TW411491B - Vacuum processing method and apparatus - Google Patents

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A7 B7 經濟部中央標準局K工消费合作社印家 五、發明説明（ 技術領域 本發明係關於在形成於眞空容器内之處理室内部利用氧 自由基處理被處理物之眞空處理方法及裝置。 背景技術 以往’對於半導體用晶圓（wafar)基板或液晶顯示用玻璃 基板等（以下統稱爲「被處理物j )施予蝕刻處理或灰化 (ashing)處理等所需之方法及裝置，係使用眞空處理方法 及裝置。此眞空處理方法及裝置係一種將被處理物搬入形 成在眞£容器内部之處理室内部，而以眞空下處理該被處 理物之方法及裝置。 以往之眞艾處理方法及裝置之一例子，有一種爲在與處 理室分開之電漿產生室將處理氣體（pr〇cess gas)予以活性 化而產生自由基（radicals)，將自由基導入處理室内部，供 給於被處理物之表面，以自由基進行被處理物表面之薄膜 蚀刻處理之化學乾式蝕刻（C D E )方法及裝置。 再者，以往之眞空處理方法及裝置-之另一例子，係將供 給於處理室内部之處理氣體，利用高頻電壓予以電漿化， 而利用形成在處理室内部之電漿進行蝕刻處理之反應性離 子蚀S!l ( R I E )万法及裝置=另外，也有一種對供給於處理 室内部之處理氣體施加微波，產生微波激發電漿，而利用 此電漿來進行蝕刻之微波電漿蝕刻方法及裝置。 然而，以往之眞空處理方法及裝置，若以氧自由基處理 被處理物時’在眞空處理裝置之處理室内部，如有有機系 之物1k，即，有機系之構造材料或有機之黏著劑等露出， _—__~ 4 ~ 本紙依尺i剌中關家辟（CNS ) A视格（2丨QX297公楚- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·I ---；----^ ----------

1 - i - I 經濟部中决標隼局貝工消費合作社印製 411491 A7 ______ B7 五、發明説明（2 ) 則該有機系物質勢必爲氧自由基所蝕刻掉。 譬如詋，如第6圖所示，在設在處理室内部之被處理物之 載置台3之栽置面3 &上，設有用以將被處理物固定在載置 台3之靜電式夾片裝置（chuck)28，而此靜電式夹片裝置冗

具有片狀之電極29，及由兩面夾裎該電極29而予以覆蓋之 電極用片材3〇。 I 另外，琢電極用片材3 0係由屬於有機系物質之耐熱性高 分子材料，例如，聚醯亞胺所形成.。又，靜電式夹片'裝置 28之下側之電極用片材30 ’係以有機系黏著劑Η黏接在 載置台3之載置面3a上。 如上述，由於電極用片材30及黏著劑32皆係由有機系物 質所成’所以露出於處理室内部的部分之電極用片材3〇及 有機系之黏著劑3 2勢必被爲處理被處理物所使用之氧自由 基所蝕刻。 如此，露出理室内部之有機系物丄通身錢理被 處理物所使用之氧自由基所蚀刻，致_有^^眞空處理 裝置谓，如靜電式失片且將構成產生微 粒（）之原因而造成降低製品反率（y Wd)之問題。就 使用氧自由基之眞空處理裝置而t，按道理應避免使用有 機系物質’但目前，實際上或因零件加工上之需要，或因 零件共通化上之需要，乃不能避免有❹物質之_。 是以，本發明之目的乃在於提供—種即使心氧自由基

處理被處理物時，也能防止露出於處猶部之有機系物 質被蝕刻之眞空處理方法及裝置D _____-5- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) AUm { 210X297^5~P~~ « . - - -I. I —^^1 . * _ I I -'I -I · - -I 、^τ^· I I I imi I - p . I n - -' -i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . 411491 五 、發明説明（3 A7 B7 |明之揭也 依本發明之眞空處理方法，係一種在形成在眞空處理裝 置之气ΐ谷器内之處理室内部以氧自由基處理被處理物之 匕 , 興S處理方法，包括有：於將被處理物搬入該處理室之 1使用4眞2處理裝置令至少士有氟自由基之氟化處理 用氣體活性化而產生氟自由基，而以該氟自由基將露出於 二處理Α内邛之有機系物質之表面予以氟化處理之製程； 於琢氟化處理製程後將被處理物搬入該處理室之製程；以 及將至少含有氧原子之處理氣體予以活性化而產生氧自由 基，而以該氧自由基處理被處理物之製程爲特徵。 另外’在本説明書中所謂「自由基」係指在化學上處於 活性度高的激發狀態之原子或分子^「自由基」也有稱 此爲「活性種」之情形。 又，較佳爲該眞空處理裝置備有：用以載置被處理物而 設在處理室内部之載置台，及用以將被處理物固定在該載 置台而設在茲載置台表面之靜電式失‘片裝置；而該靜電式 炎片裝置具有電極’及覆蓋該電極之電極用片材：該有機 系物質爲用以將構成電極用片材， . 叹#龟式夹片裝1黏著 經濟部中央標隼局員工消费合作社印繁 於孩載置台表面所使用之有機系黏著劑者。 又’ ρ 屋具備有： 蜊以载置被虚理物 而設在處理室内部之載，蓄台，用以 " ' ^ . ... 以將破處理物固定在該載 :置台而設在該載置台表之靜電式央 、人巧朱署.-，以及盏保禮 該靜電式夾片裝置而如同覆蓋該靜兩 ' 耶％式夾片裝置般而設之 含氟樹脂製之保護片材：而該有機* "^系物質爲用以黏著該保 6. 本紙张尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4現格（210X 297公釐）

411491 五、發明説明（4 護片材所使用之有機系黏著劑者： 又，較佳爲該氧化處理今 知埋用虱體為至少含有氟原子之氣體 與〇2氣體之混合氣體。 又’較佳爲至少含有氟原子之氣體爲至少含有CF4、 c2F6、C3FS、nf3、Sf6中任一種或複數種之氣體。 又’較佳爲該4化處理用氣體中之02氣體之流量比率爲 4 0 %以下。 又，較佳爲該處理氣體爲至少含有02氣體之氣體a 又，較多馬孩處理氣體及氟化處理用氣體係分別在由處 理室分開的產生室予以活性化，然後，將敦自由基或 氧自由基導入該處理室内部。 又’較佳爲严處理被處理物之製程爲將複數之該被處理 物連續地予以處理之製程，而於處理該被處理物之製程之 後再予反覆實施該氟化處理製程。 因此’依本發明之眞空處理方法，由於將露出於處理室 内α卩之有機系物質之表面以氟自由基予以氟化處理_，然 ίέ ’以氧自由基處理被處理物而予以構成，因此，有機系 物员中經說化之表面將當做保護膜而作用，故可防止氧自 由基所造成之有機系物質被触刻之現象。 依本發明之眞空處理裝置，包括有： 可將内部予以眞空排氣之眞空容器：形成在該眞空容器 内气之處理室：具有將至少含有氟原子之氟化處理用氣體 予以活性化而產生氟自由基之功能及將至少具有氧原子之 處理氣體予以活性化而產生氧自由基之功能之自由基產生 本纸乐尺度適用中國固家標準（CNS ) Α4規格（2!ΟΧ297公釐） (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂 後！ 經濟部中央標率局員工消费合作社印製 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 411491 , A7 ______B7 五、發明説明（5 ) 裝置.用以對孩自由基產生裝置供給氣化處理用氣體或處 理氣體之氣體供給裝置：以及爲載置被處理物而設在處理 室内部之載置台：而 經以氟自由基將露出於處理室内部之有機系物質之表面 予以氟化處理後，將被處理物載-置於該處理室内之載置 -台，而以該氧自由基處理該處理物爲特徵。 又，本發明之眞空處理裝置，包括有： 可將内邵予以眞空排氣之眞空容器：形成在該眞空容器 内部足處理ϋ:將至少含有氧自由基之處理氣體予以活性 化而產生氧自由基之自由基產生裝置：用以對該自由基產 生裝置供給處理氣體之氣體供給裝置：爲載置被處理物而 設在處理室内部之載置台：爲將被参理物固定在載置台而 設在該載置台表面之靜電式夾片裝置：以及爲保護該靜電 式夾片裝置而如同覆蓋該靜電式夾片裝置般而設之含氟樹 脂製之保護片材爲特徵= 又’較佳爲該露出於處理室内部之-有機系物質之表面， 係經由將至少含有氟原子之氟化處理氣體使用該自由基產 生裝置予以活性化所產生之氟自由基施予氟化處理。 又’較佳爲該氟化處理用氣體爲至少含有氟原子氣體與 0 2氣體之混合氣體。 又’較佳爲該至少含有氟原子之氣體爲至少含有CF4、 c 2 F 6 ' C 3 F 8、N F 3 ' S F 6中任一種或複數種之氣體。 又’較佳爲該氟化處理用氣體中之〇2氣體之流量比率爲 4 0 %以下》 _ 冬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 峻1. 411491 A7 ^__________B7_^ 五、發明説明（6 ) ~~~ 又，較佳爲該處理氣體爲至少含有I氣體之氣體。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，較佳爲該自由基產生裝置具備由處理室分開的電漿 產生室，在該電漿產生室所產生之自由基係導入該 内部。 又，較佳爲該露出於處理室内為之有機系物質之氟自由 .基予以氟化處理後，反覆實施連續地處理複數之被處理 物。 因此，依本發明之眞空處理裝置.，由於將露出於處理室 内部之有機系物質之表面以氟自由基予以氟化處理，然 後’以氧自由基處理被理物而予以構成，因此，有機系物 質中經氟化之表面將當做保護膜而作用，故可防止氧自由 基所造成之有機系物質被蝕刻之現象。 又，依本發明之眞空處理裝置，由於爲保護靜電式夾片 裝置而如同覆蓋靜電式夾片裝置般設有含氟樹脂製之保護 片材，因此’可藉此保護片材來防止氧自由基所造成之靜 電式失片裝置被姓刻之現象。 — 圖面之簡單説明 經濟部中央標準局員工消费合作社印掣 第1圖爲表示依本發明之—實施例之眞空處理裝置之化學 乾式蚀刻裝置（c D E裝置）之概略構成縱斷面圖。 第2圖爲擴大表示第1圖所示之眞空處理裝置之載置台之 —部分之縱斷面圖。 第3圖爲表示利用氟化處理之有機系物質之保護效果之比 較實驗結果之表3 第4圖爲表示利用CF4與〇2之混合氣體蝕刻有機系物質時 411491五、發明説明（7 A7 B7 之姓刻速率’及以光譜分析解析當時之自由基產生比率的 結果之圖表。 第5圖爲表示使用第1圖所示之cdE裝置以〇匕與〇2之混 合氣體將由有機系物質所成之膜予以氟化處理時，相對於 〇2流量比率之有機系物質之氟化遙率之圖表。 第6圖爲擴大表示以往之眞空處理裝置之載置台之—部八 縱斷面圖 經濟部中央標準局貝工消費合作社印11 符號之説明- 1 眞空容器 2 處理室 ·> 載置台 3 a載置面 4 底板 5 排氣口 6 排氣管 ， 7 天板 8 氣體導入口 9 氣體導入管 10 石英管 11 封止構件 12 微波導波管 ]3 -電漿產生裝置 14 電漿產生宣 15 氣體儲留室 16 噴-淋嘴 17 氣體噴出口 18 氣體輸送管 19 氣體流路 2 0 配管 2 1 配管 22 第一流量調整 23 第一氣瓶 24 第二流量調整 25 第二氣瓶 26 氣體供給裝置 2 7 微波產生裝置 2 8 靜電式夾片裟 29 電極 30 電極用片材， 3 1 保護片材 32 黏著劑 -10 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ίΟΧ297公釐） -------------\------訂------' I , _- - (請^閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 411491 A7 -----__ B7 _ 五、發明説明（8 ) 33 端部 s 被處理物 最佳實施例 以下，參照圖面説明依本發明之眞空處理方法及裝置。 第1圖爲衣不用以.實施依本發明之眞空處理方法之眞空處 .I ι_•之例子，屬於所謂下行流（down flow)型之放電分 離型化學乾式蝕刻裝置（以下稱爲「C D E裝置」）。 第1圖中’符號1代表眞空容器’此眞空容器丨之内部形 成有處理室2。處理室2内部設有載置台3，此載置台3之上 面載置有被處理物S。另外，載置台3上設有未圖示之溫度 "周即機構，藉此溫度調節機構便可加以控制被處理物S之 溫度。 在眞空容器1之底板4形成有排氣口 5，此排氣口 5安裝有 ¥存‘與眞空泵（未圖示）相連接之排氣管6。在眞空容器I 之天板7形成有氣體導入口 8，在此氣體導入口 8則安裝有 以含氟樹脂形成之氣體導入管9 = 該氣體導入管9連接有石英管1 〇之+—端，此石英管丨〇之 另一端則安裝有封止構件1 1，此封止構件！ 1之内部則形成 有氣體〉ϋ路1 9。在封止構件1丨連接有氣體輸送管丨8之一 '端，氣體輸送管1 8之另一端則分支成配管2 0及配警2 1。 在配管2 0及配管.2 1，分別連接有具有第一流量調整闕2 2 之第一氣瓶2 3及具有第二流量調整閥2 4之第二氣我2 5 s 第一氣瓶2 3及第二氣瓶2 5係構成氣體供給裝置2 6。 此外，塡充在第一氣瓶2 3之氣體，係至少含有氣原子之 氣體，較理想爲至少含有CF4、C2F6、C3Fs、nf3、sf6 --- ·Ί---____ 本纸張尺度適用中國固家標準（CNS )A4現格（2丨OX 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 吹__ A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作祍印製

12- 411491 五、發明説明（9 中任一種4複數種之氣體。又，填充在第二氣瓶25之歲 體，係至少含有氧原子之氣體，較理想爲至少含有= 之氣體。 · 在石英管丨0之途中，以如同包圍石英管i〇 一般設有具備 微波導波管1 2.之自由基產生裝置；即，電漿產生裝置丨3， 而在由此電漿產生裝置1 3所包圍之石英管丨〇之内部形成有 電漿發生室14。微波導波管12則與微波產生器27相連 接0 . 而且，爲使經由設在眞空容器丨之天板7之氣體導入口 8 而導入處理室2之内部之自由基，均勻地供給被處理物s之 所有表面，則以在處理室2之上部形成氣體儲留室。之方 式設有噴淋嘴（shower nozzle ) I 6，而在噴淋嘴w則形成有 眾多氣體噴出口] 7。. 第2圖爲將第丨圖所示之c DE裝置之載置台3之一部分予 以擴大表示之縱斷面圖3如第2圖所示，在載置台3之載置 面3a，設有用來以靜電吸著力固定被處理物§所需之靜= 式夾片裝置28。此靜電式夹片裝置28具備由鋼等導電性構 件所成之片狀電極29，及將此電極29自兩面夹住而覆蓋之 電極用片材30。其中電極用片材3〇係由屬於有機系物質之 耐熱性高分子材料，例如聚醯亞胺所形成3另外，下側之 電極用片材30係由有機系之黏著劑32黏接在载置台3之裁 置面面3 a。 另外"f %式夾片裝设2 8之表面係由保護片材3 ^所覆 蓋，此保護片材較理想爲由含氟樹脂形成之。如上述由 張尺度適用中國國家標準（CNS ) Ad規格{210^291^ 411491 a, --— _ _ B7 _ -------" ----— - ___ 五、發明説明（1〇 ) ' 於由有機系物質所成之電極用片材3 0係由保護片材3 1所覆 蛊’所以，能防止電極用片材3 〇之表面，爲蝕刻被處理物 S之際所使用之氧自由基所蝕刻而損耗之現象。 保護片材3 1係由屬於有機系物質之有機系黏著劑3 2所黏 接在靜電式夾片裝置28之上侧之電極用片材3〇之表面及載 置台3之栽置面；3 a之周緣部，但該有機系黏著劑3 2，其端 部33卻向處理室2(參照第1圖）之内部露出D因此，如未採 取某些適當之措施’則於進行利用氧自由基處理被處理物 S時’露出了有機系黏著劑3 2之端部3 3勢必受到蚀刻。 此外’除有機系黏著劑3 2之踹節3 3外，也有例如，在眞 空容器丨之内壁面中露出有有機系之物質。 因此，在依本實施例之眞空處理方法及裝置，則首先， 將被處理物S搬入處理室2之前，以眞空泵經由排氣管6及 排氣口 5將眞空容器1之内部予以排氣成眞空狀態。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印架 其次’將至少含有氟原子之氣體自第一氣瓶2 3經由配管 2 〇、氣體輸送管1 8及封止構件1 I之氪體流路1 9而從石英 管1 0乏一端導入。此時，也自第二氣瓶2 5供給至少含有氧 原子之氣體。然後，調節第—流量調整閥22及第二流量調 ’整間2 4，使至少含有氟原子之氣體及至少含有氧原子之氣 體之流量及流量比率，設定爲適合有機系物質的氟化處理 之數値3 然後’介由電漿產生裝置】3之微波導波管！ 2，自微波產 生為2 7對電漿產生室丨4施加微波。於是，在電装產生室 1 4之内部產生發光（gl〇 w )現象，產生電漿p ’以激發氟化 ---- -13- 一 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公楚） 411491 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（μ 處理用之混合氣體中之氟而產生氟自由基。 然後，經由石英管10及氣體導入管9從氣體導入口8對氣 體儲留室15供給含有氟自由基之氟化處理用氣體。供焓美 氣體儲留室”之内部之氟化處理用氣體，將因氣體儲留实 與處理室2間之嫛力差，從氣體嗜出口^均“Μ向 處理室2之内部噴射出， 於是，供給至處理室2之内部之氣自由基，即將到達露出 於處理室2之内部的有機系之物質叫朴，有機系黏著劑 32;端邵33，並將該端部33之表面予以氟化處理。經與 有機系黏著劑3 2义端部3 3反應之氟化處理用氣體，係經由 排氣口 5及排氣管6以眞空泵排出之。 上述4氟化處理，乃按形成所要厚度之氟化膜所需要； 時間繼續實施，然後，一旦停止供給來自第一氣瓶U及： 一氣瓶25之氣體，將被處理物ς搬入處理室2。其次，自芦 二氣瓶2 5經由配管2 1、氣體輸送管丨8及封止構件丨丨之氣 體流路1 9從石英管1 〇之一端導入至吵含有氧氣原予之氣 體。此時，自第一氣瓶23也供給至少含有氟原子之氣體/ 然後，調節第一流量調整間22及第二流量調整岡24，使至 少含有氟原子之氣體及至少含有氧原子之氣體之流量及流 量比率設定在適合被處理物S之蝕刻處理之數値。 並且，自微波產生器27藉由電漿產生裝置丨3之微波導波 管1 2對電漿產生室I 4施加微波，於是，在電漿產生室1 4 之内部產生發光現象，產生電漿p，以激發由至少含有氧 原子之氣體及至少含有氟原子之氣體所成之製程氣程中之 -14- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公楚） (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -a 411491 A7 B7 經濟部十央標準局負工消費合作社印掣 五、發明説明（12 氧而產生氧自由基。 將含有氧自由基之處理氣體經由石英管1〇及氣體導入管 9自氣體導入口 8對氣體儲留室15之内部供給。供二至氣體 儲留室之内部之含有氧自由基之處理氣體，將因氣體儲 留室與處理室2間之塾力差，從氣體噴出17 口均勾地快 速向處理室2之内部噴射出。於是，供給至處理室2之内部 之氧自由基即將到達被處理物5之表面，與被處理物$之表 面之薄膜反應而蝕刻該薄膜。經與·被處理物s之表面之薄 膜反應之處理氣骨置，係經由排氣口5及排氣管6以眞空菜排 出之。 相對地，供給至處理室2之内部之氧自由基，也會到達露 出於處理室2之内部之有機系物質，例如，有機系黏著劑 端邵33之表面。然因該有機系黏著劑32之端部”等 (表面已施有氟化處理，所以氧自由基所引起對有機系黏 者剖32等之蚀刻，將顯著地受到抑制，故其蚀刻量極其 小。 其次，連續地依序對數片或數十片之被處理物8實施敍刻 處理k，—旦中止被處理物5之_處理，而以載置台3上 並典載放被處理物S之狀態下再實施上述氟化處理製程。 ‘方式再將有機系物免（表面予以氣化處理後，再次實 施被處理物S之蚀刻處理’經處理數片或數十片，以後： 則，替反覆實施如上述之有機系物質之氣化處理製程和被處 理邵S之餘刻製程。 另外，以上係舉例説明被處理物之蝕刻處理，但本實施 表紙張尺妓財mrn^-cm) Μ規格 (請先閱讀背面之注意事項再填宵本頁)

五 411491 A7 B7 發明説明（13 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 1也可適用於被處理物之質化（ashing)處理。 又’氣化處理用氣體，較理想爲至少含有C F 4、C 2 F 6、 hPs ' NF3、51^中任一種或複數種之氣體。 又’處理氣體較理想爲至少含有0 2氣體之氣體。 上述實施例係針對靜電式夾片裝置2 8之表面係由保護片 材^ 1所覆蛊之場合加以説明，但如第6圖所示，對於在靜 黾式夾片裝置28之表面並未設有保護片材31之場合，也可 適用依本實施例之眞空處理方法及裝置。 亦即，右係如第6圖所示之構成，則於在載置台3上載置 被處理物S之前’以與上述氟化處理方法相同之方法將聚 醯亞胺製之電極用片材3 0之表面及有機系黏著劑3 2之露出 部分予以氟化處理s 如此操作，則於以氧自由基蝕刻處理被處理物S時，即能 防止電您用片材3 0及有機系黏著劑3 2受到氧自由基之蝕刻 作用。 〆 第J圖衣不予以查證使用第I圖所示-之c d e裝置所實施， 氣化處理對於有機系物質之保護效果之比較測驗結果^試 樣係使用在表面形成有屬於有機系物質之碳膜之晶圓。另 外，木測驗雖係以晶圆表面上之有機系物質爲對象，但對 於在興里答器】之内壁面或載置台3等所露出之有機系物 兔’例如’有機系黏著劑或聚醯亞胺也可適用之。 第_3圖中上攔，係未經過氟化處理，突然對試樣以氧自由 基她丁 6 0分鐘轴刻處理時之結果。蝕刻用氣體使用以1 . 3 之比率混合C匕氣體與ο,氣體之混合氣體’並以微波電力 ---------r ^------、玎-----I,Λ— -· ί ~ (請'先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> ------------ -16-

411491 A7 B7 五、發明説明（14 ) = 45〇W、壓力= 4〇pa、載置台溫度= 5Χ：下進行蝕刻處理a 結果，未預先對試樣實施氟化處理時之碳膜之蝕刻量爲39 u m ° 與此相對地，第3圖之下攔，係首先對試樣實施i分鐘之 氟化處理，然後，與上述同一條件下進.行蝕刻處理後之結 果。具體而言，爲產生氟化處理所需之氟自由基之氣體， 係使用以3 :】之比率混合ch氣體與〇2氣體之混合氣體， 並以微波電力= 700W、壓力=40Pa、載置台溫度下對 試樣進行氟化處理。 如此，預先施予氟化處理之碳膜之蝕刻量爲〇 5 " m，與 未贫施氟化處理之情形相比，可知因氧自由基所造成之蝕 刻作用已大幅地受到抑制。 第4圖爲表示使用第i圖所示之CDE裝置，而以（：匕與〇2 之混合氣體蝕刻由有機系物質所成之膜時之蝕刻速率，以 及以發光分析解析當時之自由基之產生比率之結果之圖 表，其中横軸係衣示相對於混合氣體之總流量之〇 2流量比 率 〇 經濟部中央標準局員工消资合作社印策 由第4圖即可知，隨著I之流量比率增大，氧自由基之 產生比率也增大，同時由有機系物質所成之膜之蝕刻速率 也增大。若將0 2之流量比率減至2 5 % (即，C 氣體：〇， 氧體=3 : 1左右時，由有機系物質所成之膜之蝕刻速率則 極其小，可予忽視，如以此種條件下進行氟化處理時，於 氟化處理時t有機系物質之蝕刻現象並不致成爲問題3 第5圖爲表示使用第）圖所示之c D E裝置，以c F 4與〇，之 -17 本紙張尺度適用㈣g]家梯準（CNS ) 44卿·（ 210X297公釐） 411491 A7 五、發明説明（15 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印嚷 ί昆合氣體將由有艘$ ， 之流量比率之有^負所成之膜氣化處理時，相對於⑴ 可知，跟速率之圖表。由第5圖便 -比率疋増加，氟化速率目彳诘 去 量比率超過4〇%時，則有 、y ，，減/，而02w ，,, 則有機系物貝I氟化幾乎不再進行。 产& ’軋化處理用氣體使用CF4與〇2之混 氟化處理用氣體中 》乱姐時 下。 2就足泥里比率’較佳爲4 0%以 :士述’依本實施例之眞空處理方法及裝置，由於以氟 :將露出於處理室2之内部之有機系物質之表面予以 鼠化處理，炊换，；& …、後以乳自由基將被處理物s予以蝕刻處 理τ因此’可防止氧自由基所引起有機系物質之蝕刻。 1外’由於爲保護靜電式失片裝置28而以復蓋靜電式夾 =裝直28之狀態設置了含氟樹脂製之保護片材3卜因此， 藉此保護片材3】便可使靜電式夾片裝置28之 3。免於受到氧自由基之錢刻。 -用片材 再者，由於有機系物質之氟化處理—可利用眞空處理裝置 本身來貫施，因此，不需要另備其他個別之有機物質氟化 處理設備，且也不需要自眞空處理裝置取下會成爲氟化處 理之對象之構件之作業a 此外’可適用本發明之眞空處理方法及裝置，並非限定 於上述C D E方法及裝置，也可適用於在眞空下處理被處理 物之各種眞空處理方法及裝置。具體而言，對於諸如··反 應性離子蝕刻（RIE)方法及裝置，微波電漿蝕刻方法及裝 置等各種乾式蝕刻方法及裝置，或灰化方法及裝置等。 请 先 閎 讀 背― 之 注

I i -訂 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M洗格（2丨〇 X 297公釐） 411491 A7 B7 五、發明説明（16 ) 產業上之利用性 本發明可使用於半導體晶圓基板或液晶顯示板玻璃基板 等之蝕刻處理或灰化處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 丁 -Φ "! 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ -19- 本紙張尺度適用中囯國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. '資顏1^雜本(89年1月)

   經濟部中央標隼局貞工消費合作社印装 L· 種真工處理方法’係在形成於真空處理裝置之真空容 器内之處理室内部以fj $ + 、 乳自由基處理被處理物之真空處理 万法，包括有： 於將被處理物搬入葳處理宣之前，使用該真空處理裝 7至少含有氟原子之氟化處理用氣體活性化而產生氟 由土而以忒氟自由基將露出於該處理室内部之有機 系物質之表面予以氟化處理之製程； 於蒽氟化處理製程後將被處理物搬入該處理室之 程；以及 將至少含有氧原子之處理氣體予以&性化而產生氧 由基，而以該氧自由基處理被處理物之製程。2.如申凊專利範園第1項之真空處理方法，其中 :该真空處理裝置具備：用以載置被處理物而設在處 至内。「之載置台，及用以將被處理物固定在該載置台 設在該載置台表面之靜電式夾片裝置；而 該靜電式夹片裝置具有電極，及覆蓋該電極之電極 片材； 邊有機系物質為用以將構成電極用片材、及靜電式 片裝置黏著於該載置台表面所使用之有機系黏著劑。J.如申請專利範圍第1項之真空處理方法，其中 該真空處理裝置具備：用以載置被處理物而設在處 室内邵疋載置台，用以將被處理物固定在該載置台叫 在及載置台表面之靜電式夾片裝置，以及為保護該靜 式央片裝置而以覆蓋該靜電式夾片裝置之方式而設 1. 製 白 理 而 夾 而設 電 之氟 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 裝· '資顏1^雜本(89年1月)

   經濟部中央標隼局貞工消費合作社印装 L· 種真工處理方法’係在形成於真空處理裝置之真空容 器内之處理室内部以fj $ + 、 乳自由基處理被處理物之真空處理 万法，包括有： 於將被處理物搬入葳處理宣之前，使用該真空處理裝 7至少含有氟原子之氟化處理用氣體活性化而產生氟 由土而以忒氟自由基將露出於該處理室内部之有機 系物質之表面予以氟化處理之製程； 於蒽氟化處理製程後將被處理物搬入該處理室之 程；以及 將至少含有氧原子之處理氣體予以&性化而產生氧 由基，而以該氧自由基處理被處理物之製程。2.如申凊專利範園第1項之真空處理方法，其中 :该真空處理裝置具備：用以載置被處理物而設在處 至内。「之載置台，及用以將被處理物固定在該載置台 設在該載置台表面之靜電式夾片裝置；而 該靜電式夹片裝置具有電極，及覆蓋該電極之電極 片材； 邊有機系物質為用以將構成電極用片材、及靜電式 片裝置黏著於該載置台表面所使用之有機系黏著劑。J.如申請專利範圍第1項之真空處理方法，其中 該真空處理裝置具備：用以載置被處理物而設在處 室内邵疋載置台，用以將被處理物固定在該載置台叫 在及載置台表面之靜電式夾片裝置，以及為保護該靜 式央片裝置而以覆蓋該靜電式夾片裝置之方式而設 1. 製 白 理 而 夾 而設 電 之氟 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 裝· 經濟‘邓中央標準局貝工消費合作社印裝 411491 il C8 --------___ 六、申請專利範国 樹脂製之保護片材，而 該有機系物質為用以黏著該保護片材所使用之有機系 黏著劑。 4_如中请專利範圍第1至3項中任—項之真空處理方法’該 氟化處理用氣體為至少含有氟原子之氣體與氣體之混 合氣體。 5. 如申請專利範圍第4項之真空處理方法，其中至少含有 敗原子之氣體為至少含有CF4、c2F6、、NF3、 sf6中任一種或複數種之氣體。 6. 如申請專利範圍第4項之真空處理方法，其中該氟化處 理用氣體中之〇2氣體之流量比率為40%以下。 7. 如申請專利範圍第1項之真空處理方法，其中該處理氣 體為至少含有〇2氣體之氣體。 8. 如申請專利範圍第1項之真空處理方法，其中該處理氣 體及氣化處理用氣體係分別在由處理室分開的電漿產生 室予以活性化’然後’將氟自由基或氧自由基導入該處 理室内部。 9. 如申請專利範圍第i項之真空處理方法，其中該處理被 處理物之製程為將複數之该被處理物連續地予以處理之 製程’而於處理該被處理物之製程之後再予反復實施該 氟化處理製程。 10. —種真空處理裝置，包括有： 可將内部予以真空排氣之真空容器；形成在該真空容 器内部之處理室；具有將至少含有氟原子之氟化處理用 -2 - 本紙張尺度適用中國圉家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. r1T