TW389848B - Removing agent composition for photoresist and method of removing - Google Patents

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:，.一··— — A7 -同7-~ 五、發明説明（气【 無忧 光阻稱灰粉拋光後，將圃2之半導體裝置浸入組成物 表3所示的去除劑中經預定之時間，然後以超純之水清 洗，接箸乾燥。其後以霣子顯撤鏡（SEM)評估鋁線路3 之腐蝕性•結果列於表3中。 例25茶33 對照例us 1 r 重覆例19至24及對照例9至12之步驟，但以組成如表 4所示之去除劑取代表3之去除劑，然後評估去除性及 腐拽性。结果列於表4中。 對照例17至19 重覆例1至9及對照例1至4之步驟，但以組成如表 5所示之去除劑取代表1之去除剤，然後評估去除性及 腐蝕性。結果列於表5中。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 -釔.* «濟部中夫揉準局貝工消费合作社印簟 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS > A4洗格（2丨0><297公釐） A7 B7 五、發明説明（1 ) 太發明夕昔鲁 1.本搿明夕領城 ----^---：----裝—— (請先閲讀背面之注意事項^:寫本頁 本發明乃有關去除”光阻劑"（Photoresist)用之清潔 劑（M下簡稱為”去除劑”）組成物及去除方法，更具體而 言是有闞在半導體積體圖案之製程中用來去除光阻劑層 之去除劑組成物，K及去除光阻劑層之方法。 2 .相Μ坊蓊夕說明 每種半導體積體圖案之製法均包含在無機基材上施塗 光阻劑，暘光並顯像而形成光阻劑圖案，蝕刻未被光阻 劑圈案覆蓋之部分的無機基材，而得细緻的圖案，然後 由無機基材去除光阻劑薄膜，或是依同法形成细緻圖案 後，進行灰粉拋光，然後由無機基材脫去除光阻劑殘餘 物。 Μ往採用酸性去除劑及鹼性去除劑做為此製程中之光 阻劑用去除液。 線---- 酸性去除劑乃包含例如苯磺酸，甲苯磺酸或二甲苯磺 酸之芳族磺酸，酚及含氯有機溶劑之去除劑（美國專利 3,583,40 1號），及包含例如萘，酚之芳族烴Μ及芳族磺 酸之去除劑（日本專利申請公開案35357/1987)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 酸性去除劑之去除能力微弱，尤有甚者，酸對於常用 於形成细線路之線路材料如鋁和鋦等有強烈的腐蝕性。 為此理由，近年來嚴格要求尺寸精密度之精密製品不適 合採用酸性去除劑。此外，此等酸性去除劑在水中溶解 度低，故去除光阻劑後，在水洗之前，必須用例如醇之 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ297公釐） 389848 硪修亚 at -¾¾ ± i B7 五、發明説明（19今 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 鎺σια ) 菏泠 Φ 菡 雜職存0>豸 譫鶼存#雜 兴 ^φ漤雎缅食 _ 0 ^ ΜΜ _ 鄉 ％_!!_ 锄 X Ms Χ SC 17 锢IN職菏 έΕ-避雒職s__rf=H-ffl鵁 3 47 100加豌耸20|«||_次：：：丑牌-3圃菏蝴±薛1!8涵龛17-&,1.!1|>埘27__96^关。 1CO!Λ^3·20__^π·®$15ι^Η«κ·^ιίΒ1^17ί·,ΙΙΙΙ^^27Μ_^Ν-^。 Ιί :雎涵戔17卅昤埘懘存卟漤。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) “訂 -W, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 2 ) 1 有 機 溶 劑 先 沖 洗 > 使 得 製 程 變 得 複 雜 〇 1 1 另 方 面 鹼 性 去 除 液 乃 包 含 燒 酵 胺 或 多 焼 撐 多 胺 之 環 1 I 氧 乙 烧 加 合 物 * m 化 合 物 及 乙 二 酵 單 醚 之 去 除 劑 ( Β 1 1 I 本 專 利 串 請公開案49355/1987年） 及 包 含 做 為 主 要 成 分 先 閲 1 I 之 二 甲 基 亞 硪 二 甘 酵 單 醚 及 含 氮 之 有 機 羥 基 化 合 物 讀 背* 1 | ( B 本 專 利 公 開案 4265 3/ 1 989 年） 〇 之 注 1 意 1 m 而 前 述 鹼 性 去 除 劑 在 使 用 時 會 吸 溼 而 離 解 並 產 事 1 | 生 有 鹼 性 的 胺 0 於 是 在 去 除 光 阻 劑 後 不 用 例 如 醇 之 有 再（ 1 機 溶 劑 洗 而 直 接 水 洗 時 會 有 鹸 性 〇 此 外 鹼 性 去 除 寫 本 頁 裝 1 劑 對 於 常 用 於 形 成 精 密 Ifcal 画 案 之 線 路 材 料 的 鋁 銅 等 有 強 1 | 烈 的 腐 蝕 性 因 此 近 年 來 鹼 性 去 除 劑 並 不 適 用 於 對 1 | 於 尺 寸 精 密 度 要 求 極 為 嚴 格 之 超 精 密 圖 案 0 尤 有 甚 者 1 1 採 用 鹼 性 去 除 劑 時 去 除 光 阻 劑 後 仍 須 用 例 如 醇 之 有 機 訂 I 溶 劑 清 洗 0 m 之 鹼 性 去 除 劑 和 酸 性 去 除 劑 — 樣 均 須 1 1 1 採 用 複 雜 的 製 程 〇 1 1 近 年 來 線 路 越 來 越 细 故 蝕 刻 條 件 越 來 越 嚴 格 故 用 1 過 的 光 阻 劑 易 引 起 品 質 的 改 變 Ο 因 此 前 述 的 酸 性 去 除 線 液 和 鹼 性 去 除 液 之 去 除 能 力 均 不 足 導 致 光 阻 劑 有 殘 留 1 在 無 機 基 材 上 的 困 擾 〇 1 I 因 此 巨 前 急 需 一 種 能 容 易 地 移 除 光 阻 劑 膜 光 阻 劑 層 1 t 光 阻 劑 殘 餘 物 等 而 且 在 去 除 阻 劑 時 不 會 腐 蝕 線 路 材 1 1 料 之 去 除 劑 0 1 太 發 明 扼 要 說 明 1 本 發 明 之 百 的 乃 提 供 無 以 注 去 除 劑 之 缺 點 的 光 阻 劑 用 - 1 1 I -4 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 389848 Ψ -；c ! A7 B7

/ -J 五、發明説明Γϊ^Γ 进涠漥17 ¾涵滢18 进湎滢19 50 50 50 經濟部中央橾率局貝工消費合作社印製 >Δ Δ X Δ0 X Δ ◎ 辞渐(t;) 雄困(：¾•鄘) 凍固踵蒎4 澈瞄豸58S賂黎3

翊猫裔 w-^14 SFS (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) m ϋΐ 訂 -21b· 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（3 ) 去除劑組成物，其能在短時間及低溫下容易地去除無機 基材上的光阻劑膜、無機基材上光阻劑膜乾式蝕刻後殘 留的光阻劑層、或乾燥蝕刻及灰粉拋光後殘留的光阻劑 膜，在脫除操作時不會腐蝕任何線路材料而能完成超精 密作品，不必用例如醇之有機溶劑，只需用水清洗即可 製得高精密的線路圖案。 為解決以往的困擾，本案發明者經深入的探討，而發 現包含烷醇胺，烷氧烷胺或烷氧烷酵胺，二醇單烷醚及 糖或糖醇之水溶液去除劑組成物能在半導體積體圖案製 程中於低溫短時間內容易地去除光阻劑，其極佳的特徵 是線路材料完全不會腐蝕，且去除操作簡單及容易。如 此就實現本發明的目的。 此外，本案發明者亦發現包含烷酵胺，烷氧烷胺或烷 氧烷醇胺，二醇單烷醚，糖或糖酵及氫氧化季銨之水溶 液去除劑組成物亦能解決前述問題，因此亦實現本發明 之目的。 亦即本發明首先乃有關光阻劑用去除劑姐成物，包含 ⑴5至50SJ重量通式R 1 R 2 -N-CmH 2m0R 3所示的烷醇 胺，烷氧烷胺或烷氧烷酵胺，式中R1及R2各為氫原子 ,Ci - 4烷基或羥乙基；R3係氫原子，Ci - 4烷基， 羥乙基，甲氧乙基或乙氧乙基；而m為2至4之整數， (2)1至30¾重量通式R4 - (CpH2pO)q-R4所示之二酵 單烷醚，式中R4係氫原子或Ci - 4烷基；p係2至3 之整數；而q為1至3之整數， -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請·先閲讀i面之注意事項寫本頁) .裝_ 、tr 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（4 ) (3) 0.5至15¾重量糖或糖醇. 餘量為水。 其次，本發明有闞去除光阻劑之組成物，包含： ⑴5至50%重量之通式R 1 R 2 -N-CmH2in〇R 3烷醇胺， 烷氧烷胺或烷氧烷醇胺，式中R1及R2各為氫原子， Ci - 4烷基或羥乙基；R3係氫原子，Ci - 4烷基， 羥乙基，甲氧乙基或乙氧乙基；而m為2至4之整數， (2) 1至25%重量之通式R4-(C 0) -R4二醇單烷 P 2p q 醚，式中R4係氫原子或Ci - 4烷基；p係2至3之整 數；而q係1至3之整數， (3) 0.5至15%重量糖或糖酵， ⑷0.01至10¾:重量之通式[U5)3 N-R6 ] + 0H —氫氧 化季銨，式中尺5係（：1 - 4烷基，尺6係（：1 - 4烷基或 羥烷基，及 餘量為水。 附_夕簡璽說明 圖1乃半導體裝置之剖面圖，其中鋁線路3乃K光阻 劑膜4為光罩經乾式蝕刻而得。 圖2乃半導體裝置之剖面圖，其中圖1中之光阻劑膜 4乃利用氧電漿灰粉拋光去除之。 A搿明夕詳沭 在本發明中通式R 1 R 2 -NCmH2m〇R 3所代表的烷醇胺， 烷氧烷胺或烷氧烷醇胺之例子有乙醇胺，甲基乙醇胺 ,Ν,Ν -二甲基乙醇胺，N -乙基乙醇胺，Ν,Ν -二乙基乙醇 -6- (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 胺，丙醇胺，H-甲基丙醇胺，N，N-二甲基丙酵胺，N-乙 基丙醇胺，Ν,Ν-二乙基丙醇胺，2-甲氧乙胺，2-乙氧乙 胺，3-甲氧丙胺，3-乙氧丙胺，2-(2-胺乙氧）乙醇，2-(2-胺乙氧）丙醇，2-胺-1-丙醇及1-胺-2-丙醇。 在前述的烷醇胺、烷氧烷胺或烷氧烷醇胺中，較適用 的為乙醇胺，N -甲基乙醇胺，及2-(2 -胺乙氧）乙醇。 烷醇胺，烷氧烷胺或烷氧烷醇胺之濃度為全溶液重量 的5至50S；,較佳為5至45¾ ,尤佳為10至40¾ 。若烷 醇胺，烷氧烷胺或烷氧烷醇胺之澹度低於前述之下限， 則光阻劑去除之速率太慢，若超過前述範圍，則無法防 止線路材料之腐蝕。 此外，通式R4-(CpH2p0)q-R4所代表的二醇烷醚例 如是乙二醇單甲醚，乙二醇單***，二二酵單丁醚，二 甘醇單甲醚，二甘醇單***，二甘酵單丁醚，二甘酵二 甲醚，丙二醇單***，二丙二醇單甲醚，二丙二醇單甲 醚及二丙二醇二甲醚。 二醇烷醚濃度佔全溶液重量的1至308；,較佳為5至 30SS ,尤佳為5至20S；。若二酵烷醚之濃度低於前述濃 度範圍之下限.則媒路材料會腐蝕，而若高於前述之上 限，則光阻劑之去除速率變慢。 可用於本發明之糖包含單糖及多糖，典型之例子有具 C3 - 6之甘油醛，蘇糖，***糖，木糖，核糖，核 酮糖，木酮糖，葡萄糖，甘露糖，半乳糖，塔格糖，阿 洛糖，阿卓糖，古洛糖，艾杜糖，塔羅糖，山梨糖，阿 -7- — I I I I I 裝— — 訂— — II .線 < Λ * * /· -1. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 6 ) 1 洛 酮 糖 及 果 糖 〇 | 可 用 於 本 發 明 之 糖 醇 包 含 蘇 糖 酵 > 赤 蘇 醇 阿 東 糖酵 1 I • 阿 糖 醇 * 木 糖 醇 9 塔 羅 糖 醇 9 山 梨 糖 醇 ， 甘 露 耱 酵， 1 I 請- 1 1 伊 地 醇 及 衛 矛 醇 〇 先 閲 1 I 在 此 等 糖 及 糖 醇 中 » 由 溶 解 度 9 分 解 度 等 之 觀 點 而言 背* I 較 佳 為 葡 萄 糖 甘 露 糖 9 半 乳 糖 山 梨 糖 酵 9 甘 露糖 之 注 1 酵 及 木 糖 醇 〇 I 1 I 煻 或 糖 酵 濃 度 佔 全 溶 液 重 量 之 0 . 1至 15S； • 較 佳 為 1至 f( 10¾ 9 若 糖 及 糖 醇 濃 度 低 於 刖 述 濃 度 範 圍 之 下 限 > 則不 寫 本 頁 裝 1 能 有 效 地 阻 止 線 路 的 腐 蝕 相 反 地 • 若 超 過 刖 述 上 限， 1 I 則 效 果 無 法 更 好 • 故 不 經 濟 〇 1 1 在 本 發 明 中 » 必 要 時 9 可 用 通 式 [(R 5) a N -R 6 ]+ 0Η * - 1 1 之 氫 氧 化 季 数 〇 氫 氧 化 季 銨 之 例 子 包 含 氫 氧 化 四 甲 銨， 訂 | 氫 氧 化 四 乙 銨 » 氫 氧 化 四 丙 銨 9 氫 氧 化 四 丁 銨 » 氫 氧化 1 1 三 甲 基 乙 銨 9 氫 氧 化 二 甲 基 二 乙 銨 » 氫 氧 化 二 甲 基 (2- 1 1 羥 乙 基 )銨及氫氧化三乙基（2- 羥 乙 基 )銨（ 1 在 此 等 季 銨 中 ♦ 特 佳 為 氫 氧 化 四 甲 数 (TMAH) 及 氫 氧化 線 三 甲 基 (2 -羥乙基） 銨 0 1 氫 氧 化 季 銨 之 濃 度 為 全 溶 液 重 量 的 0 . 0 1 至 10¾ , 較佳 1 I 為 0 . 1 至 5S： C >若氫氧化季銨之瀠度在此範圍内， 則光阻 1 1 劑 去 除 速 率 不 會 容 易 變 差 〇 1 | 可 塗 佈 光 阻 劑 膜 之 基 材 例 如 是 半 導 體 線 路 材 料 * 如矽 1 • 聚 矽 > 二 氧 化 矽 膜 9 鋁 9 鋁 合 金 » 钛 貲 鈦 -錄， 氮化 1 鈦 及 鎢 9 複 合 半 導 體 » 如 鎵 -砷， 鎵- 磷 及 絪 -磷， Μ及 1 1 1 -8 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 五、發明説明（ 7 ) 1 1 液 晶 顯 示 器 之 玻 璃 基 板 Ο I 本 發 明 之 光 阻 劑 去 除 劑 可 用 來 去 除 無 機 基 材 上 的 光 阻 1 1 I 劑 膜 9 該 無 機 基 材 上 光 阻 劑 膜 經 乾 式 蝕 刻 後 之 殘 留 光 阻 請. 1 1 劑 層 或 經 乾 式 蝕 刻 及 灰 粉 拋 光 後 之 殘 留 光 阻 劑 餘 跡 f 先 閲 1 I 並 且 在 必 要 時 於 去 除 操 作 中 可 配 合 加 熱 9 超 音 波 等 讀 背. 1 1 面 之 1 注 意 I 採 用 本 發 明 去 除 劑 之 處 理 法 通 常 是 浸 漬 法 但 亦 可 採 事 項, 1 用 例 如 噴 灑 之 其 他 方 法 〇 号€ 填 Μ 本 發 明 之 去 除 劑 處 理 後 所 做 的 清 洗 步 驟 採 用 水 即 寫 本 頁 裝 1 可 完 全 勝 任 不 必 再 用 例 如 醇 之 有 機 溶 劑 〇 1 I 無 機 基 材 上 之 光 阻 劑 膜 該 光 阻 劑 膜 經 乾 式 蝕 刻 後 殘 1 1 留 之 光 阻 劑 膜 或 經 乾 式 蝕 刻 及 灰 粉 拋 光 後 殘 留 之 光 阻 1 1 劑 膜 可 利 用 本 發 明 之 光 阻 劑 的 去 除 劑 於 低 溫 短 時 間 地 去 訂 1 除 而 得 超 细 緻 之 製 品 不 會 腐 蝕 任 何 線 路 材 料 0 此 外 1 1 9 清 洗 步 驟 中 只 用 水 即 可 不 必 再 用 例 如 醇 之 有 櫬 溶 劑 1 | t 即 能 製 得 高 精 密 的 線 路 圖 案 0 1 茲 實 施 例 及 對 昭 例 做 本 發 明 做 更 詳 盡 的 說 明 但 本 線 發 明 之 範 圍 並 不 局 限 於 實 施 例 中 所 述 者 0 1 M. 1 罕 9 η 對 照 例 1 罕 4 I 圖 1 顯 示 半 導 體 裝 置 之 横 切 面 > 其 中 線 路 3 乃 以 光 阻 1 劑 膜 4 為 光 罩 經 乾 式 蝕 刻 而 得 〇 在 圖 1 中 > 半 導 體 裝 置 1 I 基 材 1 覆 Μ 氧 化 物 膜 2 • 並 經 乾 式 蝕 刻 » 而 得 到 側 壁 保 1 1 護 膜 5 〇 1 1 使 圖 1 之 半 導 體 裝 置 浸 在 組 成 如 表 1 所 示 之 去 除 劑 中 1 -9 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 經預定之時間，然後K超纯之水清洗，接著乾燥之。其 後以電子顯微鏡（SEM)觀察，評估光阻劑4及殘留物5 之去除情形，Μ及鋁線路3之腐蝕性，结果列於表1中 Ο 按下列之分级，評估電子顯微鏡覲察之去除性及腐蝕 性： 去除性： ◎:光阻劑膜或殘留物完全去除 Δ ：尚可観察到部分未去除的光阻劑膜或殘留物 X:大部分的光阻劑膜或殘留物均未去除 腐蝕性： Ο :無任何的腐蝕 △:有部分腐蝕 X :有顯著的腐蝕 例10苺18. 對昭俐5 至8 重覆例1至9及對照例1至4之步驟，但Κ組成如表 2所示之去除劑取代表1之去除劑，然後評估去除性及 腐蝕性。结果列於表2中。 俐苺？.4. 對昭例9 莘12 圖2顯示半導體裝置之横切面，其中圖1中之光阻劑 膜4係以氧電漿對例1所用之半導體裝置做光阻劑灰粉 拋光而得。圖2中，有殘留物5 (側壁保護性沈積膜）未 被氧電漿移除，殘留物5之上方僅做變形而擴散到鋁線 路3 。 -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） :，.一··— — A7 -同7-~ 五、發明説明（气【 無忧 光阻稱灰粉拋光後，將圃2之半導體裝置浸入組成物 表3所示的去除劑中經預定之時間，然後以超純之水清 洗，接箸乾燥。其後以霣子顯撤鏡（SEM)評估鋁線路3 之腐蝕性•結果列於表3中。 例25茶33 對照例us 1 r 重覆例19至24及對照例9至12之步驟，但以組成如表 4所示之去除劑取代表3之去除劑，然後評估去除性及 腐拽性。结果列於表4中。 對照例17至19 重覆例1至9及對照例1至4之步驟，但以組成如表 5所示之去除劑取代表1之去除剤，然後評估去除性及 腐蝕性。結果列於表5中。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 -釔.* «濟部中夫揉準局貝工消费合作社印簟 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS > A4洗格（2丨0><297公釐） ο 1 /ί\明説明發、五

A B m S 鸢私 漥5 Sm ίs 驶涠鸢一 aa湎漥2 雔湎鸢3 驶湎盞私 «(N®s 调NS菏 姻N®菏 悃INSS 锢(NSS 姻(N®菏 価NS菏 «NS 菏 Η丨丑脒[NS薄 2-(2-菏(Ν«)Ν® 钿㈧聩菏

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E-避雄S &避雜S Ε雉譫s E-避》聩 E避雜® e避*® 讲雜S E-避雜® E-趙維® &避·® E-避雄® 鏡 0 00 識雜 00i»繇 菏 Φ (请先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10 10 10 15 tss5 S 25 50 40 55 90 »_ __ 35 35 35 35 35 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） «sa-φ

?K 線 A7 B7 五、發明説明（11 )

室1 S M3 Ϊ S 5 5 Ϊ 5 ¾湎盏一 ¾涠戔2 ¾¾戔 3 SS湎油！U 50 50 50 40 50 50 50 50 70 50 S 50 50 10 10 10 10 10 10 10 15 3 10 10 10 10

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.1T 線 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（13 ) 表 2 ( I ) 氫氧化季銨成 分 水 種 頚 %重量 %重量 例10 氫氧化四甲銨 3 32 例11 氫氧化四甲銨 3 32 例12 氫氧化四甲銨 3 32 例13 氫氧化四甲銨 3 32 例14 氫氧化四甲銨 3 32 例15 氫氧化三甲（2-羥乙基）銨 0.5 34.5 例16 氫氧化四甲銨 0.5 29,5 例17 氫氧化四甲銨 5 40 例18 氫氧化四甲銨 1 40 對照例5 氫氧化四甲銨 3 47 對照例6 氫氧化四甲銨 3 27 對照例7 氫氧化四甲銨 3 47 對照例8 氫氧化四甲銨 35 —15— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（14 ) A7 B7 momi Ϊ2 Ϊ3 Ϊ4 55 Ϊ6 Ϊ7 S18 ia湎漥5 Ιί涵漥6 ia湎漥7 as涠鸢oo 50 50 50 50 50 50 50 50 70 50 50 50 50 10 10 ◎ © ο◎ ο ο◎ ο◎◎◎ χ Ι> ο◎ Ο ©◎ ο ο◎◎ Δ © χ t> iMa(rf) ®1ι!(φ») 凍S1IS4 潴晒豸5 )1¾薪莽 0 0^. 谢 Γ0 i ! ,1 ~裝 訂 線 (免先Μ讀t面之注意事項寫本Ji) { 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ◎ ο ο ο ο ο ο ο ο X χ ο◎ •16· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） 五、發明説明（15 )

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◎ο ◎οο © Δ [> X X ο ◎ ◎ ◎ο ◎ X X ◎ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 溜晒豸5 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 盤雜5§3 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 五、發明説明（l7 ) 51 52 53 雎缅戔13 iffiii渣 14 2$湎垄15 细湎室16 «tNs 菏 侧(NSS «(NSS 姻Z,»菏 35 浴5 25 35 50 50 紲 4： U ) hntsl 姻-E0灌 untee-ffljl untBI«-l醪 hnie«丑羝Μώ-sw^s hntnli-ffl憩 20 40 20 15 20 20 A7 B7 鸢25 盞26 57 鸢28 戔29 鸢30 姻1NS菏 N--fflpINss 2—(2-^(N«)INs^ «Ζ®薄«Nss姻Nas 35 35 35 35 35 办5

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.1T 線 五、發明説明（18 ) A7 B7 表4 U ) 氫氧化季銨成 分 水 種 類 %重量 %重量 例25 氫氧化四甲銨 3 32 例26 氫氧化四甲銨 3 32 例27 氫氧化四甲銨 3 32 例28 氫氧化四甲銨 3 32 例29 氫氧化三甲（2-羥乙基）銨 3 32 例30 氫氧化四甲銨 0.5 34.5 例31 氫氧化四甲銨 0.5 29.5 例32 氫氧化四甲銨 5 40 例33 氫氧化四甲銨 1 40 對照例13 氫氧化四甲铵 3 47 對照例14 氫氧化四甲銨 3 27 對照例15 氫氧化四甲銨 3 47 對照例16 氫氧化四甲銨 35 5 — ~^、1τ-------^---- . ^ , -(請先閲讀t·面之注意事項^%寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 —20— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 五、發明説明（19 ) A7 B7 渣25 鸢26 S27 窗28 SCDso 51 52 53 ¾¾ 鸢 13 siil戔 14 a$湎漥15 2¾¾ 戔 16 50 50 50 50 50 50 50 50 70 50 50 50 50 5 S 5 5 5 5 5 10 1 5 5 10 5 οο 〇◎◎οοο © Δο X Δ 薛砷(θ)^3(φ») 潘晒豸5 )1¾察赛 ^ϋ- 1^1 1^1 Jn HI In n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

'1T 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ο ©ο Ο◎ ©◎ο◎ X X◎◎ —21— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25»7公釐） 酩菇琛3 389848 硪修亚 at -¾¾ ± i B7 五、發明説明（19今 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 鎺σια ) 菏泠 Φ 菡 雜職存0>豸 譫鶼存#雜 兴 ^φ漤雎缅食 _ 0 ^ ΜΜ _ 鄉 ％_!!_ 锄 X Ms Χ SC 17 锢IN職菏 έΕ-避雒職s__rf=H-ffl鵁 3 47 100加豌耸20|«||_次：：：丑牌-3圃菏蝴±薛1!8涵龛17-&,1.!1|>埘27__96^关。 1CO!Λ^3·20__^π·®$15ι^Η«κ·^ιίΒ1^17ί·,ΙΙΙΙ^^27Μ_^Ν-^。 Ιί :雎涵戔17卅昤埘懘存卟漤。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) “訂 -W, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 389848 Ψ -；c ! A7 B7

/ -J 五、發明説明Γϊ^Γ 进涠漥17 ¾涵滢18 进湎滢19 50 50 50 經濟部中央橾率局貝工消費合作社印製 >Δ Δ X Δ0 X Δ ◎ 辞渐(t;) 雄困(：¾•鄘) 凍固踵蒎4 澈瞄豸58S賂黎3

翊猫裔 w-^14 SFS (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) m ϋΐ 訂 -21b· 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 389848

   A、申請專利菜^ ., 館正 j& 8.-』充 第84113224號「光阻劑用去除劑組成物及去除方法J専利案 (褚先Μ讀背面之注^^項弄填寫本頁) (88年8月9日修正） Λ申請專利範園： 1. 一種光阻劑用去除劑組成物，包括 ⑴5至50重量％的單乙酵胺、Ν-甲基乙酵胺或2-<2-胺乙氧基）乙酵， ⑵1至30重量ft的二甘酵單***或二丙二酵単***， ⑶0.5至1 5重纛At的山梨糖酵， 且其餘爲水。 2. —種去除光阻劑方法，其包括使用如申請専利範圍第 1項中所述之光阻劑用去除劑組成物來去除光阻劑之 步驟。 3. 如申請専利範困第2項之去除光阻劑之方法，其中去 除施塗在無檐基材上的光阻劑膜* 4. 如申請専利範園第2項之去除光阻劑之方法，其中光 阻劑膜在無櫬基材上形成覆蓋層，而基材之未覆蓋區 則經乾式蝕刻，然後才去當作覆蓋層之光阻劑膜》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5. 如申請專利範圍第2項之去除光阻劑之方法，其中光 阻劑膜在無機基材上形成覆蓋餍，而基材之未覆蓋區 則經乾式蝕刻，進一步使當作覆蓋層之光阻劑膜進行 灰粉抛光，然後才去除遺留之光阻劑殘餘物。 6. —種光阻劑用去除劑組成物，包括： ⑴5至45重量％的單乙酵胺、N -甲基乙醇胺或2-(2- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) 210X297公釐） 389848

   A、申請專利菜^ ., 館正 j& 8.-』充 第84113224號「光阻劑用去除劑組成物及去除方法J専利案 (褚先Μ讀背面之注^^項弄填寫本頁) (88年8月9日修正） Λ申請專利範園： 1. 一種光阻劑用去除劑組成物，包括 ⑴5至50重量％的單乙酵胺、Ν-甲基乙酵胺或2-<2-胺乙氧基）乙酵， ⑵1至30重量ft的二甘酵單***或二丙二酵単***， ⑶0.5至1 5重纛At的山梨糖酵， 且其餘爲水。 2. —種去除光阻劑方法，其包括使用如申請専利範圍第 1項中所述之光阻劑用去除劑組成物來去除光阻劑之 步驟。 3. 如申請専利範困第2項之去除光阻劑之方法，其中去 除施塗在無檐基材上的光阻劑膜* 4. 如申請専利範園第2項之去除光阻劑之方法，其中光 阻劑膜在無櫬基材上形成覆蓋層，而基材之未覆蓋區 則經乾式蝕刻，然後才去當作覆蓋層之光阻劑膜》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5. 如申請專利範圍第2項之去除光阻劑之方法，其中光 阻劑膜在無機基材上形成覆蓋餍，而基材之未覆蓋區 則經乾式蝕刻，進一步使當作覆蓋層之光阻劑膜進行 灰粉抛光，然後才去除遺留之光阻劑殘餘物。 6. —種光阻劑用去除劑組成物，包括： ⑴5至45重量％的單乙酵胺、N -甲基乙醇胺或2-(2- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) 210X297公釐） 3B9848 — ,申請專利範園 A8 B8 C8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製· 胺乙氧基）乙酵， (2) 1至25重量》的二甘酵單***或二丙二酵單***， (3) 0.5至15重悬％的山梨糖酵， ⑷0.01至10重量％的氫氧化四甲銨或氫氧化三乙基 (2 -羥乙基）銨， 且其餘爲水· 7·—種去除光阻劑之方法，其包括使用如申請專利範圈 第6項中所述之光阻劑用去除劑組成物來去除光阻剤 之步驟。 8.如申請専利範圍第7項之去除光阻劑之方法，其中去 除施塗在無檐基材上之光阻劑膜β gf如申請專利範圍第7項之去除光阻劑之方法，其中光 阻劑膜在無機基材上形成覆蓋層，基材之未覆區則綞 乾式蝕刻，然後去除當作覆蓋層之光阻劑膜* ία如申請專利範困第7項之去除光阻劑之方法，其中光 阻劑膜在無檐基材上形成覆蓋餍，基材之未覆蓋面則綞 乾式蝕刻，進一步將當作覆蓋餍之光阻劑膜做灰粉抛 光，然後才去除遺留之光阻劑殘餘物· 本纸張尺度逍用中《國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意Ϋ項再4寫本頁}