第―二 層間絕緣層復蓋通道孔之内部； 於通道孔内形成一傳導拴；及 於介質層與傳導拴之上形成一傳導層，且為了要 暴露第二層間絕緣層表面之一預先決定的部分，選擇 性地蝕刻介質層，由此完成一上電極之r傳導拴/傳導 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> 21 * 六、申請專利範圍 AS BS cs DS 層」沉殿物e30.如專利申請範圍第29項之 i鍵較'其更包含有：於介質 層之上形成一傳導層，並填入開’孔中，其中係整平傳 導層，直到暴露介質層之表面為止。 y.|·、. ， -------n n ff m I 1 - - n I _ _ _ _ 一0, » If ! - - - - It I (請先wti背面之注意i項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印起